JP2017148453A - 保護装置及び情報取得装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】特殊なプロセスを必要とせず、両極性の高電圧から被保護回路を保護するとともに低電圧信号を被保護回路へ通過させることができる保護回路を含む装置を提供する。
【解決手段】保護装置は、第1導電型および第2導電型の第1および第2のエンハンスメント型MOSトランジスタP21、N22と、P21のドレインまたはソースに接続される一端とP21のゲートに接続される他端とを有するダイオード素子D21と、D21に接続される一端と第2バイアス電圧が供給される他端とを有する電流源I21と、ゲートに第1バイアス電圧が供給されたN22のソースに接続されリーク電流が発生する電圧を検出する電圧検出回路9と、N22のソースに接続され電圧検出回路からの信号をもとにリーク電流を遮断ないし抑制する電流遮断回路10を有する。電流源は抵抗に置き換えることができる。
【選択図】図2
【解決手段】保護装置は、第1導電型および第2導電型の第1および第2のエンハンスメント型MOSトランジスタP21、N22と、P21のドレインまたはソースに接続される一端とP21のゲートに接続される他端とを有するダイオード素子D21と、D21に接続される一端と第2バイアス電圧が供給される他端とを有する電流源I21と、ゲートに第1バイアス電圧が供給されたN22のソースに接続されリーク電流が発生する電圧を検出する電圧検出回路9と、N22のソースに接続され電圧検出回路からの信号をもとにリーク電流を遮断ないし抑制する電流遮断回路10を有する。電流源は抵抗に置き換えることができる。
【選択図】図2
Description
本発明は、被保護回路を保護する高電圧保護回路などの保護回路を含む保護装置等に関する。
超音波診断プローブにおける超音波振動素子は、正極、負極の高電圧信号に基づいて超音波を送波し、そして微小な超音波を受波して得られた低電圧信号を受信回路へ出力する構成になっている。そこで、超音波を送受する超音波振動素子と受信回路間に、超音波振動素子を駆動するための正負両極性の高電圧信号から、超音波振動素子から出力される低電圧信号を増幅する増幅回路を保護する保護回路が必要となる。この保護回路は、高電圧信号印加時にはオフとなり、高電圧信号を遮断する。また低電圧信号を受信回路へ通過させるため、低電圧信号印加時にはオンとなる。例えば、高電圧信号は正負の数十から100V程度であるのに対し、受信回路の増幅回路は5V程度の耐電圧のデバイスで作られる。
超音波診断プローブにおける振動素子はチャンネル数が多く(数百チャンネル)、信号の送受信回路もそれに応じたチャンネル数が必要となる。また、それぞれのチャンネルの送信パルスを送るタイミングはバラバラであることがある。一方、制御信号を用いて保護回路のオン、オフ切り替えを行う場合、オン時は低電圧信号を通過させ、オフ時は高電圧信号を遮断する制御が通常必要になり、そのチャンネル数に応じた信号線が必要となるためコストが増大する。そのため、外部からの制御信号無しで、低電圧信号を通過させ、高電圧信号を遮断する機能を持つ保護回路が要望されている。
従来、制御信号無しで動作する保護回路を実現する上で、高電圧信号を検出する回路を設ける保護回路や、ディプレッション型のFETを使用した回路が用いられてきた(特許文献1、特許文献2参照)。
外部からの制御信号無しで動作する保護回路を実現する上での課題は大きく分けて二つある。1つ目は、回路規模の増大である。例として、特許文献1に記載の装置では、高電圧信号を検出する回路を使用している。このような高電圧信号を検出し、保護回路のオン・オフを切り替える回路を実現する場合、高電圧信号を検出する回路と、その検出結果に応じて保護回路を動作させる駆動回路が必要となる。このとき、検出部も高い耐電圧が必要となり、また保護回路を動作させる駆動回路も保護回路を構成する上で必要となるため、回路が複雑になり易い。
2つ目は、ディプレッション型FETなどを作製するための特殊なプロセスを必要とするという点である。検出回路を待たせず、素子数を減らした回路で上記の様な保護回路を実現する場合、ノーマリオンのディプレッション型FETが用いられる。しかし、このFETは特殊なプロセスを必要としており、コストが増大し易いという課題がある。
上記課題に鑑み、本発明の一側面の被保護回路を保護する保護装置は以下の構成を採用する。ドレインと、ソースと、ゲートとを有する第1導電型の第1エンハンスメント型MOSトランジスタと、前記第1エンハンスメント型MOSトランジスタの前記ソースと接続されるドレインと、ソースと、第1バイアス電圧が供給されるゲートとを有する第2導電型の第2エンハンスメント型MOSトランジスタと、前記第1エンハンスメント型MOSトランジスタの前記ドレインまたはソースに接続される一端と、前記第1エンハンスメント型MOSトランジスタの前記ゲートに接続される他端とを有するダイオード素子と、前記第1エンハンスメント型MOSトランジスタの前記ゲートおよび前記ダイオード素子の前記他端に接続される一端と、第2バイアス電圧が供給される他端とを有する電流源と、前記第2エンハンスメント型MOSトランジスタのソースに接続され、リーク電流が発生する電圧を検出する電圧検出回路と、前記第2エンハンスメント型MOSトランジスタのソースに接続され、前記電圧検出回路からの信号をもとにリーク電流を遮断ないし抑制する電流遮断回路と、を有する。前記電流源は抵抗に置き換えることができる。
本発明の一側面によれば、特殊なプロセスを必要とせず、両極性の高電圧から低耐電圧の被保護回路を保護するとともに低電圧信号を被保護回路へ通過させることができる保護回路を含む装置を提供できる。
本発明の一側面の装置は、N型MOSトランジスタとP型MOSトランジスタを直列に接続した第1の部分と電圧制限回路とを含んで、出力電圧を所定の範囲に制限する保護回路を有する。そして、保護回路からのリーク電流が発生する電圧を検出する電圧検出回路と、電圧検出回路からの信号をもとにリーク電流を遮断ないし抑制して、被保護回路への電圧を削減する電流遮断回路を更に有して、両極性の高電圧から低耐電圧の被保護回路を保護する。所期の保護目的を達成するために、各MOSトランジスタの閾値、導電型、上記出力電圧の制限範囲を考慮して、それぞれのMOSトランジスタのゲートに所定の電流源や定電圧を与える。さらに、保護回路に使用したMOSトランジスタと同じ極性を持つMOSトランジスタを電圧検出回路に持たせることもできる。
以下に図面を参照しつつ、本発明の実施形態を詳しく説明する。なお、同一の構成要素には原則として同一の参照番号を付し、再度の説明は省略ないし簡略化する。ただし、以下に記載されている詳細な計算式、計算手順、材料、数値、細部構造などは、発明が適用される装置の構成や各種条件により適宜変更されるべきものであり、本発明の範囲を以下の記載に限定する趣旨のものではない。
<実施形態1>
図1は、本発明の保護回路を含む装置の例を示すブロック図である。被検体情報取得装置である超音波診断プローブ100(以下「装置100」とも略称する)は、超音波送受信回路1(以下「送受信回路1」とも略称する)と超音波振動素子(センサ)2(以下「素子2」とも略称する)をベースに構成されている。送受信回路1は、送信回路3、低電圧増幅回路4、入力保護回路5、出力保護回路6を有する。送受信回路1は、外部端子X、Yを備えており、この外部端子X、Yを介して外部の装置との間で信号の送受信を行う。
図1は、本発明の保護回路を含む装置の例を示すブロック図である。被検体情報取得装置である超音波診断プローブ100(以下「装置100」とも略称する)は、超音波送受信回路1(以下「送受信回路1」とも略称する)と超音波振動素子(センサ)2(以下「素子2」とも略称する)をベースに構成されている。送受信回路1は、送信回路3、低電圧増幅回路4、入力保護回路5、出力保護回路6を有する。送受信回路1は、外部端子X、Yを備えており、この外部端子X、Yを介して外部の装置との間で信号の送受信を行う。
送受信回路1は、超音波診断プローブの回路ブロック全体を表している。素子2は、送受信回路1からの高電圧信号を受けて超音波を被検体に送信し、被検体で反射ないし発生した超音波を受信して低電圧信号を出力するものである。送信回路3は、素子2に高電圧信号を送信する際の信号伝達経路に設けられる回路である。低耐電圧の被保護回路である低電圧増幅回路4は、被検体からの超音波の受信時に素子2から出力される低電圧信号(受信信号)を増幅する。入力保護回路5および出力保護回路6は、低電圧増幅回路4の入力および出力をそれぞれ高電圧信号から保護する回路である。本明細書において、この低電圧信号は高電圧信号よりも電圧振幅が小さい信号である。
送受信回路1は、超音波信号を送受信する素子2と外部端子Xを介して接続される。送受信回路1は、例えば電圧振幅が数十から数百V程度の高電圧信号(例えば−100V<高電圧信号<−10V、+10V<高電圧信号<+100V)を素子2に供給する。素子2は、例えば受信信号として電圧振幅が数V以下の低電圧信号(例えば−1V<低電圧信号<+1Vとする)を出力する。低電圧増幅回路4は、耐電圧が5V程度に設計されている。外部端子X、Yには、これら高電圧信号及び低電圧信号が印加される。そのため、低電圧増幅回路4に対して、耐電圧を超える高電圧信号の侵入を防ぐために、入力側および出力側に入出力保護回路5、6をそれぞれ設ける。
一方、入出力保護回路5、6は、低電圧増幅回路4に低電圧信号を入力して、増幅した信号を出力するために、低電圧信号の印加時は信号を外部端子Xから外部端子Yへ通過させる必要がある。実施形態1の装置100は高電圧信号を遮断し、低電圧信号を通過させる機能を持つ入出力保護回路5、6を有する。実施形態1では、保護回路5と保護回路6とは同一の回路であるので、以下の説明では原則として入力保護回路5に限って説明する。図1において、端子A、Eは、高電圧信号が印加される端子であり、端子C、Dは、低電圧回路4が接続される端子を表している。
図2は、本発明の超音波診断プローブにおける実施形態1の保護回路、電圧検出回路、電流遮断回路の一例を示す図である。本実施形態は、保護回路5と、リーク電流が発生する電圧を検知するための電圧検出回路9を持ち、さらにその検出結果をもとにリーク電流を遮断ないし抑制する遮断回路10を持つ。これにより、被保護回路4を介して流れるDCのリーク電流を削減する。
本実施形態の保護回路5について説明する。保護回路5は、端子A側にある第1の部分13と、端子Aに対して第1の部分13より下流側にあって、第1の部分13と接続される第2の部分(電圧制限回路8)とを有している。
保護回路5の第1の部分13は、エンハンスメント型のPチャネルMOSFET(Field Effect Transistor);P21(以下「トランジスタP21」とも略称する)を有する。第1導電型と第2導電型のうちの一方の型のエンハンスメント型MOSトランジスタがエンハンスメント型PチャネルMOSトランジスタに対応する。また、保護回路5の第1の部分13は、エンハンスメント型のNチャネルMOSFET(第1導電型と第2導電型のうちの他方の型のエンハンスメント型MOSトランジスタに対応する);N22(以下「トランジスタN22」とも略称する)を有する。また、保護回路5の第1の部分13は、ダイオードD21(例えば閾値電圧が0.6Vとする)、電流源I21を有する。さらに、保護回路5の第1の部分13は、一定電圧V21(例えば−数V程度であり、ここでは−3Vとする)印加端、一定電圧V22(例えば+数V程度であり、ここでは+3Vとする)印加端を有する。なお、低電圧信号が負の値を取らない場合、例えば+1Vを電圧振幅の中心として±1V程度振れる場合は、一定電圧V21は、正の電圧でも良い。
端子Aは、高電圧信号が印加される端子であり、電圧制限回路8側の端子Bは、電圧検出回路9および電流遮断回路10を介して、低電圧増幅回路が接続される端子を表している。ここでは図1の入力保護回路5の説明であるので、端子A、Bの接続例として、端子Aを、外部端子Xを介して、一端が参照電圧であるグランドGNDに接続された素子2に接続するとともに、端子Bを低電圧増幅回路4の入力端子に接続する。出力保護回路6に適用する場合は、端子Bを、電圧検出回路9および遮断回路10を介して、低電圧増幅回路4の出力端子(図1の端子D)に接続するとともに、端子A(図1の端子E)を高電圧信号が入力される側である外部端子Yに接続する。
なお、本実施形態では参照電圧としてグランドGND(0V)を採用しているが、これに限られず、参照電圧の値を適宜変更しても良い。例えば参照電圧として正の基準電圧を採用する場合、高電圧信号はその基準電圧を中心として正方向、負方向に振れるが、いずれに振れた場合でも正の電圧値をとることもあり得る。このことは、低電圧信号についても同様である。
保護回路5の電圧制限回路8は、正、負の高電圧が印加されるときその電圧値を所定の値にクランプするものである。例えばESD(Electro Static Discharge)保護回路等であり、トランジスタN22のソースと端子Bとの間に接続されている。しかしこれに限られず、低電圧増幅回路4が電圧制限回路8を内蔵するようにしても良い。すなわち、低電圧増幅回路(アンプ)の入力、出力に電圧制限回路が接続されていればよい。図2の電圧制限回路8は、ダイオードD42のアノード、ダイオードD43のカソード、および端子Bが共通して接続される。さらに電圧制限回路8は、ダイオードD42のカソード、ダイオードD43のアノード、および一定電圧V46の印加端が共通して接続される。電圧制限回路8は、以上のように構成してなるクリップ回路である。電圧制限回路8は、ダイオードD42、D43により端子Bに現れる電圧V1を(一定電圧V46−ダイオードD43の閾値<電圧V1<一定電圧V46+ダイオードD42の閾値)
の範囲内に収まるように制限する。電圧制限回路8を図2のように保護回路において接続する場合、トランジスタN22のゲート電圧V22は、一定電圧V46とダイオードD42の閾値電圧とトランジスタN22の閾値電圧を足した電圧以上に設定する必要がある。すなわち、|一定電圧V22|>|一定電圧V46+ダイオードD42の閾値|+|トランジスタN22の閾値|。なお、ダイオードD42およびダイオードD43の閾値は同じであるものとする。
の範囲内に収まるように制限する。電圧制限回路8を図2のように保護回路において接続する場合、トランジスタN22のゲート電圧V22は、一定電圧V46とダイオードD42の閾値電圧とトランジスタN22の閾値電圧を足した電圧以上に設定する必要がある。すなわち、|一定電圧V22|>|一定電圧V46+ダイオードD42の閾値|+|トランジスタN22の閾値|。なお、ダイオードD42およびダイオードD43の閾値は同じであるものとする。
トランジスタの閾値、ダイオードの閾値を絶対値としている意図は、それぞれのデバイスの閾値がマイナスの値を持つ(P型FETなど)場合でもこの条件を適用できるようにするためである。換言すれば、電圧制限回路8が、端子Bに現れる電圧V1を上記範囲内に収まるようにするので、電流源に繋がらない第1バイアス電圧は、高電圧の負の第1電圧信号よりも、エンハンスメント型PチャネルMOSトランジスタの閾値電圧より大きいものである。また、電流源に繋がる第2バイアス電圧は、高電圧の正の第1電圧信号よりも、エンハンスメント型NチャネルMOSトランジスタの閾値電圧より小さいものである。第1エンハンスメント型MOSトランジスタが、エンハンスメント型NチャネルMOSトランジスタであり、第2エンハンスメント型MOSトランジスタが、エンハンスメント型PチャネルMOSトランジスタである場合は次のようになる。すなわち、第1バイアス電圧は、正の第1電圧信号よりも、エンハンスメント型NチャネルMOSトランジスタの閾値電圧より小さいものである。また、第2バイアス電圧は、負の第1電圧信号よりも、エンハンスメント型PチャネルMOSトランジスタの閾値電圧より大きいものである。
図2に示す保護回路の第1の部分13をより詳細に説明する。これは、前述した様に、CMOSプロセスで形成されるエンハンスメント型のPおよびNチャネルMOSトランジスタの直列接続体をベースに構成される。具体的には、端子Aは、トランジスタP21のドレインに接続される。端子Bは、電圧制限回路8を介してトランジスタN22のソースに接続される。また、トランジスタP21のソースとトランジスタN22のドレインとが接続される。トランジスタN22のゲートには一定電圧V22が供給されている。トランジスタP21のゲートには定電流源I21の一端が接続され、電流源I21の他端には一定電圧V21が供給されている。定電流源I21は、電流をダイオードD21のカソードから引き込む向きに接続されている。なお、定電流原I21は、カレントミラー回路等で構成しても良いし、他の回路で構成しても良い。
ゲート保護ダイオードD21は、自身のアノードがトランジスタP21のドレインに接続されるとともに、カソードがトランジスタP21のゲートに接続されている。ゲート保護ダイオードD21の順方向の閾値VD21は、トランジスタP21の閾値VP21を超える(|VD21|>|VP21|)ように設定する。また、トランジスタP21およびトランジスタN22のドレイン−ソース間耐電圧は高電圧信号の電圧値の絶対値より大きい必要がある。低電圧信号の絶対値は、この保護回路5の端子Bに接続される回路の耐電圧以下の値である。電圧制限回路8は、低電圧信号の絶対値を、端子Bに接続される回路である低電圧増幅回路4(外部回路に対応する)の耐電圧以下に制限する。
なお、本実施形態では、ゲート保護ダイオードD21は、トランジスタP21の寄生ダイオードを用いている。しかしこれに限られず、ダイオード素子をトランジスタP21とは別体としてドレイン−ゲート間に接続しても良いし、ダイオード接続されたトランジスタを用いても良い。また、ツェナーダイオードやショットキーバリアダイオードを用いても良い。
次に、上記の保護回路の第1の部分13の動作について図2をもとに説明する。まず端子Aに低電圧信号が印加されるときは、トランジスタP21、トランジスタN22それぞれのゲートに、それぞれの閾値VP21、VN22を超える電圧を印加しておく。すなわち、トランジスタP21、トランジスタN22をオンさせておけるだけの一定電圧V21、V22をゲートに印加しておく。そうすることで、トランジスタP21、トランジスタN22がオンし、低電圧信号を通過させる。
端子Aに高電圧信号が印加されるときの保護回路5の第1の部分13の動作について説明する。端子Aに正の高電圧信号が印加された場合、トランジスタP21のドレインに高電圧が印加される。このとき、トランジスタP21のドレイン−ソース間には寄生ダイオード(不図示)が存在し、この寄生ダイオードがオンする。すなわち、トランジスタP21は、自身のドレインに印加される高電圧信号を自身の寄生ダイオードを介して自身のソース側まで通過させる。このとき、ダイオードD21は、オンする。よって、トランジスタP21のゲートに現れる電圧は、トランジスタP21のドレイン電圧よりダイオードD21の順方向降下電圧VD21の分だけ低い電圧である。このようにして、ダイオードD21は、トランジスタP21のゲート−ドレイン間電圧をダイオードD21の閾値に制限して耐電圧を超えるのを防ぎ、トランジスタP21のゲート破壊を抑止する。また、このとき、電流源I21は、ダイオードD21に流れる電流を設定された電流値に制限する。
トランジスタN22のドレインでは、トランジスタP21の寄生ダイオードを通過した高電圧信号が印加される。正の高電圧信号が端子Aに印加された直後の状態では、トランジスタN22はオンしたままである。そのため、正の高電圧信号がトランジスタN22のドレインに現れると同時にトランジスタN22のソースの電圧も上昇していく。このとき端子Bに接続された電圧制限回路8により設定された電圧までトランジスタN22のソース電圧が上昇していく。このトランジスタN22のソース電圧が、トランジスタN22のゲートのバイアス電圧V22からトランジスタN22の閾値VN22引いた値を超えるとトランジスタN22がクリップ回路として動作する。これにより、トランジスタN22のソースに、トランジスタN22のゲートのバイアス電圧V22からトランジスタN22の閾値VN22引いた値以上の電圧がかかったときに、電圧に制限がかかる。
端子Aに負の高電圧が印加された場合、トランジスタP21のドレイン電圧がグランド(GND)以下の負の高電圧まで降下する。このとき、ゲート保護ダイオードD21では、自身の降伏電圧(breakdown voltage)が、自身のカソードに現れている電圧値から自身のアノードに現れている電圧値を引いた電圧値よりも十分大きく設定されている。このため、ダイオードD21は、逆方向に高電圧が印加されてもアバランシェ降伏を生じず、逆方向にも順方向にも導通しない。これにより、トランジスタP21のゲートでは、電流源I21の一端に接続された一定電圧V21が現れる。このもとで、トランジスタP21では、自身がオンした状態で、自身のソース電圧が、自身のゲート電圧と自身の閾値を足した値を下回ると、トランジスタP21がオフする。また、トランジスタP21のソース電圧は、端子Bに接続された電圧制限回路8によって制限された電圧とトランジスタN22のドレイン−ソース間の寄生ダイオード(不図示)の閾値によって制限される。
以上のことを換言すると次のようになる。ダイオード素子の順方向の閾値電圧は第1エンハンスメント型MOSトランジスタの閾値電圧より大きい。そして、第1エンハンスメント型MOSトランジスタのドレインに、絶対値が所定の値より大きい第1極性の第1電圧信号が印加された際に、第1エンハンスメント型MOSトランジスタが、自身のソースに現れる電圧に基づいてオフする。また、第1エンハンスメント型MOSトランジスタのドレインに、絶対値が所定の値より大きい第2極性の第1電圧信号が印加された際に、第2エンハンスメント型MOSトランジスタが、自身のソースに現れる電圧に基づいてオフする。第1エンハンスメント型MOSトランジスタのドレインに、絶対値が所定値より小さく且つ第1電圧信号の絶対値より小さい第2電圧信号が印加された際は、第1エンハンスメント型MOSトランジスタ及び第2エンハンスメント型MOSトランジスタがオンする。
高電圧信号の被保護回路への到達を遮断ないし抑制する機構を説明する。図2における電圧検出回路9を説明する。ここでは、電圧検出回路9は、P型MOSFET;P31とN型MOSFET;N31と、それぞれのMOSFETのドレインに接続される電流を制限するための抵抗R31、R32を持つ。このR31、R32は定常的に流れる電流を削減するためのものであり、抵抗以外にもMOSFETなどの、他のインピーダンスを持ったり或いは変化させたりすることができる素子を使用しても構わない。この回路において、出力信号はP31、N31のドレインから得られる。このとき、P31、N31、R31、R32には、上述した様に電圧制限回路8により電圧が制限されるため、高電圧が印加されることがなく、低耐電圧のデバイスを使用してもよい。低耐電圧のデバイスを使用することにより、小さいサイズのMOSFETで回路が実現でき、回路規模を削減することができる。
P31のソースはV31端子に接続され、R31はV32に接続される。N31も同様に、ソースはV34に接続され、R32のもう一端はV33に接続される。V31は、保護回路における一定電圧V22と同じ電位を用いてもよい。また、V34は、保護回路における一定電圧V21と同じ電位を用いてもよい。V31とV22、V34とV21を同じ電位とした場合、以下のように電位を設定する。V32は、V31からP31の閾値を引いた値より低い電位とする(V32<V31−Vth[P31])。V33は、V34にN31の閾値を足した値よりも高い電位とする(V33>V34+Vth[N31])。このとき、検出に用いるP31、N31は、それぞれ、保護回路におけるP21、N22と同じ極性のものを使用する。こうした場合、P31、N31はそれぞれP21、N22と同じ極性のものでサイズを小さくしたものを使用しても構わない。さらに、検出回路に使用するP31、N31はP21、N22と同じ種類ではなくてもよい。
例として、P21とN22は高耐電圧のMOSFETを使用する必要があるが、P31とN31は低耐電圧のMOSFETを使用してもよい。これは、MOSFETの閾値はプロセスばらつきにより変動するため、P21、N22の閾値ばらつきに追従するMOSFETをP31、N31に使用すれば、閾値ばらつきによる検出回路の誤動作を防ぐことができるためである。
この回路の動作について以下に例を挙げて説明をしていく。まずV31、V32、V33、V34と、P31、N31の閾値は前記条件を満たすように例として以下のように設定する。
V31=3V、V32=0V、V34=―3V、V33=0V
P31閾値=−1V、N31閾値=1V
V31=3V、V32=0V、V34=―3V、V33=0V
P31閾値=−1V、N31閾値=1V
高電圧が印加されていない場合(例として0V)、P31、N31はそれぞれ閾値を超えた電圧がゲート−ソース間にかかっているため、オンした状態である。そのため、P31のドレインとN31のドレインは、それぞれ、V32、V34とほぼ同じ電圧となる。端子Aに正極の高電圧が印加された場合、保護回路5が遮断動作を行う電圧まで、P31とN31のゲートの電圧は上昇していく。3VでバイアスされたV31とP31の閾値−1Vを足した値である2Vまで電圧が上昇すると、P31がオフする。そうするとP31のドレイン電圧は、P31がオフしインピーダンスがR31より十分高くなるため、V32と同じ電圧(0V)へと遷移する。
端子Aに負極の高電圧が印加された場合、保護回路5が遮断動作を行う電圧まで、P31、N31のゲートの電圧は下降していく。−3VでバイアスされたV34とN31の閾値1Vを加えた値である−2Vまで電圧が0Vから下降すると、N31がオフする。そうするとN31のドレイン電圧は、N31がオフしインピーダンスがR32より十分高くなるため、V33と同じ電圧(0V)へと遷移する。
このように、正極、負極の高電圧が印加されることにより、P31、N31のそれぞれのドレイン電圧が3V、−3Vから0へと遷移することで、正極、負極両方のリークが発生する電圧を検出することができる。以上のように本実施形態の保護回路で使用したMOSFETと検出部のMOSFETとのプロセスによる閾値ばらつきが追従する特性を持つことにより、プロセスがばらついても保護回路の遮断、開放の動作を阻害することがない。そして高電圧を検出し、DCのリーク電流を削減することができる。
本実施形態では、図2における電流遮断回路10として、P型、N型MOSFET;P32、N32を持つ。このとき、N32のゲートには電圧検出回路9における出力であるP31のドレイン、P32のゲートにはN31のドレインを接続する。これにより、正極の高電圧が印加されたときはN32が、負極の高電圧が印加されたときはP32が遮断されることにより、DCのリークを遮断することができる。
以上のような動作により、制御信号無しで、正極、負極の高電圧信号から被保護回路である低電圧増幅回路を保護し、また微小な信号は被保護回路に通過させる保護回路を含む保護装置を実現できる。なお、本実施形態では被保護回路として低電圧増幅回路を用いたが、これに限られず、耐電圧が低い他の回路を保護する際にも本実施形態の保護装置を用いることができる。
以下に、保護装置の各部の変更例について説明する。図3は、本実施形態における電流源の他の例を示す図であり、図2と同一の構成については同一の番号を付して説明を省略する。図3の例において、電流源I21は、エンハンスメント型のNチャネルMOSFET;N33(以下「トランジスタN33」と略称する)によって構成している。トランジスタN33のソースには一定電圧V31を供給し、トランジスタN33のゲートには一定電圧V33を接続する。このように構成してなる定電流源は、トランジスタN33のドレイン−ソース間に流れる電流を制限し、電流源として動作する。このときトランジスタN33のドレイン−ゲート、ドレイン−ソース耐電圧は端子Aに印加される高電圧信号に十分耐えられる耐電圧にする。また、後述の図4(a)のように電流源の向きを電流源I21とは逆にするときは、トランジスタN33をエンハンスメント型のPチャネルMOSFETに置き換えることで電流源を実現できる。
図4(a)は、本実施形態の図2に記載の保護回路の第1の部分13を極性の異なる回路構成としたものである。すなわち、図2のトランジスタP21、N22を図4(a)のようにエンハンスメント型のNチャネルMOSトランジスタN23、エンハンスメント型のPチャネルMOSトランジスタP24にそれぞれ置き換えてなる回路である。このとき、電流源I22の向き、保護ダイオードD22の向きも逆方向となり、そうすることで、図2の保護回路と同等の機能を実現できる。このときも保護ダイオードD22の順方向の閾値は、エンハンスメント型のNチャネルMOSトランジスタN23の閾値の絶対値を超えるように設定する。
なお、この保護ダイオードD22も、エンハンスメント型のNチャネルMOSトランジスタN23の寄生ダイオードを用いているが、上記同様これに限られず、種々のダイオード素子を用いても良い。一定電圧V23、V24は、例えばそれぞれ+3V、−3Vとする。ダイオードD22の順方向の閾値は例えば0.6Vである。
図4(b)は、本実施形態における保護回路の第1の部分13の更なる他の例を示す図であり、図2と同一の構成については同一の番号を付して説明を省略する。この保護回路では、図2の回路のトランジスタP21、トランジスタN22のそれぞれのドレイン−ソース間に、ドレイン−ソースをバイパスするダイオードD66、D67を接続している。これによりトランジスタP21、N22のドレイン−ソース間に存在する寄生ダイオードに、想定されない電流が流れることを防ぐことができる。すなわち、ダイオードD66、D67のそれぞれの閾値をトランジスタP21、N22の寄生ダイオードの閾値より低くする。それにより、トランジスタP21、N22に想定外の大電流が供給されようとする際にダイオードD66、D67によりその大電流をバイパスすることで、トランジスタP21、N22の過電流による破壊を防ぐことができる。このときダイオードD66、D67の降伏電圧は、印加される高電圧信号の絶対値よりも高く設定されている必要がある。すなわち、ダイオードD66、D67では、このような高電圧がそれぞれ逆方向に印加されても、アバランシェ降伏を起こしてダイオードに逆方向の電流が流れないように設定しておく。
図4(c)は、本実施形態における保護回路の第1の部分13の更なる他の例を示す図である。すなわち、図4(c)に示す保護回路は、トランジスタP21、N22のバックゲートを各々のソースに接続した回路構成を取る。印加される電圧やデバイスの耐電圧によっては、このような構成をとることで、図2の回路と同等の動作を実現できる。また、トランジスタP21、N22のバックゲートをそれぞれのソースに接続することで各トランジスタを安定的に動作させることができる。
図5(a)は、超音波診断プローブにおける保護回路5の第1の部分13の更なる他の例を示す図である。本例の保護回路は、本実施形態の図2〜図4に記載の保護回路におけるゲート保護ダイオードD21、D22を、ダイオードD81のようにトランジスタP21のソースに接続した回路構成になっている。これにより上記と同じようにトランジスタP21、N22のゲート−ソース間電圧をダイオードD81の閾値電圧(順方向降下電圧)となるように制限する。そうすることにより、トランジスタP21、N22のゲート破壊を防ぐことができる。この構成の場合、例えば図5(a)のトランジスタP21のゲート−ソース間に保護ダイオードD81があるため、ゲート−ソース間の電圧を最大でもダイオードD81の閾値に制限することができる。また、図5(a)の回路構成の場合、例えば図2に記載の保護回路と比べて、ダイオードD81の両端には高電圧がかからない。ダイオードD81のアノードは高電圧信号が印加される端子Aに直接に接続されておらず、トランジスタP21のソースに接続されているからである。そのため図2の保護ダイオードに比べて、求められるダイオードの耐電圧を低く設計することができる。図5(b)の構成は、図5(a)と逆極性の回路構成である以外は図5(a)と同様である。
図5(c)、(d)は、超音波診断装置における保護回路の第1の部分13の更なる他の例を示す図である。図5(c)、(d)の保護回路は、本実施形態における図2、図4、図5(a)、(b)に記載の保護回路の電流源I21、I22をそれぞれ抵抗R91、R92に置き換えた回路構成になっている。
図5(c)、(d)に記載の保護回路の第1の部分13の動作説明を行う。ただし、図5(c)、(d)の保護回路は互いに逆極性の関係にある以外は基本的構成と機能が同じなので図5(c)についてのみ説明する。端子Aに低電圧信号が印加されたときは、トランジスタP21のゲート−ソース間抵抗、ゲート−ドレイン間抵抗が抵抗R91に対して十分大きい場合、抵抗R91に電流は略流れないためトランジスタP21のゲートには一定電圧V21と略同一の電圧が現れる。そのため、トランジスタP21がオンする。一方、端子Aに高電圧信号が印加されたときは、ダイオードD21に流れる電流は抵抗R91の抵抗値によって制限される。また、電流源によって実現する場合に比べ、抵抗一つで保護回路を実現できるため、回路規模を小さくできるとともに低コストで設計することができる。
本実施形態の複数の例における全てのダイオードは、或る電圧において電圧を制限し電流を流す機能を持つ素子であれば代用可能である。例えば、ダイオード接続されたMOSトランジスタまたはバイポーラトランジスタ等である。またこれらのダイオードは直列に多段接続した構成にしてもよい。また、図2、図4に記載のダイオードD21、22や図5に記載のダイオードD81、82は抵抗でも同様の機能を実現できる。
第2の部分である電圧制限回路8のバリエーションを図6で説明する。図6は、本実施形態における電圧制限回路の他の一例を示す図であり、図2と同一の構成については同一の番号を付して説明を省略する。電圧制限回路8b(クランプ回路に対応する)では、ダイオードD54のカソード、ダイオードD55のアノード、および端子Bが共通して接続される。さらに、電圧制限回路8bでは、ダイオードD54のアノードに一定電圧V57が供給され、ダイオードD55のカソードに一定電圧V58が供給される。これにより電圧制限回路8bでは、端子Bの電圧V2を(一定電圧V57−ダイオードD54の閾値<V2<一定電圧V58+ダイオードD55の閾値)の範囲内に収まるように制限することができる。この電圧制限回路8bを図2の回路のように接続する場合、トランジスタN22のゲート電圧V22は、一定電圧V58とダイオードD55の閾値電圧とトランジスタN22の閾値電圧を足した電圧以上に設定する必要がある。すなわち、|一定電圧V22|>|一定電圧V58+ダイオードD55の閾値|+|トランジスタN22の閾値|。なお、ダイオードD55とダイオードD54とは閾値が略同一とする。
(実施形態2)
図7は本発明の超音波診断プローブにおける実施形態2を示す図である。本実施形態では、実施形態1における電流遮断回路10として、論理回路12と電流遮断部13を持つ構成を用いる。このとき、電流遮断部13の構成はHIレベルでオンまたはオフするものであり、この動作をする遮断回路であれば、回路の構成形式は限定しない。論理回路12は、電圧検出回路9において、正極、負極どちらか一方の高電圧が検出された場合、そのどちらの場合でもHIまたはLOWを出力するものであり、この動作をする回路であれば、論理回路の構成形式を限定しない。これにより、電圧検出回路9が正極、負極の高電圧を検出した場合、電流遮断部13がオフすることにより、DCのリーク電流を遮断することができる。その他の点は、図2の構成を有する実施形態1と同じである。
図7は本発明の超音波診断プローブにおける実施形態2を示す図である。本実施形態では、実施形態1における電流遮断回路10として、論理回路12と電流遮断部13を持つ構成を用いる。このとき、電流遮断部13の構成はHIレベルでオンまたはオフするものであり、この動作をする遮断回路であれば、回路の構成形式は限定しない。論理回路12は、電圧検出回路9において、正極、負極どちらか一方の高電圧が検出された場合、そのどちらの場合でもHIまたはLOWを出力するものであり、この動作をする回路であれば、論理回路の構成形式を限定しない。これにより、電圧検出回路9が正極、負極の高電圧を検出した場合、電流遮断部13がオフすることにより、DCのリーク電流を遮断することができる。その他の点は、図2の構成を有する実施形態1と同じである。
(実施形態3)
図8は実施形態3を示す。本実施形態は、図2の構成とは異なり、入力保護回路5と被保護回路11(図1の増幅回路4に相当)が複数の配線で接続された構成である。本実施形態では、図2における電流遮断回路10として、論理回路12と被保護回路11の電源V35、V36との間にそれぞれ設けられた電流遮断部14である遮断スイッチS31、S32を持つ。
図8は実施形態3を示す。本実施形態は、図2の構成とは異なり、入力保護回路5と被保護回路11(図1の増幅回路4に相当)が複数の配線で接続された構成である。本実施形態では、図2における電流遮断回路10として、論理回路12と被保護回路11の電源V35、V36との間にそれぞれ設けられた電流遮断部14である遮断スイッチS31、S32を持つ。
本構成では、図7と同様に、電圧検出回路9によって得られた信号の論理和を論理回路12で取り、その信号を用いることで、リークの発生源である被保護回路11とこれの電源とのパスをスイッチS31、S32で遮断する。図9の構成例は、図8で示した電源遮断の方法をより具体的に示した例である。この例で示した回路のように、片側の電源に電流源を接続し、これにより電流を制限している被保護回路11では、その電流源に論理回路12の出力を接続することにより、被保護回路11に流れるリーク電流を削減することができる。その他の点は、図2の構成を有する実施形態1と同じである。
P21・・第1エンハンスメント型MOSトランジスタ、N22・・第2エンハンスメント型MOSトランジスタ、D21・・ダイオード素子、I21・・電流源、5・・保護回路、9・・電圧検出回路、10・・電流遮断回路
Claims (16)
- 被保護回路を保護する保護装置であって、
ドレインと、ソースと、ゲートとを有する第1導電型の第1エンハンスメント型MOSトランジスタと、
前記第1エンハンスメント型MOSトランジスタの前記ソースと接続されるドレインと、ソースと、第1バイアス電圧が供給されるゲートとを有する第2導電型の第2エンハンスメント型MOSトランジスタと、
前記第1エンハンスメント型MOSトランジスタの前記ドレインまたはソースに接続される一端と、前記第1エンハンスメント型MOSトランジスタの前記ゲートに接続される他端とを有するダイオード素子と、
前記第1エンハンスメント型MOSトランジスタの前記ゲートおよび前記ダイオード素子の前記他端に接続される一端と、第2バイアス電圧が供給される他端とを有する電流源と、
前記第2エンハンスメント型MOSトランジスタのソースに接続され、リーク電流が発生する電圧を検出する電圧検出回路と、
前記第2エンハンスメント型MOSトランジスタのソースに接続され、前記電圧検出回路からの信号をもとにリーク電流を遮断ないし抑制する電流遮断回路と、
を有することを特徴とする保護装置。 - 被保護回路を保護する保護装置であって、
ドレインと、ソースと、ゲートとを有する第1導電型の第1エンハンスメント型MOSトランジスタと、
前記第1エンハンスメント型MOSトランジスタの前記ソースと接続されるドレインと、ソースと、第1バイアス電圧が供給されるゲートとを有する第2導電型の第2エンハンスメント型MOSトランジスタと、
前記第1エンハンスメント型MOSトランジスタの前記ドレインまたはソースに接続される一端と、前記第1エンハンスメント型MOSトランジスタの前記ゲートに接続される他端とを有するダイオード素子と、
前記第1エンハンスメント型MOSトランジスタの前記ゲートおよび前記ダイオード素子の前記他端に接続される一端と、第2バイアス電圧が供給される他端とを有する抵抗と、
前記第2エンハンスメント型MOSトランジスタのソースに接続され、リーク電流が発生する電圧を検出する電圧検出回路と、
前記第2エンハンスメント型MOSトランジスタのソースに接続され、前記電圧検出回路からの信号をもとにリーク電流を遮断ないし抑制する電流遮断回路と、
を有することを特徴とする保護装置。 - 前記ダイオード素子の順方向の閾値電圧は前記第1エンハンスメント型MOSトランジスタの閾値電圧より大きく、
前記第1エンハンスメント型MOSトランジスタの前記ドレインに、絶対値が所定の値より大きい第1極性の第1電圧信号が印加された際に、前記第1エンハンスメント型MOSトランジスタが、自身の前記ソースに現れる電圧に基づいてオフし、前記第1エンハンスメント型MOSトランジスタの前記ドレインに、絶対値が所定の値より大きい第2極性の第1電圧信号が印加された際に、前記第2エンハンスメント型MOSトランジスタが、自身の前記ソースに現れる電圧に基づいてオフし、
前記第1エンハンスメント型MOSトランジスタの前記ドレインに、絶対値が所定の値より小さく且つ前記第1電圧信号の絶対値より小さい第2電圧信号が印加された際に、前記第1エンハンスメント型MOSトランジスタ及び前記第2エンハンスメント型MOSトランジスタがオンすることを特徴とする請求項1または2に記載の保護装置。 - 前記ダイオード素子は、前記第1エンハンスメント型MOSトランジスタの寄生ダイオードであることを特徴とする請求項1から3の何れか1項に記載の保護装置。
- 前記第1エンハンスメント型MOSトランジスタの前記ドレインに、絶対値が所定の値より大きい第1極性の第1電圧信号が印加された際に、前記電流源または前記抵抗が、前記第1エンハンスメント型MOSトランジスタの前記ゲートに前記第2バイアス電圧を供給し、前記第1エンハンスメント型MOSトランジスタが、前記第2バイアス電圧に基づいてオフすることを特徴とする請求項1または2に記載の保護装置。
- 前記第1極性および第2極性は、それぞれ正および負であり、
前記第1エンハンスメント型MOSトランジスタは、エンハンスメント型PチャネルMOSトランジスタであり、前記第2エンハンスメント型MOSトランジスタは、エンハンスメント型NチャネルMOSトランジスタであり、
前記第1バイアス電圧は、前記負の第1電圧信号よりも、前記エンハンスメント型PチャネルMOSトランジスタの閾値電圧より大きいものであり、
前記第2バイアス電圧は、前記正の第1電圧信号よりも前記エンハンスメント型NチャネルMOSトランジスタの閾値電圧より小さいものであることを特徴とする請求項5に記載の保護装置。 - 前記第1極性および第2極性は、それぞれ正および負であり、
前記第1エンハンスメント型MOSトランジスタは、エンハンスメント型NチャネルMOSトランジスタであり、前記第2エンハンスメント型MOSトランジスタは、エンハンスメント型PチャネルMOSトランジスタであり、
前記第1バイアス電圧は、前記正の第1電圧信号よりも、前記エンハンスメント型NチャネルMOSトランジスタの閾値電圧より小さいものであり、
前記第2バイアス電圧は、前記負の第1電圧信号よりも、前記エンハンスメント型PチャネルMOSトランジスタの閾値電圧より大きいものであることを特徴とする請求項5に記載の保護装置。 - 前記第2エンハンスメント型MOSトランジスタのソースに現れる電圧信号の絶対値を、前記第2エンハンスメント型MOSトランジスタのソースに接続される被保護回路の耐電圧以下に制限する電圧制限回路をさらに有することを特徴とする請求項1から7の何れか1項に記載の保護装置。
- 前記電圧制限回路は、クリップ回路またはクランプ回路であることを特徴とする請求項8に記載の保護装置。
- 前記第1のエンハンスメント型MOSトランジスタのバックゲートとソースが接続されており、前記第2のエンハンスメント型MOSトランジスタのバックゲートとソースが接続されていることを特徴とする請求項1から9の何れか1項に記載の保護装置。
- 前記電圧検出回路は、前記第1のエンハンスメント型MOSトランジスタおよび前記第2のエンハンスメント型MOSトランジスタとそれぞれ同じ導電型のMOSトランジスタを含むことを特徴とする請求項1から10の何れか1項に記載の保護装置。
- 前記電流遮断回路において、リーク電流が発生する経路にP型MOSトランジスタとN型MOSトランジスタを直列接続して設け、前記電圧検出回路からの信号をもとにリーク電流を遮断ないし抑制することを特徴とする請求項11に記載の保護装置。
- 前記電流遮断回路において、前記電圧検出回路で得られたそれぞれの信号の論理和をとった信号をもとに、リーク電流が発生する経路においてリーク電流を遮断ないし抑制することを特徴とする請求項11に記載の保護装置。
- 前記電流遮断回路において、前記電圧検出回路で得られたそれぞれの信号の論理和をとった信号をもとに、被保護回路の電源を遮断することを特徴とする請求項11に記載の保護装置。
- 被保護回路を保護する保護装置であって、
N型MOSトランジスタとP型MOSトランジスタを直列に接続した第1の部分と電圧制限回路とを含んで、出力電圧を所定の範囲に制限する保護回路と、
前記保護回路からのリーク電流が発生する電圧を検出する電圧検出回路と、
前記電圧検出回路からの信号をもとにリーク電流を遮断ないし抑制して、被保護回路への電流を削減する電流遮断回路と、
を有することを特徴とする保護装置。 - 請求項1から15の何れか1項に記載の保護装置と、前記保護回路に接続されたセンサと、を有することを特徴とする情報取得装置。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016036497A JP2017148453A (ja) | 2016-02-28 | 2016-02-28 | 保護装置及び情報取得装置 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN111213065A (zh) * | 2017-09-27 | 2020-05-29 | 卡尔斯鲁厄技术研究所 | 致动和读取用于超声计算机断层摄影的一组超声转换器的设备及超声计算机断层摄影机器 |
-
2016
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2020534940A (ja) * | 2017-09-27 | 2020-12-03 | カールスルーエ インスティテュート フュア テクノロジ | 超音波コンピュータ断層撮影用の超音波トランスデューサのグループを作動させて読み取るための装置、および超音波コンピュータ断層撮影機 |
CN111213065B (zh) * | 2017-09-27 | 2023-04-04 | 卡尔斯鲁厄技术研究所 | 致动和读取超声转换器的设备及超声计算机断层摄影机器 |
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