JP2017512353A - 薄型磁気抵抗イメージセンサアレイ - Google Patents
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Abstract
Description
a)少なくとも1つの感知素子アレイであって、少なくとも1つの磁気抵抗感知素子を備える少なくとも1つの感知素子アレイと、
b)少なくとも1つの感知素子アレイ基板であって、前記各感知素子アレイが1つの前記感知素子アレイ基板の上端面上に位置され、前記各感知素子アレイ基板が下端面を更に備える、少なくとも1つの感知素子アレイ基板と、
c)誘導面であって、前記感知素子アレイの幾何学的中心を通過するとともに前記感知素子アレイ基板の前記上端面と平行な誘導面と、
d)システム回路網であって、前記感知素子アレイに電子的に接続される1つ以上の用途集積回路を備えるシステム回路網と、
を備え、
前記媒体へ向かう方向で、前記電子サブアセンブリが前記誘導面と平行な最大延在面を有し、最大延在距離が前記誘導面と前記最大延在面との間に形成され、前記最大延在距離を減少させる前記集積回路及び前記感知素子アレイ基板の位置配置及び電気的接続により、前記最大延在距離が150μm以下にされる、薄型磁気抵抗イメージセンサアレイ。
1.ハウジング61及び充填材62を除く薄型磁気抵抗イメージセンサアレイの磁性素子及び電子素子の全てを含む電子サブアセンブリ又は真性センサアレイアセンブリ、
2.電子サブアセンブリ及び充填材62を含む成形サブアセンブリ、
3.ハウジング61及びパッケージ化された電子サブアセンブリを含む密封アセンブリ。
Claims (15)
- 磁気マークを担持する媒体から画像を読み取るための薄型磁気抵抗イメージセンサアレイであって、電子サブアセンブリを備え、該電子サブアセンブリは、
a)少なくとも1つの感知素子アレイであって、少なくとも1つの磁気抵抗感知素子を備える少なくとも1つの感知素子アレイと、
b)少なくとも1つの感知素子アレイ基板であって、前記各感知素子アレイが1つの前記感知素子アレイ基板の上端面上に位置され、前記各感知素子アレイ基板が下端面を更に備える、少なくとも1つの感知素子アレイ基板と、
c)誘導面であって、前記感知素子アレイの幾何学的中心を通過するとともに前記感知素子アレイ基板の前記上端面と平行な誘導面と、
d)システム回路網であって、前記感知素子アレイに電子的に接続される1つ以上の用途集積回路を備えるシステム回路網と、
を備え、
前記媒体へ向かう方向で、前記電子サブアセンブリが前記誘導面と平行な最大延在面を有し、最大延在距離が前記誘導面と前記最大延在面との間に形成され、前記最大延在距離を減少させる前記集積回路及び前記感知素子アレイ基板の位置配置及び電気的接続により、前記最大延在距離が150μm以下にされる、薄型磁気抵抗イメージセンサアレイ。 - 複数の前記用途集積回路の一部又は全部がASIC基板の上端面上及び/又は下端面上に集積される請求項1に記載の薄型磁気抵抗イメージセンサアレイ。
- 前記ASIC基板が前記感知素子アレイ基板の前記下端面よりも下側に位置され、前記ASIC基板により機能的に支持される前記感知素子アレイが前記下端面上に位置され、1つの前記ASIC基板が任意の量の前記感知素子アレイを支持する請求項2に記載の薄型磁気抵抗イメージセンサアレイ。
- 前記ASIC基板により機能的に支持される感知素子サブアレイがその上に位置される前記ASIC基板及び前記感知素子アレイ基板は、硬質支持体上に平行に配置され、1つの前記ASIC基板が任意の量の前記感知素子アレイを支持し、前記ASIC基板の前記上端面が前記誘導面よりも下側にある請求項2に記載の薄型磁気抵抗イメージセンサアレイ。
- 複数の前記用途集積回路の一部又は全部が前記感知素子アレイ基板の前記上端面上及び/又は前記下端面上に集積される請求項1に記載の薄型磁気抵抗イメージセンサアレイ。
- 前記システム回路網が貫通チップビア及び/又は半田バンプを備え、前記貫通チップビア及び/又は半田バンプは、前記システム回路網に対して長手方向の電気的接続の一部又は全部をもたらす請求項1から5のいずれか一項に記載の薄型磁気抵抗イメージセンサアレイ。
- 前記貫通チップビアによりもたらされる長手方向の電気的接続は、前記感知素子アレイ基板の前記上端面から前記感知素子アレイ基板の前記下端面まで及び/又は前記ASIC基板の上端面から前記ASIC基板の下端面までの長手方向の電気的接続、及び/又は、前記感知素子基板から前記ASIC基板までの長手方向の電気的接続を備える請求項6に記載の薄型磁気抵抗イメージセンサアレイ。
- 電源及び信号出力/入力デバイスを備え、前記電源及び前記信号出力/入力デバイスが前記システム回路網に電気的に接続される請求項1に記載の薄型磁気抵抗イメージセンサアレイ。
- フレキシブルプリント回路及び/又はPCBを備え、前記フレキシブルプリント回路及び/又はPCBは、前記システム回路網に対する所要の電気的接続の一部又は全部をもたらし、前記電源及び前記信号出力/入力デバイスが前記フレキシブルプリント回路上及び/又は前記PCB上に形成される請求項8に記載の薄型磁気抵抗イメージセンサアレイ。
- 前記電子サブアセンブリが外部にハウジングを有し、前記ハウジングがハウジング上端面及びハウジング下端面を有し、前記ハウジング下端面と前記誘導面との間の最大距離が150μm以下である請求項1に記載の薄型磁気抵抗イメージセンサアレイ。
- 前記感知素子アレイ基板よりも下側に位置される永久磁石と、前記永久磁石と前記感知素子アレイ基板との間に位置される磁気バイアスデバイスとを備える請求項1に記載の薄型磁気抵抗イメージセンサアレイ。
- 前記磁気抵抗感知素子は、TMR、AMR、GM、及び/又は、ホール感知素子である請求項1に記載の薄型磁気抵抗イメージセンサアレイ。
- 前記用途集積回路は、電力回路、電力選択スイッチ、素子選択回路、差動増幅回路、ADC回路、高速記憶回路、画像記憶回路、長期記憶回路、MCU回路、及び、入力/出力回路、データ解析器、並びに、データ信号変換器のうちの1つ以上を備える請求項1に記載の薄型磁気抵抗イメージセンサアレイ。
- 充填材を備え、前記充填材が前記電子サブアセンブリ上に保護層を形成し、前記保護層が前記電子サブアセンブリから離間される或いは離間されない請求項1に記載の薄型磁気抵抗イメージセンサアレイ。
- 前記ハウジングと前記電子サブアセンブリとの間の隙間に充填されて前記電子サブアセンブリ上に覆われる充填材を備える請求項10に記載の薄型磁気抵抗イメージセンサアレイ。
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