JP2017092424A - 接続構造体の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】電極の狭ピッチ化に対応でき、かつ電極間の導通信頼性を高めることができる接続構造体の製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る接続構造体の製造方法は、テープキャリアの表面上に、はんだ粒子を含む導電ペーストを配置する工程と、上記導電ペーストの表面上に、半導体素子を配置する工程と、上記はんだ粒子の融点以上に上記導電ペーストを加熱することで、上記テープキャリアと上記半導体素子とを接続している接続部を、上記導電ペーストにより形成し、かつ、第１の電極と第２の電極とを、上記接続部中のはんだ部により電気的に接続する工程とを備え、上記第１の電極と上記第２の電極との対向し合う部分の面積１００％中の５０％以上に、上記はんだ部が配置されている接続構造体を得る。【選択図】図１

Description

本発明は、複数のはんだ粒子を含む導電ペーストを用いる接続構造体の製造方法に関する。

異方性導電ペースト及び異方性導電フィルム等の異方性導電材料が広く知られている。上記異方性導電材料では、バインダー樹脂中に導電性粒子が分散されている。

上記異方性導電材料は、各種の接続構造体を得るために、例えば、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続（ＦＯＧ（Ｆｉｌｍ ｏｎ Ｇｌａｓｓ））、半導体素子とフレキシブルプリント基板との接続（ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｆｉｌｍ））、半導体素子とガラス基板との接続（ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｇｌａｓｓ））、並びにフレキシブルプリント基板とガラスエポキシ基板との接続（ＦＯＢ（Ｆｉｌｍ ｏｎ Ｂｏａｒｄ））等に使用されている。

また、テープキャリアに上記異方性導電材料を配置し、次に上記異方性導電材料上に半導体素子を配置して、テープキャリアと半導体素子とを接続した接続構造体も知られている。

下記の特許文献１には、テープキャリアに、金バンプを有する半導体素子を搭載したテープキャリア型半導体装置、及びその製造方法が記載されている。

上記半導体装置において、テープキャリアと半導体素子とは、テープキャリアの配線パターンの金めっきと、半導体素子の金バンプとの接合によって電気的に接続されている。この電気的な接続は、熱圧着により行うことができる。配線パターンの金めっきと金バンプとの接合部分の周囲は、樹脂により封止されている。このような接合部分の周囲を封止するための樹脂は、アンダーフィル材と呼ばれている。

特開２００１−１７６９１８号公報

特許文献１では、テープキャリアと半導体素子との電気的な接続を行うために、半導体素子に、予め金バンプを形成する必要がある。さらに、テープキャリアの配線パターンの金めっきと、半導体素子の金バンプとの接合部分を保護するために、接合部分を樹脂により封止する必要がある。このため、工程数が増え、生産性に課題がある。

また、特許文献１では、熱圧着により接合を行っている。この方法では、従来の異方性導電ペーストを用いた場合に、圧着によるキャリアテープの変形及び異方性導電材料の樹脂流れにより、隣接する配線間でのリーク発生が起こりやすく、更に電極間の導通信頼性の低下が起こりやすい。このため、配線の狭ピッチ化への対応が困難である。

本発明の目的は、電極の狭ピッチ化に対応でき、かつ電極間の導通信頼性を高めることができる接続構造体の製造方法を提供することである。

本発明の広い局面によれば、複数のはんだ粒子、及び、バインダーを含む導電ペーストと、テープ基材、及び、前記テープ基材の表面上に第１の電極を有するテープキャリアと、半導体素子本体、及び、前記半導体素子本体の表面に第２の電極を有する半導体素子とが用いられ、前記テープキャリアの表面上に、前記導電ペーストを配置する第１の配置工程と、前記導電ペーストの前記テープキャリア側とは反対の表面上に、前記半導体素子を、前記第１の電極と前記第２の電極とが対向するように配置する第２の配置工程と、前記はんだ粒子の融点以上に前記導電ペーストを加熱することで、前記テープキャリアと前記半導体素子とを接続している接続部を、前記導電ペーストにより形成し、かつ、前記第１の電極と前記第２の電極とを、前記接続部中のはんだ部により電気的に接続する接続工程とを備え、前記テープキャリアの前記第１の電極と前記接続部と前記半導体素子の前記第２の電極との積層方向に前記第１の電極と前記第２の電極との対向し合う部分をみたときに、前記第１の電極と前記第２の電極との対向し合う部分の面積１００％中の５０％以上に、前記はんだ部が配置されている接続構造体を得る、接続構造体の製造方法が提供される。

本発明に係る接続構造体の製造方法のある特定の局面では、前記接続構造体の製造方法は、前記接続工程の前に、前記テープキャリアの表面上に、はんだペーストを配置する工程と、前記はんだペーストの前記テープキャリア側とは反対の表面上に、受動素子を配置する工程とを備える。

本発明に係る接続構造体の製造方法のある特定の局面では、得られる接続構造体において、前記テープキャリアの前記第１の電極と前記半導体素子の前記第２の電極との間に位置している前記はんだ部の厚みを、前記導電ペーストに含まれる複数の前記はんだ粒子の平均粒子径の２倍以上にする。

本発明に係る接続構造体の製造方法のある特定の局面では、得られる接続構造体において、前記テープキャリアの前記第１の電極と前記半導体素子の前記第２の電極との間に位置している前記接続部中のはんだ部の厚みを、前記テープキャリアの表面上に配置され、かつ前記半導体素子が配置される前の前記テープキャリアの表面上での前記導電ペーストの厚みの０．２倍以上、０．９倍以下にする。

本発明に係る接続構造体の製造方法のある特定の局面では、前記導電ペーストが、複数の前記はんだ粒子の表面に付着していない絶縁性粒子を含む。

本発明に係る接続構造体の製造方法のある特定の局面では、複数の前記はんだ粒子の外表面に、カルボキシル基が存在する。

本発明に係る接続構造体の製造方法のある特定の局面では、複数の前記はんだ粒子の平均粒子径が０．５μｍ以上、４０μｍ以下である。

本発明に係る接続構造体の製造方法のある特定の局面では、前記導電ペースト１００重量％中、複数の前記はんだ粒子の含有量が１０重量％以上、８０重量％以下である。

本発明に係る接続構造体の製造方法のある特定の局面では、前記バインダーが熱硬化剤を含む。

本発明に係る接続構造体の製造方法では、複数のはんだ粒子、及び、バインダーを含む導電ペーストと、テープ基材、及び、上記テープ基材の表面上に第１の電極を有するテープキャリアと、半導体素子本体、及び、上記半導体素子本体の表面に第２の電極を有する半導体素子とが用いられる。本発明に係る接続構造体の製造方法は、上記テープキャリアの表面上に、上記導電ペーストを配置する第１の配置工程と、上記導電ペーストの上記テープキャリア側とは反対の表面上に、上記半導体素子を、上記第１の電極と上記第２の電極とが対向するように配置する第２の配置工程と、上記はんだ粒子の融点以上に上記導電ペーストを加熱することで、上記テープキャリアと上記半導体素子とを接続している接続部を、上記導電ペーストにより形成し、かつ、上記第１の電極と上記第２の電極とを、上記接続部中のはんだ部により電気的に接続する接続工程とを備え、上記テープキャリアの上記第１の電極と上記接続部と上記第２の電極との積層方向に上記第１の電極と上記半導体素子の上記第２の電極との対向し合う部分をみたときに、上記第１の電極と上記第２の電極との対向し合う部分の面積１００％中の５０％以上に、上記はんだ部が配置されている接続構造体を得るので、電極の狭ピッチ化に対応でき、かつ電極間の導通信頼性を高めることができる。

図１は、本発明の一実施形態に係る接続構造体の製造方法により得られる接続構造体を模式的に示す部分切欠正面断面図である。 図２（ａ）〜（ｃ）は、本発明の一実施形態に係る接続構造体の製造方法の一例の各工程を説明するための図である。 図３は、接続構造体の変形例を示す部分切欠正面断面図である。

以下、本発明の詳細を説明する。

本発明に係る接続構造体の製造方法では、導電ペーストと、テープキャリアと、半導体素子とが用いられる。上記導電ペーストは、複数のはんだ粒子、及び、バインダーを含む。上記テープキャリアは、テープ基材、及び、上記テープ基材の表面上に第１の電極を有する。上記半導体素子は、半導体素子本体、及び、上記半導体素子本体の表面に第２の電極を有する。上記テープキャリアの電極を、上記半導体素子の電極と区別するために、第１の電極と呼ぶ。上記半導体素子の電極を、上記テープキャリアの電極と区別するために、第２の電極と呼ぶ。

本発明に係る接続構造体の製造方法は、第１の配置工程と、第２の配置工程と、接続工程とを備える。上記第１の配置工程は、上記テープキャリアの表面上に、上記導電ペーストを配置する工程である。上記第２の配置工程は、上記導電ペーストの上記テープキャリア側とは反対の表面上に、上記半導体素子を、上記第１の電極と上記第２の電極とが対向するように配置する工程である。上記接続工程は、上記はんだ粒子の融点以上に上記導電ペーストを加熱することで、上記テープキャリアと上記半導体素子とを接続している接続部を、上記導電ペーストにより形成し、かつ、上記第１の電極と上記第２の電極とを、上記接続部中のはんだ部により電気的に接続する工程である。

本発明に係る接続構造体では、上記テープキャリアの上記第１の電極と上記接続部と上記半導体素子の上記第２の電極との積層方向に上記テープキャリアの上記第１の電極と上記半導体素子の上記第２の電極との対向し合う部分をみたときに、上記第１の電極と上記第２の電極との対向し合う部分の面積１００％中の５０％以上に、上記はんだ部が配置されている接続構造体を得る。

上記第１の電極と上記第２の電極との対向し合う部分の面積のうち、上記はんだ部が配置されている面積（はんだ部の面積）は、上記テープキャリアの上記第１の電極と上記接続部と上記半導体素子の上記第２の電極との積層方向に上記テープキャリアの上記第１の電極と上記半導体素子の上記第２の電極との対向し合う部分をみたときに、はんだ部の輪郭により囲まれた部分の面積として算出される。

本発明では、上記の構成が採用されているので、電極（ライン）幅が狭くても複数のはんだ粒子が電極間に多く集まり、複数のはんだ粒子を電極上に効率的に配置することができる。電極幅が狭い場合に、電極上に導電性粒子のはんだを寄せ集めにくい傾向があるが、本発明では、電極幅が狭くても電極上にはんだを十分に寄せ集めることができる。また、複数のはんだ粒子を対向する電極間に効率的に移動させることができるため、電極が形成されていない領域（スペース）に配置され難く、電極が形成されていない領域に配置されるはんだ粒子の量をかなり少なくすることができる。従って、電極間の導通信頼性を高めることができる。しかも、接続されてはならない横方向に隣接する電極間の電気的な接続を防ぐことができ、絶縁信頼性を高めることができる。

また、導電性粒子を含む導電ペースト、及び、半導体素子が積層される下層の部材がテープキャリアである場合に、テープキャリアが比較的柔らかいため、積層時に、導電性粒子が側方に向かって流れやすい傾向がある。このため、電極間に導電性粒子を多く配置することが困難である。これに対して、本発明では、下層の部材がテープキャリアであるにもかかわらず、電極間にはんだ部を大面積（はんだ部の面積が５０％以上）で配置している。

また、従来のテープキャリアと半導体素子との接続では、半導体素子に金バンプを形成し、接続時に、金バンプによる接合部分の周囲にアンダーフィル材を充填している。この方法では、工程数が多くなる。また、テープキャリアが比較的柔らかいために、電極間の接続不良が生じやすいという問題がある。これに対して、本発明では、工程の簡略化により生産性を高くすることもでき、しかも電極間の導通信頼性を高めることができる。

本発明に係る接続構造体の製造方法は、上記接続工程の前に、上記テープキャリアの表面上に、はんだペーストを配置する工程と、上記はんだペーストの上記テープキャリア側とは反対の表面上に、受動素子を配置する工程とを備えることが好ましい。

さらに、本発明では、受動素子を配置させることで、上記接続工程と一括して接続構造体を得ることが可能となり、大幅に生産性を高めることができる。

上記接続工程において、上記テープキャリアの上記第１の電極と上記半導体素子の上記第２の電極との間に位置していないはんだ粒子を、上記第１の電極と上記第２の電極との間に向かって移動させることで、上記第１の電極と上記第２の電極との間に配置されるはんだの量を多くすることができる。結果として上記第１の電極と上記第２の電極との間隔を広くすることもできる。

複数のはんだ粒子を電極間により一層効率的に集める方法としては、上記テープキャリアの上記第１の電極と、上記半導体素子の上記第２の電極との間の導電ペーストに、熱を付与した際、熱により導電ペーストの粘度が低下することで、導電ペーストの対流を発生させる方法等が挙げられる。この方法において、テープキャリア及び半導体素子などの接続対象部材の表面の電極とそれ以外の表面部材との熱容量の差異により対流を発生させる方法、接続対象部材の水分を、熱により水蒸気として対流を発生させる方法、並びに上記テープキャリアの上記第１の電極と上記半導体素子の上記第２の電極との温度差により対流を発生させる方法等が挙げられる。これにより、導電ペースト中のはんだ粒子を、電極の表面に効率的に移動させることができる。

次に、電極の表面に選択的にはんだ粒子をより一層効率的に凝集させる方法としては、溶融したはんだ粒子の濡れ性がよい電極材質と、溶融したはんだ粒子の濡れ性の悪いその他の表面材質とにより形成された接続対象部材を選択し、電極の表面に到達した溶融したはんだ粒子を選択的に電極に付着させ、その溶融したはんだ粒子に対し、別のはんだ粒子を溶融させて付着させる方法、熱伝導性がよい電極材質と、熱伝導性が悪いその他の表面材質とにより形成された接続対象部材を選択し、熱を付与した際に、電極の温度を他の表面部材に対し高くすることで、選択的に電極上ではんだを溶融させる方法、金属により形成された電極上に存在するマイナスの電荷に対して、プラスの電荷を持つように処理されたはんだ粒子を用いて、電極に選択的にはんだ粒子を凝集させる方法、並びに、親水性の金属表面を有する電極に対して、導電ペースト中のはんだ粒子以外の樹脂を疎水性とすることで、電極に選択的にはんだ粒子を凝集させる方法等が挙げられる。

本発明では、電極間にはんだを寄せ集めさせるために、得られる接続構造体において、上記テープキャリアの上記第１の電極と上記半導体素子の上記第２の電極との間に位置している上記はんだ部の厚みを、上記導電ペーストに含まれる複数の上記はんだ粒子の平均粒子径の２倍以上にすることが好ましい。この場合には、電極間の導通信頼性をより一層高めることができる。

導通信頼性及び接続信頼性をより一層高める観点からは、上記はんだ部の厚みは、複数の上記はんだ粒子の平均粒子径の好ましくは１．２倍以上、より好ましくは２倍以上、更に好ましくは３倍以上である。

上記はんだ部の厚みを複数の上記はんだ粒子の平均粒子径よりも大きくする方法としては、導電ペーストの硬化時の粘度上昇を遅らせる方法、導電ペーストの粘度を低くする方法、導電ペースト中のはんだ粒子の含有量を大きくする方法、はんだ粒子の表面のゼータ電位をプラスにする方法、はんだの融点温度での導電ペーストの溶融粘度を下げる方法、並びに上記半導体素子を配置する工程及び上記接続部を形成する工程において、加圧を行わない方法等が挙げられる。これらを適宜に制御することで、上記はんだ部の厚みを複数の上記はんだ粒子の平均粒子径よりも大きくすることができる。

電極間の導通信頼性をより一層高める観点からは、上記テープキャリアの上記第１の電極と上記接続部と上記半導体素子の上記第２の電極との積層方向に上記テープキャリアの上記第１の電極と上記半導体素子の上記第２の電極との対向し合う部分をみたときに、上記第１の電極と上記第２の電極との対向し合う部分の面積１００％中の６０％以上（より好ましくは７０％以上、更に好ましくは８０％以上、特に好ましくは９０％以上、最も好ましくは１００％）に、上記はんだ部が配置されていることが好ましい。

さらに、上記はんだ部の厚みは、上記テープキャリアの表面上に配置され、かつ上記半導体素子の電極が配置される前の上記テープキャリアの表面上での上記導電ペーストの厚みの好ましくは０．２倍以上、より好ましくは０．３倍以上、好ましくは０．９倍以下、より好ましくは０．８倍以下である。上記はんだ部の厚みが、上記導電ペーストの厚みの上記上限以下及び上記下限以上であると、接続信頼性がより一層高くなる。

また、本発明では、複数のはんだ粒子を電極上に効率的に配置し、かつ電極が形成されていない領域に配置されるはんだ粒子の量をかなり少なくするために、導電フィルムではなく、導電ペーストを用いている。導電フィルムではなく、導電ペーストを用いると、導電ペーストの塗布量によって、接続部及びはんだ部の厚みを調整することが容易となる。一方、導電フィルムを用いると、接続部の厚みを変更したり、所定の厚みの導電フィルムを用意したりしなければならないという問題がある。また、導電フィルムでは、はんだの溶融温度で、導電フィルムの溶融粘度を十分に下げることができず、はんだ粒子の凝集が阻害されるという問題がある。

さらに、導電ペーストを用いることで、上記半導体素子に金バンプを形成しなくてもよく、金バンプによる接合部分の周囲を樹脂により封止する必要がないことから、接続構造体の製造工程を簡略化することができる。

導電ペーストは、対流添加剤を含まないことが好ましい。導電ペーストに対流添加剤等を添加しないことによって、対流添加剤に起因する導電ペーストの品質の低下を抑えることができ、対流添加剤に起因する電極間の接続抵抗の低下を抑えることができる。また、導電ペーストの基本性能が、対流添加剤により低下することを抑えることができる。

また、上記導電ペーストは、電極間の間隔を精度よく確保するために、スペーサーを含んでいてもよく、所望の電極間の間隔に相当するスペーサーを用いてもよい。この場合、電極間に少なくとも１個、好ましくは３個以上のスペーサーが配置されるようにすればよい。スペーサーとしては、無機粒子、有機粒子が挙げられる、スペーサーは絶縁性粒子であることが好ましい。

以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態及び実施例を説明することにより、本発明を明らかにする。

先ず、図１に、本発明の一実施形態に係る接続構造体の製造方法により得られる接続構造体を模式的に部分切欠正面断面図で示す。

図１に示す接続構造体１は、テープキャリア２と、半導体素子３と、テープキャリア２と半導体素子３とを接続している接続部４とを備える。接続部４は、複数のはんだ粒子と、バインダーとを含む導電ペーストにより形成されている。本実施形態では、上記バインダーは熱硬化性成分を含む。

接続部４は、複数のはんだ粒子が集まり互いに接合したはんだ部４Ａと、熱硬化性成分が熱硬化された硬化物部４Ｂとを有する。

テープキャリア２は表面（上面）に、複数の第１の電極２ａを有する。半導体素子３は表面（下面）に、複数の第２の電極３ａを有する。第１の電極２ａと第２の電極３ａとが、はんだ部４Ａにより電気的に接続されている。従って、テープキャリア２と半導体素子３とが、はんだ部４Ａにより電気的に接続されている。なお、接続部４において、第１の電極２ａと第２の電極３ａとの間に集まったはんだ部４Ａとは異なる領域（硬化物部４Ｂ部分）では、はんだは存在しない。なお、少量であれば、第１の電極２ａと第２の電極３ａとの間に集まったはんだ部４Ａとは異なる領域（硬化物部４Ｂ部分）に、はんだが存在していてもよい。

図１に示すように、接続構造体１では、第１の電極２ａと第２の電極３ａとの間に、複数のはんだ粒子が集まり、複数のはんだ粒子が溶融した後、はんだ粒子の溶融物が電極の表面を濡れ拡がった後に固化して、はんだ部４Ａが形成されている。接続構造体１において第１の電極２ａと第２の電極３ａとの間に位置しているはんだ部４Ａの厚みは、上記導電ペーストに含まれる複数の上記はんだ粒子の平均粒子径よりも大きい。このため、はんだ部４Ａと第１の電極２ａ、並びにはんだ部４Ａと第２の電極３ａとの接続面積が効果的に大きくなる。すなわち、はんだ粒子を用いることにより、導電性の外表面がニッケル、金又は銅等の金属である導電性粒子を用いた場合と比較して、はんだ部４Ａと第１の電極２ａ、並びにはんだ部４Ａと第２の電極３ａとの接触面積が大きくなる。このことによっても、接続構造体１における導通信頼性及び接続信頼性が高くなる。なお、導電ペーストは、フラックスを含んでいてもよい。導電ペーストにフラックスが含まれる場合に、フラックスは、一般に、加熱により次第に失活する。

なお、図１に示す接続構造体１では、はんだ部４Ａの全てが、第１，第２の電極２ａ，３ａ間の対向している領域に位置している。図３に示す変形例の接続構造体１Ｘは、接続部４Ｘのみが、図１に示す接続構造体１と異なる。接続部４Ｘは、はんだ部４ＸＡと硬化物部４ＸＢとを有する。接続構造体１Ｘのように、はんだ部４ＸＡの多くが、第１，第２の電極２ａ，３ａの対向している領域に位置しており、はんだ部４ＸＡの一部が第１，第２の電極２ａ，３ａの対向している領域から側方にはみ出していてもよい。第１，第２の電極２ａ，３ａの対向している領域から側方にはみ出しているはんだ部４ＸＡは、はんだ部４ＸＡの一部であり、はんだ部４ＸＡから離れたはんだではない。なお、本実施形態では、はんだ部から離れたはんだの量を少なくすることができるが、はんだ部から離れたはんだが硬化物部中に存在していてもよい。

はんだ粒子の使用量を少なくすれば、接続構造体１を得ることが容易になる。はんだ粒子の使用量を多くすれば、接続構造体１Ｘを得ることが容易になる。はんだ粒子の使用量が多いと、接続構造体において第１の電極と第２の電極との間に位置しているはんだ部の厚みを、上記導電ペーストに含まれる複数の上記はんだ粒子の平均粒子径よりも大きくすることが容易である。

次に、本発明の一実施形態に係る接続構造体１を製造する方法の一例を説明する。

先ず、第１の電極２ａを表面（上面）に有するテープキャリア２を用意する。次に、図２（ａ）に示すように、テープキャリア２の表面上に、複数のはんだ粒子１１Ａとバインダーとを含む導電ペースト１１を配置する（第１の配置工程）。本実施形態では、導電ペースト１１は、バインダーとして、熱硬化性成分１１Ｂを含む。テープキャリア２の第１の電極２ａが設けられた表面上に、導電ペースト１１を配置する。導電ペースト１１の配置の後に、はんだ粒子１１Ａは、第１の電極２ａ（ライン）上と、第１の電極２ａが形成されていない領域（スペース）上との双方に配置されている。

導電ペースト１１の配置方法としては、特に限定されないが、ディスペンサーによる塗布、スクリーン印刷、及びインクジェット装置による吐出等が挙げられる。

また、導電ペースト１１は、硬化を進行させて、Ｂステージ層を形成することができる。本実施形態では、導電ペースト１１は、熱硬化性成分１１Ｂを含むので、加熱によって、Ｂステージ層を形成することができる。導電ペーストが光硬化性成分を含む場合には、光の照射によって、Ｂステージ層を形成することができる。

次に、第２の電極３ａを表面（下面）に有する半導体素子３を用意する。図２（ｂ）に示すように、テープキャリア２の表面上の導電ペースト１１において、導電ペースト１１のテープキャリア２側とは反対の表面上に、半導体素子３を配置する（第２の配置工程）。導電ペースト１１の表面上に、第２の電極３ａ側から、半導体素子３を配置する。このとき、第１の電極２ａと第２の電極３ａとを対向させる。

次に、はんだ粒子１１Ａの融点以上及び熱硬化性成分１１Ｂの硬化温度以上に導電ペースト１１を加熱する（接続工程）。すなわち、はんだ粒子１１Ａの融点及び熱硬化性成分１１Ｂの硬化温度のうちのより低い温度以上に、導電ペースト１１を加熱する。この加熱時には、電極が形成されていない領域に存在していたはんだ粒子１１Ａは、第１の電極２ａと第２の電極３ａとの間に集まる（自己凝集効果）。本実施形態では、導電フィルムではなく、導電ペーストを用いているために、はんだ粒子１１Ａが、第１の電極２ａと第２の電極３ａとの間に効果的に集まる。また、はんだ粒子１１Ａは溶融し、互いに接合する。また、熱硬化性成分１１Ｂは熱硬化する。この結果、図２（ｃ）に示すように、テープキャリア２と半導体素子３とを接続している接続部４を、導電ペースト１１により形成する。導電ペースト１１により接続部４が形成され、複数のはんだ粒子１１Ａが接合することによってはんだ部４Ａが形成され、熱硬化性成分１１Ｂが熱硬化することによって硬化物部４Ｂが形成される。はんだ粒子１１Ａが速やかに移動すれば、第１の電極２ａと第２の電極３ａとの間に位置していないはんだ粒子１１Ａの移動が開始してから、第１の電極２ａと第２の電極３ａとの間にはんだ粒子１１Ａの移動が完了するまでに、温度を一定に保持しなくてもよい。また、はんだ部４Ａが形成されるとともに、硬化物部４Ｂが形成されることから、電極の周囲を別途樹脂により封止する工程を省略することができる。

はんだの融点温度での導電ペーストの粘度は、好ましくは５０Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは１０Ｐａ・ｓ以下、更に好ましくは１Ｐａ・ｓ以下、好ましくは０．１Ｐａ・ｓ以上、より好ましくは０．２Ｐａ・ｓ以上である。粘度が上記上限以下であると、はんだ粒子を効率的に凝集させることができる。粘度が下記上限以下であると、接続部でのボイドを抑制し、接続部以外への導電ペーストのはみだしを抑制し、並びに、上下電極間のはんだ厚みを、はんだ粒子の平均粒子径以上にすることが容易になる。

このようにして、図１に示す接続構造体１が得られる。なお、上記第２の配置工程と上記接続工程とは連続して行われてもよい。また、上記第２の工程を行った後に、得られるテープキャリア２と導電ペースト１１と半導体素子３との積層体を、加熱部材に移動させて、上記第３の工程を行ってもよい。上記加熱を行うために、加熱部材上に上記積層体を配置してもよく、加熱された空間内に上記積層体を配置してもよい。

上記接続工程における加熱温度は、はんだ粒子の融点以上及び熱硬化性成分の硬化温度以上であれば特に限定されない。上記加熱温度は、好ましくは１４０℃以上、より好ましくは１６０℃以上、好ましくは４５０℃以下、より好ましくは２５０℃以下、更に好ましくは２００℃以下である。

なお、上記接続工程の後に、位置の修正や製造のやり直しを目的として、テープキャリア又は半導体素子を、接続部から剥離することができる。この剥離を行うための加熱温度は、好ましくははんだ粒子の融点以上、より好ましくははんだ粒子の融点（℃）＋１０℃以上である。この剥離を行うための加熱温度は、はんだ粒子の融点（℃）＋１００℃以下であってもよい。

上記接続工程における加熱方法としては、はんだ粒子の融点以上及び熱硬化性成分の硬化温度以上に、接続構造体全体を、リフロー炉を用いて又はオーブンを用いて加熱する方法や、接続構造体の接続部のみを局所的に加熱する方法が挙げられる。

局所的に加熱する方法に用いる器具としては、ホットプレート、熱風を付与するヒートガン、はんだゴテ、及び赤外線ヒーター等が挙げられる。

また、ホットプレートにて局所的に加熱する際、接続部直下は、熱伝導性の高い金属にて、その他の加熱することが好ましくない個所は、フッ素樹脂等の熱伝導性の低い材質にて、ホットプレート上面を形成することが好ましい。

また、熱風を付与するヒートガンを用いる場合、はんだの自己凝集を過度に阻害しない範囲にて、熱風の風圧により、接続構造体上部から加圧してもよい。好ましい風圧としては、１ｃｍ^２あたり、好ましくは１ｇ以上、より好ましくは１０ｇ以上、好ましくは５００ｇ以下、より好ましくは１００ｇ以下である。風圧が上記下限以上及び上記上限以下であれば、テープキャリアの反りを抑制し、熱による変形を抑制し、電極間に均一な厚みのはんだ部を形成することができる。

上記テープキャリアは、少なくとも１つの第１の電極を有していればよい。上記テープキャリアは複数の第１の電極を有することが好ましい。上記半導体素子は、少なくとも１つの第２の電極を有していればよい。上記半導体素子は複数の第２の電極を有することが好ましい。

上記テープキャリア及び上記半導体素子に設けられている電極としては、金電極、ニッケル電極、錫電極、アルミニウム電極、銅電極、モリブデン電極、銀電極及びタングステン電極等の金属電極が挙げられる。なお、上記電極がアルミニウム電極である場合には、アルミニウムのみで形成された電極であってもよく、金属酸化物層の表面にアルミニウム層が積層された電極であってもよい。上記金属酸化物層の材料としては、３価の金属元素がドープされた酸化インジウム及び３価の金属元素がドープされた酸化亜鉛等が挙げられる。上記３価の金属元素としては、Ｓｎ、Ａｌ及びＧａ等が挙げられる。

はんだ粒子を電極上により一層効率的に配置するために、上記導電ペーストの２５℃での粘度ηは好ましくは１０Ｐａ・ｓ以上、より好ましくは５０Ｐａ・ｓ以上、更に好ましくは１００Ｐａ・ｓ以上、好ましくは８００Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは６００Ｐａ・ｓ以下、更に好ましくは５００Ｐａ・ｓ以下である。

上記粘度は、配合成分の種類及び配合量に適宜調整可能である。また、フィラーの使用により、粘度を比較的高くすることができる。

上記粘度は、例えば、Ｅ型粘度計（東機産業社製）等を用いて、２５℃及び５ｒｐｍの条件で測定可能である。

２５℃以上、上記はんだ粒子（はんだ）の融点℃以下の温度領域での、上記導電ペーストの粘度の最低値（最低溶融粘度の値）は、好ましくは０．１Ｐａ・ｓ以上、より好ましくは０．２Ｐａ・ｓ以上、好ましくは１０Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは１Ｐａ・ｓ以下である。上記粘度の最低値が上記下限以上及び上記上限以下であると、はんだを電極上により一層効率的に配置することができる。

上記粘度の最低値は、ＳＴＲＥＳＳＴＥＣＨ（ＥＯＬＯＧＩＣＡ社製）等を用いて、歪制御１ｒａｄ、周波数１Ｈｚ、昇温速度２０℃／分、測定温度範囲４０〜２００℃（但し、はんだ粒子の融点が２００℃を超える場合には温度上限をはんだ粒子の融点とする）条件で測定可能である。測定結果から、はんだ粒子の融点℃以下の温度領域での粘度の最低値が評価される。

以下、本発明の他の詳細を説明する。

（はんだ粒子）
上記はんだ粒子は、はんだを導電部の外表面部分に有する。上記はんだ粒子は、中心部分及び導電部の外表面部分とのいずれもがはんだにより形成されている。上記はんだ粒子は、上記はんだ粒子の中心部分及び導電性の外表面とのいずれもがはんだである粒子である。

なお、上記はんだ粒子を用いた場合と比べて、はんだにより形成されていない基材粒子と基材粒子の表面上に配置されたはんだ部とを備える導電性粒子を用いた場合には、電極上に導電性粒子が集まりにくくなり、導電性粒子同士のはんだ接合性が低いために、電極上に移動した導電性粒子が電極外に移動しやすくなる傾向があり、電極間の位置ずれの抑制効果も低くなる傾向がある。

上記はんだ粒子の外表面に、カルボキシル基又はアミノ基が存在することが好ましく、カルボキシル基が存在することが好ましく、アミノ基が存在することが好ましい。上記はんだ粒子の外表面に、エーテル結合、エステル結合又は下記式（Ｘ）で表される基を介して、カルボキシル基又はアミノ基を含む基が共有結合していることが好ましい。カルボキシル基又はアミノ基を含む基は、カルボキシル基とアミノ基との双方を含んでいてもよい。上記の好ましいはんだ粒子を用いることで、接続構造体における接続抵抗を効果的に低くし、ボイドの発生を効果的に抑制することができる。

はんだの表面に水酸基が存在する。この水酸基とカルボキシル基を含む基とを共有結合させることにより、他の配位結合（キレート配位）等にて結合させる場合よりも強い結合を形成できるため、電極間の接続抵抗を低くし、かつボイドの発生を抑えることが可能なはんだ粒子が得られる。

上記はんだ粒子では、はんだの表面と、カルボキシル基を含む基との結合形態に、配位結合が含まれていなくてもよく、キレート配位による結合が含まれていなくてもよい。

上記はんだ粒子は、水酸基と反応可能な官能基とカルボキシル基又はアミノ基とを有する化合物（以下、化合物Ｘと記載することがある）を用いて、はんだの表面の水酸基に、上記水酸基と反応可能な官能基を反応させることにより得られることが好ましい。上記反応では、共有結合を形成させる。はんだの表面の水酸基と上記化合物Ｘにおける上記水酸基と反応可能な官能基とを反応させることで、はんだの表面にカルボキシル基又はアミノ基を含む基が共有結合しているはんだ粒子を容易に得ることができ、はんだの表面にエーテル結合又はエステル結合を介してカルボキシル基又はアミノ基を含む基が共有結合しているはんだ粒子を得ることもできる。上記はんだの表面の水酸基に上記水酸基と反応可能な官能基を反応させることで、はんだの表面に、上記化合物Ｘを共有結合の形態で化学結合させることができる。上記の反応により得られる好ましいはんだ粒子を用いることで、接続構造体における接続抵抗を効果的に低くし、ボイドの発生を効果的に抑制することができる。

上記水酸基と反応可能な官能基としては、水酸基、カルボキシル基、エステル基及びカルボニル基等が挙げられる。水酸基又はカルボキシル基が好ましい。上記水酸基と反応可能な官能基は、水酸基であってもよく、カルボキシル基であってもよい。

水酸基と反応可能な官能基を有する化合物としては、レブリン酸、グルタル酸、コハク酸、リンゴ酸、シュウ酸、マロン酸、アジピン酸、５−ケトヘキサン酸、３−ヒドロキシプロピオン酸、４−アミノ酪酸、３−メルカプトプロピオン酸、３−メルカプトイソブチル酸、３−メチルチオプロピオン酸、３−フェニルプロピオン酸、３−フェニルイソブチル酸、４−フェニル酪酸、デカン酸、ドデカン酸、テトラデカン酸、ペンタデカン酸、ヘキサデカン酸、９−ヘキサデセン酸、ヘプタデカン酸、ステアリン酸、オレイン酸、バクセン酸、リノール酸、（９，１２，１５）−リノレン酸、ノナデカン酸、アラキジン酸、デカン二酸及びドデカン二酸等が挙げられる。グルタル酸又はグリコール酸が好ましい。上記水酸基と反応可能な官能基を有する化合物は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。上記水酸基と反応可能な官能基を有する化合物は、カルボキシル基を少なくとも１つ有する化合物であることが好ましい。

上記化合物Ｘは、フラックス作用を有することが好ましく、上記化合物Ｘははんだの表面に結合した状態でフラックス作用を有することが好ましい。フラックス作用を有する化合物は、はんだの表面の酸化膜及び電極の表面の酸化膜を除去可能である。カルボキシル基はフラックス作用を有する。

フラックス作用を有する化合物としては、レブリン酸、グルタル酸、コハク酸、５−ケトヘキサン酸、３−ヒドロキシプロピオン酸、４−アミノ酪酸、３−メルカプトプロピオン酸、３−メルカプトイソブチル酸、３−メチルチオプロピオン酸、３−フェニルプロピオン酸、３−フェニルイソブチル酸及び４−フェニル酪酸等が挙げられる。グルタル酸又はグリコール酸が好ましい。上記フラックス作用を有する化合物は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記化合物Ｘにおける上記水酸基と反応可能な官能基が、水酸基又はカルボキシル基であることが好ましい。上記化合物Ｘにおける上記水酸基と反応可能な官能基は、水酸基であってもよく、カルボキシル基であってもよい。上記水酸基と反応可能な官能基がカルボキシル基である場合には、上記化合物Ｘは、カルボキシル基を少なくとも２個有することが好ましい。カルボキシル基を少なくとも２個有する化合物の一部のカルボキシル基を、はんだの表面の水酸基に反応させることで、はんだの表面にカルボキシル基を含む基が共有結合しているはんだ粒子が得られる。上記の好ましい化合物Ｘを用いることで、接続構造体における接続抵抗を効果的に低くし、ボイドの発生を効果的に抑制することができる。

上記はんだ粒子の製造方法は、例えば、はんだ粒子を用いて、該はんだ粒子、水酸基と反応可能な官能基とカルボキシル基とを有する化合物、触媒及び溶媒を混合する工程を備える。上記はんだ粒子の製造方法では、上記混合工程により、はんだの表面に、カルボキシル基を含む基が共有結合しているはんだ粒子を容易に得ることができる。

また、上記はんだ粒子の製造方法では、はんだ粒子を用いて、該はんだ粒子、上記水酸基と反応可能な官能基とカルボキシル基とを有する化合物、上記触媒及び上記溶媒を混合し、加熱することが好ましい。混合及び加熱工程により、はんだの表面に、カルボキシル基を含む基が共有結合しているはんだ粒子をより一層容易に得ることができる。

上記溶媒としては、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール等のアルコール溶媒や、アセトン、メチルエチルケトン、酢酸エチル、トルエン及びキシレン等が挙げられる。上記溶媒は有機溶媒であることが好ましく、トルエンであることがより好ましい。上記溶媒は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記触媒としては、ｐ−トルエンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸及び１０−カンファースルホン酸等が挙げられる。上記触媒は、ｐ−トルエンスルホン酸であることが好ましい。上記触媒は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記混合時に加熱することが好ましい。加熱温度は好ましくは９０℃以上、より好ましくは１００℃以上、好ましくは１３０℃以下、より好ましくは１１０℃以下である。

上記はんだ粒子は、イソシアネート化合物を用いて、はんだの表面の水酸基に、上記イソシアネート化合物を反応させる工程を経て得られることが好ましい。上記反応では、共有結合を形成させる。はんだの表面の水酸基と上記イソシアネート化合物とを反応させることで、はんだの表面に、イソシアネート基に由来する基の窒素原子が共有結合しているはんだ粒子を容易に得ることができる。上記はんだの表面の水酸基に上記イソシアネート化合物を反応させることで、はんだの表面に、イソシアネート基に由来する基を共有結合の形態で化学結合させることができる。上記反応により得られる好ましいはんだ粒子を用いることで、接続構造体における接続抵抗を効果的に低くし、ボイドの発生を効果的に抑制することができる。

また、イソシアネート基に由来する基には、シランカップリング剤を容易に反応させることができる。上記はんだ粒子を容易に得ることができるので、上記カルボキシル基を含む基が、カルボキシル基を有するシランカップリング剤を用いた反応により導入されているか、又は、シランカップリング剤を用いた反応の後に、シランカップリング剤に由来する基にカルボキシル基を少なくとも１つ有する化合物を反応させることで導入されていることが好ましい。上記はんだ粒子は、上記イソシアネート化合物を用いて、はんだの表面の水酸基に、上記イソシアネート化合物を反応させた後、カルボキシル基を少なくとも１つ有する化合物を反応させることにより得られることが好ましい。

接続構造体における接続抵抗を効果的に低くし、ボイドの発生を効果的に抑制する観点から、上記カルボキシル基を少なくとも１つ有する化合物が、カルボキシル基を複数有することが好ましい。

上記イソシアネート化合物としては、ジフェニルメタン−４，４’−ジイソシアネート（ＭＤＩ）、ヘキサメチレンジイソシアネート（ＨＤＩ）、トルエンジイソシアネート（ＴＤＩ）及びイソホロンジイソシアネート（ＩＰＤＩ）等が挙げられる。これら以外のイソシアネート化合物を用いてもよい。この化合物をはんだの表面に反応させた後、残イソシアネート基と、その残イソシアネート基と反応性を有し、かつカルボキシル基を有する化合物を反応させることで、はんだ表面に式（Ｘ）で表される基を介して、カルボキシル基を導入することができる。

上記イソシアネート化合物としては、不飽和二重結合を有し、かつイソシアネート基を有する化合物を用いてもよい。例えば、２−アクリロイルオキシエチルイソシアネート及び２−イソシアナトエチルメタクリレートが挙げられる。この化合物のイソシアネート基をはんだの表面に反応させた後、残存している不飽和二重結合に対し反応性を有する官能基を有し、かつカルボキシル基を有する化合物を反応させることで、はんだ表面に式（Ｘ）で表される基を介して、カルボキシル基を導入することができる。

上記シランカップリング剤としては、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン（信越シリコーン社製「ＫＢＥ−９００７」）、及び３−イソシアネートプロピルトリメトキシシラン（ＭＯＭＥＮＴＩＶＥ社製「Ｙ−５１８７」）等が挙げられる。上記シランカップリング剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記カルボキシル基を少なくとも１つ有する化合物としては、レブリン酸、グルタル酸、グリコール酸、コハク酸、リンゴ酸、シュウ酸、マロン酸、アジピン酸、５−ケトヘキサン酸、３−ヒドロキシプロピオン酸、４−アミノ酪酸、３−メルカプトプロピオン酸、３−メルカプトイソブチル酸、３−メチルチオプロピオン酸、３−フェニルプロピオン酸、３−フェニルイソブチル酸、４−フェニル酪酸、デカン酸、ドデカン酸、テトラデカン酸、ペンタデカン酸、ヘキサデカン酸、９−ヘキサデセン酸、ヘプタデカン酸、ステアリン酸、オレイン酸、バクセン酸、リノール酸、（９，１２，１５）−リノレン酸、ノナデカン酸、アラキジン酸、デカン二酸及びドデカン二酸等が挙げられる。グルタル酸、アジピン酸又はグリコール酸が好ましい。上記カルボキシル基を少なくとも１つ有する化合物は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記イソシアネート化合物を用いて、はんだの表面の水酸基に、上記イソシアネート化合物を反応させた後、カルボキシル基を複数有する化合物の一部のカルボキシル基を、はんだの表面の水酸基に反応させることで、カルボキシル基を含む基を残存させることができる。

上記はんだ粒子の製造方法では、はんだ粒子を用いて、かつ、イソシアネート化合物を用いて、はんだの表面の水酸基に、上記イソシアネート化合物を反応させた後、カルボキシル基を少なくとも１つ有する化合物を反応させて、はんだの表面に、上記式（Ｘ）で表される基を介して、カルボキシル基を含む基が結合しているはんだ粒子を得る。上記はんだ粒子の製造方法では、上記の工程により、はんだの表面に、カルボキシル基を含む基が導入されたはんだ粒子を容易に得ることができる。

上記はんだ粒子の具体的な製造方法としては、以下の方法が挙げられる。有機溶媒にはんだ粒子を分散させ、イソシアネート基を有するシランカップリング剤を添加する。その後、はんだ粒子のはんだ表面の水酸基とイソシアネート基との反応触媒を用い、はんだ表面にシランカップリング剤を共有結合させる。次に、シランカップリング剤の珪素原子に結合しているアルコキシ基を加水分解することで、水酸基を生成させる。生成した水酸基に、カルボキシル基を少なくとも１つ有する化合物のカルボキシル基を反応させる。

また、上記はんだ粒子の具体的な製造方法としては、以下の方法が挙げられる。有機溶媒にはんだ粒子を分散させ、イソシアネート基と不飽和二重結合を有する化合物を添加する。その後、はんだ粒子のはんだ表面の水酸基とイソシアネート基との反応触媒を用い、共有結合を形成させる。その後、導入された不飽和二重結合に対して、不飽和二重結合、及びカルボキシル基を有する化合物を反応させる。

はんだ粒子のはんだ表面の水酸基とイソシアネート基との反応触媒としては、錫系触媒（ジブチル錫ジラウリレート等）、アミン系触媒（トリエチレンジアミン等）、カルボキシレート触媒（ナフテン酸鉛、酢酸カリウム等）、及びトリアルキルホスフィン触媒（トリエチルホスフィン等）等が挙げられる。

接続構造体における接続抵抗を効果的に低くし、ボイドの発生を効果的に抑制する観点から、上記カルボキシル基を少なくとも１つ有する化合物は、下記式（１）で表される化合物であることが好ましい。下記式（１）で表される化合物は、フラックス作用を有する。また、下記式（１）で表される化合物は、はんだの表面に導入された状態でフラックス作用を有する。

上記式（１）中、Ｘは、水酸基と反応可能な官能基を表し、Ｒは、炭素数１〜５の２価の有機基を表す。該有機基は、炭素原子と水素原子と酸素原子とを含んでいてもよい。該有機基は炭素数１〜５の２価の炭化水素基であってもよい。上記有機基の主鎖は２価の炭化水素基であることが好ましい。該有機基では、２価の炭化水素基にカルボキシル基や水酸基が結合していてもよい。上記式（１）で表される化合物には、例えばクエン酸が含まれる。

上記カルボキシル基を少なくとも１つ有する化合物は、下記式（１Ａ）又は下記式（１Ｂ）で表される化合物であることが好ましい。上記カルボキシル基を少なくとも１つ有する化合物は、下記式（１Ａ）で表される化合物であることが好ましく、下記式（１Ｂ）で表される化合物であることがより好ましい。

上記式（１Ａ）中、Ｒは、炭素数１〜５の２価の有機基を表す。上記式（１Ａ）中のＲは上記式（１）中のＲと同様である。

上記式（１Ｂ）中、Ｒは、炭素数１〜５の２価の有機基を表す。上記式（１Ｂ）中のＲは上記式（１）中のＲと同様である。

はんだの表面に、下記式（２Ａ）又は下記式（２Ｂ）で表される基が結合していることが好ましい。はんだの表面に、下記式（２Ａ）で表される基が結合していることが好ましく、下記式（２Ｂ）で表される基が結合していることがより好ましい。

上記式（２Ａ）中、Ｒは、炭素数１〜５の２価の有機基を表す。上記式（２Ａ）中のＲは上記式（１）中のＲと同様である。

上記式（２Ｂ）中、Ｒは、炭素数１〜５の２価の有機基を表す。上記式（２Ｂ）中のＲは上記式（１）中のＲと同様である。

はんだの表面の濡れ性を高める観点からは、上記カルボキシル基を少なくとも１つ有する化合物の分子量は、好ましくは１００００以下、より好ましくは１０００以下、更に好ましくは５００以下である。

上記分子量は、上記カルボキシル基を少なくとも１つ有する化合物が重合体ではない場合、及び上記カルボキシル基を少なくとも１つ有する化合物の構造式が特定できる場合は、当該構造式から算出できる分子量を意味する。また、上記カルボキシル基を少なくとも１つ有する化合物が重合体である場合は、重量平均分子量を意味する。

上記はんだ粒子は、はんだ粒子本体と、はんだ粒子本体の表面上に配置されたアニオンポリマーとを有することが好ましい。上記はんだ粒子は、はんだ粒子本体をアニオンポリマー又はアニオンポリマーとなる化合物で表面処理することにより得られることが好ましい。上記はんだ粒子は、アニオンポリマー又はアニオンポリマーとなる化合物による表面処理物であることが好ましい。上記アニオンポリマー及び上記アニオンポリマーとなる化合物はそれぞれ、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。上記アニオンポリマーは、酸性基を有するポリマーである。上記好ましいはんだ粒子を用いることで、導電接続時にはんだ粒子の凝集性を効果的に高めることができる。

はんだ粒子本体をアニオンポリマーで表面処理する方法としては、アニオンポリマーとして、例えば（メタ）アクリル酸を共重合した（メタ）アクリルポリマー、ジカルボン酸とジオールとから合成されかつ両末端にカルボキシル基を有するポリエステルポリマー、ジカルボン酸の分子間脱水縮合反応により得られかつ両末端にカルボキシル基を有するポリマー、ジカルボン酸とジアミンから合成されかつ両末端にカルボキシル基を有するポリエステルポリマー、並びにカルボキシル基を有する変性ポバール（日本合成化学社製「ゴーセネックスＴ」）等を用いて、アニオンポリマーのカルボキシル基と、はんだ粒子本体の表面の水酸基とを反応させる方法が挙げられる。

上記アニオンポリマーのアニオン部分としては、上記カルボキシル基が挙げられ、それ以外には、トシル基（ｐ−Ｈ_３ＣＣ_６Ｈ_４Ｓ（＝Ｏ）_２−）、スルホン酸イオン基（−ＳＯ^３−）、及びリン酸イオン基（−ＰＯ^４−）等が挙げられる。

また、他の方法としては、はんだ粒子本体の表面の水酸基と反応する官能基を有し、さらに、付加、縮合反応により重合可能な官能基を有する化合物を用いて、この化合物をはんだ粒子本体の表面上にてポリマー化する方法が挙げられる。はんだ粒子本体の表面の水酸基と反応する官能基としては、カルボキシル基、及びイソシアネート基等が挙げられ、付加、縮合反応により重合する官能基としては、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、及び（メタ）アクリロイル基が挙げられる。

上記アニオンポリマーの重量平均分子量は好ましくは２０００以上、より好ましくは３０００以上、好ましくは１００００以下、より好ましくは８０００以下である。上記重量平均分子量が上記下限以上及び上記上限以下であると、はんだ粒子の表面に十分な量の電荷、及びフラックス性を導入することができる。これにより、導電接続時にはんだ粒子の凝集性を効果的に高めることができ、かつ、電極の表面の酸化膜を効果的に除去することができる。

上記重量平均分子量が上記下限以上及び上記上限以下であると、はんだ粒子本体の表面上にアニオンポリマーを配置することが容易であり、導電接続時にはんだ粒子の凝集性を効果的に高めることができ、電極上に導電性粒子をより一層効率的に配置することができる。

上記重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定されたポリスチレン換算での重量平均分子量を示す。

はんだ粒子本体をアニオンポリマーとなる化合物で表面処理することにより得られたポリマーの重量平均分子量は、はんだを溶解し、ポリマーの分解を起こさない希塩酸等により、はんだ粒子を除去した後、残存しているポリマーの重量平均分子量を測定することで求めることができる。

アニオンポリマーのはんだ粒子の表面における導入量に関しては、はんだ粒子１ｇあたりの酸価が、好ましくは１ｍｇＫＯＨ以上、より好ましくは２ｍｇＫＯＨ以上、好ましくは１０ｍｇＫＯＨ以下、より好ましくは６ｍｇＫＯＨ以下である。

上記酸価は以下のようにして測定可能である。はんだ粒子１ｇを、アセトン３６ｇに添加し、超音波にて１分間分散させる。その後、指示薬として、フェノールフタレインを用い、０．１ｍｏｌ／Ｌの水酸化カリウムエタノール溶液にて滴定する。

上記はんだは、融点が４５０℃以下である金属（低融点金属）であることが好ましい。上記はんだ粒子は、融点が４５０℃以下である金属粒子（低融点金属粒子）であることが好ましい。上記低融点金属粒子は、低融点金属を含む粒子である。該低融点金属とは、融点が４５０℃以下の金属を示す。低融点金属の融点は好ましくは３００℃以下、より好ましくは１６０℃以下である。また、上記はんだ粒子は錫を含む。上記はんだ粒子に含まれる金属１００重量％中、錫の含有量は好ましくは３０重量％以上、より好ましくは４０重量％以上、更に好ましくは７０重量％以上、特に好ましくは９０重量％以上である。上記はんだ粒子における錫の含有量が上記下限以上であると、はんだ部と電極との接続信頼性がより一層高くなる。

なお、上記錫の含有量は、高周波誘導結合プラズマ発光分光分析装置（堀場製作所社製「ＩＣＰ−ＡＥＳ」）、又は蛍光Ｘ線分析装置（島津製作所社製「ＥＤＸ−８００ＨＳ」）等を用いて測定可能である。

上記はんだ粒子を用いることで、はんだが溶融して電極に接合し、はんだ部が電極間を導通させる。例えば、はんだ部と電極とが点接触ではなく面接触しやすいため、接続抵抗が低くなる。また、はんだ粒子の使用により、はんだ部と電極との接合強度が高くなる結果、はんだ部と電極との剥離がより一層生じ難くなり、導通信頼性及び接続信頼性が効果的に高くなる。

上記はんだ粒子を構成する低融点金属は特に限定されない。該低融点金属は、錫、又は錫を含む合金であることが好ましい。該合金は、錫−銀合金、錫−銅合金、錫−銀−銅合金、錫−ビスマス合金、錫−亜鉛合金、錫−インジウム合金等が挙げられる。電極に対する濡れ性に優れることから、上記低融点金属は、錫、錫−銀合金、錫−銀−銅合金、錫−ビスマス合金、錫−インジウム合金であることが好ましい。錫−ビスマス合金、錫−インジウム合金であることがより好ましい。

上記はんだ粒子は、ＪＩＳ Ｚ３００１：溶接用語に基づき、液相線が４５０℃以下である溶加材であることが好ましい。上記はんだ粒子の組成としては、例えば亜鉛、金、銀、鉛、銅、錫、ビスマス、インジウムなどを含む金属組成が挙げられる。低融点で鉛フリーである錫−インジウム系（１１７℃共晶）、又は錫−ビスマス系（１３９℃共晶）が好ましい。すなわち、上記はんだ粒子は、鉛を含まないことが好ましく、錫とインジウムとを含むか、又は錫とビスマスとを含むことが好ましい。

上記はんだ部と電極との接合強度をより一層高めるために、上記はんだ粒子は、ニッケル、銅、アンチモン、アルミニウム、亜鉛、鉄、金、チタン、リン、ゲルマニウム、テルル、コバルト、ビスマス、マンガン、クロム、モリブデン、パラジウム等の金属を含んでいてもよい。また、上記はんだ粒子は、ニッケル、銅、アンチモン、アルミニウム又は亜鉛を含むことが好ましい。上記好ましいはんだ粒子を用いることで、はんだ部と電極との接合強度をさらに一層高めることができる。上記金属の含有量は、はんだ粒子１００重量％中、好ましくは０．０００１重量％以上、好ましくは１重量％以下である。上記金属含有量が上記下限以上、上記上限以下であると、はんだ部と電極との接合強度をより一層高めることができる。

上記はんだ粒子の平均粒子径は、好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上、更に好ましくは３μｍ以上、特に好ましくは５μｍ以上、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは４０μｍ以下、より一層好ましくは３０μｍ以下、更に好ましくは２０μｍ以下、特に好ましくは１５μｍ以下、最も好ましくは１０μｍ以下である。上記はんだ粒子の平均粒子径が上記下限以上及び上記上限以下であると、はんだ粒子を電極上により一層効率的に配置することができる。上記はんだ粒子の平均粒子径は、３μｍ以上、３０μｍ以下であることが特に好ましい。

上記はんだ粒子の形状は特に限定されない。上記はんだ粒子の形状は、球状であってもよく、扁平状などの球形状以外の形状であってもよい。

上記はんだ粒子の「平均粒子径」は、数平均粒子径を示す。はんだ粒子の平均粒子径は、例えば、任意のはんだ粒子５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することや、レーザー回折式粒度分布測定を行うことにより求められる。

上記はんだ粒子の粒子径の変動係数は、好ましくは５％以上、より好ましくは１０％以上、好ましくは４０％以下、より好ましくは３０％以下である。上記粒子径の変動係数が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極上にはんだ粒子をより一層効率的に配置することができる。但し、上記はんだ粒子の粒子径の変動係数は、５％未満であってもよい。

上記変動係数（ＣＶ値）は下記式で表される。

ＣＶ値（％）＝（ρ／Ｄｎ）×１００
ρ：はんだ粒子の粒子径の標準偏差
Ｄｎ：はんだ粒子の粒子径の平均値

上記導電ペースト１００重量％中、上記はんだ粒子の含有量は好ましくは１重量％以上、より好ましくは２重量％以上、更に好ましくは１０重量％以上、特に好ましくは２０重量％以上、最も好ましくは３０重量％以上、好ましくは８０重量％以下、より好ましくは６０重量％以下、更に好ましくは５０重量％以下である。上記はんだ粒子の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極上にはんだ粒子をより一層効率的に配置することができ、電極間にはんだ粒子を多く配置することが容易であり、導通信頼性がより一層高くなる。導通信頼性をより一層高める観点から、上記はんだ粒子の含有量は多い方が好ましい。

（熱硬化性化合物：熱硬化性成分）
上記熱硬化性化合物は、加熱により硬化可能な化合物である。上記熱硬化性化合物としては、オキセタン化合物、エポキシ化合物、エピスルフィド化合物、（メタ）アクリル化合物、フェノール化合物、アミノ化合物、不飽和ポリエステル化合物、ポリウレタン化合物、シリコーン化合物及びポリイミド化合物等が挙げられる。導電ペーストの硬化性及び粘度をより一層良好にし、接続信頼性をより一層高める観点から、エポキシ化合物又はエピスルフィド化合物が好ましい。

上記熱硬化性成分及び上記熱硬化性化合物は、トリアジン骨格を有する熱硬化性化合物を含むことが好ましい。上記トリアジン骨格を有する熱化合物としてはトリアジントリグリシジルエーテル等が挙げられ、日産化学工業社製ＴＥＰＩＣシリーズ（ＴＥＰＩＣ−Ｇ、ＴＥＰＩＣ−Ｓ、ＴＥＰＩＣ−ＳＳ、ＴＥＰＩＣ−ＨＰ、ＴＥＰＩＣ−Ｌ、ＴＥＰＩＣ−ＰＡＳ、ＴＥＰＩＣ−ＶＬ、ＴＥＰＩＣ−ＵＣ）等が挙げられる。上記トリアジン骨格を有する熱硬化性化合物の使用により、硬化物の耐熱性を効果的に高めることができ、並びに硬化物の誘電率を効果的に低くすることができる。

上記エポキシ化合物としては、芳香族エポキシ化合物が挙げられる。レゾルシノール型エポキシ化合物、ナフタレン型エポキシ化合物、ビフェニル型エポキシ化合物、ベンゾフェノン型エポキシ化合物等の結晶性エポキシ化合物が好ましい。常温（２３℃）で固体であり、かつ溶融温度がはんだの融点以下であるエポキシ化合物が好ましい。溶融温度は好ましくは１００℃以下、より好ましくは８０℃以下、好ましくは４０℃以上である。上記の好ましいエポキシ化合物を用いることで、接続対象部材を貼り合わせた段階では、粘度が高く、搬送等の衝撃により加速度が付与された際に、テープキャリアと、半導体素子との位置ずれを抑制することができ、なおかつ、硬化時の熱により、粘度を大きく低下させることができ、はんだ粒子の凝集を効率よく進行させることができる。

上記導電ペースト１００重量％中、上記熱硬化性化合物の含有量は、好ましくは２０重量％以上、より好ましくは４０重量％以上、更に好ましくは５０重量％以上、好ましくは９９重量％以下、より好ましくは９８重量％以下、更に好ましくは９０重量％以下、特に好ましくは８０重量％以下である。耐衝撃性をより一層高める観点から、上記熱硬化性成分の含有量は多い方が好ましい。

（熱硬化剤）
上記熱硬化剤は、上記熱硬化性化合物を熱硬化させる。上記熱硬化剤としては、イミダゾール硬化剤、フェノール硬化剤、チオール硬化剤、アミン硬化剤、酸無水物、熱カチオン開始剤及び熱ラジカル発生剤等がある。上記熱硬化剤は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

特に、はんだを電極上に効率的に配置でき、並びに硬化物の耐熱性を高めることができるので、上記熱硬化剤は、チオール硬化剤とアミン硬化剤とを併用することが好ましい。また、導電ペーストを低温でより一層速やかに硬化することができるので、イミダゾール硬化剤、チオール硬化剤又はアミン硬化剤を使用することが好ましい。さらに、加熱により硬化可能な硬化性化合物と上記熱硬化剤とを混合したときに保存安定性が高くなるので、潜在性の硬化剤が好ましい。潜在性の硬化剤は、潜在性イミダゾール硬化剤、潜在性チオール硬化剤又は潜在性アミン硬化剤であることが好ましい。なお、上記熱硬化剤は、ポリウレタン樹脂又はポリエステル樹脂等の高分子物質で被覆されていてもよい。

上記アミン硬化剤はアミノ基を有する。上記アミン硬化剤としては、特に限定されず、ヘキサメチレンジアミン、オクタメチレンジアミン、デカメチレンジアミン、３，９−ビス（３−アミノプロピル）−２，４，８，１０−テトラスピロ［５．５］ウンデカン、ビス（４−アミノシクロヘキシル）メタン、メタフェニレンジアミン及びジアミノジフェニルスルホン等が挙げられる。

上記チオール硬化剤は、チオール基を有する。上記チオール硬化剤としては、特に限定されず、トリメチロールプロパントリス−３−メルカプトプロピオネート、ペンタエリスリトールテトラキス−３−メルカプトプロピオネート及びジペンタエリスリトールヘキサ−３−メルカプトプロピオネート等が挙げられる。

上記イミダゾール硬化剤としては、特に限定されず、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテート、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン及び２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物等が挙げられる。

上記熱カチオン開始剤としては、ヨードニウム系カチオン硬化剤、オキソニウム系カチオン硬化剤及びスルホニウム系カチオン硬化剤等が挙げられる。上記ヨードニウム系カチオン硬化剤としては、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロホスファート等が挙げられる。上記オキソニウム系カチオン硬化剤としては、トリメチルオキソニウムテトラフルオロボラート等が挙げられる。上記スルホニウム系カチオン硬化剤としては、トリ−ｐ−トリルスルホニウムヘキサフルオロホスファート等が挙げられる。

上記熱ラジカル発生剤としては、特に限定されず、アゾ化合物及び有機過酸化物等が挙げられる。上記アゾ化合物としては、アゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）等が挙げられる。上記有機過酸化物としては、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルペルオキシド及びメチルエチルケトンペルオキシド等が挙げられる。

上記熱硬化剤の反応開始温度は、好ましくは５０℃以上、より好ましくは７０℃以上、更に好ましくは８０℃以上、好ましくは２５０℃以下、より好ましくは２００℃以下、更に好ましくは１５０℃以下、特に好ましくは１４０℃以下である。上記熱硬化剤の反応開始温度が上記下限以上及び上記上限以下であると、はんだ粒子が電極上により一層効率的に配置される。上記熱硬化剤の反応開始温度は８０℃以上、１４０℃以下であることが特に好ましい。

はんだを電極上により一層効率的に配置する観点からは、上記熱硬化剤の反応開始温度は、上記はんだ粒子におけるはんだの融点よりも、高いことが好ましく、５℃以上高いことがより好ましく、１０℃以上高いことが更に好ましい。

上記熱硬化剤の反応開始温度は、ＤＳＣでの発熱ピークの立ち上がり開始の温度を意味する。

上記熱硬化剤の含有量は特に限定されない。上記熱硬化性化合物１００重量部に対して、上記熱硬化剤の含有量は、好ましくは０．０１重量部以上、より好ましくは１重量部以上、好ましくは２００重量部以下、より好ましくは１００重量部以下、更に好ましくは７５重量部以下である。熱硬化剤の含有量が上記下限以上であると、導電ペーストを充分に硬化させることが容易である。熱硬化剤の含有量が上記上限以下であると、硬化後に硬化に関与しなかった余剰の熱硬化剤が残存し難くなり、かつ硬化物の耐熱性がより一層高くなる。

はんだを電極上により一層効率的に配置する観点、並びに硬化物の耐熱性を効果的に高める観点からは、上記導電ペースト中で、上記チオール硬化剤と上記アミン硬化剤との重量比は好ましくは１：１〜１００：１、より好ましくは２：１〜５０：１、更に好ましくは４：１〜１５：１である。

（フラックス）
上記導電ペーストは、フラックスを含むことが好ましい。フラックスの使用により、はんだを電極上により一層効果的に配置することができる。該フラックスは特に限定されない。フラックスとして、はんだ接合等に一般的に用いられているフラックスを使用できる。

上記フラックスとしては、例えば、塩化亜鉛、塩化亜鉛と無機ハロゲン化物との混合物、塩化亜鉛と無機酸との混合物、溶融塩、リン酸、リン酸の誘導体、有機ハロゲン化物、ヒドラジン、有機酸及び松脂等が挙げられる。上記フラックスは１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記溶融塩としては、塩化アンモニウム等が挙げられる。上記有機酸としては、乳酸、クエン酸、ステアリン酸、グルタミン酸及びグルタル酸等が挙げられる。上記松脂としては、活性化松脂及び非活性化松脂等が挙げられる。上記フラックスは、カルボキシル基を２個以上有する有機酸、松脂であることが好ましい。上記フラックスは、カルボキシル基を２個以上有する有機酸であってもよく、松脂であってもよい。カルボキシル基を２個以上有する有機酸、松脂の使用により、電極間の導通信頼性がより一層高くなる。

上記松脂はアビエチン酸を主成分とするロジン類である。フラックスは、ロジン類であることが好ましく、アビエチン酸であることがより好ましい。この好ましいフラックスの使用により、電極間の導通信頼性がより一層高くなる。

上記フラックスの活性温度（融点）は、好ましくは５０℃以上、より好ましくは７０℃以上、更に好ましくは８０℃以上、好ましくは２００℃以下、より好ましくは１９０℃以下、より一層好ましくは１６０℃以下、更に好ましくは１５０℃以下、更に一層好ましくは１４０℃以下である。上記フラックスの活性温度が上記下限以上及び上記上限以下であると、フラックス効果がより一層効果的に発揮され、はんだ粒子が電極上により一層効率的に配置される。上記フラックスの活性温度（融点）は８０℃以上、１９０℃以下であることが好ましい。上記フラックスの活性温度（融点）は８０℃以上、１４０℃以下であることが特に好ましい。

フラックスの活性温度（融点）が８０℃以上、１９０℃以下である上記フラックスとしては、コハク酸（融点１８６℃）、グルタル酸（融点９６℃）、アジピン酸（融点１５２℃）、ピメリン酸（融点１０４℃）、スベリン酸（融点１４２℃）等のジカルボン酸、安息香酸（融点１２２℃）、リンゴ酸（融点１３０℃）等が挙げられる。

また、上記フラックスの沸点は２００℃以下であることが好ましい。

はんだを電極上により一層効率的に配置する観点からは、上記フラックスの融点は、上記はんだ粒子におけるはんだの融点よりも、高いことが好ましく、５℃以上高いことがより好ましく、１０℃以上高いことが更に好ましい。

はんだを電極上により一層効率的に配置する観点からは、上記フラックスの融点は、上記熱硬化剤の反応開始温度よりも、高いことが好ましく、５℃以上高いことがより好ましく、１０℃以上高いことが更に好ましい。

上記フラックスは、導電ペースト中に分散されていてもよく、はんだ粒子の表面上に付着していてもよい。

フラックスの融点が、はんだの融点より高いことにより、電極部分にはんだ粒子を効率的に凝集させることができる。これは、接合時に加熱した場合、接続対象部材上に形成された電極と、電極周辺の接続対象部材の部分とを比較すると、電極部分の熱伝導率が電極周辺の接続対象部材部分の熱伝導率よりも高いことにより、電極部分の昇温が早いことに起因する。はんだ粒子の融点を超えた段階では、はんだ粒子の内部は溶解するが、表面に形成された酸化被膜は、フラックスの融点（活性温度）に達していないので、除去されない。この状態で、電極部分の温度が先に、フラックスの融点（活性温度）に達するため、優先的に電極上に来たはんだ粒子の表面の酸化被膜が除去され、はんだ粒子が電極の表面上に濡れ拡がることができる。これにより、電極上に効率的にはんだ粒子を凝集させることができる。

上記フラックスは、加熱によりカチオンを放出するフラックスであることが好ましい。加熱によりカチオンを放出するフラックスの使用により、はんだ粒子を電極上により一層効率的に配置することができる。

上記加熱によりカチオンを放出するフラックスとしては、上記熱カチオン開始剤が挙げられる。

上記導電ペースト１００重量％中、上記フラックスの含有量は好ましくは０．５重量％以上、好ましくは３０重量％以下、より好ましくは２５重量％以下である。上記導電ペーストは、フラックスを含んでいなくてもよい。フラックスの含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、はんだ及び電極の表面に酸化被膜がより一層形成され難くなり、さらに、はんだ及び電極の表面に形成された酸化被膜をより一層効果的に除去できる。

（絶縁性粒子）
上記導電ペーストは、絶縁性粒子を含むことが好ましい。上記導電ペーストにおいて、上記絶縁性粒子は、はんだ粒子の表面に付着していなくてもよい。上記絶縁性粒子を含むことで、導電ペーストの硬化物により接続される接続対象部材間の間隔、並びにはんだ粒子におけるはんだにより接続される接続対象部材間の間隔を高精度に制御することができる。

上記絶縁性粒子の平均粒子径は、好ましくは１０μｍ以上、より好ましくは２０μｍ以上、更に好ましくは２５μｍ以上、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは７５μｍ以下、更に好ましくは５０μｍ以下である。上記絶縁性粒子の平均粒子径が上記下限以上及び上記上限以下であると、導電ペーストの硬化物により接続される接続対象部材間の間隔、並びにはんだ粒子におけるはんだにより接続される接続対象部材間の間隔がより一層適度になる。

上記絶縁性粒子の材料としては、絶縁性の樹脂、及び絶縁性の無機物等が挙げられる。

上記絶縁性粒子の材料である絶縁性樹脂の具体例としては、ポリオレフィン類、（メタ）アクリレート重合体、（メタ）アクリレート共重合体、ブロックポリマー、熱可塑性樹脂、熱可塑性樹脂の架橋物、熱硬化性樹脂及び水溶性樹脂等が挙げられる。

上記ポリオレフィン類としては、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体及びエチレン−アクリル酸エステル共重合体等が挙げられる。上記（メタ）アクリレート重合体としては、ポリメチル（メタ）アクリレート、ポリエチル（メタ）アクリレート及びポリブチル（メタ）アクリレート等が挙げられる。上記ブロックポリマーとしては、ポリスチレン、スチレン−アクリル酸エステル共重合体、ＳＢ型スチレン−ブタジエンブロック共重合体、及びＳＢＳ型スチレン−ブタジエンブロック共重合体、並びにこれらの水素添加物等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂としては、ビニル重合体及びビニル共重合体等が挙げられる。上記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びメラミン樹脂等が挙げられる。上記水溶性樹脂としては、ポリビニルアルコール、ポリアクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリビニルピロリドン、ポリエチレンオキシド及びメチルセルロース等が挙げられる。水溶性樹脂が好ましく、ポリビニルアルコールがより好ましい。

上記絶縁性粒子の材料である絶縁性無機物の具体例としては、シリカ及び有機無機ハイブリッド粒子等が挙げられる。上記シリカにより形成された粒子としては特に限定されないが、例えば、加水分解性のアルコキシシリル基を２つ以上有するケイ素化合物を加水分解して架橋重合体粒子を形成した後に、必要に応じて焼成を行うことにより得られる粒子が挙げられる。上記有機無機ハイブリッド粒子としては、例えば、架橋したアルコキシシリルポリマーとアクリル樹脂とにより形成された有機無機ハイブリッド粒子等が挙げられる。

上記導電ペースト１００重量％中、上記絶縁性粒子含有量は好ましくは０．１重量％以上、より好ましくは０．５重量％以上、好ましくは１０重量％以下、より好ましくは５重量％以下である。上記導電ペーストは、絶縁性粒子を含んでいなくてもよい。絶縁性粒子の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、導電ペーストの硬化物により接続される接続対象部材間の間隔、並びにはんだにより接続される接続対象部材間の間隔がより一層適度になる。

（他の成分）
上記導電ペーストは、必要に応じて、例えば、充填剤、増量剤、軟化剤、可塑剤、重合触媒、硬化触媒、着色剤、酸化防止剤、熱安定剤、光安定剤、紫外線吸収剤、滑剤、帯電防止剤及び難燃剤等の各種添加剤を含んでいてもよい。

以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。

ポリマーＡ：
（１）ビスフェノールＦと１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、及びビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との第１の反応物の合成：
ビスフェノールＦ（４，４’−メチレンビスフェノールと２，４’−メチレンビスフェノールと２，２’−メチレンビスフェノールとを重量比で２：３：１で含む）７２重量部と、１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル２７０重量部と、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製「ＥＰＩＣＬＯＮ ＥＸＡ−８３０ＣＲＰ」）３０重量部とを、３つ口フラスコに入れ、窒素フロー下にて、１００℃で溶解させた。その後、水酸基とエポキシ基との付加反応触媒であるテトラーｎ−ブチルスルホニウムブロミド０．１重量部を添加し、窒素フロー下にて、１３０℃で６時間、付加重合反応させることにより第１の反応物を得た。

ＮＭＲにより、付加重合反応が進行したことを確認して、第１の反応物が、ビスフェノールＦに由来する水酸基と１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、及びビスフェノールＦ型エポキシ樹脂のエポキシ基とが結合した構造単位を主鎖に有し、かつエポキシ基を両末端に有することを確認した。

（２）ポリマーＡの合成：
上記第１の反応物１００重量部を、３つ口フラスコに入れ、窒素フロー下にて、１２０℃で溶解させた。その後、信越シリコーン社製「ＫＢＥ−９００７」（３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン）２重量部を添加し、第１の反応物の側鎖水酸基と３−イソシアネートプロピルトリエトキシシランのイソシアネート基との反応触媒であるジラウリン酸ジブチルすず０．００２重量部を添加し、窒素フロー下にて、１２０℃で４時間反応させた。その後、１１０℃にて５時間真空乾燥し、未反応のＫＢＥ−９００７を除去した。

ＮＭＲにて、第１の反応物の側鎖水酸基と、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシランのイソシアネート基との反応が進行したことを確認し、得られた化合物が、ビスフェノールＦに由来する水酸基と１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、及びビスフェノールＦ型エポキシ樹脂のエポキシ基とが結合した構造単位を主鎖に有し、かつ、両末端にエポキシ基を、側鎖にプロピルトリエトキシシラン基を有することを確認した。これによりフェノキシ樹脂（ポリマーＡ）を得た。

熱硬化性化合物１：レゾルシノール型エポキシ化合物、共栄社化学社製「エポライトＴＤＣ−ＬＣ」、エポキシ当量１２０ｇ／ｅｑ

熱硬化性化合物２：エポキシ化合物、ＡＤＥＫＡ社製「ＥＰ−３３００」、エポキシ当量１６０ｇ／ｅｑ

熱硬化剤：トリメチロールプロパントリス（３−メルカプトプロピネート）、ＳＣ有機化学社製「ＴＭＭＰ」

潜在性エポキシ熱硬化剤：Ｔ＆Ｋ ＴＯＫＡ社製「フジキュア７０００」

フラックス：グルタル酸、和光純薬工業社製、融点９６℃

絶縁性粒子：平均粒子径３０μｍ、ＣＶ値５％、軟化点３３０℃、積水化学工業社製、ジビニルベンゼン架橋粒子

はんだ粒子１の作製方法：
はんだ粒子１：
ＳｎＢｉはんだ粒子（三井金属社製「ＤＳ−１０」、平均粒子径（メディアン径）１２μｍ）２００ｇ、イソシアネート基を有するシランカップリング剤（信越シリコーン社製「ＫＢＥ−９００７」）２０ｇ及び、アセトン７０ｇを３つ口フラスコに秤量した。室温で撹拌しながら、はんだ粒子表面の水酸基とイソシアネート基との反応触媒であるジブチルスズラウレート０．２５ｇを添加し、撹拌下、窒素雰囲気下にて１００℃で２時間加熱した。その後、メタノールを１２０ｇ、酢酸０．０５ｇを添加し、撹拌下、窒素雰囲気下にて、６０℃で１時間加熱した。

その後、室温まで冷却し、ろ紙ではんだ粒子をろ過し、真空乾燥にて、室温で１時間脱溶剤を行った。

上記はんだ粒子を、３つ口フラスコに入れ、アセトン４５ｇ、アジピン酸モノエチル４０ｇ、ジメシチルアンモニウムペンタフルオロベンゼンスルホナート０．２ｇを添加し、撹拌下、窒素雰囲気下で６５℃で１時間反応後、真空乾燥することで脱溶剤を行った。

その後、上記はんだ粒子を、３つ口フラスコに入れ、アセトン８５ｇ、アジピン酸４０ｇ、ランタンイソプロポキシド０．５ｇ追加し、６５℃で１時間反応させた後、室温まで冷却し、ろ紙ではんだ粒子をろ過し、ろ紙上ではんだ粒子をアセトンにて２回、ヘキサンにて１回洗浄したのち、真空乾燥にて、室温で１時間脱溶剤を行った。

得られたはんだ粒子をボールミルで解砕した後、所定のＣＶ値となるように篩を選択した。

これにより、はんだ粒子１を得た。得られたはんだ粒子１では、粒子径のＣＶ値は２０％であった。

（はんだ粒子の粒子径のＣＶ値）
ＣＶ値を、レーザー回折式粒度分布測定装置（堀場製作所社製「ＬＡ−９２０」）にて、測定した。

（実施例１，２及び比較例１）
異方性導電ペーストの作製：
下記の表１に示す成分を下記の表１に示す配合量で配合して、異方性導電ペーストを得た。

接続構造体の作製：
Ｌ／Ｓが４５μｍ／４５μｍ、電極長さ３ｍｍの銅電極パターン（銅電極の厚み１２μｍ）を上面に有し、さらにその周辺に複数の銅箔ランドが形成された長尺のキャリアテープを用意した。また、電極のＬ／Ｓが４５μｍ／４５μｍを下面に有する半導体素子を用意した。上記長尺のキャリアテープの上面に、上記異方性導電ペーストを銅電極パターン上で厚さ１００μｍとなるように、塗工し、異方性導電ペースト層を形成した。次に、上記半導体素子をマウンターにて実装した。さらに、はんだペースト（千住金属工業社製「Ｍ７０５−ＧＲＮ３６０−Ｋ２Ｖ」）を上記複数の銅箔ランドに塗布後、１００５サイズのチップ抵抗部品を上記銅箔ランドの塗布膜上にマウンターにて実装した。その後、リフロー炉にて、半導体素子およびチップ抵抗部品を電極に接続した接続構造体を得た。

（評価）
（１）粘度
異方性導電ペーストの２５℃での粘度（η２５）を、Ｅ型粘度計（東機産業社製）を用いて、２５℃及び５ｒｐｍの条件で測定した。

（２）はんだ部の厚み
得られた接続構造体を断面観察することにより、上下の電極間に位置しているはんだ部の厚みを評価した。

（３）電極上のはんだの配置精度１
得られた接続構造体において、第１の電極とはんだ部と第２の電極との積層方向に第１の電極と第２の電極との対向し合う部分をみたときに、第１の電極と第２の電極との対向し合う部分の面積１００％中の、はんだ部が配置されている面積の割合Ｘを評価した。電極上のはんだの配置精度１を下記の基準で判定した。

［電極上のはんだの配置精度１の判定基準］
○○：割合Ｘが７０％以上
○：割合Ｘが６０％以上、７０％未満
△：割合Ｘが５０％以上、６０％未満
×：割合Ｘが５０％未満

結果を下記の表１に示す。

１，１Ｘ…接続構造体
２…テープキャリア
２ａ…第１の電極
３…半導体素子
３ａ…第２の電極
４，４Ｘ…接続部
４Ａ，４ＸＡ…はんだ部
４Ｂ，４ＸＢ…硬化物部
１１…導電ペースト
１１Ａ…はんだ粒子
１１Ｂ…熱硬化性成分

Claims (9)

1. 複数のはんだ粒子、及び、バインダーを含む導電ペーストと、
   テープ基材、及び、前記テープ基材の表面上に第１の電極を有するテープキャリアと、
   半導体素子本体、及び、前記半導体素子本体の表面に第２の電極を有する半導体素子とが用いられ、
   前記テープキャリアの表面上に、前記導電ペーストを配置する第１の配置工程と、
   前記導電ペーストの前記テープキャリア側とは反対の表面上に、前記半導体素子を、前記第１の電極と前記第２の電極とが対向するように配置する第２の配置工程と、
   前記はんだ粒子の融点以上に前記導電ペーストを加熱することで、前記テープキャリアと前記半導体素子とを接続している接続部を、前記導電ペーストにより形成し、かつ、前記第１の電極と前記第２の電極とを、前記接続部中のはんだ部により電気的に接続する接続工程とを備え、
   前記テープキャリアの前記第１の電極と前記接続部と前記半導体素子の前記第２の電極との積層方向に前記第１の電極と前記第２の電極との対向し合う部分をみたときに、前記第１の電極と前記第２の電極との対向し合う部分の面積１００％中の５０％以上に、前記はんだ部が配置されている接続構造体を得る、接続構造体の製造方法。
2. 前記接続工程の前に、前記テープキャリアの表面上に、はんだペーストを配置する工程と、
   前記はんだペーストの前記テープキャリア側とは反対の表面上に、受動素子を配置する工程とを備える、請求項１に記載の接続構造体の製造方法。
3. 得られる接続構造体において、前記テープキャリアの前記第１の電極と前記半導体素子の前記第２の電極との間に位置している前記はんだ部の厚みを、前記導電ペーストに含まれる複数の前記はんだ粒子の平均粒子径の２倍以上にする、請求項１又は２に記載の接続構造体の製造方法。
4. 得られる接続構造体において、前記テープキャリアの前記第１の電極と前記半導体素子の前記第２の電極との間に位置している前記接続部中のはんだ部の厚みを、前記テープキャリアの表面上に配置され、かつ前記半導体素子が配置される前の前記テープキャリアの表面上での前記導電ペーストの厚みの０．２倍以上、０．９倍以下にする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の接続構造体の製造方法。
5. 前記導電ペーストが、複数の前記はんだ粒子の表面に付着していない絶縁性粒子を含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の接続構造体の製造方法。
6. 複数の前記はんだ粒子の外表面に、カルボキシル基が存在する、請求項１〜５のいずれか１項に記載の接続構造体の製造方法。
7. 複数の前記はんだ粒子の平均粒子径が０．５μｍ以上、４０μｍ以下である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の接続構造体の製造方法。
8. 前記導電ペースト１００重量％中、複数の前記はんだ粒子の含有量が１０重量％以上、８０重量％以下である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の接続構造体の製造方法。
9. 前記バインダーが、熱硬化剤を含む、請求項１〜８のいずれか１項に記載の接続構造体の製造方法。

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