JP2017168699A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

基板処理装置および基板処理方法 Download PDF

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Abstract

【課題】パターン要素の倒壊を抑制しつつ、乾燥に係る処理に要する時間を短くする。【解決手段】回転する基板９の上面９１に、純水、混合液および有機溶剤が順に供給され、その後、基板９の回転により上面９１上の有機溶剤が除去される。混合液は、純水よりも表面張力が低い有機溶剤と純水とを混合することにより生成され、常温よりも高い温度である。純水との溶解性が有機溶剤よりも高い混合液が、純水が付与された上面９１に供給されことにより、混合液と純水との界面において上面９１の局所的な乾燥が発生しにくくなり、パターン要素の倒壊が抑制される。常温よりも高い温度の混合液により基板９が昇温されていることにより、基板９を短時間にて乾燥させることができ、乾燥に係る処理に要する時間を短くすることができる。【選択図】図１

Description

本発明は、基板処理装置および基板処理方法に関する。
従来、半導体基板（以下、単に「基板」という。）の製造工程では、基板処理装置を用いて基板に対して様々な処理が施される。例えば、表面上にレジストのパターンが形成された基板に薬液を供給することにより、基板の表面に対してエッチング等の処理が行われる。薬液の供給後には、基板に純水を供給して表面の薬液を除去するリンス処理や、基板を高速に回転して表面の純水を除去する乾燥処理がさらに行われる。
基板を乾燥する際には、基板上の純水を、純水よりも表面張力が低い有機溶剤（ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等）に置換することも行われる。これにより、乾燥処理中に、純水の表面張力に起因して基板上のパターン要素が倒壊することが防止される。例えば、特許文献１では、純水の液膜を基板上に形成し、純水よりも表面張力が低い低表面張力溶剤により基板上の純水を置換し、その後、当該低表面張力溶剤を基板表面から除去して基板表面を乾燥させる手法が開示されている。
また、特許文献２の装置では、純水による基板の洗浄処理に続いて、乾燥前処理液を基板の主面に供給して、当該主面に残っている純水を乾燥前処理液に置換させ、その後、乾燥前処理液を除去して基板を乾燥させることが行われる。乾燥前処理液は、純水と、純水よりも揮発性の高い有機溶剤とを含む混合液であり、混合液の基板への供給中に、混合液中における有機溶剤の割合が増加される。特許文献３では、リンス液が付着した基板の表面に常温の低表面張力液体を供給する処理に並行して、基板の裏面に高温の温水を供給することにより、基板の表面上で低表面張力液体を温度上昇させる手法が開示されている。当該手法では、基板の表面上のリンス液と低表面張力液体との置換効率を向上させることができ、基板の表面からリンス液を良好に除去することができる。
特許第５１１４２５２号公報 特許第４７６７７６７号公報 特許第５１３９８４４号公報
ところで、特許文献１のように、純水の液膜を基板上に形成する場合、基板の回転数を下げた状態を一定時間保持する必要があるため、リンス処理後、基板の乾燥が完了するまでの乾燥に係る処理に要する時間が長くなる。一方、特許文献３のように、純水によるリンス処理後に、純水の液膜を形成することなく、主面上に低表面張力液体（ＩＰＡ）を直接供給すると、パターン要素の形状や大きさ、配置等によっては、パターン要素が倒壊する場合がある。特許文献２の装置でも、乾燥前処理液の除去（基板の乾燥）には一定の時間を要してしまう。したがって、パターン要素の倒壊を抑制しつつ、乾燥に係る処理に要する時間を短くする手法が求められている。
本発明は上記課題に鑑みなされたものであり、パターン要素の倒壊を抑制しつつ、乾燥に係る処理に要する時間を短くすることを目的としている。
請求項１に記載の発明は、基板処理装置であって、基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部を前記基板と共に回転する基板回転機構と、前記基板の上方を向く主面に純水を供給する純水供給部と、純水よりも表面張力が低い有機溶剤と純水とを混合することにより生成され、常温よりも高い温度の混合液を前記主面に供給する混合液供給部と、前記有機溶剤を前記主面に供給する有機溶剤供給部と、前記基板回転機構により回転する前記基板の前記主面に、前記純水供給部、前記混合液供給部および前記有機溶剤供給部により前記純水、前記混合液および前記有機溶剤を順に供給させた後、前記基板の回転により前記主面上の前記有機溶剤を除去する制御部とを備える。
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の基板処理装置であって、前記混合液が、常温の有機溶剤と加熱した純水とを混合することにより生成される。
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の基板処理装置であって、前記混合液における前記有機溶剤の濃度が５０ｖｏｌ％以下である。
請求項４に記載の発明は、基板処理方法であって、ａ）回転する基板の上方を向く主面に純水を供給する工程と、ｂ）純水よりも表面張力が低い有機溶剤と純水とを混合することにより生成され、常温よりも高い温度の混合液を、回転する前記基板の前記主面に供給する工程と、ｃ）回転する前記基板の前記主面に前記有機溶剤を供給する工程と、ｄ）前記基板の回転により前記主面上の前記有機溶剤を除去する工程とを備える。
請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の基板処理方法であって、前記混合液が、常温の有機溶剤と加熱した純水とを混合することにより生成される。
請求項６に記載の発明は、請求項５に記載の基板処理方法であって、前記混合液における前記有機溶剤の濃度が５０ｖｏｌ％以下である。
本発明によれば、パターン要素の倒壊を抑制しつつ、乾燥に係る処理に要する時間を短くすることができる。
基板処理装置の構成を示す図である。 基板の処理の流れを示す図である。 基板の上面上の処理液を示す図である。 基板の上面上の処理液を示す図である。 混合液における有機溶剤の濃度と、混合液と純水との溶解性との関係を示す図である。 混合液における有機溶剤の濃度と、混合液と純水との溶解性との関係を示す図である。
図１は、本発明の一の実施の形態に係る基板処理装置１の構成を示す図である。基板処理装置１における各構成要素は、制御部１０により制御される。基板処理装置１は、スピンチャック２２と、スピンモータ２１と、カップ部２３と、チャンバ５とを備える。基板保持部であるスピンチャック２２は、基板９の周縁に複数の挟持部材を接触させることにより、基板９を挟持する。これにより、基板９が水平な姿勢にてスピンチャック２２により保持される。以下の説明では、上方を向く基板９の主面９１を「上面９１」という。上面９１には、所定のパターンが形成されており、当該パターンは、例えば直立する多数のパターン要素を含む。
スピンチャック２２には、上下方向（鉛直方向）に伸びるシャフト２２１が接続される。シャフト２２１は、基板９の上面９１に垂直であり、シャフト２２１の中心軸Ｊ１は、基板９の中心を通る。基板回転機構であるスピンモータ２１は、シャフト２２１を回転する。これにより、スピンチャック２２および基板９が、上下方向を向く中心軸Ｊ１を中心として回転する。シャフト２２１およびスピンモータ２１は共に中空状であり、後述の下部ノズル３４が内部に配置される。
カップ部２３は、液受け部２４と、ガード部２５とを備える。液受け部２４は、ベース部２４１と、環状底部２４２と、周壁部２４３とを備える。ベース部２４１は、中心軸Ｊ１を中心とする筒状である。ベース部２４１は、後述のチャンバ内側壁部５３に嵌め込まれて、チャンバ内側壁部５３の外側面に取り付けられる。環状底部２４２は、中心軸Ｊ１を中心とする円環板状であり、ベース部２４１の下端部から外側に広がる。周壁部２４３は、中心軸Ｊ１を中心とする筒状であり、環状底部２４２の外周部から上方に突出する。ベース部２４１、環状底部２４２および周壁部２４３は、好ましくは１つの部材として一体的に形成される。
ガード部２５は、中心軸Ｊ１を中心とする略円筒状の部材であり、スピンチャック２２の周囲を囲む。ガード部２５の下部には、周壁部２４３との間にて微小な間隙を形成する係合部２５４が設けられる。係合部２５４と周壁部２４３とは、非接触状態が維持される。ガード部２５は、ガード昇降機構２６により、上下方向に移動可能である。
チャンバ５は、チャンバ底部５１と、チャンバ上底部５２と、チャンバ内側壁部５３と、チャンバ外側壁部５４と、チャンバ天蓋部５５とを備える。チャンバ底部５１は、板状であり、スピンモータ２１およびカップ部２３の下方を覆う。チャンバ上底部５２は、中心軸Ｊ１を中心とする略円環板状である。チャンバ上底部５２は、チャンバ底部５１の上方にて、スピンモータ２１の上方を覆うとともにスピンチャック２２の下方を覆う。チャンバ内側壁部５３は、中心軸Ｊ１を中心とする略円筒状である。チャンバ内側壁部５３は、チャンバ上底部５２の外周部から下方に広がり、チャンバ底部５１に至る。チャンバ内側壁部５３は、カップ部２３の径方向内側に位置する。
チャンバ外側壁部５４は、略筒状であり、カップ部２３の径方向外側に位置する。チャンバ外側壁部５４は、チャンバ底部５１の外周部から上方に広がり、チャンバ天蓋部５５の外周部に至る。チャンバ天蓋部５５は、板状であり、カップ部２３およびスピンチャック２２の上方を覆う。チャンバ外側壁部５４には、基板９をチャンバ５内に搬入および搬出するための搬出入口（図示省略）が設けられる。
基板処理装置１は、第１上部ノズル３１と、第２上部ノズル３２と、下部ノズル３４と、薬液供給部４１と、純水供給部４２と、有機溶剤供給部４３と、ヒータ４４とをさらに備える。第１上部ノズル３１は、例えば上下方向に伸びるストレートノズルであり、図示省略のノズル移動機構のアームに取り付けられる。ノズル移動機構は、アームを中心軸Ｊ１に平行な軸を中心として回動することにより、第１上部ノズル３１を、基板９の上面９１に対向する対向位置と、上面９１の上方から外れた待機位置とに選択的に配置する。対向位置に配置された第１上部ノズル３１は、上面９１の中央部に対向する。待機位置は、水平方向において基板９から離れた位置である。ノズル移動機構は、アームを上下方向に昇降することも可能である。第２上部ノズル３２も、第１上部ノズル３１と同様に、他のノズル移動機構により、対向位置と他の待機位置とに選択的に配置される。上下方向に伸びる下部ノズル３４は、中空状のシャフト２２１およびスピンモータ２１の内部に配置される。下部ノズル３４の上端は、基板９の下面の中央部に対向する。
薬液供給部４１は、開閉弁４５１を介して第２上部ノズル３２に接続され、純水供給部４２は、開閉弁４５２を介して接続部４５に接続される。純水供給部４２は、さらに、開閉弁４７１を介してヒータ４４に接続され、また、開閉弁４７２を介して下部ノズル３４に接続される。ヒータ４４は、流量制御弁４６１および開閉弁４５３を介して接続部４５に接続され、有機溶剤供給部４３は、流量制御弁４６２および開閉弁４５４を介して接続部４５に接続される。第２上部ノズル３２と薬液供給部４１との間等にも流量制御弁が設けられてよい。接続部４５は、開閉弁４５５を介して第１上部ノズル３１に接続される。例えば、接続部４５、並びに、接続部４５に近接して設けられる複数の開閉弁４５２〜４５５により、１つの多連弁装置（ミキシングバルブ）が構成される。薬液供給部４１、純水供給部４２および有機溶剤供給部４３により、処理液である薬液、純水および有機溶剤が基板９の上面９１にそれぞれ供給される。
図２は、基板処理装置１における基板９の処理の流れを示す図である。まず、外部の搬送機構により未処理の基板９がチャンバ５内に搬入され、スピンチャック２２にて保持される（ステップＳ１１）。基板９の搬入の際には、ガード昇降機構２６により、ガード部２５を下降させることにより、搬入される基板９がガード部２５に接触することが防止される（後述の基板９の搬出において同様）。搬送機構がチャンバ５外に移動すると、ガード部２５が図１に示す位置まで上昇し、ガード部２５の上端が基板９よりも上方に配置される。
続いて、ノズル移動機構により第２上部ノズル３２が、基板９の上面９１の中央部に対向する対向位置に配置され、スピンモータ２１により、所定の回転数（回転速度）での基板９の回転が開始される。そして、開閉弁４５１を開くことにより、薬液が第２上部ノズル３２を介して上面９１に連続的に供給される（ステップＳ１２）。上面９１上の薬液は基板９の回転により外縁部へと広がり、上面９１の全体に薬液が供給される。また、外縁部から飛散する薬液は、カップ部２３の内側面により受けられて回収される。薬液は、例えば、希フッ酸（ＤＨＦ）またはアンモニア水を含む洗浄液である。薬液は、基板９上の酸化膜の除去や現像、あるいは、エッチング等、洗浄以外の処理に用いられるものであってよい。薬液の供給は所定時間継続され、その後、開閉弁４５１を閉じることにより停止される。薬液による処理では、ノズル移動機構により、第２上部ノズル３２が水平方向に揺動してもよい。ステップＳ１２に並行して、純水供給部４２により純水が下部ノズル３４を介して基板９の下面に供給されてもよい（後述のステップＳ１３〜Ｓ１５において同様）。
薬液による処理が完了すると、第２上部ノズル３２が、待機位置へと移動し、続いて、第１上部ノズル３１が対向位置に配置される。開閉弁４５２を開くことにより接続部４５の内部空間にリンス液である純水（常温の純水）が供給され、開閉弁４５５を開くことにより、純水が第１上部ノズル３１を介して上面９１に連続的に供給される（ステップＳ１３）。これにより、上面９１上の薬液が純水により洗い流されるリンス処理が行われる。リンス処理中は、図３に示すように、上面９１の全体が純水により覆われる。純水の供給中も、図１のスピンモータ２１による、比較的高い回転数での基板９の回転が継続される。例えば、回転数は、５００ｒｐｍであり、後述の混合液の供給時において同様である。基板９から飛散する純水は、カップ部２３の内側面により受けられて、外部に排出される。
純水の供給が所定時間継続されると、開閉弁４５２を閉じることにより純水の供給が停止される。続いて、開閉弁４５３，４５４が同時に開かれる。これにより、ヒータ４４からの加熱した純水（以下、「温純水」という。）と、常温の有機溶剤とが接続部４５の内部空間に供給され、有機溶剤と温純水とを混合した混合液（希釈有機溶剤）が接続部４５において生成される。
ここで、常温は、基板処理装置１の周囲の温度であり、例えば、２０℃±１５℃の範囲である。温純水の温度は、常温よりも高く、例えば５０℃以上であり、好ましくは、６５℃以上である（実際には、９０℃以下）。開閉弁４７１は予め開かれており、ヒータ４４では、およそ一定の温度の温純水が供給可能である。有機溶剤は、例えばＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、メタノール、エタノール、アセトン等であり、純水よりも表面張力が低い。有機溶剤は、純水よりも蒸気圧が高いことが好ましい。本実施の形態では、有機溶剤としてＩＰＡが利用される。
混合液は、第１上部ノズル３１を介して上面９１に連続的に供給される（ステップＳ１４）。図４に示すように、上面９１の中央部に供給される混合液は、基板９の回転により外縁部へと広がり、上面９１上の純水が混合液に置換される。基板９から飛散する混合液は、カップ部２３の内側面により受けられる。混合液の供給では、制御部１０が、有機溶剤供給部４３に接続された流量制御弁４６２の開度、および、ヒータ４４に接続された流量制御弁４６１の開度を制御することにより、有機溶剤と温純水との混合比、すなわち、混合液における有機溶剤の濃度が所定の値に調整される。混合液における有機溶剤の濃度については後述する。このとき、常温よりも高い温度の混合液により、基板９の温度も上昇する。なお、第１上部ノズル３１と接続部４５との間にインラインミキサ等が設けられてもよい。
混合液の供給が所定時間継続されると、開閉弁４５４を開いたままで、開閉弁４５３が閉じられる。これにより、接続部４５への温純水の供給がなくなり、ほぼ常温の有機溶剤のみ（純粋な有機溶剤）が第１上部ノズル３１を介して上面９１に連続的に供給される（ステップＳ１５）。基板９の回転により、上面９１の全体が、有機溶剤により覆われる。基板９から飛散する有機溶剤は、カップ部２３の内側面により受けられる。本実施の形態では、有機溶剤の供給時における基板９の回転数は、混合液の供給時よりも低い（例えば、２００ｒｐｍ）。また、有機溶剤のみの供給開始から所定時間経過後に、流量制御弁４６２の開度を制御することにより、有機溶剤の供給流量が低減される。これにより、上面９１上における有機溶剤の液膜の厚さが薄くなる。
その後、開閉弁４５４，４５５を閉じることにより、第１上部ノズル３１からの有機溶剤の吐出が停止される。対向位置に位置する第１上部ノズル３１は、ノズル移動機構により、上面９１の上方から外れた待機位置へと移動する。続いて、基板９の回転数が、例えば１５００ｒｐｍまで増大されることにより、上面９１上の有機溶剤を除去する乾燥処理が行われる（ステップＳ１６）。このとき、混合液の供給により基板９の温度が常温よりも高くなっているため、有機溶剤の揮発性が高くなり、基板９の乾燥が促進される。基板９の回転が停止されると、外部の搬送機構により、基板９がチャンバ５外に搬出される（ステップＳ１７）。
ここで、純水によるリンス処理後に、純水の液膜を形成する（いわゆる、純水パドルを行う）比較例の処理について説明する。比較例の処理では、純水により基板９の上面９１に対してリンス処理を行った後、基板９の回転数および純水の供給流量を小さくして、比較的厚い純水の液膜が上面９１上に形成される。基板９の回転数は、例えば１０ｒｐｍである。続いて、有機溶剤が上面９１上に供給され、有機溶剤の液膜が形成される。このとき、有機溶剤は、純水の液膜と基板９の上面９１との間に入り込むようにして上面９１の全体に広がる。比較例の処理では、混合液の供給は行われない。有機溶剤の供給後、基板９の回転により上面９１上の有機溶剤が除去される。比較例の処理では、純水の液膜を基板９上に形成する際に、基板９の回転数を下げた状態を一定時間保持する必要があるため、リンス処理後、基板９の乾燥が完了するまでの乾燥に係る処理に要する時間が長くなる（すなわち、スループットが低下する）。
また、図２において、基板９に混合液を供給するステップＳ１４の処理を省略した他の比較例の処理を想定すると、当該他の比較例の処理では、有機溶剤の供給により、上面９１上のパターン要素が倒壊することがある。パターン要素の倒壊の原因は、必ずしも明確ではないが、一因として、純水が極僅かしか存在しない局所的な領域（すなわち、パターン要素に対して、表面張力の影響を及ぼし得る僅かな純水のみが存在する領域であり、以下、「局所的な乾燥」と表現する。）が発生することが挙げられる。例えば、上面９１の中央部に供給された有機溶剤は、上面９１上の純水（基板９の高速回転により薄い層となっている。）を外側に押し出すように広がる、すなわち、有機溶剤と純水との界面が中央部近傍から外縁部に向かって移動するように、有機溶剤が上面９１上にて広がる。このとき、有機溶剤と純水との低い溶解性（両者の混ざりやすさであり、親和性と捉えることもできる。）に起因して、両者の界面において上面９１の局所的な乾燥が発生すると考えられる。局所的な乾燥が発生すると、パターン要素に作用する純水の表面張力の影響により、パターン要素が倒壊する。
これに対し、図１の基板処理装置１では、回転する基板９の上面９１に、純水、混合液および有機溶剤が順に供給され、その後、基板９の回転により上面９１上の有機溶剤が除去される。純水との溶解性が有機溶剤よりも高い（および、純水との表面張力の差が有機溶剤よりも小さい）混合液が、純水が付与された上面９１に供給されることにより、混合液と純水との界面において上面９１の局所的な乾燥が発生しにくくなる。その結果、純水液膜の形成処理を省略しつつ、パターン要素の倒壊を抑制することができる。また、常温よりも高い温度の混合液により基板９が昇温されていることにより、基板９を短時間にて乾燥させることができ、乾燥に係る処理に要する時間を短くする（スループットを向上する）ことができる。
基板処理装置１では、比較的高い回転数にて基板９を回転しつつ、混合液が上面９１に供給されるため、混合液を上面９１の全体に短時間にて広げることができる。したがって、一定時間の基板の低速回転を伴う純水液膜の形成処理に比べて、ステップＳ１４における混合液の供給に要する時間を短くすることができる。実際には、混合液と有機溶剤との溶解性が高いため、ステップＳ１５における有機溶剤の供給時に、パターン要素間における微小間隙に有機溶剤を短時間にて充填することができ、有機溶剤の供給に要する時間も短くすることができる。このように、ステップＳ１４，Ｓ１５の処理時間の短縮により、ステップＳ１６の乾燥処理時間の短縮と相俟って、乾燥に係る処理に要する時間をさらに短くすることができる。また、ステップＳ１５における有機溶剤の供給量も少なくすることができる。
ここで、常温よりも高い温度の混合液を生成する際に、有機溶剤を昇温することも考えられるが、有機溶剤は引火性が高いため、安全対策のコストが増大してしまう。これに対し、基板処理装置１では、常温の有機溶剤と加熱した純水とを混合することにより、常温よりも高い温度の混合液が生成される。これにより、混合液の生成においてコストの増大を伴う有機溶剤の加熱を避けつつ、高温の混合液を容易に生成することができる。
ステップＳ１３〜Ｓ１５において、純水、混合液および有機溶剤が同一の第１上部ノズル３１から順次吐出されることにより、これらの処理液の吐出に係る処理を簡素化することができる。なお、基板処理装置１の設計によっては、純水、混合液および有機溶剤が異なるノズルから吐出されてもよい。
次に、混合液における有機溶剤の濃度について述べる。図５および図６は、混合液における有機溶剤（ここでは、ＩＰＡ）の濃度と、混合液と純水との溶解性との関係を調べた実験結果を示す図である。本実験では、閉塞部材により一端を閉塞した直径１９ｍｍのチューブを準備し、上下方向に伸ばした当該チューブに常温の純水１５ｃｃを溜めた状態で、ＩＰＡ濃度が１０ｖｏｌ％（体積パーセント濃度）、２０ｖｏｌ％、５０ｖｏｌ％、１００ｖｏｌ％である混合液（ＩＰＡ濃度が１００ｖｏｌ％の場合は、純粋な有機溶剤）２ｃｃを当該チューブの内面に沿わせて注いだ。閉塞部材には、直径３ｍｍのサンプリングチューブが設けられており、混合液と純水との界面近傍における微量の液を、混合液の注入から０．５分、１分、２分経過後にサンプリングチューブにより抽出し、当該液のＩＰＡ濃度を測定した。図５および図６は、混合液の注入前における純水の液面の位置（混合液と純水との界面に相当する。）から閉塞部材側に向かってそれぞれ５ｍｍおよび１０ｍｍの位置にて抽出された液のＩＰＡ濃度を示す。
図５および図６より、ＩＰＡ濃度が１００ｖｏｌ％の場合（図５および図６では、「ＩＰＡ １００％」と記している。以下同様。）には、界面近傍におけるＩＰＡ濃度の上昇が小さく、有機溶剤の純水に対する溶解性が低いといえる。一方、ＩＰＡ濃度が１０ｖｏｌ％、２０ｖｏｌ％、５０ｖｏｌ％の場合には、界面近傍におけるＩＰＡ濃度の上昇が、１００ｖｏｌ％の場合よりも大きく、混合液の純水に対する溶解性が高いといえる。よって、局所的な乾燥をより確実に抑制するには、混合液における有機溶剤の濃度は５０ｖｏｌ％以下かつ１０ｖｏｌ％以上であることが好ましい。実際には、当該濃度が５０ｖｏｌ％以下であることにより、混合液における温純水の割合を高くする（５０％以上とする）ことができ、混合液の温度を容易に高くすることができる。有機溶剤の消費量を少なくするとともに、混合液の温度をさらに高くするという観点では、当該濃度は、好ましくは３０％以下であり、より好ましくは２０％以下である。この場合、混合液の純水に対する溶解性もさらに高くなる。
上記基板処理装置１では様々な変形が可能である。
上記実施の形態では、混合液における有機溶剤の濃度が一定とされるが、混合液における有機溶剤の濃度が段階的に高められてもよい。この場合、ステップＳ１４では、有機溶剤供給部４３から接続部４５への有機溶剤の供給流量が徐々に増大され、ヒータ４４から接続部４５への純水の供給流量が徐々に低減される。
基板処理装置１の設計によっては、常温の有機溶剤と常温の純水とを混合した混合液を加熱することにより、常温よりも高い温度の混合液が生成されてもよい。
基板処理装置１では、純水供給部４２、有機溶剤供給部４３、ヒータ４４および接続部４５を主たる構成要素として、常温よりも高い温度の混合液を上面９１に供給する混合液供給部が構成されるが、混合液供給部は、純水供給部４２および有機溶剤供給部４３とは独立して実現されてもよい。
基板９は、様々な態様にて保持されてよい。例えば、基板９の下面を支持する基板保持部により、パターンが形成された主面を上方に向けた状態で基板９が保持されてもよい。
基板処理装置１にて処理される基板は半導体基板には限定されず、ガラス基板や他の基板であってもよい。
上記実施の形態および各変形例における構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わされてよい。
１ 基板処理装置
９ 基板
１０ 制御部
２１ スピンモータ
２２ スピンチャック
４２ 純水供給部
４３ 有機溶剤供給部
４４ ヒータ
４５ 接続部
９１ （基板の）上面
Ｓ１１〜Ｓ１７ ステップ

Claims (6)

  1. 基板処理装置であって、
    基板を保持する基板保持部と、
    前記基板保持部を前記基板と共に回転する基板回転機構と、
    前記基板の上方を向く主面に純水を供給する純水供給部と、
    純水よりも表面張力が低い有機溶剤と純水とを混合することにより生成され、常温よりも高い温度の混合液を前記主面に供給する混合液供給部と、
    前記有機溶剤を前記主面に供給する有機溶剤供給部と、
    前記基板回転機構により回転する前記基板の前記主面に、前記純水供給部、前記混合液供給部および前記有機溶剤供給部により前記純水、前記混合液および前記有機溶剤を順に供給させた後、前記基板の回転により前記主面上の前記有機溶剤を除去する制御部と、
    を備えることを特徴とする基板処理装置。
  2. 請求項１に記載の基板処理装置であって、
    前記混合液が、常温の有機溶剤と加熱した純水とを混合することにより生成されることを特徴とする基板処理装置。
  3. 請求項２に記載の基板処理装置であって、
    前記混合液における前記有機溶剤の濃度が５０ｖｏｌ％以下であることを特徴とする基板処理装置。
  4. 基板処理方法であって、
    ａ）回転する基板の上方を向く主面に純水を供給する工程と、
    ｂ）純水よりも表面張力が低い有機溶剤と純水とを混合することにより生成され、常温よりも高い温度の混合液を、回転する前記基板の前記主面に供給する工程と、
    ｃ）回転する前記基板の前記主面に前記有機溶剤を供給する工程と、
    ｄ）前記基板の回転により前記主面上の前記有機溶剤を除去する工程と、
    を備えることを特徴とする基板処理方法。
  5. 請求項４に記載の基板処理方法であって、
    前記混合液が、常温の有機溶剤と加熱した純水とを混合することにより生成されることを特徴とする基板処理方法。
  6. 請求項５に記載の基板処理方法であって、
    前記混合液における前記有機溶剤の濃度が５０ｖｏｌ％以下であることを特徴とする基板処理方法。
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