JP2017167319A - 光波長変換組成物、光波長変換部材、光波長変換シート、バックライト装置、および画像表示装置 - Google Patents

光波長変換組成物、光波長変換部材、光波長変換シート、バックライト装置、および画像表示装置 Download PDF

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Abstract

【課題】優れた耐熱性を有する光波長変換組成物および光波長変換部材を提供する。また、優れた耐熱性を有するとともに、バリア部材を省略でき、またはバリア部材を用いる場合であっても点状の輝度欠点を抑制できる光波長変換シート、このような光波長変換部材または光波長変換シートを備えたバックライト装置および画像表示装置を提供する。【解決手段】光波長変換組成物であって、量子ドット１７と、リン系化合物とを含み、蛍光Ｘ線分析により測定される光波長変換組成物中のリン元素の含有量が０．０１質量％以上２質量％以下である、光波長変換組成物。【選択図】図１

Description

本発明は、光波長変換組成物、光波長変換部材、光波長変換シート、バックライト装置、および画像表示装置に関する。
液晶表示装置等の透過型画像表示装置は、一般に、液晶表示パネル等の透過型画像表示パネルの背面側に配置され、透過型画像表示パネルを照明するバックライト装置を備えている。
現在、色再現性を高めるために、量子ドットおよびバインダ樹脂を含む光波長変換部材を備える光波長変換シートをバックライト装置に組み込むことが検討されている（例えば、特許文献１参照）。量子ドットは、光（一次光）を吸収して異なる波長の光（二次光）を放出することができる。量子ドットが放出する光の波長は、主として量子ドットの材料種および粒子径に依存する。したがって、光波長変換シートが組み込まれたバックライト装置では、単一の波長域の光を投射する光源を用いながら、種々の色を再現することができる。例えば、青色光を発する光源を用いる場合、光波長変換シートが青色光を吸収して緑色光および赤色光を放出することもできる。このような光波長変換シートが組み込まれたバックライト装置は色純度に優れることから、このバックライト装置を用いた画像表示装置は優れた色再現性を有することになる。
特開２０１５−１１１５１８号公報
光波長変換シートにおいては、量子ドットは水分や酸素によって劣化してしまい、発光効率が低下するおそれがあるので、光波長変換部材の両面に、水分および酸素の透過を抑制するためのバリア部材を設けている。バリア部材は光波長変換部材を挟むように設けられるので、従来の光波長変換シートは、バリア部材、光波長変換部材、バリア部材の順で積層された構造となっている。
一方、バックライト装置において、通常行われている信頼性試験として、８０℃の環境下に５００時間放置する耐熱性試験があり、バックライト装置の各部材はこの耐熱性試験の基準を満たすことが望まれている。しかしながら、上記構造の光波長変換シートに対し、耐熱性試験を行うと、量子ドットが劣化して、輝度が低下してしまうという問題がある。
また、バリア部材を備える光波長変換シートにおいては、耐熱性試験を行うと、バリア部材にピンホールやクラックが発生しやすい。バリア部材にピンホールやクラックが発生すると、そこから水分や酸素が入り込み、一部の量子ドットが劣化して、光波長変換シートにおいて点状に輝度が低下した部分（輝度欠点）が発生するおそれがある。この点状の輝度欠点は、全体的に量子ドットが劣化して、均一に輝度が低下する場合よりも、視認されやすい。また、現在、光波長変換シートの更なる薄型化および製造コストの低減が望まれている。これらのことから、現在、バリア部材を用いないことが検討されている。しかしながら、現在の光波長変換部材においては、水分および酸素から量子ドットを保護する機能を有していないので、バリア部材を用いないと、量子ドットが劣化してしまう。
本発明は、上記問題を解決するためになされたものである。すなわち、優れた耐熱性を有する光波長変換組成物および光波長変換部材を提供することを目的とする。また、優れた耐熱性を有するとともに、バリア部材を省略でき、またはバリア部材を用いた場合であっても点状の輝度欠点を抑制できる光波長変換シート、このような光波長変換部材または光波長変換シートを備えたバックライト装置および画像表示装置を提供することを目的とする。
本発明者らは、上記課題に対して鋭意研究を重ねたところ、光波長変換組成物にリン系化合物を特定の含有量で含ませることにより、優れた耐熱性を有する光波長変換組成物および光波長変換部材が得られ、またこの光波長変換部材を用いて光波長変換シートを形成した場合には、優れた耐熱性を有するとともに、バリア部材を省略でき、またはバリア部材を用いる場合であっても点状の輝度欠点を抑制できることを見出した。本発明は、このような知見に基づき完成されたものである。
本発明の一の態様によれば、光波長変換組成物であって、量子ドットと、リン系化合物とを含み、蛍光Ｘ線分析により測定される前記光波長変換組成物中のリン元素の含有量が０．０５質量％以上である、光波長変換組成物が提供される。
本発明の他の態様によれば、光波長変換部材であって、バインダ樹脂と、前記バインダ樹脂に分散された量子ドットおよびリン系化合物とを含み、蛍光Ｘ線分析により測定される前記光波長変換部材中のリン元素の含有量が０．０５質量％以上である、光波長変換部材が提供される。
本発明の他の態様によれば、光波長変換シートであって、上記の光波長変換部材を備え、かつ前記光波長変換部材が層状に形成されている、光波長変換シートが提供される。
本発明の他の態様によれば、光源と、前記光源からの光を受ける上記の光波長変換シートとを備える、バックライト装置が提供される。
本発明の他の態様によれば、上記のバックライト装置と、前記バックライト装置の出光側に配置された表示パネルとを備える、画像表示装置が提供される。
本発明の一の態様の光波長変換組成物および他の態様の光波長変換部材によれば、リン元素の含有量が０．０５質量％以上となっているので、優れた耐熱性を有する光波長変換組成物および光波長変換部材を提供できる。また、本発明の他の態様によれば、この光波長変換部材を用いて光波長変換シートを形成しているので、優れた耐熱性を有するとともに、バリア部材を省略でき、またはバリア部材を用いる場合であっても点状の輝度欠点を抑制できる光波長変換シートを提供することができる。また、本発明の他の態様によれば、このような光波長変換部材や光波長変換シートを備えるバックライト装置および画像表示装置を提供できる。
実施形態に係る光波長変換シートの概略構成図である。 実施形態に係る光波長変換シートの作用を示す図である。 実施形態に係る他の光波長変換シートの概略構成図である。 実施形態に係る他の光波長変換シートの概略構成図である。 実施形態に係る他の光波長変換シートの概略構成図である。 図５の光波長変換シートのＩ−Ｉ線に沿った断面図である。 実施形態に係る他の光波長変換シートの概略構成図である。 実施形態に係る他の光波長変換シートの概略構成図である。 実施形態に係る光波長変換シートの製造工程を模式的に示す図である。 実施形態に係る光波長変換シートの製造工程を模式的に示す図である。 実施形態に係るバックライト装置を含む画像表示装置の概略構成図である。 図１１に示されるレンズシートの斜視図である。 図１２のレンズシートのＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。 実施形態に係る他のバックライト装置の概略構成図である。 実施形態に係る他のバックライト装置の概略構成図である。 図１５に示される光源の概略構成図である。 実施形態に係る他のバックライト装置の概略構成図である。 図１７に示される光学板の入光面付近の拡大図である。
以下、本発明の実施形態に係る光波長変換組成物、光波長変換部材、光波長変換シート、バックライト装置、および画像表示装置について、図面を参照しながら説明する。本明細書において、「シート」、「フィルム」等の用語は、呼称の違いのみに基づいて、互いから区別されるものではない。したがって、例えば、「シート」は、フィルムとも呼ばれるような部材も含む意味で用いられ、また「フィルム」はシートとも呼ばれ得るような部材も含む意味で用いられる。図１は本実施形態に係る光波長変換シートの概略構成図であり、図２は本実施形態に係る光波長変換シートの作用を示す図であり、図３〜図５、図７、図８は本実施形態に係る他の光波長変換シートの概略構成図であり、図６は図５の光波長変換シートのＩ−Ｉ線に沿った断面図であり、図９および図１０は本実施形態に係る光波長変換シートの製造工程を模式的に示す図である。
＜＜＜光波長変換組成物＞＞＞
光波長変換組成物は、入射する光のうち一部の光の波長を他の波長に変換し、入射した光の他の一部および波長変換された光を出射させるための組成物である。光波長変換組成物は、量子ドットと、リン系化合物とを含む。光波長変換組成物は、組成物の状態でも使用してもよく、また光波長変換組成物を硬化させて、硬化物である光波長変換部材の状態で使用してもよい。本明細書において、「光波長変換部材」とは、実質的に光波長変換組成物の硬化物からなる部材である。ここで、上記「実質的に」とは、光波長変換部材が光波長変換組成物の硬化物以外に若干他の物質等を含んでいてもよいことを意味する。なお、光波長変換部材は光波長変換組成物の硬化物のみからなる部材であってもよい。光波長変換部材を形成する場合には、光波長変換組成物は、重合性化合物をさらに含み、また重合性化合物の他、重合開始剤をさらに含んでいてもよい。光波長変換組成物は、光散乱性粒子をさらに含んでいることが好ましく、また添加剤や溶剤を含んでいてもよい。
光波長変換組成物においては、蛍光Ｘ線分析（ＸＲＦ）により測定される光波長変換組成物中のリン元素の含有量は０．０５質量％以上となっている。リン元素の含有量が０．０５質量％未満であると、量子ドットの劣化を抑制できないおそれがある。リン元素の含有量の測定は、蛍光Ｘ線分析装置（製品名「ＥＤＸ−８００ＨＳ」、島津製作所製）を用いることにより行うことができる。蛍光Ｘ線分析（ＸＲＦ）により測定される光波長変換組成物中のリン元素の含有量の下限は、０．３質量％以上であることが好ましく、またリン元素の含有量の上限は２質量％を越えると、光波長変換組成物を硬化させたときに、光透過性基材との密着性が低下するおそれがあり、また量子ドットが腐食してしまうおそれもあるため、２質量％以下であることが好ましい。
光波長変換組成物の粘度は、１０ｍＰａ・ｓ以上１００００ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。光波長変換組成物の粘度が、１０ｍＰａ・ｓ未満であると、充分な膜厚を形成することが困難な場合があり、また１００００ｍＰａ・ｓを超えると、光波長変換組成物を塗布する際に塗出が困難となり、レベリング性が悪くなるおそれがある。光波長変換組成物の粘度の下限は１０ｍＰａ・ｓ以上であることが好ましく、光波長変換組成物の粘度の上限は１００００ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。
＜＜量子ドット＞＞
量子ドットは、量子閉じ込め効果（quantum confinement effect）を有するナノサイズの半導体粒子である。量子ドットの粒子径および平均粒子径は、例えば、１ｎｍ以上２０ｎｍ以下となっている。量子ドットは、励起源から光を吸収してエネルギー励起状態に達すると、量子ドットのエネルギーバンドギャップに該当するエネルギーを放出する。よって、量子ドットの粒子径又は物質の組成を調節すると、エネルギーバンドギャップを調節することができ、様々なレベルの波長帯のエネルギーを得ることができる。とりわけ、量子ドットは、狭い波長帯で強い蛍光を発生することができる。
具体的には、量子ドットは粒子径が小さくなるに従い、エネルギーバンドギャップが大きくなる。すなわち、結晶サイズが小さくなるにつれて、量子ドットの発光は青色側へ、つまり、高エネルギー側へとシフトする。そのため、量子ドットの粒子径を変化させることにより、紫外領域、可視領域、赤外領域のスペクトルの波長全域にわたって、その発光波長を調節することができる。例えば、量子ドットが後述するＣｄＳｅ／ＺｎＳから構成されている場合には、量子ドットの粒子径が２．０ｎｍ以上４．０ｎｍ以下の場合は青色光を発し、量子ドットの粒子径が３．０ｎｍ以上６．０ｎｍ以下の場合は緑色光を発し、量子ドットの粒子径が４．５ｎｍ以上１０．０ｎｍ以下の場合は赤色光を発する。なお、上記においては、青色光を発する量子ドットの粒子径と緑色光を発する量子ドットの粒子径の範囲は一部において重複しており、また緑色光を発する量子ドットの粒子径と赤色光を発する量子ドットの粒子径の範囲は一部において重複しているが、同じ粒子径を有する量子ドットであっても、量子ドットのコアの大きさによっても発光色が異なる場合があるので、何ら矛盾するものではない。
量子ドットとしては、１種類の量子ドットを用いてもよいが、粒子径または材料等が異なることにより、それぞれ単独の波長域の発光帯を有する２種類以上の量子ドットを用いることも可能である。具体的には、光波長変換組成物は、第１の量子ドットと、第１の量子ドットとは異なる波長域の発光帯を有する第２の量子ドットとを含んでいてもよい。
量子ドットは、所望の狭い波長域で強い蛍光を発生することができる。このため、光波長変換シートを用いたバックライト装置は、色純度の優れた三原色の光で、表示パネルを照明することができる。この場合、表示パネルは、優れた色再現性を有することになる。
量子ドットは、例えば、第１の半導体化合物からなるコアと、およびこのコアを覆い、かつ第１の半導体化合物と異なる第２の半導体化合物からなるシェルと、シェルの表面に結合したリガンドとから構成されている。
コアを構成する第１の半導体化合物としては、例えば、ＭｇＳ、ＭｇＳｅ、ＭｇＴｅ、ＣａＳ、ＣａＳｅ、ＣａＴｅ、ＳｒＳ、ＳｒＳｅ、ＳｒＴｅ、ＢａＳ、ＢａＳｅ、ＢａＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ及びＨｇＴｅのようなＩＩ−ＶＩ族半導体化合物、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＮ、ＧａＳｂ、ＩｎＮ、ＩｎＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＳｂ、ＴｉＮ、ＴｉＰ、ＴｉＡｓ及びＴｉＳｂのようなＩＩＩ−Ｖ族半導体化合物、Ｓｉ、Ｇｅ及びＰｂのようなＩＶ族半導体、等の半導体化合物又は半導体を含有する半導体結晶が挙げられる。また、ＩｎＧａＰのような３元素以上を含んだ半導体化合物を含む半導体結晶を用いることもできる。これらの中でも、作製の容易性、可視域での発光を得られる粒子径の制御性等の観点から、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＩｎＰ、ＩｎＧａＰ等の半導体結晶が好適である。
シェルを構成する第２の半導体化合物としては、励起子がコアに閉じ込められるように、コアを構成する第１の半導体化合物よりもバンドギャップの高い半導体化合物を用いることが好ましい。これにより、量子ドットの発光効率を高めることができる。シェルを構成する第２の半導体化合物としては、例えば、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＣｄＳ、ＧａＮ、ＣｄＳＳｅ、ＺｎＳｅＴｅ、ＡｌＰ、ＺｎＳＴｅ、ＺｎＳＳｅ等が挙げられる。
コアとシェルからなるコアシェル構造（コア／シェル）の具体的な組み合わせとしては、例えば、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ、ＣｄＴｅ／ＣｄＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ、Ｇａｐ／ＺｎＳ、Ｓｉ／ＺｎＳ、ＩｎＮ／ＧａＮ、ＩｎＰ／ＣｄＳＳｅ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅＴｅ、ＩｎＧａＰ／ＺｎＳｅ、ＩｎＧａＰ／ＺｎＳ、Ｓｉ／ＡｌＰ、ＩｎＰ／ＺｎＳＴｅ、ＩｎＰ／ＺｎＳＳｅ、ＩｎＧａＰ／ＺｎＳＴｅ、ＩｎＧａＰ／ＺｎＳＳｅ等が挙げられる。
リガンドは、不安定な量子ドットを安定化させるためのものである。リガンドとしては、チオール等の硫黄系化合物、ホスフィン、またはホスフィン酸化物等のリン系化合物、アミン等の窒素系化合物、カルボン酸等が挙げられる。
量子ドットの形状は特に限定されず、例えば、球状、棒状、円盤状、その他の形状であってもよい。半導体ナノ粒子の粒子径は、半導体ナノ粒子の形状が球状でない場合、同体積を有する真球状の値とすることができる。
量子ドットの粒子径、平均粒子径、形状、分散状態等の情報については、透過型電子顕微鏡または走査透過型電子顕微鏡により得ることができる。量子ドットの平均粒子径は、透過型電子顕微鏡または走査透過型電子顕微鏡による観察により測定された２０個の量子ドットの直径の平均値として求めることができる。また、量子ドットは粒子径によって発光色が変化するので、量子ドットの発光色の確認から量子ドットの粒子径を求めることも可能である。また、量子ドットの結晶構造、結晶子サイズについては、Ｘ線結晶回折（ＸＲＤ）により知ることができる。さらには、紫外−可視（ＵＶ−Ｖｉｓ）吸収スペクトルによって、量子ドットの粒子径等に関する情報を得ることもできる。
光波長変換組成物の全固形分質量に対する量子ドットの含有量は、０．０１質量％以上２質量％以下であることが好ましく、０．０３質量％以上１質量％以下であることがより好ましい。量子ドットの含有量が０．０１質量％未満であると、充分な発光強度が得られないおそれがあり、また、量子ドットの含有量が２質量％を超えると、充分な励起光の透過光強度が得られないおそれがある。
＜＜リン系化合物＞＞
リン系化合物は、分子内にリン元素を含む化合物であれば、特に限定されず、リン系化合物としては、例えば、ホスファイト系化合物やホスフィン系化合物を用いることができる。これらの中でも、より優れた耐熱性を得る観点から、ホスフィン系化合物が好ましい。また、リン系化合物は、量子ドット表面への固定化や析出抑制の観点から、エチレン性不飽和基等の、重合性化合物と架橋可能な基（架橋性基）を含んでいることが好ましい。リン系化合物は、２種以上含まれていてもよい。
＜ホスファイト系化合物＞
ホスファイト系化合物としては、下記一般式（１）で表される化合物および下記一般式（２）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種の化合物を用いることができる。本明細書における「ホスファイト系化合物」とは、亜リン酸エステルのみならず、ホスホン酸エステルを含む概念である。一般に、亜リン酸エステルとホスホン酸エステルは互変異性体の関係にある。
Figure 2017167319
 式中、Ｘ１〜Ｘ３は、それぞれ独立して、酸素原子または硫黄原子を表し、Ｒ１〜Ｒ３は、それぞれ独立して、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいシクロアルキル基、置換されていてもよいアルケニル基、置換されていてもよいシクロアルケニル基、置換されていてもよいアルキニル基、置換されていてもよいアリール基、または置換されていてもよいアラルキル基を表し、またＲ２およびＲ３は互いに結合して環状構造を形成してもよい。
Figure 2017167319
 式中、Ｒ４は、それぞれ独立して、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいシクロアルキル基、置換されていてもよいアルケニル基、置換されていてもよいシクロアルケニル基、置換されていてもよいアルキニル基、置換されていてもよいアリール基、または置換されていてもよいアラルキル基を表し、Ｒ５は、水素原子、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいシクロアルキル基、置換されていてもよいアルケニル基、置換されていてもよいシクロアルケニル基、置換されていてもよいアルキニル基、置換されていてもよいアリール基、または置換されていてもよいアラルキル基を表す。
上記Ｘ１〜Ｘ３は、酸素原子または硫黄原子であるが、リンに隣接する原子のサイズが大きいと、立体障害となり、ホスファイト系化合物が量子ドットに結合できないおそれがあるので、硫黄原子より原子サイズが小さい酸素原子であることが好ましい。
上記Ｒ１〜Ｒ５におけるアルキル基、アルケニル基、またはアルキニル基としては、直鎖状および分岐鎖状のいずれでもよいが、量子ドットに結合する際の立体障害が小さいという観点から、直鎖状であることが好ましい。
上記Ｒ１〜Ｒ５におけるアルキル基、アルケニル基、またはアルキニル基の炭素数としては、１以上２０以下が好ましい。アルキル基、アルケニル基、またはアルキニル基の炭素数が２０を超えると、耐熱性試験時に量子ドットが劣化してしまうおそれがある。上記Ｒ１〜Ｒ５におけるアルキル基、アルケニル基、またはアルキニル基の炭素数の下限は６以上であることがより好ましく、上限は１２以下であることがより好ましい。
上記Ｒ１〜Ｒ５における上記アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、デシル基、ラウリル基、トリデシル基、ステアリル基等が挙げられる。上記アルケニル基としては、オレイル基が挙げられる。
上記Ｒ１〜Ｒ５におけるシクロアルキル基、またはシクロアルケニル基の炭素数としては、３以上１０以下が好ましい。シクロアルキル基またはシクロアルケニル基の炭素数が１０を超えると、耐熱性試験時に量子ドットが劣化してしまうおそれがある。上記Ｒ１〜Ｒ５におけるシクロアルキル基またはシクロアルケニル基の炭素数の下限は５以上であることがより好ましく、上限は８以下であることがより好ましい。
上記Ｒ１〜Ｒ５におけるシクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基等が挙げられる。上記シクロアルケニル基としては、例えば、シクロプロペニル基、シクロペンテニル基、又はシクロヘキセニル基が挙げられる。
上記Ｒ１〜Ｒ５におけるアリール基は、単環であっても縮合環であってもよい。アリール基の炭素数は、６以上１０以下が好ましい。アリール基の炭素数が１２を超えると、立体障害の問題から、ホスファイト系化合物が量子ドットに結合できないおそれがある。アリール基としては、例えば、フェニル基、クレジル基、キシリル基、イソプロピルフェニル基、ブチルフェニル基、ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、ｐ−クミルフェニル基、ナフチル基等が挙げられるが、フェニル基がより好ましい。
上記Ｒ１〜Ｒ５におけるアラルキル基の炭素数は、７以上１０以下が好ましい。アラルキル基の炭素数が１０を超えると、ホスファイト系化合物が、立体障害のために量子ドットと結合できないおそれがある。アラルキル基としては、例えば、ベンジル基、フェネチル基、トリルメチル基、フェニルブチル基等が挙げられる。
上記Ｒ１〜Ｒ５におけるアルキル基、アルケニル基、またはアルキニル基が置換基を有している場合、置換基としては、ハロゲン原子、水酸基、シクロアルキル基（例えば、炭素数３以上１０以下）、シクロアルケニル基（例えば、炭素数３以上１０以下）、アルコキシル基（例えば、炭素数１以上２０以下）、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基等から選択される基が挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、および臭素原子が挙げられる。
上記Ｒ１〜Ｒ５におけるシクロアルキル基またはシクロアルケニル基が置換基を有している場合、置換基としては、ハロゲン原子、水酸基、アルキル基（例えば、炭素数１以上２０以下）、アルケニル基（例えば、炭素数１以上２０以下）、アルキニル基（例えば、炭素数１以上２０以下）、アルコキシル基（例えば、炭素数１以上２０以下）、アリール基（例えば、炭素数６以上１０以下）、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、およびカルボキシル基等から選択される基が挙げられる。
上記Ｒ１〜Ｒ５におけるアリール基が置換基を有している場合、置換基としては、ハロゲン原子、水酸基、アルキル基（例えば、炭素数１以上２０以下）、アルケニル基（例えば、炭素数１以上２０以下）、アルキニル基（例えば、炭素数１以上２０以下）、アルコキシル基（例えば、炭素数１以上２０以下）、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、およびカルボキシル基等から選択される基が挙げられる。
上記Ｒ１〜Ｒ５におけるアラルキル基が置換基を有している場合、置換基としては、ハロゲン原子、水酸基、アルキル基（例えば、炭素数１以上２０以下）、アルケニル基（例えば、炭素数１以上２０以下）、アルキニル基（例えば、炭素数１以上２０以下）、アルコキシル基（例えば、炭素数１以上２０以下）、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、およびカルボキシル基等から選択される基が挙げられる。
上記Ｒ１〜Ｒ５におけるアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アリール基、またはアラルキル基中の１つのメチレン基または隣接しない２以上のメチレン基は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ２−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＮＲ８−、−ＣＯＮＲ’−、−ＮＲ’ＣＯ−、および−Ｎ＝ＣＨ−からなる群から選択された少なくとも１つの基で置換されていてもよい。上記Ｒ’はそれぞれ独立して水素原子又は炭素数１以上５以下のアルキル基を表す。
上記一般式（１）で表される化合物の中でも、耐熱性をより向上させる観点から、上記Ｒ１〜Ｒ３の少なくともいずれかが、アルキル基、アルケニル基、またはアリール基である化合物が好ましい。これらの中でも、Ｒ１〜Ｒ３の少なくともいずれかが、アリール基である化合物がより好ましい。
上記Ｒ１〜Ｒ３の少なくともいずれかがアリール基である化合物の中でも、上記Ｒ１〜Ｒ３の少なくともいずれかが下記一般式（３）で表されるアリール基である化合物がより好ましい。上記Ｒ１〜Ｒ３の少なくともいずれかが下記一般式（３）で表されるアリール基である場合、Ｒ１〜Ｒ３の全てが、下記一般式（３）で表されるアリール基であってもよい。
Figure 2017167319
 式中、Ｒ６は、置換されていてもよいアルキル基または置換されていてもよいアルケニル基を表し、Ｒ６が複数存在する場合は同じでもあっても、異なっていてもよく、ｎは、０〜５の整数を表し、＊は、結合位置を表す。
上記Ｒ６におけるアルキル基またはアルケニル基としては、直鎖状および分岐鎖状のいずれでもよいが、量子ドットに結合する際の立体障害が小さいという観点から、直鎖状であることが好ましい。
上記Ｒ６におけるアルキル基またはアルケニル基の炭素数としては、１以上２０以下が好ましい。上記Ｒ６におけるアルキル基またはアルケニル基の炭素数が２０を超えると、耐熱性試験時に量子ドットが劣化してしまうおそれがある。上記Ｒ６におけるアルキル基またはアルケニル基の炭素数の下限は６以上であることがより好ましく、上限は１２以下であることがより好ましい。
上記Ｒ６におけるアルキル基またはアルケニル基としては、上記Ｒ１〜Ｒ５におけるアルキル基またはアルケニル基と同様のものが挙げられるので、ここでは説明を省略するものとする。
上記Ｒ２およびＲ３が互いに結合して環状構造を形成している場合、上記一般式（１）で示される化合物は、１分子中にリン原子が二つ含まれている化合物であってもよい。上記Ｒ２およびＲ３が互いに結合して環状構造を形成している場合、上記一般式（１）で示される化合物としては、下記一般式（４）で表される化合物が挙げられる。
Figure 2017167319
 式中、Ｒ１は上記と同じ意味であり、Ｒ７は、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいシクロアルキル基、置換されていてもよいアルケニル基、置換されていてもよいシクロアルケニル基、置換されていてもよいアルキニル基、置換されていてもよいアリール基、または置換されていてもよいアラルキル基を表す。
上記Ｒ７のアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アリール基、アラルキル基の炭素数、構造および置換基等は上記Ｒ１〜Ｒ５におけるアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アリール基、アラルキル基と同様であるので、ここでは説明を省略するものとする。
上記一般式（１）で示される化合物の重量平均分子量および上記一般式（２）で示される化合物の重量平均分子量は、重量平均分子量が小さすぎると、加工後に揮発するおそれがあり、また大きすぎると、重合性化合物との相溶性が低下するおそれがあるので、２００以上１０００以下であることが好ましい。本明細書において、「重量平均分子量」は、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）等の溶媒に溶解して、従来公知のゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法によるポリスチレン換算により得られる値である。上記一般式（１）で示される化合物の重量平均分子量または上記一般式（２）で示される化合物の重量平均分子量の下限は３００以上であることが好ましく、上限は７００以下であることがより好ましい。
上記一般式（１）で表される化合物の具体例としては、トリエチルホスファイト、トリス（２−エチルヘキシル）ホスファイト、トリイソオクチルホスファイト、トリデシルホスファイト、トリイソデシルホスファイト、トリラウリルホスファイト、トリス（トリデシル）ホスファイト、トリステアリルホスファイト、トリオレイルホスファイト、トリラウリルトリチオホスファイト、トリフェニルホスファイト、トリスノニルフェニルホスファイト、トリクレジルホスファイト、トリス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスファイト、ジフェニルモノ（２−エチルへキシル）ホスファイト、ジフェニルモノデシルホスファイト、ジフェニルモノ（トリデシル）ホスファイト、フェニルジイソデシルホスファイト、テトラフェニルジプロピレングリコールジホスファイト、テトラ（Ｃ１２〜Ｃ１５アルキル）−４，４’−イソプロピリデンジフェニルジホスファイト、ビス（デシル）ペンタエリスリトールジフォスファイト、ビス（トリデシル）ペンタエリスリトールジホスファイト、ジステアリルペンタエリスリトールジホスファイト、水添ビスフェノールＡ・ペンタエリスリトールホスファイトポリマー、水添ビスフェノールＡホスファイトポリマーが挙げられる。これらの中でも、分子中にアリール基を有する、トリフェニルホスファイト、トリスノニルフェニルホスファイト、フェニルジイソデシルホスファイトが好ましい。
上記一般式（１）で表される化合物の市販品としては、例えば、ＪＰ−３３６０、ＪＰ−３５１、ＪＰ−３ＣＰ、ＪＰ３０２、ＪＰ３０８Ｅ、ＪＰ−３１０、ＪＰ−３１２Ｌ、ＪＰ−３３３Ｅ、ＪＰ−３１８−Ｏ、ＪＰＭ−３０８、ＪＰＭ−３１１、ＪＰＭ−３１３、ＪＰＳ−３１２、ＪＰＰ−１００、ＪＰＰ−６１３Ｍ、ＪＡ−８０５、ＪＰＰ−８８、ＪＰＥ−１０、ＪＰＥ−１３Ｒ、ＪＰＥ−１３Ｒ、ＪＰ−３１８Ｅ、ＪＰＰ−２０００ＰＴ、ＪＰ−６５０、ＪＰＨ−３８００、ＨＢＰ（いずれも城北化学工業社製）、Ｃｈｅｌｅｘ Ｏ、Ｃｈｅｌｅｘ Ｄ、Ｃｈｅｌｅｘ ＴＤＰ、Ｃｈｅｌｅｘ ２３００、Ｃｈｅｌｅｘ ＯＬ（いずれもＳＣ有機化学社製）が挙げられる。
上記一般式（２）で表される化合物の具体例としては、ジエチルハイドロゲンホスファイト、ジ−２−エチルヘキシルハイドロゲンホスファイト、ジラウリルハイドロゲンホスファイト、ジオレイルハイドロゲンホスファイト、ジフェニルハイドロゲンホスファイト等が挙げられる。これらの中でも、重合性化合物との相溶性に優れ、また加工後に揮発等が起こり難い観点から、ジ−２−エチルヘキシルハイドロゲンホスファイト、ジフェニルハイドロゲンホスファイト等が好ましい。
上記一般式（２）で表される化合物の市販品としては、例えば、ＪＰ−２０２、ＪＰＥ−２０８、ＪＰ−２１２、ＪＰ−２１３Ｄ、ＪＰ−２１８−ＯＲ、ＪＰ−２６０（いずれも城北化学工業社製）、Ｃｈｅｌｅｘ Ｈ−８、Ｃｈｅｌｅｘ Ｈ−１２、Ｃｈｅｌｅｘ Ｈ−１８Ｄ、Ｃｈｅｌｅｘ Ｈ−１８ＴＡ（いずれもＳＣ有機化学社製）が挙げられる。
＜ホスフィン系化合物＞
ホスフィン系化合物としては、例えば、下記一般式（５）で表される化合物を用いることができる。
Figure 2017167319
 式中、Ｒ８は、それぞれ独立して、水素原子、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいシクロアルキル基、置換されていてもよいアルケニル基、置換されていてもよいシクロアルケニル基、置換されていてもよいアルキニル基、置換されていてもよいアリール基、または置換されていてもよいアラルキル基を表す。
上記Ｒ８のアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アリール基、アラルキル基の炭素数、具体例および置換基等は上記Ｒ１〜Ｒ５におけるアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アリール基、アラルキル基と同様であるので、ここでは説明を省略するものとする。
上記一般式（５）で表されるホスフィン系化合物の中でも、耐熱性および耐湿熱性をより向上させる観点から、上記Ｒの少なくともいずれかがアリール基、シクロアルキル基、またはシクロアルケニル基であるホスフィン系化合物が好ましい。
上記Ｒ８の少なくともいずれかがアリール基、シクロアルキル基、またはシクロアルケニル基であるホスフィン系化合物の中でも、上記Ｒの少なくともいずれかが下記一般式（６）で表されるアリール基であるホスフィン系化合物がより好ましい。上記Ｒの少なくともいずれかが下記一般式（６）で表されるアリール基である場合、Ｒ８の全てが、下記一般式（６）で表されるアリール基であることが好ましい。
Figure 2017167319
 式中、Ｒ９は、置換されていてもよいアルキル基または置換されていてもよいアルケニル基を表し、Ｒ９が複数存在する場合は同じでもあっても、異なっていてもよく、ｎは、０〜５の整数を表し、＊は、結合位置を表す。
上記Ｒ９におけるアルキル基またはアルケニル基の炭素数、具体例および置換基等は上記Ｒ６におけるアルキル基またはアルケニル基と同様であるので、ここでは説明を省略するものとする。
上記一般式（５）で示されるホスフィン系化合物の重量平均分子量は、毒性や揮発性があるおそれがあるため、１００以上であることが好ましい。
上記ホスフィン系化合物の具体例としては、フェニルホスフィン、ジフェニルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリス（２−メチルフェニル）ホスフィン、トリス(４−メチルフェニル)ホスフィン、トリス（４−メトキシフェニル）ホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、メチルジフェニルホスフィン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルホスフィン、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン、ビス(ジフェニルホスフィノ)メタン、１，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン、シクロヘキシルジフェニルホスフィン、ジシクロヘキシルフェニルホスフィン等が挙げられる。これらの中でも、化学的に安定であり、取り扱いが容易であることから、トリフェニルホスフィンが好ましい。
上記一般式（５）で表されるホスフィン系化合物の市販品としては、例えば、ＪＣ−２６３（城北化学工業社製）が挙げられる。
光波長変換組成物中に上記ホスファイト系化合物および／またはホスフィン系化合物が含まれているか否かは、（１）赤外分光分析（ＩＲ）、（２）ガスクロマトグラフィー分析（ＧＣＭＳ）、（３）ゲル浸透クロマトグラフィー分析（ＧＰＣ）、核磁気共鳴分光分析（ＮＭＲ分光分析）を複合的に用いることによって確認することができる。具体的には、赤外分光分析においては光波長変換組成物中に含まれる化合物を大まかに特定でき、ガスクロマトグラフィー分析においては光波長変換組成物中に含まれる化合物の分子量を特定でき、ゲル浸透クロマトグラフィー分析においては光波長変換組成物中に含まれる化合物を分離でき、核磁気共鳴分光分析においては光波長変換組成物中に含まれる化合物の構造式を特定できるので、これらを複合的に用いることで光波長変換組成物中に上記ホスファイト系化合物および／またはやホスフィン系化合物が含まれているか確認することができる。
光波長変換組成物中のホスファイト系化合物および／またはホスフィン系化合物の含有量（光波長変換組成物がホスファイト系化合物およびホスフィン系化合物の両方を含んでいる場合にはその合計量）は、０．５質量％以上３０質量％以下となっていることが好ましい。上記ホスフィン系化合物の含有量が０．５質量％未満であると、耐熱性試験時に量子ドットの劣化を抑制できないおそれがあり、また３０質量％を越えると、光透過性基材との密着性が低下し、また加工後に凝集等が生じるおそれがある。上記ホスファイト系化合物および／またはホスフィン系化合物の含有量は、上記光波長変換組成物中の上記ホスファイト系化合物および／またはホスフィン化合物が存在するか否かの確認方法と同様の手法によって確認することができる。具体的には、例えば、核磁気共鳴分光分析によって光波長変換組成物中に含まれるホスフィン系化合物を特定（同定）し、その後、ホスファイト系化合物またはホスフィン系化合物に該当するガスクロマトグラフィー分析やゲル浸透クロマトグラフィー分析によって得られたピーク面積比から、光波長変換組成物中のホスファイト系化合物および／またはホスフィン系化合物の含有量を求めることができる。なお、ホスファイト系化合物が複数種類用いられている場合には、上記含有量は複数種類のホスファイト系化合物の合計の含有量を意味するものであり、ホスフィン系化合物が複数種類用いられている場合には、上記含有量は複数種類のホスフィン系化合物の合計の含有量を意味するものとする。光波長変換組成物中の上記ホスファイト系化合物および／またはホスフィン系化合物の含有量の下限は５質量％以上であることがより好ましく、また上記ホスファイト系化合物および／またはホスフィン系化合物の含有量の上限は２０質量％以下であることが好ましい。
＜＜重合性化合物＞＞
重合性化合物（硬化性化合物）は、重合可能な化合物であり、例えば、電離放射線重合性化合物（電離放射線硬化性化合物）や熱重合性化合物（熱硬化性化合物）が挙げられる。本明細書における電離放射線としては、可視光線、並びに紫外線、Ｘ線、電子線、α線、β線、およびγ線が挙げられる。
光波長変換組成物の全固形分質量に対する重合性化合物の含有量は、３０質量％以上９５質量％以下であることが好ましく、５０質量％以上９０質量％以下であることが好ましい。重合性化合物の含有量が３０質量％未満であると、光波長変換部材の形成の際に充分な硬化性が得られないおそれがあり、また、重合性化合物の含有量が９５質量％を超えると、リン系化合物による耐熱性向上の効果が充分に得られないおそれがある。なお、光波長変換組成物が後述する電離放射線重合性化合物および熱重合性化合物の両方を含む場合には、上記含有量は電離放射線重合性化合物および熱重合性化合物の合計の含有量を意味するものとする。
＜電離放射線重合性化合物＞
電離放射線重合性化合物は、分子内に電離放射線重合性官能基を少なくとも１つ有するものである。電離放射線重合性官能基としては、例えば、（メタ）アクリロイル基、ビニル基、アリル基等のエチレン性不飽和基が挙げられる。なお、「（メタ）アクリロイル基」とは、「アクリロイル基」および「メタクリロイル基」の両方を含む意味である。
電離放射線重合性化合物としては、電離放射線重合性モノマー、電離放射線重合性オリゴマー、または電離放射線重合性プレポリマーが挙げられ、これらを適宜調整して、用いることができる。電離放射線重合性化合物としては、電離放射線重合性モノマーと、電離放射線重合性オリゴマーまたは電離放射線重合性プレポリマーとの組み合わせが好ましい。
電離放射線重合性モノマーとしては、例えば、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート等の水酸基を含むモノマーや、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、テトラメチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、トリメチロールエタントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、グリセロール（メタ）アクリレート等の（メタ）アクリル酸エステル類が挙げられる。
電離放射線重合性オリゴマーとしては、２官能以上の多官能オリゴマーが好ましく、電離放射線重合性官能基が３つ（３官能）以上の多官能オリゴマーがより好ましい。上記多官能オリゴマーとしては、例えば、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート、ポリエステル−ウレタン（メタ）アクリレート、ポリエーテル（メタ）アクリレート、ポリオール（メタ）アクリレート、メラミン（メタ）アクリレート、イソシアヌレート（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート等が挙げられる。
電離放射線重合性プレポリマーは、重量平均分子量が１万を超えるものであり、重量平均分子量としては１万以上８万以下が好ましく、１万以上４万以下がより好ましい。重量平均分子量が８万を超える場合は、粘度が高いため塗工適性が低下してしまい、得られる光波長変換部材の外観が悪化するおそれがある。このため、重量平均分子量が８万を超える電離放射線重合性プレポリマーを用いている場合には、上記重合性モノマーや上記重合性オリゴマーを混合して用いることが好ましい。多官能重合性プレポリマーとしては、ウレタン（メタ）アクリレート、イソシアヌレート（メタ）アクリレート、ポリエステル−ウレタン（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート等が挙げられる。
＜熱重合性化合物＞
熱重合性化合物は、分子内に熱重合性官能基を少なくとも１つ有するものである。熱重合性官能基としては、例えば、エポキシ基やオキセタニル基等の環状エーテル基、ビニルエーテル基等が挙げられる。
熱重合性化合物としては、エポキシ化合物やオキセタン化合物等の分子内に１個以上の環状エーテル基を有する環状エーテル化合物、ビニルエーテル化合物等が挙げられる。カチオン重合性化合物としては、トンネリングの発生をより抑制する観点から、環状エーテル化合物が好ましく、環状エーテル化合物の中でもエポキシ化合物が好ましい。
エポキシ化合物は、分子内に１個以上のエポキシ基を有する化合物である。エポキシ化合物としては、特に限定されないが、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ化合物、ビスフェノールＦ型エポキシ化合物、ビスフェノールＳ型エポキシ化合物、ビフェニル型エポキシ化合物、フルオレン型エポキシ化合物、ノボラックフェノール型エポキシ化合物、クレゾールノボラック型エポキシ化合物、これらの変性物等の芳香族系、あるいは、エチレングリコールジグリシジルエーテル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル又は１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル等のアルキレングリコールジグリシジルエーテル、グリセリンあるいはそのアルキレンオキサイド付加体のジ又はトリグリシジルエーテル等の多価アルコールのポリグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールあるいはそのアルキレンオキサイド付加体のジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールあるいはそのアルキレンオキサイド付加体のジグリシジルエーテル等のポリアルキレングリコールジグリシジルエーテル、及びアルキレンオキサイド等の脂肪族系が挙げられる。ここで、アルキレンオキサイドとしては、エチレンオキサイド及びプロピレンオキサイド等の脂肪族系エポキシ化合物、３’，４’−エポキシシクロヘキシルメチル３,４-エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、３，４−エポキシシクロヘキシルメチルメタアクリレート等の分子内に１個以上のエポキシ基と１個以上のエステル基を含有する脂環式エポキシ化合物等が挙げられる。これらの中では、接着強度および硬化性の点で、３’，４’−エポキシシクロヘキシルメチル３,４-エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、３，４−エポキシシクロヘキシルメチルメタアクリレート等の脂環式エポキシ化合物が好ましい。
＜＜重合開始剤＞＞
重合開始剤は、光または熱により分解されて、ラジカルやイオン種を発生させて重合性化合物の重合（架橋）を開始または進行させる成分である。重合開始剤としては、光重合開始剤（例えば、光ラジカル重合開始剤、光カチオン重合開始剤、光アニオン重合開始剤）、熱重合開始剤（例えば、熱ラジカル重合開始剤、熱カチオン重合開始剤、熱アニオン重合開始剤）、またはこれらの混合物が挙げられる。
上記光ラジカル重合開始剤としては、例えば、ベンゾフェノン系化合物、アセトフェノン系化合物、アシルフォスフィンオキサイド系化合物、チタノセン系化合物、オキシムエステル系化合物、ベンゾインエーテル系化合物、チオキサントン等が挙げられる。
上記光ラジカル重合開始剤のうち市販されているものとしては、例えば、ＩＲＧＡＣＵＲＥ１８４、ＩＲＧＡＣＵＲＥ３６９、ＩＲＧＡＣＵＲＥ３７９、ＩＲＧＡＣＵＲＥ６５１、ＩＲＧＡＣＵＲＥ８１９、ＩＲＧＡＣＵＲＥ９０７、ＩＲＧＡＣＵＲＥ２９５９、ＩＲＧＡＣＵＲＥ ＯＸＥ０１、ルシリンＴＰＯ（いずれもＢＡＳＦジャパン社製）、ＮＣＩ−９３０（ＡＤＥＫＡ社製）、ＳＰＥＥＤＣＵＲＥ ＥＭＫ（日本シーベルヘグナー社製）、ベンソインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル（いずれも東京化成工業社製）等が挙げられる。
上記光カチオン重合開始剤としては、例えば、芳香族ジアゾニウム塩、芳香族ヨードニウム塩、芳香族スルホニウム塩等が挙げられる。上記光カチオン重合開始剤のうち市販されているものとしては、例えば、アデカオプトマーＳＰ−１５０、アデカオプトマーＳＰ−１７０（いずれもＡＤＥＫＡ社製）等が挙げられる。
上記熱ラジカル重合開始剤としては、例えば、過酸化物やアゾ化合物等が挙げられる。これらの中でも、高分子アゾ化合物からなる高分子アゾ開始剤が好ましい。高分子アゾ開始剤としては、例えば、アゾ基を介してポリアルキレンオキサイドやポリジメチルシロキサン等のユニットが複数結合した構造を有するものが挙げられる。
上記アゾ基を介してポリアルキレンオキサイド等のユニットが複数結合した構造を有する高分子アゾ開始剤としては、例えば、４，４'−アゾビス（４−シアノペンタン酸）とポリアルキレングリコールの重縮合物や、４，４'−アゾビス（４−シアノペンタン酸）と末端アミノ基を有するポリジメチルシロキサンの重縮合物等が挙げられる。
上記過酸化物としては、例えば、ケトンパーオキサイド、パーオキシケタール、ハイドロパーオキサイド、ジアルキルパーオキサイド、パーオキシエステル、ジアシルパーオキサイド、パーオキシジカーボネート等が挙げられる。
上記熱ラジカル重合開始剤のうち市販されているものとしては、例えば、パーブチルＯ、パーヘキシルＯ、パーブチルＰＶ（いずれも日油社製）、Ｖ−３０、Ｖ−５０１、Ｖ−６０１、ＶＰＥ−０２０１、ＶＰＥ−０４０１、ＶＰＥ−０６０１（いずれも和光純薬工業社製）等が挙げられる。
上記熱カチオン重合開始剤としては、例えば、第四級アンモニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩等の各種オニウム塩類等が挙げられる。上記熱カチオン重合開始剤のうち市販されているものとしては、例えば、アデカオプトンＣＰ−６６、アデカオプトンＣＰ−７７（いずれもＡＤＥＫＡ社製）、サンエイドＳＩ−６０Ｌ、サンエイドＳＩ−８０Ｌ、サンエイドＳＩ−１００Ｌ（いずれも三新化学工業社製）、ＣＩシリーズ（日本曹達社製）等が挙げられる。
光波長変換組成物中における重合開始剤の含有量は、重合性化合物１００質量部に対し０．３質量部以上５．０質量部以下であることが好ましい。重合開始剤の含有量が、０．３質量部未満であると、重合性化合物が硬化しにくく、また、５．０質量部を超えると、光波長変換シートが黄変してしまうおそれがある。
＜＜光散乱性粒子＞＞
光散乱性粒子は、光波長変換部材に進入した光を散乱させることによって光の進行方向を変化させる作用を有する粒子である。
光散乱性粒子の平均粒子径は、量子ドットの平均粒子径の２０倍以上２０００倍以下であることが好ましく、５０倍以上１０００倍以下であることがより好ましい。光散乱性粒子の平均粒子径が量子ドットの平均粒子径の２０倍未満であると、光波長変換部材において充分な光散乱性能が得られないことがあり、光散乱性粒子の平均粒子径が量子ドットの平均粒子径の２０００倍を超えると、添加量が同じであっても光散乱性粒子の数が少なくなるため、散乱点の数が減り充分な光散乱効果が得られないおそれがある。なお、光散乱性粒子の平均粒子径は、上述した量子ドットの平均粒子径と同様の方法で測定することができる。
また、光散乱性粒子の平均粒子径は、後述する光波長変換部材の平均膜厚の１／３００以上１／２０以下であることが好ましく、１／２００以上１／３０以下であることがより好ましい。光散乱性粒子の平均粒子径が光波長変換部材の平均膜厚の１／３００未満であると、光波長変換部材において充分な光散乱性能が得られないことがあり、光散乱性粒子の平均粒子径が光波長変換部材の平均膜厚の１／２０を超えると、添加量が同じであっても光波長変換部材に対する光散乱性粒子の割合が低下するため、散乱点の数が減り充分な光散乱効果が得られない。
具体的には、光散乱性粒子の平均粒子径は、例えば、０．１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましく、０．３μｍ以上５μｍ以下であることがより好ましい。光散乱性粒子の平均粒子径が０．１μｍ未満であると、光波長変換シートの光波長変換効率が不充分となることがあり、充分な光散乱性を出すためには光散乱性粒子の添加量を多くする必要がある。一方、光散乱性粒子の平均粒子径が１０μｍを超えると、添加量（質量％）が同じであっても光散乱粒子の数が少なくなるため、散乱点の数が減り充分な光散乱効果が得られない。
光散乱性粒子の形状は特に限定されず、例えば、球状（真球状、略真球状、楕円球状等）、多面体状、棒状（円柱状、角柱状等）、平板状、りん片状、不定形状等が挙げられる。なお、光散乱性粒子の粒子径は、光散乱性粒子の形状が球状でない場合、同体積を有する真球状の値とすることができる。
光散乱性粒子は、光散乱性粒子をバインダ樹脂中に強固に固定する観点から、シランカップリング剤で表面処理されていることが好ましい。シランカップリング剤で表面処理されることによって、後述するバインダ樹脂と化学結合させることができる。
シランカップリング剤としては、用いる硬化性バインダ樹脂前駆体の種類にもよるが、ビニル基、エポキシ基、スチリル基、メタクリル基、アクリル基、アミノ基、ウレイド基、チオール基、スルフィド基およびイソシアネート基からなる群から選択される１種以上の反応性官能基を有するものを使用することが可能である。硬化性バインダ樹脂前駆体として（メタ）アクリロイル基を有する化合物を用いる場合には、カップリング剤は、チオール基、（メタ）アクリロイル基、ビニル基およびスチリル基からなる群から選択される少なくとも１種の反応性官能基を有することが好ましい。また、硬化性バインダ樹脂前駆体としてエポキシ基、イソシアネート基、および水酸基からなる群から選択される少なくとも１種の基を有する化合物を用いる場合には、シランカップリング剤はエポキシ基、イソシアネート基、チオール基およびアミノ基からなる群から選択される少なくとも１種の反応性官能基を有することが好ましい。
光散乱性粒子は、アクリル樹脂粒子、スチレン樹脂粒子、メラミン樹脂粒子、およびウレタン樹脂粒子等の有機粒子であってもよいが、耐熱性試験の前後における輝度変化率を小さくことができ、また光波長変換シートへの入射光を好適に散乱させることが可能となり、この入射光に対する光波長変換効率の向上を好適に図ることできることから、無機粒子が好ましい。
無機粒子は、Ａｌ２Ｏ３等のアルミニウム含有化合物、ＺｒＯ２等のジルコニウム含有化合物、アンチモンドープ酸化スズ（ＡＴＯ）や酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等のスズ含有化合物、ＭｇＯやＭｇＦ２等のマグネシウム含有化合物、ＴｉＯ２やＢａＴｉＯ３等のチタン含有化合物、Ｓｂ２Ｏ５等のアンチモン含有化合物、ＳｉＯ２等のケイ素含有化合物、およびＺｎＯ等の亜鉛含有化合物からなる群から選択される少なくとも１種の化合物の粒子が挙げられる。これらの無機粒子は、バインダ樹脂との屈折率差を大きくすることができるので、大きなミー散乱強度を得ることができる観点からも好ましい。光波長変換シート１０による入射光に対する光波長変換効率の向上をより好適に図ることができることから、光散乱性粒子は、２種以上の材料からなるものであってもよい。
光波長変換組成物の全固形分質量に対する光散乱性粒子の含有量は、１質量％以上５０質量％以下であることが好ましく、３質量％以上３０質量％以下であることがより好ましい。光散乱性粒子の含有量が１質量％未満であると、光散乱効果が充分に得られないおそれがあり、また、光散乱性粒子の含有量が５０質量％を超えると、ミー散乱が起こり難くなるので、光散乱効果を充分に得られないおそれがあり、さらに光散乱性粒子が多すぎるために加工性が低下するおそれがある。
＜＜添加剤＞＞
添加剤としては、特に限定されないが、量子ドットの酸化や劣化を抑制する化合物が好ましい。量子ドットの酸化や劣化を抑制する化合物としては、フェノール系化合物、アミン系化合物、硫黄系化合物、カルボシキシ基含有化合物、ヒドラジン系化合物、アミド系化合物、およびヒンダードアミン系化合物等が挙げられる。添加剤は、電離放射線重合性官能基や熱重合性官能基等の重合性官能基を有していてもよい。
＜＜溶剤＞＞
溶剤としては、特に限定されないが、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロピルアルコール等のアルコ−ル類；メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類、トルエン、シクロヘキサン等が挙げられる。
＜＜＜光波長変換部材および光波長変換シート＞＞＞
図１に示される光波長変換シート１０は、入射する光のうち一部の光の波長を他の波長に変換し、入射した光の他の一部および波長変換された光を出射させるシートである。図１に示される光波長変換シート１０は、層状の光波長変換部材１１と、光波長変換部材１１の両面に設けられた光透過性基材１２、１３と、光透過性基材１２、１３における光波長変換部材１１側の面とは反対側に設けられた光拡散層１４、１５とを備えている。光波長変換シート１０においては、光拡散層１４、１５の表面が光波長変換シート１０の表面１０Ａ、１０Ｂを構成している。光波長変換シート１０は、光透過性基材１２、１３を備えているが、バリア層を備えていないので、光透過性基材およびバリア層からなるバリア部材を備えていない。なお、光波長変換シート１０は、光拡散層１４／光透過性基材１２／光波長変換部材１１／光透過性基材１３／光拡散層１５の構造となっているが、光波長変換部材を有していれば、光波長変換シートの構造は特に限定されない。
光波長変換シート１０においては、図２に示されるように、光波長変換シート１０の表面１０Ａから光を入射させた場合には、光波長変換部材１１中の量子ドット１７に入射した光Ｌ１は光Ｌ１とは異なる波長の光Ｌ２に変換されて、表面１０Ｂから出射する。一方、表面１０Ａから光を入射させた場合であっても、光波長変換部材１１中の量子ドット１７間を通過する光Ｌ１は波長変換されずに、表面１０Ｂから出射する。
光波長変換シート１０においては、シート全体で、４０℃、相対湿度９０％での水蒸気透過率（WVTR：Water Vapor Transmission Rate）が０．１ｇ／（ｍ２・２４ｈ）以上となっていてもよい。水蒸気透過率はＪＩＳ Ｋ７１２９：２００８に準拠した手法で得られる数値である。水蒸気透過率は、水蒸気透過率測定装置（製品名「ＰＥＲＭＡＴＲＡＮ−Ｗ３／３１」、ＭＯＣＯＮ社製）を用いて測定することができる。従来の光波長変換シートはバリア部材が形成されているので、光波長変換シート１０は、従来の光波長変換シートに比べて水蒸気透過率が高くなっている、すなわち、光波長変換シート１０は、従来の光波長変換シートに比べて水分が透過しやすい。後述するように、光波長変換シートが、光波長変換部材の他、光学部材を備えている場合には、水蒸気透過率は光学部材を含めた光波長変換シート全体での水蒸気透過率である。
光波長変換シート１０においては、シート全体で、２３℃、相対湿度９０％での酸素透過率（OTR: Oxygen Transmission Rate）が０．１ｃｍ３／（ｍ２・２４ｈ・ａｔｍ）以上となっていてもよい。酸素透過率はＪＩＳ Ｋ７１２６：２００６に準拠した手法で得られる数値である。酸素透過率は、酸素ガス透過率測定装置（製品名「ＯＸ−ＴＲＡＮ ２／２１」、ＭＯＣＯＮ社製）を用いて測定することができる。従来の光波長変換シートはバリア部材が形成されているので、光波長変換シート１０は、従来の光波長変換シートに比べて酸素透過率が高くなっている、すなわち、光波長変換シート１０は、従来の光波長変換シートに比べて水分のみならず酸素が透過しやすい。上記と同様に、光波長変換シートが、光波長変換部材の他、光学部材を備えている場合には、酸素透過率は光学部材を含めた光波長変換シート全体での酸素透過率である。
光波長変換シート１０における４０℃、相対湿度９０％での水蒸気透過率は１ｇ／（ｍ２・２４ｈ）以上となっていてもよく、また光波長変換シート１０における２３℃、相対湿度９０％での酸素透過率が１ｃｍ３／（ｍ２・２４ｈ・ａｔｍ）以上となっていてもよい。
光波長変換シート１０における内部ヘイズ値は５０％以上となっていることが好ましい。内部ヘイズは、光波長変換シートの内部に起因するヘイズ値であり、光波長変換シートにおける表面の凹凸形状を加味しないものである。光波長変換シート１０の内部ヘイズ値が５０％以上であることにより、内部ヘイズによって光を充分に拡散させて、量子ドットを複数回励起させることができ、また、外部ヘイズ値をより小さくすることができる。光波長変換シート１０における内部ヘイズ値は６０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましい。
光波長変換シート１０における外部ヘイズ値は１０％以下（０％を含む）であることが好ましく、５％以下であることがより好ましい。外部ヘイズ値は、光波長変換シートにおける表面の凹凸形状のみに起因するものである。光波長変換シート１０の外部ヘイズ値が１０％以下であることにより、レンズシート等の再帰反射性シートで再帰反射が生じやすくなる。
光波長変換シート１０においては、光波長変換シート１０の外部ヘイズ値は光波長変換シート１０の内部ヘイズ値よりも小さくなっていることが好ましい。すなわち、光波長変換シート１０は、下記式の関係を満たしていることが好ましい。
内部ヘイズ値＞外部ヘイズ値
内部ヘイズ値および外部ヘイズ値は、ヘイズメーター（製品名「ＨＭ−１５０」、村上色彩技術研究所製）を用いて、求めることができる。具体的には、まず、ヘイズメーターを用いて、ＪＩＳ Ｋ７１３６：２０００に従って光波長変換シートの全ヘイズ値を測定する。その後、光波長変換シートの両面に、膜厚が２５μｍの透明光学粘着層（製品名「パナクリーンＰＤ−Ｓ１」、パナック社製）を介して厚みが６０μｍのトリアセチルセルロース基材（製品名「ＴＤ６０ＵＬ」、富士フイルム社製）を貼り付ける。これによって、光波長変換シートの表面の凹凸形状が潰れ、光波長変換シートの表面が平坦化される。そして、この状態で、ヘイズメーター（製品名「ＨＭ−１５０」、村上色彩技術研究所製）を用いて、ＪＩＳ Ｋ７１３６：２０００に従ってヘイズ値を測定することで内部ヘイズ値を求める。また、外部ヘイズ値は、全ヘイズから内部ヘイズを差し引くことによって求められる。本明細書における「外部ヘイズ値」は、光波長変換シート全体の外部ヘイズ値を意味する。すなわち、本明細書における外部ヘイズ値は、光波長変換シートの一方の表面における外部ヘイズ値と光波長変換シートの他方の表面における外部ヘイズ値の合計を意味する。
内部ヘイズ値と外部ヘイズ値は関係性がある。具体的には、内部ヘイズ値が大きくなると、同一の表面凹凸を有する場合でも外部ヘイズが小さくなる傾向がある。これは、以下の理由からであると考えられる。ＪＩＳ Ｋ７１３６：２０００には、ヘイズは、試験片を通過する透過光のうち、前方散乱によって、入射光から０．０４４ｒａｄ（２．５°）以上それた透過光の百分率であることが規定されている。すなわち、ヘイズの定義においては入射光に対し２．５°以上それた透過光はヘイズとして測定されるが、入射光に対し２．５°未満の透過光であればヘイズとして測定されない。一方で、内部ヘイズが大きい光波長変換シートにおいては、内部ヘイズがそれよりも小さい光波長変換シートに比べて、光はシート内部でより散乱されるので、シート表面に到達する入射光に対して２．５°未満の透過光は少なくなる。このため、内部ヘイズが大きい光波長変換シートと内部ヘイズがそれよりも小さい光波長変換シートが同一の表面凹凸を有する場合、内部ヘイズが大きい光波長変換シートの方が、内部ヘイズがそれよりも小さい光波長変換シートに比べて、表面凹凸による影響が少なくなる。したがって、シート表面に存在する表面凹凸の影響のみを考えた場合、内部ヘイズが大きい光波長変換シートと内部ヘイズがそれよりも小さい光波長変換シートが同じ表面凹凸を有していたとしても、内部ヘイズが大きい光波長変換シートの方が、内部ヘイズがそれよりも小さい光波長変換シートに比べて、表面凹凸から出射する入射光に対して２．５°未満の透過光のみならず、表面凹凸から出射する入射光に対して２．５°以上それた透過光も、少なくなる。よって、内部ヘイズ値が大きくなると、同一の表面凹凸を有する場合でも外部ヘイズが小さくなると考えられる。
光波長変換シート１０において、光波長変換シート１０の外部ヘイズ値を光波長変換シート１０より小さくするためには、例えば、光波長変換シート１０の内部に光散乱性粒子を添加することが挙げられる。光波長変換シートがバリア部材および／または光拡散層を備えている場合には、光散乱性粒子は、光波長変換部材１１の他、バリア部材中にも添加されてもよく、また光拡散層中にも添加されてもよい。光散乱性粒子が添加された層が最外層である場合には、外部ヘイズを伴うことがあるため、最外層の表面凹凸を制御することにより上記の内部ヘイズと外部ヘイズの関係性を満たすことができる。
光波長変換シート１０における内部ヘイズ値に対する外部ヘイズ値の割合（外部ヘイズ値／内部ヘイズ値）は、０以上０．１以下であることが好ましく、０以上０．０５以下であることがより好ましい。この割合がこの範囲内にあれば、内部ヘイズによって光を充分に拡散させて、量子ドットを複数回励起させることができる。
光波長変換シート１０の表面１０Ａ、１０Ｂの算術平均粗さ（Ｒａ）は、それぞれ０．１μｍ以上であることが好ましく、０．５μｍ以上であることがより好ましい。光波長変換シート１０の表面１０Ａ、１０ＢのＲａが０．１μｍであることが好ましいとしたのは、以下の理由からである。光波長変換シートはバックライト装置内では後述する光学板やレンズシートと接触するが、光波長変換シートと光学板やレンズシートとが貼り付いてしまうと、光波長変換シートと光学板との間の界面や光波長変換シートとレンズシートとの間の界面にウエットアウトと呼ばれる水で濡らしたようなパターンが形成されてしまうおそれがあるので、光波長変換シート１０と光学板やレンズシートとの貼り付きを防止するために、Ｒａは、０．１μｍ以上であることがより好ましい。
上記「Ｒａ」の定義は、ＪＩＳ Ｂ０６０１：１９９４に従うものとする。Ｒａは、例えば、表面粗さ測定器（製品名「ＳＥ−３４００」、小坂研究所社製）を用いて測定することができる。
青色光を発する光源を用い、青色光を緑色光に変換する量子ドットおよび青色光を赤色光に変換する量子ドットの両方を含む光波長変換シート１０に照射したとき、光波長変換シートにおける透過光のうち青色光の光強度のピーク値に対する緑色光の光強度のピーク値の割合（緑色光の光強度のピーク値／青色光の光強度のピーク値）は、０．３以上２．０以下であることが好ましく、０．５以上１．５以下であることがより好ましい。
また光波長変換シート１０における透過光のうち青色光の光強度のピーク値に対する赤色光の光強度のピーク値の割合（赤色光の光強度のピーク値／青色光の光強度のピーク値）は、０．３以上２．０以下であることが好ましく、０．５以上１．５以下であることがより好ましい。
本明細書における「青色光」とは、３８０ｎｍ以上４８０ｎｍ未満の波長域を有する光であり、「緑色光」とは、４８０ｎｍ以上５９０ｎｍ未満の波長域を有する光であり、「赤色光」とは、５９０ｎｍ以上７５０ｎｍ以下の波長域を有する光である。また、上記各光の光強度は、分光放射輝度計（例えば、製品名「ＣＳ２０００」、コニカミノルタ社製）を用いて測定することができる。
光波長変換シート１０の厚みは、１０μｍ以上５００μｍ以下となっていることが好ましい。光波長変換シート１０の平均厚みがこの範囲であれば、バックライト装置の軽量化および薄膜化に適している。
光波長変換シート１０の厚みは、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）又は走査透過型電子顕微鏡（ＳＴＥＭ）を用いて、光波長変換シート１０の断面を撮影し、その断面の画像において光波長変換シート１０の厚みを２０箇所測定し、その２０箇所の厚みの平均値とする。これらの中でも、光波長変換シート１０の膜厚がμｍオーダーであることを考慮すると、ＳＥＭを用いることが好ましい。ＳＥＭの場合、加速電圧は３０ｋＶ、倍率は１０００〜７０００倍とすることが好ましく、ＴＥＭ又はＳＴＥＭの場合、加速電圧は３０ｋＶ、倍率は５万〜３０万倍とすることが好ましい。
＜＜光波長変換部材＞＞
光波長変換部材は、光波長変換組成物の硬化物であるが、この場合の光波長変換組成物は量子ドットおよびリン系化合物の他、重合性化合物を含むものである。本実施形態の光波長変換部材１１は層状となっているが、光波長変換部材の形状は層状でなくともよい。すなわち、光波長変換部材を用いる箇所等によって、適宜、光波長変換部材の形状を変えることができる。
光波長変換部材１１は、上記光波長変換組成物の硬化物であるので、量子ドット１７と、リン系化合物と、重合性化合物の硬化物であるバインダ樹脂１６とを含んでいる。
図１に示される量子ドット１７は、第１の量子ドット１７Ａと、第１の量子ドット１７Ａとは異なる波長域の発光帯を有する第２の量子ドット１７Ｂとを含んでいる。また、図１に示される光波長変換部材１１はさらに光散乱性粒子１８を含んでいる。光散乱性粒子１８を含むことにより、光波長変換効率および内部ヘイズを高めることができる。なお、光波長変換部材１１に含まれる量子ドット１７、リン系化合物、光散乱性粒子１８は、上記で説明した量子ドット、リン系化合物、光散乱性粒子と同様であるので、ここでは説明を省略するものとする。
光波長変換部材１１においては、蛍光Ｘ線分析により測定される光波長変換部材１１中のリン元素の含有量が０．０５質量％以上となっている。リン元素の含有量が０．０５質量％未満であると、耐熱性試験時に、量子ドットの劣化を抑制できないおそれがある。光波長変換部材中のリン元素の含有量の測定は、蛍光Ｘ線分析装置（製品名「ＥＤＸ−８００ＨＳ」、島津製作所製）を用いることにより行うことができる。光波長変換部材１１中のリン元素の含有量の下限は、０．３質量％以上であることがより好ましく、またリン元素の含有量の上限は、２質量％を超えると、光透過性基材との密着性が低下するおそれがあり、また量子ドットが腐食してしまうそれもあるため２質量％以下であることが好ましい。
リン元素は、量子ドットの周囲およびバインダ樹脂１６中に存在しているが、量子ドットのリガンドとしてリン系化合物が含まれている場合があり、この場合には、光波長変換部材の量子ドット非含有領域において電子顕微鏡付属のエネルギー分散型Ｘ線分光分析装置（ＥＤＸ）による元素分析を行うことによって、バインダ樹脂中のリン元素の有無を把握することができる。
光波長変換部材１１においては、光波長変換部材１１中の上記ホスファイト系化合物および／またはホスフィン系化合物の含有量（光波長変換部材がホスファイト系化合物およびホスフィン系化合物の両方を含んでいる場合にはその合計量）が０．５質量％以上３０質量％以下となっていることが好ましい。上記ホスファイト系化合物および／またはホスフィン系化合物の含有量が０．５質量％未満であると、耐熱性試験時に、量子ドットの劣化を抑制できないおそれがあり、また３０質量％を越えると、光透過性基材との密着性が低下するおそれがある。光波長変換部材１１中のホスファイト系化合物および／またはホスフィン系化合物の含有量は、上記光波長変換組成物中のホスファイト系化合物および／またはホスフィン系化合物の含有量の測定方法と同様の手法によって測定することができる。光波長変換部材１１中のホスファイト系化合物および／またはホスフィン系化合物の含有量の下限は、５質量％以上であることがより好ましく、ホスファイト系化合物および／またはホスフィン系化合物の含有量の上限は２０質量％以下であることがより好ましい。
光波長変換部材１１の膜厚は、１０μｍ以上２００μｍ以下となっていることが好ましい。この光波長変換部材１１の平均厚みがこの範囲であれば、バックライト装置の軽量化および薄膜化に適している。光波長変換部材１１の膜厚は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて、光波長変換部材１１の断面を撮影し、その断面の画像において光波長変換部材１１の膜厚を２０箇所測定し、その２０箇所の膜厚の平均値とする。光波長変換部材１１の平均膜厚の上限は１７０μｍ未満であることがより好ましい。
＜バインダ樹脂＞
バインダ樹脂１６は、上記重合性化合物の硬化物であるので、ここでは省略する。
＜光散乱性粒子＞
光散乱性粒子１８は、光波長変換組成物に含まれる光散乱性粒子と同様であるので、下記以外は説明を省略する。光散乱性粒子１８とバインダ樹脂１６との屈折率差の絶対値は、充分な光散乱を得る観点から、０．０５以上であることが好ましく、０．１０以上であることがより好ましい。なお、光散乱性粒子１８の屈折率とバインダ樹脂１６の屈折率とは、いずれの方が大きくてもよい。ここで、光波長変換部材に含有させる前の光散乱性粒子の屈折率の測定方法としては、例えば、ベッケ法、最小偏角法、偏角解析、モード・ライン法、エリプソメトリ法等によって測定することができる。光波長変換部材中のバインダ樹脂、光散乱性粒子の屈折率の測定方法としては、例えば、硬化作製した光波長変換部材中から光散乱性粒子のかけら、あるいはホストマトリクスのかけらをなんらかの形で取り出したものについてベッケ法を用いることができる。このほか、位相シフトレーザー干渉顕微鏡（エフケー光学研究所製の位相シフトレーザー干渉顕微鏡や溝尻光学工業所製の二光束干渉顕微鏡等）を用いてバインダ樹脂と光散乱性粒子との屈折率差を測定することができる。
＜＜光透過性基材＞＞
光透過性基材１２、１３の厚みは、特に限定されないが、１０μｍ以上３００μｍ以下であることが好ましい。光透過性基材１２、１３の厚みが、１０μｍ未満であると、光波長変換シートのアッセンブリ、取扱い時における皺や折れが発生するおそれがあり、また３００μｍを超えると、ディスプレイの軽量化および薄膜化に適さないおそれがある。光透過性基材１２、１３の厚みのより好ましい下限は５０μｍ以上、より好ましい上限は２００μｍ以下である。
光透過性基材１２、１３の厚みは、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）又は走査透過型電子顕微鏡（ＳＴＥＭ）を用いて、光透過性基材１２、１３の断面を撮影し、その断面の画像において光透過性基材１２、１３の厚みを２０箇所測定し、その２０箇所の膜厚の平均値とする。
光透過性基材１２、１３の構成原料としては、例えば、ポリエステル（例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート）、セルローストリアセテート、セルロースジアセテート、セルロースアセテートブチレート、ポリアミド、ポリイミド、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアセタール、ポリエーテルケトン、ポリメタクリル酸メチル、ポリカーボネート、又は、ポリウレタン等の熱可塑性樹脂が挙げられる。光透過性基材１２、１３の構成材料としては、好ましくは、ポリエステル（例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート）が挙げられる。
光透過性基材１２、１３は、単一の基材から構成されていてもよいが、複数の基材から構成される積層基材であってもよい。このような積層基材は、用途に応じて、同種の構成原料の層からなる複数の層から構成されていてもよく、異なる種類の構成原料の層からなる複数の層から構成されていてもよい。
＜＜光拡散層＞＞
光拡散層１４、１５は、表面に凹凸形状を有しており、この凹凸形状によって光波長変換シート１０に入射する光および出射する光を拡散させることができる。光拡散層１４、１５を設けることにより、光波長変換シート１０における光波長変換効率をより高めることができる。光拡散層１４、１５は、光散乱性粒子とバインダ樹脂とを含んでいる。
＜光散乱性粒子＞
光拡散層１４、１５中の光散乱性粒子は、主に、光拡散層１４、１５の表面に凹凸形状を形成するとともに光散乱性機能を発揮するためのものである。
光拡散層１４、１５中の光散乱性粒子の平均粒子径は、上述した量子ドット１７の平均粒子径の１０倍以上２０００倍以下であることが好ましく、１０〜５０００倍であることがより好ましい。光散乱性粒子の平均粒子径が量子ドットの平均粒子径の１０倍未満であると、光拡散層に充分な光拡散性が得られないことがあり、また光散乱性粒子の平均粒子径が量子ドットの平均粒子径の２０００倍を超えると、光拡散層の光拡散性能は優れたものとなるが、光拡散層の光の透過率が大幅にダウンしやすくなる。なお、光散乱性粒子の平均粒子径は、上述した量子ドットの平均粒子径と同様の方法で測定することができる。
具体的には、光拡散層１４、１５中の光散乱性粒子の平均粒子径は、例えば、１μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましく、１μｍ以上２０μｍ以下であることがより好ましい。光散乱性粒子の平均粒子径が１μｍ未満であると、光波長変換シートの光波長変換効率が不充分となることがあり、充分な光拡散性を出すためには光散乱性粒子の添加量を多くする必要がある。一方、光散乱性粒子の平均粒子径が３０μｍを超えると、光拡散性能は優れたものとなるが、光拡散層の光の透過率が大幅にダウンしやすくなる。
光拡散層１４、１５中の光散乱性粒子とバインダ樹脂との屈折率差の絶対値は、０．０２以上０．１５以下であることが好ましい。０．０２未満であると、光学的に光散乱性粒子の持つ屈折率による光拡散性が得られず、光波長変換シートの光波長変換効率の向上が不充分となることがあり、０．１５を超えると、光拡散層の透過率が低下してしまうことがある。光散乱性粒子とバインダ樹脂との屈折率差のより好ましい下限は０．０３以上、より好ましい上限は０．１２以下である。なお、光散乱性粒子の屈折率とバインダ樹脂の屈折率とは、いずれの方が大きくてもよい。光散乱性粒子およびバインダ樹脂の屈折率は、光散乱性粒子１８およびバインダ樹脂の屈折率と同様の手法によって測定することができる。
光拡散層１４、１５中の光散乱性粒子の形状は光波長変換部材１１中の光散乱性粒子１８の形状と同様であるので、ここでは説明を省略するものとする。光拡散層１４、１５中の光散乱性粒子は、光散乱性粒子をバインダ樹脂中に強固に固定する観点から、バインダ樹脂と化学結合していることが好ましい。この化学結合は、シランカップリング剤で表面修飾された光散乱性粒子を用いることによって実現できる。シランカップリング剤は、光波長変換部材中の光散乱性粒子の欄で説明したシランカップリング剤と同様であるので、ここでは説明を省略するものとする。
光散乱性粒子は、有機材料からなる粒子または無機材料からなる粒子であってもよい。光散乱性粒子を構成する有機材料としては特に限定されず、例えば、ポリエステル、ポリスチレン、メラミン樹脂、（メタ）アクリル樹脂、アクリル−スチレン共重合体樹脂、シリコーン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、ベンゾグアナミン・ホルムアルデヒド縮合樹脂、ポリカーボネート、ポリエチレン、ポリオレフィン等が挙げられる。なかでも、架橋アクリル樹脂が好適に用いられる。また、上記光拡散粒子を構成する無機材料としては特に限定されず、例えば、シリカ、アルミナ、チタニア、酸化スズ、アンチモンドープ酸化スズ（ＡＴＯ）、酸化亜鉛微粒子等の無機酸化物等が挙げられる。なかでも、シリカ及び／又はアルミナが好適に用いられる。
＜バインダ樹脂＞
バインダ樹脂としては、重合性化合物の硬化物を用いることができる。重合性化合物としては、光波長変換組成物に含まれる重合性化合物と同様のものを用いることができるので、ここでは説明を省略するものとする。
＜＜他の光波長変換シート＞＞
光波長変換シートは、図３に示されるように、光波長変換部材１１のみ（単層構造）の光波長変換シート２０であってもよい。また、光波長変換シートは、図４に示されるように、光波長変換部材１１と、光波長変換部材１１を支持する光透過性基材３１とを備える光波長変換シート３０であってもよい。光透過性基材３１を備えることにより、光波長変換シート２０より光波長変換シートの強度を高めることができる。
＜光透過性基材＞
光波長変換シート３０の光透過性基材３１としては、光透過性基材１２、１３と同様のものを用いることができるので、ここでは説明を省略するものとする。
＜＜他の光波長変換シート＞＞
光波長変換シートは、図５および図６に示されるように、光波長変換部材１１と、光波長変換部材１１の少なくとも一方の面側に配置され、かつ光波長変換部材１１と一体化された光学部材４１とを備える光波長変換シート４０であってもよい。
＜光学部材＞
本明細書において、「光学部材」とは、光学的特性（例えば、偏光性、光屈折性、光散乱性、光反射性、光透過性、光吸収性、光回折性、旋光性など）を有する部材を意味し、光学的特性を有するシート（フィルム）状ないし板状の部材であれば、特に限定されない。光学部材としては、レンズシート、導光板および光拡散板等の光学板、ならびに反射型偏光分離シート、偏光板等が挙げられる。なお、光学部材シートが、光波長変換シートの両面側に設けられている場合には、光学部材はそれぞれ別の光学的特性を有する光学部材であってもよい。本実施形態においては、光学部材がレンズシートである例について説明する。
光学部材４１は、図５および図６に示されるように、光透過性基材４２と、光透過性基材４２の一方の面に設けられたレンズ層４３とを備えている。レンズ層４３は、図５および図６に示されるように、シート状の本体部４４、および本体部４４の出光側に並べて配置された複数の単位レンズ４５を備えている。光透過性基材４２、レンズ層４３、本体部４４、および単位レンズ４５は、後述する光透過性基材１０１、レンズ層１０２、本体部１０３、および単位レンズ１０４と同様の構成となっているので、ここでは説明を省略するものとする。
光波長変換シート４０においては、光学部材４１の一方の面に光波長変換組成物を直接塗布、硬化させることによって光波長変換部材１１と光学部材４１とが一体化されている。なお、光波長変換部材１１と光学部材４１は接着層を介して貼り合わせられていてもよい。
＜＜他の光波長変換シート＞＞
光波長変換シートは、図７に示されるように、光波長変換部材１１と、光波長変換部材１１の両面を覆うオーバーコート層５１、５２とを備える光波長変換シート５０であってもよい。本実施形態においては、光波長変換層１１の両面にオーバーコート層５１、５２が形成されているが、オーバーコート層は光波長変換層の少なくとも一方の面に形成されていれば、光波長変換層１１の両面に形成されていなくともよい。なお、光波長変換層の一方の面のみにオーバーコート層が設けられている場合、光波長変換層の他方の面には光透過性基材が設けられていてもよい。
＜オーバーコート層＞
オーバーコート層５１、５２は、光波長変換部材１１の表面を覆い、かつ塗工によって形成された樹脂からなる層である。オーバーコート層は、例えば、電離放射線や熱によって重合する重合性化合物を含む組成物の硬化物から構成することが可能である。また、オーバーコート層５１、５２上に光拡散層等の他の層が形成されていてもよい。
オーバーコート層５１、５２は、光波長変換部材１１が直接大気に暴露されるのを防ぐために設けられているものである。このようなオーバーコート層５１、５２を光波長変換部材１１の少なくとも一方の面に設けることにより、量子ドット１７を水分や酸素から保護することができ、また光透過性基材を光波長変換層１１の少なくとも一方の面に設けるよりも、光波長変換シートの厚みを薄くできる。
オーバーコート層５１、５２が、光波長変換部材１１が直接大気に暴露されるのを防ぐ機能以外に、何らかの機能を有していてもよい。具体的には、オーバーコート層５１、５２は、水分や酸素の透過を抑制する機能の他、例えば、アンチブロッキング性、光拡散性、帯電防止性、および反射防止性等の少なくともいずれかの機能を有する層であってもよい。オーバーコート層５１、５２が、光波長変換部材１１が直接大気に暴露されるのを防ぐ機能およびその他何らかの機能を有する層である場合、オーバーコート層５１、５２には、何らかの機能を有するための材料が添加されていてもよい。
オーバーコート層５１、５２の膜厚は、光波長変換部材１１が直接大気に暴露されるのを防ぐとともに、光波長変換シートを薄型化する観点から、０．１μｍ以上１００μｍ以下となっていることが好ましい。オーバーコート層５１、５２の膜厚は、光透過性基材１２、１３の厚みと同様の手法によって測定することができる。オーバーコート層５１、５２の膜厚の下限は１μｍ以上であることがより好ましく、上限は５０μｍ以下であることがより好ましい。
オーバーコート層５１、５２は、スクラッチ試験において垂直力１０μＮ以上および／または水平力−５μＮ以下となる硬度を有することが好ましい。オーバーコート層５１、５２がこのような硬度を有している場合には、オーバーコート層５１、５２は緻密な膜となるので、光波長変換部材１１を大気暴露から防ぐ能力が高い。スクラッチ試験における垂直力および水平力は、ナノインデンテーション装置（製品名「ＴＩ９５０ ＴｒｉｂｏＩｎｄｅｎｔｅｒ」、ＨＹＳＩＴＲＯＮ（ハイジトロン）社製）を用いて、オーバーコート層の断面からオーバーコート層の内部方向に圧子（Cube Corner:Ti037_110410(12)）を５０ｎｍ押し込み、その深さを一定として、３０秒間この圧子を移動速度４μｍ／ｍｉｎで水平方向に移動させた際に測定される垂直力（荷重）および水平力の平均値をそれぞれ求め、さらにこのスクラッチ試験を５回繰り返すことによって求めた垂直力の５つの平均値の平均値（５回平均値）および水平力の５つの平均値の平均値（５回平均値）とする。垂直力は数値が大きいほど、水平力は数値が小さいほどオーバーコート層５１、５２の硬度が高い。光波長変換部材１１を大気暴露から防ぐ能力を高める観点から、オーバーコート層５１、５２のスクラッチ試験における垂直力は１５μＮ以上であることがより好ましく、また水平力は−８μＮ以下であることがより好ましい。
オーバーコート層５１、５２は、上記硬度を有すれば、特に限定されないが、例えば、（メタ）アクリレート系化合物、エポキシ化合物、イソシアネートおよびポリオールの組み合わせ、金属アルコキシド、ケイ素含有樹脂、水溶性高分子、またはこれらの混合物を含むオーバーコート層用組成物を用いて形成することが可能である。これらの中でも、オーバーコート層５１、５２は、光波長変換部材１１が直接大気に暴露されるのを防ぐ観点から、アクリル酸亜鉛、アルコキシシランの加水分解生成物、ポリビニルアルコール、ポリシラザン、またはこれらの混合物を含むオーバーコート層用組成物を用いて形成されることが好ましい。
光波長変換シート２０、３０、４０、５０においては、シート全体で、４０℃、相対湿度９０％での水蒸気透過率が０．１ｇ／（ｍ２・２４ｈ）以上となっていてもよい。光波長変換シート２０、３０、４０、５０においては、シート全体で、２３℃、相対湿度９０％での酸素透過率が０．１ｃｍ３／（ｍ２・２４ｈ・ａｔｍ）以上となっていてもよい。光波長変換シート２０、３０、４０、５０における４０℃、相対湿度９０％での水蒸気透過率は１ｇ／（ｍ２・２４ｈ）以上となっていてもよく、また光波長変換シート２０、３０、４０、５０における２３℃、相対湿度９０％での酸素透過率が１ｃｍ３／（ｍ２・２４ｈ・ａｔｍ）以上となっていてもよい。
＜＜他の光波長変換シート＞＞
光波長変換シートは、図８に示されるような光波長変換シート６０であってもよい。この場合、光波長変換シート６０の水蒸気透過率や酸素透過率は、上述した範囲内になくてよい。
図８に示される光波長変換シート６０は、光波長変換部材１１と、光波長変換部材１１の両面に設けられたバリア部材６１、６２と、バリア部材６１、６２における光波長変換部材１１側の面とは反対側に設けられた光拡散層１３、１４とを備えている。光波長変換シート６０においては、光拡散層１３、１４の表面が光波長変換シート６０の表面６０Ａ、６０Ｂを構成している。
＜バリア部材＞
バリア部材６１、６２は、水分や酸素の透過を抑制して、量子ドット１７を水分や酸素から保護するための部材である。ここで、本明細書における「バリア部材」とは、部材単体で、４０℃、相対湿度９０％での水蒸気透過率が０．１ｇ／（ｍ２・２４ｈ）未満となり、かつ２３℃、相対湿度９０％での酸素透過率が０．１ｃｍ３／（ｍ２・２４ｈ・ａｔｍ）未満となる部材を意味するものとする。バリア部材には、単層構造のフィルムのみならず、多層構造のフィルムも含まれる。光波長変換部材１１を挟持する状態でバリア部材６１、６２を設置することで、より量子ドット１７の耐久性を向上させることができる。図８に示されるバリア部材６１、６２は、光透過性基材１２、１３と、光透過性基材１２、１３における光波長変換部材１１側に設けられ、かつ水分や酸素の透過を抑制する機能を有するバリア層６３、６４とを備えている。
バリア部材６１、６２の水蒸気透過率（WVTR：Water Vapor Transmission Rate）は、４０℃、相対湿度９０％の条件下において、１．０×１０−２ｇ／（ｍ２・２４ｈ）以下であることが更に好ましい。なお、上記水蒸気透過率は、水蒸気透過率測定装置（製品名「ＰＥＲＭＡＴＲＡＮ−Ｗ３／３１」、ＭＯＣＯＮ社製）を用いて測定することができる。
バリア部材６１、６２の酸素透過率（OTR: Oxygen Transmission Rate）は、２３℃、相対湿度９０％の条件下において、１．０×１０−２ｃｍ３／（ｍ２・２４ｈ・ａｔｍ）以下であることが更に好ましい。なお、上記酸素透過率は、酸素ガス透過率測定装置（製品名「ＯＸ−ＴＲＡＮ ２／２１」、ＭＯＣＯＮ社製）を用いて測定することができる。
（バリア層）
バリア層６３、６４は、水分や酸素の透過を抑制する機能を有する蒸着層から構成されている。蒸着層は、例えば、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理気相成長（ＰＶＤ）法や化学気相成長（ＣＶＤ）法等の蒸着法で形成された層である。蒸着層は、バリア性を高めることができるという利点を有する。
蒸着層の形成材料としては、蒸着法によって蒸着でき、かつバリア性が得られるものであれば特に限定されないが、例えば、酸化ケイ素や酸化アルミニウム等の無機酸化物や金属等が挙げられる。
蒸着層の膜厚は、特に限定されないが、０．０１μｍ以上１μｍ以下であることが好ましい。蒸着層の膜厚が０．０１μｍ未満であると、蒸着層のバリア性能が不充分となることがあり、また１μｍを超えると、蒸着層のクラック等によりバリア性能の劣化が起こりやすくなることがある。蒸着層の厚みのより好ましい下限は０．０３μｍ以上であり、より好ましい上限は０．５μｍ以下である。
蒸着層の膜厚は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて、光波長変換シート６０の断面を撮影し、その断面の画像において蒸着膜の膜厚を２０箇所測定し、その２０箇所の膜厚の平均値とする。また、蒸着層は、単一の層であってもよく、複数の層が積層されたものであってもよい。蒸着層が複数層積層されたものである場合、蒸着層を構成する各層は、直接積層形成されていてもよく、貼り合わされていてもよい。
＜＜＜光波長変換シートの製造方法＞＞＞
光波長変換シート１０は、例えば、以下のようにして作製することができる。まず、図示しないが、光透過性基材１２の一方の面に、光散乱性粒子および重合性化合物を含む光拡散層用組成物を塗布し、乾燥させて、光拡散層用組成物の塗膜を形成する。また、同様に、光透過性基材１３の一方の面に、光拡散層用組成物の塗膜を形成する。
次いで、光照射等によって、光拡散層用組成物の塗膜を硬化させる。これにより、図９（Ａ）に示されるように、光透過性基材１２の一方の面に光拡散層１４が形成されて、光拡散層１４付き光透過性基材１２が形成される。また、図示しないが、同様にして、光拡散層１５付き光透過性基材１３を形成する。
光拡散層１５付き光透過性基材１３を形成した後、図９（Ｂ）に示されるように、光拡散層１５付き光透過性基材１３における光拡散層１５側の面とは反対側の面に、上記光波長変換組成物を塗布し、乾燥させて、光波長変換組成物の塗膜１９を形成する。
光波長変換組成物の塗膜１９形成後、図１０（Ａ）に示されるように光拡散層１４付き光透過性基材１２における光拡散層１４側の面とは反対側の面が光波長変換組成物の塗膜１９と接するように、光波長変換組成物の塗膜１９上に光拡散層１４付き光透過性基材１２を配置する。これにより、光波長変換組成物の塗膜１９が、光透過性基材１２、１３間で挟まれる。
次いで、図１０（Ｂ）に示されるように光透過性基材１２を介して光波長変換組成物の塗膜１９に電離放射線を照射して、または熱を加えて、重合性化合物を硬化させて、光波長変換部材１１を形成するとともに、光波長変換部材１１と、光拡散層１４付き光透過性基材１２および光拡散層１５付き光透過性基材１３とを一体化させる。これにより、図１に示される光波長変換シート１０が得られる。
光波長変換シート２０、３０、５０は、例えば、以下のようにして作製することができる。まず、基材（図示せず）上に、量子ドット、リン系化合物、重合性化合物および重合開始剤を含む光波長変換組成物を塗布し、乾燥させて、光波長変換組成物の塗膜を形成する。そして、この塗膜に電離放射線を照射して、または熱を加えて、重合性化合物を硬化させることによって、光波長変換部材１１を形成する。その後、光波長変換部材１１から基材を剥離する。これにより、図３に示される光波長変換シート２０が得られる。一方、基材として光透過性基材３１を用いた場合には、この基材を光波長変換部材１１から剥離せずに、そのまま残存させることにより、図４に示される光波長変換シート３０が得られる。また、光波長変換シート２０の両面にオーバーコート層用組成物を塗布し、乾燥させて、光波長変換組成物の塗膜を形成する。そして、この塗膜に電離放射線を照射して、または熱を加えて、重合性化合物を硬化させることによって、オーバーコート層５１、５２を形成する。これにより、図７に示される光波長変換シート５０が得られる。
光波長変換シート４０は、光学部材４１の一方の面側に、上記光波長変換組成物を塗布し、乾燥させて、光波長変換組成物の塗膜を形成する。そして、この塗膜に電離放射線を照射して、または熱を加えて、重合性化合物を硬化させることによって、光波長変換部材１１を形成する。これにより、図５に示される光波長変換シート４０が得られる。
光波長変換シート６０は、光拡散層１４、１５を、光透過性基材１２、１３と、光透過性基材１２、１３の一方の面に形成されたバリア層６３、６４とを備えるバリア部材６１、６２に形成すれば、後は光波長変換シート１０と同様の工程によって形成することが可能である。
光波長変換シート１０、２０、３０、４０、５０、６０は、バックライト装置および画像表示装置に組み込んで使用することができる。以下、光波長変換シート１０をバックライト装置および画像表示装置に組み込んだ例について説明する。図１１は本実施形態に係るバックライト装置を含む画像表示装置の概略構成図であり、図１２は図１１に示されるレンズシートの斜視図であり、図１３は図１２のレンズシートのＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。図１４、図１５、図１７は本実施形態に係る他のバックライト装置の概略構成図であり、図１６は図１５に示される光源の概略構成図であり、図１８は図１７に示される光学板の入光面付近の拡大図である。
＜＜＜画像表示装置＞＞＞
図１１に示される画像表示装置７０は、バックライト装置８０と、バックライト装置８０の出光側に配置された表示パネル１２０とを備えている。画像表示装置７０は、画像を表示する表示面７０Ａを有している。図１１に示される画像表示装置７０においては、表示パネル１２０の表面が表示面７０Ａとなっている。
バックライト装置８０は、表示パネル１２０を背面側から面状に照らすものである。表示パネル１２０は、バックライト装置８０からの光の透過または遮断を画素毎に制御するシャッターとして機能し、表示面７０Ａに像を表示するように構成されている。
＜＜表示パネル＞＞
図１１に示される表示パネル１２０は、液晶表示パネルであり、入光側に配置された偏光板１０１と、出光側に配置された偏光板１２２と、偏光板１２１と偏光板１２２との間に配置された液晶セル１０３とを備えている。偏光板１２１、１２２は、入射した光を直交する二つの直線偏光成分（Ｓ偏光およびＰ偏光）に分解し、一方の方向（透過軸と平行な方向）に振動する直線偏光成分（例えば、Ｐ偏光）を透過させ、前記一方の方向に直交する他方の方向（吸収軸と平行な方向）に振動する直線偏光成分（例えば、Ｓ偏光）を吸収する機能を有している。
液晶セル１２３には、一つの画素を形成する領域毎に、電圧の印加がなされ得るように構成されている。そして、電圧印加の有無によって液晶セル１２３中の液晶分子の配向方向が変化するようになる。一例として、入光側に配置された偏光板１２１を透過した特定方向の直線偏光成分は、電圧印加がなされた液晶セル１２３を通過する際にその偏光方向を９０°回転させ、その一方で、電圧印加がなされていない液晶セル１２３を通過する際にその偏光方向を維持する。この場合、液晶セル１２３への電圧印加の有無によって、偏光板１２１を透過した特定方向に振動する直線偏光成分を偏光板１２２に対して透過させ、または偏光板１２２で吸収して遮断することができる。このようにして、表示パネル１２０では、バックライト装置８０からの光の透過または遮断を画素毎に制御し得るように構成されている。なお、液晶表示パネルの詳細については、種々の公知文献（例えば、「フラットパネルディスプレイ大辞典（内田龍男、内池平樹監修）」２００１年工業調査会発行）に記載されており、ここではこれ以上の詳細な説明を省略する。
＜＜バックライト装置＞＞
図１１に示されるバックライト装置８０は、エッジライト型のバックライト装置として構成され、光源９０と、光源９０の側方に配置された導光板としての光学板９５と、光学板９５の出光側に配置された光波長変換シート１０と、光波長変換シート１０の出光側に配置されたレンズシート１００と、レンズシート１００の出光側に配置されたレンズシート１０５と、レンズシート１０５の出光側に配置された反射型偏光分離シート１１０と、光学板９５の出光側とは反対側に配置された反射シート１１５とを備えている。バックライト装置８０は、光学板９５、レンズシート１００、１０５、反射型偏光分離シート１１０、反射シート１１５を備えているが、これらのシート等は備えられていなくともよい。本明細書において、「出光側」とは、各部材においてバックライト装置から出射する方向に向かう光が出射される側を意味する。
バックライト置８０は、面状に光を発光する発光面８０Ａを有している。図１１に示されるバックライト装置８０においては、反射型偏光分離シート１１０の出光面がバックライト装置８０の発光面８０Ａとなっている。
光波長変換シート１０における光学板９５側の面が表面１０Ａ（入光面）となっており、光波長変換シート１０におけるレンズシート１００側の面が表面１０Ｂ（出光面）となっている。
＜光源＞
光源９０は、例えば、線状の冷陰極管等の蛍光灯や、点状の発光ダイオード（ＬＥＤ）や白熱電球等の発光体を備えている。本実施の形態において、光源９０は、光学板９５の後述する入光面９５Ｃ側に、線状に並べて配置された多数の点状発光体、具体的には、多数の発光ダイオード（ＬＥＤ）によって、構成されている。
バックライト装置８０においては光波長変換シート１０が配置されていることに伴い、光源９０は、単一の波長域の光を放出する発光体のみを用いることができる。例えば、光源は、色純度の高い青色光を発する青色発光ダイオードのみを用いることができる。
＜光学板＞
導光板としての光学板９５は、平面視形状が四角形形状に形成されている。光学板９５は、表示パネル１２０側の一方の主面によって構成された出光面９５Ａと、出光面９５Ａに対向するもう一方の主面からなる裏面９５Ｂと、出光面９５Ａおよび裏面９５Ｂの間を延びる側面とを有している。側面のうちの光源９０側の側面が、光源９０からの光を受ける入光面７５Ｃとなっている。入光面９５Ｃから光学板９５内に入射した光は、入光面９５Ｃと、入光面９５Ｃと対向する反対面とを結ぶ方向（導光方向）に光学板内を導光され、出光面９５Ａから出射される。
光学板９５を構成する材料としては、画像表示装置に組み込まれる光学シート用の材料として広く使用され、優れた機械的特性、光学特性、安定性および加工性等を有するとともに安価に入手可能な材料、例えば、アクリル樹脂、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリアクリロニトリル等の一以上を主成分とする透明樹脂や、エポキシアクリレートやウレタンアクリレート系の反応性樹脂（電離放射線硬化型樹脂等）が好適に使用され得る。なお、必要に応じて、光学板７５中に光を拡散させる機能を有する光拡散材を添加することもできる。光拡散材としては、例えば、平均粒子径が０．５μｍ以上１００μｍ以下のシリカ（二酸化珪素）、アルミナ（酸化アルミニウム）、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、シリコーン樹脂等の透明物質からなる粒子を用いることができる。
＜＜レンズシート＞＞
レンズシート１００、１０５は、入射した光の進行方向を変化させて出光側から出射させる機能を有する。本実施形態においては、図１３に示されるように、入射角度が大きい光Ｌ３の進行方向を変化させて出光側から出射させて、正面方向の輝度を集中的に向上させる機能（集光機能）とともに、入射角度が小さい光Ｌ４を反射させて、光波長変換シート１０側に戻す機能（再帰反射機能）を有している。レンズシート１００、１０５は、光透過性基材１０１と、光透過性基材１０１の一方の面に設けられたレンズ層１０２とを備えている。
光波長変換シート１０の表面１０Ａ、１０Ｂが凹凸面となっている場合には、光学板９５の出光面９５Ａは、表面１０Ａの一部（例えば、凸部）と光学的に密着し、また表面１０Ａの他の部分（例えば、凹部）と離間していることが好ましく、またレンズシート１００の入光面１００Ａは、表面１０Ｂの一部（例えば、凸部）と光学的に密着し、また表面１０Ｂの他の部分（例えば、凹部）と離間していることが好ましい。この場合、出光面９５Ａと表面１０Ａの他の部分との隙間および入光面１００Ａと表面１０Ｂの他の部分との隙間は空気層となっている。この空気層を設けることにより、出光面９５Ａと表面１０Ａおよび入光面１００Ａと表面１０Ｂが光学的に密着するように光波長変換シート１０と光学板９５およびレンズシート１００とを固定した場合であっても、光波長変換シート１０と光学板９５およびレンズシート１００とが貼り付くことを抑制できるので、光波長変換シート１０と光学板９５との間の界面および光波長変換シート１０とレンズシート１００との間の界面にウエットアウトが形成されることを抑制できる。
＜光透過性基材＞
光透過性基材１０１は、光透過性基材１２、１３と同様のものであるので、ここでは説明を省略するものとする。
＜レンズ層＞
レンズ層１０２は、図１２および図１３に示されるように、シート状の本体部１０３、および本体部１０３の出光側に並べて配置された複数の単位レンズ１０４を備えている。
本体部１０３は、単位レンズ１０４を支持するシート状部材として機能する。図１２および図１３に示されるように、本体部１０３の出光側面１０３Ａ上には、単位レンズ１０４が隙間をあけることなく並べられている。したがって、レンズシート１００、１０５の出光面１００Ｂ、１０５Ｂは、レンズ面によって形成されている。その一方で、図１３に示すように、本体部１０３は、出光側面１０３Ａに対向する入光側面１０３Ｂとして、レンズ層１０２の入光側面をなす平滑な面を有している。
単位レンズ１０４は、本体部１０３の出光側面１０３Ａ上に並べて配列されている。図１２に示されるように単位レンズ１０４は、単位レンズ１０４の配列方向ＡＤと交差する方向に線状、とりわけ本実施の形態においては直線状に、延びている。また本実施の形態において、一つのレンズシート１００、１０５に含まれる多数の単位レンズ１０４は、互いに平行に延びている。また、レンズシート１００、１０５の単位レンズ１０４の長手方向ＬＤは、レンズシート１００、１０５における単位レンズ１０４の配列方向ＡＤと直交している。
単位レンズ１０４は、三角柱状であってもよいし、波状や例えば半球状のような椀状であってもよい。具体的には、単位レンズとしては、単位プリズム、単位シリンドリカルレンズ、単位マイクロレンズ等が挙げられる。なお、そのような単位レンズ形状を有するレンズシートとしては、プリズムシート、レンチキュラーレンズシート、マイクロレンズシート等が挙げられる。本実施形態では、単位レンズとして、出光側に向けて幅が狭くなる三角柱状の単位プリズムについて説明する。レンズシート１００、１０５のシート面の法線方向ＮＤおよび単位レンズ１０４の配列方向ＡＤの両方に平行な断面（レンズシートの主切断面とも呼ぶ）の形状は、出光側に突出する三角形形状となっている。とりわけ、正面方向輝度を集中的に向上させるという観点から、主切断面における単位レンズ１０４の断面形状は二等辺三角形形状であるとともに、等辺の間に位置する頂角が本体部１０３の出光側面１０３Ａから出光側に突出するように、各単位レンズ１０４が構成されている。
単位レンズ１０４は、光の利用効率を向上させる観点から、８０°以上１００°以下の頂角を有することが好ましく、約９０°の頂角を有することがより好ましい。ただし、光波長変換シートの巻き取りの際における単位レンズの先端の破損を考慮すると、単位レンズ１０４の先端は曲面であってもよい。
レンズシート１００、１０５の寸法は、一例として、以下のように設定され得る。まず、単位レンズ１０４の具体例として、単位レンズ１０４の配列ピッチ（図示された例では、単位レンズ１０４の幅に相当）を１０μｍ以上２００μｍ以下とすることができる。ただし、昨今においては、単位レンズ１０４の配列の高精細化が急速に進んでおり、単位レンズ１０４の配列ピッチを１０μｍ以上５０μｍ以下とすることが好ましい。また、レンズシート１００、１０５のシート面への法線方向ＮＤに沿った本体部１０３からの単位レンズ１０４の突出高さを５μｍ以上１００μｍ以下とすることができる。さらに、単位レンズ１０４の頂角θを６０°以上１２０°以下とすることができる。
図１１から理解され得るように、レンズシート１００の単位レンズ１０４の配列方向とレンズシート１０５の単位レンズ１０４の配列方向とは交差、さらに限定的には直交している。
＜反射型偏光分離シート＞
反射型偏光分離シート１１０は、レンズシート１０５から出射される光のうち、第１の直線偏光成分（例えば、Ｐ偏光）のみを透過し、かつ第１の直線偏光成分と直交する第２の直線偏光成分（例えば、Ｓ偏光）を吸収せずに反射する機能を有する。反射型偏光分離シート１１０で反射された第２の直線偏光成分は再度反射され、偏光が解消された状態（第１の直線偏光成分と第２の直線偏光成分とを両方含んだ状態）で、再度、反射型偏光分離シート１１０に入射する。よって、反射型偏光分離シート１１０は再度入射する光のうち第１の直線偏光成分を透過し、第１の直線偏光成分と直交する第２の直線偏光成分は再度反射される。以下、同上の過程を繰り返す事により、レンズシート１０５から出光した光の７０〜８０％程度が第１の直線偏光成分となった光源光として出光される。したがって、反射型偏光分離シート１１０の第１の直線偏光成分（透過軸成分）の偏光方向と表示パネル１２０の偏光板１２１の透過軸方向とを一致させることにより、バックライト装置８０からの出射光は全て表示パネル１２０で画像形成に利用可能となる。したがって、光源９０から投入される光エネルギーが同じであっても、反射型偏光分離シート１１０を未配置の場合に比べて、より高輝度の画像形成が可能となり、又光源９０のエネルギー利用効率も向上する。とりわけ、反射型偏光分離シート１１０で反射された光は、光波長変換シート１０で波長変換が行われ得る。したがって、反射型偏光分離シート１１０を配置することによって、光波長変換シート１０の波長変換効率がさらに上昇させることができる。したがって、更なる光の利用効率の改善を期待することができる。
反射型偏光分離シート１１０としては、３Ｍ社から入手可能な「ＤＢＥＦ」（登録商標）を用いることができる。また、「ＤＢＥＦ」以外にも、Shinwha Intertek社から入手可能な高輝度偏光シート「ＷＲＰＳ」やワイヤーグリッド偏光子等を、反射型偏光分離シート９０として用いることができる。
＜反射シート＞
反射シート１１５は、光学板９５の裏面９５Ｂから漏れ出した光を反射して、再び光学板９０内に入射させる機能を有する。反射シート１１５は、白色の散乱反射シート、金属等の高い反射率を有する材料からなるシート、高い反射率を有する材料からなる薄膜（例えば金属薄膜）を表面層として含んだシート等から、構成され得る。反射シート１１５での反射は、正反射（鏡面反射）でもよく、拡散反射でもよい。反射シート１１５での反射が拡散反射の場合には、当該拡散反射は、等方性拡散反射であってもよいし、異方性拡散反射であってもよい。
＜＜他のバックライト装置＞＞
光波長変換シート１０を組み込むバックライト装置は、図１４に示されるような直下型のバックライト装置であってもよい。図１４に示されるバックライト装置１３０は、光源９０と、光源９０の光を受け、かつ光拡散板として機能する光学板１３１と、光学板１３１の出光側に配置された光波長変換シート１０、光波長変換シート１０の出光側に配置されたレンズシート１００と、レンズシート１００の出光側に配置されたレンズシート１０５と、レンズシート１０５の出光側に配置された反射型偏光分離シート１１０とを備えている。本実施形態においては、光源９０は、光学板１３１の側方ではなく、光学板１３１の直下に配置されている。図１４において、図１１と同じ符号が付されている部材は、図８で示した部材と同じものであるので、説明を省略するものとする。なお、バックライト装置１３０においては、反射シート１１５は備えられていない。
＜光学板＞
光拡散板としての光学板１３１は、平面視形状が四角形形状に形成されている。光学板１３１は、光源９５側の一方の主面によって構成された入光面１３１Ａと、光波長変換シート１０側の他方の主面によって構成された出光面１３１Ｂとを有している。入光面１３１Ａから光学板１３１内に入射した光は、光学板１３１内で拡散され、出光面１３１Ｂから出射される。
光学板１３１としては、光源９０からの光を拡散させることができれば、特に限定されないが、例えば、透明材料中に光拡散性粒子を分散させた板が挙げられる。透明材料としては、特に限定されないが、例えば透明樹脂、無機ガラス等が挙げられる。前記透明樹脂としては、成形が容易である点で、透明熱可塑性樹脂が好適に用いられる。この透明熱可塑性樹脂としては、特に限定されるものではないが、例えば、ポリスチレン樹脂、スチレン−メタクリル酸メチル共重合体樹脂、スチレン−メタクリル酸共重合体樹脂、スチレン−無水マレイン酸共重合体樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ＡＢＳ樹脂（アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体樹脂）、ＡＳ樹脂（アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂）、ポリオレフィン樹脂（ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂等）などが挙げられる。これらのうちの１種を用いても良いし、或いはこれらの２種以上を混合して用いても良い。
＜光拡散性粒子＞
光学板１３１中の光拡散性粒子としては、拡散板として一般的に用いられる光拡散性粒子が挙げられる。
＜＜他のバックライト装置＞＞
図１１に示されるバックライト装置８０は、光波長変換シート１０を備えているが、光波長変換部材を備えていれば、バックライト装置の構造は、特に限定されない。例えば、バックライト装置は、図１５に示されるように、光波長変換シート１０および光源９０の代わりに、光源１５０を備えるバックライト装置１４０であってもよい。光源１５０は、図１６に示されるように、基板１５１と、基板１５１上に配置された開口部１５２Ａを有する反射部材１５２と、基板１５１上かつ反射部材１５２の開口部１５２Ａ内に配置された発光ダイオード等の発光体１５３と、発光体１５３を覆うように反射部材１５２の開口部１５２Ａに充填された光波長変換部材１５４とを備えている。光波長変換部材１５４は、光波長変換部材１１と形状および配置箇所が異なるだけで、光波長変換部材１５４の構成や物性は光波長変換部材１１と同様であるので、ここでは説明を省略するものとする。光波長変換部材１５４は反射部材１５２の開口部１５２Ａ内に上記光波長変換組成物を充填し、硬化させることによって形成することが可能である。なお、光波長変換部材１５４を有する光源１５０を用いる場合には、光波長変換部材１５４は発光体１５３を覆うように配置されていれば、構造は特に限定されない。
＜＜他のバックライト装置＞＞
バックライト装置は、図１７に示されるバックライト装置１６０であってもよい。具体的には、図１７に示されるバックライト装置１６０は、光波長変換シート１０の代わりに、光源９０と光学板９５との間に配置された層状の光波長変換部材１７０を備えている。図１７に示される光波長変換部材１７０は光学板９５の入光面９５Ｃに設けられている。光波長変換部材１７０は、光波長変換部材１１と配置箇所が異なるだけで、光波長変換部材１７０の構成や物性は光波長変換部材１１と同様であるので、ここでは説明を省略するものとする。光波長変換部材１７０は光学板９５の入光面９５Ｃに上記の光波長変換組成物を塗布し、硬化させることによって形成することが可能である。
量子ドットが耐熱性試験によって劣化しやすいのは、以下のことが原因であると考えられる。まず、量子ドットの表面には硫黄系化合物やリン系化合物等からなるリガンドが配位しているが、このリガンドは光や熱で脱離しやすい。リガンドが量子ドットから脱離すると、量子ドットに水分や酸素が付着しやすくなるので、量子ドットは、酸化され、劣化してしまう。これにより、量子ドットが耐熱性試験によって劣化してしまうものと考えられる。これに対し、本実施形態においては、蛍光Ｘ線分析により測定される光波長変換組成物中および光波長変換層１１中のリン元素の含有量が０．０５質量％以上となっているので、光波長変換組成物および光波長変換部材１１の耐熱性を向上させることができる。これは、リガンドが量子ドットから脱離した場合であっても、光波長変換組成物中および光波長変換層１１中に存在し、かつリガンドとは異なるリン系化合物がリガンドの役割を補助するような機能（例えば、リガンドの代わりに量子ドットに結合して、リガンドを代替する機能および／または酸素を捕捉する機能）を発揮するので、量子ドットの劣化が抑制されるためであると考えられる。
本実施形態によれば、光波長変換部材１１中に存在するリン系化合物により量子ドット１７の劣化を抑制できるので、光波長変換シート１０、２０、３０、４０、５０、６０において、耐熱性を向上させることができるとともに、バリア部材を省略できるとともに、バリア部材を用いた場合であっても点状の輝度欠点を抑制することができる。すなわち、光波長変換シート１０、２０、３０、４０、５０においては、光波長変換部材１１中に存在するリン系化合物により量子ドット１７の劣化を抑制できるので、バリア部材を省略することができる。また、バリア部材６１、６２を備えている光波長変換シート６０においては、光波長変換部材１１中に存在するリン系化合物により量子ドット１７の劣化を抑制できるので、たとえ、バリア部材６１、６２にピンホールやクラックが発生して、このピンホールやクラックから水分や酸素が入り込んだ場合であっても、点状の輝度欠点を抑制することができる。また、光波長変換部材１１中に存在するリン系化合物により量子ドット１７の劣化を抑制できるので、光波長変換シート１０、２０、３０、４０、５０、６０において、周縁部１０Ｃ、２０Ａ、３０Ａ、４０Ａ、５０Ａ、６０Ｃに存在する量子ドット１７の劣化も抑制できる。
光波長変換シート１０、２０、３０、４０、５０においては、光波長変換部材１１中に存在するリン系化合物により量子ドット１７の劣化を抑制できるので、バリア部材を設けていない。これにより、光波長変換シートの工程を簡素化できることにより品質を良化させやすくなるとともに、光波長変換シートの薄型化を図ることができる。
光波長変換シート４０においては、光波長変換部材１１と光学部材４１が一体化されているので、光波長変換シートと光学部材とを別個独立に配置する場合に比べて、簡素化された薄型のバックライト装置を得ることができる。すなわち、光波長変換シートと光学部材とを別個独立に配置する場合には、光波長変換シートと光学部材との間には空気界面が存在するので、バックライト装置の中に比較的大きな空隙を要する。これに対し、本実施形態においては、光波長変換部材１１と光学部材４１とが一体化されているので、光波長変換部材１１と光学部材４１との間には空気界面が存在しない。これにより、簡素化された薄型のバックライト装置を得ることができる。
発光ダイオード等の発光体は、発光時に熱も発する。このため、通常であれば、光源に光波長変換部材を組み込む場合や光源に近接した位置に光波長変換部材を配置する場合には、量子ドットの劣化を抑制するために光波長変換部材を覆うバリア部材が必要となる。これに対し、本実施形態においては、光波長変換部材１５４、１７０中に存在するリン系化合物により光波長変換部材１５４、１７０における耐熱性を向上させることができるので、光波長変換部材１５４、１７０をバリア部材で覆わなくとも、量子ドット１７の劣化を抑制できる。これにより、光波長変換部材１５４を光源１５０に組み込むことができ、または光波長変換部材１７０を光源９０に近接した位置に配置することができる。
従来から、光波長変換シートの出光側に、光波長変換シートから出射される量子ドットによって波長変換された光を集光し、かつ光波長変換シートによって波長変換されなかった光を光波長変換シート側に戻すレンズシートを配置して、光波長変換効率を高めることが検討されている。しかしながら、このようなレンズシートを配置するだけでは光波長変換効率が充分ではなく、更なる光波長変換効率の向上が望まれている。本実施形態によれば、光波長変換シート１０の外部ヘイズ値が光波長変換シート１０の内部ヘイズ値よりも小さくした場合には、光波長変換効率をさらに向上させることができる。すなわち、光源から発せられる光は直進性を有しているので、光波長変換シートに入射して、量子ドットによって波長変換されずに、光波長変換シートを出射する光も直進性を有している。ここで、光波長変換シートの外部ヘイズ値が高いと、光波長変換シートの表面で直進性を有する波長変換されていない光が屈折し、光波長変換シートから出射する波長変換されていない光においては出射角度が大きい成分が多くなってしまう。一方、集光機能および再帰反射機能を有するレンズシートは、レンズシートへの入射角度が小さい光ほどレンズシートを再帰反射させやすい傾向がある。すなわち、レンズシートへの入射角度が大きい光ほどレンズシートを透過しやすいという傾向がある。本実施形態においては、光波長変換シート１０においては、外部ヘイズ値が内部ヘイズ値よりも小さくなっているので、光波長変換シート１０の表面で波長変換されていない光が屈折したとしても、出射角度が小さい状態で出射させることができ、これにより、光波長変換シート１０から出射される波長変換されていない光においては出射角度が小さい成分を多くすることができる。したがって、レンズシート１００によって、波長変換されずに光波長変換シートから出射した光を再帰反射させて、光波長変換シート１０側に戻すことができるので、波長変換される機会が増える。また、内部ヘイズ値が外部ヘイズ値より大きくなっているので、光波長変換シート内部で光が複数回散乱されることにより光路長が伸び、波長変換される機会がさらに増える。これにより、光波長変換効率を向上させることができる。なお、量子ドット１７は等方的に発光するので、量子ドット１７によって波長変換された光は様々な方向を向いており、光波長変換シート１０の表面に到達すると、さらに光波長変換シートの表面で光が屈折し、波長変換された光は角度が大きい光となって光波長変換シートから出射しやすい。このため、波長変換された光は比較的レンズシート１００を透過しやすい。
上記において、外部ヘイズ値を用いて光波長変換シートの表面における光拡散特性（外部拡散特性）を表したのは、以下の理由からである。まず、光波長変換シートの光拡散特性はゴニオフォトメータのような公知の変角光度計により透過光の光強度を角度毎に測定することによって評価することができるが、測定された透過光の光強度の結果を用いて光波長変換シートの光拡散特性を規定することは極めて困難である。一方、上記したように、ヘイズの定義においては入射光に対し２．５°以上それた透過光はヘイズとして測定されるが、入射光に対し２．５°未満の透過光であればヘイズとして測定されない。このようにヘイズとしては入射光に対し２．５°未満の透過光は測定されないが、上記したようにレンズシートへの入射角度が大きい光、すなわち光波長変換シートにおける出射角度が大きい透過光が問題となっているので、入射光に対し２．５°未満の透過光よりも２．５°以上それた透過光がどの程度存在するかが重要である。このため、光波長変換シートの光拡散特性は、変角光度計による透過光の角度毎の光強度を測定しなくとも、光波長変換シートのヘイズ値の大きさで表すことができる。一方で、光波長変換シートの表面で光が屈折してしまい、出射角度が大きくなるということを考慮する必要があるので、光波長変換シートの表面での光拡散特性を表すために、外部ヘイズ値を用いた。
本実施形態によれば、光波長変換部材１１が光散乱性粒子１８を含んでいるので、光波長変換効率を一層向上させることができる。したがって、例えば、光源９０として青色光を発する光源を用い、第１の量子ドット１７Ａとして青色光を緑色光に変換する量子ドットを用い、第２の量子ドット１７Ｂとして青色光を赤色光に変換する量子ドットを含む光波長変換シートに青色光を照射した場合、光散乱性粒子を含んでいない光波長変換シートと比べて、色度ｘ、ｙを上昇させることでき、白色光または白色に近い色味の光を得ることができる。
本実施形態によれば、光波長変換部材シート１１が光散乱性粒子１８を含んでいるので、緑色の発光が赤色の発光よりも優先的に増強させることができる。この理由は明確ではないが、光散乱性粒子は、青色光を緑色光に変換する第１の量子ドットから、青色光を赤色光に変換する第２の量子ドットへのエネルギー移動を阻害するような役割を果たしていると考えられ、本来上記エネルギー移動により失活していた緑色の発光が失活することなく発光過程に至り、結果として緑色の発光が増加するためであると考えられる。
本発明を詳細に説明するために、以下に実施例を挙げて説明するが、本発明はこれらの記載に限定されない。
＜光波長変換組成物の調製＞
まず、下記に示す組成となるように各成分を配合して、光波長変換組成物を得た。
（光波長変換組成物１）
・エポキシアクリレート（製品名「ユニディックＶ−５５００」、ＤＩＣ社製）：９２．５質量部
・トリフェニルホスファイト（亜リン酸エステル、製品名「ＪＰ−３６０」、城北化学工業社製）：７．５質量部
・緑色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ５３０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径３．３ｎｍ）：０．２質量部
・赤色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ６１０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径５．２ｎｍ）：０．２質量部
・ラジカル重合開始剤（１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、製品名「Ｉｒｇａｃｕｒｅ（登録商標）１８４」、ＢＡＳＦジャパン社製）：０．２質量部
（光波長変換組成物２）
・エポキシアクリレート（製品名「ユニディックＶ−５５００」、ＤＩＣ社製）：９２．５質量部
・トリフェニルホスファイト（亜リン酸エステル、製品名「ＪＰ−３６０」、城北化学工業社製）：７．５質量部
・緑色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ５３０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径３．３ｎｍ）：０．２質量部
・赤色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ６１０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径５．２ｎｍ）：０．２質量部
・アルミナ粒子（光散乱性粒子、製品名「ＤＡＭ−０３」、電気化学工業社製、平均粒子径４μｍ）：１０質量部
・ラジカル重合開始剤（１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、製品名「Ｉｒｇａｃｕｒｅ（登録商標）１８４」、ＢＡＳＦジャパン社製）：０．２質量部
（光波長変換組成物３）
・エポキシアクリレート（製品名「ユニディックＶ−５５００」、ＤＩＣ社製）：８５質量部
・トリフェニルホスファイト（亜リン酸エステル、製品名「ＪＰ−３６０」、城北化学工業社製）：１５質量部
・緑色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ５３０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径３．３ｎｍ）：０．２質量部
・赤色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ６１０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径５．２ｎｍ）：０．２質量部
・ラジカル重合開始剤（１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、製品名「Ｉｒｇａｃｕｒｅ（登録商標）１８４」、ＢＡＳＦジャパン社製）：０．２質量部
（光波長変換組成物４）
・エポキシアクリレート（製品名「ユニディックＶ−５５００」、ＤＩＣ社製）：７５質量部
・トリフェニルホスファイト（亜リン酸エステル、製品名「ＪＰ−３６０」、城北化学工業株式会社製）：２５質量部
・緑色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ５３０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径３．３ｎｍ）：０．２質量部
・赤色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ６１０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径５．２ｎｍ）：０．２質量部
・ラジカル重合開始剤（１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、製品名「Ｉｒｇａｃｕｒｅ（登録商標）１８４」、ＢＡＳＦジャパン社製）：０．２質量部
（光波長変換組成物５）
・エポキシアクリレート（製品名「ユニディックＶ−５５００」、ＤＩＣ社製）：９９．２５質量部
・トリフェニルホスファイト（亜リン酸エステル、製品名「ＪＰ−３６０」、城北化学工業社製）：０．７５質量部
・緑色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ５３０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径３．３ｎｍ）：０．２質量部
・赤色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ６１０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径５．２ｎｍ）：０．２質量部
・ラジカル重合開始剤（１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、製品名「Ｉｒｇａｃｕｒｅ（登録商標）１８４」、ＢＡＳＦジャパン社製）：０．２質量部
（光波長変換組成物６）
・エポキシアクリレート（製品名「ユニディックＶ−５５００」、ＤＩＣ社製）：９２．５質量部
・ビス（デシル）ペンタエリスリトールジホスファイト（亜リン酸エステル、製品名「ＪＰＥ−１０」、城北化学工業社製）：７．５質量部
・緑色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ５３０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径３．３ｎｍ）：０．２質量部
・赤色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ６１０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径５．２ｎｍ）：０．２質量部
・ラジカル重合開始剤（１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、製品名「Ｉｒｇａｃｕｒｅ（登録商標）１８４」、ＢＡＳＦジャパン社製）：０．２質量部
（光波長変換組成物７）
・エポキシアクリレート（製品名「ユニディックＶ−５５００」、ＤＩＣ社製）：９９．２５質量部
・ビス（デシル）ペンタエリスリトールジホスファイト（亜リン酸エステル、製品名「ＪＰＥ−１０」、城北化学工業社製）：０．７５質量部
・緑色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ５３０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径３．３ｎｍ）：０．２質量部
・赤色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ６１０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径５．２ｎｍ）：０．２質量部
・ラジカル重合開始剤（１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、製品名「Ｉｒｇａｃｕｒｅ（登録商標）１８４」、ＢＡＳＦジャパン社製）：０．２質量部
（光波長変換組成物８）
・エポキシアクリレート（製品名「ユニディックＶ−５５００」、ＤＩＣ社製）：９２．５質量部
・トリス（２−エチルヘキシル）ホスファイト（亜リン酸エステル、製品名「ＪＰ−３０８Ｅ」、城北化学工業社製）：７．５質量部
・緑色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ５３０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径３．３ｎｍ）：０．２質量部
・赤色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ６１０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径５．２ｎｍ）：０．２質量部
・ラジカル重合開始剤（１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、製品名「Ｉｒｇａｃｕｒｅ（登録商標）１８４」、ＢＡＳＦジャパン社製）：０．２質量部
（光波長変換組成物９）
・エポキシアクリレート（製品名「ユニディックＶ−５５００」、ＤＩＣ社製）：９９質量部
・トリス（２−エチルヘキシル）ホスファイト（亜リン酸エステル、製品名「ＪＰ−３０８Ｅ」、城北化学工業社製）：１質量部
・緑色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ５３０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径３．３ｎｍ）：０．２質量部
・赤色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ６１０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径５．２ｎｍ）：０．２質量部
・ラジカル重合開始剤（１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、製品名「Ｉｒｇａｃｕｒｅ（登録商標）１８４」、ＢＡＳＦジャパン社製）：０．２質量部
（光波長変換組成物１０）
・エポキシアクリレート（製品名「ユニディックＶ−５５００」、ＤＩＣ社製）：９２．５質量部
・トリラウリルホスファイト（亜リン酸エステル、製品名「ＪＰ−３１２Ｌ」、城北化学工業社製）：７．５質量部
・緑色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ５３０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径３．３ｎｍ）：０．２質量部
・赤色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ６１０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径５．２ｎｍ）：０．２質量部
・ラジカル重合開始剤（１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、製品名「Ｉｒｇａｃｕｒｅ（登録商標）１８４」、ＢＡＳＦジャパン社製）：０．２質量部
（光波長変換組成物１１）
・エポキシアクリレート（製品名「ユニディックＶ−５５００」、ＤＩＣ社製）：９８．５質量部
・トリラウリルホスファイト（亜リン酸エステル、製品名「ＪＰ−３１２Ｌ」、城北化学工業社製）：１．５質量部
・緑色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ５３０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径３．３ｎｍ）：０．２質量部
・赤色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ６１０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径５．２ｎｍ）：０．２質量部
・ラジカル重合開始剤（１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、製品名「Ｉｒｇａｃｕｒｅ（登録商標）１８４」、ＢＡＳＦジャパン社製）：０．２質量部
（光波長変換組成物１２）
・エポキシアクリレート（製品名「ユニディックＶ−５５００」、ＤＩＣ社製）：９２．５質量部
・ビス（トリデシル）ペンタエリスリトールジホスファイト（亜リン酸エステル、製品名「ＪＰＥ−１３Ｒ」、城北化学工業社製）：７．５質量部
・緑色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ５３０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径３．３ｎｍ）：０．２質量部
・赤色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ６１０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径５．２ｎｍ）：０．２質量部
・ラジカル重合開始剤（１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、製品名「Ｉｒｇａｃｕｒｅ（登録商標）１８４」、ＢＡＳＦジャパン社製）：０．２質量部
（光波長変換組成物１３）
・エポキシアクリレート（製品名「ユニディックＶ−５５００」、ＤＩＣ社製）：９９．２５質量部
・ビス（トリデシル）ペンタエリスリトールジホスファイト（亜リン酸エステル、製品名「ＪＰＥ−１３Ｒ」、城北化学工業社製）：０．７５質量部
・緑色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ５３０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径３．３ｎｍ）：０．２質量部
・赤色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ６１０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径５．２ｎｍ）：０．２質量部
・ラジカル重合開始剤（１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、製品名「Ｉｒｇａｃｕｒｅ（登録商標）１８４」、ＢＡＳＦジャパン社製）：０．２質量部
（光波長変換組成物１４）
・エポキシアクリレート（製品名「ユニディックＶ−５５００」、ＤＩＣ社製）：９２．５質量部
・トリスノニルフェニルホスファイト（亜リン酸エステル、製品名「ＪＰ−３５１」、城北化学工業社製）：７．５質量部
・緑色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ５３０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径３．３ｎｍ）：０．２質量部
・赤色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ６１０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径５．２ｎｍ）：０．２質量部
・ラジカル重合開始剤（１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、製品名「Ｉｒｇａｃｕｒｅ（登録商標）１８４」、ＢＡＳＦジャパン社製）：０．２質量部
（光波長変換組成物１５）
・エポキシアクリレート（製品名「ユニディックＶ−５５００」、ＤＩＣ社製）：９８．５質量部
・トリスノニルフェニルホスファイト（亜リン酸エステル、製品名「ＪＰ−３５１」、城北化学工業社製）：１．５質量部
・緑色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ５３０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径３．３ｎｍ）：０．２質量部
・赤色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ６１０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径５．２ｎｍ）：０．２質量部
・ラジカル重合開始剤（１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、製品名「Ｉｒｇａｃｕｒｅ（登録商標）１８４」、ＢＡＳＦジャパン社製）：０．２質量部
（光波長変換組成物１６）
・エポキシアクリレート（製品名「ユニディックＶ−５５００」、ＤＩＣ社製）：９２．５質量部
・ジ−２−エチルヘキシルハイドロゼンホスファイト（ホスホン酸エステル、製品名「Ｃｈｅｌｅｘ Ｈ-８」、ＳＣ有機化学社製）：７．５質量部
・緑色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ５３０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径３．３ｎｍ）：０．２質量部
・赤色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ６１０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径５．２ｎｍ）：０．２質量部
・ラジカル重合開始剤（１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、製品名「Ｉｒｇａｃｕｒｅ（登録商標）１８４」、ＢＡＳＦジャパン社製）：０．２質量部
（光波長変換組成物１７）
・エポキシアクリレート（製品名「ユニディックＶ−５５００」、ＤＩＣ社製）：９２．５質量部
・ジ−２−エチルヘキシルハイドロゼンホスファイト（ホスホン酸エステル、製品名「Ｃｈｅｌｅｘ Ｈ-８」、ＳＣ有機化学社製）：７．５質量部
・緑色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ５３０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径３．３ｎｍ）：０．２質量部
・赤色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ６１０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径５．２ｎｍ）：０．２質量部
・アルミナ粒子（光散乱性粒子、製品名「ＤＡＭ−０３」、電気化学工業社製、平均粒子径４μｍ）：１０質量部
・ラジカル重合開始剤（１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、製品名「Ｉｒｇａｃｕｒｅ（登録商標）１８４」、ＢＡＳＦジャパン社製）：０．２質量部
（光波長変換組成物１８）
・エポキシアクリレート（製品名「ユニディックＶ−５５００」、ＤＩＣ社製）：８５質量部
・ジ−２−エチルヘキシルハイドロゼンホスファイト（ホスホン酸エステル、製品名「Ｃｈｅｌｅｘ Ｈ-８」、ＳＣ有機化学社製）：１５質量部
・緑色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ５３０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径３．３ｎｍ）：０．２質量部
・赤色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ６１０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径５．２ｎｍ）：０．２質量部
・ラジカル重合開始剤（１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、製品名「Ｉｒｇａｃｕｒｅ（登録商標）１８４」、ＢＡＳＦジャパン社製）：０．２質量部
（光波長変換組成物１９）
・エポキシアクリレート（製品名「ユニディックＶ−５５００」、ＤＩＣ社製）：７５質量部
・ジ−２−エチルヘキシルハイドロゼンホスファイト（ホスホン酸エステル、製品名「Ｃｈｅｌｅｘ Ｈ-８」、ＳＣ有機化学株式会社製）：２５質量部
・緑色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ５３０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径３．３ｎｍ）：０．２質量部
・赤色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ６１０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径５．２ｎｍ）：０．２質量部
・ラジカル重合開始剤（１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、製品名「Ｉｒｇａｃｕｒｅ（登録商標）１８４」、ＢＡＳＦジャパン社製）：０．２質量部
（光波長変換組成物２０）
・エポキシアクリレート（製品名「ユニディックＶ−５５００」、ＤＩＣ社製）：９９．２５質量部
・ジ−２−エチルヘキシルハイドロゼンホスファイト（ホスホン酸エステル、製品名「Ｃｈｅｌｅｘ Ｈ-８」、ＳＣ有機化学社製）：０．７５質量部
・緑色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ５３０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径３．３ｎｍ）：０．２質量部
・赤色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ６１０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径５．２ｎｍ）：０．２質量部
・ラジカル重合開始剤（１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、製品名「Ｉｒｇａｃｕｒｅ（登録商標）１８４」、ＢＡＳＦジャパン社製）：０．２質量部
（光波長変換組成物２１）
・エポキシアクリレート（製品名「ユニディックＶ−５５００」、ＤＩＣ社製）：９２．５質量部
・ジオレイルハイドロゼンホスファイト（ホスホン酸エステル、製品名「Ｃｈｅｌｅｘ Ｈ−１８Ｄ」、ＳＣ有機化学社製）：７．５質量部
・緑色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ５３０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径３．３ｎｍ）：０．２質量部
・赤色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ６１０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径５．２ｎｍ）：０．２質量部
・ラジカル重合開始剤（１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、製品名「Ｉｒｇａｃｕｒｅ（登録商標）１８４」、ＢＡＳＦジャパン社製）：０．２質量部
（光波長変換組成物２２）
・エポキシアクリレート（製品名「ユニディックＶ−５５００」、ＤＩＣ社製）：９８．５質量部
・ジオレイルハイドロゼンホスファイト（ホスホン酸エステル、製品名「Ｃｈｅｌｅｘ Ｈ−１８Ｄ」、ＳＣ有機化学社製）：１．５質量部
・緑色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ５３０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径３．３ｎｍ）：０．２質量部
・赤色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ６１０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径５．２ｎｍ）：０．２質量部
・ラジカル重合開始剤（１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、製品名「Ｉｒｇａｃｕｒｅ（登録商標）１８４」、ＢＡＳＦジャパン社製）：０．２質量部
（光波長変換組成物２３）
・エポキシアクリレート（製品名「ユニディックＶ−５５００」、ＤＩＣ社製）：９２．５質量部
・ジフェニルハイドロゲンホスファイト（ホスホン酸エステル、製品名「ＪＰ−２６０」、城北化学工業社製）：７．５質量部
・緑色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ５３０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径３．３ｎｍ）：０．２質量部
・赤色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ６１０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径５．２ｎｍ）：０．２質量部
・ラジカル重合開始剤（１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、製品名「Ｉｒｇａｃｕｒｅ（登録商標）１８４」、ＢＡＳＦジャパン社製）：０．２質量部
（光波長変換組成物２４）
・エポキシアクリレート（製品名「ユニディックＶ−５５００」、ＤＩＣ社製）：９９．４質量部
・ジフェニルハイドロゲンホスファイト（ホスホン酸エステル、製品名「ＪＰ−２６０」、城北化学工業社製）：０．６質量部
・緑色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ５３０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径３．３ｎｍ）：０．２質量部
・赤色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ６１０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径５．２ｎｍ）：０．２質量部
・ラジカル重合開始剤（１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、製品名「Ｉｒｇａｃｕｒｅ（登録商標）１８４」、ＢＡＳＦジャパン社製）：０．２質量部
（光波長変換組成物２５）
・エポキシアクリレート（製品名「ユニディックＶ−５５００」、ＤＩＣ社製）：９２．５質量部
・トリフェニルホスフィン（ホスフィン系化合物、製品名「ＪＣ−２６３」、城北化学工業社製）：７．５質量部
・緑色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ５３０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径３．３ｎｍ）：０．２質量部
・赤色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ６１０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径５．２ｎｍ）：０．２質量部
・ラジカル重合開始剤（１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、製品名「Ｉｒｇａｃｕｒｅ（登録商標）１８４」、ＢＡＳＦジャパン社製）：０．２質量部
（光波長変換組成物２６）
・エポキシアクリレート（製品名「ユニディックＶ−５５００」、ＤＩＣ社製）：９２．５質量部
・トリフェニルホスフィン（ホスフィン系化合物、製品名「ＪＣ−２６３」、城北化学工業社製）：７．５質量部
・緑色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ５３０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径３．３ｎｍ）：０．２質量部
・赤色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ６１０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径５．２ｎｍ）：０．２質量部
・アルミナ粒子（光散乱性粒子、製品名「ＤＡＭ−０３」、電気化学工業社製、平均粒子径４μｍ）：１０質量部
（光波長変換組成物２７）
・エポキシアクリレート（製品名「ユニディックＶ−５５００」、ＤＩＣ社製）：８５質量部
・トリフェニルホスフィン（ホスフィン系化合物、製品名「ＪＣ−２６３」、城北化学工業社製）：１５質量部
・緑色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ５３０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径３．３ｎｍ）：０．２質量部
・赤色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ６１０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径５．２ｎｍ）：０．２質量部
・ラジカル重合開始剤（１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、製品名「Ｉｒｇａｃｕｒｅ（登録商標）１８４」、ＢＡＳＦジャパン社製）：０．２質量部
（光波長変換組成物２８）
・エポキシアクリレート（製品名「ユニディックＶ−５５００」、ＤＩＣ社製）：７５質量部
・トリフェニルホスフィン（ホスフィン系化合物、製品名「ＪＣ−２６３」、城北化学工業社製）：２５質量部
・緑色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ５３０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径３．３ｎｍ）：０．２質量部
・赤色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ６１０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径５．２ｎｍ）：０．２質量部
・ラジカル重合開始剤（１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、製品名「Ｉｒｇａｃｕｒｅ（登録商標）１８４」、ＢＡＳＦジャパン社製）：０．２質量部
（光波長変換組成物２９）
・エポキシアクリレート（製品名「ユニディックＶ−５５００」、ＤＩＣ社製）：９９．４質量部
・トリフェニルホスフィン（ホスフィン系化合物、製品名「ＪＣ−２６３」、城北化学工業社製）：０．６質量部
・緑色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ５３０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径３．３ｎｍ）：０．２質量部
・赤色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ６１０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径５．２ｎｍ）：０．２質量部
・ラジカル重合開始剤（１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、製品名「Ｉｒｇａｃｕｒｅ（登録商標）１８４」、ＢＡＳＦジャパン社製）：０．２質量部
（光波長変換組成物３０）
・エポキシアクリレート（製品名「ユニディックＶ−５５００」、ＤＩＣ社製）：９２．５質量部
・ビス(ジフェニルホスフィノ)エタン（ホスフィン系化合物、東京化成工業社製）：７．５質量部
・緑色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ５３０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径３．３ｎｍ）：０．２質量部
・赤色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ６１０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径５．２ｎｍ）：０．２質量部
・ラジカル重合開始剤（１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、製品名「Ｉｒｇａｃｕｒｅ（登録商標）１８４」、ＢＡＳＦジャパン社製）：０．２質量部
（光波長変換組成物３１）
・エポキシアクリレート（製品名「ユニディックＶ−５５００」、ＤＩＣ社製）：９９質量部
・ビス(ジフェニルホスフィノ)エタン（ホスフィン系化合物、東京化成工業社製）：１質量部
・緑色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ５３０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径３．３ｎｍ）：０．２質量部
・赤色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ６１０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径５．２ｎｍ）：０．２質量部
・ラジカル重合開始剤（１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、製品名「Ｉｒｇａｃｕｒｅ（登録商標）１８４」、ＢＡＳＦジャパン社製）：０．２質量部
（光波長変換組成物３２）
・エポキシアクリレート（製品名「ユニディックＶ−５５００」、ＤＩＣ社製）：９２．５質量部
・ジフェニルホスフィン（ホスフィン系化合物、東京化成工業社製）：７．５質量部
・緑色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ５３０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径３．３ｎｍ）：０．２質量部
・赤色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ６１０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径５．２ｎｍ）：０．２質量部
・ラジカル重合開始剤（１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、製品名「Ｉｒｇａｃｕｒｅ（登録商標）１８４」、ＢＡＳＦジャパン社製）：０．２質量部
（光波長変換組成物３３）
・エポキシアクリレート（製品名「ユニディックＶ−５５００」、ＤＩＣ社製）：９９．５質量部
・ジフェニルホスフィン（ホスフィン系化合物、東京化成工業社製）：０．５質量部
・緑色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ５３０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径３．３ｎｍ）：０．２質量部
・赤色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ６１０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径５．２ｎｍ）：０．２質量部
・ラジカル重合開始剤（１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、製品名「Ｉｒｇａｃｕｒｅ（登録商標）１８４」、ＢＡＳＦジャパン社製）：０．２質量部
（光波長変換組成物３４）
・エポキシアクリレート（製品名「ユニディックＶ−５５００」、ＤＩＣ社製）：１００質量部
・緑色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ５３０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径３．３ｎｍ）：０．２質量部
・赤色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ６１０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径５．２ｎｍ）：０．２質量部
・ラジカル重合開始剤（１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、製品名「Ｉｒｇａｃｕｒｅ（登録商標）１８４」、ＢＡＳＦジャパン社製）：０．２質量部
（光波長変換組成物３５）
・エポキシアクリレート（製品名「ユニディックＶ−５５００」、ＤＩＣ社製）：９９．８質量部
・トリフェニルホスファイト（亜リン酸エステル、製品名「ＪＰ−３６０」、城北化学工業社製）：０．２質量部
・緑色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ５３０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径３．３ｎｍ）：０．２質量部
・赤色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ６１０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径５．２ｎｍ）：０．２質量部
・ラジカル重合開始剤（１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、製品名「Ｉｒｇａｃｕｒｅ（登録商標）１８４」、ＢＡＳＦジャパン社製）：０．２質量部
（光波長変換組成物３６）
・エポキシアクリレート（製品名「ユニディックＶ−５５００」、ＤＩＣ社製）：９９．８質量部
・ビス（デシル）ペンタエリスリトールジホスファイト（亜リン酸エステル、製品名「ＪＰＥ−１０」、城北化学工業社製）：０．２質量部
・緑色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ５３０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径３．３ｎｍ）：０．２質量部
・赤色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ６１０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径５．２ｎｍ）：０．２質量部
・ラジカル重合開始剤（１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、製品名「Ｉｒｇａｃｕｒｅ（登録商標）１８４」、ＢＡＳＦジャパン社製）：０．２質量部
（光波長変換組成物３７）
・エポキシアクリレート（製品名「ユニディックＶ−５５００」、ＤＩＣ社製）：９９．５質量部
・トリス（２−エチルヘキシル）ホスファイト（亜リン酸エステル、製品名「ＪＰ−３０８Ｅ」、城北化学工業社製）：０．５質量部
・緑色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ５３０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径３．３ｎｍ）：０．２質量部
・赤色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ６１０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径５．２ｎｍ）：０．２質量部
・ラジカル重合開始剤（１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、製品名「Ｉｒｇａｃｕｒｅ（登録商標）１８４」、ＢＡＳＦジャパン社製）：０．２質量部
（光波長変換組成物３８）
・エポキシアクリレート（製品名「ユニディックＶ−５５００」、ＤＩＣ社製）：９９．５質量部
・トリラウリルホスファイト（亜リン酸エステル、製品名「ＪＰ−３１２Ｌ」、城北化学工業社製）：０．５質量部
・緑色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ５３０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径３．３ｎｍ）：０．２質量部
・赤色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ６１０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径５．２ｎｍ）：０．２質量部
・ラジカル重合開始剤（１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、製品名「Ｉｒｇａｃｕｒｅ（登録商標）１８４」、ＢＡＳＦジャパン社製）：０．２質量部
（光波長変換組成物３９）
・エポキシアクリレート（製品名「ユニディックＶ−５５００」、ＤＩＣ社製）：９９．８質量部
・ビス（トリデシル）ペンタエリスリトールジホスファイト（亜リン酸エステル、製品名「ＪＰＥ−１３Ｒ」、城北化学工業社製）：０．２質量部
・緑色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ５３０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径３．３ｎｍ）：０．２質量部
・赤色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ６１０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径５．２ｎｍ）：０．２質量部
・ラジカル重合開始剤（１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、製品名「Ｉｒｇａｃｕｒｅ（登録商標）１８４」、ＢＡＳＦジャパン社製）：０．２質量部
（光波長変換組成物４０）
・エポキシアクリレート（製品名「ユニディックＶ−５５００」、ＤＩＣ社製）：９９．５質量部
・トリスノニルフェニルホスファイト（亜リン酸エステル、製品名「ＪＰ−３５１」、城北化学工業社製）：０．５質量部
・緑色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ５３０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径３．３ｎｍ）：０．２質量部
・赤色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ６１０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径５．２ｎｍ）：０．２質量部
・ラジカル重合開始剤（１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、製品名「Ｉｒｇａｃｕｒｅ（登録商標）１８４」、ＢＡＳＦジャパン社製）：０．２質量部
（光波長変換組成物４１）
・エポキシアクリレート（製品名「ユニディックＶ−５５００」、ＤＩＣ社製）：９９．８質量部
・ジ−２−エチルヘキシルハイドロゼンホスファイト（ホスホン酸エステル、製品名「Ｃｈｅｌｅｘ Ｈ-８」、ＳＣ有機化学社製）：０．２質量部
・緑色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ５３０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径３．３ｎｍ）：０．２質量部
・赤色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ６１０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径５．２ｎｍ）：０．２質量部
・ラジカル重合開始剤（１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、製品名「Ｉｒｇａｃｕｒｅ（登録商標）１８４」、ＢＡＳＦジャパン社製）：０．２質量部
（光波長変換組成物４２）
・エポキシアクリレート（製品名「ユニディックＶ−５５００」、ＤＩＣ社製）：９９．５質量部
・ジオレイルハイドロゼンホスファイト（ホスホン酸エステル、製品名「Ｃｈｅｌｅｘ Ｈ−１８Ｄ」、ＳＣ有機化学社製）：０．５質量部
・緑色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ５３０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径３．３ｎｍ）：０．２質量部
・赤色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ６１０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径５．２ｎｍ）：０．２質量部
・ラジカル重合開始剤（１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、製品名「Ｉｒｇａｃｕｒｅ（登録商標）１８４」、ＢＡＳＦジャパン社製）：０．２質量部
（光波長変換組成物４３）
・エポキシアクリレート（製品名「ユニディックＶ−５５００」、ＤＩＣ社製）：９９．８質量部
・ジフェニルハイドロゲンホスファイト（ホスホン酸エステル、製品名「ＪＰ−２６０」、城北化学工業社製）：０．２質量部
・緑色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ５３０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径３．３ｎｍ）：０．２質量部
・赤色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ６１０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径５．２ｎｍ）：０．２質量部
・ラジカル重合開始剤（１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、製品名「Ｉｒｇａｃｕｒｅ（登録商標）１８４」、ＢＡＳＦジャパン社製）：０．２質量部
（光波長変換組成物４４）
・エポキシアクリレート（製品名「ユニディックＶ−５５００」、ＤＩＣ社製）：９９．８質量部
・トリフェニルホスフィン（ホスフィン系化合物、製品名「ＪＣ−２６３」、城北化学工業社製）：０．２質量部
・緑色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ５３０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径３．３ｎｍ）：０．２質量部
・赤色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ６１０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径５．２ｎｍ）：０．２質量部
・ラジカル重合開始剤（１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、製品名「Ｉｒｇａｃｕｒｅ（登録商標）１８４」、ＢＡＳＦジャパン社製）：０．２質量部
（光波長変換組成物４５）
・エポキシアクリレート（製品名「ユニディックＶ−５５００」、ＤＩＣ社製）：９９．５質量部
・ビス(ジフェニルホスフィノ)エタン（ホスフィン系化合物、東京化成工業社製）：０．５質量部
・緑色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ５３０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径３．３ｎｍ）：０．２質量部
・赤色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ６１０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径５．２ｎｍ）：０．２質量部
・ラジカル重合開始剤（１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、製品名「Ｉｒｇａｃｕｒｅ（登録商標）１８４」、ＢＡＳＦジャパン社製）：０．２質量部
（光波長変換組成物４６）
・エポキシアクリレート（製品名「ユニディックＶ−５５００」、ＤＩＣ社製）：９９．８質量部
・ジフェニルホスフィン（ホスフィン系化合物、東京化成工業社製）：０．２質量部
・緑色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ５３０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径３．３ｎｍ）：０．２質量部
・赤色発光量子ドット（製品名「ＣｄＳｅ／ＺｎＳ ６１０」、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製、コア：ＣｄＳｅ、シェル：ＺｎＳ、平均粒径５．２ｎｍ）：０．２質量部
・ラジカル重合開始剤（１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、製品名「Ｉｒｇａｃｕｒｅ（登録商標）１８４」、ＢＡＳＦジャパン社製）：０．２質量部
＜オーバーコート層用組成物の調製＞
下記に示す組成となるように各成分を配合して、オーバーコート層用組成物を得た。
（オーバーコート層用組成物１）
・アクリル酸亜鉛（製品名「ＺＮ−ＤＡ」日本触媒社製）：３０質量部
・メタノール：７０質量部
・光重合開始剤（１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、製品名「Ｉｒｇａｃｕｒｅ（登録商標）１８４、ＢＡＳＦジャパン社製）：１質量部
（オーバーコート層用組成物２）
・ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートとジペンタエリスリトールペンタアクリレートの混合物（製品名「アロニックス（登録商標）Ｍ−４０３」、東亞合成社製）：３０質量部
・メタノール：７０質量部
・光重合開始剤（１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、製品名「Ｉｒｇａｃｕｒｅ（登録商標）１８４、ＢＡＳＦジャパン社製）：１質量部
＜光拡散層用組成物の調製＞
下記に示す組成となるように各成分を配合して、光拡散層用組成物１を得た。
（光拡散層用組成物１）
・ペンタエリスリトールトリアクリレート：９９質量部
・光散乱性粒子（架橋ポリスチレン樹脂ビーズ、製品名「ＳＢＸ−４」、積水化成品工業株式会社製、平均粒子径４μｍ）：１５８質量部
・光重合開始剤（１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、製品名「Ｉｒｇａｃｕｒｅ（登録商標）１８４、ＢＡＳＦジャパン社製）：１質量部
・溶剤（メチルイソブチルケトン：シクロヘキサノン＝１：１（質量比））：１７０質量部
＜実施例１＞
大きさ７インチおよび厚みが５０μｍの光透過性基材としての２枚のポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）基材（製品名「ルミラーＴ６０」、東レ社製）の片面にそれぞれ上記光拡散層用組成物を、塗布し、塗膜を形成した。次いで、形成した塗膜に対して、８０℃の乾燥空気を３０秒間流通させて乾燥させることにより塗膜中の溶剤を蒸発させた。その後、紫外線を積算光量が５００ｍＪ／ｃｍ２になるように照射して塗膜を硬化させることにより膜厚が１０μｍの光拡散層を形成し、光拡散層付きＰＥＴ基材を形成した。
次いで、一方の光拡散層付きＰＥＴ基材における光拡散層側の面とは反対側の面に光波長変換組成物１を塗布し、８０℃で乾燥させて、塗膜を形成した。そして、塗膜に他方の光拡散層付きＰＥＴ基材における光拡散層側の面とは反対側の面が接するように他方の光拡散層付きＰＥＴ基材を塗膜に積層した。この状態で、紫外線を積算光量が５００ｍＪ／ｃｍ２になるように照射して塗膜を硬化させ、膜厚が１００μｍの光波長変換部材を形成するとともに、光波長変換部材と、２枚の光拡散層付きＰＥＴ基材とを一体化した。これにより、実施例１に係る光波長変換シートを得た。
＜実施例２〜３３＞
実施例２〜３３においては、光波長変換組成物１の代わりに表１および表２に示される各光波長変換組成物を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、光波長変換シートを作製した。
＜実施例３４＞
厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）基材（製品名「ルミラーＴ６０」、東レ社製）の一方の面に光波長変換組成物１を塗布し、８０℃で乾燥させて、塗膜を形成した。そして、紫外線を積算光量が５００ｍＪ／ｃｍ２になるように照射して塗膜を硬化させた。最後に、ＰＥＴ基材を剥離し、実施例３４に係る膜厚が１００μｍの光波長変換部材のみからなる光波長変換シートを得た。
＜実施例３５、３６＞
実施例３５、３６においては、光波長変換組成物１の代わりに表２に示される各光波長変換組成物を用いたこと以外は、実施例３４と同様にして、光波長変換シートを作製した。
＜実施例３７＞
実施例３４で作製した光波長変換シート（光波長変換部材）の一方の面に、オーバーコート層用組成物１を塗布し、塗膜を形成した。そして、紫外線を積算光量が５００ｍＪ／ｃｍ２になるように照射して塗膜を硬化させて、膜厚５μｍのオーバーコート層を得た。次いで、同様に、光波長変換部材の他方の面に、オーバーコート層用組成物１を塗布し、塗膜を形成した。そして、紫外線を積算光量が５００ｍＪ／ｃｍ２になるように照射して塗膜を硬化させて、膜厚５μｍのオーバーコート層を得た。これにより、光波長変換部材と、光波長変換部材の両面に形成されたオーバーコート層とからなる光波長変換シートを得た。
＜実施例３８＞
実施例３８においては、オーバーコート層用組成物１の代わりにオーバーコート層用組成物２を用いたこと以外は、実施例３７と同様にして、光波長変換シートを作製した。
＜実施例３９〜４１＞
実施例３９〜４１においては、光波長変換組成物１の代わりに表２に示される各光波長変換組成物を用いたこと以外は、実施例３７と同様にして、光波長変換シートを作製した。
＜実施例４２＞
厚さ１００μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）基材（製品名「ルミラーＴ６０」、東レ社製）の一方の面にウレタンアクリレートを含むプリズム層用組成物を均一に塗布して、プリズム層用組成物の塗膜を形成し、プリズムシート用積層体を形成した。そして、所望の単位プリズムの形状に対し逆形状の凹部を有し、かつ回転する成形用型にレンズ層用組成物の塗膜が成形用型側となるようにプリズムシート用積層体を走行速度２０ｍ／分で供給して成形用型によってプリズム層用組成物の塗膜に単位プリズムの形状を賦形するとともに、ＰＥＴ基材を介してプリズム層用組成物の塗膜に紫外線等の光を照射して、プリズム層用組成物の塗膜を硬化させた。最後に、硬化させたプリズム層用組成物の塗膜をＰＥＴ基材と共に成形用型から剥離して、ＰＥＴ基材の一方の面にプリズム層が形成されたプリズムシートを得た。プリズム層は、シート状の本体部と、この本体部上に並べて配置され、かつ各々が配列方向と交差する方向に延びており、頂角が９０°であり、幅が４７μｍであり、高さが３０μｍである複数の三角柱状の単位プリズムを有していた。
次いで、プリズムシートにおけるＰＥＴ基材のプリズム層側の面とは反対側の面に光波長変換組成物１を塗布し、８０℃で乾燥させて、塗膜を形成した。そして、紫外線を積算光量が５００ｍＪ／ｃｍ２になるように照射して塗膜を硬化させることにより、プリズムシートと一体化した膜厚が１００μｍの光波長変換部材を形成した。これにより、実施例４２に係る光波長変換シートを得た。
＜実施例４３、４４＞
実施例４３、４４においては、光波長変換組成物１の代わりに表２に示される各光波長変換組成物を用いたこと以外は、実施例４２と同様にして、光波長変換シートを作製した。
＜実施例４５＞
まず、２枚のバリア部材を次のような方法で作製した。高周波スパッタリング装置において、電極に周波数１３．５６ＭＨｚ、電力５ｋＷの高周波電力を印加することにより、チャンバー内で放電を生じさせて、大きさ７インチおよび厚みが５０μｍの光透過性基材としてのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）基材（製品名「ルミラーＴ６０」、東レ社製）の片面にターゲット物質（シリカ）からなる、厚みが５０ｎｍであり、かつ屈折率が１．４６であるシリカ蒸着層を形成した。これにより、ＰＥＴ基材の一方の面にシリカ蒸着層が形成されたバリア部材を２枚形成した。
次いで、両方のバリア部材におけるシリカ蒸着層側の面とは反対側の面に上記光拡散層用組成物１を、塗布し、塗膜を形成した。次いで、形成した塗膜に対して、８０℃の乾燥空気を３０秒間流通させて乾燥させることにより塗膜中の溶剤を蒸発させた。その後、紫外線を積算光量が５００ｍＪ／ｃｍ２になるように照射して塗膜を硬化させることにより膜厚が１０μｍの光拡散層を形成し、光拡散層付きバリア部材を形成した。
次いで、一方の光拡散層付きバリア部材のシリカ蒸着層側に光波長変換組成物１を塗布し、８０℃で乾燥させて、塗膜を形成した。そして、塗膜における光拡散層付きバリア部材のシリカ蒸着層の面に、シリカ蒸着層が接するように他方の光拡散層付きバリア部材を積層した。この状態で、紫外線を積算光量が５００ｍＪ／ｃｍ２になるように照射して塗膜を硬化させることにより、両方の光拡散層付きバリア部材に密着した膜厚が１００μｍの光波長変換部材を形成した。これにより、実施例４５に係る光波長変換シートを得た。
＜実施例４６、４７＞
実施例４６、４７においては、光波長変換組成物１の代わりに表２に示される各光波長変換組成物を用いたこと以外は、実施例４５と同様にして、光波長変換シートを作製した。
＜比較例１〜１３＞
比較例１〜１３においては、光波長変換組成物１の代わりに表３に示される各光波長変換組成物を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、光波長変換シートを作製した。
＜比較例１４〜１７＞
比較例１４〜１７においては、光波長変換組成物１の代わりに表３に示される各光波長変換組成物を用いたこと以外は、実施例３４と同様にして、光波長変換シートを作製した。
＜比較例１８〜２１＞
比較例１８〜２１においては、光波長変換組成物１の代わりに表３に示される各光波長変換組成物を用いたこと以外は、実施例３７と同様にして、光波長変換シートを作製した。
＜比較例２２〜２５＞
比較例２２〜２５においては、光波長変換組成物１の代わりに表３に示される各光波長変換組成物を用いたこと以外は、実施例４２と同様にして、光波長変換シートを作製した。
＜比較例２６〜２９＞
比較例２６〜２９においては、光波長変換組成物１の代わりに表３に示される各光波長変換組成物を用いたこと以外は、実施例４５と同様にして、光波長変換シートを作製した。
＜リン元素の含有量測定＞
上記実施例および比較例で用いられた光波長変換組成物１〜４６ならびに上記実施例および比較例に係る光波長変換シートにおいて、光波長変換組成物１〜４６や光波長変換部材に含まれるリン元素の含有量を、蛍光Ｘ線分析装置（製品名「「ＥＤＸ−８００ＨＳ」」、島津製作所製）を用いて測定した。
＜水蒸気透過率および酸素透過率測定＞
上記実施例および比較例に係る光波長変換シートにおいて、水蒸気透過率および酸素透過率をそれぞれ測定した。光波長変換シートの水蒸気透過率は、ＪＩＳ Ｋ７１２９：２００８に準拠して、水蒸気透過率測定装置（製品名「ＰＥＲＭＡＴＲＡＮ−Ｗ３／３１」、ＭＯＣＯＮ社製）を用いて、４０℃、相対湿度９０％の条件下で測定した。また、光波長変換シートの酸素透過率は、ＪＩＳ Ｋ７１２６：２００６に準拠して、酸素ガス透過率測定装置（製品名「ＯＸ−ＴＲＡＮ ２／２１」、ＭＯＣＯＮ社製）を用いて２３℃、相対湿度９０％の条件下で測定した。
＜耐熱性試験後における輝度維持率測定＞
上記実施例および比較例に係る光波長変換シートにおいて、光波長変換シートを８０℃の環境下に５００時間放置する耐熱性試験を行い、光波長変換シートにおける耐熱性試験前の輝度に対する耐熱性試験後における輝度の維持率を調べた。具体的には、まず、Kindle Fire（登録商標）HDX7のバックライト装置を用意し、耐熱性試験前の光波長変換シートをこのバックライト装置に組み込んだ。このバックライト装置は、発光ピーク波長が４５０ｎｍの青色発光ダイオード、導光板、第１のプリズムシート、および第２のプリズムシートをこの順に備えているものであった。
実施例１〜４１、４５〜４７および比較例１〜２１、２６〜２９においては、青色発光ダイオード側が入光面となるように導光板を配置するとともに、導光板の出光面上に実施例１〜４１、４５〜４７および比較例１〜２１、２６〜２９に係る光波長変換シート、第１のプリズムシート、第２のプリズムシートをこの順で配置して、バックライト装置を得た。なお、第２のプリズムシートは、単位プリズムの配列方向が第１のプリズムシートの単位プリズムの配列方向と直交するように配置された。
実施例４２〜４４および比較例２２〜２５においては、青色発光ダイオード側が入光面となるように導光板を配置するとともに、導光板の出光面上にプリズムシートにおけるプリズム面が出光側となるように実施例４２〜４４および比較例２２〜２５に係る光波長変換シート、第２のプリズムシートをこの順で配置して、バックライト装置を得た。なお、第２のプリズムシートは、単位プリズムの配列方向が実施例４２〜４４および比較例２２〜２５に係る光波長変換シートにおけるプリズムシートの単位プリズムの配列方向と直交するように配置された。このようにして、実施例４２〜４４および比較例２２〜２５に係る光波長変換シートが組み込まれたバックライト装置を得た。
そして、光波長変換シートを組み込んだバックライト装置の青色発光ダイオードを点灯させ、青色光を光波長変換シートの一方の表面に照射して、光波長変換シートの他方の表面を介してバックライト装置の発光面（第２のプリズムシートの表面）から出射する光の輝度を、光波長変換シートの厚み方向から、分光放射輝度計（製品名「ＣＳ２０００」、コニカミノルタ社製）を用いて、測定角１°の条件で、測定した。
次いで、バックライト装置から耐熱性試験前の光波長変換シートを外し、この光波長変換シートに、光波長変換シートを８０℃の環境下に５００時間放置する耐熱性試験を行った。そして、耐熱性試験後の光波長変換シートを上記と同様に上記バックライト装置に組み込んだ。この状態で、上記と同様に、青色光を光波長変換シートの一方の表面に照射して、光波長変換シートの他方の表面を介してバックライト装置の発光面（第２のプリズムシートの表面）から出射する光の輝度を、光波長変換シートの厚み方向から、分光放射輝度計（製品名「ＣＳ２０００」、コニカミノルタ社製）を用いて、測定角１°の条件で、測定した。
測定したこれらの輝度から、耐熱性試験前の輝度に対する耐熱性試験後の輝度の維持率をそれぞれ求めた。輝度維持率は、輝度維持率をＡとし、耐熱性試験前のバックライト装置の発光面から出射する光の輝度をＢとし、耐熱性試験後のバックライト装置の発光面から出射する光の輝度をＣとし、下記式によって求めた。
Ａ＝Ｃ／Ｂ×１００
＜点状の輝度欠点評価＞
上記実施例および上記比較例に係る耐熱性試験後の光波長変換シートを組み込んだ上記のバックライト装置を用いて、バックライト装置における発光時の発光面に点状の輝度欠点が存在するかを目視で観察し、評価した。評価基準は以下の通りとした。
○：点状の輝度欠点が確認されなかった。
△：点状の輝度欠点が数点確認された。
×：点状の輝度欠点が多数確認された。
＜密着性評価（１）＞
上記実施例１〜３３、４２〜４７および比較例１〜１３、２２〜２９に係る光波長変換シートにおいて、以下のようにして光波長変換層と、ＰＥＴ基材との密着性を評価した。具体的には、まず、初期の各光波長変換シートから、２５ｍｍ幅の試験片を、周縁部に浮きが生じないようにカッターを用いて切り出した。次いで、得られた試験片を引っ張り試験機（機器名「テンシロン」、エー・アンド・デー（Ａ＆Ｄ）社製）に付属している、チャッキング用冶具に固定し、室温で、試験片の表面を０°として、この表面に対して剥離角１８０°の方向に引張速度０．３ｍ／分の条件でＰＥＴ基材を引っ張り、光波長変換部材からＰＥＴ基材を引き剥がし、光波長変換部材とＰＥＴ基材との密着性を評価した。なお、光波長変換部材からＰＥＴ基材を引き剥がすのに要する力である剥離強度が測定可能な場合には剥離強度を測定した。なお、表４〜６に示される「基材破断」とは、光波長変換部材とＰＥＴ基材との密着性が優れており、光波長変換部材からＰＥＴ基材を剥離する際に、剥離できずに、ＰＥＴ基材が破断した状態を意味する。
＜密着性評価（２）＞
上記実施例３７〜４１および比較例１８〜２１に係る光波長変換シートにおいて、光波長変換層とオーバーコート層との密着性を、クロスカット法による密着性試験によって、評価した。具体的には、実施例３７〜４１および比較例１８〜２１に係る光波長変換シートについて、ＪＩＳ Ｋ５６００−５−６に準拠して、１辺が１ｃｍの正方形領域（マス目）が１００個形成されるように光波長変換シートにカッターナイフで切り込みを入れ、１００個の正方形領域全てについて、付着テープとしてニチバン（株）製の工業用２４ｍｍセロテープ（登録商標）を貼着後、直上に引き上げてオーバーコート層の剥離の有無を調べた。なお、表４〜表６における密着性評価（２）の値は、（剥がれなかったマス目の数）／（マス目の合計）を意味する。
＜光波長変換シートの周縁部の劣化幅測定＞
実施例および比較例に係る耐熱性試験後の光波長変換シートを組み込んだ上記のバックライト装置を用いて、バックライト装置における発光時の発光面における輝度分布を、光波長変換シートの厚み方向から、２Ｄ色彩輝度計（製品名「ＵＡ−２００」、トプコンテクノハウス社製）を用いて、測定した。そして、測定した発光面の輝度分布から、発光面の中央部の輝度に対して輝度が８０％となる発光面の位置（輝度８０％位置）を求め、発光面における輝度８０％位置に最も近い端から輝度８０％位置までの最短距離を求めた。そして、この最短距離をランダムに２０箇所について求め、この２０箇所の最短距離の平均値を、光波長変換シートの周縁部の劣化幅とした。
以下、結果を表１〜表６に示す。
Figure 2017167319
Figure 2017167319
Figure 2017167319
Figure 2017167319
Figure 2017167319
Figure 2017167319
以下、結果について述べる。表１〜表６から分かるように、実施例１〜４４に係る光波長変換シートにおいては、蛍光Ｘ線分析により測定された光波長変換組成物中および光波長変換層中のリン元素の含有量が０．０５質量％以上であったので、光波長変換組成物中および光波長変換層中のリン元素の含有量が０．０５質量％未満の比較例１〜２５に係る光波長変換シートに比べて、輝度維持率が高かった。また、実施例４５〜４７に係る光波長変換シートにおいては、蛍光Ｘ線分析により測定された光波長変換組成物中および光波長変換層中のリン元素の含有量が０．０５質量％以上であったので、光波長変換組成物中および光波長変換層中のリン元素の含有量が０．０５質量％未満の比較例２６〜２９に係る光波長変換シートに比べて、輝度維持率が高かった。これは、蛍光Ｘ線分析により測定された光波長変換組成物中および光波長変換層中のリン元素の含有量が０．０５質量％以上であると、耐熱性が高く、また光波長変換層中に存在するリン系化合物が、量子ドットの劣化を抑制できることを意味している。
実施例１〜４４および比較例１〜２５に係る光波長変換シートにおいては、バリア部材を用いていなかったので、点状の輝度欠点は確認されなかった。また、実施例４５〜４７に係る光波長変換シートにおいては、バリア部材を用いているが、蛍光Ｘ線分析により測定された光波長変換組成物中および光波長変換層中のリン元素の含有量が０．０５質量％以上であったので、点状の輝度欠点は確認されなかった。これに対し、光波長変換組成物中および光波長変換層中のリン元素の含有量が０．０５質量％未満の比較例２６〜２９に係る光波長変換シートにおいては、点状の輝度欠点が確認された。これは、リン系化合物の含有量を特定の範囲とすると、量子ドットの劣化を抑制できることを意味している。
実施例１〜４７に係る光波長変換シートにおいては、蛍光Ｘ線分析により測定された光波長変換組成物中および光波長変換層中のリン元素の含有量が０．０５質量％以上であったので、周縁部の劣化は抑制されていた。これに対し、光波長変換組成物中および光波長変換層中のリン元素の含有量が０．０５質量％未満の比較例１〜２５に係る光波長変換シートにおいても、周縁部の劣化の結果は０ｍｍであったが、これは、光波長変換層が露出していたため、耐熱性試験後において、全体的に量子ドットが劣化してしまい、周縁部と中央部で輝度の差がほぼ無かったためである。また、比較例２６〜２９に係る光波長変換シートは、バリア部材によって中央部の劣化が比較的抑制されたが、周縁部の劣化が抑制されなかった。
実施例１〜３、５〜１８、２０〜２７、２９〜３３、４１〜４６に係る光波長変換シートにおいては、蛍光Ｘ線分析により測定された光波長変換組成物中および光波長変換層中のリン元素の含有量が２質量％以下であったので、蛍光Ｘ線分析により測定された光波長変換組成物中および光波長変換層中のリン元素の含有量が２質量％を越えている実施例４、１９、２８よりもＰＥＴ基材との密着性に優れていた。また、実施例３７、３８、４０、４１に係る光波長変換シートにおいては、蛍光Ｘ線分析により測定された光波長変換組成物中および光波長変換層中のリン元素の含有量が２質量％以下であったので、蛍光Ｘ線分析により測定された光波長変換組成物中および光波長変換層中のリン元素の含有量が２質量％を越えている実施例３９よりもオーバーコート層との密着性に優れていた。
実施例１に係る光波長変換シートの全ヘイズ値は９８．９％、内部ヘイズ値は９６．７％、外部ヘイズ値は２．２％であり、実施例２に係る光波長変換シートの全ヘイズ値は９９．３％、内部ヘイズ値は９９．３％、外部ヘイズ値は０％であった。両方の光波長変換シートにおいては、外部ヘイズ値が内部ヘイズ値よりも小さくなっているので、両方とも耐久性試験前後に関わらず輝度が高いが、実施例１に係る光波長変換シートと実施例２に係る光波長変換シートを比べると、実施例２に係る光波長変換シートの方が耐熱性試験前後に関わらず輝度が高かった。これは、実施例２に係る光波長変換シートは光散乱性粒子としてのアルミナ粒子を含んでいるので、実施例２に係る光波長変換シートの内部ヘイズ値が実施例１に係る波長変換シートの内部ヘイズ値に比べて大きくなり、これにより外部ヘイズ値が小さくなったためである。したがって、光波長変換シートに光散乱性粒子を含ませて、内部ヘイズ値をより高めることによって、外部ヘイズ値をより小さくすることができ、これにより光波長変換効率をより向上できることが確認できた。なお、光波長変換シートにおける全ヘイズ値、内部ヘイズ値、ヘイズ値は以下のようにして測定した。まず、ヘイズメーター（製品名「ＨＭ−１５０」、村上色彩技術研究所製）を用いて、ＪＩＳ Ｋ７１３６に従って光波長変換シートの全ヘイズ値を測定した。その後、光波長変換シートの両面に、膜厚が２５μｍの透明光学粘着層（製品名「パナクリーンＰＤ−Ｓ１」、パナック社製）を介して厚みが６０μｍのトリアセチルセルロース基材（製品名「ＴＤ６０ＵＬ」、富士フイルム社製）を貼り付けた。これによって、光波長変換シートにおける表面の凹凸形状が潰れ、光波長変換シートの表面が平坦になった。この状態で、ヘイズメーター（製品名「ＨＭ−１５０」、村上色彩技術研究所製）を用いて、ＪＩＳ Ｋ７１３６に従ってヘイズ値を測定して内部ヘイズ値を求めた。そして、全ヘイズ値から内部ヘイズ値を差し引くことにより、外部ヘイズ値を求めた。なお、透明光学粘着層およびトリアセチルセルロース基材も光波長変換シートの内部ヘイズ値や外部ヘイズ値に影響を与えるおそれがあるが、光波長変換シートの内部散乱が極めて大きい場合には、これらが内部ヘイズ値や外部ヘイズ値に与える影響は極めて小さくなるので、無視できる。また、光波長変換シートの内部散乱が極めて大きい場合には、内部ヘイズ値が全ヘイズ値と同じ値になることがあるので、外部ヘイズ値が０％になることもある。
また、実施例３７、３８に係る光波長変換シートにおいて、オーバーコート層に対してスクラッチ試験を行い、その際の垂直力および水平力を測定したところ、実施例３７に係る光波長変換シートは、垂直力が２１μＮであり、水平力が−１１μＮであり、実施例３８に係る光波長変換シートは、垂直力が１１μＮであり、水平力が−６μＮであった。これらのオーバーコート層は緻密な膜となり、光波長変換部材を大気暴露から防ぐ能力を有していたが、光波長変換層を大気暴露から防ぐ能力においては実施例３７に係る光波長変換シートのオーバーコート層の方が実施例３８に係る光波長変換シートのオーバーコート層よりも高いと言える。スクラッチ試験は、ナノインデンテーション装置（製品名「ＴＩ９５０ ＴｒｉｂｏＩｎｄｅｎｔｅｒ」、ＨＹＳＩＴＲＯＮ（ハイジトロン）社製）を用いて、オーバーコート層の断面からオーバーコート層の内部方向に圧子（Cube Corner:Ti037_110410(12)）を５０ｎｍ押し込み、その深さを一定として、３０秒間この圧子を移動速度４μｍ／ｍｉｎで水平方向に移動させることによって行い、その際の垂直力（荷重）および水平力を測定し、測定された垂直力および水平力の平均値を求め、さらにこのスクラッチ試験を５回繰り返すことによって求めた垂直力の５つの平均値の平均値（５回平均値）を垂直力とし、また水平力の５つの平均値の平均値（５回平均値）を水平力とした。
上記実施例においては、緑色発光量子ドットや赤色発光量子ドットのコア材料としてＣｄＳｅを用いているが、コア材料としてＩｎＰ、ＩｎＡｓ等の非Ｃｄ系材料を用いても、上記実施例と同様の結果が得られた。
１０、２０、３０、４０、５０、６０…光波長変換シート
１１、１５４、１７０…光波長変換部材
１６…バインダ樹脂
１７…量子ドット
１８…光散乱性粒子
１９…塗膜
７０…画像表示装置
８０、１３０、１４０、１６０…バックライト装置
１２０…表示パネル

Claims (13)

  1. 光波長変換組成物であって、
    量子ドットと、リン系化合物とを含み、
    蛍光Ｘ線分析により測定される前記光波長変換組成物中のリン元素の含有量が０．０５質量％以上である、光波長変換組成物。
  2. 重合性化合物をさらに含む、請求項１に記載の光波長変換組成物。
  3. 前記量子ドットが、第１の半導体化合物からなるコアと、前記コアを覆い、かつ前記第１の半導体化合物と異なる第２の半導体化合物からなるシェルと、前記シェルの表面に結合したリガンドとを含む、請求項１に記載の光波長変換組成物。
  4. 光散乱性粒子をさらに含む、請求項１に記載の光波長変換組成物。
  5. 光波長変換部材であって、
    バインダ樹脂と、前記バインダ樹脂に分散された量子ドットおよびリン系化合物とを含み、
    蛍光Ｘ線分析により測定される前記光波長変換部材中のリン元素の含有量が０．０５質量％以上である、光波長変換部材。
  6. 前記量子ドットが、第１の半導体化合物からなるコアと、前記コアを覆い、かつ前記第１の半導体化合物と異なる第２の半導体化合物からなるシェルと、前記シェルの表面に結合したリガンドとを含む、請求項５に記載の光波長変換部材。
  7. 光散乱性粒子をさらに含む、請求項５に記載の光波長変換部材。
  8. 光波長変換シートであって、
    請求項５に記載の光波長変換部材を備え、かつ前記光波長変換部材が層状に形成されている、光波長変換シート。
  9. 前記光波長変換部材の少なくとも一方の面側に配置され、かつ前記光波長変換部材と一体化された光学部材をさらに備える、請求項５に記載の光波長変換シート。
  10. 前記光波長変換シートにおける４０℃、相対湿度９０％での水蒸気透過率が０．１ｇ／（ｍ２・２４ｈ）以上であることを特徴とする、請求項５に記載の光波長変換シート。
  11. 前記光波長変換シートにおける２３℃、相対湿度９０％での酸素透過率が０．１ｃｍ３／（ｍ２・２４ｈ・ａｔｍ）以上であることを特徴とする、請求項５に記載の光波長変換シート。
  12. 光源と、
    前記光源からの光を受ける請求項５に記載の光波長変換部材または請求項８に記載の光波長変換シートと
    を備える、バックライト装置。
  13. 請求項１２に記載のバックライト装置と、
    前記バックライト装置の出光側に配置された表示パネルと
    を備える、画像表示装置。
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