JP2020057775A - Stretchable wiring board and wearable device - Google Patents

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Abstract

To provide a stretchable wiring board having excellent conductivity when a substrate is stretched.SOLUTION: A stretchable wiring board of the present invention includes a substrate 20 containing an elastomer, and wiring 10 being laminated on one surface of the substrate 20 and containing an elastomer and conductive fillers. The conductive fillers include scale-like metal powder (G). When A1 represents an average aspect of the conductive fillers at a cross section a1 obtained by cutting the wiring 10 in a thickness direction along a width direction, and A2 represents an average aspect of the conductive fillers at a cross section a2 obtained by cutting the wiring 10 in a direction orthogonal to the thickness direction, A1 and A2 being obtained by a predetermined procedure, A1 and A2 satisfy an expression: 1.1≤A1/A2.SELECTED DRAWING: Figure 3

Description

本発明は、伸縮性配線基板およびウェアラブルデバイスに関する。   The present invention relates to a stretchable wiring board and a wearable device.

近年、伸縮性配線基板を構成する配線に用いる材料について様々な開発がなされている。この種の技術としては、例えば、特許文献1に記載の技術が知られている。特許文献1には、伸縮可能な電極や配線に好適な導電性膜を作製するための導電性ペーストとして、樹脂エマルジョン中に凝集銀粉が分散されたものが記載されている(特許文献1の表2等)。   In recent years, various developments have been made on materials used for wiring constituting a stretchable wiring board. As this type of technology, for example, a technology described in Patent Document 1 is known. Patent Literature 1 describes a conductive paste for producing a conductive film suitable for stretchable electrodes and wirings in which agglomerated silver powder is dispersed in a resin emulsion (see Table 1 of Patent Literature 1). 2 etc.).

特開2015−79724号公報JP 2015-79724 A

しかしながら、本発明者が検討したところ、上記特許文献1に記載の導電性ペーストにおいて、基板伸長時における通電性の点で、改善の余地を有していることが判明した。   However, the present inventor has studied and found that the conductive paste described in Patent Literature 1 has room for improvement in terms of conductivity when the substrate is stretched.

本発明者はさらに検討したところ、鱗片状の金属粉(G)を含む導電性フィラーの配向性を適切に選択することで、伸長時における配線の通電性を制御できることを見出した。
このような知見に基づいて鋭意検討した結果、配線の幅方向の断面a1におけるアスペクトA1、配線の厚み方向に直交する方向の断面a2におけるアスペクトA2を指標とすることで、伸長時の通電性を安定的に評価できることを見出し、本発明を完成するに至った。
The present inventor has further studied and found that by appropriately selecting the orientation of the conductive filler containing the flaky metal powder (G), it is possible to control the electrical conductivity of the wiring during elongation.
As a result of intensive studies based on such knowledge, it has been found that the aspect A1 in the cross section a1 in the width direction of the wiring and the aspect A2 in the cross section a2 in the direction perpendicular to the thickness direction of the wiring are used as indices, so that the conductivity during elongation can be reduced. The inventors have found that the present invention can be stably evaluated, and have completed the present invention.

本発明によれば、
エラストマーを含有する基板と、
前記基板の一面上に積層されており、エラストマーおよび導電性フィラーを含有する配線と、を有する伸縮性配線基板であって、
導電性フィラーが鱗片状の金属粉(G)を含み、
下記の手順(1)〜(3)に基づいて求められる、前記配線を幅方向に沿って厚み方向に切断したときの断面a1における前記導電性フィラーの平均アスペクトをA1とし、前記配線を厚み方向に対して直交する方向に切断したときの断面a2における前記導電性フィラーの平均アスペクトをA2としたとき、A1およびA2が、下記式(I)を満たす、伸縮性配線基板が提供される。
1.1≦A1/A2 ・・・式(I)
(手順)
(1)前記配線の幅方向に沿って、前記配線を厚み方向に切断して得られた切断面を、イオンビームを用いて研磨して断面a1を得る。
(2)イオンビームを用いて、前記配線の表面を深さ方向に0.005mm〜0.02mm研磨して、断面a2を得る。
(3)得られた断面a1および断面a2の各々について、視野領域:128μm×102μm、倍率:1000倍の条件で、走査型電子顕微鏡(SEM)を用いて観察像を得る。得られた観察像を階調対ピクセル数でヒストグラムを取った際に、2つのピークの谷となっている階調で二値化処理した画像に基づいて画像解析を行い、前記導電性フィラーにおける正射影のアスペクトを測定し、測定値が大きい方から30個の平均値を平均アスペクトとして算出する。前記断面a1から算出された平均アスペクトをA1とし、前記断面a2から算出された平均アスペクトをA2とする。
According to the present invention,
A substrate containing an elastomer;
Laminated on one surface of the substrate, and a wiring containing an elastomer and a conductive filler, and a stretchable wiring board having:
The conductive filler contains scaly metal powder (G),
The average aspect of the conductive filler in the cross section a1 when the wiring is cut in the thickness direction along the width direction, which is obtained based on the following procedures (1) to (3), is A1, and the wiring is in the thickness direction. Assuming that the average aspect of the conductive filler in the cross section a2 when cut in a direction perpendicular to the above is A2, A1 and A2 satisfy the following formula (I).
1.1 ≦ A1 / A2 Formula (I)
(procedure)
(1) A cross section obtained by cutting the wiring in the thickness direction along the width direction of the wiring is polished using an ion beam to obtain a cross section a1.
(2) The surface of the wiring is polished in the depth direction by 0.005 mm to 0.02 mm using an ion beam to obtain a cross section a2.
(3) Observation images are obtained using a scanning electron microscope (SEM) under the conditions of a visual field area of 128 μm × 102 μm and a magnification of 1000 times for each of the obtained cross sections a1 and a2. When taking a histogram of the obtained observation image by gradation versus pixel number, image analysis is performed based on the binarized image at the gradation that is the valley of two peaks, and the conductive filler The aspect of the orthogonal projection is measured, and the average value of the 30 measured values is calculated as the average aspect. The average aspect calculated from the cross section a1 is A1, and the average aspect calculated from the cross section a2 is A2.

本発明によれば、基板伸長時における通電性に優れた伸縮性配線基板およびそれを用いたウェアラブルデバイスが提供される。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the stretchable wiring board excellent in the electrical conductivity at the time of board | substrate extension, and a wearable device using the same are provided.

本実施形態における電子装置の概略を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view schematically illustrating an electronic device according to an embodiment. 本実施形態における電子装置の製造工程の概略を示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view schematically illustrating a manufacturing process of the electronic device according to the embodiment. アスペクトの測定手順を説明するための配線基板の概要を模式的に示す斜視図である。It is a perspective view which shows typically the outline | summary of the wiring board for demonstrating the measuring procedure of an aspect. 実施例1の配線における断面a1のSEM画像を示す。4 shows an SEM image of a cross section a1 in the wiring of Example 1. 実施例1の配線における断面a2のSEM画像を示す。4 shows an SEM image of a cross section a2 of the wiring of Example 1. 実施例2の配線における断面a1のSEM画像を示す。13 shows an SEM image of a cross section a1 in the wiring of Example 2. 実施例2の配線における断面a2のSEM画像を示す。13 shows an SEM image of a cross section a2 of the wiring of Example 2. 比較例1の配線における断面a1のSEM画像を示す。6 shows an SEM image of a cross section a1 of the wiring of Comparative Example 1. 比較例1の配線における断面a2のSEM画像を示す。9 shows an SEM image of a cross section a2 of the wiring of Comparative Example 1.

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。なお、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。また、本明細書中において、「〜」は特に断りがなければ以上から以下を表す。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In all the drawings, the same components are denoted by the same reference numerals, and description thereof will not be repeated. In the present specification, “to” means the following from the above unless otherwise specified.

本実施形態の伸縮性配線基板の概要を説明する。
本実施形態の伸縮性配線基板は、エラストマーを含有する基板と、基板の一面上に積層されており、エラストマーおよび導電性フィラーを含有する配線と、を有する。配線中の導電性フィラーが鱗片状の金属粉(G)を含むものである。
この伸縮性配線基板は、下記の手順(1)〜(3)に基づいて求められる、配線を幅方向に沿って厚み方向に切断したときの断面a1における導電性フィラーの平均アスペクトをA1とし、配線を厚み方向に対して直交する方向に切断したときの断面a2における導電性フィラーの平均アスペクトをA2としたとき、A1およびA2が、下記式(I)を満たすという特性を有する。
1.1≦A1/A2 ・・・式(I)
An outline of the stretchable wiring board of the present embodiment will be described.
The stretchable wiring board according to the present embodiment includes a substrate containing an elastomer and a wiring laminated on one surface of the substrate and containing an elastomer and a conductive filler. The conductive filler in the wiring contains scale-like metal powder (G).
In this stretchable wiring substrate, the average aspect of the conductive filler in the cross section a1 when the wiring is cut in the thickness direction along the width direction, which is determined based on the following procedures (1) to (3), is A1, Assuming that the average aspect of the conductive filler in the cross section a2 when the wiring is cut in a direction perpendicular to the thickness direction is A2, A1 and A2 have characteristics that satisfy the following formula (I).
1.1 ≦ A1 / A2 Formula (I)

上記配線に含まれる導電性フィラーのアスペクトの測定手順について、図3を用いて簡単に説明する。図3は、伸縮性配線基板(配線基板50)の概要を示す斜視図である。図3中、配線基板50は上記「伸縮性配線基板」、配線10は上記「配線」、基板20は上記「基板」を表す。図3中、X軸、Y軸、Z軸は、3次元空間において互いに直交する。
配線10が上面視形状が矩形状である場合、Z軸方向は、配線の厚み方向、X軸方向は、配線10の短手方向、Y軸方向は、配線10の長手方向を意味する。
The procedure for measuring the aspect of the conductive filler contained in the wiring will be briefly described with reference to FIG. FIG. 3 is a perspective view showing an outline of the stretchable wiring board (wiring board 50). In FIG. 3, the wiring board 50 represents the “stretchable wiring board”, the wiring 10 represents the “wiring”, and the board 20 represents the “substrate”. In FIG. 3, an X axis, a Y axis, and a Z axis are orthogonal to each other in a three-dimensional space.
When the wiring 10 has a rectangular shape in a top view, the Z-axis direction means the thickness direction of the wiring, the X-axis direction means the short direction of the wiring 10, and the Y-axis direction means the long direction of the wiring 10.

(手順)
(1)配線10の幅方向(X方向)に沿って、すなわち、配線10の幅方向と平行な方向に沿って、配線10を厚み方向(Z方向)に切断して切断面を得る。配線10の長手方向(Y方向)の所定部分、例えば、中央部分を通るように切断され得る。得られた切断面を、イオンビームを用いて研磨して断面a1を得る。断面a1は図3中のa1−a1矢視の断面を表す。
上記断面a1として、配線10の長手方向に対して直交する方向に切断した断面、または配線10の伸長方向に対して直交する方向に配線10を切断した断面を用いてもよい。
配線の上面視形状が円形状または正方形状の電極パッドの場合、断面a1は、上面視における電極パッドの中心または中心近傍を通過する断面を用いることができる。
なお、本手順において、断面a1は、配線10の所定方向に延在する部分、または電極パット部分において、少なくとも1カ所を用いればよい。
(procedure)
(1) The wiring 10 is cut in the thickness direction (Z direction) along the width direction (X direction) of the wiring 10, that is, along the direction parallel to the width direction of the wiring 10, to obtain a cut surface. The wiring 10 can be cut so as to pass through a predetermined portion in the longitudinal direction (Y direction), for example, a central portion. The obtained cut surface is polished using an ion beam to obtain a cross section a1. The cross section a1 represents a cross section taken along the line a1-a1 in FIG.
As the cross section a1, a cross section cut in a direction orthogonal to the longitudinal direction of the wiring 10 or a cross section cut in a direction orthogonal to the extending direction of the wiring 10 may be used.
In the case where the top view of the wiring is a circular or square electrode pad, the cross section a1 may be a cross section passing through the center or near the center of the electrode pad in top view.
In this procedure, at least one portion of the cross section a1 in the portion extending in the predetermined direction of the wiring 10 or the electrode pad portion may be used.

(2)イオンビームを用いて、配線10の表面12を深さ方向(Z方向とは反対方向)に0.005mm〜0.02mmの所定深さ研磨して、断面a2を得る。断面a2は図3中のa2−a2矢視の断面を表す。
上記のイオンビームを用いた研磨方法は、減圧・アルゴンガス雰囲気中、研磨対象に対して、電圧を印加して加速したアルゴンイオンにより、研磨対象の表面を深さ方向に研磨できる。イオンビームは、表面に対して鉛直方向から照射し得る。イオンビームの条件である電圧量や電圧を印加する時間は、研磨対象であるや配線の材料や配線厚みに応じて適切に選択できる。上記(2)中の研磨される所定深さは、配線10の表面12からある程度の深さ方向に研磨したことを意味し、0.005mm〜0.02mmのいずれかであればよい。なお、研磨される所定深さは、測定精度のばらつきを許容し得る。
なお、本手順において、断面a2は、配線10の表面12、または電極パットの表面において、少なくとも1カ所を用いればよい。また、断面a2は、断面a1の対象とした配線10から得られるものでもよい。
(2) The surface 12 of the wiring 10 is polished to a predetermined depth of 0.005 mm to 0.02 mm in a depth direction (a direction opposite to the Z direction) using an ion beam to obtain a cross section a2. The cross section a2 represents a cross section taken along the line a2-a2 in FIG.
In the polishing method using the above-described ion beam, the surface of the object to be polished can be polished in the depth direction by argon ions accelerated by applying a voltage to the object to be polished in a reduced pressure / argon gas atmosphere. The ion beam can irradiate the surface from a vertical direction. The voltage amount and the time for applying the voltage, which are the conditions of the ion beam, can be appropriately selected depending on the object to be polished, the material of the wiring, and the wiring thickness. The predetermined depth to be polished in the above (2) means that the wiring 10 has been polished in a certain depth direction from the surface 12 of the wiring 10 and may be any of 0.005 mm to 0.02 mm. Note that the predetermined depth to be polished can allow variation in measurement accuracy.
In this procedure, at least one section a2 may be used on the surface 12 of the wiring 10 or the surface of the electrode pad. Further, the cross section a2 may be obtained from the wiring 10 targeted for the cross section a1.

(3)続いて、(1)で得られた断面a1、(2)で得られた断面a2の各々について、視野領域:128μm×102μm、倍率:1000倍の条件で、走査型電子顕微鏡(SEM)を用いて観察像を得る。
得られた観察像を階調対ピクセル数でヒストグラムを取った際に、2つのピークの谷となっている階調で二値化処理した画像に基づいて画像解析を行い、導電性フィラーにおける正射影のアスペクトを測定し、測定値が大きい方から30個の平均値を平均アスペクトとして求める。
断面a1から算出された平均アスペクトをA1とし、断面a2から算出された平均アスペクトをA2として、「A1/A2」が算出される。
(3) Subsequently, for each of the cross section a1 obtained in (1) and the cross section a2 obtained in (2), a scanning electron microscope (SEM) under the conditions of a visual field area: 128 μm × 102 μm and a magnification: 1000 × ) To obtain an observation image.
When a histogram is obtained from the obtained observation image in terms of gradation versus the number of pixels, image analysis is performed based on the image that has been binarized with the gradation that is the valley of the two peaks, and the positive The aspect of the projection is measured, and the average value of the 30 measured values is determined as the average aspect.
Assuming that the average aspect calculated from the cross section a1 is A1, and the average aspect calculated from the cross section a2 is A2, "A1 / A2" is calculated.

本発明者の知見によれば、導電性フィラー中の鱗片状の金属粉(G)の配向性を適切に制御することで、伸縮性配線基板中の配線における伸長時の通電性を向上できることが見出された。
配線の幅方向の断面a1において、薄厚の鱗片状の金属粉(G)が互いに重なるように配向することで、配線伸長時に多くの導電パスを確保することができる。一方、配線の厚み方向に直交する方向の断面a2において、大面積となる鱗片状の金属粉(G)が配向することで、配線の低抵抗化を実現できる。
このような知見に基づいてさらに検討を進めた結果、鱗片状の金属粉(G)の配向性を正射影のアスペクト比に基づいて代替的に特定することができ、このような正射影のアスペクト比に基づく2つの方向の断面a1、a2におけるアスペクトA1、A2を指標とすることで、伸長時の通電性を安定的に評価できることを見出した。
According to the knowledge of the present inventor, by appropriately controlling the orientation of the flaky metal powder (G) in the conductive filler, it is possible to improve the electrical conductivity at the time of elongation of the wiring in the stretchable wiring board. Was found.
By arranging the thin scale-like metal powders (G) so as to overlap each other in the cross section a1 in the width direction of the wiring, it is possible to secure many conductive paths when the wiring extends. On the other hand, in the cross section a2 in the direction orthogonal to the thickness direction of the wiring, the scale-like metal powder (G) having a large area is oriented, so that the resistance of the wiring can be reduced.
As a result of further study based on such knowledge, the orientation of the scaly metal powder (G) can be alternatively specified based on the aspect ratio of the orthogonal projection, and the aspect of the orthogonal projection can be specified. It has been found that by using the aspect ratios A1 and A2 in the cross sections a1 and a2 in the two directions based on the ratio as indices, it is possible to stably evaluate the electrical conductivity during elongation.

アスペクト比A1/A2の下限値は、例えば、1.1以上、好ましくは1.2以上、より好ましくは1.3以上である。これにより、鱗片状の金属粉(G)を上記のような適切な配向を実現できるため、伸縮性配線基板の伸長時の抵抗値の増加を低く抑えられるため、伸長時における通電性を高めることができる。   The lower limit of the aspect ratio A1 / A2 is, for example, 1.1 or more, preferably 1.2 or more, and more preferably 1.3 or more. As a result, the flake-like metal powder (G) can be appropriately oriented as described above, so that the increase in the resistance value of the stretchable wiring board during extension can be suppressed to a low level, and the electrical conductivity during extension can be increased. Can be.

アスペクト比A1/A2の上限値は、例えば、20.0以下、好ましくは10.0以下、より好ましくは5.0以下である。これにより、細線の配線構造の製造安定性を高めることができる。具体的には、長すぎる・大面積過ぎる鱗片状の金属粉(G)は、配線の印刷時にメッシュに詰まる恐れがあるが、これを抑制できる。また、細線化できないと隣接配線間が縮まるため、ショートが生じる恐れがあるが、これを抑制できる。   The upper limit of the aspect ratio A1 / A2 is, for example, 20.0 or less, preferably 10.0 or less, more preferably 5.0 or less. As a result, the production stability of the thin wiring structure can be improved. Specifically, the scale-like metal powder (G) that is too long or too large may clog the mesh when printing the wiring, but this can be suppressed. In addition, if thinning is not possible, the distance between adjacent wirings is reduced, which may cause a short circuit, but this can be suppressed.

また、本実施形態の伸縮性配線基板中、導電性フィラーの上記アスペクトA1が、下記の式(II)を満たすことができる。
2.0≦A1≦10.0 ・・・式(II)
In the stretchable wiring board of the present embodiment, the aspect A1 of the conductive filler can satisfy the following formula (II).
2.0 ≦ A1 ≦ 10.0 Formula (II)

上記アスペクトA1の下限値は、例えば、2.0以上、好ましくは2.2以上、より好ましくは2.4以上である。これにより、伸長時の抵抗値の増加を低く抑えられるため、伸長時における通電性を高めることができる。上記アスペクトA1の上限値は、例えば、10.0以下、好ましくは9.0以下、より好ましくは8.0以下である。これにより、配線の製造安定性を高めることができる。   The lower limit of the aspect A1 is, for example, 2.0 or more, preferably 2.2 or more, and more preferably 2.4 or more. As a result, an increase in the resistance value at the time of extension can be suppressed to a low level, so that the electrical conductivity at the time of extension can be increased. The upper limit of the aspect A1 is, for example, 10.0 or less, preferably 9.0 or less, and more preferably 8.0 or less. Thereby, the production stability of the wiring can be improved.

上記アスペクトA2の下限値は、例えば、1.0以上、好ましくは1.3以上、より好ましくは1.5以上である。これにより、伸縮性配線基板の未伸長時の初期抵抗を低く抑えることができる。上記アスペクトA1の上限値は、例えば、5.0以下、好ましくは4.0以下、より好ましくは3.0以下である。これにより、配線の製造安定性を高めることができる。   The lower limit of the aspect A2 is, for example, 1.0 or more, preferably 1.3 or more, and more preferably 1.5 or more. Thereby, the initial resistance of the stretchable wiring board when it is not stretched can be reduced. The upper limit of the aspect A1 is, for example, 5.0 or less, preferably 4.0 or less, and more preferably 3.0 or less. Thereby, the production stability of the wiring can be improved.

本実施形態の伸縮性配線基板は、上記のアスペクト比A1/A2で表される鱗片状の金属粉(G)の配向特性を、配線の少なくとも一部に有することができる。また、配線の延在方向中において最も細い再配線部が、上記の配向特性を有してもよく、他の電極と接続する電極パット部が、上記の配向特性を有してもよい。これにより、伸長時における通電性に優れた伸縮性配線基板を実現できる。   The stretchable wiring board of the present embodiment can have at least a part of the wiring the orientation property of the flaky metal powder (G) represented by the above aspect ratio A1 / A2. Further, the thinnest rewiring portion in the extending direction of the wiring may have the above-described alignment characteristics, and the electrode pad portion connected to another electrode may have the above-described alignment characteristics. This makes it possible to realize a stretchable wiring board having excellent electrical conductivity during elongation.

本実施形態では、たとえば配線材料である導電性ペースト中に含まれる各成分の種類や配合量、導電性ペーストの調製方法、配線の形成方法等を適切に選択することにより、上記アスペクト比A1/A2、A1およびA2を制御することが可能である。これらの中でも、たとえば、大面積かつ薄層の鱗片状の金属粉(G)を使用すること、導電性ペーストの溶剤として、印刷に適した高沸点の溶剤、シリコーンなどのエラストマー成分の溶解性に優れた炭化水素系溶剤を使用すること、導電性ペースト中の溶剤量などを適切に調整することなどが、上記アスペクト比A1/A2、A1およびA2を所望の数値範囲とするための要素として挙げられる。
詳細なメカニズムは定かでないが、以下のように考えられる。
鱗片状の金属粉(G)が大きく、アスペクト比が高いものを選択し、固形のシリコーン成分の溶解性が良好な溶剤を大量に使用することにより、溶剤揮発前に比較的低粘度の導電性ペースト中において、鱗片状の金属粉(G)が、分散性が高く自由に移動できる。導電性ペーストの塗布工程において、印刷手段を使用し、溶剤の揮発スピードを適度とすることで、鱗片状の金属粉(G)の配向を適切に制御できる、と考えられる。
In the present embodiment, for example, the aspect ratio A1 / A1 is selected by appropriately selecting the type and amount of each component contained in the conductive paste as the wiring material, the method for preparing the conductive paste, the method for forming the wiring, and the like. It is possible to control A2, A1 and A2. Among these, for example, use of a large-area and thin-layered scale-like metal powder (G), as a solvent for the conductive paste, a solvent having a high boiling point suitable for printing, and solubility of an elastomer component such as silicone. Use of an excellent hydrocarbon-based solvent, appropriate adjustment of the amount of the solvent in the conductive paste, and the like are listed as factors for keeping the above-mentioned aspect ratios A1 / A2, A1, and A2 in a desired numerical range. Can be
Although the detailed mechanism is not clear, it is considered as follows.
By selecting a large scale-like metal powder (G) with a high aspect ratio and using a large amount of a solvent with good solubility of the solid silicone component, a conductive material with a relatively low viscosity before volatilization of the solvent In the paste, the scaly metal powder (G) has high dispersibility and can move freely. It is considered that the orientation of the scaly metal powder (G) can be appropriately controlled by using a printing means in the step of applying the conductive paste and adjusting the volatilization speed of the solvent to an appropriate level.

以下、本実施形態の伸縮性配線基板の各構成について説明する。   Hereinafter, each configuration of the elastic wiring board of the present embodiment will be described.

本実施形態の伸縮性配線基板は、少なくともエラストマーを含有する基板とエラストマーおよび導電性フィラーを含有する配線とを有するものである。基板は絶縁性であり、一方の配線は導電性である。このような伸縮性配線基板は、適度な伸縮性を発現させ、伸縮電気特性を高めることができる。   The stretchable wiring board of the present embodiment has at least a board containing an elastomer and a wiring containing an elastomer and a conductive filler. The substrate is insulative and one of the wires is conductive. Such a stretchable wiring board can exhibit appropriate stretchability and enhance stretchable electrical characteristics.

配線は、導電ペーストを使用して作製されていてもよい。導電性ペーストは、エラストマー組成物と、導電性フィラーと、溶剤と、を含むことができる。導電性ペーストを使用して作製された配線において、適度な伸縮性を発現することができる。   The wiring may be made using a conductive paste. The conductive paste can include an elastomer composition, a conductive filler, and a solvent. In a wiring manufactured using the conductive paste, appropriate elasticity can be exhibited.

基板は、絶縁ペーストを使用して作製されていてもよい。絶縁性ペーストは、エラストマー組成物と溶剤を含むものである。このような絶縁性ペーストを使用して作製された基板は、機械的強度および絶縁性に優れた基板を実現できる。   The substrate may be made using an insulating paste. The insulating paste contains an elastomer composition and a solvent. A substrate manufactured using such an insulating paste can realize a substrate having excellent mechanical strength and insulating properties.

上記導電性ペーストは、エラストマー組成物と、導電性フィラーと、溶剤と、を含むことがきる。導電性ペーストで作製された配線において、適度な伸縮性を発現することができる。   The conductive paste can include an elastomer composition, a conductive filler, and a solvent. In a wiring made of a conductive paste, moderate elasticity can be exhibited.

上記基板や配線に含まれるエラストマーとしては、例えば、シリコーンゴム、ウレタンゴム、フッ素ゴムからなる群から選択される一種以上の熱硬化性エラストマーを形成するために用いる熱硬化性エラストマー組成物を含むことができ、好ましくは、シリコーンゴム系硬化性組成物を含むことができる。   As the elastomer contained in the substrate or the wiring, for example, a silicone rubber, a urethane rubber, a thermosetting elastomer composition used to form one or more thermosetting elastomers selected from the group consisting of fluoro rubbers And preferably a silicone rubber-based curable composition.

(エラストマー)
また、上記エラストマーとしては、シリコーンゴム、ウレタンゴム、フッ素ゴム、ニトリルゴム、アクリルゴム、スチレンゴム、クロロプレンゴム、エチレンプロピレンゴム等を用いることができる。この中でも、エラストマーは、シリコーンゴム、ウレタンゴム、フッ素ゴムからなる群から選択される一種以上の熱硬化性エラストマーが用いられる。エラストマーとしては、化学的に安定であり、また、機械的強度にも優れる観点からシリコーンゴムを含むことができる。上記熱硬化性エラストマーは、熱硬化性エラストマー組成物の硬化物で構成することができる。例えば、上記シリコーンゴムは、シリコーンゴム系硬化性組成物の硬化物で構成することができる。なお熱可塑性エラストマーは、熱可塑性エラストマー組成物の乾燥物で構成することができる。
(Elastomer)
In addition, as the elastomer, silicone rubber, urethane rubber, fluorine rubber, nitrile rubber, acrylic rubber, styrene rubber, chloroprene rubber, ethylene propylene rubber, or the like can be used. Among them, as the elastomer, one or more thermosetting elastomers selected from the group consisting of silicone rubber, urethane rubber, and fluoro rubber are used. As the elastomer, silicone rubber can be included from the viewpoint of being chemically stable and having excellent mechanical strength. The thermosetting elastomer can be composed of a cured product of the thermosetting elastomer composition. For example, the silicone rubber can be composed of a cured product of a silicone rubber-based curable composition. The thermoplastic elastomer can be constituted by a dried product of the thermoplastic elastomer composition.

以下、本実施形態に係る配線が、シリコーンゴム系硬化性組成物を含む導電性ペーストを用いて形成された一例について説明する。   Hereinafter, an example in which the wiring according to the present embodiment is formed using a conductive paste containing a silicone rubber-based curable composition will be described.

本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、ビニル基含有オルガノポリシロキサン(A)を含むことができる。ビニル基含有オルガノポリシロキサン(A)は、本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物の主成分となる重合物である。   The silicone rubber-based curable composition of the present embodiment can contain a vinyl group-containing organopolysiloxane (A). The vinyl group-containing organopolysiloxane (A) is a polymer that is a main component of the silicone rubber-based curable composition of the present embodiment.

上記ビニル基含有オルガノポリシロキサン(A)は、直鎖構造を有するビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A1)を含むことができる。   The vinyl group-containing organopolysiloxane (A) can include a vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A1) having a linear structure.

上記ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A1)は、直鎖構造を有し、かつ、ビニル基を含有しており、かかるビニル基が硬化時の架橋点となる。   The vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A1) has a linear structure and contains a vinyl group, and the vinyl group serves as a crosslinking point during curing.

ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A1)のビニル基の含有量は、特に限定されないが、例えば、分子内に2個以上のビニル基を有し、かつ15モル%以下であるのが好ましく、0.01〜12モル%であるのがより好ましい。これにより、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A1)中におけるビニル基の量が最適化され、後述する各成分とのネットワークの形成を確実に行うことができる。本実施形態において、「〜」は、その両端の数値を含むことを意味する。   The vinyl group content of the vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A1) is not particularly limited, but is preferably, for example, two or more vinyl groups in the molecule and 15 mol% or less. , And more preferably 0.01 to 12 mol%. Thereby, the amount of the vinyl group in the vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A1) is optimized, and it is possible to reliably form a network with each component described later. In the present embodiment, “to” means including numerical values at both ends.

なお、本明細書中において、ビニル基含有量とは、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A1)を構成する全ユニットを100モル%としたときのビニル基含有シロキサンユニットのモル%である。ただし、ビニル基含有シロキサンユニット1つに対して、ビニル基1つであると考える。   In addition, in this specification, the vinyl group content is mol% of the vinyl group-containing siloxane unit when all the units constituting the vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A1) are 100 mol%. . However, it is considered that one vinyl group is contained per one vinyl group-containing siloxane unit.

また、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A1)の重合度は、特に限定されないが、例えば、好ましくは1000〜10000程度、より好ましくは2000〜5000程度の範囲内である。なお、重合度は、例えばクロロホルムを展開溶媒としたGPC(ゲル透過クロマトグラフィー)におけるポリスチレン換算の数平均重合度(又は数平均分子量)等として求めることができる。   The degree of polymerization of the vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A1) is not particularly limited, but is, for example, preferably in the range of about 1,000 to 10,000, and more preferably in the range of about 2,000 to 5,000. The degree of polymerization can be determined, for example, as the number average polymerization degree (or number average molecular weight) in terms of polystyrene by GPC (gel permeation chromatography) using chloroform as a developing solvent.

さらに、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A1)の比重は、特に限定されないが、0.9〜1.1程度の範囲であるのが好ましい。   Furthermore, the specific gravity of the vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A1) is not particularly limited, but is preferably in the range of about 0.9 to 1.1.

ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A1)として、上記のような範囲内の重合度および比重を有するものを用いることにより、得られるシリコーンゴムの耐熱性、難燃性、化学的安定性等の向上を図ることができる。   By using a vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A1) having a degree of polymerization and specific gravity within the above ranges, the resulting silicone rubber has heat resistance, flame retardancy, chemical stability and the like. Can be improved.

ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A1)としては、特に、下記式(1)で表される構造を有するものであるが好ましい。   The vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A1) is particularly preferably one having a structure represented by the following formula (1).

式(1)中、Rは炭素数1〜10の置換または非置換のアルキル基、アルケニル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基である。炭素数1〜10のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数1〜10のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基等が挙げられ、中でも、ビニル基が好ましい。炭素数1〜10のアリール基としては、例えば、フェニル基等が挙げられる。 In the formula (1), R 1 is a substituted or unsubstituted alkyl group, alkenyl group, aryl group having 1 to 10 carbon atoms, or a hydrocarbon group obtained by combining these. Examples of the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms include a methyl group, an ethyl group, and a propyl group, and among them, a methyl group is preferable. Examples of the alkenyl group having 1 to 10 carbon atoms include a vinyl group, an allyl group, and a butenyl group, and among them, a vinyl group is preferable. Examples of the aryl group having 1 to 10 carbon atoms include a phenyl group.

また、Rは炭素数1〜10の置換または非置換のアルキル基、アルケニル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基である。炭素数1〜10のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数1〜10のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基が挙げられる。炭素数1〜10のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。 R 2 is a substituted or unsubstituted alkyl group, alkenyl group, aryl group having 1 to 10 carbon atoms, or a hydrocarbon group obtained by combining these. Examples of the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms include a methyl group, an ethyl group, and a propyl group, and among them, a methyl group is preferable. Examples of the alkenyl group having 1 to 10 carbon atoms include a vinyl group, an allyl group, and a butenyl group. Examples of the aryl group having 1 to 10 carbon atoms include a phenyl group.

また、Rは炭素数1〜8の置換または非置換のアルキル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基である。炭素数1〜8のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数1〜8のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。 R 3 is a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, an aryl group, or a hydrocarbon group obtained by combining these. Examples of the alkyl group having 1 to 8 carbon atoms include a methyl group, an ethyl group, and a propyl group, and among them, a methyl group is preferable. Examples of the aryl group having 1 to 8 carbon atoms include a phenyl group.

さらに、式(1)中のRおよびRの置換基としては、例えば、メチル基、ビニル基等が挙げられ、Rの置換基としては、例えば、メチル基等が挙げられる。 Furthermore, examples of the substituent of R 1 and R 2 in the formula (1) include a methyl group and a vinyl group, and examples of the substituent of R 3 include a methyl group and the like.

なお、式(1)中、複数のRは互いに独立したものであり、互いに異なっていてもよいし、同じであってもよい。さらに、R、およびRについても同様である。 In the formula (1), a plurality of R 1 are independent of each other, and may be different from each other or may be the same. Further, the same applies to R 2 and R 3 .

さらに、m、nは、式(1)で表されるビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A1)を構成する繰り返し単位の数であり、mは0〜2000の整数、nは1000〜10000の整数である。mは、好ましくは0〜1000であり、nは、好ましくは2000〜5000である。   Further, m and n are the number of repeating units constituting the vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A1) represented by the formula (1), m is an integer of 0 to 2000, and n is 1000 to 10,000. Is an integer. m is preferably 0 to 1000, and n is preferably 2000 to 5000.

また、式(1)で表されるビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A1)の具体的構造としては、例えば下記式(1−1)で表されるものが挙げられる。   The specific structure of the vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A1) represented by the formula (1) includes, for example, those represented by the following formula (1-1).

式(1−1)中、RおよびRは、それぞれ独立して、メチル基またはビニル基であり、少なくとも一方がビニル基である。 In the formula (1-1), R 1 and R 2 are each independently a methyl group or a vinyl group, and at least one of them is a vinyl group.

さらに、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A1)としては、ビニル基含有量が分子内に2個以上のビニル基を有し、かつ0.4モル%以下である第1のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A1−1)と、ビニル基含有量が0.5〜15モル%である第2のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A1−2)とを含有するものであるのが好ましい。シリコーンゴムの原料である生ゴムとして、一般的なビニル基含有量を有する第1のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A1−1)と、ビニル基含有量が高い第2のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A1−2)とを組み合わせることで、ビニル基を偏在化させることができ、シリコーンゴムの架橋ネットワーク中に、より効果的に架橋密度の疎密を形成することができる。その結果、より効果的にシリコーンゴムの引裂強度を高めることができる。   Further, as the vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A1), the first vinyl group-containing linear group having two or more vinyl groups in the molecule and having a vinyl group content of 0.4 mol% or less is used. It contains a linear organopolysiloxane (A1-1) and a second vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A1-2) having a vinyl group content of 0.5 to 15 mol%. Preferably it is. As raw rubber which is a raw material of silicone rubber, a first vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A1-1) having a general vinyl group content and a second vinyl group-containing straight chain having a high vinyl group content are used. By combining with the chain organopolysiloxane (A1-2), the vinyl groups can be unevenly distributed, and the density of the crosslink density can be more effectively formed in the crosslink network of the silicone rubber. As a result, the tear strength of the silicone rubber can be more effectively increased.

具体的には、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A1)として、例えば、上記式(1−1)において、Rがビニル基である単位および/またはRがビニル基である単位を、分子内に2個以上有し、かつ0.4モル%以下を含む第1のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A1−1)と、Rがビニル基である単位および/またはRがビニル基である単位を、0.5〜15モル%含む第2のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A1−2)とを用いるのが好ましい。 Specifically, as the vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A1), for example, in the above formula (1-1), a unit where R 1 is a vinyl group and / or a unit where R 2 is a vinyl group A first vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A1-1) having two or more in the molecule and containing at most 0.4 mol%, and a unit wherein R 1 is a vinyl group and / or R It is preferable to use a second vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A1-2) containing 0.5 to 15 mol% of a unit in which 2 is a vinyl group.

また、第1のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A1−1)は、ビニル基含有量が0.01〜0.2モル%であるのが好ましく、0.02〜0.15モル%がより好ましい。また、第2のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A1−2)は、ビニル基含有量が、0.5〜12モル%が好ましく、0.8〜8モル%がより好ましい。   In addition, the first vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A1-1) preferably has a vinyl group content of 0.01 to 0.2 mol%, and 0.02 to 0.15 mol%. Is more preferred. The second vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A1-2) preferably has a vinyl group content of 0.5 to 12 mol%, more preferably 0.8 to 8 mol%.

さらに、第1のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A1−1)と第2のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A1−2)とを組み合わせて配合する場合、(A1−1)と(A1−2)の比率は特に限定されないが、例えば、重量比で(A1−1):(A1−2)が50:50〜95:5であるのが好ましく、60:40〜92:8であるのがより好ましく、80:20〜90:10であるのがさらに好ましい。   Furthermore, when the first vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A1-1) and the second vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A1-2) are combined and compounded, (A1-1) The ratio between (A1-2) and (A1-2) is not particularly limited. For example, (A1-1) :( A1-2) is preferably 50:50 to 95: 5 by weight, and 60:40 to 92: 8, more preferably 80:20 to 90:10.

なお、第1および第2のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A1−1)および(A1−2)は、それぞれ1種のみを用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。   The first and second vinyl group-containing linear organopolysiloxanes (A1-1) and (A1-2) may be used alone or in combination of two or more. Good.

また、ビニル基含有オルガノポリシロキサン(A)は、分岐構造を有するビニル基含有分岐状オルガノポリシロキサン(A2)を含んでもよい。   Further, the vinyl group-containing organopolysiloxane (A) may include a vinyl group-containing branched organopolysiloxane (A2) having a branched structure.

<<オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B)>>
本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B)を含むことができる。
オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B)は、直鎖構造を有する直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B1)と分岐構造を有する分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B2)とに分類され、これらのうちのいずれか一方または双方を含むことができる。
<< Organohydrogenpolysiloxane (B) >>
The silicone rubber-based curable composition of the present embodiment can contain an organohydrogenpolysiloxane (B).
The organohydrogenpolysiloxane (B) is classified into a linear organohydrogenpolysiloxane (B1) having a linear structure and a branched organohydrogenpolysiloxane (B2) having a branched structure. Either or both may be included.

直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B1)は、直鎖構造を有し、かつ、Siに水素が直接結合した構造(≡Si−H)を有し、ビニル基含有オルガノポリシロキサン(A)のビニル基の他、シリコーンゴム系硬化性組成物に配合される成分が有するビニル基とヒドロシリル化反応し、これらの成分を架橋する重合体である。   The straight-chain organohydrogenpolysiloxane (B1) has a straight-chain structure, has a structure in which hydrogen is directly bonded to Si (≡Si—H), and is a vinyl-containing organopolysiloxane (A). It is a polymer that undergoes a hydrosilylation reaction with a vinyl group contained in a silicone rubber-based curable composition, in addition to a vinyl group, to crosslink these components.

直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B1)の分子量は特に限定されないが、例えば、重量平均分子量が20000以下であるのが好ましく、1000以上、10000以下であることがより好ましい。   Although the molecular weight of the linear organohydrogenpolysiloxane (B1) is not particularly limited, for example, the weight average molecular weight is preferably 20,000 or less, more preferably 1,000 or more and 10,000 or less.

なお、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B1)の重量平均分子量は、例えばクロロホルムを展開溶媒としたGPC(ゲル透過クロマトグラフィー)におけるポリスチレン換算により測定することができる。   The weight average molecular weight of the linear organohydrogenpolysiloxane (B1) can be measured, for example, in terms of polystyrene by GPC (gel permeation chromatography) using chloroform as a developing solvent.

また、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B1)は、通常、ビニル基を有しないものであるのが好ましい。これにより、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B1)の分子内において架橋反応が進行するのを的確に防止することができる。   The linear organohydrogenpolysiloxane (B1) is usually preferably one having no vinyl group. Thereby, it is possible to appropriately prevent the cross-linking reaction from proceeding in the molecule of the linear organohydrogenpolysiloxane (B1).

以上のような直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B1)としては、例えば、下記式(2)で表される構造を有するものが好ましく用いられる。   As the linear organohydrogenpolysiloxane (B1) as described above, for example, those having a structure represented by the following formula (2) are preferably used.

式(2)中、Rは炭素数1〜10の置換または非置換のアルキル基、アルケニル基、アリール基、これらを組み合わせた炭化水素基、またはヒドリド基である。炭素数1〜10のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数1〜10のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基等が挙げられる。炭素数1〜10のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。 In the formula (2), R 4 is a substituted or unsubstituted alkyl group, alkenyl group, aryl group having 1 to 10 carbon atoms, a hydrocarbon group obtained by combining these, or a hydride group. Examples of the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms include a methyl group, an ethyl group, and a propyl group, and among them, a methyl group is preferable. Examples of the alkenyl group having 1 to 10 carbon atoms include a vinyl group, an allyl group, and a butenyl group. Examples of the aryl group having 1 to 10 carbon atoms include a phenyl group.

また、Rは炭素数1〜10の置換または非置換のアルキル基、アルケニル基、アリール基、これらを組み合わせた炭化水素基、またはヒドリド基である。炭素数1〜10のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数1〜10のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基等が挙げられる。炭素数1〜10のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。 R 5 is a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkenyl group, an aryl group, a hydrocarbon group obtained by combining these, or a hydride group. Examples of the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms include a methyl group, an ethyl group, and a propyl group, and among them, a methyl group is preferable. Examples of the alkenyl group having 1 to 10 carbon atoms include a vinyl group, an allyl group, and a butenyl group. Examples of the aryl group having 1 to 10 carbon atoms include a phenyl group.

なお、式(2)中、複数のRは互いに独立したものであり、互いに異なっていてもよいし、同じであってもよい。Rについても同様である。ただし、複数のRおよびRのうち、少なくとも2つ以上がヒドリド基である。 In Formula (2), a plurality of R 4 are independent of each other, and may be different from each other or may be the same. The same is true for R 5. However, at least two or more of a plurality of R 4 and R 5 are hydride groups.

また、Rは炭素数1〜8の置換または非置換のアルキル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基である。炭素数1〜8のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数1〜8のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。複数のRは互いに独立したものであり、互いに異なっていてもよいし、同じであってもよい。 R 6 is a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, an aryl group, or a hydrocarbon group obtained by combining these. Examples of the alkyl group having 1 to 8 carbon atoms include a methyl group, an ethyl group, and a propyl group, and among them, a methyl group is preferable. Examples of the aryl group having 1 to 8 carbon atoms include a phenyl group. A plurality of R 6 are independent of each other, and may be different from each other or may be the same.

なお、式(2)中のR,R,Rの置換基としては、例えば、メチル基、ビニル基等が挙げられ、分子内の架橋反応を防止する観点から、メチル基が好ましい。 As the R 4, substituents R 5, R 6 in the formula (2), for example, a methyl group, a vinyl group and the like, from the viewpoint of preventing the crosslinking reaction in the molecule is preferably a methyl group.

さらに、m、nは、式(2)で表される直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B1)を構成する繰り返し単位の数であり、mは2〜150整数、nは2〜150の整数である。好ましくは、mは2〜100の整数、nは2〜100の整数である。   Further, m and n are the number of repeating units constituting the linear organohydrogenpolysiloxane (B1) represented by the formula (2), where m is an integer of 2 to 150 and n is an integer of 2 to 150. It is. Preferably, m is an integer from 2 to 100 and n is an integer from 2 to 100.

なお、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B1)は、1種のみを単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。   The linear organohydrogenpolysiloxane (B1) may be used alone or in combination of two or more.

分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B2)は、分岐構造を有するため、架橋密度が高い領域を形成し、シリコーンゴムの系中の架橋密度の疎密構造形成に大きく寄与する成分である。また、上記直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B1)同様、Siに水素が直接結合した構造(≡Si−H)を有し、ビニル基含有オルガノポリシロキサン(A)のビニル基の他、シリコーンゴム系硬化性組成物に配合される成分のビニル基とヒドロシリル化反応し、これら成分を架橋する重合体である。   Since the branched organohydrogenpolysiloxane (B2) has a branched structure, it forms a region having a high crosslinking density, and is a component which greatly contributes to formation of a dense / dense structure of a crosslinking density in a silicone rubber system. Like the linear organohydrogenpolysiloxane (B1), it has a structure in which hydrogen is directly bonded to Si (≡Si—H). In addition to the vinyl group of the vinyl group-containing organopolysiloxane (A), silicone It is a polymer that undergoes a hydrosilylation reaction with a vinyl group of a component blended in a rubber-based curable composition to crosslink these components.

また、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B2)の比重は、0.9〜0.95の範囲である。   The specific gravity of the branched organohydrogenpolysiloxane (B2) is in the range of 0.9 to 0.95.

さらに、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B2)は、通常、ビニル基を有しないものであるのが好ましい。これにより、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B2)の分子内において架橋反応が進行するのを的確に防止することができる。   Further, it is preferable that the branched organohydrogenpolysiloxane (B2) generally has no vinyl group. This makes it possible to accurately prevent the cross-linking reaction from proceeding in the molecule of the branched organohydrogenpolysiloxane (B2).

また、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B2)としては、下記平均組成式(c)で示されるものが好ましい。   As the branched organohydrogenpolysiloxane (B2), those represented by the following average composition formula (c) are preferable.

平均組成式(c)
(H(R3−aSiO1/2(SiO4/2
(式(c)において、Rは一価の有機基、aは1〜3の範囲の整数、mはH(R3−aSiO1/2単位の数、nはSiO4/2単位の数である)
Average composition formula (c)
(H a (R 7 ) 3-a SiO 1/2 ) m (SiO 4/2 ) n
(In the formula (c), R 7 is a monovalent organic group, a is 1 to 3 in the range of integers, m is H a (R 7) 3- a number of SiO 1/2 units, n represents SiO 4 / (2 units)

式(c)において、Rは一価の有機基であり、好ましくは、炭素数1〜10の置換または非置換のアルキル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基である。炭素数1〜10のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数1〜10のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。 In the formula (c), R 7 is a monovalent organic group, and is preferably a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an aryl group, or a hydrocarbon group obtained by combining these. Examples of the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms include a methyl group, an ethyl group, and a propyl group, and among them, a methyl group is preferable. Examples of the aryl group having 1 to 10 carbon atoms include a phenyl group.

式(c)において、aは、ヒドリド基(Siに直接結合する水素原子)の数であり、1〜3の範囲の整数、好ましくは1である。   In the formula (c), a is the number of hydride groups (hydrogen atoms directly bonded to Si), and is an integer in the range of 1 to 3, preferably 1.

また、式(c)において、mはH(R3−aSiO1/2単位の数、nはSiO4/2単位の数である。 Further, in the equation (c), m is H a (R 7) 3- a number of SiO 1/2 units, n is the number of SiO 4/2 units.

分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B2)は分岐状構造を有する。直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B1)と分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B2)は、その構造が直鎖状か分岐状かという点で異なり、Siの数を1とした時のSiに結合するアルキル基Rの数(R/Si)が、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B1)では1.8〜2.1、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B2)では0.8〜1.7の範囲となる。   The branched organohydrogenpolysiloxane (B2) has a branched structure. The linear organohydrogenpolysiloxane (B1) differs from the branched organohydrogenpolysiloxane (B2) in that the structure is linear or branched. The number (R / Si) of the alkyl groups R to be bonded is 1.8 to 2.1 for the linear organohydrogenpolysiloxane (B1), and 0.8 to 1 for the branched organohydrogenpolysiloxane (B2). .7.

なお、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B2)は、分岐構造を有しているため、例えば、窒素雰囲気下、1000℃まで昇温速度10℃/分で加熱した際の残渣量が5%以上となる。これに対して、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B1)は、直鎖状であるため、上記条件で加熱した後の残渣量はほぼゼロとなる。   Since the branched organohydrogenpolysiloxane (B2) has a branched structure, for example, the amount of residues when heated to 1000 ° C. at a heating rate of 10 ° C./min in a nitrogen atmosphere is 5% or more. Becomes On the other hand, since the linear organohydrogenpolysiloxane (B1) is linear, the amount of the residue after heating under the above conditions is almost zero.

また、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B2)の具体例としては、下記式(3)で表される構造を有するものが挙げられる。   Specific examples of the branched organohydrogenpolysiloxane (B2) include those having a structure represented by the following formula (3).

式(3)中、Rは炭素数1〜8の置換または非置換のアルキル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基、もしくは水素原子である。炭素数1〜8のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数1〜8のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。Rの置換基としては、例えば、メチル基等が挙げられる。 In the formula (3), R 7 is a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, an aryl group, a hydrocarbon group obtained by combining these, or a hydrogen atom. Examples of the alkyl group having 1 to 8 carbon atoms include a methyl group, an ethyl group, and a propyl group, and among them, a methyl group is preferable. Examples of the aryl group having 1 to 8 carbon atoms include a phenyl group. Examples of the substituent of R 7 include a methyl group.

なお、式(3)中、複数のRは互いに独立したものであり、互いに異なっていてもよいし、同じであってもよい。 In Formula (3), a plurality of R 7 are independent of each other, and may be different from each other or may be the same.

また、式(3)中、「−O−Si≡」は、Siが三次元に広がる分岐構造を有することを表している。   In the formula (3), “—O—Si≡” indicates that Si has a three-dimensionally branched structure.

なお、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B2)は、1種のみを単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。   The branched organohydrogenpolysiloxane (B2) may be used alone or in combination of two or more.

また、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B1)と分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B2)において、Siに直接結合する水素原子(ヒドリド基)の量は、それぞれ、特に限定されない。ただし、シリコーンゴム系硬化性組成物において、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A1)中のビニル基1モルに対し、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B1)と分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B2)の合計のヒドリド基量が、0.5〜5モルとなる量が好ましく、1〜3.5モルとなる量がより好ましい。これにより、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B1)および分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B2)と、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A1)との間で、架橋ネットワークを確実に形成させることができる。   In the linear organohydrogenpolysiloxane (B1) and the branched organohydrogenpolysiloxane (B2), the amount of hydrogen atoms (hydride groups) directly bonded to Si is not particularly limited. However, in the silicone rubber-based curable composition, the linear organohydrogenpolysiloxane (B1) and the branched organohydrogenpolysiloxane are used per mole of the vinyl group in the vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A1). The total hydride group amount of the siloxane (B2) is preferably 0.5 to 5 mol, more preferably 1 to 3.5 mol. Thereby, a crosslinked network is reliably formed between the linear organohydrogenpolysiloxane (B1) and the branched organohydrogenpolysiloxane (B2) and the vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A1). Can be done.

本実施形態において、導電性ペースト中におけるエラストマー組成物(シリコーンゴム系硬化性組成物)の含有量は、導電性ペースト全体に対して、1質量%以上であることが好ましく、3質量%以上であることがより好ましく、5質量%以上であることがさらに好ましい。また、導電性ペースト中におけるエラストマー組成物の含有量は、導電性ペースト全体に対して、25質量%以下であることが好ましく、20質量%以下であることがより好ましく、15質量%以下であることがさらに好ましい。
エラストマー組成物の含有量を上記下限値以上とすることにより、導電性ペーストを用いて形成された配線が適度な柔軟性を持つことができる。また、エラストマー組成物の含有量を上記上限値以下とすることにより、配線の機械的強度の向上を図ることができる。
In this embodiment, the content of the elastomer composition (silicone rubber-based curable composition) in the conductive paste is preferably 1% by mass or more, and more preferably 3% by mass or more based on the entire conductive paste. More preferably, it is more preferably 5% by mass or more. Further, the content of the elastomer composition in the conductive paste is preferably 25% by mass or less, more preferably 20% by mass or less, and preferably 15% by mass or less based on the whole conductive paste. Is more preferable.
When the content of the elastomer composition is equal to or more than the lower limit, the wiring formed using the conductive paste can have appropriate flexibility. Further, by setting the content of the elastomer composition to the above upper limit or less, the mechanical strength of the wiring can be improved.

<<シリカ粒子(C)>>
本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、必要に応じ、シリカ粒子(C)を含むことができる。これにより、シリコーンゴム系硬化性組成物から形成されるエラストマーの硬さや機械的強度の向上を図ることができる。
<< silica particles (C) >>
The silicone rubber-based curable composition of the present embodiment can contain silica particles (C) as necessary. Thereby, the hardness and mechanical strength of the elastomer formed from the silicone rubber-based curable composition can be improved.

本実施形態の導電性ペーストは、導電性フィラーに加えてシリカ粒子を含有することにより、当該導電性ペーストの硬化物等で構成されるエラストマーの機械的強度や耐久性を向上させることができる。このような導電性ペーストを使用して、伸縮性配線基板を構成する配線などの導電性樹脂膜を作製することによって、その導電性樹脂膜の機械的強度や耐久性を向上させることができる。これにより、本実施形態の導電性ペーストで形成された配線を備える伸縮性配線基板の伸縮電気特性を高めることができる。   The conductive paste of the present embodiment contains silica particles in addition to the conductive filler, so that the mechanical strength and durability of an elastomer composed of a cured product of the conductive paste can be improved. By using such a conductive paste to form a conductive resin film such as wiring constituting a stretchable wiring board, the mechanical strength and durability of the conductive resin film can be improved. Thereby, the stretchable electrical characteristics of the stretchable wiring board including the wiring formed of the conductive paste of the present embodiment can be improved.

シリカ粒子(C)としては、特に限定されないが、例えば、ヒュームドシリカ、焼成シリカ、沈降シリカ等が用いられる。これらを単独で用いても2種以上を組み合わせて用いてもよい。   The silica particles (C) are not particularly limited, but for example, fumed silica, calcined silica, precipitated silica and the like are used. These may be used alone or in combination of two or more.

シリカ粒子(C)は、例えば、BET法による比表面積が例えば50〜400m/gであるのが好ましく、100〜400m/gであるのがより好ましい。また、シリカ粒子(C)の平均一次粒径は、例えば1〜100nmであるのが好ましく、5〜20nm程度であるのがより好ましい。 Silica particles (C) are, for example, is preferably a specific surface area by the BET method, for example, 50 to 400 m 2 / g, and more preferably 100 to 400 m 2 / g. The average primary particle size of the silica particles (C) is, for example, preferably 1 to 100 nm, and more preferably about 5 to 20 nm.

シリカ粒子(C)として、かかる比表面積および平均粒径の範囲内であるものを用いることにより、形成されるシリコーンゴムの硬さや機械的強度の向上、特に引張強度の向上をさせることができる。   By using the silica particles (C) having a specific surface area and an average particle diameter within the above ranges, it is possible to improve the hardness and mechanical strength, particularly, the tensile strength of the formed silicone rubber.

本実施形態において、導電性ペースト中におけるシリカ粒子(C)の含有量は、導電性ペーストの全体に対して、1質量%以上であることが好ましく、2質量%以上であることがより好ましく、3質量%以上であることがさらに好ましい。また、導電性ペースト中におけるシリカ粒子(C)の含有量は、導電性ペーストの全体に対して、例えば、20量%以下、15質量%以下であることが好ましく、12質量%以下であることがより好ましく、10質量%以下であることがさらに好ましい。
シリカ粒子(C)の含有量を上記下限値以上とすることにより、導電性ペーストを使用して作製された配線のエラストマーが適度な機械的強度を持つことができる。また、シリカ粒子(C)の含有量を上記上限値以下とすることにより、配線のエラストマーが適度な導電特性を持つことができる。
In the present embodiment, the content of the silica particles (C) in the conductive paste is preferably 1% by mass or more, more preferably 2% by mass or more, based on the entire conductive paste. More preferably, it is at least 3% by mass. Further, the content of the silica particles (C) in the conductive paste is, for example, preferably 20% by mass or less, 15% by mass or less, and more preferably 12% by mass or less based on the whole of the conductive paste. Is more preferably 10% by mass or less.
When the content of the silica particles (C) is equal to or more than the lower limit, the elastomer of the wiring manufactured using the conductive paste can have appropriate mechanical strength. Further, when the content of the silica particles (C) is equal to or less than the above upper limit, the elastomer of the wiring can have appropriate conductive properties.

<<シランカップリング剤(D)>>
本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、シランカップリング剤(D)を含むことができる。
シランカップリング剤(D)は、加水分解性基を有することができる。加水分解基が水により加水分解されて水酸基になり、この水酸基がシリカ粒子(C)表面の水酸基と脱水縮合反応することで、シリカ粒子(C)の表面改質を行うことができる。
<< silane coupling agent (D) >>
The silicone rubber-based curable composition of the present embodiment can include a silane coupling agent (D).
The silane coupling agent (D) can have a hydrolyzable group. The hydrolyzable group is hydrolyzed by water to form a hydroxyl group, and the hydroxyl group undergoes a dehydration condensation reaction with a hydroxyl group on the surface of the silica particle (C), whereby the surface modification of the silica particle (C) can be performed.

また、このシランカップリング剤(D)は、疎水性基を有するシランカップリング剤を含むことができる。これにより、シリカ粒子(C)の表面にこの疎水性基が付与されるため、シリコーンゴム系硬化性組成物中ひいてはシリコーンゴム中において、シリカ粒子(C)の凝集力が低下(シラノール基による水素結合による凝集が少なくなる)し、その結果、シリコーンゴム系硬化性組成物中のシリカ粒子の分散性が向上すると推測される。これにより、シリカ粒子とゴムマトリックスとの界面が増加し、シリカ粒子の補強効果が増大する。さらに、ゴムのマトリックス変形の際、マトリックス内でのシリカ粒子の滑り性が向上すると推測される。そして、シリカ粒子(C)の分散性の向上及び滑り性の向上によって、シリカ粒子(C)によるシリコーンゴムの機械的強度(例えば、引張強度や引裂強度など)が向上する。   The silane coupling agent (D) may include a silane coupling agent having a hydrophobic group. This imparts the hydrophobic group to the surface of the silica particles (C), so that the cohesive force of the silica particles (C) decreases in the silicone rubber-based curable composition and thus in the silicone rubber (hydrogen due to silanol groups). Aggregation due to bonding is reduced), and as a result, it is presumed that the dispersibility of the silica particles in the silicone rubber-based curable composition is improved. Thereby, the interface between the silica particles and the rubber matrix increases, and the reinforcing effect of the silica particles increases. Further, it is presumed that when the rubber is deformed into the matrix, the slipperiness of the silica particles in the matrix is improved. And the mechanical strength (for example, tensile strength, tear strength, etc.) of the silicone rubber by the silica particles (C) is improved by improving the dispersibility and the slipperiness of the silica particles (C).

さらに、シランカップリング剤(D)は、ビニル基を有するシランカップリング剤を含むことができる。これにより、シリカ粒子(C)の表面にビニル基が導入される。そのため、シリコーンゴム系硬化性組成物の硬化の際、すなわち、ビニル基含有オルガノポリシロキサン(A)が有するビニル基と、オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B)が有するヒドリド基とがヒドロシリル化反応して、これらによるネットワーク(架橋構造)が形成される際に、シリカ粒子(C)が有するビニル基も、オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B)が有するヒドリド基とのヒドロシリル化反応に関与するため、ネットワーク中にシリカ粒子(C)も取り込まれるようになる。これにより、形成されるシリコーンゴムの低硬度化および高モジュラス化を図ることができる。   Further, the silane coupling agent (D) can include a silane coupling agent having a vinyl group. Thereby, a vinyl group is introduced into the surface of the silica particles (C). Therefore, when the silicone rubber-based curable composition is cured, that is, the vinyl group of the vinyl group-containing organopolysiloxane (A) and the hydride group of the organohydrogenpolysiloxane (B) undergo a hydrosilylation reaction. When a network (crosslinked structure) is formed by these, the vinyl group of the silica particles (C) also participates in the hydrosilylation reaction with the hydride group of the organohydrogenpolysiloxane (B). The silica particles (C) are also taken in. As a result, the hardness and the modulus of the formed silicone rubber can be reduced.

シランカップリング剤(D)としては、疎水性基を有するシランカップリング剤およびビニル基を有するシランカップリング剤を併用することができる。   As the silane coupling agent (D), a silane coupling agent having a hydrophobic group and a silane coupling agent having a vinyl group can be used in combination.

シランカップリング剤(D)としては、例えば、下記式(4)で表わされるものが挙げられる。   Examples of the silane coupling agent (D) include those represented by the following formula (4).

−Si−(X)4−n・・・(4)
上記式(4)中、nは1〜3の整数を表わす。Yは、疎水性基、親水性基またはビニル基を有するもののうちのいずれかの官能基を表わし、nが1の時は疎水性基であり、nが2または3の時はその少なくとも1つが疎水性基である。Xは、加水分解性基を表わす。
Y n -Si- (X) 4-n (4)
In the above formula (4), n represents an integer of 1 to 3. Y represents a functional group of any of those having a hydrophobic group, a hydrophilic group or a vinyl group. When n is 1, it is a hydrophobic group, and when n is 2 or 3, at least one of them is It is a hydrophobic group. X represents a hydrolyzable group.

疎水性基は、炭素数1〜6のアルキル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基であり、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、フェニル基等が挙げられ、中でも、特に、メチル基が好ましい。   The hydrophobic group is an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an aryl group, or a hydrocarbon group obtained by combining these, and examples thereof include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, and a phenyl group. A methyl group is preferred.

また、親水性基は、例えば、水酸基、スルホン酸基、カルボキシル基またはカルボニル基等が挙げられ、中でも、特に、水酸基が好ましい。なお、親水性基は、官能基として含まれていてもよいが、シランカップリング剤(D)に疎水性を付与するという観点からは含まれていないのが好ましい。   Examples of the hydrophilic group include a hydroxyl group, a sulfonic acid group, a carboxyl group, and a carbonyl group. Among them, a hydroxyl group is particularly preferable. The hydrophilic group may be contained as a functional group, but is preferably not contained from the viewpoint of imparting hydrophobicity to the silane coupling agent (D).

さらに、加水分解性基は、メトキシ基、エトキシ基のようなアルコキシ基、クロロ基またはシラザン基等が挙げられ、中でも、シリカ粒子(C)との反応性が高いことから、シラザン基が好ましい。なお、加水分解性基としてシラザン基を有するものは、その構造上の特性から、上記式(4)中の(Y−Si−)の構造を2つ有するものとなる。 Furthermore, examples of the hydrolyzable group include an alkoxy group such as a methoxy group and an ethoxy group, a chloro group and a silazane group. Among them, a silazane group is preferable because of high reactivity with the silica particles (C). Incidentally, those having a silazane group as hydrolyzable groups, the characteristics of its structure the formula (4) in the structure of (Y n -Si-) comes to have two.

上記式(4)で表されるシランカップリング剤(D)の具体例は、例えば、官能基として疎水性基を有するものとして、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、n−プロピルトリメトキシシラン、n−プロピルトリエトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、ヘキシルトリエトキシシラン、デシルトリメトキシシランのようなアルコキシシラン;メチルトリクロロシラン、ジメチルジクロロシラン、トリメチルクロロシラン、フェニルトリクロロシランのようなクロロシラン;ヘキサメチルジシラザンが挙げられ、官能基としてビニル基を有するものとして、メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルメチルジメトキシシランのようなアルコキシシラン;ビニルトリクロロシラン、ビニルメチルジクロロシランのようなクロロシラン;ジビニルテトラメチルジシラザンが挙げられるが、中でも、上記記載を考慮すると、特に、疎水性基を有するものとしてはヘキサメチルジシラザン、ビニル基を有するものとしてはジビニルテトラメチルジシラザンであるのが好ましい。   Specific examples of the silane coupling agent (D) represented by the above formula (4) include, for example, those having a hydrophobic group as a functional group, such as methyltrimethoxysilane, dimethyldimethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, and methyltrimethoxysilane. Alkoxysilanes such as ethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, phenyltriethoxysilane, n-propyltrimethoxysilane, n-propyltriethoxysilane, hexyltrimethoxysilane, hexyltriethoxysilane, decyltrimethoxysilane; methyltrichlorosilane Chlorosilanes such as dimethyldichlorosilane, trimethylchlorosilane and phenyltrichlorosilane; hexamethyldisilazane; and those having a vinyl group as a functional group include methacryloxypropyltriethoxysilane. Alkoxysilanes such as methacryloxypropyltrimethoxysilane, methacryloxypropylmethyldiethoxysilane, methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, vinyltrimethoxysilane and vinylmethyldimethoxysilane; vinyltrichlorosilane, vinylmethyl Chlorosilanes such as dichlorosilane; and divinyltetramethyldisilazane. Among them, considering the above description, in particular, those having a hydrophobic group are hexamethyldisilazane, and those having a vinyl group are divinyltetramethyl. Preferably it is disilazane.

本実施形態において、シランカップリング剤(D)の含有量の下限値は、ビニル基含有オルガノポリシロキサン(A)の合計量100重量部に対して、1質量%以上であることが好ましく、3質量%以上であることがより好ましく、5質量%以上であることがさらに好ましい。また、シランカップリング剤(D)の含有量上限値は、ビニル基含有オルガノポリシロキサン(A)の合計量100重量部に対して、100質量%以下であることが好ましく、80質量%以下であることがより好ましく、40質量%以下であることがさらに好ましい。
シランカップリング剤(D)の含有量を上記下限値以上とすることにより、導電性ペーストを用いて形成された導電性樹脂膜が基板との適度な密着性を持ち、また、シリカ粒子(C)を用いる場合においては、配線と基板全体としての機械的強度の向上に資することができる。また、シランカップリング剤(D)の含有量を上記上限値以下とすることにより、導電性樹脂膜が適度な機械特性を持つことができる。
In the present embodiment, the lower limit of the content of the silane coupling agent (D) is preferably 1% by mass or more based on 100 parts by weight of the total amount of the vinyl group-containing organopolysiloxane (A). It is more preferably at least 5 mass%, more preferably at least 5 mass%. The upper limit of the content of the silane coupling agent (D) is preferably 100% by mass or less, and more preferably 80% by mass or less, based on 100 parts by weight of the total amount of the vinyl group-containing organopolysiloxane (A). More preferably, it is still more preferably 40% by mass or less.
By setting the content of the silane coupling agent (D) to the above lower limit or more, the conductive resin film formed by using the conductive paste has a proper adhesion to the substrate, and the silica particles (C In the case of using ()), it is possible to contribute to improvement of the mechanical strength of the wiring and the substrate as a whole. By setting the content of the silane coupling agent (D) to the upper limit or less, the conductive resin film can have appropriate mechanical properties.

<<白金または白金化合物(E)>>
本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、白金または白金化合物(E)を含むことができる。
白金または白金化合物(E)は、硬化の際の触媒として作用する触媒成分である。白金または白金化合物(E)の添加量は触媒量である。
<< Platinum or platinum compound (E) >>
The silicone rubber-based curable composition of the present embodiment can contain platinum or a platinum compound (E).
Platinum or a platinum compound (E) is a catalyst component that acts as a catalyst during curing. The amount of platinum or platinum compound (E) added is a catalytic amount.

白金または白金化合物(E)としては、公知のものを使用することができ、例えば、白金黒、白金をシリカやカーボンブラック等に担持させたもの、塩化白金酸または塩化白金酸のアルコール溶液、塩化白金酸とオレフィンの錯塩、塩化白金酸とビニルシロキサンとの錯塩等が挙げられる。   As the platinum or platinum compound (E), known compounds can be used, for example, platinum black, platinum-supported silica or carbon black, chloroplatinic acid or an alcohol solution of chloroplatinic acid, chloride or the like. Complex salts of platinic acid with olefins and complex salts of chloroplatinic acid with vinyl siloxane are exemplified.

なお、白金または白金化合物(E)は、1種のみを単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。   In addition, platinum or a platinum compound (E) may be used alone or in combination of two or more.

本実施形態において、シリコーンゴム系硬化性組成物中における白金または白金化合物(E)の含有量は、具体的にはペースト成分中のビニル基含有オルガノポリシロキサン(A)、シリカ粒子(C)、シランカップリング剤(D)の合計量100重量部に対して、白金族金属が重量単位で0.01〜1000ppmとなる量であり、好ましくは、0.1〜500ppmとなる量である。
白金または白金化合物(E)の含有量を上記下限値以上とすることにより、導電性ペーストが適切な速度で硬化することが可能となる。また、白金または白金化合物(E)の含有量を上記上限値以下とすることにより、導電性ペーストを作製する際のコストの削減に資することができる。
In the present embodiment, the content of platinum or the platinum compound (E) in the silicone rubber-based curable composition is, specifically, the vinyl group-containing organopolysiloxane (A), the silica particles (C), The amount of the platinum group metal is 0.01 to 1000 ppm by weight, preferably 0.1 to 500 ppm, based on 100 parts by weight of the total amount of the silane coupling agent (D).
By setting the content of platinum or the platinum compound (E) to the above lower limit or more, the conductive paste can be cured at an appropriate speed. Further, when the content of platinum or the platinum compound (E) is equal to or less than the above upper limit, it is possible to contribute to a reduction in cost when producing a conductive paste.

なお、触媒の白金または白金化合物(E)は、他の触媒を使用、または白金または白金化合物(E)と併用してもよい。他の触媒として、例えば、有機過酸化物が用いられる。有機過酸化物としては、公知のものを使用することができ、例えば、ケトンパーオキサイド類、ジアシルパーオキサイド類、ハイドロパーオキサイド類、ジアルキルパーオキサイド類、パーオキシケタール類、アルキルパーエステル類、パーオキシエステル類およびパーオキシジカーボネート類からなる群から選択される一種以上を含むことができる。   The catalyst platinum or platinum compound (E) may use another catalyst or may be used in combination with platinum or the platinum compound (E). As another catalyst, for example, an organic peroxide is used. Known organic peroxides can be used, for example, ketone peroxides, diacyl peroxides, hydroperoxides, dialkyl peroxides, peroxyketals, alkyl peresters, One or more selected from the group consisting of oxyesters and peroxydicarbonates can be included.

<<水(F)>>
また、本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物には、上記成分(A)〜(E)以外に、水(F)が含まれていてもよい。
<< water (F) >>
Further, the silicone rubber-based curable composition of the present embodiment may contain water (F) in addition to the above components (A) to (E).

水(F)は、シリコーンゴム系硬化性組成物に含まれる各成分を分散させる分散媒として機能するとともに、シリカ粒子(C)とシランカップリング剤(D)との反応に寄与する成分である。そのため、シリコーンゴム中において、シリカ粒子(C)とシランカップリング剤(D)とを、より確実に互いに連結したものとすることができ、全体として均一な特性を発揮することができる。   Water (F) is a component that functions as a dispersion medium for dispersing the components contained in the silicone rubber-based curable composition and that contributes to the reaction between the silica particles (C) and the silane coupling agent (D). . Therefore, in the silicone rubber, the silica particles (C) and the silane coupling agent (D) can be more reliably connected to each other, and uniform characteristics can be exhibited as a whole.

さらに、水(F)を含有する場合、その含有量は、適宜設定することができるが、具体的には、シランカップリング剤(D)100重量部に対して、例えば、10〜100重量部の範囲であるのが好ましく、30〜70重量部の範囲であるのがより好ましい。これにより、シランカップリング剤(D)とシリカ粒子(C)との反応をより確実に進行させることができる。   Further, when water (F) is contained, the content thereof can be appropriately set, and specifically, for example, 10 to 100 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the silane coupling agent (D). And more preferably 30 to 70 parts by weight. This allows the reaction between the silane coupling agent (D) and the silica particles (C) to proceed more reliably.

(その他の成分)
さらに、本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、上記(A)〜(F)成分以外に、他の成分をさらに含むことができる。この他の成分としては、例えば、珪藻土、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化セリウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、炭酸亜鉛、ガラスウール、マイカ等のシリカ粒子(C)以外の無機充填材、反応阻害剤、分散剤、顔料、染料、帯電防止剤、酸化防止剤、難燃剤、熱伝導性向上剤等の添加剤が挙げられる。
(Other components)
Further, the silicone rubber-based curable composition of the present embodiment may further contain other components in addition to the above components (A) to (F). As other components, for example, silica particles other than silica particles (C) such as diatomaceous earth, iron oxide, zinc oxide, titanium oxide, barium oxide, magnesium oxide, cerium oxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, zinc carbonate, glass wool, and mica And additives such as inorganic fillers, reaction inhibitors, dispersants, pigments, dyes, antistatic agents, antioxidants, flame retardants, and thermal conductivity improvers.

(導電性フィラー)
本実施形態の導電性ペーストは、導電性フィラーを含むことができる。この導電性フィラーとしては、公知の導電材料を用いてもよいが、鱗片状の金属粉(G)を含むことができる。これらを単独で用いても2種以上を組み合わせて用いてもよい。
(Conductive filler)
The conductive paste of the present embodiment can include a conductive filler. As the conductive filler, a known conductive material may be used, but it may include scaly metal powder (G). These may be used alone or in combination of two or more.

また、上記鱗片状の金属粉(G)の平均粒径D50としては、例えば、2.30μm以上14.0μm以下であり、より好ましくは2.30μm以上10.0μm以下であり、さらに好ましくは3.00μm以上9.40μm以下である。
上記鱗片状の金属粉(G)の平均粒径D50等を適切に選択することで、配線中におけるアスペクトA1、A1を制御できる。
なお、金属粉(G)の平均粒径D50は、レーザー回折粒度測定装置にて測定された50%粒子径とする。体積基準粒度分布において粒子径の小さい方から累積して50質量%となる点の粒径である。
The average particle diameter D 50 of the scale-like metal powder (G), for example, less than 2.30 14.0, more preferably not more than 10.0μm least 2.30, more preferably It is 3.00 μm or more and 9.40 μm or less.
By appropriately selecting the average particle diameter D 50 and the like of the scaly metal powder (G), can control the aspect A1, A1 in the wiring.
The average particle diameter D 50 of the metal powder (G) is 50% particle diameter measured by a laser diffraction particle size measuring apparatus. It is the particle size at the point where 50% by mass is accumulated from the smaller particle size in the volume-based particle size distribution.

上記金属粉(G)は、鱗片状の金属粉(G)以外の他のものを含有してもよい。その他の金属粉(G)の形状には制限がないが、樹枝状、球状等の従来から用いられているものが使用できる。   The metal powder (G) may contain anything other than the scaly metal powder (G). The shape of the other metal powder (G) is not limited, but a conventionally used one such as a dendritic or spherical shape can be used.

上記金属粉(G)を構成する金属は特に限定はされないが、例えば、銅、銀、金、ニッケル、錫、鉛、亜鉛、ビスマス、アンチモン、或いはこれらを合金化した金属粉のうち少なくとも一種類、あるいは、これらのうちの二種以上を含むことができる。
これらのうち、金属粉(G)としては、導電性の高さや入手容易性の高さから、銀または銅を含むこと、すなわち、銀粉または銅粉を含むことが好ましい。
なお、これらの金属粉(G)は他種金属でコートしたものも使用できる。
The metal constituting the metal powder (G) is not particularly limited, but may be, for example, at least one of copper, silver, gold, nickel, tin, lead, zinc, bismuth, antimony, and metal powder obtained by alloying them. Alternatively, two or more of these can be included.
Among these, the metal powder (G) preferably contains silver or copper, that is, contains silver powder or copper powder, from the viewpoint of high conductivity and high availability.
The metal powder (G) may be coated with another metal.

本実施形態において、導電性ペースト中における導電性フィラーの含有量の下限値は、導電性ペーストの全体に対して、30質量%以上であることが好ましく、40質量%以上であることがより好ましく、50質量%以上であることがさらに好ましい。また、導電性ペースト中における導電性フィラーの含有量の上限値は、導電性ペーストの全体に対して、例えば、90質量%以下、85質量%以下であることが好ましく、75質量%以下であることがより好ましく、65質量%以下であることがさらに好ましい。   In the present embodiment, the lower limit of the content of the conductive filler in the conductive paste is preferably 30% by mass or more, more preferably 40% by mass or more, based on the entire conductive paste. , 50% by mass or more. Further, the upper limit of the content of the conductive filler in the conductive paste is, for example, preferably 90% by mass or less, 85% by mass or less, and more preferably 75% by mass or less based on the whole of the conductive paste. It is more preferable that the content be 65% by mass or less.

また、エラストマーおよび導電性フィラーを含有する配線中の導電性フィラーの含有量の下限値は、配線全体に対して、30質量%以上であることが好ましく、40質量%以上であることがより好ましく、50質量%以上であることがさらに好ましい。また、上記配線中の導電性フィラーの含有量の上限値は、配線全体に対して、例えば、95質量%以下、90質量%以下であることが好ましく、87質量%以下であることがより好ましく、85質量%以下であることがさらに好ましい。   Further, the lower limit of the content of the conductive filler in the wiring containing the elastomer and the conductive filler is preferably 30% by mass or more, more preferably 40% by mass or more based on the whole wiring. , 50% by mass or more. The upper limit of the conductive filler content in the wiring is, for example, preferably 95% by mass or less, 90% by mass or less, and more preferably 87% by mass or less, based on the entire wiring. , 85% by mass or less.

導電性フィラーの含有量を上記下限値以上とすることにより、エラストマーおよび導電性フィラーを含有する配線が適度な導電特性を持つことができる。また、導電性フィラーの含有量を上記上限値以下とすることにより、配線が適度な柔軟性を持つことができる。   By setting the content of the conductive filler to be equal to or more than the lower limit, the wiring containing the elastomer and the conductive filler can have appropriate conductive properties. Further, by setting the content of the conductive filler to be equal to or less than the upper limit, the wiring can have appropriate flexibility.

上記鱗片状の金属粉(G)の含有量としては、導電性フィラー100質量%に対して、たとえば、90質量%以上であり、好ましくは95質量%以上であり、より好ましくは99質量%以上であり、一方で、100質量%以下としてもよい。   The content of the scaly metal powder (G) is, for example, 90% by mass or more, preferably 95% by mass or more, and more preferably 99% by mass or more based on 100% by mass of the conductive filler. On the other hand, it may be 100% by mass or less.

また、エラストマーおよび導電性フィラーを含有する配線中のシリカ粒子(C)の含有量の下限値は、シリカ粒子(C)および導電性フィラーの合計量100質量%に対して、例えば、1質量%以上であり、好ましくは3質量%以上であり、より好ましくは5質量%以上とすることができる。これにより、配線の機械的強度を向上させることができる。一方で、上記配線のシリカ粒子(C)の含有量の上限値は、シリカ粒子(C)および導電性フィラーの合計量100質量%に対して、例えば、20質量%以下であり、好ましくは15質量%以下であり、より好ましくは10質量%以下である。これにより、配線おける伸縮電気特性と機械的強度のバランスを図ることができる。   The lower limit of the content of the silica particles (C) in the wiring containing the elastomer and the conductive filler is, for example, 1% by mass with respect to 100% by mass of the total amount of the silica particles (C) and the conductive filler. Or more, preferably 3% by mass or more, and more preferably 5% by mass or more. Thereby, the mechanical strength of the wiring can be improved. On the other hand, the upper limit of the content of the silica particles (C) in the wiring is, for example, 20% by mass or less, preferably 15% by mass, based on the total amount of 100% by mass of the silica particles (C) and the conductive filler. %, More preferably 10% by mass or less. As a result, the balance between the electrical characteristics of the wiring and the mechanical strength can be achieved.

(溶剤)
本実施形態の導電性ペーストは、溶剤を含むものである。この溶剤としては、公知の各種溶剤を用いることができるが、例えば、高沸点溶剤を含むことができる。これらを単独で用いても2種以上を組み合わせて用いてもよい。
(solvent)
The conductive paste of the present embodiment contains a solvent. As the solvent, various known solvents can be used, and for example, a high boiling point solvent can be included. These may be used alone or in combination of two or more.

上記高沸点溶剤の沸点の下限値は、例えば、100℃以上であり、好ましくは130℃以上であり、より好ましくは150℃以上である。これにより、スクリーン印刷などの印刷安定性を向上させることができる。一方で、上記高沸点溶剤の沸点の上限値は、特に限定されないが、例えば、300℃以下でもよく、290℃以下でもよく、280℃以下でもよい。これにより、配線形成時においての過度の熱履歴を抑制できるので、下地基板へのダメージや、導電性ペーストで形成された配線の形状を良好に維持することができる。   The lower limit of the boiling point of the high boiling solvent is, for example, 100 ° C. or higher, preferably 130 ° C. or higher, and more preferably 150 ° C. or higher. Thereby, printing stability such as screen printing can be improved. On the other hand, the upper limit of the boiling point of the high boiling point solvent is not particularly limited, but may be, for example, 300 ° C or lower, 290 ° C or lower, or 280 ° C or lower. Accordingly, an excessive heat history at the time of forming the wiring can be suppressed, so that the damage to the underlying substrate and the shape of the wiring formed of the conductive paste can be favorably maintained.

また、本実施形態の溶剤としては、エラストマー組成物の溶解性や沸点の観点から適切に選択できるが、例えば、炭素数5以上20以下の脂肪族炭化水素、好ましくは炭素数8以上18以下の脂肪族炭化水素、より好ましくは炭素数10以上15以下の脂肪族炭化水素を含むことができる。   The solvent of the present embodiment can be appropriately selected from the viewpoint of solubility and boiling point of the elastomer composition. For example, an aliphatic hydrocarbon having 5 to 20 carbon atoms, preferably 8 to 18 carbon atoms is preferable. It may contain an aliphatic hydrocarbon, more preferably an aliphatic hydrocarbon having 10 to 15 carbon atoms.

また、本実施形態の溶剤の一例としては、例えば、ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカンなどの脂肪族炭化水素類;ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレン、トリフルオロメチルベンゼン、ベンゾトリフルオリドなどの芳香族炭化水素類;ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、シクロペンチルエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、1,4−ジオキサン、1,3−ジオキサン、テトラヒドロフランなどのエーテル類;ジクロロメタン、クロロホルム、1,1−ジクロロエタン、1,2−ジクロロエタン、1,1,1−トリクロロエタン、1,1,2−トリクロロエタンなどのハロアルカン類;N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミドなどのカルボン酸アミド類;ジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキシドなどのスルホキシド類などを例示することができる。これらを単独で用いても2種以上を組み合わせて用いてもよい。
ここで用いられる溶媒は、上記の導電性ペースト中の組成成分を均一に溶解ないし分散させることのできる溶媒の中から適宜選択すればよい。
Examples of the solvent of the present embodiment include, for example, aliphatic hydrocarbons such as pentane, hexane, cyclohexane, heptane, methylcyclohexane, ethylcyclohexane, octane, decane, dodecane, and tetradecane; benzene, toluene, ethylbenzene, xylene , Trifluoromethylbenzene, aromatic hydrocarbons such as benzotrifluoride; diethyl ether, diisopropyl ether, dibutyl ether, cyclopentyl methyl ether, cyclopentyl ethyl ether, ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, 1,4- Ethers such as dioxane, 1,3-dioxane and tetrahydrofuran; dichloromethane, chloroform, 1,1-dic Haloalkanes such as loethane, 1,2-dichloroethane, 1,1,1-trichloroethane, and 1,1,2-trichloroethane; carboxylic acid amides such as N, N-dimethylformamide and N, N-dimethylacetamide; dimethyl sulfoxide And sulfoxides such as diethylsulfoxide. These may be used alone or in combination of two or more.
The solvent used here may be appropriately selected from solvents capable of uniformly dissolving or dispersing the components in the conductive paste.

室温25℃においてせん断速度20〔1/s〕で測定した時の導電性ペーストの粘度の下限値は、例えば、1Pa・s以上であり、好ましくは5Pa・s以上であり、より好ましくは10Pa・s以上である。これにより、成膜性を向上させることができる。また、厚膜形成時においても形状保持性を高めることができる。一方で、室温25℃における導電性ペーストの粘度の上限値は、例えば、100Pa・s以下であり、好ましくは90Pa・s以下であり、より好ましくは80Pa・s以下である。これにより、導電性ペーストにおける印刷性を向上させることができる。   The lower limit of the viscosity of the conductive paste measured at room temperature 25 ° C. at a shear rate of 20 [1 / s] is, for example, 1 Pa · s or more, preferably 5 Pa · s or more, and more preferably 10 Pa · s or more. s or more. Thereby, the film forming property can be improved. Further, shape retention can be improved even when a thick film is formed. On the other hand, the upper limit of the viscosity of the conductive paste at room temperature of 25 ° C. is, for example, 100 Pa · s or less, preferably 90 Pa · s or less, and more preferably 80 Pa · s or less. Thereby, the printability of the conductive paste can be improved.

(導電性ペーストの製造方法)
以下、本実施形態に係る導電性ペーストの製造方法について説明する。
(Method of manufacturing conductive paste)
Hereinafter, a method for producing the conductive paste according to the present embodiment will be described.

本実施形態の導電性ペーストは、たとえば、以下に示すような工程を経ることにより製造することができる。   The conductive paste of the present embodiment can be manufactured, for example, through the following steps.

まず、シリコーンゴム系硬化性組成物の各成分を、任意の混練装置により、均一に混合してシリコーンゴム系硬化性組成物を調製する。   First, the respective components of the silicone rubber-based curable composition are uniformly mixed by an arbitrary kneading apparatus to prepare a silicone rubber-based curable composition.

[1]たとえば、ビニル基含有オルガノポリシロキサン(A)と、シリカ粒子(C)と、シランカップリング剤(D)とを所定量秤量し、その後、任意の混練装置により、混練することで、これら各成分(A)、(C)、(D)を含有する混練物を得る。 [1] For example, a predetermined amount of a vinyl group-containing organopolysiloxane (A), silica particles (C), and a silane coupling agent (D) are weighed, and then kneaded by an arbitrary kneading device. A kneaded material containing these components (A), (C) and (D) is obtained.

なお、この混練物は、予めビニル基含有オルガノポリシロキサン(A)とシランカップリング剤(D)とを混練し、その後、シリカ粒子(C)を混練(混合)して得るのが好ましい。これにより、ビニル基含有オルガノポリシロキサン(A)中におけるシリカ粒子(C)の分散性がより向上する。   The kneaded product is preferably obtained by previously kneading the vinyl group-containing organopolysiloxane (A) and the silane coupling agent (D), and then kneading (mixing) the silica particles (C). Thereby, the dispersibility of the silica particles (C) in the vinyl group-containing organopolysiloxane (A) is further improved.

また、この混練物を得る際には、水(F)を必要に応じて、各成分(A)、(C)、および(D)の混練物に添加するようにしてもよい。これにより、シランカップリング剤(D)とシリカ粒子(C)との反応をより確実に進行させることができる。   When obtaining this kneaded product, water (F) may be added to the kneaded product of each of the components (A), (C), and (D) as necessary. This allows the reaction between the silane coupling agent (D) and the silica particles (C) to proceed more reliably.

さらに、各成分(A)、(C)、(D)の混練は、第1温度で加熱する第1ステップと、第2温度で加熱する第2ステップとを経るようにするのが好ましい。これにより、第1ステップにおいて、シリカ粒子(C)の表面をカップリング剤(D)で表面処理することができるとともに、第2ステップにおいて、シリカ粒子(C)とカップリング剤(D)との反応で生成した副生成物を混練物中から確実に除去することができる。その後、必要に応じて、得られた混練物に対して、成分(A)を添加し、更に混練してもよい。これにより、混練物の成分のなじみを向上させることができる。   Further, it is preferable that the kneading of the components (A), (C) and (D) is performed through a first step of heating at a first temperature and a second step of heating at a second temperature. Thus, in the first step, the surface of the silica particles (C) can be surface-treated with the coupling agent (D), and in the second step, the surface of the silica particles (C) and the coupling agent (D) can be treated. By-products generated by the reaction can be reliably removed from the kneaded material. Thereafter, if necessary, the component (A) may be added to the obtained kneaded material, and further kneaded. Thereby, the familiarity of the components of the kneaded material can be improved.

第1温度は、例えば、40〜120℃程度であるのが好ましく、例えば、60〜90℃程度であるのがより好ましい。第2温度は、例えば、130〜210℃程度であるのが好ましく、例えば、160〜180℃程度であるのがより好ましい。   The first temperature is preferably, for example, about 40 to 120 ° C, and more preferably, for example, about 60 to 90 ° C. The second temperature is preferably, for example, about 130 to 210 ° C, and more preferably, for example, about 160 to 180 ° C.

また、第1ステップにおける雰囲気は、窒素雰囲気下のような不活性雰囲気下であるのが好ましく、第2ステップにおける雰囲気は、減圧雰囲気下であるのが好ましい。   The atmosphere in the first step is preferably an inert atmosphere such as a nitrogen atmosphere, and the atmosphere in the second step is preferably a reduced-pressure atmosphere.

さらに、第1ステップの時間は、例えば、0.3〜1.5時間程度であるのが好ましく、0.5〜1.2時間程度であるのがより好ましい。第2ステップの時間は、例えば、0.7〜3.0時間程度であるのが好ましく、1.0〜2.0時間程度であるのがより好ましい。   Further, the time of the first step is, for example, preferably about 0.3 to 1.5 hours, and more preferably about 0.5 to 1.2 hours. The time of the second step is, for example, preferably about 0.7 to 3.0 hours, and more preferably about 1.0 to 2.0 hours.

第1ステップおよび第2ステップを、上記のような条件とすることで、前記効果をより顕著に得ることができる。   By setting the first step and the second step under the above conditions, the above-mentioned effect can be more remarkably obtained.

[2]次に、オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B)と、白金または白金化合物(E)とを所定量秤量し、その後、任意の混練装置を用いて、上記工程[1]で調製した混練物に、各成分(B)、(E)を混練することで、シリコーンゴム系硬化性組成物(エラストマー組成物)を得る。 [2] Next, a predetermined amount of the organohydrogenpolysiloxane (B) and platinum or platinum compound (E) are weighed, and then, using an arbitrary kneading apparatus, the kneaded material prepared in the above step [1]. Then, the respective components (B) and (E) are kneaded to obtain a silicone rubber-based curable composition (elastomer composition).

なお、この各成分(B)、(E)の混練の際には、予め上記工程[1]で調製した混練物とオルガノハイドロジェンポリシロキサン(B)とを、上記工程[1]で調製した混練物と白金または白金化合物(E)とを混練し、その後、それぞれの混練物を混練するのが好ましい。これにより、ビニル基含有オルガノポリシロキサン(A)とオルガノハイドロジェンポリシロキサン(B)との反応を進行させることなく、各成分(A)〜(E)をシリコーンゴム系硬化性組成物中に確実に分散させることができる。   When kneading the components (B) and (E), the kneaded product previously prepared in the above step [1] and the organohydrogenpolysiloxane (B) were prepared in the above step [1]. It is preferable to knead the kneaded material with platinum or the platinum compound (E), and then knead the respective kneaded materials. Thereby, each component (A) to (E) can be surely contained in the silicone rubber-based curable composition without advancing the reaction between the vinyl group-containing organopolysiloxane (A) and the organohydrogenpolysiloxane (B). Can be dispersed.

各成分(B)、(E)を混練する際の温度は、ロール設定温度として、例えば、10〜70℃程度であるのが好ましく、25〜30℃程度であるのがより好ましい。   The temperature at which the components (B) and (E) are kneaded is, for example, preferably about 10 to 70 ° C., and more preferably about 25 to 30 ° C., as the roll set temperature.

さらに、混練する時間は、例えば、5分〜1時間程度であるのが好ましく、10〜40分程度であるのがより好ましい。   Further, the kneading time is preferably, for example, about 5 minutes to 1 hour, and more preferably about 10 to 40 minutes.

上記工程[1]および上記工程[2]において、温度を上記範囲内とすることにより、ビニル基含有オルガノポリシロキサン(A)とオルガノハイドロジェンポリシロキサン(B)との反応の進行をより的確に防止または抑制することができる。また、上記工程[1]および上記工程[2]において、混練時間を上記範囲内とすることにより、各成分(A)〜(E)をシリコーンゴム系硬化性組成物中により確実に分散させることができる。   In step [1] and step [2], by setting the temperature within the above range, the progress of the reaction between the vinyl group-containing organopolysiloxane (A) and the organohydrogenpolysiloxane (B) can be more accurately performed. Can be prevented or suppressed. Further, in the step [1] and the step [2], by setting the kneading time within the above range, the components (A) to (E) can be more reliably dispersed in the silicone rubber-based curable composition. Can be.

なお、各工程[1]、[2]において使用される混練装置としては、特に限定されないが、例えば、ニーダー、2本ロール、バンバリーミキサー(連続ニーダー)、加圧ニーダー等を用いることができる。   The kneading device used in each of the steps [1] and [2] is not particularly limited, and for example, a kneader, a two-roll, a Banbury mixer (continuous kneader), a pressure kneader, and the like can be used.

また、本工程[2]において、混練物中に1−エチニルシクロヘキサノールのような反応抑制剤を添加するようにしてもよい。これにより、混練物の温度が比較的高い温度に設定されたとしても、ビニル基含有オルガノポリシロキサン(A)とオルガノハイドロジェンポリシロキサン(B)との反応の進行をより的確に防止または抑制することができる。   In the step [2], a reaction inhibitor such as 1-ethynylcyclohexanol may be added to the kneaded material. Thereby, even if the temperature of the kneaded material is set to a relatively high temperature, the progress of the reaction between the vinyl group-containing organopolysiloxane (A) and the organohydrogenpolysiloxane (B) is more accurately prevented or suppressed. be able to.

また、本工程[2]において、オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B)と白金または白金化合物(E)に代えて、またはオルガノハイドロジェンポリシロキサン(B)と白金または白金化合物(E)と併用して、他の触媒、例えば有機過酸化物を添加してもよい。他の触媒を混練する際の温度、時間等の好ましい条件、使用する装置については、オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B)と、白金または白金化合物(E)とを混練する際の条件と同様でよい。   In the step [2], the organohydrogenpolysiloxane (B) is replaced with platinum or a platinum compound (E), or is used in combination with the organohydrogenpolysiloxane (B) and platinum or a platinum compound (E). Other catalysts such as organic peroxides may be added. Preferred conditions such as temperature and time for kneading the other catalyst and the equipment to be used may be the same as the conditions for kneading the organohydrogenpolysiloxane (B) and platinum or the platinum compound (E). .

[3]次に、工程[2]で得られたエラストマー組成物(シリコーンゴム系硬化性組成物)を、溶剤に溶解させ、金属粉(G)を加えることで、本実施形態の導電性ペーストを得ることができる。   [3] Next, the elastomer composition (silicone rubber-based curable composition) obtained in the step [2] is dissolved in a solvent, and a metal powder (G) is added thereto. Can be obtained.

[用途]
以下、本実施形態の導電性ペーストの用途の一例について、図1を示しながら説明する。図1には、係る配線を備えた電子装置100の概略を断面図として図示している。
[Use]
Hereinafter, an example of the use of the conductive paste of the present embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of an electronic device 100 including such wirings.

電子装置100は、図1に示すように、配線基板50と、電子部品60と、を備えることができる。この配線基板50は、基板20上に配線10を備えることにより構成される。基板20は、伸縮性を有する絶縁基板を用いることできる。一方、配線10は、本実施形態の導電性ペーストで作製することができる。電子部品60は、このような伸縮性配線基板(配線基板50)を構成する配線10に電気的に接続するように構成されていてもよい。   The electronic device 100 can include a wiring board 50 and an electronic component 60 as shown in FIG. The wiring substrate 50 is configured by providing the wiring 10 on the substrate 20. As the substrate 20, an insulating substrate having elasticity can be used. On the other hand, the wiring 10 can be made of the conductive paste of the present embodiment. The electronic component 60 may be configured to be electrically connected to the wiring 10 constituting such an elastic wiring substrate (wiring substrate 50).

本実施形態の導電性ペーストは、得られる硬化物に対して機械的強度を高めつつも、繰り返し伸縮したときの伸縮電気特性を維持することができるため、接続信頼性や耐久性に優れた電子装置100の構造を実現することができる。   Since the conductive paste of the present embodiment can maintain the electrical properties of the cured product obtained by repeatedly expanding and contracting while increasing the mechanical strength of the obtained cured product, the electronic paste having excellent connection reliability and durability can be obtained. The structure of the device 100 can be realized.

本実施形態の電子装置100は、たとえばウェアラブルデバイスとして用いられるものであり、各方向に繰り返し伸縮される装置に好適に用いることができる。このウェアラブルデバイスは、身体や衣服に装着可能なウェアラブルデバイスとして用いることができる。   The electronic device 100 of the present embodiment is used, for example, as a wearable device, and can be suitably used for a device that repeatedly expands and contracts in each direction. This wearable device can be used as a wearable device that can be worn on a body or clothing.

また、本実施形態の電子装置100を構成する基板20は、通常、柔軟性を有する材料により構成される。
この材料としては、前述のエラストマーと同様のものを採用することができる。具体的には、シリコーンゴム、ウレタンゴム、フッ素ゴム、ニトリルゴム、アクリルゴム、スチレンゴム、クロロプレンゴム、エチレンプロピレンゴム等を用いることができ、用途等に応じ、この材料を適宜選択することができる。また、基板20は、上記のシリコーンゴム系硬化性組成物の硬化物で構成されていてもよい。
Further, the substrate 20 constituting the electronic device 100 of the present embodiment is usually made of a flexible material.
As this material, the same material as the above-mentioned elastomer can be adopted. Specifically, silicone rubber, urethane rubber, fluorine rubber, nitrile rubber, acrylic rubber, styrene rubber, chloroprene rubber, ethylene propylene rubber, or the like can be used, and this material can be appropriately selected according to the application and the like. . Further, the substrate 20 may be made of a cured product of the above-mentioned silicone rubber-based curable composition.

また、基板20は、上述のエラストマー組成物を用いて作製することができる。また、基板20は、シリカ粒子を含有するエラストマー組成物と溶剤とを含む絶縁性ペーストを用いて構成されていてもよい。この溶剤としては、前述の溶剤と同様の上述の溶剤種を用いることができるが、この中でも上記導電性ペーストや導電性ペーストの硬化物である導電性シートに対して溶解性を示す溶剤を用いることができる。具体的な絶縁性ペーストの溶剤としては、例えば、高沸点溶剤等を用いることができる。   Further, the substrate 20 can be manufactured using the above-described elastomer composition. In addition, the substrate 20 may be configured using an insulating paste containing an elastomer composition containing silica particles and a solvent. As the solvent, the above-mentioned solvent species similar to the above-described solvents can be used, and among them, a solvent having solubility in the conductive paste, which is a cured product of the conductive paste or the conductive paste, is used. be able to. As a specific solvent for the insulating paste, for example, a high-boiling solvent or the like can be used.

また、上記電子部品60は、用途に応じ、公知の部品の中から適宜選択すればよい。具体的には、半導体素子、及び半導体素子以外の抵抗やコンデンサ等を挙げることができる。半導体素子としては、たとえば、トランジスタや、ダイオード、LED、コンデンサ等を挙げることができる。本実施形態の電子装置100において、この電子部品60は配線10により導通が図られている。   Further, the electronic component 60 may be appropriately selected from known components according to the application. Specifically, a semiconductor element and a resistor or a capacitor other than the semiconductor element can be used. Examples of the semiconductor element include a transistor, a diode, an LED, and a capacitor. In the electronic device 100 of the present embodiment, the electronic component 60 is electrically connected by the wiring 10.

また、本実施形態の電子装置100は、必要に応じ、カバー材30が備えられていてもよい。このカバー材30を備えることにより、配線10、電子部品60が損傷されることを防ぐことができる。カバー材30は、電子部品60や、基板20上の配線10を覆うように構成されていてもよい。
また、このカバー材30は、基板20と同様の材料により構成することができる。このようなカバー材30が基板20や配線10の伸縮に追従することから、電子装置100全体として、偏りなく伸縮することができ、この電子装置100の長寿命化にも資することができる。
Further, the electronic device 100 of the present embodiment may be provided with a cover member 30 as necessary. The provision of the cover member 30 can prevent the wiring 10 and the electronic component 60 from being damaged. The cover member 30 may be configured to cover the electronic component 60 and the wiring 10 on the substrate 20.
The cover member 30 can be made of the same material as the substrate 20. Since such a cover member 30 follows expansion and contraction of the substrate 20 and the wiring 10, the electronic device 100 can expand and contract without bias, and can contribute to a longer life of the electronic device 100.

次に、本実施形態の電子装置100の製造工程の一例について図2を用いて説明する。
図2は、本実施形態における電子装置100の製造工程の概略を示す断面図である。
Next, an example of a manufacturing process of the electronic device 100 of the present embodiment will be described with reference to FIG.
FIG. 2 is a cross-sectional view schematically illustrating a manufacturing process of the electronic device 100 according to the present embodiment.

まず図2(a)に示すように、作業台110上に支持体120を設置し、その支持体120上に絶縁性ペースト130を塗工する。塗工方法としては、各種の方法を用いることができるが、例えば、スキージ140を用いたスキージ方法などの印刷法を用いることができる。続いて、塗膜状の絶縁性ペースト130を乾燥させて、支持体120上に絶縁層132(乾燥した絶縁性シート)を形成することができる。乾燥条件は、絶縁性ペースト130中の溶剤の種類や量に応じて適宜設定することができるが、例えば、乾燥温度を150℃〜180℃、乾燥時間を1分〜30分等とすることができる。   First, as shown in FIG. 2A, a support 120 is placed on a work table 110, and an insulating paste 130 is applied on the support 120. As the coating method, various methods can be used. For example, a printing method such as a squeegee method using a squeegee 140 can be used. Subsequently, the insulating paste 130 in the form of a coating film is dried to form an insulating layer 132 (a dried insulating sheet) on the support 120. The drying conditions can be appropriately set according to the type and amount of the solvent in the insulating paste 130. For example, the drying temperature is set to 150 ° C. to 180 ° C., and the drying time is set to 1 minute to 30 minutes. it can.

続いて、図2(b)に示すように、絶縁層132上に、所定の開口パターン形状を有するマスク160を配置する。そして、図2(b)、(c)に示すように、マスク160を介して、絶縁層132上に導電性ペースト150を塗工する。塗工方法は、絶縁性ペースト130の塗工方法と同様の手法を用いることができ、例えば、スキージ140によるスキージ印刷を用いてもよい。ここで、絶縁性ペースト130および導電性ペースト150がそれぞれ熱硬化性エラストマー組成物を含む場合、乾燥した絶縁層132上に、所定のパターン形状を有する導電性塗膜(導電層152)を積層した後、これらを一括して硬化処理してもよい。硬化処理としては、熱硬化性エラストマー組成物に応じて適宜設定できるが、例えば、硬化温度を160℃〜220℃、硬化時間を1時間〜3時間等とすることができる。硬化処理後または硬化処理前に、図2(d)に示すように、マスク160を取り外すことができる。これにより、絶縁層132の硬化物で構成される基板上に、所定のパターン形状を有する、導電層152の硬化物である配線を形成することができる。   Subsequently, as shown in FIG. 2B, a mask 160 having a predetermined opening pattern is disposed on the insulating layer 132. Then, as shown in FIGS. 2B and 2C, a conductive paste 150 is applied on the insulating layer 132 via the mask 160. As a coating method, a method similar to the method of applying the insulating paste 130 can be used. For example, squeegee printing using the squeegee 140 may be used. Here, when the insulating paste 130 and the conductive paste 150 each include a thermosetting elastomer composition, a conductive coating film (conductive layer 152) having a predetermined pattern shape is laminated on the dried insulating layer 132. Thereafter, these may be collectively cured. The curing treatment can be appropriately set according to the thermosetting elastomer composition. For example, the curing temperature can be 160 ° C. to 220 ° C., and the curing time can be 1 hour to 3 hours. After the curing process or before the curing process, the mask 160 can be removed as shown in FIG. Thus, a wiring which is a cured product of the conductive layer 152 and has a predetermined pattern shape can be formed on the substrate formed of the cured product of the insulating layer 132.

続いて、図2(e)に示すように、絶縁層132およびパターン状の導電層152の上に、さらに絶縁性ペースト170を塗工し、図2(f)に示すように絶縁層172を形成することができる。これらの工程を適宜、繰り返してもよい。また、絶縁層132から支持体120を分離することも可能である。
以上により、図2(f)に示す電子装置100を得ることができる。
Subsequently, as shown in FIG. 2E, an insulating paste 170 is further applied on the insulating layer 132 and the patterned conductive layer 152, and the insulating layer 172 is formed as shown in FIG. Can be formed. These steps may be repeated as appropriate. In addition, the support 120 can be separated from the insulating layer 132.
As described above, the electronic device 100 shown in FIG. 2F can be obtained.

なお、絶縁性ペーストに代えて絶縁性シートを使用する場合、図2(b)に示す工程から開始してもよい。すなわち、支持体120上に絶縁性シートを設置し、所定の乾燥を行った後、その絶縁性シート上にマスク160を介して導電性ペースト150を塗布してもよい。以後の工程は、上述の工程に従って行うことができる。これにより、図2(f)に示す電子装置100を得ることが可能である。   When an insulating sheet is used instead of the insulating paste, the process may be started from the step shown in FIG. That is, an insulating sheet may be provided on the support 120, and after predetermined drying, the conductive paste 150 may be applied to the insulating sheet via the mask 160. Subsequent steps can be performed according to the above-described steps. Thus, the electronic device 100 shown in FIG. 2F can be obtained.

なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。   It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiment, but includes modifications and improvements as long as the object of the present invention can be achieved.

以下、本発明を実施例および比較例により説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。   Hereinafter, the present invention will be described with reference to Examples and Comparative Examples, but the present invention is not limited thereto.

実施例および比較例において用いた材料は以下の通りである。   The materials used in the examples and comparative examples are as follows.

(ビニル基含有オルガノポリシロキサン(A))
(A1−1):第1のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン:ビニル基含有量は0.13モル%、Mn=227,734、Mw=573,903、IV値(dl/g)=0.89)、下記の合成スキーム1により合成したビニル基含有ジメチルポリシロキサン(上記式(1−1)で表わされる構造)
(A1−2):第2のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン:ビニル基含有量は0.92モル%、下記の合成スキーム2により合成したビニル基含有ジメチルポリシロキサン(上記式(1−1)で表わされる構造でRおよびRがビニル基である構造)
(Vinyl group-containing organopolysiloxane (A))
(A1-1): first vinyl group-containing linear organopolysiloxane: vinyl group content: 0.13 mol%, Mn = 227,734, Mw = 573,903, IV value (dl / g) = 0.89), a vinyl group-containing dimethylpolysiloxane synthesized according to the following synthesis scheme 1 (the structure represented by the above formula (1-1))
(A1-2): a second vinyl group-containing linear organopolysiloxane: the vinyl group content is 0.92 mol%, and the vinyl group-containing dimethylpolysiloxane synthesized by the following synthesis scheme 2 (the above formula (1- A structure represented by 1) wherein R 1 and R 2 are vinyl groups)

(オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B))
(B−1):オルガノハイドロジェンポリシロキサン:モメンティブ社製、「TC−25D」
(B−2):オルガノハイドロジェンポリシロキサン:モメンティブ社製、「88466」
(Organohydrogenpolysiloxane (B))
(B-1): Organohydrogenpolysiloxane: "TC-25D" manufactured by Momentive, Inc.
(B-2): Organohydrogenpolysiloxane: "88466" manufactured by Momentive

(シリカ粒子(C))
(C):シリカ微粒子(粒径7nm、比表面積300m/g)、日本アエロジル社製、「AEROSIL300」
(Silica particles (C))
(C): silica fine particles (particle diameter 7 nm, specific surface area 300 m 2 / g), manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd., “AEROSIL300”

(シランカップリング剤(D))
(D−1):ヘキサメチルジシラザン(HMDZ)、Gelest社製、「HEXAMETHYLDISILAZANE(SIH6110.1)」
(D−2)ジビニルテトラメチルジシラザン、Gelest社製、「1,3−DIVINYLTETRAMETHYLDISILAZANE(SID4612.0)」
(Silane coupling agent (D))
(D-1): Hexamethyldisilazane (HMDZ), manufactured by Gelest, “HEXAMETHYLDISILAZANE (SIH6110.1)”
(D-2) Divinyltetramethyldisilazane, manufactured by Gelest, "1,3-DIVINYLTETRAMETHYLDISILAZANE (SID4612.0)"

(白金または白金化合物(E))
(E−1):白金化合物 (モメンティブ社製、商品名「TC―25A」)
(E−2):白金化合物、PLATINUM DIVINYLTETRAMETHYLDISILOXANE COMPLEX(in xylene) (Gelest社製、商品名「SIP6831.2」)
(Platinum or platinum compound (E))
(E-1): Platinum compound (Momentive, trade name "TC-25A")
(E-2): Platinum compound, PLATINUM DIVINYL TETRAMETHYLDISILOXANE COMPLEX (in xylene) (manufactured by Gelest, trade name "SIP6831.2")

(水(F))
(F):純水
(Water (F))
(F): pure water

(添加剤)
(反応阻害剤1):1−エチニル−1−シクロヘキサノール(東京化成社製)
(Additive)
(Reaction inhibitor 1): 1-ethynyl-1-cyclohexanol (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.)

(金属粉(G))
各実施例、各比較例で使用した金属粉G1〜金属粉G3を表1に示す。
(Metal powder (G))
Table 1 shows the metal powders G1 to G3 used in each example and each comparative example.

表1中の平均粒径D50、比表面積、タップ密度は次のようにして測定した。
金属粉(G)の平均粒径D50は、レーザー回折粒度測定装置(島津製作所社製、SALD−3000J)にて測定された50%粒子径とした。体積基準粒度分布において粒子径の小さい方から累積して50質量%となる点の粒径である。
金属粉(G)の比表面積は、自動比表面積測定装置(島津製作所社製、製品名:フローソーブ2300型)を用いて測定されたBET比表面積とした。
金属粉(G)のタップ密度は、JIS Z2012−2012の「金属粉−タップ密度の測定方法」に従って測定した。
The average particle diameter D 50 , specific surface area, and tap density in Table 1 were measured as follows.
The average particle diameter D 50 of the metal powder (G) is a laser diffraction particle size measuring apparatus (manufactured by Shimadzu Corporation, SALD-3000 J) was 50% particle size measured by. It is the particle size at the point where 50% by mass is accumulated from the smaller particle size in the volume-based particle size distribution.
The specific surface area of the metal powder (G) was a BET specific surface area measured using an automatic specific surface area measuring device (manufactured by Shimadzu Corporation, product name: Flowsorb 2300 type).
The tap density of the metal powder (G) was measured according to JIS Z2012-2012 "Metal powder-method of measuring tap density".

(ビニル基含有オルガノポリシロキサン(A)の合成)
[合成スキーム1:第1のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A1−1)の合成]
下記式(5)にしたがって、第1のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A1−1)を合成した。
すなわち、Arガス置換した、冷却管および攪拌翼を有する300mLセパラブルフラスコに、オクタメチルシクロテトラシロキサン74.7g(252mmol)、カリウムシリコネート0.1gを入れ、昇温し、120℃で30分間攪拌した。なお、この際、粘度の上昇が確認できた。
その後、155℃まで昇温し、3時間攪拌を続けた。そして、3時間後、1,3−ジビニルテトラメチルジシロキサン0.1g(0.6mmol)を添加し、さらに、155℃で4時間攪拌した。
さらに、4時間後、トルエン250mLで希釈した後、水で3回洗浄した。洗浄後の有機層をメタノール1.5Lで数回洗浄することで、再沈精製し、オリゴマーとポリマーを分離した。得られたポリマーを60℃で一晩減圧乾燥し、第1のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A1−1)を得た(Mw=573,903、Mn=227,734)。また、H−NMRスペクトル測定により算出したビニル基含有量は0.13モル%であった。
(Synthesis of vinyl group-containing organopolysiloxane (A))
[Synthesis Scheme 1: Synthesis of First Vinyl Group-Containing Linear Organopolysiloxane (A1-1)]
According to the following formula (5), a first vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A1-1) was synthesized.
That is, 74.7 g (252 mmol) of octamethylcyclotetrasiloxane and 0.1 g of potassium siliconate were placed in a 300 mL separable flask having a cooling tube and a stirring blade, which had been purged with Ar gas, heated, and heated at 120 ° C. for 30 minutes. Stirred. At this time, an increase in viscosity was confirmed.
Thereafter, the temperature was raised to 155 ° C., and stirring was continued for 3 hours. After 3 hours, 0.1 g (0.6 mmol) of 1,3-divinyltetramethyldisiloxane was added, and the mixture was further stirred at 155 ° C for 4 hours.
Further, after 4 hours, the mixture was diluted with 250 mL of toluene and then washed three times with water. The washed organic layer was washed several times with 1.5 L of methanol to perform reprecipitation purification, thereby separating an oligomer and a polymer. The obtained polymer was dried under reduced pressure at 60 ° C. overnight to obtain a first linear organopolysiloxane containing vinyl group (A1-1) (Mw = 573,903, Mn = 227,734). The vinyl group content calculated by H-NMR spectrum measurement was 0.13 mol%.

[合成スキーム2:第2のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A1−2)の合成]
上記(A1−1)の合成工程において、オクタメチルシクロテトラシロキサン74.7g(252mmol)に加えて2,4,6,8−テトラメチル2,4,6,8−テトラビニルシクロテトラシロキサン0.86g(2.5mmol)を用いたこと以外は、(A1−1)の合成工程と同様にすることで、下記式(6)のように、第2のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A1−2)を合成した。また、H−NMRスペクトル測定により算出したビニル基含有量は0.92モル%であった。
[Synthesis Scheme 2: Synthesis of Second Vinyl Group-Containing Linear Organopolysiloxane (A1-2)]
In the synthesis step of (A1-1), 2,4,6,8-tetramethyl 2,4,6,8-tetravinylcyclotetrasiloxane was added in addition to 74.7 g (252 mmol) of octamethylcyclotetrasiloxane. Except that 86 g (2.5 mmol) was used, the same procedure as in the synthesis step of (A1-1) was carried out to obtain the second vinyl group-containing linear organopolysiloxane ( A1-2) was synthesized. The vinyl group content calculated by H-NMR spectrum measurement was 0.92 mol%.

(導電性ペーストのためのシリコーンゴム系硬化性組成物1の調製)
次のようにしてシリコーンゴム系硬化性組成物1を調整した。まず、下記の表2に示す割合で、90%のビニル基含有オルガノポリシロキサン(A)、シランカップリング剤(D)および水(F)の混合物を予め混練し、その後、混合物にシリカ粒子(C)を加えてさらに混練し、混練物(シリコーンゴムコンパウンド)を得た。
ここで、シリカ粒子(C)添加後の混練は、カップリング反応のために窒素雰囲気下、60〜90℃の条件下で1時間混練する第1ステップと、副生成物(アンモニア)の除去のために減圧雰囲気下、160〜180℃の条件下で2時間混練する第2ステップとを経ることで行い、その後、冷却し、残り10%のビニル基含有オルガノポリシロキサン(A)を2回に分けて添加し、20分間混練した。
続いて、下記の表2に示す割合で、得られた混練物(シリコーンゴムコンパウンド)100重量部に、オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B)、白金または白金化合物(E)および反応阻害剤1を加えて、ロールで混練し、シリコーンゴム系硬化性組成物1(エラストマー組成物1)を得た。
(Preparation of Silicone Rubber Curable Composition 1 for Conductive Paste)
The silicone rubber-based curable composition 1 was prepared as follows. First, a mixture of 90% of a vinyl group-containing organopolysiloxane (A), a silane coupling agent (D) and water (F) is kneaded in advance at a rate shown in Table 2 below, and then the mixture is mixed with silica particles ( C) was further added and kneaded to obtain a kneaded product (silicone rubber compound).
Here, the kneading after the addition of the silica particles (C) includes a first step of kneading under a nitrogen atmosphere at 60 to 90 ° C. for one hour for a coupling reaction, and a step of removing by-products (ammonia). And a second step of kneading under reduced pressure atmosphere at 160 to 180 ° C. for 2 hours. Thereafter, the mixture is cooled and the remaining 10% of vinyl group-containing organopolysiloxane (A) is added twice. It was added separately and kneaded for 20 minutes.
Subsequently, organohydrogenpolysiloxane (B), platinum or platinum compound (E), and reaction inhibitor 1 were added to 100 parts by weight of the obtained kneaded product (silicone rubber compound) at the ratios shown in Table 2 below. Then, the mixture was kneaded with a roll to obtain a silicone rubber-based curable composition 1 (elastomer composition 1).

(基板のためのシリコーンゴム系硬化性組成物2の調製)
次のようにしてシリコーンゴム系硬化性組成物2を調整した。まず、下記の表2に示す割合で、90%のビニル基含有オルガノポリシロキサン(A)、シランカップリング剤(D)および水(F)の混合物を予め混練し、その後、混合物にシリカ粒子(C)を加えてさらに混練し、混練物(シリコーンゴムコンパウンド)を得た。
ここで、シリカ粒子(C)添加後の混練は、カップリング反応のために窒素雰囲気下、60〜90℃の条件下で1時間混練する第1ステップと、副生成物(アンモニア)の除去のために減圧雰囲気下、160〜180℃の条件下で2時間混練する第2ステップとを経ることで行い、その後、冷却し、残り10%のビニル基含有オルガノポリシロキサン(A)を2回に分けて添加し、20分間混練した。
続いて、下記の表2に示す割合で、得られた混練物(シリコーンゴムコンパウンド)100重量部に、オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B)、白金または白金化合物(E)を加えて、ロールで混練し、シリコーンゴム系硬化性組成物2(エラストマー組成物2)を得た。
(Preparation of Silicone Rubber Curable Composition 2 for Substrate)
The silicone rubber-based curable composition 2 was prepared as follows. First, a mixture of 90% of a vinyl group-containing organopolysiloxane (A), a silane coupling agent (D) and water (F) is kneaded in advance at a rate shown in Table 2 below, and then the mixture is mixed with silica particles ( C) was further added and kneaded to obtain a kneaded product (silicone rubber compound).
Here, the kneading after the addition of the silica particles (C) includes a first step of kneading under a nitrogen atmosphere at 60 to 90 ° C. for one hour for a coupling reaction, and a step of removing by-products (ammonia). And a second step of kneading under reduced pressure atmosphere at 160 to 180 ° C. for 2 hours. Thereafter, the mixture is cooled and the remaining 10% of vinyl group-containing organopolysiloxane (A) is added twice. It was added separately and kneaded for 20 minutes.
Subsequently, organohydrogenpolysiloxane (B), platinum or a platinum compound (E) was added to 100 parts by weight of the obtained kneaded product (silicone rubber compound) at a ratio shown in Table 2 below, and kneaded with a roll. Thus, a silicone rubber-based curable composition 2 (elastomer composition 2) was obtained.

<実施例1:導電性ペースト1>
得られた13.7重量部のシリコーンゴム系硬化性組成物1(エラストマー組成物1)を、31.8重量部のテトラデカン(溶剤)に浸漬し、続いて自転・公転ミキサーで撹拌し、54.5重量部の表1に記載の金属粉(G1)を加えた後に三本ロールで混練することで、液状の導電性ペースト1を得た。
<Example 1: conductive paste 1>
The obtained 13.7 parts by weight of the silicone rubber-based curable composition 1 (elastomer composition 1) was immersed in 31.8 parts by weight of tetradecane (solvent), followed by stirring with a rotation / revolution mixer. A liquid conductive paste 1 was obtained by adding 0.5 parts by weight of the metal powder (G1) shown in Table 1 and kneading with a three-roll mill.

<実施例2:導電性ペースト2>
得られた13.7重量部のシリコーンゴム系硬化性組成物1(エラストマー組成物1)を、31.8重量部のテトラデカン(溶剤)に浸漬し、続いて自転・公転ミキサーで撹拌し、54.5重量部の表1に記載の金属粉(G2)を加えた後に三本ロールで混練することで、液状の導電性ペースト2を得た。
<Example 2: conductive paste 2>
The obtained 13.7 parts by weight of the silicone rubber-based curable composition 1 (elastomer composition 1) was immersed in 31.8 parts by weight of tetradecane (solvent), followed by stirring with a rotation / revolution mixer. A liquid conductive paste 2 was obtained by adding 0.5 parts by weight of the metal powder (G2) described in Table 1 and kneading with a three-roll mill.

<比較例1:導電性ペースト2>
得られた13.7重量部のシリコーンゴム系硬化性組成物1(エラストマー組成物1)を、31.8重量部のテトラデカン(溶剤)に浸漬し、続いて自転・公転ミキサーで撹拌し、54.5重量部の表1に記載の金属粉(G3)を加えた後に三本ロールで混練することで、液状の導電性ペースト3を得た。
<Comparative example 1: conductive paste 2>
The obtained 13.7 parts by weight of the silicone rubber-based curable composition 1 (elastomer composition 1) was immersed in 31.8 parts by weight of tetradecane (solvent), followed by stirring with a rotation / revolution mixer. A liquid conductive paste 3 was obtained by adding 0.5 parts by weight of the metal powder (G3) described in Table 1 and kneading with a three-roll mill.

[伸縮性配線基板の作製]
得られたシリコーンゴム系硬化性組成物2(エラストマー組成物2)を170℃、10MPaで10分間プレスし、表2に示す厚みのシート状に成形すると共に、1次硬化した。続いて、200℃、4時間で二次硬化して、シート状シリコーンゴム(シリコーンゴム系硬化性組成物の硬化物)を得た。それを幅:2cm×長さ:5cmに切り出し、「基板」を作製した。
続いて、各実施例および各比較例で得られた導電性ペースト1〜3を用いて、得られた「基板」上に、配線パターンを描き、これを170℃120分の条件で硬化し、幅500μm×高さ50μm×長さ30mmの「配線パターン」を有する伸縮性配線基板1〜3(試験片)を作製した。
[Preparation of stretchable wiring board]
The obtained silicone rubber-based curable composition 2 (elastomer composition 2) was pressed at 170 ° C. and 10 MPa for 10 minutes to form a sheet having a thickness shown in Table 2 and first cured. Subsequently, secondary curing was performed at 200 ° C. for 4 hours to obtain a sheet-like silicone rubber (a cured product of a silicone rubber-based curable composition). It was cut out into a width: 2 cm × length: 5 cm to produce a “substrate”.
Subsequently, using the conductive pastes 1 to 3 obtained in the respective Examples and Comparative Examples, a wiring pattern was drawn on the obtained “substrate”, and this was cured at 170 ° C. for 120 minutes. Stretchable wiring substrates 1 to 3 (test pieces) having a “wiring pattern” of 500 μm in width × 50 μm in height × 30 mm in length were produced.

[伸縮性配線基板の評価]
得られた伸縮性配線基板1〜3については以下の評価項目に従い評価を行った。評価結果を表3に示す。
[Evaluation of stretchable wiring board]
The obtained stretchable wiring boards 1 to 3 were evaluated according to the following evaluation items. Table 3 shows the evaluation results.

(アスペクトの測定)
以下、得られた伸縮性配線基板の配線中の導電性フィラーのアスペクトの測定手順は、以下の(1)〜(3)の通りである。測定手順は、伸縮性配線基板の概要を示す斜視図(図3)を用いて説明する。図3中、配線基板50は上記伸縮性配線基板(試験片)、配線10は上記「配線パターン」、基板20は上記「基板」に対応する。
(Aspect measurement)
Hereinafter, the procedure of measuring the aspect of the conductive filler in the wiring of the obtained stretchable wiring board is as follows (1) to (3). The measurement procedure will be described using a perspective view (FIG. 3) showing an outline of the stretchable wiring board. In FIG. 3, the wiring board 50 corresponds to the above-mentioned elastic wiring board (test piece), the wiring 10 corresponds to the above “wiring pattern”, and the board 20 corresponds to the above “substrate”.

(1)配線10の幅方向(X方向)に沿って、配線10の長手方向(Y方向)の中央部分を通るように、配線10を厚み方向(Z方向)に切断して切断面を得た。得られた切断面を、減圧アルゴンガス雰囲気下で、イオンビーム(クロスセクションポリッシャ、日本電子社製、SM−09010)を用いて研磨して断面a1を得た。断面a1は図3中のa1−a1矢視の断面を表す。
(2)イオンビーム(クロスセクションポリッシャ、日本電子社製、SM−09010)を用いて、減圧アルゴンガス雰囲気下で、配線10の表面12を深さ方向(Z方向とは反対方向)に0.005mm〜0.02mmの所定深さ研磨して、断面a2を得た。断面a2は、図3中のa2−a2矢視の断面を表す。クロスセクションポリッシャの研磨条件として、電圧量:5.0kV、時間:8時間を使用した。
(3)続いて、(1)で得られた断面a1、(2)で得られた断面a2の各々について、視野領域:128μm×102μm、倍率:1000倍の条件で、走査型電子顕微鏡(SEM)を用いて観察像を得た。実施例1の断面a1のSEM画像を図4、断面a2のSEM画像を図5、実施例2の断面a1のSEM画像を図6、断面a2のSEM画像を図7、比較例1の断面a1のSEM画像を図8、断面a2のSEM画像を図9に示す。
得られた観察像について、階調対ピクセル数でヒストグラムを取った際に、2つのピークの谷となっている階調で二値化処理した画像に基づいて画像解析を行い、導電性フィラーにおける正射影のアスペクトを測定し、測定値が大きい方から30個の平均値を平均アスペクトとして求めた。
断面a1から算出された平均アスペクトをA1とし、断面a2から算出された平均アスペクトをA2とした。このA1およびA2に基づいて、「A1/A2」を算出した。評価結果を表3に示す。
(1) The wiring 10 is cut in the thickness direction (Z direction) along the width direction (X direction) of the wiring 10 so as to pass through a central portion in the longitudinal direction (Y direction) of the wiring 10 to obtain a cut surface. Was. The obtained cut surface was polished using an ion beam (cross section polisher, manufactured by JEOL Ltd., SM-09010) under a reduced-pressure argon gas atmosphere to obtain a cross section a1. The cross section a1 represents a cross section taken along the line a1-a1 in FIG.
(2) Using an ion beam (cross section polisher, manufactured by JEOL Ltd., SM-09010), the surface 12 of the wiring 10 is placed in a depth direction (a direction opposite to the Z direction) under a reduced pressure argon gas atmosphere. A predetermined depth of 005 mm to 0.02 mm was polished to obtain a cross section a2. The cross section a2 represents a cross section taken along the line a2-a2 in FIG. As a polishing condition of the cross section polisher, a voltage amount: 5.0 kV and a time: 8 hours were used.
(3) Subsequently, for each of the cross section a1 obtained in (1) and the cross section a2 obtained in (2), a scanning electron microscope (SEM) under the conditions of a visual field area: 128 μm × 102 μm and a magnification: 1000 × ) Was used to obtain an observation image. FIG. 4 shows the SEM image of the cross section a1 in Example 1, FIG. 5 shows the SEM image of the cross section a2 in FIG. 6, FIG. 6 shows the SEM image of the cross section a1 in Example 2, FIG. 8 is shown in FIG. 8, and the SEM image of section a2 is shown in FIG.
For the obtained observation image, when taking a histogram with the gradation versus the number of pixels, image analysis is performed based on the binarized image at the gradation that is the valley of the two peaks, and the conductive filler The aspect of the orthogonal projection was measured, and the average value of the 30 measured values was determined as the average aspect.
The average aspect calculated from the cross section a1 was A1, and the average aspect calculated from the cross section a2 was A2. “A1 / A2” was calculated based on A1 and A2. Table 3 shows the evaluation results.

(抵抗値の測定)
得られた試験片について、(株)エーディーシー製直流電圧・電流源/モニタ(6241A)を用いて、抵抗を測定しながら長さ方向に3秒で20%伸長させ、10秒間保持した。この抵抗値(Ω)の変化は常にモニタリングを行い、この試験中における変化についての解析を行った。20%伸長前の初期抵抗値、20%伸長時の抵抗値は、3つのサンプルで行い、3つの平均値を測定値とした。評価結果を表3に示す。
(Measurement of resistance value)
Using a DC voltage / current source / monitor (6241A) manufactured by ADC Corporation, the obtained test piece was stretched by 20% in the length direction for 3 seconds while measuring the resistance, and held for 10 seconds. The change in the resistance value (Ω) was constantly monitored, and the change during the test was analyzed. The initial resistance value before 20% elongation and the resistance value at 20% elongation were measured for three samples, and the average value of the three values was used as the measured value. Table 3 shows the evaluation results.

実施例1および実施例2の伸縮性配線基板は、比較例1と比べて、未伸長時の初期抵抗値が小さく、かつ伸長時の抵抗値が小さいことから、基板伸長時における通電性に優れた基板構造を実現できることが分かった。このような伸縮性配線基板は、ウェアラブルデバイスに好適に用いられることが期待される。   The stretchable wiring boards of Example 1 and Example 2 have a smaller initial resistance value when not stretched and a smaller resistance value when stretched as compared with Comparative Example 1, so that they have excellent conductivity when the board is stretched. It has been found that the substrate structure can be realized. Such a stretchable wiring board is expected to be suitably used for a wearable device.

10 配線
12 表面
20 基板
30 カバー材
50 配線基板
60 電子部品
100 電子装置
110 作業台
120 支持体
130 絶縁性ペースト
132 絶縁層
140 スキージ
150 導電性ペースト
152 導電層
160 マスク
170 絶縁性ペースト
172 絶縁層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Wiring 12 Surface 20 Substrate 30 Cover material 50 Wiring board 60 Electronic component 100 Electronic device 110 Workbench 120 Supporter 130 Insulating paste 132 Insulating layer 140 Squeegee 150 Conductive paste 152 Conductive layer 160 Mask 170 Insulating paste 172 Insulating layer

本発明によれば、
エラストマーを含有する基板と、
前記基板の一面上に積層されており、エラストマー導電性フィラー、及びシリカ粒子(C)を含有する配線と、を有する伸縮性配線基板であって、
導電性フィラーが鱗片状の金属粉(G)を含み、
前記配線中の前記導電性フィラーの含有量が、50質量%以上90質量%以下であり、
前記配線中の前記シリカ粒子(C)の含有量が、前記シリカ粒子(C)および前記導電性フィラーの合計量100質量%に対して、1質量%以上10質量%以下であり、
下記の手順(1)〜(3)に基づいて求められる、前記配線を幅方向に沿って厚み方向に切断したときの断面a1における前記導電性フィラーの平均アスペクトをA1とし、前記配線を厚み方向に対して直交する方向に切断したときの断面a2における前記導電性フィラーの平均アスペクトをA2としたとき、A1およびA2が、下記式(I)を満たす、伸縮性配線基板が提供される。
1.1≦A1/A2 ・・・式(I)
(手順)
(1)前記配線の幅方向に沿って、前記配線を厚み方向に切断して得られた切断面を、イオンビームを用いて研磨して断面a1を得る。
(2)イオンビームを用いて、前記配線の表面を深さ方向に0.005mm〜0.02mm研磨して、断面a2を得る。
(3)得られた断面a1および断面a2の各々について、視野領域:128μm×102μm、倍率:1000倍の条件で、走査型電子顕微鏡(SEM)を用いて観察像を得る。得られた観察像を階調対ピクセル数でヒストグラムを取った際に、2つのピークの谷となっている階調で二値化処理した画像に基づいて画像解析を行い、前記導電性フィラーにおける正射影のアスペクトを測定し、測定値が大きい方から30個の平均値を平均アスペクトとして算出する。前記断面a1から算出された平均アスペクトをA1とし、前記断面a2から算出された平均アスペクトをA2とする。
According to the present invention,
A substrate containing an elastomer;
A stretchable wiring board, which is laminated on one surface of the substrate and has a wiring containing an elastomer , a conductive filler , and silica particles (C) .
The conductive filler contains scaly metal powder (G),
The content of the conductive filler in the wiring is 50% by mass or more and 90% by mass or less;
The content of the silica particles (C) in the wiring is 1% by mass or more and 10% by mass or less based on 100% by mass of the total amount of the silica particles (C) and the conductive filler;
The average aspect of the conductive filler in the cross section a1 when the wiring is cut in the thickness direction along the width direction, which is obtained based on the following procedures (1) to (3), is A1, and the wiring is in the thickness direction. Assuming that the average aspect of the conductive filler in the cross section a2 when cut in a direction perpendicular to the above is A2, A1 and A2 satisfy the following formula (I).
1.1 ≦ A1 / A2 Formula (I)
(procedure)
(1) A cross section obtained by cutting the wiring in the thickness direction along the width direction of the wiring is polished using an ion beam to obtain a cross section a1.
(2) The surface of the wiring is polished in the depth direction by 0.005 mm to 0.02 mm using an ion beam to obtain a cross section a2.
(3) Observation images are obtained using a scanning electron microscope (SEM) under the conditions of a visual field area of 128 μm × 102 μm and a magnification of 1000 times for each of the obtained cross sections a1 and a2. When taking a histogram of the obtained observation image by gradation versus pixel number, image analysis is performed based on the binarized image at the gradation that is the valley of two peaks, and the conductive filler The aspect of the orthogonal projection is measured, and the average value of the 30 measured values is calculated as the average aspect. The average aspect calculated from the cross section a1 is A1, and the average aspect calculated from the cross section a2 is A2.

以下、本発明を実施例および比較例により説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
以下、参考形態の例を付記する。
1. エラストマーを含有する基板と、
前記基板の一面上に積層されており、エラストマーおよび導電性フィラーを含有する配線と、を有する伸縮性配線基板であって、
導電性フィラーが鱗片状の金属粉(G)を含み、
下記の手順(1)〜(3)に基づいて求められる、前記配線を幅方向に沿って厚み方向に切断したときの断面a1における前記導電性フィラーの平均アスペクトをA1とし、前記配線を厚み方向に対して直交する方向に切断したときの断面a2における前記導電性フィラーの平均アスペクトをA2としたとき、A1およびA2が、下記式(I)を満たす、伸縮性配線基板。
1.1≦A1/A2 ・・・式(I)
(手順)
(1)前記配線の幅方向に沿って、前記配線を厚み方向に切断して得られた切断面を、イオンビームを用いて研磨して断面a1を得る。
(2)イオンビームを用いて、前記配線の表面を深さ方向に0.005mm〜0.02mm研磨して、断面a2を得る。
(3)得られた断面a1および断面a2の各々について、視野領域:128μm×102μm、倍率:1000倍の条件で、走査型電子顕微鏡(SEM)を用いて観察像を得る。得られた観察像を階調対ピクセル数でヒストグラムを取った際に、2つのピークの谷となっている階調で二値化処理した画像に基づいて画像解析を行い、前記導電性フィラーにおける正射影のアスペクトを測定し、測定値が大きい方から30個の平均値を平均アスペクトとして算出する。前記断面a1から算出された平均アスペクトをA1とし、前記断面a2から算出された平均アスペクトをA2とする。
2. 1.に記載の伸縮性配線基板であって、
前記導電性フィラーのアスペクトA1が、下記の式(II)を満たす、伸縮性配線基板。
2.0≦A1≦10.0 ・・・式(II)
3. 1.または2.に記載の伸縮性配線基板であって、
前記配線に含まれるエラストマーは、シリコーンゴム、ウレタンゴム、フッ素ゴム、ニトリルゴム、アクリルゴム、スチレンゴム、クロロプレンゴム、およびエチレンプロピレンゴムからなる群から選択される一種以上を含む、伸縮性配線基板。
4. 1.〜3.のいずれか一つに記載の伸縮性配線基板であって、
前記金属粉(G)は、銅、銀、金、ニッケル、錫、鉛、亜鉛、ビスマス、アンチモン、およびこれらの合金からなる群から選択される一種以上を含む、伸縮性配線基板。
5. 1.〜4.のいずれか一つに記載の伸縮性配線基板であって、
前記導電性フィラーの含有量は、前記配線全体に対して、30質量%以上90質量%以下である、伸縮性配線基板。
6. 1.〜5.のいずれか一つに記載の伸縮性配線基板であって、
前記配線は、シリカ粒子(C)を含む、伸縮性配線基板。
7. 6.に記載の伸縮性配線基板であって、
前記シリカ粒子(C)の含有量は、前記シリカ粒子(C)および前記導電性フィラーの合計量100質量%に対して、1質量%以上20質量%以下である、伸縮性配線基板。
8. 1.〜7.のいずれか一つに記載の伸縮性配線基板を備えるウェアラブルデバイス。
Hereinafter, the present invention will be described with reference to Examples and Comparative Examples, but the present invention is not limited thereto.
Hereinafter, examples of the reference embodiment will be additionally described.
1. A substrate containing an elastomer;
Laminated on one surface of the substrate, and a wiring containing an elastomer and a conductive filler, and a stretchable wiring board having:
The conductive filler contains scaly metal powder (G),
The average aspect of the conductive filler in the cross section a1 when the wiring is cut in the thickness direction along the width direction, which is obtained based on the following procedures (1) to (3), is A1, and the wiring is in the thickness direction. A1 and A2 satisfy the following formula (I), when the average aspect of the conductive filler in the cross section a2 when cut in a direction perpendicular to the elastic wiring board is A2.
1.1 ≦ A1 / A2 Formula (I)
(procedure)
(1) A cross section obtained by cutting the wiring in the thickness direction along the width direction of the wiring is polished using an ion beam to obtain a cross section a1.
(2) The surface of the wiring is polished in the depth direction by 0.005 mm to 0.02 mm using an ion beam to obtain a cross section a2.
(3) Observation images are obtained using a scanning electron microscope (SEM) under the conditions of a visual field area of 128 μm × 102 μm and a magnification of 1000 times for each of the obtained cross sections a1 and a2. When taking a histogram of the obtained observation image by gradation versus pixel number, image analysis is performed based on the binarized image at the gradation that is the valley of two peaks, and the conductive filler The aspect of the orthogonal projection is measured, and the average value of the 30 measured values is calculated as the average aspect. The average aspect calculated from the cross section a1 is A1, and the average aspect calculated from the cross section a2 is A2.
2. 1. The stretchable wiring board according to the above,
An elastic wiring board, wherein the aspect A1 of the conductive filler satisfies the following formula (II).
2.0 ≦ A1 ≦ 10.0 Formula (II)
3. 1. Or 2. The stretchable wiring board according to the above,
An elastic wiring substrate, wherein the elastomer contained in the wiring includes at least one selected from the group consisting of silicone rubber, urethane rubber, fluorine rubber, nitrile rubber, acrylic rubber, styrene rubber, chloroprene rubber, and ethylene propylene rubber.
4. 1. ~ 3. The stretchable wiring board according to any one of the above,
The stretchable wiring board, wherein the metal powder (G) includes at least one selected from the group consisting of copper, silver, gold, nickel, tin, lead, zinc, bismuth, antimony, and alloys thereof.
5. 1. ~ 4. The stretchable wiring board according to any one of the above,
A stretchable wiring board, wherein the content of the conductive filler is 30% by mass or more and 90% by mass or less based on the entire wiring.
6. 1. ~ 5. The stretchable wiring board according to any one of the above,
An elastic wiring substrate, wherein the wiring includes silica particles (C).
7. 6. The stretchable wiring board according to the above,
A stretchable wiring board, wherein the content of the silica particles (C) is 1% by mass or more and 20% by mass or less based on 100% by mass of the total amount of the silica particles (C) and the conductive filler.
8. 1. ~ 7. A wearable device comprising the stretchable wiring substrate according to any one of the above.

<実施例2:導電性ペースト2>
得られた13.7重量部のシリコーンゴム系硬化性組成物1(エラストマー組成物1)を、31.8重量部のテトラデカン(溶剤)に浸漬し、続いて自転・公転ミキサーで撹拌し、66.9重量部の表1に記載の金属粉(G2)を加えた後に三本ロールで混練することで、液状の導電性ペースト2を得た。
<Example 2: conductive paste 2>
The resulting 13.7 parts by weight of the silicone rubber based curable composition 1 (elastomer composition 1) was immersed in 31.8 parts by weight tetradecane (solvent), followed by stirring at planetary centrifugal mixer, 66 A liquid conductive paste 2 was obtained by adding 9.9 parts by weight of the metal powder (G2) shown in Table 1 and kneading with a three-roll mill.

Claims (8)

エラストマーを含有する基板と、
前記基板の一面上に積層されており、エラストマーおよび導電性フィラーを含有する配線と、を有する伸縮性配線基板であって、
導電性フィラーが鱗片状の金属粉(G)を含み、
下記の手順(1)〜(3)に基づいて求められる、前記配線を幅方向に沿って厚み方向に切断したときの断面a1における前記導電性フィラーの平均アスペクトをA1とし、前記配線を厚み方向に対して直交する方向に切断したときの断面a2における前記導電性フィラーの平均アスペクトをA2としたとき、A1およびA2が、下記式(I)を満たす、伸縮性配線基板。
1.1≦A1/A2 ・・・式(I)
(手順)
(1)前記配線の幅方向に沿って、前記配線を厚み方向に切断して得られた切断面を、イオンビームを用いて研磨して断面a1を得る。
(2)イオンビームを用いて、前記配線の表面を深さ方向に0.005mm〜0.02mm研磨して、断面a2を得る。
(3)得られた断面a1および断面a2の各々について、視野領域:128μm×102μm、倍率:1000倍の条件で、走査型電子顕微鏡(SEM)を用いて観察像を得る。得られた観察像を階調対ピクセル数でヒストグラムを取った際に、2つのピークの谷となっている階調で二値化処理した画像に基づいて画像解析を行い、前記導電性フィラーにおける正射影のアスペクトを測定し、測定値が大きい方から30個の平均値を平均アスペクトとして算出する。前記断面a1から算出された平均アスペクトをA1とし、前記断面a2から算出された平均アスペクトをA2とする。
A substrate containing an elastomer;
Laminated on one surface of the substrate, and a wiring containing an elastomer and a conductive filler, and a stretchable wiring board having:
The conductive filler contains scaly metal powder (G),
The average aspect of the conductive filler in the cross section a1 when the wiring is cut in the thickness direction along the width direction, which is obtained based on the following procedures (1) to (3), is A1, and the wiring is in the thickness direction. A1 and A2 satisfy the following formula (I), when the average aspect of the conductive filler in the cross section a2 when cut in a direction perpendicular to the elastic wiring board is A2.
1.1 ≦ A1 / A2 Formula (I)
(procedure)
(1) A cross section obtained by cutting the wiring in the thickness direction along the width direction of the wiring is polished using an ion beam to obtain a cross section a1.
(2) The surface of the wiring is polished in the depth direction by 0.005 mm to 0.02 mm using an ion beam to obtain a cross section a2.
(3) Observation images are obtained using a scanning electron microscope (SEM) under the conditions of a visual field area of 128 μm × 102 μm and a magnification of 1000 times for each of the obtained cross sections a1 and a2. When taking a histogram of the obtained observation image by gradation versus pixel number, image analysis is performed based on the binarized image at the gradation that is the valley of two peaks, and the conductive filler The aspect of the orthogonal projection is measured, and the average value of the 30 measured values is calculated as the average aspect. The average aspect calculated from the cross section a1 is A1, and the average aspect calculated from the cross section a2 is A2.
請求項1に記載の伸縮性配線基板であって、
前記導電性フィラーのアスペクトA1が、下記の式(II)を満たす、伸縮性配線基板。
2.0≦A1≦10.0 ・・・式(II)
The stretchable wiring board according to claim 1,
An elastic wiring board, wherein the aspect A1 of the conductive filler satisfies the following formula (II).
2.0 ≦ A1 ≦ 10.0 Formula (II)
請求項1または2に記載の伸縮性配線基板であって、
前記配線に含まれるエラストマーは、シリコーンゴム、ウレタンゴム、フッ素ゴム、ニトリルゴム、アクリルゴム、スチレンゴム、クロロプレンゴム、およびエチレンプロピレンゴムからなる群から選択される一種以上を含む、伸縮性配線基板。
The stretchable wiring board according to claim 1 or 2,
An elastic wiring substrate, wherein the elastomer contained in the wiring includes at least one selected from the group consisting of silicone rubber, urethane rubber, fluorine rubber, nitrile rubber, acrylic rubber, styrene rubber, chloroprene rubber, and ethylene propylene rubber.
請求項1〜3のいずれか一項に記載の伸縮性配線基板であって、
前記金属粉(G)は、銅、銀、金、ニッケル、錫、鉛、亜鉛、ビスマス、アンチモン、およびこれらの合金からなる群から選択される一種以上を含む、伸縮性配線基板。
It is a stretchable wiring board according to any one of claims 1 to 3,
The stretchable wiring board, wherein the metal powder (G) includes at least one selected from the group consisting of copper, silver, gold, nickel, tin, lead, zinc, bismuth, antimony, and alloys thereof.
請求項1〜4のいずれか一項に記載の伸縮性配線基板であって、
前記導電性フィラーの含有量は、前記配線全体に対して、30質量%以上90質量%以下である、伸縮性配線基板。
It is an elastic wiring board according to any one of claims 1 to 4,
A stretchable wiring board, wherein the content of the conductive filler is 30% by mass or more and 90% by mass or less based on the entire wiring.
請求項1〜5のいずれか一項に記載の伸縮性配線基板であって、
前記配線は、シリカ粒子(C)を含む、伸縮性配線基板。
It is an elastic wiring board according to any one of claims 1 to 5,
An elastic wiring substrate, wherein the wiring includes silica particles (C).
請求項6に記載の伸縮性配線基板であって、
前記シリカ粒子(C)の含有量は、前記シリカ粒子(C)および前記導電性フィラーの合計量100質量%に対して、1質量%以上20質量%以下である、伸縮性配線基板。
It is an elastic wiring board according to claim 6,
A stretchable wiring board, wherein the content of the silica particles (C) is 1% by mass or more and 20% by mass or less based on 100% by mass of the total amount of the silica particles (C) and the conductive filler.
請求項1〜7のいずれか一項に記載の伸縮性配線基板を備えるウェアラブルデバイス。   A wearable device comprising the stretchable wiring board according to claim 1.
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