JP2017069191A - Conductive particle, conductive material and connection structure - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a conductive particle capable of electrically connecting electrodes at low voltage and capable of reducing connection resistance even when electrodes are electrically connected at low voltage.SOLUTION: The conductive particle has a substrate particle and a conductive part arranged on a surface of the substrate particle, a ratio of compressive elasticity modulus at 20% compression to compressive elasticity modulus at 40% compression is 1.35 or more, a ratio of compressive elasticity modulus at 30% compression to compressive elasticity modulus at 40% compression is 0.85 or more and compressive recovery rate at 40% compression is 30% or less.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、基材粒子の表面上に導電部が配置されている導電性粒子に関する。また、本発明は、上記導電性粒子を用いた導電材料及び接続構造体に関する。   The present invention relates to a conductive particle in which a conductive portion is arranged on the surface of a base particle. The present invention also relates to a conductive material and a connection structure using the conductive particles.

異方性導電ペースト及び異方性導電フィルム等の異方性導電材料が広く知られている。上記異方性導電材料では、バインダー樹脂中に複数の導電性粒子が分散されている。   Anisotropic conductive materials such as anisotropic conductive pastes and anisotropic conductive films are widely known. In the anisotropic conductive material, a plurality of conductive particles are dispersed in a binder resin.

上記異方性導電材料は、各種の接続構造体を得るために、例えば、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続(FOG(Film on Glass))、半導体チップとフレキシブルプリント基板との接続(COF(Chip on Film))、半導体チップとガラス基板との接続(COG(Chip on Glass))、並びにフレキシブルプリント基板とガラスエポキシ基板との接続(FOB(Film on Board))等に使用されている。   In order to obtain various connection structures, the anisotropic conductive material is, for example, a connection between a flexible printed circuit board and a glass substrate (FOG (Film on Glass)) or a connection between a semiconductor chip and a flexible printed circuit board (COF ( Chip on Film)), connection between a semiconductor chip and a glass substrate (COG (Chip on Glass)), connection between a flexible printed circuit board and a glass epoxy substrate (FOB (Film on Board)), and the like.

上記導電性粒子の一例として、下記の特許文献1には、重合体粒子と、重合体粒子の表面に導電性金属層とを有する導電性粒子が開示されている。上記重合体粒子の破壊点荷重は9.8mN(1.0gf)以下である。また、特許文献1では、上記重合体粒子の10%K値が7350N/mm(750kgf/mm)〜49000N/mm(5000kgf/mm)であってもよいことが記載されている。 As an example of the conductive particles, Patent Document 1 below discloses conductive particles having polymer particles and a conductive metal layer on the surface of the polymer particles. The breaking point load of the polymer particles is 9.8 mN (1.0 gf) or less. Patent Document 1 describes that the 10% K value of the polymer particles may be 7350 N / mm 2 (750 kgf / mm 2 ) to 49000 N / mm 2 (5000 kgf / mm 2 ).

下記の特許文献2には、30%圧縮変形時の圧縮硬さが150〜400Kgf/mmである導電性粒子が開示されている。 Patent Document 2 below discloses conductive particles having a compression hardness of 150 to 400 Kgf / mm 2 at 30% compression deformation.

WO2012/020799A1WO2012 / 020799A1 特開2013−171656号公報JP 2013-171656 A

近年、自由に折り曲げることができるフレキシブルパネルが開発されている。フレキシブルパネルでは、パネル基板として、例えばポリイミドやポリエステル等のプラスチック製のフレキシブルプリント基板が用いられている。   In recent years, flexible panels that can be bent freely have been developed. In the flexible panel, a flexible printed circuit board made of plastic such as polyimide or polyester is used as the panel substrate.

異方性導電材料を用いて、例えば、半導体チップの電極とフレキシブルプリント基板の電極とを電気的に接続する際には、フレキシブルプリント基板と半導体チップとの間に、導電性粒子を含む異方性導電材料を配置する。次に、加熱及び加圧する。これにより、異方性導電材料を硬化させて、導電性粒子を介して電極間を電気的に接続して接続構造体を得る。   For example, when an anisotropic conductive material is used to electrically connect an electrode of a semiconductor chip and an electrode of a flexible printed board, an anisotropic material containing conductive particles between the flexible printed board and the semiconductor chip is used. An electrically conductive material is disposed. Next, it heats and pressurizes. Accordingly, the anisotropic conductive material is cured, and the electrodes are electrically connected through the conductive particles to obtain a connection structure.

上記のような柔軟なフレキシブルプリント基板上に、駆動用半導体チップを直接実装する場合には、フレキシブルプリント基板の変形を抑えるために、低圧での実装を行う必要がある。   When the driving semiconductor chip is directly mounted on the flexible flexible printed circuit board as described above, it is necessary to perform mounting at a low pressure in order to suppress deformation of the flexible printed circuit board.

しかし、低圧での実装においては、導電性粒子及び電極の表面に存在する酸化膜が十分に突き破られず、かつ導電性粒子が十分に変形しないので電極との接触面積を十分に確保できないため、接続抵抗が高くなりやすい。また、導電性粒子の圧縮回復率が高いことによって、接続後の接続構造体が高温高湿下に晒されると、導電性粒子が元の形状に戻ろうとする力が作用し、接続抵抗が高くなることがある。   However, in mounting at low pressure, the conductive particles and the oxide film present on the surface of the electrode are not sufficiently pierced, and the conductive particles are not sufficiently deformed, so that a sufficient contact area with the electrode cannot be secured. , Connection resistance tends to be high. In addition, due to the high compression recovery rate of the conductive particles, when the connection structure after connection is exposed to high temperature and high humidity, a force acts to return the conductive particles to their original shape, resulting in high connection resistance. May be.

本発明の目的は、低圧で電極間を電気的に接続することができ、低圧で電極間を電気的に接続したとしても、接続抵抗を低くすることができる導電性粒子を提供することである。   An object of the present invention is to provide conductive particles capable of electrically connecting electrodes at a low pressure and capable of reducing connection resistance even when the electrodes are electrically connected at a low pressure. .

また、本発明は、上記導電性粒子を用いた導電材料及び接続構造体を提供することも目的とする。   Another object of the present invention is to provide a conductive material and a connection structure using the conductive particles.

本発明の広い局面によれば、基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備え、20%圧縮したときの圧縮弾性率の40%圧縮したときの圧縮弾性率に対する比が1.35以上であり、30%圧縮したときの圧縮弾性率の40%圧縮したときの圧縮弾性率に対する比が0.85以上であり、40%圧縮時の圧縮回復率が30%以下である、導電性粒子が提供される。   According to a wide aspect of the present invention, the compression elastic modulus when compressed by 40% of the compression elastic modulus when compressed by 20%, comprising base particles and conductive portions arranged on the surface of the base particles. The ratio of the compression elastic modulus at 30% compression to the compression elastic modulus at 40% compression is 0.85 or higher, and the compression recovery rate at 40% compression is 30%. Conductive particles are provided that are:

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、10%圧縮したときの圧縮弾性率が5000N/mm以上である。 On the specific situation with the electroconductive particle which concerns on this invention, the compression elastic modulus when compressed 10% is 5000 N / mm < 2 > or more.

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記基材粒子の粒子径が1.0μm以上、5.0μm以下である。   On the specific situation with the electroconductive particle which concerns on this invention, the particle diameter of the said base particle is 1.0 micrometer or more and 5.0 micrometers or less.

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記基材粒子が、樹脂粒子又は有機無機ハイブリッド粒子である。   On the specific situation with the electroconductive particle which concerns on this invention, the said base material particle is a resin particle or an organic inorganic hybrid particle.

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電性粒子は、前記導電部の外表面に複数の突起を有する。   On the specific situation with the electroconductive particle which concerns on this invention, the said electroconductive particle has several protrusion on the outer surface of the said electroconductive part.

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電性粒子は、前記導電部内において、複数の前記突起を形成するように、前記導電部の外表面を隆起させている複数の芯物質を備える。   On the specific situation with the electroconductive particle which concerns on this invention, the said electroconductive particle is the some core substance which has raised the outer surface of the said electroconductive part so that the said some protrusion may be formed in the said electroconductive part. Is provided.

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記芯物質のモース硬度が5以上である。   On the specific situation with the electroconductive particle which concerns on this invention, the Mohs hardness of the said core substance is 5 or more.

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電部の外表面の全表面積100%中、前記突起がある部分の表面積が30%以上である。   On the specific situation with the electroconductive particle which concerns on this invention, the surface area of the part with the said protrusion is 30% or more in the total surface area 100% of the outer surface of the said electroconductive part.

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電性粒子は、前記導電部の外表面上に配置された絶縁性物質を備える。   On the specific situation with the electroconductive particle which concerns on this invention, the said electroconductive particle is provided with the insulating substance arrange | positioned on the outer surface of the said electroconductive part.

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電性粒子は、フレキシブルプリント基板の導通に用いられる。   On the specific situation with the electroconductive particle which concerns on this invention, the said electroconductive particle is used for conduction | electrical_connection of a flexible printed circuit board.

本発明の広い局面によれば、上述した導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む、導電材料が提供される。   According to a wide aspect of the present invention, there is provided a conductive material including the above-described conductive particles and a binder resin.

本発明の広い局面によれば、第1の接続対象部材と、第2の接続対象部材と、前記第1の接続対象部材と、前記第2の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、前記接続部の材料が、上述した導電性粒子であるか、又は前記導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料である、接続構造体が提供される。   According to a wide aspect of the present invention, the first connection target member, the second connection target member, the connection portion connecting the first connection target member, and the second connection target member; There is provided a connection structure in which the material of the connection portion is the above-described conductive particles or a conductive material containing the conductive particles and a binder resin.

本発明に係る導電性粒子では、基材粒子の表面上に導電部が配置されており、比(20%K値/40%K値)が1.35以上であり、比(30%K値/40%K値)が0.85以上であり、40%圧縮時の圧縮回復率が30%以下であるため、低圧で電極間を電気的に接続することができ、低圧で電極間を電気的に接続したとしても、接続抵抗を低くすることができる。   In the electroconductive particle which concerns on this invention, the electroconductive part is arrange | positioned on the surface of base material particle, ratio (20% K value / 40% K value) is 1.35 or more, ratio (30% K value) / 40% K value) is 0.85 or more, and the compression recovery rate at 40% compression is 30% or less, so that the electrodes can be electrically connected at a low pressure, and the electrodes can be electrically connected at a low pressure. Even if they are connected, the connection resistance can be lowered.

図1は、本発明の第1の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing conductive particles according to the first embodiment of the present invention. 図2は、本発明の第2の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing conductive particles according to the second embodiment of the present invention. 図3は、本発明の第3の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing conductive particles according to the third embodiment of the present invention. 図4は、本発明の第1の実施形態に係る導電性粒子を用いた接続構造体を模式的に示す正面断面図である。FIG. 4 is a front cross-sectional view schematically showing a connection structure using conductive particles according to the first embodiment of the present invention.

以下、本発明の詳細を説明する。   Details of the present invention will be described below.

(導電性粒子)
本発明に係る導電性粒子は、基材粒子と、該基材粒子の表面上に配置された導電部とを備える。
(Conductive particles)
The electroconductive particle which concerns on this invention is equipped with base material particle and the electroconductive part arrange | positioned on the surface of this base material particle.

本発明に係る導電性粒子では、上記導電性粒子を20%圧縮したときの圧縮弾性率(20%K値)の40%圧縮したときの圧縮弾性率(40%K値)に対する比(20%K値/40%K値)が1.35以上である。   In the conductive particles according to the present invention, the ratio (20%) of the compressive elastic modulus (20% K value) when the conductive particles are compressed by 20% to the compressive elastic modulus (40% K value) when compressed by 40%. K value / 40% K value) is 1.35 or more.

本発明に係る導電性粒子では、30%圧縮したときの圧縮弾性率の40%圧縮したときの圧縮弾性率に対する比(30%K値/40%K値)が0.85以上である。   In the conductive particles according to the present invention, the ratio (30% K value / 40% K value) of the compression elastic modulus when compressed to 30% to the compressive elastic modulus when compressed by 40% is 0.85 or more.

本発明に係る導電性粒子の40%圧縮時の圧縮回復率は30%以下である。   The compression recovery rate at 40% compression of the conductive particles according to the present invention is 30% or less.

本発明では、上記の構成が備えられているので、低圧で電極間を電気的に接続することができ、低圧で電極間を電気的に接続したとしても、接続抵抗を低くすることができる。本発明では、低圧で実装したとしても、導電性粒子又は電極の表面に存在する酸化膜を十分に突き破ることができ、かつ導電性粒子が大きく変形し、電極との接触面積を十分に確保できる。また、本発明では、導電性粒子の圧縮回復率が低いことによって、接続後の接続構造体が高温高湿下に晒されても、導電性粒子が元の形状に戻ろうとする力が過度に作用せず、接続抵抗を低く維持することができる。   In the present invention, since the above configuration is provided, the electrodes can be electrically connected at a low pressure, and the connection resistance can be lowered even if the electrodes are electrically connected at a low pressure. In the present invention, even when mounted at a low pressure, the conductive film or the oxide film present on the surface of the electrode can be sufficiently penetrated, and the conductive particle can be largely deformed to ensure a sufficient contact area with the electrode. . Further, in the present invention, due to the low compression recovery rate of the conductive particles, even if the connection structure after connection is exposed to high temperature and high humidity, the force that the conductive particles try to return to the original shape is excessive. The connection resistance can be kept low without acting.

本発明者は、低圧での実装に用いられる導電性粒子において、20%K値のみを制御したり、30%K値のみを制御したり、40%K値のみを制御したり、圧縮回復率のみを制御したりしただけでは、接続抵抗を低くし、かつ低い接続抵抗を維持することが困難であることを見出した。さらに、本発明者は、接続抵抗を低くし、かつ低い接続抵抗を維持するためには、上記比(20%K値/40%K値)、上記比(30%K値/40%K値)及び圧縮回復率が上記の関係を満足するようにする必要があることを見出した。   The present inventor controls only 20% K value, only 30% K value, only 40% K value, or the compression recovery rate in conductive particles used for mounting at low pressure. It has been found that it is difficult to reduce the connection resistance and maintain the low connection resistance only by controlling only the control. Furthermore, in order to lower the connection resistance and maintain a low connection resistance, the present inventor has said ratio (20% K value / 40% K value), and said ratio (30% K value / 40% K value). And the compression recovery rate needs to satisfy the above relationship.

上記比(20%K値/40%K値)が1.35以上であると、導電性粒子の圧縮初期に、導電性粒子又は電極の表面に存在する酸化膜が突き破られやすくなり、導電性粒子の圧縮後期に導電性粒子と電極との接触面積が大きくなるため、接続抵抗が低くなる。接続抵抗をより一層低くする観点からは、上記比(20%K値/40%K値)は、好ましくは1.5以上である。上記比(20%K値/40%K値)の上限は特に限定されない。上記比(20%K値/40%K値)は5以下であってもよい。   When the ratio (20% K value / 40% K value) is 1.35 or more, the conductive film or the oxide film existing on the surface of the electrode is easily broken at the initial stage of compression of the conductive particles. Since the contact area between the conductive particles and the electrode is increased in the latter half of the compression of the conductive particles, the connection resistance is lowered. From the viewpoint of further reducing the connection resistance, the ratio (20% K value / 40% K value) is preferably 1.5 or more. The upper limit of the ratio (20% K value / 40% K value) is not particularly limited. The ratio (20% K value / 40% K value) may be 5 or less.

上記比(30%K値/40%K値)が0.85以上であると、導電性粒子の圧縮中期及び圧縮後期に導電性粒子と電極との接触面積が大きくなるため、接続抵抗が低くなる。接続抵抗をより一層低くする観点からは、上記比(30%K値/40%K値)は、好ましくは0.9以上である。上記比(30%K値/40%K値)の上限は特に限定されない。上記比(30%K値/40%K値)は3以下であってもよい。   When the ratio (30% K value / 40% K value) is 0.85 or more, the contact area between the conductive particles and the electrode becomes large in the middle and late compression of the conductive particles, so the connection resistance is low. Become. From the viewpoint of further reducing the connection resistance, the ratio (30% K value / 40% K value) is preferably 0.9 or more. The upper limit of the ratio (30% K value / 40% K value) is not particularly limited. The ratio (30% K value / 40% K value) may be 3 or less.

導電性粒子の40%圧縮時の圧縮回復率が30%以下であることによって、接続後の接続構造体が高温高湿下に晒されても、導電性粒子が元の形状に戻ろうとする力が過度に作用せず、接続抵抗を低く維持することができる。上記圧縮回復率は、好ましくは30%未満、より好ましくは20%以下である。   Since the compression recovery rate at 40% compression of the conductive particles is 30% or less, even if the connected structure after connection is exposed to high temperature and high humidity, the force that the conductive particles try to return to the original shape Does not act excessively, and the connection resistance can be kept low. The compression recovery rate is preferably less than 30%, more preferably 20% or less.

上記比(20%K値/40%K値)、上記比(30%K値/40%K値)及び上記40%圧縮時の圧縮回復率を上記の範囲に制御する方法としては、基材粒子のモノマー種、モノマー分子量、架橋材、重合温度、重合時間等を調整して物性を調整する方法、及び導電部の金属種、合金種、導電部の厚み等を調整して硬さを調整する方法等が挙げられる。   As a method for controlling the ratio (20% K value / 40% K value), the ratio (30% K value / 40% K value), and the compression recovery rate during the 40% compression within the above range, a base material is used. Method of adjusting physical properties by adjusting particle monomer type, monomer molecular weight, cross-linking material, polymerization temperature, polymerization time, etc., and adjusting the metal type of the conductive part, alloy type, thickness of the conductive part, etc. to adjust the hardness And the like.

導電性粒子又は電極の表面に存在する酸化膜を効果的に突き破り、接続抵抗をより一層低くする観点からは、上記導電性粒子を10%圧縮したときの圧縮弾性率(10%K値)は好ましくは5000N/mm以上、より好ましくは6500N/mm以上である。接触面積を大きくして、接続抵抗をより一層低くする観点からは、上記導電性粒子の10%K値は好ましくは25000N/mm以下、より好ましくは20000N/mm以下である。 From the viewpoint of effectively breaking through the conductive film or the oxide film existing on the surface of the electrode and further reducing the connection resistance, the compression modulus (10% K value) when the conductive particles are compressed by 10% is Preferably it is 5000 N / mm 2 or more, more preferably 6500 N / mm 2 or more. From the viewpoint of increasing the contact area and further reducing the connection resistance, the 10% K value of the conductive particles is preferably 25000 N / mm 2 or less, more preferably 20000 N / mm 2 or less.

上記導電性粒子の上記10%K値、20%K値、30%K値及び40%K値は、以下のようにして測定できる。   The 10% K value, 20% K value, 30% K value and 40% K value of the conductive particles can be measured as follows.

微小圧縮試験機を用いて、円柱(直径50μm、ダイヤモンド製)の平滑圧子端面で、25℃、最大試験荷重90mNを30秒かけて負荷する条件下で導電性粒子を圧縮する。このときの荷重値(N)及び圧縮変位(mm)を測定する。得られた測定値から、上記圧縮弾性率を下記式により求めることができる。上記微小圧縮試験機として、例えば、フィッシャー社製「フィッシャースコープH−100」等が用いられる。   Using a micro-compression tester, the conductive particles are compressed on a cylindrical indenter end face (diameter 50 μm, made of diamond) under conditions of applying a maximum test load of 90 mN over 30 seconds at 25 ° C. The load value (N) and compression displacement (mm) at this time are measured. From the measured value obtained, the compression elastic modulus can be obtained by the following formula. As the micro compression tester, for example, “Fischer Scope H-100” manufactured by Fischer is used.

K値(N/mm)=(3/21/2)・F・S−3/2・R−1/2
F:導電性粒子が10%、20%、30%又は40%圧縮変形したときの荷重値(N)
S:導電性粒子が10%、20%、30%又は40%圧縮変形したときの圧縮変位(mm)
R:導電性粒子の半径(mm)
K value (N / mm 2 ) = (3/2 1/2 ) · F · S −3 / 2 · R −1/2
F: Load value when the conductive particles are 10%, 20%, 30% or 40% compressively deformed (N)
S: Compression displacement (mm) when conductive particles are 10%, 20%, 30% or 40% compressively deformed
R: radius of conductive particles (mm)

上記圧縮回復率は、以下のようにして測定できる。   The compression recovery rate can be measured as follows.

試料台上に導電性粒子を散布する。散布された導電性粒子1個について、微小圧縮試験機を用いて、円柱(直径100μm、ダイヤモンド製)の平滑圧子端面で、25℃で、導電性粒子の中心方向に、導電性粒子が40%圧縮変形するまで負荷(反転荷重値)を与える。その後、原点用荷重値(0.40mN)まで除荷を行う。この間の荷重−圧縮変位を測定し、下記式から圧縮回復率を求めることができる。なお、負荷速度は0.33mN/秒とする。上記微小圧縮試験機として、例えば、フィッシャー社製「フィッシャースコープH−100」等が用いられる。   Spread conductive particles on the sample stage. About one dispersed conductive particle, 40% of the conductive particles are in the center direction of the conductive particles at 25 ° C. on the end surface of a cylindrical indenter (diameter: 100 μm, made of diamond) using a micro compression tester. Apply a load (reverse load value) until compressive deformation. Thereafter, unloading is performed up to the origin load value (0.40 mN). The load-compression displacement during this period is measured, and the compression recovery rate can be obtained from the following equation. The load speed is 0.33 mN / sec. As the micro compression tester, for example, “Fischer Scope H-100” manufactured by Fischer is used.

圧縮回復率(%)=[(L1−L2)/L1]×100   Compression recovery rate (%) = [(L1-L2) / L1] × 100

接続抵抗をより一層低くし、導通信頼性をより一層高める観点からは、上記導電性粒子は、上記導電部の外表面に複数の突起を有することが好ましい。さらに、上記導電性粒子は、上記導電部内において、複数の上記突起を形成するように、上記導電部の外表面を隆起させている複数の芯物質を備えることが好ましい。   From the viewpoint of further reducing the connection resistance and further improving the conduction reliability, the conductive particles preferably have a plurality of protrusions on the outer surface of the conductive portion. Furthermore, it is preferable that the conductive particles include a plurality of core substances that protrude the outer surface of the conductive portion so as to form the plurality of protrusions in the conductive portion.

接続抵抗をより一層低くし、導通信頼性をより一層高める観点からは、上記導電性粒子の全表面積100%中、上記突起がある部分の表面積は好ましくは10%以上、より好ましくは30%以上であり、好ましくは95%以下、より好ましくは90%以下である。   From the viewpoint of further reducing the connection resistance and further improving the conduction reliability, the surface area of the portion having the protrusion is preferably 10% or more, more preferably 30% or more, out of the total surface area of 100% of the conductive particles. Preferably, it is 95% or less, more preferably 90% or less.

以下、図面を参照しつつ、本発明を具体的に説明する。   Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to the drawings.

図1は、本発明の第1の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。   FIG. 1 is a cross-sectional view showing conductive particles according to the first embodiment of the present invention.

図1に示す導電性粒子1は、基材粒子2と、導電部3とを有する。導電部3は、基材粒子2の表面上に配置されている。第1の実施形態では、導電部3は、基材粒子2の表面に接している。導電性粒子1は、基材粒子2の表面が導電部3により被覆された被覆粒子である。導電性粒子1では、導電部3は、単層の導電部(導電層)である。   The conductive particles 1 shown in FIG. 1 have base material particles 2 and conductive portions 3. The conductive portion 3 is disposed on the surface of the base particle 2. In the first embodiment, the conductive portion 3 is in contact with the surface of the base particle 2. The conductive particle 1 is a coated particle in which the surface of the base particle 2 is coated with the conductive portion 3. In the conductive particle 1, the conductive part 3 is a single-layer conductive part (conductive layer).

導電性粒子1は、後述する導電性粒子11,21とは異なり、芯物質を有さない。導電性粒子1は導電性の表面に突起を有さず、導電部3の外表面に突起を有さない。導電性粒子1は球状である。   Unlike the conductive particles 11 and 21 described later, the conductive particles 1 do not have a core substance. The conductive particles 1 do not have protrusions on the conductive surface, and do not have protrusions on the outer surface of the conductive portion 3. The conductive particles 1 are spherical.

このように、本発明に係る導電性粒子は、導電性の表面に突起を有していなくてもよく、導電部の外表面に突起を有していなくてもよく、球状であってもよい。また、導電性粒子1は、後述する導電性粒子11,21とは異なり、絶縁性物質を有さない。但し、導電性粒子1は、導電部3の外表面上に配置された絶縁性物質を有していてもよい。   As described above, the conductive particles according to the present invention may not have protrusions on the conductive surface, may not have protrusions on the outer surface of the conductive portion, and may be spherical. . Moreover, the electroconductive particle 1 does not have an insulating substance unlike the electroconductive particles 11 and 21 mentioned later. However, the conductive particles 1 may have an insulating substance disposed on the outer surface of the conductive portion 3.

図2は、本発明の第2の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。   FIG. 2 is a cross-sectional view showing conductive particles according to the second embodiment of the present invention.

図2に示す導電性粒子11は、基材粒子2と、導電部12と、複数の芯物質13と、複数の絶縁性物質14とを有する。導電部12は、基材粒子2の表面上に基材粒子2に接するように配置されている。導電性粒子11では、導電部12は、単層の導電部(導電層)である。   A conductive particle 11 shown in FIG. 2 includes a base particle 2, a conductive portion 12, a plurality of core substances 13, and a plurality of insulating substances 14. The conductive portion 12 is disposed on the surface of the base particle 2 so as to be in contact with the base particle 2. In the conductive particles 11, the conductive portion 12 is a single-layer conductive portion (conductive layer).

導電性粒子11は、導電性の表面に、複数の突起11aを有する。導電部12は外表面に、複数の突起12aを有する。複数の芯物質13が、基材粒子2の表面上に配置されている。複数の芯物質13は導電部12内に埋め込まれている。芯物質13は、突起11a,12aの内側に配置されている。導電部12は、複数の芯物質13を被覆している。複数の芯物質13により導電部12の外表面が隆起されており、突起11a,12aが形成されている。   The conductive particles 11 have a plurality of protrusions 11a on the conductive surface. The conductive portion 12 has a plurality of protrusions 12a on the outer surface. A plurality of core substances 13 are arranged on the surface of the base particle 2. The plurality of core materials 13 are embedded in the conductive portion 12. The core substance 13 is disposed inside the protrusions 11a and 12a. The conductive portion 12 covers a plurality of core substances 13. The outer surface of the conductive portion 12 is raised by the plurality of core materials 13, and protrusions 11 a and 12 a are formed.

導電性粒子11は、導電部12の外表面上に配置された絶縁性物質14を有する。導電部12の外表面の少なくとも一部の領域が、絶縁性物質14により被覆されている。絶縁性物質14は絶縁性を有する材料により形成されており、絶縁性粒子である。このように、本発明に係る導電性粒子は、導電部の外表面上に配置された絶縁性物質を有していてもよい。但し、本発明に係る導電性粒子は、絶縁性物質を必ずしも有していなくてもよい。   The conductive particles 11 have an insulating substance 14 disposed on the outer surface of the conductive portion 12. At least a part of the outer surface of the conductive portion 12 is covered with the insulating material 14. The insulating substance 14 is made of an insulating material and is an insulating particle. Thus, the electroconductive particle which concerns on this invention may have the insulating substance arrange | positioned on the outer surface of an electroconductive part. However, the conductive particles according to the present invention do not necessarily have an insulating substance.

図3は、本発明の第3の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。   FIG. 3 is a cross-sectional view showing conductive particles according to the third embodiment of the present invention.

図3に示す導電性粒子21は、基材粒子2と、導電部22と、複数の芯物質13と、複数の絶縁性物質14とを有する。導電部22は全体で、基材粒子2側に第1の導電部22Aと、基材粒子2側とは反対側に第2の導電部22Bとを有する。   The conductive particles 21 shown in FIG. 3 include base material particles 2, conductive portions 22, a plurality of core materials 13, and a plurality of insulating materials 14. The conductive part 22 as a whole has a first conductive part 22A on the base particle 2 side and a second conductive part 22B on the side opposite to the base particle 2 side.

導電性粒子11と導電性粒子21とでは、導電部のみが異なっている。すなわち、導電性粒子11では、1層構造の導電部12が形成されているのに対し、導電性粒子21では、2層構造の第1の導電部22A及び第2の導電部22Bが形成されている。第1の導電部22Aと第2の導電部22Bとは別の導電部として形成されている。   The conductive particles 11 and the conductive particles 21 differ only in the conductive part. That is, the conductive particles 11 are formed with the conductive portion 12 having a single-layer structure, whereas the conductive particles 21 are formed with the first conductive portion 22A and the second conductive portion 22B having a two-layer structure. ing. The first conductive portion 22A and the second conductive portion 22B are formed as separate conductive portions.

第1の導電部22Aは、基材粒子2の表面上に配置されている。基材粒子2と第2の導電部22Bとの間に、第1の導電部22Aが配置されている。第1の導電部22Aは、基材粒子2に接している。従って、基材粒子2の表面上に第1の導電部22Aが配置されており、第1の導電部22Aの表面上に第2の導電部22Bが配置されている。導電性粒子21は、導電性の表面に、複数の突起21aを有する。導電部22は外表面に、複数の突起22aを有する。第1の導電部22Aは外表面に、突起22Aaを有する。第2の導電部22Bは外表面に、複数の突起22Baを有する。導電性粒子21では、導電部22は、2層の導電部(導電層)である。   The first conductive portion 22 </ b> A is disposed on the surface of the base particle 2. 22 A of 1st electroconductive parts are arrange | positioned between the base particle 2 and the 2nd electroconductive part 22B. The first conductive portion 22 </ b> A is in contact with the base material particle 2. Accordingly, the first conductive portion 22A is disposed on the surface of the base particle 2, and the second conductive portion 22B is disposed on the surface of the first conductive portion 22A. The conductive particles 21 have a plurality of protrusions 21a on the conductive surface. The conductive portion 22 has a plurality of protrusions 22a on the outer surface. The first conductive portion 22A has a protrusion 22Aa on the outer surface. The second conductive portion 22B has a plurality of protrusions 22Ba on the outer surface. In the conductive particles 21, the conductive portion 22 is a two-layer conductive portion (conductive layer).

以下、導電性粒子の他の詳細について説明する。なお、以下の説明において、「(メタ)アクリル」は「アクリル」と「メタクリル」との一方又は双方を意味し、「(メタ)アクリレート」は「アクリレート」と「メタクリレート」との一方又は双方を意味する。   Hereinafter, other details of the conductive particles will be described. In the following description, “(meth) acryl” means one or both of “acryl” and “methacryl”, and “(meth) acrylate” means one or both of “acrylate” and “methacrylate”. means.

[基材粒子]
上記基材粒子としては、樹脂粒子、金属粒子を除く無機粒子、有機無機ハイブリッド粒子及び金属粒子等が挙げられる。上記基材粒子は、コアと、該コアの表面上に配置されたシェルとを備えるコアシェル粒子であってもよい。上記コアが有機コアであってもよい。上記シェルが無機シェルであってもよい。金属粒子を除く基材粒子が好ましく、樹脂粒子、金属粒子を除く無機粒子又は有機無機ハイブリッド粒子がより好ましい。本発明の効果により一層優れることから、樹脂粒子又は有機無機ハイブリッド粒子が特に好ましい。
[Base material particles]
Examples of the substrate particles include resin particles, inorganic particles excluding metal particles, organic-inorganic hybrid particles, and metal particles. The base particle may be a core-shell particle including a core and a shell disposed on the surface of the core. The core may be an organic core. The shell may be an inorganic shell. Base particles excluding metal particles are preferable, and inorganic particles or organic-inorganic hybrid particles excluding resin particles, metal particles are more preferable. Resin particles or organic-inorganic hybrid particles are particularly preferred because they are more excellent due to the effects of the present invention.

上記基材粒子は、樹脂により形成された樹脂粒子であることが好ましい。上記導電性粒子を用いて電極間を接続する際には、上記導電性粒子を電極間に配置した後、圧着することにより上記導電性粒子を圧縮させる。上記基材粒子が樹脂粒子であると、上記圧着の際に上記導電性粒子が変形しやすく、導電性粒子と電極との接触面積が大きくなる。このため、電極間の導通信頼性が高くなる。   The substrate particles are preferably resin particles formed of a resin. When connecting between electrodes using the said electroconductive particle, after arrange | positioning the said electroconductive particle between electrodes, the said electroconductive particle is compressed by crimping | bonding. When the substrate particles are resin particles, the conductive particles are easily deformed during the pressure bonding, and the contact area between the conductive particles and the electrode is increased. For this reason, the conduction | electrical_connection reliability between electrodes becomes high.

上記樹脂粒子の材料である樹脂として、種々の有機物が好適に用いられる。上記樹脂粒子の材料である樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリイソブチレン、ポリブタジエン等のポリオレフィン樹脂;ポリメチルメタクリレート及びポリメチルアクリレート等のアクリル樹脂;ポリアルキレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリアミド、フェノールホルムアルデヒド樹脂、メラミンホルムアルデヒド樹脂、ベンゾグアナミンホルムアルデヒド樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、尿素樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、飽和ポリエステル樹脂、ポリスルホン、ポリフェニレンオキサイド、ポリアセタール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、及び、エチレン性不飽和基を有する種々の重合性単量体を1種もしくは2種以上重合させて得られる重合体等が挙げられる。基材粒子の硬度を好適な範囲に容易に制御できるので、上記樹脂粒子を形成するための樹脂は、エチレン性不飽和基を複数有する重合性単量体を1種又は2種以上重合させた重合体であることが好ましい。   Various resins are suitably used as the resin that is the material of the resin particles. Examples of the resin that is a material of the resin particles include polyolefin resins such as polyethylene, polypropylene, polystyrene, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polyisobutylene, and polybutadiene; acrylic resins such as polymethyl methacrylate and polymethyl acrylate; Terephthalate, polycarbonate, polyamide, phenol formaldehyde resin, melamine formaldehyde resin, benzoguanamine formaldehyde resin, urea formaldehyde resin, phenol resin, melamine resin, benzoguanamine resin, urea resin, epoxy resin, unsaturated polyester resin, saturated polyester resin, polysulfone, polyphenylene oxide , Polyacetal, polyimide, polyamideimide, polyetheretherke Emissions, polyethersulfone, and polymers such as obtained by a variety of polymerizable monomer having an ethylenically unsaturated group is polymerized with one or more thereof. Since the hardness of the substrate particles can be easily controlled within a suitable range, the resin for forming the resin particles is obtained by polymerizing one or more polymerizable monomers having a plurality of ethylenically unsaturated groups. A polymer is preferred.

上記樹脂粒子を、エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を重合させて得る場合、上記エチレン性不飽和基を有する重合性単量体としては、非架橋性の単量体と架橋性の単量体とが挙げられる。   When the resin particles are obtained by polymerizing a polymerizable monomer having an ethylenically unsaturated group, the polymerizable monomer having an ethylenically unsaturated group may be a non-crosslinkable monomer or a crosslinkable monomer. And the monomer.

上記非架橋性の単量体としては、例えば、スチレン、α−メチルスチレン等のスチレン系単量体;(メタ)アクリル酸、マレイン酸、無水マレイン酸等のカルボキシル基含有単量体;メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、プロピル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、ラウリル(メタ)アクリレート、セチル(メタ)アクリレート、ステアリル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、イソボルニル(メタ)アクリレート等のアルキル(メタ)アクリレート化合物;2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、グリセロール(メタ)アクリレート、ポリオキシエチレン(メタ)アクリレート、グリシジル(メタ)アクリレート等の酸素原子含有(メタ)アクリレート化合物;(メタ)アクリロニトリル等のニトリル含有単量体;トリフルオロメチル(メタ)アクリレート、ペンタフルオロエチル(メタ)アクリレート、塩化ビニル、フッ化ビニル、クロルスチレン等のハロゲン含有単量体等が挙げられる。   Examples of the non-crosslinkable monomer include styrene monomers such as styrene and α-methylstyrene; carboxyl group-containing monomers such as (meth) acrylic acid, maleic acid, and maleic anhydride; (Meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, lauryl (meth) acrylate, cetyl (meth) acrylate, stearyl (meth) acrylate, cyclohexyl ( Alkyl (meth) acrylate compounds such as meth) acrylate and isobornyl (meth) acrylate; 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, glycerol (meth) acrylate, polyoxyethylene (meth) acrylate, glycidyl (meth) acrylate, etc. Elemental-containing (meth) acrylate compounds; Nitrile-containing monomers such as (meth) acrylonitrile; Halogen-containing substances such as trifluoromethyl (meth) acrylate, pentafluoroethyl (meth) acrylate, vinyl chloride, vinyl fluoride, chlorostyrene And monomers.

上記架橋性の単量体としては、例えば、テトラメチロールメタンテトラ(メタ)アクリレート、テトラメチロールメタントリ(メタ)アクリレート、テトラメチロールメタンジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、グリセロールトリ(メタ)アクリレート、グリセロールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)テトラメチレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート等の多官能(メタ)アクリレート化合物;トリアリル(イソ)シアヌレート、トリアリルトリメリテート、ジビニルベンゼン、ジアリルフタレート、ジアリルアクリルアミド、ジアリルエーテル、γ−(メタ)アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、トリメトキシシリルスチレン、ビニルトリメトキシシラン等のシラン含有単量体等が挙げられる。   Examples of the crosslinkable monomer include tetramethylolmethane tetra (meth) acrylate, tetramethylolmethane tri (meth) acrylate, tetramethylolmethane di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, and dipenta Erythritol hexa (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, glycerol tri (meth) acrylate, glycerol di (meth) acrylate, (poly) ethylene glycol di (meth) acrylate, (poly) propylene glycol di (meth) Polyfunctional (meth) acrylate compounds such as acrylate, (poly) tetramethylene glycol di (meth) acrylate, 1,4-butanediol di (meth) acrylate; triallyl (iso) cyanide Silane-containing monomers such as salts, triallyl trimellitate, divinylbenzene, diallyl phthalate, diallylacrylamide, diallyl ether, γ- (meth) acryloxypropyltrimethoxysilane, trimethoxysilylstyrene, vinyltrimethoxysilane, etc. Is mentioned.

上記エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を、公知の方法により重合させることで、上記樹脂粒子を得ることができる。この方法としては、例えば、ラジカル重合開始剤の存在下で懸濁重合する方法、並びに非架橋の種粒子を用いてラジカル重合開始剤とともに単量体を膨潤させて重合する方法等が挙げられる。   The resin particles can be obtained by polymerizing the polymerizable monomer having an ethylenically unsaturated group by a known method. Examples of this method include a method of suspension polymerization in the presence of a radical polymerization initiator, and a method of polymerizing by swelling a monomer together with a radical polymerization initiator using non-crosslinked seed particles.

上記基材粒子が金属粒子を除く無機粒子又は有機無機ハイブリッド粒子である場合には、基材粒子の材料である無機物としては、シリカ及びカーボンブラック等が挙げられる。上記無機物は、金属ではないことが好ましい。上記シリカにより形成された粒子としては特に限定されないが、例えば、加水分解性のアルコキシシリル基を2つ以上有するケイ素化合物を加水分解して架橋重合体粒子を形成した後に、必要に応じて焼成を行うことにより得られる粒子が挙げられる。上記有機無機ハイブリッド粒子としては、例えば、架橋したアルコキシシリルポリマーとアクリル樹脂とにより形成された有機無機ハイブリッド粒子等が挙げられる。   In the case where the substrate particles are inorganic particles or organic-inorganic hybrid particles excluding metal particles, examples of the inorganic material that is a material of the substrate particles include silica and carbon black. The inorganic substance is preferably not a metal. The particles formed from the silica are not particularly limited. For example, after forming a crosslinked polymer particle by hydrolyzing a silicon compound having two or more hydrolyzable alkoxysilyl groups, firing may be performed as necessary. The particle | grains obtained by performing are mentioned. Examples of the organic / inorganic hybrid particles include organic / inorganic hybrid particles formed of a crosslinked alkoxysilyl polymer and an acrylic resin.

上記基材粒子が金属粒子である場合に、該金属粒子の材料である金属としては、銀、銅、ニッケル、ケイ素、金及びチタン等が挙げられる。但し、上記基材粒子は金属粒子ではないことが好ましく、銅粒子ではないことが好ましい。   When the substrate particles are metal particles, examples of the metal that is a material of the metal particles include silver, copper, nickel, silicon, gold, and titanium. However, the substrate particles are preferably not metal particles, and preferably not copper particles.

上記基材粒子の粒子径は、好ましくは0.1μm以上、より好ましくは1.0μm以上、更に好ましくは1.5μm以上、特に好ましくは2.0μm以上であり、好ましくは1000μm以下、より好ましくは500μm以下、より一層好ましくは300μm以下、更に好ましくは50μm以下、更に一層好ましくは30μm以下、特に好ましくは8.0μm以下、最も好ましくは5.0μm以下である。上記基材粒子の粒子径が上記下限以上であると、導電性粒子と電極との接触面積が大きくなるため、電極間の導通信頼性がより一層高くなり、導電性粒子を介して接続された電極間の接続抵抗がより一層低くなる。さらに基材粒子の表面に導電部を無電解めっきにより形成する際に凝集し難くなり、凝集した導電性粒子が形成されにくくなる。上記基材粒子の粒子径が上記上限以下であると、導電性粒子が充分に圧縮されやすく、電極間の接続抵抗がより一層低くなり、更に電極間の間隔が小さくなる。   The particle diameter of the substrate particles is preferably 0.1 μm or more, more preferably 1.0 μm or more, further preferably 1.5 μm or more, particularly preferably 2.0 μm or more, preferably 1000 μm or less, more preferably It is 500 μm or less, more preferably 300 μm or less, further preferably 50 μm or less, still more preferably 30 μm or less, particularly preferably 8.0 μm or less, and most preferably 5.0 μm or less. When the particle diameter of the substrate particles is equal to or greater than the lower limit, the contact area between the conductive particles and the electrodes is increased, so that the conduction reliability between the electrodes is further increased and the conductive particles are connected via the conductive particles. The connection resistance between the electrodes is further reduced. Further, when the conductive portion is formed on the surface of the base particle by electroless plating, it becomes difficult to aggregate, and the aggregated conductive particles are hardly formed. When the particle diameter of the substrate particles is not more than the above upper limit, the conductive particles are easily compressed, the connection resistance between the electrodes is further reduced, and the interval between the electrodes is further reduced.

上記基材粒子の粒子径は、基材粒子が真球状である場合には、直径を示し、基材粒子が真球状ではない場合には、最大径を示す。   The particle diameter of the base particle indicates a diameter when the base particle is a true sphere, and indicates a maximum diameter when the base particle is not a true sphere.

上記基材粒子の粒子径は、1.0μm以上、5.0μm以下であることが特に好ましい。上記基材粒子の粒子径が1.0μm以上、5.0μm以下の範囲内であると、電極間の間隔が小さくなり、かつ導電部の厚みを厚くしても、小さい導電性粒子が得られ、かつ、接続抵抗を効果的に低くすることができる。   The particle diameter of the substrate particles is particularly preferably 1.0 μm or more and 5.0 μm or less. When the particle diameter of the substrate particles is in the range of 1.0 μm or more and 5.0 μm or less, even when the distance between the electrodes is small and the thickness of the conductive part is increased, small conductive particles can be obtained. And connection resistance can be made low effectively.

[導電部]
上記導電部を形成するための金属は特に限定されない。該金属としては、例えば、金、銀、パラジウム、銅、白金、亜鉛、鉄、錫、鉛、ルテニウム、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、タリウム、ゲルマニウム、カドミウム、ケイ素及びこれらの合金等が挙げられる。また、上記金属としては、錫ドープ酸化インジウム(ITO)及びはんだ等が挙げられる。電極間の接続抵抗をより一層低くすることができるので、錫を含む合金、ニッケル、パラジウム、銅又は金が好ましく、ニッケル又はパラジウムが好ましい。
[Conductive part]
The metal for forming the conductive part is not particularly limited. Examples of the metal include gold, silver, palladium, copper, platinum, zinc, iron, tin, lead, ruthenium, aluminum, cobalt, indium, nickel, chromium, titanium, antimony, bismuth, thallium, germanium, cadmium, and silicon. And alloys thereof. Examples of the metal include tin-doped indium oxide (ITO) and solder. Since the connection resistance between the electrodes can be further reduced, an alloy containing tin, nickel, palladium, copper or gold is preferable, and nickel or palladium is preferable.

導電性粒子1,11のように、上記導電部は、1つの層により形成されていてもよい。導電性粒子21のように、導電部は、複数の層により形成されていてもよい。すなわち、導電部は、2層以上の積層構造を有していてもよい。導電部が複数の層により形成されている場合には、最外層は、金層、ニッケル層、パラジウム層、銅層又は錫と銀とを含む合金層であることが好ましい。最外層がこれらの好ましい導電層である場合には、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。また、最外層が貴金属層である場合には、耐腐食性がより一層高くなる。   Like the conductive particles 1 and 11, the conductive part may be formed of one layer. Like the electroconductive particle 21, the electroconductive part may be formed of the some layer. That is, the conductive part may have a laminated structure of two or more layers. When the conductive portion is formed of a plurality of layers, the outermost layer is preferably a gold layer, a nickel layer, a palladium layer, a copper layer, or an alloy layer containing tin and silver. When the outermost layer is these preferred conductive layers, the connection resistance between the electrodes is further reduced. Further, when the outermost layer is a noble metal layer, the corrosion resistance is further enhanced.

上記基材粒子の表面上に導電部を形成する方法は特に限定されない。導電部を形成する方法としては、例えば、無電解めっきによる方法、電気めっきによる方法、物理的蒸着による方法、並びに金属粉末もしくは金属粉末とバインダーとを含むペーストを基材粒子の表面にコーティングする方法等が挙げられる。導電部の形成が簡便であるので、無電解めっきによる方法が好ましい。上記物理的蒸着による方法としては、真空蒸着、イオンプレーティング及びイオンスパッタリング等の方法が挙げられる。   The method for forming the conductive part on the surface of the substrate particle is not particularly limited. As a method for forming the conductive portion, for example, a method by electroless plating, a method by electroplating, a method by physical vapor deposition, and a method of coating the surface of base particles with metal powder or a paste containing metal powder and a binder Etc. Since formation of the conductive part is simple, a method by electroless plating is preferred. Examples of the method by physical vapor deposition include methods such as vacuum vapor deposition, ion plating, and ion sputtering.

上記導電性粒子の粒子径は、好ましくは0.5μm以上、より好ましくは1μm以上であり、好ましくは520μm以下、より好ましくは500μm以下、より一層好ましくは100μm以下、更に好ましくは50μm以下、特に好ましくは30μm以下である。導電性粒子の粒子径が上記下限以上及び上記上限以下であると、導電性粒子を用いて電極間を接続した場合に、導電性粒子と電極との接触面積が十分に大きくなり、かつ導電部を形成する際に凝集した導電性粒子が形成されにくくなる。また、導電性粒子を介して接続された電極間の間隔が大きくなりすぎず、かつ導電部が基材粒子の表面から剥離し難くなる。また、導電性粒子の粒子径が上記下限以上及び上記上限以下であると、導電性粒子を導電材料の用途に好適に使用可能である。   The particle diameter of the conductive particles is preferably 0.5 μm or more, more preferably 1 μm or more, preferably 520 μm or less, more preferably 500 μm or less, still more preferably 100 μm or less, still more preferably 50 μm or less, particularly preferably. Is 30 μm or less. When the particle diameter of the conductive particles is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, when the electrodes are connected using the conductive particles, the contact area between the conductive particles and the electrode becomes sufficiently large, and the conductive part When forming the conductive particles, it becomes difficult to form aggregated conductive particles. Further, the distance between the electrodes connected via the conductive particles does not become too large, and the conductive portion is difficult to peel from the surface of the base particle. Further, when the particle diameter of the conductive particles is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the conductive particles can be suitably used for the use of the conductive material.

上記導電性粒子の粒子径は、導電性粒子が真球状である場合には直径を意味し、導電性粒子が真球状以外の形状である場合には最大径を意味する。   The particle diameter of the conductive particles means the diameter when the conductive particles are true spherical, and means the maximum diameter when the conductive particles have a shape other than the true spherical shape.

上記導電部の厚み(導電部全体の厚み)は、好ましくは0.005μm以上、より好ましくは0.01μm以上であり、好ましくは10μm以下、より好ましくは1μm以下、更に好ましくは0.5μm以下、特に好ましくは0.3μm以下である。上記導電部の厚みは、導電部が多層である場合には導電層全体の厚みである。導電部の厚みが上記下限以上及び上記上限以下であると、十分な導電性が得られ、かつ導電性粒子が硬くなりすぎずに、電極間の接続の際に導電性粒子が十分に変形する。   The thickness of the conductive part (total thickness of the conductive part) is preferably 0.005 μm or more, more preferably 0.01 μm or more, preferably 10 μm or less, more preferably 1 μm or less, and even more preferably 0.5 μm or less, Especially preferably, it is 0.3 micrometer or less. The thickness of the conductive portion is the thickness of the entire conductive layer when the conductive portion is a multilayer. When the thickness of the conductive part is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, sufficient conductivity can be obtained, and the conductive particles are not too hard, and the conductive particles are sufficiently deformed when connecting the electrodes. .

上記導電部が複数の層により形成されている場合に、最外層の導電層の厚みは、好ましくは0.001μm以上、より好ましくは0.01μm以上であり、好ましくは0.5μm以下、より好ましくは0.2μm以下である。上記最外層の導電層の厚みが上記下限以上及び上記上限以下であると、最外層の導電層による被覆が均一になり、耐腐食性が十分に高くなり、かつ電極間の接続抵抗がより一層低くなる。また、上記最外層が金層である場合に、金層の厚みが薄いほど、コストが低くなる。   When the conductive part is formed of a plurality of layers, the thickness of the outermost conductive layer is preferably 0.001 μm or more, more preferably 0.01 μm or more, preferably 0.5 μm or less, more preferably Is 0.2 μm or less. When the thickness of the outermost conductive layer is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the coating with the outermost conductive layer becomes uniform, the corrosion resistance becomes sufficiently high, and the connection resistance between the electrodes is further increased. Lower. Further, when the outermost layer is a gold layer, the thinner the gold layer, the lower the cost.

上記導電部の厚みは、例えば透過型電子顕微鏡(TEM)を用いて、導電性粒子の断面を観察することにより測定できる。   The thickness of the conductive portion can be measured by observing the cross section of the conductive particles using, for example, a transmission electron microscope (TEM).

導電性を効果的に高める観点からは、上記導電性粒子は、ニッケルを含む導電部を有することが好ましい。ニッケルを含む導電部100重量%中、ニッケルの含有量は好ましくは50重量%以上、より好ましくは65重量%以上、より一層好ましくは70重量%以上、更に好ましくは75重量%以上、更に一層好ましくは80重量%以上、特に好ましくは85重量%以上、最も好ましくは90重量%以上である。上記ニッケルを含む導電部100重量%中、ニッケルの含有量は好ましくは100重量%(全量)以下であり、99重量%以下であってもよく、95重量%以下であってもよい。ニッケルの含有量が上記下限以上であると、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。また、電極や導電部の表面における酸化膜が少ない場合には、ニッケルの含有量が多いほど電極間の接続抵抗が低くなる傾向がある。   From the viewpoint of effectively increasing the conductivity, the conductive particles preferably have a conductive portion containing nickel. In 100% by weight of the conductive part containing nickel, the nickel content is preferably 50% by weight or more, more preferably 65% by weight or more, still more preferably 70% by weight or more, still more preferably 75% by weight or more, and even more preferably. Is 80% by weight or more, particularly preferably 85% by weight or more, and most preferably 90% by weight or more. In 100% by weight of the conductive part containing nickel, the content of nickel is preferably 100% by weight (total amount) or less, 99% by weight or less, or 95% by weight or less. When the nickel content is at least the above lower limit, the connection resistance between the electrodes is further reduced. Moreover, when there are few oxide films on the surface of an electrode or an electroconductive part, there exists a tendency for the connection resistance between electrodes to become low, so that there is much content of nickel.

上記導電部に含まれる金属の含有量の測定方法は、既知の種々の分析法を用いることができ、特に限定されない。この測定方法として、吸光分析法又はスペクトル分析法等が挙げられる。上記吸光分析法では、フレーム吸光光度計及び電気加熱炉吸光光度計等を用いることができる。上記スペクトル分析法としては、プラズマ発光分析法及びプラズマイオン源質量分析法等が挙げられる。   The measuring method of content of the metal contained in the said electroconductive part can use various known analytical methods, and is not specifically limited. Examples of this measuring method include absorption spectrometry or spectrum analysis. In the above-mentioned absorption analysis method, a flame absorptiometer, an electric heating furnace absorptiometer or the like can be used. Examples of the spectrum analysis method include a plasma emission analysis method and a plasma ion source mass spectrometry method.

上記導電部に含まれる金属の平均含有量を測定する際には、ICP発光分析装置を用いることが好ましい。ICP発光分析装置の市販品としては、HORIBA社製のICP発光分析装置等が挙げられる。   When measuring the average content of the metal contained in the conductive part, it is preferable to use an ICP emission analyzer. Examples of commercially available ICP emission analyzers include ICP emission analyzers manufactured by HORIBA.

上記導電部は、ニッケルに加えて、リン又はボロンを含んでいてもよい。また、上記導電部は、ニッケル以外の金属を含んでいてもよい。上記導電部において、複数の金属が含まれる場合に、複数の金属は合金化していてもよい。   The conductive part may contain phosphorus or boron in addition to nickel. The conductive portion may contain a metal other than nickel. In the conductive part, when a plurality of metals are included, the plurality of metals may be alloyed.

ニッケルとリン又はボロンとを含む導電部100重量%中、リン又はボロンの含有量は好ましくは0.1重量%以上、より好ましくは1重量%以上であり、好ましくは10重量%以下、より好ましくは5重量%以下である。リン又はボロンの含有量が上記下限及び上記上限以下であると、導電部の抵抗がより一層低くなり、上記導電部が接続抵抗の低減に寄与する。   In 100% by weight of the conductive part containing nickel and phosphorus or boron, the content of phosphorus or boron is preferably 0.1% by weight or more, more preferably 1% by weight or more, preferably 10% by weight or less, more preferably Is 5% by weight or less. When the content of phosphorus or boron is not more than the above lower limit and the above upper limit, the resistance of the conductive portion is further reduced, and the conductive portion contributes to the reduction of connection resistance.

[芯物質]
上記導電性粒子は、導電性の表面に、突起を有することが好ましい。上記導電性粒子は、上記導電部の外表面に、突起を有することが好ましい。上記突起は複数であることが好ましい。上記導電性粒子により接続される電極の表面には、酸化膜が形成されていることが多い。さらに、上記導電性粒子の導電部の表面には、酸化膜が形成されていることが多い。上記突起を有する導電性粒子の使用により、電極間に導電性粒子を配置した後、圧着させることにより、突起により酸化膜が効果的に排除される。このため、電極と導電性粒子とをより一層確実に接触させることができ、電極間の接続抵抗を低くすることができる。さらに、上記導電性粒子が表面に絶縁性物質を有する場合、又は導電性粒子がバインダー樹脂中に分散されて導電材料として用いられる場合に、導電性粒子の突起によって、導電性粒子と電極との間の樹脂を効果的に排除できる。このため、電極間の導通信頼性がより一層高くなる。
[Core material]
The conductive particles preferably have protrusions on the conductive surface. The conductive particles preferably have protrusions on the outer surface of the conductive part. It is preferable that there are a plurality of protrusions. An oxide film is often formed on the surface of the electrode connected by the conductive particles. Furthermore, an oxide film is often formed on the surface of the conductive part of the conductive particles. By using the conductive particles having the protrusions, the oxide film is effectively excluded by the protrusions by placing the conductive particles between the electrodes and then pressing them. For this reason, an electrode and electroconductive particle can be contacted still more reliably and the connection resistance between electrodes can be made low. Furthermore, when the conductive particles have an insulating material on the surface, or when the conductive particles are dispersed in a binder resin and used as a conductive material, the conductive particles and the electrodes are separated by protrusions of the conductive particles. The resin in between can be effectively eliminated. For this reason, the conduction | electrical_connection reliability between electrodes becomes still higher.

上記芯物質が上記導電部中に埋め込まれていることによって、上記導電部が外表面に複数の突起を有するようにすることが容易である。但し、導電性粒子の導電性の表面及び導電部の表面に突起を形成するために、芯物質を必ずしも用いなくてもよい。   Since the core substance is embedded in the conductive portion, it is easy for the conductive portion to have a plurality of protrusions on the outer surface. However, the core substance is not necessarily used in order to form protrusions on the conductive surface of the conductive particles and the surface of the conductive portion.

上記突起を形成する方法としては、基材粒子の表面に芯物質を付着させた後、無電解めっきにより導電部を形成する方法、基材粒子の表面に無電解めっきにより導電部を形成した後、芯物質を付着させ、更に無電解めっきにより導電部を形成する方法、並びに基材粒子の表面に無電解めっきにより導電部を形成する途中段階で芯物質を添加する方法等が挙げられる。   As a method for forming the protrusions, a method of forming a conductive part by electroless plating after attaching a core substance to the surface of the base particle, and a method of forming a conductive part by electroless plating on the surface of the base particle And a method of forming a conductive part by electroless plating, and a method of adding a core substance in the middle of forming the conductive part by electroless plating on the surface of the substrate particles.

上記芯物質の材料としては、導電性物質及び非導電性物質が挙げられる。上記導電性物質としては、例えば、金属、金属の酸化物、黒鉛等の導電性非金属及び導電性ポリマー等が挙げられる。上記導電性ポリマーとしては、ポリアセチレン等が挙げられる。上記非導電性物質としては、シリカ、アルミナ、炭化タングステン、酸化チタン、チタン酸バリウム及びジルコニア等が挙げられる。上記芯物質の材料である金属としては、上記導電材料の材料として挙げた金属を適宜使用可能である。   Examples of the material of the core substance include a conductive substance and a non-conductive substance. Examples of the conductive material include conductive non-metals such as metals, metal oxides, and graphite, and conductive polymers. Examples of the conductive polymer include polyacetylene. Examples of the non-conductive substance include silica, alumina, tungsten carbide, titanium oxide, barium titanate and zirconia. As the metal that is the material of the core substance, the metals mentioned as the material of the conductive material can be used as appropriate.

上記芯物質の材料の具体例としては、チタン酸バリウム(モース硬度4.5)、ニッケル(モース硬度5)、シリカ(二酸化珪素、モース硬度6〜7)、酸化チタン(モース硬度7)、ジルコニア(モース硬度8〜9)、アルミナ(モース硬度9)、炭化タングステン(モース硬度9)及びダイヤモンド(モース硬度10)等が挙げられる。上記無機粒子は、ニッケル、シリカ、酸化チタン、ジルコニア、アルミナ、炭化タングステン又はダイヤモンドであることが好ましく、シリカ、酸化チタン、ジルコニア、アルミナ、炭化タングステン又はダイヤモンドであることがより好ましく、酸化チタン、ジルコニア、アルミナ、炭化タングステン又はダイヤモンドであることが更に好ましく、ジルコニア、アルミナ、炭化タングステン又はダイヤモンドであることが特に好ましい。上記比(20%K値/40%K値)、上記比(30%K値/40%K値)及び圧縮回復率を好適な範囲に容易に制御する観点からは、上記芯物質の材料のモース硬度は好ましくは4以上、より好ましくは6以上、更に好ましくは7以上、特に好ましくは7.5以上である。   Specific examples of the core material include barium titanate (Mohs hardness 4.5), nickel (Mohs hardness 5), silica (silicon dioxide, Mohs hardness 6-7), titanium oxide (Mohs hardness 7), zirconia. (Mohs hardness 8-9), alumina (Mohs hardness 9), tungsten carbide (Mohs hardness 9), diamond (Mohs hardness 10), and the like. The inorganic particles are preferably nickel, silica, titanium oxide, zirconia, alumina, tungsten carbide or diamond, more preferably silica, titanium oxide, zirconia, alumina, tungsten carbide or diamond, titanium oxide, zirconia. Alumina, tungsten carbide or diamond is more preferable, and zirconia, alumina, tungsten carbide or diamond is particularly preferable. From the viewpoint of easily controlling the ratio (20% K value / 40% K value), the ratio (30% K value / 40% K value) and the compression recovery rate within a suitable range, The Mohs hardness is preferably 4 or more, more preferably 6 or more, still more preferably 7 or more, and particularly preferably 7.5 or more.

上記芯物質の形状は特に限定されない。芯物質の形状は塊状であることが好ましい。芯物質としては、例えば、粒子状の塊、複数の微小粒子が凝集した凝集塊、及び不定形の塊等が挙げられる。   The shape of the core material is not particularly limited. The shape of the core substance is preferably a lump. Examples of the core substance include a particulate lump, an agglomerate in which a plurality of fine particles are aggregated, and an irregular lump.

上記芯物質の平均径(平均粒子径)は、好ましくは0.001μm以上、より好ましくは0.05μm以上であり、好ましくは0.9μm以下、より好ましくは0.2μm以下である。上記芯物質の平均径が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の接続抵抗が効果的に低くなる。   The average diameter (average particle diameter) of the core substance is preferably 0.001 μm or more, more preferably 0.05 μm or more, preferably 0.9 μm or less, more preferably 0.2 μm or less. When the average diameter of the core substance is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the connection resistance between the electrodes is effectively reduced.

上記芯物質の「平均径(平均粒子径)」は、数平均径(数平均粒子径)を示す。芯物質の平均径は、任意の芯物質50個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することにより求められる。   The “average diameter (average particle diameter)” of the core substance indicates a number average diameter (number average particle diameter). The average diameter of the core material is obtained by observing 50 arbitrary core materials with an electron microscope or an optical microscope and calculating an average value.

上記導電性粒子1個当たりの上記の突起の数は、好ましくは3個以上、より好ましくは5個以上である。上記突起の数の上限は特に限定されない。上記突起の数の上限は導電性粒子の粒子径等を考慮して適宜選択できる。   The number of the protrusions per conductive particle is preferably 3 or more, more preferably 5 or more. The upper limit of the number of protrusions is not particularly limited. The upper limit of the number of protrusions can be appropriately selected in consideration of the particle diameter of the conductive particles.

複数の上記突起の平均高さは、好ましくは0.001μm以上、より好ましくは0.05μm以上であり、好ましくは0.9μm以下、より好ましくは0.3μm以下である。上記突起の平均高さが上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の接続抵抗が効果的に低くなる。   The average height of the plurality of protrusions is preferably 0.001 μm or more, more preferably 0.05 μm or more, preferably 0.9 μm or less, more preferably 0.3 μm or less. When the average height of the protrusions is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the connection resistance between the electrodes is effectively reduced.

[絶縁性物質]
上記導電性粒子は、上記導電部の表面上に配置された絶縁性物質を備えることが好ましい。この場合には、導電性粒子を電極間の接続に用いると、隣接する電極間の短絡をより一層防止できる。具体的には、複数の導電性粒子が接触したときに、複数の電極間に絶縁性物質が存在するので、上下の電極間ではなく横方向に隣り合う電極間の短絡を防止できる。なお、電極間の接続の際に、2つの電極で導電性粒子を加圧することにより、導電性粒子の導電部と電極との間の絶縁性物質を容易に排除できる。上記導電性粒子が導電部の外表面に複数の突起を有する場合には、導電性粒子の導電部と電極との間の絶縁性物質をより一層容易に排除できる。
[Insulating material]
The conductive particles preferably include an insulating material disposed on the surface of the conductive part. In this case, when the conductive particles are used for connection between the electrodes, a short circuit between adjacent electrodes can be further prevented. Specifically, when a plurality of conductive particles are in contact with each other, an insulating material is present between the plurality of electrodes, so that it is possible to prevent a short circuit between electrodes adjacent in the lateral direction instead of between the upper and lower electrodes. It should be noted that the insulating material between the conductive portion of the conductive particles and the electrode can be easily removed by pressurizing the conductive particles with the two electrodes when connecting the electrodes. When the conductive particles have a plurality of protrusions on the outer surface of the conductive part, the insulating substance between the conductive part of the conductive particles and the electrode can be more easily removed.

電極間の圧着時に上記絶縁性物質をより一層容易に排除できることから、上記絶縁性物質は、絶縁性粒子であることが好ましい。   The insulating substance is preferably an insulating particle because the insulating substance can be more easily removed when the electrodes are pressed.

上記絶縁性物質の材料である絶縁性樹脂の具体例としては、ポリオレフィン類、(メタ)アクリレート重合体、(メタ)アクリレート共重合体、ブロックポリマー、熱可塑性樹脂、熱可塑性樹脂の架橋物、熱硬化性樹脂及び水溶性樹脂等が挙げられる。   Specific examples of the insulating resin that is the material of the insulating material include polyolefins, (meth) acrylate polymers, (meth) acrylate copolymers, block polymers, thermoplastic resins, crosslinked thermoplastic resins, heat Examples thereof include curable resins and water-soluble resins.

上記絶縁性物質の平均径(平均粒子径)は、導電性粒子の粒子径及び導電性粒子の用途等によって適宜選択できる。また絶縁性能を向上させる観点から、平均径が異なる絶縁性物質を混合して使用してもよい。上記絶縁性物質の平均径(平均粒子径)は好ましくは0.005μm以上、より好ましくは0.01μm以上であり、好ましくは1μm以下、より好ましくは0.5μm以下である。上記絶縁性物質の平均径が上記下限以上であると、導電性粒子がバインダー樹脂中に分散されたときに、複数の導電性粒子における導電部同士が接触し難くなる。上記絶縁性粒子の平均径が上記上限以下であると、電極間の接続の際に、電極と導電性粒子との間の絶縁性物質を排除するために、圧力を高くしすぎる必要がなくなり、高温に加熱する必要もなくなる。   The average diameter (average particle diameter) of the insulating material can be appropriately selected depending on the particle diameter of the conductive particles, the use of the conductive particles, and the like. From the viewpoint of improving the insulating performance, insulating materials having different average diameters may be mixed and used. The average diameter (average particle diameter) of the insulating substance is preferably 0.005 μm or more, more preferably 0.01 μm or more, preferably 1 μm or less, more preferably 0.5 μm or less. When the average diameter of the insulating material is equal to or greater than the lower limit, when the conductive particles are dispersed in the binder resin, the conductive portions in the plurality of conductive particles are difficult to contact each other. When the average diameter of the insulating particles is not more than the above upper limit, it is not necessary to increase the pressure too much in order to eliminate the insulating substance between the electrodes and the conductive particles when connecting the electrodes, There is no need to heat to high temperatures.

上記絶縁性物質の「平均径(平均粒子径)」は、数平均径(数平均粒子径)を示す。絶縁性物質の平均径は、粒度分布測定装置等を用いて求められる。   The “average diameter (average particle diameter)” of the insulating material indicates a number average diameter (number average particle diameter). The average diameter of the insulating material is determined using a particle size distribution measuring device or the like.

(導電材料)
本発明に係る導電材料は、上述した導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む。上記導電性粒子は、バインダー樹脂中に分散され、導電材料として用いられることが好ましい。上記導電材料は、異方性導電材料であることが好ましい。上記導電性粒子及び上記導電材料はそれぞれ、電極間の電気的な接続に用いられることが好ましい。上記導電材料は、回路接続材料であることが好ましい。
(Conductive material)
The conductive material according to the present invention includes the conductive particles described above and a binder resin. The conductive particles are preferably dispersed in a binder resin and used as a conductive material. The conductive material is preferably an anisotropic conductive material. The conductive particles and the conductive material are each preferably used for electrical connection between electrodes. The conductive material is preferably a circuit connection material.

上記バインダー樹脂は特に限定されない。上記バインダー樹脂は、熱可塑性成分(熱可塑性化合物)又は硬化性成分を含むことが好ましく、硬化性成分を含むことがより好ましい。上記硬化性成分としては、光硬化性成分及び熱硬化性成分が挙げられる。上記光硬化性成分は、光硬化性化合物及び光重合開始剤を含むことが好ましい。上記熱硬化性成分は、熱硬化性化合物及び熱硬化剤を含むことが好ましい。上記バインダー樹脂としては、例えば、ビニル樹脂、熱可塑性樹脂、硬化性樹脂、熱可塑性ブロック共重合体及びエラストマー等が挙げられる。上記バインダー樹脂は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。   The binder resin is not particularly limited. The binder resin preferably includes a thermoplastic component (thermoplastic compound) or a curable component, and more preferably includes a curable component. Examples of the curable component include a photocurable component and a thermosetting component. It is preferable that the said photocurable component contains a photocurable compound and a photoinitiator. The thermosetting component preferably contains a thermosetting compound and a thermosetting agent. Examples of the binder resin include vinyl resins, thermoplastic resins, curable resins, thermoplastic block copolymers, and elastomers. As for the said binder resin, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記ビニル樹脂としては、例えば、酢酸ビニル樹脂、アクリル樹脂及びスチレン樹脂等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリオレフィン樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体及びポリアミド樹脂等が挙げられる。上記硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂及び不飽和ポリエステル樹脂等が挙げられる。なお、上記硬化性樹脂は、常温硬化型樹脂、熱硬化型樹脂、光硬化型樹脂又は湿気硬化型樹脂であってもよい。上記熱可塑性ブロック共重合体としては、例えば、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体の水素添加物、及びスチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体の水素添加物等が挙げられる。上記エラストマーとしては、例えば、スチレン−ブタジエン共重合ゴム、及びアクリロニトリル−スチレンブロック共重合ゴム等が挙げられる。   Examples of the vinyl resin include vinyl acetate resin, acrylic resin, and styrene resin. Examples of the thermoplastic resin include polyolefin resins, ethylene-vinyl acetate copolymers, and polyamide resins. Examples of the curable resin include an epoxy resin, a urethane resin, a polyimide resin, and an unsaturated polyester resin. The curable resin may be a room temperature curable resin, a thermosetting resin, a photocurable resin, or a moisture curable resin. Examples of the thermoplastic block copolymer include a styrene-butadiene-styrene block copolymer, a styrene-isoprene-styrene block copolymer, a hydrogenated product of a styrene-butadiene-styrene block copolymer, and a styrene-isoprene. -Hydrogenated product of a styrene block copolymer. Examples of the elastomer include styrene-butadiene copolymer rubber and acrylonitrile-styrene block copolymer rubber.

上記導電材料及び上記バインダー樹脂は、熱可塑性成分又は熱硬化性成分を含むことが好ましい。上記導電材料及び上記バインダー樹脂は、熱可塑性成分を含んでいてもよく、熱硬化性成分を含んでいてもよい。上記導電材料及び上記バインダー樹脂は、熱硬化性成分を含むことが好ましい。上記熱硬化性成分は、加熱により硬化可能な硬化性化合物と熱硬化剤とを含むことが好ましい。上記熱硬化剤は、熱カチオン硬化開始剤であることが好ましい。上記加熱により硬化可能な硬化性化合物と上記熱硬化剤とは、上記バインダー樹脂が硬化するように適宜の配合比で用いられる。上記バインダー樹脂が熱カチオン硬化開始剤を含むと、硬化物中に酸が含まれやすい。しかし、本発明に係る導電性粒子の使用により、電極間の接続抵抗を低く維持することができる。   The conductive material and the binder resin preferably contain a thermoplastic component or a thermosetting component. The conductive material and the binder resin may contain a thermoplastic component or may contain a thermosetting component. The conductive material and the binder resin preferably contain a thermosetting component. The thermosetting component preferably contains a curable compound that can be cured by heating and a thermosetting agent. The thermosetting agent is preferably a thermal cation curing initiator. The curable compound curable by heating and the thermosetting agent are used in an appropriate blending ratio so that the binder resin is cured. When the binder resin contains a thermal cation curing initiator, an acid is easily contained in the cured product. However, the connection resistance between the electrodes can be kept low by using the conductive particles according to the present invention.

上記導電材料は、例えば、充填剤、増量剤、軟化剤、可塑剤、重合触媒、硬化触媒、着色剤、酸化防止剤、熱安定剤、光安定剤、紫外線吸収剤、滑剤、帯電防止剤及び難燃剤等の各種添加剤を含んでいてもよい。   The conductive material includes, for example, a filler, an extender, a softener, a plasticizer, a polymerization catalyst, a curing catalyst, a colorant, an antioxidant, a heat stabilizer, a light stabilizer, an ultraviolet absorber, a lubricant, an antistatic agent, and the like. Various additives such as a flame retardant may be included.

上記導電材料は、導電ペースト及び導電フィルム等として使用され得る。上記導電材料が、導電フィルムである場合には、導電性粒子を含む導電フィルムに、導電性粒子を含まないフィルムが積層されていてもよい。上記導電ペーストは、異方性導電ペーストであることが好ましい。上記導電フィルムは、異方性導電フィルムであることが好ましい。   The conductive material can be used as a conductive paste and a conductive film. When the conductive material is a conductive film, a film that does not include conductive particles may be laminated on a conductive film that includes conductive particles. The conductive paste is preferably an anisotropic conductive paste. The conductive film is preferably an anisotropic conductive film.

上記導電材料100重量%中、上記バインダー樹脂の含有量は好ましくは10重量%以上、より好ましくは30重量%以上、更に好ましくは50重量%以上、特に好ましくは70重量%以上であり、好ましくは99.99重量%以下、より好ましくは99.9重量%以下である。上記バインダー樹脂の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間に導電性粒子が効率的に配置され、導電材料により接続された接続対象部材の導通信頼性がより一層高くなる。   The content of the binder resin in 100% by weight of the conductive material is preferably 10% by weight or more, more preferably 30% by weight or more, still more preferably 50% by weight or more, particularly preferably 70% by weight or more, preferably It is 99.99 weight% or less, More preferably, it is 99.9 weight% or less. When the content of the binder resin is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the conductive particles are efficiently arranged between the electrodes, and the conduction reliability of the connection target member connected by the conductive material is further increased.

上記導電材料100重量%中、上記導電性粒子の含有量は好ましくは0.01重量%以上、より好ましくは0.1重量%以上であり、好ましくは80重量%以下、より好ましくは60重量%以下、更に好ましくは40重量%以下、特に好ましくは20重量%以下、最も好ましくは10重量%以下である。上記導電性粒子の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の導通信頼性がより一層高くなる。   In 100% by weight of the conductive material, the content of the conductive particles is preferably 0.01% by weight or more, more preferably 0.1% by weight or more, preferably 80% by weight or less, more preferably 60% by weight. Hereinafter, it is more preferably 40% by weight or less, particularly preferably 20% by weight or less, and most preferably 10% by weight or less. When the content of the conductive particles is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the conduction reliability between the electrodes is further enhanced.

(接続構造体)
上記導電性粒子を用いて、又は上記導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料を用いて、接続対象部材を接続することにより、接続構造体を得ることができる。
(Connection structure)
A connection structure can be obtained by connecting the connection object members using the conductive particles or using a conductive material containing the conductive particles and a binder resin.

上記接続構造体は、第1の接続対象部材と、第2の接続対象部材と、第1,第2の接続対象部材を接続している接続部とを備え、上記接続部の材料が、上述した導電性粒子であるか、又は上述した導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料であることが好ましい。上記接続部が、本発明の導電性粒子により形成されているか、又は該導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料により形成されている接続構造体であることが好ましい。導電性粒子が用いられた場合には、接続部自体が導電性粒子である。すなわち、第1,第2の接続対象部材が導電性粒子により接続される。   The connection structure includes a first connection object member, a second connection object member, and a connection part connecting the first and second connection object members, and the material of the connection part is the above-described material. The conductive material is preferably a conductive material containing the conductive particles and the binder resin described above. It is preferable that the connection portion is a connection structure formed of the conductive particles of the present invention or a conductive material containing the conductive particles and a binder resin. In the case where conductive particles are used, the connection portion itself is conductive particles. That is, the first and second connection target members are connected by the conductive particles.

図4は、本発明の第1の実施形態に係る導電性粒子を用いた接続構造体を模式的に示す正面断面図である。   FIG. 4 is a front cross-sectional view schematically showing a connection structure using conductive particles according to the first embodiment of the present invention.

図4に示す接続構造体51は、第1の接続対象部材52と、第2の接続対象部材53と、第1,第2の接続対象部材52,53を接続している接続部54とを備える。接続部54は、導電性粒子1を含む導電材料を硬化させることにより形成されている。なお、図4では、導電性粒子1は、図示の便宜上、略図的に示されている。導電性粒子1にかえて、導電性粒子11,21等を用いてもよい。   4 includes a first connection target member 52, a second connection target member 53, and a connection portion 54 that connects the first and second connection target members 52 and 53. Prepare. The connection portion 54 is formed by curing a conductive material including the conductive particles 1. In FIG. 4, the conductive particles 1 are schematically shown for convenience of illustration. Instead of the conductive particles 1, conductive particles 11, 21, etc. may be used.

第1の接続対象部材52は表面(上面)に、複数の第1の電極52aを有する。第2の接続対象部材53は表面(下面)に、複数の第2の電極53aを有する。第1の電極52aと第2の電極53aとが、1つ又は複数の導電性粒子1により電気的に接続されている。従って、第1,第2の接続対象部材52,53が導電性粒子1により電気的に接続されている。   The first connection target member 52 has a plurality of first electrodes 52a on the surface (upper surface). The second connection target member 53 has a plurality of second electrodes 53a on the surface (lower surface). The first electrode 52 a and the second electrode 53 a are electrically connected by one or a plurality of conductive particles 1. Therefore, the first and second connection target members 52 and 53 are electrically connected by the conductive particles 1.

上記接続構造体の製造方法は特に限定されない。上記接続構造体の製造方法の一例としては、上記第1の接続対象部材と上記第2の接続対象部材との間に上記導電材料を配置し、積層体を得た後、該積層体を加熱及び加圧する方法等が挙げられる。上記加圧の圧力は、バンプ電極の接続部分の総面積当たり1.0×10〜4.9×10Pa程度である。上記加熱の温度は、120〜220℃程度である。 The manufacturing method of the connection structure is not particularly limited. As an example of the manufacturing method of the connection structure, the conductive material is disposed between the first connection target member and the second connection target member to obtain a multilayer body, and then the multilayer body is heated. And a method of applying pressure. The pressure of the pressurization is about 1.0 × 10 6 to 4.9 × 10 8 Pa per total area of the connection portion of the bump electrode. The temperature of the said heating is about 120-220 degreeC.

また、本発明では、低圧で電極間を電気的に接続することができる。低圧での加圧の圧力は、バンプ電極の接続部分の総面積当たり好ましくは100MPa以下、より好ましくは80MPa以下である。   In the present invention, the electrodes can be electrically connected at a low pressure. The pressurizing pressure at a low pressure is preferably 100 MPa or less, more preferably 80 MPa or less, per total area of the connection portion of the bump electrode.

なお、バンプ電極は、接続対象部材から突出した電極である。バンプ電極の接続部分の総面積とは、導電性粒子に接する部分の面積に限られず、平面視において(第1の接続対象部材と接続部と第2の接続対象部材との積層方向にみたときに)、2つの電極の対向し合う部分の総面積を意味する。   The bump electrode is an electrode protruding from the connection target member. The total area of the connection part of the bump electrode is not limited to the area of the part in contact with the conductive particles, but in plan view (when viewed in the stacking direction of the first connection target member, the connection part, and the second connection target member I) means the total area of the opposing portions of the two electrodes.

上記接続対象部材としては、具体的には、半導体チップ、コンデンサ及びダイオード等の電子部品、並びにプリント基板、フレキシブルプリント基板、ガラスエポキシ基板及びガラス基板等の回路基板などの電子部品等が挙げられる。上記接続対象部材は電子部品であることが好ましい。上記導電性粒子は、電子部品における電極の電気的な接続に用いられることが好ましい。   Specific examples of the connection target member include electronic components such as semiconductor chips, capacitors, and diodes, and electronic components such as printed boards, flexible printed boards, glass epoxy boards, and glass boards. The connection target member is preferably an electronic component. The conductive particles are preferably used for electrical connection of electrodes in an electronic component.

上記第1の接続対象部材及び上記第2の接続対象部材の内の少なくとも一方は、フレキシブルプリント基板であることが好ましい。上記第1の接続対象部材及び上記第2の接続対象部材の内の少なくとも一方は、半導体チップであることが好ましい。上記第1の接続対象部材及び上記第2の接続対象部材は、フレキシブルプリント基板及び半導体チップであることが好ましい。フレキシブルプリント基板の材料は、ポリイミド又はポリエステルであることが好ましく、ポリエステルの場合はポリエチレンテレフタラート(PET)であることが好ましい。上記導電性粒子及び上記導電材料は、フレキシブルプリント基板の導通に好適に用いられる。   At least one of the first connection target member and the second connection target member is preferably a flexible printed circuit board. At least one of the first connection target member and the second connection target member is preferably a semiconductor chip. It is preferable that the first connection target member and the second connection target member are a flexible printed circuit board and a semiconductor chip. The material of the flexible printed circuit board is preferably polyimide or polyester, and in the case of polyester, it is preferably polyethylene terephthalate (PET). The conductive particles and the conductive material are preferably used for conduction of a flexible printed board.

上記接続対象部材に設けられている電極としては、金電極、ニッケル電極、錫電極、アルミニウム電極、銅電極、銀電極、チタン電極、モリブデン電極及びタングステン電極等の金属電極が挙げられる。上記接続対象部材がフレキシブルプリント基板である場合には、上記電極は金電極、ニッケル電極、チタン電極、錫電極又は銅電極であることが好ましい。上記接続対象部材がガラス基板である場合には、上記電極はアルミニウム電極、チタン電極、銅電極、モリブデン電極又はタングステン電極であることが好ましい。なお、上記電極がアルミニウム電極である場合には、アルミニウムのみで形成された電極であってもよく、金属酸化物層の表面にアルミニウム層が積層された電極であってもよい。上記金属酸化物層の材料としては、3価の金属元素がドープされた酸化インジウム及び3価の金属元素がドープされた酸化亜鉛等が挙げられる。上記3価の金属元素としては、Sn、Al及びGa等が挙げられる。   Examples of the electrode provided on the connection target member include metal electrodes such as a gold electrode, a nickel electrode, a tin electrode, an aluminum electrode, a copper electrode, a silver electrode, a titanium electrode, a molybdenum electrode, and a tungsten electrode. When the connection object member is a flexible printed board, the electrode is preferably a gold electrode, a nickel electrode, a titanium electrode, a tin electrode, or a copper electrode. When the connection target member is a glass substrate, the electrode is preferably an aluminum electrode, a titanium electrode, a copper electrode, a molybdenum electrode, or a tungsten electrode. In addition, when the said electrode is an aluminum electrode, the electrode formed only with aluminum may be sufficient and the electrode by which the aluminum layer was laminated | stacked on the surface of the metal oxide layer may be sufficient. Examples of the material for the metal oxide layer include indium oxide doped with a trivalent metal element and zinc oxide doped with a trivalent metal element. Examples of the trivalent metal element include Sn, Al, and Ga.

以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。   Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to Examples and Comparative Examples. The present invention is not limited only to the following examples.

(実施例1)
種粒子として平均粒子径0.85μmのポリスチレン粒子を用意した。該ポリスチレン粒子3.0gと、イオン交換水500gと、ポリビニルアルコールの5重量%水溶液120gとを混合し、超音波により分散させた後、セパラブルフラスコに添加し、均一に撹拌した。また、内部形成材料として、有機化合物Aとしてシクロヘキシルメタクリレート49gと、2,2’−アゾビス(イソ酪酸メチル)(和光純薬工業社製「V−601」)1.5gと、ラウリル硫酸トリエタノールアミン3.0gと、エタノール40gとをイオン交換水400gに添加し、乳化液Aを調製した。種粒子としての上記ポリスチレン粒子が添加されたセパラブルフラスコに、上記乳化液Aをさらに添加し、4時間撹拌し、種粒子に上記有機化合物Aを吸収させて、内部形成材料が膨潤した種粒子を含む懸濁液を得た。次に、表面部形成材料として、有機化合物Bとしてジビニルベンゼン(純度96重量%)49gと、過酸化ベンゾイル(日油社製「ナイパーBW」)1.5gと、ラウリル硫酸トリエタノールアミン3.0gと、エタノール40gとをイオン交換水400gに添加し、乳化液Bを調製した。上記懸濁液が入ったセパラブルフラスコに、上記乳化液Bをさらに添加し、4時間撹拌し、内部形成材料が膨潤した種粒子に上記有機化合物Bを吸収させた。その後、ポリビニルアルコールの5重量%水溶液360gを添加し、加熱を開始して75℃で5時間、その後85℃で6時間反応させ、粒子径3μmの基材粒子Aを得た。
Example 1
Polystyrene particles having an average particle diameter of 0.85 μm were prepared as seed particles. 3.0 g of the polystyrene particles, 500 g of ion-exchanged water, and 120 g of a 5% by weight aqueous solution of polyvinyl alcohol were mixed and dispersed by ultrasonic waves, and then added to a separable flask and stirred uniformly. Further, as an internal forming material, 49 g of cyclohexyl methacrylate as organic compound A, 1.5 g of 2,2′-azobis (methyl isobutyrate) (“V-601” manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.), and triethanolamine lauryl sulfate 3.0 g and 40 g of ethanol were added to 400 g of ion-exchanged water to prepare an emulsion A. The emulsified liquid A is further added to the separable flask to which the polystyrene particles as seed particles are added, and the mixture is stirred for 4 hours. The seed particles absorb the organic compound A, and the internally formed material is swollen. A suspension containing was obtained. Next, 49 g of divinylbenzene (purity 96 wt%) as an organic compound B, 1.5 g of benzoyl peroxide (“NIPER BW” manufactured by NOF Corporation), and 3.0 g of lauryl sulfate triethanolamine as surface portion forming materials And 40 g of ethanol were added to 400 g of ion-exchanged water to prepare an emulsion B. The emulsion B was further added to the separable flask containing the suspension, and the mixture was stirred for 4 hours to absorb the organic compound B in the seed particles in which the internal forming material was swollen. Thereafter, 360 g of a 5% by weight aqueous solution of polyvinyl alcohol was added, heating was started, and the mixture was reacted at 75 ° C. for 5 hours and then at 85 ° C. for 6 hours to obtain substrate particles A having a particle size of 3 μm.

パラジウム触媒液を5重量%含むアルカリ溶液100重量部に、上記基材粒子A10重量部を、超音波分散器を用いて分散させた後、溶液をろ過することにより、基材粒子Aを取り出した。次いで、基材粒子Aをジメチルアミンボラン1重量%溶液100重量部に添加し、基材粒子Aの表面を活性化させた。表面が活性化された基材粒子Aを十分に水洗した後、蒸留水500重量部に加え、分散させることにより、分散液を得た。次に、アルミナ粒子スラリー(平均粒子径150nm)1gを3分間かけて上記分散液に添加し、芯物質が付着された基材粒子Aを含む懸濁液を得た。   After dispersing 10 parts by weight of the above base particle A in 100 parts by weight of an alkaline solution containing 5% by weight of a palladium catalyst solution using an ultrasonic disperser, the base particle A was taken out by filtering the solution. . Subsequently, the base particle A was added to 100 parts by weight of a 1% by weight dimethylamine borane solution to activate the surface of the base particle A. The substrate particles A whose surface was activated were sufficiently washed with water, and then added to 500 parts by weight of distilled water and dispersed to obtain a dispersion. Next, 1 g of alumina particle slurry (average particle size 150 nm) was added to the dispersion over 3 minutes to obtain a suspension containing base material particles A to which the core material was adhered.

また、硫酸ニッケル0.35mol/L、ジメチルアミンボラン1.38mol/L及びクエン酸ナトリウム0.5mol/Lを含むニッケルめっき液(pH8.5)を用意した。   Further, a nickel plating solution (pH 8.5) containing 0.35 mol / L of nickel sulfate, 1.38 mol / L of dimethylamine borane and 0.5 mol / L of sodium citrate was prepared.

得られた懸濁液を60℃にて攪拌しながら、上記ニッケルめっき液を懸濁液に徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行った。その後、懸濁液をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、基材粒子Aの表面にニッケル−ボロン導電層(厚み0.15μm)を配置して、表面が導電層である導電性粒子を得た。導電部の外表面の全表面積100%中、突起がある部分の表面積は70%であった。   While stirring the obtained suspension at 60 ° C., the nickel plating solution was gradually added dropwise to the suspension to perform electroless nickel plating. Thereafter, the suspension is filtered to take out the particles, washed with water, and dried to dispose a nickel-boron conductive layer (thickness 0.15 μm) on the surface of the base particle A, and the surface is a conductive layer. Conductive particles were obtained. Of the total surface area of 100% of the outer surface of the conductive part, the surface area of the portion with protrusions was 70%.

(実施例2)
アルミナ粒子スラリーをニッケル粒子スラリー(平均粒子径150nm)に変更したこと以外は、実施例1と同様にして、導電性粒子を得た。
(Example 2)
Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1 except that the alumina particle slurry was changed to nickel particle slurry (average particle diameter 150 nm).

(実施例3)
突起形成に粒子スラリーを用いずに、導電部の形成時に部分的に析出量がかわるように調整して突起を形成したこと以外は、実施例1と同様にして、導電性粒子を得た。
(Example 3)
Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1 except that the protrusion was formed by adjusting so that the amount of precipitation was partially changed when forming the conductive portion without using the particle slurry for forming the protrusion.

(実施例4)
内部形成材料として、有機化合物Aのシクロヘキシルメタクリレートの添加量を49gから59.2gに変更し、かつ表面部形成材料として、有機化合物Bのジビニルベンゼンの添加量を49gから39.2gに変更して作製した基材粒子Bを用いたこと以外は、実施例1と同様にして、導電性粒子を得た。
Example 4
As the internal forming material, the addition amount of cyclohexyl methacrylate of organic compound A was changed from 49 g to 59.2 g, and as the surface forming material, the addition amount of divinylbenzene of organic compound B was changed from 49 g to 39.2 g. Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1 except that the prepared base particle B was used.

(実施例5)
内部形成材料として、有機化合物Aのシクロヘキシルメタクリレートの添加量を49gから39.2gに変更し、かつ表面部形成材料として、有機化合物Bのジビニルベンゼンの添加量を49gから58.8gに変更して作製した基材粒子Cを用いたこと以外は、実施例1と同様にして、導電性粒子を得た。
(Example 5)
As an internal forming material, the addition amount of cyclohexyl methacrylate of organic compound A was changed from 49 g to 39.2 g, and as a surface portion forming material, the addition amount of divinylbenzene of organic compound B was changed from 49 g to 58.8 g. Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1 except that the prepared base particle C was used.

(実施例6)
内部形成材料として、有機化合物Aのシクロヘキシルメタクリレートの添加量を49gから34.3gに変更し、かつ表面部形成材料として、有機化合物Bのジビニルベンゼンの添加量を49gから63.7gに変更して作製した基材粒子Dを用いたこと以外は、実施例1と同様にして、導電性粒子を得た。
(Example 6)
As an internal forming material, the addition amount of cyclohexyl methacrylate of organic compound A was changed from 49 g to 34.3 g, and as a surface portion forming material, the addition amount of divinylbenzene of organic compound B was changed from 49 g to 63.7 g. Except having used the produced base material particle D, it carried out similarly to Example 1, and obtained electroconductive particle.

(実施例7)
基材粒子Aから粒子径のみをかえて、粒子径が2.0μmである基材粒子Eを用いたこと以外は、実施例1と同様にして、導電性粒子を得た。
(Example 7)
Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1 except that only the particle diameter was changed from the base particle A and the base particle E having a particle diameter of 2.0 μm was used.

(実施例8)
基材粒子Aから粒子径のみをかえて、粒子径が4.8μmである基材粒子Fを用いたこと以外は、実施例1と同様にして、導電性粒子を得た。
(Example 8)
Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1 except that only the particle diameter was changed from the base particle A and the base particle F having a particle diameter of 4.8 μm was used.

(実施例9)
基材粒子Aから粒子径のみをかえて、粒子径が7.0μmである基材粒子Gを用いたこと以外は、実施例1と同様にして、導電性粒子を得た。
Example 9
Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1 except that only the particle diameter was changed from the base particle A and the base particle G having a particle diameter of 7.0 μm was used.

(実施例10)
導電部の厚みを0.10μmに変更したこと以外は、実施例1と同様にして、導電性粒子を得た。
(Example 10)
Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the conductive part was changed to 0.10 μm.

(実施例11)
導電部の厚みを0.05μmに変更したこと以外は、実施例1と同様にして、導電性粒子を得た。
(Example 11)
Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the conductive part was changed to 0.05 μm.

(実施例12)
導電部の厚みを0.2μmに変更したこと以外は、実施例1と同様にして、導電性粒子を得た。
(Example 12)
Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the conductive part was changed to 0.2 μm.

(実施例13)
導電部の厚みを0.2μmに変更したこと以外は、実施例4と同様にして、導電性粒子を得た。
(Example 13)
Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 4 except that the thickness of the conductive part was changed to 0.2 μm.

(実施例14)
導電部をニッケル−リン導電層(リン含有量8重量%)に変更したこと以外は、実施例1と同様にして、導電性粒子を得た。
(Example 14)
Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1 except that the conductive part was changed to a nickel-phosphorus conductive layer (phosphorus content 8 wt%).

(実施例15)
ニッケルめっき液の組成を変更し、実施例1におけるニッケル−ボロン導電層(厚み0.15μm)の厚みを0.12μmに変更したこと、並びに、この厚みを変更した上記導電部の外表面に、還元剤として塩化チタン(III)を用い、高純度のニッケルめっき層(厚み30nm)を形成して、多層の導電部を形成したこと以外は、実施例1と同様にして、導電性粒子を得た。
(Example 15)
The composition of the nickel plating solution was changed, the thickness of the nickel-boron conductive layer (thickness 0.15 μm) in Example 1 was changed to 0.12 μm, and on the outer surface of the conductive part whose thickness was changed, Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1 except that titanium (III) chloride was used as the reducing agent, a high-purity nickel plating layer (thickness 30 nm) was formed, and a multi-layer conductive portion was formed. It was.

(実施例16)
導電部の外表面の全表面積100%中、突起がある部分の表面積を25%に変更したこと以外は実施例1と同様にして、導電性粒子を得た。
(Example 16)
Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1 except that the surface area of the portion with protrusions was changed to 25% out of 100% of the total surface area of the outer surface of the conductive part.

(実施例17)
4ツ口セパラブルカバー、攪拌翼、三方コック、冷却管及び温度プローブが取り付けられた1000mLのセパラブルフラスコに、メタクリル酸メチル100mmolと、N,N,N−トリメチル−N−2−メタクリロイルオキシエチルアンモニウムクロライド1mmolと、2,2’−アゾビス(2−アミジノプロパン)二塩酸塩1mmolとを含むモノマー組成物を固形分率が5重量%となるようにイオン交換水に秤取した後、200rpmで攪拌し、窒素雰囲気下70℃で24時間重合を行った。反応終了後、凍結乾燥して、表面にアンモニウム基を有し、平均粒子径220nm及びCV値10%の絶縁性粒子を得た。
(Example 17)
To a 1000 mL separable flask equipped with a four-neck separable cover, stirring blade, three-way cock, condenser and temperature probe, 100 mmol of methyl methacrylate and N, N, N-trimethyl-N-2-methacryloyloxyethyl A monomer composition containing 1 mmol of ammonium chloride and 1 mmol of 2,2′-azobis (2-amidinopropane) dihydrochloride was weighed in ion-exchanged water so that the solid content was 5% by weight, and then at 200 rpm. The mixture was stirred and polymerized at 70 ° C. for 24 hours under a nitrogen atmosphere. After completion of the reaction, it was freeze-dried to obtain insulating particles having an ammonium group on the surface, an average particle size of 220 nm, and a CV value of 10%.

絶縁性粒子を超音波照射下でイオン交換水に分散させ、絶縁性粒子の10重量%水分散液を得た。   The insulating particles were dispersed in ion exchange water under ultrasonic irradiation to obtain a 10 wt% aqueous dispersion of insulating particles.

実施例1で得られた導電性粒子10gをイオン交換水500mLに分散させ、絶縁性粒子の水分散液4gを添加し、室温で6時間攪拌した。3μmのメッシュフィルターでろ過した後、更にメタノールで洗浄し、乾燥し、絶縁性粒子が付着した導電性粒子を得た。   10 g of the conductive particles obtained in Example 1 were dispersed in 500 mL of ion exchange water, 4 g of an aqueous dispersion of insulating particles was added, and the mixture was stirred at room temperature for 6 hours. After filtration through a 3 μm mesh filter, the particles were further washed with methanol and dried to obtain conductive particles having insulating particles attached thereto.

走査型電子顕微鏡(SEM)により観察したところ、導電性粒子の表面に絶縁性粒子による被覆層が1層のみ形成されていた。画像解析により導電性粒子の中心より2.5μmの面積に対する絶縁性粒子の被覆面積(即ち絶縁性粒子の粒子径の投影面積)を算出したところ、被覆率は30%であった。   When observed with a scanning electron microscope (SEM), only one coating layer of insulating particles was formed on the surface of the conductive particles. The coverage of the insulating particles with respect to the area of 2.5 μm from the center of the conductive particles by image analysis (that is, the projected area of the particle diameter of the insulating particles) was calculated to be 30%.

(比較例1)
基材粒子Hとしてジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子(積水化学工業社製「ミクロパールSP−203」)を用意した。基材粒子Aを基材粒子Hに変更したこと以外は、実施例1と同様にして、導電性粒子を得た。
(Comparative Example 1)
As the substrate particles H, divinylbenzene copolymer resin particles (“Micropearl SP-203” manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.) were prepared. Except having changed the base material particle A into the base material particle H, it carried out similarly to Example 1, and obtained electroconductive particle.

(比較例2)
ポリテトラメチレングリコール38g、ジアクリレートとジビニルベンゼン152gと、過酸化ベンゾイル2.6gと、ラウリル硫酸トリエタノールアミン10gと、エタノール130gとをイオン交換水1000gに加え、攪拌し、乳化液を得た。得られた乳化液を数回に分けて重合体シード粒子液に加え、12時間攪拌した。その後、ポリビニルアルコールの5重量%水溶液360gを添加し、加熱を開始して75℃で5時間、その後85℃で6時間反応させ、粒子径3μmの基材粒子Iを得た。基材粒子Aを基材粒子Iに変更したこと以外は、実施例1と同様にして、導電性粒子を得た。
(Comparative Example 2)
Polytetramethylene glycol 38 g, diacrylate and divinylbenzene 152 g, benzoyl peroxide 2.6 g, lauryl sulfate triethanolamine 10 g and ethanol 130 g were added to ion-exchanged water 1000 g and stirred to obtain an emulsion. The resulting emulsion was added to the polymer seed particle solution in several batches and stirred for 12 hours. Thereafter, 360 g of a 5% by weight aqueous solution of polyvinyl alcohol was added, heating was started, and the mixture was reacted at 75 ° C. for 5 hours and then at 85 ° C. for 6 hours to obtain substrate particles I having a particle diameter of 3 μm. Except having changed the base material particle A into the base material particle I, it carried out similarly to Example 1, and obtained electroconductive particle.

(比較例3)
内部形成材料として、有機化合物Aのシクロヘキシルメタクリレートの添加量を49gから29.4gに変更したこと、並びに表面部形成材料として、有機化合物Bのジビニルベンゼンの添加量を49gから68.6gに変更して作製した基材粒子Jを用いたこと以外は、実施例1と同様にして、導電性粒子を得た。
(Comparative Example 3)
The amount of cyclohexyl methacrylate added to organic compound A as an internal forming material was changed from 49 g to 29.4 g, and the amount of divinylbenzene added to organic compound B as a surface portion forming material was changed from 49 g to 68.6 g. Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1 except that the base particles J produced in this way were used.

(比較例4)
内部形成材料として、有機化合物Aのシクロヘキシルメタクリレートの添加量を49gから24.5gに変更したこと、並びに表面部形成材料として、有機化合物Bのジビニルベンゼンの添加量を49gから73.5gに変更して作製した基材粒子Kを用いたこと以外は、実施例1と同様にして、導電性粒子を得た。
(Comparative Example 4)
The amount of cyclohexyl methacrylate added as organic compound A was changed from 49 g to 24.5 g as an internal forming material, and the amount of divinylbenzene added as organic compound B was changed from 49 g to 73.5 g as a surface forming material. Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1 except that the base material particles K produced in this manner were used.

(比較例5)
導電部の厚みを0.07μmに変更したこと以外は、実施例1と同様にして、導電性粒子を得た。
(Comparative Example 5)
Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the conductive part was changed to 0.07 μm.

(評価)
(1)導電性粒子を10%、20%、30%又は40%圧縮したときの圧縮弾性率(10%K値、20%K値、30%K値及び40%K値)
得られた導電性粒子の上記圧縮弾性率(10%K値、20%K値、30%K値及び40%K値)を、上述した方法により、微小圧縮試験機(フィッシャー社製「フィッシャースコープH−100」)を用いて測定した。
(Evaluation)
(1) Compression modulus (10% K value, 20% K value, 30% K value and 40% K value) when conductive particles are compressed by 10%, 20%, 30% or 40%
The above-mentioned compression elastic modulus (10% K value, 20% K value, 30% K value and 40% K value) of the obtained conductive particles was measured by the above-described method using a micro compression tester (Fischer Scope manufactured by Fischer). H-100 ").

(2)導電性粒子の40%圧縮回復率
得られた導電性粒子の上記40%圧縮回復率を、上述した方法により、微小圧縮試験機(フィッシャー社製「フィッシャースコープH−100」)を用いて測定した。
(2) 40% compression recovery rate of conductive particles Using the above-described method, the 40% compression recovery rate of the obtained conductive particles was measured using a micro compression tester (Fischer Scope H-100 manufactured by Fischer). Measured.

(3)初期の接続抵抗
得られた導電性粒子を含有量が10重量%となるように、三井化学社製「ストラクトボンドXN−5A」に添加し、分散させて、異方性導電ペーストを作製した。
(3) Initial connection resistance The obtained conductive particles are added to “Strectbond XN-5A” manufactured by Mitsui Chemicals so that the content becomes 10% by weight. Produced.

L/Sが20μm/20μmであるTi−Al−Tiの複層電極パターンを上面に有するポリイミド基板(フレキシブルプリント基板)を用意した。また、L/Sが20μm/20μmである金電極パターンを下面に有する半導体チップを用意した。   A polyimide substrate (flexible printed circuit board) having a Ti—Al—Ti multilayer electrode pattern having an L / S of 20 μm / 20 μm on the upper surface was prepared. Further, a semiconductor chip having a gold electrode pattern with L / S of 20 μm / 20 μm on the lower surface was prepared.

上記ポリイミド基板上に、作製直後の異方性導電ペーストを厚さ30μmとなるように塗工し、異方性導電ペースト層を形成した。次に、異方性導電ペースト層上に上記半導体チップを、電極同士が対向するように積層した。その後、異方性導電ペースト層の温度が150℃となるようにヘッドの温度を調整しながら、半導体チップの上面に加圧加熱ヘッドを載せ、バンプ総面積当たり40MPaの圧力をかけて異方性導電ペースト層を150℃で硬化させて、接続構造体を得た。得られた接続構造体の対向する電極間の接続抵抗を4端子法により測定した。また、初期の接続抵抗を下記の基準で判定した。   On the polyimide substrate, the anisotropic conductive paste immediately after preparation was applied to a thickness of 30 μm to form an anisotropic conductive paste layer. Next, the semiconductor chip was stacked on the anisotropic conductive paste layer so that the electrodes face each other. Then, while adjusting the temperature of the head so that the temperature of the anisotropic conductive paste layer becomes 150 ° C., a pressure heating head is placed on the upper surface of the semiconductor chip, and an anisotropy is applied by applying a pressure of 40 MPa per total bump area. The conductive paste layer was cured at 150 ° C. to obtain a connection structure. The connection resistance between the opposing electrodes of the obtained connection structure was measured by the 4-terminal method. The initial connection resistance was determined according to the following criteria.

[初期の接続抵抗の評価基準]
○○○:接続抵抗が2.0Ω以下
○○:接続抵抗が2.0Ωを超え、3.0Ω以下
○:接続抵抗が3.0Ωを超え、5.0Ω以下
△:接続抵抗が5.0Ωを超える10.0Ω以下
×:接続抵抗が10.0Ω以上
[Evaluation criteria for initial connection resistance]
○○○: Connection resistance is 2.0Ω or less ○○: Connection resistance is over 2.0Ω, 3.0Ω or less ○: Connection resistance is over 3.0Ω, 5.0Ω or less Δ: Connection resistance is 5.0Ω 10.0Ω or less exceeding X: Connection resistance is 10.0Ω or more

(4)高温高湿下に晒された後の接続抵抗(長期信頼性)
上記(3)初期の接続抵抗の評価で得られた接続構造体を85℃及び湿度85%の高温高湿槽で、100時間放置した。放置後の接続構造体において、接続構造体の対向する電極間の接続抵抗を4端子法により測定した。また、高温高湿下に晒された後の接続抵抗を下記の基準で判定した。
(4) Connection resistance after exposure to high temperature and high humidity (long-term reliability)
The connection structure obtained by the above (3) evaluation of the initial connection resistance was left in a high-temperature and high-humidity tank at 85 ° C. and a humidity of 85% for 100 hours. In the connection structure after being left, the connection resistance between the opposing electrodes of the connection structure was measured by a four-terminal method. Further, the connection resistance after being exposed to high temperature and high humidity was determined according to the following criteria.

[高温高湿下に晒された後の接続抵抗の評価基準]
○○○:接続抵抗(放置前)の平均値に比べ、接続抵抗(放置後)の平均値が125%未満
○○:接続抵抗(放置前)の平均値に比べ、接続抵抗(放置後)の平均値が125%以上、150%未満
○:接続抵抗(放置前)の平均値に比べ、接続抵抗(放置後)の平均値が150%以上、200%未満
△:接続抵抗(放置前)の平均値に比べ、接続抵抗(放置後)の平均値が200%以上300%未満
×:接続抵抗(放置前)の平均値に比べ、接続抵抗(放置後)の平均値が300%以上
[Evaluation criteria for connection resistance after exposure to high temperature and high humidity]
○○○: Less than 125% average connection resistance (after leaving) compared to the average value of connection resistance (before leaving) ○○: Connection resistance (after leaving) compared to the average value of connection resistance (before leaving) Average value of 125% or more and less than 150% ○: Compared to the average value of connection resistance (before leaving), the average value of connection resistance (after leaving) is 150% or more and less than 200% △: Connection resistance (before leaving) Compared to the average value of the connection resistance (after leaving), the average value of the connection resistance (after leaving) is 200% or more and less than 300%.

Figure 2017069191
Figure 2017069191

1…導電性粒子
2…基材粒子
3…導電部
11…導電性粒子
11a…突起
12…導電部
12a…突起
13…芯物質
14…絶縁性物質
21…導電性粒子
21a…突起
22…導電部
22a…突起
22A…第1の導電部
22Aa…突起
22B…第2の導電部
22Ba…突起
51…接続構造体
52…第1の接続対象部材
52a…第1の電極
53…第2の接続対象部材
53a…第2の電極
54…接続部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Conductive particle 2 ... Base material particle 3 ... Conductive part 11 ... Conductive particle 11a ... Protrusion 12 ... Conductive part 12a ... Protrusion 13 ... Core substance 14 ... Insulating substance 21 ... Conductive particle 21a ... Protrusion 22 ... Conductive part 22a ... projection 22A ... first conductive part 22Aa ... projection 22B ... second conductive part 22Ba ... projection 51 ... connection structure 52 ... first connection target member 52a ... first electrode 53 ... second connection target member 53a ... 2nd electrode 54 ... Connection part

Claims (12)

基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備え、
20%圧縮したときの圧縮弾性率の40%圧縮したときの圧縮弾性率に対する比が1.35以上であり、
30%圧縮したときの圧縮弾性率の40%圧縮したときの圧縮弾性率に対する比が0.85以上であり、
40%圧縮時の圧縮回復率が30%以下である、導電性粒子。
Comprising substrate particles and a conductive portion disposed on the surface of the substrate particles,
The ratio of the compression elastic modulus at 20% compression to the compression elastic modulus at 40% compression is 1.35 or more,
The ratio of the compressive modulus when compressed by 30% to the compressive modulus when compressed by 40% is 0.85 or more,
Conductive particles having a compression recovery rate of 30% or less at 40% compression.
10%圧縮したときの圧縮弾性率が5000N/mm以上である、請求項1に記載の導電性粒子。 The electroconductive particle of Claim 1 whose compression elastic modulus when compressed 10% is 5000 N / mm < 2 > or more. 前記基材粒子の粒子径が1.0μm以上、5.0μm以下である、請求項1又は2に記載の導電性粒子。   The electroconductive particle of Claim 1 or 2 whose particle diameter of the said base material particle is 1.0 micrometer or more and 5.0 micrometers or less. 前記基材粒子が、樹脂粒子又は有機無機ハイブリッド粒子である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の導電性粒子。   The electroconductive particle of any one of Claims 1-3 whose said base material particle is a resin particle or an organic inorganic hybrid particle. 前記導電部の外表面に複数の突起を有する、請求項1〜4のいずれか1項に記載の導電性粒子。   The electroconductive particle of any one of Claims 1-4 which has several protrusion on the outer surface of the said electroconductive part. 前記導電部内において、複数の前記突起を形成するように、前記導電部の外表面を隆起させている複数の芯物質を備える、請求項5に記載の導電性粒子。   6. The conductive particle according to claim 5, further comprising a plurality of core substances that project the outer surface of the conductive portion so as to form the plurality of protrusions in the conductive portion. 前記芯物質のモース硬度が5以上である、請求項6に記載の導電性粒子。   The electroconductive particle of Claim 6 whose Mohs hardness of the said core substance is 5 or more. 前記導電部の外表面の全表面積100%中、前記突起がある部分の表面積が30%以上である、請求項5〜7のいずれか1項に記載の導電性粒子。   The electroconductive particle of any one of Claims 5-7 whose surface area of the part with the said protrusion is 30% or more in 100% of the total surface area of the outer surface of the said electroconductive part. 前記導電部の外表面上に配置された絶縁性物質を備える、請求項1〜8のいずれか1項に記載の導電性粒子。   The electroconductive particle of any one of Claims 1-8 provided with the insulating substance arrange | positioned on the outer surface of the said electroconductive part. フレキシブルプリント基板の導通に用いられる、請求項1〜9のいずれか1項に記載の導電性粒子。   The electroconductive particle of any one of Claims 1-9 used for conduction | electrical_connection of a flexible printed circuit board. 請求項1〜10のいずれか1項に記載の導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む、導電材料。   The electroconductive material containing the electroconductive particle of any one of Claims 1-10, and binder resin. 第1の接続対象部材と、
第2の接続対象部材と、
前記第1の接続対象部材と、前記第2の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、
前記接続部の材料が、請求項1〜10のいずれか1項に記載の導電性粒子であるか、又は前記導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料である、接続構造体。
A first connection target member;
A second connection target member;
A connecting portion connecting the first connection target member and the second connection target member;
A connection structure in which the material of the connection part is the conductive particle according to any one of claims 1 to 10, or a conductive material containing the conductive particle and a binder resin.
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