JP2017105667A - フォトニック結晶の調製方法 - Google Patents
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Abstract
Description
種晶を用意し、上記種晶の一面に対して、エッチングして、表面に、サブミクロン隙間を有する種晶を形成するステップ1と、
石墨盤を用意して、上記石墨盤の一面に石墨ゲルを塗布し、上記石墨ゲルを利用して、上記種晶のサブミクロン隙間を有する一面を、上記石墨盤に貼付け、結晶座が形成されるステップ2と、
上記結晶座を成長室の上方に位置するように、原料を、上記成長室の下方にセットするステップ3と、
加熱装置で、上記成長室内部において、温度場が形成され、上記結晶座が、上記温度場の相対的に低温端に位置して、上記原料が、上記温度場の相対的に高温端に位置するように、上記温度場を制御することにより、上記原料を、固体から気体分子に昇華させるステップ4と、
成長室内の温度や温度場、雰囲気及び圧力を制御し、上記気体分子を、上記種晶に沈着するように、転送させて、フォトニック結晶が形成されるステップ5と、
が含有され、
上記ステップ5においては、上記サブミクロン隙間の局部において、高温になって、上記サブミクロン隙間の底部にある結晶体を、気体分子に昇華させ、上記サブミクロン隙間の深さが深まれて、上記サブミクロン隙間に位置する気体分子が、石墨ゲルの表面に結晶し、上記サブミクロン隙間が封止されて、サブミクロン穴が形成される。
111 石墨盤
112 石墨ゲル
113 サブミクロン隙間
114 種晶
120 成長室
121 原料
122 加熱装置
141 サブミクロン穴
210 結晶座
211 石墨盤
212 石墨ゲル
213 サブミクロン隙間
214 種晶
241 第一層サブミクロン穴
242 第二層サブミクロン穴
310 結晶座
311 石墨盤
312 石墨ゲル
313 サブミクロン隙間
314 種晶
341 サブミクロン穴
343 ドーピング元素
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Claims (7)
- 種晶を用意し、上記種晶の一面に対して、エッチングして、表面に、サブミクロン隙間を有する種晶を形成するステップ1と、
石墨盤を用意して、上記石墨盤の一面に石墨ゲルを塗布し、上記石墨ゲルを利用して、上記種晶のサブミクロン隙間を有する一面を、上記石墨盤に貼付け、結晶座が形成されるステップ2と、
上記結晶座を成長室の上方に位置するように、原料を、上記成長室の下方にセットするステップ3と、
加熱装置で、上記成長室内部において、温度場が形成され、上記結晶座が、上記温度場の相対的に低温端に位置して、上記原料が、上記温度場の相対的に高温端に位置するように、上記温度場を制御することにより、上記原料を、固体から気体分子に昇華させるステップ4と、
上記成長室内の温度や温度場、雰囲気及び圧力を制御し、上記気体分子を、上記種晶に沈着するように、転送させて、フォトニック結晶が形成されるステップ5と、
が含有され、
上記ステップ5においては、上記サブミクロン隙間の局部において、高温になって、上記サブミクロン隙間の底部にある結晶体を、気体分子に昇華させ、上記サブミクロン隙間の深さが深まれて、上記サブミクロン隙間に位置する気体分子が、石墨ゲルの表面に結晶し、上記サブミクロン隙間が封止されて、サブミクロン穴が形成される、
ことを特徴とするフォトニック結晶の調製方法。 - さらに、複数回のステップ1-5が繰り返され、それらの過程において、前回のステップ1-5で調製されたフォトニック結晶を、種晶とし、多層のサブミクロン穴を有するフォトニック結晶が形成される、ことを特徴とする請求項1に記載のフォトニック結晶の調製方法。
- 上記種晶と上記原料は、広バンドギャップ材料である、ことを特徴とする請求項1に記載のフォトニック結晶の調製方法。
- 上記広バンドギャップ材料は、炭化珪素や窒化ガリウム或いは窒化アルミニウムである、ことを特徴とする請求項3に記載のフォトニック結晶の調製方法。
- 上記広バンドギャップ材料は、炭化珪素であり、上記炭化珪素の表面が、珪素面である、ことを特徴とする請求項4に記載のフォトニック結晶の調製方法。
- 上記ステップ1においては、エッチングによって形成されたサブミクロン隙間の深さが、500μmよりも大きい、ことを特徴とする請求項1に記載のフォトニック結晶の調製方法。
- 上記石墨ゲルは、更に、ドーピング元素が含まれ、上記ステップ5の過程において、上記ドーピング元素が、蒸発し、上記サブミクロン隙間に拡散して、上記サブミクロン隙間に沈着し、上記ドーピング元素が、最終的に、上記サブミクロン穴内に位置し、上記ドーピング元素が、炭素や金属元素である、ことを特徴とする請求項1に記載のフォトニック結晶の調製方法。
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