JP2017181611A - 光集積回路 - Google Patents

光集積回路 Download PDF

Info

Publication number
JP2017181611A
JP2017181611A JP2016064858A JP2016064858A JP2017181611A JP 2017181611 A JP2017181611 A JP 2017181611A JP 2016064858 A JP2016064858 A JP 2016064858A JP 2016064858 A JP2016064858 A JP 2016064858A JP 2017181611 A JP2017181611 A JP 2017181611A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical
optical waveguide
light
integrated circuit
mode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2016064858A
Other languages
English (en)
Inventor
憲介 小川
Kensuke Ogawa
憲介 小川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujikura Ltd
Original Assignee
Fujikura Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujikura Ltd filed Critical Fujikura Ltd
Priority to JP2016064858A priority Critical patent/JP2017181611A/ja
Priority to US15/441,611 priority patent/US9726822B1/en
Publication of JP2017181611A publication Critical patent/JP2017181611A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
    • G02B6/125—Bends, branchings or intersections
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/126—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind using polarisation effects
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/0121—Operation of devices; Circuit arrangements, not otherwise provided for in this subclass
    • G02F1/0123—Circuits for the control or stabilisation of the bias voltage, e.g. automatic bias control [ABC] feedback loops
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/21—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  by interference
    • G02F1/225—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  by interference in an optical waveguide structure
    • G02F1/2257—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  by interference in an optical waveguide structure the optical waveguides being made of semiconducting material
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B2006/12133—Functions
    • G02B2006/1215—Splitter
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/26—Optical coupling means
    • G02B6/27—Optical coupling means with polarisation selective and adjusting means
    • G02B6/2753—Optical coupling means with polarisation selective and adjusting means characterised by their function or use, i.e. of the complete device
    • G02B6/2766—Manipulating the plane of polarisation from one input polarisation to another output polarisation, e.g. polarisation rotators, linear to circular polarisation converters
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/21—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  by interference
    • G02F1/212—Mach-Zehnder type
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/06—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 integrated waveguide
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/58—Arrangements comprising a monitoring photodetector
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2203/00—Function characteristic
    • G02F2203/07—Polarisation dependent

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)

Abstract

【課題】入射する光の任意の偏波状態の光波を特定の直線偏波に変換し光変調を行なう光集積回路のフットプリントを縮小するとともに量産性を向上することができる光集積回路を提供する。
【解決手段】実施形態の光集積回路が、第１光導波路の出射端に接続され、第１光導波路からのＴＥ０モードの光を変換せずに第２光導波路に出射し、第１光導波路からのＴＭ０モードの光をＴＥ０モードに変換して第３光導波路に分岐するモード変換分岐部と、第２光導波路からの光と第３光導波路からの光とを一つの合波光に合波して、合波光を第４光導波路と第５光導波路とに分岐する光合波分岐部と、第４光導波路と第５光導波路との少なくとも一方に設けられ、導波する光の位相を電気信号によって変調するように構成される位相変調部と、第４光導波路と第５光導波路からの光を一つに合波する光合波部とを有する。
【選択図】図１

Description

本発明は、光集積回路に関する。
現在、光通信で伝送される情報量は増加の一途を辿っている。情報量の増加に対応するため、伝送速度の高速化や、波長多重通信によるチャネル数の増設などの対策が進められている。特に、高速度の情報通信を目的とした次世代の１００Ｇｂｐｓデジタルコヒーレント伝送技術においては、電界が直交する２つの偏波モードに情報を載せる偏波多重方式が利用されている。偏波多重方式を用いることで、単一の偏波を利用した光伝送システムと比較して単位時間当たりの情報量を２倍にすることができる。
このような偏波多重方式を含む高速通信用の光変調方式においては、小型化や低コスト化の観点から基板型光導波路素子を用いた光集積回路の研究が行われている。
特に高速でかつ大容量の光ファイバーネットワークを実現するため、基板型光導波路素子において、入射する光の任意の偏波状態かつ単一モードの光波を特定の直線偏波に変換し、光信号処理を行なう技術の改良が進められている。
特許文献１には、干渉計により構成された光回路を用いて偏光度モニタやOSNR（optical signal-to-noise ratio）モニタを構成し、入射する光の任意の偏波状態の光波を特定の直線偏波に変換することが開示されている。特に特許文献１の光回路では、光分岐部に偏波ビームスプリッタを設けて２本のアーム導波路にそれぞれ異なる偏波の光波を出力し、これらのアーム導波路のうちの一方に偏波面を９０°回転する偏波回転器が挿入されている。
特許第５３１９４６８号公報
しかしながら、特許文献１の光回路の構成では偏波回転器が設けられているため、前段の対称型マッハツェンダ干渉計の各アーム導波路の長さがその分冗長となるおそれがある。この場合、アーム導波路の長さを短縮できないため、フットプリントを縮小できず、回路全体の小型化が困難である。また、アーム導波路の長さが短縮できないと、マッハツェンダ干渉計の加工誤差や導波路コアの膜厚分布などにより生ずる位相誤差を解消することが困難である。このため、製造歩留りが低下して製造コストが上昇するおそれがある。また、温度依存性を低減することも困難となり、光素子としての安定動作を確保することができないおそれがある。
また、特許文献１の光回路では、少なくともひとつの出力ポートから出力される光信号の強度を検知することによって、光位相器が制御される。このような原理および構成に基づいて偏光度モニタやOSNRモニタなどの光素子を構成すると、光素子のフットプリントの縮小は光検出器により制限されるおそれがある。また光検出器を導入することにより光素子の製造コストが上昇することも考えられる。
さらに、特許文献１の光回路では、仮に光検出器を導入しようとすると、光検出器を駆動・制御するための電子回路が必要となり、電子回路による寸法増大およびコスト上昇に加えて電子回路を駆動する電力が必要となり、消費電力の低減が困難となりうる。
従って、特許文献１の光回路では、光信号処理を行なう光回路のフットプリントを縮小すること、製造コストを低減すること、動作安定性を確保すること、および消費電力を低減することが困難となりうる。
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであって、小型化、製造コストの低減、動作安定性の向上、および消費電力の低減を実現できる偏波変換素子および光集積回路を提供することを目的とする。
本発明の一態様に係る光集積回路は、任意の偏波状態の光を導波する第１光導波路と、前記第１光導波路の出射端に接続され、前記第１光導波路からのＴＥ０モードの光を変換せずに第２光導波路に出射し、前記第１光導波路からのＴＭ０モードの光をＴＥ０モードに変換して第３光導波路に出射するモード変換分岐部と、前記第２光導波路と前記第３光導波路とに接続され、前記第２光導波路からの光と前記第３光導波路からの光とを一つの合波光に合波して、前記合波光を第４光導波路と第５光導波路とに分岐する光合波分岐部と、前記第４光導波路及び前記第５光導波路の少なくとも一方に設けられ、導波する光の位相を電気信号によって変調するように構成される位相変調部と、前記第４光導波路と前記第５光導波路とに接続され、前記第４光導波路と前記第５光導波路からの光を一つに合波する光合波部と、を備える。
前記モード変換分岐部は、前記第１光導波路の出射端に接続され、前記第１光導波路からのＴＭ０モードの光をＴＥｎモードの光に変換するモード変換部と、前記モード変換部の後段に設けられ、前記モード変換部からのＴＥ０モードの光を変換せずに第２光導波路に出射し、前記モード変換部からの前記ＴＥｎモードの光を前記第３光導波路に出射することでＴＥ０モードの光に変換するモード分岐部と、を有してもよい。
ここで、ｎは自然数を表す。
上記態様に係る光集積回路は、前記第２光導波路及び前記第３光導波路の少なくとも一方に設けられ、前記光合波分岐部に入射する光の位相を調整するように構成される位相調整部をさらに備えてもよい。
上記態様に係る光集積回路は、前記位相変調部に生じる光電流を検出するモニタ部をさらに備えてもよい。
上記態様に係る光集積回路は、前記位相変調部にそれぞれ電気的に接続されるバイアス電源と接地電極とをさらに備え、前記モニタ部は、前記位相変調部と前記バイアス電源との間、又は前記位相変調部と接地電極との間に配置されてもよい。
上記態様に係る光集積回路は、前記モニタ部によって検出された前記光電流の強度に応じて前記位相調整部にＤＣ電圧もしくはＤＣ電流を印加してフィードバック制御するフィードバック機構をさらに備えてもよい。
前記第２光導波路の光路長と前記第３光導波路の光路長とが異なってもよい。
前記光合波部に少なくとも一つの出射端が設けられ、前記第１光導波路が連続光を導波する場合に、前記位相変調部で変調された光信号が前記光合波部の少なくとも一つの前記出射端から出力されるように構成されてもよい。
前記光合波部に少なくとも二つの出射端が設けられ、前記第１光導波路が光変調された光信号を導波する場合に、前記位相変調部で変調された光信号を前記光合波部の出射端のうちの一方が選択されて出力されるように構成されてもよい。
本発明の上記態様によれば、入射する光の任意の偏波状態の光波を特定の直線偏波に変換し光変調を行なう光集積回路のフットプリントを縮小するとともに量産性を向上することができる。
本発明の第１実施形態に係る光集積回路の構成を示す図である。 モード変換分岐部の拡大図である。 位相変調部の断面図である。 矩形導波路に接続されるリブ導波路の斜視図である。 本発明の第２実施形態に係る光集積回路の構成を示す図である。
［第１実施形態］
図１は、本発明の第１実施形態に係る光集積回路１の構成図である。
光集積回路１は、光導波路１０１〜１１０と、モード変換分岐部２と、光合波分岐部（第１光合波分岐部）４と、位相変調部５Ａ、５Ｂと、光合波部６と、を備える。
光集積回路１に入射する光波の偏波状態は、直交する二つの直線偏波状態にある光を基底として表される。この二つの直線偏波状態は横電界（ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ−ｅｌｅｃｔｒｉｃ， ＴＥ）モードおよび横磁気（ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ−ｍａｇｎｅｔｉｃ， ＴＭ）モードと呼ばれる。
本実施形態に係る光集積回路１は、平面を有する基板上に形成される。この基板の平坦な平面を水平面とする。ＴＥモードでは、光波の電界が水平面に平行である。一方、ＴＭモードでは、光波の電界が水平面に垂直である。図１の光集積回路１に入射する光波はＴＥモードの光波およびＴＭモードの光波に分解される。光導波路１０１の入射端から図１の光集積回路１に入射する光波は基本次すなわち０次のＴＥ（ＴＥ０）モードの導波光及び０次のＴＭ（ＴＭ０）モードの導波光として光導波路１０１中を伝搬する。ここで、図１の光集積回路１に入射する光は連続光であり、ＴＥ０モードおよびＴＭ０モードの光も連続光である。
なお、ＴＥ０モードはＴＥモードの中で実効屈折率が一番大きなモードである。また、ＴＭ０モードはＴＭモードの中で実効屈折率が一番大きなモードである。
光導波路（第１光導波路）１０１は、任意の偏波状態の光を導波可能であり、光導波路１１の出射端はモード変換分岐部２の入射ポートに接続される。
モード変換分岐部２は、光導波路１０１の出射端に接続され、光導波路１０１からのＴＥ０モードの光を変換せずにそのまま光導波路１０２に出射する。一方、モード変換分岐部２は、光導波路１０１からのＴＭ０モードの光をＴＥ０モードに変換して光導波路１０３に出射（分岐）する。
光導波路１０２の出射端には、位相調整部３Ａの入射端が接続される。位相調整部３Ａの出射端には、光導波路１０４の入射端が接続される。光合波分岐部４は二つの入射ポートを有し、光合波分岐部４の一方の入射ポートには光導波路１０４の出射端が接続される。光導波路１０２の入射端から光導波路１０４の出射端までが第一段すなわち前段のマッハ‐ツェンダ干渉計の一方のアーム導波路（第２光導波路）２１を構成する。
光導波路１０３の出射端には、位相調整部３Ｂの入射端が接続される。位相調整部３Ｂの出射端には、光導波路１０５の入射端が接続される。光合波分岐部４の他方の入射ポートには光導波路１０５の出射端が接続される。光導波路１０３の入射端から光導波路１０５の出射端までが前段のマッハ‐ツェンダ干渉計の他方のアーム導波路（第３光導波路）２２を構成する。
位相調整部３Ａ、３Ｂでは、例えばＤＣ電圧やＤＣ電流が印加されることで光合波分岐部４に入射する２つのＴＥ０モードの光の位相が調整される。
本実施形態では、位相調整部は２つのアーム導波路２１、２２の両方に設けられているがこれに限定されない。２つのアーム導波路２１、２２のうちのどちらか一方のみに設けられていてもよい。また、例えば２つのアーム導波路２１，２２巻に適正な光路差を与えることで２つのＴＥ０モードの光間の位相差をなくすことができれば、位相調整部を含めない構成を採用してもよい。
光合波分岐部４は二つの入射ポートを有し、光導波路１０４及び光導波路１０５から出射される２つのＴＥ０モードの光を一つの光に合波する。
さらに、光合波分岐部４は二つの出射ポートを有する。光合波分岐部４の一方の出射ポートには光導波路１０６の入射端が接続され、光合波分岐部４の他方の出射ポートには光導波路１０７の入射端が接続される。これにより、光合波分岐部４は、合波された光を光導波路１０６と光導波路１０７とに分岐する。
なお、光合波分岐部４において、光のモード変換は行われず、合波されたＴＥ０モードの光が二つの光に分岐される。分岐比としては等分率で分岐することが好ましい。光合波分岐部４からの出射光が等分率であれば、後述する光合波部６からの出射光のＯＮ／ＯＦＦの制御ができる。
光導波路１０６の出射端には位相変調部５Ａの入射端が接続される。位相変調部５Ａの出射端には光導波路１０８の入射端が接続される。光合波部６は二つの入射ポートを有し、光合波部６の一方の入射端には光導波路１０８の出射端が接続される。光導波路１０６の入射端から光導波路１０８の出射端までが第二段すなわち後段のマッハ‐ツェンダ干渉計の一方のアーム導波路（第４光導波路）２３を構成する。
光導波路１０７の出射端には位相変調部５Ｂの入射端が接続される。位相変調部５Ｂの出射端には光導波路１０９の入射端が接続される。光合波部６の他方の入射端には光導波路１０９の出射端が接続される。光導波路１０７の入射端から光導波路１０９の出射端までが後段のマッハ‐ツェンダ干渉計の他方のアーム導波路（第５光導波路）２４を構成する。
位相変調部５Ａ、５Ｂでは、例えば入力されるＡＣの変調電気信号や、印加されるＤＣ逆バイアスによって光合波部６に入射する２つのＴＥ０モードの光の位相が調整される。
なお本実施形態では、位相変調部が２つのアーム導波路の両方に設けられているがこれに限定されない。２つのアーム導波路のうちのどちらか一方のみに位相変調部が設けられていてもよい。
光合波部６は光導波路１０８と光導波路１０９とから出射される光を一つに合波する。光合波部６の出射端には光導波路１１０の入射端が接続される。本実施形態では、光導波路１１０の出射端が光集積回路１の出射ポートとなる。
位相変調部５Ａ、５Ｂに入力されるＡＣの変調電気信号や、印加されるＤＣ逆バイアスによって、光合波部６に入射する２つのＴＥ０モードの光の位相を調整することで、光合波部６から出力される光信号のＯＮ／ＯＦＦを制御することができる。これは光合波部６において２つのＴＥ０モードの光が干渉することを利用する。
上記構成を用いることで、マッハ‐ツェンダ干渉計の前段で、マッハ‐ツェンダ干渉計に入射する光のモードをすべてＴＥ０モードに変換することが可能である。従って、偏波回転器などをマッハ‐ツェンダ干渉計内に配置する必要がない。
それにより、光集積回路１のフットプリントを縮小するとともに量産性を向上することができる。
［モード変換分岐部２の構成］
モード変換分岐部２の一例について図２を用いて詳細に説明する。
光導波路１０１の出射端はモード変換分岐部２の光導波路２０１の入射端に接続される。
光導波路２０１の入射端はモード変換分岐部１０２の入射ポートを構成する。光導波路２０１の出射端はモード変換部２Ａの入射端に接続される。モード変換部２Ａでは、ＴＭ０モードの導波光のみが高次のＴＥモード、例えばＴＥ１モードの導波光に変換され、モード変換部２Ａの出射端から光導波路２０２に出射される。一方、ＴＥ０モードの導波光は変換されずにＴＥ０モードのままモード変換部２Ａの出射端から光導波路２０２に出射される。
モード変換部２Ａの出射端には光導波路２０２の入射端が接続される。光導波路２０２の出射端はモード分岐部２Ｂの入射端に接続される。
モード分岐部２Ｂは２つの出射ポートを有し、一方の出射ポートからはＴＥ０モードの導波光のみが光導波路２０３に対して出射される。他方の出射ポートからはＴＥ１モードの導波光のみが分岐されることでＴＥ０モードに変換された後、光導波路２０４に対して出射される。そして光導波路２０３の出射端は図１における光導波路１０２に接続される。また、光導波路２０４の出射端は図１における光導波路１０３に接続される。
なおモード変換部２Ａにおいて、ＴＭ０モードの導波光から変換されるモードはＴＥ１モードに限定されず、高次のＴＥモード（ＴＥｎモード、ここで、ｎは自然数を表す。）であればよい。
モードの次数が大きくなると導波路の幅を広くする必要があり、設計上困難である。したがって、設計の容易性の観点では、ＴＥ１に変換することが好ましい。
一方、モード分岐部２Ｂでの変換前後の次数が近いと分岐されずに光導波路２０５に高次モードが混在するおそれがある。そのため、モード分岐部２Ｂでの分岐比を高めて、消光比を高める観点では、例えばモード変換部２ＡにおいてＴＥ２モードなどの次数が離れたモードに変換することが好ましい。
なお、導波路回路を用いたモード変換部およびモード分岐部としては、例えば、特許第５６９７７７８号公報に提示されている構成を用いることができる。
このように、本実施形態では、まず偏波モードの変換を行った後に単一偏波でのモード分岐・変換を行なう。それにより、マッハ‐ツェンダ干渉計の各アームに導波光が入射する前に偏波モードの変換が完了する。
よって、従来技術の光回路のアーム導波路に装入された偏波回転器を省略することができ、各アーム導波路の長さを短縮することが可能となる。この構成は広い波長帯域で機能し、例えば、光通信のＣおよびＬバンド全域で機能することが可能であり、広波長帯域の光情報処理に適している。
また、各アーム導波路２１、２２ではＴＥ０モードの光が導波する。モード変換分岐部２のそれぞれの出力ポート間の位相差を解消するには、モード変換及びモード分岐にともなう位相差も解消する必要がある。
この場合、アーム導波路２１の光路長とアーム導波路２２の光路長とを異ならせてもよい。これにより、各アーム導波路２１、２２間の光路長はたがいに不均等になり、前段のマッハ‐ツェンダ干渉計は非対称となる。
特に本実施形態では、モード変換分岐部２の高次モードが変換されたＴＥ０を導波するアーム導波路２２の光路長を長くすることで、モード変換およびモード分岐にともなう位相差を解消することが好ましい。
本実施形態では、モード変換およびモード分岐にともなう位相差を位相調整部３Ａ、３Ｂによって解消することもできる。
一方、上述のようにアーム導波路２１の光路長とアーム導波路２２の光路長とを異ならせてこの位相差の解消しておけば、位相調整部３Ａ、３Ｂの省略や、光路長が等しい場合と比べて位相調整部３Ａ、３Ｂの駆動に必要な電力の低減を実現できる。従って、アーム導波路２１の光路長とアーム導波路２２の光路長とを異ならせることで省電力化を実現することができる。
［フィードバック機構１２による位相の制御］
本実施形態において、後段のマッハ‐ツェンダ干渉計が光変調用の干渉計である。
強度変調を行なう場合、光信号の品質を高めるには出射ポートから出力される変調光の消光比を高めることが必要である。消光比を高めるには、後段のマッハ‐ツェンダ干渉計のアーム導波路２３、２４のそれぞれに入射する導波光の強度が等しくなるように制御することが好ましい。
本実施形態では、図１に示すフィードバック機構１２によって、位相調整部３Ａ、３Ｂの少なくとも一方の位相を調節して前段のマッハ‐ツェンダ干渉計中の位相を制御してもよい。それにより、後段のマッハ‐ツェンダ干渉計のアーム導波路２３、２４に入射する光の強度を調節することができる。
フィードバック機構１２は、制御部７Ａ、７Ｂと、電気信号源８Ａ、８Ｂと、バイアスティ９Ａ、９Ｂと、モニタ部１０Ａ、１０Ｂと、バイアス電源１１Ａ、１１Ｂとを含んでいる。
制御部７Ａ、７Ｂは位相調整部３Ａ、３Ｂに対してＤＣ電圧又はＤＣ電流を印加し、位相調整部３Ａ、３Ｂ内を導波するそれぞれの光の位相を調節する。
位相調整部３Ａ、３Ｂが例えば逆バイアス駆動可能なＰＮ接合を有する光導波路からなる場合はＤＣ電圧により位相を調節することができる。また、順バイアス駆動ＰＮ接合を有する光導波路あるいはヒータを有する熱光学導波路の場合はＤＣ電流により、調節することができる。
光変調信号を発生するには、位相変調部５Ａ、５Ｂの少なくとも一方に変調電気信号を印加する。１０Ｇｂａｕｄ以上の高速のシンボルレートで光変調するには、逆バイアス駆動ＰＮ接合を有する光導波路により位相変調部５Ａ、５Ｂを構成することができる。
電気信号源８Ａ、８Ｂは、バイアスティ９Ａ、９Ｂを介して位相変調部５Ａ、５ＢのそれぞれにＡＣの変調電気信号を入力する。
バイアス電源１１Ａ、１１Ｂは、バイアスティ９Ａ、９Ｂを介して位相変調部５Ａ、５ＢのそれぞれにＤＣ逆バイアスを印加する。
逆バイアス下のＰＮ接合に、導波光が伝搬すると二光子吸収により光電流が発生する。この光電流を位相変調部５Ａ、５Ｂに接続されるモニタ部１０Ａ、１０Ｂによって検出する。そして、モニタ部１０Ａ、１０Ｂに接続される制御部７Ａ、７Ｂに検出結果をフィードバックすることにより後段マッハ‐ツェンダ干渉計のそれぞれのアーム導波路２３、２４に入射する導波光の強度を制御することができる。
モニタ部１０Ａ、１０Ｂは、例えば不図示の電流計と制御用電気回路とから構成される。
モニタ部１０Ａ、１０Ｂを流れる電流がそれぞれ等しくなるように、制御部７Ａ、７Ｂに制御電気信号をフィードバックし、印加するＤＣ電圧又はＤＣ電流を調整する。それにより、後段のマッハ‐ツェンダ干渉計のそれぞれのアーム導波路２３、２４に入射する導波光の強度を等しくすることができる。
本実施形態において、位相変調部５Ａ、５Ｂは変調光信号を発生するためだけでなく、導波光の強度をモニタするための光検出器としても機能することができる。これによって、従来のように光検出器を導入する必要がないため、フットプリント縮小および製造コストの低減が可能である。
後段のマッハ‐ツェンダ干渉計のそれぞれのアーム導波路２３、２４に入射する導波光の強度が等しくなるように制御する方法を以下に示す。
モード変換分岐部２の二つの出射ポートから光導波路１０２、１０３に入射する電界をそれぞれＥ１およびＥ２とし、位相調整部３Ａ、３Ｂで生ずる位相をそれぞれφ１およびφ２とする。この場合、光合波分岐部４の二つの入射ポートに入射する光の電界Ｅ３およびＥ４は以下の式（１）のように表される。
Figure 2017181611
また、光合波分岐部４の二つの出射ポートから光導波路１０６、１０７へと入射される光の電界Ｅ５およびＥ６は以下の式（２）のように表される。
Figure 2017181611
さらに、後段のマッハ‐ツェンダ干渉計のそれぞれのアーム導波路２３、２４に入射する導波光の強度が等しくなる場合は以下の式（３）を満たす。
Figure 2017181611
これより、位相調整部３Ａ、３Ｂで生じる位相に対して以下の式（４）に示す条件が得られる。
Figure 2017181611
ここで、Ｎは整数であり、２πの周期性は無視できるので、Ｎ＝０とおける。光の全強度を１に規格化すると、Ｅ５およびＥ６は以下の式（５）のように表される。
Figure 2017181611
上述の式（５）が満たされるように制御部７Ａ、７Ｂに適切な制御電気信号を出力することで、後段のマッハ‐ツェンダ干渉計のそれぞれのアーム導波路２３、２４に入射する導波光の強度を等しくすることができる。
このようにフィードバック機構１２を用いて後段のマッハ‐ツェンダ干渉計のそれぞれのアーム導波路２３、２４に入射する導波光の強度を制御することで光集積回路１の動作をより安定させることができる。また、位相変調部５Ａ、５Ｂにおいて変調光信号を発生させるだけでなく、導波光の光強度も検出することができ、導波光の光強度を検出するための別の装置を配置する必要がない。
［位相変調部５Ａ、５Ｂの構造］
図３は、位相変調部５Ａ、５Ｂの断面構造を示す。
図３に示すように位相変調部５Ａ、５Ｂにおいてはリブ導波路が形成されている。
基板３０はアンドープシリコンである。
基板３０の上表面（水平面）に、シリカからなる例えば厚み２μｍの下部クラッド３１が設けられている。
下部クラッド３１上にリブ部を有するシリコン層３７が設けられる。基板３０、下部クラッド３１およびシリコン層３７は、それぞれ、ｓｉｌｉｓｏｎ−ｏｎ−ｉｎｓｕｌａｔｏｒ（ＳＯＩ）ウエファの基板、ＢＯＸ層、およびＳＯＩ層を利用している。
リブ部は、基本モードを伝搬させるシリコンコアの主要部である。リブ部の側方には、スラブ部が接続されている。
本実施形態のリブ導波路はリブ部およびスラブ部からなる。リブ部の幅Ｗｒｉｂは概ね５００ｎｍ〜６００ｎｍの範囲にあることが好ましい。コア底面からのリブ部の厚みｔｒｉｂは例えば２２０ｎｍであり、スラブ部の厚みｔｓｌａｂは例えば９５ｎｍである。
コアには、ＰＮダイオードを構成するＰ型半導体部３２ＡおよびＮ型半導体部３２Ｂが存在する。Ｐ型半導体部３２ＡおよびＮ型半導体部３２Ｂの境界にＰＮ接合が形成される。
Ｐ型半導体部３２ＡおよびＮ型半導体部３２Ｂのドーピング密度は、例えばともに約１０１８ｃｍ−３である。
Ｐ型半導体部３２ＡのＰＮ接合が形成されている側とは反対の領域には、Ｐ型導体部３３Ａが接続されている。またＮ型半導体部３２ＢのＰＮ接合が形成されている側とは反対の領域には、Ｎ型導体部３３Ｂが接続されている。
Ｐ型導体部３３Ａ及びＮ型導体部３３Ｂは、高速化を阻害する要因である電気抵抗を低減するように高ドープされる必要があり、ドーピング密度は例えばともに約１０２０ｃｍ−３である。
Ｐ型導体部３３ＡとＮ型導体部３３Ｂとの間隔ＷＰＮは例えば約２μｍで、ＷＰＮの中点は概ねリブ中央にある。
リブ部およびスラブ部の上には、シリカからなる例えば厚み１〜２μｍの上部クラッド３４が設けられている。上部クラッド３４は、例えば、ＣＶＤなどの製造方法を用いてシリカを堆積することで作製される。
Ｐ型導体部３３Ａの上面には垂直金属接続部３５Ａの一端が接続されている。また、Ｎ型導体部３３Ｂの上面には垂直金属接続部３５Ｂの一端が接続されている。
垂直金属接続部３５Ａ、３５Ｂは上部クラッド３４を貫通している。垂直金属接続部３５Ａ、３５Ｂの他端には金属電極３６Ａ、３６Ｂがそれぞれ接続される。
なお、位相調整部３Ａ、３Ｂにも同様の断面構造を有する光導波路を利用することができる。ただし、位相調整部３Ａ、３Ｂはこの構成に限定されず、ヒータを有する熱光学導波路であってもよい。
なお、Ｐ型半導体部３２ＡおよびＮ型半導体部３２Ｂ中を導波光が伝搬する際に二光子吸収により発生する光電流をモニタする場合、図３に示すようにバイアスティ９Ａ、９Ｂとモニタ部１０Ａ、１０Ｂとを配置するとよい。
図３では、Ｐ型半導体部３２Ａに接続される金属電極３６Ａにバイアスティ９Ａ、９Ｂが接続される。またＮ型半導体部３２Ｂに接続される金属電極３６Ｂにモニタ部１０Ａ、１０Ｂが接続される。
この構成により、電気信号源８Ａ、８Ｂ及びバイアス電源１１Ａ、１１Ｂに接続されるバイアスティ９Ａ、９Ｂから、位相変調部５Ａ、５Ｂに電気信号の入力またはバイアス電圧の印加が行われる。
また、図３ではモニタ部１０Ａ、１０Ｂは位相変調部５Ａ、５Ｂの接地電極ＧＮＤ側（位相変調部５Ａ、５Ｂと接地電極ＧＮＤとの間）に設けられ、二光子吸収により発生する光電流を検出できる。
ただし、図１に示すようにモニタ部１０Ａ、１０Ｂをバイアスティ９Ａ、９Ｂ（位相変調部５Ａ、５Ｂ）とバイアス電源１１Ａ、１１Ｂとの間にそれぞれ設けてもよい。この場合でも二光子吸収により発生する光電流を検出できる。
これにより、位相変調部５Ａ、５Ｂにおいて変調光信号を発生させるだけでなく、導波光の光強度も検出することができる。
［矩形導波路とリブ導波路との接続］
本実施形態における光導波路１０１〜１１７は矩形導波路である。矩形導波路の幅はＷｒｉｂに等しい。また矩形導波路の厚みはｔｒｉｂに等しい。
光集積回路１を構成するには、光導波路１０１〜１１７を構成する矩形導波路と、位相調整部３Ａ、３Ｂや位相変調部５Ａ、５Ｂとを構成するリブ導波路との接続が必要になる。図４に、矩形導波路に接続されるリブ導波路の斜視図を模式的に示す。
矩形導波路４０はリブ導波路４２と同じ幅と同じ厚みを有する。矩形導波路４０からリブ導波路４２への遷移領域４１では、スラブ部４３の幅がゼロから徐々に増してリブ導波路４２と接続する。
遷移領域４１では、スラブ部４３の幅は光の伝搬方向に沿って線形的にあるいは二次関数的に増加する。線形的にスラブ部４３の幅を変化させる場合は、容易に導波路を設計することができる。一方、二次関数的にスラブ部４３の幅を変化させる場合、光損失をさらに低減することができる。
遷移領域４１の長さは光の波長と比較して充分に長くする必要がある。例えば２０μｍ程度であることが挙げられるが、特に限定されない。
［第２実施形態］
図５は、本発明の第２実施形態に係る光集積回路１Ａの構成図である。第１実施形態に係る光集積回路１の構成と異なる個所にのみ新たな番号を付して説明する。
第２実施形態に係る光集積回路１Ａは、入射する光の任意の偏波状態の光波を特定の直線偏波に変換し、異なる経路に光信号を切り替える光スイッチ型の光集積回路がシリコン導波路をベースに構成される。
本実施形態では、光導波路１０１に入射する光波は連続光ではなく、すでに光変調された光信号である。また、本実施形態では、光合波部６の代わりに第２光合波分岐部１６が設けられる点で第１実施形態と異なる。
第２光合波分岐部１６は二つの入射ポートおよび二つの出射ポートを有する。
第２光合波分岐部１６の一方の入射端には光導波路１０８の出射端が接続され、第２光合波分岐部１６の他方の入射端には光導波路１０９の出射端が接続される。
また、第２光合波分岐部１６の一方の出射端には光導波路１１１の入射端が接続され、第２光合波分岐部１６の他方の出射端には光導波路１１２の入射端が接続される。
位相調整部３Ａ、３Ｂ、及び位相変調部５Ａ、５Ｂの断面構造は第１実施形態と同様である。光信号は光導波路１１１の出射端または光導波路１１２の出射端から出力される。
位相変調部５Ａ、５Ｂに入力されるＡＣの変調電気信号や、印加されるＤＣ逆バイアスを制御して、第２光合波分岐部１６に入射する２つのＴＥ０モードの光の位相を調整することで、例えば第２光合波分岐部１６から光導波路１１１と光導波路１１２とのどちらに光信号を出力するかを選択することができる。また、位相変調部５Ａ、５Ｂに入力されるＡＣの変調電気信号や、印加されるＤＣ逆バイアスを制御して、光導波路１１１と光導波路１１２との両方に任意の分岐比で光信号を出力することもできる。
これは第１実施形態と同様に、第２光合波分岐部１６において２つのＴＥ０モードの光が干渉することを利用する。
上記実施形態を用いることで、入射する光の任意の偏波状態の光信号を特定の直線偏波に変換し異なる経路に光信号を切り替える光スイッチ型の光集積回路のフットプリントを縮小するとともに量産性を向上することができる。
以上、本発明の光ファイバ素線の製造方法及び製造装置について説明してきたが、本発明は前記の例に限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
１…光集積回路、２…モード変換分岐部、２Ａ…モード変換部、２Ｂ…モード分岐部、３Ａ、３Ｂ…位相調整部、４…光合波分岐部、５Ａ、５Ｂ…位相変調部、６…光合波部、１２…フィードバック機構、１６…第２光合波分岐部、２１…アーム導波路（第２光導波路）、２２…アーム導波路（第３光導波路）、２３…アーム導波路（第４光導波路）、２４…アーム導波路（第５光導波路）、１０１…光導波路（第１光導波路）。

Claims (9)

  1. 光集積回路であって、
    任意の偏波状態の光を導波する第１光導波路と、
    前記第１光導波路の出射端に接続され、前記第１光導波路からのＴＥ０モードの光を変換せずに第２光導波路に出射し、前記第１光導波路からのＴＭ０モードの光をＴＥ０モードに変換して第３光導波路に出射するモード変換分岐部と、
    前記第２光導波路と前記第３光導波路とに接続され、前記第２光導波路からの光と前記第３光導波路からの光とを一つの合波光に合波して、前記合波光を第４光導波路と第５光導波路とに分岐する光合波分岐部と、
    前記第４光導波路及び前記第５光導波路の少なくとも一方に設けられ、導波する光の位相を電気信号によって変調するように構成される位相変調部と、
    前記第４光導波路と前記第５光導波路とに接続され、前記第４光導波路と前記第５光導波路からの光を一つに合波する光合波部と、を備える光集積回路。
  2. 請求項１に記載の光集積回路であって、
    前記モード変換分岐部は、
    前記第１光導波路の出射端に接続され、前記第１光導波路からのＴＭ０モードの光をＴＥｎモードの光に変換するモード変換部と、
    前記モード変換部の後段に設けられ、前記モード変換部からのＴＥ０モードの光を変換せずに第２光導波路に出射し、前記モード変換部からの前記ＴＥｎモードの光を前記第３光導波路に出射することでＴＥ０モードの光に変換するモード分岐部と、を有する光集積回路。
    ここで、ｎは自然数を表す。
  3. 請求項１又は２に記載の光集積回路であって、
    前記第２光導波路及び前記第３光導波路の少なくとも一方に設けられ、前記光合波分岐部に入射する光の位相を調整するように構成される位相調整部をさらに備える光集積回路。
  4. 請求項３に記載の光集積回路であって、
    前記位相変調部に生じる光電流を検出するモニタ部をさらに備える光集積回路。
  5. 請求項４に記載の光集積回路であって、
    前記位相変調部にそれぞれ電気的に接続されるバイアス電源と接地電極とをさらに備え、
    前記モニタ部は、前記位相変調部と前記バイアス電源との間、又は前記位相変調部と接地電極との間に配置される光集積回路。
  6. 請求項４又は５に記載の光集積回路であって、
    前記モニタ部によって検出された前記光電流の強度に応じて前記位相調整部に印加するＤＣ電圧又はＤＣ電流をフィードバック制御するフィードバック機構をさらに備える光集積回路。
  7. 請求項１から６のいずれか一項に記載の光集積回路であって、
    前記第２光導波路の光路長と前記第３光導波路の光路長とが異なる光集積回路。
  8. 請求項１から７のいずれか一項に記載の光集積回路であって、
    前記光合波部に少なくとも一つの出射端が設けられ、
    前記第１光導波路が連続光を導波する場合に、前記位相変調部で変調された光信号が前記光合波部の少なくとも一つの前記出射端から出力されるように構成される光集積回路。
  9. 請求項１から７のいずれか一項に記載の光集積回路であって、
    前記光合波部に少なくとも二つの出射端が設けられ、
    前記第１光導波路が光変調された光信号を導波する場合に、前記位相変調部で変調された光信号を前記光合波部の出射端のうちの一方が選択されて出力されるように構成される光集積回路。
JP2016064858A 2016-03-29 2016-03-29 光集積回路 Pending JP2017181611A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016064858A JP2017181611A (ja) 2016-03-29 2016-03-29 光集積回路
US15/441,611 US9726822B1 (en) 2016-03-29 2017-02-24 Optical integrated circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016064858A JP2017181611A (ja) 2016-03-29 2016-03-29 光集積回路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2017181611A true JP2017181611A (ja) 2017-10-05

Family

ID=59411084

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016064858A Pending JP2017181611A (ja) 2016-03-29 2016-03-29 光集積回路

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9726822B1 (ja)
JP (1) JP2017181611A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019202894A1 (ja) * 2018-04-19 2019-10-24 日本電信電話株式会社 光変調器
JP6892963B1 (ja) * 2020-12-04 2021-06-23 技術研究組合光電子融合基盤技術研究所 光回路素子、モニタリングシステム及びモニタリング方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109946790B (zh) * 2017-12-20 2020-11-03 中兴光电子技术有限公司 一种光偏振调制器及光偏振调制的方法
CN110646884B (zh) * 2019-07-09 2021-01-26 华中科技大学 一种具有大制作容差高偏振消光比的偏振分束器
US11092745B1 (en) * 2020-02-14 2021-08-17 Nokia Solutions & Networks Oy Polarization controller
CN117997431A (zh) * 2022-11-03 2024-05-07 苏州极刻光核科技有限公司 光模式调制器件及光子芯片

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7212712B2 (en) * 2001-04-20 2007-05-01 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Coupler-multiplexer permutation switch
US7106919B2 (en) * 2001-12-11 2006-09-12 Lake Shore Cryotronics, Inc. Magneto-optical sensing employing phase-shifted transmission bragg gratings
US7317853B2 (en) * 2003-08-19 2008-01-08 Ignis Technologies As Integrated optics spot size converter and manufacturing method
JP5319468B2 (ja) 2009-09-18 2013-10-16 日本電信電話株式会社 光回路
JP5697778B1 (ja) 2014-04-03 2015-04-08 株式会社フジクラ 基板型光導波路素子

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019202894A1 (ja) * 2018-04-19 2019-10-24 日本電信電話株式会社 光変調器
JP2019191246A (ja) * 2018-04-19 2019-10-31 日本電信電話株式会社 光変調器
JP6892963B1 (ja) * 2020-12-04 2021-06-23 技術研究組合光電子融合基盤技術研究所 光回路素子、モニタリングシステム及びモニタリング方法
JP2022089323A (ja) * 2020-12-04 2022-06-16 技術研究組合光電子融合基盤技術研究所 光回路素子、モニタリングシステム及びモニタリング方法

Also Published As

Publication number Publication date
US9726822B1 (en) 2017-08-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2017181611A (ja) 光集積回路
Komljenovic et al. Heterogeneous silicon photonic integrated circuits
US8676003B2 (en) Methods and systems for reducing polarization dependent loss
US9465168B2 (en) Polarization beam splitter and optical device
JP5835359B2 (ja) 光送信器および光送信器の制御方法
JP5877727B2 (ja) 半導体光変調素子及び光モジュール
US9874800B2 (en) MZM linear driver for silicon photonics device characterized as two-channel wavelength combiner and locker
Bowers et al. Recent advances in silicon photonic integrated circuits
Jeong et al. Novel Optical 90$^{\circ} $ Hybrid Consisting of a Paired Interference Based 2$\,\times\, $4 MMI Coupler, a Phase Shifter and a 2$\,\times\, $2 MMI Coupler
JP5082560B2 (ja) 光変調器、光源装置及び前記光変調器の駆動方法
WO2018131227A1 (ja) 半導体光増幅器およびその製造方法、光位相変調器
US20160127070A1 (en) Integrated two-channel spectral combiner and wavelength locker in silicon photonics
JP6346803B2 (ja) 光受信回路およびその調整方法
JPWO2017135381A1 (ja) 光送信器及び光強度モニタ方法
JP2015191068A (ja) 光変調器の出力モニター方法および出力モニター装置
JP5212475B2 (ja) 波長可変光送信機
JP2011028014A (ja) 光デバイスおよび光送信機
JP2015138847A (ja) 波長多重送信器
US8526769B1 (en) High speed optical transmitter producing modulated light signals
JP2018116199A (ja) 偏波多重光変調器
Menezo et al. High-speed heterogeneous InP-on-Si capacitive phase modulators
JP7252496B2 (ja) 光結合方法
JP5945240B2 (ja) 光位相変調器
JP2012247580A (ja) 半導体基板上の位相シフタ並びにそれを用いた偏波分離器及び偏波合成器
JP4504175B2 (ja) 半導体光変調器

Legal Events

Date Code Title Description
RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20181019