JP7392258B2 - Stretchable wiring boards and wearable devices - Google Patents

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本発明は、伸縮性配線基板およびウェアラブルデバイスに関する。 The present invention relates to a stretchable wiring board and a wearable device.

近年、伸縮性配線基板を構成する配線に用いる材料について様々な開発がなされている。この種の技術としては、例えば、特許文献1に記載の技術が知られている。特許文献1には、エラストマーからなるウェアラブル筐体と、このウェアラブル筐体の主面上に配設された配線層と、を有する弾性ウェアラブルフレキシブル基板が記載されている。 In recent years, various developments have been made regarding materials used for wiring constituting stretchable wiring boards. As this type of technology, for example, the technology described in Patent Document 1 is known. Patent Document 1 describes an elastic wearable flexible substrate that includes a wearable housing made of an elastomer and a wiring layer disposed on the main surface of the wearable housing.

特開2016-076531号公報JP2016-076531A

しかしながら、本発明者が検討したところ、上記特許文献1に記載の伸縮性配線基板において、伸長時特性およびウェアラブル適合性の点で改善の余地を有していることが判明した。 However, upon study by the present inventor, it was found that the stretchable wiring board described in Patent Document 1 has room for improvement in terms of stretching characteristics and wearable suitability.

本発明者はさらに検討したところ、伸縮性配線基板の伸長時特性およびウェアラブル適合性について、基板硬度×(基板厚み/配線厚み)で表される剛性パラメータを指針とすることにより適切に制御できることを見出した。このような知見に基づきさらに鋭意研究したところ、剛性パラメータを所定の数値範囲内とすることにより、伸縮性配線基板の伸長時特性およびウェアラブル適合性が改善されることを見出し、本発明を完成するに至った。 After further investigation, the inventor found that the stretching characteristics and wearable suitability of a stretchable wiring board can be appropriately controlled by using the stiffness parameter expressed as board hardness x (board thickness/wiring thickness) as a guideline. I found it. Based on this knowledge, we conducted further intensive research and found that by setting the stiffness parameter within a predetermined numerical range, the stretched characteristics and wearable suitability of the stretchable wiring board were improved, and the present invention was completed. reached.

本発明によれば、
エラストマーを含有する基板と、
前記基板の一面上に接置されており、エラストマーおよび導電性フィラーを含有する配線と、を有する伸縮性配線基板であって、
未伸長時の前記基板の厚みをT1(μm)とし、未伸長時の前記基板のJIS K6253(1997)に準拠した25℃におけるタイプAデュロメータ硬さをH1とし、未伸長時の前記配線の厚みをT2(μm)としたとき、
H1、T1、およびT2が、以下の式(I)を満たす剛性構造を有する、伸縮性配線基板が提供される。
20≦H1×(T1/T2)≦1000 ・・(I)
According to the invention,
a substrate containing an elastomer;
A stretchable wiring board having a wiring that is placed on one surface of the substrate and contains an elastomer and a conductive filler,
The thickness of the substrate when unstretched is T1 (μm), the type A durometer hardness at 25°C according to JIS K6253 (1997) of the substrate when unstretched is H1, and the thickness of the wiring when unstretched is When is T2 (μm),
A stretchable wiring board is provided that has a rigid structure in which H1, T1, and T2 satisfy the following formula (I).
20≦H1×(T1/T2)≦1000...(I)

また本発明によれば、
上記伸縮性配線基板を備えるウェアラブルデバイスが提供される。
Further, according to the present invention,
A wearable device including the stretchable wiring board described above is provided.

本発明によれば、伸長時特性およびウェアラブル適合性に優れた伸縮性配線基板および、それを用いたウェアラブルデバイスが提供される。 According to the present invention, a stretchable wiring board with excellent properties when stretched and wearable suitability, and a wearable device using the same are provided.

本実施形態における電子装置の概略を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing an electronic device according to an embodiment. 本実施形態における電子装置の製造工程の概略を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing the manufacturing process of the electronic device according to the present embodiment. 基板厚み、配線厚みの測定方法を説明するための図である。FIG. 3 is a diagram for explaining a method of measuring substrate thickness and wiring thickness.

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。なお、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。また、本明細書中において、「~」は特に断りがなければ以上から以下を表す。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. Note that in all the drawings, similar components are denoted by the same reference numerals, and descriptions thereof will be omitted as appropriate. In addition, in this specification, "-" represents the following unless otherwise specified.

本実施形態の伸縮性配線基板は、エラストマーを含有する基板と、基板の一面上に接置されており、エラストマーおよび導電性フィラーを含有する配線と、を有するものである。
未伸長時の基板の厚みをT1(μm)とし、
未伸長時の基板のJIS K6253(1997)に準拠した25℃におけるタイプAデュロメータ硬さをH1とし、
未伸長時の配線の厚みをT2(μm)としたとき、
当該伸縮性配線基板は、H1、T1、およびT2が、以下の式(I)を満たす剛性構造を有するものである。
20≦H1×(T1/T2)≦1000 ・・(I)
The stretchable wiring board of this embodiment includes a board containing an elastomer, and wiring that is placed in contact with one surface of the board and contains the elastomer and a conductive filler.
The thickness of the substrate when not stretched is T1 (μm),
Type A durometer hardness at 25°C according to JIS K6253 (1997) of the unstretched substrate is H1,
When the thickness of the wiring when unstretched is T2 (μm),
The stretchable wiring board has a rigid structure in which H1, T1, and T2 satisfy the following formula (I).
20≦H1×(T1/T2)≦1000...(I)

本発明者の知見によれば、基板硬度、および基板と配線の厚み比の両方の要素を適切に制御することで、身体への追従性を維持しつつも、伸長時に配線への応力が低下して配線ダメージを抑制できることが判明した。
このような知見に基づいて鋭意検討した結果、2つの要素を組み合わせて、基板硬度×(基板厚み/配線厚み)で表される剛性パラメータを指針とすることにより、伸縮性配線基板の伸長時特性およびウェアラブル適合性を適切に制御できること、そして、剛性パラメータを所定の数値範囲内とすることにより、剛性パラメータで規定される剛性構造を有する伸縮性配線基板の伸長時特性およびウェアラブル適合性が改善されることが見出された。
According to the findings of the present inventor, by appropriately controlling both the board hardness and the thickness ratio of the board and the wiring, stress on the wiring during stretching can be reduced while maintaining the ability to follow the body. It was found that wiring damage could be suppressed by
As a result of intensive studies based on such knowledge, we have determined that the stretching characteristics of a stretchable wiring board can be improved by combining two factors and using the stiffness parameter expressed as board hardness x (board thickness/wiring thickness) as a guideline. By appropriately controlling the wearable compatibility and by setting the stiffness parameter within a predetermined numerical range, the stretching characteristics and wearable compatibility of a stretchable wiring board having a rigid structure defined by the stiffness parameter can be improved. It was found that

詳細なメカニズムは定かでないが、適当な剛性パラメータで規定される剛性構造により、配線への応力が低下し、繰り返し伸長後の配線ダメージや配線抵抗値上昇が抑制されるとともに、身体への追従性を高められる、と考えられる。 Although the detailed mechanism is not clear, a rigid structure defined by appropriate rigidity parameters reduces stress on the wiring, suppresses wiring damage and increases in wiring resistance after repeated stretching, and improves the ability to follow the body. It is thought that it can increase the

本実施形態の伸縮性配線基板は、各種用途に用いることができるが、例えば、ウェアラブルデバイスに好適に用いることができる。 The stretchable wiring board of this embodiment can be used for various purposes, and can be suitably used for wearable devices, for example.

また、本実施形態の伸縮性配線基板は、繰り返し伸長後における配線ダメージが抑制されるため、優れた接続信頼性、すなわち、高耐久性を実現することができる。 Further, the stretchable wiring board of this embodiment suppresses wiring damage after repeated stretching, and therefore can achieve excellent connection reliability, that is, high durability.

以下、本実施形態の伸縮性配線基板の各構成について説明する。 Each structure of the stretchable wiring board of this embodiment will be described below.

本実施形態の伸縮性配線基板は、少なくともエラストマーを含有する基板とエラストマーおよび導電性フィラーを含有する配線とを有するものである。基板は絶縁性であり、一方の配線は導電性である。このような伸縮性配線基板は、適度な伸縮性を発現させ、伸縮電気特性を高めることができる。 The stretchable wiring board of this embodiment has at least a board containing an elastomer and wiring containing an elastomer and a conductive filler. The substrate is insulating and one of the wirings is conductive. Such a stretchable wiring board can exhibit appropriate stretchability and improve stretchable electrical characteristics.

配線は、導電ペーストを使用して作製されていてもよい。導電性ペーストは、エラストマー組成物と、導電性フィラーと、溶剤と、を含むことができる。導電性ペーストを使用して形成された配線において、適度な伸縮性を発現することができる。 The wiring may be made using conductive paste. The conductive paste can include an elastomer composition, a conductive filler, and a solvent. Wiring formed using conductive paste can exhibit appropriate stretchability.

基板は、絶縁ペーストを使用して作製されていてもよい。絶縁性ペーストは、エラストマー組成物と溶剤を含むものである。このような絶縁ペーストを使用して作製された基板は、機械的強度および絶縁性に優れている。 The substrate may be made using an insulating paste. The insulating paste contains an elastomer composition and a solvent. A substrate made using such an insulating paste has excellent mechanical strength and insulation properties.

(エラストマー)
上記基板や配線に含まれるエラストマーとしては、シリコーンゴム、ウレタンゴム、フッ素ゴム、ニトリルゴム、アクリルゴム、スチレンゴム、クロロプレンゴム、およびエチレンプロピレンゴムからなる群から選択される一種以上を含むことができる。これらを単独で用いても2種以上を組み合わせて用いてもよい。
この中でも、エラストマーは、シリコーンゴム、ウレタンゴム、フッ素ゴムからなる群から選択される一種以上の熱硬化性エラストマーを含むことができる。また、エラストマーは、化学的に安定であり、また、機械的強度にも優れる観点からシリコーンゴムを含むことができる。
(elastomer)
The elastomer contained in the above board and wiring may include one or more selected from the group consisting of silicone rubber, urethane rubber, fluororubber, nitrile rubber, acrylic rubber, styrene rubber, chloroprene rubber, and ethylene propylene rubber. . These may be used alone or in combination of two or more.
Among these, the elastomer can include one or more thermosetting elastomers selected from the group consisting of silicone rubber, urethane rubber, and fluororubber. Further, the elastomer can contain silicone rubber from the viewpoint of being chemically stable and having excellent mechanical strength.

上記熱硬化性エラストマーは、熱硬化性エラストマー組成物の硬化物で構成することができる。例えば、上記シリコーンゴムは、シリコーンゴム系硬化性組成物の硬化物で構成することができる。なお熱可塑性エラストマーは、熱可塑性エラストマー組成物の乾燥物で構成することができる。 The thermosetting elastomer can be composed of a cured product of a thermosetting elastomer composition. For example, the silicone rubber can be composed of a cured product of a silicone rubber-based curable composition. Note that the thermoplastic elastomer can be composed of a dried thermoplastic elastomer composition.

本明細書中、エラストマー組成物は、上記基板や配線に含まれるエラストマーを構成するために用いるものであり、例えば、シリコーンゴム、ウレタンゴム、フッ素ゴムからなる群から選択される一種以上の熱硬化性エラストマーを形成するために用いる熱硬化性エラストマー組成物を含むことができ、好ましくは、シリコーンゴム系硬化性組成物を含むことができる。 In this specification, the elastomer composition is used to constitute the elastomer contained in the above-mentioned substrate or wiring, and includes, for example, one or more types of thermosetting composition selected from the group consisting of silicone rubber, urethane rubber, and fluororubber. The composition may include a thermosetting elastomer composition used to form a rubber elastomer, preferably a silicone rubber-based curable composition.

以下、本実施形態に係る配線が、シリコーンゴム系硬化性組成物を含む導電性ペーストを用いて形成された一例について説明する。その後、基板が、シリコーンゴム系硬化性組成物を含む絶縁性ペーストを用いて形成された一例について説明する。 Hereinafter, an example in which the wiring according to the present embodiment is formed using a conductive paste containing a silicone rubber-based curable composition will be described. Next, an example in which the substrate is formed using an insulating paste containing a silicone rubber-based curable composition will be described.

本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、ビニル基含有オルガノポリシロキサン(A)を含むことができる。ビニル基含有オルガノポリシロキサン(A)は、本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物の主成分となる重合物である。 The silicone rubber-based curable composition of this embodiment can contain a vinyl group-containing organopolysiloxane (A). The vinyl group-containing organopolysiloxane (A) is a polymer that is the main component of the silicone rubber curable composition of this embodiment.

上記ビニル基含有オルガノポリシロキサン(A)は、直鎖構造を有するビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A1)を含むことができる。 The vinyl group-containing organopolysiloxane (A) may include a vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A1) having a linear structure.

上記ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A1)は、直鎖構造を有し、かつ、ビニル基を含有しており、かかるビニル基が硬化時の架橋点となる。 The vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A1) has a linear structure and contains vinyl groups, and the vinyl groups serve as crosslinking points during curing.

ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A1)のビニル基の含有量は、特に限定されないが、例えば、分子内に2個以上のビニル基を有し、かつ15モル%以下であるのが好ましく、0.01~12モル%であるのがより好ましい。これにより、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A1)中におけるビニル基の量が最適化され、後述する各成分とのネットワークの形成を確実に行うことができる。本実施形態において、「~」は、その両端の数値を含むことを意味する。 The vinyl group content of the vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A1) is not particularly limited, but preferably has two or more vinyl groups in the molecule and is 15 mol% or less. , more preferably 0.01 to 12 mol%. Thereby, the amount of vinyl groups in the vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A1) can be optimized, and a network with each component described below can be reliably formed. In this embodiment, "~" means that the numbers at both ends are included.

なお、本明細書中において、ビニル基含有量とは、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A1)を構成する全ユニットを100モル%としたときのビニル基含有シロキサンユニットのモル%である。ただし、ビニル基含有シロキサンユニット1つに対して、ビニル基1つであると考える。 In addition, in this specification, the vinyl group content is the mol% of the vinyl group-containing siloxane unit when the total units constituting the vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A1) is 100 mol%. . However, it is assumed that there is one vinyl group for one vinyl group-containing siloxane unit.

また、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A1)の重合度は、特に限定されないが、例えば、好ましくは1000~10000程度、より好ましくは2000~5000程度の範囲内である。なお、重合度は、例えばクロロホルムを展開溶媒としたGPC(ゲル透過クロマトグラフィー)におけるポリスチレン換算の数平均重合度(又は数平均分子量)等として求めることができる。 Further, the degree of polymerization of the vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A1) is not particularly limited, but is, for example, preferably in the range of about 1,000 to 10,000, more preferably in the range of about 2,000 to 5,000. The degree of polymerization can be determined, for example, as the number average degree of polymerization (or number average molecular weight) in terms of polystyrene in GPC (gel permeation chromatography) using chloroform as a developing solvent.

さらに、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A1)の比重は、特に限定されないが、0.9~1.1程度の範囲であるのが好ましい。 Further, the specific gravity of the vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A1) is not particularly limited, but is preferably in the range of about 0.9 to 1.1.

ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A1)として、上記のような範囲内の重合度および比重を有するものを用いることにより、得られるシリコーンゴムの耐熱性、難燃性、化学的安定性等の向上を図ることができる。 By using a vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A1) having a degree of polymerization and specific gravity within the above range, the heat resistance, flame retardance, chemical stability, etc. of the silicone rubber obtained can be improved. It is possible to improve the

ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A1)としては、特に、下記式(1)で表される構造を有するものであるが好ましい。 The vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A1) is particularly preferably one having a structure represented by the following formula (1).

Figure 0007392258000001
Figure 0007392258000001

式(1)中、Rは炭素数1~10の置換または非置換のアルキル基、アルケニル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基である。炭素数1~10のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数1~10のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基等が挙げられ、中でも、ビニル基が好ましい。炭素数1~10のアリール基としては、例えば、フェニル基等が挙げられる。 In formula (1), R 1 is a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkenyl group, an aryl group, or a hydrocarbon group combining these. Examples of the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms include methyl group, ethyl group, propyl group, etc. Among them, methyl group is preferred. Examples of the alkenyl group having 1 to 10 carbon atoms include vinyl group, allyl group, butenyl group, and among them, vinyl group is preferred. Examples of the aryl group having 1 to 10 carbon atoms include phenyl group.

また、Rは炭素数1~10の置換または非置換のアルキル基、アルケニル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基である。炭素数1~10のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数1~10のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基が挙げられる。炭素数1~10のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。 Further, R 2 is a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkenyl group, an aryl group, or a hydrocarbon group combining these. Examples of the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms include methyl group, ethyl group, propyl group, etc. Among them, methyl group is preferred. Examples of the alkenyl group having 1 to 10 carbon atoms include vinyl group, allyl group, and butenyl group. Examples of the aryl group having 1 to 10 carbon atoms include phenyl group.

また、Rは炭素数1~8の置換または非置換のアルキル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基である。炭素数1~8のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数1~8のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。 Further, R 3 is a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, an aryl group, or a hydrocarbon group combining these. Examples of the alkyl group having 1 to 8 carbon atoms include methyl group, ethyl group, propyl group, etc. Among them, methyl group is preferred. Examples of the aryl group having 1 to 8 carbon atoms include phenyl group.

さらに、式(1)中のRおよびRの置換基としては、例えば、メチル基、ビニル基等が挙げられ、Rの置換基としては、例えば、メチル基等が挙げられる。 Further, examples of substituents for R 1 and R 2 in formula (1) include a methyl group and a vinyl group, and examples of substituents for R 3 include a methyl group.

なお、式(1)中、複数のRは互いに独立したものであり、互いに異なっていてもよいし、同じであってもよい。さらに、R、およびRについても同様である。 In addition, in Formula (1), a plurality of R 1 are mutually independent and may be different from each other or may be the same. Furthermore, the same applies to R 2 and R 3 .

さらに、m、nは、式(1)で表されるビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A1)を構成する繰り返し単位の数であり、mは0~2000の整数、nは1000~10000の整数である。mは、好ましくは0~1000であり、nは、好ましくは2000~5000である。 Further, m and n are the numbers of repeating units constituting the vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A1) represented by formula (1), m is an integer of 0 to 2000, and n is 1000 to 10000. is an integer. m is preferably 0 to 1000, and n is preferably 2000 to 5000.

また、式(1)で表されるビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A1)の具体的構造としては、例えば下記式(1-1)で表されるものが挙げられる。 Further, specific structures of the vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A1) represented by formula (1) include, for example, those represented by the following formula (1-1).

Figure 0007392258000002
Figure 0007392258000002

式(1-1)中、RおよびRは、それぞれ独立して、メチル基またはビニル基であり、少なくとも一方がビニル基である。 In formula (1-1), R 1 and R 2 are each independently a methyl group or a vinyl group, and at least one of them is a vinyl group.

さらに、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A1)としては、ビニル基含有量が分子内に2個以上のビニル基を有し、かつ0.4モル%以下である第1のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A1-1)と、ビニル基含有量が0.5~15モル%である第2のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A1-2)とを含有するものであるのが好ましい。シリコーンゴムの原料である生ゴムとして、一般的なビニル基含有量を有する第1のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A1-1)と、ビニル基含有量が高い第2のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A1-2)とを組み合わせることで、ビニル基を偏在化させることができ、シリコーンゴムの架橋ネットワーク中に、より効果的に架橋密度の疎密を形成することができる。その結果、より効果的にシリコーンゴムの引裂強度を高めることができる。 Furthermore, as the vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A1), a first vinyl group-containing organopolysiloxane having two or more vinyl groups in the molecule and having a vinyl group content of 0.4 mol% or less It contains a linear organopolysiloxane (A1-1) and a second vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A1-2) having a vinyl group content of 0.5 to 15 mol%. It is preferable to have one. As raw rubber which is a raw material for silicone rubber, a first vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A1-1) having a general vinyl group content and a second vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A1-1) having a high vinyl group content are used. By combining with chain organopolysiloxane (A1-2), vinyl groups can be unevenly distributed, and crosslink density can be more effectively formed in the crosslinked network of silicone rubber. As a result, the tear strength of silicone rubber can be increased more effectively.

具体的には、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A1)として、例えば、上記式(1-1)において、Rがビニル基である単位および/またはRがビニル基である単位を、分子内に2個以上有し、かつ0.4モル%以下を含む第1のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A1-1)と、Rがビニル基である単位および/またはRがビニル基である単位を、0.5~15モル%含む第2のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A1-2)とを用いるのが好ましい。 Specifically, as the vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A1), for example, in the above formula (1-1), a unit in which R 1 is a vinyl group and/or a unit in which R 2 is a vinyl group is used. , a first vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A1-1) having two or more in the molecule and containing 0.4 mol% or less, and a unit in which R 1 is a vinyl group and/or R It is preferable to use a second vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A1-2) containing 0.5 to 15 mol % of units in which 2 is a vinyl group.

また、第1のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A1-1)は、ビニル基含有量が0.01~0.2モル%であるのが好ましく、0.02~0.15モル%がより好ましい。また、第2のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A1-2)は、ビニル基含有量が、0.5~12モル%が好ましく、0.8~8モル%がより好ましい。 Further, the first vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A1-1) preferably has a vinyl group content of 0.01 to 0.2 mol%, more preferably 0.02 to 0.15 mol%. is more preferable. Further, the second vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A1-2) preferably has a vinyl group content of 0.5 to 12 mol%, more preferably 0.8 to 8 mol%.

さらに、第1のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A1-1)と第2のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A1-2)とを組み合わせて配合する場合、(A1-1)と(A1-2)の比率は特に限定されないが、例えば、重量比で(A1-1):(A1-2)が50:50~95:5、好ましくは60:40~92:8、より好ましくは80:20~90:10である。 Furthermore, when blending the first vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A1-1) and the second vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A1-2) in combination, (A1-1) The ratio of (A1-2) and (A1-2) is not particularly limited, but for example, the weight ratio of (A1-1):(A1-2) is 50:50 to 95:5, preferably 60:40 to 92:8, or more. Preferably the ratio is 80:20 to 90:10.

なお、第1および第2のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A1-1)および(A1-2)は、それぞれ1種のみを用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。 Note that the first and second vinyl group-containing linear organopolysiloxanes (A1-1) and (A1-2) may be used alone or in combination of two or more. good.

また、ビニル基含有オルガノポリシロキサン(A)は、分岐構造を有するビニル基含有分岐状オルガノポリシロキサン(A2)を含んでもよい。 The vinyl group-containing organopolysiloxane (A) may also include a vinyl group-containing branched organopolysiloxane (A2) having a branched structure.

<<オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B)>>
本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B)を含むことができる。
オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B)は、直鎖構造を有する直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B1)と分岐構造を有する分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B2)とに分類され、これらのうちのいずれか一方または双方を含むことができる。
<<Organohydrogenpolysiloxane (B)>>
The silicone rubber-based curable composition of this embodiment can contain organohydrogenpolysiloxane (B).
Organohydrogenpolysiloxane (B) is classified into linear organohydrogenpolysiloxane (B1) having a linear structure and branched organohydrogenpolysiloxane (B2) having a branched structure. Either one or both may be included.

直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B1)は、直鎖構造を有し、かつ、Siに水素が直接結合した構造(≡Si-H)を有し、ビニル基含有オルガノポリシロキサン(A)のビニル基の他、シリコーンゴム系硬化性組成物に配合される成分が有するビニル基とヒドロシリル化反応し、これらの成分を架橋する重合体である。 The linear organohydrogenpolysiloxane (B1) has a linear structure and a structure in which hydrogen is directly bonded to Si (≡Si-H), and is a vinyl group-containing organopolysiloxane (A). In addition to vinyl groups, it is a polymer that undergoes a hydrosilylation reaction with vinyl groups contained in components blended into a silicone rubber-based curable composition, thereby crosslinking these components.

直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B1)の分子量は特に限定されないが、例えば、重量平均分子量が20000以下であるのが好ましく、1000以上、10000以下であることがより好ましい。 The molecular weight of the linear organohydrogenpolysiloxane (B1) is not particularly limited, but, for example, the weight average molecular weight is preferably 20,000 or less, more preferably 1,000 or more and 10,000 or less.

なお、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B1)の重量平均分子量は、例えばクロロホルムを展開溶媒としたGPC(ゲル透過クロマトグラフィー)におけるポリスチレン換算により測定することができる。 The weight average molecular weight of the linear organohydrogenpolysiloxane (B1) can be measured, for example, in terms of polystyrene in GPC (gel permeation chromatography) using chloroform as a developing solvent.

また、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B1)は、通常、ビニル基を有しないものであるのが好ましい。これにより、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B1)の分子内において架橋反応が進行するのを的確に防止することができる。 Further, it is generally preferable that the linear organohydrogenpolysiloxane (B1) does not have a vinyl group. Thereby, it is possible to accurately prevent the crosslinking reaction from proceeding within the molecules of the linear organohydrogenpolysiloxane (B1).

以上のような直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B1)としては、例えば、下記式(2)で表される構造を有するものが好ましく用いられる。 As the above linear organohydrogenpolysiloxane (B1), for example, one having a structure represented by the following formula (2) is preferably used.

Figure 0007392258000003
Figure 0007392258000003

式(2)中、Rは炭素数1~10の置換または非置換のアルキル基、アルケニル基、アリール基、これらを組み合わせた炭化水素基、またはヒドリド基である。炭素数1~10のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数1~10のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基等が挙げられる。炭素数1~10のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。 In formula (2), R 4 is a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkenyl group, an aryl group, a hydrocarbon group combining these, or a hydride group. Examples of the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms include methyl group, ethyl group, propyl group, etc. Among them, methyl group is preferred. Examples of the alkenyl group having 1 to 10 carbon atoms include vinyl group, allyl group, and butenyl group. Examples of the aryl group having 1 to 10 carbon atoms include phenyl group.

また、Rは炭素数1~10の置換または非置換のアルキル基、アルケニル基、アリール基、これらを組み合わせた炭化水素基、またはヒドリド基である。炭素数1~10のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数1~10のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基等が挙げられる。炭素数1~10のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。 Further, R 5 is a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkenyl group, an aryl group, a hydrocarbon group combining these, or a hydride group. Examples of the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms include methyl group, ethyl group, and propyl group, of which methyl group is preferred. Examples of the alkenyl group having 1 to 10 carbon atoms include vinyl group, allyl group, and butenyl group. Examples of the aryl group having 1 to 10 carbon atoms include phenyl group.

なお、式(2)中、複数のRは互いに独立したものであり、互いに異なっていてもよいし、同じであってもよい。Rについても同様である。ただし、複数のRおよびRのうち、少なくとも2つ以上がヒドリド基である。 In addition, in formula (2), a plurality of R 4 are mutually independent and may be different from each other or may be the same. The same applies to R5 . However, at least two or more of the plurality of R 4 and R 5 are hydride groups.

また、Rは炭素数1~8の置換または非置換のアルキル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基である。炭素数1~8のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数1~8のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。複数のRは互いに独立したものであり、互いに異なっていてもよいし、同じであってもよい。 Further, R 6 is a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, an aryl group, or a hydrocarbon group combining these. Examples of the alkyl group having 1 to 8 carbon atoms include methyl group, ethyl group, propyl group, etc. Among them, methyl group is preferred. Examples of the aryl group having 1 to 8 carbon atoms include phenyl group. A plurality of R 6 's are independent from each other and may be different from each other or the same.

なお、式(2)中のR,R,Rの置換基としては、例えば、メチル基、ビニル基等が挙げられ、分子内の架橋反応を防止する観点から、メチル基が好ましい。 In addition, examples of substituents for R 4 , R 5 , and R 6 in formula (2) include a methyl group, a vinyl group, and the like, and a methyl group is preferable from the viewpoint of preventing intramolecular crosslinking reactions.

さらに、m、nは、式(2)で表される直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B1)を構成する繰り返し単位の数であり、mは2~150整数、nは2~150の整数である。好ましくは、mは2~100の整数、nは2~100の整数である。 Furthermore, m and n are the numbers of repeating units constituting the linear organohydrogenpolysiloxane (B1) represented by formula (2), m is an integer of 2 to 150, and n is an integer of 2 to 150. It is. Preferably, m is an integer from 2 to 100, and n is an integer from 2 to 100.

なお、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B1)は、1種のみを単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。 Note that the linear organohydrogenpolysiloxane (B1) may be used alone or in combination of two or more.

分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B2)は、分岐構造を有するため、架橋密度が高い領域を形成し、シリコーンゴムの系中の架橋密度の疎密構造形成に大きく寄与する成分である。また、上記直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B1)同様、Siに水素が直接結合した構造(≡Si-H)を有し、ビニル基含有オルガノポリシロキサン(A)のビニル基の他、シリコーンゴム系硬化性組成物に配合される成分のビニル基とヒドロシリル化反応し、これら成分を架橋する重合体である。 Since the branched organohydrogenpolysiloxane (B2) has a branched structure, it forms a region with a high crosslinking density, and is a component that greatly contributes to the formation of a dense and dense crosslinking structure in the silicone rubber system. In addition, like the above linear organohydrogenpolysiloxane (B1), it has a structure in which hydrogen is directly bonded to Si (≡Si-H), and in addition to the vinyl group of the vinyl group-containing organopolysiloxane (A), silicone It is a polymer that undergoes a hydrosilylation reaction with the vinyl groups of the components blended into the rubber-based curable composition and crosslinks these components.

また、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B2)の比重は、0.9~0.95の範囲である。 Further, the specific gravity of the branched organohydrogenpolysiloxane (B2) is in the range of 0.9 to 0.95.

さらに、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B2)は、通常、ビニル基を有しないものであるのが好ましい。これにより、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B2)の分子内において架橋反応が進行するのを的確に防止することができる。 Furthermore, it is preferable that the branched organohydrogenpolysiloxane (B2) usually does not have a vinyl group. Thereby, it is possible to accurately prevent the crosslinking reaction from proceeding within the molecules of the branched organohydrogenpolysiloxane (B2).

また、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B2)としては、下記平均組成式(c)で示されるものが好ましい。 Further, as the branched organohydrogenpolysiloxane (B2), one represented by the following average composition formula (c) is preferable.

平均組成式(c)
(H(R3-aSiO1/2(SiO4/2
(式(c)において、Rは一価の有機基、aは1~3の範囲の整数、mはH(R3-aSiO1/2単位の数、nはSiO4/2単位の数である)
Average composition formula (c)
(H a (R 7 ) 3-a SiO 1/2 ) m (SiO 4/2 ) n
(In formula (c), R 7 is a monovalent organic group, a is an integer in the range of 1 to 3, m is the number of H a (R 7 ) 3-a SiO 1/2 units, and n is SiO 4/ (It is a number of 2 units)

式(c)において、Rは一価の有機基であり、好ましくは、炭素数1~10の置換または非置換のアルキル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基である。炭素数1~10のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数1~10のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。 In formula (c), R 7 is a monovalent organic group, preferably a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an aryl group, or a hydrocarbon group combining these. Examples of the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms include methyl group, ethyl group, propyl group, etc. Among them, methyl group is preferred. Examples of the aryl group having 1 to 10 carbon atoms include phenyl group.

式(c)において、aは、ヒドリド基(Siに直接結合する水素原子)の数であり、1~3の範囲の整数、好ましくは1である。 In formula (c), a is the number of hydride groups (hydrogen atoms directly bonded to Si), and is an integer in the range of 1 to 3, preferably 1.

また、式(c)において、mはH(R3-aSiO1/2単位の数、nはSiO4/2単位の数である。 Further, in formula (c), m is the number of H a (R 7 ) 3-a SiO 1/2 units, and n is the number of SiO 4/2 units.

分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B2)は分岐状構造を有する。直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B1)と分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B2)は、その構造が直鎖状か分岐状かという点で異なり、Siの数を1とした時のSiに結合するアルキル基Rの数(R/Si)が、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B1)では1.8~2.1、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B2)では0.8~1.7の範囲となる。 The branched organohydrogenpolysiloxane (B2) has a branched structure. Linear organohydrogenpolysiloxane (B1) and branched organohydrogenpolysiloxane (B2) differ in that their structures are linear or branched. The number of bonded alkyl groups R (R/Si) is 1.8 to 2.1 in linear organohydrogenpolysiloxane (B1) and 0.8 to 1 in branched organohydrogenpolysiloxane (B2). The range is .7.

なお、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B2)は、分岐構造を有しているため、例えば、窒素雰囲気下、1000℃まで昇温速度10℃/分で加熱した際の残渣量が5%以上となる。これに対して、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B1)は、直鎖状であるため、上記条件で加熱した後の残渣量はほぼゼロとなる。 In addition, since the branched organohydrogenpolysiloxane (B2) has a branched structure, for example, the amount of residue when heated to 1000°C at a temperature increase rate of 10°C/min in a nitrogen atmosphere is 5% or more. becomes. On the other hand, since the linear organohydrogenpolysiloxane (B1) is linear, the amount of residue after heating under the above conditions becomes almost zero.

また、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B2)の具体例としては、下記式(3)で表される構造を有するものが挙げられる。 Further, specific examples of the branched organohydrogenpolysiloxane (B2) include those having a structure represented by the following formula (3).

Figure 0007392258000004
Figure 0007392258000004

式(3)中、Rは炭素数1~8の置換または非置換のアルキル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基、もしくは水素原子である。炭素数1~8のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数1~8のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。Rの置換基としては、例えば、メチル基等が挙げられる。 In formula (3), R 7 is a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, an aryl group, a hydrocarbon group combining these, or a hydrogen atom. Examples of the alkyl group having 1 to 8 carbon atoms include methyl group, ethyl group, propyl group, etc. Among them, methyl group is preferred. Examples of the aryl group having 1 to 8 carbon atoms include phenyl group. Examples of the substituent for R 7 include a methyl group and the like.

なお、式(3)中、複数のRは互いに独立したものであり、互いに異なっていてもよいし、同じであってもよい。 In addition, in Formula (3), a plurality of R 7 are mutually independent and may be different from each other or may be the same.

また、式(3)中、「-O-Si≡」は、Siが三次元に広がる分岐構造を有することを表している。 Furthermore, in formula (3), "-O-Si≡" represents that Si has a branched structure that extends three-dimensionally.

なお、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B2)は、1種のみを単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。 Note that the branched organohydrogenpolysiloxane (B2) may be used alone or in combination of two or more.

また、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B1)と分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B2)において、Siに直接結合する水素原子(ヒドリド基)の量は、それぞれ、特に限定されない。ただし、シリコーンゴム系硬化性組成物において、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A1)中のビニル基1モルに対し、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B1)と分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B2)の合計のヒドリド基量が、0.5~5モルとなる量が好ましく、1~3.5モルとなる量がより好ましい。これにより、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B1)および分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B2)と、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A1)との間で、架橋ネットワークを確実に形成させることができる。 Further, in the linear organohydrogenpolysiloxane (B1) and the branched organohydrogenpolysiloxane (B2), the amount of hydrogen atoms (hydride groups) directly bonded to Si is not particularly limited. However, in the silicone rubber-based curable composition, for 1 mole of vinyl groups in the vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A1), linear organohydrogenpolysiloxane (B1) and branched organohydrogenpolysiloxane The total amount of hydride groups in the siloxane (B2) is preferably 0.5 to 5 mol, more preferably 1 to 3.5 mol. This ensures the formation of a crosslinked network between the linear organohydrogenpolysiloxane (B1) and the branched organohydrogenpolysiloxane (B2) and the vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A1). can be done.

本実施形態において、導電性ペースト中におけるシリコーンゴム系硬化性組成物の含有量は、導電性ペースト全体に対して、1質量%以上であることが好ましく、3質量%以上であることがより好ましく、5質量%以上であることがさらに好ましい。また、導電性ペースト中におけるシリコーンゴム系硬化性組成物の含有量は、導電性ペースト全体に対して、25質量%以下であることが好ましく、20質量%以下であることがより好ましく、15質量%以下であることがさらに好ましい。
シリコーンゴム系硬化性組成物の含有量を上記下限値以上とすることにより、導電性ペーストを用いて形成された配線が適度な柔軟性を持つことができる。また、シリコーンゴム系硬化性組成物の含有量を上記上限値以下とすることにより配線の機械的強度の向上を図ることができる。
In this embodiment, the content of the silicone rubber curable composition in the conductive paste is preferably 1% by mass or more, more preferably 3% by mass or more, based on the entire conductive paste. , more preferably 5% by mass or more. Further, the content of the silicone rubber-based curable composition in the conductive paste is preferably 25% by mass or less, more preferably 20% by mass or less, and 15% by mass or less, based on the entire conductive paste. % or less is more preferable.
By setting the content of the silicone rubber-based curable composition to the above lower limit or more, the wiring formed using the conductive paste can have appropriate flexibility. Further, by setting the content of the silicone rubber-based curable composition to the above-mentioned upper limit or less, the mechanical strength of the wiring can be improved.

<<シリカ粒子(C)>>
本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、必要に応じ、シリカ粒子(C)を含むことができる。これにより、シリコーンゴム系硬化性組成物から形成されるエラストマーの硬さや機械的強度の向上を図ることができる。
<<Silica particles (C)>>
The silicone rubber-based curable composition of the present embodiment can contain silica particles (C) if necessary. Thereby, it is possible to improve the hardness and mechanical strength of the elastomer formed from the silicone rubber-based curable composition.

本実施形態の導電性ペーストは、導電性フィラーに加えてシリカ粒子(C)を含有することにより、当該導電性ペーストの硬化物等で構成されるエラストマーの機械的強度や耐久性を向上させることができる。このような導電性ペーストを使用して、伸縮性配線基板を構成する配線などの導電性樹脂膜を作製することによって、その導電性樹脂膜の機械的強度や耐久性を向上させることができる。これにより、本実施形態の導電性ペーストで形成された配線を備える伸縮性配線基板の伸縮電気特性を高めることができる。 The conductive paste of this embodiment contains silica particles (C) in addition to the conductive filler, thereby improving the mechanical strength and durability of the elastomer made of the cured product of the conductive paste. I can do it. By using such a conductive paste to produce a conductive resin film such as wiring constituting a stretchable wiring board, the mechanical strength and durability of the conductive resin film can be improved. Thereby, the stretchable electrical characteristics of the stretchable wiring board including the wiring formed with the conductive paste of this embodiment can be improved.

シリカ粒子(C)としては、特に限定されないが、例えば、ヒュームドシリカ、焼成シリカ、沈降シリカ等が用いられる。これらを単独で用いても2種以上を組み合わせて用いてもよい。 The silica particles (C) are not particularly limited, but for example, fumed silica, calcined silica, precipitated silica, etc. are used. These may be used alone or in combination of two or more.

シリカ粒子(C)は、例えば、BET法による比表面積が例えば50~400m/gであるのが好ましく、100~400m/gであるのがより好ましい。また、シリカ粒子(C)の平均一次粒径は、例えば1~100nmであるのが好ましく、5~20nm程度であるのがより好ましい。 The silica particles (C) preferably have a specific surface area of, for example, 50 to 400 m 2 /g, more preferably 100 to 400 m 2 /g, as determined by the BET method. Further, the average primary particle size of the silica particles (C) is preferably, for example, 1 to 100 nm, more preferably about 5 to 20 nm.

シリカ粒子(C)として、かかる比表面積および平均粒径の範囲内であるものを用いることにより、形成されるシリコーンゴムの硬さや機械的強度の向上、特に引張強度の向上をさせることができる。 By using silica particles (C) having specific surface areas and average particle diameters within the above ranges, it is possible to improve the hardness and mechanical strength of the silicone rubber formed, especially the tensile strength.

本実施形態において、導電性ペースト中におけるシリカ粒子(C)の含有量は、導電性ペーストの全体に対して、1質量%以上であることが好ましく、2質量%以上であることがより好ましく、3質量%以上であることがさらに好ましい。また、導電性ペースト中におけるシリカ粒子(C)の含有量は、導電性ペーストの全体に対して、例えば、20量%以下、15質量%以下であることが好ましく、12質量%以下であることがより好ましく、10質量%以下であることがさらに好ましい。
シリカ粒子(C)の含有量を上記下限値以上とすることにより、導電性ペーストを使用して作製された配線のエラストマーが適度な機械的強度を持つことができる。また、シリカ粒子(C)の含有量を上記上限値以下とすることにより、導電性ペーストを使用して作製された配線が適度な導電特性を持つことができる。
In this embodiment, the content of silica particles (C) in the conductive paste is preferably 1% by mass or more, more preferably 2% by mass or more, based on the entire conductive paste. More preferably, the content is 3% by mass or more. Further, the content of silica particles (C) in the conductive paste is, for example, 20% by mass or less, preferably 15% by mass or less, and 12% by mass or less, based on the entire conductive paste. is more preferable, and even more preferably 10% by mass or less.
By setting the content of silica particles (C) to the above lower limit or more, the elastomer of the wiring produced using the conductive paste can have appropriate mechanical strength. Further, by controlling the content of silica particles (C) to be equal to or less than the above upper limit, wiring fabricated using a conductive paste can have appropriate conductive properties.

<<シランカップリング剤(D)>>
本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、シランカップリング剤(D)を含むことができる。
シランカップリング剤(D)は、加水分解性基を有することができる。加水分解基が水により加水分解されて水酸基になり、この水酸基がシリカ粒子(C)表面の水酸基と脱水縮合反応することで、シリカ粒子(C)の表面改質を行うことができる。
<<Silane coupling agent (D)>>
The silicone rubber-based curable composition of this embodiment can contain a silane coupling agent (D).
The silane coupling agent (D) can have a hydrolyzable group. The hydrolyzable group is hydrolyzed by water to become a hydroxyl group, and this hydroxyl group undergoes a dehydration condensation reaction with the hydroxyl group on the surface of the silica particle (C), whereby the surface of the silica particle (C) can be modified.

また、このシランカップリング剤(D)は、疎水性基を有するシランカップリング剤を含むことができる。これにより、シリカ粒子(C)の表面にこの疎水性基が付与されるため、シリコーンゴム系硬化性組成物中ひいてはシリコーンゴム中において、シリカ粒子(C)の凝集力が低下(シラノール基による水素結合による凝集が少なくなる)し、その結果、シリコーンゴム系硬化性組成物中のシリカ粒子の分散性が向上すると推測される。これにより、シリカ粒子とゴムマトリックスとの界面が増加し、シリカ粒子の補強効果が増大する。さらに、ゴムのマトリックス変形の際、マトリックス内でのシリカ粒子の滑り性が向上すると推測される。そして、シリカ粒子(C)の分散性の向上及び滑り性の向上によって、シリカ粒子(C)によるシリコーンゴムの機械的強度(例えば、引張強度や引裂強度など)が向上する。 Moreover, this silane coupling agent (D) can contain a silane coupling agent having a hydrophobic group. As a result, this hydrophobic group is imparted to the surface of the silica particles (C), so that the cohesive force of the silica particles (C) decreases (hydrogen caused by silanol groups) in the silicone rubber-based curable composition and even in the silicone rubber. It is presumed that the dispersibility of silica particles in the silicone rubber-based curable composition is improved as a result. This increases the interface between the silica particles and the rubber matrix, increasing the reinforcing effect of the silica particles. Furthermore, it is presumed that upon deformation of the rubber matrix, the slipperiness of the silica particles within the matrix improves. By improving the dispersibility and slipperiness of the silica particles (C), the mechanical strength (for example, tensile strength, tear strength, etc.) of the silicone rubber due to the silica particles (C) is improved.

さらに、シランカップリング剤(D)は、ビニル基を有するシランカップリング剤を含むことができる。これにより、シリカ粒子(C)の表面にビニル基が導入される。そのため、シリコーンゴム系硬化性組成物の硬化の際、すなわち、ビニル基含有オルガノポリシロキサン(A)が有するビニル基と、オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B)が有するヒドリド基とがヒドロシリル化反応して、これらによるネットワーク(架橋構造)が形成される際に、シリカ粒子(C)が有するビニル基も、オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B)が有するヒドリド基とのヒドロシリル化反応に関与するため、ネットワーク中にシリカ粒子(C)も取り込まれるようになる。これにより、形成されるシリコーンゴムの低硬度化および高モジュラス化を図ることができる。 Furthermore, the silane coupling agent (D) can include a silane coupling agent having a vinyl group. As a result, vinyl groups are introduced onto the surface of the silica particles (C). Therefore, during curing of the silicone rubber-based curable composition, the vinyl groups of the vinyl group-containing organopolysiloxane (A) and the hydride groups of the organohydrogenpolysiloxane (B) undergo a hydrosilylation reaction. When a network (crosslinked structure) of these is formed, the vinyl groups of the silica particles (C) also participate in the hydrosilylation reaction with the hydride groups of the organohydrogenpolysiloxane (B), so Silica particles (C) also come to be taken in. This makes it possible to lower the hardness and increase the modulus of the silicone rubber formed.

シランカップリング剤(D)としては、疎水性基を有するシランカップリング剤およびビニル基を有するシランカップリング剤を併用することができる。 As the silane coupling agent (D), a silane coupling agent having a hydrophobic group and a silane coupling agent having a vinyl group can be used in combination.

シランカップリング剤(D)としては、例えば、下記式(4)で表わされるものが挙げられる。 Examples of the silane coupling agent (D) include those represented by the following formula (4).

-Si-(X)4-n・・・(4)
上記式(4)中、nは1~3の整数を表わす。Yは、疎水性基、親水性基またはビニル基を有するもののうちのいずれかの官能基を表わし、nが1の時は疎水性基であり、nが2または3の時はその少なくとも1つが疎水性基である。Xは、加水分解性基を表わす。
Y n -Si-(X) 4-n ...(4)
In the above formula (4), n represents an integer from 1 to 3. Y represents a functional group having a hydrophobic group, a hydrophilic group, or a vinyl group; when n is 1, it is a hydrophobic group; when n is 2 or 3, at least one of them is a hydrophobic group; It is a hydrophobic group. X represents a hydrolyzable group.

疎水性基は、炭素数1~6のアルキル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基であり、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、フェニル基等が挙げられ、中でも、特に、メチル基が好ましい。 The hydrophobic group is an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an aryl group, or a hydrocarbon group combining these, such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a phenyl group, among others, Methyl group is preferred.

また、親水性基は、例えば、水酸基、スルホン酸基、カルボキシル基またはカルボニル基等が挙げられ、中でも、特に、水酸基が好ましい。なお、親水性基は、官能基として含まれていてもよいが、シランカップリング剤(D)に疎水性を付与するという観点からは含まれていないのが好ましい。 Further, examples of the hydrophilic group include a hydroxyl group, a sulfonic acid group, a carboxyl group, and a carbonyl group, among which a hydroxyl group is particularly preferred. Note that, although the hydrophilic group may be included as a functional group, it is preferably not included from the viewpoint of imparting hydrophobicity to the silane coupling agent (D).

さらに、加水分解性基は、メトキシ基、エトキシ基のようなアルコキシ基、クロロ基またはシラザン基等が挙げられ、中でも、シリカ粒子(C)との反応性が高いことから、シラザン基が好ましい。なお、加水分解性基としてシラザン基を有するものは、その構造上の特性から、上記式(4)中の(Y-Si-)の構造を2つ有するものとなる。 Furthermore, examples of the hydrolyzable group include a methoxy group, an alkoxy group such as an ethoxy group, a chloro group, and a silazane group, among which a silazane group is preferred because of its high reactivity with the silica particles (C). Note that those having a silazane group as a hydrolyzable group have two structures of (Y n -Si-) in the above formula (4) due to their structural characteristics.

上記式(4)で表されるシランカップリング剤(D)の具体例は、次の通りである。
上記官能基として疎水性基を有するものとして、例えば、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、n-プロピルトリメトキシシラン、n-プロピルトリエトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、ヘキシルトリエトキシシラン、デシルトリメトキシシランのようなアルコキシシラン;メチルトリクロロシラン、ジメチルジクロロシラン、トリメチルクロロシラン、フェニルトリクロロシランのようなクロロシラン;ヘキサメチルジシラザンが挙げられる。この中でも、ヘキサメチルジシラザン、トリメチルクロロシラン、トリメチルメトキシシラン、及びトリメチルエトキシシランからなる群から選択される一種以上を含むトリメチルシリル基を有するシランカップリング剤が好ましい。
Specific examples of the silane coupling agent (D) represented by the above formula (4) are as follows.
Examples of the functional group having a hydrophobic group include methyltrimethoxysilane, dimethyldimethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, phenyltriethoxysilane, n-propyltrimethoxysilane, Alkoxysilanes such as n-propyltriethoxysilane, hexyltrimethoxysilane, hexyltriethoxysilane, decyltrimethoxysilane; chlorosilanes such as methyltrichlorosilane, dimethyldichlorosilane, trimethylchlorosilane, phenyltrichlorosilane; hexamethyldisilazane can be mentioned. Among these, a silane coupling agent having a trimethylsilyl group containing one or more selected from the group consisting of hexamethyldisilazane, trimethylchlorosilane, trimethylmethoxysilane, and trimethylethoxysilane is preferred.

上記官能基としてビニル基を有するものとして、例えば、メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルメチルジメトキシシランのようなアルコキシシラン;ビニルトリクロロシラン、ビニルメチルジクロロシランのようなクロロシラン;ジビニルテトラメチルジシラザンが挙げられる。この中でも、メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、ジビニルテトラメチルジシラザン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、及びビニルメチルジメトキシシランからなる群から選択される一種以上を含むビニル基含有オルガノシリル基を有するシランカップリング剤が好ましい。 Examples of those having a vinyl group as the functional group include methacryloxypropyltriethoxysilane, methacryloxypropyltrimethoxysilane, methacryloxypropylmethyldiethoxysilane, methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, and vinyltrimethoxysilane. Alkoxysilanes such as silane and vinylmethyldimethoxysilane; chlorosilanes such as vinyltrichlorosilane and vinylmethyldichlorosilane; and divinyltetramethyldisilazane. Among these, methacryloxypropyltriethoxysilane, methacryloxypropyltrimethoxysilane, methacryloxypropylmethyldiethoxysilane, methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, divinyltetramethyldisilazane, vinyltriethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, and vinyl A silane coupling agent having a vinyl group-containing organosilyl group containing one or more selected from the group consisting of methyldimethoxysilane is preferred.

本実施形態において、シランカップリング剤(D)の含有量の下限値は、ビニル基含有オルガノポリシロキサン(A)の合計量100重量部に対して、1質量%以上であることが好ましく、3質量%以上であることがより好ましく、5質量%以上であることがさらに好ましい。また、シランカップリング剤(D)の含有量上限値は、ビニル基含有オルガノポリシロキサン(A)の合計量100重量部に対して、100質量%以下であることが好ましく、80質量%以下であることがより好ましく、40質量%以下であることがさらに好ましい。
シランカップリング剤(D)の含有量を上記下限値以上とすることにより、導電性ペーストを用いて形成された配線とエラストマーを含有する基板との適度な密着性を持ち、また、シリカ粒子(C)を用いる場合においては、配線と基板全体としての機械的強度の向上に資することができる。また、シランカップリング剤(D)の含有量を上記上限値以下とすることにより、導電性樹脂膜が適度な機械特性を持つことができる。
In the present embodiment, the lower limit of the content of the silane coupling agent (D) is preferably 1% by mass or more, based on 100 parts by weight of the vinyl group-containing organopolysiloxane (A), and 3% by mass or more. It is more preferably at least 5% by mass, even more preferably at least 5% by mass. Further, the upper limit of the content of the silane coupling agent (D) is preferably 100% by mass or less, and 80% by mass or less, based on 100 parts by weight of the vinyl group-containing organopolysiloxane (A). It is more preferable that the amount is 40% by mass or less.
By setting the content of the silane coupling agent (D) to the above lower limit value or more, the wiring formed using the conductive paste and the substrate containing the elastomer can have appropriate adhesion, and the silica particles ( When C) is used, it can contribute to improving the mechanical strength of the wiring and the board as a whole. Further, by controlling the content of the silane coupling agent (D) to be equal to or less than the above upper limit, the conductive resin film can have appropriate mechanical properties.

またシランカップリング剤(D)がトリメチルシリル基を有するシランカップリング剤およびビニル基含有オルガノシリル基を有するシランカップリング剤の2種を含む場合、疎水性基を有するものとしてはヘキサメチルジシラザン、ビニル基を有するものとしてはジビニルテトラメチルジシラザンを含むことが好ましい。 In addition, when the silane coupling agent (D) contains two types, a silane coupling agent having a trimethylsilyl group and a silane coupling agent having a vinyl group-containing organosilyl group, those having a hydrophobic group include hexamethyldisilazane, The vinyl group-containing compound preferably includes divinyltetramethyldisilazane.

トリメチルシリル基を有するシランカップリング剤(D1)およびビニル基含有オルガノシリル基を有するシランカップリング剤(D2)を併用する場合、(D1)と(D2)の比率は、特に限定されないが、例えば、重量比で(D1):(D2)が、1:0.001~1:0.35、好ましくは1:0.01~1:0.20、より好ましくは1:0.03~1:0.15である。このような数値範囲とすることにより、所望のシリコーンゴムの物性を得ることができる。具体的には、ゴム中におけるシリカの分散性およびゴムの架橋性のバランスを図ることができる。 When a silane coupling agent (D1) having a trimethylsilyl group and a silane coupling agent (D2) having a vinyl group-containing organosilyl group are used together, the ratio of (D1) and (D2) is not particularly limited, but for example, The weight ratio (D1):(D2) is 1:0.001 to 1:0.35, preferably 1:0.01 to 1:0.20, more preferably 1:0.03 to 1:0. It is .15. By setting the value within such a numerical range, desired physical properties of the silicone rubber can be obtained. Specifically, it is possible to balance the dispersibility of silica in the rubber and the crosslinkability of the rubber.

<<白金または白金化合物(E)>>
本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、白金または白金化合物(E)を含むことができる。
白金または白金化合物(E)は、硬化の際の触媒として作用する触媒成分である。白金または白金化合物(E)の添加量は触媒量である。
<<Platinum or platinum compound (E)>>
The silicone rubber-based curable composition of this embodiment can contain platinum or a platinum compound (E).
Platinum or a platinum compound (E) is a catalyst component that acts as a catalyst during curing. The amount of platinum or platinum compound (E) added is a catalytic amount.

白金または白金化合物(E)としては、公知のものを使用することができ、例えば、白金黒、白金をシリカやカーボンブラック等に担持させたもの、塩化白金酸または塩化白金酸のアルコール溶液、塩化白金酸とオレフィンの錯塩、塩化白金酸とビニルシロキサンとの錯塩等が挙げられる。 As platinum or platinum compound (E), known ones can be used, such as platinum black, platinum supported on silica, carbon black, etc., chloroplatinic acid or an alcoholic solution of chloroplatinic acid, chloroplatinic acid, etc. Examples include complex salts of platinic acid and olefins, complex salts of chloroplatinic acid and vinylsiloxane, and the like.

なお、白金または白金化合物(E)は、1種のみを単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。 In addition, one type of platinum or platinum compound (E) may be used alone, or two or more types may be used in combination.

本実施形態において、シリコーンゴム系硬化性組成物中における白金または白金化合物(E)の含有量は、触媒量を意味し、適宜設定することができるが、具体的にはビニル基含有オルガノポリシロキサン(A)、シリカ粒子(C)、シランカップリング剤(D)の合計量100重量部に対して、白金族金属が重量単位で0.01~1000ppmとなる量であり、好ましくは、0.1~500ppmとなる量である。
白金または白金化合物(E)の含有量を上記下限値以上とすることにより、シリコーンゴム系硬化性組成物が適切な速度で硬化することが可能となる。また、白金または白金化合物(E)の含有量を上記上限値以下とすることにより、製造コストの削減に資することができる。
In this embodiment, the content of platinum or platinum compound (E) in the silicone rubber-based curable composition means a catalytic amount, and can be set appropriately, but specifically, the content of platinum or platinum compound (E) in the silicone rubber-based curable composition is The amount of platinum group metal is 0.01 to 1000 ppm by weight, preferably 0.01 to 1000 ppm by weight, based on 100 parts by weight of the total amount of (A), silica particles (C), and silane coupling agent (D). The amount is 1 to 500 ppm.
By setting the content of platinum or platinum compound (E) to the above lower limit or more, the silicone rubber-based curable composition can be cured at an appropriate speed. Further, by controlling the content of platinum or platinum compound (E) to be equal to or less than the above upper limit value, it is possible to contribute to reduction in manufacturing costs.

<<水(F)>>
また、本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物には、上記成分(A)~(E)以外に、水(F)が含まれていてもよい。
<<Water (F)>>
Further, the silicone rubber-based curable composition of the present embodiment may contain water (F) in addition to the above-mentioned components (A) to (E).

水(F)は、シリコーンゴム系硬化性組成物に含まれる各成分を分散させる分散媒として機能するとともに、シリカ粒子(C)とシランカップリング剤(D)との反応に寄与する成分である。そのため、シリコーンゴム中において、シリカ粒子(C)とシランカップリング剤(D)とを、より確実に互いに連結したものとすることができ、全体として均一な特性を発揮することができる。 Water (F) functions as a dispersion medium for dispersing each component contained in the silicone rubber-based curable composition, and is a component that contributes to the reaction between the silica particles (C) and the silane coupling agent (D). . Therefore, in the silicone rubber, the silica particles (C) and the silane coupling agent (D) can be more reliably connected to each other, and uniform characteristics can be exhibited as a whole.

さらに、水(F)を含有する場合、その含有量は、適宜設定することができるが、具体的には、シランカップリング剤(D)100重量部に対して、例えば、10~100重量部の範囲であるのが好ましく、30~70重量部の範囲であるのがより好ましい。これにより、シランカップリング剤(D)とシリカ粒子(C)との反応をより確実に進行させることができる。 Furthermore, when containing water (F), its content can be set as appropriate, but specifically, for example, 10 to 100 parts by weight per 100 parts by weight of the silane coupling agent (D). The amount is preferably in the range of 30 to 70 parts by weight, and more preferably 30 to 70 parts by weight. Thereby, the reaction between the silane coupling agent (D) and the silica particles (C) can proceed more reliably.

<<有機過酸化物(H)>>
本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、有機過酸化物(H)を含むことができる。有機過酸化物(H)は、触媒として作用する成分である。有機過酸化物(H)は、オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B)および白金または白金化合物(E)に代えて、またはオルガノハイドロジェンポリシロキサン(B)および白金または白金化合物(E)と有機過酸化物(H)を併用して使用することができる。
<<Organic peroxide (H)>>
The silicone rubber-based curable composition of this embodiment can contain an organic peroxide (H). Organic peroxide (H) is a component that acts as a catalyst. The organic peroxide (H) can be used in place of the organohydrogenpolysiloxane (B) and platinum or a platinum compound (E), or in combination with the organohydrogenpolysiloxane (B) and platinum or a platinum compound (E). (H) can be used in combination.

有機過酸化物(H)としては、例えば、ケトンパーオキサイド類、ジアシルパーオキサイド類、ハイドロパーオキサイド類、ジアルキルパーオキサイド類、パーオキシケタール類、アルキルパーエステル類、パーオキシエステル類およびパーオキシジカーボネート類が挙げられ、具体的には、例えばベンゾイルパーオキサイド、2,4-ジクロロベンゾイルパーオキサイド、p-メチルベンゾイルパーオキサイド、o-メチルベンゾイルパーオキサイド、ジクミルパーオキサイド、2,5-ジメチル-ビス(2,5-t-ブチルパーオキシ)ヘキサン、ジ-t-ブチルパーオキサイド、t-ブチルパーベンゾエート、1,6-ヘキサンジオール-ビス-t-ブチルパーオキシカーボネート等が挙げられる。 Examples of the organic peroxide (H) include ketone peroxides, diacyl peroxides, hydroperoxides, dialkyl peroxides, peroxyketals, alkyl peresters, peroxyesters, and peroxydi Carbonates include, specifically, benzoyl peroxide, 2,4-dichlorobenzoyl peroxide, p-methylbenzoyl peroxide, o-methylbenzoyl peroxide, dicumyl peroxide, 2,5-dimethyl- Examples include bis(2,5-t-butylperoxy)hexane, di-t-butyl peroxide, t-butylperbenzoate, 1,6-hexanediol-bis-t-butylperoxycarbonate, and the like.

本実施形態において、シリコーンゴム系硬化性組成物中における有機過酸化物(H)の含有量は、具体的にはビニル基含有オルガノポリシロキサン(A)、シリカ粒子(C)、シランカップリング剤(D)の合計量100重量部に対して0.001~10質量%、特に0.002~8質量%が好ましい。有機過酸化物(H)の含有量を上記下限値以上とすることにより、架橋反応を十分に進行させることができ、高いゴム強度、また低い圧縮永久歪等の物性を担保することが可能となる。また、有機過酸化物(H)の含有量を上記上限値以下にすることにより、触媒の分解物を抑制することができる、また、圧縮永久歪を抑制し、得られたシートの変色を抑制することができる。 In this embodiment, the content of the organic peroxide (H) in the silicone rubber-based curable composition specifically includes vinyl group-containing organopolysiloxane (A), silica particles (C), and a silane coupling agent. It is preferably 0.001 to 10% by weight, particularly 0.002 to 8% by weight, based on 100 parts by weight of the total amount of (D). By setting the content of organic peroxide (H) to the above lower limit value or more, the crosslinking reaction can sufficiently proceed, and it is possible to ensure physical properties such as high rubber strength and low compression set. Become. In addition, by keeping the content of organic peroxide (H) below the above upper limit, it is possible to suppress decomposition products of the catalyst, suppress compression set, and suppress discoloration of the obtained sheet. can do.

(その他の成分)
さらに、本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、上記(A)~(F)成分以外に、他の成分をさらに含むことができる。この他の成分としては、例えば、珪藻土、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化セリウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、炭酸亜鉛、ガラスウール、マイカ等のシリカ粒子(C)以外の無機充填材、反応阻害剤、分散剤、顔料、染料、帯電防止剤、酸化防止剤、難燃剤、熱伝導性向上剤等の添加剤が挙げられる。
(Other ingredients)
Furthermore, the silicone rubber-based curable composition of the present embodiment may further contain other components in addition to the above-mentioned components (A) to (F). Other components other than silica particles (C) include diatomaceous earth, iron oxide, zinc oxide, titanium oxide, barium oxide, magnesium oxide, cerium oxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, zinc carbonate, glass wool, mica, etc. Examples of additives include inorganic fillers, reaction inhibitors, dispersants, pigments, dyes, antistatic agents, antioxidants, flame retardants, thermal conductivity improvers, and the like.

(導電性フィラー)
本実施形態の導電性ペーストは、導電性フィラーを含むものである。この導電性フィラーとしては、公知の導電材料を用いることができる。
例えば、配線を構成するエラストマーは、例えば、導電性フィラーとして、金属、カーボンまたは導電性ポリマーを含むことができる。導電性フィラーは、粉粒状、繊維状、ワイヤー状のいずれであってもよい。これらを単独で用いても2種以上を組み合わせて用いてもよい。
(conductive filler)
The conductive paste of this embodiment contains a conductive filler. As this conductive filler, a known conductive material can be used.
For example, the elastomer constituting the wiring can contain, for example, metal, carbon, or a conductive polymer as a conductive filler. The conductive filler may be in the form of powder, fiber, or wire. These may be used alone or in combination of two or more.

上記導電性フィラーは、金属粉(G)を含むことができる。
上記金属粉(G)を構成する金属は特に限定はされないが、例えば、銅、銀、金、ニッケル、錫、鉛、亜鉛、ビスマス、アンチモン、或いはこれらを合金化した金属粉のうち少なくとも一種類、あるいは、これらのうちの二種以上を含むことができる。
これらのうち、金属粉(G)としては、導電性の高さや入手容易性の高さから、銀または銅を含むこと、すなわち、銀粉または銅粉を含むことが好ましい。
なお、これらの金属粉(G)は他種金属でコートしたものも使用できる。
The conductive filler may include metal powder (G).
The metal constituting the metal powder (G) is not particularly limited, but for example, at least one metal powder selected from copper, silver, gold, nickel, tin, lead, zinc, bismuth, antimony, or an alloy of these metal powders. , or two or more of these.
Among these, the metal powder (G) preferably contains silver or copper, that is, contains silver powder or copper powder, from the viewpoint of high conductivity and high availability.
Note that these metal powders (G) coated with other metals can also be used.

上記金属粉(G)としては、形状にとくに制限はないが、鱗片状、樹枝状、球状等が用いられる。これらを単独で用いても2種以上を組み合わせて用いてもよい。この中でも、伸縮時の接続信頼性の観点から、鱗片状を用いることが好ましい。 The shape of the metal powder (G) is not particularly limited, but scaly, dendritic, spherical, etc. are used. These may be used alone or in combination of two or more. Among these, it is preferable to use a scaly shape from the viewpoint of connection reliability during expansion and contraction.

上記カーボンとしては、公知の導電性カーボンであれば特に限定されないが、例えば、カーボンブラック、アセチレンブラック、グラファイト、炭素繊維、カーボンナノチューブ等が挙げられる。 The above-mentioned carbon is not particularly limited as long as it is a known conductive carbon, and examples thereof include carbon black, acetylene black, graphite, carbon fiber, and carbon nanotubes.

上記導電性ポリマーとしては、公知のものを使用することができ、例えば、導電性ポリマー単体、導電性ポリマー被覆繊維等を用いることができる。 As the above-mentioned conductive polymer, a known one can be used, and for example, a single conductive polymer, a conductive polymer-coated fiber, etc. can be used.

本実施形態において、導電性ペースト中における導電性フィラーの含有量の下限値は、導電性ペーストの全体に対して、30質量%以上であることが好ましく、40質量%以上であることがより好ましく、50質量%以上であることがさらに好ましい。また、導電性ペースト中における導電性フィラーの含有量の上限値は、導電性ペーストの全体に対して、例えば、90質量%以下、85質量%以下であることが好ましく、75質量%以下であることがより好ましく、65質量%以下であることがさらに好ましい。 In this embodiment, the lower limit of the content of the conductive filler in the conductive paste is preferably 30% by mass or more, more preferably 40% by mass or more, based on the entire conductive paste. , more preferably 50% by mass or more. Further, the upper limit of the content of the conductive filler in the conductive paste is, for example, 90% by mass or less, preferably 85% by mass or less, and 75% by mass or less, based on the entire conductive paste. It is more preferably 65% by mass or less.

また、エラストマーおよび導電性フィラーを含有する配線中の導電性フィラーの含有量の下限値は、配線全体に対して、30質量%以上であることが好ましく、40質量%以上であることがより好ましく、50質量%以上であることがさらに好ましい。また、上記配線中の導電性フィラーの含有量の上限値は、配線全体に対して、例えば、95質量%以下、90質量%以下であることが好ましく、87質量%以下であることがより好ましく、85質量%以下であることがさらに好ましい。 Further, the lower limit of the content of the conductive filler in the wiring containing the elastomer and the conductive filler is preferably 30% by mass or more, more preferably 40% by mass or more, based on the entire wiring. , more preferably 50% by mass or more. Further, the upper limit of the content of the conductive filler in the wiring is, for example, preferably 95% by mass or less, 90% by mass or less, and more preferably 87% by mass or less, based on the entire wiring. , more preferably 85% by mass or less.

導電性フィラーの含有量を上記下限値以上とすることにより、エラストマーおよび導電性フィラーを含有する配線が適度な導電特性を持つことができる。また、導電性フィラーの含有量を上記上限値以下とすることにより、配線が適度な柔軟性を持つことができる。 By setting the content of the conductive filler to the above lower limit or more, the wiring containing the elastomer and the conductive filler can have appropriate conductive properties. Further, by controlling the content of the conductive filler to be equal to or less than the above upper limit, the wiring can have appropriate flexibility.

上記金属粉(G)の含有量としては、導電性フィラー100質量%に対して、たとえば、90質量%以上であり、好ましくは95質量%以上であり、より好ましくは99質量%以上であり、一方で、100質量%以下としてもよい。 The content of the metal powder (G) is, for example, 90% by mass or more, preferably 95% by mass or more, more preferably 99% by mass or more, based on 100% by mass of the conductive filler. On the other hand, it may be 100% by mass or less.

また、エラストマーおよび導電性フィラーを含有する配線中のシリカ粒子(C)の含有量の下限値は、シリカ粒子(C)および導電性フィラーの合計量100質量%に対して、例えば、1質量%以上であり、好ましくは3質量%以上であり、より好ましくは5質量%以上とすることができる。これにより、配線の機械的強度を向上させることができる。一方で、上記配線中のシリカ粒子(C)の含有量の上限値は、シリカ粒子(C)および導電性フィラーの合計量100質量%に対して、例えば、20質量%以下であり、好ましくは15質量%以下であり、より好ましくは10質量%以下である。これにより、配線の伸縮電気特性と機械的強度のバランスを図ることができる。 In addition, the lower limit of the content of silica particles (C) in the wiring containing the elastomer and conductive filler is, for example, 1% by mass with respect to 100% by mass of the total amount of silica particles (C) and conductive filler. The content is preferably 3% by mass or more, more preferably 5% by mass or more. Thereby, the mechanical strength of the wiring can be improved. On the other hand, the upper limit of the content of silica particles (C) in the wiring is, for example, 20% by mass or less, and preferably It is 15% by mass or less, more preferably 10% by mass or less. Thereby, it is possible to achieve a balance between the expansion/contraction electrical characteristics and the mechanical strength of the wiring.

(溶剤)
本実施形態の導電性ペーストは、溶剤を含むものである。この溶剤としては、公知の各種溶剤を用いることができるが、例えば、高沸点溶剤を含むことができる。これらを単独で用いても2種以上を組み合わせて用いてもよい。
(solvent)
The conductive paste of this embodiment contains a solvent. As this solvent, various known solvents can be used, and for example, high boiling point solvents can be included. These may be used alone or in combination of two or more.

上記高沸点溶剤の沸点の下限値は、例えば、100℃以上であり、好ましくは130℃以上であり、より好ましくは150℃以上である。これにより、スクリーン印刷などの印刷安定性を向上させることができる。一方で、上記高沸点溶剤の沸点の上限値は、特に限定されないが、例えば、300℃以下でもよく、290℃以下でもよく、280℃以下でもよい。これにより、配線形成時においての過度の熱履歴を抑制できるので、下地基板へのダメージや、導電性ペーストで形成された配線の形状を良好に維持することができる。 The lower limit of the boiling point of the high boiling point solvent is, for example, 100°C or higher, preferably 130°C or higher, and more preferably 150°C or higher. Thereby, printing stability such as screen printing can be improved. On the other hand, the upper limit of the boiling point of the high boiling point solvent is not particularly limited, but may be, for example, 300°C or lower, 290°C or lower, or 280°C or lower. This makes it possible to suppress excessive thermal history during wiring formation, thereby preventing damage to the underlying substrate and maintaining the shape of the wiring formed with the conductive paste.

また、本実施形態の溶剤としては、エラストマー組成物の溶解性や沸点の観点から適切に選択できるが、例えば、炭素数5以上20以下の脂肪族炭化水素、好ましくは炭素数8以上18以下の脂肪族炭化水素、より好ましくは炭素数10以上15以下の脂肪族炭化水素を含むことができる。 Further, the solvent of this embodiment can be appropriately selected from the viewpoint of solubility and boiling point of the elastomer composition, but for example, an aliphatic hydrocarbon having 5 to 20 carbon atoms, preferably 8 to 18 carbon atoms, It can contain an aliphatic hydrocarbon, more preferably an aliphatic hydrocarbon having 10 or more and 15 or less carbon atoms.

また、本実施形態の溶剤の一例としては、例えば、ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカンなどの脂肪族炭化水素類;ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレン、トリフルオロメチルベンゼン、ベンゾトリフルオリドなどの芳香族炭化水素類;ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、シクロペンチルエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、1,4-ジオキサン、1,3-ジオキサン、テトラヒドロフランなどのエーテル類;ジクロロメタン、クロロホルム、1,1-ジクロロエタン、1,2-ジクロロエタン、1,1,1-トリクロロエタン、1,1,2-トリクロロエタンなどのハロアルカン類;N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミドなどのカルボン酸アミド類;ジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキシドなどのスルホキシド類などを例示することができる。これらを単独で用いても2種以上を組み合わせて用いてもよい。
ここで用いられる溶媒は、上記の導電性ペースト中の組成成分を均一に溶解ないし分散させることのできる溶媒の中から適宜選択すればよい。
Further, examples of the solvents of this embodiment include aliphatic hydrocarbons such as pentane, hexane, cyclohexane, heptane, methylcyclohexane, ethylcyclohexane, octane, decane, dodecane, and tetradecane; benzene, toluene, ethylbenzene, and xylene. , trifluoromethylbenzene, benzotrifluoride, and other aromatic hydrocarbons; diethyl ether, diisopropyl ether, dibutyl ether, cyclopentyl methyl ether, cyclopentyl ethyl ether, ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, 1,4- Ethers such as dioxane, 1,3-dioxane, and tetrahydrofuran; haloalkanes such as dichloromethane, chloroform, 1,1-dichloroethane, 1,2-dichloroethane, 1,1,1-trichloroethane, and 1,1,2-trichloroethane; Examples include carboxylic acid amides such as N,N-dimethylformamide and N,N-dimethylacetamide; and sulfoxides such as dimethyl sulfoxide and diethyl sulfoxide. These may be used alone or in combination of two or more.
The solvent used here may be appropriately selected from solvents that can uniformly dissolve or disperse the composition components in the conductive paste.

室温25℃においてせん断速度20〔1/s〕で測定した時の導電性ペーストの粘度の下限値は、例えば、1Pa・s以上であり、好ましくは5Pa・s以上であり、より好ましくは10Pa・s以上である。これにより、成膜性を向上させることができる。また、厚膜形成時においても形状保持性を高めることができる。一方で、室温25℃における導電性ペーストの粘度の上限値は、例えば、100Pa・s以下であり、好ましくは90Pa・s以下であり、より好ましくは80Pa・s以下である。これにより、導電性ペーストにおける印刷性を向上させることができる。 The lower limit of the viscosity of the conductive paste when measured at a room temperature of 25°C and a shear rate of 20 [1/s] is, for example, 1 Pa·s or more, preferably 5 Pa·s or more, and more preferably 10 Pa·s. s or more. Thereby, film formability can be improved. Further, shape retention can be improved even when forming a thick film. On the other hand, the upper limit of the viscosity of the conductive paste at room temperature of 25° C. is, for example, 100 Pa·s or less, preferably 90 Pa·s or less, and more preferably 80 Pa·s or less. Thereby, the printability of the conductive paste can be improved.

(導電性ペーストの製造方法)
以下、本実施形態に係る導電性ペーストの製造方法について説明する。
(Method for manufacturing conductive paste)
Hereinafter, a method for manufacturing a conductive paste according to this embodiment will be described.

本実施形態の導電性ペーストは、たとえば、以下に示すような工程を経ることにより製造することができる。 The conductive paste of this embodiment can be manufactured, for example, through the steps shown below.

まず、シリコーンゴム系硬化性組成物の各成分を、任意の混練装置により、均一に混合してシリコーンゴム系硬化性組成物を調製する。 First, each component of the silicone rubber-based curable composition is uniformly mixed using an arbitrary kneading device to prepare a silicone rubber-based curable composition.

[1]たとえば、ビニル基含有オルガノポリシロキサン(A)と、シリカ粒子(C)と、シランカップリング剤(D)とを所定量秤量し、その後、任意の混練装置により、混練することで、これら各成分(A)、(C)、(D)を含有する混練物を得る。 [1] For example, by weighing a predetermined amount of vinyl group-containing organopolysiloxane (A), silica particles (C), and silane coupling agent (D), and then kneading them with an arbitrary kneading device, A kneaded product containing these components (A), (C), and (D) is obtained.

なお、この混練物は、予めビニル基含有オルガノポリシロキサン(A)とシランカップリング剤(D)とを混練し、その後、シリカ粒子(C)を混練(混合)して得るのが好ましい。これにより、ビニル基含有オルガノポリシロキサン(A)中におけるシリカ粒子(C)の分散性がより向上する。 Note that this kneaded product is preferably obtained by kneading the vinyl group-containing organopolysiloxane (A) and the silane coupling agent (D) in advance, and then kneading (mixing) the silica particles (C). This further improves the dispersibility of the silica particles (C) in the vinyl group-containing organopolysiloxane (A).

また、この混練物を得る際には、水(F)を必要に応じて、各成分(A)、(C)、および(D)の混練物に添加するようにしてもよい。これにより、シランカップリング剤(D)とシリカ粒子(C)との反応をより確実に進行させることができる。 Moreover, when obtaining this kneaded product, water (F) may be added to the kneaded product of each component (A), (C), and (D) as needed. Thereby, the reaction between the silane coupling agent (D) and the silica particles (C) can proceed more reliably.

さらに、各成分(A)、(C)、(D)の混練は、第1温度で加熱する第1ステップと、第2温度で加熱する第2ステップとを経るようにするのが好ましい。これにより、第1ステップにおいて、シリカ粒子(C)の表面をカップリング剤(D)で表面処理することができるとともに、第2ステップにおいて、シリカ粒子(C)とカップリング剤(D)との反応で生成した副生成物を混練物中から確実に除去することができる。その後、必要に応じて、得られた混練物に対して、成分(A)を添加し、更に混練してもよい。これにより、混練物の成分のなじみを向上させることができる。 Furthermore, it is preferable that each component (A), (C), and (D) be kneaded through a first step of heating at a first temperature and a second step of heating at a second temperature. Thereby, in the first step, the surface of the silica particles (C) can be surface-treated with the coupling agent (D), and in the second step, the silica particles (C) and the coupling agent (D) can be treated. By-products generated in the reaction can be reliably removed from the kneaded material. Thereafter, component (A) may be added to the obtained kneaded material and further kneaded, if necessary. Thereby, the familiarity of the components of the kneaded product can be improved.

第1温度は、例えば、40~120℃程度であるのが好ましく、例えば、60~90℃程度であるのがより好ましい。第2温度は、例えば、130~210℃程度であるのが好ましく、例えば、160~180℃程度であるのがより好ましい。 The first temperature is preferably, for example, about 40 to 120°C, more preferably, for example, about 60 to 90°C. The second temperature is preferably, for example, about 130 to 210°C, more preferably, for example, about 160 to 180°C.

また、第1ステップにおける雰囲気は、窒素雰囲気下のような不活性雰囲気下であるのが好ましく、第2ステップにおける雰囲気は、減圧雰囲気下であるのが好ましい。 Further, the atmosphere in the first step is preferably an inert atmosphere such as a nitrogen atmosphere, and the atmosphere in the second step is preferably a reduced pressure atmosphere.

さらに、第1ステップの時間は、例えば、0.3~1.5時間程度であるのが好ましく、0.5~1.2時間程度であるのがより好ましい。第2ステップの時間は、例えば、0.7~3.0時間程度であるのが好ましく、1.0~2.0時間程度であるのがより好ましい。 Furthermore, the time for the first step is preferably about 0.3 to 1.5 hours, more preferably about 0.5 to 1.2 hours. The time for the second step is, for example, preferably about 0.7 to 3.0 hours, more preferably about 1.0 to 2.0 hours.

第1ステップおよび第2ステップを、上記のような条件とすることで、前記効果をより顕著に得ることができる。 By setting the first step and the second step to the above-mentioned conditions, the above-mentioned effect can be obtained more markedly.

[2]次に、オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B)と、白金または白金化合物(E)とを所定量秤量し、その後、任意の混練装置を用いて、上記工程[1]で調製した混練物に、各成分(B)、(E)を混練することで、シリコーンゴム系硬化性組成物(エラストマー組成物)を得る。 [2] Next, predetermined amounts of organohydrogenpolysiloxane (B) and platinum or platinum compound (E) are weighed, and then, using an arbitrary kneading device, the kneaded product prepared in the above step [1] A silicone rubber curable composition (elastomer composition) is obtained by kneading each component (B) and (E).

なお、この各成分(B)、(E)の混練の際には、予め上記工程[1]で調製した混練物とオルガノハイドロジェンポリシロキサン(B)とを、上記工程[1]で調製した混練物と白金または白金化合物(E)とを混練し、その後、それぞれの混練物を混練するのが好ましい。これにより、ビニル基含有オルガノポリシロキサン(A)とオルガノハイドロジェンポリシロキサン(B)との反応を進行させることなく、各成分(A)~(E)をシリコーンゴム系硬化性組成物中に確実に分散させることができる。 In addition, when kneading these components (B) and (E), the kneaded product prepared in advance in the above step [1] and the organohydrogenpolysiloxane (B) prepared in the above step [1] It is preferable to knead the kneaded material and platinum or the platinum compound (E), and then knead each kneaded material. This ensures that each component (A) to (E) is incorporated into the silicone rubber curable composition without proceeding with the reaction between the vinyl group-containing organopolysiloxane (A) and the organohydrogenpolysiloxane (B). can be dispersed into

各成分(B)、(E)を混練する際の温度は、ロール設定温度として、例えば、10~70℃程度であるのが好ましく、25~30℃程度であるのがより好ましい。 The temperature at which the components (B) and (E) are kneaded is, for example, preferably about 10 to 70°C, more preferably about 25 to 30°C, as the roll setting temperature.

さらに、混練する時間は、例えば、5分~1時間程度であるのが好ましく、10~40分程度であるのがより好ましい。 Furthermore, the kneading time is preferably about 5 minutes to 1 hour, more preferably about 10 to 40 minutes.

上記工程[1]および上記工程[2]において、温度を上記範囲内とすることにより、ビニル基含有オルガノポリシロキサン(A)とオルガノハイドロジェンポリシロキサン(B)との反応の進行をより的確に防止または抑制することができる。また、上記工程[1]および上記工程[2]において、混練時間を上記範囲内とすることにより、各成分(A)~(E)をシリコーンゴム系硬化性組成物中により確実に分散させることができる。 In the above step [1] and the above step [2], by setting the temperature within the above range, the reaction between the vinyl group-containing organopolysiloxane (A) and the organohydrogenpolysiloxane (B) can proceed more accurately. Can be prevented or suppressed. In addition, in the above step [1] and the above step [2], each component (A) to (E) can be more reliably dispersed in the silicone rubber curable composition by keeping the kneading time within the above range. I can do it.

なお、各工程[1]、[2]において使用される混練装置としては、特に限定されないが、例えば、ニーダー、2本ロール、バンバリーミキサー(連続ニーダー)、加圧ニーダー等を用いることができる。 The kneading device used in each step [1] and [2] is not particularly limited, and for example, a kneader, two rolls, Banbury mixer (continuous kneader), pressure kneader, etc. can be used.

また、本工程[2]において、混練物中に1-エチニルシクロヘキサノールのような反応抑制剤を添加するようにしてもよい。これにより、混練物の温度が比較的高い温度に設定されたとしても、ビニル基含有オルガノポリシロキサン(A)とオルガノハイドロジェンポリシロキサン(B)との反応の進行をより的確に防止または抑制することができる。 Further, in this step [2], a reaction inhibitor such as 1-ethynylcyclohexanol may be added to the kneaded material. Thereby, even if the temperature of the kneaded material is set to a relatively high temperature, the progress of the reaction between the vinyl group-containing organopolysiloxane (A) and the organohydrogenpolysiloxane (B) can be more accurately prevented or suppressed. be able to.

また、本工程[2]において、オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B)と白金または白金化合物(E)に代えて、またはオルガノハイドロジェンポリシロキサン(B)と白金または白金化合物(E)と併用して、有機過酸化物(H)を添加してもよい。有機過酸化物(G)を混練する際の温度、時間等の好ましい条件、使用する装置については、オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B)と、白金または白金化合物(E)とを混練する際の条件と同様である。 In addition, in this step [2], instead of the organohydrogenpolysiloxane (B) and platinum or the platinum compound (E), or in combination with the organohydrogenpolysiloxane (B) and platinum or the platinum compound (E), , an organic peroxide (H) may be added. Preferred conditions such as temperature and time when kneading the organic peroxide (G) and the equipment to be used are the conditions when kneading the organohydrogenpolysiloxane (B) and platinum or platinum compound (E). It is similar to

[3]次に、工程[2]で得られたエラストマー組成物(シリコーンゴム系硬化性組成物)を、溶剤に溶解させ、導電性フィラー(金属粉(G))を加えることで、導電性ペーストを得ることができる。 [3] Next, the elastomer composition (silicone rubber curable composition) obtained in step [2] is dissolved in a solvent, and a conductive filler (metal powder (G)) is added to make it conductive. You can get a paste.

[伸縮性配線基板]
以下、伸縮性配線基板(配線基板50)の一例について、図1を示しながら説明する。図1には、伸縮性配線基板を備えた電子装置100(ウェアラブルデバイス)の概略を断面図として図示している。
[Stretchable wiring board]
An example of a stretchable wiring board (wiring board 50) will be described below with reference to FIG. FIG. 1 shows a schematic cross-sectional view of an electronic device 100 (wearable device) including a stretchable wiring board.

電子装置100は、図1に示すように、配線基板50と、電子部品60と、を備えることができる。 The electronic device 100 can include a wiring board 50 and an electronic component 60, as shown in FIG.

配線基板50(伸縮性配線基板)は、基板20上に配線10を備えることにより構成される。基板20は、エラストマーを含有し、上記の絶縁性ペーストを硬化させたもので構成され得る。配線基板50は、配線10の少なくとも下面と接するもので、配線10を支持する部材である。 The wiring board 50 (stretchable wiring board) is configured by providing the wiring 10 on the board 20. The substrate 20 may contain an elastomer and may be made of a cured insulating paste. The wiring board 50 is in contact with at least the lower surface of the wiring 10 and is a member that supports the wiring 10.

配線10は、エラストマーおよび導電性フィラーを含有し、上記の導電性ペーストを硬化させたもので構成され得る。配線10は、上面視において、直線状、矩形状、巻き形状等の各種の配線パターンを有し得る。 The wiring 10 contains an elastomer and a conductive filler, and may be made of a hardened conductive paste. The wiring 10 may have various wiring patterns such as a linear shape, a rectangular shape, and a coiled shape when viewed from above.

本実施形態の電子装置100を構成する基板20は、通常、柔軟性を有する材料により構成される。
この材料としては、前述のエラストマーと同様のものを採用することができる。具体的には、シリコーンゴム、ウレタンゴム、フッ素ゴム、ニトリルゴム、アクリルゴム、スチレンゴム、クロロプレンゴム、エチレンプロピレンゴム等を用いることができ、用途等に応じ、この材料を適宜選択することができる。また、基板20は、上記のシリコーンゴム系硬化性組成物の硬化物で構成されていてもよい。
The substrate 20 that constitutes the electronic device 100 of this embodiment is usually made of a flexible material.
As this material, the same material as the above-mentioned elastomer can be used. Specifically, silicone rubber, urethane rubber, fluororubber, nitrile rubber, acrylic rubber, styrene rubber, chloroprene rubber, ethylene propylene rubber, etc. can be used, and the material can be selected as appropriate depending on the application. . Further, the substrate 20 may be made of a cured product of the above-mentioned silicone rubber-based curable composition.

また、基板20は、上述のエラストマー組成物を用いて作製することができる。また、基板20は、シリカ粒子を含有するエラストマー組成物と溶剤とを含む絶縁性ペーストを用いて構成されていてもよい。この溶剤としては、前述の溶剤と同様の上述の溶剤種を用いることができるが、この中でも上記導電性ペーストや導電性ペーストの硬化物である導電性シートに対して溶解性を示す溶剤を用いることができる。具体的な絶縁性ペーストの溶剤としては、例えば、高沸点溶剤等を用いることができる。
絶縁ペーストは、上記の導電性ペーストの製造方法と同様にして、工程[2]で得られたエラストマー組成物(シリコーンゴム系硬化性組成物)を、溶剤に溶解させて絶縁性ペーストが得られる。
Moreover, the substrate 20 can be produced using the above-mentioned elastomer composition. Further, the substrate 20 may be configured using an insulating paste containing an elastomer composition containing silica particles and a solvent. As this solvent, the above-mentioned solvent types similar to the above-mentioned solvents can be used, but among these, a solvent that is soluble in the above-mentioned conductive paste or a conductive sheet that is a cured product of the conductive paste is used. be able to. As a specific solvent for the insulating paste, for example, a high boiling point solvent can be used.
The insulating paste is obtained by dissolving the elastomer composition (silicone rubber-based curable composition) obtained in step [2] in a solvent in the same manner as the method for producing the conductive paste described above. .

この場合、絶縁性ペースト中におけるエラストマー組成物の含有量は、絶縁性ペースト全体に対して、5質量%以上であることが好ましく、8質量%以上であることがより好ましく、10質量%以上であることがさらに好ましい。また、絶縁性ペースト中におけるエラストマー組成物の含有量は、絶縁性ペースト全体に対して、50質量%以下であることが好ましく、45質量%以下であることがより好ましく、40質量%以下であることがさらに好ましい。絶縁ペーストから基板を作製する際は、支持体に絶縁ペーストを塗布後、溶剤を揮発させることで作製することが可能である。必要に応じて、溶剤を揮発させた膜をさらなる加熱によって硬化させてもよい。 In this case, the content of the elastomer composition in the insulating paste is preferably 5% by mass or more, more preferably 8% by mass or more, and 10% by mass or more, based on the entire insulating paste. It is even more preferable that there be. Further, the content of the elastomer composition in the insulating paste is preferably 50% by mass or less, more preferably 45% by mass or less, and 40% by mass or less based on the entire insulating paste. It is even more preferable. When producing a substrate from an insulating paste, it can be produced by applying the insulating paste to a support and then volatilizing the solvent. If necessary, the film from which the solvent has been volatilized may be cured by further heating.

また、シリカ粒子(C)の含有量の上限値は、ビニル基含有オルガノポリシロキサン(A)の合計量100重量部に対し、例えば、60重量部以下でもよく、好ましくは50重量部以下でもよく、さらに好ましくは35重量部以下でもよい。これにより、硬さや引張強等の機械的強度のバランスを図ることができる。また、シリカ粒子(C)の含有量の下限値は、ビニル基含有オルガノポリシロキサン(A)の合計量100重量部に対し、特に限定されないが、例えば、20重量部以上でもよい。 Further, the upper limit of the content of the silica particles (C) may be, for example, 60 parts by weight or less, preferably 50 parts by weight or less, based on 100 parts by weight of the total amount of the vinyl group-containing organopolysiloxane (A). , more preferably 35 parts by weight or less. This makes it possible to balance mechanical strengths such as hardness and tensile strength. Further, the lower limit of the content of the silica particles (C) is not particularly limited to 100 parts by weight of the total amount of the vinyl group-containing organopolysiloxane (A), but may be, for example, 20 parts by weight or more.

また、エラストマーを含有する基板が含むシリカ粒子(C)の含有量の上限値は、基板全体に対して、例えば、60質量%以下であることが好ましく、50質量%以下であることがより好ましく、40質量%以下であることがさらに好ましい。また、上記基板中のシリカ粒子(C)の含有量の下限値は、基板全体に対して、例えば、5質量%以上であることが好ましく、10質量%以上であることがより好ましく、15質量%以上であることがさらに好ましい。
基板中のシリカ粒子(C)の含有量を上記下限値以上とすることにより、基板が適度な機械的強度を持つことができる。一方、基板中のシリカ粒子(C)の含有量を上記上限値以下とすることにより、基板が適度な伸縮特性を持つことができる。これにより、繰り返し使用時における耐久性を高めることができる。
Further, the upper limit of the content of silica particles (C) contained in a substrate containing an elastomer is preferably, for example, 60% by mass or less, and more preferably 50% by mass or less, based on the entire substrate. , more preferably 40% by mass or less. Further, the lower limit of the content of silica particles (C) in the substrate is, for example, preferably 5% by mass or more, more preferably 10% by mass or more, and 15% by mass or more, based on the entire substrate. % or more is more preferable.
By setting the content of silica particles (C) in the substrate to the above lower limit or more, the substrate can have appropriate mechanical strength. On the other hand, by controlling the content of silica particles (C) in the substrate to be equal to or less than the above upper limit, the substrate can have appropriate elastic properties. Thereby, durability during repeated use can be improved.

本実施形態において、伸縮性配線基板(配線基板50)は、H1、T1、およびT2が、以下の式(I)を満たす剛性構造を有するものである。かかる剛性構造は、伸縮性配線基板の少なくとも一部に形成されていればよく、配線が形成された領域全体亘って構成されていてもよい。また、配線基板50の積層構造中、配線10と配線10の下面に接した配線10とが、上記剛性構造を満たすものであればよい。 In this embodiment, the stretchable wiring board (wiring board 50) has a rigid structure in which H1, T1, and T2 satisfy the following formula (I). Such a rigid structure may be formed on at least a portion of the stretchable wiring board, and may be formed over the entire area where wiring is formed. Further, in the laminated structure of the wiring board 50, the wiring 10 and the wiring 10 in contact with the lower surface of the wiring 10 may satisfy the above-mentioned rigid structure.

20≦H1×(T1/T2)≦1000 ・・(I)
上記式(I)中、基板厚みT1は、未伸長時の基板20の厚み(μm)とし、H1は、未伸長時の基板20のJIS K6253(1997)に準拠した25℃におけるタイプAデュロメータ硬さとし、T2は、未伸長時の配線10の厚み(μm)とする。
20≦H1×(T1/T2)≦1000...(I)
In the above formula (I), the substrate thickness T1 is the thickness (μm) of the substrate 20 in the unstretched state, and H1 is the type A durometer hardness of the substrate 20 in the unstretched state at 25°C according to JIS K6253 (1997). Let T2 be the thickness (μm) of the wiring 10 when it is not stretched.

上記式(I)中のH1×(T1/T2)の下限値は、20以上、好ましくは30以上、より好ましくは40以上である。これにより、伸長時特性を高めることができる。一方、H1×(T1/T2)の上限値は、1000以下、好ましくは960以下、より好ましくは930以下である。これにより、ウェアラブルデバイス適合性を高めることができる。 The lower limit value of H1×(T1/T2) in the above formula (I) is 20 or more, preferably 30 or more, and more preferably 40 or more. Thereby, the properties during elongation can be improved. On the other hand, the upper limit of H1×(T1/T2) is 1000 or less, preferably 960 or less, and more preferably 930 or less. Thereby, suitability for wearable devices can be improved.

上記式(I)中のH1(基板硬度)は、例えば、20~80、好ましくは25~75、より好ましくは30~70である。このような数値範囲内とすることにより、伸長時特性をより一層高めることができる。
なお、基板20の厚みが所定厚みに満たない場合、例えば、基板20の一部を切り出した切出片を複数枚積層して、所定厚みのサンプルを作成し、このサンプルの硬度を「H1」としてもよい。
H1 (substrate hardness) in the above formula (I) is, for example, 20 to 80, preferably 25 to 75, more preferably 30 to 70. By setting it within such a numerical range, the properties upon elongation can be further improved.
In addition, if the thickness of the substrate 20 is less than a predetermined thickness, for example, a plurality of pieces cut out from a part of the substrate 20 are laminated to create a sample with a predetermined thickness, and the hardness of this sample is set to "H1". You can also use it as

基板厚みT1、配線厚みT2は、次のようにして測定できる。図3を用いて説明する。図3は、厚みの測定方法を説明するための配線基板50の概略を示す。図3(a)中、X軸、Y軸、Z軸は、3次元空間において互いに直交する。Z軸方向は、基板や配線の厚み方向、X軸方向は、上面視形状が矩形形状の配線の短手方向(幅方向)、Y軸方向は、上面視形状が矩形形状の配線の長手方向(延在方向)を意味する。図3(b)は、図3(a)のA-A矢視における断面図である。 The substrate thickness T1 and the wiring thickness T2 can be measured as follows. This will be explained using FIG. 3. FIG. 3 schematically shows a wiring board 50 for explaining the thickness measurement method. In FIG. 3(a), the X-axis, Y-axis, and Z-axis are orthogonal to each other in three-dimensional space. The Z-axis direction is the thickness direction of the board and wiring, the X-axis direction is the short direction (width direction) of the wiring that is rectangular in top view, and the Y-axis direction is the longitudinal direction of the wiring that is rectangular in top view. (extending direction). FIG. 3(b) is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 3(a).

<基板厚みT1>
配線基板50の厚みについて、定圧厚さ測定器を用いて、図3(a)中の点線で囲まれた5点を測定する。5点は、配線10の近傍のものであればよく、隣接した点間距離が等間隔となるように選択する。5点の厚みの平均値を、基板厚みT1とする。
<Substrate thickness T1>
The thickness of the wiring board 50 is measured at five points surrounded by dotted lines in FIG. 3A using a constant pressure thickness measuring device. The five points need only be near the wiring 10, and are selected so that the distances between adjacent points are equal. The average value of the thicknesses at five points is defined as the substrate thickness T1.

<配線厚みT2>
配線10の幅方向(X方向)の中心を、イオンビームを用いて研磨し、切断面を得る。得られた切断面について、視野領域:600μm×480μm、視野数:1視野、倍率:200倍の条件で、走査型電子顕微鏡(SEM)を用いて観察像を得る。図3(b)に示すように、配線10の中央部近傍における厚みを、観察像に基づいて計測し、配線厚みT2とする。
なお、配線10が上面視形状が四角形状の電極パッドの場合、切断面は電極パッドの中央近傍を通過すればよい。
<Wiring thickness T2>
The center of the wiring 10 in the width direction (X direction) is polished using an ion beam to obtain a cut surface. An observation image of the obtained cut surface is obtained using a scanning electron microscope (SEM) under the following conditions: viewing area: 600 μm x 480 μm, number of fields: 1 field, and magnification: 200 times. As shown in FIG. 3B, the thickness near the center of the wiring 10 is measured based on the observed image, and is defined as the wiring thickness T2.
Note that when the wiring 10 is an electrode pad having a rectangular shape in top view, the cut surface may pass near the center of the electrode pad.

上記基板厚みT1は、例えば、5μm~5mm、好ましくは10μm~3mm、より好ましくは15μm~1.5mmである。基板厚みT1を上記下限値以上とすることで、基板の絶縁性を向上させることや、伸縮性配線基板の機械的強度を向上させることができる。基板厚みT1を上記上限値以下とすることで、伸縮性配線基板の柔軟性を向上させることができる。また製造コストを押させることができる。 The substrate thickness T1 is, for example, 5 μm to 5 mm, preferably 10 μm to 3 mm, and more preferably 15 μm to 1.5 mm. By setting the substrate thickness T1 to be equal to or greater than the above lower limit, it is possible to improve the insulation properties of the substrate and the mechanical strength of the stretchable wiring board. By setting the substrate thickness T1 to be less than or equal to the above upper limit value, the flexibility of the stretchable wiring board can be improved. Also, manufacturing costs can be reduced.

上記配線厚みT2は、例えば、3μm~300μm、好ましくは5μm~200μm、より好ましくは10μm~100μmである。配線厚みT2を上記下限値以上とすることで、配線の導通性を向上させ、伸縮性配線基板の伸長時接続性を向上させることができる。配線厚みT2を上記上限値以下とすることで、伸縮性配線基板の柔軟性を向上させることができる。また製造コストを押させることができる。 The wiring thickness T2 is, for example, 3 μm to 300 μm, preferably 5 μm to 200 μm, and more preferably 10 μm to 100 μm. By setting the wiring thickness T2 to be equal to or greater than the above lower limit value, conductivity of the wiring can be improved, and connectivity when the stretchable wiring board is stretched can be improved. By setting the wiring thickness T2 to be less than or equal to the above upper limit value, the flexibility of the stretchable wiring board can be improved. Also, manufacturing costs can be reduced.

また、本実施形態において、基板厚みT1/配線厚みT2は、例えば、1.0~30.0、好ましくは1.5~25.0、より好ましくは2.0~22.0である。このような数値範囲とすることにより、50%伸長時の接続信頼性とともにウェアラブル適合性のバランスを図ることができる。 Further, in this embodiment, the substrate thickness T1/wiring thickness T2 is, for example, 1.0 to 30.0, preferably 1.5 to 25.0, and more preferably 2.0 to 22.0. By setting such a numerical value range, it is possible to achieve a balance between connection reliability at 50% expansion and wearable suitability.

基板の、JIS K6252(2001)に準拠して測定される引裂強度の下限値としては、例えば、25N/mm以上であり、好ましくは30N/mm以上であり、より好ましくは33N/mm以上であり、さらに好ましくは35N/mm以上である。これにより、耐傷付き性や機械的強度を向上させることができる。また、基板の繰り返し使用時における耐久性を向上させることができる。一方で、基板の引裂強度の上限値としては、特に限定されないが、例えば、70N/mm以下としてもよく、60N/mm以下としてもよい。これにより、基板の硬化物の諸特性のバランスをとることができる。 The lower limit of the tear strength of the substrate measured in accordance with JIS K6252 (2001) is, for example, 25 N/mm or more, preferably 30 N/mm or more, and more preferably 33 N/mm or more. , more preferably 35 N/mm or more. Thereby, scratch resistance and mechanical strength can be improved. Furthermore, the durability of the substrate during repeated use can be improved. On the other hand, the upper limit of the tear strength of the substrate is not particularly limited, but may be, for example, 70 N/mm or less, or 60 N/mm or less. Thereby, various properties of the cured product of the substrate can be balanced.

基板の、JIS K6251(2004)に準拠して測定される引張強度の下限値としては、例えば、5.0MPa以上であり、好ましくは6.0MPa以上であり、より好ましくは7.0MPa以上である。これにより、基板の機械的強度を向上させることができる。一方で、基板の引張強度の上限値としては、特に限定されないが、例えば、15MPa以下としてもよく、13MPa以下としてもよい。これにより、基板の操作性を良好なものとすることができる。 The lower limit of the tensile strength of the substrate measured in accordance with JIS K6251 (2004) is, for example, 5.0 MPa or more, preferably 6.0 MPa or more, and more preferably 7.0 MPa or more. . Thereby, the mechanical strength of the substrate can be improved. On the other hand, the upper limit of the tensile strength of the substrate is not particularly limited, but may be, for example, 15 MPa or less, or 13 MPa or less. Thereby, the operability of the board can be improved.

基板の、JIS K6251(2004)に準拠して測定される破断伸びの下限値としては、例えば、500%以上であり、好ましくは700%以上であり、より好ましくは800%以上である。これにより、基板の高伸縮性および耐久性を向上させることができる。一方で、基板の破断伸びの上限値としては、特に限定されないが、例えば、2000%以下としてもよく、1500%以下としてもよく、1100%以下としてもよい。これにより、基板の機械的強度を向上させることができる。 The lower limit of the elongation at break of the substrate measured in accordance with JIS K6251 (2004) is, for example, 500% or more, preferably 700% or more, and more preferably 800% or more. This makes it possible to improve the high elasticity and durability of the substrate. On the other hand, the upper limit of the elongation at break of the substrate is not particularly limited, but may be, for example, 2000% or less, 1500% or less, or 1100% or less. Thereby, the mechanical strength of the substrate can be improved.

本実施形態では、たとえば基板や配線中に含まれる各成分の種類や配合量、基板や配線を形成するための組成物の調製方法や樹脂製可動部材の製造方法等を適切に選択することにより、上記H1×(T1/T2)、引張強度、引裂強度および破断伸びを制御することが可能である。これらの中でも、たとえば、基板や配線のエラストマーを構成する樹脂の種類や配合比率、樹脂の架橋密度や架橋構造等を適切に制御したり、無機充填材の配合比率や無機充填材の分散性を向上させること等が、上記H1×(T1/T2)、引張強度、引裂強度および破断伸びを所望の数値範囲とするための要素として挙げられる。 In this embodiment, for example, by appropriately selecting the types and amounts of each component contained in the substrate and wiring, the method for preparing the composition for forming the substrate and wiring, the method for manufacturing the resin movable member, etc. , the above H1×(T1/T2), tensile strength, tear strength, and elongation at break can be controlled. Among these, for example, it is important to appropriately control the type and blending ratio of the resin that makes up the elastomer for substrates and wiring, the crosslinking density and crosslinking structure of the resin, and the blending ratio and dispersibility of the inorganic filler. Improving the above-mentioned H1×(T1/T2), tensile strength, tear strength, and elongation at break are listed as factors for bringing the above-mentioned H1×(T1/T2), tensile strength, tear strength, and elongation at break into desired numerical ranges.

配線基板50は、機械的強度を高めつつも、繰り返し伸縮したときの伸縮電気特性を維持することができるため、接続信頼性や耐久性に優れた電子装置100の構造を実現することができる。
本実施形態の電子装置100は、たとえばウェアラブルデバイスとして用いられるものであり、各方向に繰り返し伸縮される装置に好適に用いることができる。
The wiring board 50 can maintain the electrical properties of expansion and contraction when it is repeatedly expanded and contracted while increasing its mechanical strength, so that it is possible to realize a structure of the electronic device 100 that has excellent connection reliability and durability.
The electronic device 100 of this embodiment is used, for example, as a wearable device, and can be suitably used for a device that is repeatedly expanded and contracted in each direction.

電子部品60は、このような伸縮性配線基板(配線基板50)を構成する配線10に電気的に接続するように構成されていてもよい。
また、上記電子部品60は、用途に応じ、公知の部品の中から適宜選択すればよい。
具体的には、半導体素子、及び半導体素子以外の抵抗やコンデンサ等を挙げることができる。半導体素子としては、たとえば、トランジスタや、ダイオード、LED、コンデンサ等を挙げることができる。本実施形態の電子装置100において、この電子部品60は配線10により導通が図られている。
The electronic component 60 may be configured to be electrically connected to the wiring 10 forming such a stretchable wiring board (wiring board 50).
Further, the electronic component 60 may be appropriately selected from known components depending on the application.
Specifically, examples include semiconductor elements, and resistors and capacitors other than semiconductor elements. Examples of semiconductor elements include transistors, diodes, LEDs, capacitors, and the like. In the electronic device 100 of this embodiment, the electronic component 60 is electrically connected by the wiring 10.

また、本実施形態の電子装置100は、必要に応じ、カバー材30が備えられていてもよい。このカバー材30を備えることにより、配線10、電子部品60が損傷されることを防ぐことができる。カバー材30は、電子部品60や、基板20上の配線10を覆うように構成されていてもよい。
また、このカバー材30は、基板20と同様の材料により構成することができる。このようなカバー材30が基板20や配線10の伸縮に追従することから、電子装置100全体として、偏りなく伸縮することができ、この電子装置100の長寿命化にも資することができる。
Furthermore, the electronic device 100 of the present embodiment may be provided with a cover material 30 if necessary. By providing this cover material 30, it is possible to prevent the wiring 10 and electronic components 60 from being damaged. The cover material 30 may be configured to cover the electronic components 60 and the wiring 10 on the board 20.
Further, the cover material 30 can be made of the same material as the substrate 20. Since the cover material 30 follows the expansion and contraction of the substrate 20 and the wiring 10, the electronic device 100 as a whole can expand and contract evenly, which can also contribute to extending the life of the electronic device 100.

次に、本実施形態の電子装置100の製造工程の一例について図2を用いて説明する。
図2は、本実施形態における電子装置100の製造工程の概略を示す断面図である。
Next, an example of the manufacturing process of the electronic device 100 of this embodiment will be described using FIG. 2.
FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing the manufacturing process of the electronic device 100 in this embodiment.

まず図2(a)に示すように、作業台110上に支持体120を設置し、その支持体120上に絶縁性ペースト130を塗工する。塗工方法としては、各種の方法を用いることができるが、例えば、スキージ140を用いたスキージ方法などの印刷法を用いることができる。続いて、塗膜状の絶縁性ペースト130を乾燥させて、支持体120上に絶縁層132(乾燥した絶縁性シート)を形成することができる。乾燥条件は、絶縁性ペースト130中の溶剤の種類や量に応じて適宜設定することができるが、例えば、乾燥温度を150℃~180℃、乾燥時間を1分~30分等とすることができる。 First, as shown in FIG. 2A, a support 120 is placed on a workbench 110, and an insulating paste 130 is applied onto the support 120. Various methods can be used as the coating method, and for example, a printing method such as a squeegee method using a squeegee 140 can be used. Subsequently, the film-like insulating paste 130 can be dried to form an insulating layer 132 (dried insulating sheet) on the support 120. The drying conditions can be set as appropriate depending on the type and amount of solvent in the insulating paste 130, but for example, the drying temperature may be set to 150° C. to 180° C., and the drying time may be set to 1 minute to 30 minutes. can.

続いて、図2(b)に示すように、絶縁層132上に、所定の開口パターン形状を有するマスク160を配置する。そして、図2(b)、(c)に示すように、マスク160を介して、絶縁層132上に導電性ペースト150を塗工する。塗工方法は、絶縁性ペースト130の塗工方法と同様の手法を用いることができ、例えば、スキージ140によるスキージ印刷を用いてもよい。ここで、絶縁性ペースト130および導電性ペースト150がそれぞれ熱硬化性エラストマー組成物を含む場合、乾燥した絶縁層132上に、所定のパターン形状を有する導電性塗膜(導電層152)を積層した後、これらを一括して硬化処理してもよい。硬化処理としては、熱硬化性エラストマー組成物に応じて適宜設定できるが、例えば、硬化温度を160℃~220℃、硬化時間を1時間~3時間等とすることができる。硬化処理後または硬化処理前に、図2(d)に示すように、マスク160を取り外すことができる。これにより、絶縁層132の硬化物で構成される基板上に、所定のパターン形状を有する、導電層152の硬化物である配線を形成することができる。 Subsequently, as shown in FIG. 2B, a mask 160 having a predetermined opening pattern shape is placed on the insulating layer 132. Then, as shown in FIGS. 2B and 2C, a conductive paste 150 is applied onto the insulating layer 132 through a mask 160. The coating method may be the same as the coating method of the insulating paste 130, and for example, squeegee printing using the squeegee 140 may be used. Here, when the insulating paste 130 and the conductive paste 150 each contain a thermosetting elastomer composition, a conductive coating film (conductive layer 152) having a predetermined pattern shape is laminated on the dried insulating layer 132. Afterwards, these may be cured all at once. The curing treatment can be appropriately set depending on the thermosetting elastomer composition, and for example, the curing temperature can be set to 160° C. to 220° C., and the curing time can be set to 1 hour to 3 hours. After or before the curing process, the mask 160 can be removed as shown in FIG. 2(d). Thereby, it is possible to form wiring, which is the cured product of the conductive layer 152, and has a predetermined pattern shape on the substrate made of the cured product of the insulating layer 132.

続いて、図2(e)に示すように、絶縁層132およびパターン状の導電層152の上に、さらに絶縁性ペースト170を塗工し、図2(f)に示すように絶縁層172を形成することができる。これらの工程を適宜、繰り返してもよい。また、絶縁層132から支持体120を分離することも可能である。
以上により、図2(f)に示す電子装置100を得ることができる。
Subsequently, as shown in FIG. 2(e), an insulating paste 170 is further applied on the insulating layer 132 and the patterned conductive layer 152, and the insulating layer 172 is formed as shown in FIG. 2(f). can be formed. These steps may be repeated as appropriate. It is also possible to separate the support 120 from the insulating layer 132.
Through the above steps, the electronic device 100 shown in FIG. 2(f) can be obtained.

なお、絶縁性ペーストに代えて絶縁性シートを使用する場合、図2(b)に示す工程から開始してもよい。すなわち、支持体120上に絶縁性シートを設置し、所定の乾燥を行った後、その絶縁性シート上にマスク160を介して導電性ペースト150を塗布してもよい。以後の工程は、上述の工程に従って行うことができる。これにより、図2(f)に示す電子装置100を得ることが可能である。 In addition, when replacing with an insulating paste and using an insulating sheet, you may start from the process shown in FIG.2(b). That is, after an insulating sheet is placed on the support 120 and a predetermined drying process is performed, the conductive paste 150 may be applied onto the insulating sheet through the mask 160. Subsequent steps can be performed according to the steps described above. Thereby, it is possible to obtain the electronic device 100 shown in FIG. 2(f).

なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
以下、参考形態の例を付記する。
1. エラストマーを含有する基板と、
前記基板の一面上に接置されており、エラストマーおよび導電性フィラーを含有する配線と、を有する伸縮性配線基板であって、
未伸長時の前記基板の厚みをT1(μm)とし、未伸長時の前記基板のJIS K6253(1997)に準拠した25℃におけるタイプAデュロメータ硬さをH1とし、未伸長時の前記配線の厚みをT2(μm)としたとき、
H1、T1、およびT2が、以下の式(I)を満たす剛性構造を有する、伸縮性配線基板。
20≦H1×(T1/T2)≦1000 ・・(I)
2. 1.に記載の伸縮性配線基板であって、
上記式(I)中のH1は、20以上80以下である、伸縮性配線基板。
3. 1.または2.に記載の伸縮性配線基板であって、
前記基板および前記配線に含まれるエラストマーは、シリコーンゴム、ウレタンゴム、フッ素ゴム、ニトリルゴム、アクリルゴム、スチレンゴム、クロロプレンゴム、およびエチレンプロピレンゴムからなる群から選択される一種以上を含む、伸縮性配線基板。
4. 1.から3.のいずれか1つに記載の伸縮性配線基板であって、
前記基板は、シリカ粒子(C)を含む、伸縮性配線基板。
5. 1.から4.のいずれか1つに記載の伸縮性配線基板であって、
前記導電性フィラーは、金属、カーボンまたは導電性ポリマーを含む、伸縮性配線基板。
6. 1.から5.のいずれか1つに記載の伸縮性配線基板を備えるウェアラブルデバイス。
Note that the present invention is not limited to the above-described embodiments, and the present invention includes modifications, improvements, etc. within a range that can achieve the purpose of the present invention.
Below, examples of reference forms will be added.
1. a substrate containing an elastomer;
A stretchable wiring board having a wiring that is placed on one surface of the substrate and contains an elastomer and a conductive filler,
The thickness of the substrate when unstretched is T1 (μm), the type A durometer hardness at 25°C according to JIS K6253 (1997) of the substrate when unstretched is H1, and the thickness of the wiring when unstretched is When is T2 (μm),
A stretchable wiring board having a rigid structure in which H1, T1, and T2 satisfy the following formula (I).
20≦H1×(T1/T2)≦1000...(I)
2. 1. The stretchable wiring board according to
H1 in the above formula (I) is a stretchable wiring board, wherein H1 is 20 or more and 80 or less.
3. 1. or 2. The stretchable wiring board according to
The elastomer contained in the substrate and the wiring is a stretchable elastomer containing one or more selected from the group consisting of silicone rubber, urethane rubber, fluororubber, nitrile rubber, acrylic rubber, styrene rubber, chloroprene rubber, and ethylene propylene rubber. wiring board.
4. 1. From 3. The stretchable wiring board according to any one of
The substrate is a stretchable wiring substrate containing silica particles (C).
5. 1. From 4. The stretchable wiring board according to any one of
A stretchable wiring board, wherein the conductive filler includes metal, carbon, or a conductive polymer.
6. 1. From 5. A wearable device comprising the stretchable wiring board according to any one of the above.

以下、本発明を実施例および比較例により説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。 EXAMPLES The present invention will be explained below with reference to Examples and Comparative Examples, but the present invention is not limited thereto.

実施例および比較例において用いた材料は以下の通りである。 The materials used in the examples and comparative examples are as follows.

(ビニル基含有オルガノポリシロキサン(A))
(A1-1):第1のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン:ビニル基含有量は0.13モル%、Mn=227,734、Mw=573,903、IV値(dl/g)=0.89)、下記の合成スキーム1により合成したビニル基含有ジメチルポリシロキサン(上記式(1-1)で表わされる構造)
(A1-2):第2のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン:ビニル基含有量は0.92モル%、下記の合成スキーム2により合成したビニル基含有ジメチルポリシロキサン(上記式(1-1)で表わされる構造でRおよびRがビニル基である構造)
(Vinyl group-containing organopolysiloxane (A))
(A1-1): First vinyl group-containing linear organopolysiloxane: vinyl group content is 0.13 mol%, Mn = 227,734, Mw = 573,903, IV value (dl/g) = 0.89), vinyl group-containing dimethylpolysiloxane (structure represented by the above formula (1-1)) synthesized by the following synthesis scheme 1
(A1-2): Second vinyl group-containing linear organopolysiloxane: Vinyl group content is 0.92 mol%, vinyl group-containing dimethylpolysiloxane synthesized according to the following synthesis scheme 2 (formula (1- Structure represented by 1) in which R 1 and R 2 are vinyl groups)

(オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B))
(B):オルガノハイドロジェンポリシロキサン:モメンティブ社製、「TC-25D」
(Organohydrogenpolysiloxane (B))
(B): Organohydrogenpolysiloxane: “TC-25D” manufactured by Momentive

(シリカ粒子(C))
(C):シリカ微粒子(粒径7nm、比表面積300m/g)、日本アエロジル社製、「AEROSIL300」
(Silica particles (C))
(C): Silica fine particles (particle size 7 nm, specific surface area 300 m 2 /g), “AEROSIL 300” manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd.

(シランカップリング剤(D))
(D-1):ヘキサメチルジシラザン(HMDZ)、Gelest社製、「HEXAMETHYLDISILAZANE(SIH6110.1)」
(D-2):ジビニルテトラメチルジシラザン、Gelest社製、「1,3-DIVINYLTETRAMETHYLDISILAZANE(SID4612.0)」
(Silane coupling agent (D))
(D-1): Hexamethyldisilazane (HMDZ), manufactured by Gelest, "HEXAMETHYLDISILAZANE (SIH6110.1)"
(D-2): Divinyltetramethyldisilazane, manufactured by Gelest, "1,3-DIVINYLTETRAMETHYLDISILAZANE (SID4612.0)"

(白金または白金化合物(E))
(E):白金または白金化合物:モメンティブ社製、「TC-25A」
(Platinum or platinum compound (E))
(E): Platinum or platinum compound: “TC-25A” manufactured by Momentive

(水(F))
(F):純水
(Water (F))
(F): Pure water

(金属粉(G))
(G1):銀粉、徳力化学研究所社製、商品名「TC-101」、メジアン径d50:8.0μm、アスペクト比16.4、平均長径4.6μm
(Metal powder (G))
(G1): Silver powder, manufactured by Tokuriki Kagaku Kenkyusho Co., Ltd., product name "TC-101", median diameter d50 : 8.0 μm, aspect ratio 16.4, average major axis 4.6 μm

(ビニル基含有オルガノポリシロキサン(A)の合成)
[合成スキーム1:第1のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A1-1)の合成]
下記式(5)にしたがって、第1のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A1-1)を合成した。
すなわち、Arガス置換した、冷却管および攪拌翼を有する300mLセパラブルフラスコに、オクタメチルシクロテトラシロキサン74.7g(252mmol)、カリウムシリコネート0.1gを入れ、昇温し、120℃で30分間攪拌した。なお、この際、粘度の上昇が確認できた。
その後、155℃まで昇温し、3時間攪拌を続けた。そして、3時間後、1,3-ジビニルテトラメチルジシロキサン0.1g(0.6mmol)を添加し、さらに、155℃で4時間攪拌した。
さらに、4時間後、トルエン250mLで希釈した後、水で3回洗浄した。洗浄後の有機層をメタノール1.5Lで数回洗浄することで、再沈精製し、オリゴマーとポリマーを分離した。得られたポリマーを60℃で一晩減圧乾燥し、第1のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A1-1)を得た(Mw=573,903、Mn=227,734)。また、H-NMRスペクトル測定により算出したビニル基含有量は0.13モル%であった。
(Synthesis of vinyl group-containing organopolysiloxane (A))
[Synthesis scheme 1: Synthesis of first vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A1-1)]
A first vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A1-1) was synthesized according to the following formula (5).
That is, 74.7 g (252 mmol) of octamethylcyclotetrasiloxane and 0.1 g of potassium siliconate were placed in a 300 mL separable flask equipped with a cooling tube and stirring blade and replaced with Ar gas, and heated to 120° C. for 30 minutes. Stirred. At this time, an increase in viscosity was confirmed.
Thereafter, the temperature was raised to 155°C, and stirring was continued for 3 hours. After 3 hours, 0.1 g (0.6 mmol) of 1,3-divinyltetramethyldisiloxane was added, and the mixture was further stirred at 155° C. for 4 hours.
Furthermore, after 4 hours, the mixture was diluted with 250 mL of toluene and washed three times with water. The organic layer after washing was washed several times with 1.5 L of methanol to purify it by reprecipitation and separate the oligomer and polymer. The obtained polymer was dried under reduced pressure at 60° C. overnight to obtain a first vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A1-1) (Mw=573,903, Mn=227,734). Further, the vinyl group content calculated by H-NMR spectrum measurement was 0.13 mol%.

Figure 0007392258000005
Figure 0007392258000005

[合成スキーム2:第2のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A1-2)の合成]
上記(A1-1)の合成工程において、オクタメチルシクロテトラシロキサン74.7g(252mmol)に加えて2,4,6,8-テトラメチル2,4,6,8-テトラビニルシクロテトラシロキサン0.86g(2.5mmol)を用いたこと以外は、(A1-1)の合成工程と同様にすることで、下記式(6)のように、第2のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A1-2)を合成した。また、H-NMRスペクトル測定により算出したビニル基含有量は0.92モル%であった。
[Synthesis scheme 2: Synthesis of second vinyl group-containing linear organopolysiloxane (A1-2)]
In the synthesis step of (A1-1) above, in addition to 74.7 g (252 mmol) of octamethylcyclotetrasiloxane, 0.2 g (252 mmol) of 2,4,6,8-tetramethyl 2,4,6,8-tetravinylcyclotetrasiloxane. The second vinyl group-containing linear organopolysiloxane ( A1-2) was synthesized. Furthermore, the vinyl group content calculated by H-NMR spectrum measurement was 0.92 mol%.

Figure 0007392258000006
Figure 0007392258000006

(シリコーンゴム系硬化性組成物の調製)
次のようにしてシリコーンゴム系硬化性組成物1を調整した。
まず、下記の表1に示す割合で、90%のビニル基含有オルガノポリシロキサン(A)、シランカップリング剤(D)および水(F)の混合物を予め混練し、その後、混合物にシリカ粒子(C)を加えてさらに混練し、混練物(シリコーンゴムコンパウンド)を得た。
ここで、シリカ粒子(C)添加後の混練は、カップリング反応のために窒素雰囲気下、60~90℃の条件下で1時間混練する第1ステップと、副生成物(アンモニア)の除去のために減圧雰囲気下、160~180℃の条件下で2時間混練する第2ステップとを経ることで行い、その後、冷却し、残り10%のビニル基含有オルガノポリシロキサン(A)を2回に分けて添加し、20分間混練した。
続いて、下記の表1に示す割合で、得られた混練物(シリコーンゴムコンパウンド)100重量部に、オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B)、白金または白金化合物(E)を加えて、ロールで混練し、シリコーンゴム系硬化性組成物A~E(エラストマー組成物)を得た。
(Preparation of silicone rubber-based curable composition)
Silicone rubber-based curable composition 1 was prepared as follows.
First, a mixture of a 90% vinyl group-containing organopolysiloxane (A), a silane coupling agent (D), and water (F) is kneaded in advance in the proportions shown in Table 1 below, and then the silica particles ( C) was added and further kneaded to obtain a kneaded product (silicone rubber compound).
Here, the kneading after addition of the silica particles (C) includes the first step of kneading for 1 hour at 60 to 90°C under a nitrogen atmosphere for the coupling reaction, and the removal of by-products (ammonia). For this purpose, a second step of kneading for 2 hours at 160 to 180°C under a reduced pressure atmosphere is performed, followed by cooling and adding the remaining 10% of the vinyl group-containing organopolysiloxane (A) twice. Added in portions and kneaded for 20 minutes.
Subsequently, organohydrogenpolysiloxane (B), platinum or platinum compound (E) were added to 100 parts by weight of the obtained kneaded product (silicone rubber compound) in the proportions shown in Table 1 below, and the mixture was kneaded with a roll. Then, silicone rubber-based curable compositions A to E (elastomer compositions) were obtained.

Figure 0007392258000007
Figure 0007392258000007

[導電性ペーストの作製]
得られた13.7重量部のシリコーンゴム系硬化性組成物Eを、31.8重量部のテトラデカン(溶剤)に浸漬し、続いて自転・公転ミキサーで撹拌し、54.5重量部の金属粉(G1)を加えた後に三本ロールで混練することで、液状の導電性ペーストを得た。
[Preparation of conductive paste]
13.7 parts by weight of the silicone rubber-based curable composition E thus obtained was immersed in 31.8 parts by weight of tetradecane (solvent), and then stirred with an autorotation/revolution mixer to dissolve 54.5 parts by weight of metal. A liquid conductive paste was obtained by adding powder (G1) and kneading with three rolls.

[伸縮性配線基板の作製]
(実施例1~7、11、比較例2)
得られたシリコーンゴム系硬化性組成物Bを170℃、10MPaで10分間プレスし、表2に示す厚みのシート状に成形すると共に、1次硬化した。続いて、200℃、4時間で二次硬化して、シート状シリコーンゴム(シリコーンゴム系硬化性組成物の硬化物)を得た。それを幅:2cm×長さ:5cmに切り出し、エラストマー製「基板」を作製した。
続いて、得られた導電性ペーストを用いて、この「基板」上に、配線パターンを描き、これを180℃120分の条件で硬化し、表2に示す厚み×幅:500μm×長さ:30mmの「配線」を有する試験片1~7、11、13(伸縮性配線基板)を作製した。
[Fabrication of stretchable wiring board]
(Examples 1 to 7, 11, Comparative Example 2)
The obtained silicone rubber-based curable composition B was pressed at 170° C. and 10 MPa for 10 minutes to form a sheet having the thickness shown in Table 2, and was primarily cured. Subsequently, secondary curing was performed at 200° C. for 4 hours to obtain a sheet-like silicone rubber (cured product of a silicone rubber-based curable composition). It was cut into a piece of width: 2 cm x length: 5 cm to produce an elastomer "substrate".
Subsequently, a wiring pattern was drawn on this "substrate" using the obtained conductive paste, and this was cured at 180° C. for 120 minutes to obtain the thickness x width: 500 μm x length shown in Table 2. Test pieces 1 to 7, 11, and 13 (stretchable wiring boards) having "wiring" of 30 mm were prepared.

基板厚みT1、配線厚みT2の測定方法は、以下の通りである。
<基板厚みT1>
配線基板50の厚みについて、定圧厚さ測定器を用いて、図3(a)中の点線で囲まれた5点を測定した。5点は、配線10に近傍しており、隣接した点間距離が等間隔となるように選択した。5点の厚みの平均値を、基板厚みT1とした。
<配線厚みT2>
配線10の幅方向(X方向)の中心を、イオンビームを用いて研磨し、切断面を得た。得られた切断面について、視野領域:600μm×480μm、視野数:1視野、倍率:200倍の条件で、走査型電子顕微鏡(SEM)を用いて観察像を得た。図3(b)に示すように、配線10の中央部近傍における厚みを、得られた観察像に基づいて計測し、配線厚みT2とした。
The method for measuring the substrate thickness T1 and the wiring thickness T2 is as follows.
<Substrate thickness T1>
The thickness of the wiring board 50 was measured at five points surrounded by dotted lines in FIG. 3(a) using a constant pressure thickness measuring device. The five points are close to the wiring 10 and selected so that the distances between adjacent points are equal. The average value of the thicknesses at five points was defined as the substrate thickness T1.
<Wiring thickness T2>
The center of the wiring 10 in the width direction (X direction) was polished using an ion beam to obtain a cut surface. An observation image of the obtained cut surface was obtained using a scanning electron microscope (SEM) under the following conditions: viewing area: 600 μm x 480 μm, number of fields: 1 field, and magnification: 200 times. As shown in FIG. 3B, the thickness near the center of the wiring 10 was measured based on the obtained observation image, and was defined as the wiring thickness T2.

(実施例8)
シリコーンゴム系硬化性組成物Dを用いた以外は、実施例1と同様にして、表2に示す厚みの「基板」、表2に示す厚みの「配線」を有する試験片8(伸縮性配線基板)を作製した。
(Example 8)
Test piece 8 (stretchable wiring A substrate) was prepared.

(実施例9)
シリコーンゴム系硬化性組成物Cを用いた以外は、実施例1と同様にして、表2に示す厚みの「基板」、表2に示す厚みの「配線」を有する試験片9(伸縮性配線基板)を作製した。
(Example 9)
Test piece 9 (stretchable wiring) was prepared in the same manner as in Example 1, except that silicone rubber-based curable composition C was used. A substrate) was prepared.

(実施例10、比較例1)
シリコーンゴム系硬化性組成物Aを用いた以外は、実施例1と同様にして、表2に示す厚みの「基板」、表2に示す厚みの「配線」を有する試験片10、12(伸縮性配線基板)を作製した。
(Example 10, Comparative Example 1)
Test specimens 10 and 12 (expandable A flexible wiring board) was fabricated.

<硬度:デュロメータ硬さA>
厚みが1mmであること以外は、[伸縮性配線基板の作製]と同様に各実施例、各比較例のシート状シリコーンゴム(シリコーンゴム系硬化性組成物の硬化物)を得た。得られた厚さ1mmのシートを6枚積層し、6mmの試験片を作製した。得られた試験片を用いて、JIS K6253(1997)に準拠して、25℃におけるタイプAデュロメータ硬さを測定した。
硬度については、2つのサンプルを用いて、各サンプルでn=5で測定を行い、計10個の測定の平均値を測定値とした。結果を表2に示す。
<Hardness: Durometer hardness A>
Sheet-shaped silicone rubbers (cured products of silicone rubber-based curable compositions) of each Example and each Comparative Example were obtained in the same manner as in [Preparation of stretchable wiring board] except that the thickness was 1 mm. Six of the obtained 1 mm thick sheets were laminated to produce a 6 mm test piece. Using the obtained test piece, the type A durometer hardness at 25°C was measured in accordance with JIS K6253 (1997).
Regarding hardness, two samples were used, and each sample was measured with n=5, and the average value of a total of 10 measurements was taken as the measured value. The results are shown in Table 2.

Figure 0007392258000008
Figure 0007392258000008

<引張強度、破断伸び>
厚みが1mmであること以外は、[伸縮性配線基板の作製]と同様に各実施例、各比較例のシート状シリコーンゴム(シリコーンゴム系硬化性組成物の硬化物)を得た。得られた厚さ1mmのエラストマー層を用いて、JIS K6251(2004)に準拠して、ダンベル状3号形試験片を作製し、得られた試験片の25℃における引張強度および破断伸びを測定した。引張強度の単位は、MPaである。破断伸びは、[チャック間移動距離(mm)]÷[初期チャック間距離(60mm)]×100で計算した。単位は%である。結果を表3に示す。
<引裂強度>
厚みが1mmであること以外は、[伸縮性配線基板の作製]と同様に各実施例、各比較例のシート状シリコーンゴム(シリコーンゴム系硬化性組成物の硬化物)を得た。得られた厚さ1mmのシートを用いて、JIS K6252(2001)に準拠して、クレセント形試験片を作製し、得られたクレセント形試験片の25℃における引裂強度を測定した。単位は、N/mmである。結果を表3に示す。
<Tensile strength, elongation at break>
Sheet-shaped silicone rubbers (cured products of silicone rubber-based curable compositions) of each Example and each Comparative Example were obtained in the same manner as in [Preparation of stretchable wiring board] except that the thickness was 1 mm. Using the obtained elastomer layer with a thickness of 1 mm, a dumbbell-shaped No. 3 test piece was prepared in accordance with JIS K6251 (2004), and the tensile strength and elongation at break of the obtained test piece at 25°C were measured. did. The unit of tensile strength is MPa. The elongation at break was calculated by [moving distance between chucks (mm)]÷[initial distance between chucks (60 mm)]×100. The unit is %. The results are shown in Table 3.
<Tear strength>
Sheet-shaped silicone rubbers (cured products of silicone rubber-based curable compositions) of each Example and each Comparative Example were obtained in the same manner as in [Preparation of stretchable wiring board] except that the thickness was 1 mm. Using the obtained sheet with a thickness of 1 mm, a crescent-shaped test piece was prepared according to JIS K6252 (2001), and the tear strength at 25° C. of the obtained crescent-shaped test piece was measured. The unit is N/mm. The results are shown in Table 3.

破断伸び、引張強度については、3つのサンプルで行い、3つの平均値を測定値とした。引裂強度については、5つのサンプルで行い、5つの平均値を測定値とした。結果を表3に示す。 The elongation at break and the tensile strength were measured on three samples, and the average value of the three was taken as the measured value. The tear strength was measured using five samples, and the average value of the five samples was taken as the measured value. The results are shown in Table 3.

Figure 0007392258000009
Figure 0007392258000009

[伸縮性配線基板の評価]
得られた伸縮性配線基板の試験片1~13について、以下の評価項目に従い評価を行った。
[Evaluation of stretchable wiring board]
Test pieces 1 to 13 of the stretchable wiring board obtained were evaluated according to the following evaluation items.

(伸長時特性:抵抗値測定)
得られた試験片1~13(伸縮性配線基板)について、(株)エーディーシー製直流電圧・電流源/モニタ(6241A)を用い、抵抗を測定しながら長さ方向に3秒で50%伸長させ、10秒間保持し、3秒で当該伸長を解放し、10秒間保持する試験を100回行った。この抵抗値(Ω)の変化は常にモニタリングを行い、この試験中における抵抗値変化についての解析を行った(50%伸長時の抵抗値測定)
・100回目の50%伸長の終了時までの抵抗値の最大値(50%RMAX
以上の抵抗値について、3つのサンプルで行い、3つの平均値を測定値とした。
(Stretching characteristics: resistance value measurement)
The obtained test pieces 1 to 13 (stretchable wiring board) were stretched by 50% in the length direction in 3 seconds while measuring the resistance using a DC voltage/current source/monitor (6241A) manufactured by ADC Co., Ltd. A test was conducted 100 times in which the extension was held for 10 seconds, the extension was released after 3 seconds, and the extension was held for 10 seconds. Changes in this resistance value (Ω) were constantly monitored, and changes in resistance value during this test were analyzed (resistance value measurement at 50% elongation).
・Maximum resistance value until the end of the 100th 50% extension (50%R MAX )
The above resistance values were measured using three samples, and the average value of the three was taken as the measured value.

得られた50%RMAXについて、以下の表4に示す評価基準に基づいて評価を実施した。評価結果を表2に示す。
なお、断線とは、サンプルの測定値が10000Ω以上11000Ω以下の値のことをいう。
The obtained 50%R MAX was evaluated based on the evaluation criteria shown in Table 4 below. The evaluation results are shown in Table 2.
Note that a disconnection refers to a measured value of a sample of 10,000Ω or more and 11,000Ω or less.

Figure 0007392258000010
Figure 0007392258000010

(ウェアラブル適合性)
得られた試験片1~13(伸縮性配線基板)を用いて、次のような屈曲・伸び試験および耐久試験を行った。
屈曲・伸び試験:板状部材の両端を両手で持った状態で、90度に曲げる試験を実施し、曲げ開始から曲げ終わりまでの板状部材の曲げやすさによって、板状部材の変形容易性を判断した。板状部材を曲げる試験中、板状部材を曲げる時に負荷を感じない板状部材を○、板状部材を曲げる時に負荷を感じる板状部材を×とした。
(Wearable suitability)
Using the obtained test pieces 1 to 13 (stretchable wiring board), the following bending/elongation tests and durability tests were conducted.
Bending/extension test: A test is conducted in which both ends of the plate-shaped member are held in both hands and the plate-shaped member is bent at 90 degrees. judged. During a test for bending a plate-like member, a plate-like member that did not feel a load when bending the plate-like member was marked as ○, and a plate-like member that felt a load when bending the plate-like member was marked as ×.

実施例1~11の伸縮性配線基板は、比較例1と比べて、伸長時接続信頼性に優れており、比較例2と比べてウェアラブル適合性に優れることが分かった。 It was found that the stretchable wiring boards of Examples 1 to 11 had better connection reliability when stretched than Comparative Example 1, and had better wearable suitability than Comparative Example 2.

10 配線
20 基板
30 カバー材
50 配線基板
60 電子部品
100 電子装置
110 作業台
120 支持体
130 絶縁性ペースト
132 絶縁層
140 スキージ
150 導電性ペースト
152 導電層
160 マスク
170 絶縁性ペースト
172 絶縁層
10 wiring 20 substrate 30 cover material 50 wiring board 60 electronic component 100 electronic device 110 workbench 120 support 130 insulating paste 132 insulating layer 140 squeegee 150 conductive paste 152 conductive layer 160 mask 170 insulating paste 172 insulating layer

Claims (6)

エラストマーを含有する基板と、
前記基板の一面上に接置されており、エラストマーおよび導電性フィラーを含有する配線と、を有する伸縮性配線基板であって、
前記導電性フィラーが、鱗片状の金属粉(G)を含み、
前記配線中の前記導電性フィラーの含有量が50質量%以上95質量%以下であり、かつ鱗片状の前記金属粉(G)の含有量が、前記導電性フィラーの含有量100質量%中、90質量%以上100質量%以下であり、
当該伸縮性配線基板を、3秒で50%伸長させ、10秒間保持し、3秒でその伸長を解放した後、前記配線が断線しないものであり、
未伸長時の前記基板の厚みをT1(μm)とし、未伸長時の前記基板のJIS K6253(1997)に準拠した25℃におけるタイプAデュロメータ硬さをH1とし、未伸長時の前記配線の厚みをT2(μm)としたとき、
H1、T1、およびT2が、以下の式(I)を満たす剛性構造を有する、伸縮性配線基板。
20≦H1×(T1/T2)≦1000 ・・(I)
a substrate containing an elastomer;
A stretchable wiring board having a wiring that is placed on one surface of the substrate and contains an elastomer and a conductive filler,
The conductive filler contains scale-like metal powder (G),
The content of the conductive filler in the wiring is 50% by mass or more and 95% by mass or less, and the content of the scaly metal powder (G) is out of 100% by mass of the conductive filler, 90% by mass or more and 100% by mass or less,
After the stretchable wiring board is stretched by 50% in 3 seconds, held for 10 seconds, and released from the stretch in 3 seconds, the wiring does not break,
The thickness of the substrate when unstretched is T1 (μm), the type A durometer hardness at 25°C according to JIS K6253 (1997) of the substrate when unstretched is H1, and the thickness of the wiring when unstretched is When is T2 (μm),
A stretchable wiring board having a rigid structure in which H1, T1, and T2 satisfy the following formula (I).
20≦H1×(T1/T2)≦1000...(I)
請求項1に記載の伸縮性配線基板であって、
上記式(I)中のH1は、20以上80以下である、伸縮性配線基板。
The stretchable wiring board according to claim 1,
H1 in the above formula (I) is a stretchable wiring board, wherein H1 is 20 or more and 80 or less.
請求項1または2に記載の伸縮性配線基板であって、
前記基板および前記配線に含まれるエラストマーは、シリコーンゴム、ウレタンゴム、フッ素ゴム、ニトリルゴム、アクリルゴム、スチレンゴム、クロロプレンゴム、およびエチレンプロピレンゴムからなる群から選択される一種以上を含む、伸縮性配線基板。
The stretchable wiring board according to claim 1 or 2,
The elastomer contained in the substrate and the wiring is a stretchable elastomer containing one or more selected from the group consisting of silicone rubber, urethane rubber, fluororubber, nitrile rubber, acrylic rubber, styrene rubber, chloroprene rubber, and ethylene propylene rubber. wiring board.
請求項1から3のいずれか1項に記載の伸縮性配線基板であって、
前記基板は、シリカ粒子(C)を含む、伸縮性配線基板。
The stretchable wiring board according to any one of claims 1 to 3,
The substrate is a stretchable wiring substrate containing silica particles (C).
請求項1から4のいずれか1項に記載の伸縮性配線基板であって、
前記導電性フィラーは、金属、カーボンまたは導電性ポリマーを含む、伸縮性配線基板。
The stretchable wiring board according to any one of claims 1 to 4,
A stretchable wiring board, wherein the conductive filler includes metal, carbon, or a conductive polymer.
請求項1からのいずれか1項に記載の伸縮性配線基板を備えるウェアラブルデバイス。 A wearable device comprising the stretchable wiring board according to claim 1 .
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