JP2017098698A - 撮像装置、電子機器および撮像方法 - Google Patents

撮像装置、電子機器および撮像方法 Download PDF

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Abstract

【課題】フォトダイオードの受光量を正確に検出する撮像装置、電子機器および撮像方法を提供する。
【解決手段】陽極E1と陰極E2とを含むフォトダイオードDと、高電位電源電圧Vddを供給する第1電源線44と陽極との電気的な接続を制御する第1トランジスターP1と、Vddとは異なる低電位電源電圧Vssを供給する第2電源線42と陽極との電気的な接続を制御する第2トランジスターN3とを含む。第1トランジスターと第2トランジスターとをオフ状態として、陰極の電圧を読み出す。
【選択図】図3

Description

本発明は、フォトダイオードを利用した撮像装置、その撮像装置を具備する電子機器およびその撮像装置の撮像方法に関する。
撮像装置に用いられるフォトダイオードでは、露光期間において受光量に応じた電荷が励起される。しかし、撮像装置では、露光後、フォトダイオードの電圧が読み出されるまでの間、フォトダイオードのN型不純物層からP型不純物層に向かう方向(逆方向)にリーク電流が流れ、フォトダイオードに励起された電荷が減少する。このため、フォトダイオードの受光量を正確に検出することが困難であるという問題があった。
この問題を解決するために、特許文献1には、受光量に応じた電荷が励起されるフォトダイオードと、フォトダイオードの陰極の電圧に応じた撮像信号を生成する増幅用のトランジスターと、フォトダイオードの陰極に接続されたリーク電流相殺用ダイオードとを包含する撮像装置が開示されている。この撮像装置では、フォトダイオードの陰極から陽極にリーク電流が流れる間、リーク電流相殺用ダイオードを介してフォトダイオードの陰極にリーク電流が流れ込み、フォトダイオードにおいてリーク電流により失われた電荷が補充される。
特開2006−216643号公報
特許文献1に開示の技術では、リーク電流によりフォトダイオードから失われた電荷をリーク電流相殺用ダイオードのリーク電流により補充する。このため、フォトダイオードのリーク電流の大きさと、リーク電流相殺用ダイオードのリーク電流の大きさとを等しくする必要がある。しかし、フォトダイオードやリーク電流相殺用ダイオードは、個々のダイオードごとに特性にばらつきがあるため、フォトダイオードのリーク電流の大きさと、リーク電流相殺用ダイオードのリーク電流の大きさとを等しくするのは難しい。このため、特許文献1に開示の技術では、フォトダイオードの受光量を正確に示す撮像信号を取得するのが難しい。
以上の事情を考慮して、本発明は、フォトダイオードの受光量を正確に検出することを目的とする。
以上の課題を解決するために、本発明は、第1電極と第2電極とを含むフォトダイオードと、第1電圧を供給する第1配線と第1電極との電気的な接続を制御する第1トランジスターと、第1電圧とは異なる第2電圧を供給する第2配線と第1電極との電気的な接続を制御する第2トランジスターとを含み、第1トランジスターと第2トランジスターとをオフ状態として、第2電極の電圧を読み出す撮像装置を提供する。
この発明によれば、第1トランジスターと第2トランジスターとをオフ状態とすることによりフォトダイオードのリーク電流の電流経路が断たれる。従って、第1トランジスターと第2トランジスターとをオフ状態として、フォトダイオードの第2電極の電圧を読み出すことにより、フォトダイオードの受光量を正確に検出することができる。
さらに、本発明の好適な態様において、第1トランジスターのゲートがリセット線に接続され、第2トランジスターのゲートが露光線に接続され、第1トランジスターをオン状態とする電圧をリセット線に出力し、かつ、第2トランジスターをオフ状態とする電圧を露光線に出力して、フォトダイオードを初期化し、第1トランジスターをオフ状態とする電圧をリセット線に出力し、かつ、第2トランジスターをオン状態とする電圧を露光線に出力して、フォトダイオードに受光量に応じた電荷を励起させ、第1トランジスターをオフ状態とする電圧をリセット線に出力し、かつ、第2トランジスターをオフ状態とする電圧を露光線に出力して、第2電極の電圧を読み出す。
以上の構成では、撮像装置が、第1トランジスターと第2トランジスターとの各々をオン状態或いはオフ状態にすることで、フォトダイオードの初期化と、受光量に応じた電荷の励起と、第2電極の電圧の読み出しとを行う。このため、本発明の撮像装置によれば、フォトダイオードの受光量を正確に検出することができる。
本発明の好適な態様において、第2電極と第2配線との間に介挿された容量素子を具備する。
以上の構成では、第2電極と第2配線との間に容量素子が介挿されているので、フォトダイオードの受光量に応じて励起された電荷を容量素子に充電された電荷から求めることができる。このため、フォトダイオードの受光量を正確に検出することができる。
本発明の好適な態様において、第2電極の電圧を増幅して出力する第3トランジスターと、選択線からゲートに供給される電圧に応じて第3トランジスターによる出力の可否を制御する第4トランジスターとを具備する。
以上の構成では、第3トランジスターが第2電極の電圧を増幅して出力するので、フォトダイオードの受光量をより正確に検出することができる。さらに、第4トランジスターは、選択線からゲートに供給される電圧に応じて第3トランジスターによる出力の可否を制御するので、選択線に接続された第4トランジスターごとに、フォトダイオードの受光量をより正確に検出することができる。
なお、本出願において、要素Aと要素Bとが電気的に接続された状態とは、要素Aと要素Bとが同等の論理状態(設計概念上の電圧)に設定され得ることを意味する。具体的には、要素Aと要素Bとが配線を介して直接に接続された状態のほか、抵抗素子やスイッチング素子等の電気素子を介して間接的に接続された状態も、要素Aと要素Bとが電気的に接続された状態に包含される。すなわち、要素Aの電圧と要素Bの電圧とが僅かに相違していても、回路上で同等の論理として取扱われる場合には、要素Aと要素Bとは電気的に接続された状態と解釈できる。したがって、例えば、第1トランジスターがオン状態に維持された状態では、フォトダイオードの第1電極と第1配線とは相互に電気的に接続された状態となる。
以上の各態様に係る撮像装置は、各種の電子機器に利用される。電子機器の典型例は、被写体の画像(静止画や動画)を撮像する映像機器であるが、例えば生体の静脈像の撮像により生体情報を測定する生体情報測定装置にも前述の各態様に係る撮像装置が好適に利用される。
また、本発明は、第1電極と第2電極とを含むフォトダイオードと、第1電圧を供給する第1配線と第1電極との電気的な接続を制御する第1トランジスターと、第1電圧と異なる第2電圧を供給する第2配線と第1電極との電気的な接続を制御する第2トランジスターとを含む撮像装置の撮像方法であって、第1トランジスターと第2トランジスターとをオフ状態として、第2電極の電圧を読み出すステップを含む撮像方法を提供する。
さらに、本発明の好適な態様において、撮像装置では、第1トランジスターのゲートがリセット線に接続され、第2トランジスターのゲートが露光線に接続され、撮像方法は、第1トランジスターをオン状態とする電圧をリセット線に出力し、かつ、第2トランジスターをオフ状態とする電圧を露光線に出力して、フォトダイオードを初期化するステップと、第1トランジスターをオフ状態とする電圧をリセット線に出力し、かつ、第2トランジスターをオン状態とする電圧を露光線に出力して、フォトダイオードに受光量に応じた電荷を励起させるステップと、第1トランジスターをオフ状態とする電圧をリセット線に出力し、かつ、第2トランジスターをオフ状態とする電圧を露光線に出力して、第2電極の電圧を読み出すステップとを含む。
第1実施形態である撮像装置を含む撮像システムの断面図である。 撮像装置の電気的な構成図である。 単位回路の電気的な構成図である。 撮像装置の動作を示すタイムチャートである。 列選択回路の動作を示すタイムチャートである。 第2実施形態の撮像装置の動作を示すタイムチャートである。
<第1実施形態>
(A:構成)
図1は、本発明の第1実施形態である撮像装置18を含む撮像システム100の構成図である。この撮像システム100は、被写体200を撮像する電子機器であり、図1に例示される通り、照明部12と集光部14と遮光部16と本実施形態による撮像装置18とを具備する。撮像装置18には、照明部12と集光部14と遮光部16とが設置される。集光部14は照明部12と遮光部16との間に位置し、遮光部16は集光部14と撮像装置18との間に位置する。遮光部16と撮像装置18とは光透過性の接着剤17を利用して相互に接合される。この撮像システム100は、例えば酸素飽和度や血糖値等の生体情報を測定する生体情報測定装置に利用され、例えば被験者の手指等の静脈を被写体200として撮像する。
図1に例示される通り、照明部12は、光透過性の基板122と複数の発光素子124とを具備する。複数の発光素子124は、基板122のうち集光部14と反対側の表面に形成され、特定波長の照明光を出射して被写体200を照明する。例えば、複数の発光素子124は、近赤外光(700nm以上かつ900nm以下の波長)を照明光として被写体200に照射する。近赤外光は、被写体200の生体組織を透過し、一部が静脈中の血液の還元ヘモグロビンにより吸収される。また、被写体200の生体組織を透過した近赤外光のうち還元ヘモグロビンにより吸収されない近赤外光は、照明部12側に撮像光として反射される。なお、被写体200を挟んで撮像装置18とは反対側から被写体200を照明することも可能である。
集光部14は、被写体200から到来する撮像光を集光する要素であり、光透過性の基板142と複数のレンズ144とを具備する。複数のレンズ144の各々は、基板142のうち遮光部16との対向面に形成され、被写体200からの撮像光を集光する凸レンズである。遮光部16は、光透過性の基板162と遮光層164とを具備する。遮光層164は、基板162のうち撮像装置18との対向面に形成された遮光性の薄膜である。遮光層164には、相異なるレンズ144からの出射光が通過する複数の開口部166が形成される。
撮像装置18は、照明部12と集光部14と遮光部16とを透過した被写体200からの撮像光を撮像する。第1実施形態の撮像装置18は、相異なるレンズ144に対応するフォトダイオードDを含む単位回路U(図1では図示略)が基板182の表面に複数配列された固体撮像素子である。基板182は例えば半導体材料で形成される。
図2は、撮像装置18の電気的な構成図である。図2に例示される通り、第1実施形態の撮像装置18は、撮像部20と行選択回路32と電源回路34と信号出力回路36とリセット信号生成部47と露光信号生成部49とを具備する。電源回路34は、高電位電源電圧Vddと低電位電源電圧Vssとを生成する(Vdd>Vss)。この例では、低電位電源電圧Vssは接地電圧である。高電位電源電圧Vddは、第1電源線44とリセット信号生成部47と露光信号生成部49とに供給され、低電位電源電圧Vssは、第2電源線42とリセット信号生成部47と露光信号生成部49とに供給される。
図2の行選択回路32と電源回路34と信号出力回路36とリセット信号生成部47と露光信号生成部49とは、撮像部20を駆動してフォトダイオードDの受光量を検出するための駆動回路として機能する。リセット信号生成部47は、電源回路34から供給される高電位電源電圧Vddと低電位電源電圧Vssとの一方を選択し、リセット信号Rstとしてリセット線46に供給するスイッチを含む。また、露光信号生成部49は、電源回路34から供給される高電位電源電圧Vddと低電位電源電圧Vssとの一方を選択し、露光信号Expとして露光線48に供給するするスイッチを含む。なお、リセット信号生成部47によるリセット信号Rstの出力動作および露光信号生成部49による露光信号Expの出力動作の詳細は、撮像システム100の動作説明において明らかにする。
撮像部20は、X方向に延在するM本の選択線22と、X方向の選択線22と交差しY方向に延在するN本の検出線24とを有する(MおよびNは自然数)。各選択線22と各検出線24との交差に対応した位置には単位回路Uが設置されている。すなわち、撮像部20には複数の単位回路Uが縦M行×横N列の行列状に配列されている。各単位回路Uは、受光量に応じた電荷が励起されるフォトダイオードD(図2では図示略)を具備する。各単位回路Uには、第1電源線44を介して高電位電源電圧Vddが、第2電源線42を介して低電位電源電圧Vssが、リセット線46を介してリセット信号Rstが、露光線48を介して露光信号Expが各々供給される。
本実施形態では、撮像指示の発生に応じて、全ての単位回路UのフォトダイオードDの蓄積電荷を初期化させる初期化動作と、全ての単位回路UにおいてフォトダイオードDに受光量に応じた電荷を励起させる露光動作と、各単位回路UのフォトダイオードDの電荷量を各単位回路Uから読み出す読出動作が順次行われる。
行選択回路32および信号出力回路36は、各単位回路Uからの読出動作を制御する回路である。さらに詳述すると、行選択回路32は、選択期間H毎に、読出対象とする単位回路Uの行を順次選択し、M本の選択線22に出力する選択信号Y[m](m=1〜M)のうち、選択した行の選択線22に出力する選択信号をアクティブレベル(この例では高レベル=Vdd)とし、それ以外の行の選択線22に出力する選択信号を非アクティブレベル(この例では低レベル=Vss)とする。
信号出力回路36は、撮像部20の単位回路Uの列毎に設置されたN個のトランジスターN4と、列選択回路38と、1本の出力線62とを有する。任意の第n列のトランジスターN4のドレインは、第n列の検出線24に接続される。N個のトランジスターN4のソースは、出力線62に共通に接続される。第n列のトランジスターN4は、出力線62と第n列(n=1〜N)の検出線24との間に介在して両者間の電気的な接続(導通/絶縁)を制御するスイッチである。すなわち、第n列のトランジスターN4がオン状態となることで、第n列の検出線24が出力線62に電気的に接続される。N個のトランジスターN4のゲートは、列選択回路38に接続される。列選択回路38は、任意の第m行が行選択回路32により選択されている期間内に、読出対象とする単位回路Uの列を順次選択し、選択した列のトランジスターN4をオン状態とし、それ以外の列のトランジスターN4をオフ状態とする制御信号X[n]を出力する。列選択回路38は、選択した列に出力する制御信号をアクティブレベル(この例では高レベル=Vdd)とし、それ以外の列に出力する制御信号を非アクティブレベル(この例では低レベル=Vss)とする。
図3は、撮像部20のうち任意の第m行第n列に位置する1個の単位回路Uの電気的な構成図である。図3に例示される通り、第1実施形態の単位回路Uは、フォトダイオードD、トランジスターN1〜N3、トランジスターP1および容量素子を具備する。フォトダイオードDは、受光量に応じた電荷が励起される受光素子であり、第1電極である陽極E1と第2電極である陰極E2との間に光電変換層を積層した積層構造を包含する。第1実施形態のフォトダイオードDは、CuInSe2(CIS)やCu(In,Ga)Se2(CIGS)等のカルコパイライト型の光電変換層で被写体200からの撮像光を受光する。カルコパイライト型の光電変換層は、受光感度が高く高感度の撮像を容易に実現できる反面、非受光時の電流のリーク(暗電流)が大きいという傾向がある。なお、例えば多結晶または非晶質のシリコンでフォトダイオードDの光電変換層を形成した構成でも同様の傾向が観測される。
図3に例示される通り、フォトダイオードDの陽極E1は、トランジスターN3のドレインと、トランジスターP1のドレインとに接続されている。トランジスターN3のソースは、低電位電源電圧Vssが供給される第2電源線42に接続されている。トランジスターN3のゲートは、露光信号Expが供給される露光線48に接続されている。このトランジスターN3は、露光信号Expが高レベル(この例では高電位電源電圧Vdd)となることによりオン状態となり、フォトダイオードDの陽極E1を第2電源線42に電気的に接続する。このように、第2トランジスターであるトランジスターN3は、第2電源線42とフォトダイオードDの陽極E1との間に介在して両者の電気的な接続(導通/絶縁)を制御するスイッチとして機能する。
トランジスターP1のソースは、高電位電源電圧Vddが供給される第1電源線44に接続されている。トランジスターP1のゲートは、リセット信号Rstが供給されるリセット線46に接続されている。このトランジスターP1は、リセット信号Rstが低レベル(この例では低電位電源電圧Vss)となることによりオン状態となり、フォトダイオードDの陽極E1を第1電源線44に電気的に接続する。このように、第1トランジスターであるトランジスターP1は、第1電源線44とフォトダイオードDの陽極E1との間に介在して両者の電気的な接続(導通/絶縁)を制御するスイッチとして機能する。
容量素子Cは、一方の電極がフォトダイオードDの陰極E2に接続され、他方が第2電源線42に接続されている。この容量素子Cは、フォトダイオードDの陰極E2の電圧を保持する。
トランジスターN1およびN2は、フォトダイオードDの陰極E2の電圧に対応した電圧を検出線24に出力する増幅回路を構成している。さらに詳述すると、トランジスターN2は、ゲートがフォトダイオードDの陰極E2に接続され、ソースが検出線24に接続され、ドレインがトランジスターN1のソースに接続されている。トランジスターN1は、ドレインが第1電源線44に接続され、選択線22を介してゲートに与えられる選択信号Y[m]が高レベル(この例では高電位電源電圧Vdd)となることによりオン状態となり、トランジスターN2のドレインに高電位電源電圧Vddを供給する。これによりトランジスターN2は、ソースフォロワ回路として機能し、フォトダイオードDの陰極E2の電圧からトランジスターN2の閾値電圧を差し引いた電圧を検出線24に出力する。このように第3トランジスターであるトランジスターN2は、フォトダイオードDの陰極E2の電圧を増幅して出力する増幅用のトランジスターとして機能する。また、第4トランジスターであるトランジスターN1は、トランジスターN2と第1電源線44との間に介在して両者間の電気的な接続(導通/絶縁)を制御するスイッチとして機能する。なお、トランジスターN1のドレインの接続先は、高電位電源電圧Vddが供給される第1電源線44に限定されない。例えば、高電位電源電圧Vdd以外の定電圧が供給される配線とトランジスターN2のドレインとの間にトランジスターN1を配置することも可能である。この場合の配線に供給される高電位電源電圧Vdd以外の定電圧は、外部電源が生成してもよいし電源回路34が生成してもよい。
以上が、撮像システム100の構成である。
(B:動作)
次に、撮像システム100の動作について説明する。図4は、撮像システム100に含まれる本実施形態の撮像装置18の動作を示すタイムチャートである。図4に例示される通り、撮像装置18では、例えば利用者からの撮像指示を契機として、初期化期間(待機期間を含む)と露光期間と読出期間とを順次に発生する。ここで、初期化期間は、露光期間の直前の待機期間と、この待機期間の前の所定時間長の期間とで構成される。
読出期間以前の各期間では、全ての選択信号Y[1]〜Y[M]が低レベルとされ、全ての単位回路UのトランジスターN1がオフ状態とされる。また、読出期間以前の各期間では、全ての制御信号X[1]〜X[N]が低レベルとされる。
初期化期間における待機期間の前の期間では、リセット線46に対して低電位電源電圧Vssがリセット信号Rstとして供給され、露光線48に対して低電位電源電圧Vssが露光信号Expとして供給される。このため、撮像装置18の全ての単位回路Uでは、トランジスターN3がオフ状態、トランジスターP1がオン状態となる。このため、全ての単位回路Uにおいて、第1電源線44→トランジスターP1→フォトダイオードD→容量素子C→第2電源線42という電流経路が形成され、この電流経路を介して電流が流れることによりフォトダイオードDが初期化され、容量素子Cが充電される。
待機期間では、リセット線46に高電位電源電圧Vddがリセット信号Rstとして供給され、露光線48に低電位電源電圧Vssが露光信号Expとして供給される。このため、全ての単位回路Uでは、トランジスターN3およびトランジスターP1がオフ状態となり、上記電流経路が切断される。この待機期間は、初期化期間から露光期間に遷移させるのに先立って、フォトダイオードDの陰極E2の電圧を安定化させるために設けられている。
露光期間では、リセット線46に高電位電源電圧Vddがリセット信号Rstとして供給され、露光線48に高電位電源電圧Vddが露光信号Expとして供給される。このため、全ての単位回路Uでは、トランジスターN3がオン状態、トランジスターP1がオフ状態となる。この露光期間では、フォトダイオードDには逆方向にフォトダイオードDの受光量に応じたリーク電流が流れる。このリーク電流により、フォトダイオードDの陰極E2の電圧が低下し、この陰極E2の電圧が容量素子Cによって保持される。
読出期間になると、リセット線46に高電位電源電圧Vddがリセット信号Rstとして供給され、露光線48に低電位電源電圧Vssが露光信号Expとして供給される。このため、全ての単位回路Uでは、トランジスターN3およびトランジスターP1がオフ状態となり、フォトダイオードDのリーク電流を流す電流経路が断たれる。そして、読出期間において、行選択回路32は、選択期間H毎に、読出対象とする単位回路Uの行を順次選択し、M本の選択線22に出力する選択信号Y[m]のうち選択した行の選択線22に出力する選択信号をアクティブレベル(この例では高レベル=Vdd)とし、それ以外の行の選択線22に出力する選択信号を非アクティブレベル(この例では低レベル=Vss)とする。行選択回路32が第m行の選択線22に選択信号Y[m]を供給すると、第m行の単位回路UのトランジスターN1はオン状態となる。この結果、第m行の単位回路Uでは、トランジスターN2がソースフォロワ回路として機能し、フォトダイオードDの陰極E2の電圧からトランジスターN2の閾値電圧を差し引いた電圧が検出線24に出力される。
各選択期間Hにおいて、列選択回路38は、N本の検出線24から電圧を取り込むための動作を行う。図5は、この列選択回路38の動作を示すタイムチャートである。図5に例示される通り、列選択回路38は、任意の行が行選択回路32により選択されている選択期間H内に、読出対象とする単位回路Uの列を順次選択し、選択した列のトランジスターN4をオン状態とし、それ以外の列のトランジスターN4をオフ状態とする制御信号X[n]を出力する。列選択回路38は、選択した列に出力する制御信号をアクティブレベル(この例では高レベル=Vdd)とし、それ以外の列に出力する制御信号を非アクティブレベル(この例では低レベル=Vss)とする。この結果、列選択回路38によって第n列が選択されたときには、第n列の検出線24に出力された電圧が第n列のトランジスターN4を介して出力線62に出力され、図示しない処理回路に供給される。
以上のように、本実施形態によれば、露光期間が終了すると、全ての単位回路UにおいてトランジスターN3およびトランジスターP1がオフ状態とされ、フォトダイオードDのリーク電流が流れる電流経路が断たれる。従って、読出期間において、各単位回路UのフォトダイオードDの受光量を各単位回路Uから正確に検出することができる。
なお、容量素子Cの静電容量は、トランジスターN3およびトランジスターP1の寄生容量の10倍以上であることが望ましい。この理由は以下の通りである。読出期間において、トランジスターN3およびトランジスターP1がオフ状態であるため、フォトダイオードDには電流が流れないはずである。しかし、実際には読出期間においても、トランジスターN3およびトランジスターP1に僅かながら電流が流れるので、容量素子Cに蓄積された電荷がフォトダイオードDを経由してトランジスターN3およびトランジスターP1に流れ込む。このため、フォトダイオードDの陰極E2の電圧が低下する。しかし、容量素子Cの静電容量が、トランジスターN3およびトランジスターP1の寄生容量の10倍以上であると、読出期間において、トランジスターN3およびトランジスターP1に流れる電流は僅かであるので、フォトダイオードDの陰極E2の電圧の低下分も小さくなる。また、フォトダイオードDの寄生容量がこのように十分に大きい場合には、容量素子Cを省略してもよい。この場合、フォトダイオードDが容量素子Cの役割を果たすこととなる。
さらに本実施形態によれば、露光期間終了時にフォトダイオードDに流れるリーク電流を止めるので、露光期間が短く調整された状況においても、リーク電流の影響を受けることなく、フォトダイオードDの受光量を正確に検出することができる。
<第2実施形態>
この発明の第2実施形態である撮像装置18は第1実施形態の撮像装置18と同じ構成を有する。本実施形態の撮像装置18は、第1実施形態の撮像装置18の動作のみを変更したものである。図6は、本実施形態の撮像装置18の動作を示すタイムチャートである。図6に例示の通り、本実施形態では、例えば利用者からの撮像指示を契機として、読出対象とする単位回路Uの行を切り換えつつ、単位回路Uの行数と同じ回数だけ、初期化期間(待機期間を含む)と露光期間と読出期間の組を繰り返す。また、各読出期間において、行選択回路32は、選択信号Y[1]〜Y[M]のうち読出対象である行の選択信号のみをアクティブレベル(この例では高レベル=Vdd)とし、他の行の選択信号を非アクティブレベル(この例では低レベル=Vss)とする。行選択回路32が任意の第m行を選択している選択期間H内の列選択回路38の動作は第1実施形態と同様である(図5参照)。
第1実施形態のように、読出期間において、第1行から第M行までを順次選択し、選択した行の各単位回路Uから読み出すと、後に選択される行の単位回路Uになる程、露光期間の終了タイミングから読み出しまでのタイムラグが長くなる。このタイムラグのために、フォトダイオードDの陰極E2の電圧が低下する。このため、タイムラグの長さによっては、フォトダイオードDの受光量を正確に検出することが困難になる。しかし、本実施形態によれば、読出期間において、行選択回路32は1つの行のみを選択するため、露光期間の終了タイミングから読み出しまでのタイムラグが長期化することがない。従って、例えば単位回路Uの行数が多いような場合であっても、各単位回路UからフォトダイオードDの受光量を正確に検出することができる。
以上、この発明の実施形態について説明したが、この発明には、これ以外にも他の実施形態が考えられる。例えば次の通りである。
(1)上記各実施形態では、初期化期間内に待機期間を設けたが、待機期間を設けなくてもよい。ただし、この場合、初期化期間が終了し露光期間が開始されるとき、露光信号Expの低電位電源電圧Vssから高電位電源電圧Vddへの立ち上がりに対して、リセット信号Rstの低電位電源電圧Vssから高電位電源電圧Vddへの立ち上がりが遅れると、この遅れ時間の間、トランジスターP1およびトランジスターN3の両方がオン状態となり、第1電源線44および第2電源線42間に短絡電流が流れる可能性がある。従って、待機期間を設けない場合には、露光期間の開始時に、露光信号Expの低電位電源電圧Vssから高電電源電圧Vddへの立ち上がりに対して、リセット信号Rstの低電位電源電圧Vssから高電位電源電圧Vddへの立ち上がりが遅れないように回路を設計する必要がある。
(2)上記各実施形態において、トランジスターN2が存在しなくてもよい。この場合、トランジスターN1のソースは検出線24に接続され、トランジスターN1のドレインはフォトダイオードDの陰極E2に接続される。このため、この場合には、フォトダイオードDの陰極E2の電圧が検出線24に出力される。
(3)上記各実施形態において、トランジスターN1が存在しなくてもよい。この場合、単位回路Uごとに異なる検出線24とトランジスターN4とを設ける必要がある。
(4)上記各実施形態では、容量素子Cは、一方の電極がフォトダイオードDの陰極E2に接続され、他方が第2電源線42に接続されていたが、一方の電極がフォトダイオードDの陰極E2に接続され、他方が高電位電源電圧Vdd以外の定電圧を供給する外部電源に接続されていてもよい。この外部電源が供給する電圧は、低電位電源電圧Vssと等しい電圧であってもよい。この場合でも、初期化期間における待機期間の前の期間では、トランジスターN3がオフ状態、トランジスターP1がオン状態となり、フォトダイオードDが所定の電位に初期化されるので、その後、露光期間を経ることにより、露光期間の受光量に応じた電圧をフォトダイオードDから読み出すことができる。また、上記外部電源が電源回路34であってもよい。例えば、電源回路34が、高電位電源電圧Vddと低電位電源電圧Vssの他に、高電位電源電圧Vddと低電位電源電圧Vssの中間の電圧値を示す中間電圧Vceを生成し、容量素子Cは、一方の電極がフォトダイオードDの陰極E2に接続され、他方が電源回路34から中間電圧Vceを供給されていてもよい。この場合でも、初期化期間における待機期間の前の期間では、トランジスターN3がオフ状態、トランジスターP1がオン状態となり、フォトダイオードDが所定の電位に初期化されるので、その後、露光期間を経ることにより、露光期間の受光量に応じた電圧をフォトダイオードDから読み出すことができる。
(5)上記各実施形態では、トランジスターN3がNチャネルであったが、異なる導電型であるPチャネルであってもよい。ただし、この場合、初期化期間(待機期間を含む)と読出期間において、露光線48に対して高電位電源電圧Vddが露光信号Expとして供給され、露光期間において、露光線48に対して低電位電源電圧Vssが露光信号Expとして供給される。この場合、リセット信号Rstについては、上記各実施形態と同様である。また、上記各実施形態では、トランジスターP1がPチャネルであったが、異なる導電型であるNチャネルであってもよい。ただし、この場合、初期化期間における待機期間の前の期間において、リセット線46に対して高電位電源電圧Vddがリセット信号Rstとして供給され、待機期間、露光期間および読出期間において、リセット線46に対して低電位電源電圧Vssがリセット信号Rstとして供給される。この場合、露光信号Expについては、上記各実施形態と同様である。
(6)上記各実施形態では、高電位電源電圧Vddが供給される第1電源線44とフォトダイオードDとの間にトランジスターP1を配置したが、トランジスターP1を介したフォトダイオードDの接続先は第1電源線44に限定されない。例えば、高電位電源電圧Vdd以外の定電圧が供給される配線とフォトダイオードDとの間にトランジスターP1を配置することも可能である。同様に、トランジスターN3を介したフォトダイオードDの接続先は第2電源線42に限定されない。例えば、低電位電源電圧Vss以外の定電圧が供給される配線とフォトダイオードDとの間にトランジスターN3を配置することも可能である。以上の説明から理解される通り、高電位電源電圧Vddが供給される第1電源線44は、第1電圧が供給される第1配線の一例であり、低電位電源電圧Vssが供給される第2電源線42は、第1電圧とは異なる第2電圧が供給される第2配線の一例である。
(7)行選択回路32や列選択回路38、信号出力回路36は、基板182に実装された集積回路(ICチップ)の形態で実現されるほか、基板182に直接に形成されたトランジスター等で実現することも可能である。
(8)上記各実施形態の撮像システム100を利用した生体情報測定装置が測定可能な生体情報は、前述の各形態で例示した情報(酸素飽和度,血糖値)に限定されない。例えば、静脈血中のアルコール濃度やコレステロール値等の生体情報の測定にも、前述の各形態に係る撮像システム100を利用することが可能である。
(9)上記各実施形態で例示した撮像装置18(撮像システム100)が適用される電子機器は、各形態で例示した生体情報測定装置に限定されない。例えば、静止画や動画等の画像を撮像するデジタルスチルカメラやデジタルカムコーダ(ビデオカメラ)等の各種の電子機器に、前述の各形態で例示した撮像装置18を利用することが可能である。
100…撮像システム、12…照明部、14…集光部、16…遮光部、18,19…撮像装置、182…基板、184…遮光層、20…撮像部、22…選択線、24…検出線、32…行選択回路、34…電源回路、36…信号出力回路、38…列選択回路、42…第2電源線、44…第1電源線、46…リセット線、47…リセット信号生成部、48…露光線、49…露光信号生成部、62…出力線、U…単位回路、D…フォトダイオード、E1…陽極(第1電極)、E2…陰極(第2電極)、N1…トランジスター(第4トランジスター)、N2…トランジスター(第3トランジスター)、N3…トランジスター(第2トランジスター)、N4…トランジスター、P1…トランジスター(第1トランジスター)。

Claims (7)

  1. 第1電極と第2電極とを含むフォトダイオードと、
    第1電圧を供給する第1配線と前記第1電極との電気的な接続を制御する第1トランジスターと、
    前記第1電圧とは異なる第2電圧を供給する第2配線と前記第1電極との電気的な接続を制御する第2トランジスターとを含み、
    前記第1トランジスターと前記第2トランジスターとをオフ状態として、前記第2電極の電圧を読み出す
    撮像装置。
  2. 前記第1トランジスターのゲートがリセット線に接続され、
    前記第2トランジスターのゲートが露光線に接続され、
    前記第1トランジスターをオン状態とする電圧を前記リセット線に出力し、かつ、前記第2トランジスターをオフ状態とする電圧を前記露光線に出力して、前記フォトダイオードを初期化し、
    前記第1トランジスターをオフ状態とする電圧を前記リセット線に出力し、かつ、前記第2トランジスターをオン状態とする電圧を前記露光線に出力して、前記フォトダイオードに受光量に応じた電荷を励起させ、
    前記第1トランジスターをオフ状態とする電圧を前記リセット線に出力し、かつ、前記第2トランジスターをオフ状態とする電圧を前記露光線に出力して、前記第2電極の電圧を読み出す
    請求項1の撮像装置。
  3. 前記第2電極と前記第2配線との間に介挿された容量素子
    を具備する請求項1から請求項2の何れかの撮像装置。
  4. 前記第2電極の電圧を増幅して出力する第3トランジスターと、
    選択線からゲートに供給される電圧に応じて前記第3トランジスターによる出力の可否を制御する第4トランジスターと
    を具備する請求項1から請求項3の何れかの撮像装置。
  5. 請求項1から請求項4の何れかの撮像装置を具備する電子機器。
  6. 第1電極と第2電極とを含むフォトダイオードと、
    第1電圧を供給する第1配線と前記第1電極との電気的な接続を制御する第1トランジスターと、
    前記第1電圧と異なる第2電圧を供給する第2配線と前記第1電極との電気的な接続を制御する第2トランジスターとを含む撮像装置の撮像方法であって、
    前記第1トランジスターと前記第2トランジスターとをオフ状態として、前記第2電極の電圧を読み出すステップを含む
    撮像方法。
  7. 前記撮像装置では、
    前記第1トランジスターのゲートがリセット線に接続され、
    前記第2トランジスターのゲートが露光線に接続され、
    前記撮像方法は、
    前記第1トランジスターをオン状態とする電圧を前記リセット線に出力し、かつ、前記第2トランジスターをオフ状態とする電圧を前記露光線に出力して、前記フォトダイオードを初期化するステップと、
    前記第1トランジスターをオフ状態とする電圧を前記リセット線に出力し、かつ、前記第2トランジスターをオン状態とする電圧を前記露光線に出力して、前記フォトダイオードに受光量に応じた電荷を励起させるステップと、
    前記第1トランジスターをオフ状態とする電圧を前記リセット線に出力し、かつ、前記第2トランジスターをオフ状態とする電圧を前記露光線に出力して、前記第2電極の電圧を読み出すステップとを含む
    請求項6の撮像方法。
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