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Abstract
Description
それぞれ異なる色を表示する複数の副画素を有する主画素と、前記主画素に隣接する第1画素ブロックと、前記第1画素ブロックに隣接し、前記第1画素ブロックと互いに電気的に接続された第2画素ブロックと、前記主画素及び前記第1画素ブロックを駆動する駆動部と、を備え、前記主画素、前記第1画素ブロック、及び、前記第2画素ブロックは、画像を表示する表示領域に位置し、前記第1画素ブロックは前記主画素よりも前記表示領域の外縁部に近く、また、前記第2画素ブロックは前記第1画素ブロックよりも前記表示領域の外縁部に近く、前記第2画素ブロックは、平面視で前記駆動部と重なっている、表示装置が提供される。
図1は、表示装置DSPの構成例を示す平面図である。図中において、第1方向X及び第2方向Yは、互いに交差し、一例では、互いに直交している。また、第1方向X及び第2方向Yによって規定されるX−Y平面に対して直交する法線方向から表示装置DSPを視認することを平面視という。
表示領域DAには、主画素PX及び画素ブロックBが配置されている。図中において、主画素PX及び画素ブロックBは、それぞれ四角で示している。四角の中に丸印が図示された主画素PX及び一部の画素ブロックBは、駆動部DRによって駆動される画素回路を備えている。四角の中に丸印が図示されていない画素ブロックBは、画素回路を備えていないため、画素回路を備えた画素ブロックBと互いに電気的に接続されている。
画素ブロックBとしては、例えば、画素ブロックB11乃至B13、画素ブロックB21乃至B23、画素ブロックB31乃至B36、画素ブロックB41乃至B46などが含まれる。
画素ブロックB11乃至B13は、図中において右下がりの斜線入りの四角で示し、第1方向Xに沿って並び、互いに電気的に接続されている。画素ブロックB11は、画素回路を備えた画素ブロック(以下、単に第1画素ブロックと称する場合がある)に相当し、主画素PXに隣接している。画素ブロックB12及びB13は、画素ブロックB11よりもシールSE(あるいは表示領域DAの外縁部)に近接する側に位置している。画素ブロックB12及びB13は、いずれも画素回路を備えていない画素ブロック(以下、第1画素ブロックと区別するために第2画素ブロック及び第3画素ブロックと称する場合がある)に相当する。画素ブロックB12は、画素ブロックB11に隣接し、画素ブロックB11と互いに接続されている。画素ブロックB13は、画素ブロックB12に隣接し、画素ブロックB12と互いに接続されている。図示した例では、画素ブロックB11は主画素PXよりも表示領域DAの外縁部DAXに近く、画素ブロックB12は画素ブロックB11よりも外縁部DAXに近く、また、画素ブロックB13は画素ブロックB12よりも外縁部DAXに近い。
画素ブロックB21乃至B23は、図中において右上がりの斜線入りの四角で示し、第2方向Yに沿って並び、互いに電気的に接続されている。画素ブロックB21は、第1画素ブロックに相当し、主画素PXに隣接している。画素ブロックB22及びB23は、画素ブロックB21よりもシールSEに近接する側に位置している。画素ブロックB22及びB23は、それぞれ第2画素ブロック及び第3画素ブロックに相当する。画素ブロックB22は、画素ブロックB21に隣接し、画素ブロックB21と互いに接続され、画素ブロックB23は、画素ブロックB22に隣接し、画素ブロックB22と互いに接続されている。図示した例では、画素ブロックB21は主画素PXよりも表示領域DAの外縁部DAYに近く、画素ブロックB22は画素ブロックB21よりも外縁部DAYに近く、また、画素ブロックB23は画素ブロックB22よりも外縁部DAYに近い。
画素ブロックB41乃至B46は、互いに電気的に接続されている。画素ブロックB41は画素回路を備えた第1画素ブロックに相当し、画素ブロックB42乃至B46はいずれも画素回路を備えていない画素ブロックに相当し、例えば、画素ブロックB42は第2画素ブロックに相当し、画素ブロックB43あるいはB44は第3画素ブロックに相当する。画素ブロックB41乃至B43は、第2方向Yに沿って並び、互いに電気的に接続されている。画素ブロックB42及びB44は、第1方向Xに隣接し、互いに電気的に接続されている。画素ブロックB44及びB45は、第2方向Yに隣接し、画素ブロックB45は、画素ブロックB43及びB44と互いに電気的に接続されている。画素ブロックB45及びB46は、第1方向Xに隣接し、互いに電気的に接続されている。
図4に示した構成例は、図2に示した構成例と比較して、ダミー電極を設けないという点で相違している。第1方向Xに沿って並んだ画素ブロックB11乃至B14は、互いに電気的に接続されている。第2方向Yに沿って並んだ画素ブロックB21乃至B24は、互いに電気的に接続されている。画素ブロックB14及びB24は、いずれもシールSEと隣接する位置に配置されている。
画素ブロックB31乃至B39は、互いに電気的に接続されている。なお、画素ブロックB31乃至B36の接続関係については図2を参照して説明した通りである。画素ブロックB33及びB37は、第1方向Xに隣接し、互いに電気的に接続されている。画素ブロックB35及びB38は、第1方向Xに隣接し、画素ブロックB38は画素ブロックB35及びB37と互いに電気的に接続されている。画素ブロックB38及びB39は、第2方向Yに隣接し、互いに電気的に接続されている。画素ブロックB37乃至B39は、いずれもシールSEと隣接する位置に配置されている。
画素ブロックB41乃至B50は、互いに電気的に接続されている。なお、画素ブロックB41乃至B46の接続関係については図2を参照して説明した通りである。画素ブロックB43及びB47は、第2方向Yに隣接し、互いに電気的に接続されている。画素ブロックB45及びB48は、第2方向Yに隣接し、画素ブロックB48は画素ブロックB45及びB47と互いに電気的に接続されている。画素ブロックB48、B49、及び、B50は、第1方向Xに並び、互いに電気的に接続されている。画素ブロックB47乃至B50は、いずれもシールSEと隣接する位置に配置されている。
画素ブロックB12乃至B14、B32、B33、及び、B37は、平面視で周辺回路Cr2と重なっている。画素ブロックB22乃至B24、B42乃至B45、B47、及び、B48は、平面視で周辺回路Cr1と重なっている。遮光層BMは、シールSEと重なり、画素ブロックB11乃至B14、B21乃至B24、B31乃至B39、及び、B41乃至B50のいずれとも重ならない。遮光層BMの幅は、シールSEの幅と同等以上であり、図示した例では、遮光層BMはシールSEよりも幅広である。但し、図示した構成例における遮光層BMの幅は、図2に示した構成例よりも細い。
このような構成例によれば、さらにシールSEと近接する領域まで表示領域DAを拡張することができる。
図5に示した構成例は、図4に示した構成例と比較して、遮光層を設けないという点で相違している。画素ブロックと周辺回路との位置関係については、図4に示した構成例と同様である。
このような構成例によれば、図4に示した構成例と同様に表示領域DAを拡張することができる。
図8は、主画素PXの一構成例を示す平面図である。主画素PXは、第1方向X及び第2方向Yに沿ったそれぞれの長さがほぼ等しい正方形状である。主画素PXは、4つの副画素P1乃至P4を有している。副画素P1乃至P4のそれぞれの面積はほぼ等しい。図示した例では、副画素P1乃至P4のそれぞれは、第1方向X及び第2方向Yに沿ったそれぞれの長さがほぼ等しい正方形状である。副画素P1及び副画素P2は、第1方向Xに並んでいる。副画素P3及び副画素P4は、第1方向Xに並んでいる。また、副画素P1及び副画素P3は、第2方向Yに並んでいる。副画素P2及び副画素P4は、第2方向Yに並んでいる。副画素P1乃至P4は、それぞれ異なる色を表示する。一例では、副画素P1は緑色(G)を表示し、副画素P2は赤色(R)を表示し、副画素P3は青色(B)を表示し、副画素P4は白色(W)を表示する。なお、図8に示す副画素P1乃至P4に対応する色は、一例であり、それぞれ対応する色が別の色であってもよい。ただし、青色(B)及び白色(W)の副画素は隣り合っていることが好ましい。さらに、赤色(R)及び緑色(G)の副画素は隣り合っていることが好ましい。
同様に、副画素P2はセグメントSG21乃至23を備え、副画素P3はセグメントSG31乃至33を備え、副画素P4はセグメントSG41乃至43を備えている。
同様に、副画素P2においては、画素電極PE21が接続部CT21により画素回路CR22と電気的に接続され、画素電極PE22が接続部CT22により画素回路CR21と電気的に接続され、画素電極PE23が接続部CT23により画素回路CR23と電気的に接続されている。副画素P3においては、画素電極PE31が接続部CT31により画素回路CR32と電気的に接続され、画素電極PE32が接続部CT32により画素回路CR33と電気的に接続され、画素電極PE33が接続部CT33により画素回路CR31と電気的に接続されている。副画素P4においては、画素電極PE41が接続部CT41により画素回路CR42と電気的に接続され、画素電極PE42が接続部CT42により画素回路CR41と電気的に接続され、画素電極PE43が接続部CT43により画素回路CR43と電気的に接続されている。
副画素P1は、画素電極PE11乃至PE13の各々と対向するカラーフィルタCF11乃至CF13を備えている。カラーフィルタCF11乃至CF13は、緑色カラーフィルタである。
同様に、副画素P2は画素電極PE21乃至PE23の各々と対向するカラーフィルタCF21乃至CF23を備え、副画素P3は画素電極PE31乃至PE33の各々と対向するカラーフィルタCF31乃至CF33を備え、副画素P4は画素電極PE41乃至PE43の各々と対向するカラーフィルタCF41乃至CF43を備えている。カラーフィルタCF21乃至CF23は赤色カラーフィルタであり、カラーフィルタCF31乃至CF33は青色カラーフィルタであり、カラーフィルタCF41乃至CF43は白色カラーフィルタあるいは透明層である。各カラーフィルタの間には、図中に斜線示した遮光層BMが配置されている。
なお上述したように、副画素P1乃至P4の色が図8に示す色とは異なる場合は、それぞれのカラーフィルタの色を変えればよい。
スイッチ部SW1は、半導体層SC、ゲート電極GE、ソース・ドレインに相当する第1電極E11及び第2電極E12を備えている。半導体層SCは、第1絶縁基板10の上に位置し、第1絶縁膜11によって覆われている。ゲート電極GEは、第1絶縁膜11の上に位置し、第2絶縁膜12によって覆われている。第1電極E11及び第2電極E12は、第2絶縁膜12の上に位置し、それぞれ半導体層SCにコンタクトし、第3絶縁膜13によって覆われている。ゲート電極GE、第1電極E11、及び、第2電極E12は、それぞれ図6に示した走査線G、信号線S、及び、ラッチ部LTと電気的に接続されている。
ノード電極ENは、図6に示したスイッチ部SW2及びSW3の各々の他端に接続された電極である。ノード電極ENは、第2絶縁膜12の上に位置し、第3絶縁膜13によって覆われている。画素電極PEは、第3絶縁膜13の上に位置し、第1配向膜AL1によって覆われている。画素電極PEは、第3絶縁膜13を貫通するコンタクトホールCHを介してノード電極ENにコンタクトしている。このようなコンタクトホールCHを介して画素電極PEと出力電極ENとが接続される部分は、図8を参照して説明した接続部CTに相当する。
第1絶縁膜11及び第2絶縁膜12は、シリコン窒化物やシリコン酸化物などの無機系材料によって形成されている。第3絶縁膜13は、樹脂などの有機系材料によって形成されている。なお、スイッチ部SW1のみならずノード電極ENを含む画素回路CRは、第1絶縁基板10と第3絶縁膜13との間に位置している。また、周辺回路Cr1乃至Cr4は、詳細を省略するが、スイッチ部SW1と同様のnチャネルMOSトランジスタ及びpチャネルMOSトランジスタを備えて構成されており、第1絶縁基板10と第3絶縁膜13との間に位置している。なお、図示した例では、スイッチ部SW1は、ゲート電極GEが半導体層SCよりも上方に位置するトップゲート型であるが、ゲート電極GEが半導体層SCよりも下方に位置するボトムゲート型であっても良い。また、図示したスイッチ部SW1は、1個のゲート電極GEが半導体層SCと対向するシングルゲート構造であるが、2個のゲート電極GEが半導体層SCと対向するダブルゲート構造であっても良い。
図11は、画素ブロックBの一構成例を示す平面図である。ここでは、図2に示した画素ブロックB11乃至B13の一構成例について説明する。図11に示した例では、画素ブロックB11は第1画素ブロックに相当し、画素ブロックB12は第2画素ブロックに相当し、画素ブロックB13は第3画素ブロックに相当する。
画素ブロックB11は、画素回路CR51乃至CR53と、反射電極RE1乃至RE3とを備えている。ここでは、画素回路CR51乃至CR53は、図中の一点鎖線で示した領域に形成されるものとし、その具体的な構成の図示は省略するが、図6に示した等価回路を実現できれば如何なる構成であっても良い。図示した例では、画素回路CR51乃至CR53は、図8に示した白色を表示する副画素P4の画素回路CR41乃至CR43と同一構成であり、白表示用のデータを保持可能に構成されている。つまり、画素ブロックB11は、緑色、赤色、青色、及び、白色の中で最も反射率の高い色である白色の副画素の階調データに基づいて駆動される。
反射電極RE1は、画素ブロックB11の中央部に位置し、四角形の形状を有し、その一部EAが画素回路CR52と重なる領域に延出している。反射電極RE1は、接続部CT1により画素回路CR52と電気的に接続されている。反射電極RE2は、反射電極RE1の外側に位置し、反射電極RE1を囲むとともに画素ブロックB12と隣接する位置に開口部OP2を有するC字形の形状を有している。反射電極RE2は、接続部CT2により画素回路CR51と電気的に接続されている。反射電極RE3は、反射電極RE2の外側(あるいは、画素ブロックB11の周縁部)に位置し、反射電極RE2を囲むとともに画素ブロックB12と開口部OP2との間に開口部OP3を有するC字形の形状を有している。反射電極RE3は、接続部CT3により画素回路CR53と電気的に接続されている。このような画素ブロックB11において、反射電極RE1、反射電極RE2、及び、反射電極RE3の面積比は、例えば、1:2:4(=20:21:22)である。
反射電極RE3及びRE6は、画素ブロックB11及び画素ブロックB12に跨る接続部C36により互いに接続されている。反射電極RE2及びRE5は、画素ブロックB11の開口部OP3、及び、画素ブロックB12の開口部OP6を通る接続部C25により互いに接続されている。反射電極RE1及びRE4は、画素ブロックB11の開口部OP2及びOP3、及び、画素ブロックB12の開口部OP5及びOP6を通る接続部C14により互いに接続されている。
画素ブロックB11は、ほぼ等しい面積で4分割され、それぞれの領域にカラーフィルタCF1乃至CF4を備えている。一例では、カラーフィルタCF1乃至CF4は、それぞれ、緑色(G)、赤色(R)、青色(B)、白色(W)のカラーフィルタである。図示した画素ブロックB11において、カラーフィルタCF1は左上の領域に位置し、カラーフィルタCF2は右上の領域に位置し、カラーフィルタCF3は左下の領域に位置し、カラーフィルタCF4は右下の領域に位置している。これらのカラーフィルタCF1乃至CF4は、いずれも反射電極RE1乃至RE3と対向している。
同様に、画素ブロックB12及びB13においてもカラーフィルタCF1乃至CF4がそれぞれ配置されている。画素ブロックB12のカラーフィルタCF1乃至CF4はいずれも反射電極RE4乃至RE6と対向し、画素ブロックB13のカラーフィルタCF1乃至CF4はいずれも反射電極RE7乃至RE9と対向している。各画素ブロックの間、及び、各カラーフィルタの間には、図中に斜線示した遮光層BMが配置されている。
画素ブロックB31及びB32は第1方向Xに隣接し、画素ブロックB32及びB34は第2方向Yに隣接している。
画素ブロックB31は、詳述しないが図11に示した画素ブロックB11と同様に構成され、図示しない画素回路及び反射電極RE11乃至RE13を備えている。反射電極RE11乃至RE13の形状は、図11に示した反射電極RE1乃至RE3の形状と同一である。画素ブロックB32は、詳述しないが図11に示した画素ブロックB12と同様に構成され、反射電極RE14乃至RE16を備えている。反射電極RE14乃至RE16の形状は、図11に示した反射電極RE4乃至RE6の形状と同一である。
画素ブロックB34は、単一の反射電極RE17を備えている。すなわち、反射電極RE17は、画素ブロックB34の形状に対応した四角形の形状を有している。反射電極RE17は、隣接する画素ブロックB32において、最も大きな面積を有する(あるいは、最上位ビットの)反射電極RE16と電気的に接続されている。反射電極RE16及びRE17は、画素ブロックB32及び画素ブロックB34に跨る接続部C1617により互いに接続されている。
画素ブロックB34は、ほぼ等しい面積で4分割され、それぞれの領域にカラーフィルタCF1乃至CF4を備えている。これらのカラーフィルタCF1乃至CF4は、いずれも反射電極RE17と対向している。カラーフィルタCF1乃至CF4の各々と、反射電極RE17とが対向する面積は、ほぼ等しい。
なお、画素ブロックB35及びB36については、画素ブロックB34と同様に構成されている。
画素ブロックB31及びB32は第1方向Xに隣接し、画素ブロックB31及びB44は第2方向Yに隣接している。画素ブロックB31及びB32についての説明は省略する。
画素ブロックB44は、単一の反射電極RE18を備えている。すなわち、反射電極RE18は、画素ブロックB44の形状に対応した四角形の形状を有している。反射電極RE18は、隣接する画素ブロックB31において、最も大きな面積を有する(あるいは、最上位ビットの)反射電極RE13と電気的に接続されている。反射電極RE13及びRE18は、画素ブロックB31及び画素ブロックB44に跨る接続部C1318により互いに接続されている。
画素ブロックB44は、ほぼ等しい面積で4分割され、それぞれの領域にカラーフィルタCF1乃至CF4を備えている。これらのカラーフィルタCF1乃至CF4は、いずれも反射電極RE18と対向している。カラーフィルタCF1乃至CF4の各々と、反射電極RE18とが対向する面積は、ほぼ等しい。
なお、画素ブロックB45及びB46については、画素ブロックB44と同様に構成されている。
このような構成例においても、図13Aに示した構成例と同様の効果が得られる。
画素ブロックB41及びB42は第2方向Yに隣接し、画素ブロックB42及びB44は第1方向Xに隣接している。
画素ブロックB41は、詳述しないが図13Aの画素ブロックB31と同様に構成され、図示しない画素回路及び反射電極RE11乃至RE13を備えている。画素ブロックB42は、詳述しないが、反射電極RE14乃至RE16を備えている。反射電極RE14は反射電極RE11と接続され、反射電極RE15は反射電極RE12と接続され、反射電極RE16は反射電極RE13と接続されている。
画素ブロックB44は、単一の反射電極RE18を備えている。すなわち、反射電極RE18は、画素ブロックB44の形状に対応した四角形の形状を有している。反射電極RE18は、隣接する画素ブロックB42において、最も大きな面積を有する(あるいは、最上位ビットの)反射電極RE16と電気的に接続されている。反射電極RE16及びRE18は、画素ブロックB42及び画素ブロックB44に跨る接続部C1618により互いに接続されている。
画素ブロックB44は、ほぼ等しい面積で4分割され、それぞれの領域にカラーフィルタCF1乃至CF4を備えている。これらのカラーフィルタCF1乃至CF4は、いずれも反射電極RE18と対向している。カラーフィルタCF1乃至CF4の各々と、反射電極RE18とが対向する面積は、ほぼ等しい。
このような構成例においても、図13Aに示した構成例と同様の効果が得られる。
実施の形態1では、主画素PX及び画素ブロックBの双方が3ビットに対応した構成を有する場合について説明した。本実施の形態では、以下に、主画素PX及び画素ブロックBの双方が2ビットに対応した構成を有する場合について、その一例を説明する。なお、本実施の形態と実施の形態1と同様の構成は、その説明を省略し、符号が同じものは、実施の形態1と同じものを指すものとする。
図15は、主画素PXの一構成例を示す平面図である。主画素PXは、第1方向X及び第2方向Yに沿ったそれぞれの長さがほぼ等しい正方形状である。主画素PXは、3つの副画素P1乃至P3を有している。副画素P1乃至P3は、第1方向Xに並んでいる。副画素P1乃至P3のそれぞれの面積はほぼ等しい。副画素P1乃至P3のそれぞれは、第1方向Xに沿った長さと第2方向Yに沿った長さとの比が1:3である。副画素P1乃至P3は、それぞれ異なる色を表示する。一例では、副画素P1は赤色(R)を表示し、副画素P2は緑色(G)を表示し、副画素P3は青色(B)を表示する。
副画素P1は、画素電極PE611、PE62、及び、PE612の各々と対向するカラーフィルタCF1を備えている。副画素P2は、画素電極PE631、PE64、及び、PE632の各々と対向するカラーフィルタCF2を備えている。副画素P3は、画素電極PE651、PE66、及び、PE652の各々と対向するカラーフィルタCF3を備えている。カラーフィルタCF1は赤色カラーフィルタであり、カラーフィルタCF2は緑色カラーフィルタであり、カラーフィルタCF3は青色カラーフィルタである。各カラーフィルタの間には、図中に斜線示した遮光層BMが配置されている。
図17は、画素ブロックBの一構成例を示す平面図である。ここでは、図2に示した画素ブロックB11及びB12の一構成例について説明する。
画素ブロックB11は、画素回路CR71及びCR72と、反射電極RE111乃至RE113、RE121乃至RE123、RE131乃至RE133と、中継電極RL71と、を備えている。ここでは、画素回路CR71及びCR72は、図中の一点鎖線で示している。図示した例では、画素回路CR71及びCR72は、図15に示した緑色を表示する副画素P2の画素回路CR63乃至CR64と同一構成であり、緑表示用のデータを保持可能に構成されている。つまり、画素ブロックB11は、緑色、赤色、及び、青色の中で最も反射率の高い色である緑色の副画素の階調データに基づいて駆動される。
画素ブロックB11において、反射電極RE111乃至RE113は図中の上側に位置し、反射電極RE121乃至RE123は図中の中央部に位置し、反射電極RE131乃至RE133は図中の下側に位置している。反射電極RE111乃至RE113、RE121乃至RE123、RE131乃至RE133は、いずれも同一形状を有し、同一の面積を有している。反射電極RE111乃至RE113は、第1方向Xに並び、互いに接続されている。反射電極RE121乃至RE123は、第1方向Xに並び、互いに接続されている。反射電極RE131乃至RE133は、第1方向Xに並び、互いに接続されている。
中継電極RL71は、反射電極RE112及びRE132を電気的に接続し、接続部CT71により画素回路CR71と電気的に接続されている。反射電極RE122は、接続部CT72により画素回路CR72と電気的に接続されている。このような画素ブロックB11において、反射電極RE111乃至RE113及びRE131乃至RE133の総面積と、反射電極RE121乃至RE123の面積との面積比は、例えば、1:2(=20:21)である。
画素ブロックB11は、ほぼ等しい面積で3分割され、それぞれの領域にカラーフィルタCF1乃至CF3を備えている。一例では、カラーフィルタCF1乃至CF3は、それぞれ、赤色(R)、緑色(G)、青色(B)のカラーフィルタである。図示した画素ブロックB11において、カラーフィルタCF1は左側の領域に位置し、カラーフィルタCF3は右側の領域に位置し、カラーフィルタCF2はカラーフィルタCF1及びCF3の間に位置している。カラーフィルタCF1は、反射電極RE111、RE121、RE131と対向している。カラーフィルタCF2は、反射電極RE112、RE122、RE132と対向している。カラーフィルタCF3は、反射電極RE113、RE123、RE133と対向している。
同様に、画素ブロックB12においてもカラーフィルタCF1乃至CF3がそれぞれ配置されている。カラーフィルタCF1は、反射電極RE141、RE151、RE161と対向している。カラーフィルタCF2は、反射電極RE142、RE152、RE162と対向している。カラーフィルタCF3は、反射電極RE143、RE153、RE163と対向している。各画素ブロックの間、及び、各カラーフィルタの間には、図中に斜線示した遮光層BMが配置されている。
画素ブロックB21は、画素回路CR81乃至CR83と、反射電極RE211乃至RE213、RE221乃至RE223、RE231乃至RE233とを備えている。ここでは、画素回路CR81乃至CR83は図中に一点鎖線で示し、反射電極RE211乃至RE213、RE221乃至RE223、RE231乃至RE233は図中に点線で示している。画素回路CR81乃至CR83は、図15に示した画素回路CR61、CR63、CR65とそれぞれ同一構成である。つまり、画素ブロックB11は、緑色、赤色、及び、青色のそれぞれについて最上位ビットの階調データに基づいて駆動される。
画素ブロックB21において、反射電極RE211乃至RE213は図中の左側に位置し、反射電極RE221乃至RE223は図中の中央部に位置し、反射電極RE231乃至RE233は図中の右側に位置している。反射電極RE211乃至RE213、RE221乃至RE223、RE231乃至RE233は、いずれも同一形状を有し、同一の面積を有している。反射電極RE211乃至RE213は、第2方向Yに並び、互いに接続され、接続部CT81により画素回路CR81と電気的に接続されている。反射電極RE221乃至RE223は、第2方向Yに並び、互いに接続され、接続部CT82により画素回路CR82と電気的に接続されている。反射電極RE231乃至RE233は、第2方向Yに並び、互いに接続され、接続部CT83により画素回路CR83と電気的に接続されている。
画素ブロックB22において、カラーフィルタCF1は、反射電極RE241乃至RE243と対向し、カラーフィルタCF2は、反射電極RE251乃至RE253と対向し、カラーフィルタCF3は、反射電極RE261乃至RE263と対向している。各画素ブロックの間、及び、各カラーフィルタの間には、図中に斜線示した遮光層BMが配置されている。
画素ブロックB31及びB32は第1方向Xに隣接し、画素ブロックB32及びB34は第2方向Yに隣接している。
画素ブロックB31は、詳述しないが図17に示した画素ブロックB11と同様に構成され、図示しない画素回路及び反射電極RE311乃至RE313、RE321乃至RE323、RE331乃至RE333を備えている。画素ブロックB32は、詳述しないが図17に示した画素ブロックB12と同様に構成され、反射電極RE341乃至RE343、RE351乃至RE353、RE361乃至RE363を備えている。
画素ブロックB34は、反射電極RE371乃至RE379を備えている。反射電極RE371乃至RE379は、第1方向X及び第2方向Yに隣接する電極同士が互いに接続されており、実質的に単一の反射電極RE37として機能する。反射電極RE374は、隣接する画素ブロックB32において、最上位ビットの反射電極RE362に接続されている。
画素ブロックB34において、カラーフィルタCF1は、反射電極RE371乃至RE373と対向し、カラーフィルタCF2は、反射電極RE374乃至RE376と対向し、カラーフィルタCF3は、反射電極RE377乃至RE379と対向している。
なお、画素ブロックB35及びB36については、画素ブロックB34と同様に構成されている。
このような構成例によれば、画素回路を備えていない画素ブロックB34において、反射電極RE37は、隣接する画素ブロックB32の最上位ビットの反射電極RE362と接続されているため、反射電極RE362と同様に駆動される。つまり、画素ブロックB34は、画素ブロックB32の最上位ビットに合わせて、1ビットの階調を表示することができる。
画素ブロックB31及びB32は第1方向Xに隣接し、画素ブロックB31及びB44は第2方向Yに隣接している。画素ブロックB31及びB32についての説明は省略する。
画素ブロックB44は、反射電極RE381乃至RE389を備えている。反射電極RE381乃至RE389は、第1方向X及び第2方向Yに隣接する電極同士が互いに接続されており、実質的に単一の反射電極RE38として機能する。反射電極RE384は、隣接する画素ブロックB31において、最上位ビットの反射電極RE332と電気的に接続されている。
画素ブロックB44において、カラーフィルタCF1は、反射電極RE381乃至RE383と対向し、カラーフィルタCF2は、反射電極RE384乃至RE386と対向し、カラーフィルタCF3は、反射電極RE387乃至RE389と対向している。
なお、画素ブロックB45及びB46については、画素ブロックB44と同様に構成されている。
このような構成例においても、図20Aに示した構成例と同様の効果が得られる。
画素ブロックB41及びB42は第2方向Yに隣接し、画素ブロックB42及びB44は第1方向Xに隣接している。
画素ブロックB41は、詳述しないが図20Aの画素ブロックB31と同様に構成され、反射電極RE311乃至RE313、RE321乃至RE323、及び、RE331乃至RE333を備えている。
画素ブロックB44は、反射電極RE381乃至RE389を備えている。反射電極RE381乃至RE389は、第1方向X及び第2方向Yに隣接する電極同士が互いに接続されており、実質的に単一の反射電極RE38として機能する。
画素ブロックB42は、反射電極RE391乃至RE399を備えている。反射電極RE391乃至RE399は、第1方向X及び第2方向Yに隣接する電極同士が互いに接続されており、実質的に単一の反射電極RE39として機能する。
反射電極RE394は、隣接する画素ブロックB41において、最上位ビットの反射電極RE332と電気的に接続されている。反射電極RE388は、反射電極RE392と電気的に接続されている。
画素ブロックB42において、カラーフィルタCF1は、反射電極RE391乃至RE393と対向し、カラーフィルタCF2は、反射電極RE394乃至RE396と対向し、カラーフィルタCF3は、反射電極RE397乃至RE399と対向している。画素ブロックB44において、カラーフィルタCF1は、反射電極RE381乃至RE383と対向し、カラーフィルタCF2は、反射電極RE384乃至RE386と対向し、カラーフィルタCF3は、反射電極RE387乃至RE389と対向している。
このような構成例においても、図20Aに示した構成例と同様の効果が得られる。
本実施形態では、実施の形態1及び2で説明した表示装置DSPの適用例について説明する。
図22は、マルチディスプレイシステムの構成例を示す図である。図示したマルチディスプレイシステムは、映像信号出力装置VD、及び、表示装置DSP1乃至DSP4を備えている。映像信号出力装置VDは、ケーブルを介して表示装置DSP1乃至DSP4とそれぞれ接続されている。表示装置DSP1乃至DSP4は、いずれも、上記した本実施形態の表示装置DSPと同一に構成されている。表示装置DSP1乃至DSP4は、それぞれ表示領域DA1乃至DA4と、実装部MT1乃至MT4と、を備えている。
図示した例では、表示装置DSP1乃至DSP4は、それぞれの実装部が隣接する表示装置間に配置されないような向きで並んでいる。すなわち、表示装置DSP1及びDSP2は第1方向Xに並び、表示装置DSP3及びDSP4は第1方向Xに並び、表示装置DSP1及びDSP3は第2方向Yに並び、表示装置DSP2及びDSP4は第2方向Yに並んでいる。但し、表示装置DSP1及びDSP3は、それぞれの表示領域DA1及びDA3が隣り合うように配置され、表示領域DA1及びDA3の間には実装部MT1及びMT3のいずれも位置していない。同様に、表示装置DSP2及びDSP4も、それぞれの表示領域DA2及びDA4が隣り合うように配置されている。
(1)
それぞれ異なる色を表示する複数の副画素を有する主画素と、
前記主画素に隣接する第1画素ブロックと、
前記第1画素ブロックに隣接し、前記第1画素ブロックと互いに電気的に接続された第2画素ブロックと、
前記主画素及び前記第1画素ブロックを駆動する駆動部と、を備え、
前記主画素、前記第1画素ブロック、及び、前記第2画素ブロックは、画像を表示する表示領域に位置し、
前記第1画素ブロックは前記主画素よりも前記表示領域の外縁部に近く、また、前記第2画素ブロックは前記第1画素ブロックよりも前記表示領域の外縁部に近く、
前記第2画素ブロックは、平面視で前記駆動部と重なっている、表示装置。
(2)
前記第1画素ブロックは、画素回路及び第1反射電極を有し、
前記第2画素ブロックは、前記第1反射電極と電気的に接続された第2反射電極を有する、(1)に記載の表示装置。
(3)
前記第1画素ブロックは、第1画素回路と、第2画素回路と、前記第1画素回路と電気的に接続された第1反射電極と、及び、前記第2画素回路と電気的に接続された第2反射電極と、を備え、
前記第2画素ブロックは、前記第1反射電極と電気的に接続された第3反射電極と、前記第2反射電極と電気的に接続された第4反射電極とを備える、(1)に記載の表示装置。
(4)
前記第2画素ブロックに隣接する前記表示領域に位置し、前記第2画素ブロックと互いに電気的に接続された第3画素ブロックを備え、
前記第3画素ブロック、前記第2画素ブロック、及び、前記第1画素ブロックは、一方向に並び、
前記第2画素ブロックは前記第1画素ブロックよりも前記外縁部に近く、前記第3画素ブロックは前記第2画素ブロックよりも前記外縁部に近く、
前記第3画素ブロックは、前記第4反射電極と電気的に接続された第5反射電極を備え、
前記第2画素ブロックにおいて、前記第4反射電極は、前記第3反射電極よりも大きな面積を有する、(3)に記載の表示装置。
(5)
前記第2画素ブロックに隣接する前記表示領域に位置し、前記第2画素ブロックと互いに電気的に接続された第3画素ブロックを備え、
前記第2画素ブロックは前記第1画素ブロックの第1方向に隣接し、前記第3画素ブロックは前記第2画素ブロックの第2方向に隣接し、
前記第3画素ブロックは、前記第4反射電極と電気的に接続された第5反射電極を備え、
前記第2画素ブロックにおいて、前記第4反射電極は、前記第3反射電極よりも大きな面積を有する、(3)に記載の表示装置。
(6)
前記第1画素ブロックに隣接する前記表示領域に位置し、前記第1画素ブロックと互いに電気的に接続された第3画素ブロックを備え、
前記第2画素ブロックは前記第1画素ブロックの第1方向に隣接し、前記第3画素ブロックは前記第1画素ブロックの第2方向に隣接し、
前記第3画素ブロックは、前記第2反射電極と電気的に接続された第5反射電極を備え、
前記第1画素ブロックにおいて、前記第2反射電極は、前記第1反射電極よりも大きな面積を有する、(3)に記載の表示装置。
(7)
前記第1画素回路及び前記第2画素回路の各々は、2値の階調に対応したデータを保持可能なメモリ部を備える、(3)乃至(6)のいずれか1項に記載の表示装置。
(8)
前記第1反射電極は、前記第1画素ブロックの中央部に位置し、
前記第2反射電極は、前記第1反射電極の外側に位置し、且つ、前記第2画素ブロックと隣接する位置に開口部を有し、
前記第1反射電極は、前記開口部を通って前記第3反射電極と電気的に接続されている、(3)乃至(7)のいずれか1項に記載の表示装置。
(9)
前記駆動部を備えた第1基板と、
前記第1基板と対向する第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板とを貼り合せるシールと、を備え、
前記駆動部は、前記シールで囲まれた内側に位置し、
前記第2画素ブロックは、前記第1画素ブロックよりも前記シールに近接する側に位置している、(1)乃至(8)のいずれか1項に記載の表示装置。
(10)
前記第2基板は、前記シールと重なり且つ前記第2画素ブロックと重ならない位置に遮光層を備える、(9)に記載の表示装置。
PX…主画素 B…画素ブロック DR…駆動部
CR…画素回路 PE…反射電極または画素電極
Claims (10)
- それぞれ異なる色を表示する複数の副画素を有する主画素と、
前記主画素に隣接する第1画素ブロックと、
前記第1画素ブロックに隣接し、前記第1画素ブロックと互いに電気的に接続された第2画素ブロックと、
前記主画素及び前記第1画素ブロックを駆動する駆動部と、を備え、
前記主画素、前記第1画素ブロック、及び、前記第2画素ブロックは、画像を表示する表示領域に位置し、
前記第1画素ブロックは前記主画素よりも前記表示領域の外縁部に近く、また、前記第2画素ブロックは前記第1画素ブロックよりも前記表示領域の外縁部に近く、
前記第2画素ブロックは、平面視で前記駆動部と重なっている、表示装置。 - 前記第1画素ブロックは、画素回路及び第1反射電極を有し、
前記第2画素ブロックは、前記第1反射電極と電気的に接続された第2反射電極を有する、請求項1に記載の表示装置。 - 前記第1画素ブロックは、第1画素回路と、第2画素回路と、前記第1画素回路と電気的に接続された第1反射電極と、及び、前記第2画素回路と電気的に接続された第2反射電極と、を備え、
前記第2画素ブロックは、前記第1反射電極と電気的に接続された第3反射電極と、前記第2反射電極と電気的に接続された第4反射電極とを備える、請求項1に記載の表示装置。 - 前記第2画素ブロックに隣接する前記表示領域に位置し、前記第2画素ブロックと互いに電気的に接続された第3画素ブロックを備え、
前記第3画素ブロック、前記第2画素ブロック、及び、前記第1画素ブロックは、一方向に並び、
前記第2画素ブロックは前記第1画素ブロックよりも前記外縁部に近く、前記第3画素ブロックは前記第2画素ブロックよりも前記外縁部に近く、
前記第3画素ブロックは、前記第4反射電極と電気的に接続された第5反射電極を備え、
前記第2画素ブロックにおいて、前記第4反射電極は、前記第3反射電極よりも大きな面積を有する、請求項3に記載の表示装置。 - 前記第2画素ブロックに隣接する前記表示領域に位置し、前記第2画素ブロックと互いに電気的に接続された第3画素ブロックを備え、
前記第2画素ブロックは前記第1画素ブロックの第1方向に隣接し、前記第3画素ブロックは前記第2画素ブロックの第2方向に隣接し、
前記第3画素ブロックは、前記第4反射電極と電気的に接続された第5反射電極を備え、
前記第2画素ブロックにおいて、前記第4反射電極は、前記第3反射電極よりも大きな面積を有する、請求項3に記載の表示装置。 - 前記第1画素ブロックに隣接する前記表示領域に位置し、前記第1画素ブロックと互いに電気的に接続された第3画素ブロックを備え、
前記第2画素ブロックは前記第1画素ブロックの第1方向に隣接し、前記第3画素ブロックは前記第1画素ブロックの第2方向に隣接し、
前記第3画素ブロックは、前記第2反射電極と電気的に接続された第5反射電極を備え、
前記第1画素ブロックにおいて、前記第2反射電極は、前記第1反射電極よりも大きな面積を有する、請求項3に記載の表示装置。 - 前記第1画素回路及び前記第2画素回路の各々は、2値の階調に対応したデータを保持可能なメモリ部を備える、請求項3乃至6のいずれか1項に記載の表示装置。
- 前記第1反射電極は、前記第1画素ブロックの中央部に位置し、
前記第2反射電極は、前記第1反射電極の外側に位置し、且つ、前記第2画素ブロックと隣接する位置に開口部を有し、
前記第1反射電極は、前記開口部を通って前記第3反射電極と電気的に接続されている、請求項3乃至7のいずれか1項に記載の表示装置。 - 前記駆動部を備えた第1基板と、
前記第1基板と対向する第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板とを貼り合せるシールと、を備え、
前記駆動部は、前記シールで囲まれた内側に位置し、
前記第2画素ブロックは、前記第1画素ブロックよりも前記シールに近接する側に位置している、請求項1乃至8のいずれか1項に記載の表示装置。 - 前記第2基板は、前記シールと重なり且つ前記第2画素ブロックと重ならない位置に遮光層を備える、請求項9に記載の表示装置。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2018159470A1 (ja) * | 2017-03-02 | 2018-09-07 | シャープ株式会社 | 表示装置およびヘッドマウントディスプレイ |
TWI684170B (zh) * | 2018-03-15 | 2020-02-01 | 友達光電股份有限公司 | 電子裝置 |
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Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4397463B2 (ja) * | 1999-06-29 | 2010-01-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 反射型半導体表示装置 |
TWM288383U (en) * | 2005-09-23 | 2006-03-01 | Innolux Display Corp | Transflective liquid crystal display device |
TW200937069A (en) * | 2008-02-25 | 2009-09-01 | Chunghwa Picture Tubes Ltd | Active device array substrate and liquid crystal display panel |
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US9070323B2 (en) * | 2009-02-17 | 2015-06-30 | Global Oled Technology Llc | Chiplet display with multiple passive-matrix controllers |
WO2011096276A1 (en) * | 2010-02-05 | 2011-08-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
TWI420214B (zh) * | 2010-05-06 | 2013-12-21 | Au Optronics Corp | 液晶顯示面板 |
WO2011155269A1 (ja) * | 2010-06-10 | 2011-12-15 | シャープ株式会社 | 表示パネル |
US9224759B2 (en) | 2010-12-20 | 2015-12-29 | Japan Display Inc. | Pixel array substrate structure, method of manufacturing pixel array substrate structure, display device, and electronic apparatus |
JP2012247662A (ja) * | 2011-05-30 | 2012-12-13 | Seiko Epson Corp | 液晶装置、投射型表示装置および電子機器 |
JP5961060B2 (ja) * | 2012-07-18 | 2016-08-02 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置 |
JP2014071372A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Japan Display Inc | 表示装置および電子機器 |
KR102358935B1 (ko) * | 2014-02-12 | 2022-02-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 전자 기기 |
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US9336709B2 (en) * | 2014-04-25 | 2016-05-10 | Apple Inc. | Displays with overlapping light-emitting diodes and gate drivers |
US9541800B2 (en) * | 2014-06-17 | 2017-01-10 | Innolux Corporation | Display panel |
CN104536229B (zh) * | 2015-01-12 | 2017-02-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及显示面板 |
CN105093600B (zh) | 2015-08-17 | 2018-11-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019058485A1 (ja) * | 2017-09-21 | 2019-03-28 | シャープ株式会社 | 表示デバイス |
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