JPH0878410A - 配線接続部及びその製造方法 - Google Patents
配線接続部及びその製造方法Info
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- Power Engineering (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板配線を保護しつつ信頼性の高いワイヤー
ボンディングができる配線接続部を得る。 【構成】 銅配線層２上に反射防止膜３、表面保護膜１
をこの順に成膜し、所定領域の表面保護膜１を選択的に
除去して銅配線２を露出させることにより、パッド領域
７を開口する。パッド領域７を開口後、この開口部に拡
散防止膜５、耐酸化性金属膜６をこの順に成膜する。そ
してパッド領域７近傍にのみ拡散防止膜５及び耐酸化性
金属膜６を残置するパターニングを行う。外部配線８が
パッド領域７においてワイヤーボンディングされる。 【効果】 基板配線に銅配線２を用いたので配線遅延や
エレクトロマイグレーションを抑制でき、ワイヤーボン
ディングは耐酸化性金属膜６において為されるので、そ
の際の銅配線２の酸化は抑制できる。
ボンディングができる配線接続部を得る。 【構成】 銅配線層２上に反射防止膜３、表面保護膜１
をこの順に成膜し、所定領域の表面保護膜１を選択的に
除去して銅配線２を露出させることにより、パッド領域
７を開口する。パッド領域７を開口後、この開口部に拡
散防止膜５、耐酸化性金属膜６をこの順に成膜する。そ
してパッド領域７近傍にのみ拡散防止膜５及び耐酸化性
金属膜６を残置するパターニングを行う。外部配線８が
パッド領域７においてワイヤーボンディングされる。 【効果】 基板配線に銅配線２を用いたので配線遅延や
エレクトロマイグレーションを抑制でき、ワイヤーボン
ディングは耐酸化性金属膜６において為されるので、そ
の際の銅配線２の酸化は抑制できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、銅系の材料を基板配線
に用いた半導体装置の配線接続部に関するものである。
に用いた半導体装置の配線接続部に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】アルミニウム（Ａｌ）は半導体プロセス
との整合性がよいため、半導体装置の配線材料にはアル
ミニウム合金系の材料が使われている。そして微細化が
進む半導体装置の信頼性を向上させるために、今までさ
まざまな工夫がなされてきた。
との整合性がよいため、半導体装置の配線材料にはアル
ミニウム合金系の材料が使われている。そして微細化が
進む半導体装置の信頼性を向上させるために、今までさ
まざまな工夫がなされてきた。
【０００３】しかし半導体装置にアルミニウムを用いる
と、更に半導体装置が高集積化するにつれ、大きく分け
て２つの点において問題が生じてきた。第１には、アル
ミニウムの比抵抗が大きいため、高速デバイスにおける
配線の遅延が無視できないという点である。また第２に
はアルミニウムの融点が低いため、エレクトロマイグレ
ーションによる配線の断線が生じ易くなり、半導体装置
の信頼性の確保が困難となりつつあるという点である。
と、更に半導体装置が高集積化するにつれ、大きく分け
て２つの点において問題が生じてきた。第１には、アル
ミニウムの比抵抗が大きいため、高速デバイスにおける
配線の遅延が無視できないという点である。また第２に
はアルミニウムの融点が低いため、エレクトロマイグレ
ーションによる配線の断線が生じ易くなり、半導体装置
の信頼性の確保が困難となりつつあるという点である。
【０００４】この２点の問題は半導体装置の動作におい
ては致命的となるため、高集積・高速デバイスを今後開
発するにあたり、これらの問題点を解決するためにアル
ミニウムに変わる配線材料が求められている。
ては致命的となるため、高集積・高速デバイスを今後開
発するにあたり、これらの問題点を解決するためにアル
ミニウムに変わる配線材料が求められている。
【０００５】新しい配線材料としては、銅（Ｃｕ）が近
年盛んに研究されている。銅の特徴は比抵抗が小さい
（アルミニウムの約６０％）ことである。配線の低抵抗
化により配線遅延の低減が図られ、上記第１の問題が軽
減する。更にジュール熱の減少による配線温度の上昇も
抑えられる。
年盛んに研究されている。銅の特徴は比抵抗が小さい
（アルミニウムの約６０％）ことである。配線の低抵抗
化により配線遅延の低減が図られ、上記第１の問題が軽
減する。更にジュール熱の減少による配線温度の上昇も
抑えられる。
【０００６】また、銅はアルミニウムより融点が高いた
め、エレクトロマイグレーション耐性も強く、微細パタ
ーンでの許容電流密度も大きく採れて半導体装置の信頼
性が向上するので第２の問題点をも軽減する。
め、エレクトロマイグレーション耐性も強く、微細パタ
ーンでの許容電流密度も大きく採れて半導体装置の信頼
性が向上するので第２の問題点をも軽減する。
【０００７】図１９は、配線材料に銅を用いた技術を例
示する断面図であり、特開昭６１−１７００５６号公報
において開示されている。図において１０１はシリコン
基板、１０２は拡散層、１０３はシリコン酸化膜、１０
４は層間膜、１０５は第１の電極配線、１０６は銅配
線、１０７はパッド部、１０８は保護膜である。層間膜
１０４を介して銅配線１０６が形成され、その表面には
保護膜１０８が施されている。保護膜１０８の一部は銅
配線１０６の表面の一部で開口されており、パッド部１
０７が形成されている。よってパッド部１０７の表面は
銅配線１０６が露出した状態にあり、ここへアルミニウ
ムまたは金（Ａｕ）線を直接にワイヤーボンディングす
る構造となっている。
示する断面図であり、特開昭６１−１７００５６号公報
において開示されている。図において１０１はシリコン
基板、１０２は拡散層、１０３はシリコン酸化膜、１０
４は層間膜、１０５は第１の電極配線、１０６は銅配
線、１０７はパッド部、１０８は保護膜である。層間膜
１０４を介して銅配線１０６が形成され、その表面には
保護膜１０８が施されている。保護膜１０８の一部は銅
配線１０６の表面の一部で開口されており、パッド部１
０７が形成されている。よってパッド部１０７の表面は
銅配線１０６が露出した状態にあり、ここへアルミニウ
ムまたは金（Ａｕ）線を直接にワイヤーボンディングす
る構造となっている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】このように銅は優れた
材料であるが、密着性、加工性および耐酸化性がアルミ
ニウムより大きく劣るため、今まで半導体の配線には使
われなかった。特に耐酸化性がアルミニウムより大きく
劣るために、現状のアルミニウムプロセスをそのまま銅
を用いたプロセスに適用すると、容易に酸化が銅膜内部
にまで進行してしまう。
材料であるが、密着性、加工性および耐酸化性がアルミ
ニウムより大きく劣るため、今まで半導体の配線には使
われなかった。特に耐酸化性がアルミニウムより大きく
劣るために、現状のアルミニウムプロセスをそのまま銅
を用いたプロセスに適用すると、容易に酸化が銅膜内部
にまで進行してしまう。
【０００９】上記に例示された半導体装置のパッド部
は、配線材料に銅あるいは銅合金を用い、その表面を露
出させたような構造になっている。アルミニウムまたは
金線をワイヤーボンディングするときは、パッド部の材
料がアルミニウム合金および銅であっても、信頼性の高
いボンディングを達成するためには加熱することが必要
であり、その温度は一般的に２００℃以上である。
は、配線材料に銅あるいは銅合金を用い、その表面を露
出させたような構造になっている。アルミニウムまたは
金線をワイヤーボンディングするときは、パッド部の材
料がアルミニウム合金および銅であっても、信頼性の高
いボンディングを達成するためには加熱することが必要
であり、その温度は一般的に２００℃以上である。
【００１０】しかし、銅は大気雰囲気で約１７０℃以上
に加熱されると銅表面が酸化し、さらに、酸化速度が従
来のアルミニウム合金より非常に速いため、パッド部の
銅配線はほとんど銅酸化膜となってしまう。このため、
ワイヤーと銅配線の導通不良、ワイヤーの断線あるいは
パッド部の銅配線の剥離が発生し、信頼性および歩留ま
りの低下を招くなどの新たな問題が生じていた。
に加熱されると銅表面が酸化し、さらに、酸化速度が従
来のアルミニウム合金より非常に速いため、パッド部の
銅配線はほとんど銅酸化膜となってしまう。このため、
ワイヤーと銅配線の導通不良、ワイヤーの断線あるいは
パッド部の銅配線の剥離が発生し、信頼性および歩留ま
りの低下を招くなどの新たな問題が生じていた。
【００１１】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、基板配線に銅若しくは銅合金を
用い、基板配線に適した構造を有して、信頼性の高いワ
イヤーボンディングを達成するとともに、基板配線も保
護することができる配線接続部を提供することを目的と
する。
ためになされたもので、基板配線に銅若しくは銅合金を
用い、基板配線に適した構造を有して、信頼性の高いワ
イヤーボンディングを達成するとともに、基板配線も保
護することができる配線接続部を提供することを目的と
する。
【００１２】
【課題を解決するための手段】この発明のうち請求項１
にかかるものは、（ａ）特定領域を有する基板と、
（ｂ）前記基板上に形成された、銅を主成分とする基板
配線と、（ｃ）少なくとも前記特定領域の上方で前記基
板配線の表面を覆う耐酸化性導電膜と、（ｄ）前記耐酸
化性導電膜にワイヤーボンディングされた外部配線とを
備える配線接続部である。
にかかるものは、（ａ）特定領域を有する基板と、
（ｂ）前記基板上に形成された、銅を主成分とする基板
配線と、（ｃ）少なくとも前記特定領域の上方で前記基
板配線の表面を覆う耐酸化性導電膜と、（ｄ）前記耐酸
化性導電膜にワイヤーボンディングされた外部配線とを
備える配線接続部である。
【００１３】この発明のうち請求項２にかかるものは、
請求項１記載の配線接続部であって、（ｅ）前記基板配
線と前記耐酸化性導電膜との間に介在する拡散防止膜を
更に備える。
請求項１記載の配線接続部であって、（ｅ）前記基板配
線と前記耐酸化性導電膜との間に介在する拡散防止膜を
更に備える。
【００１４】この発明のうち請求項３にかかるものは、
請求項２記載の配線接続部であって、前記拡散防止膜の
膜厚は２０乃至１００ｎｍである。
請求項２記載の配線接続部であって、前記拡散防止膜の
膜厚は２０乃至１００ｎｍである。
【００１５】この発明のうち請求項４にかかるものは
（ａ）上面を有する絶縁膜と、（ｂ）前記絶縁膜の内部
に選択的に形成され、上面及び側面を有し、銅を主成分
とした基板配線と、（ｃ）前記絶縁膜の上部において選
択的に形成され、前記基板配線の前記上面及び前記側面
を露呈させる開口部と、（ｄ）少なくとも、前記開口部
において露呈した前記基板配線の前記上面及び前記側面
に形成された耐酸化性導電膜とを備えた配線接続部であ
る。
（ａ）上面を有する絶縁膜と、（ｂ）前記絶縁膜の内部
に選択的に形成され、上面及び側面を有し、銅を主成分
とした基板配線と、（ｃ）前記絶縁膜の上部において選
択的に形成され、前記基板配線の前記上面及び前記側面
を露呈させる開口部と、（ｄ）少なくとも、前記開口部
において露呈した前記基板配線の前記上面及び前記側面
に形成された耐酸化性導電膜とを備えた配線接続部であ
る。
【００１６】この発明のうち請求項５にかかるものは、
請求項４記載の配線接続部であって、前記基板配線は輪
状の特定部分を有し、前記開口部において、前記特定部
分の前記上面と、前記特定部分の囲む側の前記基板配線
の前記側面が露呈する。そして、前記耐酸化性導電膜は
前記特定部分の囲む領域においても形成される。そして
（ｅ）前記特定部分の囲む領域の前記耐酸化性導電膜に
ワイヤーボンディングされた外部配線を更に備える。
請求項４記載の配線接続部であって、前記基板配線は輪
状の特定部分を有し、前記開口部において、前記特定部
分の前記上面と、前記特定部分の囲む側の前記基板配線
の前記側面が露呈する。そして、前記耐酸化性導電膜は
前記特定部分の囲む領域においても形成される。そして
（ｅ）前記特定部分の囲む領域の前記耐酸化性導電膜に
ワイヤーボンディングされた外部配線を更に備える。
【００１７】この発明のうち請求項６にかかるものは、
請求項４記載の配線接続部であって、前記耐酸化性導電
膜は前記絶縁膜の前記上面にも形成される。そして
（ｅ）前記絶縁膜の前記上面において形成された前記耐
酸化性導電膜にワイヤーボンディングされた外部配線を
更に備える。
請求項４記載の配線接続部であって、前記耐酸化性導電
膜は前記絶縁膜の前記上面にも形成される。そして
（ｅ）前記絶縁膜の前記上面において形成された前記耐
酸化性導電膜にワイヤーボンディングされた外部配線を
更に備える。
【００１８】この発明のうち請求項７にかかるものは、
（ａ）基板上に銅を主成分とする基板配線を形成する工
程と、（ｂ）前記基板配線を絶縁性保護膜で覆う工程
と、（ｃ）前記絶縁性保護膜を選択的に除去して開口部
を形成し、前記開口部において前記基板配線を露呈させ
る工程と、（ｄ）前記開口部において前記基板配線上に
耐酸化性導電膜を形成する工程とを備える、配線接続部
の製造方法である。
（ａ）基板上に銅を主成分とする基板配線を形成する工
程と、（ｂ）前記基板配線を絶縁性保護膜で覆う工程
と、（ｃ）前記絶縁性保護膜を選択的に除去して開口部
を形成し、前記開口部において前記基板配線を露呈させ
る工程と、（ｄ）前記開口部において前記基板配線上に
耐酸化性導電膜を形成する工程とを備える、配線接続部
の製造方法である。
【００１９】この発明のうち請求項８にかかるものは、
（ａ）基板上に銅を主成分とする基板配線を形成する工
程と、（ｂ）前記基板配線上に耐酸化性導電膜を形成す
る工程と、（ｃ）前記耐酸化性導電膜を絶縁性保護膜で
覆う工程と、（ｄ）前記絶縁性保護膜を選択的に除去
し、前記耐酸化性導電膜を露呈させる工程とを備える、
配線接続部の製造方法である。
（ａ）基板上に銅を主成分とする基板配線を形成する工
程と、（ｂ）前記基板配線上に耐酸化性導電膜を形成す
る工程と、（ｃ）前記耐酸化性導電膜を絶縁性保護膜で
覆う工程と、（ｄ）前記絶縁性保護膜を選択的に除去
し、前記耐酸化性導電膜を露呈させる工程とを備える、
配線接続部の製造方法である。
【００２０】
【作用】この発明のうち請求項１にかかる配線接続部に
おいては、基板配線の主成分が銅であるので、その比抵
抗は低く、融点が高い。そして耐酸化性導電膜はワイヤ
ーボンディング時における基板配線の酸化を抑制する。
おいては、基板配線の主成分が銅であるので、その比抵
抗は低く、融点が高い。そして耐酸化性導電膜はワイヤ
ーボンディング時における基板配線の酸化を抑制する。
【００２１】この発明のうち請求項２にかかる配線接続
部においては、拡散防止膜が基板配線と耐酸化性導電膜
との相互の拡散を防止する。
部においては、拡散防止膜が基板配線と耐酸化性導電膜
との相互の拡散を防止する。
【００２２】この発明のうち請求項３にかかる配線接続
部においては、拡散防止膜の膜厚が２０ｎｍ以上である
ので拡散防止膜が実質的に膜として成立する。また膜厚
が１００ｎｍ以下であるので、基板配線の膜厚との合計
の上限が存在しても、基板配線の膜厚を著しく制約する
ことがない。
部においては、拡散防止膜の膜厚が２０ｎｍ以上である
ので拡散防止膜が実質的に膜として成立する。また膜厚
が１００ｎｍ以下であるので、基板配線の膜厚との合計
の上限が存在しても、基板配線の膜厚を著しく制約する
ことがない。
【００２３】この発明のうち請求項４にかかる配線接続
部においては、基板配線の主成分が銅であるので、その
比抵抗は低く、融点が高い。そして耐酸化性導電膜はワ
イヤーボンディング時における基板配線の酸化を抑制す
る。しかも基板配線の上面及び側面で耐酸化性導電膜と
電気的導通が採られる。
部においては、基板配線の主成分が銅であるので、その
比抵抗は低く、融点が高い。そして耐酸化性導電膜はワ
イヤーボンディング時における基板配線の酸化を抑制す
る。しかも基板配線の上面及び側面で耐酸化性導電膜と
電気的導通が採られる。
【００２４】この発明のうち請求項５にかかる配線接続
部においては、耐酸化性導電膜と基板配線との接続が、
基板配線特定部分の上面及び側面で採られる。
部においては、耐酸化性導電膜と基板配線との接続が、
基板配線特定部分の上面及び側面で採られる。
【００２５】この発明のうち請求項６にかかる配線接続
部においては、絶縁膜の上面において外部配線をワイヤ
ーボンディングすることが可能であり、基板配線の直上
におけるワイヤーボンディングを回避することができ
る。
部においては、絶縁膜の上面において外部配線をワイヤ
ーボンディングすることが可能であり、基板配線の直上
におけるワイヤーボンディングを回避することができ
る。
【００２６】この発明のうち請求項７及び請求項８にか
かる配線接続部の製造方法においては、耐酸化性導電膜
で覆われた基板配線が絶縁性保護膜に囲まれて露呈し、
その部分で外部配線のワイヤーボンディングが行われ
る。
かる配線接続部の製造方法においては、耐酸化性導電膜
で覆われた基板配線が絶縁性保護膜に囲まれて露呈し、
その部分で外部配線のワイヤーボンディングが行われ
る。
【００２７】
第１実施例：図１乃至図５は本発明にかかる半導体装置
の配線接続部の形成及びワイヤーボンディングの様子を
工程順に示す断面図である。
の配線接続部の形成及びワイヤーボンディングの様子を
工程順に示す断面図である。
【００２８】まず、シリコン基板１１に拡散領域１２を
形成した後、層間膜９を成膜する。この層間膜９は、無
機あるいは有機のＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＰＳ
Ｇ、ＢＰＳＧの絶縁膜であって、図においては単層で構
成されているが、これらの層を積層した構造でも構わな
い。
形成した後、層間膜９を成膜する。この層間膜９は、無
機あるいは有機のＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＰＳ
Ｇ、ＢＰＳＧの絶縁膜であって、図においては単層で構
成されているが、これらの層を積層した構造でも構わな
い。
【００２９】層間膜９において拡散領域１２の上方にコ
ンタクトホール１０を開口し、後に形成する銅配線２と
層間膜９との密着性を向上させるため、密着層４を全面
に５０ｎｍの厚さで成膜する。この層は密着性向上を図
るばかりでなく、銅配線２から層間膜９への銅の拡散を
防止するバリアメタルとしての役割も兼ね備えている。
密着層４としては例えばＣＶＤ法によって成膜されるＴ
ｉＮを用いることができる。
ンタクトホール１０を開口し、後に形成する銅配線２と
層間膜９との密着性を向上させるため、密着層４を全面
に５０ｎｍの厚さで成膜する。この層は密着性向上を図
るばかりでなく、銅配線２から層間膜９への銅の拡散を
防止するバリアメタルとしての役割も兼ね備えている。
密着層４としては例えばＣＶＤ法によって成膜されるＴ
ｉＮを用いることができる。
【００３０】密着層４上に銅膜を厚さ５０ｎｍから１μ
ｍ程度の厚さで、ＤＣマグネトロンスパッタリング法あ
るいはＣＶＤ法で成膜し、コンタクトホール１０を埋め
込んだ銅配線層２を作製する（図１）。銅配線層２は基
板配線の一つを構成する。更に銅配線層２上に写真製版
工程での転写精度の劣化を防止するため、反射防止膜３
を厚さ５０ｎｍで成膜する（図２）。この膜の厚さは５
乃至１００ｎｍの範囲が好ましいが、この膜を形成しな
くても本発明の効果に変化はなく、反射防止膜３はなく
ても構わない。
ｍ程度の厚さで、ＤＣマグネトロンスパッタリング法あ
るいはＣＶＤ法で成膜し、コンタクトホール１０を埋め
込んだ銅配線層２を作製する（図１）。銅配線層２は基
板配線の一つを構成する。更に銅配線層２上に写真製版
工程での転写精度の劣化を防止するため、反射防止膜３
を厚さ５０ｎｍで成膜する（図２）。この膜の厚さは５
乃至１００ｎｍの範囲が好ましいが、この膜を形成しな
くても本発明の効果に変化はなく、反射防止膜３はなく
ても構わない。
【００３１】銅配線２は写真製版工程、即ちレジストの
焼き付け、レジストをマスクとしたドライエッチング等
によって、所望のパターンに形成される。従って、ここ
で得られた配線は、下から密着層４、銅配線２、反射防
止膜３の順に積層された構造を有している。この様にし
て得られた構造の表面に、表面保護膜１を厚さ５０ｎｍ
から５μｍの厚さで成膜し、配線及び素子を保護する。
焼き付け、レジストをマスクとしたドライエッチング等
によって、所望のパターンに形成される。従って、ここ
で得られた配線は、下から密着層４、銅配線２、反射防
止膜３の順に積層された構造を有している。この様にし
て得られた構造の表面に、表面保護膜１を厚さ５０ｎｍ
から５μｍの厚さで成膜し、配線及び素子を保護する。
【００３２】なお、この表面保護膜は無機あるいは有機
のＳｉＯ2 、ＳｉＮ、ＳｉＯＮの絶縁膜を用いることが
できる。また図においては単層で構成されているが、こ
れらの層を積層した構造でも構わない。
のＳｉＯ2 、ＳｉＮ、ＳｉＯＮの絶縁膜を用いることが
できる。また図においては単層で構成されているが、こ
れらの層を積層した構造でも構わない。
【００３３】次に、所定領域の表面保護膜１及び反射防
止膜３を選択的に除去して銅配線２を露出させることに
より、パッド領域７を開口する（図３）。表面保護膜１
を開口する際、オーバーエッチングして銅配線２の表面
を露出させる形で開口することが望ましいが、反射防止
膜３でエッチングを停止しても電気的に導通が保たれる
ので構わない。
止膜３を選択的に除去して銅配線２を露出させることに
より、パッド領域７を開口する（図３）。表面保護膜１
を開口する際、オーバーエッチングして銅配線２の表面
を露出させる形で開口することが望ましいが、反射防止
膜３でエッチングを停止しても電気的に導通が保たれる
ので構わない。
【００３４】パッド領域７を開口後、この開口部に拡散
防止膜５、例えばＴｉＮを厚さ２０乃至１００ｎｍで成
膜し、更に耐酸化性金属膜６、例えばＡｌＳｉＣｕを厚
さ２μｍ成膜する。
防止膜５、例えばＴｉＮを厚さ２０乃至１００ｎｍで成
膜し、更に耐酸化性金属膜６、例えばＡｌＳｉＣｕを厚
さ２μｍ成膜する。
【００３５】拡散防止膜５の厚さは実質的に膜として成
立するために２０ｎｍ以上必要であり、銅配線２の膜厚
との合計が設計上制約を受けるので、銅配線２の膜厚に
対する制約を軽減するためには１００ｎｍを超えないこ
とが望ましい。
立するために２０ｎｍ以上必要であり、銅配線２の膜厚
との合計が設計上制約を受けるので、銅配線２の膜厚に
対する制約を軽減するためには１００ｎｍを超えないこ
とが望ましい。
【００３６】また耐酸化性金属膜６の厚さは、ワイヤー
ボンディングが可能であれば５０ｎｍと薄くても構わな
いが、通常は信頼性を保つため１乃至５μｍの範囲とす
る。拡散防止膜５および耐酸化性金属膜６の成膜はＣＶ
Ｄ法で行うと、開口された部分が微細な場合の埋め込み
が良好となる。
ボンディングが可能であれば５０ｎｍと薄くても構わな
いが、通常は信頼性を保つため１乃至５μｍの範囲とす
る。拡散防止膜５および耐酸化性金属膜６の成膜はＣＶ
Ｄ法で行うと、開口された部分が微細な場合の埋め込み
が良好となる。
【００３７】そしてパッド領域７近傍にのみ拡散防止膜
５及び耐酸化性金属膜６を残置するパターニングを行う
（図４）。これは表面保護膜１を開口したときのレジス
トをそのまま使いリフトオフ法で行うことができる。
５及び耐酸化性金属膜６を残置するパターニングを行う
（図４）。これは表面保護膜１を開口したときのレジス
トをそのまま使いリフトオフ法で行うことができる。
【００３８】銅配線２のパッド領域７をこのように耐酸
化性金属６で覆う構造とすることで、ボンディング面を
２００℃以上に加熱して行う超音波熱圧着法でも、ある
いは４００℃程度に加熱して行う熱圧着法でも、ボンデ
ィングの際に銅配線２の酸化を抑制することが可能とな
る。図５は外部配線８がパッド領域７においてワイヤー
ボンディングされたところを示している。
化性金属６で覆う構造とすることで、ボンディング面を
２００℃以上に加熱して行う超音波熱圧着法でも、ある
いは４００℃程度に加熱して行う熱圧着法でも、ボンデ
ィングの際に銅配線２の酸化を抑制することが可能とな
る。図５は外部配線８がパッド領域７においてワイヤー
ボンディングされたところを示している。
【００３９】なお、銅配線２と耐酸化性金属膜６との界
面には拡散防止膜５が挿入されているため、相互拡散が
防止され銅配線２が汚染されることがない。
面には拡散防止膜５が挿入されているため、相互拡散が
防止され銅配線２が汚染されることがない。
【００４０】以上のように、第１実施例によれば、基板
配線に銅配線を用いたので配線遅延やエレクトロマイグ
レーションを抑制しつつ、ワイヤーボンディング時の酸
化をも抑制することができるという効果がある。
配線に銅配線を用いたので配線遅延やエレクトロマイグ
レーションを抑制しつつ、ワイヤーボンディング時の酸
化をも抑制することができるという効果がある。
【００４１】耐酸化性金属膜６としてはＡｌＳｉＣｕの
他、Ａｌ，ＡｌＳｉ，Ａｕ，Ａｇ或いはＡｇを主体とし
た合金を用いることができる。
他、Ａｌ，ＡｌＳｉ，Ａｕ，Ａｇ或いはＡｇを主体とし
た合金を用いることができる。
【００４２】また、拡散防止膜５としてはＴｉＮの他，
ＴｉＷ，ＴｉＷＮ，Ｗ，ＷＮ，ＮｂＮ，Ｃｒ，Ｔａ，Ｔ
ａＮを用いることができる。
ＴｉＷ，ＴｉＷＮ，Ｗ，ＷＮ，ＮｂＮ，Ｃｒ，Ｔａ，Ｔ
ａＮを用いることができる。
【００４３】第２実施例：図６乃至図８は本発明の第２
実施例を工程順に示す断面図である。第１実施例と同様
にして銅配線２を形成した後（図１参照）、銅配線２上
に耐酸化性金属膜６、例えばＡｌＳｉＣｕ膜を１００ｎ
ｍの厚さで成膜する（図６）。
実施例を工程順に示す断面図である。第１実施例と同様
にして銅配線２を形成した後（図１参照）、銅配線２上
に耐酸化性金属膜６、例えばＡｌＳｉＣｕ膜を１００ｎ
ｍの厚さで成膜する（図６）。
【００４４】銅配線２は写真製版工程、即ちレジストの
焼き付け、レジストをマスクとしたドライエッチング等
によって、所望のパターンに形成される。従って、ここ
で得られた配線は、下から密着層４、銅配線２、耐酸化
性金属膜６の順に積層された構造を有している。この様
にして得られた構造の表面に、表面保護膜１を厚さ５０
ｎｍから５μｍの厚さで成膜し、配線及び素子を保護す
る。
焼き付け、レジストをマスクとしたドライエッチング等
によって、所望のパターンに形成される。従って、ここ
で得られた配線は、下から密着層４、銅配線２、耐酸化
性金属膜６の順に積層された構造を有している。この様
にして得られた構造の表面に、表面保護膜１を厚さ５０
ｎｍから５μｍの厚さで成膜し、配線及び素子を保護す
る。
【００４５】次に、所定領域の表面保護膜１を選択的に
除去して耐酸化性金属膜６を露出させることにより、パ
ッド領域７を開口する（図７）。
除去して耐酸化性金属膜６を露出させることにより、パ
ッド領域７を開口する（図７）。
【００４６】表面保護膜１を開口する際、銅配線２の表
面は露出させずに耐酸化性金属膜６でエッチングを停止
する。このようにして、パッド領域７の最表面を耐酸化
性金属膜６で覆った構造とし、この面で外部配線８のワ
イヤーボンディングを行う（図８）。
面は露出させずに耐酸化性金属膜６でエッチングを停止
する。このようにして、パッド領域７の最表面を耐酸化
性金属膜６で覆った構造とし、この面で外部配線８のワ
イヤーボンディングを行う（図８）。
【００４７】パッド領域７の最表面を耐酸化性金属６が
露出したような構造とすることで、超音波熱圧着法でも
熱圧着法でもボンディングの際に銅配線２が酸化するこ
とが抑制される。
露出したような構造とすることで、超音波熱圧着法でも
熱圧着法でもボンディングの際に銅配線２が酸化するこ
とが抑制される。
【００４８】なお、ボンディングあるいは他のプロセス
で素子が高温に加熱される場合には、銅配線２と耐酸化
性金属膜６との界面に拡散防止膜５を挿入した３層構造
とすれば、相互拡散も防止され、銅配線２が汚染されな
い。
で素子が高温に加熱される場合には、銅配線２と耐酸化
性金属膜６との界面に拡散防止膜５を挿入した３層構造
とすれば、相互拡散も防止され、銅配線２が汚染されな
い。
【００４９】第３実施例：図９乃至図１４は本発明の第
２実施例を工程順に示す断面図である。まず第１実施例
と同様にして、シリコン基板１１上に拡散領域１２を形
成し、層間膜９ａを成膜する。層間膜９ａにおいて拡散
領域１２の上方にコンタクトホール１０ａを開口し、密
着層４ａとして例えばＴｉＮをＣＶＤ法により厚さ１０
ｎｍ、溝１０ａの内部および層間膜９ａ上に成膜する。
２実施例を工程順に示す断面図である。まず第１実施例
と同様にして、シリコン基板１１上に拡散領域１２を形
成し、層間膜９ａを成膜する。層間膜９ａにおいて拡散
領域１２の上方にコンタクトホール１０ａを開口し、密
着層４ａとして例えばＴｉＮをＣＶＤ法により厚さ１０
ｎｍ、溝１０ａの内部および層間膜９ａ上に成膜する。
【００５０】そして銅配線２ａを形成し、その上にバリ
アメタル１５ａを成膜し、更にその上に層間膜９ｂを成
膜する（図９）。
アメタル１５ａを成膜し、更にその上に層間膜９ｂを成
膜する（図９）。
【００５１】続いてダマシンプロセスで銅の埋め込み配
線を形成する。まず層間膜９ｂ上にレジストを成膜し、
これに写真製版工程によって配線パターンを作製する。
その後、ドライエッチングにより層間膜９ｂを４００ｎ
ｍエッチングして埋め込み配線のパターンとなる溝１０
ｂを形成する。
線を形成する。まず層間膜９ｂ上にレジストを成膜し、
これに写真製版工程によって配線パターンを作製する。
その後、ドライエッチングにより層間膜９ｂを４００ｎ
ｍエッチングして埋め込み配線のパターンとなる溝１０
ｂを形成する。
【００５２】レジストを除去し、密着層４ｂとなるＴｉ
ＮをＣＶＤ法により５０ｎｍの厚さで溝１０ｂの内部お
よび層間膜９ｂ上に成膜する。
ＮをＣＶＤ法により５０ｎｍの厚さで溝１０ｂの内部お
よび層間膜９ｂ上に成膜する。
【００５３】そして銅膜２１をＣＶＤ法により溝１０ｂ
が完全に埋まるよう、厚さ６００ｎｍ程度で全面に成膜
する。配線パターンの幅、即ち溝１０ｂの幅が例えば４
μｍ程度で太い場合は、ＤＣスパッタリング法で溝１０
ｂの埋め込みを行うことが可能である（図１０）。
が完全に埋まるよう、厚さ６００ｎｍ程度で全面に成膜
する。配線パターンの幅、即ち溝１０ｂの幅が例えば４
μｍ程度で太い場合は、ＤＣスパッタリング法で溝１０
ｂの埋め込みを行うことが可能である（図１０）。
【００５４】その後、層間膜９上の余分な銅膜２１及び
層間膜９ｂはＣＭＰ（化学機械研磨）法で除去され、層
間膜９を平坦化すると共に層間膜９に埋め込まれた銅配
線２ｂを形成する。
層間膜９ｂはＣＭＰ（化学機械研磨）法で除去され、層
間膜９を平坦化すると共に層間膜９に埋め込まれた銅配
線２ｂを形成する。
【００５５】銅配線２ｂの表面のみにバリアメタル１５
ｂを、例えば選択ＣＶＤ法でＷを、厚さ３０ｎｍに成膜
して周囲への銅の拡散を防止する。
ｂを、例えば選択ＣＶＤ法でＷを、厚さ３０ｎｍに成膜
して周囲への銅の拡散を防止する。
【００５６】層間膜９ｂおよびバリアメタル１５ｂで覆
われた銅配線２ｂの全面に、表面保護膜１を厚さ５０ｎ
ｍから５μｍの厚さ成膜し、配線及び素子を保護する
（図１１）。
われた銅配線２ｂの全面に、表面保護膜１を厚さ５０ｎ
ｍから５μｍの厚さ成膜し、配線及び素子を保護する
（図１１）。
【００５７】そして表面保護膜１の表面から選択的にエ
ッチングすることにより、コンタクト領域１４を開口す
る。この際、図１２に示すように、銅配線層２ｂの表面
だけではなく、その側面にもかぶさるような形で開口す
る。具体的には、表面保護膜１上に、銅配線層２ｂの側
面をも含むパターンをレジストで作製する。そしてフッ
素系のガス（Ａｒ／ＣＨＦ3 ／Ｏ2 ＝２００／７０／１
０ｓｃｃｍ）を用い、圧力２６Ｐａ、ＲＦパワー４００
Ｗの条件でＲＩＥでエッチングする。このガス系では銅
配線２ｂはエッチングされないため、エッチング時間を
最適化することにより表面保護膜１、バリアメタル１５
ｂ、層間膜９ｂおよび密着層４ｂをエッチングし、銅配
線２ｂの表面および側面を露出させた構造を得ることが
できる。
ッチングすることにより、コンタクト領域１４を開口す
る。この際、図１２に示すように、銅配線層２ｂの表面
だけではなく、その側面にもかぶさるような形で開口す
る。具体的には、表面保護膜１上に、銅配線層２ｂの側
面をも含むパターンをレジストで作製する。そしてフッ
素系のガス（Ａｒ／ＣＨＦ3 ／Ｏ2 ＝２００／７０／１
０ｓｃｃｍ）を用い、圧力２６Ｐａ、ＲＦパワー４００
Ｗの条件でＲＩＥでエッチングする。このガス系では銅
配線２ｂはエッチングされないため、エッチング時間を
最適化することにより表面保護膜１、バリアメタル１５
ｂ、層間膜９ｂおよび密着層４ｂをエッチングし、銅配
線２ｂの表面および側面を露出させた構造を得ることが
できる。
【００５８】レジスト除去後、全面に拡散防止膜５とし
てＴｉＮを、耐酸化性金属膜６としてＡｌＳｉＣｕを、
順にＤＣマグネトロンスパッタ法で成膜する。ＴｉＮは
厚さ２０から１００ｎｍの範囲で、ＡｌＳｉＣｕは厚さ
２μｍで、それぞれ成膜する。
てＴｉＮを、耐酸化性金属膜６としてＡｌＳｉＣｕを、
順にＤＣマグネトロンスパッタ法で成膜する。ＴｉＮは
厚さ２０から１００ｎｍの範囲で、ＡｌＳｉＣｕは厚さ
２μｍで、それぞれ成膜する。
【００５９】更に、全面に成膜された拡散防止膜５およ
び耐酸化性金属膜６を、コンタクト領域１４、及びその
近傍のパッド領域１３において連続して残置して、その
他をエッチングして除去する（図１３）。
び耐酸化性金属膜６を、コンタクト領域１４、及びその
近傍のパッド領域１３において連続して残置して、その
他をエッチングして除去する（図１３）。
【００６０】そしてパッド領域１３における耐酸化性金
属膜６に対してワイヤーボンディングを行って外部配線
８を接続する（図１４）。図１５は図１４に示された工
程終了後の構造を示す平面図である。
属膜６に対してワイヤーボンディングを行って外部配線
８を接続する（図１４）。図１５は図１４に示された工
程終了後の構造を示す平面図である。
【００６１】ワイヤーボンディングは超音波熱圧着法で
ボンディング面を２００℃以上に加熱して行われるが、
コンタクト領域１４の銅配線２ｂは耐酸化性金属膜６に
よって覆われているため、酸化しない。また、銅配線２
ｂと耐酸化性金属６は拡散防止膜５が界面にあるため相
互に反応はせず、銅配線２ｂの汚染は防止される。
ボンディング面を２００℃以上に加熱して行われるが、
コンタクト領域１４の銅配線２ｂは耐酸化性金属膜６に
よって覆われているため、酸化しない。また、銅配線２
ｂと耐酸化性金属６は拡散防止膜５が界面にあるため相
互に反応はせず、銅配線２ｂの汚染は防止される。
【００６２】以上のように、第３実施例においては、銅
配線２ｂの上面及び側面を介して外部配線とのコンタク
トを採るため、この部分での接続抵抗を抑制することが
できる。しかも、パッド領域１３においてワイヤーボン
ディングを行い、銅配線２ｂの直上でのワイヤーボンデ
ィングを行わないので、銅配線２ｂの剥離は防止され、
歩留まりおよび信頼性が向上する。
配線２ｂの上面及び側面を介して外部配線とのコンタク
トを採るため、この部分での接続抵抗を抑制することが
できる。しかも、パッド領域１３においてワイヤーボン
ディングを行い、銅配線２ｂの直上でのワイヤーボンデ
ィングを行わないので、銅配線２ｂの剥離は防止され、
歩留まりおよび信頼性が向上する。
【００６３】なお、図１４ではパッド領域１３の下方に
は、銅配線層がない構造を示しているが、３層あるいは
４層などの多層配線構造の半導体装置においては、パッ
ド領域の下方に下層の配線を形成したりしてもよい。図
１６はそのような構造の断面を示しており、銅配線２ｂ
の下層に他の銅配線２ｃが形成され、銅配線２ｂと同じ
高さで銅配線２ｄが形成されている。これらの銅配線２
ｃ，２ｄは密着層４ｃ，４ｄ、バリアメタル１５ｃ，１
５ｄによって包まれ、層間膜９ｂ，９ｃによって互いに
絶縁されている。そして銅配線２ｄの上方において表面
保護膜１を介してパッド領域１３が設けられている。
は、銅配線層がない構造を示しているが、３層あるいは
４層などの多層配線構造の半導体装置においては、パッ
ド領域の下方に下層の配線を形成したりしてもよい。図
１６はそのような構造の断面を示しており、銅配線２ｂ
の下層に他の銅配線２ｃが形成され、銅配線２ｂと同じ
高さで銅配線２ｄが形成されている。これらの銅配線２
ｃ，２ｄは密着層４ｃ，４ｄ、バリアメタル１５ｃ，１
５ｄによって包まれ、層間膜９ｂ，９ｃによって互いに
絶縁されている。そして銅配線２ｄの上方において表面
保護膜１を介してパッド領域１３が設けられている。
【００６４】また、最上層に配置された銅配線に対して
も、直接にパッド領域１３の拡散防止膜５や耐酸化性金
属膜６と接していなければ、その上にパッド領域１３が
形成されても、本発明の効果に影響はない。
も、直接にパッド領域１３の拡散防止膜５や耐酸化性金
属膜６と接していなければ、その上にパッド領域１３が
形成されても、本発明の効果に影響はない。
【００６５】第４実施例：図１７及び図１８は本発明の
第４実施例を示す、それぞれ平面図及び図１７のＡＡ断
面図である。第４実施例は第３実施例を応用したもので
あり、層間膜９に銅配線２を埋め込んで配線のパターン
を形成している。
第４実施例を示す、それぞれ平面図及び図１７のＡＡ断
面図である。第４実施例は第３実施例を応用したもので
あり、層間膜９に銅配線２を埋め込んで配線のパターン
を形成している。
【００６６】但し、パッド領域１３はコンタクト領域１
４内に設けられている。具体的にはまず、銅配線２が図
１７に示されるようにリング状の部分を有し、そのリン
グ状の部分の内部においてコンタクト領域１４が設けら
れている。
４内に設けられている。具体的にはまず、銅配線２が図
１７に示されるようにリング状の部分を有し、そのリン
グ状の部分の内部においてコンタクト領域１４が設けら
れている。
【００６７】銅配線２はそのリング状の部分の上面と、
内側の側面において拡散防止膜５とコンタクトを採って
おり、拡散防止膜５の上には耐酸化性金属膜６が形成さ
れている。
内側の側面において拡散防止膜５とコンタクトを採って
おり、拡散防止膜５の上には耐酸化性金属膜６が形成さ
れている。
【００６８】ここで拡散防止膜５及び耐酸化性金属膜６
はリング状の部分に囲まれ、かつ銅配線２が形成されて
いない領域にも連続して形成されている。この領域がパ
ッド領域１３となっている。
はリング状の部分に囲まれ、かつ銅配線２が形成されて
いない領域にも連続して形成されている。この領域がパ
ッド領域１３となっている。
【００６９】この様な構造を形成するのに、表面保護膜
１を形成するまでのプロセスは第２実施例と同様であ
る。そして表面保護膜１を開口するパターンは、銅配線
層２のリング状の部分の上面の上方に境界が存在するよ
うに形成される。そのようなパターンを用いて第３実施
例と同様に選択的にエッチングを行うと図１７及び図１
８に示される構造が得られる。
１を形成するまでのプロセスは第２実施例と同様であ
る。そして表面保護膜１を開口するパターンは、銅配線
層２のリング状の部分の上面の上方に境界が存在するよ
うに形成される。そのようなパターンを用いて第３実施
例と同様に選択的にエッチングを行うと図１７及び図１
８に示される構造が得られる。
【００７０】なお、図１８では表面保護膜１、バリアメ
タル１５及び層間膜９のエッチング時、銅配線２の底部
の深さまで開口している。しかし銅配線２あるいはバリ
アメタル１５の中間部までのエッチングでも構わない。
何れにせよ少なくともバリアメタル１５が露出するまで
エッチングが行われれば、その後に形成される耐酸化性
金属膜６と銅配線２とのコンタクトが採れる。
タル１５及び層間膜９のエッチング時、銅配線２の底部
の深さまで開口している。しかし銅配線２あるいはバリ
アメタル１５の中間部までのエッチングでも構わない。
何れにせよ少なくともバリアメタル１５が露出するまで
エッチングが行われれば、その後に形成される耐酸化性
金属膜６と銅配線２とのコンタクトが採れる。
【００７１】この後のプロセスは第３実施例と同様であ
るが、外部配線８のワイヤーボンディングは第３実施例
とは異なり、銅配線２が下に形成されていないパッド領
域１３の中心部で行われる。このような構造でも、第３
実施例と同様な効果が得られる。
るが、外部配線８のワイヤーボンディングは第３実施例
とは異なり、銅配線２が下に形成されていないパッド領
域１３の中心部で行われる。このような構造でも、第３
実施例と同様な効果が得られる。
【００７２】
【発明の効果】この発明のうち請求項１にかかる配線接
続部においては、基板配線のエレクトロマイグレーショ
ン耐性が強く、微細パターンでの許容電流密度が高めら
れるので、信頼性の高い配線接続部を得ることができ
る。
続部においては、基板配線のエレクトロマイグレーショ
ン耐性が強く、微細パターンでの許容電流密度が高めら
れるので、信頼性の高い配線接続部を得ることができ
る。
【００７３】この発明のうち請求項２にかかる配線接続
部においては、基板配線へと拡散防止膜の成分が拡散す
ることを抑制できるので、基板配線の劣化を回避するこ
とができる。
部においては、基板配線へと拡散防止膜の成分が拡散す
ることを抑制できるので、基板配線の劣化を回避するこ
とができる。
【００７４】この発明のうち請求項３にかかる配線接続
部においては、拡散防止膜の機能の実効を図ることがで
き、しかも基板配線の機能を損なうことがない。
部においては、拡散防止膜の機能の実効を図ることがで
き、しかも基板配線の機能を損なうことがない。
【００７５】この発明のうち請求項４にかかる配線接続
部においては、基板配線のエレクトロマイグレーション
耐性が強く、微細パターンでの許容電流密度が高められ
るので、信頼性の高い配線接続部を得ることができる。
しかも基板配線と耐酸化性導電膜との間の接続抵抗を抑
制することができる。
部においては、基板配線のエレクトロマイグレーション
耐性が強く、微細パターンでの許容電流密度が高められ
るので、信頼性の高い配線接続部を得ることができる。
しかも基板配線と耐酸化性導電膜との間の接続抵抗を抑
制することができる。
【００７６】この発明のうち請求項５にかかる配線接続
部においては、基板配線と耐酸化性導電膜との間の接続
抵抗を一層抑制することができる。
部においては、基板配線と耐酸化性導電膜との間の接続
抵抗を一層抑制することができる。
【００７７】この発明のうち請求項６にかかる配線接続
部においては、基板配線の直上におけるワイヤーボンデ
ィングを回避することができるので、基板配線の剥離が
防止され、歩留まり及び信頼性が向上する。
部においては、基板配線の直上におけるワイヤーボンデ
ィングを回避することができるので、基板配線の剥離が
防止され、歩留まり及び信頼性が向上する。
【００７８】この発明のうち請求項７及び請求項８にか
かる配線接続部の製造方法においては、外部配線をワイ
ヤーボンディングしても、銅を主成分とする基板配線の
酸化が抑制される配線接続部を形成することができる。
かる配線接続部の製造方法においては、外部配線をワイ
ヤーボンディングしても、銅を主成分とする基板配線の
酸化が抑制される配線接続部を形成することができる。
【図１】 この発明の第１実施例を工程順に示す断面図
である。
である。
【図２】 この発明の第１実施例を工程順に示す断面図
である。
である。
【図３】 この発明の第１実施例を工程順に示す断面図
である。
である。
【図４】 この発明の第１実施例を工程順に示す断面図
である。
である。
【図５】 この発明の第１実施例を工程順に示す断面図
である。
である。
【図６】 この発明の第２実施例を工程順に示す断面図
である。
である。
【図７】 この発明の第２実施例を工程順に示す断面図
である。
である。
【図８】 この発明の第２実施例を工程順に示す断面図
である。
である。
【図９】 この発明の第３実施例を工程順に示す断面図
である。
である。
【図１０】 この発明の第３実施例を工程順に示す断面
図である。
図である。
【図１１】 この発明の第３実施例を工程順に示す断面
図である。
図である。
【図１２】 この発明の第３実施例を工程順に示す断面
図である。
図である。
【図１３】 この発明の第３実施例を工程順に示す断面
図である。
図である。
【図１４】 この発明の第３実施例を工程順に示す断面
図である。
図である。
【図１５】 この発明の第３実施例を示す平面図であ
る。
る。
【図１６】 この発明の第３実施例を示す断面図であ
る。
る。
【図１７】 この発明の第４実施例を示す平面図であ
る。
る。
【図１８】 この発明の第４実施例を示す断面図であ
る。
る。
【図１９】 従来の技術を示す断面図である。
１ 表面保護膜、２，２ａ〜２ｄ 銅配線、３ 反射防
止膜、４，４ａ〜４ｄ密着層、５ 拡散防止膜、６ 耐
酸化性金属膜、７，１３ パッド領域、８外部配線、
９，９ａ，９ｂ 層間膜、１０，１０ａ，１０ｂ 溝、
１１ シリコン基板、１２ 拡散層、１４ コンタクト
領域、１５，１５ａ〜１５ｄ バリアメタル。
止膜、４，４ａ〜４ｄ密着層、５ 拡散防止膜、６ 耐
酸化性金属膜、７，１３ パッド領域、８外部配線、
９，９ａ，９ｂ 層間膜、１０，１０ａ，１０ｂ 溝、
１１ シリコン基板、１２ 拡散層、１４ コンタクト
領域、１５，１５ａ〜１５ｄ バリアメタル。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 長谷川 万希子 兵庫県尼崎市塚口本町八丁目１番１号 三 菱電機株式会社半導体基礎研究所内
Claims (8)
- 【請求項１】 （ａ）特定領域を有する基板と、 （ｂ）前記基板上に形成された、銅を主成分とする基板
配線と、 （ｃ）少なくとも前記特定領域の上方で前記基板配線の
表面を覆う耐酸化性導電膜と、 （ｄ）前記耐酸化性導電膜にワイヤーボンディングされ
た外部配線とを備える配線接続部。 - 【請求項２】 （ｅ）前記基板配線と前記耐酸化性導電
膜との間に介在する拡散防止膜を更に備える、請求項１
記載の配線接続部。 - 【請求項３】 前記拡散防止膜の膜厚は２０乃至１００
ｎｍである、請求項２記載の配線接続部。 - 【請求項４】 （ａ）上面を有する絶縁膜と、 （ｂ）前記絶縁膜の内部に選択的に形成され、上面及び
側面を有し、銅を主成分とした基板配線と、 （ｃ）前記絶縁膜の上部において選択的に形成され、前
記基板配線の前記上面及び前記側面を露呈させる開口部
と、 （ｄ）少なくとも、前記開口部において露呈した前記基
板配線の前記上面及び前記側面に形成された耐酸化性導
電膜とを備えた配線接続部。 - 【請求項５】 前記基板配線は輪状の特定部分を有し、 前記開口部において、前記特定部分の前記上面と、前記
特定部分の囲む側の前記基板配線の前記側面が露呈し、 前記耐酸化性導電膜は前記特定部分の囲む領域において
も形成され、 （ｅ）前記特定部分の囲む領域の前記耐酸化性導電膜に
ワイヤーボンディングされた外部配線を更に備える、請
求項４記載の配線接続部。 - 【請求項６】 前記耐酸化性導電膜は、前記絶縁膜の前
記上面にも形成され、 （ｅ）前記絶縁膜の前記上面において形成された前記耐
酸化性導電膜にワイヤーボンディングされた外部配線を
更に備える、請求項４記載の配線接続部。 - 【請求項７】 （ａ）基板上に銅を主成分とする基板配
線を形成する工程と、 （ｂ）前記基板配線を絶縁性保護膜で覆う工程と、 （ｃ）前記絶縁性保護膜を選択的に除去して開口部を形
成し、前記開口部において前記基板配線を露呈させる工
程と、 （ｄ）前記開口部において前記基板配線上に耐酸化性導
電膜を形成する工程とを備える、配線接続部の製造方
法。 - 【請求項８】 （ａ）基板上に銅を主成分とする基板配
線を形成する工程と、 （ｂ）前記基板配線上に耐酸化性導電膜を形成する工程
と、 （ｃ）前記耐酸化性導電膜を絶縁性保護膜で覆う工程
と、 （ｄ）前記絶縁性保護膜を選択的に除去し、前記耐酸化
性導電膜を露呈させる工程とを備える、配線接続部の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6211311A JPH0878410A (ja) | 1994-09-05 | 1994-09-05 | 配線接続部及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6211311A JPH0878410A (ja) | 1994-09-05 | 1994-09-05 | 配線接続部及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0878410A true JPH0878410A (ja) | 1996-03-22 |
Family
ID=16603844
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6211311A Pending JPH0878410A (ja) | 1994-09-05 | 1994-09-05 | 配線接続部及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0878410A (ja) |
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