JP5195963B2 - 磁気センサ装置 - Google Patents
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Description
図1は、この発明の実施の形態1における磁気センサ装置の被検出体(被検知物)の搬送方向から見た断面図である。図2は、この発明の実施の形態1における磁気センサ装置の被検出体の挿排出方向から見た断面図である。図1及び図2において、筐体1は内部に中空部2を有し、筐体1の一方の側面(側壁)に読取り幅(被検出体の搬送方向と直交する方向)に亘って第1のスリット部3を備え、他方の側面(側壁)に第1のスリット部3に平行に第2のスリット部4を備え、中空部2を介して第1のスリット部3と第2のスリット部4とが接続されており、例えば、被検出体である磁性パターンを含んだ紙幣5は第1のスリット部3から挿入され、中空部2を搬送経路として搬送され、第2のスリット部4から排出される。
図11は、この発明の実施の形態2における磁気センサ装置の中空部2から多層基板9側を見たAMR素子10の実装状態を示す上面図である。図11において、図4と同一の構成要素には同一符号を付しその説明を省略する。図11において、AMR素子10の抵抗体パターン102aは矩形形状の長辺が読取り幅方向(Y軸方向)に延在するように配置され、抵抗体パターン102cは矩形形状の長辺が搬送方向(X軸方向)に延在するように配置され、抵抗体パターン102aと102cとは直列接続され、この直列接続部がAMR素子10の電極101bに、抵抗体パターン102aの他方が電極101aに、抵抗体パターン102bの他方が電極101cに接続されている。
図14は、この発明の実施の形態3におけるライン型磁気センサ装置の中空部2から多層基板9側を見たAMR素子10の実装状態を示す上面図である。図14において図11と同一の構成要素には同一符号を付しその説明を省略する。図14において、多層基板9の穴部9aに、読取り幅方向(Y軸方向)に亘ってAMR素子10がアレイ状に実装されている。動作については、この発明の実施の形態2の磁気センサ装置と同じである。なお、AMR素子10の抵抗体パターンは図11に示す実施の形態2の抵抗体パターンを用いたが図13に示す抵抗体パターンを用いても良く、また図4及び図9に示す実施の形態1の抵抗体パターンを用いてもよい。
図15は、この発明の実施の形態4におけるライン型磁気センサ装置の構造図である。図15(a)は、正面図であり、図15(b)は、A部拡大図である。図15において、図1と同一の構成要素には同一符号を付しその説明を省略する。アルミニウム等の非磁性体の金属で形成された金属キャリア191の中空部2側の表面に複数のAMR素子10が隣接してアレイ状に接着剤で実装され、AMR素子10のアレイの周囲には、ガラスエポキシ等の樹脂で形成された基板192が金属キャリア191の中空部2側の表面に接着されている。AMR素子10の表面は、エポキシ等の非導電性の樹脂13にて基板192の表面を越えないように封止されている。金属キャリア191の他方の面には第1の磁石6が設けられている。
図16は、この発明の実施の形態5におけるライン型磁気センサ装置の構造図である。なお、図16は図15(b)に相当する箇所の拡大図である。図16において、図15と同一の構成要素には同一符号を付しその説明を省略する。基板192の中空部2側の表面全体とAMR素子10を封止している樹脂13の中空部2側の表面全体とを覆うように、アルミニウム等の非磁性体の金属で形成された電気シールド板31が設けられている。
図17は、この発明の実施の形態6におけるライン型磁気センサ装置の構造図である。なお、図17は図15(b)に相当する箇所の拡大図である。図17において、図15と同一の構成要素には同一符号を付しその説明を省略する。基板192の中空部2側の表面全体とAMR素子10を封止している樹脂13の中空部2側の表面全体とを覆うように、樹脂や非磁性体の金属で形成されたメンテナンスプレート32が設けられている。メンテナンスプレート32は、AMR素子10のアレイ方向におけるメンテナンスプレート32の両端部を、ねじ等を用いて着脱可能な状態で金属キャリア191や第1の筐体1aに固定されている。
図18は、この発明の実施の形態7におけるライン型磁気センサ装置の構造図である。図18(a)は、正面図であり、図18(b)は、B部拡大図である。図18において、図15と同一の構成要素には同一符号を付しその説明を省略する。図18において、図15における第1の筐体1aは、第1の磁石6を保持する保持ブロック1dと、保持ブロック1dを保持し、第2の筐体1bと嵌合する嵌合ブロック1cに分割されている。保持ブロック1dは、アジャスター41を介して上下に可動可能な状態で嵌合ブロック1cに固定されている。
図19は、この発明の実施の形態8における搬送手段を含む磁気センサ装置の構造図である。図19において、図1及び図15と同一の構成要素には同一符号を付しその説明を省略する。図19において、第1のスリット部3は上下にテーパ部3aを備えた形状を成している。上下のローラからなる搬送ローラ61は紙幣5を高速で搬送し、第1のスリット部へと搬送する。
図20は、この発明の実施の形態9における磁気センサ装置の被検出体(被検知物)の搬送方向から見た断面図である。図20において、図1と同一の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。この発明の実施の形態9においては、図1に示すこの発明の実施の形態1から、AMR素子10を搬送方向(X軸方向)にずらして配置している。
図24は、この発明の実施の形態10における磁気センサ装置の被検出体(被検知物)の搬送方向から見た断面図である。図24において、図1と同一の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。この発明の実施の形態10においては、図1に示すこの発明の実施の形態1から、第1の磁石6の横に第1の磁石用ヨーク81と第2の磁石7の横に第2の磁石用ヨーク82を配置している。
図26は、この発明の実施の形態11における磁気センサ装置の被検出体(被検知物)の搬送方向から見た断面図である。図26において、図20と同一の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。この発明の実施の形態11においては、図20に示すこの発明の実施の形態9から、第1の磁石6横に第1の磁石用ヨーク81と第2の磁石7の横に第2の磁石用ヨーク82を配置している。
1a 第1の筐体
1b 第2の筐体
1c 嵌合ブロック
1d 保持ブロック
2 中空部
3 第1のスリット部
4 第2のスリット部
5 被検知物(紙幣)
6 第1の磁石
7 第2の磁石
9 多層基板
9a 多層基板の穴部
91 1層目基板
92 2層目基板
93 3層目基板
91a 1層目基板の穴部
92a 2層目基板の穴部
10 異方性磁気抵抗効果素子(AMR素子)
101a〜101c AMR素子の電極
102a〜102c 抵抗体パターン
11 伝送線路
111a〜111c 伝送線路の電極
112a〜112c 伝送線路の外部パッド
12 金属ワイヤ(電気接続手段)
13 樹脂
15 処理回路
17 磁力線
18 嵌合ピン
31 電気シールド板
32 メンテナンスプレート
41 アジャスター
61 搬送ローラ
191 金属キャリア
192 基板
71 ケーブル
81 第1の磁石用ヨーク
82 第2の磁石用ヨーク
Claims (16)
- 筐体と、この筐体の一方の側壁に読取り幅に亘って被検知物を挿入する細長の第1のスリット部と、この第1のスリット部に対向する前記筐体の他方の側壁に前記第1のスリット部に平行して配置した前記被検知物を排出する第2のスリット部と、前記第1のスリット部と前記第2のスリット部と接続され前記被検知物が前記第1のスリット部から前記第2のスリット部へ搬送される中空部と、前記中空部に設けられ、前記被検知物の一方の面に、搬送方向に沿って互いに磁極を交互に配置した第1の磁石と、前記被検知物の他方の面に、搬送方向に沿って前記第1の磁石の磁極と異なる磁極を対向して配置することにより前記第1の磁石との間で搬送方向に連続的な勾配磁界を形成する第2の磁石と、前記被検知物と前記第1の磁石との間に設けられ、出力端子を有し、前記勾配磁界内を通過する前記被検知物の磁気成分を検出することにより抵抗値が変化する磁気抵抗効果素子と、この磁気抵抗効果素子の出力端子からの抵抗値変化を接続パッドから外部に出力すると共に前記磁気抵抗効果素子を包囲する多層基板と、この多層基板の接続パッドと前記磁気抵抗効果素子の出力端子とを電気接続する電気接続手段と、前記磁気抵抗効果素子と前記電気接続手段とを覆う樹脂とを備え、前記磁気抵抗効果素子は前記勾配磁界の磁界強度の零点付近の弱磁界強度領域に設けられ、前記被検知物が前記勾配磁界の前記弱磁界強度領域よりも磁界強度が強い磁界強度領域を通過する磁気センサ装置。
- 筐体と、この筐体の一方の側壁に読取り幅に亘って被検知物を挿入する細長の第1のスリット部と、この第1のスリット部に対向する前記筐体の他方の側壁に前記第1のスリット部に平行して配置した前記被検知物を排出する第2のスリット部と、前記第1のスリット部と前記第2のスリット部と接続され前記被検知物が前記第1のスリット部から前記第2のスリット部へ搬送される中空部と、前記中空部に設けられ、前記被検知物の一方の面に、搬送方向に沿って互いに磁極を交互に配置した第1の磁石と、前記被検知物の他方の面に、搬送方向に沿って前記第1の磁石の磁極と異なる磁極を対向して配置され、前記第1の磁石との間で形成される磁界の前記第1の磁石との対向方向の磁界成分と搬送方向の磁界成分のそれぞれに零点を含む勾配磁界を形成する第2の磁石と、前記被検知物と前記第1の磁石との間に設けられ、出力端子を有し、前記第1の磁石と前記第2の磁石との間の磁界内を通過する前記被検知物の磁気成分を検出することにより抵抗値が変化する磁気抵抗効果素子と、この磁気抵抗効果素子の出力端子からの抵抗値変化を接続パッドから外部に出力すると共に前記磁気抵抗効果素子を包囲する多層基板と、この多層基板の接続パッドと前記磁気抵抗効果素子の出力端子とを電気接続する電気接続手段と、前記磁気抵抗効果素子と前記電気接続手段とを覆う樹脂とを備え、前記磁気抵抗効果素子は前記勾配磁界における前記搬送方向の磁界強度の零点付近の弱磁界強度領域に設けられ、前記被検知物が前記勾配磁界の強磁界強度領域を通過する磁気センサ装置。
- 筐体と、この筐体の一方の側壁に読取り幅に亘って被検知物を挿入する細長の第1のスリット部と、この第1のスリット部に対向する前記筐体の他方の側壁に前記第1のスリット部に平行して配置した前記被検知物を排出する第2のスリット部と、前記第1のスリット部と前記第2のスリット部と接続され前記被検知物が前記第1のスリット部から前記第2のスリット部へ搬送される中空部と、前記中空部に設けられ、前記被検知物の一方の面に、搬送方向に沿って互いに磁極を交互に配置した第1の磁石と、前記被検知物搬送経路の他方の面に、搬送方向に沿って前記第1の磁石の磁極と異なる磁極を対向して配置され、前記第1の磁石との間で形成される磁界の前記第1の磁石との対向方向の磁界成分と搬送方向の磁界成分のそれぞれに零点を含む勾配磁界を形成する第2の磁石と、前記被検知物と前記第1の磁石との間に設けられ、出力端子を有し、前記勾配磁界内を通過する前記被検知物の磁気成分を検出することにより抵抗値が変化する磁気抵抗効果素子と、この磁気抵抗効果素子の出力端子からの抵抗値変化を接続パッドから外部に出力すると共に前記磁気抵抗効果素子を包囲する多層基板と、この多層基板の接続パッドと前記磁気抵抗効果素子の出力端子とを電気接続する電気接続手段と、前記磁気抵抗効果素子と前記電気接続手段とを覆う樹脂とを備え、前記磁気抵抗効果素子は前記搬送方向の勾配磁界の磁界強度が零点付近の弱磁界強度領域であると共に前記対向方向の勾配磁界の磁界強度が強磁界強度領域である領域に設けられ、前記被検知物が前記対向方向の勾配磁界の磁界強度の強磁界強度領域を通過する磁気センサ装置。
- 前記磁気抵抗効果素子と前記電気接続手段とが前記磁気抵抗効果素子を包囲する多層基板の表面から突出しないように樹脂で覆われた請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の磁気センサ装置。
- 前記磁気抵抗効果素子は、前記搬送方向と直交する方向に矩形状の第1の抵抗体パターンと矩形状の第2の抵抗体パターンとを直列接続して配置し、直列接続された前記第1の抵抗体パターンと前記第2の抵抗体パターンとの接続点を前記出力端子と接続する請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の磁気センサ装置。
- 前記磁気抵抗効果素子は、前記第1の抵抗体パターンは前記搬送方向と直交する方向に、前記第2の抵抗体パターンは前記搬送方向に、それぞれパターンを延在させた請求項5に記載の磁気センサ装置。
- 前記磁気抵抗効果素子は、前記第1の抵抗体パターン及び前記第2の抵抗体パターンは、それぞれミアンダ形状である請求項5又は請求項6に記載の磁気センサ装置。
- 前記磁気抵抗効果素子と前記多層基板は、前記搬送方向と直交する方向に複数個アレイ状に配置され、前記磁気抵抗効果素子の前記出力端子からの抵抗値変化を前記接続パッドから外部にそれぞれ出力する請求項1乃至請求項7のいずれかに記載の磁気センサ装置。
- 前記第1の磁石の搬送方向の両側面に一対の磁性体から成る第1のヨークを設け、前記第2の磁石の搬送方向の両側面に一対の磁性体から成る第2のヨークを設けた請求項1乃至請求項8のいずれかに記載の磁気センサ装置。
- 筐体と、この筐体の一方の側壁に読取り幅に亘って被検知物を挿入する細長の第1のスリット部と、この第1のスリット部に対向する前記筐体の他方の側壁に前記第1のスリット部に平行して配置した前記被検知物を排出する第2のスリット部と、前記第1のスリット部と前記第2のスリット部と接続され前記被検知物が前記第1のスリット部から前記第2のスリット部へ搬送される中空部と、前記中空部に設けられ、前記被検知物の一方の面に、搬送方向に沿って互いに磁極を交互に配置した第1の磁石と、前記被検知物の他方の面に、搬送方向に沿って前記第1の磁石の磁極と異なる磁極を対向して配置することにより前記第1の磁石との間で搬送方向に連続的な勾配磁界を形成する第2の磁石と、前記検知物と前記第1の磁石との間に前記読取り幅方向にアレイ状に設けられ、出力端子を有し、前記勾配磁界内を通過する前記被検知物の磁気成分を検出することにより抵抗値が変化する複数の磁気抵抗効果素子と、この複数の磁気抵抗効果素子の出力端子からの抵抗値変化を複数の接続パッドから外部に出力すると共に前記複数の磁気抵抗効果素子を一纏めに包囲する多層基板と、この多層基板のそれぞれの接続パッドと前記磁気抵抗効果素子のそれぞれの出力端子とを電気接続する電気接続手段と、前記複数の磁気抵抗効果素子と前記電気接続手段とを覆う樹脂とを備え、前記複数の磁気抵抗効果素子は前記勾配磁界の磁界強度の零点付近の弱磁界強度領域に設けられ、前記被検知物が前記勾配磁界の前記弱磁界強度領域よりも磁界強度が強い磁界強度領域を通過する磁気センサ装置。
- 筐体と、この筐体の一方の側壁に読取り幅に亘って被検知物を挿入する細長の第1のスリット部と、この第1のスリット部に対向する前記筐体の他方の側壁に前記第1のスリット部に平行して配置した前記被検知物を排出する第2のスリット部と、前記第1のスリット部と前記第2のスリット部と接続され前記被検知物が前記第1のスリット部から前記第2のスリット部へ搬送される中空部と、前記中空部に設けられ、前記被検知物の一方の面に、搬送方向に沿って互いに磁極を交互に配置した第1の磁石と、前記被検知物の他方の面に、搬送方向に沿って前記第1の磁石の磁極と異なる磁極を対向して配置され、前記第1の磁石との間で形成される磁界の搬送方向の磁界成分と対向方向の磁界成分のそれぞれに勾配磁界を形成する第2の磁石と、前記被検知物と前記第1の磁石との間に前記読取り幅方向にアレイ状に設けられ、出力端子を有し、前記勾配磁界内を通過する前記被検知物の磁気成分を検出することにより抵抗値が変化する複数の磁気抵抗効果素子と、この複数の磁気抵抗効果素子の出力端子からの抵抗値変化を複数の接続パッドから外部に出力すると共に前記複数の磁気抵抗効果素子を一纏めに包囲する多層基板と、この多層基板のそれぞれの接続パッドと前記磁気抵抗効果素子のそれぞれの出力端子とを電気接続する電気接続手段と、前記複数の磁気抵抗効果素子と前記電気接続手段とを覆う樹脂とを備え、前記磁気抵抗効果素子は前記搬送方向の勾配磁界の磁界強度が零点付近の弱磁界強度領域であると共に前記対向方向の勾配磁界の磁界強度が強磁界強度領域である領域に設けられ、前記被検知物が前記対向方向の勾配磁界の磁界強度の強磁界強度領域を通過する磁気センサ装置。
- 筐体と、この筐体の一方の側壁に読取り幅に亘って被検知物を挿入する細長の第1のスリット部と、この第1のスリット部に対向する前記筐体の他方の側壁に前記第1のスリット部に平行して配置した前記被検知物を排出する第2のスリット部と、前記第1のスリット部と前記第2のスリット部と接続され前記被検知物が前記第1のスリット部から前記第2のスリット部へ搬送される中空部と、前記中空部に設けられ、前記被検知物の一方の面に、搬送方向に沿って互いに磁極を交互に配置した第1の磁石と、前記被検知物の他方の面に、搬送方向に沿って前記第1の磁石の磁極と異なる磁極を対向して配置することにより前記第1の磁石との間で搬送方向に連続的な勾配磁界を形成する第2の磁石と、前記被検知物と前記第1の磁石との間に設けられ、出力端子を有し、前記勾配磁界内を通過する前記被検知物の磁気成分を検出することにより抵抗値が変化する磁気抵抗効果素子と、この磁気抵抗効果素子の出力端子からの抵抗値変化を接続パッドから外部に出力すると共に前記磁気抵抗効果素子を包囲する基板と、この基板の接続パッドと前記磁気抵抗効果素子の出力端子とを電気接続する電気接続手段とを備え、前記磁気抵抗効果素子は前記勾配磁界の磁界強度の零点付近の弱磁界強度領域に設けられ、前記被検知物が前記勾配磁界の前記弱磁界強度領域よりも磁界強度が強い磁界強度領域を通過する磁気センサ装置。
- 筐体と、この筐体の一方の側壁に読取り幅に亘って被検知物を挿入する細長の第1のスリット部と、この第1のスリット部に対向する前記筐体の他方の側壁に前記第1のスリット部に平行して配置した前記被検知物を排出する第2のスリット部と、前記第1のスリット部と前記第2のスリット部と接続され前記被検知物が前記第1のスリット部から前記第2のスリット部へ搬送される中空部と、前記中空部に設けられ、前記被検知物の一方の面に、搬送方向に沿って互いに磁極を交互に配置した第1の磁石と、前記被検知物の他方の面に、搬送方向に沿って前記第1の磁石の磁極と異なる磁極を対向して配置され、前記第1の磁石との間で形成される磁界の前記第1の磁石との対向方向の磁界成分と搬送方向の磁界成分のそれぞれに零点を含む勾配磁界を形成する第2の磁石と、前記被検知物と前記第1の磁石との間に設けられ、出力端子を有し、前記第1の磁石と前記第2の磁石との間の磁界内を通過する前記被検知物の磁気成分を検出することにより抵抗値が変化する磁気抵抗効果素子と、この磁気抵抗効果素子の出力端子からの抵抗値変化を接続パッドから外部に出力すると共に前記磁気抵抗効果素子を包囲する基板と、この基板の接続パッドと前記磁気抵抗効果素子の出力端子とを電気接続する電気接続手段とを備え、前記磁気抵抗効果素子は前記勾配磁界における前記搬送方向の磁界強度の零点付近の弱磁界強度領域に設けられ、前記被検知物が前記勾配磁界の強磁界強度領域を通過する磁気センサ装置。
- 筐体と、この筐体の一方の側壁に読取り幅に亘って被検知物を挿入する細長の第1のスリット部と、この第1のスリット部に対向する前記筐体の他方の側壁に前記第1のスリット部に平行して配置した前記被検知物を排出する第2のスリット部と、前記第1のスリット部と前記第2のスリット部と接続され前記被検知物が前記第1のスリット部から前記第2のスリット部へ搬送される中空部と、前記中空部に設けられ、前記被検知物の一方の面に、搬送方向に沿って互いに磁極を交互に配置した第1の磁石と、前記被検知物搬送経路の他方の面に、搬送方向に沿って前記第1の磁石の磁極と異なる磁極を対向して配置され、前記第1の磁石との間で形成される磁界の前記第1の磁石との対向方向の磁界成分と搬送方向の磁界成分のそれぞれに零点を含む勾配磁界を形成する第2の磁石と、前記被検知物と前記第1の磁石との間に設けられ、出力端子を有し、前記勾配磁界内を通過する前記被検知物の磁気成分を検出することにより抵抗値が変化する磁気抵抗効果素子と、この磁気抵抗効果素子の出力端子からの抵抗値変化を接続パッドから外部に出力すると共に前記磁気抵抗効果素子を包囲する基板と、この基板の接続パッドと前記磁気抵抗効果素子の出力端子とを電気接続する電気接続手段とを備え、前記磁気抵抗効果素子は前記搬送方向の勾配磁界の磁界強度が零点付近の弱磁界強度領域であると共に前記対向方向の勾配磁界の磁界強度が強磁界強度領域である領域に設けられ、前記被検知物が前記対向方向の勾配磁界の磁界強度の強磁界強度領域を通過する磁気センサ装置。
- 筐体と、この筐体の一方の側壁に読取り幅に亘って被検知物を挿入する細長の第1のスリット部と、この第1のスリット部に対向する前記筐体の他方の側壁に前記第1のスリット部に平行して配置した前記被検知物を排出する第2のスリット部と、前記第1のスリット部と前記第2のスリット部と接続され前記被検知物が前記第1のスリット部から前記第2のスリット部へ搬送される中空部と、前記中空部に設けられ、前記被検知物の一方の面に、搬送方向に沿って互いに磁極を交互に配置した第1の磁石と、前記被検知物の他方の面に、搬送方向に沿って前記第1の磁石の磁極と異なる磁極を対向して配置することにより前記第1の磁石との間で搬送方向に連続的な勾配磁界を形成する第2の磁石と、前記検知物と前記第1の磁石との間に前記読取り幅方向にアレイ状に設けられ、出力端子を有し、前記勾配磁界内を通過する前記被検知物の磁気成分を検出することにより抵抗値が変化する複数の磁気抵抗効果素子と、この複数の磁気抵抗効果素子の出力端子からの抵抗値変化を複数の接続パッドから外部に出力すると共に前記複数の磁気抵抗効果素子を一纏めに包囲する基板と、この基板のそれぞれの接続パッドと前記磁気抵抗効果素子のそれぞれの出力端子とを電気接続する電気接続手段とを備え、前記複数の磁気抵抗効果素子は前記勾配磁界の磁界強度の零点付近の弱磁界強度領域に設けられ、前記被検知物が前記勾配磁界の前記弱磁界強度領域よりも磁界強度が強い磁界強度領域を通過する磁気センサ装置。
- 筐体と、この筐体の一方の側壁に読取り幅に亘って被検知物を挿入する細長の第1のスリット部と、この第1のスリット部に対向する前記筐体の他方の側壁に前記第1のスリット部に平行して配置した前記被検知物を排出する第2のスリット部と、前記第1のスリット部と前記第2のスリット部と接続され前記被検知物が前記第1のスリット部から前記第2のスリット部へ搬送される中空部と、前記中空部に設けられ、前記被検知物の一方の面に、搬送方向に沿って互いに磁極を交互に配置した第1の磁石と、前記被検知物の他方の面に、搬送方向に沿って前記第1の磁石の磁極と異なる磁極を対向して配置され、前記第1の磁石との間で形成される磁界の搬送方向の磁界成分と対向方向の磁界成分のそれぞれに勾配磁界を形成する第2の磁石と、前記被検知物と前記第1の磁石との間に前記読取り幅方向にアレイ状に設けられ、出力端子を有し、前記勾配磁界内を通過する前記被検知物の磁気成分を検出することにより抵抗値が変化する複数の磁気抵抗効果素子と、この複数の磁気抵抗効果素子の出力端子からの抵抗値変化を複数の接続パッドから外部に出力すると共に前記複数の磁気抵抗効果素子を一纏めに包囲する基板と、この基板のそれぞれの接続パッドと前記磁気抵抗効果素子のそれぞれの出力端子とを電気接続する電気接続手段とを備え、前記磁気抵抗効果素子は前記搬送方向の勾配磁界の磁界強度が零点付近の弱磁界強度領域であると共に前記対向方向の勾配磁界の磁界強度が強磁界強度領域である領域に設けられ、前記被検知物が前記対向方向の勾配磁界の磁界強度の強磁界強度領域を通過する磁気センサ装置。
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