JP2017207285A - ゼロレベル検出装置、ゼロレベル検出方法およびコイル試験装置 - Google Patents

Abstract

【課題】減衰振動波形のゼロレベルを正確に検出する。【解決手段】ゼロレベル検出処理６０において、減衰振動波形に対する仮ゼロレベルを規定する仮ゼロレベル規定処理６２と、波形データに基づいて減衰振動波形における仮ゼロレベルとの交点を検出する交点検出処理６３と、検出した交点のうちの隣接する交点間の間隔を検出する間隔検出処理６４とを、仮ゼロレベル規定処理６２において規定する仮ゼロレベルを変更しつつ実行して、ステップ６６において、検出した仮ゼロレベル毎の間隔についてのばらつき度合いを求めると共に、この求めたばらつき度合いが最小となる仮ゼロレベルを減衰振動波形の真のゼロレベルＶｚとして検出する。【選択図】図２

Description

本発明は、減衰振動波形についての複数周期分の波形データに基づいてこの減衰振動波形のゼロレベルを検出するゼロレベル検出装置およびゼロレベル検出方法、並びに減衰振動電圧の信号波形（減衰振動波形）についての複数周期分の波形データに基づいてこの減衰振動波形のゼロレベルを検出するゼロレベル検出機能を備えたコイル試験装置に関するものである。

交流信号のゼロレベルを検出するゼロレベル検出装置（ゼロレベル検出方法）として、下記の特許文献１に開示された交流信号中の直流信号抽出方法（結果として、交流信号のゼロレベルを検出する方法）を実施する装置が知られている。この装置は、サンプルホールド回路、Ａ／Ｄ変換回路およびＣＰＵを備えている。この装置では、サンプルホールド回路が、交流信号Ｖ（＝Ｖｍ・ｓｉｎωｔ＋Ｖｄｃ）をその周期の整数倍の期間に亘って、１周期をＮ等分の時間間隔でサンプリングし、Ａ／Ｄ変換回路がこのサンプリングされた電圧を波形データ（交流信号についての瞬時値データ）に変換して、ＣＰＵに出力する。ＣＰＵは、例えば、取得した１周期分のＮ個の波形データを積算して、１／Ｎすることにより、交流信号Ｖに含まれている直流信号Ｖｄｃを検出（抽出）する。つまり、交流信号Ｖに含まれている交流成分（Ｖｍ・ｓｉｎωｔ）についてのゼロレベルを検出する。また、ＣＰＵは、取得した波形データからこの検出した直流信号Ｖｄｃを減算する。これにより、交流信号Ｖから直流信号Ｖｄｃがキャンセル（除去）される。

特開平６−５３７７９号公報（第２−３頁、第１−２図）

ところが、上記した交流信号のゼロレベル検出装置（ゼロレベル検出方法）には、以下のような改善すべき課題が存在している。すなわち、このゼロレベル検出装置（ゼロレベル検出方法）では、交流成分が正弦波である（つまり、１周期分のＮ個の波形データを積算したときに、交流成分についての値がゼロになる）ことが前提となっている。このため、このゼロレベル検出装置（ゼロレベル検出方法）には、コイル、抵抗およびコンデンサの直列回路（ＬＣＲ直列回路）の共振（直列共振）時においてコイルの両端間に発生する電圧のような減衰振動波形となる電圧（例えば、他の特許文献２（特開２０１２−５８２２１号公報）に開示されている巻線診断システムが測定する電圧）に直流成分（例えば、Ａ／Ｄ変換器に存在するオフセット電圧など）が重畳したような交流信号（つまり、１周期分のＮ個の波形データを積算したときに、交流成分についての値がゼロにならない信号）についてのこの直流成分（直流信号）を正確に検出（抽出）することができないという課題が存在している。

本発明は、かかる課題を改善するためになされたものであり、減衰振動波形のゼロレベルを正確に検出し得るゼロレベル検出装置およびゼロレベル検出方法、並びに減衰振動波形のゼロレベルを検出するゼロレベル検出機能を備えたコイル試験装置を提供することを主目的とする。

上記目的を達成すべく請求項１記載のゼロレベル検出装置は、減衰振動波形についての複数周期分の波形データに基づいて当該減衰振動波形のゼロレベルを検出するゼロレベル検出処理を実行する処理部を備えているゼロレベル検出装置であって、前記処理部は、前記ゼロレベル検出処理において、前記減衰振動波形に対する仮ゼロレベルを規定する仮ゼロレベル規定処理と、前記波形データに基づいて前記減衰振動波形における前記仮ゼロレベルとの交点を検出する交点検出処理と、前記検出した交点のうちの隣接する交点間の間隔を検出する間隔検出処理とを、前記仮ゼロレベル規定処理において規定する前記仮ゼロレベルを変更しつつ実行して、検出した前記仮ゼロレベル毎の前記間隔についてのばらつき度合いを求めると共に、当該求めたばらつき度合いが最小となる前記仮ゼロレベルを前記減衰振動波形の前記ゼロレベルとして検出する。

請求項２記載のゼロレベル検出装置は、請求項１記載のゼロレベル検出装置において、前記処理部は、前記ゼロレベル検出処理において検出した前記ゼロレベルを前記波形データから減算する波形データ補正処理を実行する。

請求項３記載のゼロレベル検出方法は、減衰振動波形についての複数周期分の波形データに基づいて当該減衰振動波形のゼロレベルを検出するゼロレベル検出方法であって、前記減衰振動波形に対する仮ゼロレベルを規定する仮ゼロレベル規定処理と、前記波形データに基づいて前記減衰振動波形における前記仮ゼロレベルとの交点を検出する交点検出処理と、前記検出した交点のうちの隣接する交点間の間隔を検出する間隔検出処理とを、前記仮ゼロレベル規定処理において規定する前記仮ゼロレベルを変更しつつ実行して、検出した前記仮ゼロレベル毎の前記間隔についてのばらつき度合いを求めると共に、当該求めたばらつき度合いが最小となる前記仮ゼロレベルを前記減衰振動波形の前記ゼロレベルとして検出する。

請求項４記載のコイル試験装置は、試験対象のコイルに並列接続されるコンデンサ回路と、インパルス電圧信号を発生させて前記コイルおよび前記コンデンサ回路に供給するインパルス電圧発生部と、前記インパルス電圧信号の供給によって前記コイルの両端間に発生する減衰振動電圧を測定して当該減衰振動電圧の信号波形を示す減衰振動波形を出力する測定部と、前記減衰振動波形をサンプリングして当該減衰振動波形の瞬時値を示す波形データに変換するＡ／Ｄ変換部と、前記減衰振動電圧の発生時における前記コイルおよび前記コンデンサ回路で構成される回路についての等価回路定数を前記波形データに基づいて算出すると共に当該算出した等価回路定数に基づいて前記コイルの良否を判別するコイル試験処理を実行する処理部とを備えているコイル試験装置であって、前記処理部は、前記減衰振動波形についての複数周期分の前記波形データに基づいて当該減衰振動波形のゼロレベルを検出するゼロレベル検出処理、および当該ゼロレベル検出処理において検出した当該ゼロレベルを減算する補正を前記波形データに対して実行する波形データ補正処理を実行すると共に、当該補正された波形データに基づいて前記コイル試験処理を実行可能に構成され、前記ゼロレベル検出処理において、前記減衰振動波形に対する仮ゼロレベルを規定する仮ゼロレベル規定処理と、前記波形データに基づいて前記減衰振動波形における前記仮ゼロレベルとの交点を検出する交点検出処理と、前記検出した交点のうちの隣接する交点間の間隔を検出する間隔検出処理とを、前記仮ゼロレベル規定処理において規定する前記仮ゼロレベルを変更しつつ実行して、検出した前記仮ゼロレベル毎の前記間隔についてのばらつき度合いを求めると共に、当該求めたばらつき度合いが最小となる前記仮ゼロレベルを前記減衰振動波形の前記ゼロレベルとして検出する。

請求項１記載のゼロレベル検出装置および請求項３記載のゼロレベル検出方法では、減衰振動波形に対する仮ゼロレベルを規定する仮ゼロレベル規定処理と、波形データに基づいて減衰振動波形における仮ゼロレベルとの交点を検出する交点検出処理と、検出した交点のうちの隣接する交点間の間隔を検出する間隔検出処理とを、仮ゼロレベル規定処理において規定する仮ゼロレベルを変更しつつ実行して、検出した仮ゼロレベル毎の間隔についてのばらつき度合いを求めると共に、この求めたばらつき度合いが最小となる仮ゼロレベルを減衰振動波形のゼロレベルとして検出する。したがって、このゼロレベル検出装置およびゼロレベル検出方法によれば、減衰振動波形を表す波形データのゼロレベルを正確に検出することができる。

請求項２記載のゼロレベル検出装置によれば、処理部がゼロレベル検出処理において検出したゼロレベルを波形データから減算する波形データ補正処理を実行することにより、例えばＡ／Ｄ変換の際に発生するオフセット電圧を含まない本来の減衰振動波形を表す波形データを算出することができる。

請求項４記載のコイル試験装置では、処理部は、減衰振動波形についての複数周期分の波形データに基づいて減衰振動波形のゼロレベルを検出するゼロレベル検出処理、およびゼロレベル検出処理において検出したゼロレベルを減算する補正を波形データに対して実行する波形データ補正処理を実行すると共に、この補正された波形データに基づいてコイル試験処理を実行可能に構成され、ゼロレベル検出処理において、上記の仮ゼロレベル規定処理と、上記の交点検出処理と、上記の間隔検出処理とを、仮ゼロレベル規定処理において規定する仮ゼロレベルを変更しつつ実行して、検出した仮ゼロレベル毎の間隔についてのばらつき度合いを求めると共に、この求めたばらつき度合いが最小となる仮ゼロレベルを減衰振動波形のゼロレベルとして検出する。

したがって、このコイル試験装置によれば、減衰振動波形を表す波形データのゼロレベルを正確に検出することができると共に、この検出したゼロレベルを波形データから減算する波形データ補正処理を実行することにより、例えばＡ／Ｄ変換の際に発生するオフセット電圧を含まない本来の減衰振動波形を表す波形データを算出することができる。したがって、このコイル試験装置によれば、このオフセット電圧を含まない波形データに基づいて試験対象のコイルについての状態情報特徴量（等価回路定数で構成される量）を正確に算出することができるため、コイル試験処理において、この正確な状態情報特徴量に基づいて（つまり、等価回路定数に基づいて）コイルの良否を正しく試験することができる。

ゼロレベル検出方法を実行するゼロレベル検出装置としての処理部８を備えたコイル試験装置１の構成図である。 ゼロレベル検出処理（ゼロレベル検出方法）６０を説明するためのフローチャートである。 ゼロレベル検出処理６０におけるゼロレベル検出の原理を説明するための仮ゼロレベルと減衰振動波形（周波数が一定の波形）の検出信号Ｓａとの交点Ｘ１〜Ｘ５、および隣接する交点Ｘ間の間隔Ｈ１〜Ｈ４を示す説明図である。 ゼロレベル検出処理６０におけるゼロレベル検出の原理を説明するための仮ゼロレベルと減衰振動波形（周波数が一定の波形）の検出信号Ｓａとの交点Ｘ１〜Ｘ５、および隣接する交点Ｘ間の間隔Ｈ１〜Ｈ４を示す他の説明図である。 ゼロレベル検出処理６０におけるゼロレベル検出の原理を説明するための仮ゼロレベルと減衰振動波形（周波数が一定の波形）の検出信号Ｓａとの交点Ｘ１〜Ｘ５、および隣接する交点Ｘ間の間隔Ｈ１〜Ｈ４を示す他の説明図である。 （ａ）は、図３における各間隔Ｈ１〜Ｈ４の大きさを比較すると共に、隣接する間隔Ｈ間の差分Δ１〜Δ３を説明するための説明図であり、（ｂ）は、（ａ）の各差分Δ１〜Δ３の大きさを比較するための説明図である。 （ａ）は、図４における各間隔Ｈ１〜Ｈ４の大きさを比較すると共に、隣接する間隔Ｈ間の差分Δ１〜Δ３を説明するための説明図であり、（ｂ）は、（ａ）の各差分Δ１〜Δ３の大きさを比較するための説明図である。 （ａ）は、図５における各間隔Ｈ１〜Ｈ４の大きさを比較すると共に、隣接する間隔Ｈ間の差分Δ１〜Δ３を説明するための説明図であり、（ｂ）は、（ａ）の各差分Δ１〜Δ３の大きさを比較するための説明図である。 特徴量空間における各乗算値ＬＣｒｅｆ，ＲＣｒｅｆと方形の判定エリアＡＲとの関係、およびこの判定エリアＡＲと状態情報特徴量ＬＣｔｅ，ＲＣｔｅとの関係を示す説明図である。 ゼロレベル検出処理６０におけるゼロレベル検出の原理を説明するための仮ゼロレベルと減衰振動波形（周波数が一定の波形）の信号Ｓｂとの交点Ｘ１〜Ｘ５、および隣接する交点Ｘ間の間隔Ｈ１〜Ｈ４を示す説明図である。 （ａ）は、図１０において、仮ゼロレベルを上限値Ｒｚ１に規定したときの各間隔Ｈ１〜Ｈ４の大きさを比較すると共に、隣接する間隔Ｈ間の差分Δ１〜Δ３を説明するための説明図であり、（ｂ）は、（ａ）の各差分Δ１〜Δ３の大きさを比較するための説明図である。 （ａ）は、図１０において示されているレベルに仮ゼロレベルを規定したときの各間隔Ｈ１〜Ｈ４の大きさを比較すると共に、隣接する間隔Ｈ間の差分Δ１〜Δ３を説明するための説明図であり、（ｂ）は、（ａ）の各差分Δ１〜Δ３の大きさを比較するための説明図である。 （ａ）は、図１０において、仮ゼロレベルを真のゼロレベルＶｚと同じ値に規定したときの各間隔Ｈ１〜Ｈ４の大きさを比較すると共に、隣接する間隔Ｈ間の差分Δ１〜Δ３を説明するための説明図であり、（ｂ）は、（ａ）の各差分Δ１〜Δ３の大きさを比較するための説明図である。

以下、ゼロレベル検出装置、ゼロレベル検出方法およびコイル試験装置の実施の形態について、添付図面を参照して説明する。

最初に、減衰振動波形のゼロレベルを検出するゼロレベル検出機能を備えたコイル試験装置（ゼロレベル検出装置としても機能するコイル試験装置）としてのコイル試験装置１の構成について、図面を参照して説明する。

コイル試験装置１は、図１に示すように、一対の接続端子２ａ，２ｂ、コンデンサ回路３、スイッチ４、インパルス電圧発生部５、測定部６、Ａ／Ｄ変換部７、処理部８、記憶部９、出力部１０および操作部１１を備え、一対の接続端子２ａ，２ｂ間に接続（直接的に接続、または不図示のプローブなどを介して間接的に接続）された試験対象のコイル（巻線）５１を試験する（絶縁耐力が不足しているか否かをチェックするための試験を行う）ことが可能に構成されている。また、本例のコイル試験装置１は、等価回路定数（インダクタンスＬおよびレジスタンスＲ）の異なる複数種類のコイル５１を試験対象として試験可能に構成されている。

なお、コイル５１には、浮遊容量も存在していることから、コイルの等価回路定数には、上記のインダクタンスＬおよびレジスタンスＲに加えてキャパシタンスも存在している。しかしながら、このコイル５１に対して並列接続されるコンデンサ回路３の後述するキャパシタンス（容量値）Ｃの設計値（基準値）Ｃｒがこの浮遊容量に対して十分に大きな値に規定されているため、この浮遊容量は無視するものとする。

また、コイル５１についての良品時（良品状態のとき）のインダクタンスＬおよびレジスタンスＲ（例えばインダクタンスＬおよびレジスタンスＲの各設計値（基準値）Ｌｒ，Ｒｒ）は既知であるものとする。

また、コイル５１の良品時におけるそのインダクタンスＬのばらつきの範囲（インダクタンス許容範囲）についても既知であるものとする。具体的には、設計値Ｌｒを基準とする下側の許容差ΔＬ１および上側の許容差ΔＬ２の組、並びにインダクタンス許容範囲の下限値（最小値）Ｌｍｉｎ（＝Ｌｒ−ΔＬ１）および上限値（最大値）Ｌｍａｘ（＝Ｌｒ＋ΔＬ２）の組の少なくとも一方の組が既知であるものとする。また、コイル５１の良品時におけるそのレジスタンスＲのばらつきの範囲（レジスタンス許容範囲）についても既知であるものとする。具体的には、設計値Ｒｒを基準とする下側の許容差ΔＲ１および上側の許容差ΔＲ２の組、並びにレジスタンス許容範囲の下限値（最小値）Ｒｍｉｎ（＝Ｒｒ−ΔＲ１）および上限値（最大値）Ｒｍａｘ（＝Ｒｒ＋ΔＲ２）の組の少なくとも一方の組が既知であるものとする。

一対の接続端子２ａ，２ｂのうちの一方の接続端子２ａは、スイッチ４を介してインパルス電圧発生部５の一対の出力端子５ａ，５ｂのうちの一方の出力端子５ａに接続されている。また、他方の接続端子２ｂは、インパルス電圧発生部５の他方の出力端子５ｂに接続されている。

コンデンサ回路３は、１または２以上の不図示のコンデンサで構成されて、全体としてのキャパシタンス（容量値）Ｃの設計値（基準値）Ｃｒが一定（既知）であって、かつこのキャパシタンスＣのばらつきの範囲（キャパシタンス許容範囲）の下限値（最小値）Ｃｍｉｎ（≫コイル５１の浮遊容量）および上限値（最大値）Ｃｍａｘ（＞Ｃｒ＞Ｃｍｉｎ）も既知であるものとする。また、コンデンサ回路３は、一対の接続端子２ａ，２ｂ間に接続されている。

スイッチ４は、一端が接続端子２ａに接続され、他端がインパルス電圧発生部５の一方の出力端子５ａに接続されている。また、スイッチ４は、例えば、リレーで構成されて、処理部８によってオン・オフ状態が制御可能となっている。

インパルス電圧発生部５は、予め規定された高電圧値のインパルス電圧信号Ｖｐを一対の出力端子５ａ，５ｂ間から出力可能に構成されている。また、インパルス電圧発生部５は、一例として、処理部８からの出力開始指示を入力したタイミングでインパルス電圧信号Ｖｐを出力する。

測定部６は、一対の接続端子２ａ，２ｂ間に発生する交流電圧（後述する減衰振動電圧）ｖについての信号波形を測定すると共に、測定した信号波形を予め規定された増幅率で増幅することにより、振幅が後段のＡ／Ｄ変換部７の入力定格内となる検出信号Ｓａ（信号波形が減衰振動電圧ｖと同じ減衰振動波形となる交流信号）として出力する。Ａ／Ｄ変換部７は、入力した検出信号Ｓａを予め規定されたサンプリング周期でサンプリングすることにより、検出信号Ｓａの減衰振動波形についての瞬時値を示す波形データＤ１（測定部６での増幅率やＡ／Ｄ変換部７の分解能（１ビット当たりの電圧値）が既知であることから、減衰振動電圧ｖの瞬時値（電圧値）を示す波形データＤ１とも言える）に変換して出力する。

処理部８は、例えばＣＰＵで構成されて、記憶部９に記憶されている動作プログラムに基づいて動作して、スイッチ４に対する制御処理、インパルス電圧発生部５に対する制御処理、ゼロレベル検出処理、波形データ補正処理、診断情報特徴量ＬＣｒｅｆ，ＲＣｒｅｆを算出する診断情報算出処理、状態情報特徴量ＬＣｔｅ，ＲＣｔｅを算出する状態情報算出処理、およびコイル試験処理を実行する。この場合、処理部８がゼロレベル検出処理および波形データ補正処理を実行する際には、コイル試験装置１はゼロレベル検出装置として機能する。

記憶部９は、ＲＯＭおよびＲＡＭなどの種々の半導体メモリや、ハードディスクおよびフラッシュメモリなどを用いたドライブ装置で構成されている。この記憶部９には、処理部８を構成するＣＰＵのための動作プログラム、コンデンサ回路３のキャパシタンスＣについての下限値Ｃｍｉｎおよび上限値Ｃｍａｘが予め記憶されている。また、記憶部９には、状態情報特徴量ＬＣｔｅ，ＲＣｔｅおよび診断情報特徴量ＬＣｒｅｆ，ＲＣｒｅｆを記憶するための特徴量空間が設けられている。この特徴量空間とは、後述するインダクタンスＬおよびキャパシタンスＣの乗算値ＬＣを横軸および縦軸のうちの一方の軸（本例では横軸）とし、レジスタンスＲおよびキャパシタンスＣの乗算値ＲＣを横軸および縦軸のうちの他方の軸（本例では縦軸）とする座標空間（直交座標空間）である。

また、このコイル試験装置１では、一対の接続端子２ａ，２ｂ間に試験対象のコイル５１が接続されたときには、このコイル５１とコンデンサ回路３とが並列接続状態となる。そして、このコイル５１およびコンデンサ回路３にオン状態のスイッチ４を介してインパルス電圧発生部５からインパルス電圧信号Ｖｐが供給された直後に、スイッチ４がオフ状態に制御されたときには、コイル５１およびコンデンサ回路３で構成される回路（コイル５１についての等価回路のインダクタおよびレジスタと、コンデンサ回路３のキャパシタとからなるＬＣＲ直列回路）に、インパルス電圧信号Ｖｐの供給に起因して、不図示の減衰振動電流が流れ、この減衰振動電流がコイル５１を流れることで、コイル５１の両端間（つまり、接続端子２ａ，２ｂ間）に減衰振動電圧ｖが発生する。また、この減衰振動電圧ｖについては、上記の他の特許文献２（特開２０１２−５８２２１号公報）に開示されている公知の等式（同公報中の式（１））と同じ下記の式（１）が成り立つ。
ＬＣ・ｄ^２ｖ／ｄｔ^２＋ＲＣ・ｄｖ／ｄｔ＋ｖ＝０ ・・・ （１）
ここで、Ｌ，Ｒ，Ｃは、コイル５１およびコンデンサ回路３の直列回路についての等価回路定数であるが、上記したようにコイル５１に対して並列接続されるコンデンサ回路３のキャパシタンスＣの設計値（基準値）Ｃｒはコイル５１の浮遊容量に対して十分に大きな値に規定されているため、この浮遊容量は無視できる。このことから、このＬおよびＲは、コイル５１の等価回路定数であるインダクタンスＬおよびレジスタンスＲであり、このＣは、コンデンサ回路３のキャパシタンスＣである。

また、上記の他の特許文献２に開示されている等式と同じ上記式（１）が成り立つことから、本例のコイル試験装置１の処理部８でも、動作プログラムの実行の際に、特許文献１に開示されている公知の式（同公報中の式（３））と同じ式を用いて、コイル５１およびコンデンサ回路３の直列回路についての等価回路定数であるインダクタンスＬおよびキャパシタンスＣの乗算値ＬＣ、並びにレジスタンスＲおよびキャパシタンスＣの乗算値ＲＣ、つまり特徴量ＬＣ，ＲＣを算出することが可能となっている。

出力部１０は、一例として、ＬＣＤなどのディスプレイ装置で構成されて、処理部８から出力されたコイル５１についての試験結果を画面に表示する。なお、出力部１０は、ディスプレイ装置に代えて、種々のインターフェース回路で構成してもよく、例えば、メディアインターフェース回路としてリムーバブルメディアに試験結果を記憶させたり、ネットワークインターフェース回路としてネットワーク経由で外部装置に試験結果を伝送させたりする構成を採用することもできる。

操作部１１は、入力部の一例であって、例えば、押下されたときに試験開始指示を示す信号を処理部８に出力可能なスタートキーと、試験対象としてコイル試験装置１に接続されるコイル５１についての良品時のインダクタンスＬのばらつきの範囲およびレジスタンスＲのばらつきの範囲を特定するための範囲情報（設計値Ｌｒ，Ｒｒおよび許容差ΔＬ１，ΔＬ２，ΔＲ１，ΔＲ２、または下限値Ｌｍｉｎ，Ｒｍｉｎおよび上限値Ｌｍａｘ，Ｒｍａｘ）を入力するためのテンキー等を備えている。なお、入力部は、操作部１１に限定されず、例えば、外部装置とデータ通信可能な通信部として、この外部装置から通信部を介して処理部８に、上記の試験開始指示や、上記の範囲情報を入力する構成を採用することもできる。

次に、コイル試験装置１を用いたコイル５１の試験方法について、コイル試験装置１の動作と共に説明する。なお、試験対象のコイル５１についてのインダクタンスＬおよびレジスタンスＲの各下限値Ｌｍｉｎ，Ｒｍｉｎおよび各上限値Ｌｍａｘ，Ｒｍａｘを操作部１１から入力する例を挙げて説明する。

最初に、試験する者（以下、試験者ともいう）は、コイル５１をコイル試験装置１の一対の接続端子２ａ，２ｂ間に接続する。

次いで、試験者は、操作部１１を操作することにより、試験対象であるコイル５１についてのインダクタンスＬおよびレジスタンスＲの各下限値Ｌｍｉｎ，Ｒｍｉｎおよび各上限値Ｌｍａｘ，Ｒｍａｘを処理部８に入力する。処理部８は、入力した各下限値Ｌｍｉｎ，Ｒｍｉｎおよび各上限値Ｌｍａｘ，Ｒｍａｘを記憶部９に記憶させる。

続いて、処理部８は、診断情報算出処理を実行する。この診断情報算出処理では、処理部８は、記憶部９に記憶されているインダクタンスＬおよびレジスタンスＲについての各下限値Ｌｍｉｎ，Ｒｍｉｎおよび各上限値Ｌｍａｘ，Ｒｍａｘと、キャパシタンスＣについての下限値Ｃｍｉｎおよび上限値Ｃｍａｘとに基づいて、診断情報特徴量ＬＣｒｅｆ，ＲＣｒｅｆ（この例では、後述する第１診断情報特徴量ＬＣｒｅｆ１，ＲＣｒｅｆ１と、第２診断情報特徴量ＬＣｒｅｆ２，ＲＣｒｅｆ２の２つ）を算出して記憶部９の特徴量空間に記憶させる。

具体的には、処理部８は、インダクタンスＬの下限値ＬｍｉｎとキャパシタンスＣの下限値Ｃｍｉｎとの乗算値ＬＣｒｅｆ１（＝Ｌｍｉｎ×Ｃｍｉｎ）、およびレジスタンスＲの下限値ＲｍｉｎとキャパシタンスＣの下限値Ｃｍｉｎとの乗算値ＲＣｒｅｆ１（＝Ｒｍｉｎ×Ｃｍｉｎ）を算出して、これらを１つの診断情報特徴量（第１診断情報特徴量）ＬＣｒｅｆ１，ＲＣｒｅｆ１として記憶部９に記憶させる。また、処理部８は、インダクタンスＬの上限値ＬｍａｘとキャパシタンスＣの上限値Ｃｍａｘとの乗算値ＬＣｒｅｆ２（＝Ｌｍａｘ×Ｃｍａｘ）、およびレジスタンスＲの上限値ＲｍａｘとキャパシタンスＣの上限値Ｃｍａｘとの乗算値ＲＣｒｅｆ２（＝Ｒｍａｘ×Ｃｍａｘ）を算出して、これらをもう１つの診断情報特徴量（第２診断情報特徴量）ＬＣｒｅｆ２，ＲＣｒｅｆ２として記憶部９に記憶させる。この場合、試験対象であるコイル５１のインダクタンスＬおよびレジスタンスＲの各下限値Ｌｍｉｎ，Ｒｍｉｎおよび各上限値Ｌｍａｘ，Ｒｍａｘに基づいて、第１診断情報特徴量ＬＣｒｅｆ１（＝Ｌｍｉｎ×Ｃｍｉｎ），ＲＣｒｅｆ１（＝Ｒｍｉｎ×Ｃｍｉｎ）と、第２診断情報特徴量ＬＣｒｅｆ２（＝Ｌｍａｘ×Ｃｍａｘ），ＲＣｒｅｆ２（＝Ｒｍａｘ×Ｃｍａｘ）とが算出される。これにより、診断情報算出処理が完了する。

次いで、操作部１１に対する操作が行われて（スタートボタンが操作されて）、試験開始指示を示す信号が処理部８に出力されると、処理部８は、この信号の入力を検出して、状態情報算出処理を実行し、次いでコイル試験処理を実行する。

この状態情報算出処理では、処理部８は、まず、スイッチ４に対する制御を実行して、オン状態に移行させる。次いで、処理部８は、インパルス電圧発生部５に対して出力開始指示を出力してインパルス電圧信号Ｖｐを出力させると共に、インパルス電圧信号Ｖｐの出力が完了した直後にスイッチ４に対する制御を実行してオフ状態に移行させる。これにより、コイル５１の両端間（接続端子２ａ，２ｂ間）には、インパルス電圧信号Ｖｐの印加に起因して、コイル５１とコンデンサ回路３とで形成される直列共振回路に基づく一定の周波数の減衰振動電圧ｖが発生する。

測定部６は、この減衰振動電圧ｖについての信号波形（減衰振動波形）を測定すると共に、減衰振動電圧ｖと同じ減衰振動波形となる検出信号Ｓａを生成してＡ／Ｄ変換部７に出力する。Ａ／Ｄ変換部７は、この検出信号Ｓａをサンプリングして波形データＤ１（減衰振動電圧ｖの瞬時値（電圧値）を示すデータ）に変換し、処理部８に出力する。処理部８は、この波形データＤ１を取得（複数周期分を取得）して時系列で記憶部９に記憶させる。

このようにして記憶された波形データＤ１には、本来の検出信号Ｓａ（減衰振動電圧ｖについての減衰振動波形）に加えて、測定部６やＡ／Ｄ変換部７において発生するオフセット電圧が含まれていることがあり、この波形データＤ１をこのまま使用して上記の特徴量ＬＣ，ＲＣを算出した場合に、正しい特徴量ＬＣ，ＲＣを算出できないことがある。このため、処理部８は、続いて、ゼロレベル検出装置として機能して、波形データＤ１で示される（表される）減衰振動電圧ｖについてのゼロレベルを検出するゼロレベル検出処理６０（図２参照）を実行する。

このゼロレベル検出処理６０では、処理部８は、まず、波形データＤ１に対するフィルタ処理（ローパスフィルタ処理）を実行して、波形データＤ１に含まれているノイズ成分を除去する（ステップ６１）。一例として、処理部８は、記憶部９に記憶されている波形データＤ１に対して方形波窓による切り出しを行い、この切り出した波形データＤ１の移動平均を算出することでフィルタ処理を実行する。以下では、このフィルタ処理が行われた波形データＤ１を新たな波形データＤ１（フィルタ処理前の波形データＤ１と区別するために「処理波形データＤ１」ともいう）として記憶部９に記憶させる。

なお、減衰振動電圧ｖの周期が変動する場合（ふらつく場合）は、検出信号Ｓａも同様に変動するため、このゼロレベル検出処理６０において実行する後述の交点検出処理（ゼロクロス検出処理）において検出される仮ゼロクロス点との交点について、フィルタ処理６１の前後においてずれが発生することがある。この交点のずれを低減するためには、方形波窓による切り出しに代えて、ハミング窓やブラックマン−ハリス窓などの両端でのレベルを小さくする窓関数を用いるのが好ましい。この場合、この窓関数を用いたことで処理波形データＤ１で示される信号のレベルが方形波窓を用いた場合と比べて小さくなる。このため、窓関数の適用（フィルタ処理の実行）後の処理波形データＤ１に公知の手法で算出し得る振幅補正係数を乗算することで、処理波形データＤ１で示される信号のレベルを補正する。この場合、処理部８は、この補正後の処理波形データＤ１を記憶部９に記憶させる。

また、記憶部９に記憶されている波形データＤ１からフィルタ処理６１を実行する波形データＤ１を切り出す際には、減衰振動電圧ｖの最初の半周期分の波形データＤ１については、スイッチ４がオン状態のときの影響を受けている（インパルス電圧発生部５が接続されている影響を受けている）可能性がある。このため、この最初の半周期分の波形データＤ１を避けて、フィルタ処理６１を実行する波形データＤ１を切り出すのが好ましい。なお、最初の半周期分の波形データＤ１に限定されず、最初の１周期分の波形データＤ１を避けてもよい。また、波形データＤ１で現される検出信号Ｓａの振幅がＡ／Ｄ変換部７の入力定格に対して小さすぎると、オフセット電圧の影響が大きくなったり、また交点検出処理での交点の検出が困難になることがあり、かつ測定に必要となるデータの数が多くなるため測定時間および波形メモリ量が増大してしまう。このため、波形データＤ１の切り出しに際しては、検出信号Ｓａの初期期間（例えば、最初の３周期：振幅が大きな期間）以内の波形データＤ１とするのが好ましい。

次に、処理部８は、処理波形データＤ１に対する仮ゼロレベル規定処理を実行する（ステップ６２）。ゼロレベル検出処理６０では、処理部８は、後述する交点検出処理において、検出信号Ｓａの真のゼロレベルＶｚ（検出信号Ｓａにおける減衰振動波形部分についてのゼロレベル）を含む電圧範囲の一方の境界値（例えば、上限値）から他方の境界値（例えば、下限値）まで、仮ゼロレベルを予め規定された一定のステップ（この電圧範囲を複数に等分したときの一つ分の幅）で変化させつつ、仮ゼロレベルと処理波形データＤ１で表される減衰振動電圧ｖとの交点（ゼロクロス点）を検出する。このため、このゼロレベル検出処理６０では、処理部８は、この仮ゼロレベルを変化させる電圧範囲Ｒｚの各境界値（上限値Ｒｚ１および下限値Ｒｚ２）を図３に示すように規定すると共に、各境界値のうちのいずれか一方（例えば、図３に示すように上限値Ｒｚ１）を仮ゼロレベルの初期値として規定する。具体的には、処理波形データＤ１についてのゼロ点を基準（中心値）とする予め規定された幅（Ａ／Ｄ変換部７の入力定格における最大値（絶対値が最大で正の値）の数％を上限値Ｒｚ１とし、最小値（絶対値が最大で負の値）の数％を下限値Ｒｚ２とする幅）の範囲を上記の電圧範囲Ｒｚとして規定することができる。

続いて、処理部８は、交点検出処理を実行する（ステップ６３）。この交点検出処理では、処理部８は、ステップ６２において規定した仮ゼロレベルと、処理波形データＤ１とを比較することにより、仮ゼロレベルと処理波形データＤ１で表される信号波形（検出信号Ｓａの信号波形（図３〜図５参照））との交点（仮ゼロクロス点）Ｘを検出する。

具体的には、処理波形データＤ１は離散値であるため、処理部８は、仮ゼロレベルとの交点を検出する際に、まず、処理波形データＤ１のうちの隣接する一対の処理波形データＤ１であって、それぞれの値が仮ゼロレベルを挟む関係（先の処理波形データＤ１の値が仮ゼロレベル以下で、かつ後の処理波形データＤ１の値が仮ゼロレベルを超える関係、および先の処理波形データＤ１の値が仮ゼロレベル以上で、かつ後の処理波形データＤ１の値が仮ゼロレベル未満の関係のうちのいずれかの関係）となる一対の処理波形データＤ１をすべて時系列順に検出する。次いで，処理部８は、このようにして検出した各一対の処理波形データＤ１に対して直線補間を行い、一対の処理波形データＤ１間に存在する仮ゼロレベルとの交点についての座標値（時間軸方向に沿った座標値）を算出して、時系列順に記憶部９に記憶させる。これにより、図３に示すように、仮ゼロレベルを初期値である上限値Ｒｚ１としたときの各交点（仮ゼロクロス点）Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３，Ｘ４，Ｘ５が検出されたものとする。

この場合、各交点Ｘ１〜Ｘ５の座標値は、例えば、一対の処理波形データＤ１が処理波形データＤ１におけるＮ（１以上の整数）番目の処理波形データＤ１と（Ｎ＋１）番目の処理波形データＤ１であるときに、Ｎ以上（Ｎ＋１）未満の値として算出される。具体例を挙げて説明すると、仮ゼロレベルの値が１２のときに、４番目の処理波形データＤ１の値が１０で、５番目の処理波形データＤ１の値が１５のときには、この一対の処理波形データＤ１の値が仮ゼロレベルを挟む関係となり、仮ゼロレベルとの交点の座標値は、４．４（＝４＋（１２−１０）／（１５−１０））として算出される。

次に、処理部８は、間隔検出処理を実行する（ステップ６４）。この間隔検出処理では、処理部８は、検出した各交点Ｘ１〜Ｘ５のうちの隣接する交点間の間隔（時間軸方向に沿った間隔）Ｈを検出する。具体的には、処理部８は、隣接する交点Ｘ１，Ｘ２と、隣接する交点Ｘ２，Ｘ３と、隣接する交点Ｘ３，Ｘ４と、隣接する交点Ｘ４，Ｘ５とについて、互いの座標値の差（後の交点Ｘの座標値から先の交点Ｘの座標値を減算して得られる値。交点Ｘ１，Ｘ２の例では、交点Ｘ２の座標値から交点Ｘ１の座標値を減算した値）を算出することで、互いの間隔Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３，Ｈ４を検出して、記憶部９に記憶させる。

処理部８は、現時点での仮ゼロレベルが下限値Ｒｚ２に達したか否か（つまり、電圧範囲Ｒｚ内の仮ゼロレベルと規定すべきすべての電圧での間隔検出処理が完了したか否か）を判別して（ステップ６５）、完了していないと判別したときには、このステップ６５において完了したと判別するまで、仮ゼロレベルを上記の一定のステップで変更しつつ、上記したステップ６２〜ステップ６４を繰り返し実行する。一方、処理部８は、ステップ６５においてすべての電圧（すべての仮ゼロレベル）での間隔検出処理が完了したと判別したときには、検出した各間隔Ｈについてのばらつき度合いが最小となる仮ゼロレベルを真のゼロレベルＶｚ（検出信号Ｓａにおける減衰振動波形部分についてのゼロレベル）として検出する処理を実行する（ステップ６６）。

ここで、例えば、図３〜図５に示すように、仮ゼロレベルを上記の電圧範囲Ｒｚ内において、初期値としての上限値Ｒｚ１（図３の状態）から、上限値Ｒｚ１および真のゼロレベルＶｚの中間の値（図４の状態）、真のゼロレベルＶｚと同じ値（図５の状態）、というように変更したときの各仮ゼロレベルにおける各間隔Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３，Ｈ４の変化の様子を図６〜図８に模式図として示す。なお、図６（ａ）は、図３での各間隔Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３，Ｈ４の変化の様子を示したものであり、図７（ａ）は、図４での各間隔Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３，Ｈ４の変化の様子を示したものであり、図８（ａ）は、図５での各間隔Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３，Ｈ４の変化の様子を示したものである。各図６（ａ），図７（ａ），図８（ａ）から明らかなように、仮ゼロレベルが真のゼロレベルＶｚに近づくに従い、各仮ゼロレベルでの各間隔Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３，Ｈ４のばらつき度合いが小さくなり、仮ゼロレベルが真のゼロレベルＶｚと一致したときにばらつき度合いがゼロ（各間隔Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３，Ｈ４が同一）になる。

この場合、図３，４，５での各仮ゼロレベルにおける各間隔Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３，Ｈ４のうちの隣接する間隔Ｈ間の差分値Δ１，Δ２，Δ３を図６（ａ），７（ａ），８（ａ）で示すように検出すると、図３，４，５での各仮ゼロレベルにおける差分値Δ１，Δ２，Δ３の状態を示す図６（ｂ），７（ｂ），８（ｂ）から明らかなように、各差分値Δ１，Δ２，Δ３の絶対値は、仮ゼロレベルが真のゼロレベルＶｚに近づくに従い大きさが小さくなり、仮ゼロレベルが真のゼロレベルＶｚと一致したときにゼロになる。

なお、図３〜図５では、仮ゼロレベルを上記の電圧範囲Ｒｚ内において、初期値としての上限値Ｒｚ１から真のゼロレベルＶｚと同じ値まで変更したときの各仮ゼロレベルにおける各間隔Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３，Ｈ４の変化の様子しか示していないが、仮ゼロレベルを図５の状態から下限値Ｒｚ２側に変更したときには、図示はしないが、各仮ゼロレベルでの各間隔Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３，Ｈ４のばらつき度合いが次第に大きくなり、各仮ゼロレベルにおける差分値Δ１，Δ２，Δ３についても大きくなる。この結果、上記したように、仮ゼロレベルが真のゼロレベルＶｚと一致したときにばらつき度合いがゼロ（各間隔Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３，Ｈ４が同一）、つまりばらつき度合いが最小になると共に、各仮ゼロレベルにおける差分値Δ１，Δ２，Δ３についてもゼロになる。

このことから、検出した各間隔Ｈについてのばらつき度合いを示すパラメータとして、各仮ゼロレベルにおける各差分値Δ１，Δ２，Δ３を用いて、各間隔Ｈについてのばらつき度合いが最小となる仮ゼロレベルを真のゼロレベルＶｚとして検出することが可能となる。また、各間隔Ｈについてのばらつき度合いを示すパラメータとして、ばらつきを示す値として下記の式で表される公知の分散を用いることもできる。この分散を用いた場合においても、仮ゼロレベルが真のゼロレベルＶｚと一致したときに、各間隔Ｈについての分散がゼロ（最小）になることから、この分散が最小となる仮ゼロレベルを真のゼロレベルＶｚとして検出することが可能となる。
分散＝１／ｎ×（Σ［ｉ＝１，ｎ］（Ｈａｖｅ−Ｈｉ））
ここで、Ｈａｖｅは、各Ｈｉ（Ｈ１，Ｈ２，・・・，Ｈｎ）の平均値であるものとする。

したがって、処理部８は、このステップ６６での処理において、上記のようなばらつき度合いを示すパラメータを用いて、各仮ゼロレベルにおける各間隔Ｈについてのばらつき度合いを検出し、検出したばらつき度合いが最小となる仮ゼロレベルを検出（特定）して、この検出された仮ゼロレベルを、検出信号Ｓａの真のゼロレベルＶｚ（検出信号Ｓａにおける減衰振動波形部分についてのゼロレベル）として検出する。また、処理部８は、検出した真のゼロレベルＶｚを記憶部９に記憶させる。なお、処理部８が、検出した真のゼロレベルＶｚを出力部１０に表示させる構成を採用してもよい。これにより、ゼロレベル検出処理６０が完了する。

次に、処理部８は、波形データ補正処理を実行する。この波形データ補正処理では、処理部８は、記憶部９に記憶されている各処理波形データＤ１の値から真のゼロレベルＶｚを減算することで、各処理波形データＤ１の値を補正する。このようにして補正された各処理波形データＤ１（以下、この補正が施された処理波形データＤ１を「処理波形データＤ１ａ」ともいう）は、測定部６やＡ／Ｄ変換部７において発生するオフセット電圧を含まない処理波形データ（本来の検出信号Ｓａの信号波形（減衰振動電圧ｖについての減衰振動波形を表す波形））である。処理部８は、この処理波形データＤ１ａを記憶部９に記憶させる。

続いて、処理部８は、記憶部９に記憶されている処理波形データＤ１ａ（検出信号Ｓａの信号波形を表す波形データであると共に、減衰振動電圧ｖについての減衰振動波形を表す波形データとしても使用し得るデータ））に基づいて、コイル５１およびコンデンサ回路３の直列回路についての等価回路定数であるインダクタンスＬとキャパシタンスＣとの乗算値ＬＣ、およびレジスタンスＲとキャパシタンスＣとの乗算値ＲＣを算出して、これらを状態情報特徴量ＬＣｔｅ，ＲＣｔｅとして記憶部９の特徴量空間に記憶させる。これにより、状態情報算出処理が完了する。

次に実行するコイル試験処理では、処理部８は、記憶部９の特徴量空間に記憶されている診断情報特徴量ＬＣｒｅｆ，ＲＣｒｅｆと、状態情報特徴量ＬＣｔｅ，ＲＣｔｅとに基づいて、試験対象としてコイル試験装置１に接続されているコイル５１の良否を試験（診断）する。

具体的には、処理部８は、図９に示すように、記憶部９に設けられた特徴量空間に記憶されている第１診断情報特徴量ＬＣｒｅｆ１，ＲＣｒｅｆ１と、第２診断情報特徴量ＬＣｒｅｆ２，ＲＣｒｅｆ２とで規定されるコイル５１についての判定エリアＡＲ（同図に示すように、この乗算値ＬＣを横軸とし、かつ乗算値ＲＣを縦軸とする特徴量空間における座標値（ＬＣｒｅｆ１，０）を通って縦軸と平行な直線Ｓ１、座標値（ＬＣｒｅｆ２，０）を通って縦軸と平行な直線Ｓ２、座標値（０，ＲＣｒｅｆ１）を通って横軸と平行な直線Ｓ３、および座標値（０，ＲＣｒｅｆ２）を通って横軸と平行な直線Ｓ４で囲まれた方形のエリア（実線で囲まれて、内部に斜線が付されたエリア））内に状態情報特徴量ＬＣｔｅ，ＲＣｔｅが含まれているか否かを判別して、符号Ｐ１で示される状態情報特徴量ＬＣｔｅ，ＲＣｔｅのように判定エリアＡＲ内に含まれているときには、コイル５１は良品状態にあると診断し、一方、符号Ｐ２で示される状態情報特徴量ＬＣｔｅ，ＲＣｔｅのように判定エリアＡＲ内に含まれていないときには、コイル５１は不良状態にあると診断する。また、処理部８は、この診断（試験）結果を記憶部９に記憶させると共に、出力部１０に出力して画面に表示させる。これにより、コイル５１についてのコイル試験処理が完了する。

なお、上記のコイル試験装置１では、試験対象のコイル５１についてのインダクタンスＬおよびレジスタンスＲの各下限値Ｌｍｉｎ，Ｒｍｉｎおよび各上限値Ｌｍａｘ，Ｒｍａｘを操作部１１から入力する構成を採用して、処理部８が、コイル５１についての判定エリアＡＲを規定するための診断情報特徴量ＬＣｒｅｆ，ＲＣｒｅｆ（第１診断情報特徴量ＬＣｒｅｆ１，ＲＣｒｅｆ１、および第２診断情報特徴量ＬＣｒｅｆ２，ＲＣｒｅｆ２）を、診断情報算出処理においてこの各下限値Ｌｍｉｎ，Ｒｍｉｎおよび各上限値Ｌｍａｘ，Ｒｍａｘに基づいて算出しているが、この構成に限定されない。

例えば、試験対象のコイル５１についてのインダクタンスＬおよびレジスタンスＲの各設計値Ｌｒ，Ｒｒおよび許容差ΔＬ１，ΔＬ２，ΔＲ１，ΔＲ２を操作部１１から入力する構成を採用することもできる。この構成のコイル試験装置１では、処理部８は、インダクタンスＬについての設計値Ｌｒおよび許容差ΔＬ１，ΔＬ２に基づいて、インダクタンス許容範囲の下限値Ｌｍｉｎ（＝Ｌｒ−ΔＬ１）および上限値Ｌｍａｘ（＝Ｌｒ＋ΔＬ２）を算出すると共に、レジスタンスＲについての設計値Ｒｒおよび許容差ΔＲ１，ΔＲ２に基づいて、レジスタンス許容範囲の下限値Ｒｍｉｎ（＝Ｒｒ−ΔＲ１）および上限値Ｒｍａｘ（＝Ｒｒ＋ΔＲ２）を算出する。そして、処理部８は、コイル５１についての判定エリアＡＲを規定するための診断情報特徴量ＬＣｒｅｆ，ＲＣｒｅｆ（第１診断情報特徴量ＬＣｒｅｆ１，ＲＣｒｅｆ１、および第２診断情報特徴量ＬＣｒｅｆ２，ＲＣｒｅｆ２）を、このようにして算出した各下限値Ｌｍｉｎ，Ｒｍｉｎおよび各上限値Ｌｍａｘ，Ｒｍａｘに基づいて算出する。よって、この構成においても、試験対象のコイル５１についてのインダクタンスＬおよびレジスタンスＲの各下限値Ｌｍｉｎ，Ｒｍｉｎおよび各上限値Ｌｍａｘ，Ｒｍａｘを操作部１１から入力する構成と同様にして、コイル５１の良否を試験（診断）することが可能である。

このように、このコイル試験装置１によれば、処理部８がゼロレベル検出処理（ゼロレベル検出方法）６０を実行することでコイル試験装置１がゼロレベル検出装置として機能することにより、検出信号Ｓａの信号波形を表す波形データであると共に、減衰振動電圧ｖについての減衰振動波形を表す波形データとしても使用し得る波形データである処理波形データＤ１の真のゼロレベルＶｚを正確に検出することができる。また、このコイル試験装置１によれば、処理部８がゼロレベル検出処理６０と共にさらに波形データ補正処理を実行することでコイル試験装置１がさらに波形データ補正処理を行うゼロレベル検出装置として機能して、検出した真のゼロレベルＶｚで処理波形データＤ１を補正することにより、測定部６やＡ／Ｄ変換部７において発生するオフセット電圧を含まない処理波形データＤ１ａ（本来の検出信号Ｓａの信号波形（減衰振動電圧ｖについての減衰振動波形を表す波形）についての波形データ）を算出することができる。したがって、このこのコイル試験装置１によれば、オフセット電圧を含まない処理波形データＤ１ａに基づいてコイル５１についての状態情報特徴量ＬＣｔｅ，ＲＣｔｅを正確に算出することができるため、この正確な状態情報特徴量ＬＣｔｅ，ＲＣｔｅと判定エリアＡＲとを比較することにより、コイル５１の良否を正しく試験（診断）することができる。

なお、直列共振に基づきコイル５１の両端間に一定の周波数で発生する減衰振動電圧ｖを測定して得られる検出信号Ｓａの信号波形についての真のゼロレベルＶｚを、この検出信号Ｓａについての処理波形データＤ１に基づいて検出する例を挙げて、ゼロレベル検出装置およびゼロレベル検出方法について説明したが、このゼロレベル検出装置およびこのゼロレベル検出方法は、周波数が一定の信号波形に限定されず、周波数が徐々に変化する信号波形（例えば、徐々に周波数が低下する信号波形や、徐々に周波数が上昇する信号波形）についての真のゼロレベルＶｚを、この信号波形を示す波形データＤ１に基づいて検出する場合に対しても適用できるのは勿論である。

例えば、図１０において実線で示される信号Ｓｂのように、周波数が徐々に低下する信号（なお、同図において破線で示される比較用の信号は一定の周波数の信号）を例に挙げて説明する。

ゼロレベル検出装置として機能する上記のコイル試験装置１では、処理部８は、この信号Ｓｂについての信号波形を示す波形データＤ１に対して、上記した検出信号Ｓａについての波形データＤ１に対するときと同様のゼロレベル検出処理６０を実行して、例えば、図１０に示すように、仮ゼロレベルを初期値としての上限値Ｒｚ１から下限値Ｒｚ２まで変更しつつ、各ゼロレベルでの各交点Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３，Ｘ４，Ｘ５相互間の間隔Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３，Ｈ４についてのばらつき度合い（隣接する間隔Ｈ間の差分値Δや分散。本例では、一例として差分値Δ）を検出する。

この信号Ｓｂについても、各仮ゼロレベルでの差分値Δ１，Δ２，Δ３の状態（間隔Ｈのばらつき度合い）は、仮ゼロレベルを上限値Ｒｚ１としたとき（図１１（ａ）、（ｂ）参照）から、上限値Ｒｚ１および真のゼロレベルＶｚの中間の値としたとき（図１２（ａ）、（ｂ）参照）、真のゼロレベルＶｚと同じ値としたとき（図１３（ａ）、（ｂ）参照）、および、図示はしないが、さらに真のゼロレベルＶｚから下限値Ｒｚ２側に向けて変更したとき（つまり、電圧範囲Ｒｚ内で変更したとき）に、検出信号Ｓａのときと同様にして、仮ゼロレベルが真のゼロレベルＶｚに近づくに従い、小さくなり、仮ゼロレベルが真のゼロレベルＶｚと一致したときにばらつき度合いが最小になる。したがって、処理部８は、このようにして、ばらつき度合いが最小になったときの仮ゼロレベルを信号Ｓｂについての真のゼロレベルとして検出することができる。

なお、ゼロレベル検出装置をコイル試験装置に適用した例について上記したが、このゼロレベル検出装置の適用はコイル試験装置に限定されるものではなく、オフセット電圧のような不要な直流成分が発生する電子回路を有する他の電子機器に適用し得るのは勿論である。

１ コイル試験装置
３ コンデンサ回路
５ インパルス電圧発生部
６ 測定部
７ Ａ／Ｄ変換部
８ 処理部
５１ コイル
Ｃ キャパシタンス
Ｄ１ 波形データ
ｆ 振動周波数
Ｌ インダクタンス
Ｒ レジスタンス
ｖ 減衰振動電圧
Ｖｐ インパルス電圧信号

Claims (4)

1. 減衰振動波形についての複数周期分の波形データに基づいて当該減衰振動波形のゼロレベルを検出するゼロレベル検出処理を実行する処理部を備えているゼロレベル検出装置であって、
   前記処理部は、前記ゼロレベル検出処理において、
   前記減衰振動波形に対する仮ゼロレベルを規定する仮ゼロレベル規定処理と、
   前記波形データに基づいて前記減衰振動波形における前記仮ゼロレベルとの交点を検出する交点検出処理と、
   前記検出した交点のうちの隣接する交点間の間隔を検出する間隔検出処理とを、前記仮ゼロレベル規定処理において規定する前記仮ゼロレベルを変更しつつ実行して、検出した前記仮ゼロレベル毎の前記間隔についてのばらつき度合いを求めると共に、当該求めたばらつき度合いが最小となる前記仮ゼロレベルを前記減衰振動波形の前記ゼロレベルとして検出するゼロレベル検出装置。
2. 前記処理部は、前記ゼロレベル検出処理において検出した前記ゼロレベルを前記波形データから減算する波形データ補正処理を実行する請求項１記載のゼロレベル検出装置。
3. 減衰振動波形についての複数周期分の波形データに基づいて当該減衰振動波形のゼロレベルを検出するゼロレベル検出方法であって、
   前記減衰振動波形に対する仮ゼロレベルを規定する仮ゼロレベル規定処理と、
   前記波形データに基づいて前記減衰振動波形における前記仮ゼロレベルとの交点を検出する交点検出処理と、
   前記検出した交点のうちの隣接する交点間の間隔を検出する間隔検出処理とを、前記仮ゼロレベル規定処理において規定する前記仮ゼロレベルを変更しつつ実行して、検出した前記仮ゼロレベル毎の前記間隔についてのばらつき度合いを求めると共に、当該求めたばらつき度合いが最小となる前記仮ゼロレベルを前記減衰振動波形の前記ゼロレベルとして検出するゼロレベル検出方法。
4. 試験対象のコイルに並列接続されるコンデンサ回路と、インパルス電圧信号を発生させて前記コイルおよび前記コンデンサ回路に供給するインパルス電圧発生部と、前記インパルス電圧信号の供給によって前記コイルの両端間に発生する減衰振動電圧を測定して当該減衰振動電圧の信号波形を示す減衰振動波形を出力する測定部と、前記減衰振動波形をサンプリングして当該減衰振動波形の瞬時値を示す波形データに変換するＡ／Ｄ変換部と、前記減衰振動電圧の発生時における前記コイルおよび前記コンデンサ回路で構成される回路についての等価回路定数を前記波形データに基づいて算出すると共に当該算出した等価回路定数に基づいて前記コイルの良否を判別するコイル試験処理を実行する処理部とを備えているコイル試験装置であって、
   前記処理部は、前記減衰振動波形についての複数周期分の前記波形データに基づいて当該減衰振動波形のゼロレベルを検出するゼロレベル検出処理、および当該ゼロレベル検出処理において検出した当該ゼロレベルを減算する補正を前記波形データに対して実行する波形データ補正処理を実行すると共に、当該補正された波形データに基づいて前記コイル試験処理を実行可能に構成され、
   前記ゼロレベル検出処理において、
   前記減衰振動波形に対する仮ゼロレベルを規定する仮ゼロレベル規定処理と、
   前記波形データに基づいて前記減衰振動波形における前記仮ゼロレベルとの交点を検出する交点検出処理と、
   前記検出した交点のうちの隣接する交点間の間隔を検出する間隔検出処理とを、前記仮ゼロレベル規定処理において規定する前記仮ゼロレベルを変更しつつ実行して、検出した前記仮ゼロレベル毎の前記間隔についてのばらつき度合いを求めると共に、当該求めたばらつき度合いが最小となる前記仮ゼロレベルを前記減衰振動波形の前記ゼロレベルとして検出するコイル試験装置。

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