JP2017083678A - Electro-optical device and electronic apparatus - Google Patents

Electro-optical device and electronic apparatus Download PDF

Info

Publication number
JP2017083678A
JP2017083678A JP2015212623A JP2015212623A JP2017083678A JP 2017083678 A JP2017083678 A JP 2017083678A JP 2015212623 A JP2015212623 A JP 2015212623A JP 2015212623 A JP2015212623 A JP 2015212623A JP 2017083678 A JP2017083678 A JP 2017083678A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
substrate
light
conductive film
electro
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2015212623A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
仁也 長澤
Kimiya Nagasawa
仁也 長澤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2015212623A priority Critical patent/JP2017083678A/en
Publication of JP2017083678A publication Critical patent/JP2017083678A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electro-optical device that can prevent leakage of light from a peripheral area surrounding a display area, and an electronic apparatus including the electro-optical device.SOLUTION: A liquid crystal panel 110 comprises a light-blocking conductive film 8 that is arranged on a layer different from a pixel electrode 15 in a peripheral area E2 of an element substrate 10 as a first substrate, and is supplied with a potential that controls a liquid crystal layer 50 to display black between an opposing substrate 20 as a second substrate and a common electrode 23.SELECTED DRAWING: Figure 5

Description

本発明は、電気光学装置、電気光学装置を備えた電子機器に関する。   The present invention relates to an electro-optical device and an electronic apparatus including the electro-optical device.

電気光学装置として、画素ごとにスイッチング素子を有するアクティブ駆動型の液晶装置が挙げられる。液晶装置は、一対の基板を所定の間隔で対向配置し、その隙間に液晶を充填して液晶層が構成される。液晶装置の表示領域には、複数の画素が配置されており、表示領域における表示を見易くするため、一対の基板のうち一方の基板には、表示領域を囲む遮光部が設けられている。遮光部が表示領域の外縁との間にわずかな隙間を有して配置されている場合、該隙間から光が漏れることで表示品質の低下を招くおそれがあった。   Examples of the electro-optical device include an active drive type liquid crystal device having a switching element for each pixel. In a liquid crystal device, a pair of substrates are arranged to face each other at a predetermined interval, and a liquid crystal layer is configured by filling liquid crystal in the gap. A plurality of pixels are arranged in the display area of the liquid crystal device, and in order to make the display in the display area easy to see, one of the pair of substrates is provided with a light shielding portion surrounding the display area. When the light-shielding part is arranged with a slight gap between the outer edge of the display area, there is a possibility that display quality may be deteriorated due to light leaking from the gap.

係る不具合を改善するため、例えば特許文献1には、第1の基板において、複数の画素電極が配置された表示領域の周囲を覆うように遮光用電極を形成し、画像表示中は、遮光用電極と、第2の基板の対向電極との間に黒表示となる電位を供給する液晶表示装置が開示されている。   In order to improve such a problem, for example, in Patent Document 1, a light shielding electrode is formed on the first substrate so as to cover the periphery of a display area in which a plurality of pixel electrodes are arranged. A liquid crystal display device that supplies a potential for black display between an electrode and a counter electrode of a second substrate is disclosed.

また、例えば特許文献2には、第1基板において、表示領域の周りの外周領域内に画素電極と接しないように配置されると共に、上記外周領域の外縁近傍まで延在している第1調光電極と、第2基板において、上記外周領域内に第1調光電極に対向して配置された光透過性の第2調光電極とを有し、表示領域の表示状態にかかわらず、第1調光電極と第2調光電極との間の電圧を制御可能とする液晶表示装置が開示されている。また、画像表示の際に、調光電極間の液晶を遮光状態とすることが示されている。   Further, for example, in Patent Document 2, in the first substrate, the first substrate is arranged in the outer peripheral region around the display region so as not to contact the pixel electrode and extends to the vicinity of the outer edge of the outer peripheral region. In the second substrate, the second substrate has a light-transmissive second dimming electrode disposed opposite to the first dimming electrode in the outer peripheral region, and the first substrate has a first electrode regardless of the display state of the display region. A liquid crystal display device that can control the voltage between the first dimming electrode and the second dimming electrode is disclosed. Further, it is shown that the liquid crystal between the dimming electrodes is in a light-shielding state when displaying an image.

上記特許文献1や特許文献2によれば、いずれも表示領域の周辺における光漏れを防止することが可能であるとしている。   According to Patent Document 1 and Patent Document 2 described above, it is possible to prevent light leakage around the display area.

特開2002−6328号公報JP 2002-6328 A 特開2006−343529号公報JP 2006-343529 A

しかしながら、上記特許文献1の遮光用電極や上記特許文献2の第1調光電極は、一方の基板上において画素電極と同層に形成されており、画素電極が透明電極からなる場合、遮光用電極や第1調光電極もまた透明電極であると推察される。したがって、これらの電極に対して液晶層を挟んで配置された光透過性の対向電極や第2調光電極との間に電圧を印加して、黒表示あるいは液晶層を遮光状態としても、液晶層における液晶分子の配向状態によってはわずかに光漏れが生ずるおそれがあった。   However, the light shielding electrode of Patent Document 1 and the first light control electrode of Patent Document 2 are formed in the same layer as the pixel electrode on one substrate, and when the pixel electrode is made of a transparent electrode, the light shielding electrode. It is presumed that the electrode and the first dimming electrode are also transparent electrodes. Therefore, even if a voltage is applied between the light-transmitting counter electrode and the second dimming electrode arranged with the liquid crystal layer sandwiched between these electrodes, black display or liquid crystal layer is blocked, the liquid crystal Depending on the alignment state of the liquid crystal molecules in the layer, there was a risk of slight light leakage.

具体的には、画素電極と同層に遮光用電極や第1調光用電極が形成されているため、これらの電極と画素電極との間に横電界が生ずると、該横電界によって液晶層における液晶分子の配向状態が乱れて、黒表示あるいは遮光状態が不安定となり、光漏れが生ずるおそれがあった。   Specifically, since the light shielding electrode and the first dimming electrode are formed in the same layer as the pixel electrode, when a horizontal electric field is generated between these electrodes and the pixel electrode, the liquid crystal layer is generated by the horizontal electric field. In this case, the orientation state of the liquid crystal molecules is disturbed, the black display or the light shielding state becomes unstable, and light leakage may occur.

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。   SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following forms or application examples.

[適用例]本適用例に係る電気光学装置は、表示領域に配置された画素電極を有する第1基板と、少なくとも前記表示領域に亘って配置された対向電極を有する第2基板と、前記第1基板と前記第2基板とにより挟持され、前記画素電極と前記対向電極との間の電界によって制御される液晶層と、前記第2基板の前記表示領域の周辺領域において、前記表示領域を囲むように配置された遮光膜と、前記第1基板の前記周辺領域において前記画素電極と異なる層に配置され、前記対向電極との間で前記液晶層を黒表示に制御する電位が供給される遮光性の導電膜と、を備えたことを特徴とする。   Application Example An electro-optical device according to this application example includes a first substrate having pixel electrodes arranged in a display region, a second substrate having counter electrodes arranged at least over the display region, and the first substrate. A liquid crystal layer sandwiched between one substrate and the second substrate and controlled by an electric field between the pixel electrode and the counter electrode, and surrounding the display region in the peripheral region of the display region of the second substrate The light shielding film is arranged in a layer different from the pixel electrode in the peripheral region of the first substrate and is supplied with a potential for controlling the liquid crystal layer to display black between the counter electrode. And an electrically conductive film.

本適用例によれば、表示領域の周辺において第2基板側から入射する光は遮光膜によって遮光される。また、対向電極との間で液晶層を黒表示とする導電膜は遮光性であるため、黒表示においてわずかな光漏れがあったとしても、導電膜に入射した光は遮光される。さらに、導電膜は画素電極と異なる層に配置されているため、画素電極との間で横電界が生じ難い。すなわち、表示領域の周辺における光漏れを防止可能な電気光学装置を提供することができる。   According to this application example, light incident from the second substrate side around the display area is shielded by the light shielding film. In addition, since the conductive film in which the liquid crystal layer displays black with respect to the counter electrode is light-blocking, light incident on the conductive film is blocked even if there is a slight light leakage in black display. Further, since the conductive film is arranged in a layer different from that of the pixel electrode, a horizontal electric field hardly occurs between the pixel electrode. That is, it is possible to provide an electro-optical device that can prevent light leakage around the display area.

上記適用例に記載の電気光学装置において、前記導電膜は、前記第1基板において前記画素電極の下層に絶縁膜を介して配置されていることを特徴とする。
この構成によれば、導電膜と画素電極との間の横電界の発生を抑制できる。
In the electro-optical device according to the application example, it is preferable that the conductive film is disposed below the pixel electrode on the first substrate via an insulating film.
According to this configuration, generation of a lateral electric field between the conductive film and the pixel electrode can be suppressed.

上記適用例に記載の電気光学装置において、前記導電膜には、前記対向電極の電位と同じ電位が供給されることが好ましい。
この構成によれば、導電膜と対向電極との間で電界が生じないので、導電膜と対向電極との間の液晶層における液晶分子の配向状態は電界の影響を受けずに安定した状態となる。つまり、液晶層に電界を生じさせない状態で黒表示を実現できる。
In the electro-optical device according to the application example described above, it is preferable that the conductive film is supplied with the same potential as the potential of the counter electrode.
According to this configuration, since no electric field is generated between the conductive film and the counter electrode, the alignment state of the liquid crystal molecules in the liquid crystal layer between the conductive film and the counter electrode is stable without being affected by the electric field. Become. That is, black display can be realized in a state where no electric field is generated in the liquid crystal layer.

上記適用例に記載の電気光学装置において、前記第2基板の外縁と前記遮光膜の外縁との間に配置され、前記第1基板と前記第2基板とを接着させるシールを備え、前記シールは、光硬化型の接着剤からなることを特徴とする。
この構成によれば、シールが設けられた領域には遮光膜が配置されていないので、光を照射することでシールを確実に硬化させることができる。その一方で、シールと遮光膜との間の液晶層は黒表示であることから、シールと遮光膜との間に隙間があっても、当該隙間からの光漏れを防止することができる。
In the electro-optical device according to the application example, the electro-optical device includes a seal that is disposed between an outer edge of the second substrate and an outer edge of the light-shielding film, and bonds the first substrate and the second substrate. It is characterized by comprising a photo-curing adhesive.
According to this configuration, since the light shielding film is not disposed in the region where the seal is provided, the seal can be reliably cured by irradiating light. On the other hand, since the liquid crystal layer between the seal and the light shielding film displays black, even if there is a gap between the seal and the light shielding film, light leakage from the gap can be prevented.

上記適用例に記載の電気光学装置において、前記第1基板の前記シールが配置されたシール領域と前記周辺領域とに配置された透明導電膜を、さらに備えることが好ましい。
この構成によれば、シール領域と周辺領域とに透明導電膜を設けない場合に比べて、シールを透過した水分などが周辺領域における基板表面に吸着され難くなる。つまり、シールを透過した水分などにより信頼性品質が低下することを抑制できる。
In the electro-optical device according to the application example described above, it is preferable that the electro-optical device further includes a transparent conductive film disposed in a seal region where the seal is disposed on the first substrate and the peripheral region.
According to this configuration, moisture or the like that has passed through the seal is less likely to be adsorbed on the substrate surface in the peripheral region as compared to the case where the transparent conductive film is not provided in the seal region and the peripheral region. That is, it is possible to suppress the deterioration of reliability quality due to moisture that has passed through the seal.

上記適用例に記載の電気光学装置において、前記透明導電膜は、前記第1基板の少なくとも前記シール領域において分断されていることが好ましい。
この構成によれば、シールと第1基板との間で、透明導電膜が分断されることに伴う凹凸が生ずるので、シールと第1基板との密着性を向上させて、水分などの浸入を低減し、高い信頼性品質を有する電気光学装置を提供することができる。
In the electro-optical device according to the application example, it is preferable that the transparent conductive film is divided at least in the seal region of the first substrate.
According to this configuration, unevenness is generated due to the separation of the transparent conductive film between the seal and the first substrate, so that the adhesion between the seal and the first substrate is improved, so that moisture and the like can enter. It is possible to provide an electro-optical device that is reduced and has high reliability quality.

上記適用例に記載の電気光学装置において、前記透明導電膜は、電気的にフローティング状態であることが好ましい。
この構成によれば、透明導電膜と画素電極との間で横電界が生じ難いので、周辺領域の液晶層において安定した黒表示状態を実現できる。
In the electro-optical device according to the application example, it is preferable that the transparent conductive film is in an electrically floating state.
According to this configuration, since a horizontal electric field is hardly generated between the transparent conductive film and the pixel electrode, a stable black display state can be realized in the liquid crystal layer in the peripheral region.

[適用例]本適用例に係る電子機器は、上記適用例に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする。
本適用例によれば、表示領域の周辺領域における光漏れが防止され、優れた表示品質を有する電子機器を提供することができる。
[Application Example] An electronic apparatus according to this application example includes the electro-optical device according to the application example described above.
According to this application example, it is possible to provide an electronic device having excellent display quality by preventing light leakage in the peripheral region of the display region.

電気光学装置としての液晶装置の構成を示す概略平面図。FIG. 2 is a schematic plan view showing a configuration of a liquid crystal device as an electro-optical device. 図1のH−H’線に沿う液晶装置の構造を示す概略断面図。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing the structure of the liquid crystal device along the line H-H ′ in FIG. 1. 液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。FIG. 3 is an equivalent circuit diagram illustrating an electrical configuration of the liquid crystal device. 液晶装置の画素の構造を示す概略断面図。FIG. 4 is a schematic cross-sectional view illustrating a structure of a pixel of a liquid crystal device. 図1のA−A’線に沿った液晶装置の周辺領域における遮光構造を示す要部断面図。FIG. 2 is an essential part cross-sectional view showing a light shielding structure in a peripheral region of the liquid crystal device along the line A-A ′ of FIG. 1. 液晶装置の周辺領域における透明導電膜の配置を示す概略平面図。The schematic plan view which shows arrangement | positioning of the transparent conductive film in the peripheral region of a liquid crystal device. 電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図。Schematic which shows the structure of the projection type display apparatus as an electronic device.

以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。   DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the invention will be described with reference to the drawings. Note that the drawings to be used are appropriately enlarged or reduced so that the part to be described can be recognized.

本実施形態では、電気光学装置として、スイッチング素子である薄膜トランジスター(Thin Film Transistor;TFT)を画素ごとに備えたアクティブ駆動型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば後述する投射型表示装置(液晶プロジェクター)の光変調手段(液晶ライトバルブ)として好適に用いることができるものである。   In the present embodiment, an active drive type liquid crystal device including a thin film transistor (TFT) as a switching element for each pixel will be described as an example of an electro-optical device. This liquid crystal device can be suitably used, for example, as light modulation means (liquid crystal light valve) of a projection display device (liquid crystal projector) described later.

(第1実施形態)
<電気光学装置>
まず、本実施形態の電気光学装置としての液晶装置について、図1〜図3を参照して説明する。図1は電気光学装置としての液晶装置の構成を示す概略平面図、図2は図1のH−H’線に沿う液晶装置の構造を示す概略断面図である。図3は液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。
(First embodiment)
<Electro-optical device>
First, a liquid crystal device as an electro-optical device according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a schematic plan view showing the configuration of a liquid crystal device as an electro-optical device, and FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing the structure of the liquid crystal device along the line HH ′ in FIG. FIG. 3 is an equivalent circuit diagram showing an electrical configuration of the liquid crystal device.

図1及び図2に示すように、本実施形態の電気光学装置としての液晶装置100は、対向配置された素子基板10及び対向基板20と、これら一対の基板によって挟持された液晶層50とを備えた液晶パネル110を有する。素子基板10の基材10s及び対向基板20の基材20sは、それぞれ透明な例えば石英基板やガラス基板が用いられている。素子基板10が本発明の第1基板に相当し、対向基板20が本発明の第2基板に相当するものである。   As shown in FIGS. 1 and 2, a liquid crystal device 100 as an electro-optical device according to the present embodiment includes an element substrate 10 and a counter substrate 20 that are disposed to face each other, and a liquid crystal layer 50 that is sandwiched between the pair of substrates. The liquid crystal panel 110 is provided. As the base material 10s of the element substrate 10 and the base material 20s of the counter substrate 20, for example, transparent quartz substrates or glass substrates are used, respectively. The element substrate 10 corresponds to the first substrate of the present invention, and the counter substrate 20 corresponds to the second substrate of the present invention.

素子基板10は対向基板20よりも大きく、両基板は、対向基板20の外縁に沿って配置されたシール40を介して間隔を置いて貼り合わされている。額縁状に配置されたシール40の内側に液晶が注入され液晶層50が構成されている。なお、上記間隔に液晶を注入する方法は、例えば、額縁状に配置されたシール40の内側に液晶を滴下して、減圧下で素子基板10と対向基板20とを貼り合わせるODF(One Drop Fill)法が挙げられる。
シール40は、例えば熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤を用いることができる。本実施形態では、紫外線硬化型のエポキシ樹脂が採用されている。シール40には、一対の基板の上記間隔を一定に保持するためのスペーサー(図示省略)が混入されている。
The element substrate 10 is larger than the counter substrate 20, and both the substrates are bonded to each other with a seal 40 disposed along the outer edge of the counter substrate 20. Liquid crystal is injected inside the seal 40 arranged in a frame shape to form a liquid crystal layer 50. The method of injecting the liquid crystal at the above-described interval is, for example, an ODF (One Drop Fill) in which the liquid crystal is dropped inside the seal 40 arranged in a frame shape, and the element substrate 10 and the counter substrate 20 are bonded under reduced pressure. ) Method.
For example, an adhesive such as a thermosetting or ultraviolet curable epoxy resin can be used for the seal 40. In the present embodiment, an ultraviolet curable epoxy resin is employed. The seal 40 is mixed with a spacer (not shown) for keeping the distance between the pair of substrates constant.

シール40の内側には、マトリックス状に配列した複数の画素Pを含む表示領域E1が設けられている。また、シール40と表示領域E1との間に表示領域E1を取り囲んで遮光膜としての見切り部21が設けられている。見切り部21は、例えば遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなる。   Inside the seal 40, a display area E1 including a plurality of pixels P arranged in a matrix is provided. Further, a parting portion 21 as a light shielding film is provided between the seal 40 and the display area E1 so as to surround the display area E1. The parting portion 21 is made of, for example, a light shielding metal or metal oxide.

素子基板10には、複数の外部接続用端子104が配列した端子部が設けられている。該端子部に沿った第1の辺部とシール40との間にデータ線駆動回路101が設けられている。また、第1の辺部に対向する第2の辺部に沿ったシール40と表示領域E1との間に検査回路103が設けられている。さらに、第1の辺部と直交し互いに対向する第3及び第4の辺部に沿ったシール40と表示領域E1との間に走査線駆動回路102が設けられている。第2の辺部のシール40と検査回路103との間に、2つの走査線駆動回路102を繋ぐ複数の配線(図示省略)が設けられている。   The element substrate 10 is provided with a terminal portion in which a plurality of external connection terminals 104 are arranged. A data line driving circuit 101 is provided between the first side portion along the terminal portion and the seal 40. An inspection circuit 103 is provided between the seal 40 along the second side facing the first side and the display area E1. Further, a scanning line driving circuit 102 is provided between the seal 40 and the display area E1 along the third and fourth sides that are orthogonal to the first side and face each other. A plurality of wirings (not shown) that connect the two scanning line driving circuits 102 are provided between the seal 40 on the second side and the inspection circuit 103.

これらデータ線駆動回路101、走査線駆動回路102に繋がる配線(図示省略)は、第1の辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子104に接続されている。なお、検査回路103の配置はこれに限定されず、データ線駆動回路101と表示領域E1との間のシール40の内側に沿った位置に設けてもよい。
以降、第1の辺部に沿った方向をX方向とし、第3の辺部に沿った方向をY方向として説明する。また、対向基板20側から素子基板10側に向かう方向に沿って見ることを「平面視」または「平面的に」と言う。
Wirings (not shown) connected to the data line driving circuit 101 and the scanning line driving circuit 102 are connected to a plurality of external connection terminals 104 arranged along the first side. The arrangement of the inspection circuit 103 is not limited to this, and may be provided at a position along the inside of the seal 40 between the data line driving circuit 101 and the display area E1.
In the following description, the direction along the first side is defined as the X direction, and the direction along the third side is defined as the Y direction. Further, viewing along the direction from the counter substrate 20 side toward the element substrate 10 side is referred to as “plan view” or “planar”.

図2に示すように、素子基板10の液晶層50側の表面には、画素Pごとに設けられた透光性の画素電極15及びスイッチング素子である薄膜トランジスター(以降、TFTと呼称する)30と、信号配線と、これらを覆う配向膜18とが形成されている。また、画素電極15が設けられた表示領域E1の外縁とシール40との間の周辺領域E2と、シール40が設けられたシール領域E3とには、それぞれ島状に且つ電気的に独立して透明導電膜16が設けられている。素子基板10は、基材10sと、基材10s上に形成された画素電極15、透明導電膜16、TFT30、信号配線、配向膜18を含むものである。素子基板10の詳しい構成については、後述する。   As shown in FIG. 2, on the surface of the element substrate 10 on the liquid crystal layer 50 side, a transparent pixel electrode 15 provided for each pixel P and a thin film transistor (hereinafter referred to as TFT) 30 as a switching element. In addition, a signal wiring and an alignment film 18 covering these are formed. Further, the peripheral area E2 between the outer edge of the display area E1 where the pixel electrode 15 is provided and the seal 40 and the seal area E3 where the seal 40 is provided are island-like and electrically independent of each other. A transparent conductive film 16 is provided. The element substrate 10 includes a base material 10s, a pixel electrode 15, a transparent conductive film 16, a TFT 30, a signal wiring, and an alignment film 18 formed on the base material 10s. A detailed configuration of the element substrate 10 will be described later.

素子基板10に対向配置される対向基板20は、基材20sと、基材20s上に形成された見切り部21と、これを覆うように成膜された平坦化層22と、平坦化層22を覆い、基材20sのほぼ全面に亘って設けられた対向電極としての共通電極23と、共通電極23を覆う配向膜24とを含むものである。対向基板20において遮光膜としての見切り部21が設けられた領域を見切り領域E4と呼ぶこととする。   The counter substrate 20 disposed to face the element substrate 10 includes a base material 20s, a parting portion 21 formed on the base material 20s, a planarization layer 22 formed so as to cover the base material 20s, and a planarization layer 22. And a common electrode 23 as a counter electrode provided over substantially the entire surface of the base material 20s, and an alignment film 24 covering the common electrode 23. A region where the parting portion 21 as the light shielding film is provided in the counter substrate 20 is referred to as a parting region E4.

見切り部21は、図1に示すように表示領域E1を取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路102、検査回路103と重なる位置に設けられている。これにより対向基板20側からこれらの回路に入射する光を遮蔽して、これらの回路が光によって誤動作することを防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が表示領域E1に入射しないように遮蔽して、表示領域E1の表示における高いコントラストを確保している。なお、表示領域E1の外縁と見切り領域E4の内縁との間には、素子基板10と対向基板20との貼り合わせにおける位置精度を考慮して、わずかではあるが隙間がある(図1参照)。また、前述したように、本実施形態では紫外線硬化型のエポキシ樹脂を用いてシール40が形成されているため、見切り部21は平面視でシール40と重ならないように配置されている。よって、シール領域E3の内縁と見切り領域E4の外縁との間には、素子基板10と対向基板20との貼り合わせにおける位置精度とシール40の紫外線硬化性とを考慮して、わずかではあるが隙間がある(図1参照)。   As shown in FIG. 1, the parting part 21 surrounds the display area E1 and is provided at a position overlapping the scanning line driving circuit 102 and the inspection circuit 103 in plan view. This serves to shield the light incident on these circuits from the counter substrate 20 side and prevent these circuits from malfunctioning due to the light. Further, unnecessary stray light is shielded from entering the display area E1, and high contrast is ensured in the display of the display area E1. Note that there is a slight gap between the outer edge of the display area E1 and the inner edge of the parting area E4 in consideration of the positional accuracy in bonding the element substrate 10 and the counter substrate 20 (see FIG. 1). . Further, as described above, in this embodiment, the seal 40 is formed using an ultraviolet curable epoxy resin, and therefore the parting portion 21 is arranged so as not to overlap the seal 40 in a plan view. Therefore, the position between the inner edge of the seal region E3 and the outer edge of the parting region E4 is slightly in consideration of the positional accuracy in bonding the element substrate 10 and the counter substrate 20 and the ultraviolet curing property of the seal 40. There is a gap (see FIG. 1).

平坦化層22は、例えば酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して見切り部21を覆うように設けられている。このような平坦化層22の形成方法としては、例えばプラズマCVD法などを用いて成膜する方法が挙げられる。   The planarization layer 22 is made of an inorganic material such as silicon oxide, for example, and is provided so as to cover the parting portion 21 with light transmittance. As a method for forming such a planarizing layer 22, for example, a method of forming a film using a plasma CVD method or the like can be given.

共通電極23は、例えばITO(Indium Tin Oxide)などの透明導電膜からなり、平坦化層22を覆うと共に、図1に示すように対向基板20の四隅に設けられた上下導通部106に電気的に接続されている。上下導通部106は、素子基板10側の配線に電気的に接続している。   The common electrode 23 is made of a transparent conductive film such as ITO (Indium Tin Oxide), for example, covers the planarization layer 22 and is electrically connected to the vertical conduction portions 106 provided at the four corners of the counter substrate 20 as shown in FIG. It is connected to the. The vertical conduction part 106 is electrically connected to the wiring on the element substrate 10 side.

画素電極15を覆う配向膜18及び共通電極23を覆う配向膜24は、液晶装置100の光学設計に基づいて選定される。配向膜18,24は、例えば、ポリイミドなどの有機材料を成膜して、その表面をラビングすることにより、正の誘電異方性を有する液晶分子に対して略水平配向処理が施された有機配向膜や、気相成長法を用いてSiOx(酸化シリコン)などの無機材料を成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子に対して略垂直配向させた無機配向膜が挙げられる。   The alignment film 18 that covers the pixel electrode 15 and the alignment film 24 that covers the common electrode 23 are selected based on the optical design of the liquid crystal device 100. The alignment films 18 and 24 are organic materials in which a substantially horizontal alignment process is performed on liquid crystal molecules having positive dielectric anisotropy, for example, by forming an organic material such as polyimide and rubbing the surface thereof. Examples thereof include an alignment film and an inorganic alignment film formed by depositing an inorganic material such as SiOx (silicon oxide) using a vapor phase growth method so that the liquid crystal molecules have a negative dielectric anisotropy and are substantially perpendicularly aligned. .

このような液晶装置100は透過型であって、電圧無印加状態で画素Pの透過率が最大となるノーマリーホワイトモードや、電圧無印加状態で画素Pの透過率が最小となるノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。素子基板10と対向基板20とを含む液晶パネル110の光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。
本実施形態では、以降、配向膜18,24として前述した無機配向膜と、負の誘電異方性を有する液晶とを用い、ノーマリーブラックモードの光学設計が適用された例について説明する。
Such a liquid crystal device 100 is a transmissive type, and is normally white mode in which the transmittance of the pixel P is maximized when no voltage is applied, or normally black in which the transmittance of the pixel P is minimized when no voltage is applied. Modal optical design is adopted. Polarizing elements are arranged and used according to the optical design respectively on the light incident side and the light exit side of the liquid crystal panel 110 including the element substrate 10 and the counter substrate 20.
In the present embodiment, an example in which a normally black mode optical design is applied using the inorganic alignment film described above as the alignment films 18 and 24 and a liquid crystal having negative dielectric anisotropy will be described.

次に図3を参照して、液晶装置100の電気的な構成について説明する。液晶装置100は、少なくとも表示領域E1において互いに絶縁されて直交する信号配線としての複数の走査線3及び複数のデータ線6と、データ線6に沿って平行に配置された容量線7とを有する。走査線3が延在する方向がX方向であり、データ線6が延在する方向がY方向である。   Next, an electrical configuration of the liquid crystal device 100 will be described with reference to FIG. The liquid crystal device 100 includes a plurality of scanning lines 3 and a plurality of data lines 6 as signal wirings that are insulated and orthogonal to each other at least in the display region E1, and capacitance lines 7 arranged in parallel along the data lines 6. . The direction in which the scanning line 3 extends is the X direction, and the direction in which the data line 6 extends is the Y direction.

走査線3、データ線6及び容量線7と、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極15と、TFT30と、蓄積容量31とが設けられ、これらが画素Pの画素回路を構成している。   A pixel electrode 15, a TFT 30, and a storage capacitor 31 are provided in a region divided by the scanning line 3, the data line 6, the capacitor line 7, and these signal lines, and these constitute a pixel circuit of the pixel P. doing.

走査線3はTFT30のゲートに電気的に接続され、データ線6はTFT30のソースに電気的に接続されている。画素電極15はTFT30のドレインに電気的に接続されている。   The scanning line 3 is electrically connected to the gate of the TFT 30, and the data line 6 is electrically connected to the source of the TFT 30. The pixel electrode 15 is electrically connected to the drain of the TFT 30.

データ線6はデータ線駆動回路101(図1参照)に接続されており、データ線駆動回路101から供給される画像信号D1,D2,…,Dnを画素Pに供給する。走査線3は走査線駆動回路102(図1参照)に接続されており、走査線駆動回路102から供給される走査信号SC1,SC2,…,SCmを画素Pに供給する。   The data line 6 is connected to the data line driving circuit 101 (see FIG. 1), and supplies image signals D1, D2,..., Dn supplied from the data line driving circuit 101 to the pixels P. The scanning line 3 is connected to a scanning line driving circuit 102 (see FIG. 1), and supplies scanning signals SC1, SC2,..., SCm supplied from the scanning line driving circuit 102 to the pixels P.

データ線駆動回路101からデータ線6に供給される画像信号D1〜Dnは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線6同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路102は、走査線3に対して、走査信号SC1〜SCmを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。   The image signals D1 to Dn supplied from the data line driving circuit 101 to the data lines 6 may be supplied line-sequentially in this order, or may be supplied to a plurality of adjacent data lines 6 for each group. Good. The scanning line driving circuit 102 supplies the scanning signals SC <b> 1 to SCm to the scanning line 3 in a pulse-sequential manner at a predetermined timing.

液晶装置100は、スイッチング素子であるTFT30が走査信号SC1〜SCmの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線6から供給される画像信号D1〜Dnが所定のタイミングで画素電極15に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極15を介して液晶層50に書き込まれた所定レベルの画像信号D1〜Dnは、画素電極15と液晶層50を介して対向配置された共通電極23との間で一定期間保持される。画像信号D1〜Dnの周波数は例えば60Hzである。   In the liquid crystal device 100, the TFT 30 which is a switching element is turned on for a certain period by the input of the scanning signals SC1 to SCm, so that the image signals D1 to Dn supplied from the data line 6 are supplied to the pixel electrode 15 at a predetermined timing. It is the structure written in. The predetermined level of image signals D1 to Dn written to the liquid crystal layer 50 via the pixel electrode 15 is held for a certain period between the pixel electrode 15 and the common electrode 23 arranged to face each other via the liquid crystal layer 50. The The frequency of the image signals D1 to Dn is 60 Hz, for example.

保持された画像信号D1〜Dnがリークするのを防止するため、画素電極15と共通電極23との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量31が接続されている。蓄積容量31は、TFT30のドレインと容量線7との間に設けられている。   In order to prevent the held image signals D1 to Dn from leaking, a storage capacitor 31 is connected in parallel with a liquid crystal capacitor formed between the pixel electrode 15 and the common electrode 23. The storage capacitor 31 is provided between the drain of the TFT 30 and the capacitor line 7.

なお、図1に示した検査回路103には、データ線6が接続されており、液晶装置100の製造過程において、上記画像信号を検出することで液晶装置100の動作欠陥などを確認できる構成となっているが、図3の等価回路では図示を省略している。   The data line 6 is connected to the inspection circuit 103 shown in FIG. 1, and the operation defect of the liquid crystal device 100 can be confirmed by detecting the image signal in the manufacturing process of the liquid crystal device 100. Although not shown in the equivalent circuit of FIG.

本実施形態における画素回路を駆動制御する周辺回路は、データ線駆動回路101、走査線駆動回路102、検査回路103を含んでいる。また、周辺回路は、上記画像信号をサンプリングしてデータ線6に供給するサンプリング回路、データ線6に所定電圧レベルのプリチャージ信号を上記画像信号に先行して供給するプリチャージ回路を含むものとしてもよい。   The peripheral circuit for driving and controlling the pixel circuit in this embodiment includes a data line driving circuit 101, a scanning line driving circuit 102, and an inspection circuit 103. The peripheral circuit includes a sampling circuit that samples the image signal and supplies it to the data line 6, and a precharge circuit that supplies a precharge signal of a predetermined voltage level to the data line 6 prior to the image signal. Also good.

<画素の構造>
次に、本実施形態の液晶装置100(液晶パネル110)における画素Pの構造について説明する。図4は、液晶装置の画素の構造を示す概略断面図である。
<Pixel structure>
Next, the structure of the pixel P in the liquid crystal device 100 (liquid crystal panel 110) of this embodiment will be described. FIG. 4 is a schematic cross-sectional view illustrating a pixel structure of the liquid crystal device.

図4に示すように、素子基板10の基材10s上には、まず走査線3が形成される。走査線3は、例えばAl(アルミニウム)、Ti(チタン)、Cr(クロム)、W(タングステン)、Ta(タンタル)、Mo(モリブデン)などの金属のうちの少なくとも1つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、ナイトライド、あるいはこれらが積層されたものを用いることができ、遮光性を有している。   As shown in FIG. 4, the scanning line 3 is first formed on the base material 10 s of the element substrate 10. The scanning line 3 is, for example, a simple metal or alloy containing at least one of metals such as Al (aluminum), Ti (titanium), Cr (chromium), W (tungsten), Ta (tantalum), and Mo (molybdenum). Further, metal silicide, polysilicide, nitride, or a laminate of these can be used and has light shielding properties.

走査線3を覆うように例えば酸化シリコンなどからなる第1絶縁膜(下地絶縁膜)11aが形成され、第1絶縁膜11a上に島状に半導体層30aが形成される。半導体層30aは例えば多結晶シリコン膜からなり、不純物イオンが注入されて、第1ソース・ドレイン領域、接合領域、チャネル領域、接合領域、第2ソース・ドレイン領域を有するLDD(Lightly Doped Drain)構造が形成されている。
半導体層30aは、遮光性を有する走査線3の上方に設けられているため、基材10s側から半導体層30aに入射する光は遮光される。これにより、当該入射光によるTFT30の光誤動作が防止される。
A first insulating film (base insulating film) 11a made of, for example, silicon oxide is formed so as to cover the scanning lines 3, and a semiconductor layer 30a is formed in an island shape on the first insulating film 11a. The semiconductor layer 30a is made of, for example, a polycrystalline silicon film and is doped with impurity ions to have an LDD (Lightly Doped Drain) structure having a first source / drain region, a junction region, a channel region, a junction region, and a second source / drain region. Is formed.
Since the semiconductor layer 30a is provided above the light-shielding scanning line 3, light incident on the semiconductor layer 30a from the substrate 10s side is shielded. Thereby, the optical malfunction of the TFT 30 due to the incident light is prevented.

半導体層30aを覆うように第2絶縁膜(ゲート絶縁膜)11bが形成される。さらに第2絶縁膜11bを挟んでチャネル領域に対向する位置にゲート電極30gが形成される。   A second insulating film (gate insulating film) 11b is formed so as to cover the semiconductor layer 30a. Further, a gate electrode 30g is formed at a position facing the channel region with the second insulating film 11b interposed therebetween.

ゲート電極30gと第2絶縁膜11bとを覆うようにして第3絶縁膜11cが形成され、半導体層30aのそれぞれの端部と重なる位置に第2絶縁膜11b、第3絶縁膜11cを貫通する2つのコンタクトホールCNT1,CNT2が形成される。   A third insulating film 11c is formed so as to cover the gate electrode 30g and the second insulating film 11b, and penetrates the second insulating film 11b and the third insulating film 11c at positions overlapping with respective end portions of the semiconductor layer 30a. Two contact holes CNT1 and CNT2 are formed.

そして、2つのコンタクトホールCNT1,CNT2を埋めると共に第3絶縁膜11cを覆うように例えばAl(アルミニウム)やその合金、あるいは金属化合物などの遮光性の導電膜が成膜され、これをパターニングすることにより、コンタクトホールCNT1を介して第1ソース・ドレイン領域に繋がるデータ線6が形成される。同時にコンタクトホールCNT2を介して第2ソース・ドレイン領域に繋がる第1中継電極6bが形成される。   Then, a light-shielding conductive film such as Al (aluminum), an alloy thereof, or a metal compound is formed to fill the two contact holes CNT1 and CNT2 and cover the third insulating film 11c, and patterning the film. Thus, the data line 6 connected to the first source / drain region via the contact hole CNT1 is formed. At the same time, the first relay electrode 6b connected to the second source / drain region through the contact hole CNT2 is formed.

次に、データ線6及び第1中継電極6bと第3絶縁膜11cを覆って第1層間絶縁膜12が形成される。第1層間絶縁膜12は、例えばシリコンの酸化物や窒化物からなる。そして、TFT30が設けられた領域を覆うことによって生ずる表面の凹凸を平坦化する平坦化処理が施される。平坦化処理の方法としては、例えば化学的機械的研磨処理(Chemical Mechanical Polishing:CMP処理)やスピンコート処理などが挙げられる。   Next, the first interlayer insulating film 12 is formed to cover the data line 6, the first relay electrode 6b, and the third insulating film 11c. The first interlayer insulating film 12 is made of, for example, silicon oxide or nitride. Then, a flattening process is performed to flatten the unevenness of the surface caused by covering the region where the TFT 30 is provided. Examples of the planarization method include chemical mechanical polishing (CMP) and spin coating.

第1中継電極6bと重なる位置に第1層間絶縁膜12を貫通するコンタクトホールCNT3が形成される。このコンタクトホールCNT3を被覆すると共に第1層間絶縁膜12を覆うように例えばAl(アルミニウム)やその合金、あるいは金属化合物などの遮光性の導電膜が成膜され、これをパターニングすることにより、第1容量電極31aと第2中継電極31dとが形成される。   A contact hole CNT3 penetrating the first interlayer insulating film 12 is formed at a position overlapping the first relay electrode 6b. A light-shielding conductive film such as Al (aluminum), an alloy thereof, or a metal compound is formed so as to cover the contact hole CNT3 and the first interlayer insulating film 12, and is patterned to form a first A first capacitor electrode 31a and a second relay electrode 31d are formed.

第1容量電極31aのうち、後に形成される誘電体層31cを介して第2容量電極31bと対向する部分の外縁を覆うように絶縁膜13aがパターニングされて形成される。また、第2中継電極31dのうちコンタクトホールCNT4と重なる部分を除いた外縁を覆うように絶縁膜13aがパターニングされて形成される。   Of the first capacitor electrode 31a, the insulating film 13a is patterned and formed so as to cover the outer edge of the portion facing the second capacitor electrode 31b with the dielectric layer 31c formed later. Further, the insulating film 13a is patterned and formed so as to cover the outer edge of the second relay electrode 31d excluding the portion overlapping the contact hole CNT4.

絶縁膜13aと第1容量電極31aを覆って誘電体層31cが成膜される。誘電体層31cとしては、シリコン窒化膜や、酸化ハウニュウム(HfO2)、アルミナ(Al23)、酸化タンタル(Ta25)などの単層膜、又はこれらの単層膜のうち少なくとも2種の単層膜を積層した多層膜を用いてもよい。平面的に第2中継電極31dと重なる部分の誘電体層31cはエッチングされて除かれる。誘電体層31cを覆うように例えばTiN(窒化チタン)などの導電膜が形成され、これをパターニングすることにより、第1容量電極31aに対向配置され、第2中継電極31dに繋がる第2容量電極31bが形成される。誘電体層31cと、誘電体層31cを挟んで対向配置された第1容量電極31aと第2容量電極31bとにより蓄積容量31が構成される。 A dielectric layer 31c is formed covering the insulating film 13a and the first capacitor electrode 31a. As the dielectric layer 31c, a silicon nitride film, a single-layer film such as haunium oxide (HfO 2 ), alumina (Al 2 O 3 ), tantalum oxide (Ta 2 O 5 ), or at least one of these single-layer films is used. A multilayer film in which two types of single-layer films are stacked may be used. The portion of the dielectric layer 31c that overlaps the second relay electrode 31d in plan view is etched away. A conductive film such as, for example, TiN (titanium nitride) is formed so as to cover the dielectric layer 31c. By patterning the conductive film, the second capacitive electrode is disposed opposite to the first capacitive electrode 31a and connected to the second relay electrode 31d. 31b is formed. The storage capacitor 31 is configured by the dielectric layer 31c, and the first capacitor electrode 31a and the second capacitor electrode 31b that are arranged to face each other with the dielectric layer 31c interposed therebetween.

次に、第2容量電極31bと誘電体層31cとを覆う第2層間絶縁膜13bが形成される。第2層間絶縁膜13bも例えばシリコンの酸化物や窒化物からなり、CMP処理などの平坦化処理が施される。第2容量電極31bのうち第2中継電極31dと接する部分に至るように第2層間絶縁膜13bを貫通するコンタクトホールCNT4が形成される。   Next, a second interlayer insulating film 13b that covers the second capacitor electrode 31b and the dielectric layer 31c is formed. The second interlayer insulating film 13b is also made of, for example, silicon oxide or nitride, and is subjected to planarization processing such as CMP processing. A contact hole CNT4 penetrating through the second interlayer insulating film 13b is formed so as to reach a portion of the second capacitor electrode 31b in contact with the second relay electrode 31d.

このコンタクトホールCNT4を被覆すると共に第2層間絶縁膜13bを覆うように例えばAl(アルミニウム)やその合金、あるいは金属化合物などの遮光性の導電膜が形成され、これをパターニングすることにより、配線8aと、コンタクトホールCNT4を介して第2中継電極31dに電気的に接続される第3中継電極8bとが形成される。配線8aは、平面的にTFT30の半導体層30aやデータ線6及び蓄積容量31と重なるように形成され、固定電位が与えられてシールド層として機能するものである。   A light-shielding conductive film such as Al (aluminum), an alloy thereof, or a metal compound is formed so as to cover the contact hole CNT4 and the second interlayer insulating film 13b. By patterning this, a wiring 8a is formed. And the third relay electrode 8b electrically connected to the second relay electrode 31d through the contact hole CNT4. The wiring 8a is formed so as to overlap the semiconductor layer 30a, the data line 6, and the storage capacitor 31 of the TFT 30 in a plan view, and functions as a shield layer when a fixed potential is applied.

配線8aと第3中継電極8bとを覆うように第3層間絶縁膜14が形成される。第3層間絶縁膜14も、例えばシリコンの酸化物や窒化物あるいは酸窒化物を用いて形成することができる。第3層間絶縁膜14を貫通して第3中継電極8bに至るコンタクトホールCNT5が形成される。   A third interlayer insulating film 14 is formed so as to cover the wiring 8a and the third relay electrode 8b. The third interlayer insulating film 14 can also be formed using, for example, silicon oxide, nitride, or oxynitride. A contact hole CNT5 that penetrates through the third interlayer insulating film 14 and reaches the third relay electrode 8b is formed.

このコンタクトホールCNT5を被覆し、第3層間絶縁膜14を覆うようにITOなどの透明導電膜(電極膜)が成膜される。この透明導電膜(電極膜)をパターニングしてコンタクトホールCNT5を介して第3中継電極8bに電気的に繋がる画素電極15が形成される。   A transparent conductive film (electrode film) such as ITO is formed so as to cover the contact hole CNT5 and cover the third interlayer insulating film. The transparent conductive film (electrode film) is patterned to form a pixel electrode 15 that is electrically connected to the third relay electrode 8b through the contact hole CNT5.

第3中継電極8bは、コンタクトホールCNT4、第2容量電極31b、第2中継電極31d、コンタクトホールCNT3、第1中継電極6bを介してTFT30の第2ソース・ドレイン領域と電気的に接続すると共に、コンタクトホールCNT5を介して画素電極15と電気的に接続している。   The third relay electrode 8b is electrically connected to the second source / drain region of the TFT 30 through the contact hole CNT4, the second capacitor electrode 31b, the second relay electrode 31d, the contact hole CNT3, and the first relay electrode 6b. The pixel electrode 15 is electrically connected through the contact hole CNT5.

第1容量電極31aは複数の画素Pに跨るように形成され、等価回路(図3参照)における容量線7として機能している。第1容量電極31aには固定電位が与えられる。これにより、TFT30の第2ソース・ドレイン領域を介して画素電極15に与えられた電位を第1容量電極31aと第2容量電極31bとの間において保持することができる。   The first capacitor electrode 31a is formed so as to straddle a plurality of pixels P, and functions as the capacitor line 7 in the equivalent circuit (see FIG. 3). A fixed potential is applied to the first capacitor electrode 31a. Thereby, the potential applied to the pixel electrode 15 via the second source / drain region of the TFT 30 can be held between the first capacitor electrode 31a and the second capacitor electrode 31b.

このように素子基板10の基材10s上には、複数の配線が形成されており、配線間を絶縁する絶縁膜や層間絶縁膜の符号を用いて配線層を表すこととする。すなわち、第1絶縁膜11a、第2絶縁膜11b、第3絶縁膜11cを括って配線層11と呼ぶ。配線層11の代表的な配線は走査線3である。配線層12の代表的な配線はデータ線6である。絶縁膜13a、第2層間絶縁膜13bを括って配線層13と呼び、代表的な配線は第1容量電極31aつまり容量線7である。同じく、配線層14の代表的な配線は、配線8a(シールド層)である。   As described above, a plurality of wirings are formed on the base material 10 s of the element substrate 10, and the wiring layers are represented by using the reference numerals of insulating films and interlayer insulating films that insulate the wirings. That is, the first insulating film 11a, the second insulating film 11b, and the third insulating film 11c are collectively referred to as the wiring layer 11. A typical wiring of the wiring layer 11 is the scanning line 3. A typical wiring of the wiring layer 12 is the data line 6. The insulating film 13a and the second interlayer insulating film 13b are collectively referred to as a wiring layer 13, and a typical wiring is the first capacitor electrode 31a, that is, the capacitor line 7. Similarly, the representative wiring of the wiring layer 14 is the wiring 8a (shield layer).

画素電極15を覆うように配向膜18が形成され、液晶層50を介して素子基板10に対向配置される対向基板20の共通電極23を覆うように配向膜24が形成される。前述したように、配向膜18,24は無機配向膜であって、酸化シリコンなどの無機材料を所定の方向から例えば斜め蒸着して柱状に成長させたカラム18a,24aの集合体からなる。このような配向膜18,24に対して負の誘電異方性を有する液晶分子LCは、配向膜面の法線方向に対してカラム18a,24aの傾斜方向に3度〜5度のプレチルト角度θpを有して略垂直配向(VA;Vertical Alignment)する。画素電極15と共通電極23との間に交流電圧(駆動信号)を印加して液晶層50を駆動することによって液晶分子LCは画素電極15と共通電極23との間に生ずる電界方向に傾くように挙動(振動)する。   An alignment film 18 is formed so as to cover the pixel electrode 15, and an alignment film 24 is formed so as to cover the common electrode 23 of the counter substrate 20 disposed to face the element substrate 10 with the liquid crystal layer 50 interposed therebetween. As described above, the alignment films 18 and 24 are inorganic alignment films, and are made of an aggregate of columns 18a and 24a grown in a columnar shape by, for example, oblique deposition of an inorganic material such as silicon oxide from a predetermined direction. The liquid crystal molecules LC having negative dielectric anisotropy with respect to the alignment films 18 and 24 have a pretilt angle of 3 to 5 degrees in the inclination direction of the columns 18a and 24a with respect to the normal direction of the alignment film surface. Substantially vertical alignment (VA) with θp. By applying an alternating voltage (drive signal) between the pixel electrode 15 and the common electrode 23 to drive the liquid crystal layer 50, the liquid crystal molecules LC are inclined in the direction of the electric field generated between the pixel electrode 15 and the common electrode 23. Behaves (vibrates).

<周辺領域の遮光構造>
次に、本実施形態の液晶装置100(液晶パネル110)の周辺領域E2における遮光構造について、図5及び図6を参照して説明する。図5は図1のA−A’線に沿った液晶装置の周辺領域における遮光構造を示す要部断面図、図6は液晶装置の周辺領域における透明導電膜の配置を示す概略平面図である。
<Shading structure in the surrounding area>
Next, a light shielding structure in the peripheral region E2 of the liquid crystal device 100 (liquid crystal panel 110) of the present embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 5 is a principal cross-sectional view showing a light shielding structure in the peripheral region of the liquid crystal device along the line AA ′ in FIG. 1, and FIG. 6 is a schematic plan view showing the arrangement of the transparent conductive film in the peripheral region of the liquid crystal device. .

本実施形態の液晶装置100(液晶パネル110)は、対向基板20側から入射した光が、表示領域E1以外の周辺領域E2において素子基板10側から光漏れすることを防止するための構成を有している。   The liquid crystal device 100 (liquid crystal panel 110) of the present embodiment has a configuration for preventing light incident from the counter substrate 20 side from leaking from the element substrate 10 side in the peripheral region E2 other than the display region E1. doing.

具体的には、図5に示すように、素子基板10の配線層14において、第3中継電極8bと同層に遮光性の導電膜8が設けられている。導電膜8は、例えばAl(アルミニウム)やその合金、あるいは金属化合物を用いて形成することができ、本実施形態では、光反射性を有するAl膜に光吸収性を有するTiN膜を積層した遮光性の積層膜が用いられている。導電膜8は、その一部がシール領域E3に掛かると共に、周辺領域E2に亘って配置されている。また、表示領域E1において表示が行われるときに、導電膜8には、対向基板20の共通電極23に与えられる電位(LCCOM電位)と同じ電位が与えられる。これにより、導電膜8と共通電極23との間には、電位差つまり電界が生じないので、周辺領域E2における液晶分子LCは略垂直配向状態となる。つまり周辺領域E2における液晶層50はノーマリーブラック(黒表示)となる。   Specifically, as shown in FIG. 5, in the wiring layer 14 of the element substrate 10, a light-shielding conductive film 8 is provided in the same layer as the third relay electrode 8b. The conductive film 8 can be formed using, for example, Al (aluminum), an alloy thereof, or a metal compound. In this embodiment, the light shielding layer is formed by laminating a light absorbing TiN film on a light reflecting Al film. Is used. A part of the conductive film 8 covers the seal region E3 and is disposed over the peripheral region E2. Further, when display is performed in the display region E1, the conductive film 8 is supplied with the same potential as the potential (LCCOM potential) applied to the common electrode 23 of the counter substrate 20. Thereby, since a potential difference, that is, an electric field does not occur between the conductive film 8 and the common electrode 23, the liquid crystal molecules LC in the peripheral region E2 are in a substantially vertical alignment state. That is, the liquid crystal layer 50 in the peripheral region E2 is normally black (black display).

対向基板20の周辺領域E2には、遮光膜としての見切り部21が設けられている。平面視で素子基板10の導電膜8と見切り部21とは、液晶層50を挟んで対向配置される。表示領域E1の外縁と見切り部21が設けられた見切り領域E4の内縁との間、及びシール40が設けられたシール領域E3の内縁と見切り領域E4の外縁との間には隙間がある。   In the peripheral region E2 of the counter substrate 20, a parting portion 21 as a light shielding film is provided. The conductive film 8 and the parting portion 21 of the element substrate 10 are disposed to face each other with the liquid crystal layer 50 interposed therebetween in plan view. There are gaps between the outer edge of the display area E1 and the inner edge of the parting area E4 where the parting part 21 is provided, and between the inner edge of the sealing area E3 where the seal 40 is provided and the outer edge of the parting area E4.

このような、液晶パネル110において、対向基板20側から見切り部21に直接に入射する光はもちろんのこと、表示領域E1に対して斜め方向から入射して見切り部21に向う光L1もまた見切り部21によって遮光される。また、対向基板20側から表示領域E1に対して斜め方向から入射して液晶層50を透過し、導電膜8に向かう光L2は導電膜8によって遮光される。また、対向基板20側から表示領域E1に対して斜め方向から入射して周辺領域E2の液晶層50を透過しようとする光L3は、液晶層50における液晶分子LCが略垂直配向状態であることから液晶層50を透過し難い。さらに、対向基板20側からシール領域E3の内縁と見切り領域E4の外縁との隙間に入射した光L4は、やはり液晶層50における液晶分子LCが略垂直配向状態であることから液晶層50を透過し難い。加えて、上記光L4が当該液晶層50を透過したとしても導電膜8によって遮光される。   In such a liquid crystal panel 110, not only light directly incident on the parting portion 21 from the counter substrate 20 side but also light L1 incident on the display region E1 from an oblique direction and directed toward the parting portion 21 is also parted. The light is shielded by the unit 21. Further, the light L2 that enters the display region E1 from the opposite substrate 20 side in an oblique direction, passes through the liquid crystal layer 50, and travels toward the conductive film 8 is shielded by the conductive film 8. Further, the light L3 that is incident on the display area E1 from the opposite substrate 20 side and is transmitted through the liquid crystal layer 50 in the peripheral area E2 has the liquid crystal molecules LC in the liquid crystal layer 50 in a substantially vertical alignment state. It is difficult for the liquid crystal layer 50 to pass through. Furthermore, the light L4 that has entered the gap between the inner edge of the seal area E3 and the outer edge of the parting area E4 from the counter substrate 20 side is transmitted through the liquid crystal layer 50 because the liquid crystal molecules LC in the liquid crystal layer 50 are in a substantially vertical alignment state. It is hard to do. In addition, even if the light L4 passes through the liquid crystal layer 50, it is shielded by the conductive film 8.

基材10s上において、導電膜8の下層、つまり周辺領域E2には、走査線駆動回路102が設けられている。したがって、走査線駆動回路102に対して電源電圧(直流電位)を供給するための電源配線(図5では図示省略)も周辺領域E2に設けられる。仮にLCCOM電位が供給される導電膜8が無い場合、上記電源配線と共通電極23との間の電位差によって、液晶分子LCの略垂直配向状態が乱されると共に、液晶層50の電気分解が生じて液晶層50が劣化するおそれがある。これに対して、LCCOM電位が供給される導電膜8と共通電極23との間では電位差が生じないため、液晶分子LCの略垂直配向状態が維持されると共に、液晶層50は劣化しない。なお、図5は、走査線駆動回路102が設けられた周辺領域E2の部分について図示しているが、このような導電膜8の配置は、走査線駆動回路102が設けられた周辺領域E2の部分に限らず、周辺領域E2において、検査回路103が設けられた領域や、走査線駆動回路102、検査回路103が設けられていない領域においても同様である。   On the base material 10s, a scanning line driving circuit 102 is provided in the lower layer of the conductive film 8, that is, in the peripheral region E2. Accordingly, a power supply wiring (not shown in FIG. 5) for supplying a power supply voltage (DC potential) to the scanning line driving circuit 102 is also provided in the peripheral region E2. If there is no conductive film 8 to which the LCCOM potential is supplied, the potential difference between the power supply wiring and the common electrode 23 disturbs the substantially vertical alignment state of the liquid crystal molecules LC and causes the liquid crystal layer 50 to be electrolyzed. As a result, the liquid crystal layer 50 may be deteriorated. On the other hand, since no potential difference occurs between the conductive film 8 to which the LCCOM potential is supplied and the common electrode 23, the substantially vertical alignment state of the liquid crystal molecules LC is maintained and the liquid crystal layer 50 is not deteriorated. Note that FIG. 5 illustrates a portion of the peripheral region E2 in which the scanning line driving circuit 102 is provided. However, such an arrangement of the conductive film 8 is arranged in the peripheral region E2 in which the scanning line driving circuit 102 is provided. The same applies not only to the portion but also to the peripheral region E2 in the region where the inspection circuit 103 is provided, and in the region where the scanning line driving circuit 102 and the inspection circuit 103 are not provided.

また、導電膜8が設けられた配線層14上において、画素電極15と同層に透明導電膜16が設けられている。透明導電膜16は、周辺領域E2に配置された第1透明導電膜16aと、シール領域E3に配置された第2透明導電膜16bとを含むものである。透明導電膜16は、画素電極15と同じく例えばITO膜が用いられている。第3層間絶縁膜14上に成膜されたITO膜をパターニングして分断することにより、画素電極15、第1透明導電膜16a、第2透明導電膜16bが形成されている。   A transparent conductive film 16 is provided in the same layer as the pixel electrode 15 on the wiring layer 14 provided with the conductive film 8. The transparent conductive film 16 includes a first transparent conductive film 16a disposed in the peripheral region E2 and a second transparent conductive film 16b disposed in the seal region E3. For the transparent conductive film 16, for example, an ITO film is used in the same manner as the pixel electrode 15. By patterning and dividing the ITO film formed on the third interlayer insulating film 14, the pixel electrode 15, the first transparent conductive film 16a, and the second transparent conductive film 16b are formed.

具体的には、図6に示すように、画素電極15は、平面視で正方形であり、表示領域E1においてX方向とY方向とにマトリックス状に配置されている。第1透明導電膜16aは、平面視で例えば正方形であり、周辺領域E2においてX方向とY方向とにマトリックス状に配置されている。第1透明導電膜16aの大きさは、画素電極15の大きさよりも小さい。また、X方向とY方向とに隣り合う第1透明導電膜16aの間隔d2は、同じくX方向とY方向とに隣り合う画素電極15の間隔d1よりも大きい。したがって、周辺領域E2において、電気的に独立した第1透明導電膜16aをパターニングし易い。   Specifically, as shown in FIG. 6, the pixel electrodes 15 are square in a plan view, and are arranged in a matrix in the X direction and the Y direction in the display area E1. The first transparent conductive film 16a has, for example, a square shape in plan view, and is arranged in a matrix in the X direction and the Y direction in the peripheral region E2. The size of the first transparent conductive film 16 a is smaller than the size of the pixel electrode 15. Further, the interval d2 between the first transparent conductive films 16a adjacent in the X direction and the Y direction is larger than the interval d1 between the pixel electrodes 15 adjacent in the X direction and the Y direction. Therefore, it is easy to pattern the electrically independent first transparent conductive film 16a in the peripheral region E2.

第2透明導電膜16bは、平面視で例えば正方形であり、シール領域E3においてX方向とY方向とにマトリックス状に配置されている。第2透明導電膜16bの大きさは、第1透明導電膜16aの大きさよりもさらに小さい。したがって、図5に示すように、素子基板10において、シール領域E3の配向膜18の表面は、他の部分に比べて細かな凹凸が生じた状態となるため、シール領域E3にシール40を配置して素子基板10と対向基板20とを貼り合わせたときに、シール40と素子基板10との密着性(接着性)が向上する。これにより、シール40と素子基板10との界面から水分などが液晶層50に浸入し難くなる。   The second transparent conductive film 16b has, for example, a square shape in plan view, and is arranged in a matrix in the X direction and the Y direction in the seal region E3. The size of the second transparent conductive film 16b is even smaller than the size of the first transparent conductive film 16a. Therefore, as shown in FIG. 5, in the element substrate 10, the surface of the alignment film 18 in the seal region E <b> 3 is in a state where fine irregularities are generated as compared with other portions, and therefore the seal 40 is disposed in the seal region E <b> 3. Thus, when the element substrate 10 and the counter substrate 20 are bonded together, the adhesion (adhesiveness) between the seal 40 and the element substrate 10 is improved. This makes it difficult for moisture and the like to enter the liquid crystal layer 50 from the interface between the seal 40 and the element substrate 10.

なお、平面視における第1透明導電膜16a、及び第2透明導電膜16bの形状は、正方形に限定されず、共に電気的にフローティング状態であればよく、例えばスジ状に形成してもよい。また、周辺領域E2に配置される第1透明導電膜16aは、ベタな形状であってもよいが、図6に示すようにITO膜を分断してパターニングすることで第1透明導電膜16aを覆う配向膜18の表面に凹凸が生ずる。これにより、表示領域E1において表示を行うことで、液晶層50に含まれるイオン性の不純物などが周辺領域E2に掃き寄せられた場合、掃き寄せられた不純物を周辺領域E2に留め易くなる。換言すれば、周辺領域E2に掃き寄せられた不純物が再び表示領域E1に拡散し難くなり、不純物が表示に影響を及ぼし難くなる。   In addition, the shape of the first transparent conductive film 16a and the second transparent conductive film 16b in plan view is not limited to a square, and both may be in an electrically floating state, and may be formed in, for example, a stripe shape. Further, the first transparent conductive film 16a disposed in the peripheral region E2 may have a solid shape, but the first transparent conductive film 16a may be formed by dividing and patterning the ITO film as shown in FIG. Unevenness occurs on the surface of the alignment film 18 to be covered. Thereby, by performing display in the display region E1, when ionic impurities or the like contained in the liquid crystal layer 50 are swept to the peripheral region E2, the swept impurities are easily retained in the peripheral region E2. In other words, the impurities swept to the peripheral region E2 are difficult to diffuse again into the display region E1, and the impurities are less likely to affect the display.

上記第1実施形態の液晶装置100(液晶パネル110)によれば、以下の効果が得られる。
(1)対向基板20側から表示領域E1に対して斜め方向から入射し、周辺領域E2に至る光L2,L3は、周辺領域E2の液晶層50における液晶分子LCが略垂直配向状態であることから液晶層50を透過し難く、液晶層50を透過したとしても配線層14に設けられた遮光性の導電膜8によって遮光される。加えて、同じ理由からシール領域E3の内縁と見切り領域E4の外縁との隙間から入射した光L4も液晶層50を透過し難く、液晶層50を透過したとしても配線層14に設けられた遮光性の導電膜8によって遮光される。つまり、対向基板20側から入射した光は、周辺領域E2において、素子基板10側から漏れることがない。ゆえに、光漏れが防止され、表示領域E1において高いコントラストで表示が可能な優れた表示品質を有する液晶装置100を提供することができる。
According to the liquid crystal device 100 (liquid crystal panel 110) of the first embodiment, the following effects can be obtained.
(1) Lights L2 and L3 that are incident on the display area E1 from the opposite substrate 20 side in an oblique direction and reach the peripheral area E2 have the liquid crystal molecules LC in the liquid crystal layer 50 in the peripheral area E2 in a substantially vertical alignment state. Therefore, even if the liquid crystal layer 50 is transmitted, it is shielded by the light-shielding conductive film 8 provided in the wiring layer 14. In addition, for the same reason, the light L4 incident from the gap between the inner edge of the seal area E3 and the outer edge of the parting area E4 is also difficult to transmit through the liquid crystal layer 50, and even if it passes through the liquid crystal layer 50, the light shielding provided in the wiring layer 14 Is shielded from light by the conductive film 8. That is, the light incident from the counter substrate 20 side does not leak from the element substrate 10 side in the peripheral region E2. Therefore, it is possible to provide the liquid crystal device 100 having excellent display quality that can prevent light leakage and display with high contrast in the display region E1.

(2)導電膜8は、画素電極15の下層の配線層14に設けられているため、導電膜8にLCCOM電位が与えられたとしても、画素電極15との間に横電界が生じ難い。つまり、画素電極15との横電界により、周辺領域E2における液晶分子LCの配向状態が乱れ難いので、周辺領域E2における遮光性を維持できる。   (2) Since the conductive film 8 is provided in the wiring layer 14 below the pixel electrode 15, a horizontal electric field is hardly generated between the conductive film 8 and the pixel electrode 15 even when an LCCOM potential is applied to the conductive film 8. That is, since the alignment state of the liquid crystal molecules LC in the peripheral region E2 is not easily disturbed by the lateral electric field with the pixel electrode 15, the light shielding property in the peripheral region E2 can be maintained.

(3)素子基板10のシール領域E3には、複数の第2透明導電膜16bが設けられている。これにより、複数の第2透明導電膜16bを覆う配向膜18の表面に細かな凹凸が生ずることから、シール40と素子基板10との密着性(接着性)が向上する。また、周辺領域E2には第1透明導電膜16aが配置されているので、水分などを吸着し易いシリコン系化合物からなる第3層間絶縁膜14の表面の露出が抑えられる。ゆえに、シール40と素子基板10との界面から水分などが液晶層50に浸入し難くなり、周辺領域E2の遮光性に加えて耐久品質が向上した液晶装置100を提供できる。また、第1透明導電膜16aは、電気的にフローティング状態であることから、周辺領域E2における液晶分子LCの略垂直配向状態すなわちノーマリーブラック(黒表示)を阻害しない。   (3) In the seal region E3 of the element substrate 10, a plurality of second transparent conductive films 16b are provided. As a result, fine irregularities are formed on the surface of the alignment film 18 covering the plurality of second transparent conductive films 16b, so that the adhesion (adhesiveness) between the seal 40 and the element substrate 10 is improved. In addition, since the first transparent conductive film 16a is disposed in the peripheral region E2, exposure of the surface of the third interlayer insulating film 14 made of a silicon compound that easily adsorbs moisture or the like is suppressed. Therefore, it becomes difficult for moisture or the like to enter the liquid crystal layer 50 from the interface between the seal 40 and the element substrate 10, and the liquid crystal device 100 having improved durability in addition to the light shielding property of the peripheral region E 2 can be provided. Further, since the first transparent conductive film 16a is in an electrically floating state, the first transparent conductive film 16a does not hinder the substantially vertical alignment state of the liquid crystal molecules LC in the peripheral region E2, that is, normally black (black display).

(4)対向基板20において、遮光膜としての見切り部21は、平面視でシール40(シール領域E3)と重ならないように配置されている。また、素子基板10において、導電膜8は、平面視でシール40(シール領域E3)と一部で重なって配置されている。したがって、光硬化型のシール40を用いたとしても、素子基板10側からまたは対向基板20側から、あるいは双方から光を照射してシール40を確実に硬化させることができる。つまり、導電膜8や見切り部21は、光硬化型のシール40における光硬化を阻害することなく、周辺領域E2における光漏れを防止することができる。   (4) In the counter substrate 20, the parting portion 21 as a light shielding film is arranged so as not to overlap the seal 40 (seal region E3) in plan view. In the element substrate 10, the conductive film 8 is disposed so as to partially overlap the seal 40 (seal region E <b> 3) in plan view. Therefore, even if the photocurable seal 40 is used, the seal 40 can be reliably cured by irradiating light from the element substrate 10 side, the counter substrate 20 side, or both. That is, the conductive film 8 and the parting portion 21 can prevent light leakage in the peripheral region E2 without hindering photocuring in the photocurable seal 40.

(第2実施形態)
次に、本実施形態の電子機器として、投射型表示装置を例に挙げて説明する。図7は電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図である。
(Second Embodiment)
Next, a projection display device will be described as an example of the electronic apparatus of the present embodiment. FIG. 7 is a schematic diagram illustrating a configuration of a projection display device as an electronic apparatus.

図7に示すように、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置1000は、システム光軸Lに沿って配置された偏光照明装置1100と、光分離素子としての2つのダイクロイックミラー1104,1105と、3つの反射ミラー1106,1107,1108と、5つのリレーレンズ1201,1202,1203,1204,1205と、3つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ1210,1220,1230と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム1206と、投射レンズ1207とを備えている。   As shown in FIG. 7, a projection display apparatus 1000 as an electronic apparatus according to the present embodiment includes a polarization illumination apparatus 1100 arranged along the system optical axis L, and two dichroic mirrors 1104 and 1105 as light separation elements. Three reflection mirrors 1106, 1107, 1108, five relay lenses 1201, 1202, 1203, 1204, 1205, three transmissive liquid crystal light valves 1210, 1220, 1230 as light modulation means, and a light combining element As a cross dichroic prism 1206 and a projection lens 1207.

偏光照明装置1100は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット1101と、インテグレーターレンズ1102と、偏光変換素子1103とから概略構成されている。   The polarized light illumination device 1100 is generally configured by a lamp unit 1101 as a light source composed of a white light source such as an ultra-high pressure mercury lamp or a halogen lamp, an integrator lens 1102, and a polarization conversion element 1103.

ダイクロイックミラー1104は、偏光照明装置1100から射出された偏光光束のうち、赤色光(R)を反射させ、緑色光(G)と青色光(B)とを透過させる。もう1つのダイクロイックミラー1105は、ダイクロイックミラー1104を透過した緑色光(G)を反射させ、青色光(B)を透過させる。   The dichroic mirror 1104 reflects red light (R) and transmits green light (G) and blue light (B) among the polarized light beams emitted from the polarization illumination device 1100. Another dichroic mirror 1105 reflects the green light (G) transmitted through the dichroic mirror 1104 and transmits the blue light (B).

ダイクロイックミラー1104で反射した赤色光(R)は、反射ミラー1106で反射した後にリレーレンズ1205を経由して液晶ライトバルブ1210に入射する。
ダイクロイックミラー1105で反射した緑色光(G)は、リレーレンズ1204を経由して液晶ライトバルブ1220に入射する。
ダイクロイックミラー1105を透過した青色光(B)は、3つのリレーレンズ1201,1202,1203と2つの反射ミラー1107,1108とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ1230に入射する。
The red light (R) reflected by the dichroic mirror 1104 is reflected by the reflection mirror 1106 and then enters the liquid crystal light valve 1210 via the relay lens 1205.
Green light (G) reflected by the dichroic mirror 1105 enters the liquid crystal light valve 1220 via the relay lens 1204.
The blue light (B) transmitted through the dichroic mirror 1105 enters the liquid crystal light valve 1230 via a light guide system including three relay lenses 1201, 1202, 1203 and two reflection mirrors 1107, 1108.

液晶ライトバルブ1210,1220,1230は、クロスダイクロイックプリズム1206の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ1210,1220,1230に入射した色光は、映像情報(映像信号)に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム1206に向けて射出される。このプリズムは、4つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって3つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ1207によってスクリーン1300上に投射され、画像が拡大されて表示される。   The liquid crystal light valves 1210, 1220, and 1230 are disposed to face the incident surfaces of the cross dichroic prism 1206 for each color light. The color light incident on the liquid crystal light valves 1210, 1220, and 1230 is modulated based on video information (video signal) and emitted toward the cross dichroic prism 1206. In this prism, four right-angle prisms are bonded together, and a dielectric multilayer film that reflects red light and a dielectric multilayer film that reflects blue light are formed in a cross shape on the inner surface thereof. The three color lights are synthesized by these dielectric multilayer films, and the light representing the color image is synthesized. The synthesized light is projected on the screen 1300 by the projection lens 1207 which is a projection optical system, and the image is enlarged and displayed.

液晶ライトバルブ1210は、上述した第1実施形態の液晶装置100が適用されたものである。液晶パネル110の色光の入射側と射出側とにクロスニコルに配置された一対の偏光素子が隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ1220,1230も同様である。   The liquid crystal light valve 1210 is the one to which the liquid crystal device 100 of the first embodiment described above is applied. A pair of polarizing elements arranged in crossed Nicols are arranged with a gap between the color light incident side and the emission side of the liquid crystal panel 110. The same applies to the other liquid crystal light valves 1220 and 1230.

このような投射型表示装置1000によれば、液晶ライトバルブ1210,1220,1230として、上記液晶装置100が用いられているので、表示領域E1を囲む周辺領域E2における光漏れが改善され、優れた表示品質を有する投射型表示装置1000を提供することができる。   According to such a projection type display device 1000, since the liquid crystal device 100 is used as the liquid crystal light valves 1210, 1220, and 1230, the light leakage in the peripheral region E2 surrounding the display region E1 is improved and excellent. A projection type display device 1000 having display quality can be provided.

本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲および明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置および該電気光学装置を適用する電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。   The present invention is not limited to the above-described embodiments, and can be appropriately changed without departing from the spirit or idea of the invention that can be read from the claims and the entire specification. Electronic equipment to which the electro-optical device is applied is also included in the technical scope of the present invention. Various modifications other than the above embodiment are conceivable. Hereinafter, a modification will be described.

(変形例1)周辺領域E2における光漏れを防止する導電膜8は、画素電極15の下層の配線層14に設けられることに限定されず、例えば、配線層13と配線層14とに分かれて配置されていてもよい。   (Modification 1) The conductive film 8 for preventing light leakage in the peripheral region E2 is not limited to being provided in the wiring layer 14 below the pixel electrode 15, and is divided into, for example, the wiring layer 13 and the wiring layer 14. It may be arranged.

(変形例2)複数の画素P(画素電極15)が配置される表示領域E1には、表示に寄与する複数の画素Pを囲んで配置された複数のダミー画素を含んでいてもよい。ダミー画素は、複数の画素Pにおいて表示が行われるときに、ノーマリーブラックの表示状態となるように、ダミー画素の画素電極15に電位が与えられる。これによれば、表示領域E1の外縁と、見切り領域E4の内縁との隙間における光漏れをより低減可能である。   (Modification 2) The display area E1 in which the plurality of pixels P (pixel electrodes 15) are arranged may include a plurality of dummy pixels arranged so as to surround the plurality of pixels P contributing to display. A potential is applied to the pixel electrode 15 of the dummy pixel so that the dummy pixel is in a normally black display state when display is performed in the plurality of pixels P. According to this, it is possible to further reduce light leakage in the gap between the outer edge of the display area E1 and the inner edge of the parting area E4.

(変形例3)電気光学装置としての液晶装置100が適用される電子機器は、上記第2実施形態の投射型表示装置1000に限定されない。例えば、投射型のHUD(ヘッドアップディスプレイ)や直視型のHMD(ヘッドマウントディスプレイ)、または電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、電子手帳、POSなどの情報端末機器の表示部として好適に用いることができる。   (Modification 3) The electronic apparatus to which the liquid crystal device 100 as an electro-optical device is applied is not limited to the projection display device 1000 of the second embodiment. For example, projection-type HUD (head-up display), direct-view type HMD (head-mounted display), electronic book, personal computer, digital still camera, LCD TV, viewfinder type or monitor direct-view type video recorder, car navigation system It can be suitably used as a display unit of an information terminal device such as an electronic notebook or POS.

8…導電膜、10…第1基板としての素子基板、15…画素電極、16…透明導電膜、20…第2基板としての対向基板、21…遮光膜としての見切り部、23…対向電極としての共通電極、40…シール、50…液晶層、100…電気光学装置としての液晶装置、1000…電子機器としての投射型表示装置、E1…表示領域、E2…周辺領域、E3…シール領域。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 8 ... Conductive film, 10 ... Element board | substrate as 1st board | substrate, 15 ... Pixel electrode, 16 ... Transparent conductive film, 20 ... Counter substrate as 2nd board | substrate, 21 ... Parting part as light shielding film, 23 ... As counter electrode Common electrode, 40 ... seal, 50 ... liquid crystal layer, 100 ... liquid crystal device as electro-optical device, 1000 ... projection type display device as electronic equipment, E1 ... display region, E2 ... peripheral region, E3 ... seal region.

Claims (8)

表示領域に配置された画素電極を有する第1基板と、
少なくとも前記表示領域に亘って配置された対向電極を有する第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板とにより挟持され、前記画素電極と前記対向電極との間の電界によって制御される液晶層と、
前記第2基板の前記表示領域の周辺領域において、前記表示領域を囲むように配置された遮光膜と、
前記第1基板の前記周辺領域において前記画素電極と異なる層に配置され、前記対向電極との間で前記液晶層を黒表示に制御する電位が供給される遮光性の導電膜と、を備えたことを特徴とする電気光学装置。
A first substrate having a pixel electrode disposed in a display area;
A second substrate having a counter electrode disposed over at least the display region;
A liquid crystal layer sandwiched between the first substrate and the second substrate and controlled by an electric field between the pixel electrode and the counter electrode;
A light-shielding film disposed so as to surround the display region in a peripheral region of the display region of the second substrate;
A light-shielding conductive film disposed in a layer different from the pixel electrode in the peripheral region of the first substrate and supplied with a potential for controlling the liquid crystal layer to display black between the counter electrode. An electro-optical device.
前記導電膜は、前記第1基板において前記画素電極の下層に絶縁膜を介して配置されていることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。   2. The electro-optical device according to claim 1, wherein the conductive film is disposed below the pixel electrode in the first substrate via an insulating film. 前記導電膜には、前記対向電極の電位と同じ電位が供給されることを特徴とする請求項1または2に記載の電気光学装置。   The electro-optical device according to claim 1, wherein the conductive film is supplied with the same potential as the potential of the counter electrode. 前記第2基板の外縁と前記遮光膜の外縁との間に配置され、前記第1基板と前記第2基板とを接着させるシールを備え、
前記シールは、光硬化型の接着剤からなることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の電気光学装置。
A seal disposed between an outer edge of the second substrate and an outer edge of the light-shielding film, and bonding the first substrate and the second substrate;
The electro-optical device according to claim 1, wherein the seal is made of a photo-curing adhesive.
前記第1基板の前記シールが配置されたシール領域と前記周辺領域とに配置された透明導電膜を、さらに備えたことを特徴とする請求項4に記載の電気光学装置。   The electro-optical device according to claim 4, further comprising a transparent conductive film disposed in a seal region where the seal of the first substrate is disposed and the peripheral region. 前記透明導電膜は、前記第1基板の少なくとも前記シール領域において分断されていることを特徴とする請求項5に記載の電気光学装置。   The electro-optical device according to claim 5, wherein the transparent conductive film is divided at least in the seal region of the first substrate. 前記透明導電膜は、電気的にフローティング状態であることを特徴とする請求項5または6に記載の電気光学装置。   The electro-optical device according to claim 5, wherein the transparent conductive film is in an electrically floating state. 請求項1乃至7のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 1.
JP2015212623A 2015-10-29 2015-10-29 Electro-optical device and electronic apparatus Pending JP2017083678A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015212623A JP2017083678A (en) 2015-10-29 2015-10-29 Electro-optical device and electronic apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015212623A JP2017083678A (en) 2015-10-29 2015-10-29 Electro-optical device and electronic apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2017083678A true JP2017083678A (en) 2017-05-18

Family

ID=58714224

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015212623A Pending JP2017083678A (en) 2015-10-29 2015-10-29 Electro-optical device and electronic apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2017083678A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020016682A (en) * 2018-07-23 2020-01-30 株式会社ジャパンディスプレイ Liquid crystal display
WO2022067711A1 (en) * 2020-09-30 2022-04-07 京东方科技集团股份有限公司 Array substrate and manufacturing method therefor, and display apparatus

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020016682A (en) * 2018-07-23 2020-01-30 株式会社ジャパンディスプレイ Liquid crystal display
JP7139179B2 (en) 2018-07-23 2022-09-20 株式会社ジャパンディスプレイ liquid crystal display
WO2022067711A1 (en) * 2020-09-30 2022-04-07 京东方科技集团股份有限公司 Array substrate and manufacturing method therefor, and display apparatus
CN114585964A (en) * 2020-09-30 2022-06-03 京东方科技集团股份有限公司 Array substrate, manufacturing method thereof and display device
CN114585964B (en) * 2020-09-30 2023-10-20 京东方科技集团股份有限公司 Array substrate, manufacturing method thereof and display device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6102543B2 (en) Liquid crystal device driving method, liquid crystal device, and electronic apparatus
JP5895473B2 (en) Liquid crystal device and electronic device
JP2014206622A (en) Liquid crystal device driving method, liquid crystal device, electronic apparatus
US20170123250A1 (en) Liquid crystal device and electronic apparatus
JP6028332B2 (en) Liquid crystal device and electronic device
WO2015068364A1 (en) Method for driving electro-optical apparatus, electro-optical apparatus, and electronic device
JP6044358B2 (en) Electro-optical device substrate, electro-optical device, and electronic apparatus
JP2016133634A (en) Liquid crystal device, method of driving liquid crystal device, and electronic apparatus
JP2018101067A (en) Electro-optic device and electronic equipment
JP5919636B2 (en) Electro-optical device, electronic apparatus, and method of manufacturing electro-optical device
JP2012078624A (en) Electric optical device and electronic equipment
JP2013235128A (en) Manufacturing method of electro-optic device and substrate for electro-optic device
JP2018063318A (en) Electro-optic device, and electronic apparatus
JP6299900B2 (en) Liquid crystal device driving method, liquid crystal device, and electronic apparatus
JP2017083678A (en) Electro-optical device and electronic apparatus
US11119376B2 (en) Electro-optical device and electronic apparatus
JP7367347B2 (en) Electro-optical devices and electronic equipment
JP2018180428A (en) Liquid crystal device, and electronic apparatus
JP2012123144A (en) Liquid crystal device, method for manufacturing liquid crystal device, and electronic equipment
JP2012181308A (en) Electro-optical device and electronic device
JP5754207B2 (en) Liquid crystal device and electronic device
JP2012252033A (en) Electro-optical device and electronic apparatus
JP2019008044A (en) Electro-optic device and electronic apparatus
JP6327314B2 (en) Liquid crystal device and electronic device
JP6103091B2 (en) Liquid crystal device and electronic device