JP6752617B2 - コイル試験装置 - Google Patents

Description

本発明は、試験対象のコイルにコンデンサを並列に接続すると共に、この接続状態でのコイルにインパルス電圧を印加したときにコイルの両端間に発生する減衰振動波形に基づいてコイルを試験するコイル試験装置に関するものである。

この種のコイル試験装置の一例として、下記の特許文献１に開示されたコイル試験装置（コイル耐圧試験機）が知られている。このコイル試験装置は、試験対象のコイルに並列に接続されるコンデンサと、インパルス電圧を生成して試験対象のコイルおよびコンデンサの並列回路に印加するインパルス発生回路と、インパルス電圧の印加に起因してコイルの両端間に発生する減衰振動波形を測定する測定回路とを備え、この測定された減衰振動波形に基づいて、試験対象のコイルに対する試験（良否（例えば絶縁耐力が不足しているか否か）をチェックするための試験）を実行可能に構成されている。

実用新案登録第２５９１９６６号公報 （第３−５頁、第１，５図）

ところが、上記したコイル試験装置には、以下のような改善すべき課題が存在している。すなわち、このコイル試験装置において測定される減衰振動波形は、コイルのインダクタンス（インダクタ値）をＬ、並列に接続されるコンデンサのキャパシタンス（容量値）をＣとしたときに、下記式で表される周波数ｆで振動する波形である。
ｆ＝１／２π√（ＬＣ）

しかしながら、このインダクタンスＬは試験対象のコイルの種類に応じて異なるため、並列接続するコンデンサが固定されている構成のときには、インダクタンスＬの小さなコイルの場合には、減衰振動波形の周波数（振動周波数）が高くなり過ぎて、減衰振動波形をＡ／Ｄ変換器でサンプリングして得られる波形データに基づいてコイルを試験する構成を採用するコイル試験装置では、減衰振動波形を正確に表す波形データ（振動周波数に対して十分に高いサンプリング周波数のサンプリングクロックでサンプリングして得られる波形データ）を得るのが容易ではないという改善すべき点、すなわち、正確な試験を実施するのが容易ではないという改善すべき課題が生じることがある。一方、並列接続するコンデンサが固定されている構成において、インダクタンスＬの大きなコイルの場合には、減衰振動波形の周波数（振動周波数）が低くなることから、減衰振動波形を正確に表す波形データを得るのが容易になるものの、減衰振動波形の周波数によっては、減衰振動波形の周期が長くなり過ぎて、試験に必要な波形データを取得するまでに要する時間（結果として、試験を完了させるまでに要する時間）が長くなるという改善すべき課題が生じることがある。

本発明は、かかる課題を改善するためになされたものであり、インダクタンスの異なるコイルを試験対象として、試験に要する時間の長時間化を回避しつつ正確な試験を実行し得るコイル試験装置を提供することを主目的とする。

上記目的を達成すべく請求項１記載のコイル試験装置は、試験対象のコイルに並列接続されるコンデンサ回路と、インパルス電圧信号を発生させて前記コイルおよび前記コンデンサ回路に供給するインパルス電圧発生部と、前記インパルス電圧信号の供給によって前記コイルの両端間に発生する減衰振動電圧の信号波形を測定する測定部と、前記信号波形をサンプリングして当該信号波形の瞬時値を示す波形データに変換するＡ／Ｄ変換部と、前記波形データに基づいて前記コイルを試験するコイル試験処理を実行する処理部とを備え、前記コンデンサ回路は、容量可変型に構成され、前記処理部は、インダクタンスが異なる複数種類のコイルのうちの前記試験対象として前記コンデンサ回路に接続されている前記コイルの種類を前記波形データに基づいて特定すると共に、当該特定したコイルの種類に対応させて前記コンデンサ回路の容量値を変更するコイル特定処理を実行し、当該コイルおよび容量値の変更後の当該コンデンサ回路に前記インパルス電圧信号を供給した際に発生する前記減衰振動電圧の前記信号波形についての前記波形データに基づいて前記コイル試験処理を実行する。

請求項２記載のコイル試験装置は、請求項１記載のコイル試験装置において、前記コンデンサ回路は、対応する種類の前記コイルとの接続状態において発生する前記減衰振動電圧の前記信号波形についての振動周波数のそれぞれが共通の周波数となるように前記容量値を変更可能に構成されている。

請求項１記載のコイル試験装置では、試験対象のコイルに並列接続されるコンデンサ回路は容量値を変更可能な容量可変型に構成されている。

したがって、このコイル試験装置によれば、インダクタンスの異なる複数種類のコイルを試験対象としつつ、接続されるコイルの種類に対応させてコンデンサ回路の容量値を変更することで、コンデンサ回路と共に共振回路を構成するコイルの両端間に発生する減衰振動電圧の信号波形についての周波数を、Ａ／Ｄ変換部でのサンプリング周波数で十分に正確にサンプリングし得る周波数であって、試験に要する時間の長時間化を回避し得る周波数に設定することができるため、試験対象のコイルについての良否を正確に、かつ短時間に試験することができる。

また、このコイル試験装置によれば、処理部が、試験対象となっているコイルの種類を特定すると共に、この特定したコイルの種類に対応させてコンデンサ回路の容量値を変更するコイル特定処理を実行した後に、コイル試験処理を実行するため、試験対象として接続したコイルに対してこのコイルのインダクタンスに対応する容量値にコンデンサ回路の容量値を自動的に変更してコイル試験を実行することができる。つまり、コイルの試験に要する手間を省いて、短時間で試験を実行することができる。

請求項２記載のコイル試験装置では、コンデンサ回路が、対応する種類のコイルとの接続状態において発生する減衰振動電圧の信号波形についての周波数が同等の周波数（共通の周波数）となるように容量値を変更可能に構成されている。したがって、このコイル試験装置によれば、インダクタンスの異なる複数種類のコイルのいずれを試験対象とした場合においても、減衰振動電圧の信号波形を、Ａ／Ｄ変換部において一定のサンプリング周波数で十分に正確にサンプリングして波形データに変換することができるため、各コイルに対して正確な試験を実行することができる。

コイル試験装置１の構成図である。 図１におけるコンデンサ回路３の回路図である。

以下、コイル試験装置の実施の形態について、添付図面を参照して説明する。

最初に、コイル試験装置としてのコイル試験装置１の構成について、図面を参照して説明する。

コイル試験装置１は、図１に示すように、一対の接続端子２ａ，２ｂ、コンデンサ回路３、スイッチ４、インパルス電圧発生部５、測定部６、Ａ／Ｄ変換部７、処理部８、記憶部９、出力部１０および操作部１１を備え、一対の接続端子２ａ，２ｂ間に接続（直接的に接続、または不図示のプローブなどを介して間接的に接続）された試験対象のコイル５１を試験する（良否（例えば絶縁耐力が不足しているか否か）をチェックするための試験を行う）ことが可能に構成されている。また、本例のコイル試験装置１は、インダクタンスＬの異なる複数種類のコイル５１（一例として、インダクタンスＬａのコイル５１ａ、インダクタンスＬｂのコイル５１ｂ、インダクタンスＬｃのコイル５１ｃの３種類のコイル。特に区別しないときには「コイル５１」ともいう）を試験対象として試験可能に構成されている。なお、各インダクタンスＬａ，Ｌｂ，Ｌｃ（以下、特に区別しないときには、インダクタンスＬともいう）間には、Ｌａ＜Ｌｂ＜Ｌｃの関係が成り立っているものとする。

また、後述のインパルス電圧信号Ｖｐの印加状態において測定されるコイル５１のインダクタンスＬは、良品であっても製造誤差に起因してばらつくと共に、不良時には不良の程度（コイル５１を構成する巻線間に配置された絶縁層に生じる欠陥（クラックやピンホール）の多少）に応じてばらつく。本例では、コイル５１ａのインダクタンスＬａについては、良品の状態の時（以下、良品時ともいう）には、下限値Ｌａｎｍｉｎ以上上限値Ｌａｎｍａｘ以下の範囲でばらつくと共に、不良時には、さらに下限値Ｌａｎｍｉｎを下回る下限値Ｌａｍｉｎまで低下することがあり、また上限値Ｌａｎｍａｘを上回る上限値Ｌａｍａｘまで増加することがあるものとする。また、コイル５１ｂのインダクタンスＬｂについては、良品時には、下限値Ｌｂｎｍｉｎ以上上限値Ｌｂｎｍａｘ以下の範囲でばらつくと共に、不良時には、さらに下限値Ｌｂｎｍｉｎを下回る下限値Ｌｂｍｉｎまで低下することがあり、また上限値Ｌｂｎｍａｘを上回る上限値Ｌｂｍａｘまで増加することがあるものとする。また、コイル５１ｃのインダクタンスＬｃについては、良品時には、下限値Ｌｃｎｍｉｎ以上上限値Ｌｃｎｍａｘ以下の範囲でばらつくと共に、不良時には、さらに下限値Ｌｃｎｍｉｎを下回る下限値Ｌｃｍｉｎまで低下することがあり、また上限値Ｌｃｎｍａｘを上回る上限値Ｌｃｍａｘまで増加することがあるものとする。また、本例では、上記の各値に関して以下の関係が成り立つコイル５１を、試験対象のコイル５１ａ，５１ｂ，５１ｃとする。
Ｌａｍｉｎ＜Ｌａｎｍｉｎ＜Ｌａｎｍａｘ＜Ｌａｍａｘ
＜Ｌｂｍｉｎ＜Ｌｂｎｍｉｎ＜Ｌｂｎｍａｘ＜Ｌｂｍａｘ
＜Ｌｃｍｉｎ＜Ｌｃｎｍｉｎ＜Ｌｃｎｍａｘ＜Ｌｃｍａｘ

一対の接続端子２ａ，２ｂのうちの一方の接続端子２ａは、スイッチ４を介してインパルス電圧発生部５の一対の出力端子５ａ，５ｂのうちの一方の出力端子５ａに接続されている。また、他方の接続端子２ｂは、インパルス電圧発生部５の他方の出力端子５ｂに接続されている。

コンデンサ回路３は、容量値を変更可能な可変型コンデンサとして構成されて、一対の接続端子２ａ，２ｂ間に接続されている。本例では一例として、コンデンサ回路３は、図２に示すように、それぞれの容量値が異なる複数のコンデンサ（本例では一例として、第１コンデンサ２１ａ（容量値Ｃａ）、第２コンデンサ２１ｂ（容量値Ｃｂ）および第３コンデンサ２１ｃ（容量値Ｃｃ）の３つのコンデンサ）と、各コンデンサに直列接続されたコンデンサと同数の選択スイッチ（本例では一例として、第１コンデンサ２１ａに直列接続された第１選択スイッチ２２ａ、第２コンデンサ２１ｂに直列接続された第２選択スイッチ２２ｂ、および第３コンデンサ２１ｃに直列接続された第３選択スイッチ２２ｃの３つの選択スイッチ）とを備え、コンデンサとこのコンデンサに接続された選択スイッチからなる直列回路（第１コンデンサ２１ａと第１選択スイッチ２２ａの直列回路、第２コンデンサ２１ｂと第２選択スイッチ２２ｂの直列回路、および第３コンデンサ２１ｃと第３選択スイッチ２２ｃの直列回路）同士が互いに並列に接続されて構成されている。

また、各容量値Ｃａ，Ｃｂ，Ｃｃ（以下、特に区別しないときには、容量値Ｃともいう）は、一例として、容量値Ｃａがコイル５１ａ（具体的には、コイル５１ａのインダクタンスＬａ）に対応し、容量値Ｃｂがコイル５１ｂ（具体的には、コイル５１ｂのインダクタンスＬｂ）に対応し、かつ容量値Ｃｃがコイル５１ｃ（具体的には、コイル５１ｃのインダクタンスＬｃ）に対応すると共に、対応する容量値ＣとインダクタンスＬ（例えば、良品時のインダクタンスＬについての定格値（例えば、上記した良品時におけるばらつきの中心値））同士の乗算値であるＣａ×Ｌａ，Ｃｂ×ＬｂおよびＣｃ×Ｌｃをほぼ同じ値とすべく、Ｃａ＞Ｃｂ＞Ｃｃの関係が成り立つように予め規定されている。

これにより、本例では、コンデンサ回路３は、３つの選択スイッチ２２ａ〜２２ｃのうちの第１選択スイッチ２２ａのみがオン状態となったときにその容量値が最大（容量値Ｃａ）となり、第２選択スイッチ２２ｂのみがオン状態となったときにその容量値が中程度の値（容量値Ｃｂ）となり、第３選択スイッチ２２ｃのみがオン状態となったときにその容量値が最小（容量値Ｃｃ）となる容量可変型コンデンサとして構成されている。また、最も小さな容量値Ｃｃであっても、試験対象のコイル５１ａ〜５１ｃの各浮遊容量に対して十分に大きな値となるように予め規定されていることから、後述するようにコンデンサ回路３と共に共振回路（直列共振回路）を構成する試験対象のコイル５１の両端間（一対の接続端子２ａ，２ｂ間）に発生する減衰振動電圧Ｖ１の周波数ｆは、コイル５１のインダクタンスＬ（Ｌａ〜Ｌｃ）と、コンデンサ回路３の容量値Ｃ（Ｃａ〜Ｃｃ）とに基づき、ｆ＝１／２π√（ＬＣ）のように規定される。また、各選択スイッチ２２ａ，２２ｂ，２２ｃは、例えば、リレーで構成されて、処理部８によってオン・オフ状態が制御可能となっている。

スイッチ４は、一端が接続端子２ａに接続され、他端がインパルス電圧発生部５の一方の出力端子５ａに接続されている。また、スイッチ４は、例えば、リレーで構成されて、処理部８によってオン・オフ状態が制御可能となっている。

インパルス電圧発生部５は、予め規定された高電圧値のインパルス電圧信号Ｖｐを一対の出力端子５ａ，５ｂ間から出力可能に構成されている。また、インパルス電圧発生部５は、一例として、処理部８からの出力開始指示を入力したタイミングでインパルス電圧信号Ｖｐを出力する。

測定部６は、一対の接続端子２ａ，２ｂ間に発生する電圧（後述する減衰振動電圧）Ｖ１についての信号波形を測定すると共に、測定した信号波形を予め規定された増幅率で増幅することにより、振幅が後段のＡ／Ｄ変換部７の入力定格内となる検出信号Ｓ１として出力する。Ａ／Ｄ変換部７は、入力した検出信号Ｓ１を予め規定された一定のサンプリング周期でサンプリングすることにより、検出信号Ｓ１の信号波形の瞬時値を示す波形データＤ１（測定部６での増幅率やＡ／Ｄ変換部７の分解能（１ビット当たりの電圧値）が既知であることから、減衰振動電圧Ｖ１の瞬時値を示す波形データＤ１とも言える）に変換して出力する。

処理部８は、例えばＣＰＵで構成されて、記憶部９に記憶されている動作プログラムに基づいて動作して、コンデンサ回路３に対する制御処理（具体的には、コンデンサ回路３を構成する各選択スイッチ２２ａ，２２ｂ，２２ｃに対する制御処理）、スイッチ４に対する制御処理、インパルス電圧発生部５に対する制御処理、コイル特定処理、およびコイル試験処理を実行する。

記憶部９は、ＲＯＭおよびＲＡＭなどの種々の半導体メモリや、ハードディスクおよびフラッシュメモリなどを用いたドライブ装置で構成されている。この記憶部９には、処理部８を構成するＣＰＵのための動作プログラム、一対の接続端子２ａ，２ｂ間に接続されたコイル５１の種類を特定する（本例では、コイル５１ａ，５１ｂ，５１ｃのいずれかであるかを特定する）ための特定用データ、および一対の接続端子２ａ，２ｂ間に接続されたコイル５１が良品状態であるか不良状態であるか（本例では、コイル５１の絶縁耐力が許容範囲内であるか、許容範囲を外れているか）を判別するためのコイル５１の種類毎（本例ではコイル５１ａ，５１ｂ，５１ｃ毎）の判別用データが予め記憶されている。

このコイル試験装置１では、処理部８は、コイル特定処理において、後述するように、インパルス電圧信号Ｖｐをコイル５１に出力したときに測定される波形データＤ１から求められる減衰振動電圧Ｖ１についての周波数ｆを特定用データと比較することにより、コイル５１の種類を特定する。また、処理部８は、コンデンサ回路３の容量値を初期値（容量値Ｃａ〜Ｃｃのいずれか。本例では一例として容量値Ｃｂ）に設定した状態において、このコイル特定処理を実行する。

このため、接続されているコイル５１がコイル５１ａであることを特定するための第１特定用データとして、インダクタンスＬａｍｉｎおよび容量値Ｃｂから算出される周波数ｆａｂｍａｘ（＝１／２π√（Ｌａｍｉｎ×Ｃｂ）を上限値とし、インダクタンスＬａｍａｘおよび容量値Ｃｂから算出される周波数ｆａｂｍｉｎ（＝１／２π√（Ｌａｍａｘ×Ｃｂ）を下限値とする特定範囲（第１周波数範囲）が規定されている。また、接続されているコイル５１がコイル５１ｂであることを特定するための第２特定用データとして、インダクタンスＬｂｍｉｎおよび容量値Ｃｂから算出される周波数ｆｂｂｍａｘ（＝１／２π√（Ｌｂｍｉｎ×Ｃｂ）を上限値とし、インダクタンスＬｂｍａｘおよび容量値Ｃｂから算出される周波数ｆｂｂｍｉｎ（＝１／２π√（Ｌｂｍａｘ×Ｃｂ）を下限値とする特定範囲（第２周波数範囲）が規定されている。また、接続されているコイル５１がコイル５１ｃであることを特定するための第３特定用データとして、インダクタンスＬｃｍｉｎおよび容量値Ｃｂから算出される周波数ｆｃｂｍａｘ（＝１／２π√（Ｌｃｍｉｎ×Ｃｂ）を上限値とし、インダクタンスＬｃｍａｘおよび容量値Ｃｂから算出される周波数ｆｃｂｍｉｎ（＝１／２π√（Ｌｃｍａｘ×Ｃｂ）を下限値とする特定範囲（第３周波数範囲）が規定されている。また、このようにして規定された各特定範囲（各周波数範囲）の上限値および下限値は、上記したように、Ｌａｍｉｎ＜Ｌａｍａｘ＜Ｌｂｍｉｎ＜Ｌｂｍａｘ＜Ｌｃｍｉｎ＜Ｌｃｍａｘの関係が成り立つことを考慮すると、以下のような関係となっている。
ｆａｂｍａｘ＞ｆａｂｍｉｎ＞ｆｂｂｍａｘ＞ｆｂｂｍｉｎ＞ｆｃｂｍａｘ＞ｆｃｂｍｉｎ

また、このコイル試験装置１では、処理部８は、コイル特定処理においてコイル５１の種類を特定した後に、コンデンサ回路３の容量値を特定されたコイル５１に対応した容量値に規定した状態において、コイル試験処理を実行する。このコイル試験処理では、後述するように、インパルス電圧信号Ｖｐをコイル５１に出力したときに測定される波形データＤ１から求められる減衰振動電圧Ｖ１の信号波形そのものおよび信号波形に現れる特徴量（例えば、信号波形の振動周波数、極大値（正側のピーク値）、極小値（負側のピーク値）など）の少なくとも一方を、判別用データと比較することにより、コイル５１が良品状態であるか不良状態であるかを判別する。本例では一例として、処理部８は、コイル試験処理において、波形データＤ１から求められる減衰振動電圧Ｖ１の信号波形の振動周波数ｆと、判定用データとを比較することにより、コイル５１の良・不良を判別する。コイル５１では、絶縁耐力が良品状態から不良状態に移行すると、インパルス電圧信号Ｖｐの出力時に内部放電が生じることから、等価的にインダクタンスが低下したのと同等の状態になる。このため、絶縁耐力の不良時には減衰振動電圧Ｖ１についての信号波形の振動周波数が上昇して、良品時の振動周波数が含まれる周波数範囲（判別範囲）から外れる。したがって、波形データＤ１から求められる振動周波数ｆを用いて、コイル５１の良・不良を判別することが可能となっている。

一例を挙げて具体的に説明すると、コイル５１ａでは、インダクタンスＬは、コイル５１ａが良品状態のときには、上記したように、定格値を中心とする上限値Ｌａｎｍａｘから下限値Ｌａｎｍｉｎまでの範囲内でしかばらつかない。つまり、コイル５１ａが良品状態のときに上記の共振回路（容量値Ｃａのコンデンサ回路３との直列共振回路）に発生する減衰振動電圧Ｖ１の周波数ｆは、周波数ｆａｎｍａｘ（＝１／２π√（Ｌａｎｍｉｎ×Ｃａ）を上限値とし、周波数ｆａｎｍｉｎ（＝１／２π√（Ｌａｎｍａｘ×Ｃａ）を下限値とする判定範囲（第１判定周波数範囲）に含まれる。一方、コイル５１ａでは、不良状態のときには、インダクタンスＬは、上記したように、上限値Ｌａｍａｘまで増加したり、逆に、下限値Ｌａｍｉｎまで低下したりする。つまり、コイル５１ａが不良状態のときに上記の共振回路（直列共振回路）に発生する減衰振動電圧Ｖ１の周波数ｆは、周波数ｆａｎｍａｘを超え、上限値ｆａｍａｘ（＝１／２π√（Ｌａｍｉｎ×Ｃａ））以下の範囲内の値となったり、周波数ｆａｎｍｉｎを下回り、下限値ｆａｍｉｎ（＝１／２π√（Ｌａｍａｘ×Ｃａ））以上の範囲内の値となったりする。つまり、上記の判定範囲（第１判定周波数範囲）を外れる。したがって、本例では、この判定範囲（第１判定周波数範囲：周波数ｆａｎｍｉｎ以上周波数ｆａｎｍａｘ以下の周波数範囲）を示すデータが、コイル５１ａについての判定用データとして記憶部９に記憶されている。

また、コイル５１ｂでは、インダクタンスＬは、コイル５１ｂが良品状態のときには、上記したように、定格値を中心とする上限値Ｌｂｎｍａｘから下限値Ｌｂｎｍｉｎまでの範囲内でしかばらつかない。つまり、コイル５１ｂが良品状態のときに上記の共振回路（容量値Ｃｂのコンデンサ回路３との直列共振回路）に発生する減衰振動電圧Ｖ１の周波数ｆは、周波数ｆｂｎｍａｘ（＝１／２π√（Ｌｂｎｍｉｎ×Ｃｂ）を上限値とし、周波数ｆｂｎｍｉｎ（＝１／２π√（Ｌｂｎｍａｘ×Ｃｂ）を下限値とする判定範囲（第２判定周波数範囲）に含まれる。一方、コイル５１ｂでは、不良状態のときには、インダクタンスＬは、上記したように、上限値Ｌｂｍａｘまで増加したり、逆に、下限値Ｌｂｍｉｎまで低下したりする。つまり、コイル５１ｂが不良状態のときに上記の共振回路（直列共振回路）に発生する減衰振動電圧Ｖ１の周波数ｆは、周波数ｆｂｎｍａｘを超え、上限値ｆｂｍａｘ（＝１／２π√（Ｌｂｍｉｎ×Ｃｂ））以下の範囲内の値となったり、周波数ｆｂｎｍｉｎを下回り、下限値ｆｂｍｉｎ（＝１／２π√（Ｌｂｍａｘ×Ｃｂ））以上の範囲内の値となったりする。つまり、上記の判定範囲（第２判定周波数範囲）を外れる。したがって、本例では、この判定範囲（第２判定周波数範囲：周波数ｆｂｎｍｉｎ以上周波数ｆｂｎｍａｘ以下の周波数範囲）を示すデータが、コイル５１ｂについての判定用データとして記憶部９に記憶されている。

また、コイル５１ｃでは、インダクタンスＬは、コイル５１ｃが良品状態のときには、上記したように、定格値を中心とする上限値Ｌｃｎｍａｘから下限値Ｌｃｎｍｉｎまでの範囲内でしかばらつかない。つまり、コイル５１ｃが良品状態のときに上記の共振回路（容量値Ｃｃのコンデンサ回路３との直列共振回路）に発生する減衰振動電圧Ｖ１の周波数ｆは、周波数ｆｃｎｍａｘ（＝１／２π√（Ｌｃｎｍｉｎ×Ｃｃ）を上限値とし、周波数ｆｃｎｍｉｎ（＝１／２π√（Ｌｃｎｍａｘ×Ｃｃ）を下限値とする判定範囲（第３判定周波数範囲）に含まれる。一方、コイル５１ｃでは、不良状態のときには、インダクタンスＬは、上記したように、上限値Ｌｃｍａｘまで増加したり、逆に、下限値Ｌｃｍｉｎまで低下したりする。つまり、コイル５１ｃが不良状態のときに上記の共振回路（直列共振回路）に発生する減衰振動電圧Ｖ１の周波数ｆは、周波数ｆｃｎｍａｘを超え、上限値ｆｃｍａｘ（＝１／２π√（Ｌｃｍｉｎ×Ｃｃ））以下の範囲内の値となったり、周波数ｆｃｎｍｉｎを下回り、下限値ｆｃｍｉｎ（＝１／２π√（Ｌｃｍａｘ×Ｃｃ））以上の範囲内の値となったりする。つまり、上記の判定範囲（第３判定周波数範囲）を外れる。したがって、本例では、この判定範囲（第３判定周波数範囲：周波数ｆｃｎｍｉｎ以上周波数ｆｃｎｍａｘ以下の周波数範囲）を示すデータが、コイル５１ｃについての判定用データとして記憶部９に記憶されている。

なお、上記したように、各容量値Ｃａ，Ｃｂ，Ｃｃは、対応するインダクタンスＬａ，Ｌｂ，Ｌｃとの乗算値であるＣａ×Ｌａ，Ｃｂ×ＬｂおよびＣｃ×Ｌｃがほぼ同じ値となるように予め規定されていることから、コイル５１ａについての上記のｆａｍａｘ＞ｆａｍｉｎで規定される周波数範囲、コイル５１ｂについての上記のｆｂｍａｘ＞ｆｂｍｉｎで規定される周波数範囲、およびコイル５１ｃについての上記のｆｃｍａｘ＞ｆｃｍｉｎで規定される周波数範囲は、ほぼ同じ周波数範囲となっている。この周波数範囲内の周波数については、Ａ／Ｄ変換部７でのサンプリング周波数に対して十分に低い周波数（つまり、このサンプリング周波数のサンプリングクロックで減衰振動電圧Ｖ１（具体的には、減衰振動電圧Ｖ１を示す検出信号Ｓ１）をサンプリングして得られる波形データＤ１が減衰振動波形を正確に表す波形データとなり得る程度の低い周波数）となると共に、試験に必要な波形データＤ１を取得するまでに要する時間（結果として、試験を完了させるまでに要する時間）が長くなり過ぎない周波数となるように予め規定されている。

出力部１０は、一例として、ＬＣＤなどのディスプレイ装置で構成されて、処理部８から出力されたコイル５１についての試験結果を画面に表示する。なお、出力部１０は、ディスプレイ装置に代えて、種々のインターフェース回路で構成してもよく、例えば、メディアインターフェース回路としてリムーバブルメディアに試験結果を記憶させたり、ネットワークインターフェース回路としてネットワーク経由で外部装置に試験結果を伝送させたりする構成を採用することもできる。操作部１１は、例えば、押下されたときに試験開始指示を示す信号を処理部８に出力可能なスタートボタンを備えている。

次に、コイル試験装置１の動作について説明する。なお、発明の理解を容易にするため、上記した各値を以下のような具体的な値に規定して説明する。

つまり、試験対象とするコイル５１ａ，５１ｂ，５１ｃについては、一例として、コイル５１ａのインダクタンスＬａの定格値が７００μＨ、コイル５１ｂのインダクタンスＬｂの定格値が１０ｍＨ、コイル５１ｃのインダクタンスＬｃの定格値が５００ｍＨであるものとする。また、発生させる減衰振動電圧Ｖ１の周波数ｆは、例えばＡ／Ｄ変換部７のサンプリング周波数を１００ｋＨｚとして、この条件下で正確な波形データＤ１を取得し得るに十分に低い周波数であり、またコイル試験処理において試験に必要な量の波形データＤ１を取得するまでに要する時間が長くなり過ぎない周波数である１０ｋＨｚとする。また、この周波数ｆを考慮して、インダクタンスＬａが７００μＨのコイル５１ａに対応するコンデンサ回路３の容量値Ｃａは３６２ｎＦ（＝１／（２π×１０×１０^３）^２／７００×１０^−６）とし、インダクタンスＬｂが１０ｍＨのコイル５１ｂに対応するコンデンサ回路３の容量値Ｃｂは２５．４ｎＦ（＝１／（２π×１０×１０^３）^２／１０×１０^−３）とし、インダクタンスＬｃが５００ｍＨのコイル５１ｃに対応するコンデンサ回路３の容量値Ｃｃは５０７ｐＦ（＝１／（２π×１０×１０^３）^２／５００×１０^−３）とする。

また、コイル５１ａのインダクタンスＬａについての上記した各Ｌａｍｉｎ，Ｌａｎｍｉｎ，Ｌａｎｍａｘ，Ｌａｍａｘについては、一例としてそれぞれ５００μＨ，６６５μＨ，７３５μＨ，８００μＨとする。また、コイル５１ｂのインダクタンスＬｂについての上記した各Ｌｂｍｉｎ，Ｌｂｎｍｉｎ，Ｌｂｎｍａｘ，Ｌｂｍａｘについては、一例としてそれぞれ６ｍＨ，９．５ｍＨ，１０．５ｍＨ，１１ｍＨとする。また、コイル５１ｃのインダクタンスＬｃについての上記した各Ｌｃｍｉｎ，Ｌｃｎｍｉｎ，Ｌｃｎｍａｘ，Ｌｃｍａｘについては、一例としてそれぞれ４００ｍＨ，４８０ｍＨ，５２０ｍＨ，５５０ｍＨとする。

これにより、コンデンサ回路３の初期値を容量値Ｃｂとしたときの第１特定用データとして、インダクタンスＬａｍｉｎおよび容量値Ｃｂから算出される周波数ｆａｂｍａｘ（＝１／２π√（Ｌａｍｉｎ×Ｃｂ）＝４４．７ｋＨｚ）を上限値とし、インダクタンスＬａｍａｘおよび容量値Ｃｂから算出される周波数ｆａｂｍｉｎ（＝１／２π√（Ｌａｍａｘ×Ｃｂ）＝３５．３ｋＨｚ）を下限値とする特定範囲（第１周波数範囲）が規定されている。また、第２特定用データとして、インダクタンスＬｂｍｉｎおよび容量値Ｃｂから算出される周波数ｆｂｂｍａｘ（＝１／２π√（Ｌｂｍｉｎ×Ｃｂ）＝１２．９ｋＨｚ）を上限値とし、インダクタンスＬｂｍａｘおよび容量値Ｃｂから算出される周波数ｆｂｂｍｉｎ（＝１／２π√（Ｌｂｍａｘ×Ｃｂ）＝９．５ｋＨｚ）を下限値とする特定範囲（第２周波数範囲）が規定されている。また、第３特定用データとして、インダクタンスＬｃｍｉｎおよび容量値Ｃｂから算出される周波数ｆｃｂｍａｘ（＝１／２π√（Ｌｃｍｉｎ×Ｃｂ）＝１．６ｋＨｚ）を上限値とし、インダクタンスＬｃｍａｘおよび容量値Ｃｂから算出される周波数ｆｃｂｍｉｎ（＝１／２π√（Ｌｃｍａｘ×Ｃｂ）＝１．３ｋＨｚ）を下限値とする特定範囲（第３周波数範囲）が規定されている。

また、コイル５１ａについての判定用データとして、インダクタンスＬａｎｍｉｎおよび容量値Ｃａから算出される周波数ｆａｎｍａｘ（＝１／２π√（Ｌａｎｍｉｎ×Ｃａ）＝１０．３ｋＨｚ）を上限値とし、インダクタンスＬａｎｍａｘおよび容量値Ｃａから算出される周波数ｆａｎｍｉｎ（＝１／２π√（Ｌａｎｍａｘ×Ｃａ）＝９．８ｋＨｚ）を下限値とする判定範囲（第１判定周波数範囲）が規定されている。また、コイル５１ｂについての判定用データとして、インダクタンスＬｂｎｍｉｎおよび容量値Ｃｂから算出される周波数ｆｂｎｍａｘ（＝１／２π√（Ｌｂｎｍｉｎ×Ｃｂ）＝１０．３ｋＨｚ）を上限値とし、インダクタンスＬｂｎｍａｘおよび容量値Ｃｂから算出される周波数ｆｂｎｍｉｎ（＝１／２π√（Ｌｂｎｍａｘ×Ｃｂ）＝９．８ｋＨｚ）を下限値とする判定範囲（第２判定周波数範囲）が規定されている。また、コイル５１ｃについての判定用データとして、インダクタンスＬｃｎｍｉｎおよび容量値Ｃｃから算出される周波数ｆｃｎｍａｘ（＝１／２π√（Ｌｃｎｍｉｎ×Ｃｃ）＝１０．２ｋＨｚ）を上限値とし、インダクタンスＬｃｎｍａｘおよび容量値Ｃｃから算出される周波数ｆｃｎｍｉｎ（＝１／２π√（Ｌｃｎｍａｘ×Ｃｃ）＝９．８ｋＨｚ）を下限値とする判定範囲（第３判定周波数範囲）が規定されている。

最初に、試験対象のコイル５１が一対の接続端子２ａ，２ｂ間に接続された状態において、操作部１１に対する操作が行われて（スタートボタンが操作されて）、試験開始指示を示す信号が処理部８に出力されると、処理部８は、この信号の入力を検出して、コイル特定処理を実行する。

このコイル特定処理では、処理部８は、まず、コンデンサ回路３に対する制御（具体的には、各選択スイッチ２２ａ〜２２ｃのうちの第２選択スイッチ２２ｂのみをオン状態にする制御）を実行することにより、その容量値を初期値（容量値Ｃｂ）に設定する。また、処理部８は、スイッチ４に対する制御を実行して、オン状態に移行させる。

次いで、コイル特定処理において、処理部８は、インパルス電圧発生部５に対して出力開始指示を出力してインパルス電圧信号Ｖｐを出力させると共に、インパルス電圧信号Ｖｐの出力が完了した直後にスイッチ４に対する制御を実行してオフ状態に移行させる。これにより、コイル５１の両端間（接続端子２ａ，２ｂ間）には、インパルス電圧信号Ｖｐの印加に起因して、コイル５１とコンデンサ回路３とで形成される直列共振回路に基づく減衰振動電圧Ｖ１が発生する。

この場合、試験対象として接続されているコイル５１がコイル５１ａのときには、減衰振動電圧Ｖ１は、周波数ｆａｂｍａｘ（＝４４．７ｋＨｚ）を上限値とし、周波数ｆａｂｍｉｎ（＝３５．３ｋＨｚ）を下限値とする特定範囲（第１周波数範囲）内の周波数ｆの信号として発生する。また、試験対象として接続されているコイル５１がコイル５１ｂのときには、減衰振動電圧Ｖ１は、周波数ｆｂｂｍａｘ（＝１２．９ｋＨｚ）を上限値とし、周波数ｆｂｂｍｉｎ（＝９．５ｋＨｚ）を下限値とする特定範囲（第２周波数範囲）内の周波数ｆの信号として発生する。また、試験対象として接続されているコイル５１がコイル５１ｃのときには、減衰振動電圧Ｖ１は、周波数ｆｃｂｍａｘ（＝１．６ｋＨｚ）を上限値とし、周波数ｆｃｂｍｉｎ（＝１．３ｋＨｚ）を下限値とする特定範囲（第３周波数範囲）内の信号として発生する。

測定部６は、この減衰振動電圧Ｖ１についての信号波形を測定すると共に、検出信号Ｓ１を生成してＡ／Ｄ変換部７に出力する。Ａ／Ｄ変換部７は、この検出信号Ｓ１をサンプリングして波形データＤ１に変換し、処理部８に出力する。処理部８は、この波形データＤ１を取得して、記憶部９に記憶させる。

このコイル特定処理では、減衰振動電圧Ｖ１の周波数ｆについては高い精度で検出する必要はない一方で、コイル５１の種類の特定が完了するまでに要する時間をできる限り短くする必要がある。このため、処理部８は、波形データＤ１については、ゼロクロス点や極値を示す点を検出しつつ、減衰振動電圧Ｖ１の半周期分（例えば、ゼロクロスから次のゼロクロス間までの波形データＤ１）、または１／４周期分（例えば、ゼロクロスとこのゼロクロスに隣接する極大点または極小点間の波形データＤ１）だけ取得して記憶部９に記憶させる。

続いて、処理部８は、記憶部９に記憶されている波形データＤ１に基づいて半周期に相当する時間や１／４周期分に相当する時間を算出し、さらにこの算出した時間に基づき、減衰振動電圧Ｖ１の周波数ｆを算出する。

次いで、処理部８は、算出した周波数ｆを記憶部９に記憶されている各特定用データと比較して、算出した周波数ｆが、周波数ｆｂｂｍａｘを上限値とし、周波数ｆｂｂｍｉｎを下限値とする特定範囲（第２周波数範囲）に含まれているときには、接続されているコイル５１はコイル５１ｂであると特定する。また、処理部８は、現在のコンデンサ回路３の容量値が、コイル５１ｂのインダクタンスＬｂに対応する容量値Ｃｂであることから、コンデンサ回路３の容量値を変更することなく、コイル特定処理を完了させる。

一方、処理部８は、算出した周波数ｆを記憶部９に記憶されている各特定用データと比較して、算出した周波数ｆが、周波数ｆａｂｍａｘを上限値とし、かつ周波数ｆａｂｍｉｎを下限値とする上記の特定範囲（第１周波数範囲）に含まれているときには、接続されているコイル５１はコイル５１ａであると特定する。また、処理部８は、現在のコンデンサ回路３の容量値が、コイル５１ａのインダクタンスＬａに対応しない容量値Ｃｂであることから、コンデンサ回路３の容量値をインダクタンスＬａに対応する容量値Ｃａに変更する制御（第１選択スイッチ２２ａのみをオン状態とする制御）をコンデンサ回路３に対して実行して、コイル特定処理を完了させる。同様にして、処理部８は、算出した周波数ｆを各特定用データと比較して、算出した周波数ｆが、周波数ｆｃｂｍａｘを上限値とし、かつ周波数ｆｃｂｍｉｎを下限値とする上記の特定範囲（第３周波数範囲）に含まれているときには、接続されているコイル５１はコイル５１ｃであると特定する。また、処理部８は、現在のコンデンサ回路３の容量値が、コイル５１ｃのインダクタンスＬｃに対応しない容量値Ｃｂであることから、コンデンサ回路３の容量値をインダクタンスＬｃに対応する容量値Ｃｃに変更する制御（第３選択スイッチ２２ｃのみをオン状態とする制御）をコンデンサ回路３に対して実行して、コイル特定処理を完了させる。

続いて、処理部８は、コイル試験処理を実行する。

このコイル試験処理では、処理部８は、まず、スイッチ４に対する制御を実行して、オン状態に移行させる。次いで、処理部８は、インパルス電圧発生部５に対して出力開始指示を出力してインパルス電圧信号Ｖｐを出力させると共に、インパルス電圧信号Ｖｐの出力が完了した直後にスイッチ４に対する制御を実行してオフ状態に移行させる。これにより、コイル５１の両端間（接続端子２ａ，２ｂ間）には、インパルス電圧信号Ｖｐの印加に起因して、コイル５１とコンデンサ回路３とで形成される直列共振回路に基づく減衰振動電圧Ｖ１が発生する。

この場合、上記したように、コンデンサ回路３の容量値Ｃは、接続されているコイル５１のインダクタンスＬに対応したものとなっている（インダクタンスＬａのコイル５１ａのときには容量値Ｃａ、インダクタンスＬｂのコイル５１ｂのときには容量値Ｃｂ、インダクタンスＬｃのコイル５１ｃのときには容量値Ｃｃとなっている）ことから、減衰振動電圧Ｖ１は、Ａ／Ｄ変換部７でのサンプリング周波数に対して十分に低い周波数（つまり、このサンプリング周波数のサンプリングクロックで減衰振動電圧Ｖ１を示す検出信号Ｓ１をサンプリングして得られる波形データＤ１が減衰振動波形を正確に表す波形データとなり得る程度の低い周波数）であって、かつ試験に必要な波形データＤ１を取得するまでに要する時間が長くなり過ぎない周波数（本例では上記したように、１０ｋＨｚ近傍の周波数）で振動する。

具体的には、試験対象がコイル５１ａのときには、インダクタンスＬａｍｉｎおよび容量値Ｃａから算出される周波数ｆａａｍａｘ（＝１／２π√（Ｌａｍｉｎ×Ｃａ＝１１．８ｋＨｚ）を上限値とし、インダクタンスＬａｍａｘおよび容量値Ｃａから算出される周波数ｆａａｍｉｎ（＝１／２π√（Ｌａｍａｘ×Ｃａ＝９．４ｋＨｚ）を下限値とする周波数範囲内の周波数ｆで、減衰振動電圧Ｖ１が発生する。また、試験対象がコイル５１ｂのときには、インダクタンスＬｂｍｉｎおよび容量値Ｃｂから算出される上記の周波数ｆｂｂｍａｘ（＝１２．９ｋＨｚ）を上限値とし、インダクタンスＬｂｍａｘおよび容量値Ｃｂから算出される周波数ｆｂｂｍｉｎ（＝９．５ｋＨｚ）を下限値とする周波数範囲（上記した第２周波数範囲と同じ範囲）内の周波数ｆで、減衰振動電圧Ｖ１が発生する。また、試験対象がコイル５１ｃのときには、インダクタンスＬｃｍｉｎおよび容量値Ｃｃから算出される周波数ｆｃｃｍａｘ（＝１／２π√（Ｌｃｍｉｎ×Ｃｃ＝１１．２ｋＨｚ）を上限値とし、インダクタンスＬｃｍａｘおよび容量値Ｃｃから算出される周波数ｆｃｃｍｉｎ（＝１／２π√（Ｌｃｍａｘ×Ｃｃ＝９．５ｋＨｚ）を下限値とする周波数範囲内の周波数ｆで、減衰振動電圧Ｖ１が発生する。つまり、試験対象がコイル５１ａ〜コイル５１ｃのいずれの場合においても、減衰振動電圧Ｖ１は、１０ｋＨｚ近傍の周波数（同等の周波数）で振動する。

測定部６は、この減衰振動電圧Ｖ１についての信号波形を測定すると共に、検出信号Ｓ１を生成してＡ／Ｄ変換部７に出力する。Ａ／Ｄ変換部７は、この検出信号Ｓ１をサンプリングして波形データＤ１に変換し、処理部８に出力する。処理部８は、コイル試験のために必要なデータ量の波形データＤ１を取得して、記憶部９に記憶させる。このコイル試験では、コイル５１の良否を判別するための特徴量として減衰振動電圧Ｖ１についての信号波形の周波数（振動周波数）ｆを正確に検出する必要がある。このため、処理部８は、例えば、減衰振動電圧Ｖ１の少なくとも１周期分以上（例えば、２周期分）の波形データＤ１を取得して記憶部９に記憶させる。

続いて、処理部８は、記憶部９に記憶されている波形データＤ１に基づいて減衰振動電圧Ｖ１の周波数ｆを算出する。次いで、処理部８は、コイル特定処理で特定したコイル５１（試験対象としてコイル試験装置１に接続されているコイル５１）についての判別用データ（判定範囲を示す周波数データ）と、算出した周波数ｆとを比較することにより、このコイル５１が良品状態であるか、不良状態であるかを判別する。

具体例を挙げて説明すると、処理部８は、コイル５１ａを試験対象のコイル５１として特定したときには、記憶部９に記憶されているコイル５１ａについての判定用データである周波数ｆａｎｍａｘ（＝１０．３ｋＨｚ）を上限値とし、かつ周波数ｆａｎｍｉｎ（＝９．８ｋＨｚ）を下限値とする判定範囲（第１判定周波数範囲）と、算出した周波数ｆとを比較して、算出した周波数ｆがこの判定範囲に含まれているときには試験対象のコイル５１ａは良品状態であると判別し、この判定範囲に含まれていないときには試験対象のコイル５１ａは不良状態であると判別する。

また、処理部８は、コイル５１ｂを試験対象のコイル５１として特定したときには、記憶部９に記憶されているコイル５１ｂについての判定用データである周波数ｆｂｎｍａｘ（＝１０．３ｋＨｚ）を上限値とし、周波数ｆｂｎｍｉｎ（＝９．８ｋＨｚ）を下限値とする判定範囲（第２判定周波数範囲）と、算出した周波数ｆとを比較して、算出した周波数ｆがこの判定範囲に含まれているときには試験対象のコイル５１ｂは良品状態であると判別し、この判定範囲に含まれていないときには試験対象のコイル５１ｂは不良状態であると判別する。

また、処理部８は、コイル５１ｃを試験対象のコイル５１として特定したときには、記憶部９に記憶されているコイル５１ｃについての判定用データである周波数ｆｃｎｍａｘ（＝１０．２ｋＨｚ）を上限値とし、周波数ｆｃｎｍｉｎ（＝９．８ｋＨｚ）を下限値とする判定範囲（第３判定周波数範囲）と、算出した周波数ｆとを比較して、算出した周波数ｆがこの判定範囲に含まれているときには試験対象のコイル５１ｃは良品状態であると判別し、この判定範囲に含まれていないときには試験対象のコイル５１ｃは不良状態であると判別する。

最後に、処理部８は、上記したようにして判別した結果を記憶部９に記憶させると共に、出力部１０に出力して画面に表示させる。これにより、コイル試験処理が完了する。

このように、このコイル試験装置１では、試験対象のコイル５１に並列接続されるコンデンサ回路３は、容量値Ｃを変更可能な容量可変型に構成されている。

したがって、このコイル試験装置１によれば、インダクタンスＬの異なる複数種類のコイル５１（上記の例では、３種類のコイル５１ａ，５１ｂ，５１ｃ）を試験対象としつつ、接続されるコイル５１の種類（つまり、インダクタンスＬ）に対応させてコンデンサ回路３の容量値Ｃを変更することで、コンデンサ回路３と共に共振回路（直列共振回路）を構成するコイル５１の両端間（一対の接続端子２ａ，２ｂ間）に発生する減衰振動電圧Ｖ１の信号波形についての周波数ｆを、Ａ／Ｄ変換部７でのサンプリング周波数（本例では一例として１００ｋＨｚ）で十分に正確にサンプリングし得る周波数であって、試験に要する時間の長時間化を回避し得る周波数（本例では一例として１０ｋＨｚ）に設定することができるため、試験対象のコイル５１についての良否を正確に、かつ短時間に試験することができる。

また、このコイル試験装置１では、処理部８が、Ａ／Ｄ変換部７から取得した波形データＤ１に基づいて（具体的には、波形データＤ１に基づいて算出される減衰振動電圧Ｖ１の信号波形についての周波数（振動周波数）ｆに基づいて）試験対象のコイル５１の種類を特定すると共に、特定したコイル５１の種類（具体的にはコイル５１のインダクタンスＬ）に対応させてコンデンサ回路３の容量値Ｃを変更するコイル特定処理を実行し、コイル５１および容量値Ｃの変更後のコンデンサ回路３にインパルス電圧信号Ｖｐを供給した際に発生する減衰振動電圧Ｖ１の信号波形についての波形データＤ１に基づいて（具体的には、波形データＤ１に基づいて算出される減衰振動電圧Ｖ１の信号波形についての周波数ｆに基づいて）コイル試験処理を実行する。

したがって、このコイル試験装置１によれば、試験対象として接続したコイル５１に対してこのコイル５１のインダクタンスＬに対応する容量値Ｃにコンデンサ回路３の容量値を自動的に変更してコイル試験を実行することができる。つまり、コイル５１の試験に要する手間を省いて、短時間で試験を実行することができる。

また、このコイル試験装置１では、コンデンサ回路３は、対応する種類のコイル５１との接続状態において発生する減衰振動電圧Ｖ１の信号波形についての周波数ｆが同等の周波数（本例では１０ｋＨｚ近傍の周波数）となるように容量値Ｃを変更可能に構成されている。したがって、このコイル試験装置１によれば、インダクタンスＬの異なる複数種類のコイル５１（上記の例では３種類のコイル５１ａ〜５１ｃ）のいずれを試験対象とした場合においても、検出信号Ｓ１（減衰振動電圧Ｖ１の信号波形を示す信号）を、Ａ／Ｄ変換部７において一定のサンプリング周波数（本例では一例として１００ｋＨｚ）で十分に正確にサンプリングして波形データＤ１に変換することができるため、各コイル５１に対して正確な試験を実行することができる。

なお、上記のコイル試験装置１では、処理部８が、試験対象として接続されたコイル５１の種類を自動的に特定する構成を採用しているため、
Ｌａｍｉｎ＜Ｌａｎｍｉｎ＜Ｌａｎｍａｘ＜Ｌａｍａｘ
＜Ｌｂｍｉｎ＜Ｌｂｎｍｉｎ＜Ｌｂｎｍａｘ＜Ｌｂｍａｘ
＜Ｌｃｍｉｎ＜Ｌｃｎｍｉｎ＜Ｌｃｎｍａｘ＜Ｌｃｍａｘ
との関係が成り立つコイル５１ａ，５１ｂ，５１ｃを試験対象とするとの制限が加わっているが、操作部１１を操作して、試験対象として接続されたコイル５１の種類を処理部８に手動で入力する構成を採用したときには、この制限を外すことができる。つまり、互いのインダクタンスＬの範囲が部分的に重なるコイル５１についても試験対象とすることができる。

また、上記のコイル試験装置１では、コンデンサ回路３を構成する３つの選択スイッチ２２ａ〜２２ｃを、そのうちのいずれか１つのみをオン状態とし、残りをオフ状態とするように制御することで、コンデンサ回路３の容量値Ｃを３種類（容量値Ｃａ，Ｃｂ，Ｃｃ）に変更する構成を採用していたが、例えば、各選択スイッチ２２ａ，２２ｂ，２２ｃのオン・オフ状態の組み合わせにより、コンデンサ回路３の容量値Ｃを、より多くの種類に変更する構成を採用することもでき、これにより、インダクタンスＬの異なるより多くのコイル５１を試験対象とすることができる。また、コンデンサ回路３は、各選択スイッチ２２ａ，２２ｂ，２２ｃのオン・オフ状態の組み合わせによって段階的に容量値Ｃを変更する構成に限定されず、例えば、選択スイッチ２２を使用せずに、バリコンやバリキャップなどの容量可変型コンデンサで構成することもできる。

１ コイル試験装置
３ コンデンサ回路
５ インパルス電圧発生部
６ 測定部
７ Ａ／Ｄ変換部
８ 処理部
５１ コイル
Ｃ 容量値
Ｄ１ 波形データ
ｆ 振動周波数
Ｌ インダクタンス
Ｖ１ 減衰振動電圧
Ｖｐ インパルス電圧信号

Claims (2)

1. 試験対象のコイルに並列接続されるコンデンサ回路と、インパルス電圧信号を発生させて前記コイルおよび前記コンデンサ回路に供給するインパルス電圧発生部と、前記インパルス電圧信号の供給によって前記コイルの両端間に発生する減衰振動電圧の信号波形を測定する測定部と、前記信号波形をサンプリングして当該信号波形の瞬時値を示す波形データに変換するＡ／Ｄ変換部と、前記波形データに基づいて前記コイルを試験するコイル試験処理を実行する処理部とを備え、
   前記コンデンサ回路は、容量可変型に構成され、
   前記処理部は、インダクタンスが異なる複数種類のコイルのうちの前記試験対象として前記コンデンサ回路に接続されている前記コイルの種類を前記波形データに基づいて特定すると共に、当該特定したコイルの種類に対応させて前記コンデンサ回路の容量値を変更するコイル特定処理を実行し、当該コイルおよび容量値の変更後の当該コンデンサ回路に前記インパルス電圧信号を供給した際に発生する前記減衰振動電圧の前記信号波形についての前記波形データに基づいて前記コイル試験処理を実行するコイル試験装置。
2. 前記コンデンサ回路は、対応する種類の前記コイルとの接続状態において発生する前記減衰振動電圧の前記信号波形についての振動周波数のそれぞれが共通の周波数となるように前記容量値を変更可能に構成されている請求項１記載のコイル試験装置。

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