CN203275621U

CN203275621U - 一种磁传感器

Info

Publication number: CN203275621U
Application number: CN 201320346664
Authority: CN
Inventors: 刘乐杰; 时启猛; 曲炳郡
Original assignee: BEIJING JIAYUE TONGLEJI ELECTRONIC Co Ltd
Current assignee: BEIJING JIAYUE TONGLEJI ELECTRONIC Co Ltd
Priority date: 2013-06-17
Filing date: 2013-06-17
Publication date: 2013-11-06
Anticipated expiration: 2023-06-17

Abstract

本实用新型提供一种磁传感器包括：芯片，用于感应被测物体内的磁信号；线路板，用于支撑所述芯片，所述芯片的输入、输出端与所述线路板电连接；壳体，所述芯片和所述线路板设于所述壳体内，并用塑胶固定；焊针，其通过所述线路板与所述芯片的输入、输出端对应电连接；挡胶框，所述挡胶框设于所述壳体内，并紧贴所述壳体的内壁，所述芯片嵌于所述挡胶框内。该磁传感器成品率高，灵敏度高以及一致性好。

Description

一种磁传感器

技术领域

本实用新型属于微电子技术领域，具体涉及一种用于检测防伪标识的芯片式磁传感器。

背景技术

磁传感器是依据磁敏元件感应被测物体产生的磁场，辨别被测物体的真伪或相应的电流、应力应变、温度或光等测量值，其被广泛应用于金融、航空、航天、微电子，地质探矿、医学成像、信息采集及军事等领域。

目前使用的磁传感器有线圈磁传感器和芯片磁传感器，其中，芯片磁传感器具有响应快、分辨率高、灵敏度高，以及体积小，易集成等特点，广受市场青睐。芯片磁传感器包括壳体、芯片和线路板，芯片和线路板通过树脂固定于壳体内。在制作过程中，首先用导线将芯片和线路板对应电连接，然后将芯片和线路板置于壳体内，再向壳体内灌入树脂，树脂凝固后将芯片和线路板固定。凝固前的树脂流动性好，因此在芯片的顶端也存在树脂，树脂在凝固时的收缩力容易将导线拉断，降低芯片磁传感器的成品率。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题就是针对芯片磁传感器中存在的上述缺陷，提供一种磁传感器，成品率高。

为此，本实用新型提供一种磁传感器，包括：

芯片，用于感应被测物体内的磁信号；

线路板，用于支撑所述芯片，所述芯片的输入、输出端与所述线路板电连接；

壳体，所述芯片和所述线路板设于所述壳体内，并用塑胶固定；

焊针，其通过所述线路板与所述芯片的输入、输出端对应电连接；

还包括挡胶框，所述挡胶框设于所述壳体内，并紧贴所述壳体的内壁，所述芯片嵌于所述挡胶框内。

其中，所述挡胶框的厚度小于或等于0.5mm。

其中，所述挡胶框的厚度小于或等于0.2mm。

其中，所述芯片的感应面低于所述挡胶框的顶面。

其中，所述芯片包括基体、磁感应膜以及芯片焊盘，所述磁感应膜和所述芯片焊盘设于所述基体的表面，所述芯片焊盘作为所述芯片的输入、输出端与所述磁感应膜对应电连接，所述磁感应膜用于感应被测物体内的磁信号。

其中，所述磁感应膜为巨磁阻磁敏感（GMR）薄膜、各向异性磁阻磁敏感薄膜、隧穿效应磁阻磁敏感薄膜、巨磁阻抗效应磁阻磁敏感薄膜、霍尔效应薄膜或巨霍尔效应薄膜。

其中，所述壳体上设有窗口，置于所述壳体内的所述芯片与所述窗口相对。

其中，还包括永磁体和导磁体，所述永磁体设于所述线路板的下方，所述导磁体设于所述芯片和所述永磁体之间；

所述导磁体设有两个以上个导磁臂，在所述线路板上设有通孔，所述导磁臂通过所述通孔自所述线路板的下方伸出所述线路板的上方；所述芯片设于所述导磁臂之间。

其中，所述导磁体采用坡莫合金、铁氧体或硅钢片制作。

其中，所述永磁体在所述芯片感应面所在平面上的投影与所述导磁体在所述芯片感应面所在平面上的投影重合，且所述永磁体的投影小于所述导磁体的投影。

本实用新型具有以下有益效果：

本实用新型提供的磁传感器，将芯片嵌于挡胶框内，即在芯片的四周设置挡胶框，通过挡胶框可以阻止树脂流动到芯片的顶面，从而避免了树脂在凝固过程中拉断导线，从而可以提高磁传感器的成品率。此外，借助挡胶框有利于控制芯片的感应面与壳体内壁之间的距离，从而提高磁传感器的一致性。

附图说明

图1为本实用新型实施例磁传感器的结构图；

图2为本实用新型另一实施例磁传感器的结构图。

具体实施方式

为使本领域的技术人员更好地理解本实用新型的技术方案，下面结合附图对本实用新型提供的磁传感器进行详细描述。

如图1所示，磁传感器包括壳体1、芯片2、线路板3、挡胶框4和焊针5，芯片2、线路板3和挡胶框4设于壳体1内，并用树脂固定。焊针5作为磁传感器的输入、输出端，通过线路板3与芯片2的输入、输出端对应电连接。

芯片2固定于线路板2，其包括基体11、磁感应膜12以及芯片焊盘13，磁感应膜12和芯片焊盘13设于基体11的表面，芯片焊盘13作为芯片的输入、输出端与磁感应膜12对应电连接，磁感应膜12用于感应被测物体内的磁信号。其中，磁感应膜12为巨磁阻磁敏感（GMR）薄膜、各向异性磁阻磁敏感薄膜、隧穿效应磁阻磁敏感薄膜、巨磁阻抗效应磁阻磁敏感薄膜、霍尔效应薄膜或巨霍尔效应薄膜。

线路板3包括多个第一线路板焊盘和多个第二线路板焊盘，第一线路板焊盘和第二线路板焊盘通过布线对应电连接。芯片焊盘13通过金线6与第一线路板焊盘对应电连接，焊针5与第二线路板焊盘对应电连接，即借助线路板3将芯片2的输入、输出端对应电连接。

本实施例芯片焊盘13设于基座11的顶面（或称感应面或上表面），因此金线6与芯片焊盘13的连接处位于基座11的顶面。在芯片2的四周设置挡胶框4，即将芯片2嵌于挡胶框4内，挡胶框4的顶端紧贴壳体1的内壁，挡胶框4的底端紧贴线路板3，利用挡胶框4阻止树脂流到芯片2的顶面，从而可以避免金线6与芯片焊盘13的连接端松动。

优选地，金线6与第一线路板焊盘连接处也设置于挡胶框4内，即利用挡胶框4围住芯片2、金线6以及金线6的连接端，以阻止树脂流到金线6的两连接端，从而避免金线6与芯片焊盘13连接端以及金线6与第一线路板焊盘连接端松动，进而可以提高磁传感器的成品率。

由于挡胶框4被固定在壳体1的内壁与线路板3之间，芯片2设置在线路板3的表面，因此，控制挡胶框4的厚度即可控制芯片2的感应面（芯片的顶面）与壳体1的检测面（壳体的顶面）之间的距离。优选地，芯片2的感应面低于挡胶框4的顶面，以防止芯片2的感应面与导电的壳体1接触。而且，芯片2的感应面与壳体1的检测面之间的距离影响磁传感器的灵敏度，需要精确控制芯片2的感应面与壳体1的检测面之间的距离。挡胶框4的厚度可以控制在0.5mm以下，甚至可以控制在0.2mm以下，因此，通过挡胶框4可以将芯片2的感应面与壳体1的检测面之间的距离控制在0.2mm。在本实施例中，还可以利用挡胶框4精确控制芯片2的感应面（芯片的顶面）与壳体1的检测面（壳体的顶面）的距离，从而提高磁传感器的灵敏度，同时保持芯片2的感应面与壳体1的检测面的平行度，从而提高磁传感器的一致性。

壳体1可以采用非屏蔽材料制作，如铜、塑料等，也可以采用屏蔽材料制作，如坡莫合金等。此外，壳体1上还可以设置窗口7，置于壳体1内的芯片2与窗口7相对。

上述磁传感器仅能用于检测强磁防伪标识，弱用于检测弱磁防伪标识，需要设置预磁化弱磁防伪标识的永磁体。如图2所示，磁传感器还包括永磁体10和导磁体11，永磁体10设于线路板3的下方，导磁体11设于芯片2和永磁体10之间，即将导磁体11叠置于永磁体10上，而且永磁体10在芯片2的感应面所在平面上的投影与导磁体11在芯片2的感应面所在平面上的投影重合，且永磁体10的投影小于导磁体11的投影。导磁体11设有两个导磁臂111，在线路板3上设有通孔31，导磁臂111通过通孔31自线路板3的下方伸出线路板3的上方。芯片2设于两个导磁臂111之间。

本实施例型提供的磁传感器，将芯片嵌于挡胶框内，即在芯片的四周设置挡胶框，通过挡胶框可以阻止树脂流动到芯片的顶面，从而避免了树脂在凝固过程中拉断导线，从而可以提高磁传感器的成品率。此外，借助挡胶框有利于控制芯片的感应面与壳体内壁之间的距离，从而提高磁传感器的一致性。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本实用新型的原理而采用的示例性实施方式，然而本实用新型并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本实用新型的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本实用新型的保护范围。

Claims

1.一种磁传感器，包括：

芯片，用于感应被测物体内的磁信号；

其特征在于，还包括挡胶框，所述挡胶框设于所述壳体内，并紧贴所述壳体的内壁，所述芯片嵌于所述挡胶框内。

2.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，所述挡胶框的厚度小于或等于0.5mm。

3.根据权利要求2所述的磁传感器，其特征在于，所述挡胶框的厚度小于或等于0.2mm。

4.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，所述芯片的感应面低于所述挡胶框的顶面。

5.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，所述芯片包括基体、磁感应膜以及芯片焊盘，所述磁感应膜和所述芯片焊盘设于所述基体的表面，所述芯片焊盘作为所述芯片的输入、输出端与所述磁感应膜对应电连接，所述磁感应膜用于感应被测物体内的磁信号。

6.根据权利要求5所述的磁传感器，其特征在于，所述磁感应膜为巨磁阻磁敏感（GMR）薄膜、各向异性磁阻磁敏感薄膜、隧穿效应磁阻磁敏感薄膜、巨磁阻抗效应磁阻磁敏感薄膜、霍尔效应薄膜或巨霍尔效应薄膜。

7.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，所述壳体上设有窗口，置于所述壳体内的所述芯片与所述窗口相对。

8.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，还包括永磁体和导磁体，所述永磁体设于所述线路板的下方，所述导磁体设于所述芯片和所述永磁体之间；

9.根据权利要求8所述的磁传感器，其特征在于，所述导磁体采用坡莫合金、铁氧体或硅钢片制作。

10.根据权利要求8所述的磁传感器，其特征在于，所述永磁体在所述芯片感应面所在平面上的投影与所述导磁体在所述芯片感应面所在平面上的投影重合，且所述永磁体的投影小于所述导磁体的投影。