JP2017117070A - 制御回路および制御方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の第1の実施形態について図を参照して詳細に説明する。図1は、本実施形態の制御回路の構成を示したものである。本実施形態の制御回路は、第1の温度計測手段1と、第2の温度計測手段2と、負荷量算出手段3と、制御手段4を備えている。第1の温度計測手段1は、半導体装置が備えられている装置の周囲の温度である第1の温度を計測する。第2の温度計測手段2は、半導体装置の温度である第2の温度を計測する。負荷量算出手段3は、第1の温度の第2の温度への影響を抑制するように設定された所定の基準を基に、半導体装置の負荷量を算出する。制御手段4は、負荷量が低いほど半導体装置の動作電圧および動作周波数が低くなるように設定された所定の基準と、負荷量算出手段3において算出した負荷量とを基に、半導体装置の動作電圧および動作周波数を設定し、半導体装置を制御する。
本発明の第2の実施形態について図を参照して詳細に説明する。図2は、本実施形態の電子装置の構成の概要を示したものである。本実施形態の電子装置は、演算処理部として備えられている半導体装置によって動作する装置である。本実施形態の電子装置は、例えば、情報処理装置、通信装置、制御装置および映像装置などの半導体装置によって動作する装置である。本実施形態の電子装置は、演算処理部として備えられている半導体装置の動作電圧および動作周波数を、電子装置の周囲の温度および半導体装置の温度を基に算出した半導体装置の負荷量に応じて制御することを特徴とする。
本発明の第3の実施形態について図を参照して詳細に説明する。図4は、本実施形態の電子装置の構成の概要を示したものである。本実施形態の電子装置は、第2の実施形態の電子装置が有する機能に加えて、周囲の温度が高いときに演算処理部11に供給される電源を遮断することで動作を制限する機能を有していることを特徴とする。
本発明の第4の実施形態について図を参照して詳細に説明する。図6は、本実施形態の電子装置の構成の概要を示したものである。第3の実施形態の電子装置は、周囲の温度が基準以上であったときに演算処理部への電源の供給を停止している機能を有している。本実施形態の電子装置は、電源の供給の再開の判断を、動作履歴、すなわち、ヒステリシスを基に行うことを特徴とする。動作履歴を基に電源の供給の再開を判断することで、本実施形態の電子装置では、電源のオンとオフが頻繁に繰りかえされる状態を避けることができる。
2 第2の温度計測手段
3 負荷量算出手段
4 制御手段
11 演算処理部
12 システムコントローラ部
13 システムバス
14 入出力コントローラ部
15 クロック生成部
16 電源回路部
17 温度制御部
18 温度検出部
19 周囲温度検出部
21 入出力コントローラ部
22 電源回路部
23 温度制御部
24 電源制御部
31 入出力コントローラ部
32 電源回路部
33 温度制御部
34 電源制御部
35 ヒステリシス管理部
S11 クロック信号
S12 電源信号
S13 温度計測信号
S14 温度データ信号
S15 周囲温度データ信号
S16 クロック制御信号
S17 負荷量データ信号
S18 電源回路制御信号
S21 負荷量データ信号
S22 電源制御信号
S23 電源回路制御信号
S31 負荷量データ信号
S32 電源制御信号
S33 電源回路制御信号
Claims (10)
- 半導体装置が備えられている装置の周囲の温度である第1の温度を計測する第1の温度計測手段と、
前記半導体装置の温度である第2の温度を計測する第2の温度計測手段と、
前記第1の温度の前記第2の温度への影響を抑制するように設定された所定の基準を基に、前記半導体装置の負荷量を算出する負荷量算出手段と、
前記負荷量が低いほど前記半導体装置の動作電圧および動作周波数が低くなるように設定された所定の基準と、前記負荷量算出手段において算出した前記負荷量とを基に、前記半導体装置の前記動作電圧および前記動作周波数を設定し、前記半導体装置を制御する制御手段と、
を備えることを特徴とする制御回路。 - 前記半導体装置にクロックを出力するクロック生成手段と、
前記半導体装置に電源を供給する電源供給手段と、をさらに備え、
前記制御手段は、前記クロック生成手段が出力する前記クロックの周波数および前記電源供給手段が出力する前記電源の電圧を制御することで、前記半導体装置の前記動作電圧および前記動作周波数を制御することを特徴とする請求項1に記載の制御回路。 - 前記制御手段は、前記第1の温度が第1の基準温度以上であったときに、前記半導体装置が動作を停止するように前記半導体装置を制御することを特徴とする請求項1または2いずれかに記載の制御回路。
- 前記制御手段は、前記半導体装置が動作を停止した後に、前記第1の温度が前記第1の基準温度よりも低く設定されている第2の基準温度以下となったときに、前記半導体装置が動作を開始するように前記半導体装置を制御することを特徴とする請求項3に記載の制御回路。
- 前記第2の基準温度は、前記制御手段による前記半導体装置の所定の制御履歴に基づいて選択される複数段階の基準として設定されていることを特徴とする請求項4に記載の制御回路。
- 前記制御手段は、前記負荷量の変化傾向よって異なる基準データに基づいて前記半導体装置の前記動作電圧および前記動作周波数を設定することを特徴とする請求項1から5いずれかに記載の制御回路。
- 半導体装置と、
請求項1から6いずれかに記載の制御回路と、を備え、
前記制御回路の前記第2の温度計測手段は、前記半導体装置の温度を計測し、前記制御手段は、前記半導体装置の制御を行うことを特徴とする電子装置。 - 半導体装置が備えられている装置の周囲の温度である第1の温度を計測し、
前記半導体装置の温度である第2の温度を計測し、
前記第1の温度の前記第2の温度への影響を抑制するように設定された所定の基準を基に、前記半導体装置の負荷量を算出し、
前記負荷量が低いほど前記半導体装置の動作電圧および動作周波数が低くなるように設定された所定の基準と、算出した前記負荷量とを基に、前記負荷量を基に前記半導体装置の前記動作電圧および前記動作周波数を設定し、前記半導体装置を制御することを特徴とする制御方法。 - 前記第1の温度が第1の基準温度以上であったときに、前記半導体装置が動作を停止するように前記半導体装置を制御することを特徴とする請求項8に記載の制御方法。
- 前記半導体装置が動作を停止した後に、前記第1の温度が前記第1の基準温度よりも低く設定されている第2の基準温度以下となったときに、前記半導体装置が動作を開始するように前記半導体装置を制御することを特徴とする請求項9に記載の制御方法。
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KR20210107523A (ko) * | 2020-02-24 | 2021-09-01 | 앤시스, 인크 | Rom 기반 동적 열 관리 분석 및 제어를 위한 방법 및 시스템 |
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KR102657224B1 (ko) * | 2020-02-24 | 2024-04-12 | 앤시스, 인크 | Rom 기반 동적 열 관리 분석 및 제어를 위한 방법 및 시스템 |
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