JP2017157378A - フレキシブル基板、電子デバイス製造用基板及び電子デバイス - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 236
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 106
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 245
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 245
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 209
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 248
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 108
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 100
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 23
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 23
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 22
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 17
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 205
- 239000000463 material Substances 0.000 description 107
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 47
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 45
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 45
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 36
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 23
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 20
- -1 etc.) Polymers 0.000 description 20
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 20
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 19
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 18
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 16
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 14
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 13
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 13
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 10
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 10
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 8
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 8
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 7
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 7
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000370 acceptor Substances 0.000 description 6
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 6
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 6
- 239000005340 laminated glass Substances 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 6
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 5
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 5
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 5
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 5
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 5
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 5
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 5
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 4
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XKHYPFFZHSGMBE-UHFFFAOYSA-N buta-1,3-diene-1,1,2,3,4,4-hexacarbonitrile Chemical compound N#CC(C#N)=C(C#N)C(C#N)=C(C#N)C#N XKHYPFFZHSGMBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 229920000840 ethylene tetrafluoroethylene copolymer Polymers 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 3
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 3
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 3
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 3
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 3
- 229940042055 systemic antimycotics triazole derivative Drugs 0.000 description 3
- NLDYACGHTUPAQU-UHFFFAOYSA-N tetracyanoethylene Chemical compound N#CC(C#N)=C(C#N)C#N NLDYACGHTUPAQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- ZXBSSAFKXWFUMF-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-trinitrofluoren-9-one Chemical group C12=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C([N+](=O)[O-])C([N+]([O-])=O)=C2[N+]([O-])=O ZXBSSAFKXWFUMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004057 1,4-benzoquinones Chemical class 0.000 description 2
- UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 1-(2,2-diphenylethenyl)-4-[4-(2,2-diphenylethenyl)phenyl]benzene Chemical group C=1C=C(C=2C=CC(C=C(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=CC=1C=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JWWQNDLIYXEFQL-UHFFFAOYSA-N 2,3-dinitrofluoren-1-one Chemical compound C1=CC=C2C3=CC([N+](=O)[O-])=C([N+]([O-])=O)C(=O)C3=CC2=C1 JWWQNDLIYXEFQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 3-(4-tert-butylphenyl)-4-phenyl-5-(4-phenylphenyl)-1,2,4-triazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C(N1C=2C=CC=CC=2)=NN=C1C1=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=C1 ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 4-(4-oxocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene)cyclohexa-2,5-dien-1-one Chemical class C1=CC(=O)C=CC1=C1C=CC(=O)C=C1 DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N Butylhydroxytoluene Chemical compound CC1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229930192627 Naphthoquinone Chemical class 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 2
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 2
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 2
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N butyl prop-2-enoate;methyl 2-methylprop-2-enoate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.COC(=O)C(C)=C.CCCCOC(=O)C=C QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 2
- 150000001925 cycloalkenes Chemical class 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 2
- TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N dibenzofuran Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3OC2=C1 TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QXYJCZRRLLQGCR-UHFFFAOYSA-N dioxomolybdenum Chemical compound O=[Mo]=O QXYJCZRRLLQGCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N divanadium pentaoxide Chemical compound O=[V](=O)O[V](=O)=O GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MTZQAGJQAFMTAQ-UHFFFAOYSA-N ethyl benzoate Chemical compound CCOC(=O)C1=CC=CC=C1 MTZQAGJQAFMTAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 150000008376 fluorenones Chemical class 0.000 description 2
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 2
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 2
- 150000002791 naphthoquinones Chemical class 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 2
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 2
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 2
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 2
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 2
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 2
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 2
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- FHCPAXDKURNIOZ-UHFFFAOYSA-N tetrathiafulvalene Chemical compound S1C=CSC1=C1SC=CS1 FHCPAXDKURNIOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920006259 thermoplastic polyimide Polymers 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical class C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 2
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- QNODIIQQMGDSEF-UHFFFAOYSA-N (1-hydroxycyclohexyl)-phenylmethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1(O)CCCCC1 QNODIIQQMGDSEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LWNGJAHMBMVCJR-UHFFFAOYSA-N (2,3,4,5,6-pentafluorophenoxy)boronic acid Chemical compound OB(O)OC1=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C1F LWNGJAHMBMVCJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N (e)-2-phenylethenamine Chemical class N\C=C\C1=CC=CC=C1 UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- ZSYMVHGRKPBJCQ-UHFFFAOYSA-N 1,1'-biphenyl;9h-carbazole Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1.C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 ZSYMVHGRKPBJCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole Chemical compound C1=CC=C2OC=NC2=C1 BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QKLPIYTUUFFRLV-YTEMWHBBSA-N 1,4-bis[(e)-2-(2-methylphenyl)ethenyl]benzene Chemical compound CC1=CC=CC=C1\C=C\C(C=C1)=CC=C1\C=C\C1=CC=CC=C1C QKLPIYTUUFFRLV-YTEMWHBBSA-N 0.000 description 1
- ZMLPKJYZRQZLDA-UHFFFAOYSA-N 1-(2-phenylethenyl)-4-[4-(2-phenylethenyl)phenyl]benzene Chemical group C=1C=CC=CC=1C=CC(C=C1)=CC=C1C(C=C1)=CC=C1C=CC1=CC=CC=C1 ZMLPKJYZRQZLDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012956 1-hydroxycyclohexylphenyl-ketone Substances 0.000 description 1
- IJVBYWCDGKXHKK-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n,2-n,2-n-tetraphenylbenzene-1,2-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C(=CC=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 IJVBYWCDGKXHKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FQNVFRPAQRVHKO-UHFFFAOYSA-N 1-n,4-n-bis(4-methylphenyl)-1-n,4-n-diphenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=CC=C1 FQNVFRPAQRVHKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WJFKNYWRSNBZNX-UHFFFAOYSA-N 10H-phenothiazine Chemical compound C1=CC=C2NC3=CC=CC=C3SC2=C1 WJFKNYWRSNBZNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LWHDQPLUIFIFFT-UHFFFAOYSA-N 2,3,5,6-tetrabromocyclohexa-2,5-diene-1,4-dione Chemical group BrC1=C(Br)C(=O)C(Br)=C(Br)C1=O LWHDQPLUIFIFFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(dicyanomethylidene)-2,3,5,6-tetrafluorocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene]propanedinitrile Chemical compound FC1=C(F)C(=C(C#N)C#N)C(F)=C(F)C1=C(C#N)C#N IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 2-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n,2-n-triphenylbenzene-1,2-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C(=CC=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MTUBTKOZCCGPSU-UHFFFAOYSA-N 2-n-naphthalen-1-yl-1-n,1-n,2-n-triphenylbenzene-1,2-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C(=CC=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=CC=C1 MTUBTKOZCCGPSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KYGSXEYUWRFVNY-UHFFFAOYSA-N 2-pyran-2-ylidenepropanedinitrile Chemical compound N#CC(C#N)=C1OC=CC=C1 KYGSXEYUWRFVNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MBPCKEZNJVJYTC-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=C1 MBPCKEZNJVJYTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RINNIXRPLZSNJJ-UHFFFAOYSA-N 5-[3-tert-butyl-4-phenyl-5-(4-phenylphenyl)phenyl]-1h-1,2,4-triazole Chemical compound C=1C=CC=CC=1C=1C(C(C)(C)C)=CC(C2=NNC=N2)=CC=1C(C=C1)=CC=C1C1=CC=CC=C1 RINNIXRPLZSNJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100027123 55 kDa erythrocyte membrane protein Human genes 0.000 description 1
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical compound NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017008 AsF 6 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910016036 BaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 1
- NZGXEUWGGSDALJ-UHFFFAOYSA-N C1=CC=CC=C1C1=NC=CC=C1[Ir](C=1C(=NC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CN=C1C1=CC=CC=C1 Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NC=CC=C1[Ir](C=1C(=NC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CN=C1C1=CC=CC=C1 NZGXEUWGGSDALJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 101001057956 Homo sapiens 55 kDa erythrocyte membrane protein Proteins 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 1
- 238000006124 Pilkington process Methods 0.000 description 1
- 229920000286 Poly(2-decyloxy-1,4-phenylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000291 Poly(9,9-dioctylfluorene) Polymers 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical group C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical class N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N Vinyl ether Chemical compound C=COC=C QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUDUCNPHDIMQCY-UHFFFAOYSA-N [3-(2-sulfanylacetyl)oxy-2,2-bis[(2-sulfanylacetyl)oxymethyl]propyl] 2-sulfanylacetate Chemical compound SCC(=O)OCC(COC(=O)CS)(COC(=O)CS)COC(=O)CS RUDUCNPHDIMQCY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOBBTVPTPXRUBP-UHFFFAOYSA-N [3-(3-sulfanylpropanoyloxy)-2,2-bis(3-sulfanylpropanoyloxymethyl)propyl] 3-sulfanylpropanoate Chemical compound SCCC(=O)OCC(COC(=O)CCS)(COC(=O)CCS)COC(=O)CCS JOBBTVPTPXRUBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000007259 addition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000007605 air drying Methods 0.000 description 1
- 238000007754 air knife coating Methods 0.000 description 1
- 150000001334 alicyclic compounds Chemical group 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 229920000109 alkoxy-substituted poly(p-phenylene vinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical compound [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 150000001448 anilines Chemical class 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L barium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ba+2] OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001632 barium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N benzidine Chemical class C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQDJYUACMFCOFT-UHFFFAOYSA-N bis[2-(1-hydroxycyclohexyl)phenyl]methanone Chemical compound C=1C=CC=C(C(=O)C=2C(=CC=CC=2)C2(O)CCCCC2)C=1C1(O)CCCCC1 MQDJYUACMFCOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005385 borate glass Substances 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 1
- 150000001893 coumarin derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N diglycidyl ether Chemical group C1OC1COCC1CO1 GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M dilithium;hydroxide Chemical compound [Li+].[Li+].[OH-] XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 238000003280 down draw process Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000005329 float glass Substances 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RMBPEFMHABBEKP-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2C3=C[CH]C=CC3=CC2=C1 RMBPEFMHABBEKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 150000002503 iridium Chemical class 0.000 description 1
- AOZVYCYMTUWJHJ-UHFFFAOYSA-K iridium(3+) pyridine-2-carboxylate Chemical compound [Ir+3].[O-]C(=O)C1=CC=CC=N1.[O-]C(=O)C1=CC=CC=N1.[O-]C(=O)C1=CC=CC=N1 AOZVYCYMTUWJHJ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- NKVDKFWRVDHWGC-UHFFFAOYSA-N iridium(3+);1-phenylisoquinoline Chemical compound [Ir+3].C1=CC=CC=C1C1=NC=CC2=CC=CC=C12.C1=CC=CC=C1C1=NC=CC2=CC=CC=C12.C1=CC=CC=C1C1=NC=CC2=CC=CC=C12 NKVDKFWRVDHWGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000006082 mold release agent Substances 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021392 nanocarbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- XVKLLVZBGMGICC-UHFFFAOYSA-N o-[3-propanethioyloxy-2,2-bis(propanethioyloxymethyl)propyl] propanethioate Chemical compound CCC(=S)OCC(COC(=S)CC)(COC(=S)CC)COC(=S)CC XVKLLVZBGMGICC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N o-biphenylenemethane Natural products C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 238000007500 overflow downdraw method Methods 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000002916 oxazoles Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000005041 phenanthrolines Chemical class 0.000 description 1
- 229950000688 phenothiazine Drugs 0.000 description 1
- FIZIRKROSLGMPL-UHFFFAOYSA-N phenoxazin-1-one Chemical compound C1=CC=C2N=C3C(=O)C=CC=C3OC2=C1 FIZIRKROSLGMPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UOMHBFAJZRZNQD-UHFFFAOYSA-N phenoxazone Natural products C1=CC=C2OC3=CC(=O)C=CC3=NC2=C1 UOMHBFAJZRZNQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 150000004986 phenylenediamines Chemical class 0.000 description 1
- RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N phosphinic chloride Chemical compound ClP=O RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 1
- 229920000327 poly(triphenylamine) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000011970 polystyrene sulfonate Substances 0.000 description 1
- 229960002796 polystyrene sulfonate Drugs 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 150000004033 porphyrin derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000007142 ring opening reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012748 slip agent Substances 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UGNWTBMOAKPKBL-UHFFFAOYSA-N tetrachloro-1,4-benzoquinone Chemical compound ClC1=C(Cl)C(=O)C(Cl)=C(Cl)C1=O UGNWTBMOAKPKBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000006617 triphenylamine group Chemical class 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006097 ultraviolet radiation absorber Substances 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004034 viscosity adjusting agent Substances 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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Abstract
Description
本発明はまた、支持基板と、樹脂膜と、薄板ガラスと、保護層とを有する電子デバイス製造用基板及びその製造方法と、この電子デバイス製造用基板を用いた電子デバイスの製造方法に関する。
一方で、従来の電子デバイス製造装置は、厚板のガラス基板用に設計されているため、極薄で剛性の低い薄板ガラスは、そのままでは既存の電子デバイス製造装置に適用して電子デバイスを製造することができない。
なお、本発明は以下に説明する内容に限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲において任意に変更して実施することが可能である。また、本実施の形態の説明に用いる図面は、いずれも本発明による電子デバイス製造用基板、及び電子デバイスである有機EL素子の構成部材を模式的に示すものであって、理解を深めるべく部分的な強調、拡大、縮小、又は省略等を行っており、各構成部材の縮尺や形状等を正確に表すものとはなっていない場合がある。更に、本実施の形態で用いる様々な数値は、いずれも一例を示すものであり、必要に応じて様々に変更することが可能である。
図1を参照して本発明の電子デバイス製造用基板の実施の形態を説明する。
支持基板1は、電子デバイス素子形成工程において搬送等に不具合を生じない程度の剛性を有していればよく、素材としては、ガラス、金属又は樹脂等の材料が挙げられる。また、支持基板1は、薄板ガラス3と樹脂膜2を介して固定されることから、良好な表面平滑性を有することが好ましい。具体的には、表面平滑性が1μm以下であることが好ましく、より好ましくは100nm以下、さらに好ましくは10nm以下、最も好ましくは1nm以下である。支持基板1の厚みとしては、電子デバイス素子形成工程において不具合が生じない範囲であればよく、素材にもよるが、通常、0.5〜5mm程度のものが用いられる。このような特徴が求められることから、支持基板1として用いられる素材は、ガラスが好ましい。ガラスの種類としては、ソーダガラス、ホウ酸ガラス、アルミノ珪酸ガラス、石英ガラスなどが挙げられる。上記ガラスの平均熱膨張係数は、好ましくは15ppm/℃以下、より好ましくは10ppm/℃以下である。本発明においては、支持基板1を構成するガラスの種類は特に限定されないが、比較的コストが低いことから、ソーダガラスが好ましい。
離型処理としては特に限定されないが、支持基板1の樹脂膜2側の表面を離型剤で処理することが挙げられる。また、適宜、マスキングなどの表面加工を施して、部分的に離型剤が貼着する工法を採用してもよい。
離型剤は特に限定されず、シリコーン系化合物(例えば、シリコーンオイル、熱硬化シリコーン、紫外線硬化シリコーン、変性シリコーンなど)、フッ素系化合物(例えば、フッ素系樹脂など)、オレフィン樹脂、アルキッド樹脂などが挙げられ、特にシリコーン系化合物が好適に用いられる。
樹脂膜2は、薄板ガラス3を支持基板1に固定可能な樹脂材料よりなる。この樹脂材料は、熱可塑性樹脂を含む樹脂材料であってもよく、硬化性樹脂組成物を硬化させてなる樹脂材料であってもよく、本発明の効果が得られる限りにおいて限定されないが、硬化性樹脂組成物は硬化反応時に薄板ガラス3表面への化学的な結合を誘起する配合設計が容易な点で、硬化性樹脂組成物を硬化させてなる樹脂材料が好ましい。
一方、熱可塑性樹脂は硬化性樹脂に対して一般的に靱性に優れるため、剥離の際の樹脂膜2の破壊が抑えられる点で好ましい。
これらのうち、電子デバイスの形成における加熱工程や、洗浄工程を経た後も剥離の際に必要な機械強度を維持できる点で、フッ素系樹脂、シリコーン系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリエステル系樹脂が好ましく、支持層との密着性を調整し易いことから、フッ素系樹脂が特に好ましい。
50MPa以上の引張弾性率を有することにより、樹脂膜2と支持基板1との間で剥離する際に、樹脂膜2の過度な変形が抑えられ、破断することなく剥離することが可能となる。
一方、引張弾性率を2500MPa以下とすることにより、樹脂膜2と支持基板1との間で剥離する際に、薄板ガラス3に過度な曲げ応力がかかることを抑制し、薄膜ガラス3の破損を防止することが可能となる。
例えば、硬化性樹脂組成物を硬化させて、厚み200μm、幅2cm、長さ150mmの短冊状樹脂サンプルを作製し、万能試験機(例えば、株式会社島津製作所製、オートグラフAGS−Xが挙げられる)を用いて、短冊状樹脂サンプルの長手方向の伸びと応力を測定し、これらの値から引張弾性率を算出し、樹脂膜2の引張弾性率とする。試験条件はチャック間距離を10cm、引っ張り速度を10mm/minとし、25℃で測定する。
5%以上の引張破断伸度を有することにより、樹脂膜2及び薄板ガラス3を含む積層体をカットする際に、切断箇所からのクラックの伝搬を抑制することができる。また、積層体内部で万が一薄板ガラス3が破損した際でも、樹脂膜2が破断することなく、積層体としてはその形状を保持するため、ガラスの飛散を防止することが可能となる。さらには樹脂膜2と支持基板1の間で剥離する際、樹脂膜2が破断することなく剥離することが可能となる。引張破断伸度の上限値は特に限定されないが、破断伸度が500%を超える樹脂材料を用いると、樹脂膜2を支持基板1から剥離する際に、樹脂膜2が支持基板1から剥離せずに伸長する傾向にあるため、一般的には500%以下が好ましく、400%以下であることがより好ましく、300%以下であることがさらに好ましい。
例えば、硬化性樹脂組成物を硬化させて、厚み200μm、幅10mm、長さ100mmの短冊状樹脂サンプルを作製し、万能試験機(例えば、株式会社島津製作所製、オートグラフAGS−Xが挙げられる)を用いて、短冊状樹脂サンプルの引張破断伸度を測定し、樹脂膜2の引張破断伸度とする。試験条件は、チャック間距離を40mm、引っ張り速度を50mm/minとし、25℃で測定する。
引張破断強度が10MPa以上の値を有することにより、樹脂膜2と支持基板1との間で剥離する際に、樹脂膜2の剥離途中での破断を抑制することが可能になる。なお、引張破断強度の上限は特段限定されないが、通常300MPa以下である。
例えば、硬化性樹脂組成物を硬化させて、厚み200μm、幅10mm、長さ100mmの短冊状樹脂サンプルを作製し、万能試験機(例えば、株式会社島津製作所製、オートグラフAGS−Xが挙げられる)を用いて、短冊状樹脂サンプルの引張破断強度を測定し、樹脂膜2の引張破断強度とする。試験条件は、チャック間距離を40mm、引っ張り速度を50mm/minとし、25℃で測定する。
薄板ガラス3上又は支持基板1上に、硬化性樹脂組成物からなる膜を形成する方法としては、公知の方法を用いることができる。例えば、スピンコータ塗工、ダイコータ塗工、バーコーター塗工、メイヤーバー塗工、エアナイフ塗工、グラビア塗工、リバースグラビア塗工、オフセット印刷、フレキソ印刷、スクリーン印刷、ディップコートなどを挙げることができる。
塗工における塗布速度、吐出量等は特に限定されず、硬化性樹脂組成物からなる膜の組成や塗布スピード、硬化後の樹脂膜2の所望の厚みから適宜調整することができる。また、硬化性樹脂組成物に溶剤を含む場合には、硬化性樹脂組成物からなる層を形成した後、溶剤を乾燥させ、除去する工程を含んでもよい。
エポキシ系硬化性樹脂としては、例えば脂環式化合物基を有するエポキシ樹脂、グリシジルエーテル基を有するエポキシ樹脂、芳香族基を有するエポキシ樹脂、などが例示され、より具体的にはビスフェノールA型やビスフェノールF型が挙げられるが、特にこれにのみ限定されない。
これらのうち、電子デバイスの形成における加熱工程や、洗浄工程を経た後も剥離の際に必要な機械強度を維持できる点で、フッ素系樹脂、シリコーン系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリエステル系樹脂が好ましく、支持基板1との密着性を調整し易いことから、フッ素系樹脂が特に好ましい。
接着層が硬化性樹脂組成物からなる層である場合は、適宜硬化工程を含んでもよい。
薄板ガラス3は、厚みが200μm以下の極薄ガラスである。このような厚みの薄いガラス板を用いることで、可撓性を有するフレキシブル基板とすることができる。薄板ガラス3の厚みは好ましくは1μm以上、より好ましくは10μm以上、更に好ましくは30μm以上である。このような厚みとすることで、より機械的強度を高めることができる。また、薄板ガラス3の厚みは好ましくは100μm以下、更に好ましくは75μm以下、特に好ましくは50μm以下である。このような厚みとすることで、よりフレキシブル性を高めることができる。
保護層4は、樹脂膜2上の薄板ガラス3で覆われていない領域の少なくとも一部を覆うように設けられている。保護層4による樹脂膜2の保護効果を十分に得る上で、保護層4は、樹脂膜2上の薄板ガラス3で覆われていない領域全部を覆っていることが好ましい。
加えて屈折率、透明性、可撓性の観点から、酸化ケイ素が特に好ましい。
製造条件は、使用される金属及び/又は半導体元素の酸化物、窒化物、酸窒化物に応じて、適宜最適な条件が選択される。
保護層4による保護効果を十分に得ると共に、保護層4を成膜する際の作業性を良好なものとし、電子デバイス全体の製造コストを低減する上で、保護層4は、図1に示されるように、薄板ガラス3の表面と樹脂膜2の薄板ガラス3で覆われていない表面をすべて覆うように形成することが好ましい。
電子デバイス製造用基板10は、例えば、支持基板1の片側表面の略全面に樹脂膜2を形成する樹脂膜形成工程と、この樹脂膜2の支持基板1とは反対側の表面の一部を覆うように薄板ガラス3を接着する薄板ガラス接着工程と、樹脂膜2の薄板ガラス3側の表面において、薄板ガラス3で覆われていない領域の少なくとも一部、好ましくは全部を覆うように保護層4を形成する保護層形成工程とを含む本発明の電子デバイス製造用基板の製造方法により製造される。
或いは、予め成膜された樹脂膜2用の樹脂フィルムを用い、必要に応じて接着層を介して、支持基板1、樹脂膜2及び薄板ガラス3を積層一体化し、その後保護層4を形成することにより製造することができる。
本発明のフレキシブル基板は、上述の本発明の電子デバイス製造用基板から支持基板1が剥離されたものであり、本発明の電子デバイス製造用基板から支持基板1を剥離して製造されたものであってもよく、支持基板1を用いないこと以外は、直接上記の手順で製造されたものであってもよい。
以下に、図2,3を参照して、本発明の電子デバイス製造用基板を用いて電子デバイスを製造する方法を説明する。
本実施の形態に係る有機EL素子20Aは、薄板ガラス3の表面に直接又は保護層4を介して形成され、少なくとも発光部を備える。
有機層30は、有機発光層単層であっても、有機発光層と電荷輸送層の多層構造であってもよく、具体的には、下記の(1)〜(9)に示すような構成を挙げることができるが、本発明に係る有機層30の構成は、本発明はこれらにより限定されるものではない。
(1) 有機発光層
(2) 正孔輸送層/有機発光層
(3) 有機発光層/電子輸送層
(4) 正孔輸送層/有機発光層/電子輸送層
(5) 正孔注入層/正孔輸送層/有機発光層/電子輸送層
(6) 正孔注入層/正孔輸送層/有機発光層/電子輸送層/電子注入層
(7) 正孔注入層/正孔輸送層/有機発光層/正孔阻止層/電子輸送層
(8) 正孔注入層/正孔輸送層/有機発光層/正孔阻止層/電子輸送層/電子注入層
(9) 正孔注入層/正孔輸送層/電子防止層/有機発光層/正孔阻止層/電子輸送層/電子注入層
図3では、上記(8)の構成を採用して、第一電極層22から第二電極層23に向けて、正孔注入層31、正孔輸送層32、有機発光層33、正孔阻止層34、電子輸送層35、電子注入層36が、この順で積層されている。
一般的に有機層の形成には蒸着法が用いられる事が多い。
転写に用いる転写用部材は、基材上に順次形成された、光熱変換層、中間層、そして光熱変換層の作用により加熱されて溶融し、受像要素にパターン状に転写される転写層を備えている。転写層には有機層30を構成する材料が含まれている。
図3に示す第一電極層22及び第二電極層23は、有機EL素子20の陽極又は陰極として対で機能する。つまり、第一電極層22を陽極とした場合には、第二電極層23は陰極となり、第一電極層22を陰極とした場合には、第二電極層23は陽極となる。
陽極を形成する電極材料としては、図3における有機発光層33への正孔の注入をより効率よく行う観点から、仕事関数が4.5eV以上の金(Au)、白金(Pt)及びニッケル(Ni)等の金属や、インジウム(In)と錫(Sn)からなる酸化物(ITO)、錫(Sn)の酸化物(SnO2)及びインジウム(In)と亜鉛(Zn)からなる酸化物(IZO)等の透明導電材料が挙げられる。さらに、PEDOT:PSSやポリアニリン等に代表される透明導電性有機材料であってもよく、ナノ銀ワイアー、ナノカーボンチューブなどの分散液を塗布したようなナノ構造材料を有する導電膜であってもよい。また、透明導電性有機材料とナノ構造材料とを組み合わせたり、前記の無機透明導電性材料とそれらを複数組み合わせたりしてもよい。
特に薄板ガラス側の第一電極層22については、後述の通り、本発明による効果を有効に得る上で、エッチング液を用いるフォトリソグラフィー法によりパターニングされることが好ましい。
透明電極の膜厚は、50〜500nmが好ましく、100〜300nmがより好ましい。膜厚が50nm未満の場合には、配線抵抗が高くなることから、駆動電圧の上昇が生じるおそれがある。また、膜厚が500nmを超える場合には、光の透過率が低下することから輝度が低下するおそれがある。
透明電極の抵抗を見かけ上下げる方法として、補助電極層を透明電極層に接するように形成する場合がある。補助電極層は、通常、陽極の上に形成されることが多く(稀に陽極の下の場合もある)、さらに通常はその補助電極層を平面視において覆うように絶縁層が形成される(稀に絶縁層が形成されない場合もある)。補助電極層は透明電極の抵抗による電圧降下の抑制に有効なものであるが、電荷が注入されないか、または発光した光を遮断するため、発光する領域とはならず、「非発光領域」となる。発光領域の面積が、発光形成領域全体の面積に占める比率を開口率と呼び、開口率が高い方が、輝度を一定とした場合に光度(=輝度×発光面積)もしくは光束(=光度の放射角度による積分値)が高くなる。ここで発光形成領域とは、陽極、発光層を含む有機層、陰極が平面視で重なって形成される領域であり、補助電極層及びそれを覆う絶縁層の部分をも含んでいる領域のことである。
本発明の電子デバイス製造用基板は、薄板ガラス3上に直接に又は保護層4を介して、上記の第一電極層22が形成されたものであってもよく、更にこの第一電極層22上に上記の補助電極層が形成されたものであってもよく、更に、この補助電極層上に前記絶縁層が形成されたものであってもよい。
電子デバイス100は、通常、図2に示すように、電子デバイス素子20を外部からの水分や酸素等の不純物ガスから保護するため、封止部40が設けられている。
このようにすることで、外部雰囲気中の水分や酸素といった不純物ガスが、電子デバイス素子20に侵入することを、効果的に防ぐことができる。
上記の通り、電子デバイス製造用基板10の薄板ガラス3上に電子デバイス素子20、更に必要に応じて封止部40を形成した後は、支持基板1を剥離して本発明の電子デバイスを得る。具体的には、電子デバイス製造用基板10の樹脂膜2の端部乃至は支持基板1の端部と薄板ガラス3の端部の間で該樹脂膜2が薄板ガラス3で覆われていない領域内において、該樹脂膜2の一部を切る等して作製した剥離のきっかけを支持基板1から引き上げて、樹脂膜2と共に、電子デバイス素子20が形成された薄板ガラス3を剥離して支持基板1を分離除去する。本発明によれば、電子デバイス素子形成工程における樹脂膜2の劣化ないし脆化の問題がなく、樹脂膜2本来の自立性、引張強度等の機械的特性を維持しているため、支持基板1の剥離工程では、薄板ガラス3側に何ら悪影響を及ぼすことなく、支持基板1を容易に剥離することができる。前記端部や剥離のきっかけを把持する方法としてはピンセット等を用いた人力による方法の他、粘着材・接着剤等による支持や真空保持等を採用してもよく、引き上げる際の動力も人力だけでなく他の動力、例えば電気力・磁気力や、水力・空気圧力などを用いてもよい。支持基板の剥離後、薄板ガラス3に樹脂膜2を付着させたまま電子デバイスとして用いてもよく、樹脂膜2を部分的にでも全面的にでも剥離または除去して用いてもよい。
紫外線硬化性ウレタンアクリレートモノマー(新中村化学工業株式会社製、商品名「NKオリゴUA−122P」)54質量%、紫外線硬化性ウレタンアクリレートモノマー(新中村化学工業株式会社製、商品名「NKオリゴUA−160TM」)27質量%、紫外線硬化性アクリレートモノマー(新中村化学工業株式会社製、商品名「NKエステルA−DCP」)9質量%、チオールモノマー(SC有機化学株式会社製、商品名「PEMP」)9質量%、光重合開始剤として1−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン(BASF社製、商品名「IRGACURE184」)1質量%を均一に混合し、紫外線硬化性樹脂組成物1(塗料A)を得た。
さらに薄板ガラス3側から高圧水銀ランプ(積算光量:580mJ/cm2)を照射することによって、樹脂膜2を硬化させ、支持基板3側から、支持基板1、離型層、厚み50μmの樹脂膜2、薄板ガラス1の順に積層された支持基板付き薄板ガラス基板を得た。
硬化した樹脂膜2について各測定を行った結果、引張弾性率1500MPa、引張破断強度14MPa、引張破断伸度30%であった。
次に、スパッタ法によって、MAM(MoNb合金:厚み50nm/AlNd合金:厚み300nm/MoNb合金:厚み50nmの3層)から成るバスライン構成層(補助電極層)を形成した。
次に、フォトリソグラフィー法によって必要な領域だけMAM層を残すようパターニングし、露出したMAM層だけをエッチング除去した後、フォトレジストの覆いを除去し、該ウェットクリーニングを行った。
また、支持基板上においては、樹脂膜にSiO2保護膜が積層された周辺領域、及び上記領域I〜IIIを有する薄板ガラスの領域が存在する。
次に、常温の2.38%TMAH水溶液によって、該絶縁層の感光領域を溶解し、絶縁層をパターニングした後、230℃で15分間焼成・硬化させ、該ウェットクリーニングを行った。
形成した絶縁層の厚みは、1.3〜1.5μm程度であった。
上記の電子デバイス製造用基板を、横浜油脂工業社製セミクリーンM−L0の5%界面活性剤水溶液に浸漬させた状態で5分間超音波洗浄を行った後、超純水に浸漬させた状態で5分間超音波洗浄を行った。さらに、超純水によるすすぎを行い、風乾後200℃のオーブンで窒素雰囲気下にて30分間乾燥させた。
2.正孔注入層の形成
以下に示す繰り返し単位を有する高分子化合物HI−1とHI−2と4−イソプロピル−4−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボラートとを質量比5:95:15で混合し、この混合物の濃度が2.5質量%となるよう安息香酸エチルを加え、加熱、溶解させて正孔注入層の形成用組成物を調液した。
この正孔注入層用組成物を、大気雰囲気中で、上記の電子デバイス製造用基板上にインクジェット塗布した(インクジェット装置:Litlex社製○○、インクジェット条件:65μm四方に1滴吐出するように吐出電圧45Vで吐出)。その後、真空中で乾燥(180秒かけて17000Pa減圧し、その後10Pa以下で180秒間保持)し、さらに200℃のオーブン内で1時間加熱して膜厚約100nmの正孔注入層を形成した。
以下に示す化合物HT−1を真空蒸着法によって蒸着し、膜厚20nmの正孔輸送層を形成した。
前記正孔輸送層の上に、以下に示す化合物EM−1、EM−2を体積比が85:15となるように用いて真空蒸着法によって共蒸着し、膜厚40nmの有機発光層を形成した。
次いで、前記有機発光層上に、以下に示す化合物HB−1を膜厚10nmとなるように真空蒸着法によって蒸着し、正孔阻止層を形成した。
前記電子輸送層上にフッ化リチウムを膜厚0.5nmとなるよう真空蒸着法によって蒸着して電子注入層を形成した後、アルミニウムを膜厚80nmとなるように真空蒸着法によって蒸着して陰極を形成した。
厚さ20μmのアルミニウム箔と有機フィルムの複合フィルムのアルミニウム側に、乾燥剤として厚さ80μmの酸化カルシウムとポリエチレンの混合フィルムを積層し、更に熱可塑性樹脂からなる厚さ50μmの粘着シートを積層したものを用い、前記陰極までを形成した電子デバイス製造用基板の有機EL素子側表面に、粘着シートを貼着することにより封止部を形成した。
支持基板1(クリーンテック社製フロート、ガラス厚み:0.7mm)の上にバーコーターで硬化後の厚みが3μmになるように、第1の接着層の未硬化物として熱及び紫外線硬化性エポキシ系樹脂(ADEKA社製、商品名「KRX−690−5」)を塗布し、さらに、樹脂膜2として熱可塑性のETFE(エチレンテトラフルオロエチレン共重合樹脂)フィルム(旭硝子社製商品名「アフレックス」、厚み:25μm、片面コロナ処理済)のコロナ未処理面を第1の接着層の塗布面に向けてハンドロール(硬度:90°)で支持基板1上にラミネートした。
高圧水銀ランプ(積算光量:370mJ/cm2)を照射し、その後、熱風循環式乾燥機で150℃で30分間熱処理することで、熱及び紫外線硬化性樹脂組成物を硬化させ、第1の接着層を得た。
次いで、樹脂膜2であるETFEフィルムのコロナ処理面側全面に、第2の接着層の未硬化物として前述の熱及び紫外線硬化性エポキシ系樹脂(ADEKA社製、商品名「KRX−690−5」)をバーコーターで硬化後の厚みが3μmになるように塗布した後に、薄板ガラス3(日本電気硝子社製商品名「OA−10G」、厚み:50μm、大きさ:70mm×80mm)を、支持基板1の中心と合わせ、且つ、薄板ガラス3が樹脂膜2の各辺から5mm以上内側に位置するように配置して、塗布面上にラミネートし、高圧水銀ランプ(積算光量:370mJ/cm2)を照射し、その後、熱風循環式乾燥機で150℃にて1時間熱処理することで、熱及び紫外線硬化性樹脂組成物を硬化させた。
このようにして支持基板1側から、第1の接着層、樹脂膜2、第2の接着層、薄板ガラス3の順に積層された支持基板付きガラス積層体を得た。
第1の接着層と樹脂膜2との接着強度は、第2の接着層と樹脂膜2とのそれに比べて小さく、支持基板1から薄板ガラス3を剥離する場合、第1の接着層と樹脂膜2との界面で剥離できる。
樹脂膜2について各測定を行った結果、引張弾性率800MPa、引張破断強度39MPa、引張破断伸200%であった。
実施例1において、ITOの透明電極層の形成前にSiO2保護層を形成しなかったこと以外は実施例1と同様に有機EL素子を作製した。
その結果、SiO2保護層によって保護されなかった樹脂膜は脆化し、自立した引張強度の高い薄膜としてはもはや機能しなくなっており、支持基板との間から剥離しようとしても、容易に剥離することはできなかった。
このため、支持基板を除くためには、薄板ガラスの辺縁で、樹脂膜と支持基板との間に薄い刃厚のカッターを差し入れて剥離する必要があった。
2 樹脂膜
3 薄板ガラス
4 保護層
9 フレキシブル基板
10 電子デバイス製造用基板
20 電子デバイス素子
20A 有機EL素子
21 発光部
22 第一電極層
23 第二電極層
30 有機層
31 正孔注入層
32 正孔輸送層
33 有機発光層
34 正孔阻止層
35 電子輸送層
36 電子注入層
40 封止部
100 電子デバイス
100A 有機EL発光デバイス
Claims (29)
- 樹脂膜と、厚み200μm以下のガラス板と、保護層とを有するフレキシブル基板であって、
該樹脂膜の片側表面の一部を該ガラス板が覆っており、
更に、
該樹脂膜の該ガラス板側の表面において、該ガラス板に覆われていない領域の少なくとも一部を該保護層が覆っている
ことを特徴とするフレキシブル基板。 - 前記樹脂膜の前記ガラス板側の表面において、該ガラス板に覆われている領域の該ガラス板の露出表面の少なくとも一部を前記保護層が覆っている、請求項1に記載のフレキシブル基板。
- 前記樹脂膜の前記ガラス板側の表面において、該ガラス板に覆われていない領域全部を前記保護層が覆っている、請求項1又は2に記載のフレキシブル基板。
- 前記樹脂膜の前記ガラス板側の表面において、該表面全部を前記保護層が覆っている、請求項1乃至3のいずれか1項に記載のフレキシブル基板。
- 前記保護層が、金属及び/又は半導体元素を含む層である、請求項1乃至4のいずれか1項に記載のフレキシブル基板。
- 前記保護層が、金属元素の窒化物、酸化物若しくは酸窒化物、又は半導体元素の窒化物、酸化物若しくは酸窒化物の少なくとも1つを含む、請求項5に記載のフレキシブル基板。
- 前記保護層が、酸化ケイ素からなる、請求項6に記載のフレキシブル基板。
- 請求項1乃至7のいずれか1項に記載のフレキシブル基板の前記ガラス板上に、直接又は前記保護層を介して形成された1種類以上の電子デバイス素子を有することを特徴とする電子デバイス。
- 前記電子デバイス素子の少なくとも1種類が有機EL素子である、請求項8に記載の電子デバイス。
- 支持基板と、樹脂膜と、厚み200μm以下のガラス板と、保護層とを有する電子デバイス製造用基板であって、
該支持基板の片側表面の略全面を該樹脂膜が覆っており、
該樹脂膜の該支持基板とは反対側の表面の一部を該ガラス板が覆っており、更に、
該樹脂膜の該ガラス板側の表面において、該ガラス板に覆われていない領域の少なくとも一部を該保護層が覆っていることを特徴とする電子デバイス製造用基板。 - 前記樹脂膜の前記ガラス板側の表面において、該ガラス板に覆われている領域の該ガラス板の露出表面の少なくとも一部を前記保護層が覆っている、請求項10に記載の電子デバイス製造用基板。
- 前記樹脂膜の前記ガラス板側の表面において、該ガラス板に覆われていない領域全部を前記保護層が覆っている、請求項10又は11に記載の電子デバイス製造用基板。
- 前記樹脂膜の前記ガラス板側の表面において、該表面全部を前記保護層が覆っている、請求項10乃至12のいずれか1項に記載の電子デバイス製造用基板。
- 前記保護層が、金属及び/又は半導体元素を含む層である、請求項10乃至13のいずれか1項に記載の電子デバイス製造用基板。
- 前記保護層が、金属元素の窒化物、酸化物若しくは酸窒化物、又は、半導体元素の窒化物、酸化物若しくは酸窒化物の少なくとも一つを含む、請求項14に記載の電子デバイス製造用基板。
- 前記保護層が、酸化ケイ素からなる、請求項15に記載の電子デバイス製造用基板。
- 前記樹脂膜が、片面又は両面の少なくとも一部に接着層を有する樹脂フィルムである、請求項10乃至16のいずれか1項に記載の電子デバイス製造用基板。
- 前記ガラス板上に、直接又は前記保護層を介して形成された第1電極層を有する、請求項10乃至17のいずれか1項に記載の電子デバイス製造用基板。
- 前記第1電極層上に、補助電極層を有する、請求項18に記載の電子デバイス製造用基板。
- 前記補助電極層上に、絶縁層を有する、請求項19に記載の電子デバイス製造用基板。
- 請求項10乃至20のいずれか1項に記載の電子デバイス製造用基板を用いることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
- 支持基板の片側表面の略全面に樹脂膜を形成する樹脂膜形成工程と、
該樹脂膜の、該支持基板とは反対側の表面の一部を覆うように厚み200μm以下のガラス板を接着するガラス板接着工程と、
該樹脂膜の該ガラス板側の表面において、該ガラス板に覆われていない領域の少なくとも一部を覆う保護層を形成する保護層形成工程と
を含むことを特徴とする電子デバイス製造用基板の製造方法。 - 前記保護層形成工程において、前記樹脂膜の前記ガラス板側の表面において、該ガラス板に覆われている領域の該ガラス板の露出表面の少なくとも一部を覆う前記保護層を形成する、請求項22に記載の電子デバイス製造用基板の製造方法。
- 前記保護層形成工程において、前記樹脂膜の前記ガラス板側の表面において、少なくとも該ガラス板に覆われていない領域全部を覆う前記保護層を形成する、請求項22又は23に記載の電子デバイス製造用基板の製造方法。
- 前記保護層形成工程において、前記樹脂膜の前記ガラス板側の表面において、該表面全部を覆う前記保護層を形成する、請求項22乃至24のいずれか1項に記載の電子デバイス製造用基板の製造方法。
- 前記樹脂膜形成工程において、片面又は両面の少なくとも一部に接着層を有する樹脂フィルムを用いる、請求項22乃至25のいずれか1項に記載の電子デバイス製造用基板の製造方法。
- 前記保護層形成工程後に、前記ガラス板上に、直接又は前記保護層を介してパターニングされた第1電極層を形成する第1電極形成工程を含む、請求項22乃至26のいずれか1項に記載の電子デバイス製造用基板の製造方法。
- 前記第1電極層上に、パターニングされた補助電極層を形成する補助電極層形成工程を含む、請求項27に記載の電子デバイス製造用基板の製造方法。
- 前記補助電極層上に、パターニングされた絶縁層を形成する絶縁層形成工程を含む、請求項28に記載の電子デバイス製造用基板の製造方法。
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