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- 第1の機械可読媒体に記録された命令集合の制御下で動作するよう構成されたマイクロプロセッサであって、前記命令集合下で動作する際に、以下の工程:
二酸化炭素源、ガスフローサブシステム、温度制御サブシステムおよび湿度制御サブシステムの少なくとも1つの動作を制御する工程;
二酸化炭素を含むプロセスガスのフローを、前記プロセスガス中の前記二酸化炭素との反応により硬化する材料に接触するよう導入する工程;
前記プロセスガスフローの前記導入からの経過時間、前記プロセスガスが供給される際の前記プロセスガスの二酸化炭素濃度、相対湿度、流量、温度および圧力からなるパラメータ群から選択された少なくとも1つのパラメータを監視する工程;および
監視される前記パラメータの少なくとも1つの記録、監視される前記パラメータの前記少なくとも1つの、データ処理システムへの伝送、または監視される前記パラメータの前記少なくとも1つの、ユーザへの表示のうち、少なくとも1つを行う工程、
を行うマイクロプロセッサ、
を備える、コントローラ。 - 前記マイクロプロセッサが前記命令集合下で動作する際に、外部ソースからの開始コマンドを受信する工程;硬化チャンバへの搬入が適切に行われたかどうかを判断する工程;硬化チャンバの閉鎖が適切に行われたかどうかを判断する工程;前記二酸化炭素との反応により硬化する前記材料の硬化状態を確認する工程;前記二酸化炭素との反応により硬化する前記材料との前記プロセスガスの接触が解除される際の前記プロセスガスの二酸化炭素濃度、相対湿度、流量、温度、圧力およびフロー持続時間からなるパラメータ群から選択された少なくとも1つのパラメータを監視する工程;硬化チャンバ内の1つまたは複数の場所における、二酸化炭素濃度、相対湿度、流量、温度および圧力からなるパラメータ群から選択された少なくとも1つのパラメータを監視する工程;行うプロセスの1工程をなす、1つまたは複数のプロセスパラメータを表す、ユーザによる入力を受信する工程;プロセスレシピの1工程として前記ユーザによる前記入力を不揮発性機械可読媒体に記録する工程;または不揮発性機械可読媒体に記録されたプロセスレシピの少なくとも1つの工程を取得する工程を行う、請求項1に記載のコントローラ。
- バルブ、流量調整器、マスフローコントローラ、ブロワおよびガス送給構造の少なくとも1つを備え、
二酸化炭素を反応物として含むプロセスガスを、前記二酸化炭素との反応により硬化する材料に流体接触するよう供給するよう構成された、ガスフローサブシステム。 - 前記ガスフローサブシステムが、反応物として二酸化炭素を含む前記プロセスガスに加えて水蒸気に適応する;または反応物として二酸化炭素を含む前記プロセスガスに加えて空気に適応する、請求項3に記載のガスフローサブシステム。
- 前記ガス送給構造が、前記二酸化炭素との反応により硬化する前記材料に埋設されている;または前記ガス送給構造が、前記二酸化炭素との反応により硬化する前記材料に隣接して配置されたガス透過層である、請求項3に記載のガスフローサブシステム。
- コントローラから制御信号を受信するよう構成された通信ポート;または前記プロセスガスの二酸化炭素濃度、相対湿度、流量、温度および圧力の少なくとも1つを符号化する信号をコントローラに伝達するよう構成された通信ポートをさらに備える、請求項3に記載のガスフローサブシステム。
- ガス回収管状部をさらに備える、請求項3に記載のガスフローサブシステム。
- 前記ガス回収管状部に存在するガスの二酸化炭素濃度、相対湿度、流量、温度および圧力の少なくとも1つを符号化する信号をコントローラに伝達するよう構成された通信ポートをさらに備える、請求項7に記載のガスフローサブシステム。
- ヒーターおよび冷却器から選択されたいずれかまたは両方を備え、
二酸化炭素を含むプロセスガスが、該プロセスガス中の前記二酸化炭素との反応により硬化する材料と接触する前に前記プロセスガスが所望の温度に達するように、前記プロセスガスの温度を制御するよう構成された、温度制御サブシステム。 - ガス温度を測定するよう構成されたセンサ;相対湿度を測定するよう構成されたセンサ;温度値および相対湿度値の少なくとも1つを表す信号をコントローラに伝送するよう構成された通信ポート;またはコントローラから制御信号を受信するよう構成された通信ポートをさらに備える、請求項9に記載の温度制御サブシステム。
- 水蒸気源および水蒸気除去装置から選択されたいずれかまたは両方を備え、
二酸化炭素を含むプロセスガスが、該プロセスガス中の前記二酸化炭素との反応により硬化する材料と接触する前に前記プロセスガスが所望の湿度に達するように、前記プロセスガスの湿度を制御するよう構成された、湿度制御サブシステム。 - 前記水蒸気源が、水源、バルブおよびスプレーヘッドを備える;前記水蒸気源が蒸気発生器を備える;前記水蒸気源が、水が入ったバブラーを備え、該バブラーを経てガスに気泡が生じ得る;前記水蒸気除去装置がチラーである;前記水蒸気除去装置が凝縮器である;または前記水蒸気除去装置が熱交換器である、請求項11に記載の湿度制御サブシステム。
- 前記プロセスガスの相対湿度を測定するよう構成された湿度センサをさらに備える;前記相対湿度値を表す信号をコントローラに伝達するよう構成された通信ポートをさらに備える;またはコントローラから制御信号を受信するよう構成された通信ポートをさらに備える、請求項11に記載の湿度制御サブシステム。
- 前記湿度制御サブシステムが、前記制御信号を用いて、選択された前記水蒸気源および前記水蒸気除去装置のいずれかまたは両方を動作させるよう構成されている、請求項11に記載の湿度制御サブシステム。
- 閉鎖容積部を画定する収納容器であって、プロセスガス中の二酸化炭素との反応により硬化する材料を収容するよう構成された壁部を備えるとともに、硬化する前記材料を前記収納容器に導入できるよう構成された閉鎖可能な開口部を備える収納容器と、
二酸化炭素を含む前記プロセスガスの前記収納容器への流入を可能にするよう構成された、入口ポートと、
前記プロセスガスの前記収納容器からの流出を可能にするよう構成された出口ポートとを備える、硬化チャンバ。 - 前記収納容器内に位置するプレナムをさらに備え、
前記プレナムが、前記プロセスガスを前記収納容器に注入することができる1つまたは複数の場所を経由して前記プロセスガスを供給するよう構成されている、請求項15に記載の硬化チャンバ。 - 前記プレナムが、前記収納容器内の前記プロセスガスの流速、流向およびフローパターンのうち少なくとも1つを制御するよう構成されている、請求項16に記載の硬化チャンバ。
- 前記プレナムが、前記プロセスガスのフローを、硬化する前記材料の外部と硬化する前記材料内に画定された内部流経路とのいずれかまたは両方へ誘導するよう構成されている、請求項16に記載の硬化チャンバ。
- 前記入口ポートが、前記収納容器内の前記プロセスガスの流速、流向およびフローパターンのうち少なくとも1つを制御するよう構成されている、請求項15に記載の硬化チャンバ。
- 前記出口ポートが、前記収納容器内の前記プロセスガスの流速、流向およびフローパターンのうち少なくとも1つを制御するよう構成されている、請求項15に記載の硬化チャンバ。
- 前記壁部が可撓壁である、請求項15に記載の硬化チャンバ。
- 前記可撓壁がプラスチック、マイラーおよびラテックスから選択されたいずれか1つから製造されている;または前記可撓壁が、熱エネルギーを保持するよう構成された塗膜を備える、請求項21に記載の硬化チャンバ。
- 前記壁部が、対象のスペクトル領域で透明である材料で被覆された開口を備える、請求項15に記載の硬化チャンバ。
- 少なくとも1つセンサが前記収納容器内に存在し、
前記少なくとも1つのセンサが、前記収納容器内の前記プロセスガスの性質および作用条件のいずれかまたは両方についてのデータを提供するよう構成されている、請求項15に記載の硬化チャンバ。 - プロセスガス中の二酸化炭素との反応により硬化する材料を配置する場所を用意する工程と、
前記用意された場所に、プロセスガス送給構造および二酸化炭素との反応により硬化する前記材料を配置する工程と、
硬化する前記材料の硬化を生じさせるのに十分な期間、前記プロセスガス送給構造を通して前記プロセスガスを硬化する前記材料に供給する工程とを備える、現場打ち法。 - 前記硬化プロセスの完了後、前記プロセスガス送給構造が硬化する前記材料とともに残存する、請求項25に記載の現場打ち法。
- 前記プロセスガス送給構造および二酸化炭素との反応により硬化する前記材料を、前記用意された場所に設置した後に被覆する工程をさらに備え;前記プロセスガスを供給する前記工程が、前記プロセスガスが供給される際の前記フローの前記導入からの経過時間、前記プロセスガスの二酸化炭素濃度、相対湿度、流量、温度および圧力からなるパラメータ群から選択された前記プロセスガスのパラメータの制御を含む;または二酸化炭素との反応により硬化する前記材料中に存在する水の量を制御する工程をさらに備える、請求項25に記載の現場打ち法。
- 硬化する前記材料中に存在する水の量を制御する前記工程が、前記材料からの水の除去および前記材料への水の添加のいずれかまたは両方を含む、請求項27に記載の現場打ち法。
- 二酸化炭素との反応により硬化する材料を硬化させる硬化システムであって、
ガス送給管およびガス回収管により互いに接続されたガス調節システムおよび硬化チャンバを備え、
前記硬化チャンバが、二酸化炭素との反応により硬化する前記材料を収容するよう構成され、
前記ガス調節システムが、二酸化炭素源と、ガスフローサブシステムと、温度制御サブシステムと、湿度制御サブシステムと、硬化プロセスパラメータを制御するためのサブシステムとを備え、
前記硬化プロセスパラメータを制御するための前記サブシステムが、二酸化炭素との反応により硬化する前記材料の硬化プロセスを制御するために、第1の機械可読媒体に記録された命令集合の制御下で動作するよう構成されたマイクロプロセッサを備えたコントローラを備える、硬化システム。
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