JP2017512483A5 - - Google Patents

Claims (22)

1. サンプル中のナノスケール検体を単離するための装置であって、装置は：
   （ａ）ハウジング；および
   （ｂ）ハウジング内の交流（ＡＣ）電極であって、ＡＣ電極は、ＡＣの界面動電の高電界およびＡＣの界面動電の低電界の領域を確立するために選択的に電力が加えられるように構成され、ＡＣ電極はさらに、ＡＣ電極近傍の領域間または実質的に範囲外の領域の流体の流動と比較して、ＡＣ電極近傍の周辺または範囲内の流体の流動を縮小、分裂、または変更するためにＡＣ電極内部に構成される導電物質を含み、ＡＣ電極は３次元的に構成され、および、導電物質は個々のＡＣ電極の端部に存在する、ＡＣ電極を含むことを特徴とする装置。
2. 導電物質はオープンディスク形状の不連続の曲線として構成される、請求項１に記載の装置。
3. 導電物質は波線形状として構成される、請求項１に記載の装置。
4. 導電物質は中空の三角形のチューブ形状に構成される、請求項１に記載の装置。
5. 導電物質は中心部が突出した中空のリング形状として構成される、請求項１に記載の装置。
6. 導電物質はハイドロゲルコーティングを含む、請求項１に記載の装置。
7. サンプル内のナノスケール検体を単離するための方法であって、当該方法は、
   （ａ）装置へサンプルを加える工程であって、前記装置はＡＣ界面動電の高電界領域およびＡＣ界面動電の低電界領域を確立することが可能であるＡＣ電極のアレイを含み、前記ＡＣ電極は３次元的に構成され、領域間または実質的に近傍の範囲外の領域の流体の流動と比較して、ＡＣ電極近傍の周辺または範囲内の流体の流動を縮小、分裂、または変更する、個々のＡＣ電極の端部に存在する導電物質を含む工程；
   （ｂ）少なくとも１つのＡＣの界面動電の電界領域を生成する工程であって、前記の少なくとも１つのＡＣの界面動電の電界領域は誘電泳動の高電界領域である工程；および、
   （ｃ）誘電泳動の高電界領域のナノスケール検体を単離する工程、
   を含むことを特徴とする方法。
8. 導電物質はアレイの個々の電極の端部にのみ存在する、請求項７に記載の方法。
9. 電極のアレイは３次元的に構成され、電極内の導電物質の総表面積を増大させる、請求項７に記載の方法。
10. 電極中の導電物質は傾斜させて構成される、請求項７に記載の方法。
11. 電極内の導電物質は隣接する平面電極表面が１８０度未満または６０度以上の角度となるように構成される、請求項７に記載の方法。
12. 電極内の導電物質は窪んだ凹形状に構成される、請求項７に記載の方法。
13. 導電物質は中空の三角形のチューブ形状に構成される、請求項７に記載の方法。
14. 導電物質は中心部が突出した中空のリング形状として構成される、請求項７に記載の方法。
15. 電極は非円形の構成である、請求項７に記載の方法。
16. 非円形の構成の間の配向角は２５度から９０度の間である、請求項１５に記載の方法。
17. 非円形構成は、波線状の構成を含み、非円形の構成はリンカーによって接続された１対のドットの形状を含む反復ユニットを含み、リンカーはドットの対の間の中間点に向かって内側へ細くなっていき、ドットの直径は反復ユニットの長さに沿って最も幅広な２点間であり、反復ユニットの平行のセットの端から端までの距離は等距離またはほぼ等距離である、請求項１５に記載の方法。
18. 電極は１つ以上の浮遊電極を含む、請求項７に記載の方法。
19. 浮遊電極はＡＣ動電学的領域を確立するために電力を加えられていない、請求項１８に記載の方法。
20. 浮遊電極は電力を加えられた電極を囲む、請求項１８に記載の方法。
21. アレイ中の浮遊電極はアレイ中の非浮遊電極によって引き起こされる電界より高い勾配である電界を引き起こす、請求項１８に記載の方法。
22. 導電物質はハイドロゲルコーティングを含む、請求項７に記載の方法。