JP2017195248A - 塗布方法 - Google Patents

Abstract

【課題】円形基板上に薬液膜を均一に形成できる塗布方法を提供する。
【解決手段】スリットノズル３の退避移動は、スリットノズル３の下面３ｄが円形基板Ｗ上に形成された薬液膜Ｆの目標膜厚と同じ高さで、かつ半径方向ＲＤ外側に向けて行われる。これにより、例えば薬液が垂れ落ちることが防止されると共に、退避移動するスリットノズル３の下面３ｄで薬液膜が平坦化されるので、塗布ムラを抑制できる。そのため、円形基板Ｗ上に薬液膜Ｆを均一に形成できる。
【選択図】図１７

Description

本発明は、半導体基板、液晶表示用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等の基板に対して薬液を塗布する塗布方法に関する。

従来、塗布装置は、基板を略水平姿勢で保持して回転させる回転保持部と、レジスト等の薬液を基板に吐出するノズルとを備えている（例えば、特許文献１参照）。塗布装置は、ノズルから基板の中心部に薬液を供給し、基板保持部で基板を高速回転させる。これにより、基板全面に薬液が広がり、薬液膜が形成される。

特開平１１−１６２８０８号公報

しかしながら、従来装置の場合には、次のような問題がある。すなわち、スピン塗布方式の場合、回転により薬液を基板全面に広げるため、薬液を基板外へ無駄に捨ててしまう。特に、粘度が高くなるほど薬液を基板全面に広げにくく、多量の薬液が必要になり、多量の薬液を基板外へ無駄に捨ててしまう。その結果、高価な薬液を使用する際など、コスト的に不利となる。

また、スピン塗布方式では、厚膜を形成する際に、回転により成膜する性質上、厚膜の目標値よりも薄くなる。この場合、例えば、２回塗布して２層の膜を形成する。そのため、薬液を更に無駄に捨ててしまい、また、処理時間が長くなってしまう。

一方、スピン塗布しない方式として、図２３のように、角基板（矩形状基板）の上方をスリットノズル１０３で一方向に移動させつつ、薬液を塗布するスキャン塗布方式がある。この方式で円形基板Ｗに塗布する場合、図２３の斜線のように、無駄に薬液を捨てる領域ＳＨが発生する。

また、スキャン塗布方式では、スリットノズル１０３の吐出口と円形の基板Ｗとの隙間が均一に保てないことにより、特に、高粘度の薬液を基板Ｗに均一な厚みで塗布できない。すなわち、角基板Ｗの場合、図２４のように、吐出開始時にカーテン状に良好な液柱が形成され、また、それが維持されるので、均一な厚みで塗布できる。これに対し、円形の基板Ｗの場合は、図２５のように、吐出開始時に、円形の基板Ｗの外縁部Ｅの１点でしか接液しないので、カーテン状に良好な液柱が形成されない。そのため、均一な厚みの膜が形成されず、塗布ムラが発生する。

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、円形基板上に薬液膜を均一に形成できる塗布方法を提供することを目的とする。

発明者は、上記の問題を解決するために鋭意研究した結果、次のような知見を得た。すなわち、スリットノズルを円形基板の半径方向に沿って配置し、このスリットノズルから円形基板上に薬液を吐出する。そして、円形基板の中心部周りに円形基板を回転させる。これにより、スリットノズルから吐出された薬液が全て円形基板上に着液して良好な液柱が形成される。また、円形基板の外縁部に沿って円形基板の略全面に薬液膜が形成される。そのため、無駄な薬液を抑えつつ、基板上に良好に薬液を塗布することができる。しかしながら、更に、塗布ムラを抑え、円形基板上に薬液膜を均一に形成することが望まれる。

このような知見に基づく本発明は、次のような構成をとる。
すなわち、本発明に係る塗布方法は、円形基板上に薬液を塗布する塗布方法において、前記円形基板の半径に沿って配置されたスリットノズルから前記円形基板上に薬液を吐出する吐出工程と、前記円形基板の中心周りに前記円形基板を少なくとも１回転させる回転工程と、前記薬液の吐出および前記円形基板の回転をそれぞれ停止する吐出回転停止工程と、前記吐出回転停止工程の後、前記スリットノズルの下面を前記円形基板上に形成された薬液膜の目標膜厚と同じ高さに維持し、かつ前記スリットノズルと前記円形基板との間に薬液を満たした状態で、前記スリットノズルを前記円形基板の半径方向外側へ退避移動させるノズル退避工程と、を備えていることを特徴とするものである。

本発明に係る塗布方法によれば、薬液の吐出および円形基板の回転をそれぞれ停止した後、スリットノズルと円形基板との間に薬液を満たした状態で、スリットノズルを円形基板の半径方向外側へ退避移動させる。例えば、スリットノズルの下面を目標膜厚よりも高い位置に配置して、スリットノズルからの薬液の吐出を停止したとする。このときスリット開口部の全長に亘って同時に薬液の吐出を停止させることは困難である。つまり、スリット開口部の一部から薬液が垂れ落ちる現象が生じる。その結果、スリットノズルを円形基板の外側へ退避移動させるときに、垂れ落ちた部分で薬液膜が盛り上がり、塗布ムラが生じる。しかしながら、本発明において、スリットノズルの退避移動は、スリットノズルの下面が円形基板上に形成された薬液膜の目標膜厚と同じ高さで行われる。これにより、スリットノズルから薬液が垂れ落ちることが防止される。しかも、本発明において、円形基板の半径に沿って配置されたスリットノズルを半径方向に退避移動させているので、吐出停止位置における薬液膜が退避移動中のスリットノズルの下面で平坦化される。仮にスリットノズルの下面の薬液膜厚に僅かのばらつきが生じても、その影響は半径方向の直線状のスリット移動軌跡上に限定される。そのため、円形基板上に薬液膜を均一に形成できる。

また、上述の塗布方法の一例は、前記吐出工程において、前記スリットノズルの下面を前記薬液膜の目標膜厚よりも高い高さ位置に設定し、前記ノズル退避工程において、前記スリットノズルの退避移動の前に、前記スリットノズルの下面を前記薬液膜の目標膜厚と同じとなるように、前記スリットノズルを下降させ、その後、前記スリットノズルを退避移動させることである。これにより、スリットノズルの下面を薬液膜の目標膜厚よりも高い高さ位置に設定した場合であっても、スリットノズルの退避移動は、スリットノズルの下面が目標膜厚と同じ高さで行われる。そのため、スリットノズルから薬液が垂れ落ちることが防止できる。

また、上述の塗布方法の一例は、前記吐出工程において、前記スリットノズルの下面を前記薬液膜の目標膜厚よりも低い高さ位置に設定し、前記ノズル退避工程において、前記スリットノズルの退避移動の前に、前記スリットノズルの下面を前記薬液膜の目標膜厚と同じとなるように、前記スリットノズルを上昇させ、その後、前記スリットノズルを退避移動させることである。

この塗布方法では、スリットノズルの下面は、薬液膜の目標膜厚よりも低い高さ位置に設定される。そして、スリットノズルから薬液を吐出して、円形基板に薬液を押し付けて広げながら薬液膜を形成する。そのため、薬液の吐出および円形基板の回転をそれぞれ停止した際に、スリットノズルは薬液膜に埋まるので、このまま、スリットノズルを退避移動させると、形成された薬液膜の薬液を引き連れてしまうおそれがある。そうすると、塗布ムラが生じる。しかしながら、スリットノズルの下面を薬液膜の目標膜厚と同じ高さ位置に、スリットノズルを上昇させるので、薬液を引き連れてしまうことを防止できる。

また、上述の塗布方法の一例は、前記吐出工程において、前記スリットノズルの下面を前記薬液膜の目標膜厚と同じ高さ位置に設定し、前記ノズル退避工程において、前記スリットノズルの下面を前記薬液膜の目標膜厚と同じ高さ位置に維持した状態で、前記スリットノズルを退避移動させることである。これにより、薬液の吐出からスリットノズルの退避移動の前までに、スリットノズルを下降または上昇させる必要がない。そのため、薬液塗布を効率よく行うことができる。

また、上述の塗布方法は、前記吐出工程において、単位時間当たりの薬液の吐出量である吐出レートを変化させることが好ましい。吐出レートを変化させることで、薬液吐出の開始時における薬液の流動性の悪さに起因した塗布ムラを抑制できる。

また、上述の塗布方法の一例は、前記吐出工程は、それぞれに異なる吐出レートに設定された第１吐出工程と第２吐出工程とを備え、前記第１吐出工程は、前記円形基板の回転が停止しているときに、前記第２吐出工程の吐出レートよりも大きく設定された第１吐出レートで前記スリットノズルから前記円形基板上に前記薬液を吐出し、前記第２吐出工程は、前記第１吐出工程の後、形成される薬液膜の目標膜厚になるように予め設定された第２吐出レートで前記スリットノズルから前記円形基板上に前記薬液を吐出し、前記回転工程は、前記第１吐出工程の後に前記円形基板を回転させることである。

第２吐出工程の第２吐出レートは、形成される薬液膜が目標膜厚になるように予め設定されたものである。一方、第１吐出工程の第１吐出レートは、この第２吐出レートよりも大きく設定されている。つまり、吐出開始時に第１吐出レートを高めに設定している。そのため、スリットノズルの一部から偏って薬液が吐出されるのを抑え、薬液をスリットノズルの全体から吐出できる。これにより、安定した吐出状態で基板上に着液できる。そして、その後の第２吐出工程においても安定した吐出状態を維持することができる。よって、薬液吐出による塗布ムラを抑制できる。

また、上述の塗布方法の一例は、前記回転工程において、前記円形基板の回転速度を変化させることである。これにより、例えば、回転速度を小さくすれば、薬液膜が厚くなり、回転速度を大きくすれば、薬液膜は薄くなる。そのため、円形基板上に薬液膜を形成する過程で塗布ムラがある場合に薬液膜を均一に調整することができる。

また、上述の塗布方法の一例は、前記回転工程において、前記薬液の吐出レートに応じて前記円形基板の回転速度を変化させることである。これにより、例えば異なる２以上の吐出レートが設定されている場合等、吐出レートに最適な回転速度で薬液膜を均一に調整することができる。

また、上述の塗布方法の一例は、前記吐出回転停止工程において、前記円形基板が１回転する直前に薬液の吐出を停止させ、前記円形基板が１回転したときに前記円形基板の回転を停止することである。これにより、塗布終了時点での薬液膜の形成状態を比較的良好にすることができる。

また、上述の塗布方法の一例は、前記薬液の吐出開始時に、前記スリットノズルのスリット開口部における前記円形基板の中心部側の端部が前記円形基板の中心部よりも基板半径方向の外側に位置するように、前記スリットノズルを配置させ、その後、前記薬液を吐出しつつ前記円形基板を回転している間、前記スリットノズルを前記円形基板の半径方向に沿って前記円形基板の中心部方向に移動させ、前記薬液の吐出停止時に、前記スリット開口部の端部が前記円形基板の中心部に位置するように前記スリットノズルを移動させるノズル移動工程を更に備えていることである。これにより、円形基板の中心部付近で生じる塗布ムラを抑制できる。

また、上述の塗布方法の一例は、前記ノズル退避工程の後に、前記円形基板上の薬液膜を平坦にする平坦化工程を更に備えることである。これにより、円形基板上に薬液膜を均一に形成した後、平坦化工程により薬液膜を、更に均一にすることができる。

また、上述の塗布方法において、前記平坦化工程は、前記円形基板上の薬液がこぼれない程度の回転速度で前記円形基板を回転させることが好ましい。これにより、円形基板外に薬液を排出させずに、薬液膜の面内均一性を向上できる。

また、上述の塗布方法において、前記平坦化工程の一例は、塗布開始時点での薬液膜の膜厚が塗布終了時点での薬液膜の膜厚よりも厚い場合に、前記回転工程における前記円形基板の回転方向と逆方向に前記円形基板を回転させることである。これにより、膜厚が厚い塗布開始地点から膜厚が薄い塗布終了地点に向けて、円形基板上に形成された薬液膜が流動される。そのため、塗布開始地点と塗布終了地点との継ぎ目部分においても薬液膜の面内均一性を向上できる。

また、上述の塗布方法において、前記薬液の粘度は、３００ｃＰ以上１００００ｃＰ以下であることが好ましい。これにより、高粘度の薬液について、円形基板上に薬液を均一に塗布できる。

なお、本明細書は、次のような塗布方法に係る発明も開示している。

（１）円形基板上に薬液を塗布する塗布方法は、前記円形基板上に形成された前記薬液膜の目標膜厚よりも高い高さ位置にスリットノズルの下面を設定し、前記円形基板の半径に沿って配置された前記スリットノズルから前記円形基板上に薬液を吐出する吐出工程と、前記円形基板の中心周りに前記円形基板を少なくとも１回転させる回転工程と、を備えていることを特徴とするものである。

この塗布方法によれば、薬液膜の目標膜厚よりも高い高さ位置にスリットノズルの下面が設定されているので、スリットノズルに薬液が付着することを抑制できる。例えば付着した薬液が乾燥すると、パーティクルの原因になるので、スリットノズルの洗浄が必要になる。しかしながら、薬液の付着が抑制されるので、洗浄が容易になる。

（２）円形基板上に薬液を塗布する塗布方法は、前記円形基板の半径に沿って配置された前記スリットノズルから前記円形基板上に、単位時間当たりの薬液の吐出量である吐出レートを変化させて薬液を吐出する吐出工程と、前記円形基板の中心周りに前記円形基板を少なくとも１回転させる回転工程と、を備えていることを特徴とするものである。

この塗布方法によれば、吐出レートを変化させることで、薬液吐出の開始時における薬液の流動性の悪さに起因した塗布ムラを抑制できる。そのため、円形基板上に薬液膜を均一に形成できる。

（３）円形基板上に薬液を塗布する塗布方法は、前記円形基板の半径に沿って配置されたスリットノズルから前記円形基板上に薬液を吐出する吐出工程と、前記円形基板の中心周りに前記円形基板を少なくとも１回転させる回転工程と、薬液の吐出開始時に、前記スリットノズルのスリット開口部における前記円形基板の中心部側の端部が前記円形基板の中心部よりも基板半径方向の外側に位置するように、前記スリットノズルを配置させ、その後、前記薬液を吐出しつつ基板を回転している間、前記スリットノズルを基板半径方向に沿って前記円形基板の中心部方向に移動させ、前記薬液の吐出停止時に、前記スリット開口部の端部が前記円形基板の中心部に位置するように前記スリットノズルを移動させるノズル移動工程と、を備えていることを特徴とするものである。

この塗布方法によれば、薬液を吐出しつつ基板を回転している間、スリットノズルが基板半径方向に沿って円形基板の中心方向に移動される。円形基板の中心部からスリットノズルが離れた状態を維持すると、中心部に薬液膜が形成されず、一方、円形基板の中心部にスリットノズルが近づいた状態を維持すると、中心部に形成される薬液膜が盛り上がる。そのため、塗布ムラが生じる。しかしながら、スリットノズルが移動されるので、円形基板の中心部付近で生じる塗布ムラを抑制できる。そのため、円形基板上に薬液膜を均一に形成できる。

（４）円形基板上に薬液を塗布する塗布方法において、前記円形基板の半径に沿って配置されたスリットノズルから前記円形基板上に薬液を吐出する吐出工程と、前記円形基板の中心周りに前記円形基板を少なくとも１回転させる回転工程と、前記薬液の吐出および前記円形基板の回転をそれぞれ停止する吐出回転停止工程と、前記円形基板上の薬液膜を平坦にする平坦化工程とを備えていることを特徴とするものである。

この塗布方法によれば、円形基板上に薬液膜を均一に形成した後、更に、平坦化工程により薬液膜を均一にすることができる。

本発明に係る塗布方法によれば、スリットノズルの退避移動は、スリットノズルの下面が円形基板上に形成された薬液膜の目標膜厚と同じ高さで、かつ半径方向外側に向けて行われる。これにより、例えば薬液が垂れ落ちることが防止されると共に、退避移動するスリットの下面で薬液膜が平坦化されるので、塗布ムラを抑制できる。そのため、円形基板上に薬液膜を均一に形成できる。

実施例に係る塗布装置の概略構成図である。 スリットノズルの長手方向における縦断面図である。 図２のスリットノズルを矢印Ａ−Ａから見た縦断面図である。 図２のスリットノズルを矢印Ｂから見たスリット開口部を示す図である。 ノズル移動機構を示す平面図である。 塗布装置の動作を説明するためのフローチャートである。 スリットノズルの準備動作を説明するための側面図である。 スリットノズルの準備動作を説明するための側面図である。 スリットノズルを基板上方に移動させる動作を説明するための側面図である。 スリットノズルを下降させる動作を説明するための側面図である。 ２つの吐出工程を有する塗布条件の一例を示す図である。 ４つの吐出工程を有する塗布条件の一例を示す図である。 薬液吐出および基板回転のタイミング図の一例である。 薬液吐出および基板回転の停止動作を説明するための側面図である。 薬液吐出および基板回転の停止動作の一例を説明するための部分拡大図である。 スリットノズルを下降させる動作を説明するための側面図である。 スリットノズルを円形基板外に移動させる動作を説明するための側面図である。 スリットノズルを円形基板外に移動させる動作を説明するための平面図である。 スリットノズルを円形基板外に移動させた後の動作を説明するための側面図である。 平坦化処理を説明するための図である。 平坦化処理を説明するための図である。 薬液吐出時および基板回転時におけるスリットノズルの移動を説明するための図である。 基板を一方向に横切るスキャン方式の課題を説明するための図である。 基板を一方向に横切るスキャン方式の課題を説明するための図である。 基板を一方向に横切るスキャン方式の課題を説明するための図である。

以下、図面を参照して本発明の実施例１を説明する。図１は、塗布装置の概略構成図である。図２は、スリットノズルの長手方向における縦断面図である。図３は、図２のスリットノズルを矢印Ａ−Ａから見た縦断面図である。図４は、図２のスリットノズルを矢印Ｂから見たスリット開口部を示す図である。図５は、ノズル移動機構を示す図である。

＜塗布装置１の構成＞
図１を参照する。塗布装置１は、保持回転部２とスリットノズル３とを備えている。保持回転部２は、円形基板（以下「基板」と呼ぶ）Ｗを略水平姿勢で保持して回転させる。保持回転部２は、時計回り、反時計回りで基板Ｗを回転させることが可能である。スリットノズル３は、基板Ｗ上に薬液を吐出する。薬液は、接着剤や、ＳＯＧ（Spin on Glass）等の平坦化膜形成用薬液、フォトレジストなどの高粘度の薬液が用いられる。薬液の粘度は、例えば、３００ｃＰ（centipoise）以上１００００ｃＰ以下である。

保持回転部２は、スピンチャック４と回転駆動部５とを備えている。スピンチャック４は、回転軸ＡＸ周りに回転可能に基板Ｗを保持する。スピンチャック４は、例えば、基板Ｗの裏面を真空吸着することにより基板Ｗを略水平姿勢で保持する。一方、回転駆動部５は、スピンチャック４を回転軸ＡＸ周りに回転させる駆動を行う。回転駆動部５は、電動モータ等で構成されている。なお、回転軸ＡＸと基板Ｗの中心部ＣＴは、略一致する。

図２〜図４は、スリットノズル３の構造を示す図である。スリットノズル３は、複数の供給口３ａ、内部流路３ｂおよびスリット開口部３ｃを備えている。図３のように、供給口３ａは、後述する薬液配管１３と連通接続されている。薬液配管１３から供給口３ａを通じて送られた薬液は、内部流路３ｂに更に送られる。内部流路３ｂに送られた薬液は、スリット開口部３ｃから吐出される。なお、複数の供給口３ａの開口径（開口面積）の大きさは、同じである。この点、例えば、基板Ｗの中心部ＣＴから基板Ｗの外縁部Ｅに向かうにつれて、供給口３ａの開口径を大きくして、薬液の供給量を多くしてもよい。

スリットノズル３は、薬液の吐出時に、基板Ｗ上方の予め設定された吐出位置に配置される。この時、スリット開口部３ｃは、図２、図４のように、基板Ｗの中心部ＣＴから基板Ｗの外縁部Ｅに向かうにつれて、幅ＷＤが大きくなるように構成されている。これにより、基板Ｗの中心部ＣＴから基板Ｗの外縁部Ｅに向かうにつれて、スリット開口部３ｃから基板Ｗに吐出する薬液の吐出量が多くすることができる。すなわち、スリット開口部３ｃの幅ＷＤを変えることにより、単位面積当たりの薬液の吐出量を揃えることができる。そのため、基板Ｗの半径方向ＲＤにおける塗布ムラを抑えることができる。

また、図２に示すように、スリット開口部３ｃの長手方向の長さは、基板Ｗの半径と同じまたはそれ未満である。スリット開口部３ｃおよび下面３ｄと、基板Ｗの表面との隙間Ｇは、一定に設定される。すなわち、基板Ｗの中心部ＣＴから外縁部Ｅまで、隙間Ｇは同じ長さである。

また、図１の塗布装置１は、カップ７と待機ポット９とを備えている。カップ７は、保持回転部２を囲うように、保持回転部２の側方に設けられている。カップ７は、図示しない駆動部により、上下方向に移動するように構成されている。一方、待機ポット９は、不使用のスリットノズル３を待機させるものである。待機ポット９は、カップ７の側方に設けられている。

待機ポット９は、スリットノズル３から吐出された薬液を回収できるように構成されている。また、待機ポット９には、スリットノズル３の下面３ｄを接触または近接し、スリット開口部３ｃから外にはみ出す薬液を削ぎ落とすためのカッタ（またはスキージ）９ａが設けられている（後述する図７，図８参照）。カッタ９ａは、電動モータ等で構成されるカッタ移動機構９ｂにより移動される。これにより、スリットノズル３の下面３ｄおよびスリット開口部３ｃに沿うように、薬液の面を揃えることができる。

待機ポット９は、スリットノズル３の先端部を溶剤に浸して洗浄できるように溶剤貯留槽を備えていてもよい。また、待機ポット９は、スリットノズル３の先端部を溶剤雰囲気で包み込めるように構成されていてもよい。これにより、スリットノズル３内の薬液の乾燥等を防止できる。

また、図１の塗布装置１は、薬液供給源１１、薬液配管１３、ポンプＰおよび開閉弁Ｖを備えている。薬液供給源１１からの薬液は、薬液配管１３を通じてスリットノズル３に供給される。薬液配管１３には、ポンプＰおよび開閉弁Ｖ等が介在して設けられている。ポンプＰは、スリットノズル３に薬液を送る。開閉弁Ｖは、薬液の供給およびその停止を行う。

また、図１の塗布装置１は、ノズル移動機構１５を備えている。ノズル移動機構１５は、上下方向（Ｚ方向）および基板Ｗの表面に沿った所定の方向（Ｘ方向）に、スリットノズル３を移動させる。ノズル移動機構１５は、図５のように、アーム１７、上下移動部１９および平面移動部２１を備えている。アーム１７は、スリットノズル３を支持する。上下移動部１９は、スリットノズル３およびアーム１７を上下方向（Ｚ方向）に移動させる。平面移動部２１は、スリットノズル３、アーム１７および上下移動部１９を第１方向（Ｘ方向）に移動させる。

上下移動部１９および平面移動部２１は、例えば電動モータ、ネジ軸およびガイドレール等で構成される。なお、平面移動部２１は、スリットノズル３等を第１方向に移動させるだけでなく、第１方向と直交する第２方向（Ｙ方向）に移動させるように構成されてもよい。また、ノズル移動機構１５は、多関節アームで構成されてもよい。

図１の塗布装置１は、制御部２３と操作部２５とを備えている。制御部２３は、中央演算処理装置（ＣＰＵ）などで構成されている。制御部２３は、塗布装置１の各構成を制御する。操作部２５は、表示部、記憶部および入力部等で構成されている。表示部は、液晶モニタなどで構成されている。記憶部は、ＲＯＭ（Read-only Memory）、ＲＡＭ（Random-Access Memory）、およびハードディスク等で構成されている。入力部は、キーボード、マウス、および各種ボタン等で構成されている。記憶部には、塗布処理の各種条件等が記憶されている。

＜塗布装置の動作＞
次に、図６のフローチャートを参照して、塗布装置１の動作について説明する。図１において、図示しない搬送機構は、保持回転部２上に基板Ｗを搬送する。回転保持部２は、基板Ｗの裏面を吸着などして保持する。

〔ステップＳ０１〕スリットノズルにおける準備動作（液面の調整）
スリットノズル３は、待機ポット９に待機されている。待機ポット９において、スリットノズル３から所定量の薬液ＣＭを吐出する。すると、図７のように、スリット開口部３ｃからはみ出した薬液ＣＭがカーテン状にぶら下がる。そして、カッタ移動機構９ｂは、スリットノズル３の下面３ｄにカッタ９ａを接触または近接させつつ、スリット開口部３ｃの長手方向に沿ってカッタ９ａを移動させる。カッタ９ａの移動により、図８のように、スリット開口部３ｃからはみ出した薬液ＣＭが削ぎ落とされる。そのため、スリット開口部３ｃ付近において、薬液ＣＭの液面（液の下面）が揃えられる。なお、薬液ＣＭの液面は、スリット開口部３ｃおよび下面３ｄよりも全体的に微小に突出している。カッタ９ａの移動により薬液ＣＭの液面を揃えた後、途中で薬液ＣＭを吐出せずに、スリットノズル３は、基板Ｗ上方の予め設定された吐出位置に移動される。

〔ステップＳ０２〕薬液吐出および基板回転
ノズル移動機構１５は、待機ポット９から基板Ｗ上方の予め設定された吐出位置にスリットノズル３を移動させる。すなわち、ノズル移動機構１５は、図９のように、スリットノズル３をマイナスＸ方向に移動させる。これにより、スリットノズル３は、予め設定された吐出位置の上方に配置される。そして、ノズル移動機構１５は、図１０において、基板Ｗ上方において、スリットノズル３を下降させる。なお、スリットノズル３を上昇させてもよい。下降または上昇により、スリットノズル３の下面３ｄと基板Ｗの表面との間を予め設定された隙間Ｇにする。

隙間Ｇは、基板Ｗ上に形成される薬液膜Ｆの表面よりも低い高さにしないように、スリットノズル３の下面３ｄを薬液膜Ｆの目標膜厚よりも高い高さ位置に設定する。例えば、目標膜厚が０．０７ｍｍの場合、スリットノズル３の下面３ｄと基板Ｗの表面との間の隙間Ｇを０．１０ｍｍに設定する。なお、本実施例の塗布方法は、従来のスピン塗布と異なり、回転により薬液ＣＭを基板Ｗ外に排出しない。そのため、目標膜厚は、形成したい薬液膜Ｆの膜厚である。目標膜厚が焼成（または乾燥）後の膜厚であるとき、溶剤などの揮発成分を考慮して設定される。また、スリットノズル３の吐出位置の高さの上限は、吐出する薬液ＣＭの一部が途切れないような高さである。

吐出位置に配置されたスリットノズル３は、基板Ｗの半径方向ＲＤに沿って長手に配置される。すなわち、スリット開口部３ｃは、図２および図５の一点鎖線のように、基板Ｗの中心部ＣＴよりも外側でかつ基板Ｗの半径方向ＲＤに沿って長手に配置される。

スリットノズル３を吐出位置に移動させた後、スリットノズル３の位置を固定してスリットノズル３から基板Ｗ上に薬液ＣＭを吐出する。また、これと共に、基板Ｗの中心部ＣＴ周りに基板Ｗを略１回転させる。これにより、基板Ｗ上に薬液膜Ｆを形成する。塗布条件は、例えば、吐出レート、吐出量、回転速度（回転数）がある。また、これらの条件は、基板Ｗ毎の１回の吐出に対して、２回以上に段階的に変更可能である。

図１１は、２つの吐出工程Ｄ１，Ｄ２を有する塗布条件の一例を示す図である。すなわち、薬液ＣＭを吐出する際に、単位時間当たりの薬液ＣＭの吐出量である吐出レートを変化させている。吐出レートを変化させることで、薬液ＣＭの吐出の開始時における薬液ＣＭの流動性の悪さに起因した塗布ムラを抑制できる。図１１において、吐出工程は、それぞれ異なる吐出レートに設定された吐出工程Ｄ１と吐出工程Ｄ２とを備えている。なお、吐出工程Ｄ１は、本発明の第１吐出工程に相当する。吐出工程Ｄ２は、本発明の第２吐出工程に相当する。

吐出工程Ｄ１は、基板Ｗの回転が停止しているときに、吐出工程Ｄ２の第２吐出レートよりも大きく設定された第１吐出レートでスリットノズル３から基板Ｗ上に薬液ＣＭを吐出する。

吐出工程Ｄ１では、高粘度の薬液ＣＭを強めに吐出する。吐出工程Ｄ１は、基板Ｗ上で安定な吐出状態を形成するための工程である。吐出工程Ｄ１は、基板Ｗの回転が停止しているときに、第１吐出レートでスリットノズル３から基板Ｗ上に薬液ＣＭを吐出する。吐出工程Ｄ２の第２吐出レートは、形成される薬液膜Ｆが目標膜厚なるように予め設定されている。吐出工程Ｄ１の第１吐出レート（例えば１．０ｍｌ／ｓ）は、吐出工程Ｄ２の第２吐出レート（例えば０．１ｍｌ／ｓ）よりも大きく設定されている。これにより、安定な吐出状態を形成できる。吐出レートは、例えば、ポンプＰの出力を調整することにより変更される。

吐出工程Ｄ１の後に、基板Ｗは回転され、吐出工程Ｄ２が行われる。吐出工程Ｄ２は、吐出工程Ｄ１で形成された安定した吐出状態を維持しつつ、その後の薬液膜Ｆの形成を行う工程である。吐出工程Ｄ２では、形成される薬液膜Ｆが目標膜厚になるように、第２吐出レートで、スリットノズル３から基板Ｗ上に薬液ＣＭを吐出する。

例えば、吐出工程Ｄ１において、第１吐出レートが低めに設定されているとする。この場合、薬液ＣＭを吐出開始する際に、カッタ９ａで液面を揃えたにも拘わらず、薬液ＣＭの面が揃わなくなる。これにより、スリットノズル３の一部から偏って薬液ＣＭが吐出される。そのため、塗布ムラの原因になる。しかしながら、薬液ＣＭを吐出開始する際に、第１吐出レートを高めに設定している。そのため、スリットノズル３の一部から偏って薬液ＣＭが吐出されることを防止し、高粘度の薬液ＣＭをスリットノズル３の全体から吐出できる。これにより、安定した吐出状態で基板Ｗ上に着液できる。そして、その後の吐出工程Ｄ２においても安定した吐出状態を維持することができる。その結果、薬液ＣＭの吐出による薬液膜Ｆの塗布ムラを抑制できる。

また、図１２は、４つの吐出工程Ｄ１１〜Ｄ１４を有する塗布条件の一例を示す図である。吐出工程Ｄ１１〜Ｄ１４は、吐出工程Ｄ１１，吐出工程Ｄ１２，吐出工程Ｄ１３，吐出工程Ｄ１４の順番で行われる。吐出工程Ｄ１１，Ｄ１２は、基板Ｗの停止状態で行われる。吐出工程Ｄ１１，Ｄ１２は、図１１の吐出工程Ｄ１を更に複数の吐出工程に設定したものである。その後、吐出工程Ｄ１３，Ｄ１４は、基板Ｗの回転状態で行われる。吐出工程Ｄ１３，Ｄ１４は、図１１の吐出工程Ｄ２を更に複数の吐出工程に設定したものである。

図１１の吐出工程Ｄ２、および図１２の吐出工程Ｄ１３，Ｄ１４において、吐出量は、目標膜厚に必要な量が設定される。また、吐出工程Ｄ２および吐出工程Ｄ１３，Ｄ１４において、基板Ｗを回転させる際に、回転速度は固定されるが、基板Ｗの回転速度を変化させてもよい。基板Ｗの回転速度を変化させる場合、例えば、回転速度を小さくすれば、薬液膜Ｆが厚くなり、回転速度を大きくすれば、薬液膜Ｆは薄くなる。そのため、基板Ｗ上に薬液膜Ｆを形成する過程で塗布ムラがある場合に薬液膜Ｆを均一に調整することができる。例えば、実際の吐出レートが、薬液ＣＭの粘度による抵抗により、設定値に満たない場合は、回転速度を低めに設定し、途中で上げるように設定してもよい。

また、基板Ｗを回転させる際に、薬液ＣＭの吐出レートに応じて基板Ｗの回転速度を変化させてもよい。これにより、例えば異なる２以上の吐出レートが設定されている場合等、吐出レートに最適な回転速度で薬液膜Ｆを均一に調整することができる。例えば、図１２の吐出工程Ｄ１３，Ｄ１４の吐出レートに応じて、最適な回転速度を変更してもよい。このとき、吐出工程Ｄ１４は、吐出工程Ｄ１３よりも回転速度が大きくてもよい。なお、基板Ｗを１回転させる回転方向はどちらでもよい。

〔ステップＳ０３〕薬液吐出および基板回転の停止
図１３は、薬液吐出および基板Ｗ回転のタイミング図の一例である。なお、図１３では、図１１のような、２つの吐出工程Ｄ１，Ｄ２が行われるとする。また、図１３において、時間ｔ１は、吐出工程Ｄ１の開始を示し、時間ｔ２は、吐出工程Ｄ１から吐出工程Ｄ２への切替と、基板Ｗの回転の開始を示す。

時間ｔ３において、基板Ｗが１回転（３６０°）する直前に、開閉弁Ｖを閉じることで薬液ＣＭの吐出を停止させる。その後、時間ｔ４において、基板Ｗが略１回転した時に、保持回転部２は基板Ｗの回転を停止する（図１４参照）。基板Ｗ上には、基板Ｗの外縁部Ｅに沿って円形に薬液膜Ｆが形成される。また、図１５の破線の位置で薬液吐出を停止した後、図１５の実線のように基板Ｗを少し回転させている。これにより、基板Ｗ上に形成された薬液膜Ｆとスリット開口部３ｃとの間の薬液ＣＭが引っ張られた状態になる。

〔ステップＳ０４〕スリットノズルの退避移動
基板Ｗの回転の停止直後、ノズル移動機構１５は、スリットノズル３を下降させる（図１６参照）。例えば、直前に形成された薬液膜Ｆの目標膜厚が０．０７ｍｍであるとする。基板Ｗの回転を停止した直後、スリットノズル３を下降させる。この時、スリットノズル３の下面３ｄが薬液膜Ｆの目標膜厚０．０７ｍｍと同じになるようにスリットノズル３を下降させる。すなわち、下降後のスリットノズル３の下面３ｄと基板Ｗの表面との隙間Ｇを０．０７ｍｍとして、スリットノズル３の下面３ｄを薬液ＣＭの表面と接する高さに移動させる。なお、図１５の薬液ＣＭは、引っ張られているので、スリットノズル３を下降させた際に、下降部分の薬液膜Ｆが厚くならず、塗布終了時点での薬液膜Ｆの形成状態を比較的良好にすることができる。また、スリットノズル３の下面３ｄを薬液膜Ｆの目標膜厚に下降させることで、スリットノズル３と基板Ｗとの間に薬液ＣＭで満たされる。すなわち、スリット開口部３ｃは、薬液膜Ｆで塞がれるので、スリットノズル３からの薬液ＣＭの垂れ落ちが防止される。

スリットノズル３の下降後、ノズル移動機構１５は、スリットノズル３の下面３ｄを基板Ｗ上に形成された薬液膜Ｆの目標膜厚と同じ高さに維持し、かつスリットノズル３と基板Ｗとの間に薬液ＣＭを満たした状態で、スリットノズル３を基板Ｗの半径方向ＲＤ外側へ退避移動させる。（図１７，図１８参照）。このスリットノズル３の退避移動の速度は、予め設定された値に固定して行ってもよいし、退避移動の途中で変えてもよい。

例えば、スリットノズル３の下面３ｄを薬液膜Ｆの目標膜厚よりも高い高さ位置を維持して、スリットノズル３を基板Ｗ表面に沿って基板外に移動させたとする。この場合、スリットノズル３から薬液ＣＭが垂れ落ちるおそれがある。スリットノズル３の下面３ｄを薬液膜Ｆの目標膜厚よりも高い位置で、薬液ＣＭの吐出を停止すると、このときスリット開口部３ｃの全長に亘って同時に薬液ＣＭの吐出を停止させることは困難である。つまり、スリット開口部３ｃの一部から薬液ＣＭが垂れ落ちる現象が生じる。また、スリット開口部３ｃと薬液膜Ｆとの間にカーテン状の薬液ＣＭが存在する場合があるとする。この場合、スリットノズル３の下面３ｄを薬液膜Ｆの目標膜厚よりも高い高さ位置を維持すると、自重によりカーテン状の薬液ＣＭが崩れる（垂れ落ちる）。そのため、垂れ落ちた薬液ＣＭで膜厚にムラが生じる。しかしながら、基板Ｗの回転停止直後に、スリットノズル３の下面３ｄを薬液ＣＭの表面と接する高さに下降させることで、スリットノズル３の下面３ｄと基板Ｗとの間は、薬液ＣＭで満たされる。すなわち、スリット開口部３ｃは、薬液膜Ｆで塞がれるので、スリットノズル３からの薬液ＣＭの垂れ落ちが防止される。その結果、垂れ落ちた薬液ＣＭで膜厚にムラが生じることを抑制できる。なお、図１８において、塗布開始時点ＳＰと塗布終了時点ＥＰとの間が開いているが、時点ＳＰでの薬液膜Ｆと時点ＥＰでの薬液膜Ｆとが接していることが好ましい。

基板Ｗの表面に沿って基板Ｗ外にスリットノズル３を移動させた後、ノズル移動機構１５は、スリットノズル３を適宜上昇させつつ、スリットノズル３を待機ポット９に移動させる（図１９参照）。待機ポット９では、スリットノズル３の先端を貯留槽の溶剤に浸けたり、スリットノズル３を溶剤雰囲気中に配置させたりする。

〔ステップＳ０５〕薬液膜の平坦化処理
スリットノズル３の基板Ｗ外への退避後、基板Ｗ上の薬液膜Ｆを平坦にする平坦化処理を行う。これにより、基板Ｗ上に薬液膜Ｆを均一に形成した後、平坦化工程により薬液膜Ｆを、更に均一にすることができる。保持回転部２は、基板Ｗ上の薬液ＣＭがこぼれない程度の回転速度で短時間、回転させる。基板Ｗを回転させると、塗布開始時点ＳＰと塗布終了時点ＥＰの薬液膜Ｆの間の隙間を埋めつつ、薬液ＣＭが基板Ｗの中心部ＣＴから基板Ｗの外縁部Ｅに移動する。これにより、スリットノズル３を基板Ｗ外に移動させた後に、基板Ｗ外に薬液ＣＭを排出させずに、薬液膜Ｆの面内均一性を向上できる。

なお、回転させて基板Ｗ上で薬液ＣＭを流動させることにより、中心部ＣＴ側よりも外縁部Ｅ側の膜厚が厚くなる可能性がある。この場合、外縁部Ｅの薬液膜Ｆを溶剤でリング状に処理する（すなわちエッジリンス処理）ことにより、外縁部Ｅの厚めの薬液膜Ｆを除去することができる。

また、図２０のように、塗布開始時点ＳＰでの薬液膜Ｆの膜厚が塗布終了時点ＥＰでの薬液膜Ｆの膜厚よりも厚い場合があるとする。この場合に、ステップＳ０２における、スリットノズル３に対する基板Ｗの回転方向と、逆方向に基板Ｗを回転させる。これにより、膜厚が厚い塗布開始地点ＳＰから膜厚が薄い塗布終了地点ＥＰに向けて、基板Ｗ上に形成された薬液膜Ｆが流動される。そのため、塗布開始地点ＳＰと塗布終了地点ＥＰとの継ぎ目部分においても薬液膜Ｆの面内均一性を向上できる（図２１参照）。

以上により、基板Ｗ上に薬液膜Ｆを形成する。この後、保持回転部２は、基板Ｗの保持を解除する。この時、基板Ｗの回転は停止している。基板Ｗの保持解除後、図示しない搬送機構は、保持回転部２上の基板Ｗを例えば次の工程の基板処理装置に搬送する。

本実施例によれば、薬液ＣＭの吐出および基板Ｗの回転をそれぞれ停止した後、スリットノズル３と基板Ｗとの間に薬液ＣＭを満たした状態で、スリットノズル３を基板Ｗの半径方向ＲＤ外側へ退避移動させる。例えば、スリットノズル３の下面３ｄを目標膜厚よりも高い位置に配置して、スリットノズル３からの薬液ＣＭの吐出を停止したとする。このときスリット開口部３ｃの全長に亘って同時に薬液ＣＭの吐出を停止させることは困難である。つまり、スリット開口部３ｃの一部から薬液が垂れ落ちる現象が生じる。その結果、スリットノズル３を基板Ｗの外側へ退避移動させるときに、垂れ落ちた部分で薬液膜Ｆが盛り上がり、塗布ムラが生じる。しかしながら、本実施例において、スリットノズル３の退避移動は、スリットノズル３の下面３ｄが基板Ｗ上に形成された薬液膜Ｆの目標膜厚と同じ高さで行われる。これにより、スリットノズル３から薬液ＣＭが垂れ落ちることが防止される。しかも、本実施例において、基板Ｗの半径に沿って配置されたスリットノズル３を半径方向ＲＤに退避移動させているので、吐出停止位置における薬液膜Ｆが退避移動中のスリットノズル３の下面３ｄで平坦化される。仮にスリットノズル３の下面３ｄの薬液膜厚に僅かのばらつきが生じても、その影響は半径方向ＲＤの直線状のスリット移動軌跡上に限定される。すなわち、退避移動の軌跡の影響は、最小限に抑えられる。そのため、基板Ｗ上に薬液膜Ｆを均一に形成できる。

また、スリットノズル３を基板Ｗの半径方向ＲＤに沿って配置し、このスリットノズル３から基板Ｗ上に薬液ＣＭを吐出する。そして、基板Ｗの中心部ＣＴ周りに、スリットノズル３に対して基板Ｗを回転させる。これにより、スリットノズル３から吐出された薬液ＣＭが全て基板Ｗ上に着液して良好な液柱が形成される。そして、基板Ｗの外縁部Ｅに沿って基板Ｗの略全面に薬液膜Ｆが形成される。そのため、無駄な薬液ＣＭを抑えつつ、基板Ｗ上に良好に薬液ＣＭを塗布することができる。

また、薬液ＣＭを吐出する際に、スリットノズル３の下面３ｄを薬液膜Ｆの目標膜厚よりも高い高さ位置に設定している。この場合、更に、スリットノズル３の退避移動の前に、スリットノズル３の下面３ｄを薬液膜Ｆの目標膜厚と同じとなるように、スリットノズル３を下降させ、その後、スリットノズル３を退避移動させている。これにより、スリットノズル３の下面３ｄを薬液膜Ｆの目標膜厚よりも高い高さ位置に設定した場合であっても、スリットノズル３の退避移動は、スリットノズル３の下面３ｄが目標膜厚と同じ高さで行われる。そのため、スリットノズル３から薬液ＣＭが垂れ落ちることが防止できる。

本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。

（１）上述した実施例では、基板Ｗ表面に沿った方向におけるスリットノズル３の位置を固定して薬液ＣＭを吐出している。基板Ｗの中心部ＣＴからスリットノズル３が離れた状態を維持すると、中心部ＣＴに薬液膜Ｆが形成されず、一方、基板Ｗの中心部ＣＴにスリットノズル３が近づいた状態を維持すると、中心部ＣＴに形成される薬液膜Ｆが盛り上がる。そのため、基板Ｗの中心部ＣＴ付近で塗布ムラが生じる。したがって、次のように、塗布してもよい。

ノズル移動機構１５は、薬液ＣＭの吐出開始前に、スリットノズル３のスリット開口部３ｃにおける基板Ｗの中心部ＣＴ側の端部３１が基板Ｗの中心部ＣＴよりも外側に位置するように、スリットノズル３を配置させる。その後、薬液ＣＭを吐出しつつ基板Ｗを回転している間、ノズル移動機構１５は、スリットノズル３を基板Ｗの半径方向ＲＤに沿って基板Ｗの中心部ＣＴ方向に移動させる（図２２参照）。そして、薬液ＣＭの吐出停止時（例えば基板Ｗが略１回転されたとき）に、スリット開口部３ｃの端部３１が基板Ｗのほぼ中心部ＣＴに位置するように、スリットノズル３を移動させる。これにより、基板Ｗ上に薬液膜Ｆが渦状に塗布される。そのため、基板Ｗの中心部ＣＴ付近で生じる塗布ムラが抑制できる。したがって、基板Ｗ上に薬液膜Ｆを均一に形成できる。

（２）上述した実施例および変形例（１）では、基板Ｗ上に薬液膜Ｆを形成するときに、保持回転部２により基板Ｗを回転させていた。この点、基板Ｗの中心部ＣＴ周りに、スリットノズル３を回転させて、基板Ｗ上に薬液膜Ｆを形成してもよい。この場合、ノズル移動機構１５は、電動モータなどを更に備え、基板Ｗの中心部ＣＴ周りに、基板Ｗに対してスリットノズル３を回転させてもよい。

（３）上述した実施例および各変形例では、図１１では２つの吐出レートで、図１２では４つの吐出レートで、順番に薬液ＣＭを吐出している。この点、その他の２つ以上の吐出レートで順番に薬液ＣＭを吐出してもよい。２つ以上の吐出レートにより、薬液吐出による塗布ムラを抑制できる。

（４）上述した実施例および各変形例では、ステップＳ０３において、基板Ｗが１回転する直前に薬液ＣＭの吐出を停止させ、その後、基板Ｗが略１回転した時に基板Ｗの回転を停止した。すなわち、薬液ＣＭの吐出停止に対して基板Ｗの回転が遅れて停止した。この点、例えば、薬液ＣＭの吐出と基板Ｗの回転を同時に停止させてもよい。

（５）上述した実施例および各変形例では、薬液ＣＭの吐出および基板Ｗ回転の停止後に、薬液膜Ｆの目標膜厚と同じとなるように、スリットノズル３を下降させている。このスリットノズル３の下降は、基板Ｗの回転を停止する前から行われていてもよい。この時、スリットノズル３の下降は、回転停止の前後、または回転停止の同時に終了してもよい。

（６）上述した実施例および各変形例では、図６において、スリットノズル３を退避させるステップＳ０４の後、薬液膜Ｆの平坦化処理のステップＳ０５を行っている。ステップＳ０４の終了後に薬液膜Ｆが十分に平坦であれば、ステップＳ０５を省略してもよい。

（７）上述した実施例および各変形例では、薬液ＣＭを吐出するステップＳ０２において、スリットノズル３の下面３ｄは、薬液膜Ｆの目標膜厚よりも高い高さ位置に設定されていた（図１４の隙間Ｇ参照）。この点、下面３ｄは、薬液膜Ｆの目標膜厚よりも低い高さ位置に設定されてもよい。この場合、スリットノズル３を退避移動させるステップＳ０４において、スリットノズル３の退避移動の前に、スリットノズル３の下面３ｄを薬液膜Ｆの目標膜厚となるように、スリットノズル３を上昇させる。すなわち、スリットノズル３の下面３ｄを薬液膜Ｆの略表面と同じ高さ位置にする。その後、スリットノズル３を退避移動させる。

本変形例の塗布方法では、スリットノズル３の下面３ｄは、薬液膜Ｆの目標膜厚よりも低い高さ位置に設定される。そして、スリットノズル３から薬液ＣＭを吐出して、基板Ｗに薬液ＣＭを押し付けて広げながら薬液膜Ｆを形成する。そのため、スリットノズル３は薬液膜Ｆに埋まるので、このまま、スリットノズル３を退避移動させると、形成された薬液膜Ｆの薬液ＣＭを引き連れてしまうおそれがある。そうすると、塗布ムラが生じる。しかしながら、スリットノズル３の下面３ｄを薬液膜Ｆの目標膜厚と同じ高さ位置に、スリットノズル３を上昇させるので、薬液ＣＭを引き連れてしまうことを防止できる。

また、その他の例として、薬液ＣＭを吐出するステップＳ０２において、スリットノズル３の下面３ｄは、薬液膜Ｆの目標膜厚と同じ高さ位置に設定されてもよい。この場合、スリットノズル３を退避移動させるステップＳ０４において、スリットノズル３の下面３ｄを薬液膜Ｆの目標膜厚と同じ高さに維持した状態で、スリットノズル３を退避させる。これにより、薬液ＣＭの吐出からスリットノズル３の退避移動の前までに、スリットノズル３を下降または上昇させる必要がない。そのため、薬液ＣＭの塗布を効率よく行うことができる。

なお、薬液膜Ｆの目標膜厚と同じ高さ位置または、薬液膜Ｆの目標膜厚よりも高い高さ位置にスリットノズル３の下面３ｄが設定されると、スリットノズル３に薬液ＣＭが付着することを抑制できる。例えば付着した薬液ＣＭが乾燥すると、パーティクルの原因になるので、スリットノズル３の洗浄が必要になる。しかしながら、薬液ＣＭの付着が抑制されるので、洗浄が容易になる。

（８）上述した実施例および各変形例では、図４のように、スリット開口部３ｃは、中心部ＣＴから外縁部Ｅに向かうにつれて、幅ＷＤが大きくなっている。この点、中心部ＣＴ側よりも外縁部Ｅ側の方が、薬液の吐出量が多ければ、幅ＷＤは同じであってもよい。

（９）上述した実施例および各変形例では、図２のように、基板Ｗの中心部ＣＴから外縁部Ｅにかけて、スリット開口部３ｃおよび下面３ｄと、基板Ｗの表面との間の隙間Ｇは同じに設定されている。この点、基板Ｗの中心部ＣＴから外縁部Ｅに向かうにつれて、隙間Ｇは大きくなるように設定されていてもよい。

（１０）上述した実施例および各変形例では、図１３において、基板Ｗの回転開始は、吐出工程Ｄ２の開始（時間ｔ２）と同時である。この点、基板Ｗの回転開始は、薬液ＣＭの吐出開始（時間ｔ１）後から吐出工程Ｄ２の開始（時間ｔ２）前までに行ってもよいし、吐出工程Ｄ２の開始（時間ｔ２）後に行ってもよい。

（１１）上述した実施例および各変形例では、サックバック弁がスリットノズル３と開閉弁Ｖとの間の薬液配管１３に介在して設けられていてもよい。

（１２）上述した実施例および各変形例では、基板Ｗ上に薬液ＣＭを吐出しつつ基板Ｗを略１回転させた。必要により、基板Ｗの回転は、１回転よりも大きくてもよい。

１ … 塗布装置
２ … 保持回転部
３ … スリットノズル
３ｃ … スリット開口部
３ｄ … 下面
１１ … 薬液供給源
１５ … ノズル移動機構
２３ … 制御部
ＣＴ … 中心部
Ｅ … 外縁部
Ｇ … 隙間

Claims (14)

1. 円形基板上に薬液を塗布する塗布方法において、
   前記円形基板の半径に沿って配置されたスリットノズルから前記円形基板上に薬液を吐出する吐出工程と、
   前記円形基板の中心部周りに前記円形基板を少なくとも１回転させる回転工程と、
   前記薬液の吐出および前記円形基板の回転をそれぞれ停止する吐出回転停止工程と、
   前記吐出回転停止工程の後、前記スリットノズルの下面を前記円形基板上に形成された薬液膜の目標膜厚と同じ高さに維持し、かつ前記スリットノズルと前記円形基板との間に薬液を満たした状態で、前記スリットノズルを前記円形基板の半径方向外側へ退避移動させるノズル退避工程と、
   を備えていることを特徴とする塗布方法。
2. 請求項１に記載の塗布方法において、
   前記吐出工程において、前記スリットノズルの下面を前記薬液膜の目標膜厚よりも高い高さ位置に設定し、
   前記ノズル退避工程において、前記スリットノズルの退避移動の前に、前記スリットノズルの下面を前記薬液膜の目標膜厚と同じとなるように、前記スリットノズルを下降させ、その後、前記スリットノズルを退避移動させることを特徴とする塗布方法。
3. 請求項１に記載の塗布方法において、
   前記吐出工程において、前記スリットノズルの下面を前記薬液膜の目標膜厚よりも低い高さ位置に設定し、
   前記ノズル退避工程において、前記スリットノズルの退避移動の前に、前記スリットノズルの下面を前記薬液膜の目標膜厚と同じとなるように、前記スリットノズルを上昇させ、その後、前記スリットノズルを退避移動させることを特徴とする塗布方法。
4. 請求項１に記載の塗布方法において、
   前記吐出工程において、前記スリットノズルの下面を前記薬液膜の目標膜厚と同じ高さ位置に設定し、
   前記ノズル退避工程において、前記スリットノズルの下面を前記薬液膜の目標膜厚と同じ高さ位置に維持した状態で、前記スリットノズルを退避移動させることを特徴とする塗布方法。
5. 請求項１から４のいずれかに記載の塗布方法において、
   前記吐出工程において、単位時間当たりの薬液の吐出量である吐出レートを変化させることを特徴とする塗布方法。
6. 請求項５に記載の塗布方法において、
   前記吐出工程は、それぞれに異なる吐出レートに設定された第１吐出工程と第２吐出工程とを備え、
   前記第１吐出工程は、前記円形基板の回転が停止しているときに、前記第２吐出工程の吐出レートよりも大きく設定された第１吐出レートで前記スリットノズルから前記円形基板上に前記薬液を吐出し、
   前記第２吐出工程は、前記第１吐出工程の後、形成される薬液膜の目標膜厚になるように予め設定された第２吐出レートで前記スリットノズルから前記円形基板上に前記薬液を吐出し、
   前記回転工程は、前記第１吐出工程の後に前記円形基板を回転させることを特徴とする塗布方法。
7. 請求項１から６のいずれかに記載の塗布方法において、
   前記回転工程において、前記円形基板の回転速度を変化させることを特徴とする塗布方法。
8. 請求項７に記載の塗布方法において、
   前記回転工程において、前記薬液の吐出レートに応じて前記円形基板の回転速度を変化させることを特徴とする塗布方法。
9. 請求項１から８のいずれかに記載の塗布方法において、
   前記吐出回転停止工程において、前記円形基板が１回転する直前に薬液の吐出を停止させ、前記円形基板が１回転したときに前記円形基板の回転を停止することを特徴とする塗布方法。
10. 請求項１から９のいずれかに記載の塗布方法において、
    前記薬液の吐出開始時に、前記スリットノズルのスリット開口部における前記円形基板の中心部側の端部が前記円形基板の中心部よりも基板半径方向の外側に位置するように、前記スリットノズルを配置させ、その後、前記薬液を吐出しつつ前記円形基板を回転している間、前記スリットノズルを前記円形基板の半径方向に沿って前記円形基板の中心部方向に移動させ、前記薬液の吐出停止時に、前記スリット開口部の端部が前記円形基板の中心部に位置するように前記スリットノズルを移動させるノズル移動工程を更に備えていることを特徴とする塗布方法。
11. 請求項１から１０のいずれかに記載の塗布方法において、
    前記ノズル退避工程の後に、前記円形基板上の前記薬液膜を平坦にする平坦化工程を更に備えることを特徴とする塗布方法。
12. 請求項１１に記載の塗布方法において、
    前記平坦化工程は、前記円形基板上の薬液がこぼれない程度の回転速度で前記円形基板を回転させることを特徴とする塗布方法。
13. 請求項１１に記載の塗布方法において、
    前記平坦化工程は、塗布開始時点での薬液膜の膜厚が塗布終了時点での薬液膜の膜厚よりも厚い場合に、前記回転工程における前記円形基板の回転方向と逆方向に前記円形基板を回転させることを特徴とする塗布方法。
14. 請求項１から１３のいずれかに記載の塗布方法において、
    前記薬液の粘度は、３００ｃＰ以上１００００ｃＰ以下であることを特徴とする塗布方法。

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