JP2017537478A - 少なくとも1種類の15族元素二元化合物の使用法、iii−v族半導体層、及び15族元素二元化合物 - Google Patents
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Abstract
Description
・H.Protzmann、F.Hohnsdorf、Z.Spika、W.Stolz、E.O.Gobel、M.Muller、及びJ.Lorberth、J.Crystal Growth、第170巻(1997年)、155〜160頁;
・G.Zimmermann、Z.Spika、T.Marschner、B.Spill、W.Stolz、E.O.Gobel、P.Gimmnich、J.Lorberth、A.Greiling、及びA.Salzmann、J.Crystal Growth、第145巻(1994年)、512〜519頁;
・J.Komeno、J.Crystal Growth、第145巻(1994年)、468〜472頁;
・M.Horita、M.Suzuki、及びY.Matsushima、J.Crystal Growth、第124巻(1992年)、123〜128頁;
・K.Volz、J.Koch、F.Hohnsdorf、B.Kunert、及びW.Stolz、J.Crystal Growth、第311巻(2009年)、2418〜2426頁;
・K.Volz、T.Torunski、B.Kunert、O.Rubel、S.Nau、S.Reinhard、及びW.Stolz、J.Crystal Growth、第272巻(2004年)、739〜747頁。
R1R2E−E’R3R4 (I),
ここで、
−R1、R2、R3、及びR4は、水素、アルキルラジカル(C1〜C10)、及びアリール基からなる群からそれぞれ独立に選択され、
−E及びE’は、窒素、リン、ヒ素、アンチモン、及びビスマスからなる群からそれぞれ独立に選択されるが、
EはE’と同じであるか又はE’とは異なっており、
かつ/又は
少なくとも1種類の15族元素二元化合物は、以下の一般式を有し:
R5E(E’R6R7)2 (II),
ここで、
−R5、R6、及びR7は、水素、アルキルラジカル(C1〜C10)、及びアリール基からなる群からそれぞれ独立に選択され、かつ
−E及びE’は、窒素、リン、ヒ素、アンチモン、及びビスマスからなる群からそれぞれ独立に選択されるが、
EはE’と同じであるか又はE’とは異なっており、
アルキル基及び/又はアリール基は、置換、例えば部分的にフッ素置換又は全フッ素置換されていてよい。
−R1及びR2は、アルキルラジカル(C1〜C10)及びアリール基からなる群からそれぞれ独立に選択され、かつ
−R3=R4=Hである。
−R1、R2、及びR4は、アルキルラジカル(C1〜C10)及びアリール基からなる群からそれぞれ独立に選択され、かつ、
−R3は水素である。
−R5は、アルキルラジカル(C1〜C10)及びアリール基からなる群から選択され、かつ、
−R6とR7とはともに水素である。
−R5及びR7は、アルキルラジカル(C1〜C10)及びアリール基からなる群からそれぞれ独立に選択され、かつ
−R6は水素である。
−R5は水素であり、かつ、
−R6及びR7は、アルキルラジカル(C1〜C10)及びアリール基からなる群から選択され、
具体的には、R6及びR7は、C1〜C6アルキルラジカル及びC1〜C8アリールラジカルからなる群から選択される。特に、R6及びR7は、C1〜C4アルキルラジカル及びC1〜C6アリールラジカルからなる群から選択される。より具体的には、R6及びR7は、メチル(Me)、エチル(Et)、n−プロピル(nPr)、イソプロピル(iPr)、シクロプロピル、ブチル(nBu)、イソブチル(iBu又は2−メチルプロピル)、s−ブチル(secBu)、tert.−ブチル(tBu又は2−メチルプロピル)、シクロプロピル、フェニル(C6H5)、及びオルソ、メタ、又はパラトルイルからなる群から選択される。アルキル基及び/又はアリール基は、置換、例えば部分的にフッ素置換又は全フッ素置換されていてよい。その場合には、R6及びR7は、トリフルオロメチル(CF3)及びペンタフルオロフェニル(C6F5)からなる群から選択され得る。1つの具体的な実施形態においては、R6とR7とは同じである。具体的な実施形態においては、R6及びR7は、Me、tBu、又はフェニルから選択され得る。
−少なくとも1種類の、上述の式(I)又は式(II)の15族元素化合物を提供するステップと、
−式(I)又は式(II)の15族元素化合物を、III−V族半導体層の堆積に好適な条件にさらすステップと、
−III−V族半導体層を堆積させるステップ。
−少なくとも1種類の、上述の式(I)又は式(II)の15族元素化合物を提供するステップと、
−少なくとも1種類の13族元素化合物を提供するステップと、
−1種類又は複数種類の、式(I)又は式(II)の15族元素化合物と、1種類又は複数種類の、13族元素化合物との両方を、III−V族半導体層の堆積に好適な条件にさらすステップと、
−III−V族半導体層を堆積させるステップ。
R1R2E−E’R3R4 (I),
ここで、
−R1、R2、R3、及びR4は、水素、アルキルラジカル(C1〜C10)、及びアリール基からなる群からそれぞれ独立に選択され、
−E及びE’は、リン、ヒ素、アンチモン、及びビスマスからなる群からそれぞれ独立に選択されるが、
EとE’とが異なっている、
又は、
以下の一般式による化合物で:
R5E(E’R6R7)2 (II),
ここで、
−R5、R6、及びR7は、水素、アルキルラジカル(C1〜C10)、及びアリール基からなる群からそれぞれ独立に選択され、
−Eは、窒素、リン、ヒ素、アンチモン、及びビスマスからなる群から選択され、かつ、
−E’は、リン、ヒ素、アンチモン、及びビスマスからなる群から選択され、
EとE’とが異なっている。
少なくとも1種類の15族元素二元化合物は、以下の一般式を有し:
R1R2E−E’R3R4 (I),
ここで、
−R1、R2、R3、及びR4は、水素、アルキルラジカル(C1〜C10)、及びアリール基からなる群からそれぞれ独立に選択され、
−E及びE’は、窒素、リン、ヒ素、アンチモン、及びビスマスからなる群からそれぞれ独立に選択されるが、
EはE’と同じであるか又はE’とは異なっており、
かつ/又は
少なくとも1種類の15族元素二元化合物は、以下の一般式を有し:
R5E(E’R6R7)2 (II),
ここで、
−R5、R6、及びR7は、水素、アルキルラジカル(C1〜C10)、及びアリール基からなる群からそれぞれ独立に選択され、かつ
−E及びE’は、窒素、リン、ヒ素、アンチモン、及びビスマスからなる群からそれぞれ独立に選択されるが、
EはE’と同じであるか又はE’とは異なっており、
具体的には、R1、R2、R3、R4、R5、R6、及びR7は同じであるか又は異なっており、かつ、水素(H)、C1〜C6アルキルラジカル、及びC1〜C8アリールラジカルからなる群から選択される。特に、R1、R2、R3、R4、R5、R6、及びR7は、同じであるか又は異なっており、かつ水素(H)、C1〜C4アルキルラジカル、及びC1〜C6アリールラジカルからなる群から選択される。より具体的には、R1、R2、R3、R4、R5、R6、及びR7は、同じであるか又は異なっており、かつ、水素(H)、メチル(Me)、エチル(Et)、n−プロピル(nPr)、イソプロピル(iPr)、シクロプロピル、ブチル(nBu)、イソブチル(iBu又は2−メチルプロピル)、s−ブチル(secBu)、tert.−ブチル(tBu又は2−メチルプロピル)、シクロプロピル、フェニル(C6H5)、及びオルソ、メタ、又はパラトルイルからなる群から選択される。
R1R2E−E’R3R4 (I),
ここで、
−R1、R2、R3、及びR4は、水素、アルキルラジカル(C1〜C10)、及びアリール基からなる群からそれぞれ独立に選択され、
−E及びE’は、リン、ヒ素、アンチモン、及びビスマスからなる群からそれぞれ独立に選択されるが、
EとE’とが異なっている、
又は、
以下の一般式による化合物により実現され:
R5E(E’R6R7)2 (II),
ここで、
−R5、R6、及びR7は、水素、アルキルラジカル(C1〜C10)、及びアリール基からなる群からそれぞれ独立に選択され、
−Eは、窒素、リン、ヒ素、アンチモン、及びビスマスからなる群から選択され、かつ、
−E’は、リン、ヒ素、アンチモン、及びビスマスからなる群から選択され、
EとE’とが異なっている。
実施例1:tBu2As−PH2の調製
[LiAl(PH2)4](0.091M)のDME溶液45mL(4.1mmol)を、30mLのTHFとともに−60℃で用意し、そこに15mLのDMEに2.5mLのtBu2AsCl(12.3mmol)溶かしたものを滴下させて添加する。これを室温まで加熱して、0℃で100mLのペンタンを添加し、生成した沈殿物を濾過する。溶媒を取り除き、残留物をペンタンに溶解させて再び濾過する。真空下で溶媒を取り除いたら、生成物を室温で濃縮して型に入れて、−196℃まで冷却する。その結果、tBu2As−PH2が、無色透明の液体として、収率50%で得られる。
連続的なNH3のガスの流れを、tBu2AsCl(4.0g)を50mLのジエチルエーテルに溶かした溶液に、20℃で2時間にわたり導入する。次に、発生したNH4Clの沈殿物を、濾過により取り除く。次に溶媒を濾過液から蒸留し、更に残留物を真空中で、精密上流にかける。結果として、0.002kPa(0.02mbar)の圧力及び40℃の温度で、60%の収率で、化合物tBu2As−NH2が得られる。
[LiAl(PH2)4]のDME溶液9.2mL(1.62mmol、0.176MをDMEに溶かしたもの)を−78℃で用意し、そこに1.0mLのtBu2SbCl(4.31mmol)を滴下させて添加する。乳黄色の溶液を、20分後に室温まで加熱し、更に30分間攪拌した。減圧下で溶媒を取り除き、茶色の残留物を、n−ペンタン(20mL)で抽出し、次に濾過する。溶媒が減圧下で取り除かれたら、オレンジ色のオイルとして化合物tBu2Sb−PH2が生成するが、それは室温では素早く分解し、tBuPH2、PH3、(tBuSb)4、及び(tBu2Sb)2PHを生成させるので、−80℃で保管する必要がある。
0.26gのLiNH2(11.4mmol)を、30mLのジエチルエーテル中に懸濁させる。次に、2.81g(10.4mmol)のtBu2SbClを溶解させ、20mLのジエチルエーテルに−20℃で滴下させて添加する。室温まで加熱したら、溶媒を高真空下で取り除き、残留物を、30mLのn−ペンタン中に受容させる。固形物を遠心分離により分離し、溶媒を高真空下で取り除く。1.91gのtBu2Sb−NH2が、無色の液体として残留する(収率73%)。
4.45gのtBu2SbCl(16.4mmol)を、50mLのn−ペンタン中に懸濁させる。溶液を0℃まで冷却し、1.30gのtBuNHLi(16.4mmol)を添加する。溶液を室温まで加熱し、2時間攪拌し、次に結果として生じた子固形物を、遠心分離で分離させる。次に溶媒を高真空下で取り除き、結果として生じる未加工の生成物を、高真空下で蒸留する(0.0001kPa(0.001mbar))。その結果得られた化合物は、36℃で無色の液体のtBu2Sb−NHtBu(2.56g、51%収率)である。
1.55gのtBu2SbCl(5.71mmol)を、50mLのn−ペンタン中に懸濁させる。0.55gのtBuPHLi(5.71mmol)が、−20℃で添加され、それにより黄色い溶液が作成されるが、この溶液を一晩、攪拌する。固形物を遠心分離により分離し、溶媒を高真空下で取り除く。その結果、1.62gの化合物tBu2Sb−PHtBu(収率87%)が、黄色い油として得られる。
6.20gのtBu2SbCl(22.84mmol)を40mLのn−ペンタン中に溶かすが、前者を、1.49gのiPrNHLi(22.84mmol)を50mLのn−ペンタンに−20℃で懸濁させたものに滴下させる。一晩攪拌した後で、固形物を遠心分離により分離し、溶媒を高真空下で取り除く。次に、2mmHg、68℃で蒸留すると、その結果、3.78gの(収率56%)化合物tBu2Sb−NHiPrが、無色の液体として得られる。
2.20gのtBu2AsCl(9.8mmol)を約10mLのTHFに溶かしたものを、1.72gの[Li(dme)PH2](9.8mmol)を約150mLのTHFに懸濁させたものに、−60℃で15分間かけて滴下させて添加する。その懸濁液を一晩攪拌する。透明でオレンジ色の溶液から溶媒を取り除き、残留物を100mLのn−ペンタンに入れ、濾過する。次に溶液の堆積を10mLに減らす。この溶液から、化合物HP(AstBu2)2が、収率75%(1.50g)で、黄色い針形状の結晶として析出する。
1mL(1.41g、5.19mmol)のtBu2SbClを、0℃の100mLのEt2O中に用意し、次にNH3ガスを導入する。これにより液体が自然と曇る。1.5時間後に反応が終わり、白色の固形物を濾過する。溶媒を高真空下で取り除くと、無色の油が残り、その油は、しばらくたつと無色の、板形状の結晶に固化する。
3.79gの(0.022mol)のtBu2PClを75mLのペンタンに溶解させ、−40℃に冷却した。2.50gの(0.026mol)のtBuPHLiが添加され、黄色の反応混合物を得た。濾過により透明の液体が得られ、真空中で溶媒を除去した。真空中での蒸留(10−3mbar、100℃)の結果、2.60gの(52%)tBu2P−P(H)tBuが得られた。
28.44g(0.158mol、1.00eq)のtBu2PClが10mLのジエチルエーテル中に懸濁され、アンモニアが−50℃のスラリーに濃縮される。塩化アンモニウムが沈殿し、白色で薄片状の沈殿物が形成された。沈殿物を濾過により取り除き、未加工の生成物を6.66mbarの圧力と、60℃の油槽温度で蒸留した。22.8g(93%)の無色の液体が得られた。
本発明によれば、蒸着プロセスにおける反応物質として意図される、tBu2As−NH2(DTBAA=ジ−tertブチルアミノアルシン)は、ガリウムヒ素窒素層(Ga(As1−xNx))(0<x<1)の合成用窒素源として、MOVPEプロセス、すなわちIII−V族半導体Ga(As1−xNx)(0<x<1)を基板としてのヒ化ガリウム(GaAs)上に堆積するプロセスにおいて、成功裏に使用されてきた。
Claims (17)
- 蒸着プロセスにおける反応物質としての、少なくとも1種類の15族元素二元化合物の使用法であって、
少なくとも1種類の15族元素二元化合物が、一般式:
R1R2E−E’R3R4 (I)を有し、
式中、
−R1、R2、R3、及びR4は、水素、アルキルラジカル(C1〜C10)、及びアリール基からなる群からそれぞれ独立に選択され、かつ、
−E及びE’は、窒素、リン、ヒ素、アンチモン、及びビスマスからなる群からそれぞれ独立に選択され、
EはE’と同じであるか又はE’とは異なっており、かつ、
示される使用法から、ヒドラジン及びその誘導体は排除され、かつ/又は、
少なくとも1種類の15族元素二元化合物が、一般式:
R5E(E’R6R7)2 (II)を有し、
式中、
−R5、R6、及びR7は、水素、アルキルラジカル(C1〜C10)、及びアリール基からなる群からそれぞれ独立に選択され、かつ、
−E及びE’は、窒素、リン、ヒ素、アンチモン、及びビスマスからなる群からそれぞれ独立に選択され、
EはE’と同じであるか又はE’とは異なっている、使用法。 - 前記反応物質が、前記一般式(I)の15族元素二元化合物であり、かつ
−R1、及びR2は、アルキルラジカル(C1〜C10)及びアリール基からなる群からそれぞれ独立に選択され、かつ、
−R3とR4とは、ともに水素であることを特徴とする、請求項1に記載の使用法。 - 前記一般式(I)の前記15族元素二元化合物は、tBu2P−NH2、(CF3)2P−NH2、Ph2P−NH2、tBu2P−AsH2、tBu2As−NH2、tBu2As−PH2、Ph2As−PH2、tBu2Sb−NH2、及びtBu2Sb−PH2からなる群から選択されることを特徴とする、請求項2に記載の使用法。
- 前記反応物質が、前記一般式(I)の15族元素二元化合物であり、かつ、
−R1、R2、及びR4は、アルキルラジカル(C1〜C10)及びアリール基からなる群からそれぞれ独立に選択され、かつ、
−R3は水素であることを特徴とする、請求項1に記載の使用法。 - 前記一般式(I)の前記15族元素二元化合物は、tBu2As−PHMe、tBu2Sb−NHtBu、tBu2Sb−PHtBu、及びtBu2Sb−NHiPrからなる群から選択されることを特徴とする、請求項4に記載の使用法。
- 前記反応物質が、前記一般式(I)の15族元素二元化合物であり、かつR1、R2、R3、及びR4は、アルキルラジカル(C1〜C10)及びアリール基からなる群からそれぞれ独立に選択されることを特徴とする、請求項1に記載の使用法。
- 前記一般式(I)の前記15族元素二元化合物は、Me2As−AsMe2、tBu2Sb−NMe2、iPr2Sb−PMe2、Et2Sb−NMe2、Et2Sb−P(C6H5)2、tBu2Bi−PtBu2、及びtBu2Bi−AstBu2からなる群から選択されることを特徴とする、請求項6に記載の使用法。
- 前記反応物質が、前記一般式(II)の15族元素二元化合物であり、かつ、
R5が水素であることを特徴とする、請求項1に記載の使用法。 - 前記一般式(II)の前記15族元素二元化合物は、HP(AstBu2)2及びHN(SbtBu2)2からなる群から選択されることを特徴とする、請求項8に記載の使用法。
- 前記反応物質が、前記一般式(II)の15族元素二元化合物であり、かつ、
−R5は、アルキルラジカル(C1〜C10)及びアリール基からなる群から選択され、かつ、
−R6とR7とは、ともに水素であることを特徴とする、請求項1に記載の使用法。 - 前記一般式(II)の前記15族元素二元化合物は、tBuP(NH2)2、tBuAs(NH2)2、及び(C6H5)P(NH2)2からなる群から選択されることを特徴とする、請求項10に記載の使用法。
- 前記反応物質が、前記一般式(II)の15族元素二元化合物であり、かつ、
−R5及びR7は、アルキルラジカル(C1〜C10)及びアリール基からなる群からそれぞれ独立に選択され、かつ、
−R6は水素であることを特徴とする、請求項1に記載の使用法。 - 前記一般式(II)の前記15族元素二元化合物は、nBuP(AsHMe)2及び(C6H5)P(AsHMe)2からなる群から選択されることを特徴とする、請求項12に記載の使用法。
- 前記反応物質が、前記一般式(II)の15族元素二元化合物であり、かつ、
R5、R6、及びR7は、アルキルラジカル(C1〜C10)及びアリール基からなる群からそれぞれ独立に選択されることを特徴とする、請求項1に記載の使用法。 - 前記一般式(II)の前記15族元素二元化合物は、tBuAs(NMe2)2、m−F3CC6H4As(NMe2)2及びtBuAs(PMe2)2からなる群から選択されることを特徴とする、請求項14に記載の使用法。
- 少なくとも1種類の15族元素二元化合物を、請求項1〜15の一項にしたがって蒸着プロセスにおける前記反応物質として用いる蒸着プロセスにおいて製造可能なIII−V族半導体層。
- 以下の一般式の15族元素二元化合物であって:
R1R2E−E’R3R4 (I)
式中、
−R1、R2、R3、及びR4は、水素、アルキルラジカル(C1〜C10)、及びアリール基からなる群からそれぞれ独立に選択され、かつ、
−E及びE’は、リン、ヒ素、アンチモン、及びビスマスからなる群からそれぞれ独立に選択され、
EとE’とが異なっている、化合物
又は、
以下の一般式の15族元素二元化合物であって:
R5E(E’R6R7)2 (II)
式中、
−R5、R6、及びR7は、水素、アルキルラジカル(C1〜C10)及びアリール基からなる群からそれぞれ独立に選択され、
−Eは、窒素、リン、ヒ素、アンチモン、及びビスマスからなる群から選択され、かつ、
−E’は、リン、ヒ素、アンチモン、及びビスマスからなる群から選択され、
EとE’とが異なっている、化合物。
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Citations (5)
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---|---|---|---|---|
JPH04215421A (ja) * | 1990-02-22 | 1992-08-06 | Cvd Inc | 化学的気相成長法 |
JPH05121340A (ja) * | 1991-03-29 | 1993-05-18 | Toshiba Corp | 化合物半導体膜の気相成長方法 |
JP2000082673A (ja) * | 1998-09-04 | 2000-03-21 | Telecommunication Advancement Organization Of Japan | 薄膜形成方法及び薄膜形成装置 |
US6060119A (en) * | 1997-02-10 | 2000-05-09 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Compound tertiarybutylbis-(dimethylamino)phosphine and a process for preparing the compound tertiarybutylbis-(dimethylamino)phosphine |
JP2010514918A (ja) * | 2006-11-02 | 2010-05-06 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド | 金属薄膜のcvd/aldに有用なアンチモンおよびゲルマニウム錯体 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2190830A1 (en) * | 1972-07-06 | 1974-02-01 | Inst Francais Du Petrole | Asymmetric bidentate coordinating cmpds - for prepn of hydrogenation catalysts giving optically active products |
US5124278A (en) * | 1990-09-21 | 1992-06-23 | Air Products And Chemicals, Inc. | Amino replacements for arsine, antimony and phosphine |
US5902639A (en) * | 1997-03-31 | 1999-05-11 | Advanced Technology Materials, Inc | Method of forming bismuth-containing films by using bismuth amide compounds |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04215421A (ja) * | 1990-02-22 | 1992-08-06 | Cvd Inc | 化学的気相成長法 |
JPH05121340A (ja) * | 1991-03-29 | 1993-05-18 | Toshiba Corp | 化合物半導体膜の気相成長方法 |
US6060119A (en) * | 1997-02-10 | 2000-05-09 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Compound tertiarybutylbis-(dimethylamino)phosphine and a process for preparing the compound tertiarybutylbis-(dimethylamino)phosphine |
JP2000082673A (ja) * | 1998-09-04 | 2000-03-21 | Telecommunication Advancement Organization Of Japan | 薄膜形成方法及び薄膜形成装置 |
JP2010514918A (ja) * | 2006-11-02 | 2010-05-06 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド | 金属薄膜のcvd/aldに有用なアンチモンおよびゲルマニウム錯体 |
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
JOHN G. STEVENS AND JAN M. TROOSTER: "Synthesis and 121Sb Mossbauer Study of a Number of Organoantimony(II1) Compounds Containing Antimony", INORGANICA CHIMICA ACTA, vol. 115, JPN6019027054, 1986, pages 197 - 201, ISSN: 0004074540 * |
O. J. SCHERER UND W. JANSSEN: "ELEMENTORGANISCHE AMIN/IMIN-VERBINDUNGEN VII UBERFUHRUNG EINES N-SILYLIERTEN AMINOARSINS IN EIN N-SI", JOURNAL OF ORGANOMETALLIC CHEMISTRY, vol. 16, JPN5017007956, 1969, pages 69 - 70, XP055244101, ISSN: 0004074541 * |
OTTO J. SCHERER UND GERD SCHIEDER: "METALLORGANISCHE AMINOPHOSPHINE UND PHOSPHINIMINE", CHEMISCHE BERICHTE, vol. 101, JPN5017007958, 1968, pages 4184 - 4198, XP055244102, ISSN: 0004074542, DOI: 10.1002/cber.19681011218 * |
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