JP2017532767A - 3d回路におけるソース・チャネルの相互作用の改善 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (25)
- 3次元回路を用いる回路デバイスであって、
互いに隣接して積層され、各階層がゲートを介してアクティブ化される回路素子を含む複数の回路素子の複数の階層と、
複数の回路素子の前記複数の階層を通って延在し、前記ゲートの両端に電圧差を生成するためのドープ多結晶(ポリ)材料を含むチャネルと、
複数の電荷担体を前記チャネルに提供するべく前記チャネルに電気的に結合され、基板上に金属シリサイド層を含み、前記金属シリサイド層と前記チャネルとの間に窒化金属層を含むソースとを備え、
前記窒化金属層は、介在酸化物層なしで前記金属シリサイド層上に加工される、回路デバイス。 - 前記金属シリサイド層は、シリコンから形成されるシリサイド化合物、およびタングステン(W)、チタン(Ti)、ニッケル(Ni)、コバルト(Co)、タンタル(Ta)、プラチナ(Pt)、もしくはモリブデン(Mo)から選択される金属、または選択された複数の金属のうちの少なくとも1つを含む合金を含む、請求項1に記載の回路デバイス。
- 前記窒化金属層は、窒素から形成された窒化化合物、およびチタン(Ti)、スカンジウム(Sc)、イットリウム(Y)、ランタン(La)、ジルコニウム(Zr)、バナジウム(V)、ハフニウム(Hf)、タンタル(Ta)、ニオブ(Nb)、モリブデン(Mo)、もしくはタングステン(W)から選択される耐火性金属元素、または選択された複数の金属元素のうちの少なくとも1つを含む合金を含む、請求項1に記載の回路デバイス。
- 前記金属シリサイド層は、真空下で前記基板上に加工され、
前記窒化金属層は、真空を破壊することなく前記金属シリサイド層上に加工される、請求項1に記載の回路デバイス。 - 前記金属シリサイド層と前記窒化金属層との間に加工された接着層を更に備える、請求項4に記載の回路デバイス。
- 前記ソースに隣接するセレクトゲートソース(SGS)層を更に備え、
前記ソースは、SGS閾値電圧(Vt)劣化を改善するべく、複数のドーパントを前記SGS層に提供する、請求項1に記載の回路デバイス。 - 前記窒化金属層と前記チャネルとの間にシリコン層を更に備える、請求項1に記載の回路デバイス。
- 前記金属シリサイド層は、真空下で前記基板上に加工され、
前記窒化金属層は、真空を破壊することなく前記金属シリサイド層上に加工され、
前記シリコン層は、真空を破壊することなく前記窒化金属層上に加工される、請求項7に記載の回路デバイス。 - 前記シリコン層は、ポリシリコン層を含む、請求項7に記載の回路デバイス。
- メモリデバイスを用いる電子デバイスであって、
データを格納するための3次元積層メモリデバイスと、
複数のメモリ素子からアクセスされたデータに基づいて表示を生成するべく結合されたタッチスクリーンディスプレイとを備え、
前記3次元積層メモリデバイスは、
互いに隣接して積層され、各階層がゲートを介してアクティブ化されるメモリ素子を含む前記複数のメモリ素子の複数の階層と、
複数のメモリ素子の前記複数の階層を通って延在し、前記ゲートの両端に電圧差を生成するためのドープ多結晶(ポリ)材料を含むチャネルと、
複数の電荷担体を前記チャネルに提供するべく前記チャネルに電気的に結合され、基板上に金属シリサイド層を含み、前記金属シリサイド層と前記チャネルとの間に窒化金属層を含むソースとを有し、
前記窒化金属層は、介在酸化物層なしで前記金属シリサイド層上に加工される、電子デバイス。 - 前記金属シリサイド層は、シリコンから形成されるシリサイド化合物、およびタングステン(W)、チタン(Ti)、ニッケル(Ni)、コバルト(Co)、タンタル(Ta)、プラチナ(Pt)、もしくはモリブデン(Mo)から選択される金属、または選択された複数の金属のうちの少なくとも1つを含む合金を含む、請求項10に記載の電子デバイス。
- 前記窒化金属層は、窒素から形成された窒化化合物、およびチタン(Ti)、スカンジウム(Sc)、イットリウム(Y)、ランタン(La)、ジルコニウム(Zr)、バナジウム(V)、ハフニウム(Hf)、タンタル(Ta)、ニオブ(Nb)、モリブデン(Mo)、もしくはタングステン(W)から選択される耐火性金属元素、または選択された複数の金属元素のうちの少なくとも1つを含む合金を含む、請求項10に記載の電子デバイス。
- 前記金属シリサイド層は、真空下で前記基板上に加工され、
前記窒化金属層は、真空を破壊することなく前記金属シリサイド層上に加工される、請求項10に記載の電子デバイス。 - 前記メモリデバイスは、前記金属シリサイド層と前記窒化金属層との間に加工された接着層を更に備える、請求項13に記載の電子デバイス。
- 前記メモリデバイスは、前記ソースに隣接するセレクトゲートソース(SGS)層を更に備え、
前記ソースは、SGS閾値電圧(Vt)劣化を改善するべく、複数のドーパントを前記SGS層に提供する、請求項10に記載の電子デバイス。 - 前記メモリデバイスは、前記窒化金属層と前記チャネルとの間にシリコン層を更に備える、請求項10に記載の電子デバイス。
- 前記金属シリサイド層は、真空下で前記基板上に加工され、
前記窒化金属層は、真空を破壊することなく前記金属シリサイド層上に加工され、
前記シリコン層は、真空を破壊することなく前記窒化金属層上に加工される、請求項16に記載の電子デバイス。 - 前記シリコン層は、ポリシリコン層を含む、請求項16に記載の電子デバイス。
- 3次元回路を形成するための方法であって、
基板上に金属シリサイド層を含み、前記金属シリサイド層上に窒化金属層を含むソースを形成する段階であって、介在酸化物層なしで前記金属シリサイド層上に前記窒化金属層を加工する段階を有する段階と、
複数のメモリセルの多階層積層体を生成する段階と、
複数のメモリセルの複数の階層を通って延在するチャネルを形成する段階とを備え、
前記多階層積層体の各階層がゲートを介してアクティブ化されるメモリセルデバイスを含み、
前記チャネルは、前記ゲートにわたる電圧差が前記複数のメモリセルをアクティブ化する場合に電流を伝えるためのドープ多結晶(ポリ)材料を含み、前記チャネルは、前記ソースが複数の電荷担体を前記チャネルに提供するように前記ソースに電気的に結合される、方法。 - 前記ソースを形成する段階は、シリコンから形成されるシリサイド化合物、およびタングステン(W)、チタン(Ti)、ニッケル(Ni)、コバルト(Co)、タンタル(Ta)、プラチナ(Pt)、もしくはモリブデン(Mo)から選択される金属、または選択された複数の金属のうちの少なくとも1つを含む合金を形成する段階を有する、請求項19に記載の方法。
- 前記ソースを形成する段階は、窒素から形成された窒化化合物、およびチタン(Ti)、スカンジウム(Sc)、イットリウム(Y)、ランタン(La)、ジルコニウム(Zr)、バナジウム(V)、ハフニウム(Hf)、タンタル(Ta)、ニオブ(Nb)、モリブデン(Mo)、もしくはタングステン(W)から選択される耐火性金属元素、または選択された複数の金属元素のうちの少なくとも1つを含む合金を形成する段階を有する、請求項19に記載の方法。
- 介在酸化物層なしで前記ソースを形成する段階は、
真空下で前記基板上に前記金属シリサイド層を加工する段階と、
真空を破壊することなく、前記金属シリサイド層上に前記窒化金属層を加工する段階とを更に有する、請求項19に記載の方法。 - 前記ソースを形成する段階は、前記窒化金属層上にシリコン層を堆積させる段階を更に有する、請求項19に記載の方法。
- コンテンツを格納したコンピュータ可読記憶媒体を備える製造物品であって、
実行されると、請求項19〜23のいずれか1項に記載の3次元回路を形成するための方法を実行する、製造物品。 - 3次元回路を形成するための装置であって、
請求項19〜23のいずれか1項に記載の方法を実行する複数の動作を実行するための手段を備える、装置。
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