JP2017528549A - 熱成形可能容量性回路のための高k誘電組成物 - Google Patents
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Abstract
Description
(a)50〜90重量%の第1の有機溶媒に溶解された10〜50重量%のウレタン樹脂を含む15〜50重量%の第1の有機媒体であって、ウレタン樹脂と第1の有機溶媒の重量パーセントは、第1の有機媒体の総重量に基づく、第1の有機媒体と、
(b)50〜90重量%の第2の有機溶媒に溶解された10〜50重量%の熱可塑性フェノキシ樹脂を含む15〜50重量%の第2の有機媒体であって、熱可塑性フェノキシ樹脂と第2の有機溶媒の重量パーセントは、第2の有機媒体の総重量に基づく、第2の有機媒体と、
(c)少なくとも40のKを有する高K材料の1〜70重量%の粉末と、
を含むポリマー厚膜高K熱成形可能誘電組成物に関し、この場合に、第1の有機媒体、第2の有機媒体、及び高K材料の粉末の重量%は、誘電組成物の総重量に基づく。
第1の有機媒体は、第1の有機溶媒に溶解されるウレタン樹脂からなる。ウレタン樹脂は、例えば、それに堆積される銀層などの電気素子、及び、下側の基板の両方に、良好な粘着を実現しなければならない。又、ウレタン樹脂は、熱成形のための弾性を付与しなければならない。ウレタン樹脂は、電気素子の性能に適合しなければならず、且つ、悪影響を与えてはいけない。一実施形態においては、ウレタン樹脂は、10〜50重量%であり、且つ、第1の有機溶媒は、50〜90重量%の第1の有機媒体の総重量である。別の実施形態においては、ウレタン樹脂は、15〜35の重量%であり、且つ、第1の有機溶媒は、65〜85重量%の第1の有機媒体の総重量である。更に別の実施形態においては、ウレタン樹脂は、15〜25重量%であり、且つ、第1の有機溶媒は、75〜85重量%の第1の有機媒体の総重量である。一実施形態においては、ウレタン樹脂は、ウレタンエラストマーである。別の実施形態においては、ウレタン樹脂は、ポリエステル系コポリマーである。
ポリマー厚膜(PTF)高K熱成形可能誘電組成物は、少なくとも40のKを有する高K材料の粉末からなる。一実施形態においては、高K材料は、少なくとも100のKを有する。別の実施形態においては、高K材料は、少なくとも500のKを有する。いくつかの高K材料の例は、チタン酸バリウム、チタン酸ジルコニウム鉛(lead zirconium titanate)、チタン酸ストロンチウムバリウム(barium strontium titanate)、チタン酸ジルコニウムランタン鉛(lead lanthanum zirconium titanate)、二酸化チタン、及び特定のガラスフリットである。一実施形態においては、高K材料粉末の量は、組成物の1〜70%である。別の実施形態においては、高K材料粉末は、全組成物の総重量の20〜60重量%であり、且つ、更に別の実施形態においては、高K材料粉末は、全組成物の総重量の35〜50重量%である。いかなる割れの問題をも回避するために、高K材料粉末の粒径を0.5〜10ミクロンの範囲に維持することが好ましい。
様々な粉末が、PTF高K熱成形可能誘電組成物に加えられて、接着性を向上し、レオロジーを改良し、低せん断粘度を増加させ、これにより、印刷適性を向上させる。こうした粉末の一つは、水分浸透に対する耐性を顕著に向上させることが判明しているヒュームドシリカである。
典型的には、「ペースト」とも称されるPTF高K熱成形可能誘電組成物は、気体及び水分にいくらか不浸透性である、ポリカーボネートなどの基板に堆積される。又、基板は、そこに堆積される任意の金属層又は誘電層を有するプラスチックシートの組合せからなる複合材料のシートであることができる。その他の構造においては、PTF高K熱成形可能誘電組成物は、既存の銀/誘電構造に渡り堆積されることができる。
使用されるベース基板は、典型的には厚さ10ミルのポリカーボネートである。DuPont 5043(DuPont Co.,Wilmington,DE)などの熱成形可能導電銀組成物は、前述の条件に従って印刷され乾燥される。次いで、PTF高K熱成形可能誘電組成物は、銀層において使用された同一の条件の下で印刷され乾燥される。次いで、第2の高K誘電層は、同様に銀導体の上に印刷されることができる。最後に、DuPont 5043銀の上層は、印刷され乾燥されてキャパシタを形成する。全てのユニットの熱成形を含むことができる次の工程は、3D回路の製造において典型的である。高K誘電体が使用されない場合、容量性回路は、電気性能の減少を受けることなり、且つ、機能性回路は、被害を被ることになり、多くの場合に、感度及び反応性が減少する。
実施例1
PTF高K熱成形可能誘電組成物を、以下の方法で調製した。第1の有機媒体を、80.0重量%の二塩基性エステル(DuPont Co.,Wilmington,DE)有機溶剤と、20.0重量%のDesmocoll 540ポリウレタン(Bayer Material Science LLC,Pittsburgh,PA)を混合することによって調製した。樹脂の分子量は、約40,000であった。この混合物を、1〜2時間、90℃で加熱して、すべての樹脂を溶解した。第2の有機媒体を、27.0%のPKHH樹脂(InChem Corp.,Rock Hill,SC)を、73.0%の二塩基性エステルに加えて、前述の通り加熱することによって調製した。次いで、40.0重量%のチタン酸バリウム粉末(Fuji Corp)を、高K材料として加え、すべての組成物を混合した。次いで、組成物を、150psiで2つのサイクルの間、3−ロール−ミル(three−roll−mill)にかけた。
30.0重量% 第1の有機媒体
30.0重量% 第2の有機媒体
40.0重量% チタン酸バリウム粉末
であった。
回路を、実施例1に記載の通り作製した。唯一の違いは、PTF高K熱成形可能誘電組成物の代わりに、PTF水分バリア層誘電組成物を使用したことであった。
47.50重量% 第1の有機媒体
47.00重量% 第2の有機媒体
5.00重量% ジアセトンアルコール溶媒
0.50重量% ヒュームドシリカ
であった。
回路を、実施例1に記載の通り作製した。唯一の違いは、PTF高K熱成形可能誘電組成物の代わりに、UV硬化可能誘電組成物を使用したことであった。
38.35重量% Ebecryl(登録商標)8413(Cytec,Inc.)
15.00重量% Ebecryl(登録商標)110(Cytec,Inc.)
5.50重量% Ebecryl(登録商標)1300(Cytec,Inc.)
7.20重量% Ebecryl(登録商標)7100(Cytec,Inc.)
0.50重量% シリコーン流動添加物(Silicone Flow Additive)
3.00重量% Ciba(登録商標)Darocur(登録商標)1173(Ciba Specialty(Chemicals,Inc.)
0.65重量% 2,2ジエトキシアセトフェノン
1.00重量% アクリル緑色染料(Acrylic green dye)(Penn Color,Inc.)
25.00重量% Mistron(登録商標)Vapor Talc(Imerys Talc)
3.80重量% Mistron(登録商標)Ultramix Talc(Imerys Talc)
Claims (10)
- (a)50〜90重量%の第1の有機溶媒に溶解された10〜50重量%のウレタン樹脂を含む15〜50重量%の第1の有機媒体であって、前記ウレタン樹脂と前記第1の有機溶媒の重量パーセントは、前記第1の有機媒体の総重量に基づく、第1の有機媒体と、
(b)50〜90重量%の第2の有機溶媒に溶解された10〜50重量%の熱可塑性フェノキシ樹脂を含む15〜50重量%の第2の有機媒体であって、前記熱可塑性フェノキシ樹脂と前記第2の有機溶媒の重量パーセントは、前記第2の有機媒体の総重量に基づく、第2の有機媒体と、
(c)少なくとも40のKを有する高K材料の1〜70重量%の粉末と、
を含むポリマー厚膜高K熱成形可能誘電組成物であって、
前記第1の有機媒体、前記第2の有機媒体、及び前記高K材料の粉末の重量%は、前記誘電組成物の総重量に基づく、ポリマー厚膜高K熱成形可能誘電組成物。 - 前記ウレタン樹脂は、ウレタンエラストマー、又は、ポリエステル系コポリマーである、請求項1に記載のポリマー厚膜高K熱成形可能誘電組成物。
- 前記高K材料は、少なくとも500のKを有する、請求項1に記載のポリマー厚膜高K熱成形可能誘電組成物。
- 前記高K材料は、チタン酸バリウム、チタン酸ジルコニウム鉛、チタン酸ストロンチウムバリウム、及びチタン酸ジルコニウムランタン鉛からなる群から選択される、請求項1に記載のポリマー厚膜高K熱成形可能誘電組成物。
- 請求項1に記載のポリマー厚膜高K熱成形可能誘電組成物から形成された高K誘電層を含む容量性スイッチ回路。
- (a)基板と、
(b)前記基板に堆積された第1の電気導電体と、
(c)第2の電気導電体と、
を更に含み、前記高K誘電層は、前記第1の電気導電体と前記第2の電気導電体の間に堆積され、これによりキャパシタを形成する、請求項5に記載の容量性スイッチ回路。 - 請求項1に記載のポリマー厚膜高K熱成形可能誘電組成物に使用された前記高K材料は、少なくとも500のKを有する、請求項6に記載の容量性スイッチ回路。
- 前記容量性スイッチ回路は熱成形される、請求項5に記載の容量性スイッチ回路。
- 前記容量性スイッチ回路は射出成形される、請求項8に記載の容量性スイッチ回路。
- 請求項1に記載のポリマー厚膜高K熱成形可能誘電組成物から形成された高K誘電層によって分離された2つの電気導電体を含むキャパシタ。
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