JP2017177453A - Substrate dividing device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、脆性材料基板の分割装置に関し、特に、スクライブ溝が形成された脆性材料基板を分割する装置に関する。 The present invention relates to a brittle material substrate dividing apparatus, and more particularly to an apparatus for dividing a brittle material substrate in which scribe grooves are formed.
ガラス、半導体ウエハ、セラミックス等の脆性材料基板を分断するために用いる分割装置が従来から知られている(特許文献1を参照)。
特許文献1に記載の分割装置は、互いに隙間を隔てて設置された、一対のテーブルを有している。ガラス板は、上面に形成したスクライブ溝が隙間に位置するように、両テーブルにまたがって吸引固定される。
そして、一方のテーブルを隙間と平行な回転中心軸に沿って回動させることで、ガラス板を撓ませて分断する。
2. Description of the Related Art A dividing apparatus used for dividing a brittle material substrate such as glass, semiconductor wafer, or ceramic has been conventionally known (see Patent Document 1).
The dividing apparatus described in
And by rotating one table along the rotation center axis parallel to the gap, the glass plate is bent and divided.
一般的にスクライブ溝の深さは一様でなく深い箇所が存在するので、特許文献1に記載の分割装置では、ガラス板を分割するときにはガラス板の分断が一様に進行するのではなく、前述の深い箇所で先にガラス板の分断が完了する。すなわち前述の深い箇所でガラス板の下面まで垂直クラックが到達し、その後は当該箇所を起点としてスクライブ方向にガラス板の分断が進行する。その結果、分断面は屏風状になったり湾曲したりすることになり、その場合は分割された基板の商品価値が低下していた。
In general, since the depth of the scribe groove is not uniform and there is a deep portion, in the dividing apparatus described in
本発明の目的は、脆性材料からなる基板の分割を行うに際し、分断面の精度を高めることにある。 An object of the present invention is to increase the accuracy of a sectional surface when a substrate made of a brittle material is divided.
以下に、課題を解決するための手段として複数の態様を説明する。これら態様は、必要に応じて任意に組み合せることができる。 Hereinafter, a plurality of modes will be described as means for solving the problems. These aspects can be arbitrarily combined as necessary.
本発明の一見地に係る基板分割装置は、スクライブ溝が形成された脆性材料からなる基板を分割可能な装置である。基板分割装置は、第1保持テーブルと、第2保持テーブルと、回動連結部とを備えている。
第1保持テーブルは、基板を保持するための第1保持面を有する。
第2保持テーブルは、基板を保持するための第2保持面を有している。第2保持テーブルは、第1保持面と第2保持面が横に並んで水平面を形成することが可能なように、第1保持テーブルと側部同士が隙間を空けて隣接する。
回動連結部は、第1保持テーブルと第2保持テーブルの側部同士を回動自在に連結しており、第1保持面と第2保持面が横に並んで水平面を形成した状態において水平面とは異なる高さに回動中心を有する。
回動連結部は、第1保持テーブルと第2保持テーブルの側部の第1端部同士を連結する第1回動連結部と、第1保持テーブルと第2保持テーブルの側部の第2端部同士を連結している。第2回動連結部は、第1回動連結部と回動中心の高さが異なる。
A substrate dividing apparatus according to an aspect of the present invention is an apparatus capable of dividing a substrate made of a brittle material in which a scribe groove is formed. The substrate dividing apparatus includes a first holding table, a second holding table, and a rotation connecting portion.
The first holding table has a first holding surface for holding the substrate.
The second holding table has a second holding surface for holding the substrate. In the second holding table, the first holding table and the side portions are adjacent to each other with a gap so that the first holding surface and the second holding surface can be formed side by side to form a horizontal plane.
The rotation connecting portion rotatably connects the side portions of the first holding table and the second holding table, and in a state where the first holding surface and the second holding surface are arranged side by side to form a horizontal plane. Has a rotation center at a different height.
The rotation connecting portion includes a first rotation connecting portion that connects the first ends of the side portions of the first holding table and the second holding table, and a second side portion of the first holding table and the second holding table. The ends are connected to each other. The second rotation connection portion is different from the first rotation connection portion in the height of the rotation center.
この基板分割装置では、第1回動連結部が両テーブルの側部の第1端部同士を連結し、第2回動連結部が両テーブルの側部の第2端部同士を連結している。そして、第1連結部の回動中心の高さと第2連結部の回動中心の高さが異なるので、例えば第1保持テーブルと第2保持テーブルの保持面に基板を保持させた状態で第2保持テーブルを第1保持テーブルに対して回動させた場合に、両テーブルの側部の第1端部と第2端部とで基板の変位が異なる。したがって、基板のスクライブ溝は、溝の延びる方向の一方の側から他方の側に向かって分断されていく。その結果、分断面の精度が向上する。 In this substrate dividing apparatus, the first rotation connecting portion connects the first end portions of the side portions of both tables, and the second rotation connecting portion connects the second end portions of the side portions of both tables. Yes. And since the height of the rotation center of the 1st connection part and the height of the rotation center of the 2nd connection part differ, for example in the state where the board was held on the holding surface of the 1st holding table and the 2nd holding table, for example. When the two holding tables are rotated with respect to the first holding table, the displacement of the substrate is different between the first end and the second end of the side portions of both tables. Therefore, the scribe groove of the substrate is divided from one side in the direction in which the groove extends toward the other side. As a result, the accuracy of the sectional surface is improved.
基板分割装置は、回動中心高さ調節機構をさらに備えていてもよい。回動中心高さ調節機構は、第1回動連結部及び第2回動連結部の少なくとも一方の回動中心の高さを調節可能である。
この基板分割装置では、回動中心高さ調節機構によって、第1回動連結部及び第2回動連結部の少なくとも一方の回動中心を適切な位置に変更できる。
The substrate dividing apparatus may further include a rotation center height adjusting mechanism. The rotation center height adjusting mechanism can adjust the height of the rotation center of at least one of the first rotation connection part and the second rotation connection part.
In this substrate dividing apparatus, the rotation center height adjustment mechanism can change the rotation center of at least one of the first rotation connection portion and the second rotation connection portion to an appropriate position.
本発明の一見地に係る基板分割装置は、スクライブ溝が形成された脆性材料からなる基板を分割可能な装置である。基板分割装置は、第1保持テーブルと、第2保持テーブルと、回動連結部と、回動中心高さ調節機構とを備えている。
第1保持テーブルは、基板を保持するための第1保持面を有する。
第2保持テーブルは、基板を保持するための第2保持面を有している。第2保持テーブルは、第1保持面と第2保持面が横に並んで水平面を形成することが可能なように、第1保持テーブルと側部同士が隙間を空けて隣接する。
回動連結部は、第1保持テーブルと第2保持テーブルの側部同士を回動自在に連結している。回動連結部は、第1保持面と第2保持面が横に並んで水平面を形成した状態において水平面とは異なる高さに回動中心を有する。
回動中心高さ調節機構は、回動連結部の回動中心の高さを調節可能である。
この基板分割装置では、回動中心高さ調節機構によって、回動連結部の回動中心を適切な位置に変更できる。
A substrate dividing apparatus according to an aspect of the present invention is an apparatus capable of dividing a substrate made of a brittle material in which a scribe groove is formed. The substrate dividing apparatus includes a first holding table, a second holding table, a rotation connecting portion, and a rotation center height adjusting mechanism.
The first holding table has a first holding surface for holding the substrate.
The second holding table has a second holding surface for holding the substrate. In the second holding table, the first holding table and the side portions are adjacent to each other with a gap so that the first holding surface and the second holding surface can be formed side by side to form a horizontal plane.
The rotation connecting portion rotatably connects the side portions of the first holding table and the second holding table. The rotation connecting portion has a rotation center at a height different from the horizontal plane in a state where the first holding surface and the second holding surface are arranged side by side to form a horizontal plane.
The rotation center height adjustment mechanism can adjust the height of the rotation center of the rotation connecting portion.
In this board | substrate division | segmentation apparatus, the rotation center of a rotation connection part can be changed into an appropriate position with a rotation center height adjustment mechanism.
本発明に係る基板分割装置では、脆性材料からなる基板の分割を行うに際し、分断面の精度が高くなる。 In the substrate dividing apparatus according to the present invention, when the substrate made of a brittle material is divided, the accuracy of the dividing surface is increased.
1.第1実施形態
(1)基板分割装置の基本構成
図1〜図3を用いて、基板分割装置1を説明する。基板分割装置1は、脆弱性基板W(以下、「基板W」という)を分割するための装置である。基板Wは、例えば、単結晶シリコン基板である。図1は、本発明の第1実施形態に係る基板分割装置の上面の平面図である。図2は、基板分割装置の上に基板を載せた状態を示す基板分割装置の上面の平面図である。図3は、基板分割装置の裏面の平面図である。以下、図1〜図3において、紙面左右方向をX方向として、紙面上下方向をY方向として説明する。また、紙面の下側を「Y方向手前側」とし、紙面の上側を「Y方向奥側」とする。
1. First Embodiment (1) Basic Configuration of Substrate Dividing Device A substrate dividing
基板分割装置1は、第1保持テーブル3と、第2保持テーブル5と、回動連結部7とを有しており、第1保持テーブル3と第2保持テーブル5は、互いに水平な状態(図6)と、互いに傾いた姿勢(一方が他方に対して上側に傾いた姿勢(図7)、又は下側に傾いた姿勢(図8))とを取ることができる。
この基板分割装置1では、第1保持テーブル3と第2保持テーブル5は、回動連結部7を介して、側部同士が互いに連結されている。したがって、基板分割装置1の構造が簡単になり、したがって基板分割装置の保管、運搬、操作が容易になる。
The substrate dividing
In the
基板分割装置1は、第1保持テーブル3を有している。第1保持テーブル3は、図1〜図3において左側に配置されている。第1保持テーブル3は、X方向の短辺とY方向の長辺とを有する矩形である。
第1保持テーブル3は、第1保持面11を有している。さらに、第1保持テーブル3は、図6に示すように、内部に第1真空室13を有している。第1真空室13と第1保持面11との間には、図1に示すように、複数の第1吸引孔15が形成されている。複数の第1吸引孔15は、基板Wを吸着により充分保持できるように、所定領域に設けられている。具体的には、複数の第1吸引孔15は、X方向の第2保持テーブル5側に寄って形成されている。つまり、複数の第1吸引孔15はX方向の第2保持テーブル5と反対側の端部に形成されていない。なお、図6は、基板分割装置の正面図である。
The
The first holding table 3 has a
基板分割装置1は、第2保持テーブル5を有している。第2保持テーブル5は、図1〜図3において右側に配置されている。第2保持テーブル5は、X方向の短辺とY方向の長辺とを有する矩形である。第2保持テーブル5は、第2保持面21を有している。さらに、第2保持テーブル5は、図6に示すように、内部に第2真空室23を有している。第2真空室23と第2保持面21との間には、図1に示すように、複数の第2吸引孔25が形成されている。複数の第2吸引孔25は、基板Wを吸着により充分保持できるように、所定領域に設けられている。具体的には、複数の第2吸引孔25は、X方向の第1保持テーブル3側に寄って形成されている。つまり、複数の第2吸引孔25はX方向の第1保持テーブル3と反対側の端部に形成されていない。
The
基板分割装置1は、回動連結部7を有している。回動連結部7は、第1保持テーブル3と第2保持テーブル5とを互いに回動自在に連結している。より具体的には、回動連結部7は、第1保持テーブル3と第2保持テーブル5の側部同士(後述)を回動自在に連結している。ここでの回動中心は、Y方向と平行に延びる軸である。これにより、第1保持テーブル3と第2保持テーブル5は互いに対して傾動可能である。
図1〜図3に示すように、第1保持テーブル3と第2保持テーブル5は、長辺同士すなわち側部3aと側部5a同士がX方向に近接して配置されており、両者のX方向間にはY方向に延びる隙間33が確保されている。具体的には、回動連結部7は、側部3aと側部5a同士を連結している。このように第1保持テーブルと第2保持テーブル5は側部3aと側部5a同士が隙間33を空けて隣接しており、さらには第1保持面11と第2保持面21が横に並んで水平面を形成できる。
The
As shown in FIGS. 1 to 3, the first holding table 3 and the second holding table 5 are arranged such that the long sides, that is, the
図4及び図6を用いて、回動連結部7を詳細に説明する。
さらに詳細に説明すれば、回動連結部7は、第1連結部材41を有している。第1連結部材41は、第1保持テーブル3に設けられている。より具体的には、第1連結部材41は、第1保持テーブル3の側部3a付近の下面においてY方向に延びる第1部分41aと、第1部分41aから上方に延びる一対の第2部分41bと、各第2部分41bの上端からY方向に互いに接近する側に延びる第3部分41cとを有している。第3部分41cは第1連結部材41の表面側に配置されている。これにより、第1連結部材41は第1保持テーブル3に固定されている。さらに、第1連結部材41は、各第2部分41bの上部から第2保持テーブル5に向かってX方向に延びる第1突出部41dを有している。
また、回動連結部7は、第2連結部材43を有している。第2連結部材43は、第2保持テーブル5に設けられている。より具体的には、第2連結部材43は、第2保持テーブル5の側部5a付近の下面においてY方向に延びる第1部分43aと、第1部分43aから上方に延びる一対の第2部分43bと、各第2部分43bの上端からY方向に互いに接近する側に延びる第3部分43cとを有している。第3部分43cは第2保持テーブル5の表面側に配置されている。これにより、第2連結部材43は第2保持テーブル5に固定されている。さらに、第2連結部材43は、各第2部分43bの上部から第1保持テーブル3に向かってX方向に延びる第2突出部43dを有している。第1突出部41dと第2突出部43dはY方向に近接している。
The
More specifically, the
Further, the
回動連結部7は、さらに具体的には、第1突出部41dと第2突出部43dを連結するY方向の手前側の第1回動連結部45aと、Y方向奥側の第2回動連結部45bとを有している。第1回動連結部45a及び第2回動連結部45bは、それぞれ、第1突出部41dと第2突出部43dを回動自在に連結する回動ピンを有している。
以上に述べたように、回動連結部7は、Y方向に離れた第1回動連結部45aと第2回動連結部45bとを有している。つまり、図1に示すように、第1回動連結部45aが第1保持テーブル3及び第2保持テーブル5のそれぞれの第1端部3A及び第1端部5A同士を連結し、第2回動連結部45bが第1保持テーブル3及び第2保持テーブル5のそれぞれの第2端部3B及び第2端部5B同士を連結している。第1回動連結部45aの第1回動中心軸O1及び第2回動連結部45bの第2回動中心軸O2は、同一の直線上に配置されており、第1保持面11と第2保持面21が横に並んで水平面を形成した状態において第1保持面11及び第2保持面21の下方に位置している。なお、第1回動中心軸O1及び第2回動中心軸O2は、図1の平面視で明らかなように、Y方向に平行しており、さらに両者のX方向位置は一致している。
More specifically, the
As described above, the
図3に示すように、複数のボルト59によって、第1保持テーブル3と第1連結部材41が固定され、さらに、第2保持テーブル5と第2連結部材43とが固定されている。なお、ボルト59の数及び位置はこの実施形態に限定されない。さらに、保持テーブルと連結部材との固定はボルトに限定されない。
As shown in FIG. 3, the first holding table 3 and the first connecting
(2)分割動作
図4〜図8を用いて、基板分割装置1による基板Wの分割動作を説明する。図5は、基板分割装置の分割動作の一状態を示す斜視図である。図7及び図8は、基板分割装置の正面図であり、分割動作の一状態を示す図である。
最初に、第1保持テーブル3及び第2保持テーブル5の上に基板Wを載置する。このとき、図4及び図6に示すように、第1保持テーブル3と第2保持テーブル5とが、1枚の基板Wに対して同一の載置面を有するように配置されている。第1保持テーブル3は設置床面(図示せず)の上に配置され固定されている。第2保持テーブル5は、前述したように第1保持テーブル3に対して傾動可能に連結されている。基板Wの上面には、スクライブ溝Sが予め形成されている。スクライブ溝Sは、基板Wの中心を直線状に延びる溝である。スクライブ溝Sの形成方法は従来例と同一であり、剪断応力又は引張応力が高い部分が基板Wのブレイクポイントとなる。
(2) Dividing Operation The dividing operation of the substrate W by the
First, the substrate W is placed on the first holding table 3 and the second holding table 5. At this time, as shown in FIGS. 4 and 6, the first holding table 3 and the second holding table 5 are arranged so as to have the same placement surface with respect to one substrate W. The first holding table 3 is arranged and fixed on an installation floor (not shown). As described above, the second holding table 5 is connected to the first holding table 3 so as to be tiltable. On the upper surface of the substrate W, a scribe groove S is formed in advance. The scribe groove S is a groove extending linearly at the center of the substrate W. The method for forming the scribe groove S is the same as that of the conventional example, and a portion where the shear stress or tensile stress is high becomes a break point of the substrate W.
図9に示すように、基板Wはそのスクライブ溝Sが分割装置の1のX方向の中央位置に位置(隙間33の上)になるように、基板Wを第1保持テーブル3及び第2保持テーブル5にまたがらせて配置する。このとき、スクライブ溝SはY方向に平行になる。
この状態で第1真空室13及び第2真空室23の真空吸引が行われ、基板Wが第1保持テーブル3及び第2保持テーブル5上に吸着される。
As shown in FIG. 9, the substrate W is held by the first holding table 3 and the second holding so that the scribe groove S is positioned at the center position in the X direction of the dividing device 1 (above the gap 33). It is placed across the table 5. At this time, the scribe groove S is parallel to the Y direction.
In this state, vacuum suction of the
次に、図5及び図8に示すように、例えば作業者が第2保持テーブル5を手でつかんで時計方向に回動させ、第1保持テーブル3に対して下方に傾くように移動させる。すると、基板Wはスクライブ溝Sに沿って切断が進む。しかも第1保持テーブル3及び第2保持テーブル5の第1回動中心軸O1及び第2回動中心軸O2の中心は、水平状態の第1保持面11及び第2保持面21の下方位置に位置しているので、折られた基板Wの切断面は互いに離れ、したがって切粉が基板Wの切断面同士が当接することはない。
次に、図8に示すように、第2保持テーブル5を作業者が手でつかんで反時計方向に回動させ、第1保持テーブル3に対して上方に傾くように移動させる。すると、基板Wはスクライブ溝Sに沿って切断が進む。
Next, as shown in FIGS. 5 and 8, for example, the operator grasps the second holding table 5 with his hand and rotates it clockwise to move the second holding table 5 so as to tilt downward. Then, the cutting of the substrate W proceeds along the scribe groove S. Moreover, the centers of the first rotation center axis O 1 and the second rotation center axis O 2 of the first holding table 3 and the second holding table 5 are below the first holding
Next, as shown in FIG. 8, the operator holds the second holding table 5 by hand and rotates it counterclockwise, so that the second holding table 5 is tilted upward with respect to the first holding table 3. Then, the cutting of the substrate W proceeds along the scribe groove S.
図9〜図11を用いて、上記の動作をさらに詳細に説明する。図9〜図11は、回動連結部の高さと基板の変位の関係を示すための模式的正面図である。
図9〜図11に示すように、第1回動中心軸O1と、第2回動中心軸O2は高さが異なるように設定されている。なお、第1回動中心軸O1と第2回動中心軸O2の高さ位置の違いは、説明の便宜のために誇張して描かれている。
具体的には、図9に示すように、第2回動中心軸O2が第1回動中心軸O1より下側に配置されて、つまり、第1保持面11及び第2保持面21からより遠くに離れている。
例えば、基板Wの厚みが0.2mmの場合は、基板Wの下面と第1回動中心軸O1との距離は1.3mmであり、基板Wの下面と第2回動中心軸O2との距離は1.8mmである。基板Wの下面と第1回動中心軸O1との距離は、0.5〜2.0mmの範囲にあり、さらに好ましくは0.1〜3.0mmの範囲にある。また、基板Wの下面と第2回動中心軸O2との距離は、0.6〜2.5mmの範囲にあり、さらに好ましくは0.1〜3.5mmの範囲にある。
The above operation will be described in more detail with reference to FIGS. 9 to 11 are schematic front views for illustrating the relationship between the height of the rotation connecting portion and the displacement of the substrate.
As shown in FIGS. 9 to 11, the first rotation center axis O 1, second rotation center axis O 2 has been set differently heights. The first rotation center axis O 1 and the difference of the second height position of the rotation center axis O 2 is exaggerated for convenience of explanation.
Specifically, as shown in FIG. 9, the second rotation center axis O 2 is disposed below the first rotation center axis O 1 , that is, the first holding
For example, when the thickness of the substrate W is 0.2 mm, the distance between the lower surface of the substrate W and the first rotation center axis O 1 is 1.3 mm, and the lower surface of the substrate W and the second rotation center axis O 2. The distance to is 1.8 mm. The distance between the lower surface of the substrate W and the first rotation center axis O 1 is in the range of 0.5 to 2.0 mm, more preferably in the range of 0.1 to 3.0 mm. Further, the distance between the lower surface of the substrate W and the second rotation center axis O 2 is in the range of 0.6 to 2.5 mm, more preferably in the range of 0.1 to 3.5 mm.
この場合、第1保持テーブル3と第2保持テーブル5の第1保持面11及び第2保持面21に基板Wを搭載した状態で第2保持テーブル5を第1保持テーブル3に対して第1回動中心軸O1及び第2回動中心軸O2が位置している側に回動させた場合に、第1保持テーブル3及び第2保持テーブル5の側部3a、5aの第1端部3A、5Aと第2端部3B、5Bとで基板Wの第2保持テーブル5によって保持された部分の変位が異なる。したがって、基板Wのスクライブ溝Sは、スクライブ溝Sの延びる方向の一方の側から他方の側に向かって分断されていく。その結果、分断面の精度が向上する。
In this case, the second holding table 5 is first with respect to the first holding table 3 with the substrate W mounted on the first holding
図10を用いて、より具体的に説明する。図10では、第2保持テーブル5において第1端部5Aの位置を実線で示し、第2端部5Bの位置を破線で示している。この場合、第2保持テーブル5の側部5aの移動量が、Y方向奥側に向かうほど大きくなる。つまり、第2端部5Bの移動量が第1端部5Aの移動量より大きくなる。また、前記の角度が大きくなるにつれ、その傾向が強まる。なお、図10では、第2端部5Bの位置と第1端部5Aとの移動量の差異を明確にするため、第2端部5Bの移動量は誇張して描かれている。
この結果、基板WのY方向奥側縁が基板Wの分断の開始点となり、Y方向奥側から手前側へと連続して基板Wの分断が進展してゆく。このブレイク法では、分断の開始点が1点のため、基板Wに作用させる分断力の大きさは、従来のブレイク法と比べると、格段に低くなる。また、ブレイク端面、すなわち分断面はきれいに仕上がり、従来技術で述べたような基板Wの分断端面の不具合は発生しない。
This will be described more specifically with reference to FIG. In FIG. 10, in the second holding table 5, the position of the
As a result, the rear edge of the substrate W in the Y direction becomes the starting point of the division of the substrate W, and the division of the substrate W progresses continuously from the rear side in the Y direction to the front side. In this break method, since the starting point of the division is one point, the magnitude of the division force applied to the substrate W is significantly lower than that in the conventional break method. Further, the break end face, that is, the divided section is finished finely, and the problem of the divided end face of the substrate W as described in the prior art does not occur.
図11は、第1回動中心軸O1及び第2回動中心軸O2を基板Wの上面よりも上側に配置し、第2保持テーブル5を第1保持テーブル3に対して第1回動中心軸O1及び第2回動中心軸O2が位置している側に回動させた例を示している。なお、この場合、基板Wを第1保持テーブル3及び第2保持テーブル5に載置したときに、スクライブ溝は基板Wの下面に形成されている。
具体的には、第2回動中心軸O2が第1回動中心軸O1より上側に配置されて、つまり、第1保持面11及び第2保持面21からより遠くに離れている。
In FIG. 11, the first rotation center axis O 1 and the second rotation center axis O 2 are arranged above the upper surface of the substrate W, and the second holding table 5 is moved to the first holding table 3 first time. An example is shown in which the moving center axis O 1 and the second rotation center axis O 2 are rotated to the side where they are located. In this case, the scribe groove is formed on the lower surface of the substrate W when the substrate W is placed on the first holding table 3 and the second holding table 5.
Specifically, the second rotation center axis O 2 is disposed above the first rotation center axis O 1 , that is, is further away from the first holding
例えば、基板Wの厚みが0.2mmの場合は、基板Wの上面と第1回動中心軸O1との距離は1.3mmであり、基板Wの上面と第2回動中心軸O2との距離は1.8mmである。基板Wの上面と第1回動中心軸O1との距離は、0.5〜2.0mmの範囲にあり、さらに好ましくは0.1〜3.0mmの範囲にある。また、基板Wの上面と第2回動中心軸O2との距離は、0.6〜2.5mmの範囲にあり、さらに好ましくは0.1〜3.5mmの範囲にある。 For example, when the thickness of the substrate W is 0.2 mm, the distance between the upper surface of the substrate W and the first rotation center axis O 1 is 1.3 mm, and the upper surface of the substrate W and the second rotation center axis O 2. The distance to is 1.8 mm. The distance between the upper surface of the substrate W and the first rotation center axis O 1 is in the range of 0.5 to 2.0 mm, more preferably in the range of 0.1 to 3.0 mm. The distance between the upper surface and the second rotation center axis O 2 of the substrate W is in the range of 0.6~2.5Mm, more preferably in the range of 0.1~3.5Mm.
図11では、第2保持テーブル5において第1端部5Aの位置を実線で示し、第2端部5Bの位置を破線で示している。この場合、第2保持テーブル5の側部5aの移動量が、Y方向奥側に向かうほど大きくなる。つまり、第2端部5Bの移動量が第1端部5Aの移動量より大きくなる。また、前記の角度が大きくなるにつれ、その傾向が強まる。なお、図11では、第2端部5Bの位置と第1端部5Aとの移動量の差異を明確にするため、第2端部5Bの移動量は誇張して描かれている。
In FIG. 11, in the second holding table 5, the position of the
この結果、基板WのY方向奥側縁が基板Wの分断の開始点となり、Y方向奥側から手前側へと連続して基板Wの分断が進展してゆく。このブレイク法では、分断の開始点が1点のため、基板Wに作用させる分断力の大きさは、従来のブレイク法と比べると、格段に低くなる。また、ブレイク端面、すなわち分断面はきれいに仕上がり、従来技術で述べたような基板Wの分断端面の不具合は発生しない。 As a result, the rear edge of the substrate W in the Y direction becomes the starting point of the division of the substrate W, and the division of the substrate W progresses continuously from the rear side in the Y direction to the front side. In this break method, since the starting point of the division is one point, the magnitude of the division force applied to the substrate W is significantly lower than that in the conventional break method. Further, the break end face, that is, the divided section is finished finely, and the problem of the divided end face of the substrate W as described in the prior art does not occur.
(3)回動中心高さ調節機構
図12及び図13を用いて、回動連結部7の回動中心の高さを調整可能な回動中心高さ調節機構51を説明する。図12は、回動中心高さ調節機構を示すための断面図である。図13は、図12の部分拡大図である。回動中心高さ調節機構51によって、回動連結部7の回動中心を適切な位置に変更できる。
図12に示すように、回動中心高さ調節機構51は、第1回動連結部45aの高さを変更するための第1調節機構51aと、第2回動連結部45bの高さを変更するための第2調節機構51bとを有している。なお、図12では、第1保持テーブル3における第1調節機構51a及び第2調節機構51bを示している。ただし、図示していないが、第2保持テーブル5にも同様に第1調節機構51a及び第2調節機構51bが設けられている。
(3) Rotation center height adjustment mechanism The rotation center
As shown in FIG. 12, the rotation center
より詳細には、第1調節機構51aは、第1保持テーブル3の第1端部3Aに対する第1回動連結部45aの回動中心高さを調節するための機構である。第1調節機構51aは、調節ボルト61を有している。調節ボルト61は、第1実施形態のボルト59と入れ替えて利用可能である。
調節ボルト61は、図13に示すように、頭部61aと、首部61bと、ネジ部61cと、先端部61dとを有している。頭部61aは、第1連結部材41の第1部分41aの下面に着座している。首部61bは、第1部分41aの穴41e内に回転自在に挿入されている。ネジ部61cは、第1保持テーブル3のネジ穴3dに螺合している。ネジ部61cの両端は、第1保持テーブル3の両主面から突出している。さらに、ネジ部61cの先端は、第3部分41cの下面に当接している。
More specifically, the
As shown in FIG. 13, the
上記の構成によって、調節ボルト61によるネジ穴3dに対する螺合深さが変化すれば、第1連結部材41の第1突出部41dに対する第1保持テーブル3の第1端部3Aの高さが変化し、その結果、第1回動連結部45aの高さが変化する。
第1調節機構51aは、さらに、抜け止めボルト63を有している。抜け止めボルト63は、先端部61dに螺合している。
第1調節機構51aは、さらに、固定ナット65を有している。固定ナット65は、第1保持テーブル3の表面に着座しており、さらにネジ部61cに螺合している。
With the above configuration, when the screwing depth of the
The
The
以下、第1調節機構51aの高さ調整動作を説明する。
最初に、固定ナット65を調節ボルト61に対して緩める。
続いて、調節ボルト61を螺合して、第1保持テーブル3の高さを調整する。
最後に、固定ナット65を調節ボルト61に対して締め付ける。
以上の調整動作により、第1回動連結部45aの高さを調節して、所望の位置に維持できる。
Hereinafter, the height adjustment operation of the
First, the fixing
Subsequently, the
Finally, the fixing
By the adjustment operation described above, the height of the first
回動中心高さ調節機構51によって、第1回動連結部45a及び第2回動連結部45bを変更することで、第1回動中心軸O1及び第2回動中心軸O2の高さを前記実施形態のように設定できる。また、回動中心高さ調節機構51によって、第1回動中心軸O1及び第2回動中心軸O2の高さを基板Wの厚み、ブレイク向き等の条件に従って調節できる。
例えば、回動中心軸は基板Wの下面より上方に配置するようにできる。また、回動中心高さ調節機構51によって、第1回動中心軸O1及び第2回動中心軸O2の高さを一致させることもできる。
The rotation center
For example, the rotation center axis can be arranged above the lower surface of the substrate W. In addition, the heights of the first rotation center axis O 1 and the second rotation center axis O 2 can be matched by the rotation center
高さ調節機構(上記実施形態では、調節ボルト61)の数及び位置は特に限定されない。
高さ調節機構の構成は特に限定されない。
The number and positions of the height adjusting mechanisms (in the above embodiment, the adjusting bolts 61) are not particularly limited.
The configuration of the height adjustment mechanism is not particularly limited.
2.他の実施形態
以上、本発明の複数の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。特に、本明細書に書かれた複数の実施形態及び変形例は必要に応じて任意に組み合せ可能である。
(1)基板Wを保持テーブルに保持する方法は真空吸着に限定されない。基板がガラスであり、その表面に樹脂が成膜されている場合は、静電吸着によっても固定することができる。その他、上方から押圧保持する手段を備えたテーブル、粘着テーブル等他の基板保持テーブルを用いてもよい。
(2)テーブルを傾動させる方法は手動に限定されない。例えば、傾動機構を介してテーブルを傾動させてもよい。傾動機構は、モータの回転力又は流体シリンダを用いて傾動テーブルを所定角だけ回動するものであってもよく、アームやリンクを介して手動でテーブルを回動するものであってもよい。
2. Other Embodiments Although a plurality of embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. In particular, a plurality of embodiments and modifications described in this specification can be arbitrarily combined as necessary.
(1) The method of holding the substrate W on the holding table is not limited to vacuum suction. When the substrate is made of glass and a resin film is formed on the surface thereof, it can be fixed also by electrostatic adsorption. In addition, you may use other board | substrate holding tables, such as a table provided with the means to hold | press and hold from upper direction, an adhesive table.
(2) The method of tilting the table is not limited to manual operation. For example, the table may be tilted via a tilting mechanism. The tilting mechanism may be one that rotates the tilting table by a predetermined angle using the rotational force of the motor or a fluid cylinder, or may be one that manually rotates the table via an arm or a link.
(3)スクライブ溝の形成箇所は前記実施形態に限定されない。例えば、スクライブ溝は基板の下面に形成されていてもよいし、基板の上面と下面に形成されていてもよい。
(4)基板は、単結晶シリコン基板に限定されない。基板は、単板のガラス、合わせガラス、半導体ウエハ、セラミック基板を含んでいる。なお、液晶パネルのように合わせガラス基板の場合、交互のブレイク動作で上下の基板を交互に分断することができ、しかも基板を反転する工程も不要なため、作業効率が大幅に向上する。
(5)回動中心高さ調節機構は前記実施形態に限定されない。例えば、回動中心高さ調節機構は、保持テーブルと連結部材との間に配置するシムの枚数又は厚みを変更する構成でもよい。
(3) The formation part of a scribe groove is not limited to the said embodiment. For example, the scribe groove may be formed on the lower surface of the substrate, or may be formed on the upper and lower surfaces of the substrate.
(4) The substrate is not limited to a single crystal silicon substrate. The substrate includes a single plate glass, a laminated glass, a semiconductor wafer, and a ceramic substrate. Note that in the case of a laminated glass substrate such as a liquid crystal panel, the upper and lower substrates can be alternately divided by alternating break operations, and the process of reversing the substrates is not necessary, so that the working efficiency is greatly improved.
(5) The rotation center height adjusting mechanism is not limited to the above embodiment. For example, the rotation center height adjusting mechanism may be configured to change the number or thickness of shims arranged between the holding table and the connecting member.
本発明は、スクライブ溝が形成された脆性材料からなる基板を分割する装置に広く適用できる。 The present invention can be widely applied to an apparatus for dividing a substrate made of a brittle material in which a scribe groove is formed.
1 :基板分割装置
3 :第1保持テーブル
3A :第1端部
3B :第2端部
3a :側部
5 :第2保持テーブル
5A :第1端部
5B :第2端部
5a :側部
7 :回動連結部
11 :第1保持面
13 :第1真空室
15 :第1吸引孔
21 :第2保持面
23 :第2真空室
25 :第2吸引孔
33 :隙間
41 :第1連結部材
43 :第2連結部材
W :脆弱性基板
1: substrate dividing device 3: first holding table 3A:
Claims (3)
前記基板が保持される第1保持面を有する第1保持テーブルと、
前記基板が保持される第2保持面を有しており、前記第1保持面と前記第2保持面が横に並んで水平面を形成することが可能なように、前記第1保持テーブルと側部同士が隙間を空けて隣接する第2保持テーブルと、
前記第1保持テーブルと前記第2保持テーブルの前記側部同士を回動自在に連結しており、前記第1保持面と前記第2保持面が横に並んで水平面を形成した状態において前記水平面とは異なる高さに回動中心を有する回動連結部とを備え、
前記回動連結部は、前記第1保持テーブルと前記第2保持テーブルの前記側部の第1端部同士を連結する第1回動連結部と、前記第1保持テーブルと前記第2保持テーブルの前記側部の第2端部同士を連結しており前記第1回動連結部と回動中心の高さが異なる第2回動連結部とを有している、
基板分割装置。 A substrate dividing apparatus capable of dividing a substrate made of a brittle material in which a scribe groove is formed,
A first holding table having a first holding surface on which the substrate is held;
The first holding table and the side have a second holding surface on which the substrate is held, and the first holding surface and the second holding surface can be horizontally aligned to form a horizontal plane. A second holding table adjacent to each other with a gap therebetween;
The side surfaces of the first holding table and the second holding table are rotatably connected to each other, and the horizontal surface is formed in a state where the first holding surface and the second holding surface are arranged side by side. A rotation connecting portion having a rotation center at a different height from
The rotating connecting portion includes a first rotating connecting portion that connects first end portions of the side portions of the first holding table and the second holding table, the first holding table, and the second holding table. The second end portions of the side portions are connected to each other, and the first rotation connection portion and the second rotation connection portion having different rotation center heights are provided.
Substrate dividing device.
前記基板が保持される第1保持面を有する第1保持テーブルと、
前記基板が保持される第2保持面を有しており、前記第1保持面と前記第2保持面が横に並んで水平面を形成することが可能なように、前記第1保持テーブルと側部同士が隙間を空けて隣接する第2保持テーブルと、
前記第1保持テーブルと前記第2保持テーブルの前記側部同士を回動自在に連結しており、前記第1保持面と前記第2保持面が横に並んで水平面を形成した状態において前記水平面とは異なる高さに回動中心を有する回動連結部とを備え、
前記回動連結部の回動中心の高さを調節可能な回動中心高さ調節機構と、
備えている、基板分割装置。 A substrate dividing apparatus capable of dividing a substrate made of a brittle material in which a scribe groove is formed,
A first holding table having a first holding surface on which the substrate is held;
The first holding table and the side have a second holding surface on which the substrate is held, and the first holding surface and the second holding surface can be horizontally aligned to form a horizontal plane. A second holding table adjacent to each other with a gap therebetween;
The side surfaces of the first holding table and the second holding table are rotatably connected to each other, and the horizontal surface is formed in a state where the first holding surface and the second holding surface are arranged side by side. A rotation connecting portion having a rotation center at a different height from
A rotation center height adjustment mechanism capable of adjusting the height of the rotation center of the rotation connecting portion;
A substrate dividing apparatus.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016065997A JP2017177453A (en) | 2016-03-29 | 2016-03-29 | Substrate dividing device |
CN201710164587.3A CN107240574A (en) | 2016-03-29 | 2017-03-17 | Substrate segmenting device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016065997A JP2017177453A (en) | 2016-03-29 | 2016-03-29 | Substrate dividing device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017177453A true JP2017177453A (en) | 2017-10-05 |
Family
ID=59983022
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016065997A Pending JP2017177453A (en) | 2016-03-29 | 2016-03-29 | Substrate dividing device |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2017177453A (en) |
CN (1) | CN107240574A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190128990A (en) | 2018-05-09 | 2019-11-19 | 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 | Apparatus for dividing substrate |
KR20210102858A (en) | 2020-02-12 | 2021-08-20 | 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 | Dividing mechanism of brittle material substrate |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019084727A1 (en) * | 2017-10-30 | 2019-05-09 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Apparatus and method for cutting out display panel(s) from mother substrate |
CN108162068A (en) * | 2018-01-29 | 2018-06-15 | 广东利元亨智能装备有限公司 | A kind of board separating device and scoreboard charging equipment |
CN110255877A (en) * | 2019-06-30 | 2019-09-20 | 东莞市佰荣森机械设备有限公司 | A kind of high-accuracy glass, which is cut, breaks integral type cutter head |
CN111348822A (en) * | 2020-03-14 | 2020-06-30 | 涡阳县幸福门业有限公司 | Cutting device for glass production |
-
2016
- 2016-03-29 JP JP2016065997A patent/JP2017177453A/en active Pending
-
2017
- 2017-03-17 CN CN201710164587.3A patent/CN107240574A/en not_active Withdrawn
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190128990A (en) | 2018-05-09 | 2019-11-19 | 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 | Apparatus for dividing substrate |
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---|---|
CN107240574A (en) | 2017-10-10 |
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|
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|
A02 | Decision of refusal |
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