CN205788442U - 膜厚的检测装置 - Google Patents
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Abstract
本申请提供了一种膜厚的检测装置。该检测装置包括公共单元与检测单元,公共单元包括至少一个公共电极,其中,该检测单元包括:至少一个传感器芯片,各传感器芯片与公共单元在第一方向上相对且间隔设置,公共单元与各传感器芯片之间的间隔构成待测膜的传输通道,各传感器芯片包括至少一行沿第二方向排列的多个检测电极,第二方向与待测膜的移动方向垂直,第一方向与第一平面垂直,第一平面与第二方向平行,各传感器芯片用于感应公共电极上的电信号并输出;信号处理单元,与各传感器芯片电连接,对各传感器芯片输出的电信号进行处理并输出。该检测装置能够灵活调整膜厚的检测装置的精确度,能够获得更高的检测精度。
Description
技术领域
本申请涉及厚度检测的技术领域,具体而言,涉及一种膜厚的检测装置。
背景技术
薄片状物品,如纸张、票据、塑料待测膜、纺织物品等的在线连续厚度测量,在其产品的生产、检测、处理、回收等过程中处于越来越重要的地位。当前,待测膜厚度的检测技术要包括使用霍尔器件、反射型超声波检测、透射型超声波检测、电磁感应式检测、涡流式检测等技术。但这些技术对应的检测装置体积较大,成本较高,不利于这些技术的应用。
近年来,通过电极间的静电感应进行待测膜厚度的检测技术在不断研究探索之中,例如公开号为CN210302446Y的文件公开了一种电容式纸厚传感器,其主要是将电容器的容量变化转化成振荡频率的变化,再通过频压转换模块将频率的变化转换成电压的变化。公开号为CN103363887A的文件也公开了一种材料厚度的检测方法,利用平板电容的极板作为厚度检测的敏感器件,实测对象的厚度变化引起的电容活动极板产生位移,导致平板电容器的容量发生变化。
上述这些通过电极间的静电感应的检测待测膜厚度的技术在一定程度上减小了检测装置的体积,但仍需要机械装置的引导才能使得电容板产生位移,与检测设备的小型化发展不相符;并且机械装置的精度在很大程度上决定了测量的精度,尤其是在物品高速传输状态、需要多点多路精确测量以及实测对象极薄的情况下,上述厚度传感器的测量精度较低;另外,这些机械装置在高速运转时会产生很大的噪音,不符合现代产业环保低碳的发展需求。
实用新型内容
本申请的主要目的在于提供一种膜厚的检测装置,以解决现有技术中检测膜厚的装置检测精度较低的问题。
为了实现上述目的,根据本申请的一个方面,提供了一种膜厚的检测装置,该检测装置包括公共单元与检测单元,上述公共单元包括至少一个公共电极,其中,该检测单元包括:至少一个传感器芯片,各上述传感器芯片与上述公共单元在第一方向上相对且间隔设置,上述公共单元与各上述传感器芯片之间的间隔构成待测膜的传输通道,各上述传感器芯片包括至少一行沿第二方向排列的多个检测电极,上述第二方向与待测膜的移动方向垂直,上述第一方向与第一平面垂直,上述第一平面与上述第二方向平行,各上述传感器芯片用于感应上述公共电极上的电信号并输出;信号处理单元,与各上述传感器芯片电连接,对各上述传感器芯片输出的电信号进行处理并输出。
进一步地,上述传感器芯片还包括控制电极,上述控制电极用于输入控制上述传感器芯片工作的控制信号和输出上述传感器芯片检测得到的电信号。
进一步地,上述检测单元包括多个沿上述第二方向间隔设置的上述传感器芯片。
进一步地,上述信号处理单元包括:信号处理电路,与各上述传感器芯片电连接;信号接口,与上述信号处理电路电连接,用于输入控制信号与输出上述信号处理电路处理后电信号。
进一步地,上述信号处理电路包括:放大电路,一端与各上述传感器芯片电连接,上述放大电路用于放大上述传感器芯片输出的电信号;模数转换电路,一端与上述放大电路的另一端电连接,上述模数转换电路用于将上述放大电路放大后的电信号转换为数字信号;第一补正电路,包括输入端,上述输入端与上述模数转换电路的一端电连接,上述第一补正电路用于对上述数字信号进行校正并输出;控制电路,与上述放大电路的信号控制端、模数转换电路的信号控制端、差分放大电路的信号控制端和上述第一补正电路的信号控制端电连接,另一端与上述信号接口电连接。
进一步地,上述第一补正电路包括第一输出端与第二输出端,上述信号处理电路还包括:寄存器,一端与上述第一输出端电连接,上述寄存器用于储存上述第一补正电路输出的数字信号并输出延时数字信号;延时差分放大电路,包括第一输入端、第二输入端与信号控制端,上述第一输入端与上述寄存器的另一端电连接,上述第二输入端与上述第二输出端电连接,上述信号控制端与上述控制电路电连接,上述差分放大电路用于放大校正后的数字信号与上述延时数字信号之间的差值并输出。
进一步地,上述寄存器为移位寄存器,且上述移位寄存器寄存的数字信号的个数不等于上述检测单元在上述第二方向上设置的上述检测电极的总个数的整数倍,且上述移位寄存器寄存的数字信号的个数大于上述检测单元在第二方向上设置的上述检测电极的总个数。
进一步地,上述信号处理电路还包括:第二补正电路,一端与上述延时差分放大电路的输出端电连接,另一端与上述信号接口电连接。
进一步地,上述公共单元还包括:信号输入部,用于将电源的电信号输入至上述公共电极。
进一步地,上述公共单元还包括第一基板,上述公共电极设置在上述第一基板的第一表面上;上述检测单元包括第二基板,上述第二基板与上述公共单元在上述第一方向上间隔设置,上述第一基板的第一表面朝向上述第二基板的第一表面,上述传感器芯片设置在上述第二基板的第一表面上,上述信号处理单元设置在上述第二基板的第二表面上,且上述第一基板的第一表面与上述第二基板的第一表面均平行于上述第一平面。
进一步地,上述膜厚的检测装置还包括:第一框体,具有第一容纳空间,上述第一框体罩设在上述第一基板上且上述公共单元位于上述第一容纳空间内;第一保护基板,与上述第一框体连接,且用于保护各上述公共电极;第二框体,具有第二容纳空间,上述第二框体罩设在上述第二基板上且上述检测单元位于上述第二容纳空间内;第二保护基板,与上述第二框体连接,且用于保护各上述检测电极。
应用本申请的技术方案,检测装置中包括至少一个传感器芯片,并且各芯片包括多个沿第二方向间隔设置的检测电极,检测电极的密度决定了检测信号的分辨率,进而决定了检测精度,在实际检测过程中,可以根据需求,调整传感器芯片上的检测电极的数量,或调整传感器芯片的数量,这样能够灵活调整膜厚的检测装置的精确度,使得该检测装置能够获得更高的检测精度。
附图说明
构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本申请的进一步理解,本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请,并不构成对本申请的不当限定。在附图中:
图1示出了根据本申请的一种实施例提供的检测装置的结构示意图;
图2示出了一种实施例提供的一个传感器芯片的结构示意图;
图3示出了一种实施例提供的一个传感器芯片的电气原理图;
图4示出了图3的传感器芯片的工作时序图;
图5示出了一种实施例提供的检测单元局部结构示意图;
图6示出了一种实施例提供的信号处理电路的结构示意图;
图7示出了一种实施例提供的检测装置的结构示意图;
图8示出了一种实施例中的待测膜的俯视图;以及
图9示出了另一种实施例中的待测膜的俯视图。
其中,上述附图包括以下附图标记:
1、公共单元;2、检测单元;11、公共电极;21、传感器芯片;10、第一基板;12、第一保护基板;13、信号输入部;14、第一框体;20、第二基板;22、第二保护基板;23、信号处理单元;24、第二框体;100、待测膜;101、第一异物;102、第二异物;211、检测电极;212、控制电极;231、信号处理电路;232、信号接口;01、放大电路;02、模数转换电路;03、第一补正电路;04、寄存器;05、差分放大电路;06、第二补正电路;07、控制电路。
具体实施方式
应该指出,以下详细说明都是例示性的,旨在对本申请提供进一步的说明。除非另有指明,本文使用的所有技术和科学术语具有与本申请所属技术领域的普通技术人员通常理解的相同含义。
需要注意的是,这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式,而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的,除非上下文另外明确指出,否则单数形式也意图包括复数形式,此外,还应当理解的是,当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时,其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。
正如背景技术所介绍的,现有技术中的膜厚的检测装置的检测精度较低,为了解决如上的技术问题,本申请提出了一种膜厚的检测装置。
本申请的一种典型的实施方式中,提供了一种膜厚的检测装置,如图1所示,该装置包括公共单元1与检测单元2,上述公共单元1包括至少一个公共电极11,上述检测单元2包括至少一个传感器芯片21与信号处理单元23,其中,各上述传感器芯片21与上述公共单元1在第一方向上相对且间隔设置,上述公共单元1与各上述传感器芯片21之间的间隔构成待测膜的传输通道,如图2所示,各上述传感器芯片21包括至少一行沿第二方向排列的多个检测电极211,上述第二方向与待测膜的移动方向垂直,上述第一方向与第一平面垂直,上述第一平面与上述第二方向平行,各上述传感器芯片21用于感应上述公共电极11上的电信号并输出;信号处理单元23与各上述传感器芯片21电连接,对各上述传感器芯片21输出的电信号进行处理并输出。
需要说明的是,没有特别说明的情况下,本申请中的“沿第二方向排列”均表示“沿第二方向直线排列”。
该检测装置中,公共电极与每个检测电极形成类似平板电容结构,并且二者之间没有固定的介质填充而是形成一个传输通道。当公共电极上带电荷后,各检测电极上就能感应出电荷。检测电极上感应出电荷的多少取决于于相对设置的两个电极的面积、两个电极相隔的距离、公共电极上所携带的电荷量以及两个电极之间的介电常数。在结构一定的情况下,检测电极上感应出的电荷只与两个电极之间介电常数有关。当待测膜经过传输通道时,改变了两个电极间的介质的介电常数,使检测电极上感应的电荷的数量也随之发生变化,待测膜的厚度不同,两个电极间的介电常数也不相同,进而检测电极上感应的电荷也不相同,因此通过检测极板上感应电信号的多少可以计算出待测膜的厚度。
该装置中包括至少一个传感器芯片,并且各芯片包括多个沿第二方向间隔设置的检测电极,检测电极的密度决定了检测信号的分辨率,进而决定了检测精度,在实际检测过程中,可以根据需求,调整传感器芯片上的检测电极的数量,或调整传感器芯片的数量,这样能够灵活调整膜厚的检测装置的精确度,使得该检测装置能够获得更高的检测精度。
本申请一种实施例中,检测电极对应的分辨率为100DPI,即检测电极的在横向排列周期为0.254mm(即第二方向排列的相邻的两个检测电极的中心的距离)。传感器芯片为采用CMOS工艺制作的集成电路,其长度(即第二方向上的尺寸)为18.3mm,一个芯片上可以排列72个检测电极,芯片的宽度(即与第二方向垂直方向的尺寸)为0.3mm,芯片排列的个数决定了整个传感器的检测范围,如通常对纸币进行检测时使用10个或11个传感器芯片可以构成183mm或201mm的检测范围。
本申请中的公共单元可以包括一个公共电极,也可以包括多个公共电极,本领域技术人员可以根据实际情况设置公共电极的数量,当公共单元只有一个公共电极时,公共电极是一个面积较大的平面电极,其作用是与对向设置检测电极能够形成静电感应电极对儿,其面积至少要覆盖住对向检测单元设置的全部检测电极。
本申请的一种实施例中,如图2所示,上述传感器芯片21还包括控制电极212,上述控制电极212用于输入控制上述传感器芯片21工作的控制信号和输出上述传感器芯片21检测得到的电信号。
本申请一种具体的实施例中,检测装置中的传感器芯片排列的电气原理图为图3,该检测单元中包括多个沿第二方向间隔排列的传感器芯片21,各传感器芯片21上设置有控制电极212,各传感器芯片21上的检测电极211也沿第二方向间隔排列成一条直线,传感器芯片的控制信号包括时钟信号CLK与行扫描控制信号SI等,这些控制信号由控制电极212输入,SIG为芯片的输出信号。该检测装置中的传感器芯片还包括:移位寄存电路和多个开关电路,其中,每一个开关与一个检测电极电连接,开关控制检测电极的开启与关断。移位寄存器接收到启动信号时,控制开关的开启与关断,进而控制检测电极的开启与关断。
上述的检测装置中的各传感器芯片的工作时序图为图4。传感器芯片在时钟信号CLK的作用下,当行启动信号到来时,传感器芯片内部的移位寄存电路和开关电路依次接通每一个检测电极,使检测电极上的感应电信号依次通过控制电极向外输出。
为了能够更加灵活地调节检测装置的检测精度,如图5所示,本申请优选上述检测单元包括多个沿上述第二方向间隔设置的上述传感器芯片21。
本申请一种实施例中,上述信号处理单元23包括:信号处理电路231与信号接口232,其中,上述信号处理电路231与各上述传感器芯片21电连接;信号接口232与上述信号处理电路231电连接,用于输入控制信号与输出上述信号处理电路231处理后的电信号。
本申请的一种实施例中,如图6所示,上述信号处理电路包括:放大电路01、模数转换电路02、第一补正电路03与控制电路07。
其中,放大电路的一端与各上述传感器芯片电连接,通常传感器芯片输出的电信号比较低,只有毫伏数量级,需要采用放大电路对电信号进行放大处理,根据信号的大小也可以进行多级放大,达到模数转换电路转换的要求。本申请中的放大电路可以是现有技术中任何可以实现放大的电路。
上述放大电路输出的数字信号输入到模数转换电路中,上述模数转换电路用于将上述放大电路放大后的电信号转换为数字信号,并且将数字信号输入到第一补正电路中。
上述第一补正电路用于对上述数字信号进行校正并输出,通过检测电极检测到的信号通常比较低,需要对其进行放大处理,但信号放大后其所携带的噪音信号也随之被放大,因此该补正电路主要是消除由传感器芯片本身带来的误差的,得到放大处理后的有效信号。第一补正电路中通常也包含一个寄存器(图中未画),该寄存器中保存了在静态状态下采集到的噪音信号作为补正系数,可以采用现有技术中的实时信号减去噪音信号的补正方法,此处就不再赘述了。
控制电路与上述放大电路的信号控制端、模数转换电路的信号控制端、差分放大电路的信号控制端和上述第一补正电路的信号控制端电连接,另一端与上述信号接口电连接。
为了能够进一步提高本实用新型的膜厚检测装置的检测精度,如图6所示,本申请优选上述第一补正电路03包括第一输出端与第二输出端,本申请的上述信号处理电路还包括:寄存器04与延时差分放大电路05。
其中,寄存器的一端与上述第一输出端电连接,上述寄存器用于储存上述第一补正电路输出的上述数字信号并输出延时数字信号;延时差分放大电路包括第一输入端、第二输入端与信号控制端,上述第一输入端与上述寄存器的另一端电连接,上述第二输入端与上述第二输出端电连接,上述信号控制端与上述控制电路电连接,上述差分放大电路用于放大校正后的数字信号与上述延时数字信号之间的差值并输出,即经过第一补正电路补正后的数字信号分两路输出,一路输送到延时差分放大电路中,用于对数字信号进行差分放大处理,一路输送到寄存器中进行延时缓存。
本申请中的寄存器是移位寄存器,该寄存器用于对补正后的数字信号进行临时储存,储存的目的是将数字信号与补正后直接输出的数字信号产生一个延时时差,以便后续的延时差分信号放大电路以可对不同检测电极和不同扫描行的检测到的数字信号进行差分放大处理,这样只需要沿第二方向设置多个检测电极以及取不同行的扫描数据就可以测得待测物在第二方向上以及在介质移动方向上的厚度以及厚度梯度(即厚度的差值)。而现有技术中检测装置至少需要沿待测膜移动的方向设置至少两排检测电极,将这两排检测电极位置对应的两个检测电极的得到数字信号进行差分放大,得到了待测膜在与其移动方向平行的方向上的厚度梯度。
在本申请的一种实施例中,移位寄存器至少可以贮存一行以上的扫描数据,膜厚检测装置由10个传感器芯片构成,每各传感器芯片具有72个检测电极,移位寄存器被设置为可以寄存1445个信号的数据,即保存连续两行零五个检测电极的数字信号,每当下一个数字信号进入时,移位寄存器中的数据依次向前移动一位,即输出到延时差分放大电路的第一输入端。例如当第一补正电路输出了扫描的某一行(假设为第M行)的传感器的第N个检测电极的数据后,延时差分放大电路的第二输出端接收到的是第M行第N个检测电极的数据,而第一接收端的是第M+2行的第N+5个检测电极的数据,也就是说延时差分放大电路是对第M+2行第N+5个数字信号和第M行第N个数字信号进行差分放大。
上述移位寄存器中寄存的数字信号的个数并不限于上述提到的1445,即上述在待测膜移动方向延时的行数以及在第二方向上延时的数字信号个数并不局限于此,可以根据不同的扫描速度或检测电极的结构情况进行改变。
本申请的一种优选实施例中,移位寄存器中寄存的数字信号的个数不等于检测单元中第二方向上的检测电极的总个数的整数倍,且大于检测单元中第二方向上的检测电极的总个数,也就是说,输入到延时差分放大电路的两个输入端的数字信号对应的检测点在不同行且不同列,这样可以对不在同一行且同一列的数字信号进行差分放大,能够检测出待测膜上沿各种方向存在的异物,避免检测装置不能检测出待测膜上与第二方向平行的方向上存在的异物(如图9所示的第二异物102)与在与待测膜移动方向平行的方向上存在的异物(如图8所示的第一异物101)。
如图8所示,当待测膜100在与其移动方向平行的方向上存在第一异物101时,如果移位寄存器中寄存的信号数量等于检测单元中第二方向上的检测电极的总个数的倍数,那么,输入到延时差分放大电路的两个输入端的信号就是同列的检测点对应的检测信号,二者是相同的,经过延时差分放大电路输出的信号为0,也就是说,二者不存在厚度梯度(即厚度的差异),即该种检测装置检测不出来待测膜100上存在的第一异物101。
如图9所示,当待测膜100在与第二方向平行的方向上存在第二异物102,如果移位寄存器中寄存的信号数量小于检测单元中第二方向上的检测电极的总个数,那么,输入到延时差分放大电路的两个输入端的信号就是同行的检测点对应的检测信号,二者是相同的,经过延时差分放大电路输出的信号为0,也就是说,二者不存在厚度梯度(即厚度的差异),即该种检测装置检测不出来待测膜100上存在的第二异物102。
经过延时差分放大电路处理的数字信号,由于是采用数字式的放大,原来数字信号中残留的内部噪音也会被进行放大,这样对检测的精度也会产生影响,因此,如图6所示,本申请优选在延时差分放大电路05的输出端后还设置第二补正电路06,以对数字放大后的信号进行更精确的补正处理,从而可以得到精确的检测信号。该补正电路的输出端与上述信号接口电连接。第二补正电路的补正原理与第一补正电路的相同,只是使用的补正系数不同,第二补正电路的补正系数是在静态状态下采集到的在延时差分放大电路后级的噪音信号作为补正系数。
为了更加方便向公共电极上施加电压,如图1所示,本申请优选上述公共单元还包括:信号输入部13,该信号输入部用于将电源的电信号输入至上述公共电极11。
本申请的另一种实施例中,如图1所示,上述公共单元1还包括:第一基板10,上述公共电极11设置在上述第一基板10的第一表面上,检测单元2包括第二基板20,第二基板与上述公共单元1在上述第一方向上间隔设置,上述第一基板10的第一表面朝向上述第二基板20的第一表面,且如图5所示,上述传感器芯片21设置在上述第二基板20的第一表面上,上述信号处理单元23设置在上述第二基板20的第二表面上,且上述第一基板10的第一表面与上述第二基板20的第一表面均平行于上述第一平面。如图1所示,信号输入部13设置在第一基板10的与第一表面相对的第二表面上。
第一基板是公共单元其他结构的载体,第二基板是检测单元其它结构的载体,并且第一基板与第二基板相对放置以方便构成传输通道。为了便于待测膜在两个极板间顺利传输,根据待测膜品的尺寸的不同,两个极板间的距离在1mm到10mm之间。但是二者的距离并不限于该范围,本领域技术人员可以根据具体的情况,将二者的距离设置在合适的范围内。
第一基板与第二基板分别独立地选自可以是玻璃基板、PCB基板、金属板基板或陶瓷板基板。两个基板的材料可以相同也可以不相同。
本申请的一种实施例中第一基板为PCB基板,在PCB基板上设计好所需要的图形,设置公共电极,并且通过电源向公共电极输入电信号,使其携带电荷。并且该实施例中,第二基板也为PCB基板。
为了保护公共单元与检测单元,如图7所示,本申请优选上述膜厚的检测装置还包括:第一框体14、第一保护基板12、第二框体24与第二保护基板22,其中,第一框体14具有第一容纳空间,上述第一框体14罩设在上述第一基板10上且上述公共单元1位于上述第一容纳空间内;第一保护基板12与上述第一框体14连接,且用于保护各公共电极;第二框体24具有第二容纳空间,上述第二框体24罩设在上述第二基板20上,且上述检测单元2位于上述第二容纳空间内;第二保护基板22与上述第二框体24连接,且用于保护各检测电极。
形成上述第一框体与第二框体的材料可以是塑料框架,通过注塑工艺制成,形成第一保护基板与第二保护基板的材料可以是玻璃板,也可以是陶瓷基极,二者的材料可以是相同的,也可以是不同的。
从以上的描述中,可以看出,本申请上述的实施例实现了如下技术效果:
该装置中包括至少一个传感器芯片,并且各芯片包括多个沿第二方向间隔设置的检测电极,检测电极的密度决定了检测信号的分辨率,进而决定了检测精度,在实际检测过程中,可以根据需求,调整传感器芯片上的检测电极的数量,进而调整检测电极的密度,或调整传感器芯片的数量,这样能够灵活调整膜厚的检测装置的精确度,使得该检测装置能够获得更高的检测精度。
以上所述仅为本申请的优选实施例而已,并不用于限制本申请,对于本领域的技术人员来说,本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (11)
1.一种膜厚的检测装置,包括公共单元与检测单元,所述公共单元包括至少一个公共电极,其特征在于,所述检测单元包括:
至少一个传感器芯片,各所述传感器芯片与所述公共单元在第一方向上相对且间隔设置,所述公共单元与各所述传感器芯片之间的间隔构成待测膜的传输通道,各所述传感器芯片包括至少一行沿第二方向排列的多个检测电极,所述第二方向与待测膜的移动方向垂直,所述第一方向与第一平面垂直,所述第一平面与所述第二方向平行,各所述传感器芯片用于感应所述公共电极上的电信号并输出;以及
信号处理单元,与各所述传感器芯片电连接,对各所述传感器芯片输出的电信号进行处理并输出。
2.根据权利要求1所述的膜厚的检测装置,其特征在于,所述传感器芯片还包括控制电极,所述控制电极用于输入控制所述传感器芯片工作的控制信号和输出所述传感器芯片检测得到的电信号。
3.根据权利要求1所述的膜厚的检测装置,其特征在于,所述检测单元包括多个沿所述第二方向间隔设置的所述传感器芯片。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的膜厚的检测装置,其特征在于,所述信号处理单元包括:
信号处理电路,与各所述传感器芯片电连接;以及
信号接口,与所述信号处理电路电连接,用于输入控制信号与输出所述信号处理电路处理后电信号。
5.根据权利要求4所述的膜厚的检测装置,其特征在于,所述信号处理电路包括:
放大电路,一端与各所述传感器芯片电连接,所述放大电路用于放大所述传感器芯片输出的电信号;
模数转换电路,一端与所述放大电路的另一端电连接,所述模数转换电路用于将所述放大电路放大后的电信号转换为数字信号;
第一补正电路,包括输入端,所述输入端与所述模数转换电路的一端电连接,所述第一补正电路用于对所述数字信号进行校正并输出;以及
控制电路,与所述放大电路的信号控制端、模数转换电路的信号控制端、差分放大电路的信号控制端和所述第一补正电路的信号控制端电连接,另一端与所述信号接口电连接。
6.根据权利要求5所述的膜厚的检测装置,其特征在于,所述第一补正电路包括第一输出端与第二输出端,所述信号处理电路还包括:
寄存器,一端与所述第一输出端电连接,所述寄存器用于储存所述第一补正电路输出的数字信号并输出延时数字信号;以及
延时差分放大电路,包括第一输入端、第二输入端与信号控制端,所述第一输入端与所述寄存器的另一端电连接,所述第二输入端与所述第二输出端电连接,所述信号控制端与所述控制电路电连接,所述差分放大电路用于放大校正后的数字信号与所述延时数字信号之间的差值并输出。
7.根据权利要求6所述的膜厚的检测装置,其特征在于,所述寄存器为移位寄存器,且所述移位寄存器寄存的数字信号的个数不等于所述检测单元在所述第二方向上设置的所述检测电极的总个数的整数倍,且所述移位寄存器寄存的数字信号的个数大于所述检测单元在第二方向上设置的所述检测电极的总个数。
8.根据权利要求6所述的膜厚的检测装置,其特征在于,所述信号处理电路还包括:
第二补正电路,一端与所述延时差分放大电路的输出端电连接,另一端与所述信号接口电连接。
9.根据权利要求1所述的膜厚的检测装置,其特征在于,所述公共单元还包括:
信号输入部,用于将电源的电信号输入至所述公共电极。
10.根据权利要求9所述的膜厚的检测装置,其特征在于,
所述公共单元还包括:
第一基板,所述公共电极设置在所述第一基板的第一表面上;
所述检测单元包括:
第二基板,与所述公共单元在所述第一方向上间隔设置,所述第一基板的第一表面朝向所述第二基板的第一表面,所述传感器芯片设置在所述第二基板的第一表面上,所述信号处理单元设置在所述第二基板的第二表面上,且所述第一基板的第一表面与所述第二基板的第一表面均平行于所述第一平面。
11.根据权利要求10所述的膜厚的检测装置,其特征在于,所述膜厚的检测装置还包括:
第一框体,具有第一容纳空间,所述第一框体罩设在所述第一基板上且所述公共单元位于所述第一容纳空间内;
第一保护基板,与所述第一框体连接,且用于保护各所述公共电极;
第二框体,具有第二容纳空间,所述第二框体罩设在所述第二基板上且所述检测单元位于所述第二容纳空间内;以及
第二保护基板,与所述第二框体连接,且用于保护各所述检测电极。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201620501192.9U CN205788442U (zh) | 2016-05-26 | 2016-05-26 | 膜厚的检测装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201620501192.9U CN205788442U (zh) | 2016-05-26 | 2016-05-26 | 膜厚的检测装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN205788442U true CN205788442U (zh) | 2016-12-07 |
Family
ID=57407745
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201620501192.9U Withdrawn - After Issue CN205788442U (zh) | 2016-05-26 | 2016-05-26 | 膜厚的检测装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN205788442U (zh) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN106091910A (zh) * | 2016-05-26 | 2016-11-09 | 威海华菱光电股份有限公司 | 膜厚的检测装置 |
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2016
- 2016-05-26 CN CN201620501192.9U patent/CN205788442U/zh not_active Withdrawn - After Issue
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN106091910A (zh) * | 2016-05-26 | 2016-11-09 | 威海华菱光电股份有限公司 | 膜厚的检测装置 |
US10746524B2 (en) | 2016-05-26 | 2020-08-18 | Weihai Hauling Opto-Electronics Co., Ltd. | Film thickness detection device |
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