JP2017530386A5 - - Google Patents
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Claims (15)
- 電子ビームリソグラフィを実施する方法であって、
i)(eBeam)レジストコートされた基板を用意するステップ又は(eBeam)レジストコーティングを基板に塗布するステップと、
ii)前記(eBeam)レジストコーティングの一部(複数可)を(電子ビーム)照射に曝露して、曝露された(eBeam)レジストコーティングを得るステップと、
iii)前記曝露された(eBeam)レジストコーティングを現像して、前記(eBeam)レジストコーティングの現像剤に不溶性のコーティング部分及び(eBeam)レジストパターン層を通過して延在する一連の溝を含む(eBeam)レジストパターン層を形成するステップと、
iv)前記(eBeam)レジストパターン層の下部の、前記基板、基板表面又はその一部(複数可)を任意選択的に修飾するステップと、
v)前記(eBeam)レジストパターン層を任意選択的に除去して、修飾基板を用意するステップと、
vi)前記修飾基板について、ステップiv)及び/又はステップi)〜v)(eBeamレジストコーティングの代わりに、フォトレジスト等の代替レジストコーティングを任意選択的に用い、電子ビーム照射の代わりに、可視又は紫外光等の代替放射線を曝露中に任意選択的に用いて)を1回又は任意選択的に複数回繰り返すステップと
を含み、
前記eBeamレジストコートされた基板が、eBeamレジストコーティングで被覆された基板であり、
前記eBeamレジストコーティングが、任意選択的に乾燥及び/又は硬化したeBeamレジスト組成物を含み、
前記eBeamレジスト組成物が、散乱を防止する化合物を含み、前記散乱を防止する化合物が、1.3g/cm3以下の密度及び2000g/mol以上の分子量を有する、方法。 - 前記散乱を防止する化合物が主金属錯体(PMC)を含み、主金属錯体が多金属ケージであり、
任意選択的に、前記散乱を防止する化合物が0.85g/cm 3 以下の密度及び10000g/mol以上の分子量を有する化合物であり、及び/又は、前記散乱を防止する化合物が下記式Bにより定義されるハイブリッド錯体における1つ又は複数の主金属錯体と関連したリンカー成分を含み、この式Bが、
(PMC) ρ (LINK) l
(式中、
PMCは、主金属錯体であり、ρは、1〜30の間の値であり、式Bのハイブリッド錯体の1モル当たりのPMCのモル数であり、
LINKは、リンカー成分であり、lは、1〜10の間の値であり、式Bのハイブリッド錯体の1モル当たりのLINKのモル数である。)であり、
任意選択的に、前記ハイブリッド錯体内の前記主金属錯体(複数可)及び/若しくはリンカー成分(複数可)のいずれか若しくは両方が、対イオンのいずれかとそれぞれ独立に関連しており、並びに/又は、前記対イオンが全体としてのハイブリッド錯体と関連していてもよく、
任意選択的に、前記散乱を防止する化合物が、ハイブリッド錯体塩の一部としてハイブリッド錯体と関連した1つ又は複数の対イオンを含み、前記ハイブリッド錯体塩が下記式Cにより定義され、この式Cが、
(C 1 i1 、C 2 i2 、...、C c ic )(PMC) ρ (LINK) l
(式中、C 1 は、第1の対イオンであり、C 2 は、第2の対イオンであり、C c は、第cの対イオンであり、i1、i2及びicは、式Cのハイブリッド錯体塩の1モル当たりのC 1 、C 2 、...、及びC c のそれぞれの各モル数である。)である、
請求項1に記載の方法。 - 前記主金属錯体が下記式Iにより定義される又は式Iにより定義される単位を含み、この式Iが、
[M1 xM2 y...Mn zn(monoLIG1)m1(monoLIG2)m2...(monoLIGq)mq(biLIG1)b1(biLIG2)b2...(biLIGr)br(optLIGs)(optLIG1)o1(optLIG2)o2...(optLIGs)os]
(式中、
M1は、第1の金属種であり、xは、主金属錯体の1モル当たりのM1のモル数であり、xは、1〜16の間の数であり、
M2は、第2の金属種であり、yは、主金属錯体の1モル当たりのM2のモル数であり、yは、0〜7の間の数であり、
Mnは、第nの金属種であり、znは、主金属錯体の1モル当たりのMnのモル数であり、znは、0〜6の間、好適には0〜2の間の数、より好適には0であり、
monoLIG1は、第1の単座配位子であり、m1は、主金属錯体の1モル当たりのmonoLIG1のモル数であり、m1は、0〜20の間の数であり、
monoLIG2は、第2の単座配位子であり、m2は、主金属錯体の1モル当たりのmonoLIG2のモル数であり、m2は、0〜10の間の数であり、
monoLIGqは、第qの単座配位子であり、mqは、主金属錯体の1モル当たりのmonoLIGqのモル数であり、mqは、0〜2の間の数であり、
biLIG1は、第1の二座配位子であり、b1は、主金属錯体の1モル当たりのbiLIG1のモル数であり、b1は、1〜20の間の数であり、
biLIG2は、第2の二座配位子であり、b2は、主金属錯体の1モル当たりのbiLIG2のモル数であり、b2は、0〜16の間の数であり、
biLIGrは、第rの二座配位子であり、brは、主金属錯体の1モル当たりの各追加のbiLIGrのモル数であり、brは、0〜2の間の数であり、
optLIG1は、第1の任意選択的な過剰の配位子であり、o1は、主金属錯体の1モル当たりのoptLIG1のモル数であり、o1は、0〜4の間の数であり、
optLIG2は、第2の任意選択的な過剰/末端配位子であり、o2は、主金属錯体の1モル当たりのoptLIG2のモル数であり、o2は、0〜3の間の数であり、
optLIGsは、第sの任意選択的な過剰/末端配位子であり、osは、主金属錯体の1モル当たりの各追加の任意選択的なoptLIGsのモル数であり、osは、0〜2の間の数である。)であり、
任意選択的に、x及びyの和が4〜16の間の数である、請求項1又は2に記載の方法。 - M1が三価金属種であり、及び/又は、M 2 が二価金属種であり、
M 1 が、有利にはCr III 、Fe III 、V III 、Ga III 、Al III 又はIn III を含む群から選択される三価金属種、有利にはCr III であり、及び/又は、M 2 が、有利にはNi II 、Co II 、Zn II 、Cd II 、Mn II 、Mg II 、Ca II 、Sr II 、Ba II 、Cu II 又はFe II を含む群から選択される二価金属種、有利にはNi II であり、
任意選択的に、前記主金属錯体内のM 1 とM 2 とのモル比が9:1〜3:1の間である、請求項3に記載の方法。 - biLIG1が式−O2CRB1(又はRB1CO2)により定義されるカルボキシレートであり、式中、RB1が(1〜12C)アルキル、(1〜12C)アルケニル、(1〜12C)アルキニル、(3〜8C)シクロアルキル、(3〜8C)シクロアルケニル、(1〜3C)アルキル(3〜8C)シクロアルキル、(1〜3C)アルキル(3〜8C)シクロアルケニル、アリール、(1〜3C)アルキルアリール又はアリール(1〜3C)アルキルから選択されるヒドロカルビル部分であり、
biLIG2が式−O2CRB2(又はRB2CO2)により定義されるカルボキシレートであり、式中、RB2が塩基性又はキレート基を含む基であり、置換されていてもよいヘテロシクリル、ヘテロアリール、ヘテロシクリル(1〜6C)アルキル、ヘテロアリール(1〜6C)アルキルから選択され、又は(1〜12C)アルキル、(1〜12C)アルケニル、(1〜12C)アルキニル、(3〜8C)シクロアルキル、(3〜8C)シクロアルケニル、(1〜3C)アルキル(3〜8C)シクロアルキル、(1〜3C)アルキル(3〜8C)シクロアルケニル、アリール、(1〜3C)アルキルアリール若しくはアリール(1〜3C)アルキルから選択され、
optLIG1が溶媒分子又は3以上の多座性を有する多座配位子であり、
任意選択的に、前記主金属錯体が下記式IIにより定義され又は定義される単位を含み、この式IIが、
[M 1 x M 2 y (monoLIG 1 ) m1 (O 2 CR B1 ) 16−b2 (O 2 CR B2 ) b2 ]
(式中、
M 1 は、三価金属イオンであり、
M 2 は、二価金属イオンであり、
xは、6、7、8又は9であり、
yは、0、1又は2であり、
R B1 は、(1〜12C)アルキル、(1〜12C)アルケニル、(1〜12C)アルキニル、(3〜8C)シクロアルキル、(3〜8C)シクロアルケニル、(1〜3C)アルキル(3〜8C)シクロアルキル、(1〜3C)アルキル(3〜8C)シクロアルケニル、アリール、(1〜3C)アルキルアリール、アリール(1〜3C)アルキルから選択され、
R B2 は、置換されていてもよいヘテロシクリル、ヘテロアリール、ヘテロシクリル(1〜6C)アルキル、ヘテロアリール(1〜6C)アルキルから選択され、又は(1〜12C)アルキル、(1〜12C)アルケニル、(1〜12C)アルキニル、(3〜8C)シクロアルキル、(3〜8C)シクロアルケニル、(1〜3C)アルキル(3〜8C)シクロアルキル、(1〜3C)アルキル(3〜8C)シクロアルケニル、アリール、(1〜3C)アルキルアリール、アリール(1〜3C)アルキルから選択され、又は1つ若しくは複数のアミノ、アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、ヒドロキシル、(1〜6C)アルコキシ、カルボニル、イミノ、チオ及び/若しくはチオカルボニル基で置換され、
b 2 は、0、1、2又は3であり、
x及びyの和は、7、8、9又は10である。)であり、
任意選択的に、前記主金属錯体が下記式のいずれかにより定義され又は定義される単位を含み、これらの式が、
式IIa:[M 1 8−y M 2 y F 8 (O 2 CR B1 ) 16−b2 (O 2 CR B2 ) b2 ]、
式IIb:[Cr 7 NiF 8 (O 2 CR B1 ) 16−b2 (O 2 CR B2 ) b2 ]、
式IIc:[Cr 7 NiF 8 (O 2 CR B1 ) 16 ]、
式IId:[Cr 8 F 8 (O 2 CR B1 ) 16−b2 (O 2 CR B2 ) b2 ]、
式IIe:[Cr 8 F 8 (O 2 CR B1 ) 16 ]、又は
式III:[M 1 8−y M 2 y F 3 (O 2 CR B1 ) 15 (Gluc−NH−R o1 )](式中、Gluc−NH−R o1 はN−(1〜8C)アルキル−D−グルカミンである)である、
請求項3〜5のいずれか一項に記載の方法。 - 前記リンカー成分(LINK)又は各リンカー成分が、下記式i)〜iii)から選択されるものであり、これらの式i)〜iii)が、
i)2つ以上の孤立電子対を受容又は供与することができる単一の配位部分を含む単一原子、分子、イオン又は錯体であって、任意選択的に、前記リンカー成分が、2つ以上の孤立電子対を供与することができる単一の配位部分を含む単一原子、分子、イオン又は錯体であり、前記リンカー成分(複数可)が、ハロゲン化物、オキソ、オキシド、ヒドロキシド(OH−)、(1〜6C)アルコキシド、(2〜6C)アルケニルオキシ、(2〜6C)アルキニルオキシ、ホルミル、カルボキシ、(1〜6C)アルコキシカルボニル、(2〜6C)アルカノイル、(2〜6C)アルカノイルオキシ、スルホ、スルフィド、硫化水素、(1〜6C)アルキルチオ、(2〜6C)アルケニルチオ、(2〜6C)アルキニルチオ、チオカルボニル、酸素若しくは硫黄から選択される少なくとも1つの内部ヘテロ原子を含むヘテロシクリル、又は(適切な場合)その脱プロトン化体若しくは塩から選択される基であり又は含み、任意のCH、CH 2 若しくはCH 3 が置換されていてもよく、或いは
前記リンカー成分が、2つ以上の孤立電子対を受容することができる単一の配位部分を含む単一原子、分子、イオン又は錯体であり、前記リンカー成分(複数可)が、金属陽イオン、ルイス酸性金属化合物、ルイス酸性金属錯体及び/又は脱離基若しくは置換可能配位子を含む金属化合物若しくは錯体から選択される基である又は含み、
ii)各配位部分が1又は複数の孤立電子対を受容又は供与することができる、2つ以上の配位部分を含む単一分子、イオン又は錯体であって、任意選択的に、前記リンカー成分が2つ以上の配位部分を含む単一分子、イオン又は錯体であり、配位部分のそれぞれが1つ又は複数の孤立電子対を供与することができ、前記リンカー成分(複数可)が、ハロゲン化物、アミノ、シアノ、イミノ、エナミノ、(1〜6C)アルキルアミノ、ジ−[(1〜6C)アルキル]アミノ、トリ−[(1〜6C)アルキル]アミノ、オキソ、オキシド、ヒドロキシド(OH−)、(1〜6C)アルコキシド、(2〜6C)アルケニルオキシ、(2〜6C)アルキニルオキシ、ホルミル、カルボキシ、(1〜6C)アルコキシカルボニル、(2〜6C)アルカノイル、(2〜6C)アルカノイルオキシ、スルホ、スルフィド、硫化水素、(1〜6C)アルキルチオ、(2〜6C)アルケニルチオ、(2〜6C)アルキニルチオ、チオカルボニル、窒素、酸素若しくは硫黄から選択される少なくとも1つの内部ヘテロ原子を含むヘテロシクリル、窒素、酸素若しくは硫黄から選択される少なくとも1つの内部ヘテロ原子を含むヘテロアリール、又は(適切な場合)その脱プロトン化体若しくは塩から選択される1つ若しくは複数の基である又は含むものであり、任意のCH、CH 2 若しくはCH 3 が置換されていてもよく、或いは
前記リンカー成分が、2つ以上の配位部分を含む単一分子、イオン又は錯体であり、配位部分のそれぞれが1つ又は複数の孤立電子対を供与することができ、前記リンカー成分(複数可)が、金属陽イオン、ルイス酸性金属化合物、ルイス酸性金属錯体及び/又は脱離基若しくは置換可能配位子を含む金属化合物若しくは錯体から選択される1つ若しくは複数の基である又は含むものである。
iii)以下の式IVにより定義される分子、イオン又は錯体であって、この式IVが、
Q−[CORE]−[W]w
(式中、
[CORE]は、非存在又は前記リンカー成分のコアであり、1つ又は任意選択的に複数の基を含み、
Qは、[CORE]又はその1若しくは複数のコア基(複数可)に直接結合した基であり、Qは、配位部分を含み、
各Wは、[CORE]又はその1つ若しくは複数のコア基(複数可)に独立に直接結合した基であり、1つ若しくは複数の他のW基又はQに任意選択的にさらに結合しており、それらのWのそれぞれが配位部分を独立に含み、
wは、ゼロより大きい整数である。)であり、
任意選択的に、前記[CORE]が、下記a)〜c)から選択されるものであって、前記a)〜c)が、
a)前記[CORE]が、前記Q基及び前記W基(複数可)又はW基(複数可)のそれぞれが共通に結合する単一コア基を含み、前記単一コア基が
i)置換されていてもよい二価若しくは多価非環式コア基、
ii)二価若しくは多価環式若しくは多環式基、
iii)1つ若しくは複数の非環式部分及び/若しくは環式若しくは多環式部分に連結された少なくとも1つの環式若しくは多環式基を含む二価又は多価コア基、又は
iv)二価若しくは多価大環状コア基。
以下より選択されるものである。
或いは、
b)前記[CORE]が、前記Q基及び/又は前記W基若しくはW基(複数可)のそれぞれの1つ若しくは複数を介して間接的に結合して前記[CORE]を形成する複数のコア基を含み、これらコア基のそれぞれが、
i)2つ以上の孤立電子対を供与することができる単一の配位部分を含む単一原子、分子、イオン若しくは錯体、及び/又は
ii)それぞれ独立に孤立電子対を供与することができる2つ以上の配位部分を含む単一分子、イオン若しくは錯体。
から選択されるものである。
或いは、
c)前記[CORE]が、下記式により定義される複数のコア基を含み、この式が、
二金属カルボキシレート錯体[M 2 (O 2 CR) 4 ](Mは、二価金属イオンである。)、
二金属カルボキシレート錯体[MM’(O 2 CR) 4 ] + (Mは、二価金属イオンであり、M’は、三価金属イオンである。)、
三金属カルボキシレート錯体[M 3 O(O 2 CR) 6 ] + (Mは、三価金属イオンである。)、
三金属カルボキシレート錯体[M 2 M’O(O 2 CR) 6 ] + 、(Mは、三価金属イオンであり、M’は、二価金属イオンである。)、
六金属カルボキシレート錯体[M’ 4 M 2 O 2 (O 2 CR) 12 ](Mは、三価金属イオンであり、M’は、二価金属イオンである。)、
十二金属錯体[M 12 (chp) 12 (O 2 CMe) 6 (H 2 O) 6 ](chpは、6−クロロ−2−ピリドネートであり、Mは、Ni又はCoである。)から選択されるものである。)である、
請求項2〜5のいずれか1項に記載の方法。 - 前記基板が基板ベース材料を含み又はから本質的になり、前記基板ベース材料がリソグラフィプレート、リソグラフィックマスク用材料又は電子部品基板であり、有利には単一モノリシックケイ素結晶である、請求項1〜6のいずれか1項に記載の方法。
- 前記eBeamレジスト組成物が、15以上の実効原子番号(Zeff)を有する化合物である又は化合物を含む二次電子ジェネレーターをさらに含み、
Zeff=ΣαiZi
(式中、Ziは化合物内のi番目の元素の原子番号であり、αiは前記化合物内の全ての原子の原子番号の合計(すなわち、化合物中のプロトンの合計)に対して、前記i番目の元素が占める割合である)である、請求項1〜7のいずれか1項に記載の方法。 - 1.3g/cm3以下の密度及び2000g/mol以上の分子量を有する散乱を防止する化合物を含み、請求項1〜8のいずれか1項に記載のeBeamレジスト組成物に関する更なる特徴のいずれかにより任意選択的に特徴づけられるeBeamレジスト組成物。
- 請求項1〜9のいずれか1項に記載の電子ビームリソグラフィを実施すること、及び任意選択的にリソグラフィックマスクを用意するための更なる処理ステップを含み、表面/基板の不透明の領域と隣接して並置された表面/基板の透明の領域により特徴づけられるマスクパターンを含む、リソグラフィックマスクを製造する方法。
- リソグラフィを実施する方法であって、
i)レジストコートされた基板を用意するステップ又はレジストコーティングを基板に塗布するステップ、及び請求項10に記載の方法によりリソグラフィックマスクを用意するステップと、
ii)レジストコーティングの一部(複数可)を、リソグラフィックマスクを介して、照射に曝露して、曝露されたレジストコーティングを得るステップと、
iii)前記曝露されたレジストコーティングを現像して、前記レジストコーティングの現像剤に不溶性のコーティング部分(すなわち、畝)及びレジストパターン層を通過して延在する一連の溝を含むレジストパターン層を形成するステップと、
iv)レジストパターン層の下部の、前記基板、基板表面又はその一部(複数可)を任意選択的に修飾するステップと、
v)前記レジストパターン層を任意選択的に除去して、修飾基板を用意ステップと、
vi)任意選択的に、修飾基板について、ステップiv)及び/又はステップi)〜v)(請求項1〜8のいずれか1項に記載のeBeamレジストコーティング又はフォトレジスト等の代替レジストコーティングを用い、任意選択的にリソグラフィックマスクを用いた若しくは用いない電子ビーム照射又は可視又は紫外光等の代替放射線を曝露中に用いて)を1又は複数回反復するステップと
を含み、
前記レジストコートされた基板が、レジストコーティングで(請求項1〜8のいずれか1項に記載のeBeamレジストコーティング又はフォトレジスト等の代替レジストコーティングで)コートされた基板であり、
前記レジストコーティングが、任意選択的に乾燥及び/又は硬化させたeBeamレジスト組成物(請求項1〜8のいずれか1項に記載のeBeamレジスト組成物又はフォトレジスト等の代替レジスト組成物)を含む、方法。 - 集積回路ダイス又は複数の集積回路ダイスを含む集積回路ウエハの作製法であって、前記又は各ダイスが複数の電子部品を含み、
i)請求項1〜8のいずれか1項に記載の(eBeam)レジストコートされた基板を用意するステップ、若しくは(eBeam)レジストコーティングを請求項1〜8のいずれか1項に記載の基板に塗布するステップと、
ii)前記(eBeam)レジストコーティングの一部(複数可)を電子ビーム照射に曝露して、曝露された(eBeam)レジストコーティングを用意するステップ、
又は
i)請求項1〜8のいずれか1項に記載のレジストコートされた基板を用意するステップ、若しくはレジストコーティングを請求項1から28のいずれか1項に記載の基板に塗布するステップ、及び請求項10に記載の方法によりリソグラフィックマスクを用意するステップと、
ii)前記リソグラフィックマスクを介して、前記レジストコーティングの一部(複数可)を照射(例えば、UV又は可視光)に曝露して、曝露されたレジストコーティングを用意するステップと、
並びに
iii)前記曝露された(eBeam)レジストコーティングを現像して、(eBeam)レジストパターン層を形成するステップであって、前記(eBeam)レジストパターン層が、前記(eBeam)レジストコーティングの現像剤に不溶性のコーティング部分(すなわち、畝)、及び前記(eBeam)レジストパターン層を通過して延在する一連の溝を含むステップと、
iv)前記(eBeam)レジストパターン層の下部の、前記基板、基板表面、又はその一部(複数可)を修飾するステップと、
v)前記(eBeam)レジストパターン層を除去して、修飾された基板を用意するステップと、
vi)任意選択的に、修飾基板について、ステップiv)及び/又はステップi)〜v)(本発明に係るレジストコーティング又はフォトレジスト等の代替レジストコーティングを用い、任意選択的にリソグラフィックマスクを用いた若しくは用いない電子ビーム照射又は可視又は紫外光等の代替放射線を曝露中に用いて)を1又は複数回反復するステップと、
vii)前記ダイス又は各ダイスの電子部品を、電導体(複数可)と導電的に相互接続して(1つ又は複数の基板/基板表面の修飾ステップ中にすでに実施されていない場合)、外部接触端子を備えた集積回路を用意するステップと、
viii)任意選択的に、1つ又は複数の更なる仕上げステップを実施するステップと、
ix)任意選択的に、集積回路ダイスを、複数の集積回路ダイスを含むウエハから分離するステップと
を含み、
前記eBeamレジストコートされた基板が、eBeamレジストコーティングでコートされた基板であり、
前記eBeamレジストコーティングが、任意選択的に乾燥及び/又は硬化させたレジスト組成物を含み、
前記eBeamレジスト組成物が、請求項1〜8のいずれか1項に記載の散乱を防止する化合物を含み、
前記レジストコートされた基板が、レジストコーティングで(請求項1〜8のいずれか1項に記載のeBeamレジストコーティング又はフォトレジスト等の代替レジストコーティングで)コートされた基板であり、
前記レジストコーティングが、任意選択的に乾燥及び/又は硬化させたレジスト組成物(請求項1〜8のいずれか1項に記載のeBeamレジスト組成物又はフォトレジスト等の代替レジスト組成物)を含む、作製法。 - 複数のピン、及び対応する複数のピンと導電的に接続した外部接触端子を備えた集積回路ダイス含む集積回路パッケージの製造法であって、
i)請求項12に記載の集積回路ダイスの作製法により、集積回路ダイスを用意するステップと、
ii)前記集積回路ダイスをパッケージ基板に取り付けるステップであって、前記パッケージ基板が、電気的接点を備え、前記電気的接点のそれぞれが、任意選択的に、対応するピンに接続される、又はこれと接続可能であるステップと、
iii)前記集積回路ダイスの前記外部接触端子のそれぞれを、前記パッケージ基板の対応する電気的接点と導電的に接続するステップと、
iv)任意選択的に(及び必要な場合に)、前記パッケージ基板の電気的接点を、対応するピンと接続するステップと、
v)前記集積回路ダイスを封入するステップと
を含む製造法。 - 複数のピンを備えた集積回路パッケージを含む回路基板の製造法であって、
i)請求項13に記載の集積回路パッケージを製造する方法により集積回路パッケージを用意するステップと、
ii)前記集積回路パッケージを回路基板に導電的に接続するステップと
を含む、回路基板の製造法。 - 電源を備えた又は電源に接続可能であり、電源に導電的に接続される又はこれと接続可能である回路基板を含む電子素子又はシステムの製造法であって、
i)請求項14に記載の回路基板の製造法により回路基板を用意するステップと、
ii)前記回路基板を前記電子素子又はシステム内に組み込むステップと
を含む、電子素子又はシステムの製造法。
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