JP2017126660A - 配線基板、電子機器、および配線基板の製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 53
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 88
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 34
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 16
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 68
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 68
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 12
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 10
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 77
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 77
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 16
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 16
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 13
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 12
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 9
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 9
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 9
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N titanium tungsten Chemical compound [Ti].[W] MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M potassium iodide Chemical compound [K+].[I-] NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- HBVFXTAPOLSOPB-UHFFFAOYSA-N nickel vanadium Chemical compound [V].[Ni] HBVFXTAPOLSOPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002577 polybenzoxazole Polymers 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N Glucose Natural products OC[C@H]1OC(O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012935 ammoniumperoxodisulfate Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000008280 blood Substances 0.000 description 1
- 210000004369 blood Anatomy 0.000 description 1
- 230000036772 blood pressure Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000008103 glucose Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
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Abstract
【課題】大電流を印加することができる配線基板を提供する。【解決手段】基板と、前記基板の上方に設けられている絶縁層と、前記絶縁層の上方に設けられている配線と、前記配線を覆って設けられている第１導電層と、を含み、前記配線の材質は、銅またはニッケルであり、前記第１導電層は、平面視で前記配線の端部から延伸している第１延伸部を有し、前記第１延伸部の平面視における延伸長は、前記第１導電層の膜厚よりも大きい、配線基板。【選択図】図２
Description
本発明は、配線基板、電子機器、および配線基板の製造方法に関する。
インクジェット式記録装置等の液体噴射装置は、例えば、カートリッジやタンク等に貯留されたインク等の液体を噴射するための圧電アクチュエーターを備えた液体噴射ヘッドと、該液体噴射ヘッドを制御する制御装置と、を備えている。
特許文献１には、複数のノズルおよび複数のノズルにそれぞれ連通する複数の圧力室を含む液体流路が形成された流路構造体と、複数の圧力室とそれぞれ対向して配置された複数の圧電素子と、複数の圧電素子を駆動するドライバＩＣと、を備えた液体噴射装置が開示されている。
特許文献１の液体噴射装置では、流路構造体には複数の圧電素子にそれぞれ接続された複数の接続端子が設けられており、ドライバＩＣと複数の接続端子とは複数のバンプによって接続されている。また、特許文献１の液体噴射装置では、ドライバＩＣと、複数のバンプと、複数のバンプの間に充填された封止材によって、圧電素子を密閉し、圧電素子を大気から遮断している。
上記の液体噴射装置では、ドライバＩＣから圧電素子に対して大電流が供給される場合がある。
本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、大電流を印加することができる配線基板を提供することにある。また、本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、上記配線基板を含む電子機器を提供することにある。また、本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、大電流を印加することができる配線基板の製造方法を提供することにある。
本発明は前述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の態様又は適用例として実現することができる。
［適用例１］
本発明に係る配線基板の一態様は、
基板と、
前記基板の上方に設けられている絶縁層と、
前記絶縁層の上方に設けられている配線と、
前記配線を覆って設けられている第１導電層と、
を含み、
前記配線の材質は、銅またはニッケルであり、
前記第１導電層は、平面視で前記配線の端部から延伸している第１延伸部を有し、
前記第１延伸部の平面視における延伸長は、前記第１導電層の膜厚よりも大きい。
本発明に係る配線基板の一態様は、
基板と、
前記基板の上方に設けられている絶縁層と、
前記絶縁層の上方に設けられている配線と、
前記配線を覆って設けられている第１導電層と、
を含み、
前記配線の材質は、銅またはニッケルであり、
前記第１導電層は、平面視で前記配線の端部から延伸している第１延伸部を有し、
前記第１延伸部の平面視における延伸長は、前記第１導電層の膜厚よりも大きい。
このような配線基板では、配線の材質は、銅またはニッケルである。銅およびニッケルは電気抵抗率が小さいため、配線を低抵抗にできる。これにより、このような配線基板では、配線に大電流を印加することができる。さらに、このような配線基板では、第１延伸部の延伸長は、第１導電層の膜厚よりも大きい。そのため、このような配線基板では、配線の酸化を抑制することができる。
なお、本発明に係る記載では、「上方」という文言を、例えば、「特定のもの（以下、「Ａ」という）の「上方」に他の特定のもの（以下、「Ｂ」という）が設けられている」などと用いる場合に、Ａ上に直接Ｂを設けるような場合と、Ａ上に他のものを介してＢを設けるような場合とが含まれるものとして、「上方」という文言を用いている。
［適用例２］
適用例１において、
前記第１導電層は、
第１金属層と、
前記第１金属層の上方に設けられ、材質が金またはパラジウムである第２金属層と、
を有していてもよい。
適用例１において、
前記第１導電層は、
第１金属層と、
前記第１金属層の上方に設けられ、材質が金またはパラジウムである第２金属層と、
を有していてもよい。
このような配線基板では、配線の酸化を抑制することができる。
［適用例３］
適用例２において、
前記絶縁層と前記配線との間に設けられている第２導電層を含み、
前記第２導電層は、平面視で前記配線の端部から延伸している第２延伸部を有していてもよい。
適用例２において、
前記絶縁層と前記配線との間に設けられている第２導電層を含み、
前記第２導電層は、平面視で前記配線の端部から延伸している第２延伸部を有していてもよい。
このような配線基板では、より確実に配線の酸化を抑制することができる。
［適用例４］
適用例３において、
前記第２導電層の材質と、前記第１金属層の材質とは、同じであってもよい。
適用例３において、
前記第２導電層の材質と、前記第１金属層の材質とは、同じであってもよい。
このような配線基板では、第２導電層と第１金属層との密着性を向上させることができる。さらに、このような配線基板では、同じエッチング液で、第２導電層と第１金属層とをエッチングすることができ、製造工程を簡易にすることができる。
［適用例５］
適用例１ないし４のいずれか１例において、
前記配線の前記基板側の面の面積は、前記配線の前記基板とは反対側の面の面積よりも大きくてもよい。
適用例１ないし４のいずれか１例において、
前記配線の前記基板側の面の面積は、前記配線の前記基板とは反対側の面の面積よりも大きくてもよい。
このような配線基板では、配線の断面を、基板側から上方に向けて幅が小さくなるテーパー形状にすることができる。そのため、このような配線基板では、第１導電層の配線に対するカバレッジ性を向上させることができ、より確実に配線の酸化を抑制することができる。
［適用例６］
適用例１ないし５のいずれか１例において、
前記基板には、集積回路と、前記集積回路と電気的に接続された電極と、が設けられ、
前記配線は、前記電極と電気的に接続されていてもよい。
適用例１ないし５のいずれか１例において、
前記基板には、集積回路と、前記集積回路と電気的に接続された電極と、が設けられ、
前記配線は、前記電極と電気的に接続されていてもよい。
このような配線基板では、集積回路を、電極、第２導電層、配線、および第１導電層を介して、実装先と電気的に接続させることができる。
なお、本発明に係る記載では、「電気的に接続」という文言を、例えば、「特定の部材（以下「Ｃ部材」という）に「電気的に接続」された他の特定の部材（以下「Ｄ部材」という）」などと用いている。本発明に係る記載では、この例のような場合に、Ｃ部材とＤ部材とが、直接接して電気的に接続されているような場合と、Ｃ部材とＤ部材とが、他の部材を介して電気的に接続されているような場合とが含まれるものとして、「電気的に接続」という文言を用いている。
［適用例７］
本発明に係る電子機器の一態様は、
適用例１ないし６のいずれか１例に記載の配線基板を含む。
本発明に係る電子機器の一態様は、
適用例１ないし６のいずれか１例に記載の配線基板を含む。
このような電子機器では、大電流を印加することができる配線基板を含むことができる。
［適用例８］
本発明に係る配線基板の製造方法の一態様は、
基板の上方に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層の上方に配線を形成する工程と、
前記配線を覆う導電層を形成する工程と、
を含み、
前記配線の材質は、銅またはニッケルであり、
前記導電層は、平面視で前記配線の端部から延伸している延伸部を有し、
前記延伸部の平面視における延伸長は、前記導電層の膜厚よりも大きい。
本発明に係る配線基板の製造方法の一態様は、
基板の上方に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層の上方に配線を形成する工程と、
前記配線を覆う導電層を形成する工程と、
を含み、
前記配線の材質は、銅またはニッケルであり、
前記導電層は、平面視で前記配線の端部から延伸している延伸部を有し、
前記延伸部の平面視における延伸長は、前記導電層の膜厚よりも大きい。
このような配線基板の製造方法では、大電流を印加することができる配線基板を製造することができる。
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また、以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。
１． 第１実施形態
１．１． 配線基板
まず、第１実施形態に係る配線基板について、図面を参照しながら説明する。図１は、第１実施形態に係る配線基板１００を模式的に示す平面図である。図２は、第１実施形態に係る配線基板１００を模式的に示す図１のＩＩ−ＩＩ線断面図である。図３は、第１実施形態に係る配線基板１００を模式的に示す図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線断面斜視図である。
１．１． 配線基板
まず、第１実施形態に係る配線基板について、図面を参照しながら説明する。図１は、第１実施形態に係る配線基板１００を模式的に示す平面図である。図２は、第１実施形態に係る配線基板１００を模式的に示す図１のＩＩ−ＩＩ線断面図である。図３は、第１実施形態に係る配線基板１００を模式的に示す図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線断面斜視図である。
配線基板１００は、図１〜図３に示すように、基板１０と、絶縁層２０と、第１樹脂突起３０と、第１導電層６０と、第２導電層４０と、第１配線５０と、を含む。
基板１０は、例えば、シリコン基板である。基板１０は、シリコン以外の半導体材料からなる半導体基板であってもよい。なお、基板１０は、ガラス基板、セラミックス基板、プラスチック基板などであってもよい。
基板１０には、集積回路１２が設けられている。集積回路１２の構成は特に限定されないが、例えば、トランジスター等の能動素子や、抵抗、コイル、コンデンサー等の受動素子を含んでいる。
絶縁層２０は、基板１０の上方（図示の例では基板１０上）に設けられている。絶縁層２０は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）や、窒化シリコン膜（ＳｉＮ膜）等である。
絶縁層２０上には、図１に示すように、第１構造体１０１、第２構造体１０２、第３構造体１０３、第４構造体１０４、第５構造体１０５、第６構造体１０６、第７構造体１０７が設けられている。以下、各構造体について、順に説明する。
（１）第１構造体
第１構造体１０１では、図２に示すように、基板１０上にパッド電極１６が設けられている。絶縁層２０は、パッド電極１６上に位置する開口２２を有している。パッド電極１６は、集積回路１２と電気的に接続されている。パッド電極１６の材質は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）である。
第１構造体１０１では、図２に示すように、基板１０上にパッド電極１６が設けられている。絶縁層２０は、パッド電極１６上に位置する開口２２を有している。パッド電極１６は、集積回路１２と電気的に接続されている。パッド電極１６の材質は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）である。
第１樹脂突起３０は、絶縁層２０の上方（図示の例では絶縁層２０上）に設けられている。図２に示す例では、第１樹脂突起３０の形状は、半球状である。第１樹脂突起３０の膜厚（最大の膜厚）は、第１配線５０の膜厚よりも大きく、例えば、１０μｍ以上２０μｍ以下であり、より好ましくは、１２μｍ以上１６μｍ以下である。第１樹脂突起３０の材質は、例えば、感光性の樹脂である。具体的には、第１樹脂突起３０の材質は、例えば、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ：ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ：ｐｏｌｙｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｅ）、フェノール樹脂等である。第１樹脂突起３０上の第１導電層６０は、図示はしない実装先（配線基板１００が実装される部材、例えば液体噴射装置）と接合される外部端子として機能する。
第２導電層４０は、絶縁層２０の上方（図示の例では絶縁層２０上および第１樹脂突起３０上）に設けられている。第２導電層４０は、絶縁層２０と第１配線５０との間、絶縁層２０と第１導電層６０との間、および第１樹脂突起３０と第１導電層６０との間に設けられている。図示の例では、第２導電層４０は、絶縁層２０と第１配線５０とに接して挟持されている部分と、絶縁層２０と第１導電層６０とに接して挟持されている部分と、第１樹脂突起３０と第１導電層６０とに接して挟持されている部分と、を有している。第２導電層４０は、絶縁層２０と第１樹脂突起３０との間には設けられていない。第２導電層４０は、さらに、開口２２（例えば開口２２を規定する絶縁層２０の側面およびパッド電極１６の上面）に設けられている。第２導電層４０は、開口２２を介して、パッド電極１６に接続されている。図１に示す例では、第２導電層４０の平面形状（基板１０の厚さ方向からみた形状）は、長方形である。
第２導電層４０の膜厚は、例えば、１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、好ましくは、１００ｎｍである。第２導電層４０は、バリア層（バリアメタル）である。第２導電層４０は、例えば、パッド電極１６を構成するアルミニウム（Ａｌ）と、第１導電層６０を構成する金（Ａｕ）と、の間の相互拡散を抑制することができる。さらに、第２導電層４０は、絶縁層２０と第１配線５０との間の密着性を高めることができる。さらに、第２導電層４０は、第１配線５０の酸化を抑制することができる。
第２導電層４０の材質は、例えば、チタンタングステン（ＴｉＷ）や、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、ニッケルバナジウム（ＮｉＶ）等である。第２導電層４０の材質としては、チタンタングステンが好ましい。チタンタングステンは、第１配線５０の材料として用いられる銅（Ｃｕ）に対して高い密着性を有するためである。
第１配線５０は、図２に示すように、絶縁層２０の上方（図示の例では第２導電層４０上）に設けられている。第１配線５０は、第１樹脂突起３０と離間している。図１に示す例では、第１配線５０の平面形状は、長方形である。
第１配線５０は、図２に示すように、第１面５０ａと、第１面５０ａとは反対側の第２面５０ｂと、第１面５０ａおよび第２面５０ｂに接続された第３面５０ｃと、を有している。第１面５０ａは、第１配線５０の基板１０側の面（下面）である。図示の例では、第１面５０ａは、第２導電層４０と接している。第２面５０ｂは、第１配線５０の基板１０とは反対側の面（上面）である。図示の例では、第２面５０ｂは、第１導電層６０と接している。第１面５０ａの面積は、第２面５０ｂの面積よりも大きい。第３面５０ｃは、第１配線５０の側面である。第３面５０ｃは、基板１０の上面１０ａに対して傾斜している。第１配線５０の断面は、基板１０側から上方に向けて幅が小さくなるテーパー形状である。図３に示す例では、第１配線５０の断面形状は、台形である。
なお、第１配線５０の断面形状において、図４に示すように、第３面５０ｃは、湾曲していてもよい。また、図示はしないが、第１面５０ａの面積と第２面５０ｂの面積とは、同じであり、第３面５０ｃは、基板１０の上面１０ａに対して垂直であってもよい。
第１配線５０は、図２に示すように、第２導電層４０を介してパッド電極１６と電気的に接続されている。したがって、第１配線５０は、集積回路１２と電気的に接続されている。
第１配線５０の膜厚は、例えば、１μｍ以上５μｍ以下である。第１配線５０の材質は、銅（Ｃｕ）またはニッケル（Ｎｉ）である。第１配線５０の材質としては、銅が好ましい。銅は電気抵抗率が小さいため、第１配線５０に、より大電流を印加できるためである。第１配線５０は、パッド電極１６を構成するアルミニウムと、第１導電層６０を構成する金と、の間の相互拡散を抑制することができる。
第１導電層６０は、第１樹脂突起３０の上方（図示の例では第２導電層４０を介して第１樹脂突起３０の上方）から延伸して第１配線５０を覆って設けられている。図示の例では、第１導電層６０は、第２導電層４０上および第１配線５０上に設けられている。図１に示す例では、第１導電層６０の平面形状は、長方形である。
第１導電層６０は、平面視で（基板１０の厚さ方向からみて）第１配線５０の端部（外縁）５１から延伸している第１延伸部６０ａを有している。図示の例では、平面視で、第１導電層６０の面積は、第１配線５０の面積よりも大きく、第１配線５０は、第１導電層６０の外縁６１の内側に設けられている。第１延伸部６０ａは、平面視で、第１導電層６０の第１配線５０と重なっていない部分である。第１配線５０の外縁５１は、第１配線５０の第１面５０ａの外縁である。
第１導電層６０の第１延伸部６０ａの平面視における延伸長Ｌは、第１導電層６０の膜厚Ｔよりも大きい。ここで、延伸長Ｌは、第１配線５０の外縁５１と第１導電層６０の外縁６１との間の距離のうち最短の長さのことである。第１導電層６０の膜厚Ｔとは、第１配線５０の第２面５０ｂ（より具体的には、第２面５０ｂの、基板１０の上面１０ａと平行な部分）に設けられた第１導電層６０の膜厚である。延伸長Ｌは、例えば、３μｍ以上である。膜厚Ｔは、例えば、０．５μｍ以上１．５μｍ以下である。
図示の例では、第２導電層４０は、第１導電層６０と同様に、平面視で第１配線５０の端部５１から延伸している第２延伸部４０ａを有している。平面視で、第２延伸部４０ａの形状および大きさは、例えば、第１延伸部６０ａと同じである。
第１導電層６０は、図２に示すように、第１金属層６２と、第２金属層６４と、を有している。第１導電層６０の第１金属層６２は、第１配線５０の上方（図示の例では第１配線５０上）に設けられている。第１金属層６２は、第２導電層４０と同様にバリア層であ
る。さらに、第１金属層６２は、第１配線５０と第２金属層６４との間の密着性を高めることができる。さらに、第１金属層６２および第２導電層４０は、第１樹脂突起３０と第２金属層６４との密着性を高めることができる。さらに、第１導電層６０は、第１配線５０の酸化を抑制することができる。第１金属層６２の膜厚は、例えば、１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、好ましくは、６１ｎｍである。第１金属層６２の材質は、例えば、第２導電層４０と同じである。
る。さらに、第１金属層６２は、第１配線５０と第２金属層６４との間の密着性を高めることができる。さらに、第１金属層６２および第２導電層４０は、第１樹脂突起３０と第２金属層６４との密着性を高めることができる。さらに、第１導電層６０は、第１配線５０の酸化を抑制することができる。第１金属層６２の膜厚は、例えば、１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、好ましくは、６１ｎｍである。第１金属層６２の材質は、例えば、第２導電層４０と同じである。
第１導電層６０の第２金属層６４は、第１金属層６２の上方（図示の例では第１金属層６２上）に設けられている。第２金属層６４は、第１配線５０の酸化を抑制することができる。さらに、第２金属層６４は、配線基板１００の製造工程において、第２導電層４０や第１金属層６２の加工に用いられるエッチング液によって第１配線５０がエッチングされることを抑制することができる。第２金属層６４の膜厚は、例えば、０．３μｍ以上１．５μｍ以下であり、好ましくは、０．５μｍｍである。第２金属層６４の材質は、金（Ａｕ）またはパラジウム（Ｐｄ）である。特に、金は、化学的に安定しているため、酸化されにくい。また、金は、実装先の電極と比較的低温で合金化する。そのため、第２金属層６４の材質を金とすることにより、実装先の電極と良好な接合が可能である。
第１構造体１０１は、例えば、集積回路１２で生成される信号を、第１樹脂突起３０上の第１導電層６０と接合される実装先に送ることができる。
（２）第２構造体
第２構造体１０２は、図１に示すように、２つの第１構造体１０１のうちの、一方の第１構造体１０１の第１樹脂突起３０と、他方の第１構造体１０１の第１樹脂突起３０と、が連続した構造を有している。第２構造体１０２では、２つの第１構造体１０１は、第１配線５０の延在方向（例えば平面視で第１配線５０の長辺の延在方向）と直交する方向に並んで設けられている。
第２構造体１０２は、図１に示すように、２つの第１構造体１０１のうちの、一方の第１構造体１０１の第１樹脂突起３０と、他方の第１構造体１０１の第１樹脂突起３０と、が連続した構造を有している。第２構造体１０２では、２つの第１構造体１０１は、第１配線５０の延在方向（例えば平面視で第１配線５０の長辺の延在方向）と直交する方向に並んで設けられている。
図５は、配線基板１００を模式的に示す図１のＶ−Ｖ線断面図である。図５に示すように、第１樹脂突起３０の第１導電層６０下方に位置する第１部分３０ａの厚さは、第１樹脂突起３０の第１導電層６０下方に位置しない第２部分３０ｂの厚さよりも大きい。そのため、配線基板１００では、第２部分３０ｂの厚さが第１部分３０ａの厚さと同じ場合に比べて、第１樹脂突起３０上の第１導電層６０を実装先と接合させる際に、小さな圧力で第１樹脂突起３０を変形させることができる。これにより、配線基板１００では、第１樹脂突起３０の変形に起因する復元力によって、第１導電層６０と実装先とを強固に接合させることができる。
（３）第３構造体
図６は、配線基板１００を模式的に示す図１のＶＩ−ＶＩ線断面図である。第３構造体１０３は、図１および図６に示すように、２つの第１構造体１０１のうちの、一方の第１構造体１０１の導電層４０，６０および第１配線５０と、他方の第１構造体１０１の導電層４０，６０および第１配線５０と、が連続した構造を有している。第３構造体１０３では、２つの第１構造体１０１は、第１配線５０の延在方向に並んで設けられている。
図６は、配線基板１００を模式的に示す図１のＶＩ−ＶＩ線断面図である。第３構造体１０３は、図１および図６に示すように、２つの第１構造体１０１のうちの、一方の第１構造体１０１の導電層４０，６０および第１配線５０と、他方の第１構造体１０１の導電層４０，６０および第１配線５０と、が連続した構造を有している。第３構造体１０３では、２つの第１構造体１０１は、第１配線５０の延在方向に並んで設けられている。
（４）第４構造体
図７は、配線基板１００を模式的に示す図１のＶＩＩ−ＶＩＩ線断面図である。第４構造体１０４は、図１および図７に示すように、第１配線５０が集積回路１２と電気的に接続されていないこと以外は、基本的に上述した第３構造体１０３と同じ構造を有している。
図７は、配線基板１００を模式的に示す図１のＶＩＩ−ＶＩＩ線断面図である。第４構造体１０４は、図１および図７に示すように、第１配線５０が集積回路１２と電気的に接続されていないこと以外は、基本的に上述した第３構造体１０３と同じ構造を有している。
第４構造体１０４では、集積回路１２、パッド電極１６、および開口２２は、設けられ
ていない。第４構造体１０４は、例えば、第１樹脂突起３０上の第１導電層６０と接合される実装先（図示せず）の第１部分と第２部分とを接続する配線として機能することができる。
ていない。第４構造体１０４は、例えば、第１樹脂突起３０上の第１導電層６０と接合される実装先（図示せず）の第１部分と第２部分とを接続する配線として機能することができる。
（５）第５構造体
図８は、配線基板１００を模式的に示す図１のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線断面図である。第５構造体１０５は、図１および図８に示すように、第１配線５０が第２配線５２に接続されていること以外は、基本的に上述した第４構造体１０４と同じ構造を有している。
図８は、配線基板１００を模式的に示す図１のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線断面図である。第５構造体１０５は、図１および図８に示すように、第１配線５０が第２配線５２に接続されていること以外は、基本的に上述した第４構造体１０４と同じ構造を有している。
第５構造体１０５では、第２配線５２は、基板１０と絶縁層２０との間に設けられている。図１に示す例では、第２配線５２は、第１配線５０と重なって設けられている。絶縁層２０は、複数の開口２２を有している。図示の例では、絶縁層２０は、３つの開口２２を有している。第１配線５０は、複数の開口２２を介して第２配線５２と電気的に接続されている。図示の例では、第１配線５０は、第１導電層４０を介して第２配線５２と電気的に接続されている。第２配線５２の材質は、例えば、アルミニウムである。なお、図示はしないが、第２配線５２は、集積回路１２と電気的に接続されていてもよい。
（６）第６構造体
図９は、配線基板１００を模式的に示す図１のＩＸ−ＩＸ線断面図である。第６構造体１０６は、図１および図９に示すように、第１樹脂突起３０の代わりに第２樹脂突起３２が設けられ、第１導電層６０の代わりに第３配線５４が設けられ、かつ第１配線５０が設けられていないこと以外は、基本的に上述した第１構造体１０１と同じ構造を有している。
図９は、配線基板１００を模式的に示す図１のＩＸ−ＩＸ線断面図である。第６構造体１０６は、図１および図９に示すように、第１樹脂突起３０の代わりに第２樹脂突起３２が設けられ、第１導電層６０の代わりに第３配線５４が設けられ、かつ第１配線５０が設けられていないこと以外は、基本的に上述した第１構造体１０１と同じ構造を有している。
第６構造体１０６では、第２樹脂突起３２は、絶縁層２０の上方（図示の例では絶縁層２０上）に設けられている。第２樹脂突起３２は、第１樹脂突起３０と離間している。第２樹脂突起３２の材質は、第１樹脂突起３０と同じである。第３配線５４は、第２樹脂突起３２の上方（図示の例では第２導電層４０を介して第２樹脂突起３２の上方）から絶縁層２０の上方（図示の例では第２導電層４０上）に延伸している。図示の例では、第３配線５４は、第２導電層４０上に設けられている。第３配線５４は、第１配線５０および第１導電層６０と離間している。第３配線５４の材質は、第１導電層６０の材質と同じであり、第３配線５４は、第１金属層６２および第２金属層６４を有している。
（７）第７構造体
第７構造体１０７は、図１に示すように、第１構造体１０１の第１樹脂突起３０と、第６構造体１０６の第２樹脂突起３２と、が連続した構造を有している。第７構造体１０７を構成する第１構造体１０１では、絶縁層２０は、３つの開口２２を有し、第１配線５０は、３つの開口２２を介して、パッド電極１６と電気的に接続されている。第７構造体１０７を構成する第６構造体１０６では、絶縁層２０は、２つの開口２２を有し、平面視で、一方の開口２２は第２樹脂突起３２の一方側に位置し、他方の開口２２は第２樹脂突起３２の他方側（一方側とは反対側）に位置している。
第７構造体１０７は、図１に示すように、第１構造体１０１の第１樹脂突起３０と、第６構造体１０６の第２樹脂突起３２と、が連続した構造を有している。第７構造体１０７を構成する第１構造体１０１では、絶縁層２０は、３つの開口２２を有し、第１配線５０は、３つの開口２２を介して、パッド電極１６と電気的に接続されている。第７構造体１０７を構成する第６構造体１０６では、絶縁層２０は、２つの開口２２を有し、平面視で、一方の開口２２は第２樹脂突起３２の一方側に位置し、他方の開口２２は第２樹脂突起３２の他方側（一方側とは反対側）に位置している。
なお、図１に示す例では、第１構造体１０１は、３つ設けられ、構造体１０２〜１０７は、１つずつ設けられているが、その数は特に限定されない。また、構造体１０１〜１０７の配置は特に限定されない。また、絶縁層２０上には、構造体１０１〜１０７以外の構造体が設けられていてもよい。
配線基板１００は、例えば、以下の特徴を有する。
配線基板１００では、第１配線５０および第１導電層６０を含むため、外部端子として
機能する第１樹脂突起３０上の第１導電層６０の位置（外部端子のレイアウト）の自由度を高めることができる。さらに、配線基板１００では、第１配線５０の材質は、銅またはニッケルである。銅およびニッケルは電気抵抗率が小さいため、第１配線５０を低抵抗にできる。これにより、配線基板１００では、第１配線５０に大電流（例えばアンペアオーダーの電流）を印加することができる。したがって、配線基板１００では、外部端子が設けられる位置の自由度を高めることができ、かつ、大電流を印加することができる。
機能する第１樹脂突起３０上の第１導電層６０の位置（外部端子のレイアウト）の自由度を高めることができる。さらに、配線基板１００では、第１配線５０の材質は、銅またはニッケルである。銅およびニッケルは電気抵抗率が小さいため、第１配線５０を低抵抗にできる。これにより、配線基板１００では、第１配線５０に大電流（例えばアンペアオーダーの電流）を印加することができる。したがって、配線基板１００では、外部端子が設けられる位置の自由度を高めることができ、かつ、大電流を印加することができる。
さらに、配線基板１００では、第１延伸部６０ａの延伸長Ｌは、第１導電層６０の膜厚Ｔよりも大きい。そのため、配線基板１００では、延伸長Ｌが膜厚Ｔ以下の場合に比べて、第１導電層６０の第１配線５０に対するカバレッジ性を向上させることができ（より確実に第１配線５０を密封することができ）、第１配線５０の酸化を抑制することができる。仮に、延伸長Ｌが膜厚Ｔ以下の場合、第１配線５０に大電流を印加すると、第１配線５０は、発熱して高温となり、第１配線５０の酸化が進行する場合がある。第１配線５０の酸化が進行すると第１配線５０の電気抵抗率が増加してさらに発熱し、第１配線５０の酸化がさらに進行する。このようにして、第１配線５０の酸化が加速することにより、第１配線５０が溶断に至る場合がある。配線基板１００では、上記のように第１配線５０の酸化を抑制することができるため、このような問題が生じない。
配線基板１００では、第１導電層６０は、第１金属層６２と、第１金属層６２の上方に設けられ、材質が金またはパラジウムである第２金属層６４と、を有する。そのため、配線基板１００では、第１配線５０の酸化を抑制することができる。さらに、配線基板１００では、第２金属層６４によって、配線基板１００の製造工程において、第２導電層４０や第１金属層６２の加工に用いられるエッチング液によって第１配線５０がエッチングされることを抑制することができる。
配線基板１００では、絶縁層２０と第１配線５０との間に設けられている第２導電層４０を含み、第２導電層４０は、平面視で第１配線５０の端部５１から延伸している第２延伸部４０ａを有する。そのため、配線基板１００では、より確実に第１配線５０の酸化を抑制することができる。さらに、第２導電層４０は、第１樹脂突起３０と第１導電層６０との間に設けられている。そのため、配線基板１００では、第１樹脂突起３０上に第２導電層４０が設けられていない場合に比べて、第１樹脂突起３０上方の導電層４０，６０に、大電流を印加することができる。
配線基板１００では、第２導電層４０の材質と、第１金属層６２の材質とは、同じである。そのため、配線基板１００では、第２導電層４０および第１金属層６２の材質が異なる場合に比べて、第２導電層４０と第１金属層６２との密着性を向上させることができる。さらに、配線基板１００では、同じエッチング液で、第２導電層４０と第１金属層６２とをエッチングすることができ、製造工程を簡易にすることができる。
配線基板１００では、第１配線５０の基板１０側の第１面５０ａの面積は、第１配線５０の基板１０とは反対側の第２面５０ｂの面積よりも大きい。そのため、配線基板１００では、第１配線５０の断面を、基板１０側から上方に向けて幅が小さくなるテーパー形状にすることができる。そのため、配線基板１００では、第１導電層６０の第１配線５０に対するカバレッジ性を向上させることができ、より確実に第１配線５０の酸化を抑制することができる。
配線基板１００では、基板１０には、集積回路１２と、集積回路１２と電気的に接続されたパッド電極１６と、が設けられ、第１配線５０は、パッド電極１６と電気的に接続されている。そのため、配線基板１００では、集積回路１２を、パッド電極１６、第２導電層４０、第１配線５０、および第１導電層６０を介して、実装先と電気的に接続させるこ
とができる。
とができる。
配線基板１００では、第１配線５０は、第１樹脂突起３０と離間している。したがって、配線基板１００では、第１樹脂突起３０上に第１配線５０は、設けられていない。そのため、配線基板１００では、第１樹脂突起３０上の第１導電層６０を実装先と接合させる際に、第１樹脂突起３０を変形（弾性変形）させることができる。これにより、配線基板１００では、第１樹脂突起３０の変形に起因する復元力によって、第１導電層６０と実装先とを強固に接合させることができる。仮に第１樹脂突起３０上に第１配線５０が設けられていると、第１配線５０は第１導電層６０よりも厚く硬いので、第１樹脂突起３０を変形させることができない場合があり、信頼性が低下する場合がある。
配線基板１００では、基板１０と絶縁層２０との間に設けられている第２配線５２を含み、第１配線５０は、複数の開口２２を介して第２配線５２と電気的に接続されている。そのため、配線基板１００では、第２配線５２が設けられていない場合に比べて、配線５０，５２に、より大電流を印加することができる。
配線基板１００では、第２樹脂突起３２の上方から絶縁層２０の上方に延伸し、第１配線５０および第１導電層６０と離間している第３配線５４を含む。そのため、配線基板１００では、例えば、集積回路１２から実装先に流れる電流が大電流ではない場合（実装先の大電流が必要ではない部分と、第１導電層６０とが接続する場合）は、第１配線５０および第１導電層６０ではなく第３配線５４を用いて、集積回路１２と実装先とを電気的に接続させることができる。そのため、配線基板１００では、第１配線５０のコストを低下させることができる。
１．２． 配線基板の製造方法
次に、第１実施形態に係る配線基板の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図１０は、第１実施形態に係る配線基板１００の製造方法の一例を示すフローチャートである。図１１〜図２０は、第１実施形態に係る配線基板１００の製造工程を模式的に示す断面図である。
次に、第１実施形態に係る配線基板の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図１０は、第１実施形態に係る配線基板１００の製造方法の一例を示すフローチャートである。図１１〜図２０は、第１実施形態に係る配線基板１００の製造工程を模式的に示す断面図である。
図１１に示すように、集積回路１２およびパッド電極１６が形成された基板１０を準備する。基板１０は、ウエハーであってもよいし、個片化された状態（チップ）であってもよい。パッド電極１６は、例えば、スパッタ法等により形成される。なお、パッド電極１６を形成する工程において、第２配線５２（図８参照）を形成することができる。
次に、基板１０上に絶縁層２０を形成する（ステップＳ１０）。絶縁層２０は、例えば、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、塗布（スピンコート）法等により形成される。
次に、絶縁層２０をパターニングして開口２２を形成する。パターニングは、例えば、フォトリソグラフィーおよびエッチングによって行われる。
図１２に示すように、絶縁層２０上に第１樹脂突起３０を形成する（ステップＳ１２）。第１樹脂突起３０は、例えば、絶縁層２０上に塗布法により樹脂層（図示せず）を形成し、該樹脂層をフォトリソグラフィーによってパターニングした後、熱処理（キュア）することによって形成される。本工程において、第２樹脂突起３２（図９参照）を形成することができる。
図１３に示すように、パッド電極１６上、絶縁層２０上、および第１樹脂突起３０上に、第２導電層４０を形成する（ステップＳ１４）。第２導電層４０は、例えば、スパッタ
法により形成される。
法により形成される。
次に、第２導電層４０上に第１配線５０を形成する（ステップＳ１６）。第１配線５０は、例えば、スパッタ法により形成される。なお、第１配線５０は、めっき法により形成されてもよい。以上により、互いに離間する第１樹脂突起３０および第１配線５０を形成することができる。
図１４に示すように、第１配線５０上に所定形状の第１レジスト層Ｒ１を形成する。第１レジスト層Ｒ１は、例えば、塗布法およびフォトリソグラフィーによって形成される。
図１５に示すように、第１レジスト層Ｒ１をマスクとして、第１配線５０をエッチングする。第１配線５０のエッチングは、例えば、ウェットエッチングにより行われる。これにより、第１配線５０の断面を、基板１０側から上方に向けて幅が小さくなるテーパー形状にすることができる。具体的には、第１配線５０の材質が銅である場合、エッチング液として、ペルオキソ二硫酸アンモニウム溶液に界面活性剤が注入された液体を用いる。
図１６に示すように、第１レジスト層Ｒ１を除去（剥離）する。第１レジスト層Ｒ１は、公知の方法により除去される。
図１７に示すように、第１樹脂突起３０の上方から延伸して第１配線５０を覆う第１導電層６０を形成する（ステップＳ１８）。第１導電層６０を形成する工程は、第１金属層６２を形成する工程と、第２金属層６４を形成する工程と、を有する。具体的には、まず、第２導電層４０上および第１配線５０上に、第１金属層６２を形成する。次に、第１金属層６２上に第２金属層６４を形成する。金属層６２，６４は、例えば、スパッタ法により形成される。本工程において、第３配線５４（図９参照）を形成することができる。
図１８に示すように、第１導電層６０上に所定形状の第２レジスト層Ｒ２を形成する。第２レジスト層Ｒ２は、第１樹脂突起３０および第１配線５０の上方に位置するように形成される。第２レジスト層Ｒ２は、例えば、塗布法およびフォトリソグラフィーによって形成される。
図１９に示すように、第２レジスト層Ｒ２をマスクとして、第２金属層６４をエッチングする。第２金属層６４のエッチングは、例えば、ウェットエッチングにより行われる。第２金属層６４の材質が金である場合、エッチング液として、ヨウ化カリウム溶液を用いる。
図２０に示すように、第２レジスト層Ｒ２を除去する。第２レジスト層Ｒ２は、公知の方法により除去される。
図２に示すように、第２金属層６４をマスクとして、第１金属層６２および第２導電層４０をエッチングする。第１金属層６２および第２導電層４０のエッチングは、例えば、ウェットエッチングにより行われる。第１金属層６２および第２導電層４０の材質が同じ場合、同じエッチング液で、第１金属層６２と第２導電層４０とをエッチングすることができる。具体的には、第１金属層６２および第２導電層４０の材質がチタンタングステンである場合、エッチング液として過酸化水素水を用いる。例えば、第２レジスト層Ｒ２は、第１金属層６２および第２導電層４０のエッチングに用いるエッチング液に対して耐性がないので、第２金属層６４をマスクとしてエッチングを行う。
図５に示すように、第２金属層６４をマスクとして、第１樹脂突起３０をエッチングする。これにより、第１部分３０ａおよび第２部分３０ｂを有する第１樹脂突起３０を形成
することができる。第１樹脂突起３０のエッチングは、例えば、酸素プラズマによるドライエッチングによって行われる。本工程において、第１樹脂突起３０と同様に第２樹脂突起３２をエッチングすることができる。
することができる。第１樹脂突起３０のエッチングは、例えば、酸素プラズマによるドライエッチングによって行われる。本工程において、第１樹脂突起３０と同様に第２樹脂突起３２をエッチングすることができる。
基板１０がウエハーである場合、基板１０をダイシング等の公知の切断技術により個片化する。
以上の工程により、配線基板１００を製造することができる。
なお、図示はしないが、第２金属層６４をマスクとして第１樹脂突起３０をエッチングした後に、第１導電層６０上の一部に、感光性の樹脂を形成してもよい。
配線基板１００の製造方法は、例えば、以下の特徴を有する。
配線基板１００の製造方法では、外部端子が設けられる位置の自由度を高めることができ、かつ、大電流を印加することができる配線基板１００を製造することができる。
配線基板１００の製造方法では、第１樹脂突起３０を形成する工程（ステップＳ１２）の後に、第１配線５０を形成する工程（ステップＳ１６）を行う。そのため、第１樹脂突起３０を形成するためのキュアによって第１配線５０が酸化されることを抑制することができる。
１．３． 配線基板の変形例
次に、第１実施形態の変形例に係る配線基板について、図面を参照しながら説明する。図２１は、第１実施形態の変形例に係る配線基板２００を模式的に示す断面図であって、図２と同じ断面を示している。
次に、第１実施形態の変形例に係る配線基板について、図面を参照しながら説明する。図２１は、第１実施形態の変形例に係る配線基板２００を模式的に示す断面図であって、図２と同じ断面を示している。
以下、第１実施形態の変形例に係る配線基板２００において、上述した第１実施形態に係る配線基板１００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その説明を省略する。
上述した配線基板１００では、図２に示すように、第１配線５０は、例えばスパッタ法で形成された１つの層から構成されていた。これに対し、配線基板２００では、図２１に示すように、第１配線５０は、例えば、スパッタ法で形成された第１層２５０と、めっき法で形成された第２層２５２と、によって構成されている。
第１層２５０の膜厚は、例えば、１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。第２層２５２は、第１層２５０上に設けられている。第２層２５２の膜厚は、例えば、５μｍ以上２０μｍ以下である。
配線基板２００では、第１配線５０は、スパッタ法で形成された第１層２５０、およびめっき法で形成された第２層２５２によって構成されているため、例えば第１配線５０がスパッタ法形成された層のみよって構成されている場合に比べて、第１配線５０の膜厚を大きくすることができる。そのため、配線基板２００では、第１配線５０に、より大電流を印加することができる。
図２２および図２３は、第１実施形態の変形例に係る配線基板２００の製造工程を模式的に示す断面図である。
配線基板２００の製造方法では、図２２に示すように第１層２５０を所定形状にパター
ニングした後、図２３に示すように第１層２５０を種メタルとして第２層２５２を形成する。このこと以外は、配線基板２００の製造方法は、配線基板１００の製造方法と基本的に同じである。したがって、配線基板２００の製造方法の詳細な説明は、省略する。
ニングした後、図２３に示すように第１層２５０を種メタルとして第２層２５２を形成する。このこと以外は、配線基板２００の製造方法は、配線基板１００の製造方法と基本的に同じである。したがって、配線基板２００の製造方法の詳細な説明は、省略する。
配線基板２００の製造方法では、パターニングされた第１層２５０を種メタルとして、めっき法により第２層２５２を形成するため、基板１０が反ることを抑制することができる。
例えば、パターニングされる前の第１層２５０（全面に設けられた第１層２５０）を種メタルとして全面に第２層２５２を形成し、その後、第２層２５２および第１層２５０をパターニングする場合には、厚い第２層２５２が基板１０の全面に形成された際に、第２層２５２の応力によって基板１０が反ってしまう場合がある。
２． 第２実施形態
２．１． 配線基板
次に、第２実施形態に係る配線基板について、図面を参照しながら説明する。図２４は、第２実施形態に係る配線基板３００を模式的に示す断面図であって、図２と同じ断面を示している。
２．１． 配線基板
次に、第２実施形態に係る配線基板について、図面を参照しながら説明する。図２４は、第２実施形態に係る配線基板３００を模式的に示す断面図であって、図２と同じ断面を示している。
以下、第２実施形態に係る配線基板３００において、上述した第１実施形態に係る配線基板１００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その説明を省略する。
上述した配線基板１００では、図２に示すように、第２導電層４０は、第１樹脂突起３０上にも設けられていた。これに対し、配線基板３００では、図２４に示すように、第２導電層４０は、第１樹脂突起３０上には設けられていない。第２導電層４０は、絶縁層２０と第１配線５０とに挟持されて設けられている。
配線基板３００では、配線基板１００と同様に、外部端子が設けられる位置の自由度を高めることができ、かつ、大電流を印加することができる。
なお、図示はしないが、配線基板３００において、上述した配線基板２００のように、第１配線５０は、スパッタ法で形成された第１層２５０と、めっき法で形成された第２層２５２と、によって構成されていてもよい。
２．２． 配線基板の製造方法
次に、第２実施形態に係る配線基板の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図２５は、第２実施形態に係る配線基板３００の製造方法の一例を示すフローチャートである。図２６〜図３４は、第２実施形態に係る配線基板３００の製造工程を模式的に示す断面図である。
次に、第２実施形態に係る配線基板の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図２５は、第２実施形態に係る配線基板３００の製造方法の一例を示すフローチャートである。図２６〜図３４は、第２実施形態に係る配線基板３００の製造工程を模式的に示す断面図である。
以下、第２実施形態に係る配線基板３００の製造方法において、上述した第１実施形態に係る配線基板１００の製造方法の例と異なる点について説明し、同様の点については説明を省略または簡略する。
図２６に示すように、基板１０上に絶縁層２０を形成する（ステップＳ１０）。次に、絶縁層２０上に第２導電層４０を形成する（ステップＳ１４）。次に、第２導電層４０上に第１配線５０を形成する（ステップＳ１６）。
図２７に示すように、第１配線５０上に所定形状の第１レジスト層Ｒ１を形成する。
図２８に示すように、第１レジスト層Ｒ１をマスクとして、第１配線５０をエッチングする。
図２９に示すように、第１レジスト層Ｒ１を除去する。
図３０に示すように、第１配線５０をマスクとして、第２導電層４０をエッチングする。
図３１に示すように、第１樹脂突起３０を形成する（ステップＳ１２）。
図３２に示すように、絶縁層２０上および第１樹脂突起３０上に、第１導電層６０を形成する（ステップＳ１８）。
図３３に示すように、第１導電層６０上に所定形状の第２レジスト層Ｒ２を形成する。
図３４に示すように、第２レジスト層Ｒ２をマスクとして、第２金属層６４をエッチングする。
図３５に示すように、第２レジスト層Ｒ２を除去する。
図２４に示すように、第２金属層６４をマスクとして、第１金属層６２をエッチングする。
以上の工程により、配線基板３００を製造することができる。
配線基板３００の製造方法では、第１配線５０を形成する工程（ステップＳ１６）の後に、第１樹脂突起３０を形成する工程（ステップＳ１２）を行う。そのため、配線基板３００の製造方法では、第１配線５０を形成するためのスピンコートの最中に、厚い第１樹脂突起３０によって塗布液の厚さにムラが生じることを抑制することができる。
３． 第３実施形態
次に、第３実施形態に係る電子機器について、図面を参照しながら説明する。図３６は、第３実施形態に係る電子機器４００の構成例を示すブロック図である。以下では、電子機器４００がプリンターである場合について説明する。
次に、第３実施形態に係る電子機器について、図面を参照しながら説明する。図３６は、第３実施形態に係る電子機器４００の構成例を示すブロック図である。以下では、電子機器４００がプリンターである場合について説明する。
電子機器４００は、図３６に示すように、本発明に係る配線基板を含む。ここでは、図３６に示すように、本発明に係る配線基板として、配線基板１００を用いた場合について説明する。
電子機器４００は、さらに、プリントヘッド４１１と、印字媒体搬送部４１２と、ＣＰＵ（中央演算装置）４２０と、操作部４３０と、ＲＯＭ（リードオンリー・メモリー）４４０と、ＲＡＭ（ランダムアクセス・メモリー）４５０と、通信部４６０と、表示部４７０と、を含んでもよい。なお、図３６に示す構成要素の一部を省略または変更してもよいし、あるいは、図３６に示す構成要素に他の構成要素を付加してもよい。
プリントヘッド４１１としては、例えば、サーマル方式、ピエゾ方式、または静電方式のプリントヘッドが用いられる。配線基板１００は、プリントヘッド４１１を駆動するための複数の駆動回路を内蔵している。駆動回路は、集積回路１２に形成されている。
図３７は、プリントヘッド４１１に配線基板１００を実装した状態を模式的に示す断面図である。なお、図３７では、便宜上、プリントヘッド４１１は、簡略化して図示している。
配線基板１００に内蔵された駆動回路（集積回路１２）は、図３７に示すように、パッド電極１６、第２導電層４０、第１配線５０、および第１導電層６０を介してプリントヘッド４１１と電気的に接続される。駆動回路は、プリントヘッド４１１に駆動電流を供給する。例えばプリントヘッド４１１がサーマルヘッドである場合には、駆動回路はサーマルヘッドに大電流を供給する必要がある。
図３７に示すように、第１樹脂突起３０が変形した状態で、配線基板１００はプリントヘッド４１１と接合される。配線基板１００とプリントヘッド４１１との間には、絶縁部４０２が設けられている。絶縁部４０２は、配線基板１００とプリントヘッド４１１とを接着させる接着剤であってもよい。
図３６に示すように、印字媒体搬送部４１２において、例えば、ステッピングモーターがベルトを介してプラテンローラーを駆動することにより、印字媒体である用紙が搬送される。配線基板１００に内蔵された駆動回路がプリントヘッド４１１を駆動することにより、印字媒体搬送部４１２によって搬送された用紙に印字を行う。
ＣＰＵ４２０は、ＲＯＭ４４０等に記憶されているプログラムに従って各種の制御処理を行う。例えば、ＣＰＵ４２０は、操作部４３０から供給される操作信号に応じて配線基板１００および印字媒体搬送部４１２を制御したり、外部との間でデータ通信を行うために通信部４６０を制御したり、表示部４７０に各種の情報を表示させるための表示信号を生成したりする。
操作部４３０は、例えば、操作キーやボタンスイッチ等を含む入力装置であり、ユーザーによる操作に応じた操作信号をＣＰＵ４２０に出力する。ＲＯＭ４４０は、ＣＰＵ４２０が各種の制御処理を行うためのプログラムやデータ等を記憶している。また、ＲＡＭ４５０は、ＣＰＵ４２０の作業領域として用いられ、ＲＯＭ４４０から読み出されたプログラムやデータ、または、操作部４３０を用いて入力されたデータ等を一時的に記憶する。
通信部４６０は、例えば、アナログ回路およびデジタル回路で構成され、ＣＰＵ４２０と外部装置との間のデータ通信を行う。したがって、電子機器４００は、外部のホストコンピューター等から供給される印字データに基づいて印字動作を行うことができる。表示部４７０は、例えば、ＬＣＤ（液晶表示装置）等を含み、ＣＰＵ４２０から供給される表示信号に基づいて各種の情報を表示する。
本発明に係る配線基板は、プリンター以外の各種の電子機器に適用することも可能である。そのような電子機器としては、例えば、携帯電話機等の移動端末、スマートカード、電卓、電子辞書、電子ゲーム機器、デジタルスチルカメラ、デジタルムービー、テレビ、テレビ電話、防犯用テレビモニター、ヘッドマウント・ディスプレイ、パーソナルコンピューター、ネットワーク機器、カーナビゲーション装置、測定機器、および医療機器（例えば、電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、および電子内視鏡）等が該当する。
上述した実施形態および変形例は一例であって、これらに限定されるわけではない。例えば、各実施形態および各変形例を適宜組み合わせることも可能である。
本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び
結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
１０…基板、１０ａ…上面、１２…集積回路、１６…パッド電極、２０…絶縁層、２２…開口、３０…第１樹脂突起、３０ａ…第１部分、３０ｂ…第２部分、３２…第２樹脂突起、４０…第２導電層、４０ａ…第２延伸部、５０…第１配線、５０ａ…第１面、５０ｂ…第２面、５０ｃ…第３面、５１…外縁、５２…第２配線、５４…第３配線、６０…第１導電層、６０ａ…第１延伸部、６１…外縁、６２…第１金属層、６４…第２金属層、１００…配線基板、１０１…第１構造体、１０２…第２構造体、１０３…第３構造体、１０４…第４構造体、１０５…第５構造体、１０６…第６構造体、１０７…第７構造体、２００…配線基板、２５０…第１層、２５２…第２層、３００…配線基板、４００…電子機器、４０２…絶縁部、４１１…プリントヘッド、４１２…印字媒体搬送部、４２０…ＣＰＵ、４３０…操作部、４４０…ＲＯＭ、４５０…ＲＡＭ、４６０…通信部、４７０…表示部
Claims (8)
- 基板と、
前記基板の上方に設けられている絶縁層と、
前記絶縁層の上方に設けられている配線と、
前記配線を覆って設けられている第１導電層と、
を含み、
前記配線の材質は、銅またはニッケルであり、
前記第１導電層は、平面視で前記配線の端部から延伸している第１延伸部を有し、
前記第１延伸部の平面視における延伸長は、前記第１導電層の膜厚よりも大きい、配線基板。 - 請求項１において、
前記第１導電層は、
第１金属層と、
前記第１金属層の上方に設けられ、材質が金またはパラジウムである第２金属層と、
を有する、配線基板。 - 請求項２において、
前記絶縁層と前記配線との間に設けられている第２導電層を含み、
前記第２導電層は、平面視で前記配線の端部から延伸している第２延伸部を有する、配線基板。 - 請求項３において、
前記第２導電層の材質と、前記第１金属層の材質とは、同じである、配線基板。 - 請求項１ないし４のいずれか１項において、
前記配線の前記基板側の面の面積は、前記配線の前記基板とは反対側の面の面積よりも大きい、配線基板。 - 請求項１ないし５のいずれか１項において、
前記基板には、集積回路と、前記集積回路と電気的に接続された電極と、が設けられ、
前記配線は、前記電極と電気的に接続されている、配線基板。 - 請求項１ないし６のいずれか１項に記載の配線基板を含む、電子機器。
- 基板の上方に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層の上方に配線を形成する工程と、
前記配線を覆う導電層を形成する工程と、
を含み、
前記配線の材質は、銅またはニッケルであり、
前記導電層は、平面視で前記配線の端部から延伸している延伸部を有し、
前記延伸部の平面視における延伸長は、前記導電層の膜厚よりも大きい、配線基板の製造方法。
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-
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