JP2017227596A - 圧力センサー、高度計、電子機器および移動体 - Google Patents

Abstract

【課題】圧力検知特性の低下を低減することのできる圧力センサー、この圧力センサーを備えた信頼性の高い高度計、電子機器および移動体を提供する。【解決手段】ダイアフラムを有する基板と、前記ダイアフラムの一方の面側に配置されている圧力基準室と、前記ダイアフラムの前記一方の面側に配置されており、前記基板の平面視で前記圧力基準室の周囲の少なくとも一部を囲むように配置されている囲み部と、前記ダイアフラムに配置されているピエゾ抵抗素子を有するセンサー部と、前記基板の前記一方の面側に配置されており、前記センサー部と電気的に接続されている配線部と、前記囲み部と前記配線部とを電気的に接続し、前記囲み部の電位を前記センサー部の駆動電位、グランド電位または前記駆動電位と前記グランド電位の中間電位とする接続部と、を有することを特徴とする圧力センサー。【選択図】図１

Description

本発明は、圧力センサー、高度計、電子機器および移動体に関するものである。

従来から、圧力センサーとして、特許文献１に記載の構成が知られている。特許文献１の圧力センサーは、受圧により撓み変形するダイアフラムを有する基板と、基板上に配置された周囲構造体と、を有し、これらの間に圧力基準室が形成されている。また、圧力基準室の周囲には製造時のエッチングに対する耐性を有するガードリング（囲み部）が設けられている。

特開２０１５−１８４２２２号公報

しかしながら、このような構成の圧力センサーでは、ガードリングが電気的に浮いているため（すなわち電位が固定されていないため）、ガードリングの電位が周囲の環境によって変化してしまう。このようなガードリングは、センサー部の直ぐ近くに配置されているため、ガードリングの電位変化によってセンサー部の圧力検知特性が低下するおそれがある。

本発明の目的は、圧力検知特性の低下を低減することのできる圧力センサー、この圧力センサーを備えた信頼性の高い高度計、電子機器および移動体を提供することにある。

このような目的は、下記の本発明により達成される。

本発明の圧力センサーは、受圧により撓み変形するダイアフラムを有する基板と、
前記ダイアフラムの一方の面側に配置されている圧力基準室と、
前記ダイアフラムの前記一方の面側に配置されており、前記基板の平面視で前記圧力基準室の周囲の少なくとも一部を囲むように配置されている囲み部と、
前記ダイアフラムに配置されているピエゾ抵抗素子を有するセンサー部と、
前記基板の前記一方の面側に配置されており、前記センサー部と電気的に接続されている配線部と、
前記囲み部と前記配線部とを電気的に接続し、前記囲み部の電位を前記センサー部の駆動電位、グランド電位または前記駆動電位と前記グランド電位の中間電位とする接続部と、を有することを特徴とする。
これにより、圧力検知特性の低下を低減することのできる圧力センサーが得られる。

本発明の圧力センサーでは、前記囲み部、前記配線部および前記接続部は、一体であることが好ましい。
これにより、圧力センサーの構成が簡単となる。また、囲み部、配線部および接続部の電気的な接続をより確実に行うことができる。

本発明の圧力センサーでは、前記囲み部、前記配線部および前記接続部は、同一層で構成されていることが好ましい。
これにより、囲み部、配線部および接続部の形成が容易となる。

本発明の圧力センサーでは、前記基板の平面視にて、前記接続部は、前記囲み部の外周の一部に接続されていることが好ましい。
これにより、例えば、熱応力が囲み部に伝わり難くなる。また、囲み部内の応力の不均一性を低減することができる。これらから、圧力検知精度の低下を低減することができる。

本発明の圧力センサーでは、前記接続部は、前記囲み部および前記配線部と別体であることが好ましい。
これにより、配線部や接続部の配置の自由度が増す。

本発明の圧力センサーでは、前記基板の平面視で、前記接続部に前記囲み部および前記配線部の少なくとも一部が重なって配置されていることが好ましい。
これにより、囲み部、配線部および接続部の電気的な接続をより確実に行うことができる。

本発明の高度計は、本発明の圧力センサーを有することを特徴とする。
これにより、信頼性の高い高度計が得られる。

本発明の電子機器は、本発明の圧力センサーを有することを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。

本発明の移動体は、本発明の圧力センサーを有することを特徴とする。
これにより、信頼性の高い移動体が得られる。

本発明の第１実施形態に係る圧力センサーの断面図である。 図１に示す圧力センサーが有するセンサー部を示す平面図である。 図２に示すセンサー部を含むブリッジ回路を示す図である。 図１に示す圧力センサーの製造方法を示すフローチャートである。 図１に示す圧力センサーの製造方法を説明する断面図である。 図１に示す圧力センサーの製造方法を説明する断面図である。 図１に示す圧力センサーの製造方法を説明する断面図である。 図１に示す圧力センサーの製造方法を説明する断面図である。 図１に示す圧力センサーの製造方法を説明する断面図である。 図１に示す圧力センサーの製造方法を説明する断面図である。 本発明の第２実施形態に係る圧力センサーの断面図である。 本発明の高度計の一例を示す斜視図である。 本発明の電子機器の一例を示す正面図である。 本発明の移動体の一例を示す斜視図である。

以下、本発明の圧力センサー、高度計、電子機器および移動体を添付図面に示す実施形態に基づいて詳細に説明する。

＜第１実施形態＞
まず、本発明の第１実施形態に係る圧力センサーについて説明する。

図１は、本発明の第１実施形態に係る圧力センサーの断面図である。図２は、図１に示す圧力センサーが有するセンサー部を示す平面図である。図３は、図２に示すセンサー部を含むブリッジ回路を示す図である。図４は、図１に示す圧力センサーの製造方法を示すフローチャートである。図５ないし図１０は、それぞれ、図１に示す圧力センサーの製造方法を説明する断面図である。なお、以下の説明では、図１中の上側を「上」、下側を「下」とも言う。

図１や図２に示すように、圧力センサー１は、受圧により撓み変形するダイアフラム２５を有する基板２と、ダイアフラム２５の一方の面側（上側）に配置されている圧力基準室Ｓと、ダイアフラム２５の一方の面側（上側）に配置されており、基板２の平面視（基板２の一方の面の法線方向から見たとき）で圧力基準室Ｓの周囲の少なくとも一部を囲むように配置されている囲み部としてのガードリング４２１と、ダイアフラム２５に配置されているピエゾ抵抗素子３１、３２、３３、３４を有するセンサー部３と、基板２の一方の面側（上側）に配置されており、センサー部３と電気的に接続されている配線部４２９と、ガードリング４２１と配線部４２９とを電気的に接続し、ガードリング４２１の電位をセンサー部３の駆動電位、グランド電位または駆動電位とグランド電位の中間電位とする接続部５と、を有している。このような構成によれば、センサー部３を利用して比較的簡単な構成でガードリング４２１の電位を固定することができる。そして、このようにガードリング４２１の電位を固定することで、ガードリング４２１の電位の揺らぎに起因したノイズの発生を抑えることができ、圧力センサー１の圧力検知精度の低下を低減することができる。

以下、このような特徴を有する圧力センサー１について詳細に説明する。図１に示すように、圧力センサー１は、主に、基板２と、センサー部３と、周囲構造体４と、圧力基準室Ｓと、を有している。

［基板］
図１に示すように、基板２は、半導体基板であり、第１シリコン層２１と、第１シリコン層２１の上側に配置された第２シリコン層２３と、第１、第２シリコン層２１、２３の間に配置された酸化シリコン層２２と、を有するＳＯＩ基板で構成されている。なお、基板２としてはＳＯＩ基板に限定されず、例えば、単層のシリコン基板を用いることもできる。

また、基板２には周囲の部分よりも薄肉であり、受圧によって撓み変形するダイアフラム２５が設けられている。ダイアフラム２５は、基板２の下面に開放する有底の凹部２６を設けることで凹部２６の底部として形成されている。そして、ダイアフラム２５の下面が圧力を受ける受圧面２５１となっている。このようなダイアフラム２５の厚さとしては、特に限定されないが、例えば、１．０μｍ以上、２．０μｍ以下程度とすることが好ましい。これにより、機械的強度を保ちつつ、十分に薄く撓み易いダイアフラム２５となる。

ここで、本実施形態の基板２では、ダイアフラム２５は、第２シリコン層２３からなる単層構造となっている。そのため、ダイアフラム２５を薄肉化することが容易となる。また、ダイアフラム２５を単一の層で構成することにより、次のような効果を発揮することもできる。すなわち、ダイアフラム２５が材料の異なる複数の層で構成されている場合、各層の線膨張係数の差に起因して、環境温度によってダイアフラム２５の内部応力が変化するおそれがある。そのため、同じ圧力を受けても環境温度によって測定値が異なってしまうというヒステリシスが生じるおそれがある。これに対して、本実施形態のようにダイアフラム２５を単一の層で構成することで、上述のようなヒステリシスの問題が生じ難くなり、圧力検知精度の低下を効果的に低減することができる。ただし、圧力センサー１は、ダイアフラム２５が材料の異なる複数の層で構成されている場合を除外する必要はなく、ダイアフラム２５が材料の異なる複数の層で構成されていてもよい。

以上、基板２について説明した。なお、このような基板２にはセンサー部３と電気的に接続される半導体回路（ＭＯＳトランジスタ、キャパシタ、インダクタ、抵抗、ダイオードトランジスタ等の回路要素）が作り込まれていてもよい。

また、図１に示すように、基板２の上面にはダイアフラム２５と重ならないように、かつ、ダイアフラム２５の周囲を囲むように中間層６が配置されている。中間層６は、基板２の上面に配置され、酸化シリコンで構成された第１中間層６１と、第１中間層６１の上面に配置され、窒化シリコンで構成された第２中間層６２と、第２中間層６２の上面に配置され、ポリシリコンで構成された第３中間層６３と、を有している。なお、第１、第２、第３中間層６１、６２、６３の材料としては特に限定されない。また、第１、第２、第３中間層６１、６２、６３の少なくとも１層を省略してもよい。

［センサー部］
図２に示すように、センサー部３は、ダイアフラム２５に設けられている４つのピエゾ抵抗素子３１、３２、３３、３４と、これらに電気的に接続された配線３５と、を有している。ピエゾ抵抗素子３１、３２、３３、３４は、配線３５等を介して、互いに電気的に接続され、図３に示すブリッジ回路３０（ホイートストンブリッジ回路）を構成している。

ブリッジ回路３０には駆動電圧ＡＶＤＣを供給する駆動回路（図示せず）が接続されている。そして、ブリッジ回路３０は、ダイアフラム２５の撓みに基づくピエゾ抵抗素子３１、３２、３３、３４の抵抗値変化に応じた信号（電圧）を出力する。なお、ピエゾ抵抗素子３１、３２、３３、３４は、それぞれ、例えば、基板２（第２シリコン層２３）にリン、ボロン等の不純物をドープ（拡散または注入）することで構成されている。また、配線３５は、例えば、基板２（第２シリコン層２３）に、ピエゾ抵抗素子３１、３２、３３、３４よりも高濃度でリン、ボロン等の不純物をドープ（拡散または注入）することで構成されている。

［圧力基準室］
図１に示すように、圧力基準室Ｓは、基板２と周囲構造体４とに囲まれることで画成されている。このような圧力基準室Ｓは、密閉された空間（空洞）であり、圧力センサー１が検出する圧力の基準値となる。また、圧力基準室Ｓは、ダイアフラム２５の上方（受圧面２５１とは反対側に位置し、ダイアフラム２５と重なって配置されている。なお、圧力基準室Ｓは、真空状態（例えば、１０Ｐａ以下程度）であることが好ましい。これにより、圧力センサー１を、真空を基準として圧力を検出する所謂「絶対圧センサー」として用いることができ、利便性の高い圧力センサー１となる。ただし、圧力基準室Ｓは、一定の圧力に保たれていれば、真空状態でなくてもよい。

［周囲構造体］
図１に示すように、基板２と共に圧力基準室Ｓを画成する周囲構造体４は、層間絶縁膜４１と、層間絶縁膜４１上に配置された配線層４２と、配線層４２および層間絶縁膜４１上に配置された層間絶縁膜４３と、層間絶縁膜４３上に配置された配線層４４と、配線層４４および層間絶縁膜４３上に配置された表面保護膜４５と、配線層４４および表面保護膜４５上に配置された封止層４６と、を有している。

配線層４２は、基板２の平面視で、圧力基準室Ｓを囲んで配置された枠状のガードリング４２１（囲み部）と、センサー部３の配線３５と接続されている配線部４２９と、を有している。同様に、配線層４４は、基板２の平面視で、圧力基準室Ｓを囲んで配置されると共に、ガードリング４２１上に電気的に接続した状態で配置された枠状のガードリング４４１と、配線部４２９と電気的に接続された配線部４４９と、を有している。ガードリング４２１、４４１は、後述する製造方法でも説明するように、圧力基準室Ｓを埋める犠牲層をエッチング除去する際のストッパーとして機能する。また、配線部４２９、４４９は、センサー部３を周囲構造体４の上面に引き出す機能を有する。

配線層４４は、さらに、圧力基準室Ｓの天井に位置し、ガードリング４４１から延出して設けられた被覆層４４４を有している。また、被覆層４４４には圧力基準室Ｓの内外を連通する複数の貫通孔４４５が設けられている。後述する製造方法でも説明するように、複数の貫通孔４４５は、圧力基準室Ｓにエッチング液を侵入させるためのリリースエッチング用の孔である。このような被覆層４４４上には封止層４６が配置されており、封止層４６によって貫通孔４４５が封止され、圧力基準室Ｓが気密的な空間となっている。

表面保護膜４５は、周囲構造体４を水分、ゴミ、傷などから保護する機能を有している。このような表面保護膜は、被覆層４４４の貫通孔４４５を塞がないように、層間絶縁膜４３および配線層４４上に配置されている。

層間絶縁膜４１、４３としては、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ_２膜）等の絶縁膜を用いることができる。また、配線層４２、４４としては、例えば、アルミニウム膜等の金属膜を用いることができる。また、封止層４６としては、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ｗ、Ｔｉ、ＴｉＮ等の金属膜、シリコン酸化膜等を用いることができる。また、表面保護膜４５としては、例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、ポリイミド膜、エポキシ樹脂膜などを用いることができる。

以上、周囲構造体４について説明した。なお、周囲構造体４の構成としては、本実施形態の構成に限定されず、例えば、配線層や層間絶縁膜を３層以上有する構成となっていてもよい。また、本実施形態では、ガードリング４２１、４４１が、基板２の平面視で圧力基準室Ｓを囲む枠状をなしているが、ガードリング４２１、４４１は、基板２の平面視で圧力基準室の少なくとも一部を囲むように配置されていればよい。

［接続部］
接続部５は、ガードリング４２１と配線部４２９とを電気的に接続し、ガードリング４２１の電位をセンサー部３の駆動電位、グランド電位、若しくは駆動電位とグランド電位の中間電位の何れかとする機能を有している。このような構成によれば、ガードリング４２１の電位を固定することができるため、ガードリング４２１の電位の揺らぎに起因したノイズの発生を抑えることができ、圧力センサー１の圧力検知精度の低下を低減することができる。特に、センサー部３を利用して比較的簡単な構成でガードリング４２１の電位を固定することができる点で有効である。

なお、ガードリング４２１をセンサー部３のグランド電位とする場合には、センサー部３の配線３５に含まれるグランド用の配線３５１（図２、図３参照）と接続された配線部４２９とガードリング４２１とを接続部５によって接続すればよい。また、ガードリング４２１をセンサー部３の駆動電位とする場合には、センサー部３の配線３５に含まれる駆動電位（駆動電圧ＡＶＤＣ）用の配線３５２（図２、図３参照）に接続された配線部４２９とガードリング４２１とを接続部５によって接続すればよい。図１では、代表して、ガードリング４２１をセンサー部３のグランド電位とする場合について図示している。

図１に示すように、このような接続部５は、周囲構造体４の配線層４２から形成されている。そのため、ガードリング４２１、配線部４２９および接続部５が同一層（配線層４２）で構成され、これらガードリング４２１、配線部４２９および接続部５が一体となっている。これにより、例えば、接続部５を別体として配置する場合と比較して、圧力センサー１の構成が簡単となると共に、圧力センサー１の製造（ガードリング４２１、配線部４２９および接続部５の形成）が容易となる。また、ガードリング４２１と接続部５との電気的な接続および接続部５と配線部４２９との電気的な接続をより確実に行うことができる（すなわち、ガードリング４２１と接続部５および接続部５と配線部４２９の接続不良が生じ難くなる）。

また、図２に示すように、基板２の平面視にて、接続部５は、ガードリング４２１の外周の一部に接続されている。言い換えると、接続部５は、図２に示すように、基板２の平面視で、ガードリング４２１の一辺の長さに対して十分に細い幅で形成されている。このように、接続部５をなるべく細い幅で形成することで、ガードリング４２１の周囲に生じた応力がガードリング４２１に伝わり難くなる。具体的に説明すると、前述したように、層間絶縁膜４１、４３が酸化シリコン等で構成され、配線層４２、４４がアルミニウム等で構成されているため、これらの線膨張係数の異なりに起因して周囲構造体４内に熱応力が生じてしまう。接続部５を細い幅とすることで、接続部５付近に生じる熱応力を小さく抑えることができ、熱応力がガードリング４２１に伝わり難くなる。そのため、ガードリング４２１の近傍に位置するダイアフラム２５へも熱応力が伝わり難くなり、圧力センサー１の圧力検知精度の低下を低減することができる。また、接続部５をなるべく細い幅で形成することで、ガードリング４２１に加わる熱応力の不均一性を低減することができる。すなわち、ガードリング４２１内では接続部５との接続部に前述した熱応力が最も大きく加わるため、ガードリング４２１内に熱応力の不均一性が生じるが、接続部５の幅を細くしてガードリング４２１に伝わる熱応力自体を小さくすることで、ガードリング４２１内に生じる熱応力の不均一性を低減することができる。ガードリング４２１内に不均一な熱応力が生じると、センサー部３の圧力検知特性のばらつきの要因となるため好ましくない。

以上、接続部５について説明した。なお、上述の構成では、１本の接続部５が配置されているが、接続部５の配置数としては特に限定されず、２本以上であってもよい。また、接続部５は、ガードリング４２１の一辺の長さよりも十分に小さい幅を有しているが、接続部５の幅としては、特に限定されず、ガードリング４２１の一辺の長さと等しくてもよいし、一辺の長さよりも大きくてもよい。また、接続部５は、例えば、ガードリングの二辺に跨って接続されていてもよいし、ガードリング４２１の角部に接続されていてもよい。

次に、圧力センサー１の製造方法について簡単に説明する。図４に示すように、圧力センサー１の製造方法は、基板２にセンサー部３を形成するセンサー部形成工程と、基板２上に周囲構造体４を形成する周囲構造体形成工程と、基板２にダイアフラム２５を形成するダイアフラム形成工程と、を有している。

［センサー部形成工程］
まず、図５に示すように、ダイアフラム２５が形成されていない基板２を用意し、基板２にセンサー部３を形成する。次に、図６に示すように、基板２上に第１中間層６１、第２中間層６２および第３中間層６３を成膜する。なお、この際、第１中間層６１は、ダイアフラム２５となる部分の上面を覆うように配置しておく。

［周囲構造体形成工程］
次に、図７に示すように、基板２上に、層間絶縁膜４１、配線層４２（接続部５を含む）、層間絶縁膜４３、配線層４４および表面保護膜４５を順に形成する。次に、図８に示すように、レジストマスクＭで表面保護膜４５を保護した上で、ウェットエッチングによって、貫通孔４４５を介して犠牲層（ガードリング４２１、４４１で囲まれた層間絶縁膜４１、４３）および第１中間層６１の一部を除去して、圧力基準室Ｓを形成する。この際、ガードリング４２１、４４１は、エッチングのストッパーとして機能する。次に、図９に示すように、圧力基準室Ｓを真空状態とした状態で、封止層４６を成膜して圧力基準室Ｓを封止する。

［ダイアフラム形成工程］
次に、図１０に示すように、基板２の下面に、ドライエッチングによって凹部２６を形成してダイアフラム２５を形成する。凹部２６は、例えば、シリコンディープエッチング装置を用いて形成することができる。以上により、圧力センサー１が得られる。

このような製造方法によれば、半導体プロセスを用いて圧力センサー１を製造することができる。

＜第２実施形態＞
図１１は、本発明の第２実施形態に係る圧力センサーの断面図である。

以下、第２実施形態の圧力センサーについて、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。

本発明の第２実施形態に係る圧力センサーは、接続部の構成が異なること以外は、前述した第１実施形態と同様である。なお、前述した実施形態と同様の構成には同一符号を付してある。

図１１に示すように、本実施形態の圧力センサー１では、接続部５は、ガードリング４２１および配線部４２９と別体である。具体的には、ガードリング４２１および配線部４２９は、配線層４２から構成されているのに対して、接続部５は、第３中間層６３から構成されている。このように、接続部５をガードリング４２１および配線部４２９と別体とすることで、配線部４２９や接続部５の配置の自由度が増し、装置の設計がしやすくなる。なお、上述したように、第３中間層６３で接続部５を構成しているため、第３中間層６３に導電性を付与する必要がある。そのため、本実施形態では、第３中間層６３を構成するポリシコン層に、リン、ボロン等の不純物をドープ（拡散または注入）している。

また、接続部５が第３中間層６３（配線層４２よりも基板２側の層）で構成されているため、基板２の平面視で、接続部５にガードリング４２１および配線部４２９の少なくとも一部が重なって配置されている。そのため、前述した半導体プロセスを用いた製造方法によって、接続部５とガードリング４２１および接続部５と配線部４２９を簡単かつ確実に電気的に接続することができる。

なお、ガードリング４２１の電位をセンサー部３のグランド電位とする場合には、センサー部３の配線３５に含まれるグランド用の配線３５１と接続された配線部４２９とガードリング４２１とを接続部５によって接続すればよい（図１１ではこの状態を示す）。また、ガードリング４２１の電位をセンサー部３の駆動電位とする場合には、センサー部３の配線３５に含まれる駆動電位用の配線３５２に接続された配線部４２９とガードリング４２１とを接続部５によって接続すればよい。また、ガードリング４２１の電位を駆動電位とグランド電位の中間電位とする場合には、センサー部３の配線３５に含まれる駆動電位用の配線３５２に接続された配線部４２９とガードリング４２１とを接続部５によって接続し、かつ、ガードリング４２１と接続部５の間、接続部５の途中、接続部５と配線部４２９との間の少なくともどこかに所定の中間電位となるような抵抗を介在させればよい。

このような第２実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。

＜第３実施形態＞
次に、本発明の第３実施形態に係る高度計について説明する。

図１２は、本発明の高度計の一例を示す斜視図である。
図１２に示すように、高度計２００は、腕時計のように、手首に装着することができる。また、高度計２００の内部には、圧力センサー１が搭載されており、表示部２０１に現在地の海抜からの高度、または、現在地の気圧等を表示することができる。なお、この表示部２０１には、現在時刻、使用者の心拍数、天候等、様々な情報を表示することができる。

このような高度計２００は、圧力センサー１を有しているため、上述した圧力センサー１の効果を享受でき、高い信頼性を発揮することができる。

＜第４実施形態＞
次に、本発明の第４実施形態に係る電子機器について説明する。
図１３は、本発明の電子機器の一例を示す正面図である。

本実施形態の電子機器は、圧力センサー１を備えたナビゲーションシステム３００である。図１３に示すように、ナビゲーションシステム３００は、図示しない地図情報と、ＧＰＳ（全地球測位システム：Ｇｌｏｂａｌ Ｐｏｓｉｔｉｏｎｉｎｇ Ｓｙｓｔｅｍ）からの位置情報取得手段と、ジャイロセンサーおよび加速度センサーと車速データとによる自立航法手段と、圧力センサー１と、所定の位置情報または進路情報を表示する表示部３０１とを備えている。

このナビゲーションシステムによれば、取得した位置情報に加えて高度情報を取得することができる。例えば、一般道路と位置情報上は略同一の位置を示す高架道路を走行する場合、高度情報を持たない場合には一般道路を走行しているのか高架道路を走行しているのかナビゲーションシステムでは判断できず、優先情報として一般道路の情報を使用者に提供してしまっていた。

そこで、ナビゲーションシステム３００に圧力センサー１を搭載し、高度情報を圧力センサー１によって取得することで、一般道路から高架道路へ進入することによる高度変化を検出することができ、高架道路の走行状態におけるナビゲーション情報を使用者に提供することができる。

このようなナビゲーションシステム３００は、圧力センサー１を有しているため、上述した圧力センサー１の効果を享受でき、高い信頼性を発揮することができる。

なお、本発明の電子機器は、上記のナビゲーションシステムに限定されず、例えば、パーソナルコンピューター、携帯電話、スマートフォン、タブレット端末、時計（スマートウォッチを含む）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレーター等に適用することができる。

＜第５実施形態＞
次に、本発明の第５実施形態に係る移動体について説明する。
図１４は、本発明の移動体の一例を示す斜視図である。

本実施形態の移動体は、圧力センサー１を備えた自動車４００である。図１４に示すように、自動車４００は、車体４０１と、４つの車輪４０２とを有しており、車体４０１に設けられた図示しない動力源（エンジン）によって車輪４０２を回転させるように構成されている。このような自動車４００には、ナビゲーションシステム３００（圧力センサー１）が内蔵されている。

このような自動車４００は、圧力センサー１を有しているため、上述した圧力センサー１の効果を享受でき、高い信頼性を発揮することができる。

以上、本発明の圧力センサー、高度計、電子機器および移動体を図示の各実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、他の任意の構成物や、工程が付加されていてもよい。また、各実施形態を適宜組み合わせてもよい。

１…圧力センサー、２…基板、２１…第１シリコン層、２２…酸化シリコン層、２３…第２シリコン層、２５…ダイアフラム、２５１…受圧面、２６…凹部、３…センサー部、３０…ブリッジ回路、３１、３２、３３、３４…ピエゾ抵抗素子、３５、３５１、３５２…配線、４…周囲構造体、４１…層間絶縁膜、４２…配線層、４２１…ガードリング、４２９…配線部、４３…層間絶縁膜、４４…配線層、４４１…ガードリング、４４４…被覆層、４４５…貫通孔、４４９…配線部、４５…表面保護膜、４６…封止層、５…接続部、６…中間層、６１…第１中間層、６２…第２中間層、６３…第３中間層、２００…高度計、２０１…表示部、３００…ナビゲーションシステム、３０１…表示部、４００…自動車、４０１…車体、４０２…車輪、Ｍ…レジストマスク、Ｓ…圧力基準室

Claims (9)

1. 受圧により撓み変形するダイアフラムを有する基板と、
   前記ダイアフラムの一方の面側に配置されている圧力基準室と、
   前記ダイアフラムの前記一方の面側に配置されており、前記基板の平面視で前記圧力基準室の周囲の少なくとも一部を囲むように配置されている囲み部と、
   前記ダイアフラムに配置されているピエゾ抵抗素子を有するセンサー部と、
   前記基板の前記一方の面側に配置されており、前記センサー部と電気的に接続されている配線部と、
   前記囲み部と前記配線部とを電気的に接続し、前記囲み部の電位を前記センサー部の駆動電位、グランド電位または前記駆動電位と前記グランド電位の中間電位とする接続部と、を有することを特徴とする圧力センサー。
2. 前記囲み部、前記配線部および前記接続部は、一体である請求項１に記載の圧力センサー。
3. 前記囲み部、前記配線部および前記接続部は、同一層で構成されている請求項２に記載の圧力センサー。
4. 前記基板の平面視にて、前記接続部は、前記囲み部の外周の一部に接続されている請求項１ないし３のいずれか１項に記載の圧力センサー。
5. 前記接続部は、前記囲み部および前記配線部と別体である請求項１に記載の圧力センサー。
6. 前記基板の平面視で、前記接続部に前記囲み部および前記配線部の少なくとも一部が重なって配置されている請求項５に記載の圧力センサー。
7. 請求項１ないし６のいずれか１項に記載の圧力センサーを有することを特徴とする高度計。
8. 請求項１ないし６のいずれか１項に記載の圧力センサーを有することを特徴とする電子機器。
9. 請求項１ないし６のいずれか１項に記載の圧力センサーを有することを特徴とする移動体。

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