JP2017100176A - Au−Snはんだ粉末及びこの粉末を含むはんだ用ペースト - Google Patents
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Abstract
Description
更に特許文献5記載のはんだペースト用表面被覆Au−Sn合金粉末は、Au被覆層の厚さが1μm以下で薄いため、この粉末の保管中に、コアのAu−Sn成分がAu被覆層内に拡散し、粉末表面がAu−Sn合金化し、Au本来の酸化防止機能が劣化する恐れがあった。
本発明のAu−Snはんだ粉末は、中心核と中心核を被覆する被覆層で構成されるAu−Snはんだ粉末の改良である。そして、図1に示すように、本発明第1実施形態のAu−Snはんだ粉末10は、中心核11がSn(錫)からなり、被覆層13はAu(金)からなる。また、中心核11と被覆層13との間に、SnとAuの金属間化合物からなる中間層12が介在し、この中間層12は、第1中間層12aと第2中間層12bの2層で構成される。また、第1中間層12aは金属間化合物AuSnから構成され、第1中間層12aよりも外側に位置する第2中間層12bは、第1中間層12aを構成する金属間化合物AuSnよりも、Auの割合が多い金属間化合物Au5Snから構成される。
本発明第2実施形態のAu−Snはんだ粉末は、図2に示すように中心核が金属間化合物AuSnからなり、被覆層は金属間化合物Au5Snからなる。なお、この第2実施形態のAu−Snはんだ粉末では、上述の第1実施形態のAu−Snはんだ粉末と異なり、中心核と被覆層の間に中間層が介在しない。
このように、このAu−Snはんだ粉末20は、当該粉末20を構成する粒子が、酸化の影響を受けやすい粒子の外側の層へ向かうに従って、即ち中心核21、被覆層23の順に、Auの割合が多くなる構造になっている。上述の第1実施形態のAu−Snはんだ粉末と比較すると、上述の第1実施形態のAu−Snはんだ粉末では、酸化の影響を受けやすい粒子の外側の層へ向かうに従って、第1中間層12a、第2中間層12b、被覆層13の順に、4段階でAuの割合が多くなるよう偏在させている。しかも最外層に、Auからなる被覆層13を配置しているため、粉末単体で或いははんだ用ペーストとして長期間保管しても、非常に高い酸化防止効果が得られる。一方、この図2に示す第2実施形態のAu−Snはんだ粉末20は、酸化の影響を受けやすい粒子の外側の層へ向かうに従って、中心核21、被覆層23の順に、2段階でAuの割合が多くなるよう偏在させている。この構造により、高い酸化防止効果が得られる技術的理由は、次の理由からと推察される。第2実施形態のAu−Snはんだ粉末20は、上述のように、2段階でAuの割合を層ごとに偏在させた構造であり、最外層である被覆層23も、Au単一の層で構成されてないことから、酸化防止の面で、第1実施形態のAu−Snはんだ粉末よりも若干劣る傾向もみられるが、最外層である被覆層23は、Auの割合が多く、酸化防止効果がより高いAu5Snから構成される。このため、第2実施形態のAu−Snはんだ粉末20も、上述の第1実施形態のAu−Snはんだ粉末10と同様、非常に高い酸化防止効果が得られる。
以上の工程により得られた、本発明第1,第2実施形態のAu−Snはんだ粉末は、はんだ用フラックスと混合してペースト化して得られるはんだ用ペーストの材料として好適に用いられる。はんだ用ペーストの調製は、はんだ粉末とはんだ用フラックスとを所定の割合で混合してペースト化することにより行われる。はんだ用ペーストの調製に用いられるはんだ用フラックスは、特に限定されないが、溶剤、ロジン、チキソ剤及び活性剤等の各成分を混合して調製されたフラックスを用いることができる。
上記はんだ用フラックスの調製に好適な溶剤としては、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、テトラエチレングリコール、2−エチル−1,3−ヘキサンジオール、α−テルピネオール等の沸点が180℃以上である有機溶剤が挙げられる。また、ロジンとしては、ガムロジン、水添ロジン、重合ロジン、エステルロジン等が挙げられる。
上記方法で調製されたはんだ用ペーストを用いてシリコンチップ、LEDチップ等の電子部品を各種放熱基板、FR4(Flame Retardant Type 4)基板、コバール等の基板に実装するには、ピン転写法にて上記基板の所定位置にはんだ用ペーストを転写するか、又は印刷法により所定位置にはんだ用ペーストを印刷する。次いで、転写又は印刷されたペースト上に電子部品であるチップ素子を搭載する。この状態で、リフロー炉にて窒素雰囲気中、好ましくは300〜350℃の温度で、5〜30分間保持して、チップ素子を接合する。場合によっては、チップ素子と基板とを加圧しながら接合してもよい。これにより、チップ素子が基板に接合した接合体が得られる。
先ず、水100mLにチオ硫酸ナトリウムを0.02mol、亜硫酸ナトリウムを0.02mol、塩化アンモニウムを0.02mol加え、スターラを用いて回転速度300rpmにて5分間攪拌し、溶解液を調製した。この溶解液に平均粒径が7.5μmの錫粉末を0.2g添加した後、分散剤としてポリビニルアルコール500(平均分子量が500のポリビニルアルコール)を0.1g加え、更に回転速度300rpmにて10分間攪拌することにより、錫粉末分散液を調製した。
以下の表1に示すように、上記熱処理の際の処理時間を10時間としたこと以外は、実施例1と同様にしてはんだ粉末を得た。
以下の表1に示すように、上記熱処理の際の処理時間を24時間としたこと以外は、実施例1と同様にしてはんだ粉末を得た。
上記錫粉末分散液を調製する際、平均粒径が7.5μmの錫粉末を使用し、この錫粉末の添加量を0.15gとしたこと以外は、実施例2と同様にしてはんだ粉末を得た。
上記錫粉末分散液を調製する際、平均粒径が7.5μmの錫粉末を使用し、この錫粉末の添加量を0.25gとしたこと以外は、実施例2と同様にしてはんだ粉末を得た。
上記錫粉末分散液を調製する際、平均粒径が7.5μmの錫粉末を使用し、この錫粉末の添加量を0.1gとしたこと以外は、実施例2と同様にしてはんだ粉末を得た。
上記錫粉末分散液を調製する際、平均粒径が7.5μmの錫粉末を使用し、この錫粉末の添加量を0.3gとしたこと以外は、実施例2と同様にしてはんだ粉末を得た。
アトマイズ法により得られた、金属間化合物AuSnと金属間化合物Au5Snが一粒子内に微細に分散する構造のはんだ粉末を比較例3とした。
実施例1〜5及び比較例1〜3で得られたはんだ粉末について、次に述べる方法により、粉末を構成する金属粒子の構造、一粒子中に占める各層の割合、組成又は粉末の平均粒径の分析又は測定を行った。また、これらの粉末を用いて調製したはんだ用ペーストについて濡れ性の評価を行った。これらの結果を以下の表1に示す。
また、比較例2では、粉末中に含まれるAuの割合が多く、Au−Snの共晶組成から大幅に外れたために、粉末が溶融せず、ペーストの調製直後から濡れ性の評価が悪い結果となった。
11、21 中心核
12、22 中間層
13、23 被覆層
Claims (3)
- 中心核と前記中心核を被覆する被覆層で構成されるAu−Snはんだ粉末において、
前記中心核がSn又は金属間化合物AuSnからなり、
前記中心核がSnからなるとき、前記被覆層はAuからなり、
前記中心核が金属間化合物AuSnからなるとき、前記被覆層は金属間化合物Au5Snからなり、
前記中心核がSnからなるとき、前記中心核と前記被覆層の間に、第1中間層と第2中間層の2層で構成される中間層が介在し、
前記第1中間層は金属間化合物AuSn、前記第2中間層は金属間化合物Au5Snからなり、
前記はんだ粉末の一粒子中に占める前記中間層の割合が45質量%以上100質量%未満であり、
前記はんだ粉末の全体量100質量%に対し、Snの含有割合が15.0〜25.0質量%である
ことを特徴とするAu−Snはんだ粉末。 - 請求項1記載のAu−Snはんだ粉末とはんだ用フラックスを含むはんだ用ペースト。
- 請求項2記載のはんだ用ペーストを用いて電子部品を実装する方法。
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