JP2017092106A - 異方性導電接続構造体、および異方性導電接続方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】接着した基板の変形をより簡易に抑制した異方性導電接続構造体、および異方性導電接続方法を提供する。【解決手段】所定の方向に配列された複数のバンプを有する電子部品と、前記バンプの各々と対向する複数の電極を有する基板と、前記バンプと、前記電極との各々の間に挟持された導電粒子を含み、前記電子部品と前記基板とを接着する異方性導電接着層と、を備え、前記所定の方向の前記異方性導電接着層の長さは、前記所定の方向の前記電子部品の長さよりも大きく、前記異方性導電接着層では、前記電子部品の中央部の直下の中央領域の反応率は、前記電子部品の端部の直下の部品端領域の反応率よりも高く、前記中央領域の反応率と、前記部品端領域の反応率との差は、30%以下であり、前記部品端領域の反応率と、前記異方性導電接着層の端部の端部領域の反応率との差は30%以上である、異方性導電接続構造体。【選択図】図3
Description
本発明は、異方性導電接続構造体、および異方性導電接続方法に関する。
近年、樹脂を主剤とし、導電粒子を含む接着剤である異方性導電材料を用いて、電子部品および基板などを接着することが一般的になっている。そのため、異方性導電材料の接着強度、および導通性を向上させるための開発が進められている。
例えば、下記の特許文献1には、液晶パネルとフレキシブル回路基板との配線方向の接続長さが0.2〜2.5mmである場合に、配線方向の長さが該接続長さよりも長く、かつ接続する液晶パネルの厚みよりも0.1〜1.5mm長い異方性導電材料を使用することが開示されている。
例えば、下記の特許文献2には、配線板と、駆動IC(Integrated Circuit)とを異方性導電材料にて接続する際に用いる加圧ツールの形状を、各隅が切りかかれた(すなわち、面取りされた)形状とすることが開示されている。特許文献2には、各隅において、異方性導電材料に含まれる導電粒子に過剰な圧力が加わることを抑制することにより、配線板と、駆動ICとの間の導通性を改善することができることが開示されている。
一方で、異方性導電材料を用いて電子部品および基板を接着する場合、接着時の加圧によって電子部品または基板のいずれかが変形してしまうことがあった。例えば、加圧および加熱によって異方性導電接続する場合、接着後、電子部品が熱収縮し、基板を変形させてしまうことがあった。また、接着する電子部品または基板のいずれかの剛性が低い場合、加圧によって変形が生じてしまうことがあった。
そのため、電子部品および基板の変形を抑制するために、例えば、下記の特許文献3には、フレキシブル基板において、加圧ツールによって加圧される面にダミーバンプを設けることで、フレキシブル基板の歪みを抑制する技術が開示されている。
しかし、特許文献3に開示された技術では、基板に新しくダミーバンプを設ける必要があるため、異方性導電接続にかかるコストが増大してしまう。
そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、より簡易に変形を抑制することが可能な、新規かつ改良された異方性導電接続構造体、および異方性導電接続方法を提供することにある。
上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、所定の方向に配列された複数のバンプを有する電子部品と、前記バンプの各々と対向する複数の電極を有する基板と、前記バンプと、前記電極との各々の間に挟持された導電粒子を含み、前記電子部品と前記基板とを接着する異方性導電接着層と、を備え、前記所定の方向の前記異方性導電接着層の長さは、前記所定の方向の前記電子部品の長さよりも大きく、前記異方性導電接着層では、前記電子部品の中央部の直下の中央領域の反応率は、前記電子部品の端部の直下の部品端領域の反応率よりも高く、前記中央領域の反応率と、前記部品端領域の反応率との差は、30%以下であり、前記部品端領域の反応率と、前記異方性導電接着層の端部の端部領域の反応率との差は30%以上である、異方性導電接続構造体が提供される。
前記所定の方向の前記異方性導電接着層の長さは、前記所定の方向の前記電子部品の長さの110%以上であってもよい。
前記部品端領域の反応率と、前記端部領域の反応率との差は、50%以上であってもよい。
前記異方性導電接着層は、異方性導電フィルムであってもよい。
前記電子部品は、集積回路チップであってもよい。
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、複数の電極を有する基板の上に、所定の方向に配列された複数のバンプを有する電子部品を、前記電極の各々と、前記バンプの各々とが対向するように、導電粒子を含む異方性導電接着層を介して配置するステップと、前記電子部品を前記バンプが存在しない面から加圧ツールによって加圧して、前記電子部品と前記基板とを異方性導電接続するステップと、を含み、前記所定の方向の前記異方性導電接着層の長さは、前記所定の方向の前記電子部品の長さよりも大きく、前記所定の方向の前記加圧ツールの長さは、前記所定の方向の前記電子部品のバンプ列の長さよりも大きく、前記所定の方向の前記電子部品の長さよりも小さい、異方性導電接続方法が提供される。
前記所定の方向の前記加圧ツールの長さは、前記所定の方向の前記電子部品の長さの70%より大きくてもよい。
以上説明したように本発明によれば、異方性導電接続構造体の変形をより簡易に抑制することが可能である。
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
<1.本発明の背景>
まず、図1および図2を参照して、本発明の背景について説明する。図1は、異方性導電接続方法を説明する説明図である。また、図2は、異方性導電接続構造体にて生じる変形を説明する説明図である。
まず、図1および図2を参照して、本発明の背景について説明する。図1は、異方性導電接続方法を説明する説明図である。また、図2は、異方性導電接続構造体にて生じる変形を説明する説明図である。
図1に示すように、異方性導電材料10を介して基板30に電子部品20を異方性導電接続する場合、加圧ツール40によって、電子部品20のバンプ21が形成されていない面を加圧および加熱することで、基板30と、電子部品20とを接着する。これにより、基板30と、電子部品20とが異方性導電接続された異方性導電接続構造体を作製することができる。
なお、異方性導電材料10は、例えば、導電粒子11、および熱またはエネルギー線にて硬化する樹脂を含む接着剤である。電子部品20は、例えば、集積回路(Integrated Circuit:IC)チップなどであり、基板30は、例えば、ガラス基板などである。
加圧ツール40によって加圧および加熱された場合、電子部品20のバンプ21と、基板30の電極(図示せず)との間で導電粒子11が押し潰され、かつ加熱によって異方性導電材料10が硬化される。これにより、電子部品20と、基板30とは、異方性導電材料10によって接着される。また、押し潰された導電粒子によって電子部品20のバンプ21と、基板30の電極との間で導通路が形成される。
ここで、バンプ21が配列された方向の電子部品20の両端部では、加圧ツール40による押し込みが過剰になることがある。例えば、加圧ツール40が電子部品20に対して十分に長い場合、長手方向にバンプ21が配列され、細長い矩形状を有する電子部品20の両端部では、加圧ツール40内の領域において、電子部品20の中央部に対してバンプ21の数が相対的に少なくなる。したがって、バンプ21と電極との間の導電粒子11への押圧力は、中央部よりも両端部の方が相対的に大きくなる。そのため、電子部品20の両端部では、電子部品20への押し込みが過剰になってしまう領域が発生することになる。
図2に示すように、異方性導電接続後、常温に戻った電子部品20が熱収縮した場合、押し込みが過剰である電子部品20の両端部では、接着された電子部品20に基板30が引っ張られる。そのため、基板30には、内側に収縮する力が強く働くことなる。したがって、電子部品20の両端部と接着した基板30の領域は、それぞれ電子部品20側に凸に撓み、基板30は電子部品20に略追随して変形してしまう。
このような基板30の変形は、例えば、基板30が液晶ディスプレイ(Liquid Crystal Display:LCD)パネルである場合(すなわち、COG(Chip On Glass)実装の場合)、LCDパネルを透過するバックライトの光の屈折等を変化させ、LCDパネルの表示むらの原因となってしまう。
そこで、異方性導電接続の際に生じる電子部品20および基板30の変形を抑制するために、種々の提案がなされている。
例えば、電子部品20および基板30の変形を抑制するために、加圧ツール40にて加える圧力を減少させることが提案されている。しかし、この方法では、電子部品20のバンプ21と、基板30の電極との間での導電粒子11の押し潰しが弱くなるため、導通の長期信頼性が低下してしまう可能性がある。
例えば、電子部品20の熱収縮の影響を低減させるために、基板30を加熱することで、電子部品20と、基板30との間の温度勾配を少なくすることが提案されている。しかし、このような方法では、電子部品20および基板30の変形を十分に抑制することはできなかった。
例えば、電子部品20および基板30の変形を矯正するために、加圧ツール40等の形状を湾曲させることが提案されている。しかし、この方法では、電子部品20へ同時かつ均一に加圧および加熱することが困難であるため、電子部品20と、基板30との接着にむらが生じてしまう。
そこで、本発明者らは、上記の問題点等を鋭意考察することによって、上述した電子部品20の変形は、異方性導電材料が端部まで一様に硬化されているために生じるという知見を得、本発明を想到するに至った。
本発明の一実施形態に係る異方性導電接続構造体は、電子部品のバンプが配列された方向において、電子部品よりも長い異方性導電材料を用い、異方性導電材料の端部の反応率を制御するものである。これにより、本実施形態に係る異方性導電接続構造体は、電子部品から基板に加えられる応力を緩やかに減少させることができるため、基板の変形を抑制することができる。
<2.異方性導電接続構造体>
以下では、図3を参照して、上記にて概要を説明した本発明の一実施形態に係る異方性導電接続構造体の構成について具体的に説明する。図3は、本実施形態に係る異方性導電接続構造体を電子部品200の長手方向に切断した断面図である。
以下では、図3を参照して、上記にて概要を説明した本発明の一実施形態に係る異方性導電接続構造体の構成について具体的に説明する。図3は、本実施形態に係る異方性導電接続構造体を電子部品200の長手方向に切断した断面図である。
図3に示すように、本実施形態に係る異方性導電接続構造体は、電極(図示せず)が設けられた基板300と、バンプ210が設けられた電子部品200とを異方性導電接着層100にて接着した接続構造体である。
電子部品200は、例えば、平面形状が略矩形状の集積回路チップ(ICチップ)等である。電子部品200には、所定の方向(例えば、電子部品200の長手方向)に配列された複数のバンプ210が設けられ、対向する基板300に設けられた電極(図示せず)と導電粒子110によって電気的に接続される。具体的には、電子部品200は、フレキシブルプリント基板(Flexible Prited Circuits:FPC)、集積回路(Integrated Circuit:IC)チップ、TAB(Tape Automated Bonding)テープ、または液晶パネルなどであってもよい。ICチップの具体例としては、LCDパネル用の液晶画面制御用ICチップなどを例示することができる。
バンプ210の配列方向における電子部品200の長さは、例えば、20mm以上50mm以下であってもよい。また、電子部品200の厚みは、例えば、0.1mm以上0.5mm以下であってもよい。
基板300は、例えば、電極および配線パターン等が形成された基板である。基板300には、電子部品200に設けられたバンプ210と対向する位置に電極(図示せず)が設けられ、それぞれ導電粒子110によってバンプ210と電気的に接続される。具体的には、基板300は、ガラス基板、または樹脂基板などであってもよい。基板300の具体例としては、LCDパネル用のガラス基板などを例示することができる。
バンプ210の配列方向における基板300の長さは、電子部品200よりも十分に大きければ特に制限されないが、例えば、30mm以上200mm以下であってもよい。また、基板300の厚みは、例えば、0.1mm以上0.5mm以下であってもよい。
なお、電子部品200に設けられたバンプ210、および基板300に設けられた電極(図示せず)は、導電性を有する材料で形成される。例えば、バンプ210および電極は、ニッケル、鉄、銅、アルミニウム、スズ、鉛、クロム、コバルト、タングステン、モリブデン、銀、金、および白金などの導電性が高い金属を単独または2種以上用いて形成されてもよい。また、バンプ210および電極の形状は、特に限定されない。
異方性導電接着層100は、導電粒子110と、UV(Ultra Violet)光などのエネルギー線または熱で硬化する硬化性樹脂とを含む接着剤層である。異方性導電接着層100は、硬化性樹脂によって電子部品200と基板300とを接着し、導電粒子110によって電子部品200のバンプ210と、基板300の電極(図示せず)との間の電気的な接続を形成する。
UV光などのエネルギー線または熱で硬化する硬化性樹脂としては、特に限定されないが、例えば、エポキシ樹脂またはアクリル樹脂を用いることができる。エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、または脂環式エポキシ樹脂などを用いることができる。アクリル樹脂としては、メチルアクリレート、エチルアクリレート、イソプロピルアクリレート、イソブチルアクリレート、エポキシアクリレート、エチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジメチロールトリシクロデカンジアクリレート、テトラメチレングリコールテトラアクリレート、2−ヒドロキシ−1,3−ジアクリロキシプロパン、2,2−ビス[4−(アクリロキシメトキシ)フェニル]プロパン、2,2−ビス[4−(アクリロキシエトキシ)フェニル]プロパン、ジシクロペンテニルアクリレート、トリシクロデカニルアクリレート、トリス(アクリロキシエチル)イソシアネレート、またはウレタンアクリレートなどを用いることができる。また、これらの硬化性樹脂は、1種単独で用いられてもよく、2種以上を混合して用いられてもよい。
硬化性樹脂は、硬化剤と併用されることにより、加圧時に硬化し、電子部品200と基板300とを接着する。硬化剤としては、例えば、エポキシ樹脂を硬化させるアニオンまたはカチオン重合型硬化剤、アクリレート樹脂を硬化させるラジカル重合型硬化剤などを適宜選択して用いることができる。また、硬化剤は、通常では反応性が低いものの、熱、光、加圧等のトリガにより活性化されて硬化反応を開始させる硬化剤(いわゆる、潜在性硬化剤)であってもよい。
導電粒子110は、例えば、金属粒子、および金属被覆樹脂粒子である。具体的には、導電粒子110は、ニッケル、コバルト、銅、銀、金、またはパラジウムなどの金属粒子を用いることができる。また、導電粒子110は、スチレン−ジビニルベンゼン共重合体、ベンゾグアナミン樹脂、架橋ポリスチレン樹脂、アクリル樹脂、またはスチレン−シリカ複合樹脂などのコア樹脂粒子の表面をニッケル、銅、金、またはパラジウムなどの金属で被覆した粒子を用いることも可能である。さらに導電粒子110の表面には、金もしくはパラジウムの薄膜、または圧着時には破壊される程度に薄い絶縁樹脂の薄膜などが形成されてもよい。
また、導電粒子110の平均粒子径(粒子の直径の個数平均値)は、例えば、1μm以上20μm以下であってもよく、好ましくは2μm以上10μm以下であってもよい。なお、導電粒子110の平均粒子径は、例えば、レーザー回折・散乱法などによって測定することが可能である。また、導電粒子110の平均粒子径は、画像型の粒度分布測定装置(例えば、FPIA−3000(マルバーン社製))などによって測定することも可能である。
なお、異方性導電接着層100は、膜形成樹脂として、平均分子量が10000〜80000程度のエポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、フェノキシ樹脂などをさらに含んでもよい。また、異方性導電接着層100は、その他の添加剤として、シランカップリング剤、無機フィラー、着色剤、酸化防止剤、および防錆剤等をさらに含んでもよい。
さらに、異方性導電接着層100は、単層で形成されてもよく、複数層にて形成されてもよい。例えば、異方性導電接着層100は、導電粒子110を含む導電粒子含有層と、導電粒子110を含まない絶縁性層との二層構造で形成されてもよい。
異方性導電接着層100は、例えば、PET(ポリエチレンテレフタレート)などのベースフィルム上に導電粒子110を含む硬化性樹脂が塗布された異方性導電フィルム(ACF:Anisotropic Conductive Film)であってもよい。また、異方性導電接着層100は、導電粒子110および硬化性樹脂を含むペースト状の異方性導電ペースト(ACP:Anisotropic Conductive Paste)であってもよい。
ここで、図3に示すように、本実施形態に係る異方性導電接続構造体において、バンプ210の配列方向における異方性導電接着層100の長さは、同配列方向における電子部品200の長さよりも大きい。また、異方性導電接着層100において、電子部品200の中央部の直下の中央領域S1の反応率は、電子部品200の端部の直下の部品端領域S2の反応率よりも高く、中央領域S1の反応率と、部品端領域S2の反応率との差は、30%以下である。具体的には、異方性導電接着層100において、中央領域S1の反応率と、部品端領域S2との反応率の差は、0%より大きく30%以下であり、1%以上30%以下であってもよい。さらに、異方性導電接着層100の端部の端部領域S3の反応率と、部品端領域S2の反応率との差は、30%以上である。
このような場合、異方性導電接着層100では、電子部品200の中央部の直下の中央領域S1と、電子部品200の端部の直下の部品端領域S2と、異方性導電接着層100の端部の端部領域S3との間で、反応率に適切な勾配を設けることにより、基板300の変形を緩和することができる。また、中央領域S1と部品端領域S2との反応率の差よりも、部品端領域S2と端部領域S3との反応率の差の方を大きくすることにより、基板300の変形を吸収することができる。
なお、異方性導電接着層100の反応率は、電子部品200と基板300とを接着した後、5日以内に測定した値である。また、異方性導電接着層100の反応率は、接着前後で異方性導電接着層100に含まれる硬化性樹脂の架橋基の存在割合をFT−IR(フーリエ変換赤外分光法)等の分光法によって測定し、該架橋基の存在割合の低下量から算出することができる。なお、異方性導電接着層100が複数層にて形成される場合、測定した反応率は、異方性導電接着層100の複数層全体での平均となっていると考えられる。
また、バンプ210の配列方向における異方性導電接着層100の長さは、同配列方向における電子部品200の長さの110%以上であることが好ましく、110%よりも大きいことがより好ましく、117%以上であることがさらに好ましい。このような場合、異方性導電接着層100の端部は、電子部品200の端部よりもさらに外側に突出するようになるため、電子部品200から基板300に加えられる応力をさらに緩和し、基板300の変形を抑制することができる。異方性導電接着層100の長さの上限は、基板300の内部での電子部品200以外の部品による制約、および組み立て工程への悪影響がない限り、特にない。ただし、異方性導電接着層100の長さは、コストの面から、電子部品200の長さの150%以下であることが好ましく、基板300の内部のレイアウトへの影響を最小限にするためには、電子部品200の長さの133%以下であることがより好ましい。
また、部品端領域S2の反応率と、端部領域S3の反応率との差は、50%以上が好ましい。このような場合、電子部品200から基板300への応力をさらに緩和することができるため、基板300の変形をさらに抑制することができる。
また、電子部品200のバンプ210が存在する領域での異方性導電接着層100の反応率は、70%以上であることが好ましく、75%以上であることがより好ましく、80%以上であることがさらに好ましい。このような場合、電子部品200と、基板300との接着強度を高くすることができるため、導通の長期信頼性を向上させることができる。すなわち、電子部品200の端部の直下の部品端領域S2の反応率は、70%以上であることが好ましい。また、電子部品200の中央部の直下の中央領域S1の反応率は、S2の反応率よりも高いことが求められる。
さらに、異方性導電接着層100において、電子部品200の中央部の直下の中央領域S1での反応率をR1とし、電子部品200の端部の直下の部品端領域S2での反応率をR2とし、異方性導電接着層100の端部の端部領域S3の反応率をR3とした場合、R2/R1は、1.0未満が好ましく、またR3/R2は、0.5未満が好ましい。異方性導電接着層100の反応率がこのような割合の勾配を持つ場合、電子部品200から基板300への応力をさらに緩和することができるため、基板300の変形をさらに抑制することができる。
以上にて説明したように、本実施形態に係る異方性導電接続構造体によれば、ダミーバンプ等の追加の構成を設けることなく、接着した基板300の変形をより簡易に抑制することが可能である。また、本実施形態に係る異方性導電接続構造体によれば、導通の長期信頼性を維持しつつ、基板300の変形を抑制することが可能である。
<3.異方性導電接続方法>
続いて、図4を参照して、本実施形態に係る異方性導電接続構造体を作製する接続方法について説明する。図4は、本実施形態に係る異方性導電接続方法を説明する説明図である。
続いて、図4を参照して、本実施形態に係る異方性導電接続構造体を作製する接続方法について説明する。図4は、本実施形態に係る異方性導電接続方法を説明する説明図である。
まず、電極(図示せず)が設けられた基板300上に導電粒子110を含む異方性導電接着層100が形成される。異方性導電接着層100の形成方法は、異方性導電フィルムを貼り付ける方法であってもよく、異方性導電ペーストを公知のコーティング法を用いて塗布する方法であってもよい。
次に、電子部品200のバンプ210と、基板300の電極とが対向するように、異方性導電接着層100上に電子部品200が載置され、仮圧着される。仮圧着の方法および条件は、公知の方法および条件を用いることができるが、例えば、異方性導電接着層100が硬化しない程度に加熱および加圧することで、電子部品200と、基板300とを仮圧着してもよい。なお、場合によっては、基板300上に異方性導電接着層100を載置した後に、仮圧着を行ってもよい。
次に、図4に示すように、仮圧着された電子部品200および基板300を加圧ツール400によって加圧および加熱することで、電子部品200と、基板300とを本圧着する。具体的には、加圧ツール400によって加圧および加熱することで、異方性導電接着層100に含まれる硬化性樹脂が硬化し、電子部品200と、基板300とが接着される。また、電子部品200のバンプ210と、基板300の電極との間で導電粒子110が押し潰されることによって導通路が形成される。
ここで、図4に示すように、本実施形態に係る異方性導電接続方法において、バンプ210の配列方向における加圧ツール400の長さは、同配列方向における電子部品200のバンプ210の配列の長さよりも大きく、かつ同配列方向における電子部品200の長さよりも小さい。
バンプ210の配列方向における加圧ツール400の長さが電子部品200のバンプ210の配列の長さよりも大きい場合、電子部品200のバンプ210と、基板300の電極との間で確実に導電粒子110を押し潰し、確実に導通路を形成することができる。また、バンプ210の配列方向における加圧ツール400の長さが電子部品200の長さよりも小さい場合、異方性導電接着層100の端部に加えられる圧力および熱量を緩和し、端部に向かって異方性導電接着層100の反応率を緩やかに減少させることができる。したがって、本実施形態に係る異方性導電接続方法によれば、異方性導電接続構造体の導通の長期信頼性を維持しつつ、基板300の変形を抑制することができる。
また、バンプ210の配列方向における加圧ツール400の長さは、同配列方向における電子部品200の長さの70%より大きいことが好ましい。このような場合、加圧ツール400は、電子部品200の全体をより均一に加圧することができるため、電子部品200と、基板300との接着強度を高め、導通の長期信頼性を向上させることができる。
本実施形態に係る異方性導電接続方法によれば、より簡易な方法で異方性接続構造体の基板300の変形を抑制することが可能である。また、本実施形態に係る異方性導電接続方法によれば、異方性接続構造体の導通の長期信頼性を維持しつつ、基板300の変形を抑制することが可能である。
以下では、実施例および比較例を参照しながら、本実施形態に係る異方性導電接続構造体、および異方性導電接続方法について、より詳細に説明する。なお、以下に示す実施例は、本実施形態の実施可能性および効果を示すための一例であり、本発明が以下の実施例に限定されるものではない。
<異方性導電接続構造体の作製>
以下の方法で異方性導電接着フィルムを作製し、作製した異方性導電接着フィルムにて異方性導電接続構造体を作製した。
以下の方法で異方性導電接着フィルムを作製し、作製した異方性導電接着フィルムにて異方性導電接続構造体を作製した。
(異方性導電接着フィルムの作製)
以下の導電粒子含有層と、絶縁性層とが積層された二層構造の異方性導電接着フィルムを作製した。
以下の導電粒子含有層と、絶縁性層とが積層された二層構造の異方性導電接着フィルムを作製した。
まず、ビスフェノールA型フェノキシ樹脂(YP50、新日鐵化学社製)30質量部、ビスフェノールA型液状エポキシ樹脂(EP828、三菱化学社製)30質量部、イミダゾール系潜在性硬化剤(PHX3941HP、旭化成イーマテリアルズ社製)40質量部、エポキシ系シランカップリング剤(A−187、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製)1質量部、および粒子径3.25μmの導電粒子(ミクロパールAU、積水化学工業社製)35質量部をトルエンに加えて混合し、固形分50%の組成物を調整した。調整した組成物を剥離フィルム(厚さ38μmのシリコーン処理PETシート、以下同じ)上に塗布した後、オーブンで加熱して乾燥させ、厚み8μmの導電粒子含有層を作製した。
次に、ビスフェノールA型フェノキシ樹脂(YP50、新日鐵化学社製)25質量部、ビスフェノールA型液状エポキシ樹脂(EP828、三菱化学社製)35質量部、イミダゾール系潜在性硬化剤(PHX3941HP、旭化成イーマテリアルズ社製)40質量部、およびエポキシ系シランカップリング剤(A−187、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製)1質量部をトルエンに加えて混合し、固形分50%の組成物を調整した。調整した組成物を剥離フィルム上に塗布した後、オーブンで加熱して乾燥させ、厚み12μmの絶縁性層を調整した。
続いて、上記にて作製した導電粒子含有層と、絶縁性層とを貼り合せて、45℃、0.2MPaにて積層することにより、二層構造の異方性導電接着フィルムを作製した。
(仮圧着工程)
続いて、接着面に複数の配線電極がファインピッチにて形成されているガラス基板を基板支持台上に載置した。まず、基板支持台に載置したガラス基板の接着面上に、導電粒子含有層が接着面と対向するように異方性導電接着フィルムを載置した。すなわち、基板支持台上に、下からガラス基板、導電粒子含有層、絶縁性層、および剥離フィルムが順に積層されるように、ガラス基板と、異方性導電接着フィルムとを載置した。
続いて、接着面に複数の配線電極がファインピッチにて形成されているガラス基板を基板支持台上に載置した。まず、基板支持台に載置したガラス基板の接着面上に、導電粒子含有層が接着面と対向するように異方性導電接着フィルムを載置した。すなわち、基板支持台上に、下からガラス基板、導電粒子含有層、絶縁性層、および剥離フィルムが順に積層されるように、ガラス基板と、異方性導電接着フィルムとを載置した。
次に、仮圧着装置である加圧ボンダーのヘッド部を80℃に加熱し、加熱したヘッド部の加圧面を絶縁性層の上面に押し当てて1MPaで2秒間加圧した。この加圧によって、ガラス基板に異方性導電接着フィルムを仮圧着した。
(本圧着工程)
その後、剥離フィルムを剥がし、ガラス基板の配線電極に対応した位置に、高さ15μm、配列幅20mmのバンプ列が形成されているICチップ(外形1.2mm×30mm)を、バンプと配線電極とが対向するように異方性導電接着フィルム上に載置した。
その後、剥離フィルムを剥がし、ガラス基板の配線電極に対応した位置に、高さ15μm、配列幅20mmのバンプ列が形成されているICチップ(外形1.2mm×30mm)を、バンプと配線電極とが対向するように異方性導電接着フィルム上に載置した。
続いて、本圧着装置の加熱ステージを30℃に設定し、加熱ステージ上にガラス基板を固定した。次に、ICチップ内温度が5秒後に45℃、10秒後に90℃となるようにステージ温度を調整しつつ、ICチップ上面を加圧ツールによって60MPaの圧力で5秒間加圧および加熱し、異方性導電接着フィルムを硬化させてICチップを本圧着した。なお、加熱温度は、異方性導電接着フィルム中の硬化性樹脂が硬化温度(約200℃)になる温度を選択した。
本圧着後、即座にガラス基板を加熱ステージから取り除き、接着部の温度を常温に戻した。このような本圧着によってICチップとガラス基板とを異方性導電接続させた接続構造体を作製した。
ここで、バンプの配列方向におけるICチップの長さ、異方性導電接着フィルムの長さ、および加圧ツールの長さを変更して、実施例1〜4、および比較例1〜4に係る異方性接続構造体を作製した。なお、それぞれの長さは、以下の表1に示した。
<異方性導電接続構造体の評価方法>
上記にて作製した実施例1〜4、および比較例1〜4に係る異方性導電接続構造体を以下の評価方法によって評価した。なお、評価結果は、以下の表1に示した。
上記にて作製した実施例1〜4、および比較例1〜4に係る異方性導電接続構造体を以下の評価方法によって評価した。なお、評価結果は、以下の表1に示した。
(反り量の測定)
触針式表面粗度計(SE−3H、小阪研究所社製)を用いて、異方性導電接続構造体のガラス基板を下側からスキャンし、ICチップを圧着した後のガラス基板の反り量(μm)を測定した。なお、スキャン範囲Wは、図5に示すように、ガラス基板300に異方性導電接着フィルム100を介して接着したICチップ200の長手方向における一端部から他端部までの範囲とした。
触針式表面粗度計(SE−3H、小阪研究所社製)を用いて、異方性導電接続構造体のガラス基板を下側からスキャンし、ICチップを圧着した後のガラス基板の反り量(μm)を測定した。なお、スキャン範囲Wは、図5に示すように、ガラス基板300に異方性導電接着フィルム100を介して接着したICチップ200の長手方向における一端部から他端部までの範囲とした。
なお、比較例1に係る異方性導電接続構造体を基準として、反り量の評価を行った。具体的には、反り量が比較例1より3μm以上減少したものを「A」と判定し、反り量が比較例1より3μm未満で減少したものを「B」と判定し、反り量が比較例1と同等のものを「C」と判定して評価した。ここで、比較例1は、実用上問題がない程度の反り量を有する異方性導電接続構造体である。実施例1〜4に係る異方性導電接続構造体は、比較例1に係る異方性導電接続構造体を基準として、さらにガラス基板の反りを低減することが可能なものである。
(抵抗値の測定)
デジタルマルチメーター(デジタルマルチメーター7561、横河電機社製)を用いて、環境試験(85℃/85%/500hr)前後での異方性導電接続構造体の接続抵抗(Ω)を測定した。
デジタルマルチメーター(デジタルマルチメーター7561、横河電機社製)を用いて、環境試験(85℃/85%/500hr)前後での異方性導電接続構造体の接続抵抗(Ω)を測定した。
環境試験(85℃/85%/500hr)前の初期抵抗では、バンプと配線電極との接続部を含む経路での抵抗値が1Ω未満であるものを「A」と判定し、抵抗値が1Ω以上5Ω未満であるものを「B」と判定し、5Ω以上であるものを「C」と判定して評価した。
また、環境試験(85℃/85%/500hr)後の導通信頼性試験では、バンプと配線電極との接続部を含む経路での抵抗値が5Ω未満であるものを「A」と判定し、抵抗値が5Ω以上10Ω未満であるものを「B」と判定し、抵抗値が10Ω以上であるものを「C」と判定して評価した。
(反応率の測定)
異方性導電接着フィルムの反応率は、FT−IR(フーリエ変換赤外分光法)によって硬化性樹脂のエポキシ基の存在割合を測定することで算出した。具体的には、FT−IRにより、圧着前の硬化性樹脂のメチル基に対するエポキシ基の存在比率と、圧着後の硬化性樹脂のメチル基に対するエポキシ基の存在比率とを測定し、圧着前後でのエポキシ基の存在比率の低下割合を反応率として算出した。また、圧着後の硬化性樹脂のメチル基に対するエポキシ基の存在比率は、圧着後、5日以内に測定した。なお、異方性導電接続構造体の各々は、反応率を測定するまでの間、室温(23℃)にて略一定の環境下で保管した。
異方性導電接着フィルムの反応率は、FT−IR(フーリエ変換赤外分光法)によって硬化性樹脂のエポキシ基の存在割合を測定することで算出した。具体的には、FT−IRにより、圧着前の硬化性樹脂のメチル基に対するエポキシ基の存在比率と、圧着後の硬化性樹脂のメチル基に対するエポキシ基の存在比率とを測定し、圧着前後でのエポキシ基の存在比率の低下割合を反応率として算出した。また、圧着後の硬化性樹脂のメチル基に対するエポキシ基の存在比率は、圧着後、5日以内に測定した。なお、異方性導電接続構造体の各々は、反応率を測定するまでの間、室温(23℃)にて略一定の環境下で保管した。
なお、異方性導電接着フィルムの反応率は、ICチップの中央部の直下の中央領域S1(反応率R1)、ICチップの端部の直下の部品端領域S2(反応率R2)、および異方性導電接着フィルムの端部領域S3(反応率R3)の三か所でそれぞれ算出した。表1に示す反応率は、それぞれ3つの異方性導電接続構造体にて算出した反応率の平均値である(N=3)。
<評価結果>
実施例1〜4、および比較例1〜4に係る異方性導電接続構造体の評価結果を以下の表1に示す。
実施例1〜4、および比較例1〜4に係る異方性導電接続構造体の評価結果を以下の表1に示す。
なお、表1において、「ツール長さ」、「チップ長さ」、および「フィルム長さ」は、バンプの配列方向の長さを表す。また、「ツール長さ」は、加圧ツールの長さを表し、「チップ長さ」は、ICチップの長さを表し、「フィルム長さ」は、異方性導電接着フィルムの長さを表す。
表1の結果を参照すると、実施例1〜4に係る異方性導電接続構造体は、異方性導電フィルムの長さがICチップの長さよりも大きく、かつ異方性導電フィルムの各領域の反応率が本発明の関係を満たすことがわかる。したがって、実施例1〜4に係る異方性導電接続構造体は、ガラス基板の反り量が実用上問題ない値からさらに小さくなっており、かつ初期抵抗および長期抵抗のいずれも小さいことがわかる。
また、実施例1〜4に係る異方性導電接続構造体は、ICチップの長さよりも長い異方性導電フィルムを用い、ICチップのバンプ配列幅よりも長く、ICチップの長さよりも短い加圧ツールにて異方性導電接続されていることがわかる。
なお、バンプが存在する領域での異方性導電接着フィルムの反応率は、ICチップの中央部の直下の中央領域S1の反応率R1と、ICチップの端部の直下の部品端領域S2の反応率R2との間の値であると推測される。実施例2では、反応率R2が74%であるため、バンプが存在する領域での異方性導電接着フィルムの反応率は、75%以上であることが推測される。
一方、比較例3に係る異方性導電接続構造体は、異方性導電フィルムの長さがICチップの長さと同じであるため、ガラス基板の反り量が比較例1と同程度となっていることがわかる。
また、比較例1および4に係る異方性導電接続構造体は、異方性導電フィルムの反応率R1と反応率R2とが同じであるため、ガラス基板の反り量が比較例1と同程度となっていることがわかる。また、比較例1および4に係る異方性導電接続構造体では、ICチップの長さと同じ長さの加圧ツールにて異方性導電接続しているため、ガラス基板の反り量が比較例1と同程度となっている。
さらに、比較例2に係る異方性導電接続構造体は、異方性導電フィルムの各領域の反応率が本発明の関係を満たさないため、長期抵抗が高くなっていることがわかる。比較例2に係る異方性導電接続構造体では、ICチップの70%以下の長さの加圧ツールにて異方性導電接続しているため、長期抵抗が高くなっている。
なお、実施例1〜4に係る異方性導電接続構造体を40℃の環境下に12時間放置したところ、反応率R1、R2、およびR3は、いずれも80%以上になった。このとき、異方性導電接続構造体の反り量は、表1の評価結果よりも悪化することはなかった。
以上にて説明したように、本実施形態に係る異方性導電接続構造体は、接着した基板の変形をより簡易に抑制することが可能である。また、本実施形態に係る異方性導電接続構造体は、導通の長期信頼性を維持しつつ、基板の変形を抑制することが可能である。
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
100 異方性導電接着層
110 導電粒子
200 電子部品
210 バンプ
300 基板
400 加圧ツール
110 導電粒子
200 電子部品
210 バンプ
300 基板
400 加圧ツール
Claims (7)
- 所定の方向に配列された複数のバンプを有する電子部品と、
前記バンプの各々と対向する複数の電極を有する基板と、
前記バンプと、前記電極との各々の間に挟持された導電粒子を含み、前記電子部品と前記基板とを接着する異方性導電接着層と、
を備え、
前記所定の方向の前記異方性導電接着層の長さは、前記所定の方向の前記電子部品の長さよりも大きく、
前記異方性導電接着層では、前記電子部品の中央部の直下の中央領域の反応率は、前記電子部品の端部の直下の部品端領域の反応率よりも高く、前記中央領域の反応率と、前記部品端領域の反応率との差は、30%以下であり、前記部品端領域の反応率と、前記異方性導電接着層の端部の端部領域の反応率との差は30%以上である、異方性導電接続構造体。 - 前記所定の方向の前記異方性導電接着層の長さは、前記所定の方向の前記電子部品の長さの110%以上である、請求項1に記載の異方性導電接続構造体。
- 前記部品端領域の反応率と、前記端部領域の反応率との差は、50%以上である、請求項1または2に記載の異方性導電接続構造体。
- 前記異方性導電接着層は、異方性導電フィルムである、請求項1〜3のいずれか一項に記載の異方性導電接続構造体。
- 前記電子部品は、集積回路チップである、請求項1〜4のいずれか一項に記載の異方性導電接続構造体。
- 複数の電極を有する基板の上に、所定の方向に配列された複数のバンプを有する電子部品を、前記電極の各々と、前記バンプの各々とが対向するように、導電粒子を含む異方性導電接着層を介して配置するステップと、
前記電子部品を前記バンプが存在しない面から加圧ツールによって加圧して、前記電子部品と前記基板とを異方性導電接続するステップと、
を含み、
前記所定の方向の前記異方性導電接着層の長さは、前記所定の方向の前記電子部品の長さよりも大きく、
前記所定の方向の前記加圧ツールの長さは、前記所定の方向の前記電子部品のバンプ列の長さよりも大きく、前記所定の方向の前記電子部品の長さよりも小さい、異方性導電接続方法。 - 前記所定の方向の前記加圧ツールの長さは、前記所定の方向の前記電子部品の長さの70%より大きい、請求項6に記載の異方性導電接続方法。
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JP2015216693A JP2017092106A (ja) | 2015-11-04 | 2015-11-04 | 異方性導電接続構造体、および異方性導電接続方法 |
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JP2017138377A (ja) * | 2016-02-02 | 2017-08-10 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
-
2015
- 2015-11-04 JP JP2015216693A patent/JP2017092106A/ja active Pending
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