JP2017227587A - 圧力センサー、圧力センサーの製造方法、高度計、電子機器および移動体 - Google Patents
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Abstract
【課題】機械的強度を高めることができる圧力センサー、この圧力センサーの製造方法、この圧力センサーを備えた信頼性の高い高度計、電子機器および移動体を提供する。
【解決手段】ダイアフラムを有する基板と、前記ダイアフラムの上側に配置された圧力基準室と、前記基板の上側に、前記圧力基準室の周囲を囲むように配置され、前記基板に接続された第1コンタクト部と、前記第1コンタクト部の周囲に配置された第1フランジ部と、を有する第1配線部と、前記第1配線部の上側に、前記圧力基準室の周囲を囲むように配置され、前記第1フランジ部と接続された第2コンタクト部を有する第2配線部と、前記第1フランジ部と前記基板との間に前記圧力基準室に臨んで位置し、前記第2コンタクト部と重なって配置された充填部と、を有することを特徴とする圧力センサー。
【選択図】図4
【解決手段】ダイアフラムを有する基板と、前記ダイアフラムの上側に配置された圧力基準室と、前記基板の上側に、前記圧力基準室の周囲を囲むように配置され、前記基板に接続された第1コンタクト部と、前記第1コンタクト部の周囲に配置された第1フランジ部と、を有する第1配線部と、前記第1配線部の上側に、前記圧力基準室の周囲を囲むように配置され、前記第1フランジ部と接続された第2コンタクト部を有する第2配線部と、前記第1フランジ部と前記基板との間に前記圧力基準室に臨んで位置し、前記第2コンタクト部と重なって配置された充填部と、を有することを特徴とする圧力センサー。
【選択図】図4
Description
本発明は、圧力センサー、圧力センサーの製造方法、高度計、電子機器および移動体に関するものである。
従来から、圧力センサーとして、特許文献1に記載の構成が知られている。特許文献1の圧力センサーは、受圧により撓み変形するダイアフラムを有する基板と、基板上に配置された周囲構造体と、を有し、これらの間に圧力基準室が形成されている。また、圧力基準室の周囲には製造時のエッチングに対する耐性を有するガードリング(第1配線部および第2配線部)が設けられている。
このような構成の圧力センサーでは、ガードリングを構成する第1配線部(基板側の配線層)が基板に接続されたコンタクト部と、このコンタクト部の周囲に位置するフランジ部と、を有しており、フランジ部と基板との間に空隙が形成されている。このような空隙によって、周囲構造体の機械的強度が低下し、例えば、周囲構造体の天井部が潰れてダイアフラムに接触してしまったり、圧力基準室の真空破壊が起きてしまったりするおそれがある。
本発明の目的は、機械的強度を高めることができる圧力センサー、この圧力センサーの製造方法、この圧力センサーを備えた信頼性の高い高度計、電子機器および移動体を提供することにある。
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の圧力センサーは、受圧により撓み変形するダイアフラムを有する基板と、
前記ダイアフラムの一方の面側に配置されている圧力基準室と、
前記基板の前記一方の面側に、前記基板の平面視で前記圧力基準室の周囲の少なくとも一部を囲むように配置され、前記基板に接続されている第1コンタクト部と、前記第1コンタクト部の周囲に配置されている第1フランジ部と、を有する第1配線部と、
前記第1配線部の前記基板と反対側に、前記基板の平面視で前記圧力基準室の周囲の少なくとも一部を囲むように配置され、前記第1フランジ部と接続される第2コンタクト部を有する第2配線部と、
前記第1フランジ部と前記基板との間に前記圧力基準室に臨んで位置し、前記基板の平面視で前記第2コンタクト部の少なくとも一部と重なって配置されている充填部と、を有することを特徴とする。
これにより、第1フランジ部および第2コンタクト部が充填部によって支えられるため、圧力センサーの機械的強度を高めることができる。
前記ダイアフラムの一方の面側に配置されている圧力基準室と、
前記基板の前記一方の面側に、前記基板の平面視で前記圧力基準室の周囲の少なくとも一部を囲むように配置され、前記基板に接続されている第1コンタクト部と、前記第1コンタクト部の周囲に配置されている第1フランジ部と、を有する第1配線部と、
前記第1配線部の前記基板と反対側に、前記基板の平面視で前記圧力基準室の周囲の少なくとも一部を囲むように配置され、前記第1フランジ部と接続される第2コンタクト部を有する第2配線部と、
前記第1フランジ部と前記基板との間に前記圧力基準室に臨んで位置し、前記基板の平面視で前記第2コンタクト部の少なくとも一部と重なって配置されている充填部と、を有することを特徴とする。
これにより、第1フランジ部および第2コンタクト部が充填部によって支えられるため、圧力センサーの機械的強度を高めることができる。
本発明の圧力センサーでは、前記充填部の前記圧力基準室に臨む面は、平面視で前記基板側が前記第1フランジ部側よりも前記ダイアフラムの中央部から遠位に位置するように、前記ダイアフラムの前記一方の面の法線方向に対して傾斜していることが好ましい。
これにより、ダイアフラムをより広く配置することができる。
これにより、ダイアフラムをより広く配置することができる。
本発明の圧力センサーでは、前記充填部は、前記基板の平面視で前記第2コンタクト部の一部と重なって配置されていることが好ましい。
これにより、ダイアフラムをより広く配置することができる。
これにより、ダイアフラムをより広く配置することができる。
本発明の圧力センサーでは、前記基板の平面視にて、前記ダイアフラムの外縁は、前記第1フランジ部の前記圧力基準室側の端部と、前記充填部の前記基板との接触部との間に位置していることが好ましい。
これにより、ダイアフラムをより広く配置することができる。
これにより、ダイアフラムをより広く配置することができる。
本発明の圧力センサーでは、前記充填部は、前記第1フランジ部の前記圧力基準室側の端部よりも前記圧力基準室の外側に位置していることが好ましい。
これにより、ダイアフラムをより広く配置することができる。
これにより、ダイアフラムをより広く配置することができる。
本発明の圧力センサーの製造方法は、基板の一方の面側に、犠牲層と、前記基板の平面視で前記犠牲層の周囲の少なくとも一部を囲むように配置され、前記基板に接続される第1コンタクト部および前記犠牲層上に位置し前記第1コンタクト部の周囲に配置される第1フランジ部を有する第1配線部と、前記第1配線部上に前記基板の平面視で前記犠牲層の周囲の少なくとも一部を囲むように配置され、前記第1フランジ部と接続される第2コンタクト部を有する第2配線部と、を配置する工程と、
前記犠牲層を、前記第1フランジ部と前記基板との間に位置し前記基板の平面視で前記第2コンタクト部と重なる部分の少なくとも一部を残してエッチングにより除去することで圧力基準室を形成すると共に、残った前記犠牲層で充填部を形成する工程と、を有し、
前記犠牲層を配置する工程では、前記犠牲層を、前記エッチング時に除去される部分のエッチングレートが前記エッチング時に残される部分のエッチングレートよりも高くなるように形成することを特徴とする。
これにより、高い機械的強度を有する圧力センサーを製造することができる。
前記犠牲層を、前記第1フランジ部と前記基板との間に位置し前記基板の平面視で前記第2コンタクト部と重なる部分の少なくとも一部を残してエッチングにより除去することで圧力基準室を形成すると共に、残った前記犠牲層で充填部を形成する工程と、を有し、
前記犠牲層を配置する工程では、前記犠牲層を、前記エッチング時に除去される部分のエッチングレートが前記エッチング時に残される部分のエッチングレートよりも高くなるように形成することを特徴とする。
これにより、高い機械的強度を有する圧力センサーを製造することができる。
本発明の圧力センサーの製造方法では、前記エッチングで除去される部分および前記エッチングで残される部分の少なくとも一方を改質することで、前記エッチングで除去される部分のエッチングレートを前記エッチングで残される部分のエッチングレートよりも高くすることが好ましい。
これにより、簡単に充填部を形成することができる。
これにより、簡単に充填部を形成することができる。
本発明の圧力センサーの製造方法では、前記エッチングで除去される部分および前記エッチングで残される部分をエッチングレートの異なる材料で形成することで、前記エッチングで除去される部分のエッチングレートを前記エッチングで残される部分のエッチングレートよりも高くすることが好ましい。
これにより、簡単に充填部を形成することができる。
これにより、簡単に充填部を形成することができる。
本発明の高度計は、本発明の圧力センサーを有することを特徴とする。
これにより、信頼性の高い高度計が得られる。
これにより、信頼性の高い高度計が得られる。
本発明の電子機器は、本発明の圧力センサーを有することを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。
本発明の移動体は、本発明の圧力センサーを有することを特徴とする。
これにより、信頼性の高い移動体が得られる。
これにより、信頼性の高い移動体が得られる。
以下、本発明の圧力センサー、圧力センサーの製造方法、高度計、電子機器および移動体を添付図面に示す実施形態に基づいて詳細に説明する。
<第1実施形態>
まず、本発明の第1実施形態に係る圧力センサーについて説明する。
まず、本発明の第1実施形態に係る圧力センサーについて説明する。
図1は、本発明の第1実施形態に係る圧力センサーの断面図である。図2は、図1に示す圧力センサーが有するセンサー部を示す平面図である。図3は、図2に示すセンサー部を含むブリッジ回路を示す図である。図4は、図1に示す圧力センサーが有するガードリング付近の拡大断面図である。図5は、図1に示す圧力センサーの変形例を示す拡大断面図である。図6は、図1に示す圧力センサーの製造方法を示すフローチャートである。図7ないし図14は、それぞれ、図1に示す圧力センサーの製造方法を説明する断面図である。図15ないし図19は、それぞれ、図1に示す圧力センサーの別の製造方法を説明する断面図である。なお、以下の説明では、図1中の上側を「上」、下側を「下」とも言う。
図4に示すように、圧力センサー1は、受圧により撓み変形するダイアフラム25を有する基板2と、ダイアフラム25の一方の面側(上側)に配置されている圧力基準室Sと、基板2の一方の面側(上側)に、基板2の平面視(基板2の一方の面の法線方向から見た平面視)で圧力基準室Sの周囲の少なくとも一部を囲むように配置され、基板2に接続されている第1コンタクト部422と、第1コンタクト部422の周囲に配置されている第1フランジ部423と、を有する第1配線部としてのガードリング421と、ガードリング421の基板2と反対側に、基板2の平面視で圧力基準室Sの周囲の少なくとも一部を囲むように配置され、第1フランジ部423と接続される第2コンタクト部442を有する第2配線部としてのガードリング441と、第1フランジ部423と基板2との間に圧力基準室Sに臨んで位置し、基板2の平面視で第2コンタクト部442の少なくとも一部と重なって配置されている充填部5と、を有している。このような構成の圧力センサー1によれば、充填部5によって第1フランジ部423および第2コンタクト部442を支えることができるため、圧力センサー1(特に周囲構造体4)の機械的強度を高めることができ、信頼性の向上に寄与する。
以下、このような特徴を有する圧力センサー1について詳細に説明する。図1に示すように、圧力センサー1は、主に、基板2と、センサー部3と、周囲構造体4と、圧力基準室Sと、充填部5と、を有している。
[基板]
図1に示すように、基板2は、半導体基板21と、半導体基板21上に配置された絶縁層22と、を有している。半導体基板21は、第1シリコン層211と、第1シリコン層211の上側に配置された第2シリコン層213と、第1、第2シリコン層211、213の間に配置された酸化シリコン層212と、を有するSOI基板で構成されている。なお、半導体基板21としてはSOI基板に限定されず、例えば、単層のシリコン基板を用いることもできる。
図1に示すように、基板2は、半導体基板21と、半導体基板21上に配置された絶縁層22と、を有している。半導体基板21は、第1シリコン層211と、第1シリコン層211の上側に配置された第2シリコン層213と、第1、第2シリコン層211、213の間に配置された酸化シリコン層212と、を有するSOI基板で構成されている。なお、半導体基板21としてはSOI基板に限定されず、例えば、単層のシリコン基板を用いることもできる。
基板2には周囲の部分よりも薄肉であり、受圧によって撓み変形するダイアフラム25が設けられている。ダイアフラム25は、基板2の下面に開放する有底の凹部26を設けることで凹部26の底部として形成されている。そして、ダイアフラム25の下面が圧力を受ける受圧面251となっている。ダイアフラム25の厚さとしては、特に限定されないが、例えば、1.0μm以上、2.0μm以下程度とすることが好ましい。これにより、機械的強度を保ちつつ、十分に薄く撓み易いダイアフラム25となる。
絶縁層22は、半導体基板21の上面に配置され、酸化シリコンで構成された第1絶縁層221と、第1絶縁層221の上面に配置され、窒化シリコンで構成された第2絶縁層222と、を有している。このように、酸化シリコンで構成された第1絶縁層221を配置することで、センサー部3が有する後述するピエゾ抵抗素子31、32、33、34の界面準位を低減してノイズの発生を抑制することができ、その上に窒化シリコンで構成された第2絶縁層222を配置することで、センサー部3を水分の侵入や埃から保護することができる。なお、絶縁層22の構成としては、特に限定されない。例えば、第1、第2絶縁層221、222の材料は、特に限定されないし、第1、第2絶縁層221、222の少なくとも1層を省略してもよいし、第2絶縁層222上に、少なくとも1つの層(例えば、ポリシリコンの膜)を追加してもよい。
以上、基板2について説明した。なお、このような基板2では、半導体基板21にセンサー部3と電気的に接続される半導体回路(MOSトランジスタ、キャパシタ、インダクタ、抵抗、ダイオードトランジスタ等の回路要素)が作り込まれていてもよい。
[センサー部]
図2に示すように、センサー部3は、ダイアフラム25に設けられている4つのピエゾ抵抗素子31、32、33、34と、これらに電気的に接続された配線35と、を有している。ピエゾ抵抗素子31、32、33、34は、配線35等を介して、互いに電気的に接続され、図3に示すブリッジ回路30(ホイートストンブリッジ回路)を構成している。
図2に示すように、センサー部3は、ダイアフラム25に設けられている4つのピエゾ抵抗素子31、32、33、34と、これらに電気的に接続された配線35と、を有している。ピエゾ抵抗素子31、32、33、34は、配線35等を介して、互いに電気的に接続され、図3に示すブリッジ回路30(ホイートストンブリッジ回路)を構成している。
ブリッジ回路30には駆動電圧AVDCを供給する駆動回路(図示せず)が接続されている。そして、ブリッジ回路30は、ダイアフラム25の撓みに基づくピエゾ抵抗素子31、32、33、34の抵抗値変化に応じた信号(電圧)を出力する。なお、ピエゾ抵抗素子31、32、33、34は、それぞれ、例えば、基板2(第2シリコン層213)にリン、ボロン等の不純物をドープ(拡散または注入)することで構成されている。また、配線35は、例えば、基板2(第2シリコン層213)に、ピエゾ抵抗素子31、32、33、34よりも高濃度でリン、ボロン等の不純物をドープ(拡散または注入)することで構成されている。
[圧力基準室]
図1に示すように、圧力基準室Sは、基板2と周囲構造体4とに囲まれることで画成されている。このような圧力基準室Sは、密閉された空間(空洞)であり、圧力センサー1が検出する圧力の基準値となる。また、圧力基準室Sは、ダイアフラム25の上方(受圧面251とは反対側に位置し、ダイアフラム25と重なって配置されている。圧力基準室Sは、真空状態(例えば、10Pa以下程度)であることが好ましい。これにより、圧力センサー1を、真空を基準として圧力を検出する所謂「絶対圧センサー」として用いることができ、利便性の高い圧力センサー1となる。ただし、圧力基準室Sは、一定の圧力に保たれていれば、真空状態でなくてもよい。
図1に示すように、圧力基準室Sは、基板2と周囲構造体4とに囲まれることで画成されている。このような圧力基準室Sは、密閉された空間(空洞)であり、圧力センサー1が検出する圧力の基準値となる。また、圧力基準室Sは、ダイアフラム25の上方(受圧面251とは反対側に位置し、ダイアフラム25と重なって配置されている。圧力基準室Sは、真空状態(例えば、10Pa以下程度)であることが好ましい。これにより、圧力センサー1を、真空を基準として圧力を検出する所謂「絶対圧センサー」として用いることができ、利便性の高い圧力センサー1となる。ただし、圧力基準室Sは、一定の圧力に保たれていれば、真空状態でなくてもよい。
[周囲構造体]
図1に示すように、基板2と共に圧力基準室Sを画成する周囲構造体4は、層間絶縁膜41と、層間絶縁膜41上に配置された配線層42と、配線層42および層間絶縁膜41上に配置された層間絶縁膜43と、層間絶縁膜43上に配置された配線層44と、配線層44および層間絶縁膜43上に配置された表面保護膜45と、配線層44および表面保護膜45上に配置された封止層46と、を有している。
図1に示すように、基板2と共に圧力基準室Sを画成する周囲構造体4は、層間絶縁膜41と、層間絶縁膜41上に配置された配線層42と、配線層42および層間絶縁膜41上に配置された層間絶縁膜43と、層間絶縁膜43上に配置された配線層44と、配線層44および層間絶縁膜43上に配置された表面保護膜45と、配線層44および表面保護膜45上に配置された封止層46と、を有している。
配線層42は、基板2の平面視で、圧力基準室Sを囲んで配置された枠状のガードリング421と、ガードリング421の外側に位置し、センサー部3の配線35と接続されている配線部429と、を有している。同様に、配線層44は、基板2の平面視で、圧力基準室Sを囲んで配置された枠状のガードリング441と、ガードリング441の外側に位置し、配線部429と電気的に接続された配線部449と、を有している。ガードリング421、441は、後述する製造方法でも説明するように、圧力基準室Sを埋める犠牲層Xをエッチング除去する際のストッパーとして機能する。また、配線部429、449は、センサー部3を周囲構造体4の上面に引き出す機能を有する。
図4は、ガードリング421、441の拡大図である。同図に示すように、ガードリング421は、層間絶縁膜41を貫通して設けられ、基板2と接続された凹状の第1コンタクト部422と、層間絶縁膜41上に設けられ、第1コンタクト部422の周囲に配置された第1フランジ部423と、を有している。第1コンタクト部422は、基板2の平面視で、圧力基準室Sを囲む枠状をなしている(図2参照)。なお、以下では、第1フランジ部423の内側(圧力基準室S側)の部分を「内側部423a」とも言い、外側の部分を「外側部423b」とも言う。
一方、ガードリング441は、層間絶縁膜43を貫通して設けられ、ガードリング421と接続された凹状の2つの第2コンタクト部442と、層間絶縁膜43上に設けられ、第2コンタクト部442の周囲に配置された第2フランジ部443と、を有している。2つの第2コンタクト部442は、基板2の平面視で、圧力基準室Sを囲む枠状をなし、圧力基準室Sから離間する方向に並んで同心的に設けられている。なお、以下では、内側(圧力基準室S側)に位置する第2コンタクト部442を「第2コンタクト部442’」とも言い、第2コンタクト部442’の外側に位置する第2コンタクト部442を「第2コンタクト部442”」とも言う。
第2コンタクト部442’は、第1フランジ部423の内側部423a上に位置し、内側部423aと接続されている。一方、第2コンタクト部442”は、第1フランジ部423の外側部423b上に位置し、外側部423bと接続されている。そのため、基板2の平面視にて、圧力基準室S側から、第2コンタクト部442’、第1コンタクト部422、第2コンタクト部442”がこの順に並んで配置されている。また、ガードリング441の2つの第2コンタクト部442’、442”の間の領域には層間絶縁膜43が配置(充填)されている。この層間絶縁膜43は、ガードリング441を補強する補強部430としても機能する。特に、補強部430の全域がガードリング421、441によって液密的に覆われているため、前述したリリースエッチング工程の際にエッチング液と触れることがなく、エッチングによるダメージを受けることがない。したがって、補強部430としての効果をより確実に発揮することができる。
また、前述したように、基板2の平面視で、第1コンタクト部422を間に挟んで2つの第2コンタクト部442’、442”が配置されているため、第2コンタクト部442’、442”を十分に離間させて配置することができる。そのため、補強部430を比較的大きくすることができ、補強部430による補強効果を高めることができる。また、第2コンタクト部442”が第1フランジ部423に接続されているため、例えば、第2コンタクト部442”が第1コンタクト部422に接続されている場合と比較して、第2コンタクト部442”の深さを浅くすることができる。そのため、第2コンタクト部442”上に成膜される封止層46のステップカバレッジ(段差被覆性)が良好となり、周囲構造体4の機械的強度や圧力基準室Sの気密性をより確実に維持することができる。
配線層44は、さらに、圧力基準室Sの天井に位置し、ガードリング441から延出して設けられた被覆層444を有している。また、被覆層444には圧力基準室Sの内外を連通する複数の貫通孔445が設けられている。後述する製造方法でも説明するように、複数の貫通孔445は、圧力基準室Sにエッチング液を侵入させるためのリリースエッチング用の孔である。このような被覆層444上には封止層46が配置されており、封止層46によって貫通孔445が封止され、圧力基準室Sが気密的な空間となっている。
表面保護膜45は、周囲構造体4を水分、ゴミ、傷などから保護する機能を有している。このような表面保護膜は、被覆層444の貫通孔445を塞がないように、層間絶縁膜43および配線層44上に配置されている。
層間絶縁膜41、43としては、例えば、シリコン酸化膜(SiO2膜)等の絶縁膜を用いることができる。また、配線層42、44としては、例えば、アルミニウム膜等の金属膜を用いることができる。また、封止層46としては、例えば、Al、Cu、W、Ti、TiN等の金属膜、シリコン酸化膜等を用いることができる。また、表面保護膜45としては、例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、ポリイミド膜、エポキシ樹脂膜などを用いることができる。
以上、周囲構造体4について説明した。なお、周囲構造体4の構成としては、本実施形態の構成に限定されず、例えば、配線層や層間絶縁膜を3層以上有する構成となっていてもよい。また、本実施形態では、ガードリング421、441が、基板2の平面視で圧力基準室Sを囲む枠状をなしているが、ガードリング421、441は、基板2の平面視で圧力基準室Sの少なくとも一部を囲むように配置されていればよい。
[充填部]
図4に示すように、充填部5は、第1フランジ部423と基板2との間に圧力基準室Sに臨んで位置している。本実施形態では、このような充填部5は、層間絶縁膜41により構成され、層間絶縁膜41と一括形成されている。このように、層間絶縁膜41で充填部5を構成することで、充填部5の形成が容易となる。また、充填部5は、基板2の平面視で第2コンタクト部442’(特に、凹状の底部に当たる部位で、第1フランジ部423と接触している部分)と重なって配置されている。充填部5をこのように配置することで、充填部5によって第1フランジ部423および第2コンタクト部442’を下方から支えることができる。そのため、周囲構造体4の機械的強度を高めることができ、例えば、被覆層444が撓んでダイアフラム25に接触してしまったり、周囲構造体4にクラック等が発生して圧力基準室Sの真空度が低下または真空崩壊が生じたり、ガードリング421、441にクラックが発生してエッチング液が周囲構造体4内に滲み出したりする可能性を低減することができ、信頼性の向上に寄与する。
図4に示すように、充填部5は、第1フランジ部423と基板2との間に圧力基準室Sに臨んで位置している。本実施形態では、このような充填部5は、層間絶縁膜41により構成され、層間絶縁膜41と一括形成されている。このように、層間絶縁膜41で充填部5を構成することで、充填部5の形成が容易となる。また、充填部5は、基板2の平面視で第2コンタクト部442’(特に、凹状の底部に当たる部位で、第1フランジ部423と接触している部分)と重なって配置されている。充填部5をこのように配置することで、充填部5によって第1フランジ部423および第2コンタクト部442’を下方から支えることができる。そのため、周囲構造体4の機械的強度を高めることができ、例えば、被覆層444が撓んでダイアフラム25に接触してしまったり、周囲構造体4にクラック等が発生して圧力基準室Sの真空度が低下または真空崩壊が生じたり、ガードリング421、441にクラックが発生してエッチング液が周囲構造体4内に滲み出したりする可能性を低減することができ、信頼性の向上に寄与する。
特に、本実施形態では、充填部5は、基板2の平面視で第2コンタクト部442の一部(外側の部分)と重なって配置されており、第2コンタクト部442の内側の部分とは重なっていない。また、充填部5は、第1フランジ部423の内側(圧力基準室S側)の端部4231よりも圧力基準室Sの外側に位置している。充填部5をこのように配置することで、充填部5をなるべくダイアフラム25の中心から遠ざけることができる。そのため、例えば、ガードリング421、441のサイズが同じ場合において、ダイアフラム25をより広く形成することができる。ダイアフラム25を広く形成することで、ダイアフラム25がより撓み易くなるため、その分、圧力検知精度が向上する。ただし、充填部5は、基板2の平面視で第2コンタクト部442(凹状の底部に当たる部位であり、第1フランジ部423と接触している部分)の少なくとも一部と重なって配置されていればよいため、図5に示すように、第2コンタクト部442の全域と重なって配置されていてもよい。
また、充填部5の圧力基準室Sに臨む面51は、基板2の平面視で、下側(基板2側)が上側(第1フランジ部423側)よりもダイアフラム25の中央部から遠位に位置するように、ダイアフラム25の上面(一方の面)の法線方向Zに対して傾斜している。充填部5をこのように配置することで、面51の下端(基板2との接触部)をなるべくダイアフラム25の中心から遠ざけることができる。そのため、例えば、ガードリング421、441のサイズが同じ場合において、ダイアフラム25をより広く形成することができる。ダイアフラム25を広く形成することで、ダイアフラム25がより撓み易くなるため、その分、圧力検知精度が向上する。ただし、面51は、法線方向Zとほぼ一致していてもよいし、本実施形態とは逆向きに傾斜していてもよい。
また、図4に示すように、基板2の平面視にて、ダイアフラム25の外縁252は、第1フランジ部423の内側(圧力基準室S側)の端部4231と、充填部5の基板2との接触部(充填部5の下面)との間に位置している。このような構成とすることで、ダイアフラム25をなるべく広くすることができ、ダイアフラム25がより撓み易くなるため、その分、圧力検知精度が向上する。ただし、ダイアフラム25の外縁252の位置としては、これに限定されず、例えば、第1フランジ部423の端部4231よりも内側に位置していてもよい。
以上、圧力センサー1の構成について詳細に説明した。次に、圧力センサー1の製造方法について説明する。図6に示すように、圧力センサー1の製造方法は、基板2の上側(一方の面側)に、犠牲層Xと、基板2の平面視で犠牲層Xの周囲の少なくとも一部を囲むように配置され、基板2に接続される第1コンタクト部422および犠牲層X上に位置し第1コンタクト部422の周囲に配置される第1フランジ部423を有する第1配線部としてのガードリング421と、ガードリング421上に基板2の平面視で犠牲層Xの周囲の少なくとも一部を囲むように配置され、第1フランジ部423と接続される第2コンタクト部442を有する第2配線部としてのガードリング441と、を配置する第1工程と、犠牲層Xを、第1フランジ部423と基板2との間に位置し基板2の平面視で第2コンタクト部442と重なる部分の少なくとも一部を残してエッチングにより除去することで圧力基準室Sを形成すると共に、残った犠牲層Xで充填部5を形成する第2工程と、を有し、第1工程(犠牲層Xを配置する工程)では、犠牲層Xを、エッチング時に除去される部分のエッチングレートがエッチング時に残される部分のエッチングレートよりも高くなるように形成するようになっている。このような製造方法によれば、上述したような機械的強度の高い圧力センサー1を比較的簡単に製造することができる。以下、このような製造方法について詳細に説明する。
[第1工程]
まず、図7に示すように、凹部26が形成されていない半導体基板21を用意し、半導体基板21にセンサー部3を形成し、さらに、半導体基板21上に第1、第2絶縁層221、222を成膜する。これにより、ダイアフラム25が形成されていない基板2が得られる。
まず、図7に示すように、凹部26が形成されていない半導体基板21を用意し、半導体基板21にセンサー部3を形成し、さらに、半導体基板21上に第1、第2絶縁層221、222を成膜する。これにより、ダイアフラム25が形成されていない基板2が得られる。
次に、図8に示すように、基板2上に、層間絶縁膜41および配線層42を順に配置する。次に、図9に示すように、層間絶縁膜41の第1フランジ部423の端部4231よりも内側の部分を除去して貫通孔410を形成し、さらに、貫通孔410内にSOG(Spin on Glass:塗布ガラス)を塗布する。なお、SOGの側方、すなわち第1フランジ部423と基板2との間には層間絶縁膜41が残っている。次に、図10に示すように、これらの上に層間絶縁膜43、配線層44および表面保護膜45を順に形成する。この状態では、ガードリング421、441に囲まれた部分(圧力基準室Sとなる部分)に犠牲層Xが配置されている。
[第2工程]
次に、図11に示すように、図示しないレジストマスクで表面保護膜45を保護した上で、ウェットエッチングによって貫通孔445を介して犠牲層Xの一部(層間絶縁膜43)を除去する。次に、残りの犠牲層X(SOG)を除去する。ここで、本工程において用いるエッチング液に対して、SOGは、層間絶縁膜41(酸化シリコン)よりもエッチングレートが高くなっており、層間絶縁膜41よりも速やかに除去される。そのため、図12に示すように、層間絶縁膜41の少なくとも一部を残存させることができ、この部分で充填部5を構成することができる。以上により、圧力基準室Sおよび充填部5が形成される。なお、この際、ガードリング421、441は、エッチングのストッパーとして機能する。
次に、図11に示すように、図示しないレジストマスクで表面保護膜45を保護した上で、ウェットエッチングによって貫通孔445を介して犠牲層Xの一部(層間絶縁膜43)を除去する。次に、残りの犠牲層X(SOG)を除去する。ここで、本工程において用いるエッチング液に対して、SOGは、層間絶縁膜41(酸化シリコン)よりもエッチングレートが高くなっており、層間絶縁膜41よりも速やかに除去される。そのため、図12に示すように、層間絶縁膜41の少なくとも一部を残存させることができ、この部分で充填部5を構成することができる。以上により、圧力基準室Sおよび充填部5が形成される。なお、この際、ガードリング421、441は、エッチングのストッパーとして機能する。
このように、エッチングで除去される部分およびエッチングで残される部分をエッチングレートの異なる材料(SOGとSiO2)で形成し、エッチングで除去される部分のエッチングレートをエッチングで残される部分のエッチングレートよりも高くすることで、より確実かつ簡単に、充填部5を形成することができる。なお、貫通孔410に充填する材料としては、層間絶縁膜41よりも高いエッチングレートであればSOGに限定されない。
次に、図13に示すように、圧力基準室Sを真空状態とした状態で、封止層46を成膜して圧力基準室Sを封止する。以上により、周囲構造体4が形成される。次に、図14に示すように、基板2の下面に、ドライエッチングによって凹部26を形成してダイアフラム25を形成する。凹部26は、例えば、シリコンディープエッチング装置を用いて形成することができる。
以上により、圧力センサー1が得られる。このような製造方法によれば、半導体プロセスを用いて圧力センサー1を製造することができるため、機械的強度の高い圧力センサー1を比較的簡単に製造することができる。
次に、圧力センサー1の別の製造方法について説明する。なお、以下では、上述した製造方法と異なる部分について主に説明し、同様の部分についてはその説明を省略または簡略化する。
[第1工程]
まず、前述の図8と同様に、センサー部3が形成された基板2上に層間絶縁膜41および配線層42を順に配置する。次に、図15に示すように、層間絶縁膜41の第1フランジ部423の端部4231よりも内側の部分にAr+(アルゴンイオン)等のイオンを注入し、当該部分を改質(変質)して改質部41’を形成する。なお、改質部41’の側方、すなわち第1フランジ部423と基板2との間には改質されていない層間絶縁膜41が残っている。次に、図16に示すように、これらの上に層間絶縁膜43、配線層44および表面保護膜45を順に形成する。この状態では、ガードリング421、441に囲まれた部分に犠牲層Xが配置されている。
まず、前述の図8と同様に、センサー部3が形成された基板2上に層間絶縁膜41および配線層42を順に配置する。次に、図15に示すように、層間絶縁膜41の第1フランジ部423の端部4231よりも内側の部分にAr+(アルゴンイオン)等のイオンを注入し、当該部分を改質(変質)して改質部41’を形成する。なお、改質部41’の側方、すなわち第1フランジ部423と基板2との間には改質されていない層間絶縁膜41が残っている。次に、図16に示すように、これらの上に層間絶縁膜43、配線層44および表面保護膜45を順に形成する。この状態では、ガードリング421、441に囲まれた部分に犠牲層Xが配置されている。
[第2工程]
次に、図17に示すように、図示しないレジストマスクで表面保護膜45を保護した上で、ウェットエッチングによって貫通孔445を介して犠牲層Xの一部(層間絶縁膜43)を除去する。次に、残りの犠牲層X(改質部41’)を除去する。ここで、本工程において用いるエッチング液に対して、改質部41’は、改質されていない層間絶縁膜41(酸化シリコン)よりもエッチングレートが高くなっており、改質されていない層間絶縁膜41よりも速やかに除去される。そのため、図18に示すように、層間絶縁膜41の少なくとも一部を残存させることができ、この部分で充填部5を構成することができる。以上により、圧力基準室Sおよび充填部5が形成される。
次に、図17に示すように、図示しないレジストマスクで表面保護膜45を保護した上で、ウェットエッチングによって貫通孔445を介して犠牲層Xの一部(層間絶縁膜43)を除去する。次に、残りの犠牲層X(改質部41’)を除去する。ここで、本工程において用いるエッチング液に対して、改質部41’は、改質されていない層間絶縁膜41(酸化シリコン)よりもエッチングレートが高くなっており、改質されていない層間絶縁膜41よりも速やかに除去される。そのため、図18に示すように、層間絶縁膜41の少なくとも一部を残存させることができ、この部分で充填部5を構成することができる。以上により、圧力基準室Sおよび充填部5が形成される。
このように、エッチングで除去される部分およびエッチングで残される部分の少なくとも一方を改質し、エッチングで除去される部分のエッチングレートをエッチングで残される部分のエッチングレートよりも高くすることで、より確実かつ簡単に、充填部5を形成することができる。なお、本実施形態では、エッチングで除去される部分を改質しているが、反対に、エッチングで残す部分を改質することで、エッチングで除去される部分のエッチングレートをエッチングで残される部分のエッチングレートよりも高くしてもよいし、エッチングで除去される部分および残される部分の両方を改質することで、エッチングで除去される部分のエッチングレートをエッチングで残される部分のエッチングレートよりも高くしてもよい。ただし、本実施形態の構成では、改質時においてエッチングで除去される部分がガードリング421の内側に露出しているため、イオン注入し易く、当該部分を改質する方が製造的に容易である。
次に、図19に示すように、圧力基準室Sを真空状態とした状態で、封止層46を成膜して圧力基準室Sを封止し、その後、基板2にダイアフラム25を形成する。
以上により、圧力センサー1が得られる。このような製造方法によれば、半導体プロセスを用いて圧力センサー1を製造することができるため、機械的強度の高い圧力センサー1を比較的簡単に製造することができる。
<第2実施形態>
図20は、本発明の第2実施形態に係る圧力センサーの拡大断面図である。図21ないし図25は、それぞれ、図20に示す圧力センサーの製造方法を示す断面図である。
図20は、本発明の第2実施形態に係る圧力センサーの拡大断面図である。図21ないし図25は、それぞれ、図20に示す圧力センサーの製造方法を示す断面図である。
以下、第2実施形態の圧力センサーについて、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
本発明の第2実施形態に係る圧力センサーは、充填部の構成が異なること以外は、前述した第1実施形態と同様である。なお、前述した実施形態と同様の構成には同一符号を付してある。
本実施形態の圧力センサー1では、充填部5は、層間絶縁膜41とは別の材料で構成されている。すなわち、充填部5は、層間絶縁膜41から一括形成されていない。このような構成とすることで、充填部5の材料の選択肢が増え、例えば、充填部5をより硬質にすることができる。また、充填部の面51は、法線方向Zにほぼ一致している。
また、本実施形態では、充填部5は、第1コンタクト部422の内側(圧力基準室S内)のみならず、第1コンタクト部422の外側(圧力基準室S外)にも配置され、充填部5によって第1コンタクト部422が挟まれている。また、外側の充填部5は、基板2の平面視で、第2コンタクト部442”の少なくとも一部と重なっている。
このような充填部5の材料としては特に限定されないが、例えば、層間絶縁膜41が酸化シリコン(SiO2)で構成されている場合には、窒化シリコン(SiN)で構成することができる。
次に、本実施形態の圧力センサー1の製造方法について説明する。なお、以下では、前述した第1実施形態で説明した製造方法(初めに説明した製造方法)と異なる部分について主に説明し、同様の部分についてはその説明を省略または簡略化する。
[第1工程]
まず、図21に示すように、センサー部3が形成された基板2上に層間絶縁膜41を配置し、層間絶縁膜41のコンタクト部(ガードリング421および配線部429のコンタクト部)を配置する領域に貫通孔を形成する。この際、ガードリング421のコンタクト部(すなわち、第1コンタクト部422)に対応する貫通孔を第1コンタクト部422よりも大きく形成する。次に、図22に示すように、第1コンタクト部422に対応する貫通孔内に、充填部5を充填(配置)する。なお、充填部5は、用いられるエッチング液に対して、層間絶縁膜41よりも低いエッチングレートを有している。
まず、図21に示すように、センサー部3が形成された基板2上に層間絶縁膜41を配置し、層間絶縁膜41のコンタクト部(ガードリング421および配線部429のコンタクト部)を配置する領域に貫通孔を形成する。この際、ガードリング421のコンタクト部(すなわち、第1コンタクト部422)に対応する貫通孔を第1コンタクト部422よりも大きく形成する。次に、図22に示すように、第1コンタクト部422に対応する貫通孔内に、充填部5を充填(配置)する。なお、充填部5は、用いられるエッチング液に対して、層間絶縁膜41よりも低いエッチングレートを有している。
次に、図23に示すように、充填部5に貫通孔を形成した後、層間絶縁膜41および充填部5上に配線層42、層間絶縁膜43、配線層44および表面保護膜45を順に形成する。この状態では、ガードリング421、441に囲まれた部分に犠牲層Xが配置されている。
[第2工程]
次に、図示しないレジストマスクで表面保護膜45を保護した上で、ウェットエッチングによって貫通孔445を介して犠牲層Xを除去する。ここで、前述したように、層間絶縁膜41は、充填部5よりもエッチングレートが高くなっており、充填部5よりも速やかに除去される。そのため、図24に示すように、充填部5の少なくとも一部を残存させることができる。以上により、圧力基準室Sおよび充填部5が形成される。
次に、図示しないレジストマスクで表面保護膜45を保護した上で、ウェットエッチングによって貫通孔445を介して犠牲層Xを除去する。ここで、前述したように、層間絶縁膜41は、充填部5よりもエッチングレートが高くなっており、充填部5よりも速やかに除去される。そのため、図24に示すように、充填部5の少なくとも一部を残存させることができる。以上により、圧力基準室Sおよび充填部5が形成される。
このように、エッチングで除去される部分およびエッチングで残される部分をエッチングレートの異なる材料で形成し、エッチングで除去される部分のエッチングレートをエッチングで残される部分のエッチングレートよりも高くすることで、より確実かつ簡単に、充填部5を形成することができる。なお、充填部5の材料は、層間絶縁膜41よりも低いエッチングレートであれば、特に限定されない。
次に、図25に示すように、圧力基準室Sを真空状態とした状態で、封止層46を成膜して圧力基準室Sを封止し、その後、基板2にダイアフラム25を形成する。
以上により、圧力センサー1が得られる。このような製造方法によれば、半導体プロセスを用いて圧力センサー1を製造することができるため、機械的強度の高い圧力センサー1を比較的簡単に製造することができる。
このような第2実施形態によっても、前述した第1実施形態と同様の効果を発揮することができる。
<第3実施形態>
次に、本発明の第3実施形態に係る高度計について説明する。
次に、本発明の第3実施形態に係る高度計について説明する。
図26は、本発明の高度計の一例を示す斜視図である。図26に示すように、高度計200は、腕時計のように、手首に装着することができる。また、高度計200の内部には、圧力センサー1が搭載されており、表示部201に現在地の海抜からの高度または現在地の気圧等を表示することができる。なお、この表示部201には、現在時刻、使用者の心拍数、天候等、様々な情報を表示することができる。
このような高度計200は、圧力センサー1を備えているため、上述した圧力センサー1の効果を享受でき、高い信頼性を発揮することができる。
<第4実施形態>
次に、本発明の第4実施形態に係る電子機器について説明する。
次に、本発明の第4実施形態に係る電子機器について説明する。
図27は、本発明の電子機器の一例を示す正面図である。本実施形態の電子機器は、圧力センサー1を備えたナビゲーションシステム300である。図27に示すように、ナビゲーションシステム300は、図示しない地図情報と、GPS(全地球測位システム:Global Positioning System)からの位置情報取得手段と、ジャイロセンサーおよび加速度センサーと車速データとによる自立航法手段と、圧力センサー1と、所定の位置情報または進路情報を表示する表示部301とを備えている。
このナビゲーションシステムによれば、取得した位置情報に加えて高度情報を取得することができる。例えば、一般道路と位置情報上は略同一の位置を示す高架道路を走行する場合、高度情報を持たない場合には一般道路を走行しているのか高架道路を走行しているのかナビゲーションシステムでは判断できず、優先情報として一般道路の情報を使用者に提供してしまっていた。
そこで、ナビゲーションシステム300に圧力センサー1を搭載し、高度情報を圧力センサー1によって取得することで、一般道路から高架道路へ進入することによる高度変化を検出することができ、高架道路の走行状態におけるナビゲーション情報を使用者に提供することができる。
このようなナビゲーションシステム300は、圧力センサー1を備えているため、上述した圧力センサー1の効果を享受でき、高い信頼性を発揮することができる。
なお、本発明の電子機器は、上記のナビゲーションシステムに限定されず、例えば、パーソナルコンピューター、携帯電話、スマートフォン、タブレット端末、時計(スマートウォッチを含む)、医療機器(例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡)、各種測定機器、計器類(例えば、車両、航空機、船舶の計器類)、フライトシミュレーター等に適用することができる。
<第5実施形態>
次に、本発明の第5実施形態に係る移動体について説明する。
次に、本発明の第5実施形態に係る移動体について説明する。
図28は、本発明の移動体の一例を示す斜視図である。本実施形態の移動体は、圧力センサー1を備えた自動車400である。図28に示すように、自動車400は、車体401と、4つの車輪402とを有しており、車体401に設けられた図示しない動力源(エンジン)によって車輪402を回転させるように構成されている。このような自動車400には、ナビゲーションシステム300(圧力センサー1)が内蔵されている。
このような自動車400は、圧力センサー1を備えているため、上述した圧力センサー1の効果を享受でき、高い信頼性を発揮することができる。
以上、本発明の圧力センサー、圧力センサーの製造方法、高度計、電子機器および移動体を図示の各実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、他の任意の構成物や、工程が付加されていてもよい。また、各実施形態を適宜組み合わせてもよい。
1…圧力センサー、2…基板、21…半導体基板、211…第1シリコン層、212…酸化シリコン層、213…第2シリコン層、22…絶縁層、221…第1絶縁層、222…第2絶縁層、25…ダイアフラム、251…受圧面、252…外縁、26…凹部、3…センサー部、30…ブリッジ回路、31、32、33、34…ピエゾ抵抗素子、35…配線、4…周囲構造体、41…層間絶縁膜、41’…改質部、410…貫通孔、42…配線層、421…ガードリング、422…第1コンタクト部、423…第1フランジ部、423a…内側部、423b…外側部、4231…端部、429…配線部、43…層間絶縁膜、430…補強部、44…配線層、441…ガードリング、442、442’、442”…第2コンタクト部、443…第2フランジ部、444…被覆層、445…貫通孔、449…配線部、45…表面保護膜、46…封止層、5…充填部、51…面、200…高度計、201…表示部、300…ナビゲーションシステム、301…表示部、400…自動車、401…車体、402…車輪、S…圧力基準室、SOG…塗布ガラス、X…犠牲層、Z…法線方向
Claims (11)
- 受圧により撓み変形するダイアフラムを有する基板と、
前記ダイアフラムの一方の面側に配置されている圧力基準室と、
前記基板の前記一方の面側に、前記基板の平面視で前記圧力基準室の周囲の少なくとも一部を囲むように配置され、前記基板に接続されている第1コンタクト部と、前記第1コンタクト部の周囲に配置されている第1フランジ部と、を有する第1配線部と、
前記第1配線部の前記基板と反対側に、前記基板の平面視で前記圧力基準室の周囲の少なくとも一部を囲むように配置され、前記第1フランジ部と接続される第2コンタクト部を有する第2配線部と、
前記第1フランジ部と前記基板との間に前記圧力基準室に臨んで位置し、前記基板の平面視で前記第2コンタクト部の少なくとも一部と重なって配置されている充填部と、を有することを特徴とする圧力センサー。 - 前記充填部の前記圧力基準室に臨む面は、平面視で前記基板側が前記第1フランジ部側よりも前記ダイアフラムの中央部から遠位に位置するように、前記ダイアフラムの前記一方の面の法線方向に対して傾斜している請求項1に記載の圧力センサー。
- 前記充填部は、前記基板の平面視で前記第2コンタクト部の一部と重なって配置されている請求項1に記載の圧力センサー。
- 前記基板の平面視にて、前記ダイアフラムの外縁は、前記第1フランジ部の前記圧力基準室側の端部と、前記充填部の前記基板との接触部との間に位置している請求項1ないし3のいずれか1項に記載の圧力センサー。
- 前記充填部は、前記第1フランジ部の前記圧力基準室側の端部よりも前記圧力基準室の外側に位置している請求項1ないし4のいずれか1項に記載の圧力センサー。
- 基板の一方の面側に、犠牲層と、前記基板の平面視で前記犠牲層の周囲の少なくとも一部を囲むように配置され、前記基板に接続される第1コンタクト部および前記犠牲層上に位置し前記第1コンタクト部の周囲に配置される第1フランジ部を有する第1配線部と、前記第1配線部上に前記基板の平面視で前記犠牲層の周囲の少なくとも一部を囲むように配置され、前記第1フランジ部と接続される第2コンタクト部を有する第2配線部と、を配置する工程と、
前記犠牲層を、前記第1フランジ部と前記基板との間に位置し前記基板の平面視で前記第2コンタクト部と重なる部分の少なくとも一部を残してエッチングにより除去することで圧力基準室を形成すると共に、残った前記犠牲層で充填部を形成する工程と、を有し、
前記犠牲層を配置する工程では、前記犠牲層を、前記エッチング時に除去される部分のエッチングレートが前記エッチング時に残される部分のエッチングレートよりも高くなるように形成することを特徴とする圧力センサーの製造方法。 - 前記エッチングで除去される部分および前記エッチングで残される部分の少なくとも一方を改質することで、前記エッチングで除去される部分のエッチングレートを前記エッチングで残される部分のエッチングレートよりも高くする請求項6に記載の圧力センサーの製造方法。
- 前記エッチングで除去される部分および前記エッチングで残される部分をエッチングレートの異なる材料で形成することで、前記エッチングで除去される部分のエッチングレートを前記エッチングで残される部分のエッチングレートよりも高くする請求項6に記載の圧力センサーの製造方法。
- 請求項1ないし5のいずれか1項に記載の圧力センサーを有することを特徴とする高度計。
- 請求項1ないし5のいずれか1項に記載の圧力センサーを有することを特徴とする電子機器。
- 請求項1ないし5のいずれか1項に記載の圧力センサーを有することを特徴とする移動体。
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JP2016125281A JP2017227587A (ja) | 2016-06-24 | 2016-06-24 | 圧力センサー、圧力センサーの製造方法、高度計、電子機器および移動体 |
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JP2016125281A JP2017227587A (ja) | 2016-06-24 | 2016-06-24 | 圧力センサー、圧力センサーの製造方法、高度計、電子機器および移動体 |
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JP (1) | JP2017227587A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190075143A (ko) * | 2017-09-22 | 2019-06-28 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 레이저 가공 장치 |
-
2016
- 2016-06-24 JP JP2016125281A patent/JP2017227587A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR20190075143A (ko) * | 2017-09-22 | 2019-06-28 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 레이저 가공 장치 |
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