JP2017537320A - 3dイメージングを較正する方法及び3dイメージング用システム - Google Patents

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Abstract

電磁放射に基づいた3次元イメージングを較正する方法は、較正アーティファクトから受信した電磁波に少なくとも部分的に基づいて較正イメージング結果を得ること(501)と、イメージング結果及び較正アーティファクトの既知の厚さプロフィールに基づいて較正データを生成すること(502)と、較正データの助けを借りて、イメージングされる試料から受信した電磁波に少なくとも部分的に基づいて、得られたイメージング結果を補正すること(503)とを含む。較正アーティファクトは、例えば、ラングミュア−ブロジェット膜である複数の層を有し、これら層は、所定の厚さを有し、較正アーティファクトの所定の厚さプロフィールを達成するように互いに積み重ねられている。本方法を実行するように構成された3次元イメージングシステムも提案される。

Description

本開示は、電磁放射に基づいた3次元の「3D」イメージングに関し、例えば、必須ではないが、干渉測定に基づいたイメージングであってよい。特に、本開示は、電磁放射に基づいた3Dイメージングを較正する方法及び電磁放射に基づいた3Dイメージング用システムに関する。
例えば白色光干渉法「WLI」のような、電磁放射に基づいた3次元の「3D」イメージングは、さまざまなアプリケーションで使用されることができる。例えば、医学分野や他の多くの分野におけるバイオイメージングは、学術的な環境と商用の環境との両方で潜在成長力のある電磁放射に基づいた3Dイメージングの確立したアプリケーションである。特に、ラベルフリーバイオイメージングは、分子医学、タンパク質に基づいた医学及び医学の他の多くの分野を進歩させる方法としての見込みがあると考えられている、新興の盛んな分野である。信頼できるイメージング結果を提供するために、電磁放射に基づいた3Dイメージング用システムは、その厚さプロフィール、すなわち、表面起伏が十分な精度で知られた較正アーティファクトの助けを借りて較正される必要がある。さらに、較正アーティファクトは、適切な有効期間、所望の機械特性及び光学特性を有するべきである。
較正手順は、代表的には、較正アーティファクトから受信した電磁波に少なくとも部分的に基づいて較正イメージング結果を得ることと、較正イメージング結果及び較正アーティファクトの既知の厚さプロフィールに基づいて較正データを形成することとを含む。較正データは、例えば、ルックアップテーブル又は補正方程式の形式であることができ、この助けを借りて、イメージング結果が、例えばイメージングされる試料の表面起伏に十分な精度で対応するように補正されることができる。
電磁放射に基づいた3Dイメージングを較正するための既知の方法は、硬質な支持コアと軟質なポリマーコーティングとを有する較正アーティファクトに基づいている。硬質な支持コアは、代表的には、硬質な支持コアの所望の厚さプロフィールを達成するように、機械加工によって製造される。軟質なポリマーコーティングは、例えばエポキシ樹脂系粘着性ポリマーであるSU−8で作られていることができる。しかしながら、軟質なポリマーコーティングの形成を十分な精度で制御することは困難でありうる。さらに、ある場合には、上述の種の硬質−軟質混成の較正アーティファクトの光学特性は、必要とされるようなものでない。
以下は、本発明のさまざまな実施形態のいくつかの態様の基本的理解を提供するための簡略化した概要を示している。概要は、本発明の広範な概観ではない。これは、本発明の要所あるいは重要な要素を特定することを意図したものでも、本発明の範囲を線引きするためのものでもない。以下の概要は、本発明の例示的で非限定的な実施形態のより詳細な説明のための前置きとして簡略化した形態で本発明のいくつかの概念を単に提示するものにすぎない。
本発明によれば、電磁放射に基づいた3次元の「3D」イメージングを較正するための新規な方法が提供される。本発明による方法は、
所定の厚さプロフィールを特徴とする較正アーティファクトから受信した第1の電磁波に少なくとも部分的に基づいて較正イメージング結果を得ることと、
前記較正イメージング結果及び前記較正アーティファクトの前記所定の厚さプロフィールに基づいて較正データを生成することと、
前記較正データの助けを借りて、イメージングされる試料から受信した第2の電磁波に少なくとも部分的に基づいて、得られたイメージング結果を補正することと、を含む。
前記較正アーティファクトは、所定の厚さを有する複数の層を有し、前記複数の層は、前記較正アーティファクトの前記所定の厚さプロフィールを達成するように、互いに積み重ねられている。
前記較正アーティファクトの前記複数の層の少なくとも一部は、効果的には、ラングミュア−ブロジェット膜「LBF」である。LBFは、例えば2.5nmの一定の厚さを有するようにして既知の方法で製造されることができる。したがって、較正アーティファクトの厚さプロフィールは、互いに積み重ねられたLBFの数を制御することによって、2.5nmステップで制御されることができる。平坦でない、例えば階段状の厚さプロフィール、例えば個々のステップによって定義される曲率を達成するために、較正アーティファクトの異なる部分の上に異なる数の積み重ねられたLBFがあってよい。較正アーティファクトは、さらに、各々が高配向性熱分解グラファイト「HOPG」で作られ、LBFの厚さよりも厚い1以上の層によって形成された複数のステップを含むことができる。各HOPG層の厚さは、例えば2μmであることができる。各HOPG層の厚さは、3Åのステップで制御されることができる。1以上のHOPG層の助けを借りて、十分な厚さの較正アーティファクトが少数のLBFで達成されることができる。平坦でない、例えば階段状の厚さプロフィールを達成するように、較正アーティファクトの異なる部分に異なる数のHOPG層があってよい。
多くの場合、第1の電磁波が較正アーティファクトから出る、較正アーティファクトの外面の少なくとも一部を構成している各層がLBFであることが効果的である。なぜならば、例えばHOPGと比較して、LBFの光学特性が多くの生体試料の光学特性に近いからである。
上述の種の較正アーティファクトは、例えば、以下のようにして製造されることができる。まず、HOPGの基板をとり、既知のやり方で、十分な数のHOPG層を剥離して所望の厚さにする。より制御された厚さは、HOPG材料を切り取るために電子線リソグラフィを使用することによって達成されることができる。次に、脂質膜、例えば、ステアリン酸、ホスファチジルコリン(phopshatidylcholine)のLBFが、単一層安定化対イオン、例えば、酢酸ウラニル又はCdClを含む副相に存在する単一層に既知のやり方でHOPG基板を浸すことによって、HOPG基板の上に堆積される。階段状の厚さプロフィールは、製造される較正アーティファクトを、続いて作製されるLBF層の副相にあまり深くないように浸すことによって達成されることができる。最下部のLBF層は、HOPGを180°回転し副相に存在する単一層にそれを浸すことによって堆積されることができる。
他の多くの種の較正アーティファクトとは異なり、上述の較正アーティファクトは、多くの生物学的組織のものに近い光学特定及び機械特性を有する。さらに、較正アーティファクトは、厚さプロフィールが較正アーティファクトの製造プロセスの自然な固有の結果であるので、正確に既知の寸法の所望の厚さプロフィールを有するように制御されることができる。
ラングミュア−ブロジェット「LB」堆積によって階段状のプロフィールアーティファクトを用意するために使用される好ましい材料は、脂肪酸、脂肪アルコール、脂肪族アミン、リン脂質、ステロール、及びこれらの両親媒性誘導体である。なぜならば、これらは、2−4nmの正確な厚さの平坦な単一層を形成するために使用されることができるからである。好ましいステップの高さは、LB技術によってこれらの平坦な単一層の繰り返しの多数の堆積によって形成されることができる。さらに、これらの材料は、標識薬剤なしで正確な高さを有するステップの形成を可能にし、ラベルフリー較正を可能にする。ポリマーLB膜は、通常、2−4nmよりも厚い層を形成し、しばしば、上述の脂肪酸、脂肪アルコール、脂肪族アミン、リン脂質単一層/多層、ステロール、及びこれらの両親媒性誘導体から作られたものほど滑らかでも平坦でもない。いくつかのポリマー層はまた、これらの硬さに起因してLB技術によって堆積することが非常に困難、あるいは不可能でありうる。
WLI/リンニックシステムが、薄い層の均質性、滑らかさ、クラックの発生を評価するために、研究開発「R&D」中や製造中に分子及び有機分子電子デバイスの品質評価ツールとして使用されることができる。分子及び有機分子電子デバイスは、例えば、太陽電池、有機太陽電池、光起電力デバイス、誘起光起電力デバイスであることができる。これらデバイスでは、滑らかで、平坦で、欠陥のない層が重要である。なぜならば、これら層の欠陥は、電子の移動を、これによりこれらデバイスの有効性を妨げるからである。
電磁放射に基づいた3Dイメージングは、例えば、イメージングされる対象物から反射された電磁波と基準反射器から反射された他の電磁波との干渉に基づくことができる。干渉測定は、例えば、白色光干渉法「WLI」、白色光偏向干渉法「WLPI」、ストロボスコープ走査白色光干渉法「SSWLI」、ストロボスコープ走査白色光偏向干渉法「SSWLPI」の少なくとも1つであることができる。さらに、試料及び較正アーティファクトは、液体、例えば、液浸油に浸されることができ、干渉測定は、浸漬によって引き起こされうるイメージング誤差を補償するために既知のマイケルソン又はリンニック装置に与えられることができる。いくつかの適用形態では、アーティファクトは、例えば、ラボ・オン・チップ「LOC」のようなシステムのマイクロ流体チャンネルの内部にあることができる。さらに、試料及び較正アーティファクトは、静止していてよいし、これらは3Dイメージング中に振動してもよい。
他の非限定的な例では、電磁放射に基づいた3Dイメージングは、レーザー三角測量に基づくことができ、この助けを借りて較正アーティファクト及び試料の表面が走査されることができる。
本発明によれば、電磁放射に基づいた3次元の「3D」イメージングのための新規なシステムもまた提供される。本発明によるシステムは、
上に説明された種の較正アーティファクトと、
前記較正アーティファクトから受信した第1の電磁波に少なくとも部分的に基づいて較正イメージング結果を得て、イメージングされる試料から受信した第2の電磁波に少なくとも部分的に基づいてイメージング結果を得るためのイメージングデバイスと、
前記較正イメージング結果及び前記較正アーティファクトの前記所定の厚さプロフィールに基づいて較正データを生成し、前記較正データの助けを借りて前記イメージング結果を補正するための処理装置と、を有する。
本発明の例示的で非限定的な多くの実施形態が、付随する従属請求項に述べられる。
構成に関してと動作方法に関してとの両方の、本発明の例示的で非限定的な実施形態が、これらのさらなる目的及び効果と共に、添付図面に関連して読み取られたときに特定の例示的な実施形態の以下の説明から最もよく理解される。
本明細書において、動詞「具備する(有する)ように」又は「含むように」は、オープンな限定として使用され、言及されていない特徴の存在を排除するものでも必要とするものでもない。従属請求項に挙げられた特徴は、そうでないことが明示されない限り、相互に選択的に組み合わせ可能である。さらに、本明細書全体にわたって、「1つの」の使用、すなわち単一のものは、複数を除外しないことが理解されるべきである。
本発明の例示的で非限定的な実施形態及びこれらの効果が、添付図面を参照して以下により詳しく説明される。
図1は、電磁放射に基づいた3次元の「3D」イメージングのための本発明の例示的で非限定的な実施形態によるシステムを示す概略図である。 図2は、電磁放射に基づいた3Dイメージングのための本発明の他の例示的で非限定的な実施形態によるシステムを示す概略図である。 図3は、電磁放射に基づいた3Dイメージングのための本発明の例示的で非限定的な実施形態によるシステムの一部を示す図である。 図4は、電磁放射に基づいた3Dイメージングのための本発明の例示的で非限定的な実施形態によるシステムの一部を示す図である。 図5は、電磁放射に基づいた3Dイメージングを較正するための本発明の例示的で非限定的な実施形態による方法のフローチャートを示す図である。 図6は、電磁放射に基づいた3Dイメージングのための本発明の例示的で非限定的な実施形態によるシステムの一部を示す図である。 図7は、電磁放射に基づいた3Dイメージングのための本発明の例示的で非限定的な実施形態によるシステムの一部を示す図である。
例示的で非限定的な実施形態の説明
図1は、電磁放射に基づいた3次元の「3D」イメージングのための本発明の例示的で非限定的な実施形態によるシステムを示す概略図である。システムは、所定の厚さプロフィールを有する較正アーティファクト101を含む。図1に示される場合において、較正アーティファクト101の厚さは、座標系199のz方向にある。較正アーティファクト101は、所定の厚さプロフィールを達成するために互いに積み重ねられた、所定の厚さを有する複数の層104、105を含む。較正アーティファクトの層104は、効果的には、ラングミュア−ブロジェット膜「LBF」である。図1に示されるように、階段状の厚さプロフィールを達成するために、較正アーティファクト101の異なる部分に積み重ねられた異なる数のLBFがある。階段状の厚さプロフィールは、座標系199のz方向においてものさしの目盛を構成している。図1の一部分126は、ものさしの目盛を示している。図1の一部分126は、説明目的のみのためにあり、代表的には実際のイメージングシステムに相当するものを有していない。較正アーティファクト101の層105は、例えば各LBFの厚さよりも厚い、高配向性熱分解グラファイト「HOPG」層であることができる。
システムは、較正アーティファクト101から受信した電磁波に少なくとも部分的に基づいて較正イメージング結果を得て、イメージングされる試料から受信した電磁波に少なくとも部分的に基づいてイメージング結果を得るためのイメージングデバイス102を有する。試料は図1には示されていない。システムは、較正イメージング結果を較正アーティファクト101の既知の厚さプロフィールと比較することによって、較正データを生成するための処理装置103を有する。較正データが生成された後、処理装置103は、較正データの助けを借りてイメージング結果を較正するように構成されている。較正データは、例えば、ルックアップテーブル又は補正方程式の形式であることができ、この助けを借りて、イメージング結果が、例えばイメージングされる試料の表面起伏に十分な精度で対応するように補正されることができる。
図1に示される例示的なシステムでは、イメージングデバイス102は、光源106と、ダイクロイックミラー107と、基準反射器108と、イメージングセンサ111とを有する干渉計であり、イメージングセンサ111は例えば電荷結合素子「CCD」センサであることができる。さらに、イメージングデバイス102は、所望のやり方で光を合焦してコリメートするためのレンズを有する。イメージングされる較正アーティファクト及び試料が液体、例えば液浸油に浸されている場合には、イメージングデバイス102は、効果的には、浸漬によって引き起こされうるイメージング誤差を補償するためにマイケルソン又はリンニック補正装置を有する。座標系199のz方向におけるイメージングは、較正アーティファクト101から反射された電磁波と基準反射器108から反射された他の電磁波との干渉に基づいている。図1では、較正アーティファクト101から反射された電磁波の伝搬が線110で描かれ、基準反射器108から反射された電磁波の伝搬が破線109で描かれている。干渉計は、例えば白色光干渉計「WLI」、白色光偏向干渉計「WPLI」、又はストロボスコープ走査白色光干渉計「SSWLI」の少なくとも1つであることができる。
一般性を限定することなく、単に説明目的のために、我々は、部分的な拡大124に示された細部を考慮する。部分的な拡大124に示されるように、較正アーティファクト101は、階段状のプロフィールを有し、高さh0である。図1の一部分125は、上述の階段状のプロフィールに対応する較正イメージング結果に由来するこのような情報を表している。処理装置103は、イメージングセンサ111からの出力データに基づいて階段状のプロフィールの高さを推定するように構成されている。図1に示されるように、高さ推定値はh1である。イメージングデバイス102が干渉計であるこの例示的な場合には、h1は、イメージングセンサ111によって捕らえられた干渉縞から抽出される。較正データ(「補正ファクタ」)は、既知のh0及び推定値h1に基づいて構築される。例えば、ルックアップテーブル又は補正方程式に入力されることができるこの補正ファクタが、それに応じて適宜調整されることができる。
図2は、電磁放射に基づいた3Dイメージングのための本発明の例示的で非限定的な実施形態によるシステムを示す概略図である。システムは、上述の種の較正アーティファクト201と、較正イメージング結果を得て、較正されるイメージング結果を得るためのイメージングデバイス202と、較正データを生成し、較正データの助けを借りてイメージング結果を補正するための処理装置203とを有する。システムは、さらに、所定の軌道にしたがって座標系299のz方向と平行に較正アーティファクト201を移動させるためのアクチュエータ212を有する。軌道は、例えば正弦曲線であることができ、例えば表面227である基準レベルに対する較正アーティファクト201のz位置であるz(t)は、z(t)=z0+Asin(2πft)であることができる。ここで、Aはz方向の移動の振幅であり、fは周波数であり、tは時間である。イメージングデバイス202は、移動している較正アーティファクト201から受信した電磁波に少なくとも部分的に基づいて較正イメージング結果の一時的な傾向を得るように構成されている。処理装置203は、較正イメージング結果の一時的な傾向及び所定の軌道に基づいて軌道較正データを生成するように構成されている。軌道較正データが生成された後、処理装置203は、試料及び上述の軌道較正データから得られたイメージング結果の一時的な傾向に基づいて、移動している試料の軌道を計算するように構成されている。較正アーティファクト201及びイメージングされる試料が移動するこの例示的な場合には、イメージングデバイス202は、効果的には、ストロボスコープの走査白色光干渉計「SSWLI」である。本発明の他の例示的で非限定的な実施形態によるシステムでは、較正アーティファクトは、z方向に非連続的に移動されるので、較正アーティファクトが時々移動したり時々静止したりする。この場合には、較正アーティファクトが静止しているときの時間間隔のあいだ、較正イメージング結果が得られる。
図2に示される処理装置203と同様に、図1に示される処理装置103は、1以上のプロセッサ回路で実行されることができ、その各々は、適切なソフトウェアと共に提供されるプログラム可能なプロセッサ回路、例えば特定用途向けIC「ASIC」のような専用ハードウェアプロセッサ、又は例えばフィールドプログラマブルゲートアレイ「FPGA」のような設定可能なハードウェアプロセッサであってよい。
図3は、電磁放射に基づいた3Dイメージングのための本発明の例示的で非限定的な実施形態によるシステムの一部を示す図である。この例示的な場合には、システムのイメージングデバイスは、較正アーティファクト301a及び試料が図3に示されるように互いに隣接した位置にある状況で、較正イメージング結果及び試料313のイメージング結果を得るように構成されている。したがって、較正イメージング結果を得た後、及び試料のイメージング結果を得る前にイメージング装置が変更される必要はない。それ故、試料313のイメージング結果が得られたとき、較正状況は信頼できるようにしてその状況に対応する。図3では、較正アーティファクト301a及び試料に向かって伝搬する電磁波が一点鎖線の波状の矢印で描かれ、較正アーティファクト301aから反射された電磁波が実線の波状の矢印で描かれ、試料313から反射された電磁波が破線の波状の矢印で描かれている。システムのイメージングデバイスは、図3には示されない。
効果的には、試料313の少なくとも一部及び較正アーティファクト301aの少なくとも一部は、イメージングデバイスの視界「FOV」314に同時に位置している。この場合、較正イメージング結果及び試料のイメージング結果は、同じ画像に属し、したがって、精度のよい較正が達成されることができる。この手法は、特に視界「FOV」314が試料313及び較正アーティファクト301aに対して移動するように構成された大規模な繋ぎ合わせ画像が構築される場合に特に有効な即座の較正を提供する。システムには、視界「FOV」314のさまざまな位置に適切な較正を提供するために多くの較正アーティファクトが設けられることができる。図3に示される例示的な場合には、他の較正アーティファクト301bがあり、FOV314は、座標系399の正のy方向に移動している。FOVの移動が矢印315で描かれている。この場合でも、較正アーティファクト及び試料は、矢印316で図示されるようなz方向に移動されることができる。
図4は、電磁放射に基づいた3Dイメージングのための本発明の例示的で非限定的な実施形態によるシステムの一部を示す図である。この例示的な場合には、試料413は、互いに積み重ねられた第1の層404aと第2の層404bとを有し、これらは階段状のプロフィールを構成しており、その高さが第1の層404aの厚さである。試料413は、図1ないし図3に示される較正アーティファクトと同様であってよい。層404a、404bは、ラングミュア−ブロジェット膜「LBF」であることができる。試料413は、例えば、研究中の薬剤を含むことができ、その場合には、試料の屈折率が薬剤によってどれくらい変更されるかを決定する必要がありうる。システムは、第1の層の表面417から反射された電磁波420と第2の層404bの表面418から第1の層の外部に反射された電磁波421とに少なくとも部分的に基づいて第1の層404aの厚さの第1の推定値を得るように構成された処理装置を有する。処理装置は、第1の層と第2の層との境界423から第1の層404aの内部に反射された電磁波420及び電磁波422に少なくとも部分的に基づいて厚さの第2の推定値を得るように構成されている。処理装置は、高さの第1及び第2の推定値に基づいて試料の屈折率の推定値を計算するように構成されている。イメージセンサでの電磁波420、422の干渉の観点からすると、波長が試料413の外部よりも試料の材料中で短いので、第1の層404aの光学的厚さは、第1の層の実際の厚さよりも厚く、すなわち、境界423は、破線419の位置にあるように見えてよい。上述の処理装置及びイメージセンサは、図4には示されない。
図5は、電磁放射に基づいた3Dイメージングを較正するための本発明の例示的で非限定的な実施形態による方法のフローチャートを示す図である。本方法は、以下の動作を含む。
動作501:所定の厚さを有し、所定の厚さプロフィールを達成するために互いに積み重ねられた複数の層を有する較正アーティファクトから受信した第1の電磁波に少なくとも部分的に基づいて較正イメージング結果を得ること。
動作502:較正イメージング結果及び較正アーティファクトの所定の厚さプロフィールに基づいて較正データを生成すること。
動作503:較正データの助けを借りて、イメージングされる試料から受信した第2の電磁波に少なくとも部分的に基づいて、得られたイメージング結果を補正すること。
本発明の例示的で非限定的な実施形態による方法では、較正アーティファクトは、各々がラングミュア−ブロジェット膜「LBF」である複数の層を含む。
本発明の例示的で非限定的な実施形態による方法では、第1の電磁波が較正アーティファクトから出る、較正アーティファクトの表面の少なくとも一部を構成している各層は、ラングミュア−ブロジェット膜である。
本発明の例示的で非限定的な実施形態による方法では、較正アーティファクトの層は、高配向性熱分解グラファイト「HOPG」で作られた、第1の層の各々の厚さよりも厚い少なくとも1つの第2の層を含む。
本発明の例示的で非限定的な実施形態による方法では、較正アーティファクトの所定の厚さプロフィールは、層の数が較正アーティファクトの異なる部分において異なるように、階段状の厚さプロフィールである。階段状の厚さプロフィールは、第1の電磁波が較正アーティファクトから出る深さ方向に沿ってものさしの目盛を構成している。
本発明の例示的で非限定的な実施形態による方法では、較正イメージング結果が得られたとき、及び、前記イメージング結果が得られたとき、較正アーティファクト及び試料は、深さ方向を横切る方向において互いに隣接して位置している。
本発明の例示的で非限定的な実施形態による方法では、試料の少なくとも一部及び較正アーティファクトの少なくとも一部は、電磁放射に基づいた3次元のイメージングの視界に同時に位置し、第1の電磁波及び第2の電磁波は、較正アーティファクトから、及び試料から同時に受信される。
本発明の例示的で非限定的な実施形態による方法は、
深さ方向に平行に、所定の軌道にしたがって較正アーティファクトを移動させることと、
移動している較正アーティファクトから受信された第1の電磁波に少なくとも部分的に基づいて較正イメージング結果の一時的な傾向を得ることと、
較正イメージング結果の一時的な傾向及び所定の軌道に基づいて軌道較正データを生成することと、
イメージング結果の一時的な傾向及び軌道較正データに基づいて試料の軌道を計算することとを含む。
本発明の例示的で非限定的な実施形態による方法では、試料は、互いに積み重ねられた第1の層と第2の層とを有し、これら層は、その高さが第1の層の厚さである階段状のプロフィールを構成し、
第1の層の表面から反射された第2の電磁波の第1の部分と、第2の部分の層の表面から第1の層の外部に反射された第2の電磁波の第2の部分とに少なくとも部分的に基づいて、高さの第1の推定値を得ることと、
第2の電磁波の第1部分と、第1の層と第2の層との境界から第1の層の内部に反射された第2の電磁波の第3の部分とに少なくとも部分的に基づいて、高さの第2の推定値を得ることと、
高さの第1及び第2の推定値に基づいて、第1の層の材料の屈折率の推定値を計算することとを含む。
本発明の例示的で非限定的な実施形態による方法では、電磁放射に基づいた3次元のイメージングは、イメージングされる対象物から反射された電磁波と基準反射器から反射された他の電磁波との干渉に基づいた干渉測定による。
本発明の例示的で非限定的な実施形態による方法では、干渉測定は、白色光干渉法、白色光偏向干渉法及びストロボスコープ走査白色光干渉法の少なくとも1つによる。
図6は、電磁放射に基づいた3Dイメージングの本発明の例示的で非限定的な実施形態によるシステムの一部を示す図である。この例示的な場合には、システムのイメージングデバイスは、試料613a、613b、613cの高さプロフィールを示すイメージング結果を得るように構成されている。試料の高さプロフィールは、深さ方向、すなわち、座標系699のz方向においてものさしの目盛を構成している階段状の厚さプロフィールを有する較正アーティファクト601の助けを借りて得られる。試料613a、613b、613cの高さプロフィールを示すイメージング結果は、試料のどの部分が較正アーティファクト601のステップの各々と同様の干渉を引き起こすかを見出すことによって得られることができる。図6に示される例示的な場合には、較正アーティファクト601は、例えば10、20、30、40、50単位、例えばナノメートル長さ単位の高さを有する5つのステップを有する。
図7は、電磁放射に基づいた3Dイメージングのための本発明の例示的で非限定的な実施形態によるシステムの一部を示す図である。システムは、多くの試料に対して1つずつ3Dイメージングを実行するように構成されている。図7には、6つの試料が参照符号701a、701b、701c、701d、701e、701fで示されている。これら試料は、例えばベルトコンベアーである可動水平回転装置750によって座標系799のx方向に移動されるので、試料の各々は、今度は、イメージングデバイスの視野「FOV」714にある。図7に示される例示的な状況では、試料701dは、視野「FOV」714にある。システムは、イメージングデバイスの視野「FOV」714にある較正アーティファクト701を有する。検討中の試料及び較正アーティファクト701が同じ画像に属するので、正確な3Dイメージングが達成されることができる。
上に与えられた説明で提供される非限定的な特定の例は、添付の特許請求の範囲の範囲や適用可能性を限定するものとして解釈されるべきでない。さらに、本明細書に例示されるリストやグループは、特記されない限り、網羅的なものではない。

Claims (22)

  1. 電磁放射に基づいた3次元イメージングを較正する方法であって、
    所定の厚さプロフィールを有する較正アーティファクト(101,201,301a,301b,601)から受信した第1の電磁波に少なくとも部分的に基づいて較正イメージング結果を得ること(501)と、
    前記較正イメージング結果及び前記較正アーティファクトの前記所定の厚さプロフィールに基づいて較正データを生成すること(502)と、
    前記較正データの助けを借りて、イメージングされる試料から受信した第2の電磁波に少なくとも部分的に基づいて、得られたイメージング結果を補正すること(503)と、を含み、
    前記較正アーティファクトの厚さは、前記第1の電磁波が前記較正アーティファクトから出る深さ方向(z)にある、方法において、
    前記較正アーティファクトは、所定の厚さを有する複数の層(104,105)を有し、前記複数の層は、前記較正アーティファクトの前記所定の厚さプロフィールを達成するように、互いに積み重ねられていることを特徴とする方法。
  2. 前記較正アーティファクトの前記複数の層は、各々がラングミュア−ブロジェット膜である複数の第1の層(104)を含む、請求項1に記載の方法。
  3. 前記第1の電磁波が前記較正アーティファクトから出る、前記較正アーティファクトの表面の少なくとも一部を構成している各層は、ラングミュア−ブロジェット膜である、請求項2に記載の方法。
  4. 前記較正アーティファクトの前記複数の層は、高配向性熱分解グラファイトでできた、前記第1の層の各々の厚さよりも厚い少なくとも1つの第2の層(105)を含む、請求項2又は3に記載の方法。
  5. 前記較正アーティファクト(601)の前記所定の厚さプロフィールは、前記層の数が前記較正アーティファクトの異なる部分において異なるように、階段状の厚さプロフィールであり、前記階段状の厚さプロフィールは、前記深さ方向においてものさしの目盛を構成している、請求項1ないし4のいずれか1項に記載の方法。
  6. 前記較正イメージング結果が得られたとき、及び、前記イメージング結果が得られたとき、前記較正アーティファクト(301a,301b,601)及び前記試料(313,613a,613b,613c)は、前記深さ方向を横切る方向において互いに隣接して位置している、請求項1ないし5のいずれか1項に記載の方法。
  7. 前記試料の少なくとも一部及び前記較正アーティファクトの少なくとも一部は、前記電磁放射に基づいた3次元イメージングの視界(314)に同時に位置し、前記第1及び第2の電磁波は、前記較正アーティファクトから、及び前記試料から同時に受信される、請求項6に記載の方法。
  8. 前記深さ方向に平行に、所定の軌道にしたがって前記較正アーティファクトを移動させることと、
    前記移動している較正アーティファクトから受信した前記第1の電磁波に少なくとも部分的に基づいて前記較正イメージング結果の一時的な傾向を得ることと、
    前記較正イメージング結果の前記一時的な傾向及び前記所定の軌道に基づいて軌道較正データを生成することと、
    前記イメージング結果の一時的な傾向及び前記軌道較正データに基づいて前記試料の軌道を計算することと、
    を含む、請求項1ないし7のいずれか1項に記載の方法。
  9. 前記試料(413)は、互いに積み重ねられた第1及び第2の層(404a,404b)を有し、前記第1及び第2の層は、その高さが前記第1の層の厚さである階段状のプロフィールを構成し、
    この方法は、
    前記第1の層の表面(417)から反射された前記第2の電磁波の第1の部分と、前記第2の層の表面(418)から前記第1の層の外部に反射された前記第2の電磁波の第2の部分とに少なくとも部分的に基づいて、前記高さの第1の推定値を得ることと、
    前記第2の電磁波の前記第1の部分と、前記第1の層と前記第2の層との間の境界(423)から前記第1の層の内部に反射された前記第2の電磁波の第3の部分とに少なくとも部分的に基づいて、前記高さの第2の推定値を得ることと、
    前記高さの前記第1及び第2の推定値に基づいて、前記第1の層(404a)の材料の屈折率の推定値を計算することと、
    を含む、請求項1ないし8のいずれか1項に記載の方法。
  10. 前記電磁放射に基づいた3次元イメージングは、イメージングされる対象物から反射された電磁波と基準反射器から反射された他の電磁波との干渉に基づいた干渉測定による、請求項1ないし9のいずれか1項に記載の方法。
  11. 前記干渉測定は、白色光干渉法、白色光偏向干渉法、ストロボスコープ走査白色光干渉法、ストロボスコープ走査白色光偏向干渉法の少なくとも1つによる、請求項10に記載の方法。
  12. 電磁放射に基づいた3次元イメージング用システムであって、
    所定の厚さプロフィールを有する較正アーティファクト(101,201,301a,301b,601)と、
    前記較正アーティファクトから受信した第1の電磁波に少なくとも部分的に基づいて較正イメージング結果を得て、イメージングされる試料から受信した第2の電磁波に少なくとも部分的に基づいてイメージング結果を得るためのイメージングデバイス(102)と、
    前記較正イメージング結果及び前記較正アーティファクトの前記所定の厚さプロフィールに基づいて較正データを生成し、前記較正データの助けを借りて前記イメージング結果を補正するための処理装置(103)と、を具備し、
    前記較正アーティファクトの厚さは、前記第1の電磁波が前記較正アーティファクトから出る深さ方向(z)にある、システムにおいて、
    前記較正アーティファクトは、所定の厚さを有する複数の層(104,105)を有し、前記複数の層は、前記較正アーティファクトの前記所定の厚さプロフィールを達成するように、互いに積み重ねられていることを特徴とするシステム。
  13. 前記較正アーティファクトの前記複数の層は、各々がラングミュア−ブロジェット膜である複数の第1の層(104)を含む、請求項12に記載のシステム。
  14. 前記第1の電磁波が前記較正アーティファクトから出る、前記較正アーティファクトの表面の少なくとも一部を構成している各層は、ラングミュア−ブロジェット膜である、請求項13に記載のシステム。
  15. 前記較正アーティファクトの前記複数の層は、高配向性熱分解グラファイトでできた、前記第1の層の各々の厚さよりも厚い少なくとも1つの第2の層(105)を含む、請求項13又は14に記載のシステム。
  16. 前記較正アーティファクト(601)の前記所定の厚さプロフィールは、前記層の数が前記較正アーティファクトの異なる部分において異なるように、階段状の厚さプロフィールであり、前記階段状の厚さプロフィールは、前記深さ方向においてものさしの目盛を構成している、請求項12ないし15のいずれか1項に記載のシステム。
  17. 前記イメージングデバイスは、前記較正アーティファクト及び前記試料が前記深さ方向を横切る方向において互いに隣接して位置している状況で、前記較正イメージング結果を得て、前記イメージング結果を得るように構成されている、請求項12ないし16のいずれか1項に記載のシステム。
  18. 前記イメージングデバイスは、前記試料の少なくとも一部及び前記較正アーティファクトの少なくとも一部が、前記電磁放射に基づいた3次元イメージングの視界(314)に同時に位置した状況で前記較正イメージング結果及び前記イメージング結果を同時に得るように構成され、
    前記イメージングデバイスは、前記第1及び第2の電磁波を同時に受信するように構成されている、請求項17に記載のシステム。
  19. システムは、前記深さ方向(z)に平行に、所定の軌道にしたがって前記較正アーティファクトを移動させるためのアクチュエータ(212)を含み、
    前記イメージングデバイスは、移動している較正アーティファクトから受信した前記第1の電磁波に少なくとも部分的に基づいて、前記較正イメージング結果の一時的な傾向を得るように構成され、
    前記処理装置は、前記較正イメージング結果及び前記所定の軌道の前記一時的な傾向に基づいて軌道較正データを生成するように構成され、
    前記処理装置は、前記イメージング結果の一時的な傾向及び前記軌道較正データに基づいて前記試料の軌道を計算するように構成されている、請求項12ないし18のいずれか1項に記載のシステム。
  20. 前記処理装置は、前記イメージング結果に基づいて前記試料の第1の層の厚さの第1の推定値を得るように構成され、前記第1の推定値は、前記第1の層の表面から反射された前記第2の電磁波の第1の部分と、前記第1の層に取着され前記第1の層で部分的に覆われた前記試料の第2の層の表面から前記第1の層の外部に反射された前記第2の電磁波の第2の部分とに少なくとも部分的に基づき、
    前記処理装置は、前記イメージング結果に基づいて前記第1の層の前記厚さの第2の推定値を得るように構成され、前記第2の推定値は、前記第2の電磁波の前記第1の部分と、前記第1の層と前記第2の層との境界からの前記第1の層の内部に反射された前記第2の電磁波の第3の部分とに少なくとも部分的に基づき、
    前記処理装置は、前記第1の層の厚さの前記第1及び第2の推定値に基づいて前記第1の層の材料の屈折率の推定値を計算するように構成されている、請求項12ないし18のいずれか1項に記載のシステム。
  21. 前記イメージングデバイス(102,202)は、イメージングされる対象物から反射された電磁波と基準反射器から反射された他の電磁波との干渉に基づいた3次元イメージングを実行するように構成された干渉計である、請求項21ないし20のいずれか1項に記載のシステム。
  22. 前記干渉計は、白色光干渉計、白色光偏向干渉計、ストロボスコープ走査白色光干渉計、ストロボスコープ走査白色光偏向干渉計の少なくとも1つである、請求項21に記載のシステム。
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