JP2017199702A - 半導体素子内蔵基板およびその製造方法 - Google Patents
半導体素子内蔵基板およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017199702A JP2017199702A JP2016086662A JP2016086662A JP2017199702A JP 2017199702 A JP2017199702 A JP 2017199702A JP 2016086662 A JP2016086662 A JP 2016086662A JP 2016086662 A JP2016086662 A JP 2016086662A JP 2017199702 A JP2017199702 A JP 2017199702A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating layer
- semiconductor element
- electrode terminal
- sealing body
- resin sealing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 113
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 37
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 17
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 54
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 54
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 47
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 47
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 25
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[[4-(2,5-dioxopyrrol-1-yl)phenyl]methyl]phenyl]pyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1C(C=C1)=CC=C1CC1=CC=C(N2C(C=CC2=O)=O)C=C1 XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 229920003192 poly(bis maleimide) Polymers 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000003796 beauty Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/568—Temporary substrate used as encapsulation process aid
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/04105—Bonding areas formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bonding areas on chip-scale packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/19—Manufacturing methods of high density interconnect preforms
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
【課題】半導体素子が安定的に作動できる半導体素子内蔵基板を提供することを課題とする。
【解決手段】平坦な主面10Fを有する樹脂封止体10と、電極端子Tが複数形成された電極端子形成面Fを有しており、主面10Fに電極端子形成面Fが露出するように樹脂封止体10に埋設された半導体素子Sと、電極端子形成面Fおよび主面10Fに積層された絶縁層11と、絶縁層11に複数形成されたビアホール13と、絶縁層11表面および内部、ならびにビアホール13内に形成された配線導体12とを備える半導体素子内蔵基板Aであって、電極端子形成面Fは、主面10Fより凹んで位置するとともに、絶縁層11は、電極端子形成面F上に主面10Fと面一となる厚みで形成された第1の絶縁層11aと、第1の絶縁層11a表面および主面10Fを被覆するように形成された第2の絶縁層11bとを具備している。
【選択図】図1
【解決手段】平坦な主面10Fを有する樹脂封止体10と、電極端子Tが複数形成された電極端子形成面Fを有しており、主面10Fに電極端子形成面Fが露出するように樹脂封止体10に埋設された半導体素子Sと、電極端子形成面Fおよび主面10Fに積層された絶縁層11と、絶縁層11に複数形成されたビアホール13と、絶縁層11表面および内部、ならびにビアホール13内に形成された配線導体12とを備える半導体素子内蔵基板Aであって、電極端子形成面Fは、主面10Fより凹んで位置するとともに、絶縁層11は、電極端子形成面F上に主面10Fと面一となる厚みで形成された第1の絶縁層11aと、第1の絶縁層11a表面および主面10Fを被覆するように形成された第2の絶縁層11bとを具備している。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体素子を内蔵する半導体素子内蔵基板およびその製造方法に関するものである。
図4に、従来の半導体素子内蔵基板Bの概略断面図を示す。
従来の半導体素子内蔵基板Bは、例えば半導体素子Sと、樹脂封止体20と、絶縁層21と、配線導体22と、を有している。
従来の半導体素子内蔵基板Bは、例えば半導体素子Sと、樹脂封止体20と、絶縁層21と、配線導体22と、を有している。
絶縁層21は、上層の絶縁層21aおよび下層の絶縁層21bで構成されており、各絶縁層21a、21bには複数のビアホール23が形成されている。各絶縁層21a、21bの表面およびビアホール23の内部には、配線導体22が形成されている。ビアホール23の内部に形成された配線導体22は、ビア導体24として機能し各絶縁層21a、21bに形成された配線導体22間の導通をとっている。上層のビア導体24は、上層の絶縁層21a上に配置された半導体素子Sの電極端子Tと接続されている。
また、下層の絶縁層21bに形成された配線導体22の一部は、回路基板接続パッド25を形成している。回路基板接続パッド25には、この半導体素子内蔵基板Bが搭載される回路基板(不図示)の電極が半田を介して接続される。
そして、半導体素子Sと回路基板との間で配線導体22を介して電気信号の伝送をすることで半導体素子Sが作動する。
半導体素子Sの上面および側面は、樹脂封止体20に埋設されて外部環境から保護されている。
また、下層の絶縁層21bに形成された配線導体22の一部は、回路基板接続パッド25を形成している。回路基板接続パッド25には、この半導体素子内蔵基板Bが搭載される回路基板(不図示)の電極が半田を介して接続される。
そして、半導体素子Sと回路基板との間で配線導体22を介して電気信号の伝送をすることで半導体素子Sが作動する。
半導体素子Sの上面および側面は、樹脂封止体20に埋設されて外部環境から保護されている。
次に、従来の半導体素子内蔵基板Bの製造方法における工程毎の実施形態を図5〜図6を基にして説明する。なお、図4と同一の部材には同一の符号を付して説明する。
まず、図5(a)に示すように、半導体ウェハWを準備する。半導体ウェハWは、複数の電極端子Tが形成された電極端子形成面Fを有する複数の半導体素子Sが縦横の並びに一体的に形成されている。
次に、図5(b)に示すように、半導体ウェハWを切断して個片の半導体素子Sに分割する。
次に、図5(c)に示すように、支持板P上に電極端子形成面Fを下側にして半導体素子Sを載置する。
支持板Pの上面は、半導体素子Sを仮固定しておくための低粘着層(不図示)が形成されている。
支持板Pの上面は、半導体素子Sを仮固定しておくための低粘着層(不図示)が形成されている。
次に、図5(d)に示すように、支持板P上の半導体素子Sを封止用の樹脂で覆うことにより樹脂封止体20を形成する。
次に、図5(e)に示すように、半導体素子Sおよび樹脂封止体20を支持板Pから分離させる。これにより、電極端子形成面Fが樹脂封止体20の支持板Pからの分離した主面20Fに露出する。
次に、図5(f)に示すように、電極端子形成面Fおよび主面20F上に上層の絶縁層21aを積層する。
次に、図6(g)に示すように、上層の絶縁層21aに電極端子Tを底面とするビアホール23を形成する。
次に、図6(h)に示すように、上層の絶縁層21a表面に配線導体22を形成すると同時に、ビアホール23内にビア導体24を形成する。
ビア導体24は、電極端子Tに接続される。
ビア導体24は、電極端子Tに接続される。
次に、図6(i)に示すように、上層の絶縁層21a上および配線導体22上に下層の絶縁層21bを積層する。
次に、図6(j)に示すように、下層の絶縁層21bに配線導体22の一部を底面とするビアホール23を形成する。
最後に、図6(k)に示すように、下層の絶縁層21bの表面に配線導体22を形成するとともにビアホール23内にビア導体24を形成する。最表層の配線導体22の一部は回路基板接続パッド25として機能する。
これにより、図4に示すような従来の半導体素子内蔵基板Bが形成される。
これにより、図4に示すような従来の半導体素子内蔵基板Bが形成される。
しかしながら、上述の半導体素子内蔵基板Bにおいては、樹脂封止体20を形成するときに、封止用の樹脂が支持板Pと半導体素子Sとの間に入り込んでしまい電極端子形成面Fに封止用の樹脂が局所的に被着してしまうことがある。電極端子形成面Fと封止用の樹脂との密着強度は非常に弱いことから、この上に積層された上層の絶縁層21aと電極端子形成面Fとの密着強度は非常に弱いものになる。
その結果、電極端子形成面Fと上層の絶縁層21aとの間に剥離が生じてしまい、電極端子Tと上層の絶縁層21aに形成されたビア導体24との接続部に亀裂が発生する場合があり半導体素子Sが安定的に作動できないという問題がある。
その結果、電極端子形成面Fと上層の絶縁層21aとの間に剥離が生じてしまい、電極端子Tと上層の絶縁層21aに形成されたビア導体24との接続部に亀裂が発生する場合があり半導体素子Sが安定的に作動できないという問題がある。
本発明は、半導体素子の電極端子形成面と絶縁層との密着強度を向上させることにより、絶縁層が電極端子形成面から剥がれてしまうことを抑制する。これにより、電極端子とビア導体との接続部に亀裂が発生することを防止して半導体素子が安定的に作動できる半導体素子内蔵基板を提供することを課題とする。
本発明における半導体素子内蔵基板は、平坦な主面を有する樹脂封止体と、電極端子が複数形成された電極端子形成面を有しており、樹脂封止体の平坦な主面に電極端子形成面が露出するように樹脂封止体に埋設された半導体素子と、電極端子形成面および樹脂封止体の平坦な主面を被覆するように積層された絶縁層と、絶縁層に複数形成されており電極端子を底面とするビアホールと、絶縁層表面およびビアホール内に形成された配線導体と、を備える半導体素子内蔵基板であって、電極端子形成面は、樹脂封止体の平坦な主面より凹んで位置するとともに、絶縁層は、電極端子形成面上に樹脂封止体の平坦な主面と面一となる厚みで形成された第1の絶縁層と、第1の絶縁層表面および樹脂封止体の平坦な主面を被覆するように形成された第2の絶縁層とを具備していることを特徴とするものである。
本発明における半導体素子内蔵基板の製造方法は、複数の電極端子が形成された電極端子形成面を有する複数の半導体素子が縦横の並びに一体的に形成された半導体ウェハを準備する工程と、半導体ウェハの電極端子形成面側全面に第1の絶縁層を被着する工程と、半導体ウェハを第1の絶縁層が被着した状態で切断して個片の半導体素子に分割する工程と、分割された半導体素子を第1の絶縁層を下にして平坦な支持板上に載置する工程と、支持板上に第1の絶縁層および半導体素子を埋設するとともに支持板に密着した平坦な主面を有する樹脂封止体を形成する工程と、樹脂封止体および第1の絶縁層を支持板から分離する工程と、分離により露出した第1の絶縁層表面および樹脂封止体の主面に第2の絶縁層を形成する工程と、第1および第2の絶縁層に電極端子を底面とする複数のビアホールを形成する工程と、第2の絶縁層表面およびビアホール内に配線導体を形成する工程とを行うことを特徴とするものである。
本発明の半導体素子内蔵基板によれば、半導体素子の電極端子形成面は、第1の絶縁層が密着して形成されている。そのため、封止用の樹脂が電極端子形成面に被着することを防止することができる。これにより、電極端子形成面と第1の絶縁層とが剥離することを防いで、電極端子と第1の絶縁層に形成されたビア導体との接続部に亀裂が生じることを防止できる。その結果、半導体素子が安定的に作動できる半導体素子内蔵基板を提供することができる。
本発明の半導体素子内蔵基板の製造方法によれば、半導体素子の電極端子形成面全面に第1の絶縁層が被着された状態で、半導体素子を支持板上に載置する。
そして、支持板に載置された第1の絶縁層および半導体素子を樹脂封止体に埋設する。
このように、半導体素子を樹脂封止体に埋設するときには、電極端子形成面全面に第1の絶縁層が被着されていることから、樹脂封止体の一部が電極端子形成面に被着することを防止することができる。
その結果、電極端子形成面と第1の絶縁層との密着強度が向上して両者が剥離することを防いで電極端子と第1の絶縁層に形成されたビア導体との接続部に亀裂が生じることを防止できる。その結果、半導体素子が安定的に作動できる半導体素子内蔵基板の製造方法を提供することができる。
そして、支持板に載置された第1の絶縁層および半導体素子を樹脂封止体に埋設する。
このように、半導体素子を樹脂封止体に埋設するときには、電極端子形成面全面に第1の絶縁層が被着されていることから、樹脂封止体の一部が電極端子形成面に被着することを防止することができる。
その結果、電極端子形成面と第1の絶縁層との密着強度が向上して両者が剥離することを防いで電極端子と第1の絶縁層に形成されたビア導体との接続部に亀裂が生じることを防止できる。その結果、半導体素子が安定的に作動できる半導体素子内蔵基板の製造方法を提供することができる。
まず、本発明に係る半導体素子内蔵基板の一例を、図1を基にして説明する。
図1に示すように、本発明に係る半導体素子内蔵基板Aは、例えば半導体素子Sと、樹脂封止体10と、絶縁層11と、配線導体12と、を有している。
半導体素子Sは、例えばマイクロプロセッサや半導体メモリ等があげられ、シリコンやゲルマニウムから成る。半導体素子Sは、複数の電極端子Tが形成された電極端子形成面Fを有している。
樹脂封止体10は、例えばエポキシ樹脂やポリウレタン樹脂等の熱硬化性樹脂から成る。樹脂封止体10は、下側に平坦な主面10Fを有しており、この主面10Fよりも窪んだ凹部Cが形成されている。この凹部C内には、半導体素子Sが電極端子形成面Fを凹部Cの開口側に向けて埋設されている。樹脂封止体10は、半導体素子Sを外部環境から保護している。
絶縁層11は、例えばエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂から成る。
絶縁層11は、第1の絶縁層11aおよび第2の絶縁層11bならびに第3の絶縁層11cで構成されている。
第1の絶縁層11aは、電極端子形成面Fに密着した状態で樹脂封止体10の凹部C内に形成されている。第1の絶縁層11aの下面と主面10Fとは面一の状態で形成されている。
第2の絶縁層11bは、第1の絶縁層11a表面および樹脂封止体10の主面10F表面に形成されている。
第3の絶縁層11cは、第2の絶縁層11b表面および配線導体12表面に形成されている。
絶縁層11は、半導体素子Sの電極端子Tや配線導体12の一部を底面とする複数のビアホール13が形成されている。ビアホール13の径は、およそ20〜100μm程度である。
絶縁層11は、第1の絶縁層11aおよび第2の絶縁層11bならびに第3の絶縁層11cで構成されている。
第1の絶縁層11aは、電極端子形成面Fに密着した状態で樹脂封止体10の凹部C内に形成されている。第1の絶縁層11aの下面と主面10Fとは面一の状態で形成されている。
第2の絶縁層11bは、第1の絶縁層11a表面および樹脂封止体10の主面10F表面に形成されている。
第3の絶縁層11cは、第2の絶縁層11b表面および配線導体12表面に形成されている。
絶縁層11は、半導体素子Sの電極端子Tや配線導体12の一部を底面とする複数のビアホール13が形成されている。ビアホール13の径は、およそ20〜100μm程度である。
配線導体12は、例えば無電解銅めっきおよび電解銅めっき等の良導電性金属により絶縁層11表面および内部、ならびにビアホール13内に形成されている。ビアホール13内に形成された配線導体12は、電極端子Tと配線導体12との間、あるいは異層の配線導体12同士の間の導通をとっている。
絶縁層11の最表層には、配線導体12の一部から成る回路基板接続パッド15が形成されている。回路基板接続パッド15には、この半導体素子内蔵基板Aが搭載される回路基板の電極が半田を介して接続される。
そして、半導体素子Sと回路基板との間で配線導体12を介して電気信号の伝送をすることで半導体素子Sが作動する。
絶縁層11の最表層には、配線導体12の一部から成る回路基板接続パッド15が形成されている。回路基板接続パッド15には、この半導体素子内蔵基板Aが搭載される回路基板の電極が半田を介して接続される。
そして、半導体素子Sと回路基板との間で配線導体12を介して電気信号の伝送をすることで半導体素子Sが作動する。
このように、本発明の半導体素子内蔵基板Aによれば、半導体素子Sの電極端子形成面Fには、第1の絶縁層11aが密着して形成されている。これにより、封止用の樹脂が電極端子形成面Fに被着することを防止できる。そのため、電極端子形成面Fと第1の絶縁層11aとの密着強度を向上でき、両者が剥離することを防止できる。その結果、電極端子Tと第1の絶縁層11aに形成されたビア導体14との接続部に亀裂が発生することを防止して半導体素子Sが安定的に作動できる半導体素子内蔵基板Aを提供することができる。
次に、本発明に係る半導体素子内蔵基板の製造方法における工程毎の実施形態例を、図2〜図3を基にして説明する。なお、図1と同一の部材には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
また、図2(d)〜図3(l)では、一つの半導体素子Sに対する工程毎の実施形態を示しているが、複数の半導体素子Sに対して一括して各工程の処理を行った上で、最終工程後に個片に分断しても構わない。
また、図2(d)〜図3(l)では、一つの半導体素子Sに対する工程毎の実施形態を示しているが、複数の半導体素子Sに対して一括して各工程の処理を行った上で、最終工程後に個片に分断しても構わない。
まず、図2(a)に示すように、半導体ウェハWを準備する。半導体ウェハWは、複数の電極端子Tが形成された電極端子形成面Fを有する複数の半導体素子Sが縦横の並びに一体的に形成されている。
次に、図2(b)に示すように、半導体ウェハWの電極端子形成面Fの全面に、第1の絶縁層11aを密着させる。
第1の絶縁層11aの形成は、例えばエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂組成物の未硬化物に無機絶縁性フィラーを分散して形成されたフィルムを、半導体ウェハWの表面に、真空状態で被覆した状態で熱圧着することで行われる。
第1の絶縁層11aの形成は、例えばエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂組成物の未硬化物に無機絶縁性フィラーを分散して形成されたフィルムを、半導体ウェハWの表面に、真空状態で被覆した状態で熱圧着することで行われる。
次に、図2(c)に示すように、第1の絶縁層11aが密着した状態の半導体ウェハWを個片の半導体素子Sに分割する。分割をするときは、例えばダイシング装置を用いればよい。
次に、図2(d)に示すように、支持板P上に第1の絶縁層11aを下側にして、分割された半導体素子Sを載置する。
支持板Pの上面は、半導体素子Sを仮固定しておくための低粘着層(不図示)が形成されている。
支持板Pの上面は、半導体素子Sを仮固定しておくための低粘着層(不図示)が形成されている。
次に、図2(e)に示すように、支持板P上に載置された第1の絶縁層11aの側面および半導体素子Sを封止用の樹脂で覆うことにより樹脂封止体10を形成する。
樹脂封止体10は、例えば支持板Pの上に第1の絶縁層11aの側面および半導体素子Sを囲む金型を配置して、封止用の樹脂を金型内に流し込んで硬化させることで形成される。
樹脂封止体10は、例えば支持板Pの上に第1の絶縁層11aの側面および半導体素子Sを囲む金型を配置して、封止用の樹脂を金型内に流し込んで硬化させることで形成される。
次に、図2(f)に示すように、支持板Pから第1の絶縁層11aおよび半導体素子S、ならびに樹脂封止体10を分離させる。
これにより、第1の絶縁層11aが樹脂封止体10の主面10F内に露出する。
これにより、第1の絶縁層11aが樹脂封止体10の主面10F内に露出する。
次に、図2(g)に示すように、第1の絶縁層11a表面および主面10Fに第2の絶縁層11bを形成する。
次に、図3(h)に示すように、第1および第2の絶縁層11a、11bに、電極端子Tを底面とする複数のビアホール13を形成する。
ビアホール13は、例えばレーザー加工やブラスト加工により形成される。
ビアホール13は、例えばレーザー加工やブラスト加工により形成される。
次に、図3(i)に示すように、第2の絶縁層11b表面およびビアホール13内に、配線導体12を形成する。配線導体12は、無電解銅めっきおよび電解銅めっきから成る導体パターンを、例えば周知のセミアディティブ法により被着させることにより形成される。ビアホール13内に形成された配線導体12は、ビア導体14として機能する。
次に、図3(j)に示すように、第2の絶縁層11b表面および配線導体12表面に第3の絶縁層11cを形成する。
次に、図3(k)に示すように、第3の絶縁層11cに、配線導体12の一部を底面とする複数のビアホール13を形成する。
最後に、図3(l)に示すように、第3の絶縁層11c表面およびビアホール13内に、配線導体12を形成するとともに、ビアホール13内にビア導体14を形成する。最表層の配線導体12の一部は回路基板接続パッド15として機能する。
これにより、図1に示すような半導体素子内蔵基板Aが形成される。
これにより、図1に示すような半導体素子内蔵基板Aが形成される。
以上説明したように、本発明の半導体素子内蔵基板の製造方法によれば、電極端子形成面F全面に第1の絶縁層11aが被着された状態で、半導体素子Sを支持板P上に載置する。
そして、支持板P上に載置された第1の絶縁層11a側面、および半導体素子Sを樹脂封止体10に埋設する。
このように、半導体素子Sを樹脂封止体10に埋設するときには、電極端子形成面F全面に第1の絶縁層11aが密着していることから、樹脂封止体10の一部が電極端子形成面Fに被着することを防止することができる。
これにより、電極端子形成面Fと第1の絶縁層11aとの密着強度を向上させて両者が剥離することを防止できる。その結果、電極端子Tと第1の絶縁層11aに形成されたビア導体14との接続部に亀裂が発生することを防いで半導体素子Sが安定的に作動できる半導体素子内蔵基板Aの製造方法を提供することができる。
そして、支持板P上に載置された第1の絶縁層11a側面、および半導体素子Sを樹脂封止体10に埋設する。
このように、半導体素子Sを樹脂封止体10に埋設するときには、電極端子形成面F全面に第1の絶縁層11aが密着していることから、樹脂封止体10の一部が電極端子形成面Fに被着することを防止することができる。
これにより、電極端子形成面Fと第1の絶縁層11aとの密着強度を向上させて両者が剥離することを防止できる。その結果、電極端子Tと第1の絶縁層11aに形成されたビア導体14との接続部に亀裂が発生することを防いで半導体素子Sが安定的に作動できる半導体素子内蔵基板Aの製造方法を提供することができる。
なお、本発明は上述の実施形態の一例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能である。例えば上述の実施の形態の一例では、第1の絶縁層11aの他に、第2および第3の絶縁層11b、11cが形成されている場合を示したが、第1の絶縁層11aおよび第2の絶縁層11bの2層のみが形成されていても構わないし、さらに多くの絶縁層が形成されていても構わない。
また、例えば上述の実施の形態の一例では、絶縁層11の最表層面にソルダーレジスト層が被着されていない場合を示したが、ソルダーレジスト層が被着されていても構わない。
また、例えば上述の実施の形態の一例では、絶縁層11の最表層面にソルダーレジスト層が被着されていない場合を示したが、ソルダーレジスト層が被着されていても構わない。
10 樹脂封止体
10F 主面
11 絶縁層
11a 第1の絶縁層
11b 第2の絶縁層
12 配線導体
13 ビアホール
A 半導体素子内蔵基板
C 凹部
F 電極端子形成面
S 半導体素子
T 電極端子
10F 主面
11 絶縁層
11a 第1の絶縁層
11b 第2の絶縁層
12 配線導体
13 ビアホール
A 半導体素子内蔵基板
C 凹部
F 電極端子形成面
S 半導体素子
T 電極端子
Claims (2)
- 平坦な主面を有する樹脂封止体と、
電極端子が複数形成された電極端子形成面を有しており、前記樹脂封止体の平坦な主面に前記電極端子形成面が露出するように前記樹脂封止体に埋設された半導体素子と、
前記電極端子形成面および樹脂封止体の平坦な主面を被覆するように積層された絶縁層と、
前記絶縁層に複数形成されており前記電極端子を底面とするビアホールと、
前記絶縁層表面およびビアホール内に形成された配線導体と、
を備える半導体素子内蔵基板であって、
前記電極端子形成面は、前記樹脂封止体の平坦な主面より凹んで位置するとともに、前記絶縁層は、前記電極端子形成面上に前記樹脂封止体の平坦な主面と面一となる厚みで形成された第1の絶縁層と、該第1の絶縁層表面および前記樹脂封止体の平坦な主面を被覆するように形成された第2の絶縁層と、を具備していることを特徴とする半導体素子内蔵基板。 - 複数の電極端子が形成された電極端子形成面を有する複数の半導体素子が縦横の並びに一体的に形成された半導体ウェハを準備する工程と、
前記半導体ウェハの前記電極端子形成面側全面に第1の絶縁層を被着する工程と、
前記半導体ウェハを前記第1の絶縁層が被着した状態で切断して個片の半導体素子に分割する工程と、
分割された前記半導体素子を前記第1の絶縁層を下にして平坦な支持板上に載置する工程と、
前記支持板上に、前記第1の絶縁層および半導体素子を埋設するとともに前記支持板に密着した平坦な主面を有する樹脂封止体を形成する工程と、
前記樹脂封止体および第1の絶縁層を前記支持板から分離する工程と、
分離により露出した前記第1の絶縁層表面および前記樹脂封止体の主面に第2の絶縁層を形成する工程と、
前記第1および第2の絶縁層に前記電極端子を底面とする複数のビアホールを形成する工程と、
前記第2の絶縁層表面および前記ビアホール内に配線導体を形成する工程と、
を行うことを特徴とする半導体素子内蔵基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016086662A JP2017199702A (ja) | 2016-04-25 | 2016-04-25 | 半導体素子内蔵基板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016086662A JP2017199702A (ja) | 2016-04-25 | 2016-04-25 | 半導体素子内蔵基板およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017199702A true JP2017199702A (ja) | 2017-11-02 |
Family
ID=60238124
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016086662A Pending JP2017199702A (ja) | 2016-04-25 | 2016-04-25 | 半導体素子内蔵基板およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2017199702A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005101075A (ja) * | 2003-09-22 | 2005-04-14 | Oki Electric Ind Co Ltd | 電子部品内蔵基板の製造方法 |
JP2015056458A (ja) * | 2013-09-10 | 2015-03-23 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
-
2016
- 2016-04-25 JP JP2016086662A patent/JP2017199702A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005101075A (ja) * | 2003-09-22 | 2005-04-14 | Oki Electric Ind Co Ltd | 電子部品内蔵基板の製造方法 |
JP2015056458A (ja) * | 2013-09-10 | 2015-03-23 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9247644B2 (en) | Wiring board and method for manufacturing the same | |
JP4937842B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
CN108604582B (zh) | 承载超薄衬底 | |
US9852995B1 (en) | Semiconductor device | |
CN110648931A (zh) | 封装方法、面板组件、晶圆封装体以及芯片封装体 | |
KR20150102504A (ko) | 임베디드 기판 및 임베디드 기판의 제조 방법 | |
US10515898B2 (en) | Circuit board incorporating semiconductor IC and manufacturing method thereof | |
KR20040097899A (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 | |
CN116631953A (zh) | 半导体封装体及其制造方法 | |
KR20150135046A (ko) | 패키지 기판, 패키지 기판의 제조 방법 및 이를 포함하는 적층형 패키지 | |
JP2015050309A (ja) | 配線基板の製造方法 | |
CN110828389A (zh) | 半导体装置及其制造方法 | |
KR20170002830A (ko) | 전자 소자 모듈 및 그 제조 방법 | |
JP2012044134A (ja) | 埋め込み回路基板の製造方法 | |
CN105244327A (zh) | 电子装置模块及其制造方法 | |
CN111385971B (zh) | 电路基板及其制造方法 | |
JP7266469B2 (ja) | 配線基板の製造方法及び積層構造 | |
JP2017199702A (ja) | 半導体素子内蔵基板およびその製造方法 | |
JP2007019275A (ja) | 半導体装置、基板及び半導体装置の製造方法 | |
US11075180B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device | |
JP2012033624A (ja) | ウエハレベルパッケージ構造およびその製造方法 | |
JP2005243986A (ja) | 配線基板の製造方法 | |
JP6515243B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP6096641B2 (ja) | 配線基板の製造方法 | |
JP2015050308A (ja) | 配線基板およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190123 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20191025 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191031 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20200428 |