JP2017069283A - Package, light-emitting device, light-emitting module and package manufacturing method - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a package having high dissipation, a light-emitting device, a light-emitting module and a package manufacturing method.SOLUTION: A package 1 includes: an insulating substrate 2; a first wiring part 3 provided on the top surface of the insulating substrate; and a second wiring part 5 which is conductively connected to a first wiring part and provided on the lower surface of the insulating substrate. The second wiring part has a thickness of 100 μm or more downward from the lower surface of the insulating substrate, a metal film containing gold as the main component is applied to the surface of the second wiring part, and an area of connection surfaces 6a, 7a connected to the lower surface of the insulating substrate and an area of tip surfaces 6b, 7b in the thickness direction are formed so as to be different from each other.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本開示は、絶縁性基板を使用するパッケージ、発光装置、発光モジュール、及び、パッケージの製造方法に関するものである。   The present disclosure relates to a package that uses an insulating substrate, a light emitting device, a light emitting module, and a method for manufacturing the package.

従来、発光ダイオード(LED)及びレーザダイオード(LD)のような発光素子は、絶縁性基板の上面に設けられて、発光装置とされる。この発光装置は、絶縁性基板の上面及び下面に導体配線が設けられており、下面に設けられた導体配線が、実装基板に施された導体配線にハンダ付けされ、ハンダ接続部を形成することにより、実装基板に電気的に接続される。前記した絶縁性基板の材料としては、樹脂を用いたものが多いが、最近では、発光装置の耐熱性及び耐光性を向上させる目的から、絶縁性基板の材料として、セラミックスを用いたものも提供されている(例えば、特許文献1参照)。   Conventionally, light emitting elements such as a light emitting diode (LED) and a laser diode (LD) are provided on an upper surface of an insulating substrate to form a light emitting device. In this light emitting device, conductor wiring is provided on the upper and lower surfaces of the insulating substrate, and the conductor wiring provided on the lower surface is soldered to the conductor wiring provided on the mounting substrate to form a solder connection portion. Thus, it is electrically connected to the mounting substrate. Many of the materials for the insulating substrate described above use a resin, but recently, for the purpose of improving the heat resistance and light resistance of the light emitting device, a material using an insulating substrate is also provided. (For example, refer to Patent Document 1).

特開2007−201041号公報JP 2007-201041 A

発光装置では、点灯開始後の温度上昇と消灯後の温度下降との繰り返しにより、発光装置本体において熱膨張及び熱収縮が繰り返される。一般的に、絶縁性基板の材料としてセラミックスを用いた発光装置では、絶縁性基板と実装基板との間に熱膨張率の差がある。そのため、発光装置の点灯及び消灯による温度の上昇及び下降が繰り返されると、発光装置と実装基板とを接続するハンダ接続部は熱膨張率差に起因する応力を繰り返し受ける。そして、熱膨張率差に起因する応力を受ける接続部では、ハンダクラック(亀裂)などの破損を生じることがある。このようなハンダクラックは、発光装置と実装基板との電気的及び機械的な接続不良を起こすため、発光装置の信頼性を低下させる要因となる。   In the light-emitting device, thermal expansion and thermal contraction are repeated in the light-emitting device body by repeatedly increasing the temperature after starting lighting and decreasing the temperature after turning off the light. Generally, in a light emitting device using ceramics as a material for an insulating substrate, there is a difference in thermal expansion coefficient between the insulating substrate and the mounting substrate. For this reason, when the temperature rise and fall due to turning on and off of the light emitting device are repeated, the solder connecting portion that connects the light emitting device and the mounting substrate repeatedly receives stress due to the difference in thermal expansion coefficient. And in the connection part which receives the stress resulting from a thermal expansion coefficient difference, damages, such as a solder crack (crack), may arise. Such a solder crack causes an electrical and mechanical connection failure between the light emitting device and the mounting substrate, which causes a decrease in the reliability of the light emitting device.

そこで、耐ハンダ性を向上させる手法のひとつとしては、ハンダフィレットを形成できる端子構造がある。この端子構造は、端子の底面だけではなく端子の側面にハンダを這い上がらせることでハンダ自体の強度を強化する手法である。そのため、セラミックス等の実装基板と熱膨張率の差がある材料を用いた発光装置では、キャスタレーションを設けることで、ハンダフィレットを形成させるのが一般的である。
しかしながら、キャスタレーションを設ける発光装置では、構造が複雑、加工工数の増加、端子へのめっき不良リスクの増加、高価格化などマイナス要素も多い。
Therefore, as one of the methods for improving the solder resistance, there is a terminal structure capable of forming a solder fillet. This terminal structure is a technique for enhancing the strength of the solder itself by scooping up the solder not only on the bottom surface of the terminal but also on the side surface of the terminal. Therefore, in a light-emitting device using a material having a thermal expansion coefficient different from that of a mounting substrate such as ceramics, a solder fillet is generally formed by providing a castellation.
However, a light emitting device provided with a castellation has many negative factors such as a complicated structure, an increase in the number of processing steps, an increased risk of plating defects on terminals, and an increase in price.

本開示の実施形態は、放熱性の高いパッケージ、発光装置、発光モジュール及びパッケージの製造方法を提供することを課題とする。   An object of the embodiment of the present disclosure is to provide a package, a light-emitting device, a light-emitting module, and a method for manufacturing the package with high heat dissipation.

本開示の実施形態に係るパッケージは、絶縁性基板と、前記絶縁性基板の上面に設けられる第1配線部と、前記第1配線部と導通し、前記絶縁性基板の下面に設けられる第2配線部と、を備え、前記第2配線部は、前記絶縁性基板の下面から下方に100μm以上の厚みを有すると共に、前記第2配線部の表面に金を主成分とする金属膜が施され、かつ、前記絶縁性基板の下面に接続する接続面の面積と厚み方向の先端面の面積とが異なるように形成されている。   A package according to an embodiment of the present disclosure includes an insulating substrate, a first wiring portion provided on an upper surface of the insulating substrate, and a second wiring provided on the lower surface of the insulating substrate and electrically connected to the first wiring portion. The second wiring part has a thickness of 100 μm or more downward from the lower surface of the insulating substrate, and a metal film mainly composed of gold is applied to the surface of the second wiring part. In addition, the area of the connection surface connected to the lower surface of the insulating substrate is different from the area of the tip surface in the thickness direction.

本開示の実施形態に係るパッケージの製造方法は、絶縁性基板の下面に銅を主成分とする第1めっきを100μm以上の厚さで施す工程と、前記第1めっきの下面の所定領域にレジストを塗布してエッチングする工程と、前記エッチングされた第1めっきの表面に金を主成分とする第2めっきを施す工程と、を行い、前記エッチングする工程では、前記絶縁性基板に接続する前記第1めっきの接続面と、厚み方向の前記第1めっきの先端面と、の面積が異なるようにエッチングを行うこととした。ここで厚み方向とは、第1めっきの厚みの方向を指す。   A method for manufacturing a package according to an embodiment of the present disclosure includes a step of applying a first plating mainly composed of copper to a lower surface of an insulating substrate with a thickness of 100 μm or more, and a resist in a predetermined region on the lower surface of the first plating. Applying and etching, and applying a second plating mainly composed of gold on the etched first plating surface, and in the etching step, the step of connecting to the insulating substrate is performed. Etching is performed so that the areas of the connection surface of the first plating and the tip surface of the first plating in the thickness direction are different. Here, the thickness direction refers to the thickness direction of the first plating.

本開示によれば、放熱性の高いパッケージ、発光装置、発光モジュール及びパッケージの製造方法を提供することができる。
絶縁性基板の第2配線部を所定の構成にすることで、ハンダが第2配線部の側面および底面に付着してハンダフィレットを形成して接合強度を向上することができる。
According to the present disclosure, it is possible to provide a package, a light emitting device, a light emitting module, and a method for manufacturing the package with high heat dissipation.
By setting the second wiring portion of the insulating substrate to a predetermined configuration, the solder adheres to the side surface and the bottom surface of the second wiring portion to form a solder fillet, thereby improving the bonding strength.

本開示の第1実施形態に係るパッケージの一部を断面にして下方から見上げて模式的に示す斜視図である。FIG. 3 is a perspective view schematically showing a part of the package according to the first embodiment of the present disclosure as a cross-section, looking up from below. 本開示の第1実施形態に係るパッケージを模式的に示す底面図である。FIG. 6 is a bottom view schematically showing a package according to a first embodiment of the present disclosure. 本開示の第1実施形態に係るパッケージであり図2のIIIA−IIIA線における部分を模式的に示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing a portion of the package according to the first embodiment of the present disclosure, taken along line IIIA-IIIA in FIG. 2. 本開示の第1実施形態に係るパッケージであり図2のIIIB−IIIB線における部分を模式的に示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing a portion of the package according to the first embodiment of the present disclosure, taken along line IIIB-IIIB in FIG. 2. 本開示の第1実施形態に係るパッケージに発光素子を搭載して発光装置とした状態を一部断面にして模式的に示す斜視図である。It is a perspective view showing typically the state where a light emitting element was carried in the package concerning a 1st embodiment of this indication, and it was set as a light emitting device in a section. 本開示の第1実施形態に係るパッケージを用いた発光装置を実装基板に実装して発光モジュールとした状態を一部断面にして模式的に示す斜視図である。It is a perspective view showing typically the state where a light emitting device using a package concerning a 1st embodiment of this indication was mounted in a mounting substrate, and it was set as a light emitting module in a section. 本開示の第1実施形態に係るパッケージの製造工程を示す図であり、セラミックグリーンシートを積層する状態を模式的に示す断面図である。It is a figure which shows the manufacturing process of the package which concerns on 1st Embodiment of this indication, and is sectional drawing which shows typically the state which laminates | stacks a ceramic green sheet. 本開示の第1実施形態に係るパッケージの製造工程を示す図であり、セラミックスグリーンシートに第1配線部およびビアの導体材料を設けた状態を模式的に示す断面図である。It is a figure which shows the manufacturing process of the package which concerns on 1st Embodiment of this indication, and is sectional drawing which shows typically the state which provided the conductor material of the 1st wiring part and the via | veer in the ceramic green sheet. 本開示の第1実施形態に係るパッケージの製造工程を示す図であり、セラミックスグリーンシートを焼結して絶縁性基板を形成した状態を模式的に示す断面図である。It is a figure which shows the manufacturing process of the package which concerns on 1st Embodiment of this indication, and is sectional drawing which shows typically the state which sintered the ceramic green sheet and formed the insulating substrate. 本開示の第1実施形態に係るパッケージの製造工程を示す図であり、焼結した絶縁性基板に、第2配線部となる金属めっきを塗布した状態を模式的に示す断面図である。It is a figure which shows the manufacturing process of the package which concerns on 1st Embodiment of this indication, and is sectional drawing which shows typically the state which apply | coated the metal plating used as a 2nd wiring part to the sintered insulating board | substrate. 本開示の第1実施形態に係るパッケージの製造工程を示す図であり、金属めっきにレジストを設けた状態を模式的に示す断面図である。It is a figure which shows the manufacturing process of the package which concerns on 1st Embodiment of this indication, and is sectional drawing which shows typically the state which provided the resist in metal plating. 本開示の第1実施形態に係るパッケージの製造工程を示す図であり、金属めっきのレジストを介してエッチングした状態を模式的に示す断面図である。It is a figure which shows the manufacturing process of the package which concerns on 1st Embodiment of this indication, and is sectional drawing which shows typically the state etched through the resist of metal plating. 本開示の第1実施形態に係るパッケージの第2配線部に第2めっきを施した状態を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the state which gave 2nd plating to the 2nd wiring part of the package which concerns on 1st Embodiment of this indication. 本開示の第1実施形態に係るパッケージに発光素子を実装して発光装置とした状態を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the state which mounted the light emitting element in the package which concerns on 1st Embodiment of this indication, and was set as the light-emitting device. 本開示の第1実施形態に係る発光装置を実施基板に実装して発光モジュールとした状態を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the state which mounted the light-emitting device which concerns on 1st Embodiment of this indication on the implementation board | substrate, and was set as the light-emitting module. 本開示の第2実施形態に係るパッケージの一部を断面にして下方から見上げて模式的に示す斜視図である。FIG. 9 is a perspective view schematically showing a part of a package according to a second embodiment of the present disclosure as viewed from below with a cross-section. 本開示の第2実施形態に係るパッケージを模式的に示す底面図である。It is a bottom view showing typically the package concerning a 2nd embodiment of this indication. 本開示の第2実施形態に係るパッケージであり図8のIXA−IXA線における部分を模式的に示す断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view schematically showing a portion of the package according to the second embodiment of the present disclosure, taken along line IXA-IXA in FIG. 8. 本開示の第2実施形態に係るパッケージであり図8のIXB−IXB線における部分を模式的に示す断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view schematically showing a portion of the package according to the second embodiment of the present disclosure, taken along line IXB-IXB in FIG. 8. 本開示の第2実施形態に係るパッケージに発光素子を設けた発光装置を実装基板に実装した発光モジュールの一部を断面にして模式的に示す斜視図である。It is a perspective view which shows typically a part of light emitting module which mounted the light emitting device which provided the light emitting element in the package which concerns on 2nd Embodiment of this indication on the mounting board in cross section. 本開示の第3実施形態に係るパッケージを模式的に示す底面図である。It is a bottom view showing typically a package concerning a 3rd embodiment of this indication. 本開示の第4実施形態に係るパッケージを模式的に示す底面図である。It is a bottom view showing typically the package concerning a 4th embodiment of this indication.

以下、各実施形態に係る照明装置について、図面を参照しながら説明する。なお、以下の説明において参照する図面は、各実施形態を概略的に示したものであるため、各部材のスケールや間隔、位置関係等が誇張、あるいは、部材の一部の図示が省略されている場合がある。また、以下の説明では、同一の名称および符号については原則として同一もしくは同質の部材を示しており、詳細説明を適宜省略することとする。さらに、各図において示す方向は、構成要素間の相対的な位置を示し、絶対的な位置を示すことを意図したものではない。   Hereinafter, the illumination device according to each embodiment will be described with reference to the drawings. The drawings referred to in the following description schematically show the respective embodiments, and therefore the scale, spacing, positional relationship, etc. of each member are exaggerated, or some of the members are not shown. There may be. Moreover, in the following description, the same name and code | symbol indicate the same or the same member in principle, and shall omit detailed description suitably. Furthermore, the directions shown in each figure indicate relative positions between components, and are not intended to indicate absolute positions.

<第1実施形態>
図1から図5を参照して、第1実施形態に係るパッケージ1、発光装置S及び発光モジュールMをそれぞれ説明する。図1は、本開示の第1実施形態に係るパッケージの一部を断面にして下方から見上げて模式的に示す斜視図である。図2は、本開示の第1実施形態に係るパッケージを模式的に示す底面図である。図3Aは、本開示の第1実施形態に係るパッケージであり図2のIIIA−IIIA線における部分を模式的に示す断面図である。図3Bは、本開示の第1実施形態に係るパッケージであり図2のIIIB−IIIB線における部分を模式的に示す断面図である。また、図4は、本開示の第1実施形態に係るパッケージに発光素子を搭載して発光装置とした状態を一部断面にして模式的に示す斜視図である。さらに、図5は、本開示の第1実施形態に係るパッケージを用いた発光装置を実装基板に実装して発光モジュールとした状態を一部断面にして模式的に示す斜視図である。
<First Embodiment>
With reference to FIGS. 1 to 5, the package 1, the light emitting device S, and the light emitting module M according to the first embodiment will be described. FIG. 1 is a perspective view schematically showing a part of a package according to the first embodiment of the present disclosure as a cross-sectional view looking up from below. FIG. 2 is a bottom view schematically showing the package according to the first embodiment of the present disclosure. FIG. 3A is a package according to the first embodiment of the present disclosure, and is a cross-sectional view schematically showing a part taken along line IIIA-IIIA in FIG. 3B is a package according to the first embodiment of the present disclosure, and is a cross-sectional view schematically showing a part taken along line IIIB-IIIB in FIG. 2. FIG. 4 is a perspective view schematically showing a partial cross-section of a light emitting device in which a light emitting element is mounted on the package according to the first embodiment of the present disclosure. Furthermore, FIG. 5 is a perspective view schematically showing a partial cross-section of a light emitting module in which a light emitting device using the package according to the first embodiment of the present disclosure is mounted on a mounting substrate.

発光モジュールMは、少なくとも1つ以上の発光装置Sと、発光装置Sを実装した実装基板20とを備えている。また、発光装置Sは、発光素子10と、発光素子10を実装したパッケージ1とを備えている。
パッケージ1は、絶縁性基板2と、絶縁性基板2の上面に設けられる第1配線部3と、絶縁性基板2の下面に設けられる第2配線部5と、第1配線部3と第2配線部5とを電気的に接続するビア4と、を備えている。このパッケージ1は、発光素子10が第1配線部3上に配置される支持部材である。また、このパッケージは、第2配線部5を介して後記する実装基板20と電気的に接続するように実装されるものである。なお、パッケージ1は、絶縁性基板2が基板部2aの上面側の周縁に、壁面部2bを備えており、発光素子10から直接出力される光と壁面部2bにより反射させて出力させる光とにより発光素子10からの光を出力するように構成されている。また、パッケージ1は、平面視において矩形(正方形又は長方形)に形成されている。
The light emitting module M includes at least one light emitting device S and a mounting substrate 20 on which the light emitting device S is mounted. The light emitting device S includes a light emitting element 10 and a package 1 on which the light emitting element 10 is mounted.
The package 1 includes an insulating substrate 2, a first wiring portion 3 provided on the upper surface of the insulating substrate 2, a second wiring portion 5 provided on the lower surface of the insulating substrate 2, a first wiring portion 3 and a second wiring portion. And a via 4 for electrically connecting the wiring part 5. The package 1 is a support member on which the light emitting element 10 is disposed on the first wiring part 3. Further, this package is mounted so as to be electrically connected to a mounting substrate 20 described later via the second wiring portion 5. In the package 1, the insulating substrate 2 is provided with a wall surface portion 2b on the periphery on the upper surface side of the substrate portion 2a. The light directly output from the light emitting element 10 and the light reflected by the wall surface portion 2b and output. Thus, the light from the light emitting element 10 is output. The package 1 is formed in a rectangle (square or rectangle) in plan view.

絶縁性基板2は、第1リード3a及び第2リード3bを備える。発光素子10は第2リード3b上に配置され、発光素子10と第1リード3aとはワイヤを介して電気的に接続されている。絶縁性基板2は発光素子10を設置する基板部2aと、この基板部2aの周縁から一側に突出して一体に形成される壁面部2bと、を備えており、壁面部2bの内側となる中央に開口を有する凹形状に形成されている。基板部2aは、第1リード3a及び第2リード3bを保持すると共に、第2配線部5にビア4a,4bを介して接続させる構成を備えている。壁面部2bは、ここでは内側面を傾斜させ基板部2aから離間するほど薄肉になる断面形状に形成されている。   The insulating substrate 2 includes a first lead 3a and a second lead 3b. The light emitting element 10 is disposed on the second lead 3b, and the light emitting element 10 and the first lead 3a are electrically connected via a wire. The insulating substrate 2 includes a substrate portion 2a on which the light emitting element 10 is installed, and a wall surface portion 2b that protrudes from the peripheral edge of the substrate portion 2a and is integrally formed, and is inside the wall surface portion 2b. It is formed in a concave shape having an opening in the center. The substrate portion 2a is configured to hold the first lead 3a and the second lead 3b and to be connected to the second wiring portion 5 via the vias 4a and 4b. Here, the wall surface portion 2b is formed in a cross-sectional shape that becomes thinner as the inner surface is inclined and separated from the substrate portion 2a.

絶縁性基板2は、第1配線部3の第1リード3a及び第2リード3bの一部を内包するように一体成形した絶縁性の材料により形成されている。この絶縁性基板2は、例えば、PPA(ポリフタルアミド)、PPS(ポリフェニレンサルファイド)、又は、液晶ポリマーなどの熱可塑性樹脂や、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、又は、フェノール樹脂などの熱硬化性樹脂を用いることができる。また、絶縁性基板2は、ガラスエポキシ樹脂、セラミクッス、ガラス等を用いることがより好ましい。なお、絶縁性基板2にセラミックスを用いる場合には、特に、アルミナ、窒化アルミニウム、ムライト、炭化ケイ素、窒化ケイ素等を用いることが好ましい。   The insulating substrate 2 is formed of an insulating material that is integrally molded so as to enclose part of the first lead 3 a and the second lead 3 b of the first wiring portion 3. The insulating substrate 2 is made of, for example, PPA (polyphthalamide), PPS (polyphenylene sulfide), or a thermoplastic resin such as a liquid crystal polymer, an epoxy resin, a silicone resin, a modified epoxy resin, a urethane resin, or a phenol resin. A thermosetting resin such as can be used. The insulating substrate 2 is more preferably made of glass epoxy resin, ceramic, glass or the like. When ceramics is used for the insulating substrate 2, it is particularly preferable to use alumina, aluminum nitride, mullite, silicon carbide, silicon nitride, or the like.

第1配線部3は、発光素子10と電気的に接続される。この第1配線部3は、正負一対の電極として第1リード3a及び第2リード3bを備えている。ここでは、第2リード3b上に発光素子10が載置されるように構成さている。第1リード3a及び第2リード3bは、ビア4a,4b、及び第2配線部5を介して外部電源等に電気的に接続するためのリード端子であり、その形状、大きさ等は、使用される発光装置に対応して形成され、特に限定されるものではない。第1リード3a及び第2リード3bは、Fe、Cu、Ni、Al、Ag、Au及びこれらを含む合金により形成されている。   The first wiring unit 3 is electrically connected to the light emitting element 10. The first wiring portion 3 includes a first lead 3a and a second lead 3b as a pair of positive and negative electrodes. Here, the light emitting element 10 is configured to be placed on the second lead 3b. The first lead 3a and the second lead 3b are lead terminals for electrically connecting to an external power source or the like via the vias 4a and 4b and the second wiring part 5, and the shape, size, etc. are used. It is formed corresponding to the light emitting device to be manufactured and is not particularly limited. The first lead 3a and the second lead 3b are formed of Fe, Cu, Ni, Al, Ag, Au, and an alloy containing these.

ビア4は、第1配線部3及び第2配線部5を電気的に接続するものである。このビア4は、絶縁性基板2を貫通する貫通孔内に導電性材料が充填されることで構成されている。ビア4は、ここでは、一例として、絶縁性基板2の中心線上(IIIA−IIIA線上)に4カ所形成され、第1リード3a側に第1ビア4a,4aを、第2リード3b側に第2ビア4b,4bを形成している。ビア4の数は特に限定されず、ビアの数を増やすことにより発光素子からの熱を効率良く外部に放出することができる。このビア4を形成する場合は、例えば、基板部2aに貫通孔を形成し、導電性材料を含む導電性ペーストにて貫通孔を塞ぎ、その後に焼成する方法や、基板部2aを形成若しくは焼成後にキリやドリル等で貫通させる方法等がある。なお、導電性材料としては、絶縁性基板2が例えば母材としてガラス、セラミックスであった場合、その焼成時に、貫通孔内にビア4で一般的に使用される金属製の導電性ペースト等の材料が用いられる。   The via 4 electrically connects the first wiring part 3 and the second wiring part 5. The via 4 is configured by filling a conductive material in a through hole penetrating the insulating substrate 2. Here, as an example, four vias 4 are formed on the center line (IIIA-IIIA line) of the insulating substrate 2, the first vias 4 a and 4 a are provided on the first lead 3 a side, and the first vias 4 b are provided on the second lead 3 b side. Two vias 4b and 4b are formed. The number of vias 4 is not particularly limited, and heat from the light emitting element can be efficiently released to the outside by increasing the number of vias. When the via 4 is formed, for example, a through hole is formed in the substrate portion 2a, the through hole is closed with a conductive paste containing a conductive material, and then fired, or the substrate portion 2a is formed or fired. There is a method of penetrating with a drill or a drill later. In addition, as the conductive material, when the insulating substrate 2 is, for example, glass or ceramics as a base material, a metal conductive paste or the like generally used for the via 4 in the through hole at the time of firing is used. Material is used.

第2配線部5は、外部電源と電気的に接続して、パッケージ1に実装されている発光素子10に給電するためのものである。この第2配線部5は、正負一対の電極として第1外部リード6及び第2外部リード7を備えている。第1外部リード6及び第2外部リード7は、ここでは、絶縁性基板2の下面(底面)から金属めっきにより100μm以上の厚みを有するように形成されていると共に、表面に金を主成分とする第2めっき(金属膜8)が施されている。さらに、第1外部リード6及び第2外部リード7は、絶縁性基板2の下面にそれぞれ接続する接続面6a,7aの面積と、厚み方向のそれぞれの先端面6b,7bの面積とが異なるように形成されている。第1外部リード6及び第2外部リード7は、絶縁性基板2の下面にそれぞれ接続する接続面6a,7aの面積と、厚み方向のそれぞれの先端面6b,7bの面積とは、少なくとも5%以上、好ましくは10%以上、さらに好ましくは15%以上異なることが好ましい。これによりハンダとの密着面積を増やすことができる。また、第1外部リード6は、絶縁性基板2の下面に接続する接続部6Aの長さ(径)L1と、厚み方向の先端部6Bの長さ(径)L2と、が異なるように形成されている。第1外部リード6は、絶縁性基板2の下面に接続する接続部6Aの長さ(径)L1と、厚み方向の先端部6Bの長さ(径)L2と、は、2%以上、好ましくは5%以上、さらに好ましくは10%以上異なることが好ましい。ここで径とは、円、楕円の直径に限られず、所定の面積の径を示す。   The second wiring unit 5 is electrically connected to an external power source and supplies power to the light emitting element 10 mounted on the package 1. The second wiring portion 5 includes a first external lead 6 and a second external lead 7 as a pair of positive and negative electrodes. Here, the first external lead 6 and the second external lead 7 are formed so as to have a thickness of 100 μm or more from the lower surface (bottom surface) of the insulating substrate 2 by metal plating, and the surface is mainly composed of gold. Second plating (metal film 8) is applied. Further, the first external lead 6 and the second external lead 7 have different areas of the connection surfaces 6a and 7a connected to the lower surface of the insulating substrate 2 and the areas of the respective front end surfaces 6b and 7b in the thickness direction. Is formed. In the first external lead 6 and the second external lead 7, the area of the connection surfaces 6a and 7a connected to the lower surface of the insulating substrate 2 and the area of the respective front end surfaces 6b and 7b in the thickness direction are at least 5%. It is preferable that the difference is 10% or more, more preferably 15% or more. Thereby, the contact | adherence area with solder can be increased. The first external lead 6 is formed so that the length (diameter) L1 of the connecting portion 6A connected to the lower surface of the insulating substrate 2 is different from the length (diameter) L2 of the distal end portion 6B in the thickness direction. Has been. In the first external lead 6, the length (diameter) L1 of the connecting portion 6A connected to the lower surface of the insulating substrate 2 and the length (diameter) L2 of the distal end portion 6B in the thickness direction are 2% or more, preferably Is preferably 5% or more, more preferably 10% or more. Here, the diameter is not limited to the diameter of a circle or an ellipse, and indicates a diameter of a predetermined area.

第2配線部5は、絶縁性基板2の底面に対し、20度〜70度の内角を有していることが好ましく、特に25度〜65度の内角を有していることが好ましい。これによりハンダとの接合をより強度にすることができる。特に第2配線部5は、絶縁性基板2の底面に対し、20度〜70度の内角を有することで、ハンダフィレットを生じやすくなる構成とすることができる。
ここで、「内角」とは、絶縁性基板2の底面に対する垂直な断面で見たとき、第2配線部5の側面における第2配線部5の高さの1/2である点と、絶縁性基板2の底面と第2配線部5との接合点と、を結ぶ直線と、前記絶縁性基板2の底面の直線と、の内側の角度を意味する。
The second wiring portion 5 preferably has an internal angle of 20 degrees to 70 degrees with respect to the bottom surface of the insulating substrate 2, and particularly preferably has an internal angle of 25 degrees to 65 degrees. Thereby, joining with solder can be made stronger. In particular, the second wiring part 5 can have a configuration in which a solder fillet is easily generated by having an internal angle of 20 degrees to 70 degrees with respect to the bottom surface of the insulating substrate 2.
Here, the “inner angle” refers to a point that is a half of the height of the second wiring part 5 on the side surface of the second wiring part 5 when viewed in a cross section perpendicular to the bottom surface of the insulating substrate 2, and insulation. It means the angle inside the straight line connecting the bottom surface of the insulating substrate 2 and the junction point of the second wiring part 5 and the straight line of the bottom surface of the insulating substrate 2.

第1外部リード6は、略矩形環状に形成されている。また、第1外部リード6は、パッケージ1の外側面に向かって延びる延出部6dを矩形環状の一辺に有するように形成されている。そして、第1外部リード6は、パッケージ1の外側面から内側に入った位置に接続面6aが形成され、2つの延出部6dだけが外側面まで延びるように形成されている。第1外部リード6は、絶縁性基板2の下面に接続する接続面6aより、厚み方向の先端面6bの面積が小さくなるように形成されている。ここでは、第1外部リード6は、厚み方向の断面視において接続部6Aの長さL1よりも先端部6Bの長さが短くなるように構成されている。つまり、第1外部リード6は、接続部6Aから先端部6Bに向かって径が小さく(短く)なるように構成されている。   The first external lead 6 is formed in a substantially rectangular ring shape. The first external lead 6 is formed so as to have an extended portion 6 d extending toward the outer surface of the package 1 on one side of the rectangular ring. The first external lead 6 is formed such that a connection surface 6a is formed at a position entering the inside from the outer surface of the package 1, and only two extending portions 6d extend to the outer surface. The first external lead 6 is formed so that the area of the front end surface 6b in the thickness direction is smaller than the connection surface 6a connected to the lower surface of the insulating substrate 2. Here, the first external lead 6 is configured such that the length of the distal end portion 6B is shorter than the length L1 of the connection portion 6A in a sectional view in the thickness direction. That is, the first external lead 6 is configured so that the diameter decreases (shortens) from the connection portion 6A toward the tip portion 6B.

そして、第1外部リード6は、一例として、銅又は銅を主成分としており、その表面は金を主成分とする金属が施されている。第1外部リード6は銅又は銅を主成分とする第1めっきにより形成されており、その表面に金を主成分とする第2めっき(金属膜8)が施されている。この金属膜8は、後記する実装基板20との電気的な接続を行う場合に、ハンダHd等の接続材料が付着し易くするためのものである。
ここで、「接続部6Aの長さ」あるいは「接続部6Aの径」とは、矩形環状に形成した環幅における中心を通り一方の側面6cから他方の側面6cまで引いた直線の長さをいう(図3A及び図3B参照)。また、接続部6Aは、接続面6aを含む厚み方向の中心よりも接続面6a側の部分とする。そして、先端部6Bは、先端面6bを含む厚み方向の中心よりも先端面6b側の部分とする。そして、厚み方向の断面視とは、第2配線部5(第1外部リード6及び第2外部リード7)を垂直方向から切断した断面が見える状態をいう。
For example, the first external lead 6 has copper or copper as a main component, and the surface thereof is provided with a metal whose main component is gold. The first external lead 6 is formed by copper or first plating mainly containing copper, and second plating (metal film 8) mainly containing gold is applied on the surface thereof. This metal film 8 is for facilitating adhesion of a connecting material such as solder Hd when electrical connection with a mounting substrate 20 described later is performed.
Here, “the length of the connecting portion 6A” or “the diameter of the connecting portion 6A” means the length of a straight line passing through the center of the ring width formed in a rectangular ring shape and extending from one side surface 6c to the other side surface 6c. (See FIGS. 3A and 3B). Further, the connecting portion 6A is a portion closer to the connecting surface 6a than the center in the thickness direction including the connecting surface 6a. And let the front-end | tip part 6B be a part of the front end surface 6b side rather than the center of the thickness direction containing the front end surface 6b. The sectional view in the thickness direction means a state in which a section obtained by cutting the second wiring part 5 (the first external lead 6 and the second external lead 7) from the vertical direction is visible.

第1外部リード6は、接続面6aよりも先端面6bが小さくなることで(接続部6Aから先端部6Bに向かって径が小さく(短く)なることで)、延出部6dの端面を除く部分の側面6cが接続面6aから先端面6bに向かって傾斜する。そのため、第1外部リード6は、側面6cに後記するハンダが付着し易くなりハンダフィレットの役割を果たすことが可能となる。
なお、第2外部リード7は、矩形環状に形成され、接続面7a,先端面7b,側面7c,延出部7d,7dを備え、表面に第2めっき(金属膜8)が施されており、すでに説明した第1外部リード6と左右対称な構成であり、同じ形状、大きさ、材料、構成であるため、説明を省略する。ただし、第2外部リード7は、第1外部リード6と異なる形状、大きさ、材料、構成とすることもできる。
また、第1外部リード6及び第2外部リード7は、いずれも絶縁性基板2の底面(裏面)から厚み方向に100〜150μmの範囲で形成され、好ましくは、110〜130μmの範囲で形成されている。第1外部リード6及び第2外部リード7を所定の厚みとすることにより、第1外部リード6及び第2外部リード7の側面にハンダが付着し、発光素子からの熱を効率良く外部に放熱することができる。
The first external lead 6 has the tip surface 6b smaller than the connection surface 6a (by the diameter becoming smaller (shorter) from the connection portion 6A toward the tip portion 6B), and excludes the end surface of the extension portion 6d. The side surface 6c of the portion is inclined from the connection surface 6a toward the tip surface 6b. Therefore, the first external lead 6 can easily adhere to the solder described later on the side surface 6c and can serve as a solder fillet.
The second external lead 7 is formed in a rectangular ring shape and includes a connection surface 7a, a tip surface 7b, a side surface 7c, and extending portions 7d and 7d, and a second plating (metal film 8) is applied to the surface. Since the configuration is symmetrical to the first external lead 6 already described and has the same shape, size, material, and configuration, description thereof is omitted. However, the second external lead 7 may have a shape, size, material, and configuration different from those of the first external lead 6.
The first external lead 6 and the second external lead 7 are both formed in the thickness direction from the bottom surface (back surface) of the insulating substrate 2 in the thickness direction of 100 to 150 μm, preferably in the range of 110 to 130 μm. ing. By setting the first external lead 6 and the second external lead 7 to a predetermined thickness, solder adheres to the side surfaces of the first external lead 6 and the second external lead 7 and efficiently dissipates heat from the light emitting element to the outside. can do.

以上説明したパッケージ1の構成において、第2配線部5は、第1外部リード6の接続面6aより先端面6bの面積が小さくなるように、かつ、第2外部リード7の接続面7aより先端面7bの面積が小さくなるように構成されているため、側面6c,7cが傾斜して、かつ、表面積が大きくなる。したがって、パッケージ1は、放熱性が高く、第2配線部5の側面6c,7cが傾斜していることで、ハンダフィレットを側面6c,7cに設けることができる。   In the configuration of the package 1 described above, the second wiring portion 5 has a distal end surface 6b having a smaller area than the connection surface 6a of the first external lead 6 and a distal end from the connection surface 7a of the second external lead 7. Since the area of the surface 7b is reduced, the side surfaces 6c and 7c are inclined and the surface area is increased. Therefore, the package 1 has high heat dissipation, and the side surfaces 6c and 7c of the second wiring part 5 are inclined, so that solder fillets can be provided on the side surfaces 6c and 7c.

つぎに、パッケージ1に実装される発光素子10について説明する。
図4に示すように、発光素子10は、例えば、発光ダイオード(LED)や、半導体レーザ(LD)等の半導体素子であり、半導体層が発光部分を構成するものである。半導体層は、例えば、サファイア基板のc面(主面)上にバッファ層を介して形成されており、n型半導体層、活性層およびp型半導体層が下からこの順に積層された構造を有している。そして、活性層は、例えば井戸層(発光層)と障壁層とを有する量子井戸構造である。半導体層は、GaN,AlNもしくはInN,またはこれらの混晶であるIII−V族窒化物半導体(InAlGa1−X−YN(0≦X,0≦Y,X+Y<1))から構成されることが好ましい。
Next, the light emitting element 10 mounted on the package 1 will be described.
As shown in FIG. 4, the light emitting element 10 is a semiconductor element such as a light emitting diode (LED) or a semiconductor laser (LD), and the semiconductor layer constitutes a light emitting portion. The semiconductor layer is formed, for example, on the c-plane (main surface) of the sapphire substrate via a buffer layer, and has a structure in which an n-type semiconductor layer, an active layer, and a p-type semiconductor layer are stacked in this order from the bottom. doing. The active layer has a quantum well structure having, for example, a well layer (light emitting layer) and a barrier layer. The semiconductor layer is a group III-V nitride semiconductor (In X Al Y Ga 1- XYN (0 ≦ X, 0 ≦ Y, X + Y <1)) that is GaN, AlN, InN, or a mixed crystal thereof. It is preferable that it is comprised.

なお、発光素子10は、波長変換部材を介して、所望の波長の光を照射するように構成してもよい。波長変換部材は、発光素子10を被覆して、発光素子10からの照射光を異なる波長の光に変換するものである。波長変換部材は、一例として蛍光体の粒子であり、例えば、樹脂等のバインダーを介して発光素子10を覆うように設けられている。また、発光素子10では、パッケージ1の凹部開口を覆うガラス板を設け、そのガラス板に波長変換部材を含有させる構成としてもよい。   In addition, you may comprise the light emitting element 10 so that the light of a desired wavelength may be irradiated through a wavelength conversion member. The wavelength conversion member covers the light emitting element 10 and converts the irradiation light from the light emitting element 10 into light having a different wavelength. The wavelength conversion member is, for example, a phosphor particle, and is provided so as to cover the light emitting element 10 via a binder such as a resin. Moreover, in the light emitting element 10, it is good also as a structure which provides the glass plate which covers the recessed part opening of the package 1, and contains the wavelength conversion member in the glass plate.

図4に示すように、発光装置Sは、パッケージ1に接着材を介して発光素子10を接合し、ワイヤにより電気的に接続されることで構成される。発光装置Sは、パッケージ1の凹部内の発光素子10を封止樹脂等の透光部材で封止してもよい。また、発光装置Sは、パッケージ1の凹部内の透光部材を設けると共に、凹部開口にガラス板を設ける構成としてもよい。   As shown in FIG. 4, the light emitting device S is configured by joining a light emitting element 10 to a package 1 via an adhesive and electrically connecting with a wire. In the light emitting device S, the light emitting element 10 in the recess of the package 1 may be sealed with a translucent member such as a sealing resin. The light emitting device S may have a configuration in which a light transmitting member in the recess of the package 1 is provided and a glass plate is provided in the opening of the recess.

さらに、発光モジュールMの構成として、発光装置Sを実装するための実装基板20について説明する。
図5に示すように、実装基板20は、その形状を特に限定されるものではないが、ここでは、矩形に形成され中央に発光装置Sの実装領域21が形成されている。実装基板20の実装領域21は、発光装置Sが実装されたときに電気的に接続ができる配線が予め形成されている。実装基板20は、材料として、絶縁性材料を用いることが好ましく、かつ、発光装置Sから放出される光や外光等が透過しにくい材料を用いることが好ましい。また、実装基板20は、ある程度の強度を有する材料や、フレキシブルな材料であってもよい。
Furthermore, as a configuration of the light emitting module M, a mounting substrate 20 for mounting the light emitting device S will be described.
As shown in FIG. 5, the shape of the mounting substrate 20 is not particularly limited, but here, the mounting substrate 20 is formed in a rectangular shape, and the mounting region 21 of the light emitting device S is formed in the center. In the mounting area 21 of the mounting substrate 20, wiring that can be electrically connected when the light emitting device S is mounted is formed in advance. For the mounting substrate 20, it is preferable to use an insulating material as a material, and it is preferable to use a material that hardly transmits light emitted from the light emitting device S, external light, or the like. The mounting substrate 20 may be a material having a certain degree of strength or a flexible material.

なお、実装基板20は、実装領域21の周囲に沿って、配線部(中継配線部を含む)および外部との電気的な接続を行うパッド電極が形成されている。さらに、実装基板20の配線部には、過大な電圧印加を抑制する保護素子(例えば、ツェナーダイオード)が接続される構成であってもよい。また、パッド電極は、実装基板20の実装領域21とは反対となる裏面に形成される構成としてもよい。   The mounting substrate 20 has a wiring portion (including a relay wiring portion) and a pad electrode for electrical connection with the outside along the periphery of the mounting region 21. Furthermore, the wiring part of the mounting substrate 20 may be configured to be connected to a protective element (for example, a Zener diode) that suppresses application of excessive voltage. The pad electrode may be formed on the back surface opposite to the mounting area 21 of the mounting substrate 20.

また、実装基板20に実装される発光装置Sの数は1つ以上であればよく、例えば、実装基板20の実装領域21の配線パターン上に行列方向(縦横方向)に整列して配置される構成であっても構わない。さらに、実装基板20に実装される発光装置Sは、ハンダを介して実装すると、パッケージの第2配線部5である第1外部リード6の側面6c及び第2外部リード7の側面7cが傾斜していることから、側面6c,7cにハンダHdが付着し易くハンダフィレットを形成することができる。そして、発光モジュールMでは、発光装置Sが的確に実装基板20に接合しているかを確認する場合、発光装置Sにおけるパッケージ1の側面6c,7cにハンダフィレットが形成されることを外部から視認あるいは映像から検出することができ、製品の良不良の判断がし易くなる。また、発光モジュールでは、ハンダフィレットが形成されることで、発光素子10のオンオフによる熱膨張率差に起因する応力を繰り返し受けても接続強度が高く、ハンダクラックが発生する要因が極めて低い構成である。   Further, the number of light emitting devices S mounted on the mounting substrate 20 may be one or more. For example, the light emitting devices S are arranged on the wiring pattern in the mounting region 21 of the mounting substrate 20 so as to be aligned in the matrix direction (vertical and horizontal directions). It may be a configuration. Further, when the light emitting device S mounted on the mounting substrate 20 is mounted via solder, the side surface 6c of the first external lead 6 and the side surface 7c of the second external lead 7 which are the second wiring part 5 of the package are inclined. Therefore, solder Hd can easily adhere to the side surfaces 6c and 7c, and a solder fillet can be formed. In the light emitting module M, when it is confirmed whether the light emitting device S is properly bonded to the mounting substrate 20, it is visually recognized from the outside that solder fillets are formed on the side surfaces 6c and 7c of the package 1 in the light emitting device S. It can be detected from the video, and it is easy to judge whether the product is good or bad. Further, in the light emitting module, the solder fillet is formed, so that the connection strength is high even when the stress due to the difference in thermal expansion coefficient due to the on / off of the light emitting element 10 is repeatedly received, and the cause of the occurrence of solder cracks is extremely low. is there.

つぎに、パッケージ1の製造方法、発光装置Sの製造方法及び発光モジュールの製造方法を説明する。図6Aは、本開示の第1実施形態に係るパッケージの製造工程を示す図であり、セラミックグリーンシートを積層する状態を模式的に示す断面図である。図6Bは、本開示の第1実施形態に係るパッケージの製造工程を示す図であり、セラミックスグリーンシートに第1配線部およびビアの導体材料を設けた状態を模式的に示す断面図である。図6Cは、本開示の第1実施形態に係るパッケージの製造工程を示す図であり、セラミックスグリーンシートを焼結して絶縁性基板を形成した状態を模式的に示す断面図である。図6Dは、本開示の第1実施形態に係るパッケージの製造工程を示す図であり、焼結した絶縁性基板に、第2配線部となる金属めっきを塗布した状態を模式的に示す断面図である。図6Eは、本開示の第1実施形態に係るパッケージの製造工程を示す図であり、金属めっきにレジストを設けた状態を模式的に示す断面図である。図6Fは、本開示の第1実施形態に係るパッケージの製造工程を示す図であり、金属めっきのレジストを介してエッチングした状態を模式的に示す断面図である。図6Gは、本開示の第1実施形態に係るパッケージの第2配線部に第2めっきを施した状態を模式的に示す断面図である。図6Hは、本開示の第1実施形態に係るパッケージに発光素子を実装して発光装置とした状態を模式的に示す断面図である。図6Iは、本開示の第1実施形態に係る発光装置を実施基板に実装して発光モジュールとした状態を模式的に示す断面図である。   Next, a manufacturing method of the package 1, a manufacturing method of the light emitting device S, and a manufacturing method of the light emitting module will be described. FIG. 6A is a diagram illustrating a manufacturing process of the package according to the first embodiment of the present disclosure, and is a cross-sectional view schematically illustrating a state in which ceramic green sheets are stacked. FIG. 6B is a diagram illustrating a manufacturing process of the package according to the first embodiment of the present disclosure, and is a cross-sectional view schematically illustrating a state in which the first wiring portion and the via conductor material are provided on the ceramic green sheet. FIG. 6C is a diagram illustrating a manufacturing process of the package according to the first embodiment of the present disclosure, and is a cross-sectional view schematically illustrating a state in which an insulating substrate is formed by sintering a ceramic green sheet. FIG. 6D is a diagram illustrating a manufacturing process of the package according to the first embodiment of the present disclosure, and is a cross-sectional view schematically illustrating a state in which a metal plating serving as a second wiring portion is applied to a sintered insulating substrate. It is. FIG. 6E is a diagram illustrating a manufacturing process of the package according to the first embodiment of the present disclosure, and is a cross-sectional view schematically illustrating a state in which a resist is provided on metal plating. FIG. 6F is a diagram illustrating a manufacturing process of the package according to the first embodiment of the present disclosure, and is a cross-sectional view schematically illustrating a state of being etched through a metal plating resist. FIG. 6G is a cross-sectional view schematically illustrating a state in which the second plating is applied to the second wiring portion of the package according to the first embodiment of the present disclosure. FIG. 6H is a cross-sectional view schematically illustrating a state where the light emitting device is mounted on the package according to the first embodiment of the present disclosure to obtain a light emitting device. FIG. 6I is a cross-sectional view schematically showing a state where the light emitting device according to the first embodiment of the present disclosure is mounted on an implementation substrate to form a light emitting module.

はじめに、パッケージ1の製造方法について説明する。
パッケージ1は、発光素子10を載置するための絶縁性基板2がセラミックスにより作製される。絶縁性基板2は、基板部2aに相当する部分と、壁面部2bに相当する部分とを、例えば、通常100μm〜400μmの厚みのセラミックスグリーンシートGsにより形成することができる。セラミックスグリーンシートGsは、セラミックス粉末と有機バインダーとを混練してシート状に形成したものである。つまり、絶縁性基板2は、セラミックスグリーンシートGsを所望の形状に合わせて積層することで、基板部2a及び壁面部2bを備える凹部形状として形成することができる。なお、セラミックスグリーンシートGsは、シート面に複数のパッケージ1が形成されるように構成されている。
First, a method for manufacturing the package 1 will be described.
In the package 1, an insulating substrate 2 for mounting the light emitting element 10 is made of ceramics. The insulating substrate 2 can be formed with a portion corresponding to the substrate portion 2a and a portion corresponding to the wall surface portion 2b by, for example, a ceramic green sheet Gs having a thickness of typically 100 μm to 400 μm. The ceramic green sheet Gs is formed by kneading ceramic powder and an organic binder into a sheet shape. That is, the insulating substrate 2 can be formed in a concave shape including the substrate portion 2a and the wall surface portion 2b by laminating the ceramic green sheets Gs in a desired shape. The ceramic green sheet Gs is configured such that a plurality of packages 1 are formed on the sheet surface.

また、基板部2aとなる部分には、セラミックスグリーンシートに予めビア4である第1ビア4a及び第2ビア4bの貫通孔haを形成し、その貫通孔haに導電性部材Ctを充填することで第1ビア4a及び第2ビア4bを形成することができる。また、第1配線部3として、銀、銅、アルミニウムなどの金属のように反射効率の高い部材をセラミックスグリーンシートGs上に設置することで、第1配線部3も絶縁性基板2と併せて形成することができる。なお、第1配線部3は、タングステンやモリブデンなど高融点金属を用いることもできる。そして、高融点金属を用いる場合には、金属粒子を樹脂バインダーに混合させセラミックスグリーンシートに塗布或いは印刷などを行いセラミックスグリーンシートGsと共に焼成することによって配線パターンを形成することができる。   In addition, a through hole ha of the first via 4a and the second via 4b, which are vias 4, is formed in advance in the ceramic green sheet in the portion that becomes the substrate portion 2a, and the through hole ha is filled with the conductive member Ct. Thus, the first via 4a and the second via 4b can be formed. Further, as the first wiring part 3, a member having high reflection efficiency such as a metal such as silver, copper, and aluminum is installed on the ceramic green sheet Gs, so that the first wiring part 3 is also combined with the insulating substrate 2. Can be formed. The first wiring part 3 can also use a refractory metal such as tungsten or molybdenum. When a refractory metal is used, a wiring pattern can be formed by mixing metal particles with a resin binder, coating or printing on the ceramic green sheet, and firing together with the ceramic green sheet Gs.

また、セラミックスグリーンシートGsとしてのセラミックス材料は、一例として、原料粉末の90〜96重量%がアルミナであり、焼結助剤の粘土、タルク、マグネシア、カルシア及びシリカ等を4〜10重量%添加して、1500〜1700℃の温度範囲で焼結させることで絶縁性基板2を形成することができる。なお、セラミックス材料は、他の例として、原料粉末の40〜60重量%をアルミナとし、焼結助剤として60〜40重量%の硼珪酸ガラス、コージュライト、フォルステライト、ムライトなどを添加したものを、800〜1200℃の温度範囲で焼結させて絶縁性基板2として形成することができる。勿論、セラミックスの絶縁性基板2は、形成することができれば材料を限定されるものではない。また、セラミックスは、Cr、MnO、TiO、Feなどをセラミックスグリーンシート自体に含有させることによって暗色系にさせることもできる。 The ceramic material for the ceramic green sheet Gs is, for example, 90 to 96% by weight of the raw material powder is alumina, and 4 to 10% by weight of sintering aids such as clay, talc, magnesia, calcia and silica are added. Then, the insulating substrate 2 can be formed by sintering in a temperature range of 1500 to 1700 ° C. As another example, the ceramic material includes 40 to 60% by weight of the raw material powder as alumina, and 60 to 40% by weight of borosilicate glass, cordierite, forsterite, mullite, etc. as a sintering aid. Can be sintered in the temperature range of 800 to 1200 ° C. to form the insulating substrate 2. Of course, the material of the ceramic insulating substrate 2 is not limited as long as it can be formed. Further, ceramics, Cr 2 O 3, MnO 2 , etc. TiO 2, Fe 2 O 3 can also be a dark color by incorporating in the ceramic green sheet itself.

セラミックスグリーンシートGsを焼結することで絶縁性基板2が形成された後、絶縁性基板2に第1めっきMeにより第2配線部5が設けられる。第2配線部5を形成する場合は、一例として銅を主成分とする第1めっきMeを絶縁性基板2の底面(裏面)に100μm以上(例えば100〜150μmの範囲)の厚みに塗布する。そして、第1めっきMeの所定位置にレジストReを設けてエッチングを行うことで、第2配線部5としての第1外部リード6及び第2外部リード7を絶縁性基板2に所望の形状(例えば、矩形環状図2参照)に形成する。第1外部リード6及び第2外部リード7は、エッチング時間を調整することで、絶縁性基板2側の接続面6a,7aの面積が、厚み方向の先端面6b,7bの面積よりも大きくなるようにしている。
つづいて、絶縁性基板2は、第1外部リード6及び第2外部リード7の先端面6b、7bに設けられたレジストが除去され、第1外部リード6及び第2外部リード7の表面に、金を主成分とする第2めっき(金属膜8)が設けられる。そして、絶縁性基板2を切断して個片化されることで個々のパッケージ1が形成される。
After the insulating substrate 2 is formed by sintering the ceramic green sheet Gs, the second wiring portion 5 is provided on the insulating substrate 2 by the first plating Me. In the case of forming the second wiring portion 5, as an example, the first plating Me containing copper as a main component is applied to the bottom surface (back surface) of the insulating substrate 2 to a thickness of 100 μm or more (for example, in the range of 100 to 150 μm). Then, by providing a resist Re at a predetermined position of the first plating Me and performing etching, the first external lead 6 and the second external lead 7 as the second wiring part 5 are formed on the insulating substrate 2 in a desired shape (for example, , Rectangular annular shape (see FIG. 2). By adjusting the etching time of the first external lead 6 and the second external lead 7, the area of the connection surfaces 6a and 7a on the insulating substrate 2 side becomes larger than the area of the front end surfaces 6b and 7b in the thickness direction. I am doing so.
Subsequently, the resist provided on the front end surfaces 6b, 7b of the first external lead 6 and the second external lead 7 is removed from the insulating substrate 2, and the surfaces of the first external lead 6 and the second external lead 7 are removed. A second plating (metal film 8) containing gold as a main component is provided. Then, the individual substrates 1 are formed by cutting the insulating substrate 2 into pieces.

つぎに、パッケージ1が形成されると、パッケージの第1配線部3となる第2リード3bに発光素子10を、ダイボンド部材等を介して実装する。そして、発光素子10は、その上面の素子電極と、第1リード3a及び第2リード3bをワイヤにより接続することで電気的に第1配線部3に接続される。パッケージ1に発光素子10を電気的に接続することで発光装置Sを構成している。なお、発光素子10と第2リード3bとの接着は熱硬化性樹脂などによって行うことができる。具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂やポリイミド樹脂などが挙げられる。また、発光装置Sは、封止樹脂や封止樹脂を覆う窓部材を設ける構成としてもよい。さらに、封止樹脂や窓部材を設ける場合には拡散材や波長変換部材を添加しても構わない。   Next, when the package 1 is formed, the light emitting element 10 is mounted on the second lead 3b to be the first wiring portion 3 of the package through a die bond member or the like. The light emitting element 10 is electrically connected to the first wiring portion 3 by connecting the element electrode on the upper surface thereof to the first lead 3a and the second lead 3b with wires. The light emitting device S is configured by electrically connecting the light emitting element 10 to the package 1. The light emitting element 10 and the second lead 3b can be bonded with a thermosetting resin or the like. Specifically, an epoxy resin, an acrylic resin, a polyimide resin, etc. are mentioned. In addition, the light emitting device S may have a configuration in which a sealing resin or a window member that covers the sealing resin is provided. Furthermore, when providing sealing resin and a window member, you may add a diffusion material and a wavelength conversion member.

発光装置Sは、個片化された後に、接続材料であるハンダHdにより第2配線部5を介して実装基板20に実装される。ことで発光モジュールMを構成している。発光装置Sの第2配線部5は、第1外部リード6の接続面6aから先端面6bに向かって、及び、第2外部リード7の接続面7aから先端面7bに向かって、径が小さくなるように、接続面6a,7aと先端面6b,7bの面積の大きさを異ならせて形成している。そのため、ハンダHdは、第2めっきが施された第1外部リード6の側面6c及び2外部リード7の側面7cに付着して、ハンダフラックスと同等の役割を果たすことができる。   After the light emitting device S is separated into pieces, the light emitting device S is mounted on the mounting substrate 20 via the second wiring portion 5 with the solder Hd which is a connection material. Thus, the light emitting module M is configured. The second wiring portion 5 of the light emitting device S has a small diameter from the connection surface 6a of the first external lead 6 toward the distal end surface 6b and from the connection surface 7a of the second external lead 7 toward the distal end surface 7b. In this way, the connecting surfaces 6a and 7a and the tip surfaces 6b and 7b are formed with different areas. Therefore, the solder Hd adheres to the side surface 6c of the first external lead 6 and the side surface 7c of the second external lead 7 on which the second plating is performed, and can play a role equivalent to the solder flux.

<第2実施形態>
つぎに、第2実施形態について、図7〜図10を参照して説明する。なお、第2実施形態は、第2配線部の断面形状が第1実施形態との違いであり、第2配線部の断面形状を主として説明し、第2配線部の構成等、あるいはその他の構成は第1実施形態と同じであるので、同じ符号を付して適宜説明を省略する。
図7は、本開示の第2実施形態に係るパッケージの一部を断面にして下方から見上げて模式的に示す斜視図である。図8は、本開示の第2実施形態に係るパッケージを模式的に示す底面図である。図9Aは、本開示の第2実施形態に係るパッケージであり図8のIXA−IXA線における部分を模式的に示す断面図である。図9Bは、本開示の第2実施形態に係るパッケージであり図8のIXB−IXB線における部分を模式的に示す断面図である。図10は、本開示の第2実施形態に係るパッケージに発光素子を設けた発光装置を実装基板に実装した発光モジュールの一部を断面にして模式的に示す斜視図である。
Second Embodiment
Next, a second embodiment will be described with reference to FIGS. In the second embodiment, the cross-sectional shape of the second wiring portion is different from that of the first embodiment, and the cross-sectional shape of the second wiring portion will be mainly described. The configuration of the second wiring portion, etc., or other configurations Since this is the same as that of the first embodiment, the same reference numerals are given and description thereof is omitted as appropriate.
FIG. 7 is a perspective view schematically showing a part of a package according to the second embodiment of the present disclosure as a cross-section, looking up from below. FIG. 8 is a bottom view schematically showing a package according to the second embodiment of the present disclosure. 9A is a package according to the second embodiment of the present disclosure, and is a cross-sectional view schematically showing a part taken along line IXA-IXA in FIG. 9B is a package according to the second embodiment of the present disclosure, and is a cross-sectional view schematically showing a part taken along line IXB-IXB in FIG. FIG. 10 is a perspective view schematically showing, in section, a part of a light emitting module in which a light emitting device provided with a light emitting element in a package according to a second embodiment of the present disclosure is mounted on a mounting substrate.

パッケージ1Aは、絶縁性基板2と、絶縁性基板2の上面に設けられる第1配線部3と、絶縁性基板2の下面に設けられる第2配線部15と、第1配線部3と第2配線部15とを電気的に接続するビア4(第1ビア4a及び第2ビア4b)と、を備えている。
第2配線部15は、第1ビア4a及び第2ビア4bと外部電源とを電気的に接続して、パッケージ1Aに実装されている発光素子10に給電するためのものである。この第2配線部15は、正負一対の電極として第1外部リード16及び第2外部リード17を備え、表面に金を主成分とする第2めっき(金属膜8)が施されている。さらに、第1外部リード16及び第2外部リード17は、絶縁性基板2の下面にそれぞれ接続する接続面16a,17aの面積と、厚み方向のそれぞれの先端面16b,17bの面積とが異なるように形成されている。つまり、第1外部リード16は、絶縁性基板2の下面に接続する接続部16Aの長さ(径)L1と、厚み方向の先端部16Bの長さ(径)L2と、が異なるように形成されている。
The package 1A includes an insulating substrate 2, a first wiring portion 3 provided on the upper surface of the insulating substrate 2, a second wiring portion 15 provided on the lower surface of the insulating substrate 2, a first wiring portion 3 and a second wiring portion. Vias 4 (first vias 4a and second vias 4b) that electrically connect the wiring part 15 are provided.
The second wiring portion 15 is for electrically connecting the first via 4a and the second via 4b and an external power source to supply power to the light emitting element 10 mounted on the package 1A. The second wiring portion 15 includes a first external lead 16 and a second external lead 17 as a pair of positive and negative electrodes, and a second plating (metal film 8) mainly composed of gold is applied to the surface. Further, the first external lead 16 and the second external lead 17 have different areas of the connection surfaces 16a and 17a connected to the lower surface of the insulating substrate 2 and the areas of the respective front end surfaces 16b and 17b in the thickness direction. Is formed. That is, the first external lead 16 is formed so that the length (diameter) L1 of the connecting portion 16A connected to the lower surface of the insulating substrate 2 is different from the length (diameter) L2 of the distal end portion 16B in the thickness direction. Has been.

なお、第2配線部15は、絶縁性基板2の底面に対し、110度〜160度の内角を有していることが好ましく、特に、115度〜155度の内角を有していることが好ましい。これによりハンダとの接合をより強度にすることができる。特に第2配線部15は、絶縁性基板2の底面に対し、110度〜160度の内角を有することで、引っかかりが生じ、発光装置の抜脱を防止することができる。ここで、「内角」とは、絶縁性基板2の底面に対する垂直な断面で見たとき、第2配線部15の側面における第2配線部15の高さの1/2である点と、絶縁性基板2の底面と第2配線部15との接合点と、を結ぶ直線と、前記絶縁性基板2の底面の直線と、の内側の角度を意味する。   The second wiring portion 15 preferably has an internal angle of 110 degrees to 160 degrees with respect to the bottom surface of the insulating substrate 2, and particularly has an internal angle of 115 degrees to 155 degrees. preferable. Thereby, joining with solder can be made stronger. In particular, the second wiring portion 15 has an internal angle of 110 degrees to 160 degrees with respect to the bottom surface of the insulating substrate 2, so that the second wiring section 15 can be caught and the light emitting device can be prevented from being detached. Here, the “inner angle” refers to a point that is a half of the height of the second wiring portion 15 on the side surface of the second wiring portion 15 when viewed in a cross section perpendicular to the bottom surface of the insulating substrate 2, and insulation. It means the angle inside the straight line connecting the bottom surface of the insulating substrate 2 and the junction point of the second wiring part 15 and the straight line of the bottom surface of the insulating substrate 2.

第1外部リード16は、一例として、銅又は銅を主成分とする第1めっきにより、絶縁基板2の外縁から内側の位置で略矩形環状に形成され、絶縁性基板2の下面に接続する接続面16aより、厚み方向の先端面16bの面積が大きくなるように形成されている。ここでは、第1外部リード16は、厚み方向の断面視において接続部16Aの長さL1よりも先端部16Bの長さL2が長くなるように構成されている。つまり、第1外部リード16は、接続部16Aから先端部16Bに向かって径が大きく(長く)なるように構成されている。   For example, the first external lead 16 is formed in a substantially rectangular ring shape at an inner position from the outer edge of the insulating substrate 2 by copper or a first plating mainly composed of copper, and is connected to the lower surface of the insulating substrate 2. It is formed so that the area of the front end surface 16b in the thickness direction is larger than the surface 16a. Here, the first external lead 16 is configured such that the length L2 of the distal end portion 16B is longer than the length L1 of the connection portion 16A in a sectional view in the thickness direction. That is, the first external lead 16 is configured to have a larger (longer) diameter from the connecting portion 16A toward the distal end portion 16B.

ここで、「接続部16Aの長さ」あるいは「接続部16Aの径」とは、矩形環状に形成した環幅における中心を通り一方の側面16cから他方の側面16cまで引いた直線の長さL1、L2をいう(図8参照)。また、接続部16Aは、接続面6aを含む厚み方向の中心よりも接続面16a側の部分とする。そして、厚み方向の断面視とは、第2配線部15(第1外部リード16及び第2外部リード17)を垂直方向から切断した断面が見える状態をいう。   Here, “the length of the connecting portion 16A” or “the diameter of the connecting portion 16A” means the length L1 of a straight line passing through the center of the ring width formed in a rectangular ring shape and extending from one side surface 16c to the other side surface 16c. , L2 (see FIG. 8). Further, the connecting portion 16A is a portion closer to the connecting surface 16a than the center in the thickness direction including the connecting surface 6a. The sectional view in the thickness direction means a state in which a section obtained by cutting the second wiring portion 15 (the first external lead 16 and the second external lead 17) from the vertical direction is visible.

第1外部リード6は、接続面6aよりも先端面6bが大きくなることで(接続部6Aから先端部6Bに向かって径が大きく(長く)なることで)、延出部16dの端面を除く部分の側面16cが接続面16aから先端面16bに向かって広がるように傾斜する。そのため、第1外部リード16は、側面16cに後記するハンダが付着し易くなりハンダフィレットの役割を果たすことが可能となる。   The first external lead 6 has a distal end surface 6b larger than the connection surface 6a (by increasing (longer) in diameter from the connection portion 6A toward the distal end portion 6B), and excludes the end surface of the extension portion 16d. The side surface 16c of the portion is inclined so as to spread from the connection surface 16a toward the tip surface 16b. Therefore, the first external lead 16 can easily adhere to the solder described later on the side surface 16c and can serve as a solder fillet.

なお、第2外部リード17は、矩形環状に形成され、接続面17a,先端面17b,側面17c,延出部17d,17dを備え、表面に第2めっき(金属膜8)が設けられており、すでに説明した第1外部リード16と左右対称の構成であり、同じ形状、大きさ、構成であるため、説明を省略する。また、第1外部リード16及び第2外部リード17は、いずれも絶縁性基板2の底面(裏面)から厚み方向に100〜150μmの範囲で、あるいは、好ましくは、110〜130μmの範囲で形成されている。   The second external lead 17 is formed in a rectangular ring shape, and includes a connection surface 17a, a tip surface 17b, a side surface 17c, and extending portions 17d and 17d, and a second plating (metal film 8) is provided on the surface. Since the configuration is symmetrical to the first external lead 16 already described and has the same shape, size, and configuration, description thereof is omitted. The first external lead 16 and the second external lead 17 are both formed in the thickness direction from the bottom surface (back surface) of the insulating substrate 2 in the thickness direction of 100 to 150 μm, or preferably in the range of 110 to 130 μm. ing.

前記した第2配線部15を形成する場合は、製造方向において、レジストReを介してエッチングする処理時間を前記した第1実施形態の第2配線部15よりも長く行うようにしている。したがって、第2配線部15は、第1外部リード16の接続面16aを含む接続部16A側がエッチングにより削られて先端面16bを含む先端部16B側よりも径(長さ)が小さくなることで形成される(第2外部リード17も同じ)。
なお、第1外部リード16及び第2外部リード17を形成するためのレジストReの形状、大きさは、先端面16b,17bの面積及び接続面16a,17aの面積が、エッチングにより予め設定された形状、大きさになるように形成される。
その後、レジストReが除去され、前記したと同様に第2めっきが施されてパッケージ1Aが製造される。
When the second wiring portion 15 is formed, the processing time for etching through the resist Re is longer in the manufacturing direction than the second wiring portion 15 of the first embodiment. Therefore, the second wiring portion 15 has a diameter (length) smaller than that of the distal end portion 16B side including the distal end surface 16b because the connection portion 16A side including the connection surface 16a of the first external lead 16 is etched away. (The same applies to the second external lead 17).
Note that the shape and size of the resist Re for forming the first external lead 16 and the second external lead 17 are preset in the areas of the end faces 16b and 17b and the areas of the connection faces 16a and 17a by etching. It is formed to have a shape and size.
Thereafter, the resist Re is removed, and the second plating is performed in the same manner as described above to manufacture the package 1A.

製造されたパッケージ1Aは、発光素子10が設置される。そして、発光素子10をワイヤで電気的に第1配線部3と接続して発光装置S1を構成する。さらに、発光モジュールM1は、実装基板20に発光装置S1を実装することで構成される。発光モジュールM1は、発光装置S1のパッケージ1Aが第2配線部15にハンダHdを介して実装されるときに、側面16c,17cが傾斜しているため、ハンダフィレットを形成することができる。したがって、発光モジュールM1では、発光装置S1の実装状態の確認が容易で、かつ、熱膨張率差に起因する応力を繰り返し受けても耐え得る接続強度を備える。
第2実施形態に係るパッケージ1Aは、引っかかりを設けることでハンダとの接合強度を高めることができる。また、パッケージ1Aの底面積を広くとることができるため、安定性に優れる。
In the manufactured package 1A, the light emitting element 10 is installed. Then, the light emitting device S1 is configured by electrically connecting the light emitting element 10 to the first wiring unit 3 with a wire. Further, the light emitting module M1 is configured by mounting the light emitting device S1 on the mounting substrate 20. The light emitting module M1 can form a solder fillet because the side surfaces 16c and 17c are inclined when the package 1A of the light emitting device S1 is mounted on the second wiring portion 15 via the solder Hd. Therefore, the light emitting module M1 has a connection strength that allows easy confirmation of the mounting state of the light emitting device S1 and can withstand repeated stress caused by the difference in coefficient of thermal expansion.
The package 1A according to the second embodiment can increase the bonding strength with the solder by providing the catch. Further, since the bottom area of the package 1A can be increased, the stability is excellent.

<第3実施形態及び第4実施形態>
つぎに、図11A及び図11Bを参照して、第3実施形態及び第4実施形態に係るパッケージ1B,1Cについて説明する。なお、第3実施形態に係るパッケージ1Bは、図1で説明したパッケージ1の第2配線部5の形状を変形したもので、第4実施形態に係るパッケージ1Cは、図7で説明したパッケージ1Aの第2配線部5の形状を変形したもので、変形部分を主に説明する。図11Aは、本開示の第3実施形態に係るパッケージを模式的に示す底面図、図11Bは、本開示の第4実施形態に係るパッケージを模式的に示す底面図である。
パッケージ1Bは、絶縁性基板2と、絶縁性基板2の上面に設けられる第1配線部3と、絶縁性基板2の下面に設けられる第2配線部25と、第1配線部3と第2配線部25とを電気的に接続するビア4(第1ビア4a及び第2ビア4b)と、を備えている。第2配線部25は、正負一対の電極として第1外部リード26及び第2外部リード27を備え、表面に金を主成分とする第2めっき(金属膜8)が施されている。第1外部リード26は、延出部26dを形成した側面26cに接続面26aから先端面26bに向かって溝部26eが形成されている。
<Third Embodiment and Fourth Embodiment>
Next, the packages 1B and 1C according to the third embodiment and the fourth embodiment will be described with reference to FIGS. 11A and 11B. The package 1B according to the third embodiment is a modification of the shape of the second wiring portion 5 of the package 1 described with reference to FIG. 1, and the package 1C according to the fourth embodiment is the package 1A described with reference to FIG. The shape of the second wiring portion 5 is modified, and the deformed portion will be mainly described. FIG. 11A is a bottom view schematically illustrating a package according to the third embodiment of the present disclosure, and FIG. 11B is a bottom view schematically illustrating the package according to the fourth embodiment of the present disclosure.
The package 1B includes an insulating substrate 2, a first wiring portion 3 provided on the upper surface of the insulating substrate 2, a second wiring portion 25 provided on the lower surface of the insulating substrate 2, a first wiring portion 3 and a second wiring portion. Vias 4 (first vias 4a and second vias 4b) that electrically connect the wiring part 25 are provided. The second wiring portion 25 includes a first external lead 26 and a second external lead 27 as a pair of positive and negative electrodes, and a second plating (metal film 8) mainly composed of gold is applied to the surface. In the first external lead 26, a groove 26e is formed on the side surface 26c on which the extending portion 26d is formed from the connection surface 26a toward the distal end surface 26b.

この溝部26eは、パッケージ1Bの一辺に対応する側面26cにおいて少なくとも1カ所以上(図面では2カ所)が形成されることが好ましい。溝部36eは、側面26cから第1外部リード26の環内方向に凹んだ曲面となるように形成されている。また、溝部26eは、厚み方向に同一の溝幅で同じ溝深さとなるように、ここでは形成されている。なお、第1外部リード26は、延出部26d,26dの間が、溝部26eと同じ役割を果たしている。また、第2外部リード27は、第1外部リード26と左右対称な形状として形成されている。   It is preferable that at least one groove portion 26e is formed in the side surface 26c corresponding to one side of the package 1B (two locations in the drawing). The groove portion 36e is formed to be a curved surface that is recessed from the side surface 26c in the in-ring direction of the first external lead 26. Further, the groove 26e is formed here so as to have the same groove width and the same groove depth in the thickness direction. The first external lead 26 plays the same role as the groove 26e between the extended portions 26d and 26d. Further, the second external lead 27 is formed in a shape symmetrical to the first external lead 26.

そして、パッケージ1Bの製造方法としては、第2配線部25について、レジストReの形状を溝部26e,27eを形成するような形状とすることで、側面26c、27cと共に溝部26e,27eをエッチングにより形成することが可能となる。なお、パッケージ1Cは、他の工程を前記したようにすることで製造することができる。   Then, as a method for manufacturing the package 1B, for the second wiring part 25, the resist Re is shaped so as to form the groove parts 26e and 27e, thereby forming the groove parts 26e and 27e together with the side faces 26c and 27c by etching. It becomes possible to do. The package 1C can be manufactured by performing the other steps as described above.

つぎに、図11Bに示すように、パッケージ1Cは、絶縁性基板2と、絶縁性基板2の上面に設けられる第1配線部3と、第1配線部3と第1ビア4a,4aを介して導通して絶縁性基板2の下面に設けられる第2配線部35と、を備えている。第2配線部35は、正負一対の電極として第1外部リード36及び第2外部リード37を備え、表面に金を主成分とする第2めっき(金属膜8)が設けられている。第1外部リード36及び第2外部リード37は、延出部36d,37dを形成した側面36c,37cに接続面36a,37aから先端面36b,37bに向かって、溝部36e,37eが形成されている。この溝部36e,37eは、傾斜方向が接続面36aから先端面36bに向かって広がる、あるいは、接続面37aから先端面37bに向かって広がるように構成される以外は、前記した図11Aで示すものと同様に構成されている。
パッケージ1Cの製造方法としては、第2配線部35について、レジストReの形状を溝部36e,37eを形成するような形状とすることで、エッチングにより側面36c、37cと共に形成することができる。また、前記した図11Aで示すものよりは、エッチングの処理時間を長くすることで、側面36c、37c及び溝部36e,37eの傾斜方向を変えることができる。
Next, as shown in FIG. 11B, the package 1C includes the insulating substrate 2, the first wiring portion 3 provided on the upper surface of the insulating substrate 2, the first wiring portion 3, and the first vias 4a and 4a. And a second wiring portion 35 provided on the lower surface of the insulating substrate 2. The second wiring portion 35 includes a first external lead 36 and a second external lead 37 as a pair of positive and negative electrodes, and a second plating (metal film 8) mainly composed of gold is provided on the surface. In the first external lead 36 and the second external lead 37, grooves 36e and 37e are formed on the side surfaces 36c and 37c formed with the extending portions 36d and 37d from the connection surfaces 36a and 37a toward the tip surfaces 36b and 37b. Yes. The grooves 36e and 37e are the same as those shown in FIG. 11A described above except that the inclination direction extends from the connection surface 36a toward the front end surface 36b or from the connection surface 37a toward the front end surface 37b. It is configured in the same way.
As a manufacturing method of the package 1C, the second wiring portion 35 can be formed together with the side surfaces 36c and 37c by etching by making the shape of the resist Re so as to form the groove portions 36e and 37e. Further, the inclination direction of the side surfaces 36c and 37c and the groove portions 36e and 37e can be changed by extending the etching processing time as compared with that shown in FIG. 11A.

なお、パッケージ1B,1Cは、延出部26d,27d,36d,37dが形成された外周の1辺の側面26c,27c,36c,37cに溝部26e,27e,36e,37eが形成された構成として説明したが、外周及び内周のすべての辺の側面26c,27c,36c,37cに溝部26e,27e,36e,37eを形成する構成としてもよい。また、パッケージ1B,1Cは、溝部26e,27e,36e,37eの溝深さを接続面26a,27a,36a,37aから先端面26b,27b,36b,37bに向かって徐々に深くなるように、あるいは、徐々に浅くなるように形成してもよい。さらに、パッケージ1B,1Cは、溝部26e,27e,36e,3eの溝幅を接続面26a,27a,36a,37aから先端面26b,27b,36b,37bに向かって徐々に小さくなるように、あるいは、徐々に大きくなるように形成してもよい。そして、溝部26e,27e,36e,37eは、曲面として説明したが溝中央で折れ曲がる平面からなる溝形状であってもよい。   The packages 1B and 1C are configured such that grooves 26e, 27e, 36e, and 37e are formed on the side surfaces 26c, 27c, 36c, and 37c on one side of the outer periphery where the extending portions 26d, 27d, 36d, and 37d are formed. As described above, the groove portions 26e, 27e, 36e, and 37e may be formed on the side surfaces 26c, 27c, 36c, and 37c on all sides of the outer periphery and the inner periphery. Further, the packages 1B and 1C are configured so that the groove depths of the groove portions 26e, 27e, 36e, and 37e gradually become deeper from the connection surfaces 26a, 27a, 36a, and 37a toward the front end surfaces 26b, 27b, 36b, and 37b. Or you may form so that it may become shallow gradually. Further, the packages 1B and 1C are configured so that the groove widths of the groove portions 26e, 27e, 36e, and 3e gradually decrease from the connection surfaces 26a, 27a, 36a, and 37a toward the front end surfaces 26b, 27b, 36b, and 37b, or Alternatively, it may be formed to gradually increase. And although the groove parts 26e, 27e, 36e, and 37e were demonstrated as a curved surface, the groove shape which consists of a plane which bends in the groove center may be sufficient.

また、以上説明したパッケージ1,1A〜1Cは、第2配線部5,15,25,35の形状を矩形環状として説明したが、例えば、矩形とすること等、側面6c,7c,16c,17c,26c,27c,36c,37cが傾斜してハンダフィレットを形成することができれば、その形状を限定するものではない。
また、パッケージ1,1A〜1Cは、延出部6d,7d,16d,17d,26d,27d,36d,37dを3カ所以上形成することや、全く設けないようにしてもよい。
さらに、パッケージは、発光素子を設けてから個片化するとして説明したが、発光素子を設ける前に個片化しても構わない。
第3実施形態に係るパッケージ1Aは、ハンダとの接触面積を広くとることができるためハンダとの接合強度を高めることができる。
Moreover, although the package 1, 1A-1C demonstrated above demonstrated the shape of the 2nd wiring part 5,15,25,35 as a rectangular ring shape, for example, it is set as a rectangle, side 6c, 7c, 16c, 17c , 26c, 27c, 36c, and 37c are not limited as long as the solder fillet can be formed by inclining.
The packages 1 and 1A to 1C may be formed with three or more extending portions 6d, 7d, 16d, 17d, 26d, 27d, 36d, and 37d, or may not be provided at all.
Further, the package is described as being separated after the light emitting element is provided. However, the package may be separated before the light emitting element is provided.
Since the package 1A according to the third embodiment can have a wide contact area with the solder, the bonding strength with the solder can be increased.

以下、実施例に係るパッケージ、発光装置について、図1〜図5を用いて説明する。ただし、第1実施形態のところで説明した内容と重複するところは説明を省略することもある。
パッケージ1は、絶縁性基板2と、絶縁性基板2の上面に設けられる第1配線部3と、絶縁性基板2の下面に設けられる第2配線部5と、第1配線部3と第2配線部5とを電気的に接続するビア4と、を備えている。パッケージ1は略矩形形状を成しており、縦4.1mm、横4.0mm、高さ1.0mmの外形を成している。パッケージ1は凹部形状を成しており、縦2.5mm、横2.5mm、深さ0.3mmの内形を有している。
絶縁性基板2は、銅を主成分とする第1配線部3、第2配線部5を備える。第1配線部3の表面、及び、第2配線部5の表面は、金(金の比率が99重量%以上)のメッキによる金属膜8が形成されている。絶縁性基板2の材質はアルミナを用いる。ビア4a、4bは銅を用いている。
Hereinafter, a package and a light emitting device according to an example will be described with reference to FIGS. However, the description overlapping with the content described in the first embodiment may be omitted.
The package 1 includes an insulating substrate 2, a first wiring portion 3 provided on the upper surface of the insulating substrate 2, a second wiring portion 5 provided on the lower surface of the insulating substrate 2, a first wiring portion 3 and a second wiring portion. And a via 4 for electrically connecting the wiring part 5. The package 1 has a substantially rectangular shape, and has an outer shape of 4.1 mm in length, 4.0 mm in width, and 1.0 mm in height. The package 1 has a concave shape and has an inner shape of 2.5 mm in length, 2.5 mm in width, and 0.3 mm in depth.
The insulating substrate 2 includes a first wiring part 3 and a second wiring part 5 mainly composed of copper. On the surface of the first wiring part 3 and the surface of the second wiring part 5, a metal film 8 is formed by plating with gold (gold ratio is 99% by weight or more). The material of the insulating substrate 2 is alumina. The vias 4a and 4b use copper.

発光素子10は、凹部形状の底面の第1配線部3の第2リード3b上に配置される。発光素子10は、455nmに発光ピークを持つ青色発光のLEDを用いる。
凹部内に配置された発光素子10は封止部材により被覆されている。封止部材はシリコーン樹脂である。この封止部材には発光素子10からの光を波長変換する蛍光体が含有されている。蛍光体は黄色に発光するものであり、例えば、YAG蛍光体やシリケート蛍光体である。
第1外部リード6及び第2外部リード7は、絶縁性基板2の底面に対し、約30度の内角を有している。
このように第1外部リード6の厚み、第2外部リード7の厚みを大きく設けることで、実装基板20との接合強度を高めることができる。また、ハンダのパッケージ1の側面への這い上がりも防止することができる。また、この発光装置は放熱性を向上することができると共にハンダとの接合強度を高めることができる。
The light emitting element 10 is disposed on the second lead 3b of the first wiring part 3 on the bottom surface of the concave shape. The light emitting element 10 uses a blue light emitting LED having an emission peak at 455 nm.
The light emitting element 10 disposed in the recess is covered with a sealing member. The sealing member is a silicone resin. This sealing member contains a phosphor that converts the wavelength of light from the light emitting element 10. The phosphor emits yellow light, and is, for example, a YAG phosphor or a silicate phosphor.
The first external lead 6 and the second external lead 7 have an internal angle of about 30 degrees with respect to the bottom surface of the insulating substrate 2.
As described above, by providing the first external lead 6 and the second external lead 7 large in thickness, the bonding strength with the mounting substrate 20 can be increased. Moreover, the creeping of the solder to the side surface of the package 1 can be prevented. In addition, the light emitting device can improve heat dissipation and increase the bonding strength with solder.

実施形態のパッケージ、発光装置は、照明用装置、車載用発光装置などに利用することができる。   The package and the light-emitting device of the embodiment can be used for a lighting device, a vehicle-mounted light-emitting device, and the like.

1,1A,1B,1C パッケージ
2 絶縁性基板
2a 基板部
2b 壁面部
3 第1配線部
3a 第1リード
3b 第2リード
4 ビア
5,15,25,35 第2配線部
6,16,26,36 第1外部リード
6A,7A,16A,17A 接続部
6B,7B,16B,17A 先端部
6a,16a,26a,36a 接続面
6b,16b,26b,36b 先端面
6c,16c,26c,36c 側面
6d,16d,26d,36d 延出部
26e,27e,36e,37e 溝部
7,17,27,37 第2外部リード
7a,17a,27a,37a 接続面
7b,17b,27b,37b 先端面
7c,17c,27c,37c 側面
7d,17d,27d,37d 延出部
8 金属膜
10 発光素子
20 実装基板
21 実装領域
26e,36e,27e,37e 溝部
Ct 導電性部材
Gs セラミックスグリーンシート
Hd ハンダ
M、M1 発光モジュール
Re レジスト
S、S1 発光装置
ha 貫通孔
1, 1A, 1B, 1C package 2 insulating substrate 2a substrate portion 2b wall surface portion 3 first wiring portion 3a first lead 3b second lead 4 via 5, 15, 25, 35 second wiring portion 6, 16, 26, 36 1st external lead 6A, 7A, 16A, 17A Connection part 6B, 7B, 16B, 17A Tip part 6a, 16a, 26a, 36a Connection surface 6b, 16b, 26b, 36b Tip surface 6c, 16c, 26c, 36c Side face 6d , 16d, 26d, 36d Extension portion 26e, 27e, 36e, 37e Groove portion 7, 17, 27, 37 Second external lead 7a, 17a, 27a, 37a Connection surface 7b, 17b, 27b, 37b Tip surface 7c, 17c, 27c, 37c Side surface 7d, 17d, 27d, 37d Extension part 8 Metal film 10 Light emitting element 20 Mounting substrate 21 Mounting area 26e, 36e, 27e, 37e Groove Ct Conductive member Gs Ceramic green sheet Hd Solder M, M1 Light emitting module Re resist S, S1 Light emitting device ha Through hole

Claims (15)

絶縁性基板と、
前記絶縁性基板の上面に設けられる第1配線部と、
前記第1配線部と導通し、前記絶縁性基板の下面に設けられる第2配線部と、を備え、
前記第2配線部は、前記絶縁性基板の下面から下方に100μm以上の厚みを有すると共に、前記第2配線部の表面に金を主成分とする金属膜が施され、かつ、前記絶縁性基板の下面に接続する接続面の面積と厚み方向の先端面の面積とが異なるように形成されたパッケージ。
An insulating substrate;
A first wiring portion provided on the upper surface of the insulating substrate;
A second wiring portion that is electrically connected to the first wiring portion and provided on a lower surface of the insulating substrate;
The second wiring portion has a thickness of 100 μm or more downward from the lower surface of the insulating substrate, a metal film mainly composed of gold is applied to the surface of the second wiring portion, and the insulating substrate The package is formed so that the area of the connecting surface connected to the lower surface of the substrate is different from the area of the front end surface in the thickness direction.
絶縁性基板と、
前記絶縁性基板の上面に設けられる第1配線部と、
前記第1配線部と導通し、前記絶縁性基板の下面に設けられる第2配線部と、を備え、
前記第2配線部は、前記絶縁性基板の下面から下方に100μm以上の厚みを有すると共に、前記第2配線部の表面に金を主成分とする金属膜が施され、かつ、厚み方向の断面視において前記絶縁性基板の下面に接続する接続部の長さと厚み方向の先端部の長さとが異なるように形成されたパッケージ。
An insulating substrate;
A first wiring portion provided on the upper surface of the insulating substrate;
A second wiring portion that is electrically connected to the first wiring portion and provided on a lower surface of the insulating substrate;
The second wiring portion has a thickness of 100 μm or more downward from the lower surface of the insulating substrate, a metal film mainly composed of gold is applied to the surface of the second wiring portion, and a cross section in the thickness direction The package formed so that the length of the connecting portion connected to the lower surface of the insulating substrate is different from the length of the distal end portion in the thickness direction.
前記第2配線部は、厚み方向の断面視において、前記接続部から前記先端部に向かって径が小さくなるように形成された請求項2に記載のパッケージ。   3. The package according to claim 2, wherein the second wiring part is formed so that a diameter thereof decreases from the connection part toward the tip part in a cross-sectional view in the thickness direction. 前記第2配線部は、厚み方向の断面視において、前記接続部から前記先端部に向かって径が大きくなるように形成された請求項2に記載のパッケージ。   The package according to claim 2, wherein the second wiring part is formed so that a diameter thereof increases from the connection part toward the tip part in a cross-sectional view in the thickness direction. 前記第2配線部は、前記接続面から前記先端面に向かって面積が小さくなるように形成された請求項1に記載のパッケージ。   The package according to claim 1, wherein the second wiring portion is formed so that an area decreases from the connection surface toward the tip surface. 前記第2配線部は、前記絶縁性基板の下面の外縁から内側に前記接続面が配置され、前記接続面から前記先端面に向かって面積が大きくなるように形成された請求項1に記載のパッケージ。   The said 2nd wiring part is formed so that the said connection surface may be arrange | positioned inside from the outer edge of the lower surface of the said insulated substrate, and an area may become large toward the said front end surface from the said connection surface. package. 前記第2配線部は、前記絶縁性基板の底面に対し、20度〜70度、若しくは、110度〜160度の内角を有している請求項1乃至6のいずれか一項に記載のパッケージ。   The package according to claim 1, wherein the second wiring portion has an inner angle of 20 degrees to 70 degrees, or 110 degrees to 160 degrees with respect to the bottom surface of the insulating substrate. . 前記第2配線部は、前記接続面から前記先端面に向かって溝部が形成され、前記溝部は、平面視で外周に設けられる請求項1、請求項6又は請求項7のいずれか一項に記載のパッケージ。   The groove portion is formed in the second wiring portion from the connection surface toward the tip end surface, and the groove portion is provided on the outer periphery in a plan view. Package as stated. 前記第2配線部は、銅を主成分とする請求項1から請求項8のいずれか一項に記載のパッケージ。   The package according to any one of claims 1 to 8, wherein the second wiring portion has copper as a main component. 前記絶縁性基板は、セラミックスからなる請求項1から請求項9のいずれか一項に記載のパッケージ。   The package according to any one of claims 1 to 9, wherein the insulating substrate is made of ceramics. 前記第1配線部と前記第2配線部とは、前記絶縁性基板を厚さ方向に貫通するビアを介して電気的に接続される請求項1から請求項10のいずれか一項に記載のパッケージ。   The said 1st wiring part and the said 2nd wiring part are electrically connected through the via | veer which penetrates the said insulating substrate in the thickness direction, It is any one of Claims 1-10. package. 請求項1から請求項11のいずれか一項に記載のパッケージと、前記絶縁性基板の第1配線部に電気的に接続される発光素子と、を備える発光装置。   A light-emitting device comprising: the package according to any one of claims 1 to 11; and a light-emitting element electrically connected to the first wiring portion of the insulating substrate. 請求項12に記載の発光装置と、前記第2配線部を介して前記発光装置を実装する実装基板と、を備える発光モジュール。   A light emitting module comprising: the light emitting device according to claim 12; and a mounting substrate on which the light emitting device is mounted via the second wiring portion. 前記実装基板と前記発光装置とがハンダにより前記第2配線部を介して実装され、
前記ハンダは、前記第2配線部の側面から先端面に亘って設けられる請求項13の発光モジュール。
The mounting substrate and the light emitting device are mounted via the second wiring portion by solder,
The light emitting module according to claim 13, wherein the solder is provided from a side surface to a tip surface of the second wiring portion.
絶縁性基板の下面に銅を主成分とする第1めっきを100μm以上の厚さで施す工程と、
前記第1めっきの下面の所定領域にレジストを塗布してエッチングする工程と、
前記エッチングされた第1めっきの表面に金を主成分とする第2めっきを施す工程と、を行い、
前記エッチングする工程では、前記絶縁性基板に接続する前記第1めっきの接続面と、厚み方向の前記第1めっきの先端面と、の面積が異なるようにエッチングを行うパッケージの製造方法。
Applying a first plating mainly composed of copper to the lower surface of the insulating substrate with a thickness of 100 μm or more;
Applying a resist to a predetermined region of the lower surface of the first plating and etching;
Performing a second plating mainly composed of gold on the surface of the etched first plating,
The manufacturing method of the package which etches so that the area of the connection surface of the said 1st plating connected to the said insulating substrate and the front end surface of the said 1st plating of the thickness direction may differ in the said process to etch.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230121077A (en) * 2020-12-18 2023-08-17 서울바이오시스 주식회사 light emitting diode package

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06342794A (en) * 1993-06-01 1994-12-13 Mitsubishi Electric Corp Resin-sealed type semiconductor package and manufacture thereof
JP2002190549A (en) * 2000-10-03 2002-07-05 Sumitomo Bakelite Co Ltd Multilayer wiring board and manufacturing method therefor
JP2003017604A (en) * 2001-06-28 2003-01-17 Kyocera Corp Package for housing semiconductor element and semiconductor device
WO2004056162A1 (en) * 2002-12-18 2004-07-01 K-Tech Devices Corp. Flip-chip mounting electronic component and method for producing the same, circuit board and method for producing the same, method for producing package
JP2006269972A (en) * 2005-03-25 2006-10-05 Mitsumi Electric Co Ltd Semiconductor device
JP2007201041A (en) * 2006-01-25 2007-08-09 Nichia Chem Ind Ltd Support for mounting semiconductor element
JP2009239205A (en) * 2008-03-28 2009-10-15 Tdk Corp Electronic component
JP2011233775A (en) * 2010-04-28 2011-11-17 Stanley Electric Co Ltd Semiconductor package and semiconductor light-emitting apparatus
JP2013105826A (en) * 2011-11-11 2013-05-30 Citizen Holdings Co Ltd Semiconductor light-emitting device, electronic apparatus equipped with the same, and manufacturing method of the same
JP2013187353A (en) * 2012-03-08 2013-09-19 Renesas Electronics Corp Electronic device and method for manufacturing electronic device
JP2013232610A (en) * 2012-04-06 2013-11-14 Nichia Chem Ind Ltd Semiconductor device
US20140246648A1 (en) * 2013-03-04 2014-09-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting device packages and methods of forming the same
JP2014179363A (en) * 2013-03-13 2014-09-25 Ps4 Luxco S A R L Semiconductor chip, and semiconductor device comprising the same

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06342794A (en) * 1993-06-01 1994-12-13 Mitsubishi Electric Corp Resin-sealed type semiconductor package and manufacture thereof
JP2002190549A (en) * 2000-10-03 2002-07-05 Sumitomo Bakelite Co Ltd Multilayer wiring board and manufacturing method therefor
JP2003017604A (en) * 2001-06-28 2003-01-17 Kyocera Corp Package for housing semiconductor element and semiconductor device
WO2004056162A1 (en) * 2002-12-18 2004-07-01 K-Tech Devices Corp. Flip-chip mounting electronic component and method for producing the same, circuit board and method for producing the same, method for producing package
JP2006269972A (en) * 2005-03-25 2006-10-05 Mitsumi Electric Co Ltd Semiconductor device
JP2007201041A (en) * 2006-01-25 2007-08-09 Nichia Chem Ind Ltd Support for mounting semiconductor element
JP2009239205A (en) * 2008-03-28 2009-10-15 Tdk Corp Electronic component
JP2011233775A (en) * 2010-04-28 2011-11-17 Stanley Electric Co Ltd Semiconductor package and semiconductor light-emitting apparatus
JP2013105826A (en) * 2011-11-11 2013-05-30 Citizen Holdings Co Ltd Semiconductor light-emitting device, electronic apparatus equipped with the same, and manufacturing method of the same
JP2013187353A (en) * 2012-03-08 2013-09-19 Renesas Electronics Corp Electronic device and method for manufacturing electronic device
JP2013232610A (en) * 2012-04-06 2013-11-14 Nichia Chem Ind Ltd Semiconductor device
US20140246648A1 (en) * 2013-03-04 2014-09-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting device packages and methods of forming the same
JP2014179363A (en) * 2013-03-13 2014-09-25 Ps4 Luxco S A R L Semiconductor chip, and semiconductor device comprising the same

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