JP2017187301A - 電流センサ - Google Patents

Abstract

【課題】大電流を検出する場合であってもシールド機能を維持でき、かつ渦電流による検出誤差を抑制することが可能な電流センサを提供する。【解決手段】測定対象となる電流が流れるバスバ２と、バスバ２を流れる電流により発生する磁界の強度を検出する磁気検出素子３と、バスバ２をバスバ２の厚さ方向に挟み込むように配置されている磁性材料からなる一対のシールド板４と、を備え、シールド板４は、導電性磁性材料からなる導電性シールド板４ａと、非導電性磁性材料からなる非導電性シールド板４ｂと、からなり、導電性シールド板４ａは、導電性シールド板４ａを貫通しているスリット部４ｃを有し、磁気検出素子３は、厚さ方向においてスリット部４ｃと重なる位置で、かつ、厚さ方向において導電性シールド板４ａと重ならない位置に配置されている。【選択図】図１

Description

本発明は、電流センサに関する。

従来、電流センサとして、測定対象となる電流により発生する磁界の強度を検出する磁気検出素子を備えたものが知られている。

特許文献１では、測定対象となる電流が流れる被測定導体及び磁気検出素子の周囲をシールド板（磁気シールド部）で囲むことで、外部からの磁界が磁気検出素子の検出結果に影響を及ぼさないようにした電流センサが記載されている。

特開２０１３−１１４６９号公報

しかしながら、シールド板を備えた電流センサでは、測定対象となる電流の周波数が大きくなると、シールド板に渦電流が発生し、当該渦電流により発生する磁界の影響により、検出誤差が発生してしまうという課題がある。

このような渦電流の影響は、例えばシールド板として非導電性磁性材料からなるものを用いることで抑制可能である。しかし、非導電性磁性材料は一般に導電性磁性材料と比較して飽和磁束密度が小さいため、測定対象となる電流が大きく当該電流により発生する磁界の強度が大きい場合には、非導電性磁性材料からなるシールド板が磁気飽和に達して外部からの磁界を遮蔽するシールド機能が失われてしまうおそれがある。

そこで、本発明は、大電流を検出する場合であってもシールド機能を維持でき、かつ渦電流による検出誤差を抑制することが可能な電流センサを提供することを目的とする。

本発明は、上記課題を解決することを目的として、測定対象となる電流が流れるバスバと、前記バスバを流れる電流により発生する磁界の強度を検出する磁気検出素子と、前記バスバを前記バスバの厚さ方向に挟み込むように配置されている磁性材料からなる一対のシールド板と、を備え、前記シールド板は、導電性磁性材料からなる導電性シールド板と、非導電性磁性材料からなる非導電性シールド板と、からなり、前記導電性シールド板は、前記導電性シールド板を貫通しているスリット部を有し、前記磁気検出素子は、前記厚さ方向において前記スリット部と重なる位置で、かつ、前記厚さ方向において前記導電性シールド板と重ならない位置に配置されている、電流センサを提供する。

本発明によれば、大電流を検出する場合であってもシールド機能を維持でき、かつ渦電流による検出誤差を抑制することが可能な電流センサを提供できる。

本発明の一実施の形態に係る電流センサを示す図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）はそのＡ−Ａ線断面図である。 図１の電流センサにおけるスリット部、貫通孔、及び磁気検出素子の位置関係を説明する説明図である。 本発明の一変形例に係る電流センサにおいて、スリット部、貫通孔、及び磁気検出素子の位置関係を説明する説明図である。 測定対象となる電流の周波数と検出される磁束密度との関係を示すグラフ図である。 本発明の一変形例に係る電流センサを示す斜視図である。

［実施の形態］
以下、本発明の実施の形態を添付図面にしたがって説明する。

図１は、本実施の形態に係る電流センサを示す図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）はそのＡ−Ａ線断面図である。

図１（ａ），（ｂ）に示すように、電流センサ１は、測定対象となる電流が流れるバスバ２と、バスバ２を流れる電流により発生する磁界の強度を検出する磁気検出素子３と、バスバ２をバスバ２の厚さ方向に挟み込むように配置されている磁性材料からなる一対のシールド板４と、を備えている。

バスバ２は、銅やアルミニウム等の電気良導体からなる板状の導体であり、電流を流す電流路となるものである。バスバ２は、例えば電気自動車やハイブリッド車におけるモータとインバータ間の電源ラインとして用いられるものである。バスバ２を流れる電流は、例えば、定常時で２００Ａ、異常時等の突入電流で最大８００Ａ程度であり、その周波数は、例えば最大１００ｋＨｚである。本実施の形態では、バスバ２の長手方向に沿って電流が流れている。

磁気検出素子３は、検出軸Ｄに沿った方向の磁界の強度（磁束密度）に応じた電圧の出力信号を出力するように構成されている。本実施の形態では、磁気検出素子３として、高い感度を有するＧＭＲ（Giant Magneto Resistive effect）センサを用いた。

シールド板４は、外部からの磁界が磁気検出素子３の検出結果に影響を及ぼさないように、外部からの磁界を遮蔽するためのものである。シールド板４は、バスバ２を厚さ方向から挟み込むようにバスバ２と離間して配置されている。また、シールド板４は、その表面がバスバ２の表面に対して平行となるように（シールド板４の表面の法線方向がバスバ２の厚さ方向と一致するように）配置されている。シールド板４の詳細については後述する。

本実施の形態では、バスバ２には、貫通孔５が形成されている。貫通孔５は、バスバ２を貫通するように形成されており、貫通孔５の周囲はバスバ２で囲まれている。つまり、貫通孔５は、その一部がバスバ２の側方に開口する切欠き状に形成されるものではない。貫通孔５を形成することで、貫通孔５の両側に電流路６が形成されることになる。

本実施の形態では、貫通孔５は、バスバ２の幅方向における中央部に形成されている。貫通孔５の両側に形成される電流路６は、同じ幅に形成されている。なお、本実施の形態では、バスバ２の幅方向における中央部に貫通孔５を形成したが、貫通孔５はバスバ２の幅方向における中央からずれた位置に形成されていてもよい。つまり、貫通孔５の両側の電流路６の幅が互いに異なっていてもよい。

貫通孔５内では、両電流路６で発生した磁界が互いに打ち消し合う。つまり、貫通孔５を形成することで、貫通孔５内や貫通孔５の近傍における磁界の強度を小さくすることができる。

本実施の形態では、磁気検出素子３は、バスバ２の厚さ方向において貫通孔５と重なる位置に配置されている。換言すれば、磁気検出素子３は、バスバ２の厚さ方向の一方から見た平面視において、貫通孔５と重なる位置に配置されている。なお、「磁気検出素子３はバスバ２の厚さ方向において貫通孔５と重なる位置に配置されている」とは、図１（ｂ）における上方（または下方）から見た平面視において、磁気検出素子３の少なくとも一部が貫通孔５と重なる位置に配置されていることを意味しており、例えば磁気検出素子３の一部のみが平面視で貫通孔５と重なる位置に配置されている場合も含まれる。また、磁気検出素子３は、図１（ｂ）の断面視において、その一部が貫通孔５内に配置されていてもよいし、磁気検出素子３の全体が貫通孔５の外部（貫通孔５の上下）に配置されていてもよい。なお、本実施の形態では、磁気検出素子３は、両シールド板４の間に、両シールド板４と離間して配置されている。

バスバ２に貫通孔５を形成し、かつ、バスバ２の厚さ方向において貫通孔５と重なる位置に磁気検出素子３を配置することによって、バスバ２に大電流が流れる場合であっても、磁気検出素子３で検出される磁界を小さくすることが可能になる。その結果、バスバ２に流れる電流が大電流である場合であっても、検出可能な磁界の強度の範囲が狭いＧＭＲセンサ等を磁気検出素子３として用いることが可能となり、高精度な電流検出が可能となる。

磁気検出素子３は、基板７に搭載されている。磁気検出素子３は、基板７をバスバ２とシールド板４の間に挿し込むことで、平面視で貫通孔５と重なる位置に配置されている。基板７は、ガラスエポキシ等の樹脂から構成されている。

磁気検出素子３として用いるＧＭＲセンサは、その検出軸Ｄが搭載される基板７の表面に沿った方向となる。そこで、本実施の形態では、磁気検出素子３は、その検出軸Ｄがバスバ２の幅方向に沿うように配置されている。なお、検出軸Ｄがバスバ２の厚さ方向に沿うように磁気検出素子３を配置してもよいが、この場合、基板７の先端部を９０度折り曲げ、その折り曲げた部分に磁気検出素子３を搭載する必要が生じ、電流センサ１の構造が複雑になる。

図示していないが、両シールド板４の間には、モールド樹脂が充填され、両シールド板４と磁気検出素子３とバスバ２と基板７とが、モールド樹脂により一体に構成されている。モールド樹脂は、磁気検出素子３、バスバ２、および両シールド板４の位置関係を一定に保ち振動等による検出誤差を抑制する役割と、シールド板４間に異物が侵入することによる検出誤差を抑制する役割とを兼ねている。

さて、本実施の形態に係る電流センサ１では、両シールド板４は、導電性磁性材料からなる導電性シールド板４ａと、非導電性磁性材料からなる非導電性シールド板４ｂと、からなる。導電性シールド板４ａに用いる導電性磁性材料としては、例えばケイ素鋼やパーマロイが挙げられる。非導電性シールド板４ｂに用いる非導電性磁性材料としては、例えばフェライトが挙げられる。

本実施の形態に係る電流センサ１では、導電性シールド板４ａは、導電性シールド板４ａを貫通しているスリット部４ｃを有しており、磁気検出素子３は、厚さ方向においてスリット部４ｃと重なる位置で、かつ、厚さ方向において導電性シールド板４ａと重ならない位置に配置されている。

つまり、本実施の形態では、シールド板４が導電性シールド板４ａと非導電性シールド板４ｂとを積層した積層構造となっており、磁気検出素子３と厚さ方向に重なる位置（磁気検出素子３の上下）の導電性シールド板４ａにスリット部４ｃが形成されている。本実施の形態では、磁気検出素子３と厚さ方向に重なる位置（磁気検出素子３の上下）のシールド板４は、非導電性シールド板４ｂのみで構成されている。

非導電性シールド板４ｂは非導電性であるため、バスバ２に流れる電流の周波数が高い場合であっても渦電流が発生しない。しかし、非導電性シールド板４ｂは飽和磁束密度が小さいため、バスバ２に流れる電流が大きいと磁気飽和に達してシールド機能が失われてしまうおそれがある。

そこで、本実施の形態では、非導電性シールド板４ｂに、飽和磁束密度が大きい導電性シールド板４ａを重ね合わせることで、バスバ２に流れる電流が大電流である場合であっても、シールド機能を維持できるように構成している。

ただし、導電性シールド板４ａは導電性であるため、バスバ２に流れる電流の周波数が高いと導電性シールド板４ａには渦電流が発生してしまう。そこで、本実施の形態では、磁気検出素子３の上下の導電性シールド板４ａにスリット部４ｃを形成することで、導電性シールド板４ａと磁気検出素子３とを離間させ、導電性シールド板４ａに発生する渦電流の影響を抑制している。

図１及び図２に示すように、本実施の形態では、導電性シールド板４ａに帯状のスリット部４ｃを形成しており、スリット部４ｃは、バスバ２の長さ方向（図２の左右方向）に導電性シールド板４ａを２分割するように形成されている。

なお、これに限らず、図３に示すように、スリット部４ｃは、バスバ２の幅方向（図３の上下方向）に導電性シールド板４ａを２分割するように形成されていてもよい。ただし、導電性シールド板４ａに発生する渦電流は、図３に破線矢印で示されるようにバスバ２の長さ方向に沿った方向となるので、この場合、渦電流の影響を抑制するためには、スリット部４ｃの幅（図示上下方向の幅）を大きくして、磁気検出素子３から導電性シールド板４ａをより離間させる必要が生じる。その結果、非導電性シールド板４ｂのみでシールド機能を維持する範囲が大きくなる。

これに対して、図２のように、導電性シールド板４ａを長さ方向に２分割するようにスリット部４ｃを形成することで、スリット部４ｃにより渦電流が遮断されることになるため、スリット部４ｃの幅（図２における左右方向の幅）をより小さくして、導電性シールド板４ａを磁気検出素子３により近接させても、渦電流の影響を抑制することが可能になる。その結果、非導電性シールド板４ｂのみでシールド機能を維持する範囲を小さくすることが可能になる。

非導電性シールド板４ｂのみでシールド機能を維持する範囲が大きいと、バスバ２を流れる電流の大きさによっては、非導電性シールド板４ｂが磁気飽和に達し、シールド機能を維持できなくなるおそれが生じる。よって、シールド機能を維持するという観点から、スリット部４ｃの幅をより小さくしても渦電流の影響を抑制することが可能な図２の構成とすること、すなわち、導電性シールド板４ａを長さ方向に２分割するようにスリット部４ｃを形成することが、より望ましいといえる。

このように、渦電流の影響を抑制する観点からは、スリット部４ｃの幅をできるだけ大きくして、磁気検出素子３から導電性シールド板４ａをなるべく離間させることが望ましいが、スリット部４ｃの幅を大きくし過ぎると、非導電性シールド板４ｂのみでシールド機能を維持する範囲が大きくなり、非導電性シールド板４ｂが磁気飽和に達しやすくなり、シールド機能を維持できなくなるおそれが生じる。

よって、バスバ２を流れる電流の大きさを考慮し、渦電流の影響を十分に抑制でき、かつ、非導電性シールド板４ｂの磁気飽和を抑制してシールド機能を十分に維持可能な適切な幅に、スリット部４ｃを形成することが望ましいといえる。なお、図２及び図３では、スリット部４ｃの位置関係を理解し易くするために、非導電性シールド板４ｂを省略して示している。

磁気検出素子３と導電性シールド板４ａとを十分に離間させるために、スリット部４ｃは、平面視で貫通孔５の全体を覆うように（つまり導電性シールド板４ａが平面視で貫通孔５と重ならないように）形成されることが望ましい。換言すれば、貫通孔５は、厚さ方向においてスリット部４ｃと重なる位置で、かつ、厚さ方向において導電性シールド板４ａと重ならない位置に形成されることが望ましいといえる。

さらに、渦電流の影響は磁気検出素子３が導電性シールド板４ａに近づくほど大きくなるので、磁気検出素子３は、その中心（幅方向及び長さ方向の中心）が、スリット部４ｃの幅方向（図２における左右方向、図３における上下方向）における中心に対して、厚さ方向に重なる位置に配置されること（つまり磁気検出素子３が平面視でスリット部４ｃの幅方向における中央に配置されること）が望ましいといえる。

本実施の形態では、バスバ２の上下に配置される導電性シールド板４ａの両方に、同じ幅のスリット部４ｃを形成したが、両導電性シールド板４ａに形成されるスリット部４ｃの幅は異なっていてもよい。

また、上述のように、非導電性シールド板４ｂは、導電性シールド板４ａと比較して飽和磁束密度が小さいので、非導電性シールド板４ｂは、導電性シールド板４ａよりもバスバ２から離れた位置に配置されることが望ましい。本実施の形態では、シールド板４のバスバ２側に導電性シールド板４ａを配置し、バスバ２と反対側に非導電性シールド板４ｂを配置している。これにより、シールド機能をより維持し易くなる。

また、導電性シールド板４ａと非導電性シールド板４ｂとは、磁気的に密接して配置されることが望ましい。これは、導電性シールド板４ａと非導電性シールド板４ｂとが磁気的に密接して配置されていると、両シールド板４ａ，４ｂが全体として１つの磁性体として機能し、シールド機能をより向上することができるためである。なお、導電性シールド板４ａと非導電性シールド板４ｂとが直接接触している必要はなく、例えば両シールド板４ａ，４ｂ間に数μｍ程度の隙間があってもよい。また、例えば導電性シールド板４ａの表面に樹脂コーティングがなされており、樹脂コーティングを介して両シールド板４ａ，４ｂが積層されていてもよい。

ここで、バスバ２を流れる電流（測定対象となる電流）の周波数と、磁気検出素子３で検出される磁束密度との関係を図４に示す。なお、図４では、周波数１Ｈｚ（０．００１ｋＨｚ）における磁束密度で規格化を行った磁束密度の値を縦軸として示している。また、各周波数での電流値は同じ値とした。

図４に示すように、磁気検出素子３で検出される磁束密度は、電流値が一定であっても周波数によって変化しており、周波数依存性を有している。この周波数依存性の原因としては、上述の渦電流の影響の他に、表皮効果による電流分布の変化等が挙げられる。

図４に実線で示されるように、本実施の形態に係る電流センサ１では、渦電流の影響が抑制されているため、周波数が大きくなるほど検出される磁束密度が減少する単純減少の周波数特性を示す。このような単純減少の周波数特性は、後に容易に補正を行うことが可能である。

これに対して、図４に破線で示されるように、シールド板４を導電性シールド板４ａのみで構成した比較例では、周波数１０ｋＨｚ程度で一旦検出される磁束密度が減少し、さらに周波数を高くすると渦電流の影響により検出される磁束密度が増加する、といった複雑な周波数特性を示す。このような複雑な周波数特性は、後に適切な補正を行うことが容易ではない。

このように、本実施の形態に係る電流センサ１によれば、渦電流の影響を抑制して単純減少の周波数特性を実現でき、磁気検出素子３で検出した磁束密度を、電流の周波数に応じて容易に補正することが可能になる。

本実施の形態では、電流の検出対象となるバスバ２が１本である場合を説明したが、電流の検出対象となるバスバ２が複数存在する場合にも、本発明は適用可能である。

例えば、図５に示す電流センサ５１のように、電流の検出対象となるバスバ２が３本である場合、各バスバ２を同一平面上に整列配置した状態とし、各バスバ２を一括して挟み込むように共通のシールド板４（導電性シールド板４ａ及び非導電性シールド板４ｂ）を設けるとよい。この際、平面視で各バスバ２の貫通孔５と重なる位置に、各バスバ２に対応した磁気検出素子３をそれぞれ配置する。各バスバ２の貫通孔５を幅方向に一直線状に整列して配置することで、共通の基板７に各バスバ２に対応した複数（ここでは３つ）の磁気検出素子３を搭載することが可能であり、簡単な構成で複数のバスバ２に流れる電流を検出することが可能になる。また、この場合、スリット部４ｃは、各磁気検出素子３および各貫通孔５の上下を通るように、導電性シールド板４ａを長さ方向に２分割するように形成されるとよい。各バスバ２に流れる電流は、例えば、インバータとモータ間を伝送される三相交流であってもよい。

（実施の形態の作用及び効果）
以上説明したように、本実施の形態に係る電流センサ１では、シールド板４は、導電性磁性材料からなる導電性シールド板４ａと、非導電性磁性材料からなる非導電性シールド板４ｂと、からなり、導電性シールド板４ａは、導電性シールド板４ａを貫通しているスリット部４ｃを有し、磁気検出素子３は、厚さ方向においてスリット部４ｃと重なる位置で、かつ、厚さ方向において導電性シールド板４ａと重ならない位置に配置されている。

このように構成することで、大電流を検出する場合であってもシールド板４の磁気飽和を回避し、静磁場外乱に対するシールド機能を維持でき、かつ渦電流による検出誤差を抑制することが可能になる。また、渦電流の影響を抑制することにより、磁気検出素子３で検出される磁束密度の周波数依存性（渦電流による磁束密度の急激な増加）を低減することが可能になり、磁気検出素子３で検出した磁束密度を、電流の周波数に応じて容易に補正することが可能になる。

（実施の形態のまとめ）
次に、以上説明した実施の形態から把握される技術思想について、実施の形態における符号等を援用して記載する。ただし、以下の記載における各符号等は、特許請求の範囲における構成要素を実施の形態に具体的に示した部材等に限定するものではない。

［１］測定対象となる電流が流れるバスバ（２）と、前記バスバ（２）を流れる電流により発生する磁界の強度を検出する磁気検出素子（３）と、前記バスバ（２）を前記バスバ（２）の厚さ方向に挟み込むように配置されている磁性材料からなる一対のシールド板（４）と、を備え、前記シールド板（４）は、導電性磁性材料からなる導電性シールド板（４ａ）と、非導電性磁性材料からなる非導電性シールド板（４ｂ）と、からなり、前記導電性シールド板（４ａ）は、前記導電性シールド板（４ａ）を貫通しているスリット部（４ｃ）を有し、前記磁気検出素子（３）は、前記厚さ方向において前記スリット部（４ｃ）と重なる位置で、かつ、前記厚さ方向において前記導電性シールド板（４ａ）と重ならない位置に配置されている、電流センサ（１）。

［２］前記スリット部（４ｃ）は、前記バスバ（２）の長さ方向に前記導電性シールド板（４ａ）を２分割するように形成されている、［１］に記載の電流センサ（１）。

［３］前記非導電性シールド板（４ｂ）は、前記導電性シールド板（４ａ）よりも前記バスバ（２）から離れた位置に配置されている、［１］または［２］に記載の電流センサ（１）。

［４］前記導電性シールド板（４ａ）と前記非導電性シールド板（４ｂ）とは、磁気的に密接して配置されている、［１］乃至［３］の何れか１項に記載の電流センサ（１）。

［５］前記バスバ（２）には、前記バスバ（２）を貫通する貫通孔（５）が形成され前記貫通孔（５）の両側に電流路（６）が形成されており、前記貫通孔（５）は、前記厚さ方向において前記スリット部（４ｃ）と重なる位置で、かつ、前記厚さ方向において前記導電性シールド板（４ａ）と重ならない位置に形成されており、前記磁気検出素子（３）は、前記厚さ方向において前記貫通孔（５）と重なる位置に配置されている、［１］乃至［４］の何れか１項に記載の電流センサ（１）。

以上、本発明の実施の形態を説明したが、上記に記載した実施の形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。

本発明は、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変形して実施することが可能である。

例えば、上記実施の形態では、バスバ２に貫通孔５を形成する場合を説明したが、これに限らず、貫通孔５を省略してもよい。貫通孔５を省略する場合、バスバ２の一方の表面と対向するようにバスバ２と一方のシールド板４との間に磁気検出素子３を配置するとよい。この場合、磁気検出素子３を配置する側と反対側に配置される他方のシールド板４で発生する渦電流の影響を受けにくくなるので、他方のシールド板４における導電性シールド板４ａのスリット部４ｃを省略してもよく、また、他方のシールド板４を導電性シールド板４ａのみで構成してもよい。

また、上記実施の形態では、導電性シールド板４ａをバスバ２の長さ方向に２分割する場合について説明したが、磁気検出素子３が渦電流の影響を受けない程度に磁気検出素子３から十分に離れた位置において、導電性シールド板４ａが長さ方向に連結されていてもよい。

さらに、上記実施の形態では、磁気検出素子３としてＧＭＲセンサを用いる場合を説明したが、これに限らず、磁気検出素子３として、ＡＭＲ（Anisotropic Magneto Resistive）センサ、ＴＭＲ（Tunneling Magneto Resistive）センサ、ホールＩＣ等の他の素子を用いることも可能である。ただし、高精度な電流検出を実現するため、なるべく精度の高い磁気検出素子３を用いることが望ましいといえる。

さらにまた、上記実施の形態では、磁気検出素子３を１つ用いる場合を説明したが、これに限らず、平面視で貫通孔５と重なる位置に複数（例えば２つ）の磁気検出素子３を配置するなどして、複数の磁気検出素子３の出力を基に電流検出を行うようにしてもよい。

１…電流センサ
２…バスバ
３…磁気検出素子
４…シールド板
４ａ…導電性シールド板
４ｂ…非導電性シールド板
４ｃ…スリット部
５…貫通孔
６…電流路
７…基板

Claims (5)

1. 測定対象となる電流が流れるバスバと、
   前記バスバを流れる電流により発生する磁界の強度を検出する磁気検出素子と、
   前記バスバを前記バスバの厚さ方向に挟み込むように配置されている磁性材料からなる一対のシールド板と、を備え、
   前記シールド板は、導電性磁性材料からなる導電性シールド板と、非導電性磁性材料からなる非導電性シールド板と、からなり、
   前記導電性シールド板は、前記導電性シールド板を貫通しているスリット部を有し、
   前記磁気検出素子は、前記厚さ方向において前記スリット部と重なる位置で、かつ、前記厚さ方向において前記導電性シールド板と重ならない位置に配置されている、
   電流センサ。
2. 前記スリット部は、前記バスバの長さ方向に前記導電性シールド板を２分割するように形成されている、
   請求項１に記載の電流センサ。
3. 前記非導電性シールド板は、前記導電性シールド板よりも前記バスバから離れた位置に配置されている、
   請求項１または２に記載の電流センサ。
4. 前記導電性シールド板と前記非導電性シールド板とは、磁気的に密接して配置されている、
   請求項１乃至３の何れか１項に記載の電流センサ。
5. 前記バスバには、前記バスバを貫通する貫通孔が形成され前記貫通孔の両側に電流路が形成されており、
   前記貫通孔は、前記厚さ方向において前記スリット部と重なる位置で、かつ、前記厚さ方向において前記導電性シールド板と重ならない位置に形成されており、
   前記磁気検出素子は、前記厚さ方向において前記貫通孔と重なる位置に配置されている、
   請求項１乃至４の何れか１項に記載の電流センサ。

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