JP2017183328A - Electronic device and manufacturing method of electronic device - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electronic device excellent in durability.SOLUTION: An electronic device 100 includes a substrate 20 containing a first elastomer, a relaxation member 70 containing a second elastomer, wiring 10 containing a third elastomer and a conductive filler, and a hard member 60 having an electrode 62. On the first principal surface 201 of the substrate 20, the wiring 10 and hard member 60 are provided. At least one side 104 of the first surface 601 of the hard member 60 where the electrode 62 is provided, and the wiring 10 are crossing in the plan view, and the relaxation member 70 is interposed between the side 104 and wiring 10.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は電子装置および電子装置の製造方法に関する。   The present invention relates to an electronic device and a method for manufacturing the electronic device.

近年、人間の身体等に装着可能なウェアラブルデバイス等の開発が盛んになされており、これに関連して、伸縮性を有する配線基板を用いた電子装置の機能向上が求められている。   In recent years, wearable devices that can be worn on a human body or the like have been actively developed, and in connection with this, there is a demand for improvement in functions of electronic devices using a wiring board having elasticity.

伸縮性を有する配線基板に関し、特許文献1には、エラストマーと、該エラストマー中に充填されている導電材と、を有する導電層と、該導電層を被覆するように配置されているエラストマー製の保護層と、を備えてなる導電膜が開示されている。特許文献1の記載によれば、係る導電膜は、伸長されても電気抵抗が増加しにくく、また、破断するおそれも少ないことが示されている。   Regarding a wiring board having stretchability, Patent Document 1 discloses that an elastomer, a conductive layer filled in the elastomer, a conductive layer, and an elastomer made to cover the conductive layer are arranged. A conductive film comprising a protective layer is disclosed. According to the description of Patent Document 1, it is shown that the conductive film is less likely to increase in electrical resistance even when stretched and is less likely to break.

特開2010−153821号公報JP 2010-153821 A

しかし、装置全体をさらに小型化する要求が高まってきていることもあり、電子装置、特に配線の耐久性について、さらなる向上の要求がある。   However, there is an increasing demand for further downsizing the entire device, and there is a demand for further improvement in durability of electronic devices, particularly wiring.

本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、耐久性に優れた電子装置を提供するものである。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides an electronic device having excellent durability.

本発明によれば、
第1のエラストマーを含む基板と、
第2のエラストマーを含む緩和部材と、
第3のエラストマーおよび導電性フィラーを含む配線と、
電極を有する硬質部材とを備え、
前記基板の第1主面に、前記配線および前記硬質部材が設けられており、
前記硬質部材の、前記電極が設けられた第1面の少なくとも一つの辺と、前記配線とは、平面視で交差しており、
前記辺と、前記配線との間には前記緩和部材が介在している、
電子装置
が提供される。
According to the present invention,
A substrate comprising a first elastomer;
A relaxation member comprising a second elastomer;
A wiring comprising a third elastomer and a conductive filler;
A hard member having an electrode,
The wiring and the hard member are provided on the first main surface of the substrate,
At least one side of the first surface of the hard member on which the electrode is provided and the wiring intersect with each other in plan view,
The relaxation member is interposed between the side and the wiring,
An electronic device is provided.

本発明によれば、
第1のエラストマーを含む基板を準備する工程と、
前記基板の第1主面に、電極を有する硬質部材を配置する工程と、
第2のエラストマーを含む緩和部材を形成する工程と、
前記基板の前記第1主面に、第3のエラストマーおよび導電性フィラーを含む配線を形成する工程とを含み、
前記硬質部材の、前記電極が設けられた第1面の少なくとも一つの辺と、前記配線とは、平面視で交差するように形成され、
前記緩和部材は、前記辺と、前記配線との間に介在するように形成される
電子装置の製造方法
が提供される。
According to the present invention,
Providing a substrate comprising a first elastomer;
Arranging a hard member having an electrode on the first main surface of the substrate;
Forming a relaxation member comprising a second elastomer;
Forming a wiring including a third elastomer and a conductive filler on the first main surface of the substrate,
At least one side of the first surface of the hard member on which the electrode is provided and the wiring are formed so as to intersect in plan view,
An electronic device manufacturing method is provided in which the relaxation member is formed so as to be interposed between the side and the wiring.

本発明によれば、
第1のエラストマーを含む基板と、電極を有し、前記基板の第1主面に少なくとも一部分が埋め込まれた硬質部材とを備える構造体を準備する工程と、
第2のエラストマーを含む緩和部材を形成する工程と、
前記基板の前記第1主面に、第3のエラストマーおよび導電性フィラーを含む配線を形成する工程とをこの順に含み、
前記硬質部材の、前記電極が設けられた第1面の少なくとも一つの辺と、前記配線とは、平面視で交差するように形成され、
前記緩和部材は、前記辺と、前記配線との間に介在するように形成される
電子装置の製造方法
が提供される。
According to the present invention,
Providing a structure including a substrate including a first elastomer, and a hard member having an electrode and having a hard member at least partially embedded in the first main surface of the substrate;
Forming a relaxation member comprising a second elastomer;
Forming a wiring including a third elastomer and a conductive filler on the first main surface of the substrate in this order,
At least one side of the first surface of the hard member on which the electrode is provided and the wiring are formed so as to intersect in plan view,
An electronic device manufacturing method is provided in which the relaxation member is formed so as to be interposed between the side and the wiring.

本発明によれば、耐久性に優れた電子装置を提供できる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the electronic device excellent in durability can be provided.

第1の実施形態に係る電子装置の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the electronic device which concerns on 1st Embodiment. 第1の実施形態に係る電子装置の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the electronic device which concerns on 1st Embodiment. (a)は、緩和部材を有さない電子装置の構成例を示す図である。(b)は、緩和部材を有さず、破断部が生じた電子装置の状態を示す図である。(A) is a figure showing an example of composition of an electronic device which does not have a relaxation member. (B) is a figure which shows the state of the electronic device which did not have a relaxation member and the fracture | rupture part produced. 第2の実施形態に係る電子装置の構造を示す図である。It is a figure which shows the structure of the electronic device which concerns on 2nd Embodiment. 第3の実施形態に係る電子装置の構造を示す図である。It is a figure which shows the structure of the electronic device which concerns on 3rd Embodiment. 第4の実施形態に係る電子装置の構造を示す図である。It is a figure which shows the structure of the electronic device which concerns on 4th Embodiment. 第5の実施形態に係る電子装置の構造を示す図である。It is a figure which shows the structure of the electronic device which concerns on 5th Embodiment. 第5の実施形態に係る電子装置の構造の変形例を示す図である。It is a figure which shows the modification of the structure of the electronic device which concerns on 5th Embodiment. 第6の実施形態に係る電子装置の構造を示す図である。It is a figure which shows the structure of the electronic device which concerns on 6th Embodiment.

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In all the drawings, the same reference numerals are given to the same components, and the description will be omitted as appropriate.

また、以下においては説明を簡単にするため、電子装置100の各構成要素の位置関係(上下関係等)が各図に示す関係であるものとして説明を行う場合がある。ただし、この説明における位置関係は、電子装置100の使用時や製造時の位置関係とは無関係である。   In addition, in the following, for the sake of simplicity of explanation, the positional relationship (vertical relationship and the like) of each component of the electronic device 100 may be described as the relationship illustrated in each drawing. However, the positional relationship in this description is irrelevant to the positional relationship when the electronic device 100 is used or manufactured.

なお、「〜」は特に断りがなければ、「以上」から「以下」を表す。   “˜” represents “from” to “below” unless otherwise specified.

(第1の実施形態)
図1および図2は、本実施形態に係る電子装置100の構成を示す図である。図2は、電子装置100を平面視した図であり、図1は図2のA−A'における断面図である。なお、以下において平面視とは、基板20の主面に垂直な方向から見た場合をいう。
(First embodiment)
1 and 2 are diagrams showing a configuration of the electronic device 100 according to the present embodiment. 2 is a plan view of the electronic device 100, and FIG. 1 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. In the following, the plan view refers to a case when viewed from a direction perpendicular to the main surface of the substrate 20.

第1の実施形態に係る電子装置100は、第1のエラストマーを含む基板20、第2のエラストマーを含む緩和部材70、第3のエラストマーおよび導電性フィラーを含む配線10、および電極62を有する硬質部材60を備える。基板20の第1主面201には、配線10および硬質部材60が設けられている。硬質部材60の、電極62が設けられた第1面601の少なくとも一つの辺104と、配線10とは、平面視で交差しており、辺104と配線10との間には、緩和部材70が介在している。以下に詳細を説明する。   The electronic device 100 according to the first embodiment includes a substrate 20 including a first elastomer, a relaxation member 70 including a second elastomer, a wiring 10 including a third elastomer and a conductive filler, and a hard having an electrode 62. A member 60 is provided. The wiring 10 and the hard member 60 are provided on the first main surface 201 of the substrate 20. At least one side 104 of the first surface 601 of the hard member 60 on which the electrode 62 is provided intersects the wiring 10 in plan view, and the relaxation member 70 is between the side 104 and the wiring 10. Is intervening. Details will be described below.

本実施形態に係る基板20、緩和部材70、および配線10はいずれもエラストマーを含むためそれぞれ伸縮性を有し、電子装置100はフレキシブルデバイス、特にウェアラブルデバイスとして好適に用いられる。   Since the substrate 20, the relaxation member 70, and the wiring 10 according to the present embodiment all include an elastomer, they each have elasticity, and the electronic device 100 is suitably used as a flexible device, particularly a wearable device.

本実施形態において、硬質部材60は、基板20および配線10のいずれよりも硬度が高い部材であり、たとえば電子部品またはコネクタである。電子部品としては、用途に応じ、公知の部品の中から適宜選択すればよい。具体的には、半導体素子、及び半導体素子以外の抵抗やコンデンサ等を挙げることができる。半導体素子としては、たとえば、トランジスタや、ダイオード、LED、コンデンサ等を挙げることができる。硬質部材60は、基板20上に配置されている。   In the present embodiment, the hard member 60 is a member having a higher hardness than both the substrate 20 and the wiring 10, and is, for example, an electronic component or a connector. What is necessary is just to select suitably from well-known components as an electronic component according to a use. Specifically, a semiconductor element, a resistor other than the semiconductor element, a capacitor, and the like can be given. Examples of semiconductor elements include transistors, diodes, LEDs, capacitors, and the like. The hard member 60 is disposed on the substrate 20.

硬質部材60の第1面601には電極62が設けられており、配線10は電極62に接続されている。そして、硬質部材60は電子装置100内の図示しない他の電子部品やコネクタ等と配線10を介して電気的に接続され、回路等が構成される。本実施形態に係る電子装置100では、図1および図2に示す様に、電極62が硬質部材60の第1面601にのみ形成され、硬質部材60の他の表面が絶縁性材料で構成されている。ただし、電極62は、硬質部材60の複数の面に形成されていても良い。配線10は電極62に接続されるために基板20の第1主面201上から硬質部材60の第1面601上にわたって形成されている。本図の例では、配線10は、基板20の第1主面201、硬質部材60の側面603および硬質部材60の第1面601に接している。   An electrode 62 is provided on the first surface 601 of the hard member 60, and the wiring 10 is connected to the electrode 62. The hard member 60 is electrically connected to other electronic components, connectors, and the like (not shown) in the electronic device 100 via the wiring 10 to form a circuit and the like. In the electronic device 100 according to the present embodiment, as shown in FIGS. 1 and 2, the electrode 62 is formed only on the first surface 601 of the hard member 60, and the other surface of the hard member 60 is made of an insulating material. ing. However, the electrode 62 may be formed on a plurality of surfaces of the hard member 60. The wiring 10 is formed from the first main surface 201 of the substrate 20 to the first surface 601 of the hard member 60 in order to be connected to the electrode 62. In the example of this figure, the wiring 10 is in contact with the first main surface 201 of the substrate 20, the side surface 603 of the hard member 60, and the first surface 601 of the hard member 60.

本実施形態に係る電子装置100において、硬質部材60は、第1面601および第2面602を有する。第2面602と第1面601とは互いに反対側の面である。本実施形態において、硬質部材60の第2面602は基板20の第1主面201におよそ平行で、基板20に対向している。そして、辺104は、硬質部材60の第1面601を構成する辺のうちの少なくとも一つである。   In the electronic device 100 according to the present embodiment, the hard member 60 has a first surface 601 and a second surface 602. The second surface 602 and the first surface 601 are opposite surfaces. In the present embodiment, the second surface 602 of the hard member 60 is approximately parallel to the first main surface 201 of the substrate 20 and faces the substrate 20. The side 104 is at least one of the sides constituting the first surface 601 of the hard member 60.

図2では、硬質部材60に複数の電極62が設けられ、辺104を複数の配線10が交差して、各電極62に配線10が接続されている例を示している。ただし、硬質部材60に設けられる電極62の数は特に限定されず、一つであっても良い。   FIG. 2 shows an example in which a plurality of electrodes 62 are provided on the hard member 60, a plurality of wirings 10 intersect each other at the side 104, and the wirings 10 are connected to the respective electrodes 62. However, the number of electrodes 62 provided on the hard member 60 is not particularly limited, and may be one.

ここで、基板20の主面とは、シート状の基板20の主な表面を構成する面をいう。基板20は、第1主面201および第2主面202を有する。第1主面201と第2主面202とは、互いに反対側の面である。電子装置100では、硬質部材60は、基板20の少なくとも一方の主面に設けられていればよい。すなわち、基板20の第1主面201のみでなく、第2主面202にも硬質部材60が設けられていても良い。   Here, the main surface of the substrate 20 refers to a surface constituting the main surface of the sheet-like substrate 20. The substrate 20 has a first main surface 201 and a second main surface 202. The first main surface 201 and the second main surface 202 are surfaces opposite to each other. In the electronic device 100, the hard member 60 only needs to be provided on at least one main surface of the substrate 20. That is, the hard member 60 may be provided not only on the first main surface 201 of the substrate 20 but also on the second main surface 202.

本実施形態に係る電子装置100は、緩和部材70を有することにより、耐久性に優れる。
図3(a)は、緩和部材を有さない電子装置の構成例を示す図である。図3(b)は、緩和部材を有さず、破断部812が生じた電子装置の状態を示す図である。電子装置では、基板820上に配置された電子部品等の硬質部材860の電極862に配線810を接続する必要があり、配線810は伸縮性のある基板820上から、伸縮性のない硬質部材860上にわたって形成される。ここで、電子装置は、使用に際して図中の矢印のように引っ張り力、圧縮力、および曲げ応力等の力が加えられ、基板820および配線810はそれに応じて伸縮、湾曲等する。一方、硬質部材860はそのような変形には追従しないため、基板820と硬質部材860の境界部分の配線810には、比較的大きな力が加わる。また、図3(a)の様に硬質部材860の角部αを配線810が交差する場合、その角部αにおいて配線810の厚さは比較的薄くなることが多い。そのため、図3(b)の様に配線810に破断部812が生じ、配線810と電極862の電気的な接続が損なわれるという問題があった。
The electronic device 100 according to the present embodiment has excellent durability by including the relaxation member 70.
FIG. 3A is a diagram illustrating a configuration example of an electronic device having no relaxation member. FIG. 3B is a diagram illustrating a state of the electronic device that does not have the relaxing member and in which the fracture portion 812 is generated. In the electronic device, it is necessary to connect the wiring 810 to the electrode 862 of the hard member 860 such as an electronic component disposed on the substrate 820. The wiring 810 extends from the stretchable substrate 820 to the hard member 860 having no stretchability. Formed over. Here, when the electronic device is used, forces such as a tensile force, a compressive force, and a bending stress are applied as indicated by arrows in the drawing, and the substrate 820 and the wiring 810 are expanded and contracted, curved, and the like accordingly. On the other hand, since the hard member 860 does not follow such deformation, a relatively large force is applied to the wiring 810 at the boundary between the substrate 820 and the hard member 860. When the wiring 810 intersects the corner α of the hard member 860 as shown in FIG. 3A, the thickness of the wiring 810 is often relatively thin at the corner α. Therefore, as shown in FIG. 3B, there is a problem that a broken portion 812 is generated in the wiring 810 and the electrical connection between the wiring 810 and the electrode 862 is impaired.

これに対し、図1に戻り、本実施形態に係る電子装置100では、辺104を伸縮性のある緩和部材70が覆うため、配線10における応力を緩和し配線10の破断を抑制することができる。その結果、耐久性に優れた電子装置100を実現できる。   On the other hand, returning to FIG. 1, in the electronic device 100 according to the present embodiment, the side 104 is covered with the elastic relaxation member 70, so that the stress in the wiring 10 can be relaxed and the breakage of the wiring 10 can be suppressed. . As a result, the electronic device 100 with excellent durability can be realized.

基板20の厚さは、伸縮性と耐久性のバランスの観点から、0.5μm以上であることが好ましく、10μm以上であることがより好ましい。また、同様の観点から、3000μm以下であることが好ましく、1000μm以下であることがより好ましい。   The thickness of the substrate 20 is preferably 0.5 μm or more, and more preferably 10 μm or more, from the viewpoint of the balance between stretchability and durability. Further, from the same viewpoint, it is preferably 3000 μm or less, and more preferably 1000 μm or less.

本実施形態に係る電子装置100において、基板20の硬度をH、配線10の硬度をH、硬質部材60の硬度をH、緩和部材70の硬度をHとしたとき、たとえば、H<H<HかつH<Hの関係が成り立つ。すなわち、基板20が配線10より柔らかい場合において、配線10より柔らかい緩和部材70を効果的に用いることができる。ここで、各硬度はデュロメータAにより25℃で測定することができる。 In the electronic device 100 according to the present embodiment, when the hardness of the substrate 20 is H b , the hardness of the wiring 10 is H l , the hardness of the hard member 60 is H h , and the hardness of the relaxation member 70 is H r , for example, H The relationship b <H 1 <H h and H r <H 1 is established. That is, when the substrate 20 is softer than the wiring 10, the relaxation member 70 softer than the wiring 10 can be used effectively. Here, each hardness can be measured by durometer A at 25 ° C.

本実施形態において、配線10の幅は特に限定されず、適宜設定することができる。配線幅は、たとえば0.1mm以上であり、0.3mm以上であることがより好ましい。そうすることにより、高い導電性が得られる。また、配線10の幅は、たとえば5mm以下であり、2mm以下であることが好ましく、1mm以下であることがより好ましく、0.8mm以下であることがさらに好ましい。そうすることにより、電子装置の小型化が図れる。本実施形態に係る電子装置100は緩和部材70を備えるため、細線化した場合でも破断を抑制し、耐久性に優れる。   In the present embodiment, the width of the wiring 10 is not particularly limited and can be set as appropriate. The wiring width is, for example, 0.1 mm or more, and more preferably 0.3 mm or more. By doing so, high electrical conductivity is obtained. Further, the width of the wiring 10 is, for example, 5 mm or less, preferably 2 mm or less, more preferably 1 mm or less, and further preferably 0.8 mm or less. By doing so, the electronic device can be miniaturized. Since the electronic device 100 according to this embodiment includes the relaxation member 70, even when the wire is thinned, the electronic device 100 suppresses breakage and is excellent in durability.

また、配線10の厚さは特に限定されず、適宜設定することができる。配線10の厚さは、たとえば100μm以上であり、200μm以上であることがより好ましい。そうすることにより、高い導電性が得られる。また、配線10の厚さは、たとえば1mm以下であり、500μm以下であることがより好ましく、300μm以下であることがさらに好ましい。そうすることにより、電子装置100の小型化が図れる。本実施形態に係る電子装置100は緩和部材70を備えるため、配線10の厚さを小さくした場合でも破断を抑制し、耐久性に優れる。   Further, the thickness of the wiring 10 is not particularly limited and can be set as appropriate. The thickness of the wiring 10 is, for example, 100 μm or more, and more preferably 200 μm or more. By doing so, high electrical conductivity is obtained. Moreover, the thickness of the wiring 10 is, for example, 1 mm or less, more preferably 500 μm or less, and further preferably 300 μm or less. By doing so, the electronic device 100 can be miniaturized. Since the electronic device 100 according to this embodiment includes the relaxation member 70, even when the thickness of the wiring 10 is reduced, the breakage is suppressed and the durability is excellent.

ここで、配線10の幅および厚さは、第1主面201上において、硬質部材60から十分離れた位置で、配線10の幅および厚さがおよそ一定となっている領域において測定した平均値をいう。   Here, the width and thickness of the wiring 10 are average values measured in a region where the width and thickness of the wiring 10 are approximately constant at a position sufficiently separated from the hard member 60 on the first main surface 201. Say.

なお、図2では、複数の配線10のそれぞれに対し独立した緩和部材70が設けられている例を示しているが、これに限定されない。複数の配線10に対し、連続した1つの緩和部材70が設けられていても良い。また、緩和部材70は、辺104のうち、少なくとも配線10が交差する部分を全て覆うように設けられていればよい。その他の部分には緩和部材70が設けられていても良いし、設けられていなくても良い。   2 shows an example in which independent relaxation members 70 are provided for each of the plurality of wirings 10, but the present invention is not limited to this. One continuous relaxation member 70 may be provided for the plurality of wirings 10. Further, the relaxation member 70 may be provided so as to cover at least the portion of the side 104 where the wiring 10 intersects. Other portions may be provided with the relaxation member 70 or may not be provided.

また、緩和部材70は、硬質部材60と配線10の間のみならず、少なくとも一部の領域において基板20と配線10との間にさらに設けられていても良い。   Further, the relaxing member 70 may be further provided between the substrate 20 and the wiring 10 in at least a part of the region, not only between the hard member 60 and the wiring 10.

本実施形態に係る基板20、緩和部材70、および配線10は、それぞれ第1、第2、および第3のエラストマーを含む樹脂組成物により構成される。以下では、各樹脂組成物について説明する。   The board | substrate 20, the relaxation member 70, and the wiring 10 which concern on this embodiment are comprised by the resin composition containing a 1st, 2nd, and 3rd elastomer, respectively. Below, each resin composition is demonstrated.

第1および第2のエラストマーとしては、たとえばシリコーンゴム、フッ素ゴム、ニトリルゴム、アクリルゴム、スチレンゴム、クロロプレンゴム、エチレンプロピレンゴム、ウレタンゴム等を用いることができる。これらの中でも、伸縮性、耐熱性、化学的安定性に優れ、さらには生体適合性を有するため、シリコーンゴムを含むことが好ましい。中でも、基板20に含まれる第1のエラストマーは特に、シリコーンゴムを含むことが好ましい。本実施形態に係る電子装置100は、緩和部材70を有するため、第1のエラストマーがシリコーンゴムを含み、伸縮性が高い場合においても、配線の破損が抑制され、高い耐久性を確保できる。   As the first and second elastomers, for example, silicone rubber, fluorine rubber, nitrile rubber, acrylic rubber, styrene rubber, chloroprene rubber, ethylene propylene rubber, urethane rubber and the like can be used. Among these, it is preferable to include silicone rubber because it is excellent in stretchability, heat resistance and chemical stability and has biocompatibility. Especially, it is preferable that the 1st elastomer contained in the board | substrate 20 contains silicone rubber especially. Since the electronic device 100 according to the present embodiment includes the relaxation member 70, even when the first elastomer includes silicone rubber and the stretchability is high, damage to the wiring is suppressed and high durability can be ensured.

なお、第1のエラストマー、第2のエラストマー、および第3のエラストマーは全て同一であっても良いし、いずれか2つのみが同一であっても良いし、全て互いに異なっていても良い。   The first elastomer, the second elastomer, and the third elastomer may all be the same, or only two of them may be the same, or all may be different from each other.

本実施形態に係る基板20および緩和部材70が、それぞれ第1および第2のエラストマーとしてシリコーンゴムを含むシリコーンゴム系硬化性組成物により構成される例について以下に説明する。   An example in which the substrate 20 and the relaxation member 70 according to the present embodiment are formed of a silicone rubber-based curable composition containing silicone rubber as the first and second elastomers will be described below.

(エラストマー(A))
シリコーンゴム系硬化性組成物は、エラストマー(A)として、シリコーンゴムを含む。
(Elastomer (A))
The silicone rubber-based curable composition contains silicone rubber as the elastomer (A).

シリコーンゴムとしては、たとえば、分子内にシロキサン構造を有するものが用いられる。
本実施形態においては、このようなシリコーンゴムの中でも、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A−1)を、オルガノハイドロジェンポリシロキサン(A−2)で架橋してなるシリコーンゴムが好ましく用いられる。
As the silicone rubber, for example, one having a siloxane structure in the molecule is used.
In the present embodiment, among such silicone rubbers, a silicone rubber obtained by crosslinking a vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A-1) with an organohydrogenpolysiloxane (A-2) is preferably used. It is done.

<ビニル基直鎖状含有オルガノポリシロキサン(A−1)>
ビニル基直鎖状含有オルガノポリシロキサン(A−1)は、直鎖構造を有し、かつ、ビニル基を含有しており、かかるビニル基が硬化時の架橋点となる。
<Vinyl group linear-containing organopolysiloxane (A-1)>
The vinyl group linear-containing organopolysiloxane (A-1) has a linear structure and contains a vinyl group, and this vinyl group becomes a crosslinking point at the time of curing.

このビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A−1)のビニル基の含有量は、特に限定されないが、分子内に二個以上のビニル基を有し、かつビニル基の含有量が15モル%以下であるのが好ましく、0.01〜12モル%であるのがより好ましい。これにより、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A−1)中におけるビニル基の量が最適化され、各成分とのネットワークの形成を確実に行うことができる。   The vinyl group content of this vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A-1) is not particularly limited, but it has two or more vinyl groups in the molecule, and the vinyl group content is 15 mol. % Or less is preferable, and 0.01 to 12 mol% is more preferable. Thereby, the quantity of the vinyl group in vinyl group containing linear organopolysiloxane (A-1) is optimized, and formation of a network with each component can be performed reliably.

なお、本明細書中において、ビニル基の含有量とは、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A−1)を構成する全ユニットを100モル%としたときのビニル基含有シロキサンユニットのモル%である。ただし、ビニル基含有シロキサンユニット1つに対して、ビニル基が1つであるものとして算出を行う。   In addition, in this specification, content of a vinyl group is the mol of a vinyl group containing siloxane unit when all the units which comprise a vinyl group containing linear organopolysiloxane (A-1) are 100 mol%. %. However, the calculation is performed assuming that one vinyl group-containing siloxane unit has one vinyl group.

また、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A−1)の重合度は、特に限定されないが、好ましくは3000〜10000、より好ましくは3000〜8000の範囲内である。   The degree of polymerization of the vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A-1) is not particularly limited, but is preferably in the range of 3000 to 10000, more preferably 3000 to 8000.

さらに、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A−1)の比重は、特に限定されないが、0.9〜1.1程度の範囲であるのが好ましい。   Furthermore, the specific gravity of the vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A-1) is not particularly limited, but is preferably in the range of about 0.9 to 1.1.

ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A−1)として、上記のような範囲内の重合度および比重を有するものを用いることにより、得られるシリコーンゴム系硬化性組成物の耐熱性、難燃性、化学的安定性等の向上を図ることができる。   By using a vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A-1) having a polymerization degree and specific gravity within the above ranges, heat resistance and flame retardancy of the resulting silicone rubber-based curable composition Improvement in chemical properties, chemical stability, and the like.

ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A−1)としては、特に、下記式(1)で表される構造を有するものであるが好ましい。   The vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A-1) is particularly preferably one having a structure represented by the following formula (1).

Figure 2017183328
Figure 2017183328

式(1)中、Rは炭素数1〜10の置換または非置換のアルキル基、アルケニル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基である。炭素数1〜10のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数1〜10のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基等が挙げられ、中でも、ビニル基が好ましい。炭素数1〜10のアリール基としては、例えば、フェニル基等が挙げられる。 In formula (1), R 1 is a substituted or unsubstituted alkyl group, alkenyl group, aryl group having 1 to 10 carbon atoms, or a hydrocarbon group obtained by combining these. As a C1-C10 alkyl group, a methyl group, an ethyl group, a propyl group etc. are mentioned, for example, Among these, a methyl group is preferable. As a C1-C10 alkenyl group, a vinyl group, an allyl group, a butenyl group etc. are mentioned, for example, Among these, a vinyl group is preferable. Examples of the aryl group having 1 to 10 carbon atoms include a phenyl group.

また、Rは炭素数1〜10の置換または非置換のアルキル基、アルケニル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基である。炭素数1〜10のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数1〜10のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基が挙げられる。炭素数1〜10のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。 R 2 is a substituted or unsubstituted alkyl group, alkenyl group, aryl group having 1 to 10 carbon atoms, or a hydrocarbon group obtained by combining these. As a C1-C10 alkyl group, a methyl group, an ethyl group, a propyl group etc. are mentioned, for example, Among these, a methyl group is preferable. Examples of the alkenyl group having 1 to 10 carbon atoms include a vinyl group, an allyl group, and a butenyl group. Examples of the aryl group having 1 to 10 carbon atoms include a phenyl group.

また、Rは炭素数1〜8の置換または非置換のアルキル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基である。炭素数1〜8のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数1〜8のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。 R 3 is a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, an aryl group, or a hydrocarbon group obtained by combining these. As a C1-C8 alkyl group, a methyl group, an ethyl group, a propyl group etc. are mentioned, for example, Among these, a methyl group is preferable. Examples of the aryl group having 1 to 8 carbon atoms include a phenyl group.

さらに、式(1)中のRおよびRの置換基としては、例えば、メチル基、ビニル基等が挙げられ、Rの置換基としては、例えば、メチル基等が挙げられる。 Furthermore, examples of the substituent for R 1 and R 2 in formula (1) include a methyl group and a vinyl group. Examples of the substituent for R 3 include a methyl group.

なお、式(1)中、複数のRは互いに独立したものであり、互いに異なっていてもよいし、同じであってもよい。さらに、R、およびRについても同様である。 In the formula (1), a plurality of R 1 are independent from each other and may be different from each other or the same. The same applies to R 2 and R 3 .

さらに、m、nは、式(1)で表されるビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A−1)を構成する繰り返し単位の数であり、mは1〜2000の整数、nは3000〜10000の整数である。mは、好ましくは1〜1000であり、nは、好ましくは3000〜8000である。   Further, m and n are the number of repeating units constituting the vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A-1) represented by the formula (1), m is an integer of 1 to 2000, and n is 3000. It is an integer of 10000. m is preferably 1-1000, and n is preferably 3000-8000.

また、式(1)で表されるビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A−1)のより具体的構造としては、例えば下記式(1−1)で表されるものが挙げられる。   Moreover, as a more specific structure of vinyl group containing linear organopolysiloxane (A-1) represented by Formula (1), what is represented, for example by following formula (1-1) is mentioned.

Figure 2017183328
Figure 2017183328

式(1−1)中、RおよびRは、それぞれ独立して、メチル基またはビニル基であり、少なくともこれらのうち一つがビニル基である。 In formula (1-1), R 1 and R 2 are each independently a methyl group or a vinyl group, and at least one of them is a vinyl group.

さらに、以上のようなビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A−1)としては、分子内に二個以上のビニル基を有し、かつビニル基含有量が0.2モル%以下である第1のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A−1(a))と、ビニル基含有量が0.28〜15モル%である第2のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A−1(b))とを含有するものであるのが好ましい。エラストマー(A)として、一般的なビニル基含有量を有する第1のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A−1(a))と、ビニル基含有量が高い第2のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A−1(b))とを組み合わせることで、ビニル基を偏在化させることができ、シリコーンゴムの架橋ネットワーク中に、より効果的に架橋密度の疎密を形成することができる。その結果、より効果的にシリコーンゴムの引裂き強度を高めることができる。また、これにより、シリコーンゴム系硬化性組成物の硬化物としての耐久性を飛躍的に向上させることができる。   Further, the vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A-1) as described above has two or more vinyl groups in the molecule, and the vinyl group content is 0.2 mol% or less. The first vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A-1 (a)) and the second vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A) having a vinyl group content of 0.28 to 15 mol% -1 (b)). As the elastomer (A), a first vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A-1 (a)) having a general vinyl group content and a second vinyl group-containing polymer having a high vinyl group content By combining with the chain organopolysiloxane (A-1 (b)), vinyl groups can be unevenly distributed, and the crosslink density can be more effectively formed in the crosslinked network of silicone rubber. it can. As a result, the tear strength of the silicone rubber can be increased more effectively. Thereby, the durability as a cured product of the silicone rubber-based curable composition can be remarkably improved.

具体的には、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A−1)として、例えば、上記式(1−1)において、Rがビニル基である単位および/またはRがビニル基である単位を分子内に二個以上有し、かつ0.2モル%以下含む第1のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A−1(a))と、Rがビニル基である単位および/またはRがビニル基である単位を、0.28〜15モル%含む第2のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A−1(b))とを用いるのが好ましい。 Specifically, as the vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A-1), for example, in the above formula (1-1), R 1 is a vinyl group and / or R 2 is a vinyl group. A first vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A-1 (a)) having two or more units in the molecule and containing 0.2 mol% or less, a unit in which R 1 is a vinyl group, and It is preferable to use a second vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A-1 (b)) containing 0.28 to 15 mol% of units in which R 2 is a vinyl group.

また、第1のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A−1(a))は、ビニル基含有量が0.01〜0.15モル%であるのが好ましい。また、第2のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A−1(b))は、ビニル基含有量が、0.28〜12モル%であるのが好ましい。   The first vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A-1 (a)) preferably has a vinyl group content of 0.01 to 0.15 mol%. The second vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A-1 (b)) preferably has a vinyl group content of 0.28 to 12 mol%.

さらに、第1のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A−1(a))と第2のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A−1(b))とを組み合わせて配合する場合、(A−1(a))と(A−1(b))の比率は特に限定されないが、通常、質量比で(A−1(a)):(A−1(b))が50:50〜95:5であるのが好ましく、80:20〜90:10であるのがより好ましい。   Further, when the first vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A-1 (a)) and the second vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A-1 (b)) are combined and blended The ratio of (A-1 (a)) to (A-1 (b)) is not particularly limited, but usually (A-1 (a)) :( A-1 (b)) is 50 by mass ratio. : 50 to 95: 5 is preferable, and 80:20 to 90:10 is more preferable.

なお、第1および第2のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A−1(a))および(A−1(b))は、それぞれ1種のみを用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。   Each of the first and second vinyl group-containing linear organopolysiloxanes (A-1 (a)) and (A-1 (b)) may be used alone or in combination of two or more. May be used in combination.

<オルガノハイドロジェンポリシロキサン(A−2)>
オルガノハイドロジェンポリシロキサン(A−2)は、直鎖構造を有する直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(A−2(a))と分岐構造を有する分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(A−2(b))とに分類され、本実施形態では、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(A−2(a))だけでもよいし、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(A−2(b))だけでもよいし、これらの直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(A−2(a))と分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(A−2(b))の双方を含んでもよい。
<Organic hydrogen polysiloxane (A-2)>
The organohydrogenpolysiloxane (A-2) includes a linear organohydrogenpolysiloxane having a linear structure (A-2 (a)) and a branched organohydrogenpolysiloxane having a branched structure (A-2 ( b)), and in this embodiment, only the linear organohydrogenpolysiloxane (A-2 (a)) may be used, or only the branched organohydrogenpolysiloxane (A-2 (b)). Alternatively, both the linear organohydrogenpolysiloxane (A-2 (a)) and the branched organohydrogenpolysiloxane (A-2 (b)) may be included.

直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(A−2(a))は、直鎖構造を有し、かつ、Siに水素が直接結合した構造(≡Si−H)を有し、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A−1)のビニル基の他、シリコーンゴム系硬化性組成物に配合される成分が有する反応性基に作用し、これらの成分を架橋する重合体である。   The straight-chain organohydrogenpolysiloxane (A-2 (a)) has a straight-chain structure and a structure in which hydrogen is directly bonded to Si (≡Si—H), and a vinyl group-containing straight-chain In addition to the vinyl group of the organopolysiloxane (A-1), it is a polymer that acts on the reactive groups of the components blended in the silicone rubber-based curable composition and crosslinks these components.

直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(A−2(a))の分子量は特に限定されないが、重量平均分子量が20000以下であるのが好ましく、1000以上、10000以下であることがより好ましい。   The molecular weight of the linear organohydrogenpolysiloxane (A-2 (a)) is not particularly limited, but the weight average molecular weight is preferably 20000 or less, and more preferably 1000 or more and 10,000 or less.

なお、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(A−2(a))の重量平均分子量は、GPC(ゲル透過クロマトグラフィー)により測定することができる。   In addition, the weight average molecular weight of linear organohydrogen polysiloxane (A-2 (a)) can be measured by GPC (gel permeation chromatography).

また、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(A−2(a))は、ビニル基を有しないものであることが好ましい。これにより、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(A−2(a))の分子内において架橋反応が進行するのを的確に防止することができる。   Moreover, it is preferable that linear organohydrogenpolysiloxane (A-2 (a)) does not have a vinyl group. Thereby, it can prevent exactly that a crosslinking reaction advances in the molecule | numerator of linear organohydrogen polysiloxane (A-2 (a)).

以上のような直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(A−2(a))としては、例えば、下記式(2)で表される構造を有するものが好ましく用いられる。   As the above linear organohydrogenpolysiloxane (A-2 (a)), for example, those having a structure represented by the following formula (2) are preferably used.

Figure 2017183328
Figure 2017183328

式(2)中、Rは炭素数1〜10の置換または非置換のアルキル基、アルケニル基、アリール基、これらを組み合わせた炭化水素基、またはヒドリド基である。炭素数1〜10のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数1〜10のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基等が挙げられる。炭素数1〜10のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。 In formula (2), R 4 represents a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkenyl group, an aryl group, a hydrocarbon group combining these, or a hydride group. As a C1-C10 alkyl group, a methyl group, an ethyl group, a propyl group etc. are mentioned, for example, Among these, a methyl group is preferable. As a C1-C10 alkenyl group, a vinyl group, an allyl group, a butenyl group etc. are mentioned, for example. Examples of the aryl group having 1 to 10 carbon atoms include a phenyl group.

また、Rは炭素数1〜10の置換または非置換のアルキル基、アルケニル基、アリール基、これらを組み合わせた炭化水素基、またはヒドリド基である。炭素数1〜10のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数1〜10のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基等が挙げられる。炭素数1〜10のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。 R 5 is a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkenyl group, an aryl group, a hydrocarbon group combining these, or a hydride group. Examples of the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms include a methyl group, an ethyl group, and a propyl group, and among them, a methyl group is preferable. As a C1-C10 alkenyl group, a vinyl group, an allyl group, a butenyl group etc. are mentioned, for example. Examples of the aryl group having 1 to 10 carbon atoms include a phenyl group.

なお、式(2)中、複数のRは互いに独立したものであり、互いに異なっていてもよいし、同じであってもよい。Rについても同様である。ただし、複数のRおよびRのうち、少なくとも2つ以上がヒドリド基である。 In the formula (2), the plurality of R 4 are independent from each other and may be different from each other or the same. The same is true for R 5. However, at least two of the plurality of R 4 and R 5 are hydride groups.

また、Rは炭素数1〜8の置換または非置換のアルキル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基である。炭素数1〜8のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数1〜8のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。複数のRは互いに独立したものであり、互いに異なっていてもよいし、同じであってもよい。 R 6 is a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, an aryl group, or a hydrocarbon group obtained by combining these. As a C1-C8 alkyl group, a methyl group, an ethyl group, a propyl group etc. are mentioned, for example, Among these, a methyl group is preferable. Examples of the aryl group having 1 to 8 carbon atoms include a phenyl group. The plurality of R 6 are independent from each other and may be different from each other or the same.

なお、式(2)中のR,R,Rの置換基としては、例えば、メチル基、ビニル基等が挙げられ、分子内の架橋反応を防止する観点から、メチル基が好ましい。 In addition, as a substituent of R < 4 >, R < 5 >, R < 6 > in Formula (2), a methyl group, a vinyl group etc. are mentioned, for example, and a methyl group is preferable from a viewpoint of preventing the crosslinking reaction in a molecule | numerator.

さらに、m、nは、式(2)で表される直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(A−2(a))を構成する繰り返し単位の数であり、mは2〜500の整数、nは2〜500の整数である。好ましくは、mは2〜150の整数、nは2〜150の整数である。   Further, m and n are the number of repeating units constituting the linear organohydrogenpolysiloxane (A-2 (a)) represented by the formula (2), m is an integer of 2 to 500, n Is an integer from 2 to 500. Preferably, m is an integer of 2 to 150, and n is an integer of 2 to 150.

なお、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(A−2(a))は、1種のみを単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。   In addition, linear organohydrogen polysiloxane (A-2 (a)) may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(A−2(b))は、分岐構造を有するため、架橋密度が高い領域を形成し、シリコーンゴムの系中の架橋密度の疎密構造形成に大きく寄与する成分である。また、上記直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(A−2(a))同様、Siに水素が直接結合した構造(≡Si−H)を有し、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A−1)のビニル基の他、シリコーンゴム系硬化性組成物に配合される各成分の反応性基に作用し、これらの成分を架橋する重合体である。   Since the branched organohydrogenpolysiloxane (A-2 (b)) has a branched structure, it forms a region with a high crosslinking density, and is a component that greatly contributes to the formation of a dense structure with a crosslinking density in the system of silicone rubber. is there. Further, like the above linear organohydrogenpolysiloxane (A-2 (a)), it has a structure in which hydrogen is directly bonded to Si (≡Si—H), and contains a vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A It is a polymer that acts on the reactive group of each component blended in the silicone rubber-based curable composition in addition to the vinyl group of -1) and crosslinks these components.

また、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(A−2(b))の比重は、0.9〜0.95の範囲である。   The specific gravity of the branched organohydrogenpolysiloxane (A-2 (b)) is in the range of 0.9 to 0.95.

さらに、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(A−2(b))は、通常、ビニル基を有しないものであるのが好ましい。これにより、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(A−2(b))の分子内において架橋反応が進行するのを的確に防止することができる。   Furthermore, it is preferable that the branched organohydrogenpolysiloxane (A-2 (b)) usually has no vinyl group. Thereby, it is possible to accurately prevent the crosslinking reaction from proceeding in the molecule of the branched organohydrogenpolysiloxane (A-2 (b)).

また、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(A−2(b))としては、下記平均組成式(c)で示されるものが好ましい。   Moreover, as branched organohydrogen polysiloxane (A-2 (b)), what is shown by the following average compositional formula (c) is preferable.

平均組成式(c)
(H(R3−aSiO1/2(SiO4/2
(式(c)において、Rは一価の有機基、aは1〜3の範囲の整数、mはH(R3−aSiO1/2単位の数、nはSiO4/2単位の数である)。
Average composition formula (c)
(H a (R 7 ) 3-a SiO 1/2 ) m (SiO 4/2 ) n
(In the formula (c), R 7 is a monovalent organic group, a is an integer in the range of 1 to 3, m is the number of H a (R 7 ) 3-a SiO 1/2 units, and n is SiO 4 / 2 units).

式(c)において、Rは一価の有機基であり、好ましくは、炭素数1〜10の置換または非置換のアルキル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基である。炭素数1〜10のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数1〜10のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。 In the formula (c), R 7 is a monovalent organic group, preferably a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an aryl group, or a hydrocarbon group obtained by combining these. As a C1-C10 alkyl group, a methyl group, an ethyl group, a propyl group etc. are mentioned, for example, Among these, a methyl group is preferable. Examples of the aryl group having 1 to 10 carbon atoms include a phenyl group.

式(c)において、aは、ヒドリド基(Siに直接結合する水素原子)の数であり、1〜3の範囲の整数であり、好ましくは1である。   In the formula (c), a is the number of hydride groups (hydrogen atoms directly bonded to Si), an integer in the range of 1 to 3, and preferably 1.

また、式(c)において、mはH(R3−aSiO1/2単位の数、nはSiO4/2単位の数である。 In the formula (c), m is the number of H a (R 7 ) 3-a SiO 1/2 units, and n is the number of SiO 4/2 units.

分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(A−2(b))は分岐状構造を有する。直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(A−2(a))と分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(A−2(b))は、その構造が直鎖状か分岐状かという点で異なり、Siの数を1とした時のSiに結合するアルキル基Rの数(R/Si)が、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(A−2(a))では1.8〜2.1、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(A−2(b))では0.8〜1.7の範囲となる。   The branched organohydrogenpolysiloxane (A-2 (b)) has a branched structure. The linear organohydrogenpolysiloxane (A-2 (a)) differs from the branched organohydrogenpolysiloxane (A-2 (b)) in that the structure is linear or branched. The number of alkyl groups R bonded to Si (R / Si) when the number of is 1 is 1.8 to 2.1 for linear organohydrogenpolysiloxane (A-2 (a)), branched In the case of the organohydrogenpolysiloxane (A-2 (b)), the range is from 0.8 to 1.7.

なお、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(A−2(b))は、分岐構造を有しているため、例えば、窒素雰囲気下、1000℃まで昇温速度10℃/分で加熱した際の残渣量が5%以上となる。これに対して、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(A−2(a))は、直鎖状であるため、上記条件で加熱した後の残渣量はほぼゼロとなる。   Since the branched organohydrogenpolysiloxane (A-2 (b)) has a branched structure, for example, a residue when heated to 1000 ° C. at a heating rate of 10 ° C./min under a nitrogen atmosphere. The amount is 5% or more. On the other hand, since linear organohydrogenpolysiloxane (A-2 (a)) is linear, the amount of residue after heating on the said conditions becomes substantially zero.

また、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(A−2(b))の具体例としては、下記式(3)で表される構造を有するものが挙げられる。   Specific examples of the branched organohydrogenpolysiloxane (A-2 (b)) include those having a structure represented by the following formula (3).

Figure 2017183328
Figure 2017183328

式(3)中、Rは炭素数1〜8の置換または非置換のアルキル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基、もしくは水素原子である。炭素数1〜8のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数1〜8のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。Rの置換基としては、例えば、メチル基等が挙げられる。 In Formula (3), R 7 is a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, an aryl group, a hydrocarbon group obtained by combining these, or a hydrogen atom. As a C1-C8 alkyl group, a methyl group, an ethyl group, a propyl group etc. are mentioned, for example, Among these, a methyl group is preferable. Examples of the aryl group having 1 to 8 carbon atoms include a phenyl group. Examples of the substituent for R 7 include a methyl group.

なお、式(3)中、複数のRは互いに独立したものであり、互いに異なっていてもよいし、同じであってもよい。 In formula (3), a plurality of R 7 are independent from each other and may be different from each other or the same.

また、式(3)中、「−O−Si≡」は、Siが三次元に広がる分岐構造を有することを表している。   In Formula (3), “—O—Si≡” represents that Si has a branched structure spreading in three dimensions.

なお、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(A−2(b))は、1種のみを単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。   The branched organohydrogenpolysiloxane (A-2 (b)) may be used alone or in combination of two or more.

なお、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(A−2(a))と分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(A−2(b))において、Siに直接結合する水素原子(ヒドリド基)の量は、それぞれ、特に限定されない。ただし、本実施形態において、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A−1)中のビニル基1モルに対し、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(A−2(a))と分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(A−2(b))の合計のヒドリド基量が、0.5〜5モルとなる量が好ましく、1〜3.5モルとなる量がより好ましい。これにより、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(A−2(a))および分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(A−2(b))と、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A−1)との間で、架橋ネットワークを確実に形成させることができる。   In the linear organohydrogenpolysiloxane (A-2 (a)) and the branched organohydrogenpolysiloxane (A-2 (b)), the amount of hydrogen atoms (hydride groups) directly bonded to Si is Each is not particularly limited. However, in this embodiment, the linear organohydrogenpolysiloxane (A-2 (a)) and the branched organo are used with respect to 1 mol of the vinyl group in the vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A-1). The total amount of hydride groups of hydrogen polysiloxane (A-2 (b)) is preferably 0.5 to 5 mol, more preferably 1 to 3.5 mol. As a result, the linear organohydrogenpolysiloxane (A-2 (a)) and the branched organohydrogenpolysiloxane (A-2 (b)) and the vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A-1) )), A crosslinked network can be reliably formed.

また、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(A−2(a))と分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(A−2(b))とでは、通常、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(A−2(a))が主剤として含有され、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(A−2(b))は、上述したように、シリコーンゴムにさらに架橋密度が高い領域を形成させる場合に添加される。したがって、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(A−2(a))と分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(A−2(b))とを組み合わせて配合する場合、(A−2(a))と(A−2(b))の比率は、重量比で(A−2(a)):(A−2(b))が好ましくは1:0.1〜1:1に、より好ましくは1:0.2〜1:0.5に設定される。   Further, linear organohydrogenpolysiloxane (A-2 (a)) and branched organohydrogenpolysiloxane (A-2 (b)) are usually linear organohydrogenpolysiloxane (A- 2 (a)) is contained as the main agent, and the branched organohydrogenpolysiloxane (A-2 (b)) is added when forming a region having a higher crosslink density in the silicone rubber as described above. . Therefore, when a combination of a linear organohydrogenpolysiloxane (A-2 (a)) and a branched organohydrogenpolysiloxane (A-2 (b)) is combined (A-2 (a)) And (A-2 (b)) is preferably (A-2 (a)) :( A-2 (b)) in a weight ratio of 1: 0.1 to 1: 1, more preferably It is set to 1: 0.2 to 1: 0.5.

本実施形態において、シリコーンゴム系硬化性組成物中におけるエラストマー(A)の含有量は、シリコーンゴム系硬化性組成物の固形分全体に対して、30質量%以上であることが好ましく、50質量%以上であることがより好ましく、55質量%以上であることがさらに好ましい。また、シリコーンゴム系硬化性組成物中におけるエラストマー(A)の含有量は、シリコーンゴム系硬化性組成物の固形分全体に対して、95質量%以下であることが好ましく、93質量%以下であることがより好ましく、90質量%以下であることがさらに好ましい。
エラストマー(A)の含有量を上記下限値以上とすることにより、シリコーンゴム系硬化性組成物の硬化物が適度な柔軟性を持つことができる。また、エラストマー(A)の含有量を上記上限値以下とすることにより、硬化物の機械的強度の向上を図ることができる。
なお、本明細書中において、「固形分」とは、水や有機溶媒等の揮発性成分を除去した成分全体を指し、たとえば常温で液体を呈していたとしても、揮発の起こらない成分については、固形分であるものとして合算する。
以下、各成分についても同様である。
In the present embodiment, the content of the elastomer (A) in the silicone rubber-based curable composition is preferably 30% by mass or more with respect to the entire solid content of the silicone rubber-based curable composition, and is 50% by mass. % Or more is more preferable, and it is further more preferable that it is 55 mass% or more. The content of the elastomer (A) in the silicone rubber-based curable composition is preferably 95% by mass or less and 93% by mass or less based on the entire solid content of the silicone rubber-based curable composition. More preferably, it is more preferably 90% by mass or less.
By making content of an elastomer (A) more than the said lower limit, the hardened | cured material of a silicone rubber type curable composition can have moderate softness | flexibility. Moreover, improvement of the mechanical strength of hardened | cured material can be aimed at by making content of an elastomer (A) below into the said upper limit.
In the present specification, the term “solid content” refers to the entire component from which volatile components such as water and organic solvents have been removed. Add up as solids.
Hereinafter, the same applies to each component.

(シリカ粒子(B))
本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、必要に応じ、シリカ粒子(B)を含んでいてもよい。このシリカ粒子(B)を含ませることにより、シリコーンゴム系硬化性組成物から形成される硬化物の硬さや機械的強度の向上を図ることができる。
(Silica particles (B))
The silicone rubber-based curable composition of the present embodiment may contain silica particles (B) as necessary. By including the silica particles (B), it is possible to improve the hardness and mechanical strength of the cured product formed from the silicone rubber-based curable composition.

このシリカ粒子(B)は、比表面積が10〜400m/gであることが好ましく、20〜400m/gであることがより好ましい。また、そのメディアン径D50が1〜100nmであることが好ましく、5〜20nmであることがより好ましい。 The silica particles (B) preferably have a specific surface area of 10 to 400 m 2 / g, and more preferably 20 to 400 m 2 / g. Further, it is preferred that the median diameter D 50 is 1 to 100 nm, more preferably 5 to 20 nm.

シリカ粒子(B)として、かかる比表面積およびメディアン径の範囲内であるものを用いることにより、上述したシリカ粒子(B)としての機能を顕著に発揮させることができる。
なお、シリカ粒子(B)の粒径は、たとえば、シリコーンゴム系硬化性組成物あるいはこの硬化物について透過型電子顕微鏡等で観察の上、画像解析を行い、任意に選んだシリカ粒子200個の平均値として定義することができる。
By using what is in the range of this specific surface area and median diameter as a silica particle (B), the function as a silica particle (B) mentioned above can be exhibited notably.
The silica particles (B) have a particle size of, for example, 200 silicone particles selected arbitrarily by observing the silicone rubber-based curable composition or the cured product with a transmission electron microscope or the like and performing image analysis. It can be defined as an average value.

シリカ粒子(B)としては、特に限定されないが、例えば、ヒュームドシリカ、焼成シリカ、沈降シリカ等を用いることができる。
なお、シリカ粒子(B)は、1種のみを単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
Although it does not specifically limit as a silica particle (B), For example, fumed silica, baked silica, precipitated silica, etc. can be used.
In addition, a silica particle (B) may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

本実施形態において、シリコーンゴム系硬化性組成物中におけるシリカ粒子(B)の含有量は、シリコーンゴム系硬化性組成物がビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A−1)を含む場合、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A−1)100重量部に対して、5重量部以上であることが好ましく、10重量部以上であることがより好ましく、20重量部以上であることがさらに好ましい。また、シリコーンゴム系硬化性組成物中におけるシリカ粒子(B)の含有量は、シリコーンゴム系硬化性組成物がビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A−1)を含む場合、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A−1)100重量部に対して、100重量部以下であることが好ましく、80重量部以下であることがより好ましく、70重量部以下であることがさらに好ましい。
シリカ粒子(B)の含有量を上記下限値以上、上限値以下とすることにより、シリコーンゴム系硬化性組成物の硬化物が適度な機械的強度を持つことができる。
In the present embodiment, the content of the silica particles (B) in the silicone rubber-based curable composition is such that the silicone rubber-based curable composition contains a vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A-1). The amount is preferably 5 parts by weight or more, more preferably 10 parts by weight or more, and more preferably 20 parts by weight or more with respect to 100 parts by weight of the vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A-1). Further preferred. The content of the silica particles (B) in the silicone rubber-based curable composition is such that the silicone rubber-based curable composition contains a vinyl group when the silicone rubber-based curable composition contains a vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A-1). The amount is preferably 100 parts by weight or less, more preferably 80 parts by weight or less, and still more preferably 70 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of the linear organopolysiloxane (A-1).
By setting the content of the silica particles (B) to the above lower limit value or more and the upper limit value or less, the cured product of the silicone rubber-based curable composition can have an appropriate mechanical strength.

(シランカップリング剤(C))
本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、シランカップリング剤(C)を含んでいてもよい。このシランカップリング剤(C)は、加水分解性基を有するものであり、この加水分解基が水により加水分解されて水酸基になり、この水酸基がシリカ粒子(B)表面の水酸基と脱水縮合反応することで、シリカ粒子(B)の表面改質を行うことができる。
その他、シリカ粒子(B)が存在しない場合であっても、配線10、基板20および緩和部材70の互いの密着性を向上させるという効果を発揮することができる。
(Silane coupling agent (C))
The silicone rubber-based curable composition of the present embodiment may contain a silane coupling agent (C). The silane coupling agent (C) has a hydrolyzable group, and the hydrolyzable group is hydrolyzed with water to form a hydroxyl group, and this hydroxyl group dehydrates and condenses with the hydroxyl group on the surface of the silica particles (B). By doing so, the surface modification | reformation of a silica particle (B) can be performed.
In addition, even when the silica particles (B) are not present, the effect of improving the mutual adhesion of the wiring 10, the substrate 20, and the relaxing member 70 can be exhibited.

また、このシランカップリング剤(C)は、疎水性基を有するものを用いることができる。これにより、シリカ粒子(B)の表面にこの疎水性基が付与されるため、シリコーンゴム系硬化性組成物中において、シリカ粒子(B)の凝集力が低下し、その結果、該組成物中のシリカ粒子の分散性が向上する。これにより、シリコーンゴム系硬化性組成物の硬化物の機械的強度がいっそう向上する。   Moreover, what has a hydrophobic group can be used for this silane coupling agent (C). Thereby, since this hydrophobic group is imparted to the surface of the silica particles (B), the cohesive force of the silica particles (B) is reduced in the silicone rubber-based curable composition, and as a result, in the composition The dispersibility of the silica particles is improved. Thereby, the mechanical strength of the cured product of the silicone rubber-based curable composition is further improved.

さらに、シランカップリング剤(C)は、ビニル基を有しているのが好ましい。これにより、シリカ粒子(B)を用いる場合にあっては、その表面にビニル基が導入される。
これにより、たとえば、エラストマー(A)として、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A−1)とオルガノハイドロジェンポリシロキサン(A−2)が含まれる場合、以下のような効果が奏される。
すなわち、シリコーンゴム系硬化性組成物の硬化の際、すなわち、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A−1)が有するビニル基と、オルガノハイドロジェンポリシロキサン(A−2)が有するヒドリド基とがヒドロシリル化反応して、これらによるネットワーク(架橋構造)が形成される際に、シリカ粒子(B)が有するビニル基も、オルガノハイドロジェンポリシロキサン(A−2)が有するヒドリド基とのヒドロシリル化反応に関与するため、ネットワーク中にシリカ粒子(B)も取り込まれるようになる。これにより、形成される硬化物の高硬度化および高モジュラス化を図ることができる。
Furthermore, the silane coupling agent (C) preferably has a vinyl group. Thereby, when using silica particle (B), a vinyl group is introduce | transduced into the surface.
Thereby, for example, when the vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A-1) and the organohydrogenpolysiloxane (A-2) are included as the elastomer (A), the following effects are exhibited. .
That is, when the silicone rubber-based curable composition is cured, that is, the vinyl group of the vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A-1) and the hydride group of the organohydrogenpolysiloxane (A-2). And the hydrosilylation reaction to form a network (crosslinked structure) of these, the vinyl group of the silica particles (B) is also hydrosilylated with the hydride group of the organohydrogenpolysiloxane (A-2). Since it is involved in the crystallization reaction, the silica particles (B) are also taken into the network. Thereby, high hardness and high modulus of the hardened | cured material formed can be achieved.

このようなシランカップリング剤(C)としては、例えば、下記式(4)で表わされるものが挙げられる。   As such a silane coupling agent (C), what is represented by following formula (4) is mentioned, for example.

−Si−(X)4−n・・・(4)
上記式(4)中、nは1〜3の整数を表わす。Yは、疎水性基、親水性基またはビニル基を有するもののうちのいずれかの官能基を表わし、nが1の時は疎水性基であり、nが2または3の時はその少なくとも1つが疎水性基である。Xは、加水分解性基を表わす。
Y n -Si- (X) 4- n ··· (4)
In said formula (4), n represents the integer of 1-3. Y represents a functional group of any one having a hydrophobic group, a hydrophilic group or a vinyl group. When n is 1, it is a hydrophobic group, and when n is 2 or 3, at least one of them is a hydrophobic group. It is a hydrophobic group. X represents a hydrolyzable group.

疎水性基は、炭素数1〜6のアルキル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基であり、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、フェニル基等が挙げられ、中でも、特に、メチル基が好ましい。   The hydrophobic group is an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an aryl group, or a hydrocarbon group that is a combination thereof, and examples thereof include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, and a phenyl group. A methyl group is preferred.

また、親水性基は、例えば、水酸基、スルホン酸基、カルボキシル基またはカルボニル基等が挙げられ、中でも、特に、水酸基が好ましい。なお、親水性基は、官能基として含まれていてもよいが、シランカップリング剤(C)に疎水性を付与するという観点からは含まれていないのが好ましい。   Examples of the hydrophilic group include a hydroxyl group, a sulfonic acid group, a carboxyl group, and a carbonyl group. Among these, a hydroxyl group is particularly preferable. The hydrophilic group may be included as a functional group, but is preferably not included from the viewpoint of imparting hydrophobicity to the silane coupling agent (C).

さらに、加水分解性基は、メトキシ基、エトキシ基のようなアルコキシ基、クロロ基またはシラザン基等が挙げられる。なお、加水分解性基としてシラザン基を有するものは、その構造上の特性から、上記式(4)中の(Y−Si−)の構造を2つ有するものとなる。 Furthermore, examples of the hydrolyzable group include an alkoxy group such as a methoxy group and an ethoxy group, a chloro group, and a silazane group. Incidentally, those having a silazane group as hydrolyzable groups, the characteristics of its structure the formula (4) in the structure of (Y n -Si-) comes to have two.

上記式(4)で表されるシランカップリング剤(C)の具体例は、例えば、官能基として疎水性基を有するものとして、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、n−プロピルトリメトキシシラン、n−プロピルトリエトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、ヘキシルトリエトキシシラン、デシルトリメトキシシランのようなアルコキシシラン;メチルトリクロロシラン、ジメチルジクロロシラン、トリメチルクロロシラン、フェニルトリクロロシランのようなクロロシラン;ヘキサメチルジシラザンが挙げられ、官能基としてビニル基を有するものとして、メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルメチルジメトキシシランのようなアルコキシシラン;ビニルトリクロロシラン、ビニルメチルジクロロシランのようなクロロシラン;ジビニルテトラメチルジシラザンが挙げられるが、中でも、上記記載を考慮すると、特に、疎水性基を有するものとしてはヘキサメチルジシラザン、ビニル基を有するものとしてはジビニルテトラメチルジシラザンであるのが好ましい。   Specific examples of the silane coupling agent (C) represented by the above formula (4) include, for example, those having a hydrophobic group as a functional group, such as methyltrimethoxysilane, dimethyldimethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, methyltrimethoxysilane. Alkoxysilanes such as ethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, phenyltriethoxysilane, n-propyltrimethoxysilane, n-propyltriethoxysilane, hexyltrimethoxysilane, hexyltriethoxysilane, decyltrimethoxysilane; methyltrichlorosilane Chlorosilanes such as dimethyldichlorosilane, trimethylchlorosilane, and phenyltrichlorosilane; hexamethyldisilazane, and methacryloxypropyltriethoxysilane having a vinyl group as a functional group. , Alkoxysilanes such as methacryloxypropyltrimethoxysilane, methacryloxypropylmethyldiethoxysilane, methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, vinylmethyldimethoxysilane; vinyltrichlorosilane, vinylmethyl Chlorosilanes such as dichlorosilane; divinyltetramethyldisilazane can be mentioned. Among them, considering the above description, hexamethyldisilazane having a hydrophobic group and divinyltetramethyl having a vinyl group are particularly preferable. Disilazane is preferred.

本実施形態において、シリコーンゴム系硬化性組成物中におけるシランカップリング剤(C)の含有量は、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A−1)100重量部に対して5重量部以上100重量部以下であるのが好ましく、5重量部以上40重量部以下であるのがより好ましい。
シランカップリング剤(C)の含有量を上記下限値以上、上限値以下とすることにより、配線10、基板20、緩和部材70が互いに適度な密着性を持ち、また、シリカ粒子(B)を用いる場合においては、硬化物全体としての機械的強度の向上に資することができる。
In the present embodiment, the content of the silane coupling agent (C) in the silicone rubber-based curable composition is 5 parts by weight or more with respect to 100 parts by weight of the vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A-1). The amount is preferably 100 parts by weight or less, and more preferably 5 parts by weight or more and 40 parts by weight or less.
By setting the content of the silane coupling agent (C) to the above lower limit value or more and the upper limit value or less, the wiring 10, the substrate 20, and the relaxation member 70 have appropriate adhesion to each other, and the silica particles (B) When used, it can contribute to the improvement of the mechanical strength of the cured product as a whole.

(白金または白金化合物(D))
本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、白金または白金化合物(D)を含むことができる。
白金または白金化合物(D)は、本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物硬化の際の触媒として作用する成分である。
(Platinum or platinum compound (D))
The silicone rubber-based curable composition of the present embodiment can contain platinum or a platinum compound (D).
Platinum or a platinum compound (D) is a component that acts as a catalyst for curing the silicone rubber-based curable composition of the present embodiment.

白金または白金化合物(D)としては、公知のものを使用することができ、例えば、白金黒、白金をシリカやカーボンブラック等に担持させたもの、塩化白金酸または塩化白金酸のアルコール溶液、塩化白金酸とオレフィンの錯塩、塩化白金酸とビニルシロキサンとの錯塩等が挙げられる。
なお、白金または白金化合物(D)は、1種のみを単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
As the platinum or platinum compound (D), known ones can be used. For example, platinum black, platinum supported on silica or carbon black, chloroplatinic acid or chloroplatinic acid alcohol solution, chloride Examples thereof include complex salts of platinum acid and olefins, complex salts of chloroplatinic acid and vinyl siloxane, and the like.
In addition, platinum or a platinum compound (D) may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

本実施形態において、シリコーンゴム系硬化性組成物中における白金または白金化合物(D)の含有量は、シリコーンゴム系硬化性組成物の固形分全体の重さに対して、0.01ppm以上であることが好ましく、0.05ppm以上であることがより好ましく、0.1ppm以上であることがさらに好ましい。また、シリコーンゴム系硬化性組成物中における白金または白金化合物(D)の含有量は、シリコーンゴム系硬化性組成物の固形分全体の重さに対して、1000ppm以下であることが好ましく、700ppm以下であることがより好ましく、500ppm以下であることがさらに好ましい。
白金または白金化合物(D)の含有量を上記下限値以上とすることにより、シリコーンゴム系硬化性組成物が適切な速度で硬化することが可能となる。また、白金または白金化合物(D)の含有量を上記上限値以下とすることにより、シリコーンゴム系硬化性組成物を作製する際のコストの削減に資することができる。
In the present embodiment, the content of platinum or the platinum compound (D) in the silicone rubber-based curable composition is 0.01 ppm or more with respect to the weight of the entire solid content of the silicone rubber-based curable composition. It is preferably 0.05 ppm or more, more preferably 0.1 ppm or more. The content of platinum or platinum compound (D) in the silicone rubber-based curable composition is preferably 1000 ppm or less, based on the weight of the entire solid content of the silicone rubber-based curable composition, and is 700 ppm. More preferably, it is more preferably 500 ppm or less.
By setting the content of platinum or the platinum compound (D) to the above lower limit value or more, the silicone rubber-based curable composition can be cured at an appropriate speed. Moreover, by making content of platinum or a platinum compound (D) below the said upper limit, it can contribute to the reduction of the cost at the time of producing a silicone rubber type curable composition.

(水(E))
また、本実施形態の導電性組成物には、水(E)が含まれていてもよい。
これにより、先述のシランカップリング剤(C)が加水分解を起こし、所望の効能を発現しやすくなる。
なお、この水(E)の添加量は任意である。
(Water (E))
Moreover, water (E) may be contained in the electroconductive composition of this embodiment.
Thereby, the above-mentioned silane coupling agent (C) is hydrolyzed, and it becomes easy to express a desired effect.
The amount of water (E) added is arbitrary.

(その他の成分)
さらに、本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、上記(A)〜(E)成分の他、樹脂組成物に配合される公知の成分を含有していてもよい。例えば、珪藻土、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化セリウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、炭酸亜鉛、ガラスウール、マイカ等が挙げられる。その他、分散剤、顔料、染料、帯電防止剤、酸化防止剤、難燃剤、熱伝導性向上剤等を適宜配合することができる。
また、シリコーンゴム系硬化性組成物の硬化性を制御する観点から、適宜反応阻害剤を加えることもできる。
(Other ingredients)
Furthermore, the silicone rubber-based curable composition of the present embodiment may contain known components blended in the resin composition in addition to the components (A) to (E). Examples thereof include diatomaceous earth, iron oxide, zinc oxide, titanium oxide, barium oxide, magnesium oxide, cerium oxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, zinc carbonate, glass wool, and mica. In addition, dispersants, pigments, dyes, antistatic agents, antioxidants, flame retardants, thermal conductivity improvers, and the like can be appropriately blended.
In addition, a reaction inhibitor can be appropriately added from the viewpoint of controlling the curability of the silicone rubber-based curable composition.

(シリコーンゴム系硬化性組成物の製造方法)
続いて、本実施形態に係るシリコーンゴム系硬化性組成物の製造方法について説明する。
本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、たとえば、以下に示すような工程を経ることにより製造することができる。
(Method for producing silicone rubber-based curable composition)
Then, the manufacturing method of the silicone rubber-type curable composition which concerns on this embodiment is demonstrated.
The silicone rubber-based curable composition of the present embodiment can be manufactured, for example, through the following steps.

[1]まず、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A−1)と、シリカ粒子(B)と、シランカップリング剤(C)とを所定量秤量し、その後、任意の混練装置により、混練することで、これら各成分を含有する混練物を得る。   [1] First, a predetermined amount of vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A-1), silica particles (B), and silane coupling agent (C) are weighed, and then, by an arbitrary kneading apparatus, By kneading, a kneaded product containing these components is obtained.

なお、この混練物は、予めビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A−1)とシランカップリング剤(C)とを混練し、その後、シリカ粒子(B)を混練(混合)して得るのが好ましい。これにより、シリカ粒子(B)の分散性がより向上する。   This kneaded product is obtained by kneading the vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A-1) and the silane coupling agent (C) in advance, and then kneading (mixing) the silica particles (B). Is preferred. Thereby, the dispersibility of a silica particle (B) improves more.

また、この混練物を得る際には、水(E)を必要に応じて、各成分に添加するようにしてもよい。   Moreover, when obtaining this kneaded material, you may make it add water (E) to each component as needed.

ここで、各成分の混練は、第1温度で加熱する第1ステップと、第2温度で加熱する第2ステップとを経るようにするのが好ましい。これにより、第1ステップにおいて、シリカ粒子(B)の表面をシランカップリング剤(C)で表面処理することができるとともに、第2ステップにおいて、シリカ粒子(B)とシランカップリング剤(C)との反応で生成した副生成物を混練物中から確実に除去することができる。   Here, the kneading of each component is preferably performed through a first step of heating at a first temperature and a second step of heating at a second temperature. Thereby, the surface of the silica particles (B) can be surface-treated with the silane coupling agent (C) in the first step, and the silica particles (B) and the silane coupling agent (C) in the second step. By-products produced by the reaction with can be reliably removed from the kneaded product.

第1温度は、40〜120℃程度であるのが好ましく、60〜90℃程度であるのがより好ましい。第2温度は、130〜210℃程度であるのが好ましく、160〜180℃程度であるのがより好ましい。   The first temperature is preferably about 40 to 120 ° C, and more preferably about 60 to 90 ° C. The second temperature is preferably about 130 to 210 ° C, and more preferably about 160 to 180 ° C.

また、第1ステップにおける雰囲気は、窒素雰囲気下のような不活性雰囲気下であるのが好ましく、第2ステップにおける雰囲気は、減圧雰囲気下であるのが好ましい。   The atmosphere in the first step is preferably an inert atmosphere such as a nitrogen atmosphere, and the atmosphere in the second step is preferably a reduced pressure atmosphere.

さらに、第1ステップの時間は、0.3〜1.5時間程度であるのが好ましく、0.5〜1.2時間程度であるのがより好ましい。第2ステップの時間は、0.7〜3.0時間程度であるのが好ましく、1.0〜2.0時間程度であるのがより好ましい。   Furthermore, the time of the first step is preferably about 0.3 to 1.5 hours, and more preferably about 0.5 to 1.2 hours. The time for the second step is preferably about 0.7 to 3.0 hours, and more preferably about 1.0 to 2.0 hours.

第1ステップおよび第2ステップを、上記のような条件とすることで、前記効果をより顕著に得ることができる。   By setting the first step and the second step as described above, the effect can be obtained more remarkably.

[2]次に、オルガノハイドロジェンポリシロキサン(A−2)と、白金または白金化合物(D)とを所定量秤量し、その後、任意の混練装置を用いて、前記工程[1]で調製した混練物に、これら成分を混練することで、シリコーンゴム系硬化性組成物を得る。   [2] Next, a predetermined amount of organohydrogenpolysiloxane (A-2) and platinum or platinum compound (D) were weighed, and then prepared in the above step [1] using an arbitrary kneading apparatus. A silicone rubber-based curable composition is obtained by kneading these components in the kneaded product.

なお、この各成分の混練の際には、予め前記工程[1]で調製した混練物とオルガノハイドロジェンポリシロキサン(A−2)とを、前記工程[1]で調製した混練物と白金または白金化合物(D)とを混練し、その後、それぞれの混練物を混練するのが好ましい。これにより、各成分を確実に分散させることができる。   When kneading each component, the kneaded material prepared in advance in the step [1] and the organohydrogenpolysiloxane (A-2) are mixed with the kneaded material prepared in the step [1] and platinum or It is preferable to knead the platinum compound (D) and then knead each kneaded product. Thereby, each component can be reliably dispersed.

この工程[2]において、混練する際の温度は、ロール設定温度として、10〜70℃程度であるのが好ましく、25〜30℃程度であるのがより好ましい。
さらに、混練する時間は、5分〜1時間程度であるのが好ましく、10〜40分程度であるのがより好ましい。
In this step [2], the temperature at the time of kneading is preferably about 10 to 70 ° C., more preferably about 25 to 30 ° C. as the roll setting temperature.
Furthermore, the kneading time is preferably about 5 minutes to 1 hour, and more preferably about 10 to 40 minutes.

なお、各工程[1]、[2]において使用される混練装置としては、特に限定されないが、例えば、ニーダー、2本ロール、バンバリーミキサー(連続ニーダー)、加圧ニーダー等を用いることができる。   The kneading apparatus used in each of the steps [1] and [2] is not particularly limited, and for example, a kneader, two rolls, a Banbury mixer (continuous kneader), a pressure kneader, or the like can be used.

また、本工程[2]において、混練物中に1−エチニル−1−シクロヘキサノールのような反応抑制剤を添加するようにしてもよい。これにより、混練物の温度が比較的高い温度に設定されたとしても、各成分の反応の進行をより的確に防止または抑制することができる。   In this step [2], a reaction inhibitor such as 1-ethynyl-1-cyclohexanol may be added to the kneaded product. Thereby, even if the temperature of the kneaded product is set to a relatively high temperature, the progress of the reaction of each component can be prevented or suppressed more accurately.

上記の様に得たシリコーンゴム系硬化性組成物に対し、必要に応じて溶媒を加え、溶液状としたものを緩和部材形成用樹脂組成物として用いることができる。   A solution obtained by adding a solvent to the silicone rubber-based curable composition obtained as described above as necessary can be used as a resin composition for forming a relaxation member.

具体的な溶媒の例としては、ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、オクタン、テトラデカンなどの脂肪族炭化水素類;ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレン、トリフルオロメチルベンゼン、ベンゾトリフルオリドなどの芳香族炭化水素類;ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、シクロペンチルエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、1,4−ジオキサン、1,3−ジオキサン、テトラヒドロフランなどのエーテル類;ジクロロメタン、クロロホルム、1,1−ジクロロエタン、1,2−ジクロロエタン、1,1,1−トリクロロエタン、1,1,2−トリクロロエタンなどのハロアルカン類;N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミドなどのカルボン酸アミド類;ジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキシドなどのスルホキシド類などを例示することができる。
溶媒は、これらのうち一種類を単独で用いても良く、二種類以上の溶媒を任意の比率で混合して用いても良い。
Specific examples of the solvent include aliphatic hydrocarbons such as pentane, hexane, cyclohexane, heptane, methylcyclohexane, ethylcyclohexane, octane, and tetradecane; benzene, toluene, ethylbenzene, xylene, trifluoromethylbenzene, and benzotrifluoride. Aromatic hydrocarbons such as: diethyl ether, diisopropyl ether, dibutyl ether, cyclopentyl methyl ether, cyclopentyl ethyl ether, ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, 1,4-dioxane, 1,3-dioxane, tetrahydrofuran Ethers such as dichloromethane, chloroform, 1,1-dichloroethane, 1,2-dichloroethane, 1 Examples include haloalkanes such as 1,1-trichloroethane and 1,1,2-trichloroethane; carboxylic acid amides such as N, N-dimethylformamide and N, N-dimethylacetamide; sulfoxides such as dimethyl sulfoxide and diethyl sulfoxide can do.
One of these solvents may be used alone, or two or more solvents may be mixed at an arbitrary ratio.

本実施形態に係る配線10は、第3のエラストマーを含む導電性樹脂組成物により構成される。この第3のエラストマーとしては、たとえばシリコーンゴム、フッ素ゴム、ニトリルゴム、アクリルゴム、スチレンゴム、クロロプレンゴム、エチレンプロピレンゴム、ウレタンゴム等を用いることができる。これらの中でも、化学的に安定性、機械的強度に優れる観点から、また、伸縮性向上の観点から、シリコーンゴムを含むことが好ましい。その場合、導電性フィラーを多く含有させても良好な伸縮性等を確保できるため、導電性に優れる配線10を形成することができる。導電性樹脂組成物は、基板20または緩和部材70を構成するシリコーンゴム系硬化性組成物に、導電性フィラーを添加して得てもよい。   The wiring 10 which concerns on this embodiment is comprised by the conductive resin composition containing a 3rd elastomer. As this third elastomer, for example, silicone rubber, fluorine rubber, nitrile rubber, acrylic rubber, styrene rubber, chloroprene rubber, ethylene propylene rubber, urethane rubber and the like can be used. Among these, it is preferable to contain silicone rubber from the viewpoint of being excellent in chemical stability and mechanical strength and from the viewpoint of improving stretchability. In that case, even if a large amount of conductive filler is contained, good stretchability and the like can be ensured, so that the wiring 10 having excellent conductivity can be formed. The conductive resin composition may be obtained by adding a conductive filler to the silicone rubber-based curable composition constituting the substrate 20 or the relaxation member 70.

導電性樹脂組成物について、第3のエラストマーがシリコーンゴムを含む場合を例として、以下に説明する。   The conductive resin composition will be described below by taking as an example the case where the third elastomer contains silicone rubber.

(エラストマー(A))
導電性樹脂組成物中に含まれるエラストマー(A)としては、シリコーンゴム系硬化性組成物中に含まれるエラストマー(A)として例示したものを用いることが可能である。また、好ましい条件についても、以下に説明する点を除いてシリコーンゴム系硬化性組成物中に含まれるエラストマー(A)と同じである。
(Elastomer (A))
As the elastomer (A) contained in the conductive resin composition, those exemplified as the elastomer (A) contained in the silicone rubber-based curable composition can be used. Also, preferable conditions are the same as those of the elastomer (A) contained in the silicone rubber-based curable composition except for the points described below.

本実施形態において、導電性樹脂組成物中におけるエラストマー(A)の含有量は、導電性樹脂組成物の固形分全体に対して、3質量%以上であることが好ましく、5質量%以上であることがより好ましく、7質量%以上であることがさらに好ましい。また、導電性樹脂組成物中におけるエラストマー(A)の含有量は、導電性樹脂組成物の固形分全体に対して、30質量%以下であることが好ましく、25質量%以下であることがより好ましく、20質量%以下であることがさらに好ましい。
エラストマー(A)の含有量を上記下限値以上とすることにより、導電性樹脂組成物の硬化物が適度な柔軟性を持つことができる。また、エラストマー(A)の含有量を上記上限値以下とすることにより、硬化物の機械的強度の向上を図ることができる。
In the present embodiment, the content of the elastomer (A) in the conductive resin composition is preferably 3% by mass or more, and preferably 5% by mass or more with respect to the entire solid content of the conductive resin composition. More preferably, it is more preferably 7% by mass or more. Moreover, it is preferable that content of the elastomer (A) in a conductive resin composition is 30 mass% or less with respect to the whole solid content of a conductive resin composition, and it is more preferable that it is 25 mass% or less. Preferably, it is 20 mass% or less.
By making content of an elastomer (A) more than the said lower limit, the hardened | cured material of a conductive resin composition can have moderate softness | flexibility. Moreover, improvement of the mechanical strength of hardened | cured material can be aimed at by making content of an elastomer (A) below into the said upper limit.

(シリカ粒子(B))
本実施形態の導電性樹脂組成物は、必要に応じ、シリカ粒子(B)を含んでいてもよい。このシリカ粒子(B)を含ませることにより、導電性樹脂組成物から形成される硬化物の硬さや機械的強度の向上を図ることができる。導電性樹脂組成物中に含まれるシリカ粒子(B)としては、シリコーンゴム系硬化性組成物中に含まれるシリカ粒子(B)として例示したものを用いることが可能である。また、好ましい条件についても、以下に説明する点を除いてシリコーンゴム系硬化性組成物中に含まれるシリカ粒子(B)と同じである。
(Silica particles (B))
The conductive resin composition of the present embodiment may contain silica particles (B) as necessary. By including the silica particles (B), it is possible to improve the hardness and mechanical strength of a cured product formed from the conductive resin composition. As the silica particles (B) contained in the conductive resin composition, those exemplified as the silica particles (B) contained in the silicone rubber-based curable composition can be used. Moreover, also about preferable conditions, except the point demonstrated below, it is the same as the silica particle (B) contained in a silicone rubber-type curable composition.

本実施形態において、導電性樹脂組成物中におけるシリカ粒子(B)の含有量は、導電性樹脂組成物の固形分全体に対して、1質量%以上であることが好ましく、2質量%以上であることがより好ましく、3質量%以上であることがさらに好ましい。また、導電性樹脂組成物中におけるシリカ粒子(B)の含有量は、導電性樹脂組成物の固形分全体に対して、15質量%以下であることが好ましく、12質量%以下であることがより好ましく、10質量%以下であることがさらに好ましい。
シリカ粒子(B)の含有量を上記下限値以上、上限値以下とすることにより、導電性樹脂組成物の硬化物が適度な機械的強度を持つことができる。また、シリカ粒子(B)の含有量を上記上限値以下とすることにより、硬化物が適度な導電特性を持つことができる。
In this embodiment, it is preferable that content of the silica particle (B) in a conductive resin composition is 1 mass% or more with respect to the whole solid content of a conductive resin composition, and it is 2 mass% or more. More preferably, it is more preferably 3% by mass or more. Moreover, it is preferable that content of the silica particle (B) in a conductive resin composition is 15 mass% or less with respect to the whole solid content of a conductive resin composition, and it is 12 mass% or less. More preferably, it is more preferably 10% by mass or less.
By making content of a silica particle (B) more than the said lower limit and below an upper limit, the hardened | cured material of an electroconductive resin composition can have moderate mechanical strength. Moreover, hardened | cured material can have a moderate electroconductive characteristic by making content of a silica particle (B) below into the said upper limit.

(シランカップリング剤(C))
本実施形態の導電性樹脂組成物は、シランカップリング剤(C)を含んでいてもよい。このシランカップリング剤(C)は、加水分解性基を有するものであり、この加水分解基が水により加水分解されて水酸基になり、この水酸基がシリカ粒子(B)表面の水酸基と脱水縮合反応することで、シリカ粒子(B)の表面改質を行うことができる。
その他、シリカ粒子(B)が存在しない場合であっても、配線10と基板20および緩和部材70との密着性を向上させるという効果を発揮することができる。
導電性樹脂組成物中に含まれるシランカップリング剤(C)としては、シリコーンゴム系硬化性組成物中に含まれるシランカップリング剤(C)として例示したものを用いることが可能である。また、好ましい条件についても、以下に説明する点を除いてシリコーンゴム系硬化性組成物中に含まれるシランカップリング剤(C)と同じである。
(Silane coupling agent (C))
The conductive resin composition of the present embodiment may contain a silane coupling agent (C). The silane coupling agent (C) has a hydrolyzable group, and the hydrolyzable group is hydrolyzed with water to form a hydroxyl group, and this hydroxyl group dehydrates and condenses with the hydroxyl group on the surface of the silica particles (B). By doing so, the surface modification | reformation of a silica particle (B) can be performed.
In addition, even when the silica particles (B) are not present, the effect of improving the adhesion between the wiring 10 and the substrate 20 and the relaxing member 70 can be exhibited.
As the silane coupling agent (C) contained in the conductive resin composition, those exemplified as the silane coupling agent (C) contained in the silicone rubber-based curable composition can be used. Also, preferable conditions are the same as the silane coupling agent (C) contained in the silicone rubber-based curable composition except for the points described below.

本実施形態において、導電性樹脂組成物中におけるシランカップリング剤(C)の含有量は、導電性樹脂組成物の固形分全体に対して、0.1質量%以上であることが好ましく、0.3質量%以上であることがより好ましく、0.5質量%以上であることがさらに好ましい。また、導電性樹脂組成物中におけるシランカップリング剤(C)の含有量は、導電性樹脂組成物の固形分全体に対して、5質量%以下であることが好ましく、4質量%以下であることがより好ましく、3質量%以下であることがさらに好ましい。
シランカップリング剤(C)の含有量を上記下限値以上、上限値以下とすることにより、配線10が緩和部材70および基板20と適度な密着性を持ち、また、シリカ粒子(B)を用いる場合においては、硬化物全体としての機械的強度の向上に資することができる。また、シランカップリング剤(C)の含有量を上記上限値以下とすることにより、硬化物である配線10が適度な導電特性を持つことができる。
In the present embodiment, the content of the silane coupling agent (C) in the conductive resin composition is preferably 0.1% by mass or more based on the entire solid content of the conductive resin composition. It is more preferably 3% by mass or more, and further preferably 0.5% by mass or more. Moreover, it is preferable that content of the silane coupling agent (C) in a conductive resin composition is 5 mass% or less with respect to the whole solid content of a conductive resin composition, and is 4 mass% or less. More preferred is 3% by mass or less.
By setting the content of the silane coupling agent (C) to the above lower limit value or more and the upper limit value or less, the wiring 10 has appropriate adhesion to the relaxation member 70 and the substrate 20, and the silica particles (B) are used. In some cases, it can contribute to the improvement of the mechanical strength of the entire cured product. Moreover, the wiring 10 which is hardened | cured material can have a moderate electroconductive characteristic by making content of a silane coupling agent (C) below into the said upper limit.

(白金または白金化合物(D))
本実施形態の導電性樹脂組成物は、白金または白金化合物(D)を含むことができる。
白金または白金化合物(D)は、本実施形態の導電性樹脂組成物硬化の際の触媒として作用する成分である。導電性樹脂組成物中に含まれる白金または白金化合物(D)としては、シリコーンゴム系硬化性組成物中に含まれる白金または白金化合物(D)として例示したものを用いることが可能である。また、好ましい条件についても、以下に説明する点を除いてシリコーンゴム系硬化性組成物中に含まれる白金または白金化合物(D)と同じである。
(Platinum or platinum compound (D))
The conductive resin composition of this embodiment can contain platinum or a platinum compound (D).
Platinum or a platinum compound (D) is a component that acts as a catalyst for curing the conductive resin composition of the present embodiment. As platinum or platinum compound (D) contained in the conductive resin composition, those exemplified as platinum or platinum compound (D) contained in the silicone rubber-based curable composition can be used. Moreover, also about preferable conditions, except the point demonstrated below, it is the same as the platinum or platinum compound (D) contained in a silicone rubber-type curable composition.

本実施形態において、導電性樹脂組成物中における白金または白金化合物(D)の含有量は、導電性樹脂組成物の固形分全体の重さに対して、0.001ppm以上であることが好ましく、0.005ppm以上であることがより好ましく、0.01ppm以上であることがさらに好ましい。また、導電性樹脂組成物中における白金または白金化合物(D)の含有量は、導電性樹脂組成物の固形分全体の重さに対して、2000ppm以下であることが好ましく、1000ppm以下であることがより好ましく、500ppm以下であることがさらに好ましい。
白金または白金化合物(D)の含有量を上記下限値以上とすることにより、導電性樹脂組成物が適切な速度で硬化することが可能となる。また、白金または白金化合物(D)の含有量を上記上限値以下とすることにより、導電性樹脂組成物を作製する際のコストの削減に資することができる。
In the present embodiment, the content of platinum or the platinum compound (D) in the conductive resin composition is preferably 0.001 ppm or more with respect to the weight of the entire solid content of the conductive resin composition. It is more preferably 0.005 ppm or more, and further preferably 0.01 ppm or more. In addition, the content of platinum or the platinum compound (D) in the conductive resin composition is preferably 2000 ppm or less, and preferably 1000 ppm or less, based on the weight of the entire solid content of the conductive resin composition. Is more preferable, and it is further more preferable that it is 500 ppm or less.
By setting the content of platinum or the platinum compound (D) to the above lower limit value or more, the conductive resin composition can be cured at an appropriate speed. Moreover, it can contribute to the reduction of the cost at the time of producing a conductive resin composition by making content of platinum or a platinum compound (D) below the said upper limit.

(水(E))
また、本実施形態の導電性組成物には、水(E)が含まれていてもよい。
これにより、先述のシランカップリング剤(C)が加水分解を起こし、所望の効能を発現しやすくなる。
なお、この水(E)の添加量は任意である。
(Water (E))
Moreover, water (E) may be contained in the electroconductive composition of this embodiment.
Thereby, the above-mentioned silane coupling agent (C) is hydrolyzed, and it becomes easy to express a desired effect.
The amount of water (E) added is arbitrary.

(導電性フィラー)
本実施形態の導電性樹脂組成物は、導電性フィラーを含む。
この導電性フィラーは特に限定はされないが、例えば、銅、銀、金、ニッケル、錫、鉛、亜鉛、ビスマス、アンチモン、或いはこれらを合金化した金属粉、導電有機化合物、導電性カーボン材料のうちの少なくとも一種類、あるいは、これらのうちの二種以上を含むことができる。
(Conductive filler)
The conductive resin composition of this embodiment contains a conductive filler.
The conductive filler is not particularly limited. For example, among copper, silver, gold, nickel, tin, lead, zinc, bismuth, antimony, or metal powders obtained by alloying these, conductive organic compounds, and conductive carbon materials. At least one of these, or two or more of these may be included.

これらのうち、導電性フィラーとしては、導電性の高さや入手容易性の高さから、銀または銅を含むこと、すなわち、銀粉または銅粉を含むことが好ましい。
なお、これらの導電性フィラーは他種金属でコートしたものも使用できる。
Among these, it is preferable that the conductive filler contains silver or copper, that is, contains silver powder or copper powder from the viewpoint of high conductivity and high availability.
These conductive fillers can be coated with other kinds of metals.

本実施形態において、導電性フィラーの形状には制限がないが、樹枝状、球状、リン片状等の従来から用いられているものが使用できる。   In the present embodiment, the shape of the conductive filler is not limited, but conventionally used ones such as a dendritic shape, a spherical shape, and a flake shape can be used.

本実施形態において、導電性樹脂組成物中における導電性フィラーの含有量は、導電性樹脂組成物の固形分全体に対して、60質量%以上であることが好ましく、65質量%以上であることがより好ましく、70質量%以上であることがさらに好ましい。また、導電性樹脂組成物中における導電性フィラーの含有量は、導電性樹脂組成物の固形分全体に対して、90質量%以下であることが好ましく、88質量%以下であることがより好ましく、85質量%以下であることがさらに好ましい。
導電性フィラーの含有量を上記下限値以上とすることにより、導電性樹脂組成物の硬化物が適度な導電特性を持つことができる。また、導電性フィラーの含有量を上記上限値以下とすることにより、硬化物が適度な柔軟性を持つことができる。
In the present embodiment, the content of the conductive filler in the conductive resin composition is preferably 60% by mass or more, and 65% by mass or more based on the entire solid content of the conductive resin composition. Is more preferable, and it is still more preferable that it is 70 mass% or more. In addition, the content of the conductive filler in the conductive resin composition is preferably 90% by mass or less, more preferably 88% by mass or less, based on the entire solid content of the conductive resin composition. More preferably, it is 85 mass% or less.
By making content of an electroconductive filler more than the said lower limit, the hardened | cured material of an electroconductive resin composition can have a moderate electroconductive characteristic. Moreover, hardened | cured material can have moderate softness | flexibility by making content of an electroconductive filler below the said upper limit.

(その他の成分)
さらに、本実施形態の導電性樹脂組成物は、上記(A)〜(E)成分の他、樹脂組成物に配合される公知の成分を含有していてもよい。例えば、珪藻土、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化セリウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、炭酸亜鉛、ガラスウール、マイカ等が挙げられる。その他、分散剤、顔料、染料、帯電防止剤、酸化防止剤、難燃剤、熱伝導性向上剤等を適宜配合することができる。
また、導電性樹脂組成物の硬化性を制御する観点から、適宜反応阻害剤を加えることもできる。
(Other ingredients)
Furthermore, the conductive resin composition of the present embodiment may contain known components blended in the resin composition in addition to the components (A) to (E). Examples thereof include diatomaceous earth, iron oxide, zinc oxide, titanium oxide, barium oxide, magnesium oxide, cerium oxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, zinc carbonate, glass wool, and mica. In addition, dispersants, pigments, dyes, antistatic agents, antioxidants, flame retardants, thermal conductivity improvers, and the like can be appropriately blended.
In addition, a reaction inhibitor can be appropriately added from the viewpoint of controlling the curability of the conductive resin composition.

(導電性樹脂組成物の製造方法)
続いて、本実施形態に係る導電性樹脂組成物の製造方法について説明する。
本実施形態の導電性樹脂組成物は、たとえば、以下に示すような工程を経ることにより製造することができる。
(Method for producing conductive resin composition)
Then, the manufacturing method of the conductive resin composition which concerns on this embodiment is demonstrated.
The conductive resin composition of the present embodiment can be produced, for example, through the following steps.

まず、上記したシリコーン系硬化性組成物を製造する方法の工程[1]および[2]と同様にして、シリコーン系硬化性組成物を得る。導電性樹脂組成物を製造する方法の、各工程における好ましい条件は、シリコーン系硬化性組成物を製造する方法で説明した条件と同じである。   First, a silicone-based curable composition is obtained in the same manner as in steps [1] and [2] of the method for producing a silicone-based curable composition described above. The preferable conditions in each step of the method for producing a conductive resin composition are the same as those described in the method for producing a silicone-based curable composition.

得られたシリコーンゴム系硬化性組成物を溶媒に溶かし、導電性フィラーを加えることで、導電性樹脂組成物を得ることができる。
ここで用いられる溶媒は、上記の配合物を均一に溶解ないし分散させることのできる溶媒の中から適宜選択すればよい。
A conductive resin composition can be obtained by dissolving the obtained silicone rubber-based curable composition in a solvent and adding a conductive filler.
What is necessary is just to select the solvent used here suitably from the solvent which can melt | dissolve thru | or disperse | distribute said compound uniformly.

具体的な溶媒の例としては、ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、オクタン、テトラデカンなどの脂肪族炭化水素類;ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレン、トリフルオロメチルベンゼン、ベンゾトリフルオリドなどの芳香族炭化水素類;ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、シクロペンチルエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、1,4−ジオキサン、1,3−ジオキサン、テトラヒドロフランなどのエーテル類;ジクロロメタン、クロロホルム、1,1−ジクロロエタン、1,2−ジクロロエタン、1,1,1−トリクロロエタン、1,1,2−トリクロロエタンなどのハロアルカン類;N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミドなどのカルボン酸アミド類;ジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキシドなどのスルホキシド類などを例示することができる。
溶媒は、これらのうち一種類を単独で用いても良く、二種類以上の溶媒を任意の比率で混合して用いても良い。
Specific examples of the solvent include aliphatic hydrocarbons such as pentane, hexane, cyclohexane, heptane, methylcyclohexane, ethylcyclohexane, octane, and tetradecane; benzene, toluene, ethylbenzene, xylene, trifluoromethylbenzene, and benzotrifluoride. Aromatic hydrocarbons such as: diethyl ether, diisopropyl ether, dibutyl ether, cyclopentyl methyl ether, cyclopentyl ethyl ether, ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, 1,4-dioxane, 1,3-dioxane, tetrahydrofuran Ethers such as dichloromethane, chloroform, 1,1-dichloroethane, 1,2-dichloroethane, 1 Examples include haloalkanes such as 1,1-trichloroethane and 1,1,2-trichloroethane; carboxylic acid amides such as N, N-dimethylformamide and N, N-dimethylacetamide; sulfoxides such as dimethyl sulfoxide and diethyl sulfoxide can do.
One of these solvents may be used alone, or two or more solvents may be mixed at an arbitrary ratio.

なお、本実施形態では、シリコーンゴム系硬化性樹脂組成物を用いて導電性樹脂組成物を製造する方法について説明したが、これに限定されず、用いるエラストマーの種類に応じて、公知の方法を適宜用いることができる。   In this embodiment, the method for producing a conductive resin composition using a silicone rubber-based curable resin composition has been described. However, the present invention is not limited to this, and a known method may be used depending on the type of elastomer used. It can be used as appropriate.

たとえば、第3のエラストマーとしてウレタンゴムを用いる場合には、ウレタンエラストマー粒子の水分散液に対し、導電性フィラーを加えることで、導電性樹脂組成物を製造できる。   For example, when urethane rubber is used as the third elastomer, a conductive resin composition can be produced by adding a conductive filler to an aqueous dispersion of urethane elastomer particles.

配線10、基板20および緩和部材70のうちの複数が、シリコーンゴム系硬化性組成物を用いて形成される場合、各構成要素について、用いられるシリコーンゴム系硬化性組成物は同一の組成であっても良いし、互いに異なる組成であってもよい。   When a plurality of the wiring 10, the substrate 20, and the relaxation member 70 are formed using a silicone rubber-based curable composition, the silicone rubber-based curable composition used for each component has the same composition. Alternatively, the compositions may be different from each other.

第1のエラストマー、第2のエラストマー、および第3のエラストマーのうち、少なくとも1つはビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A−1)の架橋体(a)を含むことが好ましく、中でも、第1のエラストマーはビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A−1)の架橋体(a)を含むことが好ましい。また、第1のエラストマー、第2のエラストマー、および第3のエラストマーがいずれもビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A−1)の架橋体(a)を含むことがより好ましい。   Of the first elastomer, the second elastomer, and the third elastomer, at least one preferably contains a cross-linked product (a) of the vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A-1). The first elastomer preferably contains a crosslinked product (a) of a vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A-1). Moreover, it is more preferable that the first elastomer, the second elastomer, and the third elastomer all contain a cross-linked product (a) of the vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A-1).

また、当該架橋体(a)は、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A−1)とオルガノハイドロジェンポリシロキサン(A−2)との架橋体であることがより好ましい。   Further, the crosslinked product (a) is more preferably a crosslinked product of a vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A-1) and an organohydrogenpolysiloxane (A-2).

また、第1のエラストマー、第2のエラストマー、および第3のエラストマーのうち、少なくとも1つはシリカ粒子(B)を含むことが好ましく、第1のエラストマー、第2のエラストマー、および第3のエラストマーがいずれもシリカ粒子(B)を含むことがより好ましい。   In addition, it is preferable that at least one of the first elastomer, the second elastomer, and the third elastomer includes silica particles (B), and the first elastomer, the second elastomer, and the third elastomer. It is more preferable that all contain silica particles (B).

また、上記配合を調整することにより、本実施形態に係る非伸縮状態での配線10の抵抗率を設定することができる。当該抵抗率は、たとえば1×10−2Ω・cm以下であり、より好ましくは5×10−3Ω・cm以下である。また、当該抵抗率は、たとえば1×10−6Ω・cm以上である。そうすれば、電子装置100の信頼性の向上および省エネルギー化が図れる。当該抵抗率は、たとえば以下の様に測定できる。そなわち、まず、硬質部材60に設けられた電極と、配線10に設けられた電極パッドの間の抵抗値を測定する。そして、測定された抵抗値に対して、当該電極と電極パッド間の配線パターンの長さ方向に垂直な断面積を乗じ、さらに、当該電極と電極パッド間の配線パターンの長さの値で除して抵抗率を得る。 Moreover, the resistivity of the wiring 10 in the non-stretched state according to the present embodiment can be set by adjusting the above composition. The resistivity is, for example, 1 × 10 −2 Ω · cm or less, and more preferably 5 × 10 −3 Ω · cm or less. The resistivity is, for example, 1 × 10 −6 Ω · cm or more. By doing so, it is possible to improve the reliability of the electronic device 100 and to save energy. The resistivity can be measured as follows, for example. That is, first, the resistance value between the electrode provided on the hard member 60 and the electrode pad provided on the wiring 10 is measured. Then, the measured resistance value is multiplied by a cross-sectional area perpendicular to the length direction of the wiring pattern between the electrode and the electrode pad, and further divided by the value of the length of the wiring pattern between the electrode and the electrode pad. And get the resistivity.

本実施形態に係る電子装置100の製造方法について以下に説明する。
当該製造方法は、第1のエラストマーを含む基板20を準備する工程、基板20の第1主面201に、電極62を有する硬質部材60を配置する工程、第2のエラストマーを含む緩和部材70を形成する工程、および第3のエラストマーおよび導電性フィラーを含む配線10を形成する工程を含む。配線10を形成する工程では、基板20の第1主面201に配線10を形成する。そして、硬質部材60の、電極62が設けられた第1面601の少なくとも一つの辺104と、配線10とは、平面視で交差するように形成される。また、緩和部材70は、辺104と、配線10との間に介在するように形成される。以下に詳細を説明する。
A method for manufacturing the electronic device 100 according to the present embodiment will be described below.
The manufacturing method includes a step of preparing the substrate 20 including the first elastomer, a step of disposing the hard member 60 having the electrode 62 on the first main surface 201 of the substrate 20, and the relaxing member 70 including the second elastomer. Forming the wiring 10 including the third elastomer and the conductive filler. In the step of forming the wiring 10, the wiring 10 is formed on the first main surface 201 of the substrate 20. In addition, at least one side 104 of the first surface 601 of the hard member 60 on which the electrode 62 is provided and the wiring 10 are formed so as to intersect with each other in plan view. Further, the relaxation member 70 is formed so as to be interposed between the side 104 and the wiring 10. Details will be described below.

まず、基板20を準備する工程では、上記したシリコーンゴム系硬化性組成物を型枠内で熱プレスし、シート化する。この熱プレスにおいては、たとえば、加熱温度を100℃以上250℃以下、圧力を0.5MPa以上20MPa以下、熱プレス時間を1分以上30分以下とすることができる。また、熱プレスによる成形後、200℃で1〜4時間ポストベーク(2次硬化)することができる。   First, in the step of preparing the substrate 20, the above-described silicone rubber-based curable composition is hot-pressed in a mold to form a sheet. In this hot press, for example, the heating temperature can be 100 ° C. or more and 250 ° C. or less, the pressure can be 0.5 MPa or more and 20 MPa or less, and the hot press time can be 1 minute or more and 30 minutes or less. Moreover, after shaping | molding by hot press, it can post-bake (secondary hardening) at 200 degreeC for 1-4 hours.

次いで、硬質部材60を配置する工程では、基板20の第1主面201上に硬質部材60を配置して、接着用組成物又は接着剤で接着することにより固定する。接着用組成物としては、たとえば、未硬化の上記シリコーンゴム系硬化性組成物に対し溶剤を加え、溶液状としたものを用いることができる。   Next, in the step of disposing the hard member 60, the hard member 60 is disposed on the first main surface 201 of the substrate 20 and fixed by bonding with an adhesive composition or an adhesive. As the bonding composition, for example, a solution can be used by adding a solvent to the uncured silicone rubber-based curable composition.

次いで、緩和部材70を形成する工程では、辺104のうち、配線10と交差する部分に選択的に緩和部材70を形成する。緩和部材70は、上述の緩和部材形成用樹脂組成物を用いて形成できる。具体的には、たとえば、緩和部材70を形成する下地となる領域に対し、選択的に密着性を向上させる工程を経た後に、緩和部材形成用樹脂組成物を塗布することにより、必要な領域に選択的に塗布できる。密着性を向上させる工程は、たとえば、密着助剤の塗布、またはアンカー効果を発現させる表面粗化が挙げられる。また、マスクまたはディスペンサーを用いて緩和部材形成用樹脂組成物を必要な領域に選択的に塗布してもよい。その場合、密着性を向上させる工程は必ずしも行わなくても良い。その後、加熱温度をたとえば100℃以上250℃以下、加熱時間を1分以上60分以下として加熱処理することで、緩和部材70を形成できる。   Next, in the step of forming the relaxing member 70, the relaxing member 70 is selectively formed in a portion of the side 104 that intersects the wiring 10. The relaxing member 70 can be formed using the above-described resin composition for forming a relaxing member. Specifically, for example, after a step of selectively improving adhesion to a region serving as a base on which the relaxation member 70 is formed, a resin composition for forming the relaxation member is applied to a necessary region. Can be selectively applied. Examples of the step of improving the adhesion include application of an adhesion assistant or surface roughening that exhibits an anchor effect. Moreover, you may selectively apply | coat the resin composition for relaxation member formation to a required area | region using a mask or dispenser. In that case, the step of improving the adhesiveness is not necessarily performed. Thereafter, the relaxing member 70 can be formed by performing heat treatment at a heating temperature of, for example, 100 ° C. to 250 ° C. and a heating time of 1 minute to 60 minutes.

次いで、配線10を形成する工程では、基板20および硬質部材60に対し、スクリーン印刷、インクジェット印刷、グラビア印刷、ディスペンサー等の公知の方法により、上記した導電性樹脂組成物をインクとして配線10となるパターンを印刷、塗布する。それをオーブンで加熱し、配線10を形成する。このとき、加熱温度はたとえば100℃以上300℃以下とすることができる。また、加熱時間はたとえば20分以上30時間以下とすることができる。こうして、電子装置100が得られる。   Next, in the step of forming the wiring 10, the wiring 20 is formed on the substrate 20 and the hard member 60 using the above-described conductive resin composition as an ink by a known method such as screen printing, ink jet printing, gravure printing, or dispenser. Print and apply the pattern. The wiring 10 is formed by heating it in an oven. At this time, the heating temperature can be, for example, 100 ° C. or more and 300 ° C. or less. Further, the heating time can be, for example, 20 minutes or longer and 30 hours or shorter. In this way, the electronic device 100 is obtained.

なお、電子装置100の製造方法は上記に限定されない。たとえば、あらかじめ第1面601上に配線10を設けた配線基板を準備しておき、その配線基板上に硬質部材60を配置した後に、緩和部材70を形成し、さらに配線基板の配線10と電極62とを接続する部分の配線10を形成して電子装置100を製造しても良い。   In addition, the manufacturing method of the electronic device 100 is not limited to the above. For example, a wiring board provided with the wiring 10 on the first surface 601 is prepared in advance, the hard member 60 is disposed on the wiring board, the relaxation member 70 is formed, and the wiring 10 and electrodes of the wiring board are further formed. The electronic device 100 may be manufactured by forming a portion of the wiring 10 that connects to 62.

次に、本実施形態の作用および効果について説明する。本実施形態によれば、耐久性に優れた電子装置を実現できる。   Next, the operation and effect of this embodiment will be described. According to the present embodiment, an electronic device having excellent durability can be realized.

(第2の実施形態)
図4は、第2の実施形態に係る電子装置100の構造を示す図である。本図は第1の実施形態の図1に対応する。本実施形態にかかる電子装置100は、基板20の厚み方向に平行な断面(図4に相当)における、硬質部材60の側面603と第1主面201との交点105a、および、配線10の間にも、緩和部材70が介在している点を除いて第1の実施形態に係る電子装置100と同じである。
(Second Embodiment)
FIG. 4 is a diagram illustrating the structure of the electronic device 100 according to the second embodiment. This figure corresponds to FIG. 1 of the first embodiment. In the electronic device 100 according to the present embodiment, the cross-section (corresponding to FIG. 4) parallel to the thickness direction of the substrate 20, the intersection 105 a between the side surface 603 of the hard member 60 and the first main surface 201, and the wiring 10. In addition, the electronic device 100 is the same as the electronic device 100 according to the first embodiment except that the relaxation member 70 is interposed.

本実施形態に係る電子装置100では、辺104と配線10との間のみならず、基板20の第1主面201と硬質部材60の側面603とが交わる交線105b(基板20の厚み方向に平行な断面における交点105aに対応)と、配線10との間にも、緩和部材70が介在している。交線105bは、詳しくは、硬質部材60が設けられていない領域の第1主面201と、硬質部材60の側面603とが交わる線であり、辺104と交線105bは硬質部材60の側面603を含む同一平面上にある。硬質部材60が基板20に埋め込まれずに配置されている場合、交線105bは、硬質部材60の基板に対向する面を形成する一辺である。ここで、緩和部材70は、交線105bのうち、少なくとも配線10が交差する部分を全て覆うように設けられていればよい。その他の部分には緩和部材70が設けられていても良いし、設けられていなくても良い。本図の例において、緩和部材70は、側面603のうち配線10に覆われる領域の全体を覆っている。すなわち、緩和部材70は、第1面601、側面603、および第1主面201に接するよう、連続して形成されている。なお、緩和部材70は、硬質部材60の側面603全体を覆っていても良い。   In the electronic device 100 according to the present embodiment, not only between the side 104 and the wiring 10 but also the intersection line 105b (in the thickness direction of the substrate 20) where the first main surface 201 of the substrate 20 and the side surface 603 of the hard member 60 intersect. The relaxation member 70 is also interposed between the wiring 10 and the intersection point 105a in the parallel section). More specifically, the intersection line 105b is a line where the first main surface 201 in a region where the hard member 60 is not provided and the side surface 603 of the hard member 60 intersects, and the side 104 and the intersection line 105b are side surfaces of the hard member 60. It is on the same plane including 603. When the hard member 60 is arranged without being embedded in the substrate 20, the intersection line 105 b is one side that forms a surface of the hard member 60 that faces the substrate. Here, the relaxing member 70 only needs to be provided so as to cover at least the portion of the intersection line 105b where the wiring 10 intersects. Other portions may be provided with the relaxation member 70 or may not be provided. In the example of this figure, the relaxation member 70 covers the entire region covered with the wiring 10 in the side surface 603. That is, the relaxing member 70 is continuously formed so as to contact the first surface 601, the side surface 603, and the first main surface 201. The relaxation member 70 may cover the entire side surface 603 of the hard member 60.

また、緩和部材70は、硬質部材60と配線10の間のみならず、少なくとも一部の領域において基板20と配線10との間にさらに設けられていても良い。   Further, the relaxing member 70 may be further provided between the substrate 20 and the wiring 10 in at least a part of the region, not only between the hard member 60 and the wiring 10.

本実施形態においては第1の実施形態と同様の作用および効果が得られる。加えて、応力が集中する基板と硬質部材の境界部分の配線をより効果的に補強し、電子装置の耐久性をより向上させることができる。   In this embodiment, the same operation and effect as in the first embodiment can be obtained. In addition, it is possible to more effectively reinforce the wiring at the boundary portion between the substrate and the hard member where stress is concentrated, and to further improve the durability of the electronic device.

(第3の実施形態)
図5は、第3の実施形態に係る電子装置100の構造を示す図である。本図は第1の実施形態の図1に対応する。本実施形態に係る電子装置100は、配線10を覆って伸縮性を有する被覆層30が形成されている点を除いて第2の実施形態に係る電子装置100と同じである。
(Third embodiment)
FIG. 5 is a diagram illustrating a structure of the electronic device 100 according to the third embodiment. This figure corresponds to FIG. 1 of the first embodiment. The electronic device 100 according to the present embodiment is the same as the electronic device 100 according to the second embodiment except that a coating layer 30 that covers the wiring 10 and has elasticity is formed.

原理上、配線については、導電性フィラーの含有量を高めることにより導電性を高めることができる。一方、導電性フィラーの含有率を高めることにより、配線の伸縮性が低減する。ここで、被覆層を設けない場合には、配線が基板の伸長に追従できず、配線、中でも特に伸縮性基板と接しない面にひび割れ等が生じて、配線の電気抵抗が高くなるなど、耐久性が損なわれやすい場合がある。   In principle, the conductivity of the wiring can be increased by increasing the content of the conductive filler. On the other hand, the stretchability of the wiring is reduced by increasing the content of the conductive filler. Here, when the coating layer is not provided, the wiring cannot follow the elongation of the substrate, and the wiring, particularly the surface that does not contact the stretchable substrate is cracked, and the electrical resistance of the wiring is increased. May be easily impaired.

それに対し、本実施形態に係る電子装置100では、配線10を覆って被覆層30が形成されているため、伸長によく追従させることができる。また、たとえ伸長により配線10が損傷し、物理的欠陥が形成されたとしても、被覆層30の縮もうとする力がその欠陥を閉じる方向にはたらき、非伸縮状態での電気抵抗の増大を抑制できる。   On the other hand, in the electronic device 100 according to the present embodiment, since the coating layer 30 is formed so as to cover the wiring 10, it is possible to follow the elongation well. Further, even if the wiring 10 is damaged due to elongation and a physical defect is formed, the force to shrink the coating layer 30 acts in the direction of closing the defect, and the increase in electrical resistance in the non-stretched state is suppressed. it can.

被覆層30は、配線10を保護する観点から、配線10上の全体を覆っていることが好ましい。また、同様の観点から、配線10の全ての外面の内、基板20と接する面および電子部品60との接続部を除く全ての領域を被覆層30が覆っていることがより好ましい。   The covering layer 30 preferably covers the entire wiring 10 from the viewpoint of protecting the wiring 10. Further, from the same viewpoint, it is more preferable that the covering layer 30 covers all regions except for the surface contacting the substrate 20 and the connecting portion with the electronic component 60 among all the outer surfaces of the wiring 10.

また、被覆層30は、基板20上の全体を覆っていることが好ましい。そうすれば、硬質部材60や基板20が保護され、電子装置100の耐久性をより向上させることができる。もしくは、被覆層30は、基板20のうち配線10が形成されていない領域の一部または全体を覆っていても良い。   The covering layer 30 preferably covers the entire surface of the substrate 20. If it does so, the hard member 60 and the board | substrate 20 will be protected and durability of the electronic device 100 can be improved more. Alternatively, the covering layer 30 may cover a part or the whole of the region of the substrate 20 where the wiring 10 is not formed.

被覆層30は伸縮性に優れるシリコーンゴムを含むことが好ましい。そうすれば、被覆層30を設けていても、電子装置100全体の十分な伸縮性を確保できる。   The covering layer 30 preferably contains a silicone rubber that is excellent in stretchability. Then, even if the coating layer 30 is provided, sufficient stretchability of the entire electronic device 100 can be ensured.

本実施形態に係る電子装置100の製造方法について以下に説明する。まず、第1の実施形態と同様にして、基板20を準備する工程、硬質部材60を配置する工程、緩和部材70を形成する工程、および配線10を形成する工程を行う。その後、第1の実施形態で例示したシリコーンゴム系硬化性組成物を被覆層形成用樹脂組成物として設置し、加熱加圧して硬化させることにより被覆層30を形成する。この加熱加圧においては、加熱温度をたとえば100℃以上250℃以下、圧力を0.5MPa以上20MPa以下、加熱加圧時間を1分以上30分以下とすることができる。   A method for manufacturing the electronic device 100 according to the present embodiment will be described below. First, similarly to the first embodiment, a step of preparing the substrate 20, a step of arranging the hard member 60, a step of forming the relaxation member 70, and a step of forming the wiring 10 are performed. Thereafter, the silicone rubber-based curable composition exemplified in the first embodiment is installed as a resin composition for forming a coating layer, and the coating layer 30 is formed by heating and pressing to cure. In this heating and pressurization, the heating temperature can be, for example, 100 ° C. or more and 250 ° C. or less, the pressure can be 0.5 MPa or more and 20 MPa or less, and the heating and pressing time can be 1 minute or more and 30 minutes or less.

被覆層30の厚さは、伸縮性と配線の耐久性向上のバランスの観点から、0.05mm以上であることが好ましく、0.3mm以上であることがより好ましい。また、同様の観点から、2mm以下であることが好ましく、1mm以下であることがより好ましく、0.8mm以下であることがさらに好ましい。なお、被覆層30は単層からなっていても良いし、異なる複数の層からなっていても良い。   The thickness of the covering layer 30 is preferably 0.05 mm or more, and more preferably 0.3 mm or more, from the viewpoint of the balance between stretchability and improvement in wiring durability. Further, from the same viewpoint, it is preferably 2 mm or less, more preferably 1 mm or less, and further preferably 0.8 mm or less. The covering layer 30 may be a single layer or a plurality of different layers.

本実施形態においては第1の実施形態と同様の作用および効果が得られる。加えて、被覆層を備えることにより、電子装置の耐久性をより向上させることができる。また、配線に多くの導電性フィラーを含有させることができ、配線抵抗を低減できる。   In this embodiment, the same operation and effect as in the first embodiment can be obtained. In addition, the durability of the electronic device can be further improved by providing the coating layer. Moreover, many conductive fillers can be contained in the wiring, and the wiring resistance can be reduced.

(第4の実施形態)
図6は、第4の実施形態に係る電子装置100の構造を示す図である。本図は第1の実施形態の図1に対応する。本実施形態に係る電子装置100は、硬質部材60の側面603が第1主面201に対して斜めである点を除いて第2の実施形態に係る電子装置100と同じである。
(Fourth embodiment)
FIG. 6 is a diagram illustrating the structure of the electronic device 100 according to the fourth embodiment. This figure corresponds to FIG. 1 of the first embodiment. The electronic device 100 according to the present embodiment is the same as the electronic device 100 according to the second embodiment except that the side surface 603 of the hard member 60 is inclined with respect to the first main surface 201.

本実施形態に係る電子装置100では、辺104と交線105bの間の側面603が第1主面201に対して垂直ではなく斜めである。具体的には、硬質部材60は、第1主面201に垂直な断面において、基板20に近づくにつれて幅が広くなるように側面603が傾斜している。そのため、辺104や交線105bの部分において配線10への応力集中が生じにくい。さらに、辺104の角部での、配線10の薄膜化も抑制される。   In the electronic device 100 according to the present embodiment, the side surface 603 between the side 104 and the intersection line 105b is not perpendicular to the first main surface 201 but is oblique. Specifically, the side surface 603 is inclined so that the width of the hard member 60 becomes wider as it approaches the substrate 20 in a cross section perpendicular to the first main surface 201. For this reason, stress concentration on the wiring 10 is unlikely to occur at the side 104 or the intersection 105b. Further, thinning of the wiring 10 at the corners of the side 104 is also suppressed.

なお、本実施形態に係る電子装置100において、第1の実施形態の様に、辺104と配線10との間のみに緩和部材70が設けられ、交線105bと配線10の間には緩和部材70が設けられていなくても良い。   In the electronic device 100 according to the present embodiment, the relaxation member 70 is provided only between the side 104 and the wiring 10 as in the first embodiment, and the relaxation member is provided between the intersection line 105b and the wiring 10. 70 may not be provided.

本実施形態においては第1の実施形態と同様の作用および効果が得られる。加えて、基板と硬質部材との境界部分における配線への応力集中を緩和し、電子装置の耐久性をより向上させることができる。   In this embodiment, the same operation and effect as in the first embodiment can be obtained. In addition, the stress concentration on the wiring at the boundary between the substrate and the hard member can be relaxed, and the durability of the electronic device can be further improved.

(第5の実施形態)
図7は、第5の実施形態に係る電子装置100の構造を示す図である。本図は第1の実施形態の図1に対応する。本実施形態に係る電子装置100は、硬質部材60の少なくとも一部分が、基板20に埋め込まれている点を除いて、第2の実施形態に係る電子装置100と同じである。
(Fifth embodiment)
FIG. 7 is a diagram illustrating a structure of an electronic device 100 according to the fifth embodiment. This figure corresponds to FIG. 1 of the first embodiment. The electronic device 100 according to the present embodiment is the same as the electronic device 100 according to the second embodiment, except that at least a part of the hard member 60 is embedded in the substrate 20.

本実施形態において、硬質部材60の第2面602は全体が基板20に接しており、側面603は少なくとも一部が基板20に接している。本実施形態に係る電子装置100においては、硬質部材60が基板20に埋め込まれていることにより、硬質部材60が設けられていない領域の第1主面201から突出する硬質部材60の高さhが、埋め込まれていない場合に対して小さくなる。すなわち、基板20と硬質部材60との境界部で配線10の下地に生じる段差が小さくなる。したがって、基板20が伸長等する際の、当該境界部での配線10への応力が低減される。さらに、辺104の角部での、配線10の薄膜化も抑制される。よって、電子装置100の耐久性がより向上する。   In the present embodiment, the second surface 602 of the hard member 60 is entirely in contact with the substrate 20, and at least a part of the side surface 603 is in contact with the substrate 20. In the electronic device 100 according to the present embodiment, since the hard member 60 is embedded in the substrate 20, the height h of the hard member 60 protruding from the first main surface 201 in the region where the hard member 60 is not provided. However, it becomes smaller than the case where it is not embedded. That is, a step generated in the base of the wiring 10 at the boundary between the substrate 20 and the hard member 60 is reduced. Therefore, the stress on the wiring 10 at the boundary portion when the substrate 20 is extended or the like is reduced. Further, thinning of the wiring 10 at the corners of the side 104 is also suppressed. Therefore, the durability of the electronic device 100 is further improved.

図8は、本実施形態に係る電子装置100の構造の変形例を示す図である。図7では、硬質部材60の一部分のみが基板20に埋め込まれた例を示したのに対し、本変形例では、硬質部材60の全体が基板20に埋め込まれている。即ち、硬質部材60の、基板20に対向する面とは反対側の面と、基板20の第1主面201のうち硬質部材60が設けられていない領域とが、同一平面を形成するように、硬質部材60が基板20に埋め込まれている。本変形例において、硬質部材60の第2面602および側面603は全体が基板20に接している。このように、第1面601と、硬質部材60が設けられていない領域の主面106とが同一平面を形成し、即ち、面一(つらいち)になっていることにより、辺104が配線10の下地として角部とならない。したがって、基板20が伸長等する際の、配線10への応力が低減され、電子装置100の耐久性がより向上する。ただし、作製上生じる軽微な段差は許容される。   FIG. 8 is a diagram illustrating a modification of the structure of the electronic device 100 according to the present embodiment. FIG. 7 shows an example in which only a part of the hard member 60 is embedded in the substrate 20, whereas in the present modification, the entire hard member 60 is embedded in the substrate 20. That is, the surface of the hard member 60 opposite to the surface facing the substrate 20 and the region of the first main surface 201 of the substrate 20 where the hard member 60 is not provided form the same plane. The hard member 60 is embedded in the substrate 20. In this modification, the second surface 602 and the side surface 603 of the hard member 60 are entirely in contact with the substrate 20. In this manner, the first surface 601 and the main surface 106 in the region where the hard member 60 is not provided form the same plane, that is, the side 104 is wired by being flush with each other. No corners as the base of 10. Therefore, the stress on the wiring 10 when the substrate 20 is extended is reduced, and the durability of the electronic device 100 is further improved. However, a slight level difference produced in manufacturing is allowed.

本実施形態に係る電子装置100の製造方法について以下に説明する。
当該製造方法は、第1のエラストマーを含む基板20と、電極62を有し、基板20の第1主面201に少なくとも一部分が埋め込まれた硬質部材60とを備える構造体を準備する工程、第2のエラストマーを含む緩和部材70を形成する工程、および第3のエラストマーおよび導電性フィラーを含む配線10を形成する工程をこの順に含む。配線10を形成する工程では、基板20の第1主面201に配線10を形成する。硬質部材60の、電極62が設けられた第1面601の少なくとも一つの辺104と、配線10とは、平面視で交差するように形成される。そして、緩和部材70は、辺104と配線10との間に介在するように形成される。以下に詳細を説明する。
A method for manufacturing the electronic device 100 according to the present embodiment will be described below.
The manufacturing method includes a step of preparing a structure including a substrate 20 including a first elastomer, and a hard member 60 that includes an electrode 62 and is at least partially embedded in the first main surface 201 of the substrate 20; The step of forming the relaxing member 70 including the second elastomer and the step of forming the wiring 10 including the third elastomer and the conductive filler are included in this order. In the step of forming the wiring 10, the wiring 10 is formed on the first main surface 201 of the substrate 20. At least one side 104 of the first surface 601 provided with the electrode 62 of the hard member 60 and the wiring 10 are formed so as to intersect in plan view. The relaxation member 70 is formed so as to be interposed between the side 104 and the wiring 10. Details will be described below.

まず、構造体を準備する工程では、たとえば第1の実施形態で例示したシリコーンゴム系硬化性組成物を型枠内で熱プレスし、半硬化のシートを形成する。この熱プレスにおいては、たとえば、加熱温度を10℃以上40℃以下、圧力を0.5MPa以上20MPa以下、熱プレス時間を1分以上30分以下とすることができる。次いで、半硬化のシート上に硬質部材60を配置し、積層方向に熱プレスすることで、硬質部材60が基板20に埋め込まれた構造体を得ることができる。この熱プレスにおいては、たとえば、加熱温度を100℃以上250℃以下、圧力を硬質部材60を埋め込む深さに応じて0.5MPa以上20MPa以下、熱プレス時間を1分以上30分以下とすることができる。   First, in the step of preparing the structure, for example, the silicone rubber-based curable composition exemplified in the first embodiment is hot-pressed in a mold to form a semi-cured sheet. In this hot pressing, for example, the heating temperature can be 10 ° C. or higher and 40 ° C. or lower, the pressure can be 0.5 MPa or higher and 20 MPa or lower, and the hot pressing time can be 1 minute or longer and 30 minutes or shorter. Next, the hard member 60 is disposed on a semi-cured sheet and hot pressed in the stacking direction, whereby a structure in which the hard member 60 is embedded in the substrate 20 can be obtained. In this hot press, for example, the heating temperature is 100 ° C. or higher and 250 ° C. or lower, the pressure is 0.5 MPa or higher and 20 MPa or lower depending on the depth at which the hard member 60 is embedded, and the hot pressing time is 1 minute or longer and 30 minutes or shorter. Can do.

次いで、得られた構造体に対し、緩和部材70を形成する工程および配線10を形成する工程を、第1の実施形態に係る電子装置100の製造方法における緩和部材70を形成する工程、および配線10を形成する工程と同様にして行うことで、電子装置100が得られる。   Next, with respect to the obtained structure, the step of forming the relaxing member 70 and the step of forming the wiring 10 are the same as the step of forming the relaxing member 70 in the method for manufacturing the electronic device 100 according to the first embodiment, and the wiring The electronic device 100 is obtained by performing in the same manner as the step of forming 10.

本実施形態においては第1の実施形態と同様の作用および効果が得られる。加えて、基板と硬質部材との境界部分における配線への応力集中を緩和し、電子装置の耐久性をより向上させることができる。   In this embodiment, the same operation and effect as in the first embodiment can be obtained. In addition, the stress concentration on the wiring at the boundary between the substrate and the hard member can be relaxed, and the durability of the electronic device can be further improved.

(第6の実施形態)
図9は、第6の実施形態に係る電子装置100の構造を示す図である。本図は第1の実施形態の図1に対応する。本実施形態に係る電子装置100は、以下に説明する点を除いて第1の実施形態に係る電子装置100と同じである。
(Sixth embodiment)
FIG. 9 is a diagram illustrating a structure of an electronic device 100 according to the sixth embodiment. This figure corresponds to FIG. 1 of the first embodiment. The electronic device 100 according to the present embodiment is the same as the electronic device 100 according to the first embodiment except for the points described below.

本実施形態に係る電子装置100において、硬質部材60の電極62が形成された第1面601は基板20の第1主面201に対向している。そして、配線10は、電極62に接続される部分において、硬質部材60と基板20の間に形成されている。本図の例において、具体的には第1面601は基板20に接触している。本実施形態では、配線10が第1面601に対して乗り上げることがないため、基板20が伸長等する際の、配線10への応力が低減され、電子装置100の耐久性がより向上する。   In the electronic apparatus 100 according to the present embodiment, the first surface 601 on which the electrode 62 of the hard member 60 is formed faces the first main surface 201 of the substrate 20. The wiring 10 is formed between the hard member 60 and the substrate 20 at a portion connected to the electrode 62. In the example of this figure, specifically, the first surface 601 is in contact with the substrate 20. In this embodiment, since the wiring 10 does not run on the first surface 601, the stress on the wiring 10 when the substrate 20 is extended is reduced, and the durability of the electronic device 100 is further improved.

本実施形態に係る電子装置100の製造方法について以下に説明する。当該製造方法は、第1の実施形態に係る電子装置100の製造方法と同様、第1のエラストマーを含む基板20を準備する工程、基板20の第1面第1主面201に、電極62を有する硬質部材60を配置する工程、第2のエラストマーを含む緩和部材70を形成する工程、および第3のエラストマーおよび導電性フィラーを含む配線10を形成する工程を含む。配線10を形成する工程では、基板20の第1主面201に配線10を形成する。そして、硬質部材60の、電極62が設けられた第1面601の少なくとも一つの辺104と、配線10とは、平面視で交差するように形成される。また、緩和部材70は、辺104と、配線10との間に介在するように形成される。以下に詳細を説明する。   A method for manufacturing the electronic device 100 according to the present embodiment will be described below. In the manufacturing method, similarly to the manufacturing method of the electronic device 100 according to the first embodiment, the step of preparing the substrate 20 including the first elastomer, the electrode 62 on the first surface first main surface 201 of the substrate 20 are prepared. A step of disposing the hard member 60, a step of forming the relaxation member 70 including the second elastomer, and a step of forming the wiring 10 including the third elastomer and the conductive filler. In the step of forming the wiring 10, the wiring 10 is formed on the first main surface 201 of the substrate 20. In addition, at least one side 104 of the first surface 601 of the hard member 60 on which the electrode 62 is provided and the wiring 10 are formed so as to intersect with each other in plan view. Further, the relaxation member 70 is formed so as to be interposed between the side 104 and the wiring 10. Details will be described below.

まず、基板20を準備する工程では、たとえば第1の実施形態で例示したシリコーンゴム系硬化性組成物を型枠内で熱プレスし、半硬化のシートを形成する。この熱プレスにおいては、たとえば、加熱温度を10℃以上40℃以下、圧力を0.5MPa以上20MPa以下、熱プレス時間を1分以上30分以下とすることができる。次いで、第1の実施形態と同様に、半硬化のシート上に対し導電性樹脂組成物を印刷、塗布する。次いで、熱プレスすることで、配線10が基板20に埋め込まれた構造体を得ることができる。この熱プレスにおいては、たとえば、加熱温度を100℃以上250℃以下、圧力を0.5MPa以上20MPa以下、熱プレス時間を1分以上30分以下とすることができる。本方法においては、基板20を準備する工程と配線10を形成する工程とが同時に行われる。   First, in the step of preparing the substrate 20, for example, the silicone rubber-based curable composition exemplified in the first embodiment is hot-pressed in a mold to form a semi-cured sheet. In this hot pressing, for example, the heating temperature can be 10 ° C. or higher and 40 ° C. or lower, the pressure can be 0.5 MPa or higher and 20 MPa or lower, and the hot pressing time can be 1 minute or longer and 30 minutes or shorter. Next, as in the first embodiment, a conductive resin composition is printed and applied onto a semi-cured sheet. Next, a structure in which the wiring 10 is embedded in the substrate 20 can be obtained by hot pressing. In this hot press, for example, the heating temperature can be 100 ° C. or more and 250 ° C. or less, the pressure can be 0.5 MPa or more and 20 MPa or less, and the hot press time can be 1 minute or more and 30 minutes or less. In this method, the step of preparing the substrate 20 and the step of forming the wiring 10 are performed simultaneously.

次いで、配線10を形成した第1主面201上、硬質部材60の辺104に対応する位置に緩和部材70を形成するよう、第1の実施形態と同様に緩和部材70を形成する工程を行う。その後、基板20の主面に垂直な方向から見て電極62と配線10の少なくとも一部が重なる様に第1主面201上に硬質部材60を配置する。このとき、硬質部材60の第1面601のうち電極62以外の領域には、たとえば接着用組成物を塗布しておく。そして、第2面602を第1主面201に押しつけるようにプレスを行うことで、硬質部材60を基板20に対し固定する。なお、緩和部材70を形成する工程において加熱処理を行う前に、硬質部材60を配置しても良い。   Next, the step of forming the relaxation member 70 is performed in the same manner as in the first embodiment so that the relaxation member 70 is formed at a position corresponding to the side 104 of the hard member 60 on the first main surface 201 on which the wiring 10 is formed. . Thereafter, the hard member 60 is arranged on the first main surface 201 so that at least a part of the electrode 62 and the wiring 10 overlap when viewed from a direction perpendicular to the main surface of the substrate 20. At this time, for example, an adhesive composition is applied to a region other than the electrode 62 in the first surface 601 of the hard member 60. The hard member 60 is fixed to the substrate 20 by pressing the second surface 602 against the first main surface 201. Note that the hard member 60 may be disposed before performing the heat treatment in the step of forming the relaxing member 70.

本実施形態においては第1の実施形態と同様の作用および効果が得られる。加えて、基板と硬質部材との境界部分における配線への応力集中を緩和し、電子装置の耐久性をより向上させることができる。   In this embodiment, the same operation and effect as in the first embodiment can be obtained. In addition, the stress concentration on the wiring at the boundary between the substrate and the hard member can be relaxed, and the durability of the electronic device can be further improved.

以下、本実施形態を、実施例を参照して詳細に説明する。なお、本実施形態は、これらの実施例の記載に何ら限定されるものではない。   Hereinafter, the present embodiment will be described in detail with reference to examples. In addition, this embodiment is not limited to description of these Examples at all.

(実施例)
[シリコーンゴム系硬化性組成物の作製]
本実施例において、シリコーンゴム系硬化性組成物の作製に用いた材料は以下の通りである。
(Example)
[Preparation of silicone rubber-based curable composition]
In this example, the materials used for preparing the silicone rubber-based curable composition are as follows.

第1のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A−1(a)):下記式にしたがって合成された、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサンを使用した。 First vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A-1 (a)): A vinyl group-containing linear organopolysiloxane synthesized according to the following formula was used.

すなわち、Arガス置換した、冷却管および攪拌翼を有する300mLセパラブルフラスコに、オクタメチルシクロテトラシロキサン74.7g(252mmol)、2,4,6,8−テトラメチル2,4,6,8−テトラビニルシクロテトラシロキサン0.086g(0.25mmol)およびカリウムシリコネート0.1gを入れ、昇温し、120℃で30分間攪拌した。なお、この際、粘度の上昇が確認できた。   That is, to a 300 mL separable flask having a cooling tube and a stirring blade substituted with Ar gas, 74.7 g (252 mmol) of octamethylcyclotetrasiloxane, 2,4,6,8-tetramethyl 2,4,6,8- 0.086 g (0.25 mmol) of tetravinylcyclotetrasiloxane and 0.1 g of potassium siliconate were added, the temperature was raised, and the mixture was stirred at 120 ° C. for 30 minutes. At this time, an increase in viscosity was confirmed.

その後、155℃まで昇温し、3時間攪拌を続けた。そして、3時間後、1,3−ジビニルテトラメチルジシロキサン0.1g(0.6mmol)を添加し、さらに、155℃で4時間攪拌した。   Thereafter, the temperature was raised to 155 ° C., and stirring was continued for 3 hours. After 3 hours, 0.1 g (0.6 mmol) of 1,3-divinyltetramethyldisiloxane was added, and the mixture was further stirred at 155 ° C. for 4 hours.

さらに、4時間後、トルエン250mLで希釈した後、水で3回洗浄した。洗浄後の有機層をメタノール1.5Lで数回洗浄することで、再沈精製し、オリゴマーとポリマーを分離した。得られたポリマーを60℃で一晩減圧乾燥し、第1のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A−1(a))を得た(ビニル基含有量0.13モル%、Mn=277,734、Mw=573,906、IV値(dl/g)=0.89)。   Further, after 4 hours, the mixture was diluted with 250 mL of toluene and then washed with water three times. The washed organic layer was washed several times with 1.5 L of methanol, and purified by reprecipitation to separate the oligomer and polymer. The obtained polymer was dried under reduced pressure at 60 ° C. overnight to obtain a first vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A-1 (a)) (vinyl group content 0.13 mol%, Mn = 277,734, Mw = 573,906, IV value (dl / g) = 0.89).

Figure 2017183328
Figure 2017183328

第2のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A−1(b)):2,4,6,8−テトラメチル2,4,6,8−テトラビニルシクロテトラシロキサンを、0.86g(2.5mmol)用いたこと以外、上記(A−1(a))と同様にして合成したビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサンを使用した。(ビニル基含有量:0.92モル%)。 Second vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A-1 (b)): 0.86 g (2,4,6,8-tetramethyl 2,4,6,8-tetravinylcyclotetrasiloxane) A vinyl group-containing linear organopolysiloxane synthesized in the same manner as in the above (A-1 (a)) was used except that 2.5 mmol) was used. (Vinyl group content: 0.92 mol%).

直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(A−2(a)):以下の式(5)で表されるオルガノハイドロジェンポリシロキサン(Momentive Performance Materials LLC社製、商品名「88466」、式(5)において、m=14、n=11) Linear organohydrogenpolysiloxane (A-2 (a)): organohydrogenpolysiloxane represented by the following formula (5) (manufactured by Performance Performance Materials LLC, trade name “88466”, formula (5) M = 14, n = 11)

Figure 2017183328
Figure 2017183328

シリカ粒子(B):日本アエロジル社製、商品名「AEROSIL300」、比表面積:300m/g、メディアン径D50:7nm Silica particles (B): manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd., trade name “AEROSIL300”, specific surface area: 300 m 2 / g, median diameter D 50 : 7 nm

シランカップリング剤(C):ヘキサメチルジシラザン(Gelest社製) Silane coupling agent (C): hexamethyldisilazane (manufactured by Gelest)

白金化合物(D):PLATINUM DIVINYLTETRAMETHYLDISILOXANE COMPLEX(in xylene) (Gelest社製、商品名「SIP6831.2」、白金含有量:2.1〜2.4wt%) Platinum compound (D): PLATINUM DIVINYLTETRAMETHYLDISILOXAN COMPLEX (in xylen) (manufactured by Gelest, trade name “SIP6831.2”, platinum content: 2.1 to 2.4 wt%)

水(E):純水 Water (E): Pure water

反応阻害剤:1−エチニル−1−シクロヘキサノール(東京化成社製) Reaction inhibitor: 1-ethynyl-1-cyclohexanol (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.)

第1のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A−1(a))を80重量部、第2のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A−1(b))を20重量部、シリカ粒子(B)を40重量部、シランカップリング剤(C)を10.5重量部、および、水(E)を5.25重量部、秤量し、その後、混練装置((株)モリヤマ製、油圧式加圧型ニーダー)により、混練することで、これら各成分を含有する混練物を得た。
なお、ここでの混練は、第1ステップにおいて窒素雰囲気下、60〜90℃の条件下で1時間混練し、次いで第2ステップにおいて減圧雰囲気下、160℃で1時間混練した。
80 parts by weight of the first vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A-1 (a)), 20 parts by weight of the second vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A-1 (b)), 40 parts by weight of silica particles (B), 10.5 parts by weight of silane coupling agent (C), and 5.25 parts by weight of water (E) are weighed, and then a kneading apparatus (manufactured by Moriyama Co., Ltd.). And kneaded by a hydraulic pressure type kneader) to obtain a kneaded product containing these components.
The kneading here was carried out in a first step under a nitrogen atmosphere at 60 to 90 ° C. for 1 hour, and then in a second step under a reduced pressure atmosphere at 160 ° C. for 1 hour.

続いて、上記混練物100重量部に対し、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(A−2(a))を0.42重量部、白金化合物(D)を0.05重量部、反応阻害剤を0.1重量部、秤量し、上記で得た混練物にこれら成分をさらに添加し、混練装置(関西ロール社製、ロール機)を用いて混練した。結果、シリコーンゴム系硬化性組成物としてシリコーンゴム系組成物1を得た。このとき、シリコーンゴム系硬化性組成物中における白金の含有量は、シリコーンゴム系硬化性組成物の固形分全体の重さに対して、10〜13ppmとなっている。   Subsequently, 0.42 parts by weight of the linear organohydrogenpolysiloxane (A-2 (a)), 0.05 parts by weight of the platinum compound (D), and reaction inhibitor with respect to 100 parts by weight of the kneaded product. 0.1 parts by weight were weighed, and these components were further added to the kneaded product obtained above and kneaded using a kneading apparatus (manufactured by Kansai Roll Co., Ltd., roll machine). As a result, a silicone rubber-based composition 1 was obtained as a silicone rubber-based curable composition. At this time, the platinum content in the silicone rubber-based curable composition is 10 to 13 ppm with respect to the weight of the entire solid content of the silicone rubber-based curable composition.

[導電性樹脂組成物の作製]
上記で得たシリコーンゴム系組成物1を、2.33倍量のテトラデカンに浸漬し、続いて自転・公転ミキサーで撹拌し、溶液状とした。この溶液に対し、導電性フィラー1として銀粉(DOWAエレクトロニクス社製、商品名「3−8F」)を加えることで、導電性樹脂組成物1を得た。このとき、導電性樹脂組成物1の固形分100重量部に対し、シリコーンゴム系組成物1の固形分の含有量を15重量部、導電性フィラー1の含有量を85重量部とした。
[Preparation of conductive resin composition]
The silicone rubber-based composition 1 obtained above was immersed in 2.33 times the amount of tetradecane, and then stirred with a rotation / revolution mixer to form a solution. By adding silver powder (trade name “3-8F”, manufactured by DOWA Electronics Co., Ltd.) as the conductive filler 1 to this solution, the conductive resin composition 1 was obtained. At this time, the content of the solid content of the silicone rubber-based composition 1 was 15 parts by weight and the content of the conductive filler 1 was 85 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the solid content of the conductive resin composition 1.

[電子装置の作製]
シリコーンゴム系組成物1を型枠内で熱プレスし、20cm×50cm、厚さ0.5mmの寸法にシート化して基板を得た。この熱プレスにおいては、加熱温度を170℃、圧力を10MPa、熱プレス時間を5分とした。その後、200℃で4時間ポストベーク(2次硬化)した。
[Production of electronic devices]
Silicone rubber-based composition 1 was hot-pressed in a mold and sheeted to a size of 20 cm × 50 cm and a thickness of 0.5 mm to obtain a substrate. In this hot pressing, the heating temperature was 170 ° C., the pressure was 10 MPa, and the hot pressing time was 5 minutes. Thereafter, post-baking (secondary curing) was performed at 200 ° C. for 4 hours.

次いで、基板上に硬質部材として集積回路チップを配置して、以下のように得た接着用組成物で接着することにより固定した。接着用組成物は、シリコーンゴム系組成物1を2.33倍量のテトラデカンに浸漬し、続いて自転・公転ミキサーで攪拌して溶液状として得た。   Next, an integrated circuit chip was disposed as a hard member on the substrate, and was fixed by bonding with an adhesive composition obtained as follows. The adhesive composition was obtained as a solution by immersing the silicone rubber composition 1 in 2.33 times the amount of tetradecane and subsequently stirring with a rotation / revolution mixer.

次いで、集積回路チップの上面(第1の実施形態の第1面601に相当)を構成する一辺において、配線と交差する部分に緩和部材を形成した。具体的には、ディスペンサーを用いて選択的に以下の様にして得た緩和部材形成用樹脂組成物を塗布し、その後、加熱温度を170℃、加熱時間を30分として加熱処理することで、緩和部材を形成した。緩和部材形成用樹脂組成物は、シリコーンゴム系組成物1を2.33倍量のテトラデカンに浸漬し、続いて自転・公転ミキサーで攪拌して溶液状として得た。   Next, a relaxation member was formed at a portion intersecting the wiring on one side constituting the upper surface (corresponding to the first surface 601 of the first embodiment) of the integrated circuit chip. Specifically, by applying a resin composition for forming a relaxation member selectively as follows using a dispenser, and then heat-treating at a heating temperature of 170 ° C. and a heating time of 30 minutes, A relaxation member was formed. The relaxing member-forming resin composition was obtained by immersing the silicone rubber composition 1 in 2.33 times the amount of tetradecane, and then stirring the mixture with a rotating / revolving mixer to obtain a solution.

次いで、基板の主面および集積回路チップの上面に対し、スクリーン印刷およびディスペンサーを用いて、上記した導電性樹脂組成物1をインクとして配線となるパターンを印刷、塗布した。それをオーブンで加熱し、集積回路チップの電極に繋がる配線を形成した。このとき、加熱温度は170℃、加熱時間は1時間とした。また、配線は幅0.5mm、厚さ250μmとし、集積回路チップの電極から配線長さ30mmの位置に電極パッドを設けた。ここで、配線の幅および厚さは、基板の主面上において、集積回路チップから十分離れた位置で、配線の幅および厚さがおよそ一定となっている領域において測定した平均値である。   Next, a pattern to be a wiring was printed and applied to the main surface of the substrate and the upper surface of the integrated circuit chip using screen printing and a dispenser using the above-described conductive resin composition 1 as ink. This was heated in an oven to form a wiring connected to the electrodes of the integrated circuit chip. At this time, the heating temperature was 170 ° C. and the heating time was 1 hour. Further, the wiring had a width of 0.5 mm and a thickness of 250 μm, and an electrode pad was provided at a position where the wiring length was 30 mm from the electrode of the integrated circuit chip. Here, the width and thickness of the wiring are average values measured in a region where the width and thickness of the wiring are substantially constant at a position sufficiently away from the integrated circuit chip on the main surface of the substrate.

次いで、シリコーンゴム系組成物1を、集積回路チップ、基板、および配線の全体を覆うように設置し、加熱加圧して硬化させて被覆層を形成することにより電子装置を得た。この加熱加圧においては、加熱温度を100℃、圧力を0.5MPa、加熱加圧時間を15分とした。   Next, an electronic device was obtained by placing the silicone rubber-based composition 1 so as to cover the entire integrated circuit chip, the substrate, and the wiring, and heating and pressurizing to form a coating layer. In this heating and pressing, the heating temperature was 100 ° C., the pressure was 0.5 MPa, and the heating and pressing time was 15 minutes.

(比較例)
緩和部材を形成しなかった点を除いて、実施例と同様にして電子装置を作製した。
(Comparative example)
An electronic device was fabricated in the same manner as in the example except that the relaxation member was not formed.

[配線基板の評価]
<硬度の評価>
デュロメータAにより25℃で、実施例の電子装置について、各部材の硬度を測定した。基板の硬度をH、配線の硬度をH、集積回路チップの硬度をH、緩和部材の硬度をHとしたとき、H<H<HかつH<Hの関係が成り立つことを確認した。
[Evaluation of wiring board]
<Evaluation of hardness>
The hardness of each member was measured with the durometer A at 25 ° C. for the electronic device of the example. When the hardness of the substrate is H b , the hardness of the wiring is H l , the hardness of the integrated circuit chip is H h , and the hardness of the relaxation member is H r , the relationship of H b <H l <H h and H r <H l It was confirmed that

<耐久性評価>
実施例および比較例の電子装置について、基板の伸長率と電気抵抗との関係を評価した。結果を表1に示す。基板の伸長率(%)は、伸長状態の基板の長さをLとし、Lと非伸縮状態の基板の長さとの差をΔLとして、ΔL/L×100(%)で表される。電気抵抗は、集積回路チップの電極と、電極パッドの間の電気抵抗である。また、10MΩ以上の場合を表1中で「断線」と示している。緩和部材を形成した実施例において、形成しなかった比較例よりも高い伸長率まで配線の導電が維持された。よって、実施例において高い耐久性が確認された。
<Durability evaluation>
Regarding the electronic devices of Examples and Comparative Examples, the relationship between the elongation ratio of the substrate and the electrical resistance was evaluated. The results are shown in Table 1. The elongation rate (%) of the substrate is expressed by ΔL / L × 100 (%), where L is the length of the substrate in the stretched state and ΔL is the difference between the length of L and the non-stretched substrate. The electrical resistance is an electrical resistance between the electrode of the integrated circuit chip and the electrode pad. The case of 10 MΩ or more is shown as “disconnection” in Table 1. In the example in which the relaxation member was formed, the conductivity of the wiring was maintained up to a higher elongation rate than in the comparative example that was not formed. Therefore, high durability was confirmed in the examples.

Figure 2017183328
Figure 2017183328

<抵抗率>
実施例の電子装置において、非伸縮状態での配線の抵抗率を以下の様に評価した。まず、(株)エーディーシー製直流電圧・電流源/モニタ(6241A)を用いて集積回路チップの電極と、導電パターンの電極パッドの間の抵抗値を測定した。そして、測定された抵抗値に対して配線パターンの長さ方向に垂直な断面積を乗じ、さらに配線の長さの値で除することで体積抵抗率を求めた。その結果、配線の抵抗率は1.5×10−4Ω・mであった。
<Resistivity>
In the electronic device of the example, the resistivity of the wiring in the non-stretched state was evaluated as follows. First, the resistance value between the electrode of the integrated circuit chip and the electrode pad of the conductive pattern was measured using a DC voltage / current source / monitor (6241A) manufactured by ADC Co., Ltd. Then, the volume resistivity was obtained by multiplying the measured resistance value by the cross-sectional area perpendicular to the length direction of the wiring pattern and dividing by the value of the length of the wiring. As a result, the resistivity of the wiring was 1.5 × 10 −4 Ω · m.

以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。   As mentioned above, although embodiment of this invention was described with reference to drawings, these are the illustrations of this invention, Various structures other than the above are also employable.

10 配線
20 基板
30 被覆層
60 硬質部材
62 電極
70 緩和部材
100 電子装置
104 辺
105a 交点
105b 交線
201 第1主面
202 第2主面
601 第1面
602 第2面
603 側面
810 配線
812 破断部
820 基板
860 硬質部材
862 電極
10 wiring 20 substrate 30 covering layer 60 hard member 62 electrode 70 relaxation member 100 electronic device 104 side 105a intersection 105b intersection line 201 first main surface 202 second main surface 601 first surface 602 second surface 603 side surface 810 wiring 812 fracture portion 820 Substrate 860 Hard member 862 Electrode

Claims (13)

第1のエラストマーを含む基板と、
第2のエラストマーを含む緩和部材と、
第3のエラストマーおよび導電性フィラーを含む配線と、
電極を有する硬質部材とを備え、
前記基板の第1主面に、前記配線および前記硬質部材が設けられており、
前記硬質部材の、前記電極が設けられた第1面の少なくとも一つの辺と、前記配線とは、平面視で交差しており、
前記辺と、前記配線との間には前記緩和部材が介在している、
電子装置。
A substrate comprising a first elastomer;
A relaxation member comprising a second elastomer;
A wiring comprising a third elastomer and a conductive filler;
A hard member having an electrode,
The wiring and the hard member are provided on the first main surface of the substrate,
At least one side of the first surface of the hard member on which the electrode is provided and the wiring intersect with each other in plan view,
The relaxation member is interposed between the side and the wiring,
Electronic equipment.
請求項1に記載の電子装置において、
デュロメータAにより25℃で測定した前記基板の硬度をH、前記配線の硬度をH、前記硬質部材の硬度をH、前記緩和部材の硬度をHとしたとき、H<H<HかつH<Hの関係が成り立つ、
電子装置。
The electronic device according to claim 1,
When the hardness of the substrate measured at 25 ° C. with a durometer A is H b , the hardness of the wiring is H l , the hardness of the hard member is H h , and the hardness of the relaxation member is H r , H b <H l <holds the relationship of H h and H r <H l,
Electronic equipment.
請求項1または2に記載の電子装置において、
前記配線は前記電極に接続されている、
電子装置。
The electronic device according to claim 1 or 2,
The wiring is connected to the electrode;
Electronic equipment.
請求項1から3のいずれか一項に記載の電子装置において、
前記硬質部材は、少なくとも一部分が前記基板に埋め込まれている、
電子装置。
The electronic device according to any one of claims 1 to 3,
The hard member is at least partially embedded in the substrate.
Electronic equipment.
請求項4に記載の電子装置において、
前記硬質部材の前記基板に対向する面とは反対側の面と、前記基板の前記第1主面のうち前記硬質部材が設けられていない領域とが、同一平面を形成するように、前記硬質部材が前記基板に埋め込まれている、
電子装置。
The electronic device according to claim 4.
The surface of the hard member opposite to the surface facing the substrate and the region of the first main surface of the substrate where the hard member is not provided form the same plane. A member is embedded in the substrate;
Electronic equipment.
請求項1から5のいずれか一項に記載の電子装置において、
前記基板の厚み方向に平行な断面における、前記硬質部材の側面と前記第1主面との交点、および、前記配線の間には、前記緩和部材が介在している、
電子装置。
The electronic device according to any one of claims 1 to 5,
In the cross section parallel to the thickness direction of the substrate, the relaxation member is interposed between the intersection of the side surface of the hard member and the first main surface, and the wiring.
Electronic equipment.
請求項1から6のいずれか一項に記載の電子装置において、
前記第1のエラストマーはシリコーンゴムを含む、
電子装置。
The electronic device according to any one of claims 1 to 6,
The first elastomer comprises silicone rubber;
Electronic equipment.
請求項7に記載の電子装置において、
前記第1のエラストマーはビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A−1)の架橋体を含む、
電子装置。
The electronic device according to claim 7.
The first elastomer includes a crosslinked product of a vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A-1).
Electronic equipment.
請求項1から8のいずれか一項に記載の電子装置において、
前記配線の非伸縮状態での抵抗率が1.0×10−2Ω・cm以下である、
電子装置。
The electronic device according to any one of claims 1 to 8,
The resistivity of the wiring in a non-stretched state is 1.0 × 10 −2 Ω · cm or less.
Electronic equipment.
請求項1から9のいずれか一項に記載の電子装置において、
前記配線の幅が5mm以下である、
電子装置。
The electronic device according to any one of claims 1 to 9,
The width of the wiring is 5 mm or less,
Electronic equipment.
請求項1から10のいずれか一項に記載の電子装置において、
前記硬質部材は電子部品またはコネクタである、
電子装置。
The electronic device according to any one of claims 1 to 10,
The hard member is an electronic component or a connector,
Electronic equipment.
第1のエラストマーを含む基板を準備する工程と、
前記基板の第1主面に、電極を有する硬質部材を配置する工程と、
第2のエラストマーを含む緩和部材を形成する工程と、
前記基板の前記第1主面に、第3のエラストマーおよび導電性フィラーを含む配線を形成する工程とを含み、
前記硬質部材の、前記電極が設けられた第1面の少なくとも一つの辺と、前記配線とは、平面視で交差するように形成され、
前記緩和部材は、前記辺と、前記配線との間に介在するように形成される
電子装置の製造方法。
Providing a substrate comprising a first elastomer;
Arranging a hard member having an electrode on the first main surface of the substrate;
Forming a relaxation member comprising a second elastomer;
Forming a wiring including a third elastomer and a conductive filler on the first main surface of the substrate,
At least one side of the first surface of the hard member on which the electrode is provided and the wiring are formed so as to intersect in plan view,
The method of manufacturing an electronic device, wherein the relaxation member is formed so as to be interposed between the side and the wiring.
第1のエラストマーを含む基板と、電極を有し、前記基板の第1主面に少なくとも一部分が埋め込まれた硬質部材とを備える構造体を準備する工程と、
第2のエラストマーを含む緩和部材を形成する工程と、
前記基板の前記第1主面に、第3のエラストマーおよび導電性フィラーを含む配線を形成する工程とをこの順に含み、
前記硬質部材の、前記電極が設けられた第1面の少なくとも一つの辺と、前記配線とは、平面視で交差するように形成され、
前記緩和部材は、前記辺と、前記配線との間に介在するように形成される
電子装置の製造方法。
Providing a structure including a substrate including a first elastomer, and a hard member having an electrode and having a hard member at least partially embedded in the first main surface of the substrate;
Forming a relaxation member comprising a second elastomer;
Forming a wiring including a third elastomer and a conductive filler on the first main surface of the substrate in this order,
At least one side of the first surface of the hard member on which the electrode is provided and the wiring are formed so as to intersect in plan view,
The method of manufacturing an electronic device, wherein the relaxation member is formed so as to be interposed between the side and the wiring.
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