JP2017152566A - 発光装置、バックライト、表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】バックライトとして用いたときに良好な色再現性を示す新規な発光装置を提供する。【解決手段】励起光を射出する励起光源と、励起光を吸収し、励起光よりも長波長の蛍光に変換して射出する複数の第１粒子と、第１粒子から射出される蛍光のうち一部の光を吸収し、一部の光よりも長波長の光に変換して射出する複数の第２粒子と、を備え、第１粒子は、３価テルビウムが賦活された蛍光体を含み、蛍光は、３価テルビウムの励起エネルギー準位に応じた複数の発光ピークを有し、５１０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の波長帯域に発光ピークを有する第１光と、４７０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の波長帯域に発光ピークを有するサブ光と、を含み、第２粒子は、サブ光を吸収し、サブ光よりも長波長の光である第２光を射出し、複数の第２粒子のうち少なくとも一部は、第１粒子に対し励起光源とは反対側に配置されている発光装置。【選択図】図２

Description

本発明は、発光装置、バックライト、表示装置に関するものである。

従来、励起光を射出する光源と、励起光を吸収し励起光とは異なる波長の光を射出する波長変換層と、を有する発光装置が知られている。以下の説明においては、上述のような発光装置のことを「波長変換方式」の発光装置と称することがある。また、波長変換層から射出される「励起光とは異なる波長の光」のことを「変換光」と称することがある。例えば、波長変換層において蛍光体を用いて波長を変換する場合、変換光は蛍光体が発する蛍光である。

上述したような波長変換方式の発光装置としては、励起光と変換光とが混色され、全体として白色光を射出する装置構成が知られている。このような発光装置は、表示装置のバックライトとして好適に用いられている。

波長変換方式の発光装置をバックライトとして用いる場合、一般に、変換光の発光スペクトルの半値全幅（Full width at half maximum, FWHM)が狭い方が、表示装置の色再現性が向上することが知られている。そのため、波長変換方式の発光装置においては、変換光の発光スペクトルの半値全幅を狭くする検討が行われている。

例えば、Ｔｂ^３＋が賦活された緑色蛍光体を用いた発光装置が検討されている（例えば、特許文献１〜３参照）。特許文献１〜３に記載の発光装置において用いられている緑色蛍光体は、緑色の波長帯域に含まれる５５０ｎｍ付近に、Ｔｂ^３＋に由来するシャープな発光ピークを有している。

特許第４４１３９５５号公報 特許第４１９９２６７号公報 国際公開第２０１１／０２７５１１号

上記特許文献１〜３に記載の発光装置において用いられている緑色蛍光体は、５５０ｎｍ付近に現れる発光ピークの他に、５００ｎｍ付近にもＴｂ^３＋に由来する発光ピークを有している。以下、Ｔｂ^３＋が賦活された緑色蛍光体において５００ｎｍ付近に現れる発光ピークを「サブピーク」と称することがある。特許文献１〜３に記載の発光装置では、サブピークの光も外部に射出して利用する構成となっているが、サブピークの光は発光装置の色再現性を低下させており、改善の余地が残されていた。

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、バックライトとして用いたときに良好な色再現性を示す新規な発光装置を提供することを目的とする。また、このような発光装置を備え良好な色再現性を示すバックライトおよび表示装置を提供することをあわせて目的とする。

上記の課題を解決するため、本発明の一形態は、励起光を射出する励起光源と、前記励起光を吸収し、前記励起光よりも長波長の蛍光に変換して射出する複数の第１粒子と、前記第１粒子から射出される蛍光のうち一部の光を吸収し、前記一部の光よりも長波長の光に変換して射出する複数の第２粒子と、を備え、前記第１粒子は、３価テルビウムが賦活された蛍光体を含み、前記蛍光は、３価テルビウムの励起エネルギー準位に応じた複数の発光ピークを有し、５１０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の波長帯域に発光ピークを有する第１光と、４７０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の波長帯域に発光ピークを有するサブ光と、を含み、前記第２粒子は、前記サブ光を吸収し、前記サブ光よりも長波長の光である第２光を射出し、前記複数の第２粒子のうち少なくとも一部は、前記第１粒子に対し前記励起光源とは反対側に配置されている発光装置を提供する。

本発明の一形態においては、前記第２光は、５８０ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長帯域に発光ピークを有する構成としてもよい。

本発明の一形態においては、前記第２光は、５１０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の波長帯域に発光ピークを有する構成としてもよい。

本発明の一形態においては、前記励起光を吸収し、５８０ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長帯域に発光ピークを有する第３光を射出する第３粒子を含む構成としてもよい。

本発明の一形態においては、前記複数の第１粒子を含み前記励起光源を覆う第１層と、前記複数の第２粒子を含み前記第１層を覆う第２層と、が積層されている構成としてもよい。

本発明の一形態においては、前記励起光源は、前記励起光として紫外光を射出する構成としてもよい。

本発明の一形態においては、４３０ｎｍ以上５１０ｎｍ未満の波長帯域に発光ピークを有する光を射出する光源を有する構成としてもよい。

本発明の一形態においては、前記励起光を吸収し、４３０ｎｍ以上５１０ｎｍ未満の波長帯域に発光ピークを有する光を射出する青色発光粒子を含む構成としてもよい。

また、本発明の一形態は、上記の発光装置を含み白色光を射出する白色発光装置を備えるバックライトを提供する。

また、本発明の一形態は、上記のバックライトと、前記白色発光装置から射出された白色光を変調する液晶パネルと、前記液晶パネルによって変調された光が入射するカラーフィルタと、を有する表示装置を提供する。

本発明によれば、バックライトとして用いたときに良好な色再現性を示す新規な発光装置を提供することができる。また、このような発光装置を備え良好な色再現性を示すバックライトおよび表示装置を提供することができる。

第１実施形態の発光装置を示す概略平面図。 第１実施形態の発光装置を示す矢視断面図。 Ｙ_２ＳｉＯ_５：Ｃｅ^３＋，Ｔｂ^３＋の発光スペクトル。 従来の課題について説明するｘｙ色度図。 青色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ、赤色カラーフィルタの透過スペクトルの一例を示す図。 液晶ディスプレイにおける色再現性を示すｘｙ色度図。 第１粒子で使用可能な蛍光体と、第２粒子で使用可能な蛍光体との組み合わせの例について説明する説明図。 第１粒子で使用可能な蛍光体と、第２粒子で使用可能な蛍光体との組み合わせの例について説明する説明図。 第１粒子で使用可能な蛍光体と、第２粒子で使用可能な蛍光体との組み合わせの例について説明する説明図。 第２実施形態に係る発光装置１０１の説明図。 第３実施形態の発光装置１０２を示す概略平面図。 第３実施形態の発光装置１０２を示す矢視断面図。 第４実施形態の発光装置１０３を示す概略平面図。 第４実施形態の発光装置１０３を示す矢視断面図。 第５実施形態の発光装置１０４を示す概略平面図。 第６実施形態の発光装置１０５を示す概略平面図。 第７実施形態のバックライトを示す模式図。 第８実施形態の表示装置を示す模式図。

［第１実施形態］
以下、図１〜図９を参照しながら、本発明の第１実施形態に係る発光装置について説明する。なお、以下の全ての図面においては、図面を見やすくするため、各構成要素の寸法や比率などは適宜異ならせてある。

図１は、本実施形態の発光装置を示す概略平面図である。図２は、図１の線分II−IIにおける矢視断面図である。

図１，２に示すように、本実施形態の発光装置１００は、励起光源３０、複数の第１粒子１１１、複数の第２粒子１２１を有している。また、発光装置１００は、基板１０、隔壁２０、光源３１、第１電極３５、第２電極３６、絶縁部３９、第１封止樹脂１１２、第２封止樹脂１２２を有している。
以下、順に説明する。

基板１０としては、透明基板及び不透明基板のいずれも用いることができる。不透明基板の形成材料としては、例えばセラミックスなどの無機材料や、樹脂材料などが挙げられる。また、金属基板の表面に絶縁処理を施したものを用いることもできる。透明基板の形成材料としては、例えばガラス、石英ガラス、窒化ケイ素等の無機物や、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂等の樹脂材料などが挙げられる。また、光透過性を備えるならば、これらの材料を積層または混合して形成された複合材料を用いた基板を採用することもできる。また、基板１０の表面には、樹脂材料を用いて公知の平坦化層を形成していてもよい。

基板１０の上には、隔壁２０、第１電極３５、第２電極３６、絶縁部３９が設けられている。

隔壁２０は、励起光源３０および光源３１の周囲を囲むように形成されており、平面視矩形の開口部２１を有している。隔壁２０は、例えば絶縁性の樹脂材料で形成されている。

隔壁２０の形成材料としては、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂などを挙げることができる。隔壁２０の側壁は、光反射性の材料で覆われていてもよい。または、隔壁２０が光反射性の材料で形成されていてもよい。光反射性の材料としては、光透過性を有する樹脂材料中に酸化チタン等の高屈折率を有する無機フィラーが高濃度に分散された高反射性樹脂材料や、アルミニウム、銀等の金属材料を挙げることができる。隔壁２０の表面を覆う材料または隔壁２０の形成材料がアルミニウムや銀等の金属材料である場合には、後述の第１電極３５および第２電極３６とは絶縁するものとする。

第１電極３５、第２電極３６は、隔壁２０の開口部２１に露出するように設けられている。また、本実施形態の発光装置１００においては、平面視で第１電極３５および第２電極３６の間に絶縁部３９が配置されている。第１電極３５と第２電極３６との間に、絶縁部３９が介在することにより、第１電極３５と第２電極３６が絶縁されている。

絶縁部３９は、例えば絶縁性の樹脂材料で形成されている。絶縁部３９の形成材料としては、上述した隔壁２０の形成材料を挙げることができる。

絶縁部３９の表面は、光反射性の材料で覆われていてもよい。光反射性の材料としては、上述した隔壁２０の側壁を覆う材料を挙げることができる。または、絶縁部３９の形成材料は、樹脂材料中に酸化チタン等の高屈折率を有する無機フィラーが高濃度に分散された高反射性樹脂材料であってもよい。

励起光源３０は、励起光を射出する発光素子である。本実施形態においては、励起光源３０として、波長約３７０ｎｍの紫外光を射出する紫外光ＬＥＤを用いることとして説明する。

本実施形態の発光装置１００では、励起光源３０は、開口部２１内において第１電極３５の表面にシリコーン樹脂系のダイボンドペーストによって固定されている。

光源３１は、任意の光を射出する発光素子である。光源３１としては、発光装置１００が射出する光の色に応じて種々の波長の光を射出するものを用いることができる。本実施形態においては、光源３１として、４３０ｎｍ以上５１０ｎｍ未満の光、例えば波長約４５０ｎｍの青色光を射出する青色ＬＥＤを用いることとして説明する。

本実施形態の発光装置１００では、光源３１は、開口部２１内において第２電極３６の表面にシリコーン樹脂によって固定されている。光源３１は、第１電極３５の表面に固定されていてもよい。

なお、励起光源３０および光源３１は、第１電極３５および第２電極３６と導通可能であれば、開口部２１内に露出する第１電極３５、第２電極３６および絶縁部３９のどの位置に固定されていてもよい。以下の説明では、開口部２１と、開口部２１内に露出する第１電極３５、第２電極３６および絶縁部３９とで囲まれた空間のことを「キャビティ」と称することがある。また、「開口部２１内に露出する第１電極３５、第２電極３６および絶縁部３９」のことを「キャビティの底面」と称することがある。

ここで、キャビティの底面を構成する第１電極３５、第２電極３６および絶縁部３９を比較すると、絶縁部３９を形成する樹脂材料よりも、第１電極３５や第２電極３６の方が熱を伝えやすい。また、ＬＥＤである励起光源３０および光源３１は、使用により発熱するが、一方で温度が上がると発光特性が低下することが知られている。そのため、励起光源３０および光源３１は、第１電極３５および第２電極３６の上に固定し、第１電極３５および第２電極３６を介した放熱を利用可能な構成とすることが好ましい。

励起光源３０は、配線３０ａ，３０ｂを用いて第１電極３５および第２電極３６と電気的に接続されている。また、光源３１は、配線３１ａ，３１ｂを用いて第１電極３５および第２電極３６と電気的に接続されている。配線３０ａ，３０ｂ，３１ａ，３１ｂは、例えばワイヤボンディングにより形成された金ワイヤである。

本実施形態の発光装置１００は、隔壁２０が形成する開口部２１内に、波長変換層５０を有している。波長変換層５０は、励起光源３０を覆う第１層１１０と、第１層１１０を覆う第２層１２０と、を有している。発光装置１００においては、励起光源３０の上方で、第１層１１０と第２層１２０とが積層している。第１層１１０は、複数の第１粒子１１１を含んでいる。第２層１２０は、複数の第２粒子１２１を含んでいる。

第１粒子１１１は、励起光源３０から射出された励起光を吸収し、励起光よりも長波長の蛍光に変換して射出する。

第１粒子１１１は、３価テルビウム（Ｔｂ^３＋）が賦活された緑色蛍光体を含んでいる。第１粒子１１１に含まれる蛍光体は、Ｔｂ^３＋イオンを含みＴｂ^３＋イオンの４ｆ−４ｆ遷移を起源とした緑色発光を有する材料であれば、特に限定されない。このような蛍光体としては、Ｙ_２ＳｉＯ_５：Ｃｅ^３＋，Ｔｂ^３＋、ＣａＡｌ_２Ｏ_４：Ｃｅ^３＋，Ｔｂ^３＋、Ｃａ_３Ｙ_２（Ｓｉ_３Ｏ_９）_２：Ｃｅ^３＋，Ｔｂ^３＋、Ｃｅ−α−ＳｉＡｌＯＮ：Ｔｂ^３＋を挙げることができる。

複数の第１粒子１１１は、励起光源３０に対しキャビティの底面とは反対側に配置されている。本実施形態の発光装置１００では、複数の第１粒子１１１は、例えば熱硬化性のシリコーン樹脂を形成材料とする第１封止樹脂１１２に分散して励起光源３０の上に配置されている。具体的には、複数の第１粒子１１１は、熱硬化性のシリコーン樹脂と混練した組成物として励起光源３０の上に配置され、例えば１５０℃で３時間加熱してシリコーン樹脂を硬化させることで固定されている。

第２粒子１２１は、第１粒子１１１から射出される蛍光のうち一部の光を吸収し、吸収した一部の光よりも長波長の光に変換して射出する。

ここで、第１粒子１１１から射出される蛍光は、３価テルビウムの励起エネルギー準位に応じた複数の発光ピークを有し、５１０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の波長帯域に発光ピークを有する第１光と、４７０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の波長帯域に発光ピークを有するサブ光とを含んでいる。第２粒子１２１は、第１粒子１１１が射出する蛍光のうち、サブ光を吸収し、サブ光よりも長波長の光である第２光を射出する。

このような第２粒子１２１としては、光を吸収し、５８０ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長帯域に発光ピークを有する光を射出する赤色蛍光体を含んでいるものを採用できる。このような赤蛍光体としては、Ｋ_２Ｓｉ_２Ｆ_６：Ｍｎ^４＋、ＣａＡｌＳｉＮ_３：Ｅｕ^２＋（ＣＡＳＮ：Ｅｕ^２＋）を挙げることができる。この場合、第２光は赤色光である。

なお、上述の赤色蛍光体は、サブ光を吸収して第２光を射出するのみならず、励起光源３０から射出される励起光を吸収して第２光を射出してもよい。

また、このような第２粒子１２１としては、光を吸収し、５１０ｎｍ以上５５０ｎｍ未満の波長帯域に発光ピークを有する光を射出する緑色蛍光体を含んでいるものも採用できる。このような緑色蛍光体としては、β−ＳｉＡｌＯＮを挙げることができる。この場合、第２光は緑色光である。

複数の第２粒子１２１のうち少なくとも一部は、第１粒子１１１に対し励起光源３０とは反対側に配置されている。本実施形態の発光装置１００では、複数の第２粒子１２１は、例えば熱硬化性のシリコーン樹脂を形成材料とする第２封止樹脂１２２に分散して励起光源３０の上に配置されている。具体的には、複数の第１粒子１１１は、熱硬化性のシリコーン樹脂と混練した組成物として開口部２１の内部に配置され、シリコーン樹脂を硬化させることで固定されている。そのため、複数の第２粒子１２１は、一部が励起光源３０と平面的に重なって配置され、また一部は、光源３１と平面的に重なって配置されている。

なお、発光装置１００は、開口部２１の内部に耐静電素子として定電圧ダイオード（ツェナーダイオード）を実装してもよい。
本実施形態の発光装置１００は、以上のような構成となっている。

次に、本実施形態の発光装置１００の効果について、従来の課題について説明した後に説明する。

図３は、第１粒子１１１に含まれる蛍光体として用いられるＹ_２ＳｉＯ_５：Ｃｅ^３＋，Ｔｂ^３＋の発光スペクトルである。Ｙ_２ＳｉＯ_５：Ｃｅ^３＋，Ｔｂ^３＋は、Ｔｂ^３＋が賦活された緑色蛍光体である。

Ｙ_２ＳｉＯ_５：Ｃｅ^３＋，Ｔｂ^３＋は、紫外光領域の光で励起し、５４０ｎｍ付近の波長帯域に発光ピークを有する光を発する。図中、この発光ピークは「第１発光ピーク」として示している。第１発光ピークは、^５Ｄ_４→^７Ｆ_５遷移による発光である。

また、Ｙ_２ＳｉＯ_５：Ｃｅ^３＋，Ｔｂ^３＋は、４７０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の波長領域に発光ピークを有する光を発する。図中、この発光ピークは「第２発光ピーク」として示している。第２発光ピークは、^５Ｄ_４→^７Ｆ_６遷移による発光である。この発光ピークは、本発明における「サブ光」である。

その他、Ｙ_２ＳｉＯ_５：Ｃｅ^３＋，Ｔｂ^３＋は、５７０ｎｍ以上６００ｎｍ以下の波長領域と、６２０ｎｍ以上６３０ｎｍ以下の波長領域にそれぞれ発光ピークを有する光を発する。図中、５７０ｎｍ以上６００ｎｍ以下の波長領域の発光ピークは「第３発光ピーク」、６２０ｎｍ以上６３０ｎｍ以下の波長領域の発光ピークは「第４発光ピーク」として示している。第３発光ピークは、^５Ｄ_４→^７Ｆ_４遷移による発光であり、第４発光ピークは、^５Ｄ_４→^７Ｆ_３遷移による発光である。

上述した第１発光ピークから第４発光ピークは、蛍光体に含まれるＴｂ^３＋の４ｆ−４ｆ遷移を起源としたピークである。そのため、Ｔｂ^３＋が賦活された蛍光体であれば、ピーク位置の多少の移動はあったとしても、ほぼ同様の位置に発光ピークが現れる。

また、第１発光ピークは、緑色を示す波長帯域に含まれており、半値全幅が狭いため、光源から射出する光として適している。第１発光ピークを利用した光源とすると、第２発光ピーク〜第４発光ピークは不要な光となる。中でも、第１発光ピークに対して、第３発光ピークや第４発光ピークはほぼ無視できるほどに弱い光であるが、第２発光ピークは、相対的に強度が大きい光であり、無視することができない。

また、第２発光ピークが現れる波長帯域は、緑色の色純度に大きな悪影響を及ぼす。図４に示すｘｙ色度図において、符号αで示す色度座標の波長５４０ｎｍ付近の光と符号βで示す色度座標の波長５２０ｎｍ付近の光とが混色した場合、得られる光は、符号αで示す色度座標と符号βで示す色度座標を結んだ直線上の色度座標となる。このような光は、ｘｙ色度図の周囲（スペクトル軌跡）の単色光に近い光となり易く、色純度は低下しにくい。一方で、符号αで示す色度座標の光と符号γで示す色度座標の波長４８０ｎｍの光とが混色した場合、得られる光は、符号αで示す色度座標と符号γで示す色度座標を結んだ直線上の色度座標となる。このような光は、ｘｙ色度図の内側の領域で示されるような彩度が低い光となり、色純度が低下しやすい。

さらに、第２発光ピークの光（サブ光）は、緑色の等色関数のピーク位置である５５０ｎｍから大きく外れた波長帯域の光である。等色関数のピーク位置に近い波長の光は、人間が知覚しやすく等色関数のピーク位置から離れた波長の光は、人間が知覚しにくい。すなわち、同じ強度であれば、第２発光ピークの光は、第１発光ピークの光と比べて知覚しにくい。そのため、同じ強度であれば、第１発光ピークの光と第２発光ピークの光とを含む緑色光は、第１発光ピークのみの緑色光と比べると知覚しにくく、暗く感じる。

このように、第２発光ピークの光は、色純度、明るさの観点から不要であり、除去するほうが好ましい光と言える。しかし、Ｔｂ^３＋が賦活された蛍光体において、蛍光体の母体材料や結晶構造等によりピーク強度は変化したとしても、第２発光ピーク〜第４発光ピークを完全に無くすことは困難である。

このように、Ｔｂ^３＋が賦活された蛍光体は、半値全幅が狭い緑色光を射出可能であるが、サブ光が存在するため、得られる蛍光の色純度が低下しやすいという課題がある。

このような課題に対する解決方法の１つとして、本実施形態の発光装置１００を白色バックライトとして採用する液晶ディスプレイにおいて、カラーフィルタを透過させる際にサブ光を透過させず除去することが考えられる。

図５は、一般に液晶ディスプレイに用いられる青色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ、赤色カラーフィルタの透過スペクトルの一例である。このようなカラーフィルタを有する液晶ディスプレイにおいては、白色バックライトから射出された光をそれぞれのカラーフィルタを透過させることで色光とし、画像表示を行う。

しかし、図に示すカラーフィルタでは、符号Ｘで示す４７０ｎｍ以上５３０ｎｍ以下の波長帯域において、青色カラーフィルタおよび緑色カラーフィルタのいずれも光を透過させる。すなわち、図に示すカラーフィルタに４７０ｎｍ以上５３０ｎｍ以下の波長帯域の光を照射すると、当該光は、青色カラーフィルタおよび緑色カラーフィルタのいずれにおいても透過する。

そのため、図３に示すような発光スペクトルを示す光を、図５に示すような透過スペクトルを示すカラーフィルタに照射しても、サブ光は除去されないため、緑色の色純度が低下する。また、サブ光は青色カラーフィルタも透過するため、青色の色純度が低下する。さらに、サブ光が除去されない場合、カラーフィルタを透過して射出される緑色光は、上述したようにｘｙ色度図の内側の領域で示されるような彩度が低い光となる。

図６は、液晶ディスプレイにおける色再現性を示すｘｙ色度図である。赤色カラーフィルタ、青色カラーフィルタをそれぞれ透過して得られる赤色光、青色光が単一ピークで半値全幅の狭い理想的な発光ピークを示す場合、例えば、緑色光が波長５４０ｎｍの純色の光である場合、図中破線で示すような範囲の色を再現可能な液晶ディスプレイとすることができる。一方、緑色蛍光体から射出されたサブ光がカラーフィルタで除去されない場合、例えば、図中実線で示すような範囲の色を再現可能な液晶ディスプレイとなる。図に示すｘｙ色度図において、実線で囲む範囲は、破線で囲む範囲よりも狭く、色再現性が低下してしまうことが分かる。

これに対し、本実施形態の発光装置１００では、第１粒子１１１からは、図３に示すようなサブ光を含む光が射出されるが、第１粒子１１１に対し励起光源３０とは反対側に配置された第２粒子１２１が、第１粒子１１１から射出されたサブ光を効率良く吸収する。さらに、第２粒子１２１は、、サブ光よりも長波長の光である第２光を射出する。具体的には、第２粒子１２１に含まれる蛍光体が赤色蛍光体の場合には、第２粒子１２１は、サブ光を吸収し第２光として赤色光を射出する。第２粒子１２１に含まれる蛍光体が緑色蛍光体の場合には、第２粒子１２１は、サブ光を吸収し第２光として、サブ光よりも長波長の緑色光を射出する。

このように、発光装置１００においては、サブ光を第２粒子１２１で吸収するのみならず、発光装置１００から射出する光として利用可能な波長の光に変換して射出する。そのため、単にサブ光を除去して上述した不具合を解消する場合よりも、エネルギー効率良く所望の光を取り出すことができる。

図７〜９は、本実施形態の発光装置１００において、第１粒子１１１で使用可能な蛍光体と、第２粒子１２１で使用可能な蛍光体との組み合わせの例について説明する説明図である。

図７は、第１粒子１１１で使用可能な蛍光体であるＹ_２ＳｉＯ_５：Ｃｅ^３＋，Ｔｂ^３＋の発光スペクトル、第２粒子１２１で使用可能な緑色蛍光体であるβ−ＳｉＡｌＯＮの吸収スペクトルおよび発光スペクトルである。図中、β−ＳｉＡｌＯＮの吸収スペクトルは符号Ａ１、発光スペクトルは符号Ｅ１で示している。

図に示すように、β−ＳｉＡｌＯＮの吸収スペクトルは、Ｙ_２ＳｉＯ_５：Ｃｅ^３＋，Ｔｂ^３＋のサブ光の波長帯域と重なっており、Ｙ_２ＳｉＯ_５：Ｃｅ^３＋，Ｔｂ^３＋の第１発光ピークの波長帯域とは重なっていない。さらに、β−ＳｉＡｌＯＮの発光スペクトルは、サブ光よりも長波長の波長帯域にある。そのため、これら材料の組合せで発光装置１００を作製すると、好適にサブ光を除去し、変換された波長を射出する発光装置とすることができる。

図８は、第１粒子１１１で使用可能な蛍光体であるＹ_２ＳｉＯ_５：Ｃｅ^３＋，Ｔｂ^３＋の発光スペクトル、第２粒子１２１で使用可能な赤色蛍光体であるＣａＡｌＳｉＮ_３：Ｅｕ^２＋の吸収スペクトルおよび発光スペクトルである。図中、ＣａＡｌＳｉＮ_３：Ｅｕ^２＋の吸収スペクトルは符号Ａ２、発光スペクトルは符号Ｅ２で示している。

図に示すように、ＣａＡｌＳｉＮ_３：Ｅｕ^２＋の吸収スペクトルは、Ｙ_２ＳｉＯ_５：Ｃｅ^３＋，Ｔｂ^３＋のサブ光の波長帯域と重なっている。また、Ｙ_２ＳｉＯ_５：Ｃｅ^３＋，Ｔｂ^３＋の第１発光ピークの波長帯域にも重なっているが、第１発光ピークの波長帯域における吸収率が、サブ光の波長帯域における吸収率よりも小さい。さらに、ＣａＡｌＳｉＮ_３：Ｅｕ^２＋の発光スペクトルは、サブ光よりも長波長の波長帯域にある。

本来であれば、第２粒子１２１を構成する蛍光体の吸収スペクトルがＹ_２ＳｉＯ_５：Ｃｅ^３＋，Ｔｂ^３＋のサブ光のみを吸収する領域にあるのが望ましい。しかし、第２粒子１２１として図８に示すような蛍光体を用いる場合であっても、第２粒子１２１を構成する蛍光体がＹ_２ＳｉＯ_５：Ｃｅ^３＋，Ｔｂ^３＋の第１発光ピーク、サブ光いずれも吸収し、かつ第１発光ピークの波長帯域における吸収率がサブ光の波長帯域における吸収率より小さい場合には、蛍光体の混合量を調整すればサブ光を除去可能である。
そのため、これらの材料を用いて発光装置１００を作製する場合には、ＣａＡｌＳｉＮ_３：Ｅｕ^２＋の使用量を調整することで、好適にサブ光を除去し、変換された波長を射出する発光装置とすることができる。

図９は、第１粒子１１１で使用可能な蛍光体であるＹ_２ＳｉＯ_５：Ｃｅ^３＋，Ｔｂ^３＋の発光スペクトル、第２粒子１２１で使用可能な赤色蛍光体であるＫ_２ＳｉＦ_６：Ｅｕ^２＋の吸収スペクトルおよび発光スペクトルである。図中、Ｋ_２ＳｉＦ_６：Ｅｕ^２＋の吸収スペクトルは符号Ａ３、発光スペクトルは符号Ｅ３で示している。

図に示すように、Ｋ_２ＳｉＦ_６：Ｅｕ^２＋の吸収スペクトルは、Ｙ_２ＳｉＯ_５：Ｃｅ^３＋，Ｔｂ^３＋のサブ光の波長帯域と重なっており、Ｙ_２ＳｉＯ_５：Ｃｅ^３＋，Ｔｂ^３＋の第１発光ピークの波長帯域とは重なっていない。さらに、Ｋ_２ＳｉＦ_６：Ｅｕ^２＋の発光スペクトルは、サブ光よりも長波長の波長帯域にある。そのため、これら材料の組合せで発光装置１００を作製すると、好適にサブ光を除去し、変換された波長を射出する発光装置とすることができる。

例えば、上述した発光装置１００において、第１粒子１１１にＹ_２ＳｉＯ_５：Ｃｅ^３＋，Ｔｂ^３＋が含まれ、第２粒子１２１にＫ_２ＳｉＦ_６：Ｅｕ^２＋が含まれることとする。この場合、光源３１から波長４５０ｎｍの青色光が射出される。また、励起光源３０から射出される波長３７０ｎｍの紫外光を吸収した第１粒子１１１が、緑色光を射出する。さらに、励起光源３０から射出された励起光、光源３１から射出された青色光、第１粒子１１１から射出されたサブ光を吸収した第２粒子１２１が、赤色光を射出する。このような発光装置１００からは、これら青色光、緑色光、赤色光が混色した白色光が射出される。

ここで、上記発光装置１００では、各色光の半値全幅が狭い。さらに、発光装置１００からは第１粒子１１１が射出するサブ光が除去されている。そのため、以上のような構成の発光装置１００によれば、バックライトとして用いたときに良好な色再現性を示す新規な発光装置となる。

［第２実施形態］
図１０は、本発明の第２実施形態に係る発光装置１０１の説明図である。以下の実施形態において、既に説明した実施形態と共通する構成要素については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。

発光装置１０１は、隔壁２０が形成する開口部２１内に、波長変換層５１を有している。波長変換層５１では、複数の第１粒子１１１と、複数の第２粒子１２１とが、例えば熱硬化性のシリコーン樹脂を形成材料とする封止樹脂１１３に均一に分散している。波長変換層５１は、励起光源３０および光源３１の上に配置されている。具体的には、複数の第１粒子１１１と、複数の第２粒子１２１とは、熱硬化性のシリコーン樹脂と混練した組成物として開口部２１内に配置され、例えば１５０℃で３時間加熱してシリコーン樹脂を硬化させることで固定されている。

このような構成の発光装置１０１であっても、一部の第２粒子１２１は、一部の第１粒子１１１に対し励起光源３０とは反対側に配置されている。そのため、第２粒子１２１は、第１粒子１１１から射出されるサブ光を吸収して、サブ光よりも長波長の光を射出することができる。

そのため、以上のような構成の発光装置１０１によれば、第１実施形態の発光装置１００と同様の効果が得られ、バックライトとして用いたときに良好な色再現性を示す新規な発光装置となる。

［第３実施形態］
図１１は、第３実施形態の発光装置１０２を示す概略平面図である。図１２は、図１１の線分XII−XIIにおける矢視断面図である。図１１は、第１実施形態の図１に対応した図であり、図１２は、第１実施形態の図２に対応した図である。

発光装置１０２は、隔壁２０が形成する開口部２１内に励起光源３０を有しており、さらに励起光源３０を覆う波長変換層５２を有している。

波長変換層５２は、励起光源３０を覆う第１層１３０と、第１層１３０を覆う第２層１２０と、を有している。第１層１３０は、複数の第１粒子１１１と、複数の青色発光粒子１３１とを含んでいる。第２層１２０は、複数の第２粒子１２１を含んでいる。

青色発光粒子１３１は、励起光源３０から射出された紫外線（励起光）を吸収し、４３０ｎｍ以上５１０ｎｍ未満の波長帯域に発光ピークを有する光を射出する青色蛍光体を含んでいる。このような青色蛍光体としては、Ｓｒ_２Ｐ_２Ｏ_７：Ｓｎ^４＋、Ｓｒ_４Ａｌ_１１Ｏ_２５：Ｅｕ^２＋、ＢａＭｇＡｌ_１０Ｏ_１７：Ｅｕ^２＋、ＳｒＧａ_２Ｓ_４：Ｃｅ^３＋、ＣａＧａ_２Ｓ_４：Ｃｅ^３＋、（Ｂａ，Ｓｒ）（Ｍｇ，Ｍｎ）Ａｌ_１０Ｏ_１７：Ｅｕ^２＋、（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ，Ｍｇ）_１０（ＰＯ_４）_６Ｃｌ_２：Ｅｕ^２＋、ＢａＡｌ_２ＳｉＯ_８：Ｅｕ^２＋、Ｓｒ_２Ｐ_２Ｏ_７：Ｅｕ^２＋、Ｓｒ_５（ＰＯ_４）_３Ｃｌ：Ｅｕ^２＋、（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ）_５（ＰＯ_４）_３Ｃｌ：Ｅｕ^２＋、ＢａＭｇ_２Ａｌ_１６Ｏ_２７：Ｅｕ^２＋、（Ｂａ，Ｃａ）_５（ＰＯ_４）Ｃｌ：Ｅｕ^２＋、Ｂａ_３ＭｇＳｉ_２Ｏ_８：Ｅｕ^２＋、Ｓｒ_３ＭｇＳｉ_２Ｏ_８：Ｅｕ^２＋などを挙げることができる。

以上のような構成の発光装置１０２によっても、第１実施形態の発光装置１００と同様の効果が得られ、バックライトとして用いたときに良好な色再現性を示す新規な発光装置とすることができる。

なお、本実施形態の発光装置１０２においては、複数の第１粒子１１１と、複数の青色発光粒子１３１とを含む第１層１３０と、複数の第２粒子１２１を含む第２層１２０とを有することとしたが、これに限らない。本実施形態に発光装置においては、第１粒子１１１、第２粒子１２１および青色発光粒子１３１がすべて含まれる層により、励起光源３０が覆われる構成であってもよい。

［第４実施形態］
図１３は、第４実施形態の発光装置１０２を示す概略平面図である。図１４は、図１３の線分XIV−XIVにおける矢視断面図である。図１３は、第１実施形態の図１に対応した図であり、図１４は、第１実施形態の図２に対応した図である。

発光装置１０３は、隔壁２０を有している。隔壁２０は、開口部２１をさらに２つのサブ開口部２１ｘ、２１ｙに分割するサブ隔壁２０ｘを有している。サブ隔壁２０ｘは、隔壁２０と同じ形成材料を用い、同時に形成することができる。また、サブ隔壁２０ｘの表面は、光反射性の材料で覆われていてもよい。

サブ開口部２１ｘ内には、励起光源３０が配置され、さらに励起光源３０を覆う波長変換層５０が設けられている。本実施形態の波長変換層５０においては、第２粒子１２１に緑色蛍光体であるβ−ＳｉＡｌＯＮが含まれていることとする。

一方、サブ開口部２１ｙ内には、光源３１が配置され、さらに光源３１を覆う波長変換層５３が設けられている。波長変換層５３は、複数の赤色発光粒子１４１と、例えば熱硬化性のシリコーン樹脂を形成材料とする封止樹脂１４２と、を含んでいる。複数の赤色発光粒子１４１は、封止樹脂１４２中に分散している。

赤色発光粒子１４１は、光源３１から射出された青色光を吸収し、５８０ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長帯域に発光ピークを有する光を射出する蛍光体を含んでいる。なかでも、赤色の光を射出する蛍光体を含んでいるとよい。

このような蛍光体としては、Ｙ_２Ｏ_２Ｓ：Ｅｕ^３＋、ＹＡｌＯ_３：Ｅｕ^３＋、Ｃａ_２Ｙ_２（ＳＩＯ_４）_６：Ｅｕ^３＋、ＬｉＹ_９（ＳｉＯ_４）_６Ｏ_２：Ｅｕ^３＋、ＹＶＯ_４：Ｅｕ^３＋、ＣａＳ：Ｅｕ^３＋、Ｇｄ_２Ｏ_３：Ｅｕ^３＋、Ｇｄ_２Ｏ_２Ｓ：Ｅｕ^３＋、Ｙ（Ｐ，Ｖ）Ｏ_４：Ｅｕ^３＋、（Ｌａ，Ｙ）_２Ｏ_２Ｓ：Ｅｕ^３＋、Ｍｇ_４ＧｅＯ_５Ｆ：Ｍｎ^４＋、Ｍｇ_４Ｇｅ_６：Ｍｎ^４＋、Ｋ_２ＳｉＦ_６：Ｍｎ^４＋、Ｋ_５Ｅｕ_２．５（ＷＯ_４）_６．２５、Ｓｒ_２Ｓｉ_５Ｏ_８：Ｅｕ^２＋、Ｎａ_５Ｅｕ_２．５（ＷＯ_４）_６．２５、Ｋ_５Ｅｕ_２．５（ＭｎＯ_４）_６．２５、Ｎａ_５Ｅｕ_２．５（ＭｏＯ_４）_６．２５、（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ_３：Ｅｕ^２＋、ＣａＡｌＳｉＮ_３：Ｅｕ^２＋、ＳｒＳｉＮ_２：Ｅｕ^２＋、ＳｒＳｒＡｌＳｉＮ_３：Ｅｕ^２＋、Ｃａ_２Ｓｉ_５Ｎ_８：Ｅｕ^２＋、Ｓｒ_２Ｓｉ_５Ｎ_８：Ｅｕ^２＋、Ｂａ_２ＡｌＳｉ_５Ｎ_８：Ｅｕ^２＋、Ｓｒ_２Ｓｉ_３Ｏ_２Ｎ_４：Ｅｕ^２＋、Ｓｒ_２Ｓｉ_３Ａｌ_２Ｏ_２Ｎ_５：Ｅｕ_２＋、ＳｒＳｃ_２Ｏ_４：Ｅｕ^２＋、（Ｓｒ，Ｂａ）_３ＳｉＯ_５：Ｅｕ_２＋、Ｍｇ_２ＴｉＯ_４：Ｍｎ^２＋などを用いることができる。

発光装置１０３においては、励起光源３０から射出される波長３７０ｎｍの紫外光を吸収した第１粒子１１１が、緑色光を射出する。また、励起光源３０から射出された励起光、第１粒子１１１から射出されたサブ光を吸収した第２粒子１２１が、緑色光を射出する。そのため、サブ開口部２１ｘからは、緑色光が射出される。

一方、光源３１からは、波長４５０ｎｍの青色光が射出される。また、光源３１から射出された青色光を吸収した赤色発光粒子１４１が、赤色光を射出する。そのため、サブ開口部２１ｙからは、青色光と赤色光とが射出される。

これらの結果、発光装置１０３からは、これら青色光、緑色光、赤色光が混色した白色光が射出される。以上のような構成の発光装置１０３によっても、第１実施形態の発光装置１００と同様の効果が得られ、バックライトとして用いたときに良好な色再現性を示す新規な発光装置とすることができる。また、サブ開口部２１ｘとサブ開口部２１ｙとが分けられているため、各色光のスペクトルの調整が容易である。

［第５実施形態］
図１５は、第５実施形態の発光装置１０４を示す概略平面図である。図１５は、第４実施形態の図１３に対応した図である。

発光装置１０４は、サブ開口部２１ｘ内には、励起光源３０が配置され、さらに励起光源３０を覆う波長変換層５０が設けられている。本実施形態の波長変換層５０においては、第２粒子１２１に赤色蛍光体であるＣａＡｌＳｉＮ_３：Ｅｕ^２＋が含まれていることとする。

一方、サブ開口部２１ｙ内には、光源３１が配置され、さらに光源３１を覆う透明樹脂層１５０が設けられている。透明樹脂層１５０の形成材料としては、例えば熱硬化性のシリコーン樹脂を用いることができる。

このような発光装置１０４においては、サブ開口部２１ｘからは、緑色光と赤色光とが射出される。一方、サブ開口部２１ｙからは青色光が射出される。

これらの結果、発光装置１０４からは、これら青色光、緑色光、赤色光が混色した白色光が射出される。以上のような構成の発光装置１０４によっても、第１実施形態の発光装置１００と同様の効果が得られ、バックライトとして用いたときに良好な色再現性を示す新規な発光装置とすることができる。また、サブ開口部２１ｘとサブ開口部２１ｙとが分けられているため、各色光のスペクトルの調整が容易である。

［第６実施形態］
図１６は、第６実施形態の発光装置１０５を示す概略平面図である。図１６は、第４実施形態の図１３に対応した図である。

発光装置１０５は、サブ開口部２１ｘ内には、励起光源３０が配置され、さらに励起光源３０を覆う波長変換層５０が設けられている。本実施形態の波長変換層５０においては、第２粒子１２１に赤色蛍光体であるＣａＡｌＳｉＮ_３：Ｅｕ^２＋が含まれていることとする。

一方、サブ開口部２１ｙ内には、励起光源３２が配置され、さらに励起光源３２を覆う波長変換層５４が設けられている。本実施形態においては、励起光源３２として、波長約３７０ｎｍの紫外光を射出する紫外光ＬＥＤを用いることとして説明する。

波長変換層５４は、複数の青色発光粒子１３１と、例えば熱硬化性のシリコーン樹脂を形成材料とする封止樹脂１４２と、を含んでいる。複数の青色発光粒子１３１は、封止樹脂１４２中に分散している。

このような発光装置１０５においては、サブ開口部２１ｘからは、緑色光と赤色光とが射出される。一方、サブ開口部２１ｙからは青色光が射出される。

これらの結果、発光装置１０５からは、これら青色光、緑色光、赤色光が混色した白色光が射出される。以上のような構成の発光装置１０５によっても、第１実施形態の発光装置１００と同様の効果が得られ、バックライトとして用いたときに良好な色再現性を示す新規な発光装置とすることができる。また、サブ開口部２１ｘとサブ開口部２１ｙとが分けられているため、各色光のスペクトルの調整が容易である。

［第７実施形態］
図１７は、第７実施形態のバックライトを示す模式図である。

本実施形態のバックライト５００は、発光装置５０１、導光板５０２、拡散板５０３、反射部材５０４を有している。

発光装置５０１は、上述した本発明に係る発光装置であって、白色光を射出するように構成を調整したものを用いる。

導光板５０２は、例えばアクリル樹脂等の光透過性を有する樹脂からなる板体である。導光板５０２の端面５０２ｘには、発光装置５０１が設けられている。導光板５０２は、発光装置５０１から射出された光を端面５０２ｘから入射させ、内部で伝播させる間に第１の主面５０２ａから射出させる機能を有する。導光板５０２としては、公知のものを用いることができる。

拡散板５０３は、導光板５０２の第１の主面５０２ａに面して設けられている。拡散板５０３は、第１の主面５０２ａから射出された光を拡散させ、光の進行方向を変更する機能を有する。拡散板５０３としては、公知のものを用いることができる。

反射部材５０４は、導光板５０２の第２の主面５０２ｂに面して設けられている。反射部材５０４は、第２の主面５０２ｂから射出された光を反射して、導光板５０２の内部に入射させる機能を有する。反射部材５０４で反射した光は、導光板５０２の内部に入射し、一部の光は導光板の内部を伝播せずに主面５０２ａから射出し、一部の光は更に導光板の内部を伝播した後に主面５０２ａから射出する。

反射部材５０４は、第２の主面５０２ｂと離間して設けられていてもよく、第２の主面５０２ｂに接して設けられていてもよい。反射部材５０４としては、公知のものを用いることができる。

以上のような構成のバックライト５００によれば、上述した本発明の発光装置を備え、良好な色再現性を示すものとなる。

［第８実施形態］
図１８は、第８実施形態の表示装置を示す模式図である。
本実施形態の表示装置１０００は、上述したバックライト５００と、バックライト５００から射出された白色光を変調する液晶装置６００と、を有する。

液晶装置６００は、第１基板６１０と、第２基板６２０と、第１基板６１０および第２基板６２０に挟持された液晶層６３０と、第１基板６１０に対向して設けられた第１偏光板６４０と、第２基板６２０に対向して設けられた第２偏光板６５０と、を備える。

第１基板６１０は、透明基板上にスイッチング素子等の素子層が形成された素子基板６１１と、素子基板６１１の液晶層６３０側に設けられた透明電極６１２と、を有している。

第２基板６２０は、透明基板６２１と、透明基板６２１の液晶層６３０側に設けられた格子状のブラックマトリクス６２２と、ブラックマトリクス６２２の液晶層６３０側に設けられたカラーフィルタ層６２３と、カラーフィルタ層６２３の液晶層６３０側に設けられた透明電極６２４と、を有している。

カラーフィルタ層６２３は、ブラックマトリクス６２２の開口に応じて設けられた赤色カラーフィルタ６２３Ｒ、緑色カラーフィルタ６２３Ｇ、青色カラーフィルタ６２３Ｂを有している。赤色カラーフィルタ６２３Ｒ、緑色カラーフィルタ６２３Ｇ、青色カラーフィルタ６２３Ｂの透過率は、例えば、図５に示したようなものである。

第１偏光板６４０と第２偏光板６５０は、互いの吸収軸が、例えばクロスニコルの配置で配置されている。

以上のような構成の表示装置１０００によれば、上述した本発明の発光装置を備え、良好な色再現性を示すものとなる。

以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。

例えば、上述した実施形態においては、第１粒子１１１に励起光を照射する励起光源３０は、紫外光を射出することとしたがこれに限らない。第１粒子１１１に用いるＴｂ^３＋が賦活された蛍光体が青色光で励起するものであれば、励起光源３０として青色光を射出するものを用いることができる。

また、上述した実施形態においては、第２粒子１２１が含まれる層において、第２粒子１２１のみ用いる構成について説明したがこれに限らない。例えば、第２粒子１２１として、上述した緑色蛍光体であるβ−ＳｉＡｌＯＮを含むものを用い、同じ層に励起光を吸収して５８０ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長帯域に発光ピークを有する第３光を射出する第３粒子を含むこととしてもよい。第３粒子としては、上述した赤色発光粒子を用いることができる。

以下に本発明を実施例により説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

評価にあたっては、以下に示す実施例および比較例の各構成について、射出される光のスペクトルを試算し、色再現性を評価した。
具体的には、まず、各構成の光源および各発光粒子から射出される光を混色した場合に得られる、理想的な白色のスペクトルを試算した。この際、白色スペクトルの色度座標はＪＩＳ Ｚ８７０１「色の表示方法」で示される標準の光Ｄ６５（０．３１２７，０．３２９０）とした。なお、計算上、各粒子が分散している封止樹脂は、光に対して影響を与えないものとして扱った。

次いで、算出された白色スペクトルと、図５に示すカラーフィルタの透過スペクトルとを掛け合わせ、青色画素、緑色画素、赤色画素を透過する光のスペクトル、および色度座標ｒ（ｘ，ｙ）、ｇ（ｘ，ｙ）、ｂ（ｘ，ｙ）を試算した。

ｘｙ色度図において得られたｒ（ｘ，ｙ）、ｇ（ｘ，ｙ）、ｂ（ｘ，ｙ）で囲まれた領域を色再現性領域とし、ＮＴＳＣ比、ＢＴ．２０２０比を算出した。

なお、ＮＴＳＣ比とは、ＮＴＳＣ（National Television System Committee：全米テレビジョン放送方式標準化委員会）規格に係るＮＴＳＣ色度領域の面積を基準（１００％）としたときの、色度領域における面積比のことである。
また、ＢＴ．２０２０比とは、ＩＴＵ−Ｒ（International Telecommunication Union Radiocommunications Sector：国際電気通信連合 無線通信部門）が策定したＢＴ．２０２０規格に係るＢＴ．２０２０色度領域の面積を基準（１００％）としたときの、色度領域における面積比のことである。
ＮＴＳＣ比、ＢＴ．２０２０比ともに、数値が大きいほど色再現性がよいことを意味する。

（実施例１，２）
上述した第２実施形態の図１０で示した発光装置を用いて白色発光装置のモデルを構成した。励起光源、光源、用いた第１粒子、第２粒子については表１にまとめて示す。第１粒子、第２粒子は、同じ層において分散しているものとした。

（実施例３〜６）
上述した第３実施形態の図１１，１２で示した発光装置を用いて白色発光装置のモデルを構成した。励起光源、光源、用いた第１粒子、第２粒子および青色発光粒子については表１にまとめて示す。第１粒子、第２粒子および青色発光粒子は、同じ層において分散しているものとした。

（比較例１，２）
波長変換層５０および波長変換層５３以外は、上述した第４実施形態の図１３，１４で示した発光装置１０３と同様の構成の白色発光装置のモデルを構成した。励起光源、光源、用いた第１粒子、第２粒子については、対応する番号の実施例と同じものを用いた。表１にまとめて示す。また、励起光源３０と同じサブ開口部２１ｘ内には、封止樹脂中に第１粒子が分散した波長変換層が配置され、光源３１と同じサブ開口部２１ｙ内には、封止樹脂中に第１粒子と第２粒子である赤色発光粒子とが分散した波長変換層が配置されているものとした。

（比較例３〜６）
波長変換層５０および波長変換層５４以外は、上述した第６実施形態の図１６で示した発光装置１０５と同様の構成の白色発光装置のモデルを構成した。励起光源、光源、用いた第１粒子、第２粒子および青色発光粒子については、対応する番号の実施例と同じものを用いた。表１にまとめて示す。また、励起光源３０と同じサブ開口部２１ｘ内には、封止樹脂中に第１粒子および青色発光粒子が分散した波長変換層が配置され、励起光源３２と同じサブ開口部２１ｙ内には、封止樹脂中に第２粒子である赤色発光粒子が分散した波長変換層が配置されているものとした。

（評価）
上記実施例１〜６、比較例１〜６の発光装置から射出される光について、赤色、緑色、青色の各色のカラーフィルタを透過させた。得られる赤色光、緑色光、青色光について、ＮＴＳＣ比およびＢＴ．２０２０比を求め、色再現性を評価した。

実施例の評価結果を表２、比較例の評価結果を表３にそれぞれ示す。

評価の結果、用いる第１粒子、第２粒子、青色発光粒子の種類が同じであっても、本願発明の構成を採用することで、色再現性が向上することが分かった。

以上の結果より、本発明が有用であることが分かった。

３０，３２…励起光源、３１…光源、１００〜１０５，５０１…発光装置、１１０，１３０…第１層、１１１…第１粒子、１２０…第２層、１２１…第２粒子、１３１…青色発光粒子、５００…バックライト、１０００…表示装置

Claims (10)

1. 励起光を射出する励起光源と、
   前記励起光を吸収し、前記励起光よりも長波長の蛍光に変換して射出する複数の第１粒子と、
   前記第１粒子から射出される蛍光のうち一部の光を吸収し、前記一部の光よりも長波長の光に変換して射出する複数の第２粒子と、を備え、
   前記第１粒子は、３価テルビウムが賦活された蛍光体を含み、
   前記蛍光は、３価テルビウムの励起エネルギー準位に応じた複数の発光ピークを有し、５１０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の波長帯域に発光ピークを有する第１光と、４７０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の波長帯域に発光ピークを有するサブ光と、を含み、
   前記第２粒子は、前記サブ光を吸収し、前記サブ光よりも長波長の光である第２光を射出し、
   前記複数の第２粒子のうち少なくとも一部は、前記第１粒子に対し前記励起光源とは反対側に配置されている発光装置。
2. 前記第２光は、５８０ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長帯域に発光ピークを有する請求項１に記載の発光装置。
3. 前記第２光は、５１０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の波長帯域に発光ピークを有する請求項１に記載の発光装置。
4. 前記励起光を吸収し、５８０ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長帯域に発光ピークを有する第３光を射出する第３粒子を含む請求項２または３に記載の発光装置。
5. 前記複数の第１粒子を含み前記励起光源を覆う第１層と、
   前記複数の第２粒子を含み前記第１層を覆う第２層と、が積層されている請求項１から４のいずれか１項に記載の発光装置。
6. 前記励起光源は、前記励起光として紫外光を射出する請求項１から５のいずれか１項に記載の発光装置。
7. ４３０ｎｍ以上５１０ｎｍ未満の波長帯域に発光ピークを有する光を射出する光源を有する請求項１から６のいずれか１項に記載の発光装置。
8. 前記励起光を吸収し、４３０ｎｍ以上５１０ｎｍ未満の波長帯域に発光ピークを有する光を射出する青色発光粒子を含む請求項１から６のいずれか１項に記載の発光装置。
9. 請求項１から８のいずれか１項に記載の発光装置を含み白色光を射出する白色発光装置を備えるバックライト。
10. 請求項９に記載のバックライトと、
    前記白色発光装置から射出された白色光を変調する液晶パネルと、
    前記液晶パネルによって変調された光が入射するカラーフィルタと、を有する表示装置。

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