JP2017226581A - ガラスの加工方法 - Google Patents

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【課題】 貫通孔を有するガラス基板の特性を向上させる。【解決手段】 加工方法は、レーザー光を用いて、ガラス基板10に貫通孔11を形成する工程と、エッチング液34を用いて、貫通孔11を湿式エッチングする工程とを含む。エッチング液34は、フッ化水素酸と、フッ化水素酸より分子サイズの大きい酸からなる第1液体とを含む。フッ化水素酸の濃度は、4重量%以下である。第1液体の濃度は、フッ化水素酸の濃度より高い。【選択図】 図1

Description

本発明は、レーザー光を用いたガラスの加工方法に関する。
複数の微少な貫通孔を有するガラス基板は、例えば、インクジェット方式のプリントヘッド用基板、又は両面配線基板などに利用されている。貫通孔は、通常、レーザー光を用いて形成される。
レーザー光とガラスが接する部分(変質層)は、加工中に熱を持ち、熱応力による歪みによりクラック(マイクロクラック)が発生してしまう。これにより、ガラス基板の特性(機能)が低下したり、ガラス基板が割れやすくなってしまう。
特開2000−61667号公報 特許第4672689号公報
本発明は、貫通孔を有するガラス基板の特性を向上させることが可能なガラスの加工方法を提供する。
本発明の一態様に係るガラスの加工方法は、レーザー光を用いて、ガラス基板に貫通孔を形成する工程と、エッチング液を用いて、前記貫通孔を湿式エッチングする工程とを具備する。前記エッチング液は、フッ化水素酸と、前記フッ化水素酸より分子サイズの大きい酸からなる第1液体とを含む。前記フッ化水素酸の濃度は、4重量%以下である。前記第1液体の濃度は、前記フッ化水素酸の濃度より高い。
本発明によれば、貫通孔を有するガラス基板の特性を向上させることが可能なガラスの加工方法を提供することができる。
実施形態に係るガラス基板の加工方法を説明するフローチャート。 レーザー加工装置の一例を示す概略図。 複数の貫通孔が形成されたガラス基板を説明する図。 湿式エッチング工程で用いられる湿式エッチング装置の概略図。 湿式エッチング後における貫通孔の一例を示す断面図。 湿式エッチング前の貫通孔の一例を示す写真。 湿式エッチング後の貫通孔の一例を示す写真。 実施形態に係る湿式エッチングの原理を説明する模式図。 本実施形態に係る湿式エッチングのエッチングレートを説明するグラフ。 超音波により発生する気泡を説明するグラフ。 比較例に係る湿式エッチングの原理を説明する模式図。 比較例に係る湿式エッチング後の貫通孔の一例を示す写真。
以下、実施形態について図面を参照して説明する。ただし、図面は模式的または概念的なものであり、各図面の寸法および比率等は必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、図面の相互間で同じ部分を表す場合においても、互いの寸法の関係や比率が異なって表される場合もある。特に、以下に示す幾つかの実施形態は、本発明の技術思想を具体化するための装置および方法を例示したものであって、構成部品の形状、構造、配置等によって、本発明の技術思想が特定されるものではない。なお、以下の説明において、同一の機能及び構成を有する要素については同一符号を付し、重複説明は必要な場合にのみ行う。
図1は、本実施形態に係るガラス基板の加工方法を説明するフローチャートである。まず、ガラス基板10を準備する。ガラス基板10の厚さは、例えば0.1〜1.5mm程度である。本明細書において、数値範囲を表す「〜」はその前後の数値を含む範囲を意味する。
続いて、図1に示すように、レーザー光を用いてガラス基板10に1つ又は複数の貫通孔を形成する(ステップS100)。図2は、レーザー加工装置20の一例を示す概略図である。レーザー加工装置20は、レーザー発振器21、光学系22(ミラー23及び集光レンズ24を含む)、及びステージ25などを備える。
ステージ25は、ガラス基板10を保持する。ステージ25は、ガラス基板10を吸着固定、又は接着固定する。吸着固定としては、例えば、真空吸着、又は静電吸着が用いられる。ステージ25は、ガラス基板10を水平に移動させる機能を有していてもよく、例えばX−Yステージで構成されていてもよい。この場合、ステージ(X−Yステージ)25は、モータを用いた二軸の移動機構(図示せず)により、広範囲に移動可能である。
レーザー発振器21は、レーザー光26を出射する。レーザーとしては、超短波パルス(例えばナノ秒パルス)のUV(ultraviolet)レーザーが用いられる。UVレーザーとしては、エキシマレーザー、又は個体レーザーなどが用いられる。個体レーザーとしては、例えば、イットリウム−アルミニウム−ガーネット結晶にNd(ネオジム)をドープした媒質を用いたYAGレーザー(Nd:YAGレーザー)が挙げられる。
ミラー23は、レーザー発振器21からのレーザー光26をガラス基板10側に反射する。集光レンズ24は、ミラー23からのレーザー光26を受ける。そして、集光レンズ24は、ステージ25に保持されるガラス基板10に対し、レーザー光26を集光照射する。集光レンズ24は、複数のレンズで構成してもよい。レーザー光26の集光位置は、例えばガラス基板10のレーザー光源側の主面又はその近傍である。このレーザー光26によってガラス基板10が局所的に加熱され、加熱部分が除去されて、ガラス基板10に貫通孔11が形成される。貫通孔11は、貫通ガラスビア(TGV:Through Glass Via)とも呼ばれる。
図3は、複数の貫通孔11が形成されたガラス基板10を説明する図である。例えば、図3に示すように、ガラス基板10には、複数回の貫通孔形成工程が行われる。貫通孔11の直径D1は、例えば10〜50μm程度である。本明細書で述べる貫通孔の直径は、例えば、ガラス基板の上面におけるサイズである。図3のガラス基板10は、インクジェット方式のプリントヘッド用基板、両面配線基板、複数のICチップを1つのパッケージに集積したマルチチップモジュール(MCM)、又はシステムレベルの機能をワンパッケージで実現できるシステムインパッケージ(SiP)などに使用可能なガラスインターポーザ(中継基板)の例である。
ここで、レーザー光を用いた貫通孔の形成工程において、ガラス基板10の上面側及び底面側かつ貫通孔11近傍には、複数のクラック(マイクロクラック)12が発生する。すなわち、UVレーザーは熱的な加工であるために、加工部周辺の広範囲に亘って熱歪みによるクラックが発生する。
続いて、図1に示すように、超音波振動を与えながら湿式エッチングを行う(ステップS101)。湿式エッチング工程は、例えば20分程度行われる。図4は、湿式エッチング工程で用いられる湿式エッチング装置30の概略図である。
湿式エッチング装置30は、エッチング処理槽31、超音波発生装置32、及び保持機構33を備える。エッチング処理槽31内には、エッチング液34が供給される。保持機構33は、可動式であり、例えば複数のガラス基板10を保持する。保持機構33は、ガラス基板10をエッチング液34に浸すことが可能な位置に配置される。ガラス基板10の固定方法としては、例えば、保持機構33にガラス基板10を接着してもよいし、保持機構33がガラス基板10を挟む機構を備えていてもよい。
エッチング処理槽31内には、エッチング液34に浸るようにして超音波発生装置32が設置される。超音波発生装置32は、超音波を発生し、エッチング液34に超音波振動を起こさせる。この超音波振動により、エッチング液34に複数の気泡が発生し、エッチング液34にキャビテーションが起こる。これにより、ガラス基板10の貫通孔11がエッチングされる。
次に、湿式エッチング工程で使用するエッチング液34について説明する。エッチング液34は、フッ化水素酸(HF)、硫酸(HSO)、及び水(HO)を含む。フッ化水素酸(HF)の濃度は、0より大きく4重量%以下である。より望ましくは、フッ化水素酸の濃度は、1.5重量%以下である。硫酸の濃度は、フッ化水素酸の濃度より高く、10重量%以上90重量%以下である。より望ましくは、硫酸の濃度は、40重量%以上60重量%以下である。具体的には、エッチング液34は、0.5重量%程度のフッ化水素酸、60.0重量%程度の硫酸、及び39.5重量%程度の水を含む。
ガラス基板10は、その主成分がSiO(40〜70%)、2番目に多い成分がAl(5〜20%)である。
ガラス基板10に対して、エッチング液34に含まれるフッ化水素酸(HF)は、以下に示す3種類(1)〜(3)の反応を起こす。

SiO+4HF → SiF+2H0 ・・・(1)

SiO+6HF → HSiF+2H0 ・・・(2)

Al+6HF → 2AlF+3H0 ・・・(3)
図5は、湿式エッチング後における貫通孔11の一例を示す断面図である。湿式エッチング工程により、クラックがエッチングされ、クラックがほとんど無い貫通孔11を形成することができる。湿式エッチング後における貫通孔11の直径D2は、例えば50〜150μm程度である。
図6は、湿式エッチング前の貫通孔11の一例を示す写真である。図6の写真は、走査電子顕微鏡(Scanning Electron Microscopy:SEM)を用いて撮影している。図6の貫通孔11の周囲には、複数のクラックが形成されている。図6の貫通孔11の直径は、100μm程度である。
図7は、湿式エッチング後の貫通孔11の一例を示す写真である。図7の貫通孔11の周囲には、クラックがほとんど無く、すなわち、本実施形態の湿式エッチングを行うことで、クラックが完全に除去されている。
図8は、本実施形態に係る湿式エッチングの原理を説明する模式図である。図8の左側が湿式エッチング前の平面図、図8の右側が湿式エッチング後の平面図である。
フッ化水素酸(HF)は、粘度(粘性係数)が小さく、表面張力が小さく、分子サイズが小さいので、クラック内に侵入しやすい。一方、硫酸(HSO)は、フッ化水素酸に比べて、粘度が大きく、表面張力が大きく、分子サイズが大きいので、クラック内に侵入しづらい。なお、フッ化水素酸と混合する酸は、硫酸に限定されず、フッ化水素酸に比べて、粘度が大きく、表面張力が大きく、分子サイズが大きい特性を有する酸を用いることができる。このような条件を満たす酸としては、酢酸、リン酸、又は硝酸などが挙げられる。さらに、上記条件を満たしかつ酸以外の液体、例えばグリセリンなどを用いてもよい。
本実施形態のエッチング液34では、フッ化水素酸の濃度に比べて硫酸の濃度が高く、エッチング液34の粘度が高い。このため、エッチング液34がクラック内に侵入しづらくなり、クラック内のエッチングが進行するのを抑制できる。
エッチングの原理としては、フッ化水素酸がイオン化し、フッ素(F)イオンがガラス基板を溶解する主体となる。しかし、ガラス基板の溶解を進行させるには、水素(H)イオンの補助が必要である。水素イオンは、エッチング液のpH(potential of hydrogen)を下げることで、ガラス基板の溶解を補助する。
本実施形態では、フッ化水素酸の濃度を低くしている(例えば0.5重量%)。この場合、フッ化水素酸のみでは、ガラス基板の溶解を補助する水素イオンが少ないため、ガラス基板のエッチングが進行しづらい。しかし、本実施形態では、エッチング液が硫酸を含んでおり、硫酸に含まれる水素イオンによってエッチング液のpHを下げることで、ガラス基板の溶解を補助することができる。
このような原理により、図8に示すように、クラック12内のエッチングは促進されず、貫通孔11全体が均一にエッチングされる。これにより、クラック12が拡大されずに貫通孔11のエッチングが進行し、貫通孔11が全体に拡大するようにエッチングが進行する。この結果、湿式エッチング前のクラック12がほとんど除去される。なお、フッ化水素酸の濃度が4重量%以上になると、エッチング液にフッ化水素酸以外の成分を加えた場合でも、クラック内でエッチングが進行してしまう。よって、本実施形態では、フッ化水素酸の濃度が4重量%以下に設定される。
また、超音波発生装置32により超音波を発生し、エッチング液34にキャビテーションを起こさせる。キャビテーションによる気泡の直径は、貫通孔の直径より小さくかつクラックの幅より大きいことが望ましい。これにより、キャビテーションによる気泡は、貫通孔11内には侵入するが、クラック12内には侵入しづらくなる。よって、貫通孔11のエッチングを促進しつつ、クラック12内のエッチングを抑制できる。例えば、貫通孔11の直径が100μmである場合、気泡の直径は、80μm以下であることが望ましい。この時の超音波の周波数は、28kHz以上に設定される。
図9は、本実施形態に係る湿式エッチングのエッチングレートを説明するグラフである。図9の横軸が処理時間(分)、図9の縦軸がエッチング量(μm)を示している。図9で使用したエッチング液は、0.5重量%のフッ化水素酸、69.3重量%の硫酸、及び30.2重量%の水を含む。このエッチング液のpHは、1未満である。本実施形態に係る湿式エッチングでは、高いエッチングレートを実現できる。
図10は、超音波により発生する気泡を説明するグラフである。図10の横軸が超音波の周波数(kHz)、図10の縦軸が気泡の直径(μm)を示している。図10に示すように、超音波の周波数を28kHz以上に設定することで、80μm以下の直径を有する気泡を形成できる。これにより、貫通孔11のエッチングを促進しつつ、クラック12内のエッチングを抑制できる。
(比較例)
次に、比較例について説明する。図11は、比較例に係る湿式エッチングの原理を説明する模式図である。図11の左側が湿式エッチング前の平面図、図11の右側が湿式エッチング後の平面図である。
比較例のエッチング液は、例えば、4重量%程度のフッ化水素酸、及び96重量%程度の水を含む。すなわち、比較例のエッチング液は、フッ化水素酸以外の酸を含んでいない。
比較例では、フッ化水素酸(HF)がイオン化し、フッ素(F)イオンがガラス溶解する。水素(H)イオンは、エッチング液のpHを下げ、フッ素イオンによるガラスの溶解を補助する。比較例のエッチング液は、粘度及び表面張力が低いため、エッチング液がクラック内に侵入する。これにより、貫通孔及びクラックが等方的にエッチングされ、クラックが拡大される。すなわち、比較例に係る湿式エッチング工程では、クラックが除去できない。
図12は、比較例に係る湿式エッチング後の貫通孔11の一例を示す写真である。図12に示すように、比較例では、クラックが拡大してしまい、クラックが完全に除去できていない。
図9には、比較例のグラフも載せている。図9で使用した比較例のエッチング液は、0.5重量%程度のフッ化水素酸、及び99.5重量%程度の水を含む。このエッチング液のpHは、3程度である。比較例では、本実施形態に比べて、エッチングレートが低くなっている。
(効果)
以上詳述したように本実施形態では、まず、レーザー光26を用いて、ガラス基板10に貫通孔11を形成する。続いて、エッチング液34を用いて、貫通孔11を湿式エッチングする。エッチング液34は、フッ化水素酸と、フッ化水素酸より分子サイズの大きい硫酸と、水とを含む。フッ化水素酸の濃度は、4重量%以下である。硫酸の濃度は、フッ化水素酸の濃度より高く、10重量%以上90重量%以下である。
従って本実施形態によれば、貫通孔11の周囲に形成されたクラック12を除去、又はほとんど除去することができる。これにより、複数の貫通孔11を有するガラス基板10の特性(機能)が低下するのを抑制できる。また、クラック12に起因してガラス基板10が割れるのを抑制できる。
また、本実施形態のエッチング液34を用いることで、エッチングレートを高くできる。これにより、湿式エッチング工程を短くできるため、製造コストを低減できる。
また、エッチング液34に超音波を印加し、エッチング液34にキャビテーションを起こさせている。さらに、キャビテーションにより発生する気泡がクラック12に侵入しづらくなるように、超音波の周波数を28kHz以上に設定している。これにより、貫通孔11のエッチングを促進しつつ、クラック12内のエッチングを抑制できる。この結果、クラック12を除去することが可能となる。また、キャビテーションに起因して、エッチングレートをより高くできる。
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲内で、構成要素を変形して具体化することが可能である。さらに、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、1つの実施形態に開示される複数の構成要素の適宜な組み合わせ、若しくは異なる実施形態に開示される構成要素の適宜な組み合わせにより種々の発明を構成することができる。例えば、実施形態に開示される全構成要素から幾つかの構成要素が削除されても、発明が解決しようとする課題が解決でき、発明の効果が得られる場合には、これらの構成要素が削除された実施形態が発明として抽出されうる。
10…ガラス基板、11…貫通孔、12…クラック、20…レーザー加工装置、21…レーザー発振器、22…光学系、23…ミラー、24…集光レンズ、25…ステージ、26…レーザー光、30…湿式エッチング装置、31…エッチング処理槽、32…超音波発生装置、33…保持機構、34…エッチング液。

Claims (6)

  1. レーザー光を用いて、ガラス基板に貫通孔を形成する工程と、
    エッチング液を用いて、前記貫通孔を湿式エッチングする工程と
    を具備し、
    前記エッチング液は、フッ化水素酸と、前記フッ化水素酸より分子サイズの大きい酸からなる第1液体とを含み、
    前記フッ化水素酸の濃度は、4重量%以下であり、
    前記第1液体の濃度は、前記フッ化水素酸の濃度より高いことを特徴とするガラスの加工方法。
  2. 前記第1液体の粘度は、前記フッ化水素酸の粘度より高いことを特徴とする請求項1に記載の加工方法。
  3. 前記第1液体は、硫酸であることを特徴とする請求項1又は2に記載の加工方法。
  4. 前記第1液体の濃度は、10重量%以上90重量%以下であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の加工方法。
  5. 前記エッチング液に超音波を印加する工程をさらに具備することを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の加工方法。
  6. 前記超音波の周波数は、28kHz以上であることを特徴とする請求項5に記載の加工方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11772191B2 (en) 2019-10-24 2023-10-03 Samsung Display Co., Ltd. Substrate processing apparatus and method

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW202103830A (zh) * 2019-03-25 2021-02-01 美商康寧公司 在玻璃中形成穿孔之方法
CN110587117B (zh) * 2019-05-21 2021-10-15 焦作市吉成磁电有限公司 一种超硬脆材料的加工装置及方法
CN112894146A (zh) * 2019-12-04 2021-06-04 大族激光科技产业集团股份有限公司 玻璃基板通孔的激光加工方法和装置
CN114643428A (zh) * 2020-12-17 2022-06-21 钛昇科技股份有限公司 基板的贯通孔形成方法
CN112992880B (zh) * 2021-04-25 2023-08-15 江西沃格光电股份有限公司 一种Mini-LED背光板通孔的形成方法及电子设备
CN113200687B (zh) * 2021-05-10 2022-09-23 清远南玻节能新材料有限公司 用于去除超薄柔性玻璃表面微裂纹的修复液及制备和应用
CN113292236A (zh) * 2021-05-21 2021-08-24 江西沃格光电股份有限公司 一种Mini-LED基板通孔的形成方法及电子设备
CN114702246A (zh) * 2022-04-29 2022-07-05 广东工业大学 基于磁场协同超声脉冲对玻璃孔的加工方法、系统及应用

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000061667A (ja) * 1998-08-19 2000-02-29 Junichi Ikeno ガラスのレーザ加工方法及びガラス成形品
JP2008156200A (ja) * 2006-02-22 2008-07-10 Nippon Sheet Glass Co Ltd レーザを用いたガラスの加工方法および加工装置
JP2010070416A (ja) * 2008-09-18 2010-04-02 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ガラス基板の製造方法
JP2014501686A (ja) * 2010-11-30 2014-01-23 コーニング インコーポレイテッド ガラスに孔の高密度アレイを形成する方法
US20140147624A1 (en) * 2012-11-29 2014-05-29 Corning Incorporated Methods of Fabricating Glass Articles by Laser Damage and Etching
US20150060402A1 (en) * 2013-08-29 2015-03-05 Corning Incorporated Methods for forming vias in glass substrates
CN105084770A (zh) * 2014-05-16 2015-11-25 东友精细化工有限公司 用于修复玻璃的组合物和方法及经该组合物处理过的玻璃
WO2016018878A1 (en) * 2014-07-30 2016-02-04 Corning Incorporated Ultrasonic tank and methods for uniform glass substrate etching
JP2016056046A (ja) * 2014-09-08 2016-04-21 旭硝子株式会社 貫通孔形成方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8623231B2 (en) * 2008-06-11 2014-01-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for etching an ultra thin film
JP6094239B2 (ja) * 2013-02-06 2017-03-15 セイコーエプソン株式会社 シリコン基板の加工方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000061667A (ja) * 1998-08-19 2000-02-29 Junichi Ikeno ガラスのレーザ加工方法及びガラス成形品
JP2008156200A (ja) * 2006-02-22 2008-07-10 Nippon Sheet Glass Co Ltd レーザを用いたガラスの加工方法および加工装置
JP2010070416A (ja) * 2008-09-18 2010-04-02 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ガラス基板の製造方法
JP2014501686A (ja) * 2010-11-30 2014-01-23 コーニング インコーポレイテッド ガラスに孔の高密度アレイを形成する方法
US20140147624A1 (en) * 2012-11-29 2014-05-29 Corning Incorporated Methods of Fabricating Glass Articles by Laser Damage and Etching
US20150060402A1 (en) * 2013-08-29 2015-03-05 Corning Incorporated Methods for forming vias in glass substrates
CN105084770A (zh) * 2014-05-16 2015-11-25 东友精细化工有限公司 用于修复玻璃的组合物和方法及经该组合物处理过的玻璃
WO2016018878A1 (en) * 2014-07-30 2016-02-04 Corning Incorporated Ultrasonic tank and methods for uniform glass substrate etching
JP2016056046A (ja) * 2014-09-08 2016-04-21 旭硝子株式会社 貫通孔形成方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US11772191B2 (en) 2019-10-24 2023-10-03 Samsung Display Co., Ltd. Substrate processing apparatus and method

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