JP2017162011A - メモリデバイス用テスト回路及びこれを含む半導体集積装置 - Google Patents
メモリデバイス用テスト回路及びこれを含む半導体集積装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017162011A JP2017162011A JP2016043692A JP2016043692A JP2017162011A JP 2017162011 A JP2017162011 A JP 2017162011A JP 2016043692 A JP2016043692 A JP 2016043692A JP 2016043692 A JP2016043692 A JP 2016043692A JP 2017162011 A JP2017162011 A JP 2017162011A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- test
- memory
- nonvolatile memory
- tester
- control signal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
- G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
- G11C29/48—Arrangements in static stores specially adapted for testing by means external to the store, e.g. using direct memory access [DMA] or using auxiliary access paths
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/10—Programming or data input circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/26—Sensing or reading circuits; Data output circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
- G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
- G11C29/12—Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
- G11C29/14—Implementation of control logic, e.g. test mode decoders
- G11C29/16—Implementation of control logic, e.g. test mode decoders using microprogrammed units, e.g. state machines
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/56—External testing equipment for static stores, e.g. automatic test equipment [ATE]; Interfaces therefor
- G11C29/56004—Pattern generation
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/56—External testing equipment for static stores, e.g. automatic test equipment [ATE]; Interfaces therefor
- G11C29/56008—Error analysis, representation of errors
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/56—External testing equipment for static stores, e.g. automatic test equipment [ATE]; Interfaces therefor
- G11C2029/5602—Interface to device under test
Landscapes
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
Abstract
【解決手段】 半導体集積装置に書き換え可能な不揮発性メモリとともに混載されるロジックチップにテスト回路が設けられる。該テスト回路は、外部のテスタから送信され、格納したプログラマブルなテストシーケンスを読み出し、それに基づいて、読み出した製品IDを元に、前記不揮発性メモリに固有のメモリ制御信号を生成し、該生成したメモリ制御信号を前記不揮発性メモリに出力するテストを実行し、前記メモリ制御信号に応答して前記不揮発性メモリから出力される値に基づくテスト結果を前記テスタに出力する。
【選択図】 図2
Description
格納した前記テストシーケンスを読み出し、それに基づいて、前記不揮発性メモリに固有のメモリ制御信号を生成することと、前記不揮発性メモリをテストするために、生成した前記メモリ制御信号を前記不揮発性メモリに出力することと、前記メモリ制御信号に応答して前記不揮発性メモリから出力される値を受信することと、前記不揮発性メモリから出力される値と対応する前記メモリ制御信号に応答して前記不揮発性メモリが正常に動作した場合に出力される期待値とを比較することと、前記比較した結果をテスト結果として前記テスタに出力することと、を含み得る。
12…不揮発性メモリ
14…ロジックチップ
16…テスト回路
161…制御回路
162…外部インターフェース回路
163…コマンド解釈回路
164…コマンドバッファ
165…メモリ制御信号生成回路
166…比較回路
167…メモリインターフェース回路
20…テスタ
Claims (12)
- 半導体集積装置に書き換え可能な不揮発性メモリとともに混載されるロジックチップにおけるテスト回路であって、
外部のテスタから送信され、格納したテストシーケンスを読み出し、それに基づいて、前記不揮発性メモリに固有のメモリ制御信号を生成し、該生成したメモリ制御信号を前記不揮発性メモリに出力するテストを実行し、
前記メモリ制御信号に応答して前記不揮発性メモリから出力される値に基づくテスト結果を前記テスタに出力する、
テスト回路。 - 前記テストシーケンスは、複数の実行コマンドを含み、前記複数の実行コマンドのいくつかは、対応する前記メモリ制御信号に応答して、前記不揮発性メモリが正常に動作した場合に出力される期待値を含む、
請求項1記載のテスト回路。 - 前記テスト回路は、
前記メモリ制御信号に応答して前記不揮発性メモリから出力される値と前記期待値とを比較して、前記テスト結果を出力する、
請求項2記載のテスト回路。 - 前記テスト回路は、
前記テストシーケンスを格納するコマンドバッファを備え、
前記テスタから第1の制御コマンドを受信した場合に、前記テスタから送信されるテストシーケンスを前記コマンドバッファに格納する、
請求項1記載のテスト回路。 - 前記テスト回路は、
前記テスタから第2の制御コマンドを受信した場合に、前記コマンドバッファに格納された前記テストシーケンスを読み出して、前記メモリ制御信号を生成する、
請求項4記載のテスト回路。 - 前記テスト回路は、
前記テスタに接続するための複数のピンを備える外部インターフェース回路を備え、
前記外部インターフェース回路が前記複数のピンにおいてピン開放信号を検出した場合に、前記テストにおいて使用しているピンを、他のテストのために開放するように動作する、
請求項1記載のテスト回路。 - 前記テスト回路は、SPI(Standard Peripheral Interface)規格に従って前記不揮発性メモリと接続される、
請求項1記載のテスト回路。 - 前記不揮発性メモリは、フラッシュメモリである、請求項7記載のテスト回路。
- 前記テスト回路は、
前記テストシーケンスにおける所定の実行コマンドに基づいて、前記不揮発性メモリから該不揮発性メモリの製品IDを読み出す、
請求項1記載のテスト回路。 - 前記テスト回路は、
前記テストシーケンスにおける任意の実行コマンドが取る複数の引数の中から、前記不揮発性メモリの製品IDに応じて使用する引数を選択し、前記メモリ制御信号を生成する、
請求項9記載のテスト回路。 - 書き換え可能な不揮発性メモリと前記不揮発性メモリに対するテストを実行するテスト回路とがパッケージ化されて構成された半導体集積装置であって、
前記テスト回路は、
外部のテスタから送信され、格納したテストシーケンスを読み出し、それに基づいて、前記不揮発性メモリに固有のメモリ制御信号を生成し、該生成したメモリ制御信号を前記不揮発性メモリに出力するテストを実行し、
前記メモリ制御信号に応答して前記不揮発性メモリから出力される値に基づくテスト結果を前記テスタに出力する、
半導体集積装置。 - 書き換え可能な不揮発性メモリと前記不揮発性メモリに対するテストを実行するテスト回路とがパッケージ化されて構成された半導体集積装置に対するテスト実行方法であって、
外部のテスタと通信可能に接続されることと、
前記テスタから送信されるテストシーケンスを受信し、格納することと、
格納した前記テストシーケンスを読み出し、それに基づいて、前記不揮発性メモリに固有のメモリ制御信号を生成することと、
前記不揮発性メモリをテストするために、生成した前記メモリ制御信号を前記不揮発性メモリに出力することと、
前記メモリ制御信号に応答して前記不揮発性メモリから出力される値を受信することと、
前記不揮発性メモリから出力される値と対応する前記メモリ制御信号に応答して前記不揮発性メモリが正常に動作した場合に出力される期待値とを比較することと、
前記比較した結果をテスト結果として前記テスタに出力することと、
を含むテスト実行方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016043692A JP2017162011A (ja) | 2016-03-07 | 2016-03-07 | メモリデバイス用テスト回路及びこれを含む半導体集積装置 |
US15/451,758 US10127996B2 (en) | 2016-03-07 | 2017-03-07 | Test circuit for memory device and semiconductor integrated device including the test circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016043692A JP2017162011A (ja) | 2016-03-07 | 2016-03-07 | メモリデバイス用テスト回路及びこれを含む半導体集積装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017162011A true JP2017162011A (ja) | 2017-09-14 |
Family
ID=59724353
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016043692A Pending JP2017162011A (ja) | 2016-03-07 | 2016-03-07 | メモリデバイス用テスト回路及びこれを含む半導体集積装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10127996B2 (ja) |
JP (1) | JP2017162011A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021047699A (ja) * | 2019-09-19 | 2021-03-25 | 東芝情報システム株式会社 | フラッシュメモリ評価装置及びその方法 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111210863B (zh) * | 2019-12-30 | 2021-10-19 | 深圳佰维存储科技股份有限公司 | 嵌入式存储器的测试方法、装置、设备和计算机存储介质 |
CN112530511B (zh) * | 2020-12-29 | 2023-06-23 | 芯天下技术股份有限公司 | 非易失型芯片内部单步测试方法、装置、存储介质、终端 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4339534B2 (ja) | 2001-09-05 | 2009-10-07 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | メモリチップとロジックチップとを搭載し,メモリチップの試験を可能にした半導体装置 |
US8286046B2 (en) * | 2001-09-28 | 2012-10-09 | Rambus Inc. | Integrated circuit testing module including signal shaping interface |
US7225379B2 (en) * | 2004-04-23 | 2007-05-29 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Circuit and method for testing semiconductor device |
JPWO2006114879A1 (ja) * | 2005-04-21 | 2008-12-11 | 富士通株式会社 | 半導体メモリ、システムおよびシステムのテスト実施方法 |
US7428180B2 (en) * | 2006-01-25 | 2008-09-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor memory devices and methods of testing for failed bits of semiconductor memory devices |
JP2008108326A (ja) | 2006-10-24 | 2008-05-08 | Toshiba Corp | 記憶装置およびその自己テスト方法 |
KR20140112135A (ko) * | 2013-03-11 | 2014-09-23 | 삼성전자주식회사 | 디바이스 인터페이스 보드의 반도체 소자 및 이를 이용한 테스트 시스템 |
US9251915B2 (en) * | 2013-11-11 | 2016-02-02 | Advantest Corporation | Seamless fail analysis with memory efficient storage of fail lists |
-
2016
- 2016-03-07 JP JP2016043692A patent/JP2017162011A/ja active Pending
-
2017
- 2017-03-07 US US15/451,758 patent/US10127996B2/en active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021047699A (ja) * | 2019-09-19 | 2021-03-25 | 東芝情報システム株式会社 | フラッシュメモリ評価装置及びその方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10127996B2 (en) | 2018-11-13 |
US20170256327A1 (en) | 2017-09-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7673200B2 (en) | Reprogrammable built-in-self-test integrated circuit and test method for the same | |
US10262753B2 (en) | Auxiliary test device, test board having the same, and test method thereof | |
EP1890297A1 (en) | Test method for semiconductor memory circuit | |
CN105023617B (zh) | 存储器件、存储系统和操作存储器件的方法 | |
JP2007096268A (ja) | 半導体ウェハの個々のチップを選択的に接続および設定するための方法および装置 | |
JP2017162011A (ja) | メモリデバイス用テスト回路及びこれを含む半導体集積装置 | |
US11726895B2 (en) | Semiconductor device | |
JP2009048674A (ja) | 半導体集積回路 | |
US10521387B2 (en) | NAND switch | |
US8416639B2 (en) | Multi-chip package and method of operating the same | |
KR20140013893A (ko) | 메모리 코어 트레이닝 방법 및 메모리 시스템 | |
KR20130131992A (ko) | 반도체 메모리 장치의 테스트 회로 및 테스트 방법 | |
WO2015193707A1 (en) | Sleek serial interface for a wrapper boundary register (device and method) | |
KR20150098413A (ko) | 멀티 랭크의 병렬 테스트를 위한 메모리 및 이를 포함하는 반도체 장치 | |
US7954019B2 (en) | Flash storage device and method and system for testing the same | |
KR102479442B1 (ko) | 반도체 메모리 및 이를 이용한 메모리 시스템 | |
KR20120102975A (ko) | 메모리 장치 및 메모리 장치의 테스트 방법 | |
EP2365488B1 (en) | Apparatus and method for testing semiconductor integrated circuits, and a non-transitory computer-readable medium having a semiconductor integrated circuit testing program | |
US10134484B2 (en) | Semiconductor devices, semiconductor systems including the same, methods of testing the same | |
US8917572B2 (en) | Semiconductor memory device and method of testing the same | |
JP5279817B2 (ja) | 試験装置および試験方法 | |
KR101764509B1 (ko) | 컨트롤러의 신뢰성을 검증 가능한 차지 스토리지 메모리 장치 | |
CN117095731B (zh) | 一种测试设备及计算设备 | |
CN117093430B (zh) | 一种测试方法、装置、计算设备及存储介质 | |
US20240153575A1 (en) | Method of testing storage controller included in storage device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20180207 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20180216 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20180216 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20180719 |
|
RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425 Effective date: 20180802 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190221 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190926 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191029 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191210 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200714 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20210216 |