CN205302449U - 磁图像传感器 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供了一种磁图像传感器。该磁图像传感器包括：磁感应电阻，沿扫描方向排列，用于对待检测范围内的磁信号变化进行检测；配置电阻，与磁感应电阻连接，配置电阻为阻值可调的电阻；驱动电路，与磁感应电阻连接，用于对磁感应电阻检测到的信号进行输出控制。通过本实用新型，解决了相关技术中的磁图像传感器由于磁阻的偏差导致噪音信号比较大的问题。

Description

磁图像传感器

技术领域

本实用新型涉及传感器领域，具体而言，涉及一种磁图像传感器。

背景技术

在纸币、票据、有价证券等介质上制作特定的磁信息是现代防伪技术的重要手段之一，并且随着制作技术的发展，磁信息防伪技术的应用也在得到不断的加强，如许多国家的钞票(如人民币、美元、欧元等)内部都包含内容丰富的磁信息。而对于纸币、票据、有价证券等介质上特定的磁信息的识别也是必不可少的防伪检测手段。

为了实现上述的检测，在相关技术中提供了一种磁图像传感器，该磁图像传感器在整个读取识别范围内连续排列小型磁头，形成一个小型磁头的线性阵列，从而对整个读取范围内的磁信息进行读取识别。但是，由于单体磁头的体积比较大，并且每一个磁头上的读取识别范围也只占磁头范围的一小部份，因此磁头之间很大的范围是在磁头有效读取范围之外的，也即，磁头之间的区域是无法进行读取的，使用这种磁图像传感器，处于磁头之间的间隙处的磁信息就会被丢失。

在相关技术中还提供了一种磁传感装置，在磁传感装置的内部支架的上表面具有沿着内部支架的长边方向呈直线状设置的多个凹部。在各凹部收纳有磁阻元件，在读取识别范围内用磁阻元件排列成一个线性阵列，对读取范围内的磁信息进行读取识别。在该技术中，用磁阻元素取代了磁头，磁阻元素之间的间隙大大减小了，使整体磁传感器装置得到了小型化，但由于磁组元素的线性尺寸过大，在这一尺寸范围内的磁信息无法详细区分，读取的介质上的磁信息非常模糊，无法区分磁信息的细节，因此在需要对磁信息区更细微的特征做出判别时，这种磁传感装置就无法实现。

在相关技术中还提供了一种磁传感器装置，磁感应元素在框体一侧的平面侧壁的端部沿读取范围的方向配置的读取介质磁性特征的阵列式磁感应元素，磁感应元素是点状的或带状的，在该技术中，通过印刷烧结工艺制作的磁感应元素，其分辨率可以达到50DPI以上，对磁信息的分辨能力得到了解决，但这种通过印刷烧结工艺得到的磁感应元素的偏差非常大，通常有20％左右即使通过修阻的方法减小磁阻的偏差，这种偏差也会在3％-5％左右，对于使用5V的公共电极电压来说，至少产生150mV级的电压偏差。而实际能够检测到的磁信号电压通常为10mV数量级，也就是说实际磁阻的偏差造成的信号差异(噪音信号)远远大于有效信号，这给信号处理带来了很大的难题，通常情况下很难很准确地从噪音信号中分离出有效信号。

针对相关技术中的磁图像传感器由于磁阻的偏差导致噪音信号比较大的问题，目前尚未提出有效的解决方案。

实用新型内容

本实用新型的主要目的在于提供一种磁图像传感器，以解决相关技术中的磁图像传感器由于磁阻的偏差导致噪音信号比较大的问题。

为了实现上述目的，本实用新型提供了一种磁图像传感器。该磁图像传感器包括：磁感应电阻，沿扫描方向排列，用于对待检测范围内的磁信号变化进行检测；配置电阻，与磁感应电阻连接，配置电阻为阻值可调的电阻；驱动电路，与磁感应电阻连接，用于对磁感应电阻检测到的信号进行输出控制。

进一步地，配置电阻与磁感应电阻一一对应连接。

进一步地，配置电阻的阻值调整为与对应的磁感应电阻的阻值相一致。

进一步地，配置电阻为采用厚膜印刷工艺制作的电阻。

进一步地，磁图像传感器还包括：配置电阻基板，其中，配置电阻设置在配置电阻基板上；装载基板，其中，磁感应电阻和驱动电路设置在装载基板上；连接基板，其中，配置电阻基板和装载基板设置在连接基板上。

进一步地，配置电阻基板为采用陶瓷材料制作的基板，在配置电阻上设置有保护膜。

进一步地，装载基板上设置有连接焊盘，配置电阻包括：公共电极；个别电极，个别电极通过连接线在连接焊盘上与磁感应电阻一一对应连接。

进一步地，配置电阻为多个配置电阻。公共电极为多个公共电极，多个公共电极中的每个公共电极由多个配置电阻中的两个配置电阻共用，或者，在多个配置电阻中相邻的两个配置电阻之间设置有独立电极，每个配置电阻均设置有独立的公共电极分支。

进一步地，磁感应电阻为在半导体硅片上通过真空镀膜制作的隧道结构的磁电阻体，磁电阻体的两端设置有用于连接两端的第一焊盘和第二焊盘。

进一步地，驱动电路包括：移位寄存器电路；开关电路，用于开启以接收磁感应电阻检测到的信号，其中，磁图像传感器还包括：信号放大电路，用于接收驱动电路输出的串行SIG信号并对串行SIG信号进行放大处理。

通过本实用新型，采用包括以下结构的磁图像传感器：磁感应电阻，沿扫描方向排列，用于对待检测范围内的磁信号变化进行检测；配置电阻，与磁感应电阻连接，配置电阻为阻值可调的电阻；驱动电路，与磁感应电阻连接，用于对磁感应电阻检测到的信号进行输出控制，由于设置了阻值可调的配置电阻与磁感应电阻连接，解决了相关技术中的磁图像传感器由于磁阻的偏差导致噪音信号比较大的问题，进而达到了降低磁图像传感器的噪音信号的效果。

附图说明

构成本申请的一部分的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中：

图1为本实用新型实施例的磁图像传感器的断面示意图；

图2为本实用新型实施例的磁图像传感器的内部俯视示意图；

图3为本实用新型实施例的磁图像传感器的整体结构示意图；

图4为本实用新型实施例的磁图像传感器的局部单元结构放大示意图；

图5为本实用新型实施例的磁图像传感器的陶瓷基板局部结构放大示意图；

图6为本实用新型实施例的磁图像传感器的陶瓷基板另一种局部结构放大示意图；

图7为本实用新型实施例的磁图像传感器的磁信号感应像素的结构示意图；

图8为本实用新型实施例的磁图像传感器的驱动电路结构示意图；

图9为本实用新型的磁传感器的驱动电路多级连接的电路结构示意图；

图10为本实用新型实施例的磁图像传感器的电路结构示意图；

图11为本实用新型实施例的磁图像传感器的时序示意图；以及

图12为本实用新型实施例的修阻时的基板状态及修阻原理图。

具体实施方式

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本实用新型。

为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本申请保护的范围。

需要说明的是，本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施例。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

图1是本实用新型实施例的磁图像传感器的断面结构示意图，图2为本实用新型实施例的磁图像传感器的内部俯视示意图。

如图1所示，磁图像传感器包括磁感应电阻1、配置电阻2和驱动电路3，磁感应电阻1沿扫描方向排列，用于对检测范围内的磁信号变化进行检测，磁感应电阻1可以为一个或多个磁感应电阻1，可选地，磁感应电阻1为多个磁感应电阻1，并且多个磁感应电阻1沿扫描方向排列成直线，优选地，本实用新型实施例的磁感应电阻1为通过半导体工艺制作的隧道型磁感应电阻(TMR)，配置电阻2为阻值可调整的电阻，可以与磁感应电阻1配对使用，配置电阻2可以为一个或多个配置电阻2，可选地，多个配置电阻2排列成直线，并且多个配置电阻2与多个磁感应电阻1一一对应连接，驱动电路3用于对所述磁感应电阻1检测到的信号进行输出控制，包括传输磁感应电阻1检测到的磁场信号和控制信号的输出。可选地，本实用新型实施例中的每个配置电阻2可以包括一段或多段电阻体。驱动电路3也可以为多个，多个驱动电路3中的每一个驱动电路3可控制多个磁感应像素，多个驱动电路3顺序连接排列，对整个检测范围内的磁感应像素的信号进行输出控制。

磁图像传感器还可以包括信号放大电路4，信号放大电路4用于对检测到的磁信号，例如，通过磁感应电阻1和配置电阻2转换成的电压信号进行放大处理。

磁图像传感器还可以包括磁铁5，该磁铁5设置在磁图像传感器内部，S和N为磁铁的两极，配置为用于产生纵向磁场的磁铁，沿扫描方向排列，设置于磁感应电阻1下，优选地，磁铁5的中心线与磁感应电阻1对应。

在本实用新型实施例的磁图像传感器中，配置电阻2可以设置在配置电阻基板20上，在配置电阻基板20上制作配置电阻2，配置电阻2上还可以设置有保护膜23，磁感应电阻1和驱动电路3可以设置在装载基板30上，配置电阻基板20和装载基板30均设置在连接基板10上，优选地，连接基板10是无磁性的基板，用于搭载装载基板30和配置电阻基板20，磁感应电阻1和驱动电路3与基板通过连接线31连接，连接线31可以是半导体工艺中经常使用的通过压焊工艺进行连接的金丝或铝丝，用于装载基板30和配置电阻基板20的电气连接，磁图像传感器中还可以设置保护层32，在通过连接线31电气连接完成后制作该保护层32对磁信号感应电阻1、驱动电路3以及连接线31提供保护。

磁铁5和上述的基板可以设置在框体6中，框体6用于收纳磁铁及各种基板，在框体6上设置盖板7，盖板7用于保护磁感应电阻1及配置电阻2和驱动电路3，待检测物(如纸币等)在盖板7的上表面通过，待检测物上的磁信号通过磁感应像素检测并输出相应的信号。

本实用新型实施例提供的磁图像传感器，由于为阻值可调整的配置电阻，因而，可以降低磁图像传感器本身的噪音，进一步地，提高了读取信号的准确性。

图2是没有安装盖板7的磁图像传感器的内部结构俯视图，为了清楚起见，在该图中仅示出了磁图像传感器的主要部件，磁图像传感器包括框体6以及安装在其中的配置电阻基板20、配置电阻2，装载基板30、磁感应电阻1和驱动电路3。磁感应电阻1、配置电阻2以及驱动电路3都是由多个组成并且分别沿扫描方向排列成直线。

图3是本实用新型实施例的磁图像传感器的整体结构示意图，其中的一侧示出了断面结构示意图，检测位置8是磁图像传感器的信号检测位置，检测位置8是磁信号感应电阻1所对应盖板7外表面附近的位置。待检测物9可以为纸币等介质，在待检测物9上具有图形91，该图形91是待检测物9上的带有磁信息的图形。待检测物9沿箭头方向移动，经过磁图像传感器的检测位置8，待检测物9上的带有磁信息的图形91的磁信号使相应区域的磁感应电阻1的阻值发生变化，磁感应电阻1的阻值变化通过内部电路转换成电压信号。待检测物9上没有磁信息的区域通过检测位置8时，磁感应电阻1的阻值不发生变化，从而可根据磁感应电阻1阻值的变化情况检测出待检测物上的磁图像，磁图像传感器在驱动电路3的控制下每次检测一行的信号，随着待检测物连续不断地移动，磁图像传感器连续读取出整个待检测物上整幅画面的磁图像信息。

图4是组装基板的局部单元放大示意图，在配置电阻基板20上除了配置电阻2外，还有配置电阻2的电极，包括配置电阻2的公共电极21，配置电阻2的个别电极22，个别电极22通过连接线31在装载基板30上的连接焊盘301上与磁感应电阻1一一对应相连，公共电极21可以在某一处与装载基板30相连(图中未示出)，也可以从外部单独为公共电极21提供电压信号。

图5是配置电阻基板20的局部放大图。配置电阻基板20为采用陶瓷材料制作的基板，21a是公共电极21与每个电阻相互连接的分支部分，22a是个别电阻22的用于焊接连线31的部分，保护膜23为配置电阻2及相应电极的保护层。本实用新型实施例的磁图像传感器可以实现50DPI的磁图像读取，所采用的磁感应电阻1及与其相应的配置电阻2的排列密度为0.5mm。

配置电阻2可以是通过印刷方式形成的连续电阻体，优选地，本实用新型实施例的配置电阻2采用厚膜印刷工艺制作配置电阻，该配置电阻的制作过程为：

(1)在配置电阻基板20上印刷导体浆料(本实用新型实施例采用金导体浆料)并经过高温烧结还原出导体金的成份，

(2)通过模板刻蚀形成公共电极21和个别电极22，

(3)在预设位置(指定位置)印刷电阻浆料并进行高温烧结形成电阻22，

(4)在所需要的区域印刷玻璃浆料并经高温烧结形成电阻和电极的保护层。

在本实用新型的实施例中，电阻体是由通过印刷方式形成的连续电阻体，电阻体下设置相应的电极，电极的位置决定了电阻体的位置，同时一个电阻是由个别电阻两侧至公共电极21的两部分共同构成的。

图6是本实用新型实施例的另一种配置电阻结构，其基本结构与图5所示的实施例相似，但在相邻电阻之间设计了独立电极24。在前述结构中，每个公共电极21的分支21a都是由相邻的两个电阻共同使用，而在本结构中两个电阻之间设立了独立电极24，每个电阻都有独立的公共电极21分支21a，该种结构可以减小在修阻过程中对相邻电阻的影响。

图7是本实用新型实施例使用的磁感应电阻的结构示意图，在该图中示出了多个磁感应电阻1的连续排列的结构。在该实施例中，磁感应电阻1采用在半导体硅片上通过真空镀膜制作的隧道结构的磁电阻体(TMR)100，磁电阻体100在磁场环境中其阻值随磁场的大小和方向的改变其阻值也随之发生变化。在磁电阻体100的两端设置用于连接磁电阻体两端的焊盘101和102，用于将电阻体与外部进行电气连接。

本实用新型实施例使用的磁感应电阻可以用磁场环境中的阻值与磁场的变化关系曲线描述，X轴可以表示磁场的方向与强度，Y轴可以表示电阻阻值的大小。

图8为本实用新型实施例使用的驱动电路3的结构示意图，驱动电路3是一种长条形结构，上边的302是接收端子，将磁感应电阻上的磁感应信号传输到内部，一个端子连接一个磁感应电阻1，下面是控制端子用于电路的控制及信号的输出。本驱动电路3的结构为长12mm，宽度为1mm，上部的接收端子有24个，可以同时连接24个磁感应电阻1，在扫描过程中，磁感应电阻1的信号通过这些端子输送到驱动电路3中。下面的控制端子除提供工作电源外，至少包括驱动信号输入端子SI，驱动信号输出端子SO，时钟信号CLK，以及输出信号SIG等。

图9为本实用新型实施例的驱动电路的多级连接的电路结构示意图，行驱动信号SI从端部的驱动电路3上的SI端输入，在时钟信号CLK的作用下在驱动电路3内部依次向后传输，每次打开内部的一个接收端子的内部开关，将相应磁感应电阻1上的信号传输到SIG信号线上，经过驱动电路3上的最后一个开关后作为该驱动电路3的输出驱动信号SO向外输出，同时输入到下一个驱动电路3的SI端口上继续向在一个驱动电路3内部向后传输，直至传输到所有驱动电路3，将驱动电路3连接的所有磁感应电阻1上的信号依次传输到SIG信号线上，形成一行完整的扫描数据。

图10为本实用新型实施例的磁图像传感器的电气原理示意图，配置电阻2的上端为公共电极21，与电源VDD相连，下面的个别电极与磁感应电阻1一一对应相连，磁感应电阻1的下端是公共电极21，与GND相连，在磁感应电阻1与配置电阻2之间引出信号采集端与驱动电路3的接收端子相连。

驱动电路3包括两部分功能，3a是移位寄存器电路，3b是开关电路。驱动信号SI是一个行驱动脉冲信号，在时钟作用下逐个开启开关电路3b中的开关，将磁感应电阻1检测到的信号输入到驱动电路3中，驱动电路3将收集到的信号转换成串行的SIG信号向外输出，输出到后级的放大电路进行信号放大。

图11是本实用新型实施例的磁图像传感器的时序图。如前所述，SI信号是扫描时的行驱动脉冲信号，每一个脉冲完成一行的扫描，Vout是SIG信号经过放大电路放大后的输出信号，由于驱动电路3内部复位等功能的需要会占用一定的时间，输出信号通常会比SI信号晚几个时钟周期，根据扫描环境中磁场的强度和方向，磁感应电阻1的阻值可能会升高也可能会降低，所以输出的信号有可能比基准电位高，也有可能比基准电位低。

本实用新型实施例的磁图像传感器可以是一个可以扫描192mm宽度的磁图像传感器，内部有384个磁感应电阻，每个磁感应电阻的排列周期是0.5mm，形成50DPI的扫描分辨率。同时设置有384个配置电阻2与磁感应电阻一一对应，每个驱动电路3可以控制24个磁感应电阻1，总共使用了16个驱动电路3来驱动384个磁感应电阻1。

在本实用新型实施例的电路结构中，磁感应电阻1(阻值用Rm表示)与配置电阻2(阻值用Rt表示)是串连连接在电源VDD和地GND之间的，在没有外界磁场的情况下，两个电阻之间的电位是:

VREF0＝[Rm/(Rm+Rt)]*VDD(1)

VREF0是一个在没有磁场时的每个磁感应电阻的电位(即每个像素的基准电位)，在有外界磁场时Rm随外界磁场变化阻值发生变化，从而产生一个电压信号的变化Vsig，这个电压信号是叠加在VREF0上的，在扫描过程中，驱动电路3从两个电阻之间采集的信号是这两个电压的叠加信号，即驱动电路3输出的串行信号SIG为VREF0+Vsig。

从驱动电路3输出的串行信号SIG经过放大电路后，如果放大电路的放大倍数为N，放大电路的参考电位为VREF，则放大电路输出的信号为：

Vout＝[(VREF0-VREF)+Vsig]*N(2)

考虑到Vsig有正有负，为了使输出信号不出现负值，通常VREF0-VREF的差要大于Vsig的最大绝对值。

考虑到实际制作过程中，Rm和Rt都在存在一定的偏差，这种偏差通常在10％至20％之间，因此每对电阻之间的VREF0也会存在很大差别，从而导致输出信号Vout中每个信号之间的参考电位的偏差带来的信号失真。为了消除各像素之间的基准电位的偏差，本实用新型实施例采用对配置电阻2进行修阻的方法。配置电阻2是由以氧化钌为主要成份的电阻浆料烧制而成，通过对电阻体施加一定功率的脉冲电压进行冲击可以降低其阻值(简称修阻)。

图12为本实用新型实施例的修阻时的基板状态及修阻原理图，在修阻时，配置电阻基板20和装载基板30之间还没有通过连接线31进行连接，如图13a的基板局部放大图，这时配置电阻基板20上的每个配置电阻2的上端通过公共电极21相连，下端的个别电阻22(22a)都是分离的，也就是说每个配置电阻2都是独立的，装载基板30上的磁感应电阻1通过连接线31与装载基板30上的焊盘301和302分别相连，但301和302也都各自独立的，因此磁感应电阻1这时也是各自独立的，如图13b的单元结构图所示，本实用新型实施例中使用了384个磁感应电阻1(有时也称磁感应像素)和384个配置电阻2，第n个磁感应像素的阻值Rmn与之相对应的配置电阻2的阻值为Rtn(n＝1～384)。

本实用新型实施例采用平衡阻值的修阻方法来减小各像素间的基准信号偏差，具体方法是将所有配置电阻2的Rtn阻值调整为与其相应的磁感应电阻1的阻值Rmn一致。在本实用新型的实施例中，磁感应电阻1设计目标值为5KΩ，实际通过真空镀膜工艺制作出来的磁感应电阻1按最大偏差20％计算的话，实际阻值在4KΩ-6KΩ之间。而配置电阻2由厚膜电阻浆料印刷烧结而成，最大偏差在15％左右，将配置电阻2的设计阻值定为8KΩ，实际电阻阻值范围为6.8KΩ-9.2KΩ，因为Rt的修阻只能使阻值降低，因此Rt的实际电阻值要高于Rm的实际电阻值。

对厚膜电阻进行修阻是制作厚膜电阻工艺中经常的方法，但通常是设定一个目标电阻值，然后将所在电阻都修阻到这个统一的电阻值上，例如，也以厚膜电阻的实际电阻阻值范围为6.8KΩ-9.2KΩ为例，如果设定目标阻值为5KΩ，则为将所有电阻的阻值都修到5KΩ附近。

本实用新型实施例使用的修阻方法是要将Rt的阻值调整的与Rm一致，因此每一个Rtn的目标阻值是与其对应的那个Rmn的阻值。实际修阻过程有两种方法，一是每次测试一个磁感应电阻1的阻值Rmn，将其作为目标阻值，然后对与其相应的配置电阻2进行修阻，使Rtn＝Rmn(根据目前的工艺水平，修阻精度可以达到偏差小于1％)。二是先测试所有的磁感应电阻1的阻值(Rm1～Rm384)，将其保存在设备的内存中，分别作为各配置电阻2(Rt1～Rt384)的目标值，然后再逐一对各配置电阻2进行修阻。

修阻时通过探针与保护膜23，22a以及301，302接触，先测试301和302之间的电阻Rmn，阻值保存在设备内部作为相应配置电阻2的目标值，再测试23和22a之间的电阻(修阻之前的初始值)，将初始值与目标值进行比较，根据二者的差值，在23和22a之间施加一定的电压脉冲修阻，使该配置电阻2的阻值降低，之后再测试23和22a之间的阻值，并与目标值进行比较，根据新的差值再次对该电阻进行修阻，反复多次至到23和22a之间的阻值与目标值吻合后再进行下一个电阻的修阻。

不管磁感应电阻1的阻值是大还是小，经过修阻后的配置电阻2，都与其对应的磁感应电阻1的阻值是一致的，从公式(1)可以看出，当Rt＝Rm时，

VREF0＝VDD/2(3)

也即，不管Rm原来阻值是多少，只要通过修阻使Rt的阻值与其相等，所有像素的信号基准电位就会完全一致，并且是电源电压的一半。

另外，根据需要也可以通过Rt的修阻来调整信号参考电位的高低，Rt的修阻目标值可以不是Rm的值本身，而是带有一个相关系数k，即Rt＝kRm，通过调整系数k可以改变VREF0的高低，例如：

当k＝0.5时，VREF0＝(2/3)*VDD，

当k＝2时，VREF0＝(1/3)*VDD，

修阻完成后用连接线31在配置电阻基板20的22a和装载基板30的301之间进行连接，从而实现两个基板之间的电气连接，连接完成后用保护层32对连接线和裸芯片进行封装保护

该实施例的图像传感器采用平衡阻值的信号检测方法，既能保证磁信号的图像分辨率，也可以大大减小产品本身的噪音，提高了读取信号的准确性。

以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，对于本领域的技术人员来说，本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种磁图像传感器，其特征在于，包括：

磁感应电阻(1)，沿扫描方向排列，用于对待检测范围内的磁信号变化进行检测；

配置电阻(2)，与所述磁感应电阻(1)连接，所述配置电阻(2)为阻值可调的电阻；以及

驱动电路(3)，与所述磁感应电阻(1)连接，用于对所述磁感应电阻(1)检测到的信号进行输出控制。

2.根据权利要求1所述的磁图像传感器，其特征在于，所述配置电阻(2)与所述磁感应电阻(1)一一对应连接。

3.根据权利要求2所述的磁图像传感器，其特征在于，所述配置电阻(2)的阻值调整为与对应的所述磁感应电阻(1)的阻值相一致。

4.根据权利要求1所述的磁图像传感器，其特征在于，所述配置电阻(2)为采用厚膜印刷工艺制作的电阻。

5.根据权利要求1所述的磁图像传感器，其特征在于，还包括：

配置电阻基板(20)，其中，所述配置电阻(2)设置在所述配置电阻基板(20)上；

装载基板(30)，其中，所述磁感应电阻(1)和所述驱动电路(3)设置在所述装载基板(30)上；以及

连接基板(10)，其中，所述配置电阻基板(20)和所述装载基板(30)设置在所述连接基板(10)上。

6.根据权利要求5所述的磁图像传感器，其特征在于，所述配置电阻基板(20)为采用陶瓷材料制作的基板，在所述配置电阻(2)上设置有保护膜(23)。

7.根据权利要求5所述的磁图像传感器，其特征在于，所述装载基板(30)上设置有连接焊盘(301)，所述配置电阻(2)包括：

公共电极(21)；以及

个别电极(22)，所述个别电极(22)通过连接线(31)在所述连接焊盘(301)上与所述磁感应电阻(1)一一对应连接。

8.根据权利要求7所述的磁图像传感器，其特征在于，所述配置电阻(2)为多个配置电阻(2)，

所述公共电极(21)为多个公共电极(21)，所述多个公共电极(21)中的每个公共电极(21)由所述多个配置电阻(2)中的两个配置电阻(2)共用，

或者，

在所述多个配置电阻(2)中相邻的两个配置电阻(2)之间设置有独立电极(24)，每个配置电阻均设置有独立的公共电极分支(21a)。

9.根据权利要求1所述的磁图像传感器，其特征在于，所述磁感应电阻(1)为在半导体硅片上通过真空镀膜制作的隧道结构的磁电阻体(100)，所述磁电阻体(100)的两端设置有用于连接所述两端的第一焊盘(101)和第二焊盘(102)。

10.根据权利要求1所述的磁图像传感器，其特征在于，所述驱动电路(3)包括：

移位寄存器电路(3a)；以及

开关电路(3b)，用于开启以接收所述磁感应电阻(1)检测到的信号，

其中，所述磁图像传感器还包括：

信号放大电路(4)，用于接收所述驱动电路(3)输出的串行SIG信号并对所述串行SIG信号进行放大处理。