JP2018018890A - Electronic device and method of manufacturing electronic device - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electronic device which suppresses a substrate from warping, and a method of manufacturing the electronic device.SOLUTION: There is prepared a substrate 10 which has a through hole 12 formed penetrating from a top surface 10a to a reverse surface 10b, and also has electronic components 30 mounted on the top surface 10a and reverse surface 10b. Then the substrate 10 and a metal mold are so fixed that the reverse surface 10b faces an upper cavity and the top surface 10a faces a lower cavity. Then a constituting material of mold resin arranged in the lower cavity is made to flow from the through hole 12 to the upper cavity. The mold resin is thus molded on the top surface 10a and reverse surface 10b. When the substrate 10 is prepared, the substrate 10 is used in which an opening end 12a of the through hole 12 on the side of the top surface 10a is located in the center OA of a top-side sealing region 10c.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、貫通穴が形成された基板と、基板の表面及び裏面に実装された複数の電子部品と、電子部品を封止するモールド樹脂と、を備える電子装置、及び、電子装置の製造方法に関する。   The present invention relates to an electronic device including a substrate in which a through hole is formed, a plurality of electronic components mounted on the front and back surfaces of the substrate, and a mold resin for sealing the electronic component, and a method for manufacturing the electronic device About.

従来、特許文献1に記載のように、基板と、基板の一面及び他面に搭載された複数の電子部品と、電子部品を封止する樹脂と、を備える電子装置、及び、電子装置の製造方法が知られている。基板には、一面から他面にわたって貫通する貫通穴が形成されている。   Conventionally, as described in Patent Literature 1, an electronic device including a substrate, a plurality of electronic components mounted on one surface and the other surface of the substrate, and a resin that seals the electronic components, and manufacture of the electronic device The method is known. A through-hole penetrating from one surface to the other surface is formed in the substrate.

電子装置の製造方法としては、基板に対して他面側にキャビティを形成する枠部及び上型と、基板と、互いに固定する。そして、クランプ型及び下型が形成するキャビティに樹脂材料を配置するとともに、クランプ型の端部を一面に当接させることで、基板に対して一面側にキャビティを配置する。   As a method for manufacturing an electronic device, a frame portion and an upper mold that form a cavity on the other surface side of the substrate, and the substrate are fixed to each other. Then, the resin material is disposed in the cavity formed by the clamp mold and the lower mold, and the cavity is disposed on the one surface side with respect to the substrate by bringing the end of the clamp mold into contact with the one surface.

次に、下型を上型に向かって移動させる。下型の移動により、樹脂材料の一部は、貫通穴を通って、他面側のキャビティに移動する。以上により、1回の工程で基板の両面に樹脂を成形することができる。   Next, the lower mold is moved toward the upper mold. Due to the movement of the lower mold, a part of the resin material moves to the cavity on the other surface side through the through hole. By the above, resin can be shape | molded on both surfaces of a board | substrate by one process.

特開2015−76484号公報Japanese Patent Laying-Open No. 2015-76484

しかしながら上記方法では、樹脂材料を他面側のキャビティに移動させる際、樹脂材料から基板に対して、一面から他面へ向かう方向に応力が作用する。この応力によって、基板に反りが生じる虞がある。基板に反りが生じると、基板と電子部品との接続部に応力が作用し、接続信頼性が低下する。   However, in the above method, when the resin material is moved to the cavity on the other surface side, stress acts in a direction from one surface to the other surface from the resin material to the substrate. This stress may cause the substrate to warp. When the substrate is warped, stress acts on the connection portion between the substrate and the electronic component, and the connection reliability is lowered.

本発明はこのような課題に鑑みてなされたものであり、基板に反りが生じるのを抑制する電子装置、及び、電子装置の製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such problems, and an object thereof is to provide an electronic device that suppresses warping of a substrate and a method for manufacturing the electronic device.

本発明は、上記目的を達成するために以下の技術的手段を採用する。なお、括弧内の符号は、ひとつの態様として下記の実施形態における具体的手段との対応関係を示すものであって、技術的範囲を限定するものではない。   The present invention employs the following technical means to achieve the above object. In addition, the code | symbol in parenthesis shows the correspondence with the specific means in the following embodiment as one aspect | mode, and does not limit a technical range.

本発明のひとつは、
基板(10)と、基板の表面(10a)及び裏面(10b)に実装された複数の電子部品(30)と、電子部品を封止するモールド樹脂(40)と、を備える電子装置の製造方法であって、
表面から裏面にわたって貫通する貫通穴(12)が形成され、且つ、表面及び裏面に電子部品が実装された基板を準備すること、
裏面のうちのモールド樹脂が形成される裏側封止領域(10e)に対して第1金型(202)のキャビティ(220,222)が対向するように、第1金型及び基板を互いに接触させて固定し、且つ、表面のうちのモールド樹脂が形成される表側封止領域(10c)に対して第2金型(204,206)のキャビティが対向するように、第2金型及び基板を互いに接触させて固定すること、及び、
第2金型のキャビティ内に配置されたモールド樹脂の構成材料(40a)を貫通穴から第1金型のキャビティへ流すことで、第1金型及び第2金型の両方のキャビティ内に構成材料を配置して、モールド樹脂を成形することを備え、
基板を準備するにあたり、貫通穴の表面側における開口端(12a,12b)が、表側封止領域の中心(OA)に位置する基板を用いる。
One aspect of the present invention is
A method for manufacturing an electronic device, comprising: a substrate (10); a plurality of electronic components (30) mounted on a front surface (10a) and a back surface (10b) of the substrate; and a mold resin (40) for sealing the electronic components. Because
Preparing a substrate in which through holes (12) penetrating from the front surface to the back surface are formed, and electronic components are mounted on the front surface and the back surface;
A 1st metal mold | die and a board | substrate are mutually contacted so that the cavity (220,222) of a 1st metal mold | die (202) may oppose the back side sealing area | region (10e) in which the mold resin of the back surface is formed. And fix the second mold and the substrate so that the cavity of the second mold (204, 206) faces the front side sealing region (10c) on the surface where the mold resin is formed. Fixed in contact with each other; and
It is configured in the cavities of both the first mold and the second mold by flowing the constituent material (40a) of the mold resin disposed in the cavity of the second mold from the through hole to the cavity of the first mold. Arranging the material and forming the mold resin,
In preparing the substrate, a substrate is used in which the open ends (12a, 12b) on the surface side of the through hole are located at the center (OA) of the front side sealing region.

モールド樹脂の構成材料を裏面側に移動させる際、表面から裏面へ向かう方向において構成材料から基板に応力が作用する。このとき、表側封止領域では、表側封止領域の外周端との離間距離が長い箇所ほど構成材料からの応力が大きくなる。よって、表側封止領域では、中心付近が反り易い。また、基板における貫通穴の周囲では、貫通穴によって、構成材料からの応力が緩和される。   When the constituent material of the mold resin is moved to the back surface side, stress acts on the substrate from the constituent material in the direction from the front surface to the back surface. At this time, in the front side sealing region, the stress from the constituent material increases as the distance from the outer peripheral end of the front side sealing region increases. Therefore, in the front side sealing region, the vicinity of the center tends to warp. Further, around the through hole in the substrate, the stress from the constituent material is relieved by the through hole.

これに対して、上記方法では、基板を準備するにあたり、表側封止領域の中心に貫通穴が開口する基板を用いる。これによれば、構成材料を裏面側に流す際、貫通穴によって中心付近に作用する応力を緩和することができる。したがって、基板が反るのを抑制できる。   On the other hand, in the above method, in preparing the substrate, a substrate having a through hole opened at the center of the front side sealing region is used. According to this, when flowing the constituent material to the back side, the stress acting near the center can be relaxed by the through hole. Therefore, the substrate can be prevented from warping.

発明された他の発明のひとつは、
基板(10)と、基板の表面(10a)及び裏面(10b)に実装された複数の電子部品(30)と、電子部品を封止するモールド樹脂(40)と、を備える電子装置の製造方法であって、
表面から裏面にわたって貫通する複数の貫通穴(12)が形成され、且つ、表面及び裏面に電子部品が実装された基板を準備すること、
裏面のうちのモールド樹脂が形成される裏側封止領域(10e)に対して第1金型(202)のキャビティ(220,222)が対向するように、第1金型及び基板を互いに接触させて固定し、且つ、表面のうちのモールド樹脂が形成される表側封止領域(10c)に対して第2金型(204,206)のキャビティが対向するように、第2金型及び基板を互いに接触させて固定すること、及び、
第2金型のキャビティ内に配置されたモールド樹脂の構成材料(40a)を貫通穴から第1金型のキャビティへ流すことで、第1金型及び第2金型の両方のキャビティ内に構成材料を配置して、モールド樹脂を成形することを備え、
基板を準備するにあたり、複数の貫通穴の表面側における開口端(12a,12b)が、表側封止領域の中心(OA)に対して表面に沿う一方向における両側に位置する基板を用いる。
One of the other inventions invented is
A method for manufacturing an electronic device, comprising: a substrate (10); a plurality of electronic components (30) mounted on a front surface (10a) and a back surface (10b) of the substrate; and a mold resin (40) for sealing the electronic components. Because
Preparing a substrate in which a plurality of through holes (12) penetrating from the front surface to the back surface are formed, and electronic components are mounted on the front surface and the back surface;
A 1st metal mold | die and a board | substrate are mutually contacted so that the cavity (220,222) of a 1st metal mold | die (202) may oppose the back side sealing area | region (10e) in which the mold resin of the back surface is formed. And fix the second mold and the substrate so that the cavity of the second mold (204, 206) faces the front side sealing region (10c) on the surface where the mold resin is formed. Fixed in contact with each other; and
It is configured in the cavities of both the first mold and the second mold by flowing the constituent material (40a) of the mold resin disposed in the cavity of the second mold from the through hole to the cavity of the first mold. Arranging the material and forming the mold resin,
In preparing the substrate, a substrate is used in which the open ends (12a, 12b) on the surface side of the plurality of through holes are located on both sides in one direction along the surface with respect to the center (OA) of the front side sealing region.

構成材料を裏面側に流す際に、表側封止領域では、中心との離間距離が短い箇所ほど、構成材料からの応力が大きくなって、反り易い。また、表側封止領域では、貫通穴の開口端との離間距離が短い箇所ほど、構成材料からの応力が緩和され、反り難い。以上によれば、中心に対して一方向における一方側の領域のみで貫通穴が開口する場合、中心に対して一方向における他方側の領域では、貫通穴が開口せず、貫通穴の開口端との離間距離が長くなる。そのため、中心に対して一方向における他方側の領域では、反りが生じ易い。   When flowing the constituent material to the back side, in the front side sealing region, the stress from the constituent material increases as the distance from the center is shorter, and warpage is likely to occur. Further, in the front side sealing region, the stress from the constituent material is reduced and the warpage is less likely to occur as the distance from the opening end of the through hole is shorter. According to the above, when the through hole opens only in one area in one direction with respect to the center, the through hole does not open in the other area in one direction with respect to the center, and the opening end of the through hole The separation distance from is increased. For this reason, warpage is likely to occur in the region on the other side in one direction with respect to the center.

これに対して上記方法では、基板を準備するにあたり、複数の貫通穴の開口端が、中心に対して一方向における両側に位置する基板を用いる。これによれば、中心に対して一方向における両側の領域で、貫通穴の開口端との離間距離が長くなるのを抑制できる。したがって、構成材料を裏面側に流す際に基板が反るのを抑制できる。   On the other hand, in the above method, when preparing a substrate, a substrate in which the open ends of the plurality of through holes are located on both sides in one direction with respect to the center is used. According to this, it can suppress that the separation distance with the opening end of a through-hole becomes long in the area | region of the both sides in one direction with respect to the center. Therefore, the substrate can be prevented from warping when the constituent material is flowed to the back surface side.

発明された他の発明のひとつは、
表面(10a)から裏面(10b)にわたって貫通する貫通穴(12)が形成された基板(10)と、
表面及び裏面に実装された複数の電子部品(30)と、
表面に実装された電子部品を表面ごと封止する表側封止部(42)と、裏面に実装された電子部品を裏面ごと封止する裏側封止部(44)と、貫通穴内に配置されて表側封止部と裏側封止部とを連結する中間部(46)と、を有するモールド樹脂(40)と、を備え、
貫通穴の表面側における開口端(12a,12b)は、表面のうちのモールド樹脂が形成された表側封止領域(10c)の中心(OA)に形成されている。
One of the other inventions invented is
A substrate (10) having a through hole (12) penetrating from the front surface (10a) to the back surface (10b);
A plurality of electronic components (30) mounted on the front and back surfaces;
A front side sealing portion (42) for sealing the electronic component mounted on the front surface together with the front surface, a back side sealing portion (44) for sealing the electronic component mounted on the rear surface together with the rear surface, and disposed in the through hole. A mold resin (40) having an intermediate part (46) for connecting the front side sealing part and the back side sealing part,
The open ends (12a, 12b) on the surface side of the through hole are formed at the center (OA) of the front side sealing region (10c) on the surface where the mold resin is formed.

上記構成では、表側封止領域において最も反り易い中心に貫通穴が開口している。そのため、基板が反るのを抑制できる。   In the above configuration, the through hole is opened in the center where warpage is most likely to occur in the front side sealing region. Therefore, it is possible to suppress the substrate from warping.

発明された他の発明のひとつは、
表面(10a)から裏面(10b)にわたって貫通する貫通穴(12)が複数形成された基板(10)と、
表面及び裏面に実装された複数の電子部品(30)と、
表面に実装された電子部品を表面ごと封止する表側封止部(42)と、裏面に実装された電子部品を裏面ごと封止する裏側封止部(44)と、貫通穴内に配置されて表側封止部と裏側封止部とを連結する中間部(46)と、を有するモールド樹脂(40)と、を備え、
複数の貫通穴の表面側における開口端(12a,12b)は、表面のうちのモールド樹脂が形成された表側封止領域(10c)の中心(OA)に対して、表面に沿う一方向の両側に形成されている。
One of the other inventions invented is
A substrate (10) on which a plurality of through holes (12) penetrating from the front surface (10a) to the back surface (10b) are formed;
A plurality of electronic components (30) mounted on the front and back surfaces;
A front side sealing portion (42) for sealing the electronic component mounted on the front surface together with the front surface, a back side sealing portion (44) for sealing the electronic component mounted on the rear surface together with the rear surface, and disposed in the through hole. A mold resin (40) having an intermediate part (46) for connecting the front side sealing part and the back side sealing part,
Open ends (12a, 12b) on the surface side of the plurality of through holes are on both sides in one direction along the surface with respect to the center (OA) of the front side sealing region (10c) on which the mold resin is formed. Is formed.

上記構成では、中心に対して一方向における両側の領域で、貫通穴の開口端との離間距離が長くなるのを抑制できる。したがって、基板が反るのを抑制できる。   In the above configuration, it is possible to suppress an increase in the separation distance from the opening end of the through hole in the regions on both sides in one direction with respect to the center. Therefore, the substrate can be prevented from warping.

第1実施形態に係る電子装置において、基板の概略構成を示す平面図である。1 is a plan view illustrating a schematic configuration of a substrate in an electronic device according to a first embodiment. 図1のII−II線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the II-II line | wire of FIG. 配置工程について説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating an arrangement | positioning process. 配置工程について説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating an arrangement | positioning process. 配置工程について説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating an arrangement | positioning process. 配置工程について説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating an arrangement | positioning process. 上昇工程について説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating a raise process. 上昇工程について説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating a raise process. 貫通穴の開口率が異なる基板に対してモールド樹脂の成形による変形量を測定した測定結果を示す図である。It is a figure which shows the measurement result which measured the deformation amount by shaping | molding of mold resin with respect to the board | substrate from which the aperture ratio of a through-hole differs. 図9の測定に用いた基板の形状を示す平面図である。It is a top view which shows the shape of the board | substrate used for the measurement of FIG. 第2実施形態に係る電子装置において、基板の概略構成を示す平面図である。In the electronic device concerning a 2nd embodiment, it is a top view showing a schematic structure of a substrate. 図11のXII−XII線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the XII-XII line | wire of FIG. 金型の形状、及び、上昇工程実施後におけるモールド樹脂の構成材料の配置を示す断面図である。It is sectional drawing which shows arrangement | positioning of the shape of a metal mold | die, and the structural material of the mold resin after implementation of a raise process. 第3実施形態に係る電子装置において、基板の概略構成を示す平面図である。In the electronic device concerning a 3rd embodiment, it is a top view showing a schematic structure of a substrate. 第4実施形態に係る電子装置において、基板の概略構成を示す平面図である。In the electronic device concerning a 4th embodiment, it is a top view showing a schematic structure of a substrate. 第5実施形態に係る電子装置において、基板の概略構成を示す平面図である。In the electronic device which concerns on 5th Embodiment, it is a top view which shows schematic structure of a board | substrate. 第6実施形態に係る電子装置において、基板の概略構成を示す平面図である。In an electronic device concerning a 6th embodiment, it is a top view showing a schematic structure of a substrate. 第7実施形態に係る電子装置において、基板の概略構成を示す平面図である。In an electronic device concerning a 7th embodiment, it is a top view showing a schematic structure of a substrate. 第8実施形態に係る電子装置の概略構成を示す平面図である。It is a top view which shows schematic structure of the electronic device which concerns on 8th Embodiment. 第9実施形態に係る電子装置の製造方法において、準備工程について説明するための平面図である。It is a top view for demonstrating a preparatory process in the manufacturing method of the electronic device which concerns on 9th Embodiment. 図20のXXI−XXI線に沿う断面図であって、上昇工程実施後におけるモールド樹脂の構成材料の配置を示している。It is sectional drawing which follows the XXI-XXI line | wire of FIG. 20, Comprising: The arrangement | positioning of the structural material of the mold resin after a raise process implementation is shown. 離型工程実施後におけるモールド樹脂の形状を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the shape of mold resin after a mold release process implementation. 第10実施形態に係る電子装置の製造方法において、準備工程について説明するための平面図である。It is a top view for demonstrating a preparatory process in the manufacturing method of the electronic device which concerns on 10th Embodiment. 図23のXXIV−XXIV線に沿う断面図であって、上昇工程実施後におけるモールド樹脂の構成材料の配置を示している。It is sectional drawing which follows the XXIV-XXIV line | wire of FIG. 23, Comprising: The arrangement | positioning of the structural material of the mold resin after a raise process implementation is shown. 離型工程実施後におけるモールド樹脂の形状を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the shape of mold resin after a mold release process implementation.

図面を参照して説明する。なお、複数の実施形態において、共通乃至関連する要素には同一の符号を付与するものとする。また、基板の厚さ方向をZ方向、Z方向と直交する特定の方向をX方向、Z方向及びX方向と直交する方向をY方向と示す。   This will be described with reference to the drawings. In a plurality of embodiments, common or related elements are given the same reference numerals. Further, the thickness direction of the substrate is indicated as the Z direction, the specific direction orthogonal to the Z direction is indicated as the X direction, and the direction orthogonal to the Z direction and the X direction is indicated as the Y direction.

(第1実施形態)
先ず、図1及び図2に基づき、電子装置100の概略構成について説明する。
(First embodiment)
First, based on FIG.1 and FIG.2, schematic structure of the electronic device 100 is demonstrated.

電子装置100は、基板10と、基板10に実装された電子部品30と、電子部品30を封止しているモールド樹脂40と、を備えている。また、電子装置100は、基板10、電子部品30、及び、モールド樹脂40を収容する筐体を備えていてもよい。   The electronic device 100 includes a substrate 10, an electronic component 30 mounted on the substrate 10, and a mold resin 40 that seals the electronic component 30. Further, the electronic device 100 may include a housing that accommodates the substrate 10, the electronic component 30, and the mold resin 40.

本実施形態では、一例として、車両のエンジンルーム内に搭載されてなる車載電子装置に電子装置100を適用した例を採用する。さらに、電子装置100は、車載電子装置の一例として、インバータ装置に適用できる。しかしながら、電子装置100は、車載電子装置とは異なる装置に適用することもできる。   In the present embodiment, as an example, an example in which the electronic device 100 is applied to an in-vehicle electronic device mounted in an engine room of a vehicle is employed. Furthermore, the electronic device 100 can be applied to an inverter device as an example of an in-vehicle electronic device. However, the electronic device 100 can also be applied to a device different from the in-vehicle electronic device.

図1に示すように、基板10は、例えば直方体形状をなしている。なお図1では、電子部品30が実装されていない状態であって、且つ、モールド樹脂40が形成されていない状態の基板10について示している。XY平面に沿う基板10の平面形状は、長辺がX方向に沿い、短辺がY方向に沿う長方形状をなしている。図2に示すように、基板10は、表面10aと、Z方向において表面10aと反対の裏面10bと、を有している。表面10a及び裏面10bは、Z方向と直交する平面である。   As shown in FIG. 1, the board | substrate 10 has comprised the rectangular parallelepiped shape, for example. FIG. 1 shows the substrate 10 in a state where the electronic component 30 is not mounted and the mold resin 40 is not formed. The planar shape of the substrate 10 along the XY plane has a rectangular shape with long sides along the X direction and short sides along the Y direction. As shown in FIG. 2, the substrate 10 has a front surface 10 a and a back surface 10 b opposite to the front surface 10 a in the Z direction. The front surface 10a and the back surface 10b are planes orthogonal to the Z direction.

基板10は、樹脂基材とランドと配線とを有するプリント基板である。樹脂基材は、絶縁性の樹脂材料を用いて形成されている。樹脂基材は、例えば、エポキシ樹脂を用いて形成されている。ランドは、電子部品30を実装するために設けられた基板10の電極である。ランドは、表面10a及び裏面10bの両方に形成されている。図1では、ランドを省略して図示している。配線は、樹脂基材の内部や、表面10a及び裏面10bに形成され、ランドに接続されている。   The board 10 is a printed board having a resin base material, lands, and wiring. The resin base material is formed using an insulating resin material. The resin base material is formed using, for example, an epoxy resin. The land is an electrode of the substrate 10 provided for mounting the electronic component 30. The lands are formed on both the front surface 10a and the back surface 10b. In FIG. 1, the land is omitted. The wiring is formed inside the resin base material, on the front surface 10a and the back surface 10b, and connected to the land.

基板10としては、例えば、コア層と、コア層に積層されたビルドアップ層と、を含む所謂ビルドアップ基板を採用できる。また、基板10としては、コア層が設けられておらず、複数のビルドアップ層が積層された所謂エニーレイヤー基板であっても採用できる。   As the substrate 10, for example, a so-called buildup substrate including a core layer and a buildup layer laminated on the core layer can be employed. Further, as the substrate 10, a so-called any layer substrate in which a core layer is not provided and a plurality of buildup layers are stacked can be employed.

表面10aは、表側封止領域10cと表側非封止領域10dとを有している。表側封止領域10cは、表面10aのうちのモールド樹脂40が形成された領域である。すなわち、表側封止領域10cは、表面10aのうちのモールド樹脂40と接触する領域である。表側非封止領域10dは、表面10aのうちのモールド樹脂40が形成されていない領域である。すなわち、表側非封止領域10dは、表面10aのうちのモールド樹脂40と接触しない領域である。図1では、表側封止領域10cと表側非封止領域10dとの境界を二点鎖線で示している。   The surface 10a has a front side sealing region 10c and a front side non-sealing region 10d. The front side sealing region 10c is a region of the surface 10a where the mold resin 40 is formed. That is, the front side sealing region 10c is a region in contact with the mold resin 40 in the surface 10a. The front side non-sealing region 10d is a region of the surface 10a where the mold resin 40 is not formed. That is, the front side non-sealing region 10d is a region that does not contact the mold resin 40 in the surface 10a. In FIG. 1, the boundary between the front side sealing region 10c and the front side non-sealing region 10d is indicated by a two-dot chain line.

表側封止領域10cは、長辺がX方向に沿い、短辺がY方向に沿う長方形状をなしている。本実施形態において、表側封止領域10cの中心OAは、表面10aの中心と一致している。中心OAは、表側封止領域10cにおいて、表側封止領域10cの外周端との離間距離が最も長い箇所である。表側封止領域10cが長方形状をなす本実施形態では、表側封止領域10cの対角線同士の交点が中心OAと一致する。図1では、表側封止領域10cの対角線を破線で示している。   The front-side sealing region 10c has a rectangular shape with long sides along the X direction and short sides along the Y direction. In this embodiment, the center OA of the front side sealing region 10c coincides with the center of the surface 10a. The center OA is a portion having the longest separation distance from the outer peripheral end of the front side sealing region 10c in the front side sealing region 10c. In the present embodiment in which the front side sealing region 10c has a rectangular shape, the intersection of the diagonal lines of the front side sealing region 10c coincides with the center OA. In FIG. 1, the diagonal line of the front side sealing area | region 10c is shown with the broken line.

表側非封止領域10dは、XY平面において、表側封止領域10cを囲む環状をなしている。表側非封止領域10dの内周端は、表側封止領域10cと表側非封止領域10dとの境界と一致している。表側非封止領域10dの外周端は、表面10aの外周端と一致している。表面10aでは、表側封止領域10cにのみランドが形成されており、表側非封止領域10dにはランドが形成されていない。   The front side non-sealing region 10d has an annular shape surrounding the front side sealing region 10c in the XY plane. The inner peripheral end of the front side non-sealing region 10d coincides with the boundary between the front side sealing region 10c and the front side non-sealing region 10d. The outer peripheral end of the front side non-sealing region 10d coincides with the outer peripheral end of the surface 10a. On the surface 10a, lands are formed only in the front side sealing region 10c, and no lands are formed in the front side non-sealing region 10d.

裏面10bは、表面10aと同様に、裏側封止領域10eと裏側非封止領域10fとを有している。裏側封止領域10eは、裏面10bのうちのモールド樹脂40が形成された領域である。裏側非封止領域10fは、裏面10bのうちのモールド樹脂40が形成されていない領域である。   The back surface 10b has the back side sealing area | region 10e and the back side non-sealing area | region 10f similarly to the surface 10a. The back side sealing region 10e is a region where the mold resin 40 is formed in the back surface 10b. The back side non-sealing region 10f is a region of the back surface 10b where the mold resin 40 is not formed.

Z方向の投影視において、裏面10bにおける裏側封止領域10eと裏側非封止領域10fとの境界は、表面10aにおける表側封止領域10cと表側非封止領域10dとの境界と、ほぼ一致している。よって、裏側封止領域10eの形状は、表側封止領域10cの形状とほぼ一致する長方形状をなしている。また、裏側非封止領域10fの形状は、表側非封止領域10dの形状とほぼ一致する環状をなしている。   In a projection view in the Z direction, the boundary between the back-side sealing region 10e and the back-side non-sealing region 10f on the back surface 10b substantially coincides with the boundary between the front-side sealing region 10c and the front-side non-sealing region 10d on the surface 10a. ing. Therefore, the shape of the back side sealing region 10e is a rectangular shape that substantially matches the shape of the front side sealing region 10c. In addition, the shape of the back side non-sealing region 10f has an annular shape that substantially matches the shape of the front side non-sealing region 10d.

基板10には、表面10aから裏面10bにわたって貫通する貫通穴12が形成されている。貫通穴12は、モールド樹脂40を成形する際においてモールド樹脂40の構成材料40aを下記の下側キャビティ222から上側キャビティ220へ流すものである。   A through hole 12 is formed in the substrate 10 so as to penetrate from the front surface 10a to the back surface 10b. The through hole 12 allows the constituent material 40a of the mold resin 40 to flow from the lower cavity 222 described below to the upper cavity 220 when the mold resin 40 is molded.

貫通穴12は、表側封止領域10cから裏側封止領域10eにわたって形成されている。よって、貫通穴12の表面10a側における開口端12aは、表側封止領域10cにのみ形成され、表側非封止領域10dに形成されていない。開口端12aは、Z方向の投影視において表面10aに実装された電子部品30と重ならない位置に形成されている。貫通穴12の裏面10b側における開口端12bは、裏側封止領域10eにのみ形成され、裏側非封止領域10fに形成されていない。開口端12bは、Z方向の投影視において裏面10bに実装された電子部品30と重ならない位置に形成されている。   The through hole 12 is formed from the front side sealing region 10c to the back side sealing region 10e. Therefore, the opening end 12a on the surface 10a side of the through hole 12 is formed only in the front side sealing region 10c and is not formed in the front side non-sealing region 10d. The open end 12a is formed at a position that does not overlap with the electronic component 30 mounted on the surface 10a in the projection view in the Z direction. The opening end 12b on the back surface 10b side of the through hole 12 is formed only in the back side sealing region 10e and is not formed in the back side non-sealing region 10f. The open end 12b is formed at a position that does not overlap the electronic component 30 mounted on the back surface 10b in the Z-direction projection view.

本実施形態において貫通穴12は、Z方向に延びて形成されている。すなわち、貫通穴12の内壁面は、Z方向に沿う面とされている。また、本実施形態において、XY平面に沿う貫通穴12の平面形状は、真円形状をなしている。すなわち、XY平面に沿う開口端12aの平面形状、及び、開口端12bの平面形状は、真円形状をなしている。   In the present embodiment, the through hole 12 extends in the Z direction. That is, the inner wall surface of the through hole 12 is a surface along the Z direction. In the present embodiment, the planar shape of the through hole 12 along the XY plane is a perfect circle. That is, the planar shape of the opening end 12a along the XY plane and the planar shape of the opening end 12b are perfectly circular.

基板10には、複数の貫通穴12が形成されている。本実施形態では、9つの貫通穴12が基板10に形成されている。XY平面に沿う各貫通穴12の平面形状は、互いに同じ形状とされている。   A plurality of through holes 12 are formed in the substrate 10. In the present embodiment, nine through holes 12 are formed in the substrate 10. The planar shapes of the through holes 12 along the XY plane are the same as each other.

1つの貫通穴12は、表側封止領域10cの中心OAに開口している。言い換えると、1つの貫通穴12の開口端12aは、中心OAに位置している。さらに言い換えると、表側封止領域10cにおいて開口端12aは中心OAと重なっている。   One through hole 12 opens at the center OA of the front side sealing region 10c. In other words, the opening end 12a of one through hole 12 is located at the center OA. In other words, the opening end 12a overlaps the center OA in the front side sealing region 10c.

表側封止領域10cの中心OAに開口する貫通穴12は、裏面10bにおいて、裏側封止領域10eの中心OBに開口している。言い換えると、貫通穴12の開口端12bは、裏側封止領域10eの中心OBに位置している。さらに言い換えると、裏側封止領域10eにおいて開口端12bは中心OBと重なっている。   The through hole 12 that opens to the center OA of the front side sealing region 10c opens to the center OB of the back side sealing region 10e on the back surface 10b. In other words, the opening end 12b of the through hole 12 is located at the center OB of the back side sealing region 10e. In other words, the open end 12b overlaps the center OB in the back side sealing region 10e.

表側封止領域10cの中心OAに開口する貫通穴12以外の8つの貫通穴12は、4組の対をなしている。対をなす貫通穴12は、中心OAに対して表面10aに沿う一方向における両側に形成されている。表面10aに沿う一方向とは、Z方向と直交する方向のうちの1つの方向である。以上によれば、中心OAを通る仮想直線によって表側封止領域10cを2つの範囲に分けた場合、分けられた2つ範囲の夫々に1つの貫通穴12の開口端12aが位置する。   The eight through holes 12 other than the through hole 12 opening in the center OA of the front side sealing region 10c form four pairs. The paired through holes 12 are formed on both sides in one direction along the surface 10a with respect to the center OA. One direction along the surface 10a is one of the directions orthogonal to the Z direction. According to the above, when the front-side sealing region 10c is divided into two ranges by a virtual straight line passing through the center OA, the opening end 12a of one through hole 12 is positioned in each of the two divided ranges.

中心OAに対してX方向の両側、及び、Y方向の両側には、貫通穴12の開口端12aが形成されている。なお、図1では、表側封止領域10cにおいて中心OAを通ってY方向に沿う直線を破線で示している。また、表側封止領域10cの対角線上の夫々には、中心OAを挟むように対をなす貫通穴12の開口端12aが形成されている。すなわち、表側封止領域10cにおいて、4つの頂点と中心OAとの間の各々に、開口端12aが形成されている。以上によれば、中心OAは、8つの開口端12aによって囲まれている。   Open ends 12a of the through holes 12 are formed on both sides in the X direction and both sides in the Y direction with respect to the center OA. In FIG. 1, a straight line along the Y direction through the center OA in the front-side sealing region 10c is indicated by a broken line. Moreover, the opening end 12a of the through-hole 12 which makes a pair so that the center OA may be pinched | interposed on each of the diagonal of the front side sealing area | region 10c. That is, in the front side sealing region 10c, the opening end 12a is formed between each of the four apexes and the center OA. According to the above, the center OA is surrounded by the eight open ends 12a.

開口端12aと中心OAとの離間距離は、対をなす貫通穴12同士で同じ長さとされている。開口端12aと中心OAとの離間距離とは、開口端12aと中心OAとの最短距離である。以上によれば、表側封止領域10cにおいて、対をなす貫通穴12同士の開口端12aは、点対称に形成されている。裏面10bにおいても、対をなす貫通穴12同士の開口端12bは、中心OBを基準に点対称に形成されている。   The distance between the opening end 12a and the center OA is the same length between the paired through holes 12. The separation distance between the opening end 12a and the center OA is the shortest distance between the opening end 12a and the center OA. According to the above, in the front side sealing region 10c, the opening ends 12a of the paired through holes 12 are formed point-symmetrically. Also on the back surface 10b, the open ends 12b of the paired through holes 12 are formed point-symmetrically with respect to the center OB.

また、表側封止領域10cに対する貫通穴12の開口率は、0.05%以上とされている。貫通穴12の開口率とは、表側封止領域10cにおいて全体の面積に対する開口端12aの面積の割合を示すものである。   Moreover, the aperture ratio of the through hole 12 with respect to the front side sealing region 10c is 0.05% or more. The opening ratio of the through hole 12 indicates the ratio of the area of the opening end 12a to the entire area in the front side sealing region 10c.

電子部品30としては、例えば、スイッチング素子、マイコン等の半導体素子や、チップ抵抗、チップコンデンサ、及び、水晶振動子等の受動素子を採用することができる。電子部品30は、ベアチップ状態の素子であってもよい。電子部品30は、はんだを介してランドに接合されている。電子部品30は、表面10a及び裏面10bの両方に実装されている。電子部品30は、表面10aにおいて、表側封止領域10cにのみ実装され、表側非封止領域10dには実装されていない。同様に、電子部品30は、裏面10bにおいて、裏側封止領域10eにのみ実装され、裏側非封止領域10fには実装されていない。   As the electronic component 30, for example, a semiconductor element such as a switching element or a microcomputer, or a passive element such as a chip resistor, a chip capacitor, or a crystal resonator can be employed. The electronic component 30 may be an element in a bare chip state. The electronic component 30 is joined to the land via solder. The electronic component 30 is mounted on both the front surface 10a and the back surface 10b. On the surface 10a, the electronic component 30 is mounted only on the front side sealing region 10c, and is not mounted on the front side non-sealing region 10d. Similarly, on the back surface 10b, the electronic component 30 is mounted only on the back side sealing region 10e, and is not mounted on the back side non-sealing region 10f.

モールド樹脂40は、表面10aに実装された電子部品30を表面10aごと封止するとともに、裏面10bに実装された電子部品30を裏面10bごと封止している。以下、モールド樹脂40において、基板10に対して表面10a側に配置された部分を表側封止部42と示す。また、モールド樹脂40において、基板10に対して裏面10b側に配置された部分を裏側封止部44と示す。モールド樹脂40は、電子部品30及び樹脂基材に加えて、ランドやはんだを一体的に封止している。   The mold resin 40 seals the electronic component 30 mounted on the front surface 10a together with the front surface 10a, and seals the electronic component 30 mounted on the back surface 10b together with the back surface 10b. Hereinafter, in the mold resin 40, a portion arranged on the surface 10 a side with respect to the substrate 10 is referred to as a front side sealing portion 42. Further, in the mold resin 40, a portion disposed on the back surface 10 b side with respect to the substrate 10 is referred to as a back side sealing portion 44. The mold resin 40 integrally seals lands and solder in addition to the electronic component 30 and the resin base material.

表側封止部42は、表面10aに実装された電子部品30を覆うとともに、表側封止領域10cを覆っている。表側封止部42は、外表面として、Z方向と直交する底面42aと、底面42a及び表面10aを繋ぐ側面42bと、を有している。側面42bは、Z方向に沿う平面42cと、Z方向に対して傾斜している傾斜面42dと、を有している。   The front side sealing part 42 covers the electronic component 30 mounted on the surface 10a and also covers the front side sealing region 10c. The front side sealing portion 42 has, as outer surfaces, a bottom surface 42a orthogonal to the Z direction and a side surface 42b that connects the bottom surface 42a and the surface 10a. The side surface 42b has a flat surface 42c along the Z direction and an inclined surface 42d inclined with respect to the Z direction.

平面42cは、底面42aと連結されており、底面42aから表面10aへ向かってZ方向に延びている。平面42cは、ストレート部と称することもできる。傾斜面42dは、平面42cと裏面10bとを繋いでいる。傾斜面42dは、Z方向において基板10から遠ざかるほどXY平面において中心OAに近づくように、傾斜している。傾斜面42dは、テーパ部と称することもできる。   The flat surface 42c is connected to the bottom surface 42a and extends in the Z direction from the bottom surface 42a toward the surface 10a. The plane 42c can also be referred to as a straight portion. The inclined surface 42d connects the flat surface 42c and the back surface 10b. The inclined surface 42d is inclined so as to approach the center OA in the XY plane as the distance from the substrate 10 increases in the Z direction. The inclined surface 42d can also be referred to as a tapered portion.

Z方向における底面42aと表面10aとの離間距離は、表面10aに実装された電子部品30のZ方向における高さよりも長くされている。すなわち、表側封止部42のZ方向における高さは、表面10aに実装された電子部品30のZ方向における高さよりも高くされている。これにより、表側封止部42は、表面10aに実装された電子部品30の全体を覆っている。   The separation distance between the bottom surface 42a and the surface 10a in the Z direction is longer than the height in the Z direction of the electronic component 30 mounted on the surface 10a. That is, the height in the Z direction of the front side sealing portion 42 is set higher than the height in the Z direction of the electronic component 30 mounted on the surface 10a. Thereby, the front side sealing part 42 has covered the whole electronic component 30 mounted in the surface 10a.

裏側封止部44は、裏面10bに実装された電子部品30を覆うとともに、裏側封止領域10eを覆っている。裏側封止部44は、外表面として、Z方向と直交する底面44aと、底面44a及び裏面10bを繋ぐ側面44bと、を有している。側面44bは、Z方向に対して傾斜している傾斜面である。側面44bは、Z方向において基板10から遠ざかるほどXY平面において中心OBに近づくように、傾斜している。側面44bは、テーパ部と称することもできる。   The back side sealing portion 44 covers the electronic component 30 mounted on the back surface 10b and covers the back side sealing region 10e. The back side sealing portion 44 has, as an outer surface, a bottom surface 44a orthogonal to the Z direction and a side surface 44b that connects the bottom surface 44a and the back surface 10b. The side surface 44b is an inclined surface that is inclined with respect to the Z direction. The side surface 44b is inclined so as to approach the center OB in the XY plane as the distance from the substrate 10 increases in the Z direction. The side surface 44b can also be referred to as a tapered portion.

Z方向における底面44aと裏面10bとの離間距離は、裏面10bに実装された電子部品30のZ方向における高さよりも長くされている。すなわち、裏側封止部44のZ方向における高さは、裏面10bに実装された電子部品30のZ方向における高さよりも高くされている。これにより、裏側封止部44は、裏面10bに実装された電子部品30の全体を覆っている。   The separation distance between the bottom surface 44a and the back surface 10b in the Z direction is longer than the height in the Z direction of the electronic component 30 mounted on the back surface 10b. That is, the height in the Z direction of the back side sealing portion 44 is set higher than the height in the Z direction of the electronic component 30 mounted on the back surface 10b. Thereby, the back side sealing part 44 has covered the whole electronic component 30 mounted in the back surface 10b.

Z方向における裏側封止部44の高さ及び表側封止部42の高さの合計は、例えば、1mmよりも長くされている。本実施形態では、Z方向において、底面44aと裏面10bとの離間距離が、底面42aと表面10aとの離間距離よりも短くなっている。すなわち、Z方向において、裏側封止部44は、表側封止部42よりも低くなっている。Z方向における裏側封止部44の高さ及び表側封止部42の高さの差は、例えば、2mm未満とされている。   The total of the height of the back side sealing portion 44 and the height of the front side sealing portion 42 in the Z direction is, for example, longer than 1 mm. In the present embodiment, in the Z direction, the separation distance between the bottom surface 44a and the back surface 10b is shorter than the separation distance between the bottom surface 42a and the front surface 10a. That is, the back side sealing portion 44 is lower than the front side sealing portion 42 in the Z direction. The difference between the height of the back side sealing portion 44 and the height of the front side sealing portion 42 in the Z direction is, for example, less than 2 mm.

また、モールド樹脂40は、各貫通穴12内にも配置されている。以下、モールド樹脂40において貫通穴12内に配置された部分を中間部46と示す。各中間部46は、Z方向において、表側封止部42及び裏側封止部44を連結している。すなわち、表側封止部42及び裏側封止部44は、各中間部46によって互いに連結されている。   The mold resin 40 is also disposed in each through hole 12. Hereinafter, the portion disposed in the through hole 12 in the mold resin 40 is referred to as an intermediate portion 46. Each intermediate portion 46 connects the front side sealing portion 42 and the back side sealing portion 44 in the Z direction. That is, the front side sealing portion 42 and the back side sealing portion 44 are connected to each other by the intermediate portions 46.

次に、図3〜図8に基づき、電子装置100の製造方法について説明する。   Next, a method for manufacturing the electronic device 100 will be described with reference to FIGS.

先ず、樹脂基材に配線及びランドが形成された基板10を準備する準備工程を実施する。準備工程で準備する基板10には、貫通穴12が形成されている。貫通穴12は、例えば、ドリル、レーザ、又は、ルータによって形成される。   First, the preparatory process for preparing the substrate 10 having the wiring and lands formed on the resin base material is performed. A through hole 12 is formed in the substrate 10 prepared in the preparation process. The through hole 12 is formed by, for example, a drill, a laser, or a router.

準備工程を実施するにあたり、表側封止領域10cにおいて開口端12aが上記した位置となるように、貫通穴12が基板10に形成されている。すなわち、準備工程では、表側封止領域10cにおいて1つ貫通穴12の開口端12aが中心OAに位置している基板10を準備する。また、準備工程では、対をなす貫通穴12の開口端12aが、中心OAに対して一方向の両側に位置する基板10を準備する。詳述すると、4組の対をなす貫通穴12の開口端12aが、中心OAを基準に点対称に配置された基板10を準備する。なお準備工程において、表側封止領域10cにはモールド樹脂40が形成されていない。よって準備工程では、表面10aのうちの、下記の工程でモールド樹脂40を形成する予定の領域を表側封止領域10cとする。   In carrying out the preparation step, the through hole 12 is formed in the substrate 10 so that the opening end 12a is in the above-described position in the front side sealing region 10c. That is, in the preparation step, the substrate 10 is prepared in which the open end 12a of one through hole 12 is located at the center OA in the front side sealing region 10c. In the preparation step, the substrate 10 is prepared in which the opening ends 12a of the paired through holes 12 are located on both sides in one direction with respect to the center OA. Specifically, the substrate 10 is prepared in which the opening ends 12a of the four pairs of through holes 12 are arranged point-symmetrically with respect to the center OA. In the preparation step, the mold resin 40 is not formed in the front side sealing region 10c. Therefore, in the preparation step, a region of the surface 10a where the mold resin 40 is to be formed in the following step is defined as a front side sealing region 10c.

また、準備工程を実施するにあたり、対をなす貫通穴12の開口端12aによって中心OAが挟まれており、且つ、8つの貫通穴12の開口端12aによって中心OAが囲まれている基板10を用いる。さらに、準備工程を実施するにあたり、貫通穴12の開口端12aと、中心OAと、の離間距離が、対をなす貫通穴12同士で同じ長さとされている基板10を用いる。そして、準備工程を実施するにあたり、表側封止領域10cに対する貫通穴12の開口率が0.05%以上の基板10を用いる。   Further, in performing the preparation process, the substrate 10 in which the center OA is sandwiched between the opening ends 12a of the paired through holes 12 and the center OA is surrounded by the opening ends 12a of the eight through holes 12 is formed. Use. Furthermore, in carrying out the preparation step, the substrate 10 is used in which the distance between the opening end 12a of the through hole 12 and the center OA is the same length between the paired through holes 12. And in implementing a preparatory process, the board | substrate 10 whose opening rate of the through-hole 12 with respect to the front side sealing area | region 10c is 0.05% or more is used.

次に、はんだを介して基板10に電子部品30を実装する実装工程を実施する。実装工程では、表面10a及び裏面10bの両方に電子部品30をはんだ実装する。次に、基板10にモールド樹脂40を成形する。本実施形態では、コンプレッションモールド法によりモールド樹脂40を成形する。   Next, a mounting process for mounting the electronic component 30 on the substrate 10 via solder is performed. In the mounting process, the electronic component 30 is solder-mounted on both the front surface 10a and the back surface 10b. Next, a mold resin 40 is formed on the substrate 10. In this embodiment, the mold resin 40 is formed by a compression molding method.

図3〜図8に示すように、モールド樹脂40を成形するために用いる金型200は、上型202、下型204、及び、可動型206を有している。上型202は、基板10に対して裏面10b側にキャビティを形成するものである。以下、上型202によって形成されるキャビティを上側キャビティ220と示す。上型202は、特許請求の範囲に記載の第1金型に相当する。   As shown in FIGS. 3 to 8, the mold 200 used to mold the mold resin 40 includes an upper mold 202, a lower mold 204, and a movable mold 206. The upper mold 202 forms a cavity on the back surface 10 b side with respect to the substrate 10. Hereinafter, the cavity formed by the upper mold 202 is referred to as an upper cavity 220. The upper mold 202 corresponds to the first mold described in the claims.

上型202は、一端が開口し、他端が閉塞された有底筒状をなしている。すなわち、上型202は、一方向に延びる筒部208と、筒部208の開口を閉塞する底部210と、を有している。底部210は、厚さ方向が筒部208の延びる方向に沿う平板形状をなしている。筒部208は、底部210と反対側の一端面として、先端面208aを有している。先端面208aは、厚さ方向が筒部208の延びる方向に沿う平面とされている。   The upper mold 202 has a bottomed cylindrical shape with one end opened and the other end closed. That is, the upper mold 202 has a cylindrical portion 208 that extends in one direction and a bottom portion 210 that closes the opening of the cylindrical portion 208. The bottom portion 210 has a flat plate shape whose thickness direction is along the direction in which the cylindrical portion 208 extends. The cylindrical portion 208 has a distal end surface 208 a as one end surface opposite to the bottom portion 210. The distal end surface 208a is a plane whose thickness direction is along the direction in which the cylindrical portion 208 extends.

底部210は、上側キャビティ220の底面220aをなしている。底面220aは、裏側封止部44の底面44aを形成するものである。筒部208は、上側キャビティ220の側面220bをなしている。側面220bは、裏側封止部44の側面44bを形成するものである。側面220bは、筒部208の延びる方向に対して傾斜する傾斜面である。詳述すると、側面220bは、筒部208の延びる方向において底面220aから離れるほど筒部208の延びる方向と直交する平面において上側キャビティ220の中心から離れるように傾斜している。   The bottom portion 210 forms the bottom surface 220 a of the upper cavity 220. The bottom surface 220 a forms the bottom surface 44 a of the back side sealing portion 44. The cylindrical portion 208 forms the side surface 220 b of the upper cavity 220. The side surface 220 b forms the side surface 44 b of the back side sealing portion 44. The side surface 220b is an inclined surface that is inclined with respect to the direction in which the cylindrical portion 208 extends. More specifically, the side surface 220b is inclined so as to move away from the center of the upper cavity 220 in a plane orthogonal to the direction in which the cylinder portion 208 extends as the distance from the bottom surface 220a increases in the direction in which the cylinder portion 208 extends.

下型204及び可動型206は、上型202に対して重力方向側に配置され、基板10に対して表面10a側にキャビティを形成するものである。以下、下型204及び可動型206によって形成されるキャビティを下側キャビティ222と示す。また、重力方向を下、重力方向の反対方向を上と示す。下型204及び可動型206は、特許請求の範囲に記載の第2金型に相当する。また、下型204は、特許請求の範囲に記載のクランプ型に相当する。   The lower mold 204 and the movable mold 206 are arranged on the gravity direction side with respect to the upper mold 202, and form a cavity on the surface 10a side with respect to the substrate 10. Hereinafter, a cavity formed by the lower mold 204 and the movable mold 206 is referred to as a lower cavity 222. Moreover, the gravity direction is shown as the bottom, and the opposite direction of the gravity direction is shown as the top. The lower mold 204 and the movable mold 206 correspond to the second mold described in the claims. The lower mold 204 corresponds to the clamp mold described in the claims.

下型204は、内壁面が下側キャビティ222の側面222bをなす筒状をなしている。側面222bは、表側封止部42の側面42bを形成するものである。下型204は、延びる方向における一端面として、先端面204aを有している。先端面204aは、下型204の延びる方向と直交する平面とされている。   The lower mold 204 has a cylindrical shape whose inner wall surface forms the side surface 222 b of the lower cavity 222. The side surface 222 b forms the side surface 42 b of the front side sealing portion 42. The lower mold 204 has a front end surface 204a as one end surface in the extending direction. The distal end surface 204a is a plane orthogonal to the direction in which the lower mold 204 extends.

可動型206は、下型204が囲む空間を下型204の内壁面に沿って移動可能に構成されている。可動型206は、下側キャビティ222の底面222aをなしている。底面222aは、表側封止部42の底面42aを形成するものである。   The movable mold 206 is configured to be movable along the inner wall surface of the lower mold 204 in the space surrounded by the lower mold 204. The movable mold 206 forms the bottom surface 222 a of the lower cavity 222. The bottom surface 222 a forms the bottom surface 42 a of the front side sealing portion 42.

側面222bは、下型204の延びる方向に沿う平面222cと、下型204の延びる方向に対して傾斜している傾斜面222dと、を有している。平面222cは、表側封止部42の平面42cを形成するものである。傾斜面222dは、表側封止部42の傾斜面42dを形成するものである。傾斜面222dは、下型204の先端面204aと連結されており、下型204の開口をなしている。傾斜面222dは、下型204の延びる方向において先端面204aから離れるほど下型204の延びる方向と直交する平面において下側キャビティ222の中心へ近づくように傾斜している。   The side surface 222b has a flat surface 222c along the extending direction of the lower mold 204 and an inclined surface 222d inclined with respect to the extending direction of the lower mold 204. The flat surface 222 c forms the flat surface 42 c of the front side sealing portion 42. The inclined surface 222d forms the inclined surface 42d of the front side sealing portion 42. The inclined surface 222d is connected to the front end surface 204a of the lower mold 204 and forms an opening of the lower mold 204. The inclined surface 222d is inclined so as to approach the center of the lower cavity 222 in a plane orthogonal to the extending direction of the lower mold 204 as it is farther from the tip surface 204a in the extending direction of the lower mold 204.

なお本実施形態では、離型フィルムを上側キャビティ220及び下側キャビティ222に配置せずに、モールド樹脂40を成形する。離型フィルムとは、金型200とモールド樹脂40との間に配置され、金型200とモールド樹脂40とが互いに接着するのを抑制するものである。   In the present embodiment, the mold resin 40 is molded without disposing the release film in the upper cavity 220 and the lower cavity 222. A release film is arrange | positioned between the metal mold | die 200 and the mold resin 40, and suppresses that the metal mold | die 200 and the mold resin 40 mutually adhere | attach.

モールド樹脂40を成形するにあたり、金型200、及び、基板10を互いに固定配置する配置工程を実施する。配置工程では、先ず、図3に示すように上型202に対して基板10を固定する。このとき、基板10の上側に上型202を配置し、裏面10bに先端面208aを接触させる。   In molding the mold resin 40, an arrangement process is performed in which the mold 200 and the substrate 10 are fixedly arranged. In the arranging step, first, the substrate 10 is fixed to the upper mold 202 as shown in FIG. At this time, the upper mold 202 is disposed on the upper side of the substrate 10, and the front end surface 208a is brought into contact with the back surface 10b.

配置工程では、裏側封止領域10eに対して上側キャビティ220が対向するように、基板10及び上型202を配置する。すなわち、裏側封止領域10eは、先端面208aと接触せず、上側キャビティ220と対向する。一方、裏面10bにおいて先端面208aと接触している領域が、裏側非封止領域10fである。   In the arranging step, the substrate 10 and the upper mold 202 are arranged so that the upper cavity 220 faces the back side sealing region 10e. That is, the back side sealing region 10 e does not contact the tip surface 208 a and faces the upper cavity 220. On the other hand, a region in contact with the front end surface 208a on the back surface 10b is a back side non-sealing region 10f.

配置工程を実施するにあたり、裏側封止領域10eにおいて貫通穴12の開口端12bが上記した配置となるように、基板10を上型202に配置する。すなわち、裏側封止領域10eにおいて、1つ貫通穴12の開口端12bが中心OBに位置するように、基板10を上型202に配置する。また、対をなす貫通穴12の開口端12bが、中心OBに対して一方向の両側に位置するように、基板10を上型202に配置する。詳述すると、4組の対をなす貫通穴12の開口端12bが中心OBを基準に点対称に配置されるように、基板10を上型202に配置する。   In carrying out the arranging step, the substrate 10 is arranged on the upper mold 202 so that the open ends 12b of the through holes 12 are arranged as described above in the back side sealing region 10e. That is, the substrate 10 is arranged on the upper mold 202 so that the open end 12b of one through hole 12 is positioned at the center OB in the back-side sealing region 10e. Further, the substrate 10 is disposed on the upper mold 202 so that the opening ends 12b of the paired through holes 12 are located on both sides in one direction with respect to the center OB. Specifically, the substrate 10 is arranged on the upper mold 202 so that the opening ends 12b of the four pairs of through holes 12 are arranged point-symmetrically with respect to the center OB.

基板10を上型202に固定した後、図4に示すように下側キャビティ222内にモールド樹脂40の構成材料40aを入れる。詳述すると、顆粒状であるモールド樹脂40の構成材料40aを下側キャビティ222内へ撒布する。なお、構成材料40aを下側キャビティ222へ入れる前に、下型204の延びる方向を重力方向と一致させ、可動型206が上下方向に移動可能な状態としておく。そして、可動型206の位置を、例えば、可動型206の可動範囲のうちの最も下側の位置としておく。   After the substrate 10 is fixed to the upper mold 202, the constituent material 40a of the mold resin 40 is put into the lower cavity 222 as shown in FIG. More specifically, the constituent material 40 a of the mold resin 40 that is granular is distributed into the lower cavity 222. Before putting the constituent material 40a into the lower cavity 222, the extending direction of the lower mold 204 is made coincident with the direction of gravity so that the movable mold 206 is movable in the vertical direction. Then, the position of the movable mold 206 is set to the lowest position in the movable range of the movable mold 206, for example.

なお、配置工程を実施するにあたり、キャビティに入れられたモールド樹脂40の構成材料40aを溶かすために、金型200を加熱しておく。例えば、金型200を175℃程度とする。   In carrying out the arranging step, the mold 200 is heated in order to melt the constituent material 40a of the mold resin 40 put in the cavity. For example, the mold 200 is set to about 175 ° C.

下側キャビティ222内に構成材料40aを入れた後、下型204及び可動型206を移動させて、図5に示すように下型204の先端面204aを基板10の表面10aの一部に押し当てて固定する。これにより、基板10の下側に下型204及び可動型206が配置される。   After the constituent material 40a is put into the lower cavity 222, the lower mold 204 and the movable mold 206 are moved, and the tip surface 204a of the lower mold 204 is pushed against a part of the surface 10a of the substrate 10 as shown in FIG. Fix it by hitting. As a result, the lower mold 204 and the movable mold 206 are disposed below the substrate 10.

配置工程では、表側封止領域10cに対して下側キャビティ222が対向するように、基板10及び下型204を配置する。すなわち、表側封止領域10cは、先端面204aと接触せず、下側キャビティ222と対向する。一方、表面10aにおいて先端面204aと接触している領域が、表側非封止領域10dである。   In the arranging step, the substrate 10 and the lower mold 204 are arranged so that the lower cavity 222 faces the front sealing region 10c. That is, the front side sealing region 10 c does not contact the front end surface 204 a and faces the lower cavity 222. On the other hand, the region in contact with the tip surface 204a on the surface 10a is the front side non-sealing region 10d.

配置工程を実施するにあたり、表側封止領域10cにおいて貫通穴12の開口端12aが上記した配置となるように、下型204及び可動型206を基板10に配置する。すなわち、表側封止領域10cにおいて、1つ貫通穴12の開口端12aが中心OAに位置するように、下型204及び可動型206を基板10に配置する。また、対をなす貫通穴12の開口端12aが、中心OAに対して一方向の両側に位置するように、下型204及び可動型206を基板10に配置する。詳述すると、4組の対をなす貫通穴12の開口端12aが中心OAを基準に点対称に配置されるように、下型204及び可動型206を基板10に配置する。   In carrying out the arranging step, the lower mold 204 and the movable mold 206 are arranged on the substrate 10 so that the open ends 12a of the through holes 12 are arranged as described above in the front side sealing region 10c. That is, the lower mold 204 and the movable mold 206 are arranged on the substrate 10 so that the open end 12a of one through hole 12 is positioned at the center OA in the front-side sealing region 10c. Further, the lower mold 204 and the movable mold 206 are arranged on the substrate 10 so that the opening ends 12a of the paired through holes 12 are located on both sides in one direction with respect to the center OA. Specifically, the lower mold 204 and the movable mold 206 are arranged on the substrate 10 so that the open ends 12a of the four pairs of through holes 12 are arranged point-symmetrically with respect to the center OA.

また、本実施形態では、表側非封止領域10dが、Z方向の投影視において裏側非封止領域10fと一致するように、下型204及び可動型206を基板10に配置する。言い換えると、表面10aの下型204との接触箇所がZ方向の投影視において裏面10bの上型202との接触箇所と一致するように、下型204及び可動型206を基板10に配置する。すなわち、表側封止領域10cが、Z方向の投影視において裏側封止領域10eと一致するように、下型204及び可動型206を基板10に配置する。   In the present embodiment, the lower mold 204 and the movable mold 206 are arranged on the substrate 10 so that the front-side non-sealing region 10d coincides with the back-side non-sealing region 10f in the projection view in the Z direction. In other words, the lower mold 204 and the movable mold 206 are arranged on the substrate 10 so that the contact location with the lower mold 204 of the front surface 10a coincides with the contact location with the upper mold 202 of the back surface 10b in the projection view in the Z direction. That is, the lower mold 204 and the movable mold 206 are arranged on the substrate 10 so that the front-side sealing region 10c coincides with the back-side sealing region 10e when viewed in the Z direction.

下側キャビティ222に入れられたモールド樹脂40の構成材料40aは、金型200により加熱され、図6に示すように溶融する。すなわち、顆粒状であった構成材料40aが、液状となる。   The constituent material 40a of the mold resin 40 placed in the lower cavity 222 is heated by the mold 200 and melted as shown in FIG. That is, the constituent material 40a, which has been granular, becomes liquid.

配置工程の実施後、図7に示すように可動型206を上昇させる上昇工程を実施する。図7の白抜き矢印は、可動型206の移動方向を示している。この移動により、構成材料40aの一部は、各貫通穴12を通って、上側キャビティ220に流れる。上昇工程では、例えば、5MPaの圧力を可動型206に加え、0.2mm/secの速さで可動型206を上昇させる。可動型206を所定位置まで移動させると、図8に示すように、上側キャビティ220、下側キャビティ222、及び、各貫通穴12の全体に、モールド樹脂40の構成材料40aが配置される。   After the placement process, an ascending process for raising the movable mold 206 is performed as shown in FIG. A white arrow in FIG. 7 indicates a moving direction of the movable mold 206. By this movement, a part of the constituent material 40a flows through the through holes 12 to the upper cavity 220. In the ascending step, for example, a pressure of 5 MPa is applied to the movable mold 206, and the movable mold 206 is raised at a speed of 0.2 mm / sec. When the movable mold 206 is moved to a predetermined position, the constituent material 40a of the mold resin 40 is disposed in the upper cavity 220, the lower cavity 222, and the respective through holes 12 as shown in FIG.

上昇工程の実施後、キャビティ内の圧力を一定に保つ保圧工程を実施する。保圧工程では、金型200から構成材料40aに熱を印加しつつ、可動型206により構成材料40aに成形圧力を印加する。これにより、表面10aに表側封止部42が形成されるとともに裏面10bに裏側封止部44が形成される。そして、各貫通穴12には、中間部46が形成される。   After the ascending step, a pressure holding step is performed to keep the pressure in the cavity constant. In the pressure holding step, a molding pressure is applied to the constituent material 40a by the movable mold 206 while applying heat from the mold 200 to the constituent material 40a. Thereby, the front side sealing part 42 is formed on the front surface 10a and the back side sealing part 44 is formed on the back surface 10b. An intermediate portion 46 is formed in each through hole 12.

保圧工程の実施後、モールド樹脂40から金型200を離す離型工程を実施する。離型工程では、先ず、下型204をZ方向に移動させて、下型204を基板10から離す。そして、表側封止部42から可動型206を離すとともに、裏側封止部44から上型202を離す。以上により、図1及び図2に示した電子装置100を製造できる。   After performing the pressure holding process, a mold release process for separating the mold 200 from the mold resin 40 is performed. In the mold release step, first, the lower mold 204 is moved in the Z direction to release the lower mold 204 from the substrate 10. Then, the movable mold 206 is separated from the front side sealing portion 42 and the upper mold 202 is separated from the back side sealing portion 44. As described above, the electronic device 100 shown in FIGS. 1 and 2 can be manufactured.

次に、図9及び図10に基づき、貫通穴12の開口率について説明する。   Next, the aperture ratio of the through hole 12 will be described based on FIGS. 9 and 10.

上昇工程では、構成材料40aからの応力により基板10が上方向に変形する。図9では、貫通穴12の開口率が異なる基板10に対してモールド樹脂40を成形し、各基板10の変形量を測定した測定結果を示している。また、貫通穴12の開口率が異なる各基板10に対して金型200の温度を変えて測定を行っている。基板10の変形量は、基板10の反りの大きさを示している。   In the ascending process, the substrate 10 is deformed upward by the stress from the constituent material 40a. FIG. 9 shows measurement results obtained by molding the mold resin 40 on the substrates 10 having different opening ratios of the through holes 12 and measuring the deformation amount of each substrate 10. Further, the measurement is performed by changing the temperature of the mold 200 for each substrate 10 having different opening ratios of the through holes 12. The amount of deformation of the substrate 10 indicates the amount of warpage of the substrate 10.

測定に用いた基板10は、図10に示すように、X方向の幅が91mmであり、Y方向の幅が77.5mmである。測定に用いた基板10に形成された貫通穴12の数は、図1及び図2に示した基板10と異なり、2つである。そして、表側封止領域10cでは、X方向において中心OAが2つの貫通穴12の開口端12aに挟まれている。   As shown in FIG. 10, the substrate 10 used for the measurement has a width in the X direction of 91 mm and a width in the Y direction of 77.5 mm. Unlike the board | substrate 10 shown in FIG.1 and FIG.2, the number of the through-holes 12 formed in the board | substrate 10 used for the measurement is two. In the front-side sealing region 10 c, the center OA is sandwiched between the opening ends 12 a of the two through holes 12 in the X direction.

図9の三角マーカは、金型200の温度を135℃とした場合の測定結果である。図9の四角マーカは、金型200の温度を175℃とした場合の測定結果である。図9の一点鎖線は、各測定結果に対する近似曲線である。   The triangular marker in FIG. 9 is a measurement result when the temperature of the mold 200 is set to 135 ° C. The square marker in FIG. 9 is a measurement result when the temperature of the mold 200 is set to 175 ° C. The dashed-dotted line in FIG. 9 is an approximate curve for each measurement result.

当然ながら、貫通穴12の開口率が高いほど、基板10において構成材料40aから応力を受ける部分が少ない。そのため、貫通穴12の開口率が高いほど、基板10の変形量が小さい。また、金型200の温度が高いほど、モールド樹脂40の構成材料40aの温度が高くなり、構成材料40aの粘度が低くなる。これによれば、金型200の温度が高いほど、構成材料40aの流動性が向上し、構成材料40aから基板10へ作用する応力が小さくなる。よって、金型200の温度が高いほど、基板10の変形量を小さい。   As a matter of course, the higher the opening ratio of the through hole 12, the fewer portions of the substrate 10 that receive stress from the constituent material 40a. Therefore, the higher the aperture ratio of the through hole 12, the smaller the deformation amount of the substrate 10. Further, the higher the temperature of the mold 200, the higher the temperature of the constituent material 40a of the mold resin 40, and the lower the viscosity of the constituent material 40a. According to this, as the temperature of the mold 200 is higher, the fluidity of the constituent material 40a is improved and the stress acting on the substrate 10 from the constituent material 40a is reduced. Therefore, the higher the temperature of the mold 200, the smaller the deformation amount of the substrate 10.

図9に示すように、貫通穴12の開口率を0.05%以上にすることで、金型200の温度が135℃及び175℃の両方の場合において、基板10の変形量を0.16mm以下とすることができる。   As shown in FIG. 9, when the opening ratio of the through hole 12 is 0.05% or more, the deformation amount of the substrate 10 is 0.16 mm when the temperature of the mold 200 is both 135 ° C. and 175 ° C. It can be as follows.

基板10の反りが大きくなると、基板10と電子部品30の接続部分、電子部品30自体、及び、基板10とモールド樹脂40との接続部分に応力が作用する。これに対し、クリスタル(水晶振動子)等の電子部品30を実装した基板10に応力を加え、電子部品30が損傷する場合の基板10の変形量、及び、基板10とモールド樹脂40とが剥離する場合の基板10の変形量について測定した。この測定において、図10に示す大きさの基板10では、基板10の変形量を0.16mm以下とすることで、電子部品30の損傷、及び、基板10とモールド樹脂40との剥離を抑制できることが確認できた。よって、貫通穴12の開口率を0.05%以上とすることにより、電子部品30の損傷、及び、基板10とモールド樹脂40との剥離を抑制できる。   When the warpage of the substrate 10 is increased, stress acts on the connection portion between the substrate 10 and the electronic component 30, the electronic component 30 itself, and the connection portion between the substrate 10 and the mold resin 40. On the other hand, stress is applied to the substrate 10 on which the electronic component 30 such as a crystal (quartz crystal unit) is mounted, and the deformation amount of the substrate 10 when the electronic component 30 is damaged, and the substrate 10 and the mold resin 40 are separated. The amount of deformation of the substrate 10 when measured was measured. In this measurement, in the substrate 10 having the size shown in FIG. 10, the damage of the electronic component 30 and the separation between the substrate 10 and the mold resin 40 can be suppressed by setting the deformation amount of the substrate 10 to 0.16 mm or less. Was confirmed. Therefore, by setting the aperture ratio of the through hole 12 to 0.05% or more, damage to the electronic component 30 and peeling between the substrate 10 and the mold resin 40 can be suppressed.

なお、貫通穴12の開口率の上限値については、例えば、基板10の体格や、表面10a及び裏面10bに対する電子部品30の実装面積について考慮して決定する。すなわち、基板10が大きくならず、且つ、表面10a及び裏面10bに対する電子部品30の実装面積を確保できるように、貫通穴12の開口率を決定する。   Note that the upper limit value of the opening ratio of the through hole 12 is determined in consideration of, for example, the size of the substrate 10 and the mounting area of the electronic component 30 on the front surface 10a and the back surface 10b. That is, the aperture ratio of the through hole 12 is determined so that the substrate 10 does not become large and the mounting area of the electronic component 30 on the front surface 10a and the back surface 10b can be secured.

次に、上記した電子装置100、及び、電子装置100の製造方法の効果について説明する。   Next, effects of the electronic device 100 and the method for manufacturing the electronic device 100 will be described.

上昇工程において、表側封止領域10cでは、外周端との離間距離が長い中心OA付近が反り易い。なお、基板10における貫通穴12の周囲では、貫通穴12によって、構成材料40aから応力が緩和される。   In the ascending step, in the front side sealing region 10c, the vicinity of the center OA having a long separation distance from the outer peripheral end is likely to warp. The stress is relieved from the constituent material 40 a by the through hole 12 around the through hole 12 in the substrate 10.

これに対して、本実施形態の基板10では、表側封止領域10cの中心OAに貫通穴12が開口している。これによれば、構成材料40aを裏面10b側に流す際に、中心OA付近に作用する応力を緩和することができる。したがって、基板10が反るのを抑制できる。   On the other hand, in the substrate 10 of the present embodiment, the through hole 12 is opened at the center OA of the front side sealing region 10c. According to this, when flowing the constituent material 40a to the back surface 10b side, the stress acting near the center OA can be relaxed. Accordingly, the substrate 10 can be prevented from warping.

上昇工程において、表側封止領域10cでは、中心OAとの離間距離が短い箇所ほど、構成材料40aからの応力が大きくなって、反り易い。また、表側封止領域10cでは、貫通穴12の開口端12aとの離間距離が短い箇所ほど、構成材料40aからの応力が緩和され、反り難い。以上によれば中心OAに対して一方向における一方側の領域のみで貫通穴12が開口する場合、中心OAに対して一方向における他方側の領域では、貫通穴12が開口せず、貫通穴12の開口端12aとの離間距離が長くなる。そのため、表側封止領域10cにおいて、中心OAに対して一方向における他方側の領域では、反りが生じ易い。   In the ascending step, in the front-side sealing region 10c, the stress from the constituent material 40a increases as the distance from the center OA is shorter, and the warp tends to warp. In the front-side sealing region 10c, the stress from the constituent material 40a is reduced and the warpage is less likely to occur as the distance from the opening end 12a of the through hole 12 is shorter. According to the above, when the through hole 12 opens only in one region in one direction with respect to the center OA, the through hole 12 does not open in the other region in one direction with respect to the center OA. The separation distance from the 12 open ends 12a becomes longer. For this reason, in the front-side sealing region 10c, warpage is likely to occur in the region on the other side in one direction with respect to the center OA.

これに対して本実施形態の基板10では、複数の貫通穴12の開口端12aが、中心OAに対して一方向における両側に形成されている。これによれば、中心OAに対して一方向における両側の領域で、開口端12aとの離間距離が長くなるのを抑制できる。したがって、基板10が反るのを抑制できる。   On the other hand, in the substrate 10 of the present embodiment, the open ends 12a of the plurality of through holes 12 are formed on both sides in one direction with respect to the center OA. According to this, it is possible to suppress an increase in the separation distance from the opening end 12a in the regions on both sides in one direction with respect to the center OA. Accordingly, the substrate 10 can be prevented from warping.

本実施形態の基板10では、対をなす貫通穴12の開口端12aによって中心OAが挟まれている。これによれば、貫通穴12の開口端12aが中心OAを挟む位置に形成されていない構成に較べて、表側封止領域10cのうちの中心OA付近の領域において開口端12aとの離間距離が長くなるのを抑制できる。よって、基板10が反るのを効果的に抑制できる。   In the substrate 10 of this embodiment, the center OA is sandwiched between the opening ends 12a of the paired through holes 12. According to this, as compared with the configuration in which the opening end 12a of the through hole 12 is not formed at a position sandwiching the center OA, the separation distance from the opening end 12a is larger in the region near the center OA in the front side sealing region 10c. It can suppress becoming longer. Therefore, it is possible to effectively suppress the substrate 10 from warping.

本実施形態の基板10では、8つの貫通穴12の開口端12aによって中心OAが囲まれている。これによれば、貫通穴12の開口端12aが中心OAを囲む位置に形成されていない構成に較べて、表側封止領域10cのうちの中心OA付近の領域において開口端12aとの離間距離が長くなるのを抑制できる。そのため、基板10が反るのを効果的に抑制できる。   In the substrate 10 of the present embodiment, the center OA is surrounded by the open ends 12 a of the eight through holes 12. According to this, compared to the configuration in which the opening end 12a of the through hole 12 is not formed at a position surrounding the center OA, the separation distance from the opening end 12a in the region near the center OA in the front side sealing region 10c is smaller. It can suppress becoming longer. Therefore, it is possible to effectively suppress the substrate 10 from warping.

本実施形態の基板10では、貫通穴12の開口端12aと、中心OAと、の離間距離が、対をなす貫通穴12同士で同じ長さとされている。これによれば、対をなす貫通穴12のうちの一方と開口端12aとの離間距離が、対をなす貫通穴12のうちの他方と中心OAとの離間距離に較べて長くなることがない。すなわち、対をなす貫通穴12のうちの両方と中心OAとの間の領域で、開口端12aとの離間距離が長くなるのを抑制できる。したがって、基板10が反るのを効果的に抑制できる。   In the substrate 10 of the present embodiment, the distance between the opening end 12a of the through hole 12 and the center OA is the same length between the pair of through holes 12. According to this, the separation distance between one of the paired through holes 12 and the opening end 12a does not become longer than the separation distance between the other of the paired through holes 12 and the center OA. . That is, it is possible to suppress an increase in the separation distance from the opening end 12a in the region between both of the paired through holes 12 and the center OA. Therefore, it is possible to effectively suppress the substrate 10 from warping.

ところで、上昇工程において、下側キャビティ222から上側キャビティ220に流れる構成材料40aは貫通穴12を通る必要があるため、下側キャビティ222に較べて上側キャビティ220では構成材料40aが充填され難い。   By the way, in the ascending process, the constituent material 40 a flowing from the lower cavity 222 to the upper cavity 220 needs to pass through the through hole 12, and therefore, the upper cavity 220 is less likely to be filled with the constituent material 40 a compared to the lower cavity 222.

これに対して本実施形態では、モールド樹脂40を成形するにあたり、Z方向において裏側封止部44の高さを表側封止部42よりも低くする。これによれば、裏側封止部44の高さが表側封止部42以上とされた構成に較べて、上側キャビティ220に流す構成材料40aを少なくできる。そのため、上側キャビティ220の全体に構成材料40aが充填され易く、上側キャビティ220にボイドが生じるのを抑制できる。   In contrast, in the present embodiment, when the mold resin 40 is molded, the height of the back side sealing portion 44 is made lower than that of the front side sealing portion 42 in the Z direction. According to this, as compared with the configuration in which the height of the back side sealing portion 44 is equal to or greater than the front side sealing portion 42, the constituent material 40a flowing into the upper cavity 220 can be reduced. Therefore, it is easy to fill the entire upper cavity 220 with the constituent material 40a, and it is possible to suppress the generation of voids in the upper cavity 220.

本実施形態において、側面220bは、Z方向において底面220aから離れるほどXY平面において上側キャビティ220の中心から離れるように傾斜している。これによれば、上昇工程において、上側キャビティ220内の構成材料40aは、側面220bに当たると、XY平面における上側キャビティ220の中心へ向かって流れ易い。すなわち、側面220bが傾斜していることで、上側キャビティ220内に構成材料40aの流れが生じ、構成材料40aが上側キャビティ220の全体に充填され易い。したがって、上側キャビティ220にボイドが生じるのを抑制できる。   In the present embodiment, the side surface 220b is inclined so as to be away from the center of the upper cavity 220 in the XY plane as it is farther from the bottom surface 220a in the Z direction. According to this, in the ascending step, the constituent material 40a in the upper cavity 220 tends to flow toward the center of the upper cavity 220 in the XY plane when it hits the side surface 220b. That is, since the side surface 220 b is inclined, the flow of the constituent material 40 a is generated in the upper cavity 220, and the constituent material 40 a is easily filled in the entire upper cavity 220. Therefore, generation of voids in the upper cavity 220 can be suppressed.

本実施形態では、配置工程を実施するにあたり、Z方向の投影視において、表面10aにおける下型204との接触箇所と、裏面10bにおける上型202との接触箇所と、を互いに一致させる。よって、金型200によってZ方向の両側で基板10の一部を挟んで固定する。これによれば、上型202から基板10へ下方向に応力が作用することで、下型204と基板10との間で隙間が生じ難い。よって、下側キャビティ222内の構成材料40aが、下型204と基板10との隙間から漏れ出すのを抑制できる。同様に、下型204から基板10へ上方向に応力が作用することで上型202と基板10との間で隙間が生じ難く、構成材料40aが上側キャビティ220から漏れ出すのを抑制できる。   In the present embodiment, when performing the arranging step, the contact location with the lower mold 204 on the front surface 10a and the contact location with the upper mold 202 on the back surface 10b are made to coincide with each other in the projection view in the Z direction. Therefore, a part of the substrate 10 is sandwiched and fixed by the mold 200 on both sides in the Z direction. According to this, since a downward stress is applied from the upper mold 202 to the substrate 10, a gap is hardly generated between the lower mold 204 and the substrate 10. Therefore, the constituent material 40 a in the lower cavity 222 can be prevented from leaking from the gap between the lower mold 204 and the substrate 10. Similarly, when an upward stress is applied from the lower mold 204 to the substrate 10, a gap is hardly generated between the upper mold 202 and the substrate 10, and leakage of the constituent material 40 a from the upper cavity 220 can be suppressed.

離型工程では、下型204を基板10から離すように移動させることで、下型204の移動方向と反対方向の摩擦力が表側封止部42から下型204へ作用する。これに対して本実施形態の下型204では、側面222bの一部である平面222cが、下型204の移動方向に沿っている。これによれば、側面222bの全体が下型204の移動方向に対して傾斜している構成に較べ、離型工程で表側封止部42から下型204へ作用する摩擦力を小さくすることができる。そのため、離型工程を実施するにあたり、表側封止部42から下型204を離し易い。なお、離型工程において下型204を移動させる際、傾斜面222dが形成されていることで、表側封止部42と基板10とが剥離するのを抑制できる。   In the mold release step, the lower mold 204 is moved away from the substrate 10 so that a frictional force in the direction opposite to the moving direction of the lower mold 204 acts on the lower mold 204 from the front side sealing portion 42. On the other hand, in the lower mold 204 of this embodiment, the flat surface 222c that is a part of the side surface 222b is along the moving direction of the lower mold 204. According to this, as compared with the configuration in which the entire side surface 222b is inclined with respect to the moving direction of the lower mold 204, the frictional force acting on the lower mold 204 from the front side sealing portion 42 in the mold release process can be reduced. it can. Therefore, the lower mold 204 can be easily separated from the front side sealing portion 42 when performing the mold release process. In addition, when moving the lower mold | type 204 in a mold release process, it can suppress that the front side sealing part 42 and the board | substrate 10 peel by forming the inclined surface 222d.

(第2実施形態)
本実施形態において、第1実施形態に示した電子装置100と共通する部分については、第1実施形態の説明を参照する。
(Second Embodiment)
In the present embodiment, the description of the first embodiment is referred to for parts common to the electronic device 100 shown in the first embodiment.

図11に示すように、基板10には、2つの貫通穴12が形成されている。2つの貫通穴12の開口端12bは、裏側封止領域10eにおいて、中心OBに対してX方向の両側に配置されている。そして、2つの貫通穴12の開口端12bは、X方向において中心OBを挟むように配置されている。XY平面に沿う各貫通穴12の開口端12bの平面形状は、Y方向に延びる楕円形状をなしている。なお、中心OBには、貫通穴12が形成されていない。   As shown in FIG. 11, two through holes 12 are formed in the substrate 10. The open ends 12b of the two through holes 12 are arranged on both sides in the X direction with respect to the center OB in the back side sealing region 10e. The open ends 12b of the two through holes 12 are arranged so as to sandwich the center OB in the X direction. The planar shape of the opening end 12b of each through hole 12 along the XY plane is an elliptical shape extending in the Y direction. Note that the through hole 12 is not formed in the center OB.

図12に示すように、裏側封止部44には、凹み48が形成されている。凹み48は、底面44aから裏面10bに向かってZ方向に凹んでいる。裏側封止部44において、凹み48の形成された部分は、他の部分に較べて、Z方向における高さが低くなっている。凹み48は、Z方向と直交する平面をなす底面48aと、底面48a及び底面44aを連結する側面48bと、を有している。   As shown in FIG. 12, a recess 48 is formed in the back side sealing portion 44. The recess 48 is recessed in the Z direction from the bottom surface 44a toward the back surface 10b. In the back side sealing portion 44, the portion where the recess 48 is formed has a lower height in the Z direction than the other portions. The dent 48 has a bottom surface 48a that forms a plane orthogonal to the Z direction, and a side surface 48b that connects the bottom surface 48a and the bottom surface 44a.

図11では、Z方向の投影視において底面48aと重なる範囲を破線で示している。底面48aは、Z方向の投影視において中心OBと重なる位置に形成されている。Z方向の投影視において、X方向に並ぶ2つの貫通穴の開口端12bにより底面48aが挟まれている。すなわち、Z方向の投影視において、X方向に並ぶ2つの貫通穴12の開口端12bにより凹み48が挟まれている。側面48bは、Z方向において裏面10bから遠ざかるほど、XY平面において中心OBから遠ざかるように傾斜した傾斜面とされている。なお、図11では、四角形状とされた底面48aについて示している。しかしながら、これに限定するものではない。例えば、底面48aが円形状とされていてもよい。   In FIG. 11, a range that overlaps the bottom surface 48a in the projection view in the Z direction is indicated by a broken line. The bottom surface 48a is formed at a position overlapping the center OB in the projection view in the Z direction. In the projection view in the Z direction, the bottom surface 48a is sandwiched between the opening ends 12b of the two through holes arranged in the X direction. That is, in the projection view in the Z direction, the recess 48 is sandwiched between the open ends 12b of the two through holes 12 arranged in the X direction. The side surface 48b is an inclined surface that is inclined so as to move away from the center OB in the XY plane as the distance from the back surface 10b increases in the Z direction. In addition, in FIG. 11, it has shown about the bottom face 48a made into square shape. However, the present invention is not limited to this. For example, the bottom surface 48a may be circular.

図13に示すように、上型202は、底部210から上側キャビティ220に向かって突出する突出部212を有している。突出部212は、裏側封止部44に凹み48を形成するものである。上型202に突出部212が形成されていることで、底面220aの一部が凹んでいる。   As shown in FIG. 13, the upper mold 202 has a protruding portion 212 that protrudes from the bottom portion 210 toward the upper cavity 220. The protruding portion 212 forms a recess 48 in the back side sealing portion 44. Since the protrusion 212 is formed on the upper mold 202, a part of the bottom surface 220a is recessed.

本実施形態では、配置工程を実施することで、突出部212が裏面10bと対向する。配置工程では、Z方向の投影視において2つの開口端12b同士の間に凹み48が位置するように、基板10に上型202を配置する。配置工程の実施後において、Z方向における突出部212と裏面10bとの離間距離は、底部210と裏面10bとの離間距離に較べて短くなっている。   In this embodiment, the protrusion part 212 opposes the back surface 10b by implementing an arrangement | positioning process. In the arranging step, the upper mold 202 is arranged on the substrate 10 so that the recess 48 is positioned between the two opening ends 12b in the projection view in the Z direction. After the placement step, the distance between the protruding portion 212 and the back surface 10b in the Z direction is shorter than the distance between the bottom portion 210 and the back surface 10b.

上昇工程を実施すると、各貫通穴12を通った構成材料40aは、上側キャビティ220において、Z方向の投影視における開口端12b同士の間の領域で合流する。そのため、上側キャビティ220において、Z方向の投影視における開口端12b同士の間の領域は、樹脂合流部と称することもできる。可動型206を所定位置まで上昇させると、図13に示すように、キャビティ全体が構成材料40aで満たされる。   When the ascending process is performed, the constituent material 40a that has passed through each through hole 12 joins in the upper cavity 220 in a region between the open ends 12b in the Z-direction projection view. Therefore, in the upper cavity 220, the region between the open ends 12b in the projection view in the Z direction can also be referred to as a resin joining portion. When the movable mold 206 is raised to a predetermined position, the entire cavity is filled with the constituent material 40a as shown in FIG.

ところで、樹脂合流部では、流れる方向の異なる構成材料40a同士が合流することによって、ボイドが生じる場合がある。これに対し、本実施形態では、配置工程を実施するにあたり、突出部212が樹脂合流部に向かって突出するように、基板10に上型202を配置する。そのため、樹脂合流部では、上側キャビティ220における他の箇所に較べて、Z方向の高さが低くなっている。これによれば、上昇工程において構成材料40aは、上側キャビティ220における他の箇所に較べて、樹脂合流部で流速が増すとともに流量が上がる。よって、樹脂合流部でボイドが生じるのを抑制できる。   By the way, in the resin merging portion, voids may occur when the constituent materials 40a having different flow directions merge. On the other hand, in this embodiment, when performing an arrangement | positioning process, the upper mold | type 202 is arrange | positioned at the board | substrate 10 so that the protrusion part 212 may protrude toward a resin merge part. For this reason, the height in the Z direction is lower in the resin joining portion than in other locations in the upper cavity 220. According to this, in the ascending step, the constituent material 40a increases in flow rate and flow rate at the resin joining portion as compared with other portions in the upper cavity 220. Therefore, it can suppress that a void arises in a resin confluence | merging part.

(第3実施形態)
本実施形態において、第1実施形態に示した電子装置100と共通する部分については、第1実施形態の説明を参照する。
(Third embodiment)
In the present embodiment, the description of the first embodiment is referred to for parts common to the electronic device 100 shown in the first embodiment.

図14に示すように、基板10には、3つの貫通穴12が形成されている。裏側封止領域10eでは、中心OBが、X方向において2つの貫通穴12の開口端12bによって挟まれている。残り1つの貫通穴12の開口端12bは、裏側封止領域10eにおいて、中心OBに対してY方向のうちの一方側に形成されている。   As shown in FIG. 14, three through holes 12 are formed in the substrate 10. In the back side sealing region 10e, the center OB is sandwiched between the opening ends 12b of the two through holes 12 in the X direction. The open end 12b of the remaining one through hole 12 is formed on one side in the Y direction with respect to the center OB in the back side sealing region 10e.

図14では、Z方向の投影視において、裏面10bに実装された1つの電子部品30と重なる範囲を破線で示している。この電子部品30は、Z方向の投影視において、3つの貫通穴12の開口端12bによって囲まれている。言い換えると、Z方向の投影視において、裏面10bに実装された1つの電子部品30を囲むように、3つの開口端12bが形成されている。   In FIG. 14, a range that overlaps with one electronic component 30 mounted on the back surface 10 b in a projected view in the Z direction is indicated by a broken line. The electronic component 30 is surrounded by the open ends 12b of the three through holes 12 in a projected view in the Z direction. In other words, the three open ends 12b are formed so as to surround one electronic component 30 mounted on the back surface 10b in the projection view in the Z direction.

準備工程を実施するにあたり、Z方向の投影視において、裏面10bのうちの電子部品30が実装される箇所が、複数の貫通穴12の開口端12bによって囲まれた基板10を準備する。なお、準備工程では、電子部品30が基板10に実装されていない。準備工程において、裏面10bのうちの電子部品30が実装される箇所とは、電子部品30が実装される予定の箇所である。   In carrying out the preparation step, the substrate 10 is prepared in which the portion of the back surface 10b where the electronic component 30 is mounted is surrounded by the open ends 12b of the plurality of through holes 12 in the projection view in the Z direction. In the preparation process, the electronic component 30 is not mounted on the substrate 10. In the preparation step, the portion of the back surface 10b where the electronic component 30 is mounted is a portion where the electronic component 30 is to be mounted.

ところで、上側キャビティ220に流れてきた構成材料40aは、裏面10bに実装された電子部品30によって流れが阻害され易い。これによれば、上側キャビティ220の全体に構成材料40aが充填されず、上側キャビティ220にボイドが生じる場合がある。   By the way, the flow of the constituent material 40a flowing into the upper cavity 220 is likely to be hindered by the electronic component 30 mounted on the back surface 10b. According to this, the entire upper cavity 220 may not be filled with the constituent material 40a, and a void may be generated in the upper cavity 220.

これに対し本実施形態の基板10では、Z方向の投影視において複数の貫通穴12の開口端12bが裏面10bに実装された電子部品30を囲んでいる。これによれば、各貫通穴12を通って上側キャビティ220に流れてきた構成材料40aは、裏面10bに実装された電子部品30を囲むように、電子部品30に向かって流れる。したがって、上側キャビティ220における特定の箇所に構成材料40aが流れないことを抑制できる。すなわち、上側キャビティ220の全体に構成材料40aを充填し易く、上側キャビティ220でボイドが生じるのを抑制できる。   On the other hand, in the substrate 10 of the present embodiment, the open ends 12b of the plurality of through holes 12 surround the electronic component 30 mounted on the back surface 10b in the projection view in the Z direction. According to this, the constituent material 40a that has flowed into the upper cavity 220 through each through hole 12 flows toward the electronic component 30 so as to surround the electronic component 30 mounted on the back surface 10b. Therefore, it can suppress that the constituent material 40a does not flow to the specific location in the upper side cavity 220. FIG. That is, it is easy to fill the entire upper cavity 220 with the constituent material 40a, and it is possible to suppress the generation of voids in the upper cavity 220.

(第4実施形態)
本実施形態において、第1実施形態に示した電子装置100と共通する部分については、第1実施形態の説明を参照する。
(Fourth embodiment)
In the present embodiment, the description of the first embodiment is referred to for parts common to the electronic device 100 shown in the first embodiment.

図15に示すように、基板10には、3つの貫通穴12が形成されている。3つの貫通穴12は、表側封止領域10cにおいて開口端12aがX方向に並ぶように形成されている。3つの貫通穴12のうちの2つの貫通穴12の開口端12aは、表側封止領域10cにおいて、中心OAに対してX方向の両側に形成されている。そして、残り1つの貫通穴12の開口端12aは、中心OAと重なるように形成されている。なお、XY平面に沿う貫通穴12の平面形状は、Y方向に延びる楕円形状をなしている。   As shown in FIG. 15, three through holes 12 are formed in the substrate 10. The three through holes 12 are formed so that the open ends 12a are arranged in the X direction in the front-side sealing region 10c. Open ends 12a of two through holes 12 of the three through holes 12 are formed on both sides in the X direction with respect to the center OA in the front side sealing region 10c. The opening end 12a of the remaining one through hole 12 is formed so as to overlap the center OA. Note that the planar shape of the through hole 12 along the XY plane is an elliptical shape extending in the Y direction.

(第5実施形態)
本実施形態において、第1実施形態に示した電子装置100と共通する部分については、第1実施形態の説明を参照する。
(Fifth embodiment)
In the present embodiment, the description of the first embodiment is referred to for parts common to the electronic device 100 shown in the first embodiment.

図16に示すように、基板10には、1つの貫通穴12が形成されている。1つの貫通穴12の開口端12aは、中心OAと重なるように形成されている。XY平面に沿う開口端12aの平面形状は、真円形状をなしている。   As shown in FIG. 16, one through hole 12 is formed in the substrate 10. The opening end 12a of one through hole 12 is formed so as to overlap the center OA. The planar shape of the opening end 12a along the XY plane is a perfect circle.

(第6実施形態)
本実施形態において、第1実施形態に示した電子装置100と共通する部分については、第1実施形態の説明を参照する。
(Sixth embodiment)
In the present embodiment, the description of the first embodiment is referred to for parts common to the electronic device 100 shown in the first embodiment.

図17に示すように、基板10には、3つの貫通穴12が形成されている。3つの貫通穴12は、開口端12aが中心OAを囲むように形成されている。XY平面に沿う各貫通穴12の開口端12aの平面形状は、真円形状をなしている。   As shown in FIG. 17, three through holes 12 are formed in the substrate 10. The three through holes 12 are formed such that the open end 12a surrounds the center OA. The planar shape of the open end 12a of each through hole 12 along the XY plane is a perfect circle.

(第7実施形態)
本実施形態において、第1実施形態に示した電子装置100と共通する部分については、第1実施形態の説明を参照する。
(Seventh embodiment)
In the present embodiment, the description of the first embodiment is referred to for parts common to the electronic device 100 shown in the first embodiment.

図18に示すように、基板10には、2つの貫通穴12が形成されている。2つの貫通穴12の開口端12aは、表側封止領域10cにおいて、中心OAに対してX方向の両側に配置されている。ただし、中心OAは、表側封止領域10cにおいて2つの貫通穴12の開口端12bによって挟まれる領域内に位置していない。図18では、2つの貫通穴12の開口端12bによって挟まれる領域を破線で示している。XY平面に沿う各貫通穴12の平面形状は、Y方向に延びる楕円形状をなしている。なお、中心OAには、貫通穴12が形成されていない。   As shown in FIG. 18, two through holes 12 are formed in the substrate 10. The open ends 12a of the two through holes 12 are disposed on both sides in the X direction with respect to the center OA in the front-side sealing region 10c. However, the center OA is not located in a region sandwiched by the opening ends 12b of the two through holes 12 in the front side sealing region 10c. In FIG. 18, a region sandwiched between the open ends 12 b of the two through holes 12 is indicated by a broken line. The planar shape of each through hole 12 along the XY plane is an elliptical shape extending in the Y direction. Note that the through hole 12 is not formed in the center OA.

(第8実施形態)
本実施形態において、第1実施形態に示した電子装置100と共通する部分については、第1実施形態の説明を参照する。
(Eighth embodiment)
In the present embodiment, the description of the first embodiment is referred to for parts common to the electronic device 100 shown in the first embodiment.

図19に示すように、基板10には、2つの貫通穴12が形成されている。2つの貫通穴12の開口端12aは、表側封止領域10cにおいて、中心OAに対してX方向の両側に配置されている。本実施形態では、開口端12aと中心OAとの離間距離が、2つの貫通穴12で互いに異なっている。すなわち、一方の開口端12aと中心OAとの離間距離L1は、他方の開口端12aと中心OAとの離間距離L2よりも長くなっている。   As shown in FIG. 19, two through holes 12 are formed in the substrate 10. The open ends 12a of the two through holes 12 are disposed on both sides in the X direction with respect to the center OA in the front-side sealing region 10c. In the present embodiment, the distance between the opening end 12 a and the center OA is different between the two through holes 12. That is, the separation distance L1 between one opening end 12a and the center OA is longer than the separation distance L2 between the other opening end 12a and the center OA.

(第9実施形態)
本実施形態において、第1実施形態に示した電子装置100と共通する部分については、第1実施形態の説明を参照する。
(Ninth embodiment)
In the present embodiment, the description of the first embodiment is referred to for parts common to the electronic device 100 shown in the first embodiment.

図20に示すように、準備工程では、複数の基板10が連結されてなる多連基板300を準備する。多連基板300は、厚さ方向がZ方向に沿う平板形状をなしている。本実施形態の多連基板300では、4つの基板10同士が連結されている。基板10同士は、X方向及びY方向に連結されている。図20では、基板10同士の境界を破線で示している。各基板10は、互いに同じ長方形状をなしている。XY平面に沿う多連基板300の平面形状は、長辺がX方向に沿い、短辺がY方向に沿う長方形状をなしている。   As shown in FIG. 20, in the preparation step, a multiple substrate 300 in which a plurality of substrates 10 are connected is prepared. The multiple substrate 300 has a flat plate shape whose thickness direction is along the Z direction. In the multiple substrate 300 of this embodiment, four substrates 10 are connected to each other. The substrates 10 are connected in the X direction and the Y direction. In FIG. 20, the boundary between the substrates 10 is indicated by a broken line. Each substrate 10 has the same rectangular shape. The planar shape of the multiple substrate 300 along the XY plane has a rectangular shape with long sides along the X direction and short sides along the Y direction.

多連基板300では、基板10毎に独立した表側封止領域10cが形成されている。言い換えると、各基板10の表側封止領域10c同士は、繋がっておらず、表側非封止領域10dによって分離されている。すなわち、各基板10に形成されるモールド樹脂40同士は、連結されていない。   In the multiple substrate 300, independent front side sealing regions 10 c are formed for each substrate 10. In other words, the front side sealing regions 10c of each substrate 10 are not connected to each other and are separated by the front side non-sealing region 10d. That is, the mold resins 40 formed on each substrate 10 are not connected to each other.

各基板10には、開口端12aが表側封止領域10cに位置する2つの貫通穴12が形成されている。各基板10では、X方向において2つの開口端12aが中心OAを挟むように、2つの貫通穴12が形成されている。実装工程では、多連基板300の両面に電子部品30を実装する。   Each substrate 10 is formed with two through holes 12 whose open ends 12a are located in the front side sealing region 10c. In each substrate 10, two through holes 12 are formed so that the two open ends 12 a sandwich the center OA in the X direction. In the mounting process, the electronic components 30 are mounted on both surfaces of the multiple substrate 300.

本実施形態で用いる金型200は、図21に示すように、基板10毎に独立したキャビティを形成する形状とされている。すなわち、基板10毎に形成されたキャビティ同士は、繋がっていない。そのため、上昇工程を実施した場合であっても、モールド樹脂40の構成材料40aはキャビティ同士の間で移動しない。   As shown in FIG. 21, the mold 200 used in this embodiment has a shape that forms an independent cavity for each substrate 10. That is, the cavities formed for each substrate 10 are not connected. Therefore, even if it is a case where a raise process is implemented, the constituent material 40a of the mold resin 40 does not move between cavities.

離型工程の実施後には、図22に示すように、基板10毎にモールド樹脂40が成形される。すなわち、多連基板300に複数のモールド樹脂40が成形される。このとき、各基板10に形成されたモールド樹脂40同士は、連結されない。なお多連基板300において基板10同士の連結部の表面10a及び裏面10b上には、モールド樹脂40が形成されていない。   After performing the mold release step, a mold resin 40 is formed for each substrate 10 as shown in FIG. That is, a plurality of mold resins 40 are formed on the multiple substrate 300. At this time, the mold resins 40 formed on the substrates 10 are not connected to each other. In the multiple substrate 300, the mold resin 40 is not formed on the front surface 10 a and the back surface 10 b of the connecting portion between the substrates 10.

離型工程の実施後、多連基板300において基板10同士の連結部を切断する切断工程を実施する。切断工程では、例えば、ドリル、レーザ、又は、ルータを用いて多連基板300を切断する。切断工程の実施により、多連基板300を4つ基板10に分割する。これにより、4つの電子装置100を製造することができる。   After the mold release step, a cutting step for cutting the connecting portion between the substrates 10 in the multiple substrate 300 is performed. In the cutting step, the multiple substrate 300 is cut using, for example, a drill, a laser, or a router. The multiple substrate 300 is divided into four substrates 10 by performing the cutting process. Thereby, the four electronic devices 100 can be manufactured.

本実施形態では、1回の工程で、複数の基板10の夫々にモールド樹脂40を成形することができる。これによれば、多連基板300を用いることなく1つの基板10に対してモールド樹脂40を成形する方法に較べて、複数の電子装置100を製造する時間を短縮することができる。   In the present embodiment, the mold resin 40 can be formed on each of the plurality of substrates 10 in one step. According to this, as compared with the method of molding the mold resin 40 on one substrate 10 without using the multiple substrate 300, the time for manufacturing the plurality of electronic devices 100 can be shortened.

(第10実施形態)
本実施形態において、第9実施形態に示した電子装置100と共通する部分については、第9実施形態の説明を参照する。
(10th Embodiment)
In the present embodiment, the description of the ninth embodiment is referred to for parts common to the electronic device 100 shown in the ninth embodiment.

図23に示すように、多連基板300では、基板10同士の連結部に貫通穴12が形成されている。詳述すると、X方向に連結された基板10同士の連結部に貫通穴12が形成されている。   As shown in FIG. 23, in the multiple substrate 300, the through hole 12 is formed in the connecting portion between the substrates 10. More specifically, the through hole 12 is formed in the connecting portion between the substrates 10 connected in the X direction.

本実施形態で用いる金型200は、図24に示すように、X方向に連結された基板10に対して形成されるキャビティ同士が表面10a側及び裏面10b側で繋がっている。そのため、上昇工程を実施した場合、モールド樹脂40の構成材料40aはキャビティ同士の間で移動する。   In the mold 200 used in this embodiment, as shown in FIG. 24, cavities formed with respect to the substrates 10 connected in the X direction are connected on the front surface 10a side and the back surface 10b side. Therefore, when the ascending process is performed, the constituent material 40a of the mold resin 40 moves between cavities.

離型工程の実施後には、図25に示すように、X方向に連結された基板10同士のモールド樹脂40が互いに連結されている。そして、多連基板300において基板10同士の連結部の表面10a及び裏面10b上には、モールド樹脂40が形成されている。切断工程では、基板10同士の連結部とともに、連結部上に形成されたモールド樹脂40を切断する。   After performing the mold release process, as shown in FIG. 25, the mold resins 40 of the substrates 10 connected in the X direction are connected to each other. In the multiple substrate 300, a mold resin 40 is formed on the front surface 10a and the back surface 10b of the connecting portion between the substrates 10. In the cutting step, the mold resin 40 formed on the connecting portion is cut together with the connecting portion between the substrates 10.

(その他の実施形態)
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態になんら制限されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々変形して実施することが可能である。
(Other embodiments)
The preferred embodiments of the present invention have been described above, but the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.

上記実施形態では、XY平面に沿う基板10の平面形状が長方形状とされた例を示したが、これに限定されるものではない。XY平面に沿う基板10の平面形状が正方形状や円形状とされた例を採用することもできる。   In the above-described embodiment, an example in which the planar shape of the substrate 10 along the XY plane is rectangular has been described, but the present invention is not limited to this. An example in which the planar shape of the substrate 10 along the XY plane is a square shape or a circular shape can also be adopted.

上記実施形態では、表側封止領域10cに対する貫通穴12の開口率が0.05%以上とされた例を示したが、これに限定するものではない。貫通穴12の開口率が0.05%未満とされた例を採用することもできる。   In the said embodiment, although the opening rate of the through-hole 12 with respect to the front side sealing area | region 10c showed 0.05% or more, it was not limited to this. An example in which the opening ratio of the through hole 12 is less than 0.05% may be employed.

上記実施形態では、貫通穴12の内壁面がZ方向に沿う例を示したが、これに限定するものではない。貫通穴12の内壁面が、Z方向に対して所定角度傾いた傾斜面である例を採用することもできる。すなわち、貫通穴12の延びる方向がZ方向に対して所定角度傾いていてもよい。   In the said embodiment, although the inner wall surface of the through-hole 12 showed the example which follows a Z direction, it does not limit to this. An example in which the inner wall surface of the through hole 12 is an inclined surface inclined by a predetermined angle with respect to the Z direction may be employed. That is, the extending direction of the through hole 12 may be inclined by a predetermined angle with respect to the Z direction.

上記実施形態では、離型フィルムを用いずにモールド樹脂40を成形する例を示したが、これに限定するものではない。モールド樹脂40と金型200との間に離型フィルムが配置されるように、金型200のキャビティ内に離型フィルムを配置する例を採用することもできる。   In the said embodiment, although the example which shape | molds the mold resin 40 without using a mold release film was shown, it is not limited to this. An example in which the release film is disposed in the cavity of the mold 200 so that the release film is disposed between the mold resin 40 and the mold 200 may be employed.

上記実施形態では、Z方向の投影視において表側封止領域10cが裏側封止領域10eと一致する例を示したが、これに限定するものではない。Z方向の投影視において表側封止領域10cが裏側封止領域10eと一致しない例を採用することもできる。例えば、表面10aでは開口端12aが中心OAに位置するが、裏面10bでは開口端12bが中心OBに位置しない構成を採用することもできる。   In the above-described embodiment, an example in which the front side sealing region 10c coincides with the back side sealing region 10e in the projection view in the Z direction is shown, but the present invention is not limited to this. An example in which the front-side sealing region 10c does not coincide with the back-side sealing region 10e in the projection view in the Z direction may be employed. For example, a configuration in which the opening end 12a is located at the center OA on the front surface 10a but the opening end 12b is not located at the center OB on the back surface 10b can be adopted.

10…基板、10a…表面、10b…裏面、10c…表側封止領域、10d…表側非封止領域、10e…裏側封止領域、10f…裏側非封止領域、12…貫通穴、12a…開口端、12b…開口端、30…電子部品、40…モールド樹脂、40a…構成材料、42…表側封止部、42a…底面、42b…側面、42c…平面、42d…傾斜面、44…裏側封止部、44a…底面、44b…側面、46…中間部、48…凹み、100…電子装置、200…金型、202…上型、204…下型、204a…先端面、206…可動型、208…筒部、208a…先端面、210…底部、220…上側キャビティ、220a…底面、220b…側面、222…下側キャビティ、222a…底面、222b…側面、222c…平面、222d…傾斜面   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Board | substrate, 10a ... Front surface, 10b ... Back surface, 10c ... Front side sealing area | region, 10d ... Front side non-sealing area | region, 10e ... Back side sealing area | region, 10f ... Back side non-sealing area | region, 12 ... Through-hole, 12a ... Opening End, 12b ... Open end, 30 ... Electronic component, 40 ... Mold resin, 40a ... Constituent material, 42 ... Front side sealing part, 42a ... Bottom surface, 42b ... Side surface, 42c ... Flat surface, 42d ... Inclined surface, 44 ... Back side seal Stopping portion, 44a ... bottom surface, 44b ... side surface, 46 ... intermediate portion, 48 ... dent, 100 ... electronic device, 200 ... mold, 202 ... upper die, 204 ... lower die, 204a ... tip surface, 206 ... movable type, 208 ... Cylinder, 208a ... Tip, 210 ... Bottom, 220 ... Upper cavity, 220a ... Bottom, 220b ... Side, 222 ... Lower cavity, 222a ... Bottom, 222b ... Side, 222c ... Plane, 222d ... Inclined surface

Claims (15)

基板(10)と、前記基板の表面(10a)及び裏面(10b)に実装された複数の電子部品(30)と、前記電子部品を封止するモールド樹脂(40)と、を備える電子装置の製造方法であって、
前記表面から前記裏面にわたって貫通する貫通穴(12)が形成され、且つ、前記表面及び前記裏面に前記電子部品が実装された前記基板を準備すること、
前記裏面のうちの前記モールド樹脂が形成される裏側封止領域(10e)に対して第1金型(202)のキャビティ(220,222)が対向するように、前記第1金型及び前記基板を互いに接触させて固定し、且つ、前記表面のうちの前記モールド樹脂が形成される表側封止領域(10c)に対して第2金型(204,206)の前記キャビティが対向するように、前記第2金型及び前記基板を互いに接触させて固定すること、及び、
前記第2金型の前記キャビティ内に配置された前記モールド樹脂の構成材料(40a)を前記貫通穴から前記第1金型の前記キャビティへ流すことで、前記第1金型及び前記第2金型の両方の前記キャビティ内に前記構成材料を配置して、前記モールド樹脂を成形することを備え、
前記基板を準備するにあたり、前記貫通穴の前記表面側における開口端(12a,12b)が、前記表側封止領域の中心(OA)に位置する前記基板を用いる電子装置の製造方法。
An electronic device comprising: a substrate (10); a plurality of electronic components (30) mounted on a front surface (10a) and a back surface (10b) of the substrate; and a mold resin (40) for sealing the electronic components. A manufacturing method comprising:
Preparing a substrate in which a through hole (12) penetrating from the front surface to the back surface is formed, and the electronic component is mounted on the front surface and the back surface;
The first mold and the substrate so that the cavities (220, 222) of the first mold (202) face the back side sealing region (10e) on the back surface where the mold resin is formed. Are fixed in contact with each other, and the cavity of the second mold (204, 206) is opposed to the front side sealing region (10c) of the surface where the mold resin is formed. Fixing the second mold and the substrate in contact with each other; and
By flowing the constituent material (40a) of the mold resin disposed in the cavity of the second mold from the through hole to the cavity of the first mold, the first mold and the second mold Disposing the constituent material in both cavities of a mold and molding the mold resin,
In preparing the substrate, an electronic device manufacturing method using the substrate in which the opening end (12a, 12b) on the surface side of the through hole is located at the center (OA) of the front side sealing region.
基板(10)と、前記基板の表面(10a)及び裏面(10b)に実装された複数の電子部品(30)と、前記電子部品を封止するモールド樹脂(40)と、を備える電子装置の製造方法であって、
前記表面から前記裏面にわたって貫通する複数の貫通穴(12)が形成され、且つ、前記表面及び前記裏面に前記電子部品が実装された前記基板を準備すること、
前記裏面のうちの前記モールド樹脂が形成される裏側封止領域(10e)に対して第1金型(202)のキャビティ(220,222)が対向するように、前記第1金型及び前記基板を互いに接触させて固定し、且つ、前記表面のうちの前記モールド樹脂が形成される表側封止領域(10c)に対して第2金型(204,206)の前記キャビティが対向するように、前記第2金型及び前記基板を互いに接触させて固定すること、及び、
前記第2金型の前記キャビティ内に配置された前記モールド樹脂の構成材料(40a)を前記貫通穴から前記第1金型の前記キャビティへ流すことで、前記第1金型及び前記第2金型の両方の前記キャビティ内に前記構成材料を配置して、前記モールド樹脂を成形することを備え、
前記基板を準備するにあたり、複数の前記貫通穴の前記表面側における開口端(12a,12b)が、前記表側封止領域の中心(OA)に対して前記表面に沿う一方向における両側に位置する前記基板を用いる電子装置の製造方法。
An electronic device comprising: a substrate (10); a plurality of electronic components (30) mounted on a front surface (10a) and a back surface (10b) of the substrate; and a mold resin (40) for sealing the electronic components. A manufacturing method comprising:
A plurality of through holes (12) penetrating from the front surface to the back surface are formed, and the substrate on which the electronic component is mounted on the front surface and the back surface is prepared,
The first mold and the substrate so that the cavities (220, 222) of the first mold (202) face the back side sealing region (10e) on the back surface where the mold resin is formed. Are fixed in contact with each other, and the cavity of the second mold (204, 206) is opposed to the front side sealing region (10c) of the surface where the mold resin is formed. Fixing the second mold and the substrate in contact with each other; and
By flowing the constituent material (40a) of the mold resin disposed in the cavity of the second mold from the through hole to the cavity of the first mold, the first mold and the second mold Disposing the constituent material in both cavities of a mold and molding the mold resin,
In preparing the substrate, the opening ends (12a, 12b) on the surface side of the plurality of through holes are located on both sides in one direction along the surface with respect to the center (OA) of the front side sealing region. An electronic device manufacturing method using the substrate.
前記基板を準備するにあたり、複数の前記貫通穴の前記表面側における前記開口端によって前記中心が挟まれている前記基板を用いる請求項2に記載の電子装置の製造方法。   3. The method of manufacturing an electronic device according to claim 2, wherein, in preparing the substrate, the substrate is used in which the center is sandwiched between the opening ends on the surface side of the plurality of through holes. 前記基板を準備するにあたり、3つ以上の前記貫通穴が形成されており、且つ、3つ以上の前記貫通穴の前記表面側における前記開口端によって前記中心が囲まれている前記基板を用いる請求項2又は請求項3に記載の電子装置の製造方法。   In preparing the substrate, the substrate is used in which three or more through holes are formed and the center is surrounded by the open end on the surface side of the three or more through holes. The manufacturing method of the electronic device of Claim 2 or Claim 3. 前記基板を準備するにあたり、前記貫通穴の前記表面側における前記開口端と、前記中心と、の離間距離が、複数の前記貫通穴同士で同じ長さとされている前記基板を用いる請求項2〜4のいずれか1項に記載の電子装置の製造方法。   In preparing the substrate, the substrate in which the distance between the opening end on the surface side of the through hole and the center is the same length in the plurality of through holes is used. 5. The method of manufacturing an electronic device according to claim 4. 前記基板を準備するにあたり、前記表側封止領域に対する前記貫通穴の開口率が0.05%以上の前記基板を用いる請求項1〜5のいずれか1項に記載の電子装置の製造方法。   6. The method of manufacturing an electronic device according to claim 1, wherein, when the substrate is prepared, the substrate having an opening ratio of the through hole with respect to the front-side sealing region of 0.05% or more is used. 前記モールド樹脂を成形するにあたり、前記基板の厚さ方向において前記表面側の前記モールド樹脂の高さを前記裏面側の前記モールド樹脂よりも高くする請求項1〜6のいずれか1項に記載の電子装置の製造方法。   When molding the mold resin, the height of the mold resin on the front surface side in the thickness direction of the substrate is set higher than that of the mold resin on the back surface side. A method for manufacturing an electronic device. 前記基板を準備するにあたり、複数の前記貫通穴が形成された前記基板を用い、
前記基板及び前記第1金型を固定するにあたり、前記キャビティの底面(220a)から突出する突出部(212)が形成された前記第1金型を用い、前記基板の厚さ方向の投影視において、複数の前記貫通穴の前記裏面側における前記開口端によって前記突出部が囲まれるように、前記基板及び前記第1金型を配置する請求項1〜7のいずれか1項に記載の電子装置の製造方法。
In preparing the substrate, using the substrate in which a plurality of the through holes are formed,
In fixing the substrate and the first mold, in the projection view in the thickness direction of the substrate, the first mold in which the protruding portion (212) protruding from the bottom surface (220a) of the cavity is formed. The electronic device according to claim 1, wherein the substrate and the first mold are arranged so that the protruding portion is surrounded by the opening ends on the back surface side of the plurality of through holes. Manufacturing method.
前記基板を準備するにあたり、複数の前記貫通穴が形成された前記基板を用い、且つ、前記基板の厚さ方向の投影視において、複数の前記貫通穴の前記裏面側における前記開口端によって前記裏面に実装された前記電子部品が囲まれている前記基板を用いる請求項1〜8のいずれか1項に記載の電子装置の製造方法。   In preparing the substrate, the back surface is used by the opening end on the back surface side of the plurality of through holes in the projection view in the thickness direction of the substrate, using the substrate in which the plurality of through holes are formed. The method for manufacturing an electronic device according to claim 1, wherein the substrate in which the electronic component mounted on the substrate is surrounded is used. 前記基板及び前記第1金型を固定するにあたり、前記第1金型の前記キャビティの側面(220b)が、前記基板の厚さ方向において前記基板から遠ざかるほど、前記厚さ方向と直交する平面において前記キャビティの中心に近づくように傾斜する前記第1金型を用いる請求項1〜9のいずれか1項に記載の電子装置の製造方法。   In fixing the substrate and the first mold, the side surface (220b) of the cavity of the first mold is in a plane orthogonal to the thickness direction as the distance from the substrate increases in the thickness direction of the substrate. The method for manufacturing an electronic device according to claim 1, wherein the first mold that is inclined so as to approach the center of the cavity is used. 前記基板、前記第1金型、及び、前記第2金型を固定するにあたり、前記基板の厚さ方向の投影視において、前記表面における前記第1金型との接触箇所と、前記裏面における前記第2金型との接触箇所と、を互いに一致させる請求項1〜10のいずれか1項に記載の電子装置の製造方法。   In fixing the substrate, the first mold, and the second mold, in the projection view in the thickness direction of the substrate, the contact location with the first mold on the front surface, and the back surface The method for manufacturing an electronic device according to any one of claims 1 to 10, wherein the contact points with the second mold are made to coincide with each other. 前記基板及び前記第2金型を固定するにあたり、前記第2金型の前記キャビティの側面(222b)における少なくとも一部が、前記基板の厚さ方向に沿う平面とされた前記第2金型を用いる請求項1〜11のいずれか1項に記載の電子装置の製造方法。   In fixing the substrate and the second mold, the second mold in which at least a part of the side surface (222b) of the cavity of the second mold is a plane along the thickness direction of the substrate. The manufacturing method of the electronic device of any one of Claims 1-11 used. 前記基板及び前記第2金型を固定するにあたり、内壁面が前記キャビティの側面(222b)をなす筒状のクランプ型と、前記キャビティの底面(222a)をなし、前記クランプ型が囲む空間を前記内壁面に沿って移動可能な可動型と、を有する前記第2金型を用いて、前記クランプ型及び前記第2金型によって形成される前記キャビティ内に前記構成材料を配置し、前記クランプ型の開口をなす一端(204a)を前記表面に押し当て、
前記モールド樹脂を成形するにあたり、前記可動型を前記表面側に移動させることで、前記第2金型の前記キャビティ内の前記構成材料を前記貫通穴から前記第1金型の前記キャビティへ流す請求項1〜12のいずれか1項に記載の電子装置の製造方法。
In fixing the substrate and the second mold, a cylindrical clamp mold whose inner wall surface forms the side surface (222b) of the cavity, and a bottom surface (222a) of the cavity, the space surrounded by the clamp mold is And using the second mold having a movable mold movable along an inner wall surface, the constituent material is disposed in the cavity formed by the clamp mold and the second mold, and the clamp mold Press one end (204a) that forms the opening of
When molding the mold resin, the movable mold is moved to the surface side to cause the constituent material in the cavity of the second mold to flow from the through hole to the cavity of the first mold. Item 13. The method for manufacturing an electronic device according to any one of Items 1 to 12.
表面(10a)から裏面(10b)にわたって貫通する貫通穴(12)が形成された基板(10)と、
前記表面及び前記裏面に実装された複数の電子部品(30)と、
前記表面に実装された前記電子部品を前記表面ごと封止する表側封止部(42)と、前記裏面に実装された前記電子部品を前記裏面ごと封止する裏側封止部(44)と、前記貫通穴内に配置されて前記表側封止部と前記裏側封止部とを連結する中間部(46)と、を有するモールド樹脂(40)と、を備え、
前記貫通穴の前記表面側における開口端(12a,12b)は、前記表面のうちの前記モールド樹脂が形成された表側封止領域(10c)の中心(OA)に形成されている電子装置。
A substrate (10) having a through hole (12) penetrating from the front surface (10a) to the back surface (10b);
A plurality of electronic components (30) mounted on the front surface and the back surface;
A front side sealing portion (42) for sealing the electronic component mounted on the surface together with the surface, and a back side sealing portion (44) for sealing the electronic component mounted on the back surface together with the back surface; A mold resin (40) having an intermediate part (46) disposed in the through hole and connecting the front side sealing part and the back side sealing part,
The open end (12a, 12b) on the surface side of the through hole is an electronic device formed at the center (OA) of the front side sealing region (10c) where the mold resin is formed on the surface.
表面(10a)から裏面(10b)にわたって貫通する貫通穴(12)が複数形成された基板(10)と、
前記表面及び前記裏面に実装された複数の電子部品(30)と、
前記表面に実装された前記電子部品を前記表面ごと封止する表側封止部(42)と、前記裏面に実装された前記電子部品を前記裏面ごと封止する裏側封止部(44)と、前記貫通穴内に配置されて前記表側封止部と前記裏側封止部とを連結する中間部(46)と、を有するモールド樹脂(40)と、を備え、
複数の前記貫通穴の前記表面側における開口端(12a,12b)は、前記表面のうちの前記モールド樹脂が形成された表側封止領域(10c)の中心(OA)に対して、前記表面に沿う一方向の両側に形成されている電子装置。
A substrate (10) on which a plurality of through holes (12) penetrating from the front surface (10a) to the back surface (10b) are formed;
A plurality of electronic components (30) mounted on the front surface and the back surface;
A front side sealing portion (42) for sealing the electronic component mounted on the surface together with the surface, and a back side sealing portion (44) for sealing the electronic component mounted on the back surface together with the back surface; A mold resin (40) having an intermediate part (46) disposed in the through hole and connecting the front side sealing part and the back side sealing part,
Open ends (12a, 12b) on the surface side of the plurality of through holes are on the surface with respect to the center (OA) of the front side sealing region (10c) on which the mold resin is formed. An electronic device formed on both sides in one direction.
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