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- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 193
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 122
- 229910017107 AlOx Inorganic materials 0.000 claims abstract description 93
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 75
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 46
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 23
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 23
- 239000010408 film Substances 0.000 description 123
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 31
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 20
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 20
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 19
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 18
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 14
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 13
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 8
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 1
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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Abstract
【課題】水分に対するバリア特性を改善して、信頼性の高い有機EL表示装置を実現する。
【解決手段】基板100にTFTが形成され、前記TFTの上に有機EL層112が形成された有機EL表示装置であって、前記有機EL層112の上には保護層114が形成され、前記基板100と前記TFTの間には、AlOxを含む第1のバリア層10が形成されていることを特徴とする有機EL表示装置。
【選択図】図3
【解決手段】基板100にTFTが形成され、前記TFTの上に有機EL層112が形成された有機EL表示装置であって、前記有機EL層112の上には保護層114が形成され、前記基板100と前記TFTの間には、AlOxを含む第1のバリア層10が形成されていることを特徴とする有機EL表示装置。
【選択図】図3
Description
本発明は表示装置に係り、特に基板を湾曲させることができるフレキシブル表示装置に関する。また、酸化物半導体をTFTに用いたフレキシブル表示装置に関する。
有機EL表示装置や液晶表示装置は表示装置を薄くすることによって、フレキシブルに湾曲させて使用することができる。この場合、素子を形成する基板を薄いガラスあるいは薄い樹脂によって形成する。有機EL表示装置は、バックライトを使用しないので、薄型化にはより有利である。
液晶表示装置や有機EL表示装置は、導電層、無機絶縁層、有機絶縁層、半導体層等の多数の層構造を有している。熱膨張係数の異なる層を積層させると、これによって膜にストレスが生じ、薄膜にクラックや剥離が生ずる場合もある。
特許文献1には、有機絶縁膜とITO(Indium Tin Oxide)を形成した場合の、膜間のストレスを緩和するために、有機絶縁膜とITOの間にSiOx2膜とCr2O3膜の積層構造を配置する構成が記載されている。
画素に印加される信号を制御するために、TFT(Thin Fim Transistor)が使用される。TFTには、a-Si(Amorphous−Si)やPoly-Siが使用されてきた。一方、酸化物半導体を用いたTFTはリーク電流が小さいので、画素電極の電圧を長期間安定して保つことが出来るので、近年注目されている。しかし、酸化物半導体は、水分や水素に弱いという性質を持っている。
一方、有機EL表示装置において発光層を構成する有機EL材料は水分の存在によって分解し、性能が劣化する。したがって、動作寿命を確保するためには、有機EL層を水分から保護しなければならない。水分等に対するバリアとしては、SiOx(本明細書でSiOxという場合はSiO2を基本の構造としているという意味であり、一般には化学量論組成(ストイキオメトリー)x=2からずれていることを示す)、あるいはSiNx(本明細書でSiNxという場合は、Si3N4を基本の構造としているという意味であり、一般には化学量論組成x=4/3からずれていることを示す)の積層膜が使用されてきている。
しかし、SiOxあるいはSiNx等では、水分や水素等に対するバリア性能としては充分ではない。本発明の課題は、TFTや有機EL層を水分や水素から保護し、長寿命の表示装置を実現することである。
本発明は上記課題を克服するものであり、代表的な手段は次のとおりである。
(1)基板にTFTが形成され、前記TFTの上に有機EL層が形成された有機EL表示装置であって、前記有機EL層の上には保護層が形成され、前記基板と前記TFTの間には、AlOxを含む第1のバリア層が形成されていることを特徴とする有機EL表示装置。
(2)前記第1のバリア層は、第1のAlOxと第2のAlOxの積層構造で形成されていることを特徴とする(1)に記載の有機EL表示装置。
(3)第1の基板にTFTと画素電極が形成され、前記第1の基板に対向して対向基板が配置され、前記第1の基板と前記第2の基板の間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、前記TFTと前記第1の基板の間に、AlOxを含む第1のバリア層が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
(4)前記第1のバリア層は、第1のAlOxと第2のAlOxの積層構造で形成されていることを特徴とする(3)に記載の液晶表示装置。
以下に実施例を用いて本発明の内容を詳細に説明する。
図1は本発明が適用される有機EL表示装置の平面図である。本発明の有機EL表示装置は、フレキシブルに湾曲させることが出来る表示装置である。図1において、有機EL表示装置は表示領域1000と端子部150を有し、表示領域1000には、反射防止のための偏光板500が貼り付けられている。端子部150には有機EL表示装置に電源や信号を供給するためのフレキシブル配線基板300が接続しており、また、有機EL表示装置を駆動するドライバIC400が接続している。
図2は図1のA−A断面図である。ポリイミド基板100の上に表示領域や端子部が形成されている。ポリイミド基板100は、厚さが10乃至20μmであり、フレキシブルに湾曲することが出来る。ポリイミド基板100は厚さが薄いため、形状が不安定であり、機械的な強度も十分でない場合もあることから、背面に第1保護フィルム1を貼り付けている。第1保護フィルム1はPET(ポリエチレンテレフタレート)や、アクリル樹脂で形成され、厚さは0.1mm程度である。
図2において、ポリイミド基板100の上に発光層を有するアレイ層が形成され、これを覆って偏光板500が配置されている。トップエミッション型の有機EL表示装置は反射電極を有しているので、外部からの光を反射する。偏光板500は外光の反射を防止して画面を視やすくするためのものである。
図3は本発明によるトップエミッション型の有機EL表示装置の表示領域の構成を示す断面図である。なお、図3では、図2における支持フィルムは省略されている。図3において、厚さ10μm乃至20μmのポリイミド基板100の上には、AlOx等による第1バリア層10が形成されている。本明細書でAlOxという場合、Al2O3を基本の構造としているという意味であり、一般には化学量論組成x=1.5からずれていることを示す)。この第1のバリア層10によってポリイミド基板100を通して外部から侵入する水分、あるいは、ポリイミド基板100自体から発生する水分あるいは水素をブロックする。
第1バリア層10の上に、SiOx、SiNx等からなる下地膜101がCVDによって形成される。下地膜101の上には半導体層102が形成されている。図3における半導体層102は、酸化物半導体で形成されている。酸化物半導体は、例えば、a−IGZO(amorphous Indium Gallium Zinc Oxide)等である。酸化物半導体はリーク電流が小さいという特徴を有する。一方、図3のTFTは、Poly−Si半導体層で形成する場合もある。この場合、半導体層102は当初はCVDによってa−Siを形成し、これをエキシマレーザによってPoly−Siに変換することによって形成することが出来る。
半導体層102を覆ってCVDを用いたTEOS(テトラエトシキシラン)によるSiOxによってゲート絶縁膜103を形成する。ゲート絶縁膜103の上にゲート電極104を形成する。その後、イオンインプランテーションによって、半導体層102に対しゲート電極104に対応する以外の部分を導電層とする。半導体層102において、ゲート電極104に対応する部分がチャンネル部1021になる。
ゲート電極104を覆って層間絶縁膜105をCVDによるSiNxによって形成する。層間絶縁膜105の上にAlOx等による第2バリア層20が形成されている。第2バリア層20は酸化物半導体からなるTFTを水分や水素から保護する。また、有機EL層112をポリイミド基板100側からの水分、水素等から保護する。
その後、第2バリア層20、層間絶縁膜105およびゲート絶縁膜103にスルーホールを形成し、ドレイン電極106およびソース電極107を接続する。図3において、ドレイン電極106、ソース電極107、第2バリア層20を覆って有機パッシベーション膜108を形成する。有機パッシベーション膜108は平坦化膜を兼ねているので、2乃至3μmと、厚く形成される。有機パッシベーション膜108は例えばアクリル樹脂によって形成する。
有機パッシベーション膜108の上に、反射電極109を形成し、その上に陽極となる下部電極110をITO等の透明導電膜によって形成する。反射電極109は反射率の高いAl合金によって形成する。反射電極109は、有機パッシベーション膜108に形成されたスルーホールを介してTFTのソース電極107と接続する。
下部電極110の周辺にはアクリル等によるバンク111が形成される。バンク111を形成する目的は、次に形成される発光層を含む有機EL層112や上部電極113が段切れによって導通不良となることを防ぐことである。バンク111は、アクリル樹脂等の透明樹脂を全面にコートし、下部電極110に対応する部分に有機EL層からの光を取り出すホールを形成することによって形成される。
図3において、下部電極110の上に有機EL層112が形成される。有機EL層112は、例えば電子注入層、電子輸送層、発光層、ホール輸送層、ホール注入層等で形成される。有機EL層112の上には、カソードとしての上部導電層113が形成される。上部導電層113は、透明導電膜であるIZO(Indium Zinc Oxide)、ITO(Indium Tin Oxide)等によって形成されるほか、銀等の金属の薄膜で形成される場合もある。
その後、上部電極113側からの水分の侵入を防止するために、上部電極113の上に保護層114を、CVDを用いてSiNxによって形成する。有機EL層112は熱に弱いために、保護層114を形成するためのCVDは100℃程度の低温CVDによって形成される。
保護層114を覆って、AlOx等による第3バリア層30が形成される。第3バリア層30は、保護層114とともに、偏光板500等を透過してくる水分等から有機EL層112を保護する役割を有している。
第3バリア層30を覆って、粘着材501によって偏光板500が貼り付けられている。偏光板500は、外光に対する反射防止の役割を有している。なお、品種によっては、偏光板500と第3バリア層30との間に他の保護層あるいは保護フィルムが形成される場合もある。
図4は、図3における第1バリア層10付近の断面図である。図4において、ポリイミド基板100の上に第1バリア層10が形成されている。ポリイミド基板100は自身で水分を含んでいるとともに、水素の発生源ともなる。また、ポリイミドは水分を透過しやすい。これらの、水分や水素をブロックするためにAlOxによる第1バリア層10が形成されている。緻密なAlOxはブロック性が高いので、30nm〜80nm程度形成すれば十分なブロック効果を得ることが出来る。図4におけるAlOxからなる第1バリア層10はスパッタリングで形成される。
図3において、第2バリア層20はSiNで形成された層間絶縁膜105の上に形成され、第3バリア層30はSiNで形成された保護層114の上に形成されている。第2バリア層20、第3バリア層30は接触する層は第1バリア層10とは異なっているが、いずれも、外部からの水分や水素がTFTや有機EL層に到達するのを防止する役割を有する。
AlOxは一般にはACスパッタリングによって形成されるが、ACスパッタリングで形成した膜は膜応力がGPa(ギガパスカル)程度まで大きくなる。そうすると、図5に模式的に示すように、基板が湾曲してしまう。AlOxをスパッタリングするときは、大判であるマザー基板4000の状態であるので、マザー基板4000の湾曲は大きな問題になる。マザー基板4000の湾曲が大きくなると、工程を通せなくなる。
DCスパッタリングを行うと膜応力を小さくできるが、AlOxの膜厚を大きくすることが出来ない。一方、原子層堆積法(ADL:Atomic Deposition Layer)によって形成したAlOxは膜応力を小さくすることが出来るが、製膜レートが低い。
これを解決するために、本発明では、図6に示すように、第1バリア層10を膜質の異なる第1のAlOx11と第2のAlOx12を積層して構成している。第1のAlOx11はスパッタリング時に水分圧が低い状態で製膜したものであり、図2のAlOx12は、第1の場合よりも水分圧が高い状態で製膜したものである。第1のAlOx11と第2のAlOx12とで、応力の符号が異なるように製膜することによって、バリア層10全体の応力を小さくすることが出来る。
図7は、スパッタリング時の水分圧と、製膜されたAlOxの膜応力の関係を示すグラフである。図7において、横軸はスパッタリング時の水分圧であり、縦軸は、製膜されたAlOxの膜応力である。図7に示すように、水分圧が高くなるにつれて膜応力の符号がマイナスからプラスに変化する。
図7において、水分圧が2×10−4Pa程度のときに、膜応力がゼロになる。つまり、膜応力の点だけから見れば水分圧が2×10−4Pa程度でスパッタリングした膜を用いればよい。しかし、AlOxはスパッタリング時の水分圧によって膜質が異なり、水分圧が小さいほど緻密な膜を得ることが出来る。水分圧が2×10−4Pa程度においてスパッタリングしたAlOxは、バリア特性が十分でない場合もある。
本発明の特徴は、低い水分圧でスパッタリングしたバリア特性の高い第1AlOxと、第1のAlOxのときよりも高い水分圧でスパッタリングした第2AlOxの積層構造を用いることによって、優れたバリア特性を維持し、かつ、応力の小さいAlOxによるバリア層を形成することが出来る点である。
すなわち、第2AlOxは、第1AlOxとは反対の符号を持つ膜応力を有しているので、第1AlOxと第2AlOxの積層膜全体としては、小さな膜応力とすることが出来る。一方、第1AlOxは高いバリア特性を有しているので、第1バリア層として高いバリア特性を得ることが出来る。
例えば、図7に示すように、第1AlOxを形成するときは、水分圧はP1(9×10−6Pa)程度とし、第2AlOxを形成するときは、水分圧をP2(4×10−4Pa)程度とすると、第1AlOx11の膜応力は−200MPa程度となり、第2AlOx12は180MPa程度になるので、第1バリア層10全体としては、非常に小さな膜応力とすることが出来る。したがって、基板のそりを防止することが出来る。また、第1AlOx11によって、第1バリア層10全体としては、高いバリア特性を得ることが出来る。
ところで、AlOxの膜の緻密さと屈折率との間には相関がある。すなわち、膜が緻密になるほど、屈折率は高くなる。図8はAlOxのスパッタリング時の水分圧と、形成されたAlOxの屈折率の関係を示すグラフである。すなわち、製膜されたAlOxの屈折率を測定することによってAlOxの膜質を評価することが出来る。なお、図7、図8における○、△、×、□等は、サンプルの製造ロットが異なるという意味である。
図6において、例えば、第1AlOx11の膜厚が10nm、第2AlOx12の膜厚は10nmであり、第1バリア層10全体としては50nmとなっている。なお、図6の層構造は例であり、各膜厚を10nm以外に設定することも可能であるし、また、層数を5層より多くすることも出来るし、少なくすることも出来る。総数は好ましくは、奇数であり、外側の層を第1AlOx11で形成する。
図6に示すような、第1AlOx11と第2AlOx12の積層構造の製膜は容易である。すなわち、AlOxは、Alをターゲットとして、ガスに酸素とArを用いた反応性のスパッタリングによって形成される。スパッタリング時の水分圧を第1AlOxと第2AlOxの形成時に変化させればよい。
また、本実施例においては水分圧を制御してAlOx膜の特性を変化させているが、例えば水素やメタン等のアルカンを用いることでもAlOx膜に水素結合を導入することができ、同様の効果を生ぜしめることができる。
図3における第1バリア層10付近の構成は例えば、図9に示すような構成である。バリア層10は図6で説明したとおりである。バリア層10の上に形成される下地膜101は例えば、SiOx(50nm)、SiNx(50nm)、SiOx(300nm)の積層構造である。
第1バリア層10付近の層構造は、他の構成をとることも出来、図10は、その例である。図10において第1バリア層10の上下をSiOx(50nm)、SiNx(50nm)、SiOx(300nm)のセットでサンドイッチしている。このような構成とすることによって、第1バリア層10における第1AlOx11の膜質を向上させることが出来る場合がある。SiOx層、SiNx層の膜厚、配置は図9および図10には限らず、他の構成としてもよい。
以上は、本発明を図3における第1バリア層10について説明したが、第2バリア層20、第3バリア層30についても同様である。
図11は、実施例2におけるバリア層10の構成を示す断面図である。図11のバリア層10は第1AlOx11とAl13の積層構造となっている。すなわち、図6の第2AlOx12がAl13に置き換わっている点が実施例1と異なっている。図11において、奇数番目の層がAlOx11となっており、偶数番目の層がAl13になっている。
奇数番目に形成されているAlOx11に膜応力が発生しても、偶数番目に形成されているAl13は柔らかいので、AlOx11に生じた膜応力を吸収することが出来、バリア層10全体として膜応力を小さくすることが出来る。また、Al13がAlOx11に隣接して形成されていることによって、スパッタリングされたAlOxの膜質をより緻密にすることが出来る場合もある。
図11に示すような、AlOx11とAl13の積層構造の製膜は容易である。すなわち、AlOx11は、Alをターゲットとして、ガスに酸素とArを用いた反応性のスパッタリングによって形成され、Al13は、Alをターゲットとして、ガスにArを用いることによって形成される。したがって、各膜を形成する時のガスの種類を変えることによって積層膜を形成することが出来る。
なお、図11のバリア層構成は、Al層13が存在しているので、光を透過することが困難である。したがって、図11の構成は、第1バリア層10および第2バリア層20に適用することが出来るが、第3バリア層30への適用は困難である。
図11において、第1AlOx11の膜厚は例えば10nm、Al13の膜厚は例えば、10nmであり、総数は5層構造である。ただし、各膜厚、層数は図11に限る必要はない。本実施例の他の利点は、図11に示すAl13の導電層をプロセス中での帯電防止に使用することが出来るという点である。
本実施例のさらに他の利点は、スパッタリングチャンバー内に定期的に導電膜が形成されるので、スパッタリングチャンバーの帯電を自動的に防止することが出来る。すなわち、スパッタリング装置において、絶縁膜のみをスパッタリングしていると、装置内部に静電気が蓄積し、製品にダメージを与える。したがって、スパッタリング装置においては、定期的に導電膜をスパッタリングして装置内の帯電を防止するプロセスが必要である。本実施例の製膜では、導電膜の形成が定期的に行われるので、わざわざ、導電膜をスパッタリングするプロセスを加える必要がない。
以上のように、本実施例においても、TFTおよび有機EL層を水分や水素から保護することが出来、同時に基板のそりを防止することが出来る。
図12は本実施例を示す断面図である。図12は、有機EL表示装置におけるTFTがボトムゲートの場合における本発明の構成を示す断面図である。図12において、ポリイミド基板100の上にAlOx等で形成された第1バリア層10が形成され、その上に下地膜101が形成されている。下地膜101の上にゲート電極104が形成され、これを覆ってゲート絶縁膜103が形成されている。ゲート絶縁膜103の上で、ゲート電極104に対応した部分に酸化物半導体あるいはa−Siによる半導体層102が形成されている。
半導体層102にはドレイン電極106とソース電極107が接続している。半導体層102、ドレイン電極106、ソース電極107を覆って無機パッシベーション膜40がSiN等で形成されている。無機パッシベーション膜40の上にAlOx等による第2バリア層20が形成されている。第2バリア層20の上には有機パッシベーション膜108が形成され、有機パッシベーション膜108の上には反射電極109が形成されている。反射電極109はスルーホールを介してTFTのソース電極107と接続している。以後は、図3と同様である。
図12における第1バリア層10の構成は、実施例1において説明した図4−10、あるいは、図6−10と同じ構成である。つまり、ボトムゲートのTFTの場合にも本発明を適用して、有機EL層112、TFT等への、水分、水素等の影響を軽減することが出来、さらに、基板100の湾曲を防止することが出来る。
図12における第2バリア層20、第3バリア層30の構成も実施例1における構成と同じである。また、実施例2で説明した、図11に示すような、AlOxとAlの積層構造の構成も本実施例に適用することが出来る。
本発明は液晶表示装置にも適用することが出来る。図13は液晶表示装置の平面図である。図13において、TFT基板100と対向した対向基板200に表示領域1000が形成され、表示領域1000を覆って上偏光板510が配置されている。端子部150にはドライバIC400とフレキシブル配線基板300が接続している。
図14は図13のB−B断面図である。図14において、TFT基板100と対向基板200が対向して配置され、TFT基板100と対向基板200の間に液晶が挟持されている。対向基板200の上に上偏光板510が貼り付けられ、TFT基板100の下に下偏光板520が貼り付けられている。TFT基板100、対向基板200、上偏光板510、下偏光板520で液晶表示パネル3000を構成している。下偏光板520の下側にバックライト2000が配置している。
図14において、TFT基板100あるいは対向基板200を薄い樹脂で形成するか、薄いガラスで形成することによって、液晶表示パネル3000をフレキシブルに湾曲する構造とすることが出来る。バックライト2000は、光源、導光板、光学シート等を含むが、導光板を薄い樹脂によって形成するなどして、バックライトもフレキシブルなものとし、液晶表示装置全体をフレキシブル表示装置とすることが出来る。
図15は、液晶表示装置の表示領域の断面図である。図15において、液晶表示装置はIPS(In Plane Swtiching)方式である。また、液晶を駆動するTFTは、酸化物半導体によって形成されている。本発明では、酸化物半導体を外部からの水分、あるいは、構成材料から発生する水素等から保護するために、AlOx等で形成されたバリア層を配置している。図15はトップゲート方式のTFTである。
図15において、例えば、ポリイミドで形成されたTFT基板100にAlOxを含む第1バリア層10が形成されている。第1バリア層10の構成は、実施例1の図4乃至図10で説明した構成と同様である。このような構成とすることによって、外部から侵入する水分、あるいは、ポリイミド基板100で発生する水分あるいは水素等からTFTを保護することが出来る。
第1バリア層10の上にSiOxあるいはSiNxで形成される下地膜101が形成されている。下地膜101の上に形成されたTFTの構成は実施例1において説明した構成と基本的には同じである。すなわち下地膜101の上に酸化物半導体で形成された半導体層102が形成され、その上をTEOSで形成されたSiOxによるゲート絶縁膜103が覆っている。ゲート絶縁膜103の上にゲート電極104が形成され、これを覆ってスパッタリングで形成されたSiNxによる層間絶縁膜105が形成されている。
層間絶縁膜105の上にコンタクト電極1071が形成されている。コンタクト電極1071はスルーホールを介してTFTのドレイン電極107と接続し、スルーホールを介して画素電極122と接続する。図15のドレイン電極106は映像信号線と接続する。図15において、層間絶縁膜105の上に例えば、SiNxによる無機パッシベーション膜40が形成され、その上にAlOxを含む第2バリア層20が形成されている。第2バリア層20は、無機パッシベーション膜40とともに、上側から侵入する水分や水素からTFTを保護する。第2バリア層20も基本的には第1バリア層10と同様な構成である。
第2バリア層20の上に平坦化膜を兼ねた有機パッシベーション膜108が形成されている。有機パッシベーション膜108の上に平面状にコモン電極120が形成され、その上に容量絶縁膜121が形成され、その上に画素電極122が形成されている。画素電極122はスルーホールを介してコンタクト電極1071と接続している。容量絶縁膜121は画素電極122およびコモン電極120とともに、保持容量を構成する。図15において、画素電極122に電圧が印加されると、コモン電極120との間に矢印のような電気力線が発生し、液晶分子251を駆動する。画素電極122の上に、液晶分子251を初期配向させるための配向膜123が形成されている。
図15において、液晶層250を挟んで、対向基板200が対向している。対向基板200もポリイミドで形成されている。対向基板200の内側には、第3バリア層30がAlOx等によって形成されている。第3バリア層30はポリイミド基板200を透過してくる水分、あるいは、ポリイミド基板200で発生する水分、水素等をブロックする役割を有する。図15では、第3バリア層30は、バリア層のみが形成されているが、この層も、実施例1の図9.図10等に示すような、SiOxあるいはSiNx等の無機絶縁膜も同時に形成すれば、バリア特性はより良くなる。
図15において、第3バリア層30の上にブラックマトリクス202およびカラーフィルタ201が形成され、カラーフィルタ201を覆ってオーバーコート膜203が形成されている。オーバーコート膜203を覆って、液晶分子251を初期配向させるための配向膜123が形成されている。
第1バリア層10、第2バリア層20、第3バリア層30は、実施例1の図6で示すような、AlOxの積層構造とすることで、本実施例においても、液晶層あるいは、酸化物半導体に対する水分、水素等の影響を防止することが出来るとともに、基板のそりを抑えることが出来る。
また、第1バリア層10、第2バリア層20、第3バリア層30を、実施例2の図11で示すような、AlOxとAlの積層構造とすると、Alの存在によってバックライトが透過しなくなる。一方、反射型液晶表示装置の場合は、第1バリア層10及び第2バリア層20を、実施例2の図11で示すような構成とすることが出来る。
図16は本発明の実施例5を示す断面図である。図16は液晶表示装置の表示領域の断面図であるが、図15と異なり、TFTがボトムゲートのTFTとなっている。図16において、ポリイミドで形成されたTFT基板100にAlOx等を含む第1バリア層10が形成され、その上に下地膜101が形成されている点は、図15と同様である。そして、第1バリア層10の構成も実施例1における図4乃至10で説明した内容、構成と同じである。
図16において、下地膜101の上にゲート電極104が形成され、ゲート電極104を覆ってゲート絶縁膜103が形成され、ゲート電極104に対応するゲート絶縁膜103の上に酸化物半導体で形成された半導体層102が形成されている。半導体層102の上にドレイン電極106とソース電極107が対向して形成されている。半導体層102、ドレイン電極106、ソース電極107を覆って無機パッシベーション膜40が形成され、その上に第2バリア層20が形成されている。
第2バリア層20を覆って有機パッシベーション膜108が形成されている。有機パッシベーション膜108より上の層は実施例4で説明したトップゲートタイプのTFTを有する図15の液晶表示装置と同じ構成である。すなわち、図16の対向基板200側にも、第3バリア層30がAlOx等によって形成され、ポリイミド基板200を透過してくる水分、あるいは、ポリイミド基板200で発生する水分や水素が液晶層250あるいは酸化物半導体102に進入してくるのを阻止している。
第2バリア層20、第3バリア層30も基本的には、実施例1の図4乃至図10で説明したバリア層の構成と同じである。したがって、本実施例においても、液晶層250あるいは、酸化物半導体102に対する水分、水素等の影響を防止することが出来るとともに、基板のそりを抑えることが出来る。なお、反射型液晶表示装置であれば、第1バリア層10及び第2バリア層20の構成を実施例2における図11と同じ構成とすることが出来る。
以上の実施例における有機EL表示装置および液晶表示装置の断面構造は例であり、他の構成をとることが出来る。例えば、図3における有機EL表示装置では、偏光板500と第3バリア層30の間に他の支持フィルム等を配置することもある。また、上部電極113の上に第3バリア層30を形成し、その上に保護層114を形成する場合もありうる。また、実施例1乃至3の有機EL表示装置、実施例4および5の液晶表示装置において、TFT基板100あるいは対向基板200がポリイミド基板でなく、他の樹脂、あるいは、ガラスである場合もある。
1…保護フィルム、 10…第1バリア層、 11…第1AlOx層、 12…第2AlOx層、 13…Al層、 20…第2バリア層、 30…第3バリア層、 40…無機パッシベーション膜、 100…TFT基板、 101…下地膜、 102…半導体層、 103…ゲート絶縁膜、 104…ゲート電極、 105…層間絶縁膜、 106…ドレイン電極、 107…ソース電極、 108…有機パッシベーション膜、 109…反射膜、 110…下部電極、 111…バンク、 112…有機EL層、 113…上部電極、 114…保護層、 120…コモン電極、 121…容量絶縁膜、 122…画素電極、 123…配向膜、 130…スルーホール、 140…スルーホール、 150…端子部、 200…対向基板、 201…カラーフィルタ、 202…ブラックマトリクス、 203…オーバーコート膜、 250…液晶層、 251…液晶分子、 300…フレキシブル配線基板、 400…ドライバIC、 500…偏光板、 501…粘着材、 510…上偏光板、 520…下偏光板、 1000…表示領域、 1071…コンタクト電極、 2000…バックライト、 3000…液晶表示パネル、 4000…マザー基板
Claims (20)
- 基板にTFTが形成され、前記TFTの上に有機EL層が形成された有機EL表示装置であって、
前記有機EL層の上には保護層が形成され、
前記基板と前記TFTの間には、AlOxを含む第1のバリア層が形成されていることを特徴とする有機EL表示装置。 - 前記TFTと前記有機EL層との間には、AlOxを含む第2のバリア層が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の有機EL表示装置。
- 前記有機EL層と前記保護層の間には、AlOxを含む第3のバリア層が形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の有機EL表示装置。
- 前記第1のバリア層、または、前記第2のバリア層、または、前記第3のバリア層は、第1のAlOxと第2のAlOxの積層構造で形成されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の有機EL表示装置。
- 前記第1のAlOxの密度は、前記第2のAlOxの密度よりも大きいことを特徴とする請求項4に記載の有機EL表示装置。
- 前記第1のAlOxの屈折率は、前記第2のAlOxの屈折率よりも大きいことを特徴とする請求項4に記載の有機EL表示装置。
- 前記積層構造の層数は、奇数であることを特徴とする請求項4に記載の有機EL表示装置。
- 前記第1のバリア層、または、前記第2のバリア層は、AlOxとAlの積層構造で形成されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の有機EL表示装置。
- 前記積層構造の層数は、奇数であることを特徴とする請求項8に記載の有機EL表示装置。
- 前記基板はポリイミド基板で形成されていることを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載の有機EL表示装置。
- 第1の基板にTFTと画素電極が形成され、
前記第1の基板に対向して対向基板が配置され、
前記第1の基板と前記第2の基板の間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、
前記TFTと前記第1の基板の間に、AlOxを含む第1のバリア層が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 前記TFTと前記画素電極の間には、AlOxを含む第2のバリア層が形成されていることを特徴とする請求項11に記載の液晶表示装置。
- 前記対向基板の前記液晶側には、AlOxを含む第3のバリア層が形成されていることを特徴とする請求項11または12に記載の液晶表示装置。
- 前記第1のバリア層、または、前記第2のバリア層、または、前記第3のバリア層は、第1のAlOxと第2のAlOxの積層構造で形成されていることを特徴とする請求項11乃至13のいずれか1項に記載の液晶表示装置。
- 前記第1のAlOxの密度は、前記第2のAlOxの密度よりも大きいことを特徴とする請求項14に記載の液晶表示装置。
- 前記第1のAlOxの屈折率は、前記第2のAlOxの屈折率よりも大きいことを特徴とする請求項14に記載の液晶表示装置。
- 前記積層構造の層数は、奇数であることを特徴とする請求項14に記載の液晶表示装置。
- 前記液晶表示装置は反射型であって、前記第1のバリア層、または、前記第2のバリア層は、AlOxとAlの積層構造で形成されていることを特徴とする請求項11または12に記載の液晶表示装置。
- 前記積層構造の層数は、奇数であることを特徴とする請求項18に記載の液晶表示装置。
- 前記基板はポリイミド基板で形成されていることを特徴とする請求項11乃至19のいずれか1項に記載の液晶表示装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016100485A JP2017208253A (ja) | 2016-05-19 | 2016-05-19 | 表示装置 |
US15/477,195 US10199591B2 (en) | 2016-05-19 | 2017-04-03 | Display device |
CN201710353681.3A CN107403869B (zh) | 2016-05-19 | 2017-05-18 | 显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016100485A JP2017208253A (ja) | 2016-05-19 | 2016-05-19 | 表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017208253A true JP2017208253A (ja) | 2017-11-24 |
Family
ID=60329099
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016100485A Pending JP2017208253A (ja) | 2016-05-19 | 2016-05-19 | 表示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10199591B2 (ja) |
JP (1) | JP2017208253A (ja) |
CN (1) | CN107403869B (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019186770A1 (ja) * | 2018-03-28 | 2019-10-03 | シャープ株式会社 | 表示デバイスおよび表示デバイスの製造方法 |
JP7422209B1 (ja) | 2022-10-25 | 2024-01-25 | ティーシーエル チャイナスター オプトエレクトロニクス テクノロジー カンパニー リミテッド | 表示パネル及びその製造方法、表示装置 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20180064600A (ko) * | 2016-12-05 | 2018-06-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉시블 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
KR102349279B1 (ko) * | 2017-09-08 | 2022-01-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
JP2019117291A (ja) * | 2017-12-27 | 2019-07-18 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及びその製造方法 |
KR20190108212A (ko) * | 2018-03-13 | 2019-09-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 및 이를 포함하는 표시 장치의 제조 방법 |
KR20210126202A (ko) * | 2020-04-09 | 2021-10-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
CN113745243B (zh) * | 2021-07-30 | 2022-09-27 | 惠科股份有限公司 | 一种oled显示面板及其制备方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004317649A (ja) | 2003-04-14 | 2004-11-11 | Optrex Corp | 液晶表示素子 |
KR100912802B1 (ko) * | 2005-02-28 | 2009-08-18 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 전계발광 디스플레이 장치 |
CN102760697B (zh) * | 2011-04-27 | 2016-08-03 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置的制造方法 |
KR101931174B1 (ko) * | 2012-03-22 | 2019-03-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
KR101908514B1 (ko) * | 2012-08-22 | 2018-10-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
KR20150043890A (ko) | 2013-10-15 | 2015-04-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102203446B1 (ko) * | 2014-05-28 | 2021-01-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
-
2016
- 2016-05-19 JP JP2016100485A patent/JP2017208253A/ja active Pending
-
2017
- 2017-04-03 US US15/477,195 patent/US10199591B2/en active Active
- 2017-05-18 CN CN201710353681.3A patent/CN107403869B/zh active Active
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---|---|---|---|---|
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US11522161B2 (en) | 2018-03-28 | 2022-12-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device and method for manufacturing display device to inhibit development of display defects |
JP7422209B1 (ja) | 2022-10-25 | 2024-01-25 | ティーシーエル チャイナスター オプトエレクトロニクス テクノロジー カンパニー リミテッド | 表示パネル及びその製造方法、表示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN107403869A (zh) | 2017-11-28 |
CN107403869B (zh) | 2019-09-24 |
US10199591B2 (en) | 2019-02-05 |
US20170338433A1 (en) | 2017-11-23 |
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