JP2017076798A - ソーラーセルの機能を持つイメージセンサー及びこれを用いた電子機器 - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 17
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 23
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 11
- 238000003306 harvesting Methods 0.000 abstract description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 13
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 7
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/142—Energy conversion devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
- H01L27/14612—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
Description
Claims (20)
- イメージセンサーとソーラーセルとして動作可能なアレイエレメントにおいて、
複数個の単位ピクセルエレメントを第1方向に配置したサブエレメント、及び、
前記サブエレメントを第2方向に複数個配置するために、前記サブエレメント間にオン/オフ動作を行うサブエレメントスイッチを含み、
前記サブエレメントは、ゲートに受光された光によりソースとドレーン間のチャンネルに光電流を発生させるフォトディテクター及び、前記フォトディテクターの端子を第1及び第2ソーラセルバスと連結させる第1及び第2スイッチを含む単位ピクセルエレメントを含む、アレイエレメント。 - 前記サブエレメントスイッチは、第1サブエレメントの前記第2ソーラセルバスと第2サブエレメントの前記第1ソーラーセルバス間に連結される、請求項1に記載のアレイエレメント。
- 前記複数個の単位ピクセルエレメント内の前記第1及び第2スイッチに対する個別の制御信号を生成する制御部をさらに含む、請求項1に記載のアレイエレメント。
- 前記第2方向の前記サブエレメント間に前記第1及び第2ソーラセルバスを共有する、請求項1に記載のアレイエレメント。
- イメージセンサーとソーラーセルとして動作可能なアレイエレメントにおいて、
複数個の単位ピクセルエレメントを第1方向に配置したサブエレメント、及び、
前記サブエレメントを第2方向に複数個配置するために、前記サブエレメント間にオン/オフ動作を行うサブエレメントスイッチを含み、
前記サブエレメントは、ゲートに受光された光によりソースとドレーン間のチャンネルに光電流を発生させるフォトディテクター、前記フォトディテクターの端子を第1及び第2ソーラセルバスと連結させる第1及び第2スイッチ及び、前記第2ソーラセルバスに連結されて、前記光電流を電圧で充電する画素出力端を含む単位ピクセルエレメントを含む、アレイエレメント。 - 前記サブエレメントスイッチは、第1サブエレメントの前記第2ソーラセルバスと第2サブエレメントの前記第1ソーラーセルバス間に連結される、請求項5に記載のアレイエレメント。
- 前記複数個の単位ピクセルエレメント内の前記第1及び第2スイッチに対する個別の制御信号を生成する制御部をさらに含む、請求項5に記載のアレイエレメント。
- 前記第2方向の前記サブエレメント間に前記第1及び第2ソーラセルバスを共有する、請求項5に記載のアレイエレメント。
- 前記第1スイッチは、前記フォトディテクターのゲート端子及び第1ソーラーセルバス間に連結されてオン/オフ動作を行う、請求項5に記載のアレイエレメント。
- 前記第2スイッチは、前記フォトディテクターのソース端子及び第2ソーラセルバス間に連結されて前記光電流を画素出力端に出力させる、請求項5に記載のアレイエレメント。
- 前記フォトディテクターは、前記第2スイッチ及び前記画素出力端間に連結されてオン/オフ動作を行う第3スイッチをさらに含む、請求項5に記載のアレイエレメント。
- 前記フォトディテクターは、前記フォトディテクターのリセット端子及び前記第1ソーラーセルバス間に連結されてオン/オフ動作を行う第4スイッチをさらに含む、請求項5に記載のアレイエレメント。
- 前記リセット端子は、前記ソース及び前記ドレーンにドープされた不純物と異なる不純物でドープされた、請求項12に記載のアレイエレメント。
- イメージセンサーとソーラーセルとして動作可能な機能を備えた電子機器において、
制御信号に応じてソーラーセルとして動作可能な複数の単位ピクセルから構成されたイメージセンサー部、および、
前記イメージセンサーに対する前記制御信号を生成して、前記制御信号を前記イメージセンサー部に伝送するプロセッサーを含み、
前記複数の単位ピクセルのうち各々の単位ピクセルがゲートに受光された光によりソースとドレーン間のチャンネルに光電流を発生させるフォトディテクターを含む、電子機器。 - 前記プロセッサーは、前記イメージセンサー部がイメージセンサーとして動作するなどのイベントが存在しない場合に、前記制御信号を前記イメージセンサー部に伝送する、請求項14に記載の電子機器。
- 前記イメージセンサー部から充電された電力が供給されるバッテリーをさらに含む、請求項14に記載の電子機器。
- 前記イメージセンサー部から充電された電力が前記イメージセンサー部からまたは前記バッテリーから電力が供給される電力ICをさらに含む、請求項16に記載の電子機器。
- 周辺光を収集して、前記周辺光の強度(intensity)が一定値以上であれば、前記プロセッサーが前記制御信号を生成するように、前記収集された周辺光に関する情報を前記プロセッサーに提供する周辺光センサーをさらに含む、請求項14に記載の電子機器。
- 前記各々の単位ピクセルは、
前記フォトディテクターのソース端子及び第1ソーラーセルバス間に連結されてオン/オフ動作を行う第1スイッチ、及び、
前記フォトディテクターのゲート端子及び第2ソーラセルバス間に連結されてオン/オフ動作を行う第2スイッチをさらに含む、請求項14に記載の電子機器。 - 前記各々の単位ピクセルは、
前記フォトディテクターのゲート端子及び第1ソーラーセルバス間に連結されてオン/オフ動作を行う第1スイッチ、及び、
前記フォトディテクターのソース端子及び第2ソーラセルバス間に連結されて前記光電流を画素出力端に出力させる選択素子を含む、請求項14に記載の電子機器。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US14/883,589 | 2015-10-14 | ||
US14/883,589 US9735189B2 (en) | 2015-01-15 | 2015-10-14 | Image sensor with solar cell function and electronic device thereof |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017076798A true JP2017076798A (ja) | 2017-04-20 |
JP6308404B2 JP6308404B2 (ja) | 2018-04-11 |
Family
ID=58605977
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016201937A Active JP6308404B2 (ja) | 2015-10-14 | 2016-10-13 | ソーラーセルの機能を持つイメージセンサー及びこれを用いた電子機器 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6308404B2 (ja) |
CN (1) | CN106601763B (ja) |
MY (1) | MY176378A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN111787213A (zh) * | 2020-07-31 | 2020-10-16 | 维沃移动通信有限公司 | 摄像模组及电子设备 |
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-
2016
- 2016-10-07 MY MYPI2016703713A patent/MY176378A/en unknown
- 2016-10-13 JP JP2016201937A patent/JP6308404B2/ja active Active
- 2016-10-14 CN CN201610895572.XA patent/CN106601763B/zh active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN106601763A (zh) | 2017-04-26 |
CN106601763B (zh) | 2020-01-31 |
MY176378A (en) | 2020-08-04 |
JP6308404B2 (ja) | 2018-04-11 |
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Legal Events
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