TWI664391B - 量測用於微影方法之光罩的量測顯微鏡以及其之量測方法與校正方法 - Google Patents

量測用於微影方法之光罩的量測顯微鏡以及其之量測方法與校正方法 Download PDF

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Abstract

本發明關於一種用以校正可用於量測光罩(7)的量測顯微鏡(1)的方法，其中在一自校正演算法中使用一校正光罩，以確定量測顯微鏡的誤差修正資料，其中在自校正演算法中，在量測顯微鏡中的各個位置成像及量測校正光罩以確定誤差修正資料的一或多個部分，其中校正光罩的表面輪廓在決定誤差修正時確定並使用。此外，本發明關於量測顯微鏡及用以操作量測顯微鏡的方法。

Description

量測用於微影方法之光罩的量測顯微鏡以及其之量測方法與校正方法
本發明關於藉由量測顯微鏡用以量測用於微影方法之光罩的方法、以及相應的量測顯微鏡及用以校正此一量測顯微鏡的方法。
在產生用於微電子或微系統工程的微結構或奈米結構組件的微影方法中，使用例如光罩的結構化元件，其也稱作微影光罩(lithography mask)、光學光罩(photomask)或遮罩(reticle)，該結構化元件需被定位及準確地相應產生，以獲得結構在奈米範圍的解析度。用以量測光罩的裝置為已知的，如在DE 10 2008 005 355 A1及DE 10 2009 019 140 A1中所描述。量測顯微鏡的使用已被揭露，其中結構內的預定位置(結構位置)係於光罩或結構化元件的投影影像中量測。
確定光罩上的位置是基於干涉長度量測(interferometric length measurement)。為此，光罩上的特殊調整標記或光罩的使用結構的結構元件係通過顯微影像而針對其位置被個別地擷取。個別的調整標記或光罩的結構元件藉由定位平台相繼地驅動至影像場的中心，且相應調整標記或結構元件的位置由邊緣臨界(edge threshold)或由相關性方法來確定。因此，與調整標記或先前量測的結構元件的距離是藉由決定定位平台在量測間所行經的路徑來決定。定位平台所行經的路徑將由干涉量測來確定。
為改善可讀性，以下僅使用調整標記一詞。其也包含可用 結構的結構元件。
傳統上，位置量測裝置由自校正方法(self-calibration method)校正。在此處，可藉由在複數個不同量測位置記錄及量測校正光罩來產生方程式系統，該校正光罩具有一定義結構使得校正光罩上的結構位置大致上為已知，方程式系統考量個別方程式之級數展開的各個誤差分量(error component)，其中誤差分量可由例如在量測顯微鏡中用於待測光罩的平台引入、或由待測元件本身(例如校正光罩上的非精確結構)引入。
使用準冗餘(quasi-redundant)量測資料記錄，有可能將校正光罩上調整標記的可能誤差與位置量測裝置中的固有誤差分離。後者轉而用以校正位置量測裝置。
位置量測裝置中誤差的典型原因特別是干涉計中的誤差及干涉計反射鏡的傾斜及不均勻。上述校正方法考量到這類誤差。
雖然當藉由量測顯微鏡的自校正來量測結構化元件已經有可能獲得良好的結果，但仍需要進行結構化元件的更準確量測。特別地，使用微影領域中已知的量測顯微鏡無法確定光罩的表面輪廓(surface profile)。
本發明的一目的為提出用以量測用於微影方法之結構化元件的方法、相應的量測顯微鏡及用以校正相應量測顯微鏡的方法，其有助於結構化元件的更準確量測。特別地，相應的方法及量測顯微鏡應有助於方法的簡單執行，同時具有良好且準確的結果及量測顯微鏡的相應簡單設計。
本發明的另一目的為提供有助於光罩表面輪廓(其也稱作光罩的拓樸(topology)或高度輪廓(height profile))的簡單確定的方法及量測顯微鏡。
此目的由具有申請專利範圍第1項之特徵的校正方法以及由具有申請專利範圍第9項之特徵的用以量測用於微影方法之結構化元件 的方法、以及由具有申請專利範圍第12項之特徵的量測顯微鏡來達成。有利的組態為申請專利範圍附屬項的標的。
本發明最初提出用以校正量測顯微鏡的一改良校正方法，其中量測顯微鏡用以量測用於微影方法的光罩。
用以量測用於微影方法中之光罩的量測顯微鏡需有助於高準確度的量測。本發明提供相對橫向量測準確度的範圍降至小於或等於0.5nm範圍的量測顯微鏡。
這類量測顯微鏡係相應地校正，其中校正提供誤差修正資料，藉其可相應地修正量測誤差。用以修正量測誤差的誤差修正資料針對相應的量測資料建構一簡單的修正係數(simple correction factor)，亦即例如最簡單的情況為待測之結構化元件上的量測點的x、y、z座標。在此處，可針對待測之結構化元件的多個量測座標確定一修正係數、或可針對每一量測值以修正圖類性的形式確定個別誤差修正資料，該修正圖指出結構化元件表面上各點的對應誤差修正資料。此外，誤差修正資料可不僅包含簡單的修正係數，還包含具有不同修正演算法的複雜修正函數。
根據本發明，量測顯微鏡的校正包含自校正演算法(self-calibration algorithm)，其中在至少兩個量測位置(較佳在複數個不同的量測位置)檢查(特別是量測)具有定義結構的校正光罩。藉由記錄校正光罩在不同位置的複數個影像以及藉由在所記錄影像中之校正光罩的結構的已知位置(亦即在已知的結構位置)量測校正光罩的結構，有可能以校正光罩的相對量測位置的資訊來產生有助於確定誤差修正資料的方程式系統，使得修正的量測資料可能有高的量測準確度，甚至在非精確結構位置的情況下(即具有某些偏差的結構或結構位置)。為了對此進一步改善，根據本發明的校正方法使用具有由量測而已知的表面輪廓的校正光罩於自校正演算法，該表面輪廓也稱作高度輪廓。此方法有助於更準確的量測，甚至在z方向。特別地，這有助於將z方向的量測誤差分離為由平台所造成的誤差分量以及由光罩所造成的誤差分量。
表面輪廓由高度精確的平面干涉計來確定，即並非在量測 顯微鏡本身。待測光罩的表面(其輪廓為確定)通常沿由待測結構化元件的兩個最大維度所展開之光罩的主表面延伸。
特別地，量測的表面輪廓可在用於量測顯微鏡的校正方法中使用，使得表面輪廓、以及因此在構成待測表面上的法線方向或高度方向的z方向上的座標(z座標)從自校正程序被引入方程式系統作為已知的邊界條件。使用此方法，校正光罩的z座標可假設為給定的，且當決定校正光罩在垂直於結構化元件表面、或橫向於或垂直於結構化元件的主表面的方向上的誤差分量的誤差修正資料時，方程式系統的簡化程度可能為不再需要考慮校正光罩的z座標具有未知的偏差。由於校正光罩在z方向上的影響已經因此而被考慮，待校正的剩餘誤差可分配到其他影響，例如平台中誤差所造成的影響。換言之，有助於誤差細分為光罩的誤差及平台的誤差。光罩在平台上的傾斜及光罩的楔形形變(wedge-shaped distortion)皆會影響z方向上的量測值，其在沒有關於表面輪廓的資訊下無法彼此分離。
這允許量測資料的誤差修正在橫向於結構化元件之主表面方向上的改良，該主表面在量測顯微鏡被應用時同時構成了量測顯微鏡的光學軸，且修正的量測資料具有較高的量測準確度。
因此，可顯著降低當決定結構化元件(例如光罩)在橫向於成像物體平面的方向中的z座標時的量測誤差，所以在根據本發明的校正後，待測的結構化元件或光罩的z座標的可靠決定也是可能的。特別地，這也適用於通常發生在量測顯微鏡中的情況，亦即在自校正演算法中藉由校正光罩的校正僅在校正光罩的那些量測位置進行，其中校正光罩於xy平面中移動，亦即橫向於量測顯微鏡的光學軸，其例如藉由繞平行於量測顯微鏡之光學軸的一軸旋轉或藉由沿x及y方向的相應平移移動，及/或結構化元件的量測同樣發生於橫向於光學軸或z方向之待測表面的方位。
針對校正光罩的表面輪廓的明確確定，校正光罩可配置於三點支承部(three-point bearing)上，其可同樣設置於用以量測用於微影製程的結構化元件的量測顯微鏡中。通過適當的三點支承部，有可能避免由支承平面中的誤差(像是例如不均勻等)、及/或由待測元件的後側上的誤差(像 是例如同樣為不均勻等)所造成的影響。
光罩可承載於具有水平對準的所謂平台或保持器上。通常，相應的平台包含三個支承點，光罩承載於其上。重力由於水平配置的結果而作用於光罩上，因此有光罩的彎曲(bending)，稱作「(mask sacking)」。然而，由於光罩的彎曲，在光學軸方向中傳輸的情況下，有不同的焦點位置(其在空間上分布於整個光罩)、或微影相關表面或拓樸在成像期間可能在z方向上(亦即在光學軸的方向上)偏離預期位置。當照明及成像光罩時，這可能會造成問題。
由於光罩的彎曲或在z方向中的微影相關拓樸與預期位置的偏離(其取決於光罩的材料及光罩的設計)是無法避免的，因此考量光罩的彎曲並相應地調整成像設定。
此外，當決定表面輪廓時可考慮在水平承載的情況下由於重力而產生之校正光罩的彎曲，像是如DE 10 2014 018 510 A1中所描述。此外，彎曲也可由模擬來確定，例如由有限元素模擬，且所確定的彎曲可從由干涉量測所確定的z座標扣除，以將彎曲考慮在內。
此外，當量測校正光罩時，可提供對因密度改變或溫度變化所造成之空氣折射率的變化的補償。為此，量測顯微鏡可包含用以決定量測顯微鏡操作於其中之介質的折射率的裝置。空氣通常被認為是介質。
干涉計可用以決定折射率，該干涉計量測在量測顯微鏡中的一固定距離，使得經由介質中的變化所產生之折射率的變化成為可擷取。
折射率的影響可由以下方式補償：在參考時間於待測表面的至少一點(較佳於複數個點，例如在相應於三點支承部之支承點的待測表面的點)干涉地量測待測的結構化元件(亦即例如校正光罩)，如此以確定與量測顯微鏡之量測物鏡的距離，亦即待測表面的z座標。量測顯微鏡的介質的折射率(其作為參考值)同樣於參考時間被確定。在藉由量測物鏡之量測顯微鏡的後續量測記錄中，待成像及待量測的結構化元件與量測物鏡間的距離係根據折射率在量測時間相較於參考值的變化而修正。
用以補償折射率的此方法不僅可用於校正方法，也可用於 用以量測在量測顯微鏡中的結構化元件的方法，使得根據本發明的另一態樣，針對此一方法請求保護，獨立地且也與本發明的其他態樣結合。此外，用以量測結構化元件的方法也可包含根據本發明第一態樣的校正方法。
1‧‧‧量測顯微鏡
2‧‧‧顯微鏡本體
2b‧‧‧z-反射鏡
3‧‧‧平台
3a‧‧‧干涉計反射鏡
3b‧‧‧偏折鏡
4‧‧‧光源
5‧‧‧量測物鏡
6‧‧‧偵測器
7‧‧‧待測元件
7a‧‧‧表面輪廓
8‧‧‧干涉計
9‧‧‧干涉計
10‧‧‧裝置
11‧‧‧干涉計
12‧‧‧三點支承部
13‧‧‧分光器
14‧‧‧照明光
15‧‧‧控制及調節裝置
16‧‧‧反射鏡
20‧‧‧校正光罩
21‧‧‧預定結構
22‧‧‧預定位置
純粹示意性的附圖：圖1顯示根據本發明的量測顯微鏡的圖式；圖2顯示在自校正演算法範疇內校正光罩在兩個不同量測位置的平面圖；圖3顯示量測顯微鏡與藉由干涉計對平台及物鏡位置的量測的表示圖；以及圖4顯示具有表面輪廓之光罩的橫截面。
本發明的其他優點、特性及特徵在以下的範例性具體實施例的詳細描述中將更為清楚。然而，本發明並不受限於這些範例性具體實施例。
在純示意性的描述中，圖1顯示用以量測結構化元件(例如光罩，其具有或不具有表膜)的量測顯微鏡1。量測顯微鏡1包含顯微鏡本體2，量測物鏡5配置於其中。此外，量測顯微鏡1包含光源4，藉由光源4可照明配置在平台3上的結構化元件7。光源4透過顯微鏡本體2中的分光器13朝向待測元件7發射照明光14，由於待測元件7所反射的照明光14成像於偵測器6，使得可由反射光照明將待測元件7記錄於偵測器中。舉例來說，偵測器6可為CCD相機，可透過其擷取待測元件7的影像。
待測的光罩7放置於平台3上的三點支承部12上，而平台可在三個獨立的空間方向上移動。在此處，光罩7係承載於半球形的元件上。這些可直接施加於平台上。在另一變化形式中，這些也可施加於光罩保持器上；接著，光罩放置於光罩保持器上且光罩保持器放置於平台上。平台3 可在垂直於量測顯微鏡1的光學軸(其對應圖1中照明光的顯示)的平面中以及在與其垂直的方向中移動。因此，平台3的移動可在三個獨立的空間方向(其對應在x、y及z方向的笛卡爾坐標系統)上進行。在x方向及在y方向上的移動發生於垂直光學軸的平面內，而在z方向上的移動在光學軸的方向上延伸。
在量測顯微鏡1的一變化形式中，平台3僅能在xy平面上位移。量測光學單元5可在z方向上位移。校正可接著以與可在所有方向上位移的平台的情況相同的方式進行。
藉由平台3對光罩7在xy平面上的定位可由一或多個干涉計9來確定。
至少兩個干涉計用以確定平台3在xy平面上的位置。作為一範例，圖3顯示一干涉計9具有緊固至平台3的相應干涉計反射鏡3a。
提供至少另外一干涉計9用以確定平台在z方向上的位置。干涉計光束由緊固至平台3的偏折鏡3b轉向至z-反射鏡2b。z-反射鏡2b緊固至顯微鏡本體2並與z軸垂直。
此外，量測顯微鏡1包含裝置10，其用以決定存在於量測顯微鏡中的介質(例如空氣)的折射率。用以決定折射率的裝置10同樣包含干涉計11，其確定與一固定安裝反射鏡16之間的距離，如此可確定介質的折射率變化，其例如由於氣壓的變化或溫度的變化。
各個量測裝置(例如偵測器6、用以確定折射率的裝置10、干涉計8、9及/或具有驅動及/或致動器的裝置(例如平台3))連接至包含一評估單元的控制及調節裝置15，因此可從所確定的量測資料來確定所想要的資訊項，且可基於這些資訊項相應地控制至少部分的量測顯微鏡1。
待測元件7的影像可由偵測器6記錄且相應的距離量測或位置量測可由干涉計8、9來執行。
光罩7的量測方式為，待測元件7一開始承載於三點支承部12上，使用干涉計9或使用未示於圖1中之相應的其他干涉計以相應的干涉計量測來進行待測元件7的橫向定位(即xy平面內的定位)。
因此，使用偵測器6擷取待測元件7的一或多個影像，且可從一或多個影像來確定待測元件的位置，其可在待測光罩的相同位置及/或不同位置記錄。
除了xy平面中結構特徵的位置，也有可能確定z方向上的位置。藉由在z方向位移平台3或位移物鏡5來設定光罩7表面與物鏡之間的距離，使得要被成像的結構元件停止於最佳的焦點平面(focal plane)。
參考系統用以指定量測位置的座標。參考系統可由光罩上的三個標記組成，例如在方形光罩的其中三個角落的三個標記。首先，量測這些標記的x、y及z位置。這些標記接著定義一光罩座標系統，結構元件的位置被指定於其中。也有可能施加三個標記至平台3。接著量測這些標記的x、y及z位置。這些標記定義一機器座標系統。接著，結構的位置被指定於此座標系統中。
在另一變化形式中，一特殊平面的位置被確定為z方向上的參考系統。光罩7的z位置在光罩7於三點支承部12的點上支撐的那些位置被量測。由光罩7表面的確定z數值所定義的此平面係使用作為一參考平面。
為了實現高準確度的量測而校正量測顯微鏡。x、y、z座標的誤差修正可基於量測顯微鏡的校正期間所獲得的誤差修正資料來執行，其中可針對每一x、y、z座標預定相應的誤差修正。誤差修正資料也可包含用以修正多個x、y、z座標的誤差修正值。
為了校正的目的，使用具有預定結構21的校正光罩20。校正光罩20由電子束寫入器(光罩寫入器)產生像是一傳統的光罩。所得校正光罩在製程期間所產生的誤差太大使得以量測顯微鏡進行量測的期間所需的準確率無法藉由使用校正光罩20的直接校正來獲得。
因此，使用自校正演算法，其中如圖2所示，具有預定、定義結構21的校正光罩20在至少兩個量測位置成像及量測。圖2顯示兩個量測位置，其中光罩20繞z軸旋轉90°。校正光罩20的結構包含由等距點形成的正交網格。有關針對自校正所使用的方法的細節揭露在公開專利申請案WO2008/055589。相應的方法也揭露在專利案US 4,583,298。
針對校正光罩上各個預定位置22的方程式系統可由校正光罩20在各個量測位置的影像建構，該影像有助於消除校正光罩20上的位置22的殘餘誤差。用以確定誤差修正資料的方程式系統包含針對校正光罩的結構21的位置22的多個方程式，其中用以校正x、y、z座標的誤差修正值可由級數展開(series expansion)表示。級數展開包含用以補償不同影響的各個部份，其例如可分配給光罩的影響及光罩保持器的影響。
為了獲得用以修正z座標的可靠數值，當確定來自校正光罩20不同位置的誤差修正資料，根據本發明，校正光罩20的表面將另外干涉地量測，而可產生校正光罩的表面輪廓。
表面輪廓由平面干涉計來確定。舉例來說，使用Tropel FlatMaster裝置或特別針對光罩使用稱作Tropel UltraFlat的裝置，兩者藉由Corning Inc.& Tropel Metrology Systems製造。
由干涉計量測的表面輪廓係藉由在干涉計量測期間由重力所造成之校正光罩的彎曲而額外地校正，為此目的使用彎曲的有限元素模擬(finite element simulation)。圖4以縱向剖面圖示意地顯示光罩7的表面輪廓7a的範例。
因此而確定的校正光罩20的表面輪廓可接著在確定誤差修正資料時預定為邊界條件。因此，有可能進行在量測光罩7所確定之z座標的可靠修正，使得用以量測待測光罩的量測方法也可可靠地用以決定待測元件的z座標。因此，有助於使用量測顯微鏡來確定光罩的表面輪廓。
平台3由自校正方法來校正。方法詳細描述於公開專利申請案DE10 2009 016 858 A1。此處及下文中，術語再現性及準確度係關聯於平台位置為已知的再現性及準確度。一般而言，這是優於平台可有意地移動至預定位置的再現性及準確度。
同一個校正光罩以平台量測多次，目的為平台位置中誤差的自校正(以下稱作平台誤差)，其中該平台在相對於第一次迭代的第二次迭代及進一步的迭代中位移或扭轉。這些迭代中的一個在下文中稱作校正位置、在一迭代中之預定標記的量測稱作個別量測、且全部量測的整體稱作 校正序列。取決於平台位置的平台誤差應從量測結果來計算。
為了執行根據本發明的方法，在所有三個維度上校正平台。
在校正的一變化形式中，做出良好近似的假設，其中平台(包含用於校正光罩的承載點)及校正光罩本身表現得像一個剛體。當位移平台時或當從一校正位置重新定位校正光罩到下一校正位置時，可能不會發生在量測準確度範圍內的形變。不需要關於平台及校正光罩的其他假設。此外，更準確的校正方法是可能的。
位置相依平台誤差可在函數系統的協助下描述，其自由參數預計由校正來確定(「平台參數」)。平台參數及平台誤差之間的關係應為線性：
作為平台位置(t x ,t y ,t z )的連續函數的x-平台誤差f x 、y-平台誤差f y 及z-平台誤差f z 經由矩陣K連結至平台參數λ 1 至λ R 。矩陣具體化所選擇的函數系統，因此取決於接近的平台位置t x 、t y 及t z 。平台參數可為非局部(例如多項式係數)或為局部，亦即等同於平台誤差在平台位置的預定離散網格上的x、y或z分量。在此情況中，K為從此平台網格到整體位移區域的內插矩陣。
調整標記(q=1,2,...,Q)的座標(x Pq ,y Pq ,z Pq )經由校正光罩所進行的平移及旋轉而連接至量測平台座標。在三維校正的情況中，關係如下：
調整標記的校正光罩的座標不需事先知道；它們的數值同樣藉由校正來確定(「校正光罩參數」)。
藉由利用以下的事實而針對平台參數及計算光罩參數建構 線性的方程式系統：根據上述假設，調整標記的實際座標可藉由加入平台誤差而從其量測的座標計算。在三維中，關係如下：
在此處，mx Si (J) 、my Si (J) 、and mz Si (J) 表示第i個個別量測的平台座標的x、y及z量測值。上標J表示相關的校正位置且從1到量測校正位置的數量M。在右側，第一向量包含實際的平台座標x Si (J) 、y Si (J) 、z Si (J) 或調整標記，其根據相同系統索引，而第二向量包含在平台位置(t xi ,t yi )的平台誤差的x及y分量，其在第i個個別量測處理。方程式(1)及(2)及(3)對應前述公開專利申請案DE 10 2009 016 858 A1中具有相同數字的方程式，但適用於三維情況。
藉由將方程式(1)及(2)插入方程式(3)，將獲得平台參數及校正光罩參數的線性方程式系統。根據通常的假設，沒有考量平台的旋轉；僅考量繞旋轉光罩的z軸的旋轉ψz。為了三維校正，矩陣K也取決於校正光罩(r z (J) )及平台(t zi )的z-平移：
線性系統方程式(4)以參數向量求解，其結果為平台誤差以參數λ 1 到λ R 的形式來表明，調整標記相對彼此的位置(x Pq ,y Pq )也是。在超定方程式系統的情況下，使用最小平方誤差的高斯方法，以確定最佳配適意義上的解答參數。
為了確保系統方程式(4)並非未定，需要量測包含所需資訊的一致的校正設定組。這僅為座標系統的零點(=在x及y的平移)及絕對平台規模，其基本上無法由自校正來確定。
為了準確地設定規模，另外需使用具有事先確知的標記位置的校正光罩。為了設定在z方向的規模，根據本發明使用具有已知表面輪廓的校正光罩。相關細節參考M.Raugh在Technical Report ARITH-TR-02-01(2002)所發表的"Self-Calibration of Interferometer Stages"。
進行校正時考量其他的系統性誤差。特別地，光罩的傾斜或光罩的楔形形變，如DE 10 2009 016 858 A1所述。
未修正的量測或預期值使用作為在第一次迭代中矩陣K的參數，即平台位置及校正光罩位置。一旦經由求解方程式系統而找到平台參數λ 1 到λ R 的第一次近似，可迭代地改進解答結果。方法可以顯而易見的方式用於具有複數個校正光罩的校正序列；在此情況中，每一校正光罩Ω引入了額外的參數x P1 ,...,y PQ(Ω)。
折射率補償可經由用以決定折射率的裝置10而在控制及/或 調節裝置15的評估單元中實現。
量測顯微鏡1的介質(其通常為空氣)的折射率同樣確定並在同一時間儲存，以能夠決定關於此參考時間的折射率的後續變化。
此外，因為用以決定折射率的裝置10持續地確定折射率並將此儲存在控制及/或調節裝置的記憶體單元中，鑒於折射率在不同量測的變化，有可能進行有關待測元件的焦點位置相對量測物鏡的校正。
可由用以決定折射率的裝置10進行的折射率變化的補償可用於量測顯微鏡的校正方法(其中校正光罩在不同位置成像及量測)以及用於結構化元件的實際量測。
在此處，z座標在待測的結構化元件(即待測的校正光罩或光學光罩)的一或多個位置干涉地確定，且目前的折射率由用以決定折射率的裝置10在同一時間決定並儲存。因此確定的待測元件的表面的z座標接著使用作為用於使用量測顯微鏡之後續量測記錄及用於決定z座標的一參考，其中因為用以決定折射率的裝置10決定折射率的變化且當確定z座標時可相應地考慮折射率的實際變化，可補償有關z座標在時間上後續決定的折射率變化。換言之，這表示根據在其中待測元件已相對所擷取之z座標的參考值而成像的時間間隔，折射率的變化係在此時間間隔中確定，且所確定的z座標由折射率的此變化來修正。
即使基於範例性具體實施例詳細地描述本發明，但熟此技藝者很清楚本發明並不受限於這些範例性具體實施例，而是可省略個別特徵或可實現特徵的不同組合類型，只要不偏離後附申請專利範圍的保護範疇。本發明包含所提出之個別特徵的所有組合。

Claims (15)

  1. 一種用以校正可用於量測光罩的一量測顯微鏡的方法，其中在一自校正演算法中使用一校正光罩，以確定該量測顯微鏡的誤差修正資料，其中在該自校正演算法中，在該量測顯微鏡中的各個位置上成像及量測該校正光罩，其中在該校正過程中確定並考量該校正光罩的表面輪廓。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中：該校正包含用以補償光罩影響的至少一個或更多部分以及用以補償平台的影響的至少一個或更多部分，其中用以在該光罩表面的方向中補償光罩影響的該一或多個部分係關聯於該表面輪廓。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之方法，其中：在該校正期間考量該光罩的一傾斜或該光罩的一楔形形變作為該平台的一部份。
  4. 如前述申請專利範圍第1或2項所述之方法，其中：藉由量測該校正光罩來確定該校正光罩的該表面輪廓，特別是在不同於該量測顯微鏡的一量測裝置中。
  5. 如前述申請專利範圍第1或2項所述之方法，其中：當決定該校正光罩的該表面輪廓時，特別是透過模擬，在該決定期間考量該光罩由於其承載的彎曲。
  6. 如前述申請專利範圍第1或2項所述之方法，其中：當決定該表面輪廓時，該校正光罩承載於一三點支承部上。
  7. 一種用以量測用於微影方法之結構化元件的方法，該方法利用一量測顯微鏡，藉由該量測顯微鏡可產生該結構化元件的影像，其中待測的該結構化元件配置於該量測顯微鏡的一物體平面中，其中：在該量測顯微鏡的一光學軸的方向中擷取待測的該結構化元件的一或多個座標，其中在該光學軸的方向中擷取的該座標作為一參考值，且在時間上於該參考值之後且在該量測顯微鏡之該光學軸的方向上所確定的座標係藉由影響該量測顯微鏡之成像的一折射率變化來修正，該變化在相應的時間間隔期間發生。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之方法，其中：該方法用於在如申請專利範圍第1項至第6項之任一項所述之方法中的該自校正演算法及/或其中使用在如申請專利範圍第1項至第6項之任一項所述之方法中所確定的一誤差修正。
  9. 如申請專利範圍第7項或第8項所述之方法，其中：進行一干涉量測，用以擷取在該光學軸之方向中的該座標。
  10. 如申請專利範圍第7項或第8項所述之方法，其中：該量測顯微鏡包含用以決定存在於該量測顯微鏡中之介質之折射率的一裝置。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之方法，其中：用以決定該折射率的該裝置包含一干涉計。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之方法，其中：該量測顯微鏡包含一干涉計，其用以確定該量測顯微鏡中之一待測光罩的一表面輪廓。
  13. 一種用以量測用於微影方法之結構化元件、特別是用以執行如前述申請專利範圍之任一項所述之方法的量測顯微鏡，其中：該量測顯微鏡包含用以決定存在於該量測顯微鏡中之介質之折射率的一裝置。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之量測顯微鏡，其中：用以決定該折射率的該裝置包含一干涉計。
  15. 如申請專利範圍第13項或第14項所述之量測顯微鏡，其中：該量測顯微鏡包含一干涉計，其用以確定該量測顯微鏡中之一待測光罩的一表面輪廓。
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