JP2017116518A - 充電式のバッテリの残量検出回路、それを用いた電子機器、自動車ならびに充電状態の検出方法 - Google Patents

充電式のバッテリの残量検出回路、それを用いた電子機器、自動車ならびに充電状態の検出方法 Download PDF

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Abstract

【課題】バッテリの充電状態の検出精度を改善する。
【解決手段】バッテリの充放電電流IBATを積算することによりクーロンカウント値CCを生成する(S100)。SOCの値SOC1を演算する(S102)。バッテリに関してあらかじめ規定されたSOC−OCV特性にもとづき、値SOC1に対応するOCVの値OCV1を生成する(S112)。バッテリの電圧VBATを検出する(S104)。値OCV1とバッテリの電圧VBATの検出値VBAT1との差分VDROP1を生成する(S114)。システムの最低動作電圧より差分VDROP1に応じた電圧幅ΔV、高い値OCV2を生成する(S116)。SOC−OCV特性にもとづいて、値OCV2に対応するSOCの値SOC2を生成する(S118)。値SOC2にもとづいて、値SOC1、CC、CFULL、SOC−OCV特性の少なくともひとつを修正する。
【選択図】図5

Description

本発明は、バッテリ管理システムに関する。
携帯電話端末、デジタルカメラ、タブレット端末、携帯音楽プレイヤ、携帯ゲーム機器、ノート型コンピュータをはじめとするさまざまな電池駆動型の電子機器は、充電式のバッテリ(2次電池)を内蔵しており、システム制御や信号処理を行うCPU(Central Processing Unit)、液晶パネル、無線通信モジュール、その他のアナログ、デジタル回路などの電子回路は、バッテリからの電力供給を受けて動作する。
図1は、電池駆動型の電子機器のブロック図である。電子機器500は、バッテリ502と、バッテリ502を充電する充電回路504と、を備える。充電回路504は、外部の電源アダプタやUSB(Universal Serial Bus)からの電源電圧VADPを受け、バッテリ502を充電する。
バッテリ502には、負荷508が接続される。バッテリ502に流れる電流BATは、充電回路504からの充電電流ICHGと負荷508に流れる負荷電流(放電電流)ILOADの差分となる。
電池駆動型の電子機器では、バッテリの残量(充電状態:SOC)の検出が欠かせない機能となっており、電子機器500には、残量検出回路506が設けられる。残量検出回路506は、ヒューエルゲージIC(Integrated Circuit)とも称される。残量検出回路506によるバッテリの残量の検出方法としては、(1)電圧法と、(2)クーロンカウント法(電荷積算法)の2つが主流となっている。残量検出回路506は、充電回路504に内蔵される場合もある。
電圧法では、開放状態(無負荷状態)においてバッテリの開放電圧(OCV:Open Circuit Voltage)を測定し、OCVとSOCの対応関係から残量を推定する。OCVは、バッテリが無負荷であり、かつ緩和状態でなければ測定することができず、したがって充放電中にそれを正確に測定することはできない。
クーロンカウント法では、バッテリに流れ込む充電電流およびバッテリから流れ出る放電電流(以下、充放電電流と総称する)を積算し、バッテリへの充電電荷量、放電電荷量を計算することで残量を推定する。クーロンカウント法によれば、電圧法と異なり、開放電圧が得られないバッテリの使用期間においても、残量を推定することができる。
図1の残量検出回路506は、クーロンカウント法によって、バッテリ502の残量を推定する。残量検出回路506は、クーロンカウンタ回路510と、SOC演算部512と、を備える。クーロンカウンタ回路510は、バッテリ502の電流IBATを検出し、それを積算する。クーロンカウンタ回路510が生成するクーロンカウント値CCは、以下の式で表される。
CC=∫IBATdt
厳密にはバッテリ電流IBATは時間的に離散的にサンプリングされ、以下の式で計算される。Δtはサンプリング周期を示す。
CC=Σ(Δt×IBAT
この積算(積分)は、たとえばバッテリ502から流れ出る方向の電流IBATを正、バッテリ502に流れ込む方向の電流IBATを負として行われる。
SOC演算部512は、クーロンカウント値CCにもとづいて、バッテリ502のSOCを演算する。SOCの演算には以下の式が用いられる。
SOC[%]=(CCFULL−CC)/CCFULL×100
CCFULLは、満充電状態においてバッテリ502に蓄えられる電荷量(クーロンカウント値)を示す。
米国特許第9,035,616B2号明細書
本発明者は、図1の残量検出回路506について検討した結果、以下の課題を認識するに至った。ここでは充電については考えず、放電時の現象を説明する。図2は、OCVとSOCの対応関係(SOC−OCV特性)ならびにバッテリ電圧VBATの変化を示す図である。
ここではリチウムイオンセルを例とすると、OCV=4.2Vのときが満充電状態であり、すなわちSOC=100%である。また負荷508を含むシステムが動作可能な最低動作電圧をVBAT_MINとするとき、OCV=VBAT_MINのときにSOC=0%である。中間的なSOCについても、OCVと1対1で対応付けられる。
いま、満充電状態から負荷電流ILOADが連続的、あるいは不連続的に流れると、図中、矢印で示す方向にOCVが低下していく。このときの放電電流IBATが積算され、クーロンカウント値CCにもとづいてSOCが計算され、時間の経過とともにゼロに近づいていく。
図2には、OCVに加えて、バッテリ502から外部に取り出されるバッテリ電圧VBATが示される。バッテリ電圧VBATは、OCVよりもドロップしている。このドロップ量(電圧降下)VDROPは、現在の負荷電流ILOAD(すなわち瞬時値)に比例する成分に加えて、過去の負荷電流ILOADの履歴にもとづく成分を含む。したがって負荷電流ILOADがゼロとなった後も、直ちにゼロとなるわけではない。電圧降下VDROPは、無負荷状態において、長い緩和時間(数時間のオーダー)を経てゼロに近づいていく。
図2に示すように、電圧降下VDROPに起因して、OCVがVBAT_MINまで低下するより前に、バッテリ電圧VBATがVBAT_MINまで低下すると、システムがシャットダウンする。このとき、クーロンカウント法にもとづいて計算されるSOCは、0よりも大きい値Xである。つまり電子機器500のユーザは、残りX(%)と表示されていたにもかかわらず、システムがシャットダウンするという状況に遭遇する。
本発明は係る課題に鑑みてなされたものであり、そのある態様の例示的な目的のひとつは、バッテリの充電状態の検出精度を改善可能な方法および残量検出回路の提供にある。
本発明のある態様は、充電式のバッテリのSOC(State Of Charge)を検出する方法に関する。この方法は、以下の処理を含む。
(1)バッテリの充放電電流を積算することによりクーロンカウント値CCを生成する。
(2)SOCの値SOC1を、
SOC1=(CCFULL−CC)/CCFULL×100 …(1)
にもとづいて生成する。ただし、CCFULLは満充電に相当するクーロンカウント容量値である。
さらにこの方法では、以下の(3)補正処理が行われる。
(3−1)バッテリに関してあらかじめ規定されたSOCとOCV(Open Circuit Voltage)の対応関係(SOC−OCV特性)にもとづき、値SOC1に対応するOCVの値OCV1を生成する。
(3−2)バッテリの電圧VBAT1を検出する。
(3−3)値OCV1とバッテリの電圧VBATの検出値VBAT1との差分VDROP1を生成する。
(3−4)システムの最低動作電圧VBAT_MINより差分VDROP1に応じた電圧幅ΔV、高い値OCV2を生成する。
(3−5)SOC−OCV特性にもとづいて、値OCV2に対応するSOCの値SOC2を生成する。
(3−6)値SOC2が残量ゼロ(0%)に相当するものとして、値SOC1、CC、CFULLおよびSOC−OCV特性の少なくともひとつを修正する。
この態様によると、その時々で変化する電圧降下VDROPを考慮し、実際のバッテリ電圧VBATが最低動作電圧VBAT_MINまで低下したとき、すなわち、システムがシャットダウンするときにSOCがゼロとなるように、クーロンカウント法にもとづく残量検出処理を補正することができ、SOCの検出精度を改善できる。
ΔV=VDROP1であってもよい。OCVとバッテリ電圧の差分の、SOC依存性が小さい場合に有効である。
OCVとバッテリ電圧の差分VDROPのSOC依存性をあらかじめ保持しておいてもよく、ルックアップテーブルに保持してもよいし、演算式として保持してもよい。
補正処理は、以下の処理をさらに含んでもよい。
OCVの暫定値OCV3=VBAT_MIN+VDROP1を計算する。
OCVの暫定値OCV3に対応するSOCの暫定値SOC3を生成する。
値SOC1における前記差分VDROP1および前記差分のSOC依存性にもとづいて、暫定値SOC3における電圧降下ΔVを計算する。
これにより精度を高めることができる。
電圧降下VDROPのSOC依存性に加えて、温度依存性を保持してもよい。これによりさらに精度を高めることができる。
修正処理(3−6)において、クーロンカウント容量値CCFULLを、式(2)により得られる新たな値CCFULL’に修正してもよい。
CCFULL’=CCFULL×(100−SOC2)/100 …(2)
修正処理(3−6)において、クーロンカウント値CCを、式(3)により得られる新たな値CC’に修正してもよい。
CC’=CC−(CCFULL−CCFULL’) …(3)
修正処理(3−6)において、クーロンカウント値CCを、式(4)により得られる新たな値CC’に修正してもよい。
CC’=CC−CCFULL×SOC2/100 …(4)
修正処理(3−6)において、式(5)により得られる新たな値SOC’を、修正後のSOCとしてもよい。
SOC’=SOC1×100/(100−SOC2) …(5)
修正処理(3−6)において、クーロンカウント値CCは修正しなくてもよい。
修正処理(3−6)において、式(6)により得られる新たな値SOC’を、修正後のSOCとしてもよい。
SOC’={CCFULL−CC×100/(100−SOC2)}/CCFULL×100 …(6)
修正処理(3−6)において、クーロンカウント容量値CCFULLを修正せず、クーロンカウント値CCを、式(7)により得られる新たな値CC’に修正してもよい。
CC’=CC×100/(100−SOC2) …(7)
修正処理(3−6)において、クーロンカウント値CCを式(8)により得られる新たな値CC’に修正してもよい。
CC’=CC×(100−SOC2)/100 …(8)
上述のSOC−OCV特性は、システムの最低動作電圧より低いOCVの範囲を負のSOCと対応付けてもよい。
これにより、実効的な残量が増える場合にも対応できる。
補正処理(3)は、バッテリの電圧が所定の電圧値より低いときに有効となってもよい。あるいは補正処理(3)はSOCが所定値より低いときに有効となってもよい。
バッテリ残量が大きいときには補正を行わないことにより、補正にともなう消費電力の増加を抑制できる。
補正処理(3)は、所定の周期ごとに間欠的に有効となってもよい。
補正を常時有効とすると、消費電力が増大するところ、補正処理を所定の周期で間欠的に行うことで、補正にともなう消費電力の増加を抑制できる。
所定の周期は、1秒より長く60秒より短くてもよい。補正をこの周期で行うことにより、リーズナブルな消費電力の増加の範囲で、十分なSOCの精度の改善の効果が得られる。
本発明の別の態様は、充電式のバッテリのSOC(State Of Charge)を検出する残量検出回路に関する。残量検出回路は、バッテリの充放電電流を積算することによりクーロンカウント値CCを生成するクーロンカウンタ回路と、バッテリの電圧VBATを検出する電圧検出回路と、式(1)にもとづいて、SOCの値SOC1を計算するSOC演算部と、値SOC1、CC、CFULLおよびSOC−OCV特性の少なくともひとつを補正する補正回路と、を備える。
SOC1=(CCFULL−CC)/CCFULL×100 …(1)
ただし、CCFULLは満充電に相当するクーロンカウント容量値
補正回路は、バッテリに関してあらかじめ規定されたSOCとOCV(Open Circuit Voltage)の対応関係であるSOC−OCV特性にもとづき、値SOC1に対応するOCVの値OCV1を生成するステップと、値OCV1と電圧検出回路が検出した電圧の検出値VBAT1との差分VDROP1を生成するステップと、システムの最低動作電圧より差分VDROP1に応じた電圧幅ΔV、高い値OCV2を生成するステップと、SOC−OCV特性にもとづいて、値OCV2に対応するSOCの値SOC2を生成するステップと、値SOC2が残量ゼロ(0%)に相当するものとして、値SOC1、CC、CFULLおよびSOC−OCV特性の少なくともひとつを修正するステップと、を実行する。
本発明の別の態様は電子機器である。電子機器は、充電式のバッテリと、バッテリの状態を検出する上述の残量検出回路と、を備える。
本発明の別の態様は自動車である。自動車は、充電式のバッテリと、バッテリの状態を検出する上述の残量検出回路と、を備える。
なお、以上の構成要素の任意の組み合わせや本発明の構成要素や表現を、方法、装置、システムなどの間で相互に置換したものもまた、本発明の態様として有効である。
本発明によれば、バッテリの充電状態の検出精度を改善できる。
電子機器のブロック図である。 OCVとSOCの対応関係(SOC−OCV特性)ならびにバッテリ電圧VBATの変化を示す図である。 実施の形態に係る残量検出回路を備えるバッテリ管理システムのブロック図である。 SOC−OCV特性の一例を示す図である。 実施の形態に係る残量検出のフローチャートである。 電圧とSOCの関係を利用した補正処理を示す図である。 第1の修正方法を模式的に示す図である。 SOC−OCV特性の修正の一例を示す図である。 SOC−OCV特性の修正の一例を示す図である。 第1変形例におけるSOC−OCV特性の一例を示す図である。 図10のSOC−OCV特性を用いたときの、補正処理を示す図である。 電圧降下VDROPのSOC依存性を示すルックアップテーブルである。 第2変形例に係る残量検出のフローチャートである。 図13のΔV計算ルーチンを示すフローチャートである。 第2変形例に係る残量検出におけるSOCの推定結果を示す図である。 拡張されたVDRルックアップテーブルを示す図である。 第4変形例に係る残量検出におけるSOCの推定結果を示す図である。 バッテリ管理システムを備える自動車を示す図である。 バッテリ管理システムを備える電子機器を示す図である。
以下、本発明を好適な実施の形態をもとに図面を参照しながら説明する。各図面に示される同一または同等の構成要素、部材、処理には、同一の符号を付するものとし、適宜重複した説明は省略する。また、実施の形態は、発明を限定するものではなく例示であって、実施の形態に記述されるすべての特徴やその組み合わせは、必ずしも発明の本質的なものであるとは限らない。
本明細書において、「部材Aが、部材Bと接続された状態」とは、部材Aと部材Bが物理的に直接的に接続される場合や、部材Aと部材Bが、それらの電気的な接続状態に実質的な影響を及ぼさない、あるいはそれらの結合により奏される機能や効果を損なわせない、その他の部材を介して間接的に接続される場合も含む。
同様に、「部材Cが、部材Aと部材Bの間に設けられた状態」とは、部材Aと部材C、あるいは部材Bと部材Cが直接的に接続される場合のほか、それらの電気的な接続状態に実質的な影響を及ぼさない、あるいはそれらの結合により奏される機能や効果を損なわせない、その他の部材を介して間接的に接続される場合も含む。
また本明細書において、電圧信号、電流信号、あるいは抵抗に付された符号は、必要に応じてそれぞれの電圧値、電流値、あるいは抵抗値を表すものとする。
図3は、実施の形態に係る残量検出回路を備えるバッテリ管理システム100のブロック図である。バッテリ管理システム100は、バッテリ102、充電回路104、負荷108および残量検出回路200を備える。バッテリ102は、ひとつ、あるいは複数のセルを含む。セルの種類は特に限定されず、リチウムイオンセル、リチウム空気セル、リチウム金属ベースのセル、ニッケル水素セル、ニッケルカドミウムセル、ニッケル亜鉛セルなどが例示される。セルの個数は、バッテリ管理システム100の用途に依存するが、ポータブルの電子機器の場合、1セル〜数セル、車載バッテリや産業機器、産業機械の用途では数十〜数百セルのオーダーとなる。本発明の用途としてバッテリ102の構成は特に限定されない。
負荷108には、バッテリ102からのバッテリ電圧VBATが供給される。負荷108の種類は特に限定されない。たとえばバッテリ管理システム100が電子機器に搭載される場合、負荷108は、電池電圧VBATを昇圧あるいは降圧し、電源電圧VDDを生成する電源回路や、電源電圧VDDを受けて動作する各種電子回路を含みうる。バッテリ管理システム100が自動車や産業機械に搭載される場合、負荷108は、モータと、電池電圧VBATを交流に変換し、モータを駆動するインバータと、を含みうる。
充電回路104は、外部の電源アダプタやUSB(Universal Serial Bus)、充電ステーションなどからの電源電圧VEXTを受け、バッテリ102を充電する。
残量検出回路200は、バッテリ102の充電状態(SOC:State Of Charge)を検出する。なお本明細書では理解の容易化のために、SOCを、最小値が0、最大値が100である百分率(%)として説明するが、本発明はそれには限定されない。たとえばSOCを10ビットで表す場合、デジタル信号処理の過程においては、SOCは、0〜1023の1024階調で表されることに留意されたい。
残量検出回路200は、クーロンカウンタ回路202、電圧検出回路204、SOC演算部206、補正回路208、ルックアップテーブル210を備える。クーロンカウンタ回路202は、バッテリ102の充放電電流(IBAT)を積算することにより、クーロンカウント値CCを生成する。クーロンカウント値CCは、以下の式で表される。
CC=∫IBATdt
クーロンカウンタ回路202は、バッテリ電流IBATを所定のサンプリング周期Δtでサンプリングする。クーロンカウント値CCは、各サンプリング時刻におけるバッテリ電流IBATiを用いて、以下の式で計算される。
CC=Σi=1(Δt×IBATi
この積算(積分)は、たとえばバッテリ102から流れ出る方向の電流IBATを正、バッテリ502に流れ込む方向の電流IBATを負として行われる。
電流IBATの検出方法は特に限定されない。たとえば電流IBATの経路上に、バッテリ102と直列にセンス抵抗Rを挿入し、センス抵抗Rの電圧降下を検出してもよい。センス抵抗Rは、バッテリ102の正極側に挿入されてもよいし、負極側に挿入されてもよい。クーロンカウンタ回路202は、センス抵抗Rの電圧降下VCS(もしくは電圧降下VCSを増幅した電圧)をサンプリングするA/Dコンバータと、A/Dコンバータの出力データを積算する積算器と、を含んでもよい。
電圧検出回路204は、バッテリ102の電圧VBATを監視し、バッテリ電圧VBAT1を示すデータ(電圧データ)DVBATを生成する。電圧検出回路204は、バッテリ電圧VBATあるいはそれを所定係数倍した電圧をサンプリングし、デジタル化するA/Dコンバータを含んでもよい。
SOC演算部206は、クーロンカウンタ回路202からのクーロンカウント値CCを受ける。SOC演算部206は、式(1)にもとづいて、SOCの値SOC1を計算する。
SOC1=(CCFULL−CC)/CCFULL×100 …(1)
ただし、CCFULLは満充電に相当するクーロンカウント容量値
補正回路208には、値SOC1および電圧データDVBATが供給される。補正回路208は、これらの値にもとづいて、値SOC1、CC、CFULLおよびSOC−OCV特性の少なくともひとつを補正する。
以下、補正回路208による補正処理を説明する。
バッテリ102に関して、SOCとOCV(Open Circuit Voltage)の対応関係(SOC−OCV特性)があらかじめ測定されている。図4は、SOC−OCV特性の一例を示す図である。SOC−OCV特性は、たとえば図3のルックアップテーブル210に格納される。ルックアップテーブル210に格納されない中間値については、線形補間などの演算手段により生成することができる。あるいは補正回路208は、SOC−OCV特性を、演算式(たとえば多項式)の形式で保持してもよい。
補正回路208は、SOC−OCV特性にもとづいて、値SOC1に対応するOCVの値OCV1を生成する。続いて、値OCV1と電圧検出回路204が検出したバッテリ電圧VBAT1の差分VDROP1を生成する。
DROP1=OCV1−VBAT1
負荷508を含むシステムの最低動作電圧をVBAT_MINとする。補正回路208は、最低動作電圧VBAT_MINよりも差分VDROP1に応じた電圧幅ΔV、高い値OCV2を生成する。
OCV2=VBAT_MIN+ΔV
ΔV=VDROP1とした場合、
OCV2=VBAT_MIN+VDROP1
となる。あるいはΔV=VDROP1×α(αは定数)とした場合、
OCV2=VBAT_MIN+VDROP1×α
となる。あるいはΔV=VDROP1+β(βは定数)とした場合、
OCV2=VBAT_MIN+VDROP1+β
となる。あるいは、
OCV2=VBAT_MIN+α×VDROP1+β
としてもよい。より一般化すると、所定の関数f()を定義しておき、ΔV=f(VDROP1)にもとづいて電圧幅ΔVを計算してもよい。
補正回路208は、SOC−OCV特性にもとづいて、値OCV2に対応するSOCの値SOC2を生成する。そして補正回路208は、値SOC2がバッテリ102の残量ゼロ(0%)に相当するものとして、値SOC1、CC、CFULLおよびSOC−OCV特性の少なくともひとつを修正する。
クーロンカウンタ回路202および電圧検出回路204は、ハードウェアのみで実装することができ、それらを単一のICに集積化してもよい。SOC演算部206、補正回路208およびルックアップテーブル210は、マイコンなどのソフトウェア制御可能なプロセッサで実装してもよい。あるいは残量検出回路200全体を、単一のチップに集積化してもよい。
残量検出回路200が生成したSOCは、数字として、あるいは残量を示すアイコンとしてディスプレイ装置に表示され、あるいはアラートとして使用される。
以上が実施の形態に係る残量検出回路200の構成である。続いてその動作を説明する。図5は、実施の形態に係る残量検出のフローチャートである。たとえば満充電状態から処理がスタートする。なお、フローチャートは、各処理(ステップ)の順序を限定するものではなく、各処理の順序は、処理が破綻しない限りにおいて任意に入れ換えることが可能である。また、このフローチャートは、各処理が行われる頻度(周波数、周期)が同じであることを示すものではない。
クーロンカウンタ回路202は、クーロンカウント値CCを計算する(S100)。SOC演算部206は、クーロンカウント値CCを利用し、式(1)にもとづいて値SOC1を演算する(S102)。たとえば、クーロンカウンタ回路202は、数十〜数百Hzの周期でクーロンカウント値CCを更新する一方、SOC演算部206は、それより低い周波数、たとえば1秒〜60秒程度の周期で、SOC1を演算してもよい。
電圧検出回路204はVBATを測定する(S104)。消費電力の増加が問題とならない場合、電圧検出回路204は、高い周波数(たとえばクーロンカウンタ回路202と同じ周波数)で、バッテリ電圧VBATを測定しても構わない。
続いて、補正処理S110が行われる。補正処理S110は、SOC1の演算毎に行ってもよいし、それより低い周期で行ってもよい。図6は、電圧とSOCの関係を利用した補正処理S110を示す図である。各値は、それに付した番号(i)〜(v)の順序で生成される。
補正回路208は、SOC−OCV特性にもとづいて、SOC1からOCV1に変換する(S112)。続いて、電圧降下VDROP1を計算する(S114)。そして、電圧降下VDROP1および最低動作電圧VBAT_MINにもとづいて、バッテリ電圧VBATの測定値VBAT1が最低動作電圧VBAT_MINに達するときのOCVの値OCV2を推定する(S116)。そして、SOC−OCV特性にもとづいて、値OCV2からそれに対応するSOCの値SOC2に逆変換する(S118)。
値SOC2は、システムがシャットダウンしうるSOCを表す。すなわち、SOC演算部206が計算するSOC1が、値SOC2まで低下すると、バッテリ電圧VBATが最低動作電圧VBAT_MINまで低下してシャットダウンする可能性があることを表す。
そこで修正処理S120では、値SOC2にもとづいて、値SOC2が残量ゼロ(0%)に相当するものとして、値SOC1、CC、CFULLおよびSOC−OCV特性の少なくともひとつを修正する。
以上が実施の形態に係る残量検出処理である。ここで説明した残量検出回路200(および残量検出方法)によれば、その時々で変化する電圧降下VDROPを考慮し、実際のバッテリ電圧VBATが最低動作電圧VBAT_MINまで低下したとき、すなわち、システムがシャットダウンするときにSOCがゼロとなるように、クーロンカウント法にもとづく残量検出処理を補正することができる。これによりSOCの検出精度を改善できる。
なお、実施の形態に係る残量検出方法を、電圧法にもとづくSOCと混同してはならない。本実施の形態では、SOC−OCV特性を利用する点において電圧法と共通するが、OCVを測定する処理は必要とせず、したがって緩和時間の経過を待つ必要はない。
本発明は、図3のブロック図、図5のフローチャートとして把握され、あるいは上述の説明から導かれるさまざまな装置、回路、システム、方法に及ぶものであり、特定の構成や方法に限定されるものではない。以下、本発明の範囲を狭めるためではなく、発明の本質や回路動作の理解を助け、またそれらを明確化するために、より具体的な構成や方法を説明する。
続いて、図5のフローチャートにおける修正処理S120について説明する。修正処理には、以下で説明するように様々な方法が存在する。
(第1の修正方法)
図7は、第1の修正方法を模式的に示す図である。クーロンカウント容量値CCFULLは、式(2)により得られる新たな値CCFULL’に修正される。
CCFULL’=CCFULL×(100−SOC2)/100 …(2)
つまり、SOC2が残量ゼロ(SOC=0%)となるように、CCFULLをスケーリングする。K=(100−SOC2)/100をスケーリングファクタと呼ぶとき、式(2)は式(2’)に書き直すことができる。
CCFULL’=CCFULL×K …(2’)
また、クーロンカウント値CCは、式(3)により得られる新たな値CC’に修正される。
CC’=CC−(CCFULL−CCFULL’)
=CC−CCFULL×SOC2/100 …(3)
つまり、CCFULLを修正によって減らした分ΔCC(=CCFULL−CCFULL’)、CCも減らす。
修正後のクーロンカウント値CC’は、図3のクーロンカウンタ回路202の内部の、クーロンカウント値CCを格納するレジスタに書き込まれる。また、クーロンカウント容量値CCFULL’は、図3のSOC演算部206が保持するクーロンカウント容量値CCFULLと置き換えられる。
クーロンカウント値CCを、式(4)により得られる新たな値CC’に修正してもよい。
CC’=CC−CCFULL×SOC2/100 …(4)
なお、式(3)は、式(4)と等価である。
CCおよびCCFULLを修正すると、その後、SOC演算部206が生成するSOC1’は、以下の式で表される。
SOC1’=(CCFULL’−CC’)/CCFULL’×100
={(CCFULL−CCFULL×SOC2/100)−(CC−CCFULL×SOC2/100)}/{CCFULL×K}×100
=(CCFULL−CC)/CCFULL×100×1/K
ここで(CCFULL−CC)/CCFULL×100は、式(1)のSOC1に相当するから、補正後のSOC’は、式(5)で表される。
SOC’=SOC1×1/K
=SOC1×100/(100−SOC2) …(5)
第1の修正方法では、1回の補正で、クーロンカウント値CCおよびクーロンカウント容量値CCFULLが修正され、それ以降、修正後のクーロンカウント値CC’を初期値として充放電電流IBATが積算されていく。つまり、修正が反映されたまま、クーロンカウント法によるSOC検出が行われる。つまり必ずしもSOC演算部206のSOC1の演算ごとに、補正回路208の補正を行う必要はない。
(第2の修正方法)
第2の修正方法は、第1の修正方法と実質的に同一であるが、値CCおよびCCFULLの修正は行なわずに、式(5)にもとづいて演算される値SOC’を、修正後の改善されたSOCとする。第2の修正方法は、SOC演算部206がSOC1を演算するたびに、補正処理を行う場合に用いることができる。
(第3の修正方法)
第3の修正方法では、CCFULLを式(2)にもとづいて修正する一方、クーロンカウント値CCは修正しない。
この場合、式(6)により得られる新たな値SOC’が、修正後のSOCとして使用される。
SOC’=(CCFULL’−CC)/CCFULL’×100
=(CCFULL×K−CC)/(CCFULL×K)×100
=(CCFULL−CC×1/K)/CCFULL×100
={CCFULL−CC×100/(100−SOC2)}/CCFULL×100 …(6)
(第4の修正方法)
第4の修正方法では、クーロンカウント容量値CCFULLを修正せず、クーロンカウント値CCを、式(7)により得られる新たな値CC’に修正してもよい。
CC’=CC×100/(100−SOC2) …(7)
第4の修正方法は、第3の修正方法と同じSOC’を与えるため等価といえる。
(第5の修正方法)
第5の修正方法では、クーロンカウント容量値CCFULLを式(2)にもとづいて補正する。またクーロンカウント値CCを式(8)により得られる新たな値CC’に修正する。つまり、CCFULLとCCを同じスケーリングファクタKでスケーリングする。
CC’=CC×(100−SOC2)/100
=CC×K …(8)
第5の修正方法では、修正直後のSOCは、
SOC’=(CCFULL’−CC)/CCFULL’×100
=(CCFULL×K−CC×K)/(CCFULL×K)×100
=(CCFULL−CC)/CCFULL×100
=SOC1
となり、修正直前と同じ値が維持される。ただし、クーロンカウント値CCとクーロンカウント容量値CCFULLは補正されているため、その後、カウントが進んで演算されるSOC1は、修正が反映されたものとなる。SOCの不連続が好ましくない場合、第5の修正方法を採用するとよい。
(第6の修正方法)
第1〜第5の修正方法では、値CC,CCFULL,SOCの少なくともひとつを修正するものであった。これに対して第6の修正方法では、SOC−OCV特性が修正される。より詳しくは、第6の修正方法では、SOC2が、残量ゼロ(0%)となるように、SOC−OCV特性が修正される。たとえば、修正前のSOC(%)と、修正後のSOC’(%)は、以下の式(9)を満たしてもよい。
SOC’=100−(100−SOC)×1/K
=100−(100−SOC)×100/(100−SOC2) …(9)
図8および図9は、SOC−OCV特性の修正の一例を示す図である。
なお第6の修正方法はこれには限定されず、式(9)と異なる演算式を用いてもよい。あるいは、SOCの値を修正する代わりに、各SOCに対応するOCVの値を修正してもよいし、両方を補正してもよい。SOC−OCV特性の修正は、上述の第1〜第5の修正方法に相当するバリエーションが存在しうる。
以上、修正方法のバリエーションについて説明した。当業者によれば、第1〜第6の修正方法の他にも、さまざまな修正方法が存在すること、またそれらが本発明の範囲に含まれることが理解される。
また、いずれの修正方法を採用すべきかは、バッテリ管理システム100の用途に応じて選択すればよい。
たとえば、第1、第2の修正方法では、K<1の場合に、補正によってSOC値は大きくなる。反対に、第3、第4の修正方法では、K<1の場合に、補正によってSOC値は小さくなる。第5の修正方法では、補正の前後でSOC値は維持される。
K<1は絶対的な残量の低下を表す。一方、SOCは相対残量を示す。相対残量の観点からは、第1、第2の修正方法が正しいと言える。しかしながら多くのユーザは間隔的に、%表示のSOCを相対残量とは捉えておらず、絶対残量として捉えている場合もある。この場合、残量が減っている(つまり残りの使用可能時間が減っている)にも関わらず、SOC(%)が増えることに違和感を覚える場合もあろう。この場合、第3〜第5の修正方法を用いればよい。
以上、本発明について、実施の形態をもとに説明した。この実施の形態は例示であり、それらの各構成要素や各処理プロセスの組み合わせにいろいろな変形例が可能なこと、またそうした変形例も本発明の範囲にあることは当業者に理解されるところである。以下、こうした変形例について説明する。
(第1変形例)
SOC−OCV特性は、システムの最低動作電圧より低いOCVの範囲を負のSOCと対応付けてもよい。図10は、第1変形例におけるSOC−OCV特性の一例を示す図である。これまでの説明では、バッテリの実効的な残量(絶対値)が減少する場合について説明したが、電圧降下VDROPが負になると、逆に残量が増加することとなる。負のSOC値を導入することにより、他に特別な処理を追加することなく、実効的な残量が増える場合にも対応することができる。図11は、図10のSOC−OCV特性を用いたときの、補正処理を示す図である。
(第2変形例)
図5のフローチャートにおける処理S116において、OCV2を生成するときに、
OCV2=VBAT_MIN+ΔV …(10)
なる計算式を用いた。図2に示すように、OCVとVBATの差分VDROPは、SOCに依存する。したがって処理S116において、ΔV=VDROP1を用いると、SOC1とSOC2の差が大きいときの誤差が大きくなる。
そこでこの第2変形例では、電圧降下VDROPのSOC依存性が考慮される。具体的には、電圧降下VDROPのSOC依存性が、ルックアップテーブルあるは演算式として規定される。図12は、電圧降下VDROPのSOC依存性を示すルックアップテーブルである。このテーブルは、複数のSOCにおける電圧降下を相対的な比率を表しており、たとえば所定の基準SOC(ここでは100%)における電圧降下を基準として、各SOCでの電圧降下を比率(Voltage Drop Ratio:VDRと記す)で表したものである。
VDR(x)=VDROP(x)/VDROP(100)
したがって、あるSOC(=x)における電圧降下がVDROP1であったときに、別のSOC(=x)における電圧降下VDROP2は、以下の式から計算できる。
DROP2=VDROP1×VDR(x)/VDR(x
図13は、第2変形例に係る残量検出のフローチャートである。このフローチャートは図5のフローチャートの処理S116の前に、ΔV計算ルーチンS115が追加される。図14は、ΔV計算ルーチンS115を示すフローチャートである。
はじめに、電圧降下VDROP1および最低動作電圧VBAT_MINにもとづいて、バッテリ電圧VBATの測定値VBAT1が最低動作電圧VBAT_MINに達するときのOCVの暫定値OCV3を計算する(S130)。
OCV3=VBAT_MIN+VDROP1
そしてSOC−OCV特性にもとづいて、暫定値OCV3からそれに対応するSOCの値SOC3に逆変換する(S132)。
続いて図12のルックアップテーブルにもとづいて、SOC1、SOC3におけるVDRの値VDR1,VDR3を取得する(S134)。そして、
ΔV=VDROP1×VDR3/VDR1
にもとづいて、ΔVを計算する(S136)。こうして得られたΔVを利用して、図13の処理S116においてOCV2が計算される。
図15は、第2変形例に係る残量検出におけるSOCの推定結果を示す図である。バッテリを一定負荷(0.35C)で放電したときの、SOCの推定値が示される。(i)は理想のSOCであり一定負荷のときに直線となる。(ii)は図5のフローチャートにもとづくSOCの推定値を、(iii)は第2変形例のフローチャートにもとづくSOCの推定値を示す。また図15には、各SOC推定値と理想SOCとの誤差が示される。図15から分かるように、第2変形例によれば、電圧降下VDROPのSOC依存性を考慮することにより、誤差を小さくでき、推定精度を高めることができる。
(第3変形例)
第2変形例では、電圧降下VDROPのSOC依存性をルックアップテーブルを用いて補正したが、これを以下のような演算式で近似してもよい。
VDR(SOC) = 10^α*ln(log10(β*SOC))+θ
α、β、θは劣化・温度係数
(第4変形例)
第4変形例は、第2変形例の精度をさらに高めたものである。第4変形例では、VDRの温度依存性をさらに考慮する。図16は、拡張されたVDRルックアップテーブルを示す図である。図16に示すように、VDRルックアップテーブルは、いくつかの温度ごとに設けられる。図14のルーチンを実行する際には、温度を測定し、温度に応じたルックアップテーブルにもとづいてVDRの値を取得する。図17は、第4変形例に係る残量検出におけるSOCの推定結果を示す図である。第4変形例によれば、電圧降下VDROPの温度依存性を考慮することにより、さらに誤差を小さくでき、推定精度を高めることができる。
第4変形例において、温度ごとのVDRテーブルを、演算式で近似してもよい。
(第5変形例)
補正処理を常に行うと、補正回路208の演算量が増え、消費電力が増加する。そこで補正処理は、バッテリ102の電圧VBATが所定の電圧値VTHより低いときに有効となってもよい。電圧値VTHは、システム毎に適切な値を選択すればよい。多くの場合、ユーザがバッテリ102の残量(SOC)に関心を寄せるのは、SOCが低下したとき、つまりVBATが低下したときである。変形例2によれば、ユーザが関心のある状況において、補正処理を有効とすることで、消費電力の増加を要請できる。なお、補正処理はSOCが所定値より低いときに有効となってもよい。
(第6変形例)
補正処理は、所定の周期ごとに間欠的に有効となってもよい。補正を常時有効とすると、消費電力が増大する。そこで補正処理を所定の周期で間欠的に行うことで、補正にともなう消費電力の増加を抑制できる。
所定の周期は、1秒より長く60秒より短くてもよい。補正をこの周期で行うことにより、リーズナブルな消費電力の増加の範囲で、十分なSOCの精度の改善の効果が得られる。電圧降下VDROPが変化する時間スケールが60秒より長い用途では、所定の周期はさらに長くすることができる。
(第7変形例)
補正処理は、SOCが所定量(n%、nは任意の実数)変化する毎に有効となってもよい。この変形例によれば、補正にともなう消費電力の増加を抑制できる。
(第8変形例)
実施の形態では、バッテリ502の電圧VBATを監視する専用の電圧検出回路204を設けたが、本発明はそれに限定されない。バッテリ管理システム100において、すでにバッテリ電圧VBATを検出する回路が存在する場合には、その回路が検出したバッテリ電圧の値VBAT1を用いればよい。また、バッテリ電圧VBATは、バッテリ102の正極(+)の電圧を監視してもよいが、その限りではなく、別のノード(ライン)の電圧を監視してもよい。たとえば、バッテリ102と負荷108の間にロードスイッチが設けられるシステムでは、ロードスイッチよりも負荷108側のノード(ライン)の電圧を監視してもよい。これは、ロードスイッチの電圧降下が大きい場合に有効である。
(第9変形例)
SOC−OCV特性の修正と、値CC,CCFULL,SOCの修正は併用してもよい。
最後に、バッテリ管理システム100の用途を説明する。図18は、バッテリ管理システム100を備える自動車300を示す図である。自動車300は、電気自動車(EV)、プラグインハイブリッド自動車(PHV)、ハイブリッド自動車(HV)、などである。インバータ302は、バッテリ管理システム100からの電圧VBATを受け、交流に変換してモータ304に供給し、モータ304を回転させる。またブレーキが踏まれた場合などの減速時には、インバータ302は回生動作を行い、モータ304が発生する電流をバッテリ管理システム100のバッテリ102に回収する。PHVやEVでは、そのほかにバッテリ管理システム100のバッテリ102を充電する充電回路を備える。
図19は、バッテリ管理システム100を備える電子機器400を示す図である。電子機器400は、バッテリ管理システム100に加えて、PMIC(パワーマネージメントIC)402、プロセッサ404、その他図示しない電子回路を含む。PMIC402は統合された複数の電源回路であり、プロセッサ404やその他の電子回路に、適切な電源電圧を供給する。
そのほか、バッテリ管理システム100は、産業機器、産業機械、家庭用/工場用の蓄電システム、エレベータシステムの電源などに用いることができる。
実施の形態にもとづき、具体的な用語を用いて本発明を説明したが、実施の形態は、本発明の原理、応用を示しているにすぎず、実施の形態には、請求の範囲に規定された本発明の思想を逸脱しない範囲において、多くの変形例や配置の変更が認められる。
500…電子機器、502…バッテリ、504…充電回路、506…残量検出回路、508…負荷、510…クーロンカウンタ回路、512…SOC演算部、100…バッテリ管理システム、102…バッテリ、104…充電回路、108…負荷、200…残量検出回路、202…クーロンカウンタ回路、204…電圧検出回路、206…SOC演算部、208…補正回路、210…ルックアップテーブル、300…自動車、302…インバータ、304…モータ、400…電子機器、402…PMIC、404…プロセッサ。

Claims (36)

  1. 充電式のバッテリのSOC(State Of Charge)を検出する方法であって、
    (1)前記バッテリの充放電電流を積算することによりクーロンカウント値CCを生成するステップと、
    (2)SOCの値SOC1を、
    SOC1=(CCFULL−CC)/CCFULL×100 …(1)
    ただし、CCFULLは満充電に相当するクーロンカウント容量値
    にもとづいて生成するステップと、
    (3)補正ステップと、
    を備え、
    (3)前記補正ステップは、
    (3−1)前記バッテリに関してあらかじめ規定されたSOCとOCV(Open Circuit Voltage)の対応関係を示すSOC−OCV特性にもとづき、前記値SOC1に対応するOCVの値OCV1を生成するステップと、
    (3−2)前記バッテリの電圧VBATを検出するステップと、
    (3−3)前記値OCV1と前記バッテリの電圧VBATの検出値VBAT1との差分VDROP1を生成するステップと、
    (3−4)システムの最低動作電圧VBAT_MINより前記差分VDROP1に応じた電圧幅ΔV、高い値OCV2を生成するステップと、
    (3−5)前記SOC−OCV特性にもとづいて、前記値OCV2に対応するSOCの値SOC2を生成するステップと、
    (3−6)前記値SOC2が残量ゼロに相当するものとして、値SOC1、CC、CFULL、前記SOC−OCV特性の少なくともひとつを修正するステップと、
    を含むことを特徴とする方法。
  2. ΔV=VDROP1であることを特徴とする請求項1に記載の方法。
  3. OCVとバッテリ電圧の差分VDROPのSOC依存性をあらかじめ保持しておくステップと、
    OCVの暫定値OCV3=VBAT_MIN+VDROP1を計算するステップと、
    OCVの暫定値OCV3に対応するSOCの暫定値SOC3を生成するステップと、
    値SOC1における前記差分VDROP1および前記差分VDROPのSOC依存性にもとづいて、値SOC3における電圧降下ΔVを計算するステップと、
    をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の方法。
  4. (3−6)前記修正するステップは、前記クーロンカウント容量値CCFULL
    CCFULL’=CCFULL×(100−SOC2)/100 …(2)
    により得られる新たな値CCFULL’に修正することを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の方法。
  5. (3−6)前記修正するステップは、前記クーロンカウント値CCを
    CC’=CC−(CCFULL−CCFULL’) …(3)
    により得られる新たな値CC’に修正することを特徴とする請求項4に記載の方法。
  6. (3−6)前記修正するステップは、前記クーロンカウント値CCを、
    CC’=CC−CCFULL×SOC2/100 …(4)
    により得られる新たな値CC’に修正することを特徴とする請求項4に記載の方法。
  7. (3−6)前記修正するステップは、
    SOC’=SOC1×100/(100−SOC2) …(5)
    により得られる新たな値SOC’を、修正後のSOCとすることを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載の方法。
  8. (3−6)前記修正するステップは、前記クーロンカウント値CCは修正しないことを特徴とする請求項4に記載の方法。
  9. (3−6)前記修正するステップは、
    SOC’={CCFULL−CC×100/(100−SOC2)}/CCFULL×100 …(6)
    により得られる値SOC’を、修正後のSOCとすることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の方法。
  10. (3−6)前記修正するステップは、
    前記クーロンカウント容量値CCFULLを修正せず、
    前記クーロンカウント値CCを、
    CC’=CC×100/(100−SOC2) …(7)
    により得られる新たな値CC’に修正することを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の方法。
  11. (3−6)前記修正するステップは、前記クーロンカウント値CCを
    CC’=CC×(100−SOC2)/100 …(8)
    により得られる新たな値CC’に修正することを特徴とする請求項4に記載の方法。
  12. (3−6)前記修正するステップは、前記SOC−OCV特性を、
    SOC’=100−(100−SOC)×100/(100−SOC2) …(9)
    にしたがって補正することを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の方法。
  13. 前記SOC−OCV特性は、システムの最低動作電圧より低いOCVの範囲を負のSOCと対応付けることを特徴とする請求項1から12のいずれかに記載の方法。
  14. 前記補正ステップは、前記バッテリの電圧が所定の電圧値より低いときに有効となることを特徴とする請求項1から13のいずれかに記載の方法。
  15. 前記補正ステップは、SOCが所定値より低いときに有効となることを特徴とする請求項1から13のいずれかに記載の方法。
  16. 前記補正ステップは、所定の周期ごとに間欠的に有効となることを特徴とする請求項1から15のいずれかに記載の方法。
  17. 前記所定の周期は、1秒より長く、60秒より短いことを特徴とする請求項16に記載の方法。
  18. 充電式のバッテリのSOC(State Of Charge)を検出する残量検出回路であって、
    前記バッテリの充放電電流を積算することによりクーロンカウント値CCを生成するクーロンカウンタ回路と、
    前記バッテリの電圧VBATを検出する電圧検出回路と、
    式(1)にもとづいて、SOCの値SOC1を計算するSOC演算部と、
    SOC1=(CCFULL−CC)/CCFULL×100 …(1)
    ただし、CCFULLは、満充電に相当するクーロンカウント容量値
    補正回路と、
    を備え、
    前記補正回路は、
    前記バッテリに関してあらかじめ規定されたSOCとOCV(Open Circuit Voltage)の対応関係を示すSOC−OCV特性にもとづき、前記値SOC1に対応するOCVの値OCV1を生成するステップと、
    前記値OCV1と前記電圧検出回路が検出した前記電圧の検出値VBAT1との差分VDROP1を生成するステップと、
    システムの最低動作電圧VBAT_MINより前記差分VDROP1に応じた電圧幅ΔV、高い値OCV2を生成するステップと、
    前記SOC−OCV特性にもとづいて、前記値OCV2に対応するSOCの値SOC2を生成するステップと、
    前記値SOC2が残量ゼロに相当するものとして、値SOC1、CC、CFULLおよび前記SOC−OCV特性の少なくともひとつを修正するステップと、
    を実行することを特徴とする残量検出回路。
  19. ΔV=VDROP1であることを特徴とする請求項18に記載の残量検出回路。
  20. 前記補正回路は、
    OCVとバッテリ電圧の差分VDROPのSOC依存性を保持するステップと、
    OCVの暫定値OCV3=VBAT_MIN+VDROP1を計算するステップと、
    OCVの暫定値OCV3に対応するSOCの値SOC3を生成するステップと、
    値SOC1における前記差分VDROP1および前記差分VDROPのSOC依存性にもとづいて、値SOC3における電圧降下ΔVを計算するステップと、
    をさらに実行することを特徴とする請求項18に記載の残量検出回路。
  21. 前記修正するステップは、前記クーロンカウント容量値CCFULL
    CCFULL’=CCFULL×(100−SOC2)/100 …(2)
    により得られる新たな値CCFULL’に修正することを特徴とする請求項18から20のいずれかに記載の残量検出回路。
  22. 前記修正するステップは、前記クーロンカウント値CCを
    CC’=CC−(CCFULL−CCFULL’) …(3)
    により得られる新たな値CC’に修正することを特徴とする請求項21に記載の残量検出回路。
  23. 前記修正するステップは、前記クーロンカウント値CCを、
    CC’=CC−CCFULL×SOC2/100 …(4)
    により得られる新たな値CC’に修正することを特徴とする請求項21に記載の残量検出回路。
  24. 前記修正するステップは、前記SOC1を、
    SOC’=SOC1×100/(100−SOC2) …(5)
    により得られる新たな値SOC’に修正することを特徴とする請求項18から23のいずれかに記載の残量検出回路。
  25. 前記修正するステップは、前記クーロンカウント値CCは修正しないことを特徴とする請求項18から20のいずれかに記載の残量検出回路。
  26. 前記修正するステップは、
    SOC’={CCFULL−CC×100/(100−SOC2)}/CCFULL×100 …(6)
    により得られる値SOC’を、修正後のSOCとすることを特徴とする請求項18から20のいずれかに記載の残量検出回路。
  27. 前記修正するステップは、
    前記クーロンカウント容量値CCFULLを修正せず、
    前記クーロンカウント値CCを、
    CC’=CC×100/(100−SOC2) …(7)
    により得られる新たな値CC’に修正することを特徴とする請求項18から20のいずれかに記載の残量検出回路。
  28. 前記修正するステップは、前記クーロンカウント値CCを
    CC’=CC×(100−SOC2)/100 …(8)
    により得られる新たな値CC’に修正することを特徴とする請求項21に記載の残量検出回路。
  29. (3−6)前記修正するステップは、前記SOC−OCV特性を、
    SOC’=100−(100−SOC)×100/(100−SOC2) …(9)
    にしたがって補正することを特徴とする請求項18から20のいずれかに記載の残量検出回路。
  30. 前記SOC−OCV特性は、システムの最低動作電圧より低いOCVの範囲を負のSOCと対応付けることを特徴とする請求項18から29のいずれかに記載の残量検出回路。
  31. 前記補正回路は、前記バッテリの電圧が所定の電圧値より低いときに有効となることを特徴とする請求項18から30のいずれかに記載の残量検出回路。
  32. 前記補正回路は、SOCが所定値より低いときに有効となることを特徴とする請求項18から30のいずれかに記載の残量検出回路。
  33. 前記補正回路は、所定の周期ごとに間欠的に有効となることを特徴とする請求項18から32のいずれかに記載の残量検出回路。
  34. 前記所定の周期は、1秒より長く、60秒より短いことを特徴とする請求項33に記載の残量検出回路。
  35. 充電式のバッテリと、
    前記バッテリの状態を検出する請求項18から34のいずれかに記載の残量検出回路と、
    を備えることを特徴とする電子機器。
  36. 充電式のバッテリと、
    前記バッテリの状態を検出する請求項18から34のいずれかに記載の残量検出回路と、
    を備えることを特徴とする自動車。
JP2016096037A 2015-12-17 2016-05-12 充電式のバッテリの残量検出回路、それを用いた電子機器、自動車ならびに充電状態の検出方法 Active JP6722036B2 (ja)

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