JP2018014350A - Ledデバイスの製造方法 - Google Patents
Ledデバイスの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018014350A JP2018014350A JP2016141375A JP2016141375A JP2018014350A JP 2018014350 A JP2018014350 A JP 2018014350A JP 2016141375 A JP2016141375 A JP 2016141375A JP 2016141375 A JP2016141375 A JP 2016141375A JP 2018014350 A JP2018014350 A JP 2018014350A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductivity type
- layer
- gan layer
- led element
- element structure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 18
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 78
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims abstract description 62
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 50
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 39
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 37
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 33
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 33
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract description 33
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims abstract description 26
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 51
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 44
- 238000010979 pH adjustment Methods 0.000 claims description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 67
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 41
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 19
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 17
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 15
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 13
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 13
- 230000009471 action Effects 0.000 description 12
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000012935 ammoniumperoxodisulfate Substances 0.000 description 8
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 5
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YZCKVEUIGOORGS-UHFFFAOYSA-N Hydrogen atom Chemical compound [H] YZCKVEUIGOORGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IGFHQQFPSIBGKE-UHFFFAOYSA-N Nonylphenol Natural products CCCCCCCCCC1=CC=C(O)C=C1 IGFHQQFPSIBGKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004996 alkyl benzenes Chemical class 0.000 description 2
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 2
- 208000018459 dissociative disease Diseases 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- SNQQPOLDUKLAAF-UHFFFAOYSA-N nonylphenol Chemical compound CCCCCCCCCC1=CC=CC=C1O SNQQPOLDUKLAAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 125000005385 peroxodisulfate group Chemical group 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 GaN and SiN Chemical class 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N ammonium fluoride Chemical compound [NH4+].[F-] LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L peroxydisulfate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
- H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G15/00—Compounds of gallium, indium or thallium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02019—Chemical etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
【解決手段】基板1表面に第1導電型のGaN層2、GaN系の発光層3および第2導電型のGaN層4をこの順序で積層して積層半導体層5を形成する工程と、積層半導体層上に所望形状を有するレジストパターン6を形成する工程と、レジストパターンをマスクとして積層半導体層を第1導電型のGaN層が所望厚さ残存するようにリアクティブイオンエッチングを行って選択的に除去し、基板上にLED素子構造部7と電極接続領域8を形成する工程と、レジストパターンを除去する工程と、ペルオキソ硫酸塩、フッ素含有化合物及びpH調整用の酸を含みpH値が0〜3であるエッチング残渣除去用水溶液によりLED素子構造物および電極接続領域を含む基板を処理する工程とを含む。
【選択図】図1
Description
基板表面に第1導電型のGaN層、GaN系の発光層および第2導電型のGaN層をこの順序で積層して含む積層半導体層を形成する工程と、
前記積層半導体層上に所望形状を有するレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして前記積層半導体層を前記第1導電型のGaN層が所望厚さ残存するようにリアクティブイオンエッチングを行って選択的に除去し、基板上にLED素子構造部と当該構造部の第1導電型のGaN層と一体化された電極接続領域を形成する工程と、
前記レジストパターンを除去する工程と、
ペルオキソ硫酸塩、フッ素含有化合物およびpH調整用の酸を含み、pH値が0〜3であるエッチング残渣除去用水溶液により前記LED素子構造物および前記電極接続領域を含む前記基板を処理する工程と
を含むことを特徴とするLEDデバイスの製造方法が提供される。
基板表面に第1導電型のGaN層、GaN系の発光層および第2導電型のGaN層をこの順序で積層して含む積層半導体層を形成する工程と、
前記積層半導体層上に所望形状を有するレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして前記積層半導体層を前記第1導電型のGaN層が所望厚さ残存するようにリアクティブイオンエッチングを行って選択的に除去し、前記基板上にLED素子構造部と当該構造部の第1導電型のGaN層と一体化された電極接続領域を形成する工程と、
前記レジストパターンを除去する工程と、
ペルオキソ硫酸塩、フッ素含有化合物およびpH調整用の酸を含み、pH値が0〜3であるエッチング残渣除去用水溶液により前記LED素子構造物および前記電極接続領域を含む前記基板を処理する工程と、
前記電極接続領域を含む前記LED素子構造部の全表面に保護膜を形成する工程と、
前記電極接続領域を含む前記LED素子構造部上の前記保護膜表面に前記LED素子構造部の前記第2導電型のGaN層の一部および前記電極接続領域の一部に対応する箇所が開口されたレジストパターンを形成する工程と、
前記レジスとパターンをマスクとして前記保護膜にリアクティブイオンエッチングを行って選択的に除去し、前記LED素子構造部の前記第2導電型のGaN層上の前記保護膜に第2導電型電極用取出し孔および前記電極接続領域上の前記保護膜に第1導電型電極用取出し孔をそれぞれ形成する工程と、
前記レジストパターンを除去する工程と、
ペルオキソ硫酸塩、フッ素含有化合物およびpH調整用の酸を含み、pH値が0〜3であるエッチング残渣除去用水溶液により前記第1導電型電極用取出し孔および前記第2導電型電極用取出し孔を含む前記保護膜を処理する工程と、
前記LED素子構造部の前記第2導電型のGaN層に前記第2導電型電極用取出し孔を通して接続する第2導電型電極および前記電極接続領域に前記第1導電型電極用取出し孔を通して接続する第1導電型電極を形成する工程と
を含むことを特徴とするLEDデバイスの製造方法が提供される。
(第1工程)
基板表面に第1導電型のGaN層、GaN系の発光層および第2導電型のGaN層をこの順序で積層して含む積層半導体層を形成する。
積層半導体層上に所望形状を有するレジストパターンを形成する。つづいて、レジストパターンをマスクとして積層半導体層を第1導電型のGaN層が所望厚さ残存するようにリアクティブイオンエッチング(Reactive Ion Etching:RIE)を行って選択的に除去し、基板上にLED素子構造部と当該構造部の第1導電型のGaN層と一体化された電極接続領域(コンタクト領域)を形成する。
レジストパターンを例えば酸素アッシングにより除去する。レジストパターンを除去した後において、レジストパターンで被覆されていたLED素子構造部の最上層の第2導電型のGaN層の表面には、主にレジストに由来するポリマー、炭素系物質からなる残渣物が付着される。また、第1導電型のGaN層、GaN系の発光層および第2導電型のGaN層を備える矩形LED素子構造部の側面には、レジスト、反応性ガス、GaNの構成元素および酸素に由来する変質層からなる例えばフェンス状の残渣物が付着され、当該残渣物はレジストパターンが存在した方向に突出している。
このペルオキソ硫酸塩としては、ペルオキソ一硫酸塩、ペルオキソ二硫酸塩を挙げることができる。ペルオキソ二硫酸塩としては、例えばペルオキソ二硫酸アンモニウム等を挙げることができる。
このフッ素含有化合物としては、例えばフッ化水素酸、フッ化水素酸アンモニウム等を挙げることができる。
F-+HF⇔HF2 - (2)
式(1)の解離前のHFは、GaNまたはその酸化物に対するエッチング作用が弱いものの、式(2)のHF2 -はGaNまたはその酸化物に対するエッチング作用が強い。このため、HF2 -がエッチング残渣除去用水溶液中に多量に存在すると、ペルオキソ硫酸塩による第1導電型のGaN層、GaN系の発光層および第2導電型のGaN層を備える矩形LED素子構造部および第1導電型のGaN層と一体化されたコンタクト領域をフッ素含有化合物のエッチングから保護する作用が低下する。このようなことから、後述するpH調整用の酸でpH調整することによりエッチング残渣除去用水溶液中のHF2 -の生成を抑制できる。
このpH調整用の酸は、例えば硫酸、硝酸、塩酸、リン酸のような無機酸、または酢酸、シュウ酸のような有機酸を用いることができる。特に、硫酸が好ましい。
第2の実施形態の係るLEDデバイスの製造方法を前述した第1の実施形態の第3の工程に引き続いて説明する。
基板上の電極接続領域(コンタクト領域)を含む矩形LED素子構造部の全表面に保護膜を形成する。
コンタクト領域を含むLED素子構造部上の保護膜表面にLED素子構造部の第2導電型のGaN層(または第2導電型の透明電極層)の一部およびコンタクト領域の一部に対応する箇所が開口されたレジストパターンを形成する。つづいて、レジストパターンをマスクとして保護膜にRIEを行って選択的に除去し、LED素子構造部の第2導電型のGaN層(または第2導電型の透明電極層)上の保護膜に第2導電型電極用取出し孔およびコンタクト領域上の前記保護膜に第1導電型電極用取出し孔をそれぞれ形成する。
レジストパターンを例えば酸素アッシングにより除去する。レジストパターンを除去した後において、各電極用取出し孔を除く保護膜表面には主にレジストに由来するポリマー、炭素系物質からなる残渣物が付着される。また、各電極用取出し孔の内周面にはレジストパターンが存在した方向に突出する、レジスト、反応性ガス、保護膜であるSiNの構成元素および酸素に由来する変質層からなる例えばフェンス状の残渣物が付着される。
F-+HF⇔HF2 - (2)
式(1)の解離前のHFは、GaN、SiNのような窒化物に対するエッチング作用が弱いものの、式(2)のHF2 -はGaN、SiNのような窒化物に対するエッチング作用が強い。このため、HF2 -がエッチング残渣除去用水溶液中に多量に存在すると、各電極用取出し孔の内周面に露出するSiNのような保護膜をエッチングするばかりか、ペルオキソ硫酸塩による電極用取出し孔の底面に露出したGaN層(または透明電極層)をフッ素含有化合物のエッチングから保護する作用が低下する。このようなことから、後述するpH調整用の酸でpH調整することにより前記エッチング残渣除去用水溶液中のHF2 -の生成を抑制している。
LED素子構造部の第2導電型のGaN層(または第2導電型の透明電極層)に第2導電型電極用取出し孔を通して接続する第2導電型電極およびコンタクト領域に第1導電型電極用取出し孔を通して接続する第1導電型電極をそれぞれパターニング技術により形成する
第1導電型電極(例えばn型電極)は、例えばAl、Ti、Ptの積層金属から作ることができる。
まず、図1の(a)に示すようにサファイア基板1表面にエピタキシャル成長法によりn型GaN層2、InGaNからなる発光層3およびp型GaN層4をこの順序で成膜して積層半導体層5を成膜した。
Claims (3)
- 基板表面に第1導電型のGaN層、GaN系の発光層および第2導電型のGaN層をこの順序で積層して含む積層半導体層を形成する工程と、
前記積層半導体層上に所望形状を有するレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして前記積層半導体層を前記第1導電型のGaN層が所望厚さ残存するようにリアクティブイオンエッチングを行って選択的に除去し、基板上にLED素子構造部と当該構造部の第1導電型のGaN層と一体化された電極接続領域を形成する工程と、
前記レジストパターンを除去する工程と、
ペルオキソ硫酸塩、フッ素含有化合物およびpH調整用の酸を含み、pH値が0〜3であるエッチング残渣除去用水溶液により前記LED素子構造物および前記電極接続領域を含む前記基板を処理する工程と
を含むことを特徴とするLEDデバイスの製造方法。 - 基板表面に第1導電型のGaN層、GaN系の発光層および第2導電型のGaN層をこの順序で積層して含む積層半導体層を形成する工程と、
前記積層半導体層上に所望形状を有するレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして前記積層半導体層を前記第1導電型のGaN層が所望厚さ残存するようにリアクティブイオンエッチングを行って選択的に除去し、前記基板上にLED素子構造部と当該構造部の第1導電型のGaN層と一体化された電極接続領域を形成する工程と、
前記レジストパターンを除去する工程と、
ペルオキソ硫酸塩、フッ素含有化合物およびpH調整用の酸を含み、pH値が0〜3であるエッチング残渣除去用水溶液により前記LED素子構造物および前記電極接続領域を含む前記基板を処理する工程と、
前記電極接続領域を含む前記LED素子構造部の全表面に保護膜を形成する工程と、
前記電極接続領域を含む前記LED素子構造部上の前記保護膜表面に前記LED素子構造部の前記第2導電型のGaN層の一部および前記電極接続領域の一部に対応する箇所が開口されたレジストパターンを形成する工程と、
前記レジスとパターンをマスクとして前記保護膜にリアクティブイオンエッチングを行って選択的に除去し、前記LED素子構造部の前記第2導電型のGaN層上の前記保護膜に第2導電型電極用取出し孔および前記電極接続領域上の前記保護膜に第1導電型電極用取出し孔をそれぞれ形成する工程と、
前記レジストパターンを除去する工程と、
ペルオキソ硫酸塩、フッ素含有化合物およびpH調整用の酸を含み、pH値が0〜3であるエッチング残渣除去用水溶液により前記第1導電型電極用取出し孔および前記第2導電型電極用取出し孔を含む前記保護膜を処理する工程と、
前記LED素子構造部の前記第2導電型のGaN層に前記第2導電型電極用取出し孔を通して接続する第2導電型電極および前記電極接続領域に前記第1導電型電極用取出し孔を通して接続する第1導電型電極を形成する工程と
を含むことを特徴とするLEDデバイスの製造方法。 - 前記エッチング残渣除去用水溶液の処理後で、前記保護膜の形成前に前記LED素子構造部の前記第2導電型のGaN層の表面に第2導電型の透明電極層をさらに形成することを特徴とする請求項2記載のLEDデバイスの製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016141375A JP6416158B2 (ja) | 2016-07-19 | 2016-07-19 | Ledデバイスの製造方法 |
US15/650,276 US9991421B2 (en) | 2016-07-19 | 2017-07-14 | Method for manufacturing light emitting diode device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016141375A JP6416158B2 (ja) | 2016-07-19 | 2016-07-19 | Ledデバイスの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018014350A true JP2018014350A (ja) | 2018-01-25 |
JP6416158B2 JP6416158B2 (ja) | 2018-10-31 |
Family
ID=60988150
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016141375A Active JP6416158B2 (ja) | 2016-07-19 | 2016-07-19 | Ledデバイスの製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9991421B2 (ja) |
JP (1) | JP6416158B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020096015A (ja) * | 2018-12-10 | 2020-06-18 | 株式会社サイオクス | 構造体の製造方法と製造装置、および光照射装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003282531A (ja) * | 2002-03-26 | 2003-10-03 | Toshiba Corp | 電子デバイスの製造方法 |
JP2004247416A (ja) * | 2003-02-12 | 2004-09-02 | Toshiba Corp | 洗浄用処理液および電子デバイスの製造方法 |
JP2007123764A (ja) * | 2005-10-31 | 2007-05-17 | Stanley Electric Co Ltd | 発光素子及びその製造方法 |
JP2007288002A (ja) * | 2006-04-18 | 2007-11-01 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 窒化物半導体発光素子 |
US20100120256A1 (en) * | 2007-05-14 | 2010-05-13 | Basf Se | Method for removing etching residues from semiconductor components |
JP2010238802A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-21 | Showa Denko Kk | 半導体発光素子、電極構造、半導体発光素子の製造方法、電極構造の製造方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5972730A (en) * | 1996-09-26 | 1999-10-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nitride based compound semiconductor light emitting device and method for producing the same |
US9279193B2 (en) * | 2002-12-27 | 2016-03-08 | Momentive Performance Materials Inc. | Method of making a gallium nitride crystalline composition having a low dislocation density |
-
2016
- 2016-07-19 JP JP2016141375A patent/JP6416158B2/ja active Active
-
2017
- 2017-07-14 US US15/650,276 patent/US9991421B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003282531A (ja) * | 2002-03-26 | 2003-10-03 | Toshiba Corp | 電子デバイスの製造方法 |
JP2004247416A (ja) * | 2003-02-12 | 2004-09-02 | Toshiba Corp | 洗浄用処理液および電子デバイスの製造方法 |
JP2007123764A (ja) * | 2005-10-31 | 2007-05-17 | Stanley Electric Co Ltd | 発光素子及びその製造方法 |
JP2007288002A (ja) * | 2006-04-18 | 2007-11-01 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 窒化物半導体発光素子 |
US20100120256A1 (en) * | 2007-05-14 | 2010-05-13 | Basf Se | Method for removing etching residues from semiconductor components |
JP2010238802A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-21 | Showa Denko Kk | 半導体発光素子、電極構造、半導体発光素子の製造方法、電極構造の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6416158B2 (ja) | 2018-10-31 |
US9991421B2 (en) | 2018-06-05 |
US20180026159A1 (en) | 2018-01-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7439091B2 (en) | Light-emitting diode and method for manufacturing the same | |
US7611992B2 (en) | Semiconductor light emitting element and method of manufacturing the same | |
TWI405257B (zh) | 分離基板與半導體層的方法 | |
JP2012080140A5 (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
TWI438926B (zh) | 製造半導體發光裝置的方法 | |
CN104167477A (zh) | 一种反极性AlGaInP基发光二极管及其制造方法 | |
US20110227213A1 (en) | Method for fabricating semiconductor devices and a semiconductor device made therefrom | |
TWI474507B (zh) | 固態發光元件之製作方法 | |
US9269855B2 (en) | Method for manufacturing high efficiency light-emitting diodes | |
JP6416158B2 (ja) | Ledデバイスの製造方法 | |
TWI466318B (zh) | The process of vertical non - cutting metal substrate light - emitting diodes | |
WO2015027654A1 (zh) | 一种氮化镓基高压发光二极管的制作方法 | |
CN104300048A (zh) | 一种GaN基发光二极管芯片的制备方法 | |
JP5032511B2 (ja) | 半導体発光装置の製造方法と、それを用いて製造した半導体発光装置 | |
JP2014060255A (ja) | 窒化物半導体の深紫外発光素子の製造方法 | |
CN109427940B (zh) | 发光二极管外延片及其制造方法 | |
JP2013074245A (ja) | 発光ダイオードの製造方法及び発光ダイオード | |
JP2010287637A (ja) | 半導体発光装置の製造方法 | |
TW201232809A (en) | Method for manufacturing light emitting chip | |
US20150087097A1 (en) | Method for manufacturing a light-emitting diode | |
JP2011124296A (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
WO2015027656A1 (zh) | 氮化镓基发光二极管的制作方法及氮化镓基发光二极管 | |
KR20150025438A (ko) | 발광소자 제조방법 | |
CN108807148B (zh) | 一种物理与化学相结合恢复GaN-LED用蓝宝石图形衬底的方法 | |
TWI398015B (zh) | 發光二極體之製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180531 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180619 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180816 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180904 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20181003 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6416158 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |