JP2017517468A - 水素ガスを生成するために有機材料を反応させるためのプロセスおよび装置 - Google Patents

水素ガスを生成するために有機材料を反応させるためのプロセスおよび装置 Download PDF

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Abstract

供給装置(30)と、入口ゾーン(E)と内部空間(I)と回転軸線(R)と出口側(A)とを備えた管状炉(20)と、出発材料(1)に水(W)を添加できるように供給装置(30)または入口ゾーン(E)の領域に配設される水供給部(31)とを備えた、水素を含むガスを生成するために有機出発材料(1)を反応させるための装置(100)であって、供給装置(30)および管状炉(20)の配置および設計が、供給装置(30)により入口ゾーン(E)の領域において出発材料(1)を管状炉(20)の内部空間(I)に供給することが可能であるとともに固体材料(2)およびガス混合物(3)を管状炉(20)の出口側(A)で排出できるようなものであり、管状炉(20)が第1のゾーン(Z1)と第2のゾーン(Z2)とを含み、第1のゾーン(Z1)が入口ゾーン(E)と第2のゾーン(Z2)との間の領域にあり、かつ第2のゾーン(Z2)が第1のゾーン(Z1)と出口側(A)との間の領域にあり、管状炉(20)が、第1のゾーン(Z1)と第2のゾーン(Z2)の異なる熱誘起膨張を補償するように設計される補償器(21)を備え、管状炉(20)の出口側(A)に配設された、ガス混合物(3)を前方へ誘導するように設計されたガス誘導システム(40)が存在し、ガス誘導システム(40)の領域に配設されたガスモニタ(41)が存在し、ガスモニタ(41)がガス混合物(3)中の水素含有量を監視するように設計され、水供給部(31)がガス混合物(3)中の水素含有量に応じた調整に適している、装置(100)が開示される。

Description

本発明は、加熱システムによって加熱される高温炉に関し、かつ有機材料を合成ガスに変換するためにかかる炉を使用するプロセスに関する。具体的には、廃棄物、残留物、バイオマスおよび同様のものなどの、炭素または炭化水素を含有する出発材料の処理に好適である管状炉が含まれる。
例えば誘導コイルを用いて加熱される種々の炉が存在する。1つの例は、国際公開第09/010086号パンフレットにより知られている。更なる例が欧州特許第1495276号明細書に記載されている。
超高温が長期間にわたって存在する場合、または非常に反応性の高い材料が炉内に放出される場合には、そのような誘導炉の信頼性に関する問題が発生し得ることが分かっている。例えば、変換されるべき材料から放出された酸素は、炉壁を浸食する可能性がある。それゆえ、まず第1に酸素が炉の内部に到達するのを防止することが試みられている。この例は、国際特許出願の国際公開第09/010100号パンフレットにより知られている。しかしながら、硫黄および塩素を含有する物質は、より一層反応性が高い。硫黄および塩素は、有機材料の一般的な構成成分、例えば、その場合、残留物または同様のものである。
国際公開第09/010086号パンフレット 欧州特許第1495276号明細書 国際公開第09/010100号パンフレット
それゆえ、本発明では、高温でも反応性の高い材料に対する改善された安定性をもたらす炉を提供することが重要である。本発明はまた、炭素を含有する出発材料を、水素ガスを高い割合で含有する合成ガスに効率的に変換することに関するものでもある。
水素ガスをある割合で含むガスを生成するために有機出発材料を反応させるように設計される本発明による装置は、供給装置と、入口ゾーンと内部空間と回転軸線とを備えかつ出口側を備えた管状炉と、出発材料に水を添加できるように供給装置または入口ゾーンの領域に配設される水供給部とを備える。
供給装置および管状炉は、入口ゾーンの領域において出発材料を管状炉の内部空間に供給できるように、かつ固体材料とガス混合物を管状炉の出口側で排出できるように設計されかつ構成される。装置は、管状炉が第1のゾーンと第2のゾーンとを含み、第1のゾーンが入口ゾーンと第2のゾーンとの間の領域にあり、第2のゾーンが第1のゾーンと出口側との間の領域にあることを特徴とする。
装置は、好ましくは第1のゾーンと第2のゾーンとの間の移行エリアに配設される補償器を備えることを特徴とする。
実施形態の全ての形態において、補償器は、管状炉の第1のゾーンと第2のゾーンの異なる熱誘起膨張を補償する働きをする。
装置は、ガス誘導システムが、管状炉の出口側に配設されるとともに、ガスを前方へ誘導するように設計され、ガスモニタが、ガス誘導システムの領域に配設され、ガスモニタがガス混合物中の水素含有量を監視するように設計され、水供給部をガス混合物中の水素ガスの含有量に応じて調整できることを特徴とする。
この種類の装置は、高い、好ましくは80%を超える、水素ガス含有量(水素富化ガスとして知られる)を有するガス混合物を生成するために出発材料を効率的に反応させることを可能にする。
本発明によれば、水素富化ガスは、固体形態である僅かに湿潤性または湿潤性の有機抽出物、すなわち、有機固体物質から生成される。必要に応じて、入口側で流体成分を有機固体物質に添加/混合することができる。
出発材料(抽出物)を選択することができないので、できたとしても、限られた範囲でしか選択できないので、本発明によれば、合成の組成は、炉の出口側での合成ガス中の必要な水素含有量に応じたより多いまたはより少ない水の添加により調整される。
炉の連続して配設された2つのゾーンにおいて行われる本発明のそれらのプロセス段階後には、残存する合成ガスは、水素を最大で70体積%含む。好ましくは、残存する合成ガスは、水素を最大で80体積%含む。
水素富化ガスを、本発明の装置の出口側で排出し、例えば、燃料として使用することができる。
炉内での出発材料(抽出物)の変換は、少なくとも部分的に発熱性である。炉の2つのゾーンでの好適な処理条件を提供するために、炉には加熱システムが設けられる。好ましくは実施形態の全ての形態において、加熱システムは、外側から管状炉上に設けられ、かつ誘導的に動作することができ、ならびに/または、加熱システムは、抵抗加熱システムとすることができる。
装置の管状炉は、補償器により第1のゾーンが第2のゾーンから分離される、2つの部分として設計される。
(有機)出発材料は、入口ゾーンの領域において供給装置を通して管状炉の内部空間に供給することができる。実施形態の全ての形態において、管状炉は、好ましくは、回転対称管状炉として設計され、この管状炉の内部空間内には、管状炉の回転運動中に出発材料を管状炉の出口側の方向に搬送するために、搬送要素が整然と配設される。
高温装置は、管状炉の周面の領域に配設される(抵抗または誘導)加熱システムであって、管状炉内において、少なくとも1つの高熱ゾーン(第2のゾーン)と比較的高熱でないゾーン(第1のゾーン)を画定する(抵抗または誘導)加熱システムを備える。入口側から見て、高熱ゾーンは、比較的高熱でないゾーンの後に続く。
本発明によれば、加熱システムは、高熱ゾーンの領域において管状炉の内部空間内の、摂氏1000度を超える、好ましくは摂氏1100度〜摂氏1300度である温度を達成できるように設計される。
本発明によれば、加熱システムは、比較的高熱でないゾーンの領域において管状炉の内部空間内の、摂氏300度〜摂氏900度である温度を達成できるように設計され、この温度が好ましくは摂氏600度〜摂氏850度である。
本発明によるプロセスは、ガス状生成物への有機出発材料の変換が装置内で行われることを特徴とする。この変換は、装置の管状炉の内部空間において段階的に行われる。入口側/ゾーンにおいて、出発材料が内部空間に供給される。内部空間内の出発材料を入口側から出口側に搬送するために、管状炉を、回転軸線を中心に回転させる。本発明によれば、内部空間を通して搬送している間および反応中に、出発材料は、摂氏300度〜摂氏900度(好ましくは摂氏600度〜摂氏850度)の動作温度で第1の温度ゾーンを通過し、続いて、1000℃を超える動作温度(好ましくは摂氏1100度〜摂氏1300度)で第2の温度ゾーンを通過する。
本発明は、具体的には、(2つの部分の)抵抗加熱システムによって加熱される装置に関し、水素ガスを生成する目的で出発材料を反応させるためにかかる装置を利用するプロセスに関する。具体的には、廃棄物、残留物質、バイオマスおよび同様の材料などの、炭素および炭化水素を含有する出発材料を処理するのに好適である管状炉が含まれる。
図面を参照しながら実施形態の例の助けを借りて本発明を以下に解説する。
図1は、本発明による装置の実施形態の好ましい形態の概略側面図である。 図2は、本発明による装置の実施形態の好ましい形態の炉の概略側面図である。 図3は、本発明による装置の実施形態の好ましい形態の炉および供給装置の概略側面図を示す。 図4Aは、本発明による装置の実施形態の好ましい形態の炉の縦断面の概略側面図を示す。 図4Bは、図4Aにおける領域Bの概略拡大図を示す。
本発明をより良く説明できるように、位置および方向が以下で使用される。これらの詳細は、関連の設置状況に関係し、それゆえ、限定的であると理解されるべきではない。
本発明は、廃棄物、残留物質、バイオマスおよび同様のものなどの、炭素または炭化水素を含有する有機出発材料1、すなわち出発材料を処理するかまたは反応させることに関する。この処理または反応中に、少なくとも1つのガス混合物3と1つの固体材料2が形成される。好ましくは、一酸化炭素MOと水素H2を含有する合成ガスは、ガス混合物として生成される。処理に応じて、合成ガスは、水素ガス4を高含有量で含有する。好ましくは、水素ガスの含有量は80%を超える。
ガス混合物3はまた、COおよび未転化メタン(CH)をより少ない割合で含有することができる。
本発明によれば、出発材料および動作条件に応じて、H/COの比が4を超える、特に好ましくは5を超える。重要な点は、本発明が高い水素含有量をもたらすのにCOを還元する必要のないことである。
実施形態の好ましい形態の助けを借りてかつ図1を参照しながら本発明の詳細を以下に解説する。実施形態の更なる形態は、実施形態のその好ましい形態から得られる。
本発明による高温装置100は、有機出発材料1を変換するように特別に設計される。装置100は、供給装置30と、回転軸線Rを有する回転対称管状炉20とを備える。回転軸線Rは、典型的には、水平に配設されるかまたは僅かに傾斜している。傾斜した配置において、傾斜角度は最大で45°とすることができる。傾斜した配置では、少なくとも管状炉20が斜めになっており、出口側Aが入口ゾーンEよりも高い所に位置する。しかしながら、図1に示すように、回転軸線Rが水平方向に位置合わせされることが好ましい。
有機出発材料1を反応させて水素ガス4を生成するために、水または水蒸気供給部31が、入口ゾーンEの領域に配設される。この供給部31は、好ましくは、図1に表すように入口ゾーンEの手前の管状炉20外側に位置する。
水供給部または水蒸気供給部の調整を通じて、出発材料1は、管状炉の内部空間Iに湿潤状態で供給される。
図1による実施形態の形態は、ガス誘導システム40の領域において出口側にガスモニタ41を備える調整器または調整回路を備える。ガスモニタ31は、直接的または間接的に(例えば、仲介コンピュータを介して)、調節信号S1が供給部31に送出されることを可能にする。制御変数としても知られる、この調節信号S2を用いて、送給される水または水蒸気の量を、例えば、弁、ポンプまたはフラップ(ここではアクチュエータ32として表される)によって調整することができる。
実施形態の全ての形態では、ガスモニタ41として、例えば、電気化学式水素センサまたは電気化学式水素測定セルを備える、ガスモニタ41を使用することができる。
実施形態の全ての形態において、ガスモニタ41は、例えば、ガス混合物3中の水素含有量についての情報を提供する測定信号を送出することができる。制御変数S1を提供するために、この測定信号を直接的または間接的に(例えばコンピュータを介して)使用することができ、制御変数S1は、アクチュエータ32を介して水の添加量に影響を及ぼす。
一方では、水素含有量4の多いガス混合物3を生成するために出発材料1の効率的な反応を可能にする目的で、十分な量の水を入口側で添加しなければならない。他方では、出発材料1が比較的高温でない温度T1で第1のゾーンZ1を、次いでより高温T2で第2のゾーンZ2を通過する2段階反応が行われなければならない。
T2>T1が当てはまる。好ましくは、T1は、摂氏300度〜摂氏900度である。特に好ましくは、T1は、摂氏600度〜摂氏850度である。好ましくは、T2は1000℃を超える。特に好ましくは、T2は、摂氏1100度〜摂氏1300度である。
研究および試験は、上記の温度範囲では、2段階の温度処理中に、反応性の高い成分が、管状炉20の材料を浸食する湿った出発材料から生成されることを示している。それゆえ、本発明によれば、第1のゾーンZ1の材料が第2のゾーンZ2の材料とは異なる状態で、特別な材料を使用しなければならない。
本発明によれば、ゾーンZ1およびZ2の各々は、より大きな損傷を受けずに永続的に利用できる管状炉20を得るために個別に最適化されなければならない。
好ましくは実施形態の全ての形態において、管状炉20が、第1のゾーンZ1では、耐熱性金属または耐熱性合金を含み、好ましくはニッケル合金が使用される。
本明細書の目的では、ニッケル合金は、重量%で他の金属元素よりもニッケルを多く含む合金である。好ましくは、摂氏900度までの温度範囲での腐食および酸化に耐性があるニッケル合金が使用される。管状炉20の第1のゾーンZ1の領域において材料として使用するためには、反応性の高いガス成分に対する耐性も重要である。上述の全ての材料は、ハロゲンイオンおよび/または硫化水素に耐性がなければならない。
主成分としてのニッケルに加えて、実施形態の全ての形態では、クロムもまた、第1のゾーンZ1の材料の重要な2次成分である。加えて、以下の元素、鉄、モリブデン、ニオブ、コバルト、マンガン、銅、アルミニウム、チタン、ケイ素、炭素、硫黄、リンまたはホウ素のうちの1つまたは複数がニッケル合金に含まれ得る。
Special Metals Corporation社によるInconel(登録商標)またはInconel合金が特に好適である。
実施形態の全ての形態において、第2のゾーンZ2の領域には、管状炉20は、好ましくは、管状炉20の内部空間I内の反応性の高いガスおよび高温T3に対する保護材として働く材料を含む。
第2のゾーンZ2の領域において、管状炉20は、高耐熱性セラミックコーティングを有する耐熱性金属、高耐熱性セラミック強化材を有する耐熱性金属、高耐熱性セラミック骨材を有する耐熱性金属、金属とセラミックの高耐熱性化合物、または高耐熱性セラミック材料を含み、セラミック材料が、好ましくは、以下の群の成分、すなわち、酸化アルミニウム(Al)、炭化ケイ素(SiC)、窒化ケイ素(Si)のうちの1つを含む。
実施形態の全ての形態において、管状炉20を1ピース(例えば、内側が異なってコーティングされる1つの管)または2ピース(例えば、セラミック材料の1つの長手方向セクションと耐熱性金属の1つの長手方向セクション)のいずれかで構成することができる。
上記の管状炉(20)材料は非常に異なっており、それら材料を管状炉において耐久性のある状態で互いに組み合わせることができないことが示されている。それゆえ、本発明は、例えば図1に示すように、第1のゾーンZ1を第2のゾーンZ2から分離できる補償器21を使用する。しかしながら、補償器21はまた、その設計に応じて、別の位置に配設することができる。
実施形態の全ての形態において、本発明の補償器21は、基本的に2つの役割を果たすように設計される。第1に、補償器21は、使用される材料の大きな温度差と異なる膨張係数とに起因して管状炉20の第1のゾーンZ1と第2のゾーンZ2との間に(例えば、2ピース管状炉において)発生する可能性のある機械的応力を補正または補償する働きをする。第2に、実施形態の全ての形態において、補償器21は、好ましくは、ゾーンZ1とZ2との間に気密接続部を形成する。したがって、実施形態の全ての形態において、補償器21は、好ましくは、高温に耐性があり、可撓性でかつ気密性であるように設計される。
実施形態の全ての形態において、補償器21は、好ましくは、ケイ酸塩、例えば、天然雲母質鉱物、好ましくは金雲母、または合成雲母と、無機的に結合したガラス/雲母の組み合わせと、黒鉛材料とを含み、実施形態の全ての形態において、適切な材料が摂氏1200度を超える融点を有する。
実施形態の全ての形態において、最終段落に記載された材料は、好ましくは、第1のゾーンZ1の材料と第2のゾーンZ2の材料との間の領域に配設される。
実施形態の全ての形態において、補償器21は、好ましくは、ケイ酸塩、ガラス/雲母の組み合わせまたは黒鉛材料に加えてまたはそれに代えて、セラミック織物を含む。
実施形態の全ての形態において、セラミック織物のマットは、好ましくは補償器21の構成要素として使用される。金属酸化物繊維のマットが特に好ましい。3M社によりNextel(商標)という名称で販売されているマットが極めて特に好ましく、それらマットは、摂氏1200℃を超える温度で使用されるように設計されているはずである。
好ましくは、実施形態の全ての形態において、補償器21は、図4Aおよび図4Bに示すように設計される。
図4Aおよび図4Bのこの補償器21は、管状炉20に接続されるとともに、固定軸受50に対して摺動可能に設けられ/支えられる。熱誘起膨張が発生した際には、補償器21を、図4Aに両方向矢印P1で示すように、軸受50に対して変位させる。
実施形態の全ての形態において、補償器21は、好ましくは、管状炉に装着または焼き嵌めされる鋼製ホルダまたは鋼製リング51を備える。鋼製ホルダまたは鋼製リング51は、好ましくは、管状炉20の周囲を360°取り囲む。
ゾーンZ1とZ2との間の移行エリアにおいて、補償器21および/または管状炉20は、実施形態の全ての形態において、好ましくは、管状炉20の周囲を360°取り囲むセラミック製の取付具またはリングを備える。
ゾーンZ1とZ2との間の移行エリアにおいて、補償器21および/または管状炉21は、好ましくは、管状炉20に直接的または間接的に内側が接続される回転組立体53を備え、回転組立体53が、回転軸線Rに平行に軸受50に対して摺動可能に管状炉20の外周面で支持している。
好ましくは実施形態の全ての形態において、管状炉20は、管状炉20の長手方向の熱誘起膨張を回転軸線Rに平行に許容するために入口ゾーンEおよび/または出口側Aの領域において摺動可能に支持される。
好ましくは実施形態の全ての形態において、出口側Aの領域では、管状炉20は、出口側Aの領域において、長手方向の膨張が発生した際には、管状炉20が回転軸線Rに平行にガス誘導システム40内に所定の距離だけ入り込むようにして支えられる。
好ましくは実施形態の全ての形態において、ガス誘導システム40のエリアでは、汚染物質および/または一酸化窒素および/または重金属をガス混合物から分離するように設計されるガス洗浄器42が使用される。
合成ガス清浄化用に設計されたガス洗浄器42が特に好適である。そのようなガス洗浄器はよく知られている。
例えば、Air Liquide社による酸性ガス除去(AGR)プロセスを使用することができる。このプロセスは、酸性ガス洗浄を含む。しかしながら、冷メタノールを溶媒として利用する、Rectisol(登録商標)を物理吸収のために使用することもできる。
好ましくは実施形態の全ての形態において、ガス誘導システム40の領域では、水素を分離するための装置43は、水素濃度が70%を超える(好ましくは80%を超える)水素ガス4および残留ガス5が排出される出口側で使用される。
装置43は、例えば、水素を分離するための(選択性ガス分離)膜を備えることができる。水素分離用の装置43が知られている。
図1は、本発明による第1の例の装置100を示している。装置100は、左から右に見て、以下の構成要素および要素を備える。
出発材料/使用される材料1を送給するように設計された任意選択の漏斗7。
出発材料/使用される材料1を炉20の内部空間に搬送するための(例えば、内部ウォームまたはコンベヤベルトを備えた)搬送要素33。
ここでは搬送要素33の領域に配設されるとともに、水量を調整するためのアクチュエータ32を備える水(または水蒸気)供給部31。
管状炉20を回転可能に支持するための軸受要素/軸受/回転組立体35。出発材料/使用されるべき材料1を送り込むための入口ゾーンE。
管状炉20は、補償器21により互いに空間的に分離される第1のゾーンZ1および第2のゾーンZ2を含む。
好ましくは炉20の壁23内または壁23上に配設される加熱システム27(図示せず)。
(清浄な無機材料として)固体材料2を、およびガス混合物3を排出するように設計された出口側A。
出口側Aの領域には、例えば、固体材料2を分離するための分離器44が存在し得る。
出口側Aの領域には、ガス混合物3を前方へ誘導するように設計されたガス誘導システム40が存在する。
ガス誘導システム40の領域には、ガス洗浄器42を配設することができる。
ガス誘導システム40の領域には、現時点で存在する水素量(水素含有量)を測定できるように、ガスモニタ41が配設される。
ガスモニタ41は、(例えば、信号線を介して)アクチュエータ32に直接的または間接的に接続される。
水素を分離するための装置43をガス誘導システム40の領域に配設することができる。この装置43は、流れ方向に見て、ガスモニタ41の下流側に位置する。
図2は、本発明による装置100の一部を形成し得る炉20の更なる例を示している。炉20は、左から右に見て、以下の構成要素および要素を備える。
出発材料/使用されるべき材料1を送り込むための入口ゾーンE。
補償器21により互いに空間的に分離される第1のゾーンZ1および第2のゾーンZ2。
ここでは炉20の壁23内または壁23上に配設される加熱システム27。第2のゾーンZ2の領域において、加熱システム27は、第1のゾーンZ1の領域における熱出力よりも高い熱出力を有することができる。内部空間内で行われるプロセスは少なくとも部分的に発熱性であるので、第2のゾーンZ2の領域における加熱出力が、実施形態の全ての形態においてより高い加熱出力である必要はない。
炉20内における内部搬送羽根24。
(清浄な有機材料として)固体材料2を、およびガス混合物3を排出するように設計された出口側A。
炉20を回転駆動するための搬送ローラ36および/または回転組立体。
図2は、本発明による装置100の一部であり得る更なる例の炉20を示している。炉は、右から左に見て、以下の構成要素および装置を備える。
供給装置30の一部を形成するとともに、出発材料/使用される材料1を炉20の内部空間に供給する(例えば、内部ウォームまたはコンベヤベルトを備えた)搬送要素33。ここでは、出発材料/使用される材料1は、例えば、材料供給装置6を通して上方から搬送要素に到達することができる。
管状炉20を回転可能に支持するための軸受要素/軸受35。
出発材料/使用される材料1を送り込むための入口ゾーンE。
ここでは搬送要素33の領域に配設されるとともに、所定量の水Wを(水蒸気WDとして)炉20の内部空間Iに直接的に供給する水(または水蒸気)供給部31。
管状炉20は、補償器21により互いに空間的に分離される第1のゾーンZ1および第2のゾーンZ2を含む。
ここでは炉20の壁23内または壁23上に配設される加熱システム27。第2のゾーンZ2の領域において、加熱システム27は、第1のゾーンZ1の領域における熱出力よりも高い熱出力を有することができる。内部空間I内で行われるプロセスは少なくとも部分的に発熱性であるので、第2のゾーンZ2の領域における加熱出力が、実施形態の全ての形態においてより高い加熱出力である必要はない。
(清浄な有機材料として)固体材料2、およびガス混合物3を排出するように設計された出口側A。
ガス混合物3を除去するためのガス誘導システム40。
出口側Aの領域にはまたはガス誘導システム40には、水(または水蒸気)供給部26(例えば、水噴射部)を任意選択的に配設することができる。
出口側Aの領域には、例えば、固体材料2を分離するための分離器44および収集容器45を配設することができる。
1 出発材料/使用される材料
2 固体材料/清浄な有機材料
3 ガス混合物
4 水素ガス
5 残留ガス
6 材料供給部
7 漏斗
20 管状炉
21 補償器
23 管壁
24 搬送羽根
25 (カウンタ)軸受
26 水(または水蒸気)供給部
27.1 予熱システム
27.2 主加熱システム
30 供給装置
31 水(または水蒸気)供給部
32 アクチュエータ
33 搬送要素/ウォーム
34 パイプ
35 軸受要素/軸受/回転組立体
36 搬送ローラ
40 ガス誘導システム
41 ガスモニタ
42 ガス洗浄器
43 水素分離装置
44 分離器
45 収集容器
50 軸受
51 鋼製ホルダまたは鋼製リング
52 セラミック製の取付具またはリング
53 回転組立体
100 装置
A 出口側
E 入口ゾーン
I 内部空間
P1 両方向矢印
R 回転軸線
S1 制御変数
W 水含有量(水または水蒸気)
WD 水蒸気
Z1 第1のゾーン
Z2 第2のゾーン

Claims (18)

  1. 供給装置(30)と、
    入口ゾーン(E)と内部空間(I)と回転軸線(R)と出口側(A)とを備えた管状炉(20)と、
    出発材料(1)に水(W)を添加できるように前記供給装置(30)または入口ゾーン(E)の領域に配設される水供給部(31)とを備えた、水素を含むガスを生成するために前記有機出発材料(1)を反応させるための装置(100)であって、
    前記供給装置(30)および前記管状炉(20)が、前記供給装置(30)により前記入口ゾーン(E)の領域において前記出発材料(1)を前記管状炉(20)の前記内部空間(I)に供給することが可能であるとともに固体材料(2)およびガス混合物(3)を前記管状炉(20)の前記出口側(A)で排出できるようにして配設されかつ設計され、
    前記管状炉(20)が第1のゾーン(Z1)と第2のゾーン(Z2)とを含み、前記第1のゾーン(Z1)が前記入口ゾーン(E)と前記第2のゾーン(Z2)との間の領域にあり、かつ前記第2のゾーン(Z2)が前記第1のゾーン(Z1)と前記出口側(A)との間の領域にあり、
    前記管状炉(20)が、前記第1のゾーン(Z1)と前記第2のゾーン(Z2)の異なる熱誘起膨張を補償するように設計される補償器(21)を備え、
    前記ガス混合物(3)を前方へ誘導するように設計されたガス誘導システム(40)が、前記管状炉(20)の前記出口側(A)に配設され、
    ガスモニタ(41)が、前記ガス誘導システム(40)の領域に配設され、前記ガスモニタ(41)が前記ガス混合物(3)中の水素含有量を監視するように設計され、
    前記水供給部(31)を前記ガス混合物(3)中の前記水素含有量に応じて調整できることを特徴とする、装置(100)。
  2. 前記補償器(21)が、前記第1のゾーン(Z1)と前記第2のゾーン(Z2)との間の移行エリアに配設されることを特徴とする、請求項1に記載の装置(100)。
  3. 前記補償器(21)が、前記管状炉(20)に接続されるとともに、固定軸受(50)に対して摺動するように設計され、熱誘起膨張が発生した際には、前記補償器(21)を前記軸受(50)に対して変位させることを特徴とする、請求項1または2に記載の装置(100)。
  4. 前記管状炉(20)が、前記管状炉(20)の長手方向の熱誘起膨張を許容するために前記入口ゾーン(E)および/または前記出口側(A)の領域において摺動可能に支持されることを特徴とする、請求項1から3のいずれか一項に記載の装置(100)。
  5. 前記水供給部(31)の領域には、前記ガスモニタ(41)により提供される制御変数(S1)によって前記水供給部(31)を調整することを可能にするアクチュエータ(32)が配設されることを特徴とする、請求項1から4のいずれか一項に記載の装置(100)。
  6. 前記第1のゾーン(Z1)の領域において前記出発材料(1)を摂氏300度〜摂氏900度の温度にするために、前記第1のゾーン(Z1)の領域において、前記管状炉(20)には、予熱システム(27.1)、好ましくは電気予熱システムが設けられ、好ましくは前記温度が摂氏600度〜摂氏850度であることを特徴とする、請求項1から5のいずれか一項に記載の装置(100)。
  7. 前記第1のゾーン(Z1)の領域には、前記管状炉(20)が、耐熱性金属または耐熱性合金を含み、好ましくはニッケル合金、特に好ましくはInconelまたはInconel合金が使用されることを特徴とする、請求項1から5のいずれか一項に記載の装置(100)。
  8. 前記第2のゾーン(Z2)の領域において前記出発材料(1)を、摂氏1000度を上回る、好ましくは摂氏1100度〜摂氏1300度の範囲である高温にすることができるように、前記第2のゾーン(Z2)の領域において、前記管状炉(20)には、主加熱システム(27.2)、好ましくは電気加熱システムが設けられることを特徴とする、請求項1から6のいずれか一項に記載の装置(100)。
  9. 前記第2のゾーン(Z2)の領域において、前記管状炉(20)が、前記管状炉(20)の前記内部(I)において反応性の高いガスおよび高温から保護する働きをする材料を含むことを特徴とする、請求項8に記載の装置(100)。
  10. 前記第2のゾーン(Z2)の領域において、前記管状炉が、
    高耐熱性セラミックコーティングを有する耐熱性金属、
    高耐熱性セラミック強化材を有する耐熱性金属、
    高耐熱性セラミック骨材を有する耐熱性金属、
    金属とセラミックの高耐熱性化合物、または
    高耐熱性セラミック材料を含み、
    前記セラミック材料が、好ましくは、以下の群の成分、すなわち、酸化アルミニウム(Al)、炭化ケイ素(SiC)、窒化ケイ素(Si)のうちの1つを含むことを特徴とする、請求項8に記載の装置(100)。
  11. 前記水供給部(31)は、前記出発材料(1)が前記管状炉(20)内に供給される前に前記水供給部(31)が前記出発材料(1)に調整可能な量の水(W)を添加できるようにして前記供給装置(30)の領域に配設されることを特徴とする、請求項1から6のいずれか一項に記載の装置(100)。
  12. 前記管状炉(20)をその回転軸線(R)を中心に回転させることで前記管状炉(20)を通して前記入口ゾーン(E)から前記出口側(1)に前記出発材料(1)を搬送するように設計される搬送ウォームおよび/または搬送羽根(24)が、前記管状炉(20)の前記内部空間(I)内に配設され、前記搬送ウォームおよび/または前記搬送羽根(24)が、前記第1のゾーン(Z1)の領域には、好ましくは高耐熱性金属合金を、および前記第2のゾーン(Z2)の領域には、好ましくは高耐熱性セラミック材料を含むことを特徴とする、請求項1から11のいずれか一項に記載の装置(100)。
  13. 前記補償器(21)が好ましくは、雲母質材料、好ましくは金雲母と、無機的に結合したガラス/雲母の組み合わせとを含み、前記補償器(21)が前記第1のゾーン(Z1)の前記材料と前記第2のゾーン(Z2)の前記材料との間の範囲に配設されることを特徴とする、請求項1から3のいずれか一項に記載の装置(100)。
  14. ガス圧力計が前記ガスモニタとして機能することを特徴とする、請求項1から13のいずれか一項に記載の装置(100)。
  15. ガス誘導システム(40)の領域には、汚染物質および/または一酸化窒素および/または重金属をガス混合物(3)から分離するように設計されるガス洗浄器(42)が配設されることを特徴とする、請求項1から14のいずれか一項に記載の装置(100)。
  16. 流れ方向に見て、前記ガスモニタ(41)後方の、前記ガス誘導システム(40)の領域には、水素を分離するための装置(43)が配設され、前記装置(43)の出口側では水素濃度が80%を超える水素(4)および残留ガス(5)が提供されることを特徴とする、請求項1から15のいずれか一項に記載の装置(100)。
  17. 前記管状炉(20)の前記出口側(A)の領域には、好ましくは前記ガス誘導システム(40)の領域には、固体物質用の分離器(44)が配設されることを特徴とする、請求項1から16のいずれか一項に記載の装置(100)。
  18. 前記装置(100)には、炭素または炭化水素を含有する出発材料(1)が送給されることと、前記出口側で、水素を含有するガス混合物(3)を得ることができることとを特徴とする、請求項1から17のいずれか一項に記載の装置(100)の使用。
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